JP2000269010A - チップ抵抗器の製造方法及びチップ抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好な端面電極薄膜を形成し得るチップ抵抗
器の製造方法を提供すること、及び、絶縁基板又はメッ
キ層との接合が強固な端面電極薄膜を有するチップ抵抗
器を抵抗すること。 【解決手段】 短冊状絶縁基板１０の端面に端面電極薄
膜を形成するにあたり、導電性樹脂材料からなり、か
つ、その表面の高さが前記保護膜の表面より高くなる厚
みを有する第２の表電極7を表電極2上に予め施し、第２
の表電極７が施された複数の前記短冊状絶縁基板部品10
を、その各端面10’が略面一になるように積み重ね、そ
の後、前記端面10’に対して端面電極薄膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般に電子回路部
品として用いられるチップ抵抗器の製造方法及びチップ
抵抗器に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器のダウンサイジング化に伴い、
回路基板の実装密度を向上するため、チップ抵抗器にも
小型化・高精度化が要求されている。しかし、係る小型
化・高精度化の要請に対し、従来のチップ抵抗器では、
特に端面電極薄膜の形成において問題がある。

【０００３】ここで、従来のチップ抵抗器の製造方法で
は、まず、複数の分割溝が施された絶縁基板に、その各
分割溝に沿って表電極と裏電極とが施される。次に、各
表電極間に抵抗膜が施され、その各抵抗膜の上に一次ガ
ラスが施される。次に、一次ガラスの上からレーザー等
により各抵抗膜の抵抗値のトリミングが行われ、その後
各一次ガラス上に保護膜が形成される。

【０００４】この時点で一旦絶縁基板は短冊状に分割さ
れ、分割された短冊状絶縁基板をその端面が略面一とな
るように積み重ね、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなる端面電極薄
膜をスパッタリング、イオンプレーティング又は蒸着等
の薄膜形成手法により一括形成する。

【０００５】この端面電極薄膜の形成時の処理を図８
（ａ）によって説明する。図８（ａ）において、複数の
短冊状絶縁基板１００は、収容ケース１０３内に、端面
１０２が略面一になるように積み重ねられて収容されて
いる。また、各短冊状絶縁基板１００には、表電極と裏
電極と抵抗膜と一次ガラスと保護膜とを有する複数のチ
ップ抵抗器部分１０１が既に施されている。

【０００６】そして、各短冊状絶縁基板１００は、収容
ケース１０３内に収容された状態で、その端面１０２に
一括してＮｉ−Ｃｒ合金がスパッタリング等され、端面
電極薄膜が形成される。

【０００７】その後、短冊状絶縁基板１００は、チップ
単位（チップ抵抗器部分１０１毎）に分割され、その各
端部にメッキが施されてチップ抵抗器が完成に至る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ここで、チップ抵抗器
が小型化されると、その保護膜は、表電極よりも突出す
る傾向にあり、更に、組成物の粘性等の理由により山形
に形成される傾向にある。

【０００９】この山形に形成された保護膜を有する短冊
状絶縁基板の上に、別の短冊状絶縁基板を図8（ａ）の
如く積み重ねると、当該保護膜の存在により、当該別の
短冊状基板は傾いて積み重ねられる場合がある（図8
（ｂ））。

【００１０】この傾いた状態の短冊状絶縁基板の端面に
端面電極薄膜をスパッタリング等で形成しようとする
と、その厚さが部分的に不均一になり易いという問題が
ある。

【００１１】また、積み重ねられた各絶縁基板間に隙間
が生じるため、当該隙間にスパッタが侵入して余分に回
り込み、チップ抵抗器の表裏面に形成された左右の電極
幅がバランス良く形成されなかったり、また、スパッタ
ーの回り込みが過剰な場合はメッキ層形成時における当
該メッキの成長により両端の電極が短絡するという問題
もあった。

【００１２】一方、チップ抵抗器の小型化に伴い、その
端面の面積も小さくなるため、そこに形成される端面電
極薄膜と絶縁基板またはメッキ層との接合力を十分に確
保する必要がある。しかし、端面電極薄膜の材料として
通常用いられるＮｉ−Ｃｒ合金の薄膜では、当該接合力
が必ずしも十分なものとは言えない。

