TW502135B - Positive type photosensitive resin composition and process for preparing polybenzoxazole resin film by using the same - Google Patents
Positive type photosensitive resin composition and process for preparing polybenzoxazole resin film by using the same Download PDFInfo
- Publication number
- TW502135B TW502135B TW086105647A TW86105647A TW502135B TW 502135 B TW502135 B TW 502135B TW 086105647 A TW086105647 A TW 086105647A TW 86105647 A TW86105647 A TW 86105647A TW 502135 B TW502135 B TW 502135B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- scope
- formula
- weight
- patent application
- parts
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
- G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/107—Polyamide or polyurethane
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Description
502135 A7 __^_B7 _ 五、發明説明(1 ) 發明背景 發明範疇 本發明係關於具髙敏感度之正型光敏性樹脂組成物, 其可製得具髙良率剩餘膜厚度之圖案*以及其對封裝樹脂 、基板及半導體裝置具優異黏合性*該半導體裝置具有上 述正型光敏性樹脂組成物所形成之膜•該膜可鬆弛經由封 裝時模塑樹脂所造成之衝擊*並可鬆弛模塑後不同熱處理 所引起之應力· 相關技藝說明 迄今具優異耐熱性、儍異電性質及優異機械性質之聚 醯胺樹脂係作爲半導體元件表層保護膜及半導體元件中間 層絕緣膜*然而,近來由於半導體元件的髙集成度及大型 化、封裝樹脂包裝之薄化及微型化、經由焊材軟溶而轉移 至表面安裝等,則需要在耐熱循環、耐熱沖擊上有顯著增 強者,因此需要具較髙功效之聚醯胺· 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 另一方面,現在注意力集中在將光敏性加至聚亞胺樹 脂之技術,以及經此技術之施加而具有光敏性之聚亞胺樹 脂•聚亞胺樹脂包括•例如*下式(1 6 )所示者 0 0 0
II II II -C C—0*CHrCHt~0*C-C =CHi
\/ I
Rn CKa
HiC^C-C-O-CHrCHi-O-C C-«-R,rN II II 1! Ί 0 0 OH II (請先閲讀背面之注意事填寫本頁) /\ (16) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 4 502135 A7 B7 五、發明説明(2 )
經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 當使用這些聚亞胺樹脂,可簡化部分圖案形成步驟, 因而具縮短步驟的功效•然而,在顯像步驟需使用N -甲 基一 2 -吡咯烷酮等溶劑,則使用上述聚亞胺在安全及處 理上有問題·因此近來發展可用鹼性水溶液加以顯像之正 型光敏性樹脂•例如,JP — B — 1 — 46862揭示由 聚苯並噁嗤樹脂及重氮鄰醌化合物或者聚苯並噁唑先驅物 和重氮醍組成之正型光敏性樹脂,此光敏性樹脂具髙耐熱 性、優異電特性及易處理特性•而且不僅可作爲晶片塗覆 樹脂,亦可作爲中層絕緣樹脂· 在上述正型光敏性樹脂之顯像機制中*在未暴露部分 之重氮醗不溶於鹸性水溶液,而當被暴露於光下,發生化 學反應而溶於鹸性水溶液中,此種使用暴露部分和未暴露 部分間溶解度差可製備僅由未暴露部分組成之塗覆膜圖案 〇 當實際使用此種光敏性樹脂*光敏性樹脂之敏感度會 有問題,當敏感度低*每片晶片暴露時間變長,及生產率 變低。因此*當,例如*爲了增加光敏性樹脂敏感度而將 作爲底膜之聚苯並噁唑之分子量變得小時*會造成在顯像 時,未暴露部分膜損失變大及圖案形狀變差的問題· 此外,光敏性樹脂和封裝樹脂間之黏合差,及在彼此 間界面造成脫層,所以在實-際使用上會有問題•因此,對 於具有較佳黏合至封裝樹脂之光敏性樹脂的需求強烈· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) " (請先閲讀背面之注意事- 裝丨篇 窝本頁) ,ιτ k 502135 A7 B7 五、發明説明(3 ) 使用上述正型光敏性樹脂,則可使用鹸性水溶液除去 孔道部分之樹脂,所以和其它傳統光敏性樹脂不一樣,並 不需要使用有機溶劑,因之更提升其處理上的安全性· 再者,上述光敏性聚苯並噁唑先驅物黏合至基板(特 別是矽晶片)上之性質較差,及基於此嚴重問題,樹脂係 藉由在固化後之高溫高濕度下之處理自基板上剝除,此問 題並無法藉由將商售促進黏合之矽烷偶合劑等:&卩至該先驅 物中而完全加以解決,因此,該先驅物的使用嚴重受限· 發明目的及概論 本發明目的爲提供一正型光敏性樹脂*其具髙敏感度 及其可製得具髙良率剩餘膜厚度之圖案,及其在黏合至封 裝樹脂及基板上之性質優異· 本發明另一目的爲提供具髙可信度之半導體裝置*其 中經由使用上述黏合至封裝樹脂之性質優異的正型光敏性 樹脂*在半導體元件上形成具高良率剩餘膜厚度之聚苯並 噁唑樹脂圖案❶ 本發明之其他目的可由下文說明而清楚得知· 本發明所提供正型光敏性樹脂組成物係包含: (A) 1〇〇重置份下式(1)所示聚醯胺: 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項 裝-- 寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 502135 A7 B7 五、發明説明(4 )
