CN1449570A - 电阻器及其制造方法 - Google Patents

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CN1449570A CN01814950A CN01814950A CN1449570A CN 1449570 A CN1449570 A CN 1449570A CN 01814950 A CN01814950 A CN 01814950A CN 01814950 A CN01814950 A CN 01814950A CN 1449570 A CN1449570 A CN 1449570A
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Abstract

提供一种电阻器，可提高上面电极与端面电极电连接的可靠性及提高第一薄膜与第二薄膜的贴附力，能提高可靠性。在基板的一个主面上形成的上面电极由第一上面电极层和重叠在该第一上面电极层上的贴附层构成，同时设置在所述基板的边缘并与所述一对上面电极电连接的端面电极由位于基板边缘的第一薄膜和由Cu系合金薄膜构成的与该第一薄膜电连接的第二薄膜和由镍镀层构成的覆盖所述第二薄膜的第一镀膜和覆盖所述第一镀膜的第二镀膜构成。

Description

电阻器及其制造方法
技术领域
本发明涉及电阻器及其制造方法，特别是涉及微小电阻器及其制造方法。
背景技术
作为现有的这种电阻器知道有特开平3-80501号公报公开的端面电极为四层结构的电阻器。
如图70所示，该电阻器在位于基板1上面的两端部靠近基板1端面的内侧设有一对上面电极膜2、电阻层3跨骑其设置，同时在所述基板1的端面设有一对コ字形端面电极4与一对上面电极膜2电连接。所述端面电极4具有四层结构，即：第一金属薄膜5，コ字型、在最下层、由与上面电极膜2电连接的Ni-Cr薄膜、Ti薄膜或Cr薄膜构成；第二金属薄膜6，重叠在该第一金属薄膜5上、由低电阻的Cu薄膜构成；第一金属镀膜7，重叠在该第二金属薄膜6上、由Ni镀膜构成；第二金属镀膜8，重叠在该第一金属镀膜7上、由Pb-Sn镀膜或Sn镀膜构成。
但上述的现有电阻器中端面电极4的第二金属薄膜6是由低电阻的Cu薄膜构成的，所以将该电阻器放置在湿度高的空气中时第二金属薄膜6的Cu薄膜与其下层的第一金属薄膜5的界面上，由于第一金属薄膜5与第二金属薄膜6难于固溶、所以当水分等被该界面吸附时第二金属薄膜6易从第一金属薄膜5剥离。
发明内容
电阻器具有：基板；一对上面电极，形成在该基板的一个主面上；电阻体，设置成与该一对上面电极电连接；保护层，设置成至少覆盖所述电阻体；一对端面电极，设置在所述基板的边缘且电连接在所述一对上面电极上。所述一对上面电极由第一上面电极层和重叠在该第一上面电极层上的贴附层所构成，同时所述端面电极由多层结构构成，所述多层结构包括：第一薄膜，位于基板的边缘且由对基板贴附性良好的Cr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜的任一个构成；第二薄膜，与该第一薄膜电连接、由Cu系合金薄膜构成；第一镀膜，由镍镀层构成、至少覆盖所述第二薄膜；第二镀膜，至少覆盖所述第一镀膜。
根据上述的电阻器，把设在基板边缘且与一对上面电极电连接的一对端面电极用薄膜形成时，由于一对上面电极是由第一上面电极层和重叠在该第一上面电极层上的贴附层所构成，所以能增大一对端面电极和一对上面电极的接触面积，这样能提高上面电极与端面电极电连接的可靠性。所述端面电极把与第一薄膜电连接的第二薄膜用Cu系合金薄膜构成，所以在第一薄膜与第二薄膜的界面构成Cu系合金薄膜的添加金属与第一薄膜的构成金属构成全率固溶体，这样第一薄膜与第二薄膜的贴附力提高、能提高可靠性。
附图说明
图1是本发明第一实施例电阻器的剖面图；
图2是表示制造同电阻器时在所用片状基板的整个周围的端部形成不要区域部状态的平面图；
图3A～3C是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图4A～4C是表示同电阻器制造工序的平面图；
图5A、5B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图6A、6B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图7A～7C是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图8A～8C是表示同电阻器制造工序的平面图；
图9A～9C是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图10A～10C是表示同电阻器制造工序的平面图；
图11A、11B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图12A、12B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图13是构成同电阻器第二薄膜的Cu-Ni合金薄膜的平衡状态图；
图14是同电阻器第一薄膜和第二薄膜SIMS的组成分析结果的说明图；
图15A、15B是表示说明特性的试验方法的图；
图16是表示制造同电阻器时在所用片状基板的一个端部形成不要区域部状态的平面图；
图17是表示制造同电阻器时在所用片状基板的两个端部形成不要区域部状态的平面图；
图18是表示制造同电阻器时在所用片状基板的三个端部形成不要区域部状态的平面图；
图19是本发明第二实施例电阻器的剖面图；
图20是表示制造同电阻器时在所用片状基板的整个周围的端部形成不要区域部状态的平面图；
图21A～21C是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图22A～22C是表示同电阻器制造工序的平面图；
图23A、23B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图24A、24B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图25A～25C是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图26A～26C是表示同电阻器制造工序的平面图；
图27A～27C是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图28A～28C是表示同电阻器制造工序的平面图；
图29A、29B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图30A、30B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图31是本发明第三实施例电阻器的剖面图；
图32是除去了同电阻器端面电极的平面图；
图33是表示制造同电阻器时在所用片状基板的整个周围的端部形成不要区域部状态的平面图；
图34A、34B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图35A、35B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图36A、36B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图37A、37B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图38A、38B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图39A、39B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图40A、40B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图41A、41B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图42A、42B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图43A、43B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图44是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图45是表示同电阻器制造工序的平面图；
图46A、46B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图47A、47B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图48A、48B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图49A、49B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图50是表示制造同电阻器时在所用片状基板的一个端部形成不要区域部状态的平面图；
图51是表示制造同电阻器时在所用片状基板的两个端部形成不要区域部状态的平面图；
图52是表示制造同电阻器时在所用片状基板的三个端部形成不要区域部状态的平面图；
图53是本发明第四实施例电阻器的剖面图；
图54是表示制造同电阻器时在所用片状基板的整个周围的端部形成不要区域部状态的平面图；