【００１３】従って、本発明の目的は、良好な端面電極
薄膜を形成し得るチップ抵抗器の製造方法を提供するこ
とにある。

【００１４】特に、端面電極薄膜の膜厚を均一化し、か
つ、その電極材料の保護膜上への回り込みを防止し得る
チップ抵抗器の製造方法を提供することにある。

【００１５】また、特に、絶縁基板又はメッキ層との接
合が強固な端面電極薄膜を形成し得るチップ抵抗器の製
造方法を提供することにある。

【００１６】更に、本発明の目的は、絶縁基板又はメッ
キ層との接合が強固な端面電極薄膜を有するチップ抵抗
器を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、表電極
と裏電極と抵抗膜と当該抵抗膜の保護膜とを有する複数
のチップ抵抗器部分が施された短冊状絶縁基板の端面に
端面電極薄膜を形成するにあたり、導電性樹脂材料から
なり、かつ、その表面の高さが前記保護膜の表面以上に
高くなるような厚みを有する第２の表電極を前記表電極
上に予め施し、当該第２の表電極が施された複数の前記
短冊状絶縁基板部品を、その各端面が略面一になるよう
に積み重ね、その後、前記端面に対して端面電極薄膜を
形成してなるチップ抵抗器の製造方法が提供される（請
求項1）。

【００１８】この手段では、前記保護膜以上に表面高さ
が高い前記第２の表電極を設けることにより、前記短冊
状絶縁基板を積み重ねた場合に、上の前記短冊状絶縁基
板は下の前記短冊状絶縁基板の前記第２の表電極上に載
置されることとなる。そして、前記第２の表電極は、導
電性樹脂材料からなり、ある程度の弾力性を有するた
め、前記保護膜の形状に起因する前記短冊状絶縁基板の
傾きが防止され、また、相互間に隙間無く積み重ねるこ
とが可能となる。

【００１９】このため、本発明のチップ抵抗器の方法で
は、端面電極薄膜の膜厚を均一化し、かつ、電極材料の
保護膜上への回り込みを防止し得るという効果を奏す
る。

【００２０】本発明において、前記第２の表電極を構成
する導電性樹脂材料としては、銀、金等の金属の球状
物、樹皮状物又はフレーク状物をエポキシ変成フェノー
ル系又はエポキシ系等の樹脂に混合分散した材料を挙げ
ることができる。係る材料は、特に、既設の表電極との
密着性が良好で、また、ガラスを含有するグレーズより
も弾力性及び抵抗率が低いという点でも優れたものだか
らである。

【００２１】前記端面電極薄膜を形成する方法として
は、スパッタリング、イオンプレーティング、或いは、
蒸着等を挙げることができる。

【００２２】また、本発明によれば、アルミナ基板と、
当該アルミナ基板の両端面に設けられた端面電極薄膜
と、当該端面電極薄膜を覆うＮｉメッキ層と、を含むチ
ップ抵抗器において、前記端面電極薄膜が、前記アルミ
ナ基板の端面に設けられたＣｒ又はＴｉからなる第１の
薄膜と、当該第１の薄膜上に設けられたＮｉからなる第
２の薄膜と、からなることを特徴とするチップ抵抗器が
提供される（請求項2）。

【００２３】この手段では、前記端面電極薄膜を２層構
造とし、かつ、アルミナ基板側にＣｒ又はＴｉからなる
第１の薄膜を、Ｎｉメッキ層側にＮｉからなる第２の薄
膜を設けたものである。ここで、Ｃｒ又はＴｉは絶縁基
板として用いられるアルミナ基板と相性がよく、また、
Ｎｉ同士は当然相性がよい。更に、Ｃｒ又はＴｉと、Ｎ
ｉとも相性がよい。

【００２４】この結果、このチップ抵抗器は、端面電極
薄膜とアルミナ基板又はＮｉメッキ層との接合が強固に
なるという効果を奏する。

【００２５】なお、このチップ抵抗器を製造するために
は、始めにＣｒ又はＴｉからなる第１の薄膜を形成し、
その後、Ｎｉからなる第２の薄膜を形成することにより
製造することができる（請求項4）。