— OH I 0 g 0 η 0 R 0 n -fNH 1 X - NH · C 1 -Y - C-h—(NH - -Z - NH - C - Y n -C)b OH (1) 其中X示四價芳族基;Y示二價芳族基;z示下式之基團
^3 只3 I. I. • — Si —〇 — Si * R2 — I I 式中二價有機基,R3及R4示單價有機基;a 及b示莫耳分率;a+b = 100莫耳%; a = 60 · 0 一100.0莫耳%;b=0至40莫耳%;η示2至 5 0 0之整數, (Β) 1至100重置份之光敏性重氮醒化合物*以及 (C)l至50重量份之至少一者選自下式(2)及(3 )所示之苯酚化合物: (請先閲讀背面之注意事 裝丨I :寫本頁) %π k 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製
其中R5&Re示氫原子或烷基*以及R7、Re、ReW R :。各示氫原子、羥基或炼基, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 502135 Α7 Β7 五、發明説明(5 )
OH
(3) 其中R1示氫原子或烷基;以及R2、R3、R4、R5、Re 和R 7各示氫原子、鹵素原子、羥基、烷基或脂環族基; 及/或 (D) 0 · 1至20重量份之至少一者選自下式(8)、 (9 )及(1 0 )所示有機矽化合物:(,). (Re)3-i—Si — CH2—CH!—Rg—N—C—R,—C—OH (8)III HO 0 其中115示二價有機基;Re示二價有機基;R 7和R 8各示 單價有機基;以及P示0、1或2之整數, (R7)i η 0 〇 (請先閲讀背面之注意事_
裝-- 寫本頁) ,-ιτ 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (R8〇)3-#-Si - ch2ch2 - r6 - n - c c - oh\ / (R7)i
H0 - C C-N-R6-CH2CH2-Si-(OR8)3.# I歷I 0 OH (9) 其中115示四價芳族基;二價芳族基;R«r和Re各示 單價有機基;以及ί示0、1或2之整數,及 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 502135 A7 B7 五、發明説明(6 ) ^ (Rn)i 9 ? I 1 1
(Ri8〇) 3.f -Si-Ri6-CH-CH2-0-C C-OH
OH
R / 15 (Rn)( HO-C C-0-CH2-CH-R16-Si- (OR18) I 1 I 0 0 OH (10) 其中R15示四價芳族基;Rle示二價有機基;Rm和 各示單價有機基;以及5示〇、1或2之整數· 本發明另提供一半導體裝置,其中下式(15)所示 聚苯並噁哩樹脂之膜以0·1至20之厚度形成於半 導體元件上: 0 N / \/\ C X C—Y \/ \ / N 0 "a
OH HO II I I 11 C—N—Z—N—C—Y· (15) 其中X示四價芳族基;Y示二價芳族基;以及Z示下式基 團: (請先閲讀背面之注意事寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝
Ri R3I Si IR. r3 I 0 - SiI Ra r2 式中Ri和R2示二價有機基,R 3和R 4示單價有機基;a 和b示莫耳分率;a+b = l〇〇莫耳?6; a爲60 · 0 至100 · 0莫耳%; b昏0至40 · 0莫耳%; η爲2 至5 0 0之整數〇 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) " 502135 A7 ____B7 _ 五、發明説明(7 ) 發明之詳細說明 式(1 )所示聚醯胺係由具X結構之雙胺苯酚、具γ 結構之二羧酸及具Z結構之選擇性二胺所組成•此聚醯胺 在加熱至約30 〇 — 4 0 0 °C時行環閉反應,而轉變成上 述式(1 5 )之聚苯並噁唑,其爲耐熱性樹脂· 本發明式(1 )所示聚醯胺中,X包括,例如, (請先閲讀背面之注意事
訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 其中 A 示一 CH2—、一0 —、一S —、一 S02—、 一 CO -、—NHCO、-C (CH3)2 -或 一 c (CF3)2—等》但並非侷限於此· 其中*式(1 2 )所示者因具髙敏感度而較佳: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐),Λ
-1U 502135 A7 _B7 五、發明説明(8 )
CHa (請先閲讀背面之注意事_
裝— 寫本頁) 在式(1 )中* Y包括*例如*下列基團:
訂
經濟部中央標準局員工消费合作社印袋 其中 A 示一 CH2—、一 〇 —、一 S —、一 S02—、 -CO -、一 NHCO -或·一 C (CF3)2- 等,但並非 侷限於此❶ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~ -II - 502135 A7 B7 五、發明説明(9 ) ^ 其中*式(1 3)所示者因具髙敏感度而較佳 -(Sf, (13) 0 0 0 (請先閱讀背面之注意事 再者,在式(1 )中* Z包括*例如 ch3 ch3 L 丨. —(CHi)a —S i —0—S i 一 (C H 2 )a- I I CH, CH3 ch3 ch3 I I —(CHtU —s i-O-S i- (CHl)4 —— I I ch3 ch3
C -S -c c Is -C +0-h 一 3 3 j 3 Η 丨 Η Η 丨 Η c -s He c ms He
:寫本頁) 裝·
*tT 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 C. Hi Cg Hi I . I. —(CHi)a —S i一0一S i一(CH!)3- I ! Cl Hs C, 11s CH3 CH, ,I. I· —(CH2)3 —Si — 0一S i 一(CH2)3- I I C, Hs C· Hs