图55A、55B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图56A、56B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图57A、57B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图58A、58B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图59A、59B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图60A、60B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图61A、61B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图62A、62B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图63A、64B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图64A、64B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图65A、65B是表示同电阻器制造工序的剖面图；
图66A、66B是表示同电阻器制造工序的平面图；
图67是表示制造同电阻器时在所用片状基板的一个端部形成不要区域部状态的平面图；
图68是表示制造同电阻器时在所用片状基板的两个端部形成不要区域部状态的平面图；
图69是表示制造同电阻器时在所用片状基板的三个端部形成不要区域部状态的平面图；
图70是现有电阻器的剖面图。
具体实施方式
(第一实施例)
下面边参照附图边说明本发明第一实施例的电阻器及其制造方法。
图1是本发明第一实施例电阻器的剖面图。图1中11是基板、由煅烧完的96％纯度的氧化铝构成的片状基板，通过用切缝状的第一分割部和与该第一分割部是正交关系的第二分割部的分割而被个片化。12是在基板11的一个主面(上面)上形成的以银为主成分的一对第一上面电极层。13是在基板11的上面形成的氧化钌系的电阻体，一部分重叠在一对第一上面电极层12上、即电连接上。14是在电阻体13的上面形成的以玻璃为主成分的第一保护层。15是为修正一对第一上面电极层12间的电阻体13的电阻值而设置的调整槽。16是一对贴附层、由银系导电性树脂构成，设置得重叠在一对第一上面电极层12的一部分上，由该一对贴附层16和所述一对第一上面电极层12构成一对上面电极17。所述第一上面电极层12和贴附层16在基板11的边缘构成一个面。而且所述贴附层16构成得在厚度方向上的最大高度高于第一上面电极层12在厚度方向上的最大高度。18是第二保护层、以树脂为主成分，覆盖以玻璃为主成分的第一保护层14，同时形成得重叠在贴附层16的一部分上。19是设置在所述基板11的边缘且与所述一对上面电极17电连接的一对端面电极，该一对端面电极19是由下面的多层结构构成的，即；第一薄膜20，位于基板11的边缘一侧、与基板11的端面、第一上面电极层12的端面及贴附层16的端面重叠，同时形成大致L字形覆盖基板11背面的端部；第二薄膜21，大致L字形、形成得重叠在该第一薄膜20上且与第一薄膜20电连接；第一镀膜22，由大致コ字形的镍镀层构成、形成得覆盖该第二薄膜21的同时覆盖露出的贴附层16的上面；第二镀膜23，由大致コ字形的锡镀层构成、形成得覆盖该第一镀膜22。
上述结构中一对上面电极17是由第一上面电极层12和重叠在该第一上面电极层12上的贴附层16构成的，所以能增大一对端面电极19与一对上面电极17的接触面积，这样能提高上面电极17与端面电极19电连接的可靠性。
构成上面电极17的第一上面电极层12和贴附层16在基板11的边缘构成一个面，所以在把设在基板11的边缘且与上面电极17电连接的端面电极19用薄膜形成时，能把由薄膜构成的端面电极19连接在基板11的边缘和第一上面电极层12及贴附层16的基板边缘一侧形成稳定状态。
而且构成上面电极17的第一上面电极层12和贴附层16中是仅第一上面电极层12与电阻体13电连接的结构，所以即使形成贴附层16电阻值也不变化，这样能良好保持电阻接触、能得到电阻值修正后电阻值就不变化的可靠性高的电阻器。
在构成上面电极17的第一上面电极层12和贴附层16中把贴附层16在厚度方向上的最大高度构成得高于第一上面电极层12在厚度方向上的最大高度，所以在把设置在基板11的边缘且与上面电极17电连接的端面电极19用薄膜形成时，因贴附层16的存在能增大由薄膜构成的端面电极19与上面电极17的接触面积，这样能提高上面电极17与端面电极19电连接的可靠性。
而且构成端面电极19的第一薄膜20和第二薄膜21从基板11的背面到端面构成大致L字形，所以用薄膜技术形成第一薄膜20和第二薄膜21时仅根据基板11一方的面即背面就可容易形成，这样能谋求提高生产性。
上述本发明第一实施例中特别地把构成上面电极17的第一上面电极层12用银系材料构成，同时把贴附层16用银系导电性树脂构成，所以第一上面电极层12的形成温度在850℃左右、且贴附层16的形成温度在200℃左右，其结果是进行电阻值修正后就不再发生电阻值变化。
下面对以上结构的本发明第一实施例的电阻器边参照附图边说明其制造方法。
图2是表示制造本发明第一实施例的电阻器时在所用片状基板的整个周围的端部形成不要区域部状态的平面图，图3A～3C，图4A～4C，图5A、5B，图6A、6B，图7A～7C，图8A～8C，图9A～9C，图10A～10C，图11A、11B及图12A、12B是表示本发明第一实施例的电阻器制造方法的工序图。
首先如图2，图3A、图4A所示准备由煅烧完的、96％纯度氧化铝构成的厚度0.2mm有绝缘性的片状基板31。这时如图2所示，片状基板31在整个周围的端部具有最终不成为制品的不要区域部31a。该不要区域部31a构成大致口字状。
接着如图2、图3B、图4B所示，在片状基板31的上面用丝网印刷法形成以银为主成分的多对第一上面电极层32，通过用煅烧靠模峰值温度850℃的煅烧把第一上面电极层32制成稳定的膜。
接着如图2、图3C、图4C所示，用丝网印刷法跨骑多对上面电极层32形成氧化钌系的多个电阻体33，通过用煅烧靠模峰值温度850℃的煅烧把电阻体33制成稳定的膜。
接着如图5A、图6A所示，用丝网印刷法形成多个以玻璃为主成分的第一保护层34把多个电阻体33覆盖，通过用煅烧靠模峰值温度600℃的煅烧把以玻璃为主成分的第一保护层34制成稳定的膜。
接着如图5B、图6B所示，用激光调整法进行调整、形成多个调整槽35，以把多对第一上面电极层32间的电阻体33的电阻值修正为规定的值。
接着如图7A、图8A所示，用丝网印刷法形成多对由银系导电性树脂构成的贴附层36重叠在多对第一上面电极层32的一部分上，通过用硬化靠模峰值温度200℃的硬化把贴附层36制成稳定的膜。
接着如图7B、图8B所示，用丝网印刷法形成以树脂为主成分的多个第二保护层37把图面上纵向并列的多个以玻璃为主成分的第一保护层34覆盖、同时重叠在贴附层36的一部分上，通过用硬化靠模峰值温度200℃的硬化把第二保护层37制成稳定的膜。
接着如图2、图7C、图8C所示，除在形成了第二保护层37的片状基板31上形成于整个周围端部的不要区域部31a之外，用切割法形成多个切缝状的第一分割部38、以把多对第一上面电极层32及贴附层36分离而分割成多个长方形基板31b。这时多个切缝状的第一分割部38以700μm的间距形成、且该切缝状第一分割部38的宽度是宽度120μm。所述多个切缝状第一分割部38是由将片状基板31上下方向贯通的通孔形成的。而且所述片状基板31是除了不要区域部31a之外用切割法形成了多个切缝状第一分割部38，所以切缝状第一分割部38形成后、多个长方形基板31b还连接在不要区域部31a上，呈片状态。
接着如图9A、图10A所示，使用喷镀法从片状基板31的背面开始在基板31的整个背面和位于多个切缝状第一分割部38内面的基板31的端面、第一上面电极层32的端面及贴附层36的端面上形成第一薄膜39构成端面电极的一部分，由对基板31贴附性良好的Cr薄膜构成。
接着如图9B、图10B所示，使用喷镀法从片状基板31的背面开始形成多对第二薄膜40重叠在多对第一薄膜39上构成端面电极的一部分，由Cu-Ni合金薄膜构成。
接着如图9C、图10C所示，把片状基板31整个背面上形成的多对第一薄膜39和第二薄膜40的不要部分、即片状基板31背面的大致中央部分通过用具有约0.3mm径点径的激光照射使以0.3mm的宽度蒸发而剥离除去，形成多对背面电极41。
接着如图2、图11A、图12A所示，除形成于片状基板31整个周围端部的不要区域部31a之外，在与切缝状第一分割部38正交的方向上形成多个第二分割部42以把在片状基板31的多个长方形基板31b上形成的多个电阻体33各个分离、分割成小片状基板31c。这时多个第二分割部42以400μm的间距形成，所以第二分割部42的宽度是100μm宽。该多个第二分割部42是用激光划线器形成的，首先用激光形成分割槽、然后用一般的分割设备分割分割槽部分，分割成小片状基板31c。即该分割方法每次形成第二分割部42并不个片化、能得到用两个阶段个片化的作用效果。而且该多个第二分割部42除不要区域部31a之外是对多个长方形基板31b用激光划线器形成的，所以每次分割该多个第二分割部42都分割成小片状基板31c、且该小片状基板31c从不要区域部31a分离。
最后如图11B、图12B所示，使用电镀法形成厚度约2～6μm的第一镀膜43把小片状基板31c上第一薄膜39的一部分及第二薄膜40和露出的贴附层36的上面覆盖，其由防止焊锡扩散或耐热性优良的镍镀层构成。然后再使用电镀法形成厚度约3～8μm的第二镀膜44把由镍镀膜构成的第一镀膜43覆盖，其由焊锡附着性良好的锡镀层构成。
通过以上的制造工序制造本发明第一实施例的电阻器。
上述制造工序中第二镀膜44是用锡镀层构成的，但并不限定于此，也可用锡合金系的材料例如焊锡等构成镀层，用这些材料构成则能在回风焊接时稳定焊接。
上述制造工序中覆盖电阻体33等的保护层是由覆盖电阻体33的以玻璃为主成分的第一保护层34和覆盖该第一保护层34的同时覆盖调整槽35的以树脂为主成分的第二保护层37这两层构成，所以能防止在所述第一保护层34上激光调整时发生裂纹、减小电流杂音，同时由于用以所述树脂为主成分的第二保护层37将整个电阻体33覆盖所以能确保耐湿性优良的电阻特性。