【００２６】更に、また、本発明によれば、アルミナ基
板と、当該アルミナ基板の両端面に設けられた端面電極
薄膜と、当該端面電極薄膜を覆うＣｕメッキ層と、を含
むチップ抵抗器において、前記端面電極薄膜が、前記ア
ルミナ基板の端面に設けられたＣｒ又はＴｉからなる第
１の薄膜と、当該第１の薄膜上に設けられたＣｕからな
る第２の薄膜と、からなることを特徴とするチップ抵抗
器が提供される（請求項3）。

【００２７】この手段では、前記端面電極薄膜を２層構
造とし、かつ、アルミナ基板側にＣｒ又はＴｉからなる
第１の薄膜を、Ｃｕメッキ層側にＣｕからなる第２の薄
膜を設けたものである。ここで、Ｃｒ又はＴｉは絶縁基
板として用いられるアルミナ基板と相性がよく、また、
Ｃｕ同士は当然相性がよい。更に、Ｃｒ又はＴｉと、Ｃ
ｕとも相性がよい。

【００２８】この結果、このチップ抵抗器は、端面電極
薄膜とアルミナ基板及びＣｕメッキ層との接合が強固に
なるという効果を奏する。更に、Ｃｕは抵抗率が低いた
め、抵抗値の低いチップ抵抗器を提供する場合に有益で
ある。

【００２９】なお、このチップ抵抗器を製造するために
は、始めにＣｒ又はＴｉからなる第１の薄膜を形成し、
その後、Ｃｕからなる第２の薄膜を形成することにより
製造することができる（請求項5）。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて説明する。 ＜第１の実施形態＞図1乃至図５は、本発明に係るチッ
プ抵抗器の製造方法の各工程を示す図であり、各図の
（ａ）は、平面図を示し、各図の（ｂ）は、その横断方
向の一部断面図である。

【００３１】この製造方法では、まず、分割溝１ａ及び
１ｂが縦横に施された絶縁基板１の表裏面に、分割溝１
ａに沿って表電極２と、裏電極３とを設ける（図１）。
図１の例では、表電極２及び裏電極３を、分割溝１ａに
跨り、かつ、分割溝１ｂとは離隔するように設けている
が、裏電極３については分割溝１ｂも跨いだいわゆるべ
た印刷としてもよい。

【００３２】絶縁基板１の材料としては、例えば、アル
ミナを挙げることができる。表電極2及び裏電極3の材料
としては、例えば、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｐｔ系、Ａｇ・Ｐ
ｔ系、Ｃｕ系若しくはＡｇ・Ｐｄ系のメタルグレーズを
挙げることができ、その設け方としては、係る材料を絶
縁基板１に印刷し、その後焼成する方法を挙げることが
できる。

【００３３】次の工程としては、一対の表電極２間に抵
抗膜4を設け、この抵抗膜４を覆うように第1の保護膜５
を被覆し、第１の保護膜５の上から抵抗膜４の抵抗値修
正のためのトリミングを行い、その後、第２の保護膜６
を第1の保護膜5の上に設ける（図2）。第２の保護膜６
は、トリミングにより生じた溝及び第１の保護膜５を覆
うように設けられ、図２の例ではべた印刷によりこれを
設けているが、表電極２の如く分割溝1ｂから離隔する
ように設けてもよい。

【００３４】なお、第１及び第２の保護膜5及び６は、
後に第２の表電極７を設けるため、表電極2の分割溝1ａ
付近の部分を一部残して設ける。

【００３５】抵抗膜４の材料としては、提供するチップ
抵抗器の抵抗値範囲を広範に確保するために、例えば、
ＲｕＯ₂系、Ａｇ系、Ａｇ・Ｐｄ系若しくはＣｕ・Ｎｉ
系のメタルグレーズを挙げることができ、その設け方と
しては、係る材料を絶縁基板１に塗布又は印刷し、その
後焼成する方法が挙げられる。

【００３６】第１の保護膜５の材料としては、例えば、
硼珪酸鉛系ガラスグレーズを挙げることができる。抵抗
膜４の抵抗値のトリミングは、上述した通りこの第１の
保護膜５を抵抗膜４に被覆した後、第１の保護膜５と共
にレザートリミング等を施すことにより行われる。