等,但並非侷限於此· - 在式(1 )中Z之使用,特別是當黏合至如矽晶片之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐匕 502135 A7 __B7 _ 五、發明説明(ίο ) … 基板上,及Z結構之使用比例至多4 〇 · 〇莫耳% *當Z 結構使用比例超過4 0 · 0莫耳,樹脂的溶解度非常低, 產生浮渣且無法加工處理圖案•偶而X、Y及Z可單獨使 用或者組合使用· 作爲聚醯胺,式(1 7)所示者較佳,式(1 7)對 應於b = 〇時之式(1): (17) 寫冬 頁) (請先閲讀背面之注意事 OH 0 〇
I r I (-NH - X -NH - C _ Y _ C-),
OH 其中X示四價芳族基,Y示二價芳族基,及n示2至 5 0 0之整數· 本發明所使用之重氮醌化合物係具有1,2 -苯餛二 叠氮結構或1,2 -棻醌二叠氮結構之化合物,其揭示於 USP 2,772,972;2,797,213 及 3 * 669,658 *該化合物包括,例如,下式所示之 化合物: 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 CH,
© OQ 0Q CH3
OQ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 502135 A7 B7 五、發明説明(11 )
Η OQ OQ
〇Q
QO
<〇>5^~0Q o 0
(請先閲讀背面之注意事_ Μ 裝丨— :寫本頁) 訂 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 CH, Q-NH-(CH,h」i- Η He CH3I 卜S i- (CH2h — NH- QI ch3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)m 502135 A7 B7 五、發明説明(12 ) 其中Q示氫原子 〇
η: 或
St 而在上述化合物中,至少有一 Q基團爲 0
SO, I (請先閲讀背面之注意事 0
—裝丨I 寫本頁) 在上述化合物中,基於高良率剩餘膜厚度,下列化合 物較佳: 訂
CHi
Η C
o Q
Q ο 經濟部中央樣準局員工消費合作杜印製 子 原氫 示 Q 中其
Q
Q ο
或
N1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐)_ 15 502135 A7 B7 五、發明説明(13 ) 每1 0 0重量份聚醯胺(A)中所加之光敏性重氮醌 的量爲1至1 0 0重量份,當其量低於1重置份•樹脂之 圖案性質令人不滿意,當其量髙於1 0 0重量份,膜之伸 展長度顯著降低•含具低伸展長度之膜塗覆於半導體元件 表面之半導體裝置是不好的,因爲可信度會藉由應力(如 熱應力等)而降低· 若需要*可將二氫吡啶衍生物加至本發明正型光敏性 樹脂組成物以增加光敏性,該二氫妣啶衍生物包括,例如 ,2,6 —二甲基一 3,5 —二乙醯基一 4 一(2,一硝 基苯基)一 1,4 一二氫吡啶、4 一(2 > —硝基苯基) 一 2,6 —二甲基一 3 ,5 —二乙酯基一 1 ,4 - -二氫吡 啶、4 一( 2,,4 / 一二硝基苯基)一2 ,6 - -二甲基 一 3,5 —甲酯基一 1,4 一二氫吡啶等· 除了上述成份(A)及(B )外•本發明正型光敏性 樹脂組成物包含式(2 )及(3 )中至少一者所示之化合 物係重要的· * 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事填寫本頁) 將苯酚化合物加至正型光阻組成物之技術揭示於,例 如,JP — A-3-2 00,25 1; JP - A - 3 - 200 * 252 ; JP - A - 3 - 200,253; JP-A - 3 - 2 0 0,254 ; JP - A - 4 - 1*650; J P — A — 4 一 1,6 5 1 - ;JP — A - 4 一 11,260; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)Γ7" -10 - 502135 A7 _*_B7_·_ 五、發明説明(14 ) ^ JP-A - 4 - 12,356 ;及 JP — A — 4一12,357。然而,當這些公開專利申 請案所提及之苯酚化合物加至本發明正型光敏性樹脂(其 中基底樹脂爲聚醯胺)中*只有少許增加敏感度的功效· 當使用本發明式(2)或(3)所示苯酚化合物•暴 露部分之溶解度增加,及敏感度增加•此外*經由減少分 子量而使敏感度增加時》未暴露部分中膜損失極少•此外 •在本發明中,經由加入式(2)或(3)所示之苯酚化 合物,可製得一正型光敏性樹脂組成物*其具有黏合至包 膠樹脂之黏合性被增強之特性,以及當此組成物塗覆於半 導體元件之表面上時*可確定半導體裝置之可信度被增強 〇 式(2 )所示化合物包括下列化合物,.但並不侷限於 下列化合物: (請先閲請背面之注意事' — 寫本頁) «線 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)—17 502135 A7 B7 五、發明説明(15 )
OH
Η°~{〇^αΗι^ζ〇^〇Η ^QYcH;"^〇y^〇H on
OH C〇TCH,l〇]
(請先閱讀背面之注意事
OH
ch3
OH
Clh orCHno
ch3 —裝— 寫本頁) 訂
經濟部中央標準局員工消费合作社印製 CH3 CH3\ CHa ^ CHa 〇>-〇η h〇-<〇)4(5V〇h CHa CH〆 CHa \CH3
(m及n是1或2 ) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X297公釐) 18 502135 A7 B7 五、發明説明(16 )
HO
3普·。,,。普 j,- CH (請先閲讀背面之注意事 Μ 裝-- :寫本頁)
C— CCH,)g I CH, OH C!l>
C<X CHj CH,
• CH, (C!U)||. ,ιτ CH,
CHj ojH〇」 CH CH,/\ CH3 CH3 CHj CH.