而且由上述制造工序制造的电阻器用切割法形成的切缝状第一分割部38及用激光划线器形成的第二分割部42的间隔准确(±0.005mm以内)，同时构成端面电极的第一薄膜39、第二薄膜40、第一镀膜43、第二镀膜44的厚度也准确，所以制品电阻器的全长及全宽是准确的长度0.6mm×宽度0.3mm。且第一上面电极层32及电阻体33的图形精度也不需要小片状基板尺寸等级分类，同时在同一小片状基板的尺寸等级内不需要考虑尺寸偏差，所以电阻体33的有效面积也能比现有品取得大。即与现有品电阻体是长度约0.20mm×宽度0.19mm相对，本发明第一实施例电阻器的电阻体33是长度约0.25mm×宽度0.24mm、面积变为约1.6倍以上。
上述制造工序中使用切割法形成多个切缝状第一分割部38，同时是使用不需要小片状基板尺寸分类的片状基板31，因此现有的小片状基板尺寸分类变得不需要，这样能消除工序的烦杂度，同时切割也使用半导体等一般的切割设备、可容易进行。
而且上述制造工序中片状基板31在整个周围的端部形成最终不成为制品的不要区域部31a，多个切缝状第一分割部38在片状基板31上形成了多个长方形基板31b与所述不要区域部31a呈连接状态，因此形成了多个切缝状第一分割部38后多个长方形基板31b也连接在不要区域部31a上，因此片状基板31不被细分离成多个长方形基板31b，从而在形成多个切缝状第一分割部38后也能以具有不要区域部31a的片状基板31的状态进行后工序，所以加工法设计能简略化。
上述制造工序中是把片状基板31整个背面上形成的第一薄膜39和第二薄膜40的不要部分、即片状基板31背面的大致中央部分通过用具有约0.3mm径点径的激光照射使以0.3mm的宽度蒸发而剥离除去而形成多对背面电极41的，所以把多对第一薄膜39和第二薄膜40的不要部分剥离除去也能非常精度好地进行，这样能提高成为制品时电阻器背面的电极尺寸精度，所以能降低把该电阻器用背面一边向安装基板上安装时的安装不良。
下面详述上述制造工序中构成端面电极一部分的第二薄膜40。
第二薄膜40的材料在Cu系合金薄膜中特别优选Cu-Ni合金薄膜。
Cu-Ni合金薄膜是添加材料Ni对合金薄膜主元素的Cu及第一薄膜39在Cu的全组成比率(范围)中Ni构成均匀融合的“全率固融体”。因此在由Cu-Ni合金薄膜构成的第二薄膜40与第一薄膜39的界面上Ni扩散形成牢固的贴附层，这样可谋求提高贴附性。存在于第二薄膜40最表面的Ni在为形成用于第一镀膜43的镍镀层的电镀液中对第二薄膜40的表面有提高防腐蚀性的效果，所以也可谋求提高第一镀膜43与第二薄膜40界面的贴附性。
这里本发明第一实施例的“全率固融体”如图13所示的构成第二薄膜40的Cu-Ni合金薄膜的平衡状态图。图13中将Ni金属的添加量取为横轴、将温度取为纵轴时，在比实线所示的液相线高的温度下是液相状态，在比虚线所示的固相线低的温度下是固相状态，用这些实线及虚线包围的区域是固相和液相混合的状态即“全率固融体”。即本发明第一实施例中由Cu-Ni合金薄膜构成的第二薄膜40在母体金属面心立方格的Cu金属中融进具有相同面心立方格结晶结构的Ni金属原子，在整个组成范围形成单相面心立方格结构的置换型固融体。
图14是表示由Cr薄膜构成的第一薄膜39和由Cu-Ni合金薄膜构成的第二薄膜40SIMS的组成分析结果。这时第二薄膜40的Ni添加量是6.2wt％。图14横轴用溅射时间表示距Cu-Ni合金薄膜表面的薄厚，纵轴表示各层中的Cu、Ni、Cr等的原子数。如从该图14所知在Cu-Ni合金薄膜层与Cr薄膜层的界面上虽有Cu、Ni及Cr各个存在的扩散层，但从Cu-Ni合金薄膜层的表面到与Cr薄膜层的界面之间在Cu金属中Ni金属是均匀存在的。这表示由Cu-Ni合金薄膜构成的第二薄膜40是Ni金属完全融进Cu金属中而形成单相的“全固融体”。该图14Ni添加量是6.2wt％，但Ni添加量在全组成范围内可得到与图14所示相同的结果。
下面对上述结构的本发明第一实施例的电阻器中以Cu-Ni合金薄膜作为第二薄膜40的使用特性作说明。
作为说明特性的试验方法按照“镀层贴附性试验方法/JIS H8504C”中规定的方法实施，如图15A、15B所示，试验用带使用“玻璃纸粘接带/JIS Z1522”中规定的宽度18mm的粘接带45。这时粘接带45的拉剥方向按“JIS H8504”所述的如图15A、15B所示对氧化铝基板46成垂直方向或倾斜方向。
即该试验方法，试验片使用氧化铝基板46、在该氧化铝基板46的侧面部分作为第一薄膜39把Cr薄膜用喷镀法形成，接着在该第一薄膜39上作为第二薄膜40把Cu-Ni合金薄膜与第一薄膜39同样地用喷镀法构成。之后用激光形成图形宽度0.3mm的图形。
然后在温度65℃湿度95％的条件下进行加速试验，接着把粘接带45贴附在第二薄膜40的表面上之后把该粘接带45一下子拉剥离，求出第二薄膜40剥离的图形数对全体图形数的比率、进行贴附性的评价。
第一镀膜43与第二薄膜40的界面贴附性评价用试验片是在形成第二薄膜40后，作为第一镀膜43把镍镀层、进而作为第二镀膜44把焊锡镀层用电镀形成使用。
评价是对Cu-Ni合金薄膜中Ni添加量是1.6wt％、6.2wt％、12.6wt％的和Ni添加量是0wt％的进行。
表1表示的是加速试验500小时后第二薄膜40与第一薄膜39的界面剥离率评价结果。
                              (表1)
Ni添加量(wt％)     0     1.6     6.2     12.6
剥离率(％)     35.0     0.0     0.0     0.0
如从表1可知通过在Cu薄膜中添加Ni，第二薄膜40与第一薄膜39的界面贴附性大幅度提高。
表2表示的是加速试验500小时后第一镀膜43与第二薄膜40的界面剥离率评价结果。
                              (表2)
Ni添加量(wt％)     0     1.6     6.2     12.6
剥离率(％)     15.0     0.0     0.0     0.0
如从表2可知通过在Cu薄膜中添加Ni，第一镀膜43与第二薄膜40的界面贴附性大幅度提高。
在上述本发明的第一实施例中对用喷镀法形成第一薄膜39和第二薄膜40作了说明，但并不限定于该喷镀法，用其它加工法的真空蒸镀法、离子电镀法、P-CVD等的薄膜技术形成第一薄膜39和第二薄膜40时也能得到与本发明第一实施例同样的作用效果。
在上述本发明的第一实施例中对用Cr薄膜形成第一薄膜39作了说明，但并不限定于该Cr薄膜，用对基板贴附性良好的其它的Cr-Si合金薄膜、Ni-Cr合金薄膜、Ti薄膜、Ti系合金薄膜等材料形成第一薄膜39时也能得到与本发明第一实施例同样的作用效果。
而且在上述本发明的第一实施例中对把最终不成为制品的不要区域部31a形成在片状基板31的整个周围端部成大致口字状的结构作了说明，但该不要区域部31a不一定必须形成在片状基板31的整个周围的端部，例如如图16所示把不要区域部31d形成在片状基板31的一个端部时、如图17所示把不要区域部31e形成在片状基板31的两个端部时、如图18所示把不要区域部31f形成在片状基板31的三个端部时，也能得到与本发明第一实施例同样的作用效果。
在上述本发明的第一实施例中对用激光划线器形成多个第二分割部42作了说明，但该第二分割部42也可使用与切缝状第一分割部38同样的切割法形成。这时切割使用半导体等一般的切割设备就可容易地进行。
(第二实施例)
下面边参照附图边说明本发明第二实施例的电阻器及其制造方法。
图19是本发明第二实施例电阻器的剖面图。图19中51是基板、由煅烧完的96％纯度的氧化铝构成的片状基板，通过用切缝状的第一分割部和与该第一分割部是正交关系的第二分割部的分割而被个片化。52是在基板51的一个主面(上面)上形成的以银为主成分的一对第一上面电极层。53是在基板51的上面形成的氧化钌系的电阻体，一部分重叠在一对第一上面电极层12上、即电连接上。54是在电阻体53的上面形成的以玻璃为主成分的第一保护层。55是为修正一对第一上面电极层52间的电阻体53的电阻值而设置的调整槽。56是以树脂为主成分的第二保护层、形成得覆盖以玻璃为主成分的第一保护层54，同时重叠在一对第一上面电极层52的一部分上。57是一对由银系导电性树脂构成的贴附层、设置成重叠在一对第一上面电极层52的一部分上，同时重叠在第二保护层56的一部分上，由该一对贴附层57和所述一对第一上面电极层52构成一对上面电极58。所述第一上面电极层52和贴附层57在基板51的边缘构成一个面。而且所述贴附层57构成得在厚度方向上的最大高度高于第一上面电极层52在厚度方向上的最大高度。59是一对端面电极、设置在所述基板51的边缘且电连接在所述一对上面电极58上，该一对端面电极59是由多层结构构成的，该多层结构即：第一薄膜60，位于基板51的边缘一侧、与基板51的端面、第一上面电极层52的端面及贴附层56的端面重叠，同时形成大致L字形覆盖基板51背面的端部；第二薄膜61，大致L字形、形成得重叠在该第一薄膜60上且与第一薄膜60电连接；第一镀膜62，由大致コ字形的镍镀层构成、形成得覆盖该第二薄膜61的同时覆盖露出的贴附层57的上面；第二镀膜63，由大致コ字形的锡镀层构成、形成得覆盖该第一镀膜62。
上述结构中一对上面电极58是由第一上面电极层52和重叠在该第一上面电极层52上的贴附层57构成的，所以能增大一对端面电极59与一对上面电极58的接触面积，这样能提高上面电极58与端面电极59电连接的可靠性。
构成上面电极58的第一上面电极层52和贴附层57在基板51的边缘构成一个面，所以在把设在基板51的边缘且与上面电极58电连接的端面电极59用薄膜形成时，能把由薄膜构成的端面电极59连接在基板51的边缘和第一上面电极层52及贴附层57的基板边缘一侧形成稳定状态。
而且构成上面电极58的第一上面电极层52和贴附层57中是仅第一上面电极层52与电阻体53电连接的结构，所以即使形成贴附层57电阻值也不变化，这样能良好保持电阻接触、能得到电阻值修正后电阻值就不变化的可靠性高的电阻器。
在构成上面电极58的第一上面电极层52和贴附层57中把贴附层57在厚度方向上的最大高度构成得高于第一上面电极层52在厚度方向上的最大高度，所以在把设置在基板51的边缘且与上面电极58电连接的端面电极59用薄膜形成时，因贴附层57的存在能增大由薄膜构成的端面电极59与上面电极58的接触面积，这样能提高上面电极58与端面电极59电连接的可靠性。
而且构成端面电极59的第一薄膜60和第二薄膜61从基板51的背面到端面构成大致L字形，所以用薄膜技术形成第一薄膜60和第二薄膜61时仅根据基板51一方的面即背面就可容易形成，这样能谋求提高生产性。