【００３７】第２の保護膜６の材料としては、例えば、
エポキシ系又はエポキシ変成フェノール系樹脂を挙げる
ことができ、その設け方としては、これらの材料から成
る塗料を第１の保護膜５上に塗布又は印刷し、加熱硬化
する方法を挙げることができる。

【００３８】なお、この実施形態では、保護膜として、
第１の保護膜5と第2の保護膜6との二層構造を採用した
が、必ずしもその必要は無く、第１の保護膜5のみとし
たり、第１の保護膜5を設けずに、トリミングした抵抗
膜４上に直接第２の保護膜６のみを設けてもよい。

【００３９】次の工程としては、表電極２上に、第２の
表電極７を設ける（図３）。第２の表電極７は、第２の
保護膜６に被覆されていない、露出した表電極２の部分
に少なくとも接するように設け、かつ、その表面の高さ
が第２の保護膜６の表面と少なくとも同等か、より高く
なるような厚さでもって設ける。なお、図面上第２の表
電極７は、絶縁基板１に対して、かなり厚く見えるが、
これは構造を容易に把握できるように誇張して表現した
ものであり、第２の表電極７の膜厚としては、通常、お
よそ5μｍから10μｍの範囲となる。また、図３におい
ては、第２の表電極７は第２の保護膜６の側面に面して
設けているが、その一部が第２の保護膜６上に重なって
も良い。

【００４０】第２の表電極７は、導電性樹脂材料からな
るものであって、その設け方としては、当該材料を塗布
又は印刷した後、加熱硬化する方法を挙げることができ
る。

【００４１】次の工程としては、端面電極薄膜を形成す
るために、絶縁基板１を、その縦方向の分割溝1ａに沿
って1次分割し、短冊状絶縁基板１０とする（図4）。

【００４２】そして、この短冊状絶縁基板１０を、例え
ば、図8（ａ）の如く収容ケース１０３等を用いて端面
１０’が略面一となるように積み重ねる。なお、その頂
上には、各短冊状絶縁基板１０が隙間無く積み重ねられ
るように、所定重量の重り等を載せる等、適度な荷重を
加えるようにしてもよい。

【００４３】積み重ねた際、短冊状絶縁基板１０は、そ
のすぐ下段の短冊状絶縁基板１０に設けられた第２の表
電極７上に載置されることとなる（図5）。第２の表電
極７は、その表面が第２の保護膜６の表面以上の高さと
なるような厚さをもって設けられているからである。そ
して、第２の表電極７は、導電性樹脂材料からなるた
め、一定の弾力性を有する。

【００４４】このため、短冊状絶縁基板１０は、傾くこ
となく、かつ、その端面１０’において短冊状絶縁基板
１０間の隙間がなく、安定して積み重ねられる。

【００４５】この後、積み重ねられた短冊状絶縁基板１
０の端面１０’には、端面電極を構成するための薄膜が
スパッタリング等によって一括形成され（図5）、更に
その後、短冊状絶縁基板１０’を分割溝１ｂに沿って２
次分割し、個々のチップ抵抗器とし、更にメッキ層を施
す等して最終的なチップ抵抗器が完成に至る。

【００４６】図６は、上述した製造方法を経て製造され
たチップ抵抗器Ａの断面構造図である。チップ抵抗器Ａ
は、絶縁基板１と、その両端表裏面に設けられた表電極
２及び裏電極３と、表電極２間に設けられた抵抗膜4
と、抵抗膜4の上に被覆された第１の保護膜5及び第２の
保護膜６と、表電極２上に設けられた第２の表電極７
と、絶縁基板１の両端面に設けられた端面電極薄膜8
と、その更に両端に設けられたメッキ層９と、からな
る。

【００４７】チップ抵抗器Ａは、第２の表電極７を設け
たので、第２の保護膜６の表面よりもメッキ層９の上面
の方が高い位置にある。従って、チップ抵抗器Ａを回路
基板に実装する場合には、必ずしも裏電極３側の面を回
路基板上のランド取りつける必要は無く、表電極２側の
面をランドに取りつけることもでき、表裏面の区別の必
要が無いため実装時の手間が省ける。この際、第２の表
電極７の第２の保護膜６の表面からの高さが、裏電極３
の絶縁基板１の裏面からの高さと等しくなるように、第
２の表電極７の厚さを設定すると、チップ抵抗器Ａの形
状は、表裏面においてほとんど対称の形状となり、より
一層実装時に手間が省けることとなる。 ＜第２の実施形態＞図７は、本発明に係るチップ抵抗器
Ｂの断面構造図である。