I CH, CHCHj CHCHj I I CH* CH, CH,CHi 響線 經濟部中央標準局員工消费合作社印製
OH
OH ch3 -c — ch3 ch3 -c-ch3
CH> CH> CHa CHi 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(21 OX 297公釐) 19 502135 A7 B7 五、發明説明(17 ) 二 其中•基於敏感度及剩餘膜厚之良率,式(6)及( 7 )所示之化合物特別佳:
JDH (6) ΌΗ 0!' (7) 及其較佳係單獨使用,或者基於苯酚化合物之總重,以至 少5 0重置%之比例與苯酚化合物(C )組合使用· 式(2 )所示苯酚化合物在低溫下溶解度低,所以當 一包含式(2 )所示苯酚化合物之組成物存放於極低溫下 ,在一些情況下會看見沈積之式(2 )所示之苯酚化合物 •在此種情況下*可用式(3 )苯酚化合物取代式(2 ) 苯酚化合物以增加低溫下之溶解度· 式(3 )所示苯酚化合物包括下列化合物,但並不侷 限於下列化合物: (請先閲讀背面之注意事 -- 寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印装
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠)_別 502135 A7 B7 五、發明説明(18 ) 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製
(請先閱讀背面之注意事 裝-- :寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(€奶)六4規格(210父297公釐)_21 502135 A7 B7 五、發明説明(19 ) 每1 0 0重量份聚醯胺(A)加1至5 0重量份苯酣 化合物(C) ·當苯酚化合物(C)所加的量少於1重量 份*並沒有增加敏感度的效果,當所加的量超過5 0重量 份*剩餘膜厚度之良率的降低變大*或者冷藏存放時會產 生沈積*因此所加的量超過50重量份在實際上並不好· 本發明中*使用式(8) 、(9)及(10)所示有 機矽化合物(D )係用以增加光敏性樹脂及封裝樹脂間之 黏合性•這些化合物可單獨或組合使用,而每1 0 0重量 份聚醯胺(A)加化合物(D) 0 · 1至2 0重量份•當 化合物(D )所加的量低於0 · 1重量份,並沒有增加黏 合性的效果,當所加的量超過2 0重量份,在半導體元件 上所形成聚苯並噁唑膜之機械強度降低及鬆弛應力的效果 變小,因此所加的量超過2 0重量份並不好· 式(8)所示有機砂化合物揭示於USP 3,755,354 及 4,460 · 739,因此爲習知 化合物•本發明之發明人發現將此有機矽化合物加至 JP — B — 1一46,862所示之光敏性聚苯並噁唑前 驅物上,可得到使用習知矽烷偶合劑等所無法得到之黏合 至矽晶片之髙黏合性· 描述於JP-A-1 — 215 * 869之式(9)所示 有機矽化合物係習知作爲可固化組成物之起始物料以形成 用於透明板、彩色過濾器等之保護膜•本發明之發明人發 現到將此有機矽化合物加至-JP — B — 1一46 * 862 所示之光敏性聚苯並噁唑前驅物上,可得到使用習知矽烷 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 22讎 " (請先閲讀背面之注意事 裝-- 寫本頁) ·線 經濟部中央樣準局員工消費合作社印袋 502135 A7 B7 五、發明説明(20 > 偶合劑等所無法得到之黏合至矽晶片之髙黏合性· 式(8)及(9 )所示有機矽化合物可藉由將酸酐或 酸二酐及具有胺基之矽烷偶合劑於2 0 - 1 〇 〇eC及有機 溶劑下反應3 0分鐘至1 0小時而輕易製得•所使用之酸 酐包括*例如,順丁烯二酸酐、丁二酸酐、甲基四氫鄰苯 二酸酐、甲基六氫鄰苯二酸酐、甲基喜米克(himic)酸 酐、六氫鄰苯二酸酐、四氫鄰苯二酸酐、鄰苯二酸酐等, 但並非被特別限制成上述化合物· 酸二酐包括*例如,焦苯六羧酸二酐( pyrromellitic dihydride)、苯一 1 ’ 2 ’ 3’ 4一四 羧酸二酐、3,3 ',4,4' 一二苯甲酮四羧酸二酐、 2,2,,3,3" —二苯甲酮四羧酸二野、2,2, 3一,4,一二苯甲酮四羧酸二酐、某一 2.,3,6,7 一四羧酸二酐、棻一 1,2,5,6 —四羧酸二酐、棻一 1, 2,4,5 —四羧酸二酐、棻一 1,4,5,8 —四 羧酸二酐、棻一1,2,6,7 —四羧酸二酐、4,8 — 二甲基一 1,2,3’5’6’7 —六氫棻一 1’2’5 ,6 — 四羧酸二酐、4,8 —二甲基一 1,2,3,5, 6,7—六氫棻一2,3,6,7—四羧酸二酐、2,6 一二氯某一 1,4,5,8 —四竣酸二酐、2 ’ 7 —一氯 棻_1,4,5,8—四羧酸二酐、2,3*6,7—四 氯棻一 1,4,5,8— 四羧酸二酐、1,4,5,8 — 四氯某一 2,3,6,7 —四羧酸二酐、3,3' ’4’ 4,一二苯基四羧酸二酐、2,2 ',3,3 / —二苯基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)_ 23 _ (請先閲讀背面之注意事 —裝-- ^^寫本頁) 4 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 502135 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(21 ) 四羧酸二酐、2,3,3 * ’ 4,一二苯基四羧酸二酐、 3,3, ,4,4,一對聯三苯四羧酸二酐、2,2,, 3,3#—對聯三苯四羧酸二酐、2,3,3^ ,4^一 對聯三苯四羧酸二酐、2,2 —二(2,3 * —二羧苯基 )丙烷二酐、2,2 —二(3,4 一二羧苯基)丙烷二酐 、二(2,3 —二羧苯基)醚二酐、二(3,4 一二羧苯 基)醚二酐、二(2,3 —二羧苯基)一甲烷二酐、二( 3 , 4 一二羧苯基)甲烷二酐、二(2,3 —二羧苯基) 碣二酐、二(3,4 一二羧苯基)破二酐、1,1 一二( 2,3 —二羧苯基)乙烷二酐、1,1 一二(3,4 一二 羧苯基)乙烷二酐、茈(perylene) - 2,3 » 8,9 一 四羧酸二酐、犯一 3 ’ 4 ’ 9 ’ 