下面对以上结构的本发明第二实施例的电阻器边参照附图边说明其制造方法。
图20是表示制造本发明第二实施例的电阻器时在所用片状基板的整个周围的端部形成不要区域部状态的平面图，图21A～21C，图22A～22C，图23A、23B，图24A、24B，图25A～25C，图26A～26C，图27A～27C，图28A～28C，图29A、29B及图30A、30B是表示本发明第二实施例的电阻器制造方法的工序图。
首先如图20、图21A、图22所示准备由煅烧完的、96％纯度氧化铝构成的厚度0.2mm有绝缘性的片状基板71。这时如图20所示，片状基板71在整个周围的端部具有最终不成为制品的不要区域部71a。该不要区域部71a构成大致口字状。
接着如图20、图21B、图22B所示，在片状基板71的上面用丝网印刷法形成以银为主成分的多对第一上面电极层72，通过用煅烧靠模峰值温度850℃的煅烧把第一上面电极层72制成稳定的膜。
接着如图20、图21C、图22C所示，用丝网印刷法跨骑多对上面电极层72形成氧化钌系的多个电阻体73，通过用煅烧靠模峰值温度850℃的煅烧把电阻体73制成稳定的膜。
接着如图23A、图24A所示，用丝网印刷法形成多个以玻璃为主成分的第一保护层74把多个电阻体73覆盖，通过用煅烧靠模峰值温度600℃的煅烧把以玻璃为主成分的第一保护层34制成稳定的膜。
接着如图23B、图24B所示，用激光调整法进行调整、形成多个调整槽75，以把多对第一上面电极层72间的电阻体73的电阻值修正为规定的值。
接着如图25A、图26A所示，用丝网印刷法形成以树脂为主成分的多个第二保护层76把图面上纵向并列的多个以玻璃为主成分的第一保护层74覆盖、同时重叠在第一上面电极层72的一部分上，通过用硬化靠模峰值温度200℃的硬化把第二保护层76制成稳定的膜。
接着如图25B、图26B所示，用丝网印刷法形成多对由银系导电性树脂构成的贴附层77重叠在多对第一上面电极层72的一部分上，同时重叠在第二保护层76的一部分上，通过用硬化靠模峰值温度200℃的硬化把贴附层77制成稳定的膜。
接着如图20、图25C、图26C所示，除形成了第二保护层76的片状基板7 1上形成于整个周围端部的不要区域部71a之外，用切割法形成多个切缝状的第一分割部78、以把多对第一上面电极层72及贴附层77分离而分割成多个长方形基板71b。运时多个切缝状的第一分割部78以700μm的间距形成、且该切缝状第一分割部78的宽度是宽度120μm。所述多个切缝状第一分割部78是由将片状基板71上下方向贯通的通孔形成的。而且所述片状基板71是除了不要区域部71a之外用切割法形成了多个切缝状第一分割部78，所以切缝状第一分割部78形成后、多个长方形基板71还连接在不要区域部71a上呈片状态。
接着如图27A、图28A所示，使用喷镀法从片状基板71的背面开始在基板71的整个背面和位于多个切缝状第一分割部78内面的基板71的端面、第一上面电极层72的端面及贴附层77的端面上形成多数对第一薄膜79构成端面电极的一部分，由对基板71贴附性良好的Cr薄膜所构成。
接着如图27B、图28B所示，使用喷镀法从片状基板71的背面开始形成多对第二薄膜80重叠在多对第一薄膜79上构成端面电极的一部分，由Cu-Ni合金薄膜构成。
接着如图27C、图28C所示，把基板71整个背面上形成的多对第一薄膜79和第二薄膜80的不要部分、即基板71背面的大致中央部分通过用具有约0.3mm径点径的激光照射使以0.3mm的宽度蒸发而剥离除去，形成多对背面电极81。
接着如图20、图29A、图30A所示，除形成于片状基板71整个周围端部的不要区域部71a之外，在与切缝状第一分割部78正交的方向上形成多个第二分割部82以把在片状基板71的多个长方形基板71b上形成的多个电阻体73各个分离、分割成小片状基板71c。这时多个第二分割部82以400μm的间距形成，所以第二分割部82的宽度是100μm宽。该多个第二分割部82是用激光划线器形成的，所以首先用激光形成分割槽、然后用一般的分割设备分割分割槽部分，分割成小片状基板71c。即该分割方法每次形成第二分割部82并不个片化、能得到用两个阶段个片化的作用效果。而且该多个第二分割部82除不要区域部7a之外是对多个长方形基板71b用激光划线器形成的，所以每次分割该多个第二分割部82都分割成小片状基板71c、且该小片状基板71c从不要区域部71a分离。
最后如图29B、图30B所示，使用电镀法形成厚度约2～6μm的第一镀膜83把小片状基板71c的第二薄膜80和露出的贴附层77的上面覆盖，其由防止焊锡扩散或耐热性优良的镍镀层构成。然后再使用电镀法形成厚度约3～8μm的第二镀膜84把由镍镀膜构成的第一镀膜83覆盖，其由焊锡附着性良好的锡镀层构成。
通过以上的制造工序制造本发明第二实施例的电阻器。
上述制造工序中第二镀膜84是用锡镀层构成的，但并不限定于此，也可用锡合金系的材料例如由焊锡等构成镀层。用这些材料构成则能在回风焊接时稳定焊接。
上述制造工序中覆盖电阻体73等的保护层是由覆盖电阻体73的以玻璃为主成分的第一保护层74和覆盖该第一保护层74的同时覆盖调整槽75的以树脂为主成分的第二保护层76这两层构成，所以能防止在所述第一保护层74上激光调整时发生裂纹、减小电流杂音，同时由于用以所述树脂为主成分的第二保护层76将整个电阻体73覆盖所以能确保耐湿性优良的电阻特性。
上述本发明第二实施例电阻器的制造工序中使由银系导电性树脂构成的多对贴附层77的形成顺序与本发明第一实施例电阻器的制造工序不同，其它的相同，实际上能得到与本发明第一实施例同样的作用效果。
(第三实施例)
下面边参照附图边说明本发明第三实施例的电阻器。
图31是本发明第三实施例电阻器的剖面图，图32是除去了同电阻器端面电极的平面图。
如图31及图32所示，本发明第三实施例的电阻器是由在基板91的上面具有一对上面电极92，同时在该一对上面电极92间具有电阻体93而构成的。
在由氧化铝等构成的基板91的上面设置的一对上面电极92是由多层结构构成的，即：从基板91顺次形成的第一上面电极层94和第二上面电极层95和贴附层96。第一上面电极层94从基板91上面长度方向的整个边缘向中央设置、其由Au系电极构成，至少用于增大修正电阻值(激光调整)时的查表接触区域。第二上面电极层95从比基板91上面长度方向的边缘向中央离开的位置向中央形成、其一部分重叠在第一上面电极层94上，是由Ag系电极等构成。贴附层96重叠在第一、第二上面电极层94、95上、且构成得在基板91的边缘与第一上面电极层94成为一个面，其由Ag、导电性树脂等构成、设置得至少用于使后述的端面电极与上面电极92电连接良好。这时贴附层96在厚度方向上的最大高度构成得高于第一上面电极层94在厚度方向上的最大高度，这是为了增大端面电极与上面电极92的接触面积。
电阻体93设置成跨骑在一对上面电极92间、由氧化钌等构成。这时为了良好保持电阻接触、得到电阻值稳定可靠性高的电阻器，最好是仅上面电极92的第二上面电极层95与电阻体93电连接的结构。
接着为了把上述电阻体修正到所希望的电阻值，在电阻体93的上面设置由玻璃等构成的第一保护层97并在该第一保护层97及电阻体93上用激光等设置调整槽98来修正电阻值。然后设置由树脂或玻璃等构成的第二保护层99至少覆盖所述电阻体93，最好覆盖重叠跨骑在一对上面电极92的第二上面电极层95间的电阻体93和第一保护层97及调整槽98。
在基板91的边缘备有大致コ字形包围的一对端面电极100与上面电极92电连接。该端面电极100是由多层结构构成的，即：从基板91的边缘顺次形成的第一薄膜101和第二薄膜102和第一镀膜103及第二镀膜104。第一薄膜101是从基板91的背面到端面大致L字形地把对基板91贴附性良好的Cr、Cr系合金薄膜、Ti、Ti系合金薄膜或Ni-Cr合金薄膜的任一个通过喷镀、真空蒸镀、离子电镀、P-CVD等的薄膜技术形成。第二薄膜102是从基板91的背面到端面大致L字形地把Cu系合金薄膜通过喷镀、真空蒸镀、离子电镀、P-CVD等的薄膜技术形成且与第一薄膜101重叠并电连接。
第一镀膜103由防止焊锡扩散或耐热性优良的镍镀层形成、覆盖露出的上面电极92及第二薄膜102。第二镀膜104由焊锡附着性良好的锡镀层形成、覆盖第一镀膜103。
下面对以上结构的本发明第三实施例的电阻器边参照附图边说明其制造方法。
图33是表示制造本发明第三实施例的电阻器时在所用片状基板的整个周围的端部形成不要区域部状态的平面图，图34A、34B，图36A、36B，图38A、38B，图40A、40B，图42A、42B，图44，图46A、46B及图48A、48BC是表示本发明第三实施例电阻器制造工序的剖面图，图35A、35B，图37A、37B，图39A、39B，图41A、41B，图43A、43B，图45，图47A、47B及图49A、49B是表示本发明第三实施例电阻器制造工序的平面图。
首先如图33、图34A、图35A所示，准备由煅烧完的、96％纯度氧化铝构成的厚度0.2mm有绝缘性的片状基板111。这时如图33所示，片状基板111在整个周围的端部具有最终不成为制品的不要区域部111a。该不要区域部111a构成大致口字状。
接着如图33、图34B、图35B所示，在片状基板111的上面用丝网印刷法形成由Au系树脂构成的多对第一上面电极层112，通过峰值温度200℃的干燥把第一上面电极层112制成指触干燥膜。
接着如图33、图36A、图37A所示，在片状基板111的上面用丝网印刷法形成以银为主成分的多对第二上面电极层113至少一部分重叠在所述第一上面电极层112上，通过用煅烧靠模峰值温度850℃的煅烧把第一上面电极层112及第二上面电极层113制成稳定的膜。
接着如图33、36B、图37B所示，用丝网印刷法跨骑多对第二上面电极层113形成氧化钌系的多个电阻体114，通过用煅烧靠模峰值温度850℃的煅烧把电阻体114制成稳定的膜。
接着如图38A、图39A所示，用丝网印刷法形成多个以玻璃为主成分的第一保护层115覆盖多个电阻体114，通过用煅烧靠模峰值温度600℃的煅烧把以玻璃为主成分的第一保护层115制成稳定的膜。
接着如图38B、图39B所示，用激光调整法进行调整、形成多个调整槽116，以把多对第二上面电极层113间的电阻体114的电阻值修正为规定的值。