【００４８】チップ抵抗器Ｂは、アルミナ基板２０と、
その両端表裏面に設けられた表電極２１及び裏電極２２
と、表電極２１間に設けられた抵抗膜２３と、保護膜２
４と、アルミナ基板２０の両端面に設けられた端面電極
薄膜２５と、各々の端面電極薄膜２５を覆うように設け
られた第１のメッキ層２６と、第２のメッキ層２７と、
からなる。

【００４９】チップ抵抗器Ｂの端面電極薄膜２５は、第
１の薄膜層２５ａと第２の薄膜層２５ｂとからなる。ま
た、第２のメッキ層２７は、はんだメッキ層である。

【００５０】そして、第１の薄膜層２５ａの材料として
は、Ｃｒ又はＴｉのいずれかを採用する。一方、第２の
薄膜層２５ｂの材料は、第１のメッキ層２６の材料によ
り異なる。すなわち、第１のメッキ層２６の材料がＮｉ
の場合、第２の薄膜層２５ｂの材料は、Ｎｉを採用す
る。また、第１のメッキ層２６の材料がＣｕの場合、第
２の薄膜層２５ｂの材料は、Ｃｕを採用する。

【００５１】なお、第１のメッキ層２６としてＣｕを選
択した場合、第２のメッキ層２７をはんだメッキのみで
構成せずに、第１のメッキ層２６をＮｉメッキ層で覆っ
た後、更にはんだメッキ層を施すようにして２層構造と
してもよい。

【００５２】端面電極薄膜２５を設ける方法としては、
アルミナ基板２０に、表電極２１、裏電極２２、抵抗膜
２３及び保護膜２４を設けた上で、アルミナ基板２０の
両端面にまず、第１の薄膜層２５ａを形成し、その後、
第２の薄膜層２５ｂを形成する。薄膜の形成方法として
は、例えば、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティ
ング等を挙げることができる。

【００５３】係る構成から成るチップ抵抗器Ｂでは、第
１の薄膜層２５ａがＣｒ又はＴｉからなりアルミナと材
料的に相性がよいため、アルミナ基板２０に強固に接合
される。

【００５４】また、第２の薄膜層２５ｂは、その材料
（Ｎｉ又はＣｕ）がメッキ層２６の材料（Ｎｉ又はＣ
ｕ）と同じ材料であるため、両者が強固に接合される。

【００５５】更に、Ｃｒ又はＴｉと、Ｎｉ又はＣｕとは
材料的に相性がよいため、第１の薄膜層２５ａと第２の
薄膜層２５ｂとも相互に強固に接合される。

【００５６】従って、チップ抵抗器Ｂの小型化に伴い、
端面電極を形成すべきアルミナ基板２０の両端面の面積
が小さい場合でも、端面電極薄膜２５は、アルミナ基板
２０及び第１のメッキ層２６に対して十分な接合力を維
持する。

【００５７】また、Ｃｕは抵抗率が小さいため、低い抵
抗値を備えたチップ抵抗器を得たい場合には、第２の薄
膜層２５ｂ及び第１のメッキ層２６の材料としてＣｕを
採用するとより一層好適である。

【００５８】なお、チップ抵抗器Ｂにおいては、アルミ
ナ基板２０と、所定材料から成る第１のメッキ層２６
と、所定材料からなる第１の薄膜層２５ａ及び第２の薄
膜層２５ｂから構成される端面電極薄膜２５と、が必須
の構成であり、他の構成については特に限定はされない
ものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）絶縁基板１に表電極２及び裏電極３を設
けた工程を示す平面図である。 （ｂ）図１（ａ）の横断方向の一部断面図である。