10 —四狻酸二酐、3£ — 4,5,10,11 一四羧酸二酐、芘一 5*6,11, 12 —四竣酸二酐、菲一 1 ’ 2 ’ 7 ’ 8 —四駿酸二酐、 菲一 1,2 * 6,7 —四羧酸二酐、菲一 1* 2,9, 10 —四羧酸二酐、妣嗪—2,3,5,6 —四羧酸二酐 、吡咯烷酮一 2,3,4,5 -四羧酸二酐、_吩一 2 , 3,4,5 —四羧酸二酐、4 · 4 " 一六氟亞異丙基二鄰 苯二酸二酐等,但並非侷限於上述化合物· 具有胺基之矽烷偶合劑包括r -胺丙基三甲氧较烷、 r-胺丙基三乙氧基矽烷、r-胺丙基甲基二乙氧基矽烷 、r-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、r 一胺丙基乙基二甲氧 基矽烷、r 一胺丙基乙基二-乙氧基矽烷、r 一胺丙基二甲 基甲氧基矽烷、r 一胺丙基二甲基乙氧基矽烷、r——胺丙 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 -24 - (請先閲讀背面之注意事項
訂 ^ 502135 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裝 A7 _ B7_____五、發明説明(22 ) 基二乙基甲.氧基矽烷、r 一胺丙基二乙基乙氧基矽烷、N. 一(/S —胺乙基)一 r 一胺丙基三甲氧基矽烷、N —(彡 一胺乙基)一 r 一胺丙基三乙氧基矽烷、N —(iS —胺乙 基)一 r 一胺丙基甲基二甲氧基矽烷、4 一胺丁基二甲基 甲氧基矽烷等· 式(1 0)所示有機矽化合物可藉由將具有環氧基之 矽烷偶合劑與四羧酸二酐於2 0至1 0 0°C之溫度下反應 3 0分鐘至1 0小時而輕易製得•可用之酸二酐與式(9 )所示有機矽化合物中所提者相同•矽烷偶合劑包括r一 縮水甘油氧基丙三甲氧基矽烷、r-縮水甘油氧基丙三乙 氧基矽烷、r 一縮水甘油氧基丙基甲二甲氧基矽烷、r 一 縮水甘油氧基丙基甲二乙氧基矽烷、r -縮水甘油氧基丙 基乙二甲氧基矽烷、r -縮水甘油氧基丙基乙二乙氧基矽 烷、r 一縮水甘油氧基丙基二甲基甲氧基矽烷、r 一縮水 甘油氧基丙基二甲基乙氧基矽烷、r -縮水甘油氧基丙基 二乙基甲氧基矽烷、r 一縮水甘油氧基丙基二乙基乙氧基 矽烷等❼ 若需要,可將均化劑、矽烷偶合劑等之添加劑加至本 發明之正型光敏性樹脂組成物· 在本發明中,上述成份係溶解於溶劑中以形成清漆· 然後再使用該清漆•下列溶劑可單獨或混合使用:N—甲 基一 2 —吡咯烷酮、r 一丁內酯、N,N—二·甲基乙醯胺 、二甲基亞硒、二乙二醇二-甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙 二醇二丁醚、丙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、丙二醇單 ^張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 25 - (請先閲讀背面之注意事 裝-- 本頁) ,ιτ •藝線 502135 A7 B7 五、發明説明(23 ) 甲醚乙酸酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、甲基一 1. ,3 —丁二醇乙酸酯、1,3 — 丁二醇3 —單甲醚、丙酮 酸甲酯、丙酮酸乙酯、3 —甲氧基丙酸甲酯等· 使用本發明正型光敏性樹脂組成物,首先將組成物塗 覆於適當基材上*例如矽晶片、陶瓷板、鋁板等*塗覆方 法包括使用旋轉器之旋塗法、使用噴塗器之噴塗法、浸漬 法、印刷法、輥塗法等•隨後,將所得基材在6 0至 1 2 0eC之溫度下預烘燒以乾燥塗覆膜,然後以光化輻射 照射成所需匯案·光化輻射包括X射線、電子束、紫外線 、可見光等*較佳係使用具2 0 0至5 Ο Ο n m波長之光 化輻射•之後*使用顯像劑將光照部分溶解及除去以製得 凸版圖案•在顯像劑上*可適當使用鹸性水溶液,例如, 如氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨 水等之無機鹼;如乙胺、正丙胺等之一級胺;如二乙胺、 二正丙胺等之二級胺;如三乙胺、甲基二乙胺等之三級胺 :如二甲基乙醇胺、三乙醇胺等之醇胺;如氫氧化四甲基 銨、氫氧化四乙基銨等之四級銨鹽*或者使用經由將適當 量之水溶性有機溶劑(如甲醇、乙醇等之醇或界面活性劑 )加至上述鹸性水溶液中所形成之水溶液·可使用噴射、 漿、浸漬、超音波等之方式顯像•之後•清洗顯像所形成 之凸版圖案*可使用蒸餾水作清洗液•然後*將經清洗圖 案加熱以形成噁哇環,以製得髙耐熱性之最後圖案· 本發明正型光敏性樹脂-組成物不但可用於半導體之應 用上,亦可用於多層電路之中間絕緣層•及可用於鍍銅撓 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~~ ' (請先閲讀背面之注意事
、^1 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 502135 ____B7_ . _ 五、發明説明(24 ) p 性層、焊光阻劑膜、液晶配向層等· 較佳具體實例說明 下列實例係用於更具體說明本發明· 實例1 合成聚醯胺 將3 6 · 6重量份(0 · 100莫耳)2,2 -二( 3 -胺基一 4 一羥苯基)六氟丙烷溶解於1 5 0重量份 N,N —二甲基乙醯胺及33 · 2重量份(0· 420莫 耳)吡啶中•之後,於一 10至一 15。(:下,將溶解於 100重量份環己酮之4·3重量份(0·021莫耳) 間苯二酸氯化物及1 7 · 0重置份(0 · 084莫耳)對 苯二酸氯化物逐滴加入歷時3 0分鐘,然後*將所得混合 物於室溫下攪拌4小時以使反應完全•過濾反應混合物, 然後將所得溶液加至水中以沈澱出標的物聚醯胺(A 1 ) ,其中X是下式(X — 1 )所示之四價基團, (請先閲讀背面之注意事項 裝-- ιρί;寫本頁) 訂 4 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装
Y是下式(Y — 1 )及(Y — 2)所示之二價基團
(Y-1) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