接着如图40A、图41A所示，用丝网印刷法形成多对由银系导电性树脂构成的贴附层117重叠在多对第一上面电极层112的一部分及第二上面电极层113的一部分上，通过用硬化靠模峰值温度200℃的硬化把贴附层117制成稳定的膜。
接着如图40B、图41B所示，用丝网印刷法形成以树脂为主成分的多个第二保护层118把图面上纵向并列的多个以玻璃为主成分的第一保护层115覆盖、同时覆盖电阻体114的一部分及第二上面电极层113的一部分，通过用硬化靠模峰值温度200℃的硬化把第二保护层118制成稳定的膜。
接着如图33、图42A、图43A所示，除形成了第二保护层118的片状基板111上形成于整个周围端部的不要区域部111a之外，用切割法形成多个切缝状的第一分割部119以把多对第一上面电极层112及贴附层117分离而分割成多个长方形基板111b。这时多个切缝状的第一分割部119以700μm的间距形成、且该切缝状第一分割部119的宽度是宽度120μm宽。所述多个切缝状第一分割部119是由将片状基板111上下方向贯通的通孔形成的。而且所述片状基板111是除了不要区域部111a之外用切割法形成了多个切缝状第一分割部119，所以切缝状第一分割部119形成后、多个长方形基板111b还连接在不要区域部111a上，呈片状态。
接着如图42B、图43B所示，通过使用掩膜(未图示)的喷镀法从片状基板111的背面开始在基板111的一部分和位于多个切缝状第一分割部119内面的基板111的端面、第一上面电极层112的端面及贴附层117的端面上形成大致L字形的多对第一薄膜121构成端面电极120的一部分，是由对基板111贴附性良好的Cr薄膜构成。
接着如图44、图45所示，通过使用掩膜(未图示)的喷镀法从片状基板111的背面开始形成大致L字形的多对第二薄膜122重叠在多对第一薄膜121上构成端面电极120的一部分，是由Cu-Ni合金薄膜构成的。
接着如图33、图46A、图46B，图47A、47B所示，除形成于片状基板111整个周围端部的不要区域部111a之外，在与切缝状第一分割部119正交的方向上形成多个第二分割部123以把片状基板111的多个长方形基板111b分割成多个电阻体114各个分离的小片状基板111c。这时多个第二分割部123以400μm的间距形成，所以第二分割部123的宽度是100μm宽。该多个第二分割部123是用激光划线器形成的，首先如图46A、图47A所示用激光形成分割槽、然后如图46B、图47B所示用一般的分割设备分割分割槽部分，分割成小片状基板111c。即该分割方法每次形成第二分割部123并不个片化、能得到用两个阶段个片化的作用效果。而且该多个第二分割部123除不要区域111a之外是对多个长方形基板111b用激光划线器形成的，所以每次分割该多个第二分割部123都分割成小片状基板111c、且该小片状基板111c从不要区域部111a分离。
接着如图48A、图49A所示，使用电镀法形成厚度约2～6μm的第一镀膜124把构成端面电极120一部分的第二薄膜122覆盖，同时覆盖露出的贴附层117的端面及第二上面电极层113的上面，其由防止焊锡扩散或耐热性优良的镍镀层构成。
最后如图48B、49B所示，使用电镀法形成厚度约3～8μm的第二镀膜125覆盖由镍镀膜构成的第一镀膜124，其由焊锡附着性良好的锡镀层构成。
通过以上的制造工序制造本发明第三实施例的电阻器。
上述制造工序中第二镀膜125是用锡镀层构成的，但并不限定于此，也可用锡合金系的材料例如由焊锡等构成镀层，用这些材料构成则能在回风焊接时稳定焊接。
上述制造工序中覆盖电阻体114等的保护层是由覆盖电阻体114的以玻璃为主成分的第一保护层115和覆盖该第一保护层115的同时覆盖调整槽116的以树脂为主成分的第二保护层118这两层构成，所以能防止在所述第一保护层115上激光调整时发生裂纹、减小电流杂音，同时由于用以所述树脂为主成分的第二保护层118将整个电阻体114覆盖所以能确保耐湿性优良的电阻特性。
而且由上述制造工序制造的电阻器用切割法形成的切缝状第一分割部119及用激光划线器形成的第二分割部123的间隔准确(±0.005mm以内)，同时构成端面电极120的第一薄膜121、第二薄膜122的厚度及第一镀膜124、第二镀膜125的厚度也准确，所以制品电阻器的全长及全宽是准确的长度0.6mm×宽度0.3mm。且第一上面电极层112及电阻体114的图形精度也不需要小片状基板尺寸等级分类，同时在同一小片状基板的尺寸等级内不需要考虑尺寸偏差，所以电阻体114的有效面积也能比现有品取得大。即与现有品电阻体是长度约0.2mm×宽度0.19mm相对，本发明第三实施例电阻器的电阻体114是长度约0.25mm×宽度0.24mm、面积变为约1.6倍以上。
上述制造工序中使用切割法形成多个切缝状第一分割部119，同时是使用不需要小片状基板尺寸分类的片状基板111，因此现有的小片状基板尺寸分类变得不需要，这样能消除工序的烦杂度，同时切割也使用半导体等一般的切割设备、可容易地进行。
而且上述制造工序中片状基板111在整个周围的端部形成最终不成为制品的不要区域部111a，且多个切缝状第一分割部119在片状基板111上形成了多个长方形基板111b与所述不要区域部111a呈连接状态，因此形成了多个切缝状第一分割部119后多个长方形基板111b也连接在不要区域部111a上，因此片状基板111不被细分离成多个长方形基板111b，从而在形成多个切缝状第一分割部119后也能以具有不要区域部111a的片状基板111的状态进行后工序，所以加工法设计能简略化。
上述制造工序中构成端面电极120的第一薄膜121和第二薄膜122是通过使用掩膜(未图示)的喷镀法形成的，但并不限定于此，也可不使用上述掩膜(未图示)、在片状基板的整个背面通过喷镀法也形成薄膜，然后把形成在整个背面上的薄膜的不要部分、即背面的大致中央部分用激光照射剥离除去，形成端面电极120的背面部分。
上述第二薄膜122是用Cu系合金薄膜形成的、其中还特别优选Cu-Ni合金薄膜。特别优选该Cu-Ni合金薄膜的理由在上述本发明第一实施例中已详述了，所以这里省略。
上述本发明第三实施例中对用喷镀法形成第一薄膜121和第二薄膜122作了说明，但并不限定于该喷镀法，用其它加工法的真空蒸镀法、离子电镀法、P-CVD等的薄膜技术形成第一薄膜121和第二薄膜122时也能得到与本发明第三实施例同样的作用效果。
在上述本发明的第三实施例中对用Cr薄膜形成第一薄膜121作了说明，但并不限定于该Cr薄膜，用对基板贴附性良好的其它的Cr-Si合金薄膜、Ni-Cr合金薄膜、Ti薄膜、Ti系合金薄膜等材料形成第一薄膜121时也能得到与本发明第三实施例同样的作用效果。
而且在上述本发明的第三实施例中对把最终不成为制品的不要区域部111a形成在片状基板111的整个周围端部成大致口字状的结构作了说明，但该不要区域部111a不一定必须形成在片状基板111的整个周围的端部，例如如图50所示把不要区域部111d形成在片状基板111的一个端部时、如图51所示把不要区域部111e形成在片状基板111的两个端部时、如图52所示把不要区域部111f形成在片状基板111的三个端部时，也能得到与本发明第三实施例同样的作用效果。
在上述本发明的第三实施例中对用激光划线器形成多个第二分割部123作了说明，但该第二分割部123也可使用与切缝状第一分割部119同样的切割法形成。这时切割使用半导体等一般的切割设备就可容易地进行。
而且在上述本发明第三实施例电阻器的制造工序中，设置重叠在多对第一上面电极层112及第二上面电极层113上由导电性树脂构成的多对贴附层117的工序是在实施下面工序后实施的，即：设置覆盖多个电阻体114的以玻璃为主成分的多个第一保护层115的工序和为了修正所述多个电阻体114在多对第二上面电极层113间的电阻值而进行调整的工序，但改变顺序，把设置覆盖多个电阻体114的以玻璃为主成分的多个第一保护层115的工序和为了修正所述多个电阻体114在多对第二上面电极层113间的电阻值而进行调整的工序和至少把设置覆盖所述以玻璃为主成分的多个第一保护层115的由树脂构成的第二保护层118的工序实施后，再实施设置重叠在多对第一上面电极层112及第二上面电极层113上由导电性树脂构成的多对贴附层117的工序也可，该制造方法也具有与上述本发明第三实施例同样的作用效果。
即以上述本发明第三实施例表示的制造方法中以玻璃为主成分的第一保护层115的形成温度是600℃以上、由导电性树脂构成的贴附层117的形成温度在200℃左右，所以进行调整、进行电阻值修正后电阻值不发生变化。而即使改变顺序时，由于以玻璃为主成分的第一保护层115的形成温度是600℃以上、由树脂层构成的第二保护层118和由导电性树脂构成的贴附层117的形成温度在200℃左右，所以进行调整、进行电阻值修正后电阻值也不发生变化。
如图31所示在上述本发明第三实施例中，在基板91的一个主面(上面)上形成的一对上面电极92是由第一上面电极层94和至少一部分重叠在该第一上面电极层94上而设置的第二上面电极层95和重叠在所述第一上面电极层94及第二上面电极层95上的贴附层96这多层结构构成的，所以用制作多个的片状基板制造电阻器时，在为了修正一对上面电极92间的电阻值而调整时的电阻值测量中因第一上面电极层94的存在，除该第二上面电极层95外能使邻接的电阻器的第二上面电极层95接触查表，特别在制造小型的电阻器上有利。在基板91的边缘形成端面电极100时、用薄膜技术形成该端面电极100时因重叠在第一上面电极层94及第二上面电极层95上的贴附层96的存在，能增大端面电极100和上面电极92的连接面积，这样可得到能提高上面电极92与端面电极100电连接可靠性的作用效果。
第二上面电极层95设置得比基板91上面的边缘靠内侧，所以把制作多个的片状基板分割成个片或长方形时分割部上不存在第二上面电极层95，其结果是可得到不发生第二上面电极层95的剥离和毛刺等的作用效果。
而且构成上面电极92的第一上面电极层94和贴附层96是在基板91的边缘成为一个面的结构，所以用薄膜技术在基板91的边缘形成端面电极100时，能得到把由薄膜构成的端面电极连接在基板91的边缘和第一上面电极层94及贴附层96的基板边缘一侧上形成稳定状态的作用效果。