【図２】（ａ）絶縁基板１に抵抗膜４、第１の保護膜５
及び第２の保護膜６を設けた工程を示す平面図である。 （ｂ）図２（ａ）の横断方向の一部断面図である。

【図3】（ａ）表電極２上に第２の表電極７を設けた工
程を示す図である。 （ｂ）図３（ａ）の横断方向の一部断面図である。

【図4】絶縁基板１を１次分割し、短冊状絶縁基板１０
を得た工程を示す図である。

【図5】短冊状絶縁基板１０を積み重ねた場合におけ
る、その一部断面図である。

【図6】チップ抵抗器Ａの断面構造図である。

【図７】チップ抵抗器Ｂの断面構造図である。

【図８】（ａ）短冊状絶縁基板１００に端面電極薄膜を
設けるために、収容ケース１０３内に、端面１０２が略
面一になるように積み重ねた態様を示す図である。 （ｂ）積み重ねられた短冊状絶縁基板１００の一部断面
図である。

【符号の説明】

Ａ チップ抵抗器 Ｂ チップ抵抗器 1 絶縁基板 １ａ 分割溝 １ｂ 分割溝 ２ 表電極 ３ 裏電極 ４ 抵抗膜 ５ 第１の保護膜 ６ 第２の保護膜 ７ 第２の表電極 8 端面電極薄膜 9 メッキ層 １０ 短冊状絶縁基板 ２０ アルミナ基板 ２１ 表電極 ２２ 裏電極 ２３ 抵抗膜 ２４ 保護膜 ２５ 端面電極薄膜 ２５ａ 第１の薄膜層 ２５ｂ 第２の薄膜層 ２６ 第１のメッキ層 ２７ 第２のメッキ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E032 BA07 BB01 CA02 CC14 CC18 5E033 AA18 AA22 AA23 AA27 BB02 BC01 BD01 BE02 BF05 BG02 BG03 BH02

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項1】 表電極と裏電極と抵抗膜と当該抵抗膜の
   保護膜とを有する複数のチップ抵抗器部分が施された短
   冊状絶縁基板の端面に端面電極薄膜を形成するにあた
   り、導電性樹脂材料からなり、かつ、その表面の高さが
   前記保護膜の表面以上に高くなるような厚みを有する第
   ２の表電極を前記表電極上に予め施し、当該第２の表電
   極が施された複数の前記短冊状絶縁基板部品を、その各
   端面が略面一になるように積み重ね、その後、前記端面
   に対して端面電極薄膜を形成してなるチップ抵抗器の製
   造方法。
2. 【請求項２】 アルミナ基板と、当該アルミナ基板の両
   端面に設けられた端面電極薄膜と、当該端面電極薄膜を
   覆うＮｉメッキ層と、を含むチップ抵抗器において、 前記端面電極薄膜が、前記アルミナ基板の端面に設けら
   れたＣｒ又はＴｉからなる第１の薄膜と、当該第１の薄
   膜上に設けられたＮｉからなる第２の薄膜と、からなる
   ことを特徴とするチップ抵抗器。
3. 【請求項３】 アルミナ基板と、当該アルミナ基板の両
   端面に設けられた端面電極薄膜と、当該端面電極薄膜を
   覆うＣｕメッキ層と、を含むチップ抵抗器において、 前記端面電極薄膜が、前記アルミナ基板の端面に設けら
   れたＣｒ又はＴｉからなる第１の薄膜と、当該第１の薄
   膜上に設けられたＣｕからなる第２の薄膜と、からなる
   ことを特徴とするチップ抵抗器。
4. 【請求項４】 アルミナ基板と、当該アルミナ基板の両
   端面に設けられた端面電極薄膜と、当該端面電極薄膜を
   覆うＮｉメッキ層と、を含むチップ抵抗器の前記端面電
   極薄膜を形成するに当たり、 前記アルミナ基板の両端面にＣｒ又はＴｉからなる第１
   の薄膜を設け、当該第1の薄膜上にＮｉからなる第２の
   薄膜を設けることを特徴とするチップ抵抗器の製造方
   法。
5. 【請求項５】 アルミナ基板と、当該アルミナ基板の両
   端面に設けられた端面電極薄膜と、当該端面電極薄膜を
   覆うＣｕメッキ層と、を含むチップ抵抗器の前記端面電
   極薄膜を形成するに当たり、 前記アルミナ基板の両端面にＣｒ又はＴｉからなる第１
   の薄膜を設け、当該第1の薄膜上にＣｕからなる第２の
   薄膜を設けることを特徴とするチップ抵抗器の製造方
   法。