502135 A7 B7 _ 五、發明説明(25 ) (Y-2) a = 1 0 0及b = 〇 ·過濾收集沈澱物,以水清洗之,然 後在8 0 t;真空下乾燥2 4小時· 製備正型来敏件樹脂組成物 於2 0 0重量份N —甲基一 2 —吡咯烷酮中*溶解上 述製備之10 0重置份聚醯胺、2 5重量份式(Q 1 )所 示重氮醌: (請先閲讀背面之注意事寫本頁)
ο Q
Q ϋ
CH = —C—CH3 (Qi)
Q Iο 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 或 子 原 氫 示 Q 中 式
£ 物 合 化 酚 苯 示
f N 基 Q % ο 7 及 係 P /IX 式 下 份 量 S 5 IX 及 以 所 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 502135 A7 __B7 五、發明説明(26 )
然後,經由0 · 2 μπι特氟隆(Teflon)過濾器過濾以製 得正型光敏性樹脂組成物· 評估件蜇 使用旋塗器將此正型光敏性樹脂塗覆於矽晶片*隨後 在烘箱中於7 0°C下烘乾1小時,以製得厚3 之塗覆 膜•此塗覆膜藉由使用g —線梯度尺暴露機器N S R -1 5 0 5 G 3 A ( NIKON公司之商品名),經分度鏡而暴 露於光中,此時改變塗覆膜之暴露部分並以1 〇 m J / cm·速率將暴露劑量由5 OmJ / ciri增加至54 Om J / c πί ® 隨後*將經暴露塗覆膜浸漬於0·79%氫氧化四甲 基銨水溶液3 0秒,以溶解及除去經暴露部分,然後以清 水清洗3 0秒•結果•證實在照射部分所形成圖案係於暴 露劑量2 0 0m J / cnf或更高下形成(即敏感度2 0 〇 m J / c nf ) *此時之剩餘膜厚度之良率〔(顯像後膜厚 度/顯像前膜厚度)X100〕爲91·3%,此係非常 高的數值。 另外*將相同正型光敏性樹脂塗覆於矽晶片上,將之 預烘乾,隨後在烘箱中於1-50^、250乞及350充 下加熱3 0分鐘*以固化該樹脂· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-29 - {請先閲讀背面之注意事 裝-- :寫本頁) ;線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 502135 A7 B7 五、發明説明(27 ) ” 再者,半導體封裝用之環氧樹脂組成物(EME-6300H ,Sumitomo Bakelite Co·, Ltd·之商品名)以尺寸 2 X 2x2mm (寬X長X髙)模塑於經固化膜上•使用張力計 ,測量將模塑在聚苯並噁唑樹脂之經固化膜上之封裝環氧 樹脂組成物撕開之切變強度,所測得爲3 . 2kg/mrrf。 實例2 重覆與實例1相同的程序,但式(R - 1 )苯酚化合 物用下式(P — 2)苯酚化合物取代·
其結果示於表1· 實例3 重覆與實例1相同的程序,但式(1 )苯酚化合物用 下式(3 )苯酚化合物混合物取代》 (請先閲讀背面之注意事 本頁) ·5·«τ $ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐>
502135 A7 B7 五、發明説明(28 )
經濟部中央標準局員工消费合作杜印裝 {〇^ch*-^(〇^〇h 45% (P-3) H0^sQ)~C}U *^(〇)-〇H 1% 其結果不於表1 * 實例4 重覆與實例1相同的程序*但所加(P— 1 )苯酚化 合物的量改成5重量份,其結果示於奉1· 實例5 重覆與實例1相同的程序*但在聚醯胺上,二苯基醚 一 4,4 > 一二羧酸氯化物取代對鄰苯二酸氯化物及間苯 二酸氯化物以製備式(1)所示聚醯胺(A2),其中X 示上述式(X— 1)所示四價基團,Y示式(Y — 3)所 示二價基團: (Y-3) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格( 210X297公釐)-31 · ~' (請先閲讀背面之注意事_ 裝-- 寫本頁) 訂 ,•線 502135 A7 B7 五、發明説明(29 ) a=100及b=〇,結果示於表1· 實例6 重覆與實例1相同的程序,但在合成聚醯胺上,二苯 基醚一 4,4 > 一二羧酸氯化物取代對鄰苯二酸氯化物和 間鄰苯二酸氯化物以及3 , 3,一二胺一 4 , 4 * 一二經 基一苯基破取代2 ’ 2 —二(3 —胺基一 4 一羥苯基)六 氟丙烷以製備式(1)所示聚酸胺(A3),其中X示式 (X — 2 )四價基團, (請先閲讀背面之注意事 本頁)
〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Y示式(Y - 3)二價基團,a = l〇〇及b = 〇,其結 果示於表1 · 實例7 重覆與實例1相同的程序,但在合成聚醢胺上,二苯 基醚一 4,4 > 一二羧酸氯化物取代對鄰苯二酸氯化物和 間鄰苯二酸氯化物以及3,3 > —二胺一 4 , 4,一二羥 基二苯基醚取代2,2 -二(3 -胺基一 4 一羥苯基)六 氟丙烷以製備式(1)所示聚醯胺(A4),其中X示式 (X — 3 )四價基團
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 502135 五、發明説明(30 ) Y示上述(γ 一 3)二價基團’ a==l〇〇及= 〇 及除了重氮膜(Q 1 )以下式(Q 2 )重氮醒取代: 以 CH,
(Q2) (請先閲讀背面之注意事 其中Q示氫原子或
0