在构成上面电极92的第一上面电极层94、第二上面电极层95及贴附层96中是仅第二上面电极层95与电阻体93电连接的结构，所以即使形成贴附层96电阻值也不变化，这样能良好保持电阻接触，可得到能获得电阻值修正后电阻值不变化的可靠性高的电阻器的作用效果。
而且在构成上面电极92的第一上面电极层94、第二上面电极层95及贴附层96中，贴附层96在厚度方向上的最大高度构成得高于第一上面电极层94在厚度方向上的最大高度，所以用薄膜技术在基板91的边缘形成端面电极100时因贴附层96的存在、能增大上面电极92与由薄膜构成的端面电极100的接触面积，这样能得到可提高上面电极92与端面电极100电连接可靠性的作用效果。
构成上面电极92的第一上面电极层94是由导电性树脂构成的，所以把制作多个的片状基板分割成个片或长方形时第一上面电极层94的分割加工容易，这样可得到第一上面电极层94难于发生剥离或毛刺等的作用效果。
而且在基板91的边缘至少具备与第一上面电极层94及贴附层96电连接的大致コ字形的一对端面电极100，所以上面电极92与端面电极100以稳定的状态进行电连接，这样能得到可获得可靠性高的电阻器的作用效果。
与第一薄膜101电连接的第二薄膜102是由Cu系合金薄膜构成的，所以构成Cu系合金薄膜的添加金属与第一薄膜101的构成金属在第一薄膜101与第二薄膜102的界面上构成全率固融体，这样可得到提高第一薄膜101与第二薄膜102贴附力的作用效果。
而且构成端面电极100的第二薄膜102是由Cu内含有重量1.6％以上Ni的Cu-Ni合金薄膜构成的，所以Cu-Ni合金薄膜的Ni成分与第一薄膜101的构成金属构成全率固融体，这样可得到提高第一薄膜101与第二薄膜102贴附力的作用效果。
构成端面电极100的第一薄膜101及第二薄膜102是从基板91的背面到端面构成大致L字形，所以用薄膜技术形成第一薄膜101和第二薄膜102时仅从基板91的背面向基板91的上面就可容易形成，这样可得到提高生产性的作用效果。
(第四实施例)
下面边对照附图边说明本发明第四实施例的电阻器。
图53是本发明第四实施例的电阻器的剖面图。
如图53所示，本发明第四实施例的电阻器包括：基板131；一对上面电极132，设置在该基板131的上面；电阻体133，设置在该一对上面电极132间；一对端面电极134，设置在所述基板131的边缘且包围成大致コ字形。
上述电阻体133为了将其电阻值修正为所希望的电阻值，在电阻体133的上面设置了由玻璃等构成的第一保护层135，然后在该第一保护层135及电阻体133上用激光等设置调整槽136来修正电阻值。然后备置由树脂或玻璃等构成的第二保护层137至少覆盖所述电阻体133，最好是覆盖重叠并跨骑在一对上面电极132间的电阻体133和第一保护层135及调整槽136。
所述一对端面电极134呈大致コ字型地包围基板131的边缘并与上面电极132电连接，该端面电极134由从基板131的边缘开始顺次形成的第一薄膜138和第二薄膜139和第一镀膜140及第二镀膜141这多层结构构成。第一薄膜138从基板131的背在到端面大致L字形地把对基板131贴附性良好的Cr、Cr系合金薄膜、Ti、Ti系合金薄膜或Ni-Cr合金薄膜的任一个用喷镀、真空蒸镀、离子电镀、P-CVD等薄膜技术形成。第二薄膜139从基板131的背面到端面大致L字形地把Cu系合金薄膜用喷镀、真空蒸镀、离子电镀、P-CVD等薄膜技术形成，且与第一薄膜138重叠并电连接。
第一镀膜140由防止焊锡扩散或耐热性优良的镍镀层形成，覆盖露出的上面电极132、第一薄膜138的一部分及第二薄膜139。第二镀膜141由焊锡附着性良好的锡镀膜形成，覆盖第一镀膜140。
下面对以上结构的本发明第四实施例的电阻器边参照附图边说明其制造方法。
图54是制造本发明第四实施例的电阻器时在所用片状基板的整个周围的端部形成不要区域部的平面图，图55A、55B，图57A、57B，图59A、59B，图61A、61B，图63A、63B及图65A、65B是表示本发明第四实施例电阻器制造工序的剖面图，图56A、56B，图58A、58B，图60A、60B，图62A、62B，图64A、64B及图66A、66B是表示本发明第四实施例电阻器制造工序的平面图。
首先如图54、图55A、图56A所示，准备由煅烧完的、96％纯度氧化铝构成的厚度0.2mm有绝缘性的片状基板151。这时如图54所示，片状基板151在整个周围的端部具有最终不成为制品的不要区域部151a，且该不要区域部151a构成大致口字状。
然后在该片状基板151的上面用丝网印刷法形成以银为主成分的多对上面电极层152，通过用煅烧靠模峰值温度850℃的煅烧把上面电极层152制成稳定的膜。
接着如图54、图55B、图56B所示，用丝网印刷法跨骑多对上面电极层152形成氧化钌系合金的多个电阻体153，通过用煅烧靠模峰值温度850℃的煅烧把电阻体153制成稳定的膜。
接着如图57A、图58A所示，用丝网印刷法形成多个以玻璃为主成分的第一保护层154覆盖多对电阻体153的一部分，通过用煅烧靠模峰值温度600℃的煅烧把以玻璃为主成分的第一保护层154制成稳定的膜。
接着如图57B、图58B所示，用激光调整法进行调整、形成多个调整槽155，以把多对上面电极层152间的电阻体153的电阻值修正为规定的值。
接着如图59A、图60A所示，用丝网印刷法形成以树脂为主成分的多个第二保护层156把图面上纵向并列的以玻璃为主成分的多个第一保护层154全部覆盖、同时覆盖电阻体153的一部分及上面电极层152的一部分，通过用硬化靠模峰值温度200℃的硬化把第二保护层156制成稳定的膜。
接着如图54、图59B、图60B所示，除在形成了第二保护层156的片状基板151上形成于整个周围端部的不要区域部151a之外，用切割法形成多个切缝状的第一分割部157以把多对上面电极层152分离而分割成多个长方形基板151b。这时多个切缝状的第一分割部157以700μm的间距形成、且该切缝状第一分割部157的宽度是120μm宽。所以多个切缝状第一分割部157是由将片状基板151上下方向贯通的通孔形成的。而且所述片状基板151是除了不要区域部151a之外用切割法形成了多个切缝状第一分割部157，所以切缝状第一分割部157形成后、多个长方形基板151b还连接在不要区域部151a上，呈片状态。
接着如图61A、图62所示，通过使用掩膜(未图示)的喷镀法从片状基板151的背面开始在基板151背面的一部分和位于多个切缝状第一分割部157内面的基板151的端面、上面电极层152的端面上形成大致L字形的多对第一薄膜159构成端面电极158的一部分，是由对基板151贴附性良好的Cr薄膜构成。
接着如图61B、图62B所示，通过使用掩膜(未图示)的喷镀法从片状基板151的背面开始形成大致L字形的多对第二薄膜160重叠在多对第一薄膜159上构成端面电极158的一部分，是由Cu-Ni合金薄膜构成的。
接着如图54，图63A、63B，图64A、64B所示，除形成于片状基板151整个周围端部的不要区域部151a之外，在与切缝状第一分割部157正交的方向上形成多个第二分割部161以把片状基板151的多个长方形基板151b上形成的多个电阻体153各个分离、分割成小片状基板151c。这时多个第二分割部161以400μm的间距形成，所以第二分割部161的宽度是100μm宽。该多个第二分割部161是用激光划线器形成的，首先如图63A、64A所示用激光形成分割槽，然后如图63B、64B所示用一般的分割设备分割分割槽部分，分割成小片状基板151c。即该分割方法每次形成第二分割部161并不个片化、能得到用两个阶段个片化的作用效果。而且该多个第二分割部161除不要区域部151a之外是对多个长方形基板151b用激光划线器形成的，所以每次形成该多个第二分割部161都分割成小片状基板151c，且该小片状基板151c从不要区域部151a分离。
接着如图65A、66A所示，使用电镀法形成厚度约2～6μm的第一镀膜162把构成端面电极158的第一薄膜159及第二薄膜160覆盖，同时覆盖露出的上面电极层152的上面，其由防止焊锡扩散或耐热性优良的镍镀层构成。
最后如图65B、66B所示，使用电镀法形成厚度约3～8μm的第二镀膜163覆盖由镍镀层构成的第一镀膜162，其由焊锡附着性良好的锡镀层构成。
通过以上的制造工序制造本发明第四实施例的电阻器。
上述制造工序中第二镀膜163是用锡镀层构成的，但并不限定于此，也可用锡合金系的材料例如由焊锡等构成镀层，用这些材料构成则能在回风焊接时稳定焊接。
上述制造工序中覆盖电阻体153等的保护层是由覆盖电阻体153的以玻璃为主成分的第一保护层154和覆盖该第一保护层154的同时覆盖调整槽155的以树脂为主成分的第二保护层156这两层构成，所以能防止在所述第一保护层154上激光调整时发生裂纹、减小电流杂音，同时由于用以所述树脂为主成分的第二保护层156将整个电阻体153覆盖所以能确保耐湿性优良的电阻特性。
而且由上述制造工序制造的电阻器用切割法形成的切缝状第一分割部157及用激光划线器形成的第二分割部161的间隔准确(±0.005mm以内)，同时构成端面电极158的第一薄膜159、第二薄膜160的厚度及第一镀膜162、第二镀膜163的厚度也准确，所以制品电阻器的全长及全宽是准确的长度0.6mm×宽度0.3mm。且上面电极层152及电阻体153的图形精度也不需要小片状基板尺寸等级分类，同时在同一小片状基板的尺寸等级内不需要考虑尺寸偏差，所以电阻体153的有效面积也能比现有品取得大。即与现有品电阻体是长度约0.20mm×宽度0.19mm相对，本发明第四实施例电阻器的电阻体153是长度约0.25mm×宽度0.24mm、面积变为约1.6倍以上。
上述制造工序中使用切割法形成多个切缝状第一分割部157，同时是使用不需要小片状基板尺寸分类的片状基板151，因此现有的小片状基板尺寸分类变得不需要，这样能消除工序的烦杂度，同时切割也使用半导体等一般的切割设备、可容易地进行。
而且上述制造工序中片状基板151在整个周围的端部形成最终不成为制品的不要区域部151a，且多个切缝状第一分割部157在片状基板151上形成了多个长方形基板151b与所述不要区域部151a呈连接状态，因此形成了多个切缝状第一分割部157后多个长方形基板151b也连接在不要区域部151a上，因此片状基板151不被细分离成多个长方形基板151b，从而在形成多个切缝状第一分割部157后也能以具有不要区域部151a的片状基板151的状态进行后工序，所以加工法设计能简略化。
上述制造工序中构成端面电极158的第一薄膜159和第二薄膜160是通过使用掩膜(未图示)的喷镀法形成的，但并不限定于此，也可不使用上述掩膜(未图示)、在片状基板的整个背面也形成薄膜，然后把形成在整个背面上的薄膜的不要部分、即背面的大致中央部分用激光照射剥离除去，形成端面电极158的背面部分。
上述第二薄膜160是用Cu系合金薄膜形成的、其中还特别优选Cu-Ni合金薄膜。特别优选该Cu-Ni合金薄膜的理由在上述本发明第一实施例中已详述，所以这里省略。
上述本发明第四实施例中对用喷镀法形成第一薄膜159和第二薄膜160作了说明，但并不限定于该喷镀法，用其它加工法的真空蒸镀法、离子电镀法、P-CVD等的薄膜技术形成第一薄膜159和第二薄膜160时也能得到与本发明第四实施例同样的作用效果。
在上述本发明的第四实施例中对用Cr薄膜形成第一薄膜159作了说明，但并不限定于该Cr薄膜，用对基板贴附性良好的其它的Cr-Si合金薄膜、Ni-Cr合金薄膜、Ti薄膜、Ti系合金薄膜等材料形成第一薄膜159时也能得到与本发明第四实施例同样的作用效果。
而且在上述本发明的第四实施例中对把最终不成为制品的不要区域部151a形成在片状基板151的整个周围端部形成大致口字状的结构作了说明，但该不要区域部151a不一定必须形成在片状基板151的整个周围的端部，例如如图67所示把不要区域部151d形成在片状基板151的一个端部时、如图68所示把不要区域部151e形成在片状基板151的两个端部时、如图69所示把不要区域部151f形成在片状基板151的三个端部时，也能得到与本发明第四实施例同样的作用效果。
在上述本发明的第四实施例中对用激光划线器形成多个第二分割部161作了说明，但该第二分割部161也可使用与切缝状第一分割部157同样的切割法形成。这时切割使用半导体等一般的切割设备就可容易地进行。
如图53所示在上述本发明第四实施例中，具有基板131和设置在该基板131的一个主面(上面)上的电阻体133和设置成至少覆盖该电阻体133的第一保护膜135及第二保护膜137，在所述基板131的一个主面(上面)上设置一对上面电极132，同时在该一对上面电极132间设置电阻体133，并在所述基板131的边缘设置大致コ字形包围的一对端面电极134与所述上面电极132电连接，该端面电极134是由从基板131的边缘顺次形成的多层结构构成，即：第一薄膜138，由对基板131贴附性良好的Cr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜或Ni-Cr合金薄膜构成；第二薄膜139，由Cu系合金薄膜构成，与该第一薄膜138电连接；第一镀膜140，由镍底层构成，至少覆盖该第二薄膜139；第二镀膜141，至少覆盖该第一镀膜140，所以构成Cu系合金薄膜的添加金属与第一薄膜138的构成金属在第一薄膜138与第二薄膜139的界面上构成全率固融体，这样能得到提高第一薄膜138与第二薄膜139贴附力的作用效果。
构成端面电极134的第二薄膜139是由Cu内含有重量1.6％以上的Ni的Cu-Ni合金薄膜构成的，所以Cu-Ni合金薄膜的Ni成分与第一薄膜138的构成金属构成全率固融体，这样可得到提高第一薄膜138与第二薄膜139贴附力的作用效果。
而且构成端面电极134的第一薄膜138及第二薄膜139是从基板131的背面到端面构成大致L字形，所以用薄膜技术形成第一薄膜138和第二薄膜139时仅从基板131的背面向基板131的上面就可容易形成，这样可得到提高生产性的作用效果。
产业上利用的可能性
以上本发明的电阻器，在基板的一个主面上形成的一对上面电极由第一上面电极层和重叠在该第一上面电极层上的贴附层构成，同时设置在所述基板的边缘并与所述一对上面电极电连接的一对端面电极由：位于基板边缘并对基板的贴附性良好的Cr薄膜，Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜的任一个构成的第一薄膜、和与该第一薄膜电连接的由Cu系合金薄膜构成的第二薄膜、和至少覆盖所述第二薄膜由镍镀层构成的第一镀膜、和至少覆盖所述第一镀膜的第二镀膜这多层结构构成的，所以根据该结构在把设置在基板边缘并与一对上面电极电连接的一对端面电极用薄膜形成时由于一对上面电极是由第一上面电极层和重叠在该第一上面电极层上的贴附层构成的，所以能增大一对端面电极与一对上面电极的连接面积，这样能提高上面电极与端面电极电连接的可靠性。所述端面电极其与第一薄膜电连接的第二薄膜是由Cu系合金薄膜构成的，所以在第一薄膜与第二薄膜的界面上构成Cu系合金薄膜的添加金属与第一薄膜的构成金属构成全率固融体，这样具有提高第一薄膜与第二薄膜的贴附力、能提高可靠性的优良作用效果。

Claims (58)

1.一种电阻器，其中，包括：基板；一对上面电极，形成在所述基板的一个主对面上、具有第一上面电极层和重叠在所述第一上面电极层上的贴附层；电阻体，与所述一对上面电极电连接；保护层，覆盖所述电阻体；一对端面电极，在所述基板的边缘电连接在所述一对上面电极上，具有由对所述基板贴附性良好的Cr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜中任一个构成的第一薄膜，和由Cu系合金薄膜构成的与所述第一薄膜电连接的第二薄膜，和由镍镀层构成的覆盖所述第二薄膜的第一镀膜，和覆盖所述第一镀膜的第二镀膜。
2.如权利要求1所述的电阻器，其中，所述第一上面电极层和贴附层在所述基板的边缘成为一个面。
3.如权利要求1所述的电阻器，其中，所述贴附层在厚度方向上的最大高度高于所述第一上面电极层在厚度方向上的最大高度。
4.如权利要求1所述的电阻器，其中，所述第一上面电极层由银系材料构成，同时贴附层由导电性树脂构成。
5.如权利要求1所述的电阻器，其中，所述第二薄膜由Cu内含有重量1.6％以上Ni的Cu-Ni合金薄膜构成。
6.如权利要求1所述的电阻器，其中，所述第一薄膜及第二薄膜从基板的背面到端面构成大致L字形。
7.一种电阻器的制造方法，其中，包括：在片状基板的上面设置多对第一上面电极层的工序；设置多个与所述多对第一上面电极层电连接的电阻体的工序；设置多个保护层覆盖所述多个电阻体的工序；为了修正所述多个电阻体在所述多对第一上面电极层间的电阻值而进行调整的工序；设置多对贴附层重叠在所述多对第一上面电极层上的工序；形成多个切缝状第一分割部，用于把所述片状基板上的所述多对第一上面电极层及多对贴附层分离、分割成多个长方形基板的工序；从形成有多个所述切缝状第一分割部的状态下的片状基板的背面开始用薄膜技术在位于多个切缝状第一分割部内面的基板的端面和所述第一上面电极层的端面及贴附层的端面上形成端面电极的工序；在与所述切缝状第一分割部正交的方向上形成多个第二分割部以把在所述片状基板的多个长方形基板上形成的所述多个电阻体各个分离、分割成小片状基板的工序。
8.如权利要求7所述的电阻器制造方法，其中，形成所述端面电极的工序在所述片状基板的整个背面也用薄膜技术形成端面电极、在片状基板的整个背面形成的所述端面电极再把不要部分除去而形成多对背面电极。
9.如权利要求7所述的电阻器制造方法，其中，所述多个第一分割部通过切割形成。
10.如权利要求7所述的电阻器制造方法，其中，所述多个第二分割部通过切割形成。
11.如权利要求7所述的电阻器制造方法，其中，用激光形成多个第二分割部，之后分割该第二分割部，分割成小片状基板。
12.如权利要求7所述的电阻器制造方法，其中，在片状基板的端部形成不要区域部，且多个切缝状第一分割部形成在片状基板上，构成多个长方形基板连接在所述不要区域部上的状态。
13.如权利要求7所述的电阻器制造方法，其中，形成所述端面电极的工序是通过位于基板的边缘且由对基板贴附性良好的Cr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜中任一个构成的第一薄膜、和由Cu系合金薄膜构成的与该第一薄膜电连接的第二薄膜、和由镍镀层构成的覆盖所述第二薄膜的第一镀膜、和覆盖所述第一镀膜的第二镀膜这种多层结构形成所述端面电极，所述第一薄膜和第二薄膜从形成有多个切缝状第一分割部的状态的片状基板的背面开始用薄膜技术在位于多个切缝状第一分割部内面的基板的端面和第一上面电极层的端面及贴附层的端面上形成，所述第一镀膜和第二镀膜设置成在由第二分割部分割的小片状基板上至少覆盖所述第二薄膜。
14.一种电阻器的制造方法，其中，包括：在片状基板的上面设置多对第一上面电极层的工序；设置多个电阻体与所述多对第一上面电极层电连接的工序；设置多个以玻璃为主成分的第一保护层，以覆盖所述多个电阻体的工序；为了修正所述多个电阻体在所述多对第一上面电极层间的电阻值而进行调整的工序；设置多对贴附层重叠在所述多对第一上面电极层上的工序；设置多个由树脂层构成的第二保护层覆盖所述第一保护层的工序；形成多个切缝状第一分割部用于把所述片状基板上的所述多对第一上面电极层及多对贴附层分离、分割成多个长方形基板的工序；从形成有所述切缝状第一分割部的状态的片状基板的背面开始用薄膜技术在位于多个切缝状第一分割部内面的基板的端面和所述第一上面电极层的端面及贴附层的端面上形成端面电极的工序；在与所述切缝状第一分割部正交的方向上形成多个第二分割部，以把在所述片状基板的多个长方形基板上形成的所述多个电阻体各个分离、分割成小片状基板的工序。
15.如权利要求14所述的电阻器制造方法，其中，形成所述端面电极的工序在所述片状基板的整个背面也用薄膜技术形成端面电极，在所述片状基板的整个背面形成的所述端面电极再把不要部分除去而形成多对背面电极。
16.如权利要求14所述的电阻器制造方法，其中，形成所述端面电极的工序是通过位于基板的边缘且由对基板贴附性良好的Cr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜中任一个构成的第一薄膜、和由Cu系合金薄膜构成的与该第一薄膜电连接的第二薄膜、和由镍镀层构成的覆盖所述第二薄膜的第一镀膜、和覆盖所述第一镀膜的第二镀膜这种多层结构形成所述端面电极，所述第一薄膜和第二薄膜从形成有多个切缝状第一分割部的状态的片状基板的背面开始用薄膜技术在位于多个切缝状第一分割部内面的基板的端面和第一上面电极层的端面及贴附层的端面上形成，所述第一镀膜和第二镀膜设置成在由第二分割部分割的小片状基板上至少覆盖所述第二薄膜。