N: 其結果示於表 及7 0 %基團爲 裝— 寫本頁) 訂· 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 實例8 重覆與實例1相同的程序,但在合成聚醯胺上* 2, 2 —二(3 —胺基一 4 一羥苯基)六氟丙烷的量降爲 34 · 8重置份(〇 · 〇95莫耳)並再加入1 · 24重 量份(0 · 005莫耳)之1* 3 -二(3 —胺丙基)一 1 , 1 , 3,3—四甲基乙矽醚,以合成式(1)所示聚 醯胺(A5),其中X示上述式(X 一 1)四價基團,γ 示上述式(Y — 1 )及(Y 一 2)二價基團之混合物· Ζ 示式(Ζ — 1)二價基團: CH, •CHr)3-Si - 0 CH, CH3 I Si -(-ch2-): civ (Ζ·1) ·線· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-33 502135 A7 B7 其結果示於表 五、發明説明(3!) a = 9 5 及 b = 5 比較例1 重覆與實例1相同的程序*但不加苯酚化合物》其結 果示於表1 · 比較例2 重覆興實例5相同的程序,但不加入苯酚化合物*其 結果示於表1 · 比較例3 重覆與實例6相同的程序,但不加入苯酚化合物,其 結果示於表1 · 比較例4 重覆與實例1相同的程序,但苯酚化合物所加的置降 至0·5重量份,其結果示於表1· 比較例5 重覆與實例1相同的程序,但苯酚化合物所加的置增 爲6 0重量份,其結果示於表1 · 比較例6 - 重覆與實例1相同的程序,但苯酚化合物改用下式( 34 - 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意
頁 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 502135 A7 B7 五、發明説明(32 ) P — 4 )苯酚化合物: ch3
OH (P-4) 其結果示於表1 * 比較例7 重覆與實例1相同的程序,但苯酚化合物改下式( P — 5 )苯酚化合物:
h〇-<o)-ch* -(o)-^ -(〇y〇H (P-5) (請先閱讀背面之注意事 _^裝-- 寫本頁) 訂 «線 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 其結果示於表1· 比較例8 重覆與實例1相同的程序*但苯酚化合物改用下式( P—6)苯酚化合物: h〇H^^〇-h(〇^-〇h 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)—耶 (p-6) 502135 A7 B7 五、發明説明(33 ) 其結果示於表1· 實例1一8和比較例1一8之結果示於下表1。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事寫本頁) 裝· 訂 4 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 36 502135 Β7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明(34 ) 表 1 敏感度 (m J / c nf ) 剩餘膜厚 度之良率 (% ) 切變強度 (kg / m m* ) 實例 1 2 0 0 9 1 . 3 3 . 2 2 16 0 8 6.5 3 . 2 3 17 0 9 0.7 3 . 3 4 2 8 0 9 2.0 2 . 9 5 2 4 0 9 4.2 3 . 5 6 2 7 0 9 7.9 3 . 6 7 18 0 8 6.0 3.1 8 2 5 0 9 4.3 3 . 2 比較例 1 3 0 0 9 1.6 2.4 2 3 7 0 9 0.9 2 . 6 3 3 9 0 9 4.6 2 . 7 4 2 9 0 9 1.4 2 · 5 5 15 0 6 0.6 1 . 9 6 3 2 0 9 2.5 3 . 0 7 3 9 0 9 7.8 2 . 9 8 2 0 0 7 0.7 3 . 0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事寫本頁) —裝· 訂 響線 -〇7 502135 A7 B7_ 五、發明説明(35 ) 實例9 製備正壞来敏伸榭脂細成物 在2 0 0重量份N —甲基一 2 —吡咯烷酮中溶解 100重量份之實例1所合成之聚醯胺(A1) 、25重 童份之上述式(Q 1 )重氮醗及5重量份下式(S — 1 ) 有機矽化合物 (C2H50)3SiC3HeNHC0-CH=CHC00H ( S _ 1 ) 該溶液經由0 · 2从m特氟隆過濾器過濾以製得一光敏性 樹脂組成物· 評估性蜇 此清漆型式之光敏性樹脂組成物以旋塗器塗覆於矽晶 片上,隨後,在烘箱於7 0°C下乾燥1小時以製得一厚約 6 Mm之塗覆膜•將自髙壓水銀蒸氣燈發出之紫外光經由 TOPPAN PRINTING CO. , LTD.所製光罩(第1號測試圖, 其上畫有線及寬度5 0 — 0 · 8 8 空間)照射至此塗 覆膜上,然後浸入0 · 7 9%氫氧化四甲基銨水溶液6 0 秒,以溶解及除去經暴露部分,再以清水清洗3 0秒以除 去顯像劑·結果,一圖像(對應於所除去寬5 之圖案 )形成於矽晶片上*顯像後膜厚度爲5 · lam »及剩餘 膜厚度之良率〔(顯像後膜·厚度/顯像前膜厚度)X 100〕爲 85%· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐)~" (請先閲讀背面之注意事
*-ιτ 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 502135 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 A7 ___B7_五、發明説明(36 ) 另外,將相同光敏性樹脂組成物清漆以相同方式塗覆 於矽晶片上、預烘乾*然後在烘箱中於15 0°C、250 °C及3 5 0 °C分別加熱3 0分鐘以固化樹脂•將塗覆切割 成1 〇 〇個寬1 —醐之正方形,貼上Cellophane膠帶*然 後撕下膠帶以使正方形塗覆膜自矽晶片上除去,所除去正 方形塗覆膜的數目(下文稱爲固化後所撕去正方形的數目 )爲0,由此證實經固化膜至晶片之黏合性極佳· 再者,使矽晶片125 °C及2 · 3a tm下進行高壓 蒸煮器處理(PCT) 100小時,然後以與上述相同方 式*貼上Cellophane膠帶再撕去以評估黏合性•所除去正 方形塗覆膜的數目(下文稱爲高溫高濕度處理後所撕去正 方形的數目)爲0,由此證實髙溫高濕度處理後之黏合性 極佳* 實例1 0 重覆與實例9·相同的程序,但有機矽化合物改用下式 (S — 2 )所示化合物: (CH30)3SiC3HeNHC0-CH=CHC00H ( S - 2 ) 其結果示於表2 · 實例1 1 - 重覆與實例9相同的程序*但有機矽化合物改用下式 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格(210X297公釐)_ gg _ (請先閲讀背面之注意事寫本頁) 裝.