17.如权利要求14所述的电阻器制造方法，其中，所述设置贴附层的工序是在实施了设置所述多个第一保护层的工序和为了修正所述多个电阻体在多对第一上面电极层间的电阻值而进行调整的工序之后实施的。
18.如权利要求14所述的电阻器制造方法，其中，所述设置贴附层的工序是在实施了设置所述第一保护层的所述工序和为了修正所述多个电阻体在多对第一上面电极层间的电阻值而进行调整的工序和所述设置第二保护层的工序之后实施的。
19.如权利要求14所述的电阻器制造方法，其中，所述多个第一分割部通过切割形成。
20.如权利要求14所述的电阻器制造方法，其中，所述多个第二分割部通过切割形成。
21.如权利要求14所述的电阻器制造方法，其中，用激光形成多个第二分割部，之后于该第二分割部分割成小片状基板。
22.如权利要求14所述的电阻器制造方法，其中，在片状基板的端部形成不要区域部，且多个切缝状第一分割部形成于片状基板上，构成多个长方形基板连接在所述不要区域部上的状态。
23.一种电阻器，其中，包括：基板；一对上面电极，形成在所述基板的一个主面上，具有第一上面电极层、设置成至少一部分重叠在所述第一上面电极层上的第二上面电极层和重叠在所述第一上面电极层及第二上面电极层上的贴附层；电阻体，与所述一对上面电极电连接；保护层，覆盖所述电阻体。
24.如权利要求23所述的电阻器，其中，构成上面电极的第二上面电极层设置在比基板上面的边缘靠内侧。
25.如权利要求23所述的电阻器，其中，构成上面电极的第一上面电极层和贴附层在基板的边缘成为一个面。
26.如权利要求23所述的电阻器，其中，在所述第一上面电极层、第二上面电极层及贴附层中仅所述第二上面电极层与电阻体电连接。
27.如权利要求23所述的电阻器，其中，所述贴附层在厚度方向上的最大高度构成得高于第一上面电极层在厚度方向上的最大高度。
28.如权利要求23所述的电阻器，其中，构成上面电极的第一上面电极层是由贵金属系树脂构成的。
29.如权利要求23所述的电阻器，其中，在基板的边缘具有大致コ字形的一对端面电极至少与第一上面电极层及贴附层电连接。
30.如权利要求29所述的电阻器，其中，所述端面电极具有：位于所述基板的边缘且由对所述基板贴附性良好的Cr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜中任一个构成的第一薄膜、和由Cu系合金薄膜构成的与所述第一薄膜电连接的第二薄膜、和由镍镀层构成的覆盖所述第二薄膜的第一镀膜、和覆盖所述第一镀膜的第二镀膜。
31.如权利要求30所述的电阻器，其中，所述第二薄膜由Cu内含有重量1.6％以上Ni的Cu-Ni合金薄膜构成。
32.如权利要求30所述的电阻器，其中，构成所述端面电极的第一薄膜及第二薄膜从基板的背面到端面构成大致L字形。
33.一种电阻器的制造方法，其中，包括：在片状基板的上面设置多对第一上面电极层的工序；设置多对与所述多对第一上面电极层电连接的第二上面电极层的工序；设置多个电阻体与所述多对第二上面电极层电连接的工序；设置多个保护层覆盖所述多个电阻体的工序；为了修正所述多个电阻体在所述多对第二上面电极层间的电阻值而进行调整的工序；设置多对贴附层重叠在所述多对第一上面电极层及第二上面电极层上的工序；在所述片状基板上形成多个切缝状第一分割部，用于把所述多对第一上面电极层、第二上面电极层及多对贴附层分离、分割成多个长方形基板的工序；在与所述切缝状第一分割部正交的方向上形成多个第二分割部以把在所述片状基板的多个长方形基板上形成的所述多个电阻体各个分离、分割成小片状基板的工序。
34.如权利要求33所述的电阻器制造方法，其中，所述多个第一分割部通过切割形成。
35.如权利要求33所述的电阻器制造方法，其中，所述多个第二分割部通过切割形成。
36.如权利要求33所述的电阻器制造方法，其中，用激光形成多个第二分割部，之后分割该第二分割部、分割成小片状基板。
37.如权利要求33所述的电阻器制造方法，其中，在片状基板的端部形成不要区域部，且多个切缝状第一分割部形成于片状基板上，构成多个长方形基板连接在所述不要区域部上的状态。
38.一种电阻器的制造方法，其中，包括：在片状基板的上面设置多对第一上面电极层的工序；设置多对与所述多对第一上面电极层电连接的第二上面电极层的工序；设置与所述多对第二上面电极层电连接的多个电阻体的工序；设置多个以玻璃为主成分的第一保护层覆盖所述多个电阻体的工序；为了修正所述多个电阻体在所述多对第二上面电极层间的电阻值而进行调整的工序；设置多对贴附层重叠在所述多对第一上面电极层及第二上面电极层上的工序；设置多个由树脂层构成的第二保护层以覆盖所述多个第一保护层的工序；在所述片状基板上形成多个切缝状第一分割部，用于把所述多对第一上面电极层、第二上面电极层及贴附层分离、分割成多个长方形基板的工序；在与所述切缝状第一分割部正交的方向上形成多个第二分割部以把在所述片状基板的多个长方形基板上形成的所述多个电阻体各个分离、分割成小片状基板的工序。
39.如权利要求38所述的电阻器制造方法，其中，所述设置贴附层的工序是在实施了所述设置多个第一保护层的工序和为了修正所述多个电阻体在多对第二上面电极层间的电阻值而进行调整的工序之后实施的。
40.如权利要求38所述的电阻器制造方法，其中，所述设置贴附层工序是在实施了所述设置多个第一保护层的工序和为了修正所述多个电阻体在多对第二上面电极间的电阻值而进行调整的工序和所述设置多个第二保护层的工序之后实施的。
41.如权利要求38所述的电阻器制造方法，其中，所述多个第一分割部通过切割形成。
42.如权利要求38所述的电阻器制造方法，其中，所述多个第二分割部通过切割形成。
43.如权利要求38所述的电阻器制造方法，其中，用激光形成所述多个第二分割部，之后于该第二分割部分割成小片状基板。
44.如权利要求38所述的电阻器制造方法，其中，在片状基板的端部形成不要区域部，且多个切缝状第一分割部形成于片状基板上，构成多个长方形基板连接在所述不要区域部上的状态。
45.一种电阻器，其中，包括：基板；一对上面电极，形成在所述基板的一个主面上；电阻体，与所述一对上面电极电连接；保护层，覆盖所述电阻体；大致コ字形的一对端面电极，具有位于基板的边缘且由对基板贴附性良好的Cr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜中任一个构成的第一薄膜、和由Cu系合金薄膜构成的与该第一薄膜电连接的第二薄膜、和由镍镀层构成的覆盖所述第二薄膜的第一镀膜、和覆盖所述第一镀膜的第二镀膜，设置成在所述基板的边缘与所述一对上面电极电连接。
46.如权利要求45所述的电阻器，其中，构成端面电极的第二薄膜由Cu内含有重量1.6％以上Ni的Cu-Ni合金薄膜构成。
47.如权利要求45所述的电阻器，其中，构成所述端面电极的第一薄膜及第二薄膜从基板的背面到端面构成大致L字形。
48.一种电阻器的制造方法，其中，包括：在片状基板的上面设置多对上面电极层的工序；设置多个电阻体与所述多对上面电极层电连接的工序；设置多个保护层覆盖所述多个电阻体的工序；为了修正所述多个电阻体在所述多对上面电极层间的电阻值而进行调整的工序；在所述片状基板上形成多个切缝状第一分割部，用于把所述多对上面电极层分离、分割成多个长方形基板的工序；从形成有所述第一分割部的状态的片状基板的背面开始用薄膜技术在位于所述多个第一分割部内面的基板的侧面和所述上面电极层的侧面形成端面电极的工序；在与所述第一分割部正交的方向上形成多个第二分割部以把在所述片状基板的多个长方形基板上形成的所述多个电阻体各个分离、分割成小片状基板的工序。
49.如权利要求48所述的电阻器制造方法，其中，所述多个第一分割部通过切割形成。
50.如权利要求48所述的电阻器制造方法，其中，所述多个第二分割部通过切割形成。
51.如权利要求48所述的电阻器制造方法，其中，用激光形成多个第二分割部，之后分割该第二分割部、分割成小片状基板。
52.如权利要求48所述的电阻器制造方法，其中，在片状基板的端部形成不要区域部，且所述多个第一分割部形成于片状基板上，构成多个长方形基板连接在所述不要区域部上的状态。
53.一种电阻器的制造方法，其中，包括：在片状基板的上面设置多对上面电极层的工序；设置多个电阻体与所述多对上面电极层电连接的工序；设置多个以玻璃为主成分的第一保护层覆盖所述多个电阻体的工序；为了修正所述多个电阻体在所述多对上面电极层间的电阻值而进行调整的工序；设置多个由树脂层构成的第二保护层覆盖所述多个第一保护层的工序；在所述片状基板上形成多个切缝状第一分割部，用于把所述多对上面电极层分离、分割成多个长方形基板的工序；从形成有多个所述第一分割部的状态的片状基板的背面开始用薄膜技术在位于所述多个第一分割部内面的基板的侧面和所述上面电极层的侧面形成端面电极的工序；在与所述第一分割部正交的方向上形成多个第二分割部以把在所述片状基板的多个长方形基板上形成的所述多个电阻体各个分离、分割成小片状基板的工序。
54.如权利要求53所述的电阻器制造方法，其中，所述形成端面电极的工序是通过位于基板的边缘且由对基板贴附性良好的Cr薄膜、Ti薄膜、Cr系合金薄膜、Ti系合金薄膜中任一个构成的第一薄膜、和由Cu系合金薄膜构成的与该第一薄膜电连接的第二薄膜、和由镍镀层构成的覆盖所述第二薄膜的第一镀膜、和覆盖所述第一镀膜的第二镀膜这种多层结构形成所述端面电极，所述第一薄膜和第二薄膜从形成有多个切缝状第一分割部的状态的片状基板的背面开始用薄膜技术在位于多个切缝状第一分割部内面的基板的侧面和上面电极层的侧面上形成，所述第一镀膜和第二镀膜设置成在由第二分割部分割的小片状基板上至少覆盖所述第二薄膜。
55.如权利要求53所述的电阻器制造方法，其中，所述多个第一分割部通过切割形成。
56.如权利要求53所述的电阻器制造方法，其中，所述多个第二分割部通过切割形成。
57.如权利要求53所述的电阻器制造方法，其中，用激光形成所述多个第二分割部，之后于所述第二分割部分割成小片状基板。
58.如权利要求53所述的电阻器制造方法，其中，在片状基板的端部形成不要区域部，且所述多个第一分割部形成于片状基板上，构成多个长方形基板连接在所述不要区域部上的状态。
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