*1T ·線 502135 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 _五、發明説明(37 ) (S — 3 )所示化合物: CHa I (CH30)2SiC3HeNHC2!UNHC0-CH=CHC00H ( S - 3 ) 其結果示於表2 · 實例1 2 重覆與實例9相同的程序*但有機矽化合物(S - 1 )所加的量改成1重量份•其結果示於表2· 實例1 3 重覆與實例9相同的程序*但聚醯胺改用實例5所合 成之聚醯胺(A2) ·其結果示於表2· 實例1 4 重覆與實例9相同的程序,但聚醯胺改用實例6所合 成之聚醯胺(A3) ·其結果示於表2· 實例1 5 重覆與實例9相同的程序》但聚醯胺改用實例7所合 成之聚醯胺及重氮醗改用上-述式(Q2)所示之重氮醗· 其結果示於表2 · ' 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~~ 一 (請先閱讀背面之注意事 丨_裝-- 寫本頁)
、1T 1線 502135 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 ------ B7_;_五、發明説明(38 ) 實例1 6 重覆與實例9相同的程序,但聚醯胺改用實例8所合 成之聚醯胺(A5) ·其結果示於表2。 比較例9 重覆與實例9相同的程序,但不加有機矽化合物,其 結果示於表2 · 比較例1 0 重覆與實例1 3相同的程序,但不加有機矽化合物* 其結果示於表2 · 比較例1 1 重覆與實例1 4相同的程序,但不加有機矽化合物, 其結果示於表2 · 比較例1 2 重覆與實例9相同的程序*但有機矽化合物所加的量 降至0·05重量份,其結果示於表2· 比較例1 3 重覆與實例9相同的程-序,但有機矽化合物的量增爲 50重量份,其結果示於表2· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)_ " (請先閲讀背面之注意事 —裝^-- 寫本頁) -*1Τ ·線 502135 A7 B7 五、發明説明(39 ) 比較例1 4 重覆與實例9相同的程序,但有機矽化合物改用下式 (S—4)有機矽化合物: CH2 - CHCH2OC3H6SI(〇CH3): \〇 其結果7K於表2。 (S-4) 比較例1 5 重覆與實例9相同的程序,但有機矽化合物改用下式 (3-5)有機矽化合物: ch3 CH2=C-C-〇-C3H6Si (OCH3): Ο (S-5) (請先閲讀背面之注意事
,1T 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 其結果τκ於表2 β 比較例1 θ 重覆與實例9相同的程序,但有機矽化合物改用下式 (S-6)有機矽化合物: (C2H50)3SiC3He — ΝΗ S — 6 其結果示於表2 · - 實例9一16及比較例9一16之結果示於表2 «.線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
-4Z 502135 B7 五、發明説明(4〇 ) 表 2 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 解析度 (从m ) 剩餘膜厚 度之條件 (%) 黏合性 (撕去正方形的數目) 固化後 髙溫髙濕度處理後 實例 9 5 8 5.0 0 0 10 6 8 6.7 0 0 11 6 8 4 .0 0 0 12 5 8 7.3 0 0 13 8 9 3.9 0 0 14 8 8 8.7 0 0 15 6 9 1.0 0 0 16 8 8 9.5 0 0 比較例 9 5 8 8.0 10 0 10 0 10 6 8 9.4 10 0 1 0 0 11 6 9 0.0 10 0 10 0 12 6 8 8.2 4 5 10 0 13 2 0 3 2.1 0 0 14 15 9 6.0 2 10 0 15 6 8 7.3 10 0 10 0 16 因爲清漆被去色,無法評估· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) {請先閲讀背面之注意寫本頁) -43 - 502135 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明(41 ) 實例1 7 製備正型光敏伸樹脂組成物 在2 0 0重量份N —甲基一 2 —吡咯烷酮中溶解 100重置份之實例1所合成之聚醯胺(A1) 、25重 量份之上述式(Q 1 )重氮醌及6重量份下式(S — 7 ) 有機矽化合物 (S-7) 該溶液經由0 · 2#m特氟隆過濾器過濾以製得一光敏性 樹脂組成物❶ 評估件暂 此清漆型式之光敏性樹脂組成物以旋塗器塗覆於矽晶 片上,隨後,在烘箱於7 0°C下乾燥1小時以製得一厚約 6 //m之塗覆膜•將自高壓水銀蒸氣燈發出之紫外光經由 TOPPAN PRINTING CO. , LTD.所製光罩(第1號測試圖, 其上畫有線及寬度50—0·88#m空間)照射至此塗 覆膜上,然後浸入0·79%氫氧化四甲基敍水溶液60 秒,以溶解及除去經暴露部分*再以清水清洗3 0秒以除 去顯像劑。結果,一圖像(對應於所除去寬5 之圖案 )形成於矽晶片上*顯像後膜厚度爲4 · 9 9#m,及剩 餘膜厚度之良率〔(顯像後〜膜厚度/顯像前膜厚度)X 1 0 0〕爲 8 5 % ·
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)^ -44 (請先閲讀背面之注意事_ 丨_裝-- ^?1^寫本頁)
、tT 4 502135 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 __._B7_ 五、發明説明(42 ) ” 另外,將相同光敏性樹脂組成物清漆以相同方式塗覆 於矽晶片上、預烘乾,然後在烘箱中於15 0°C、250 °C及3 5 0 °C分別加熱3 0分鐘以固化樹脂•將塗覆切割 成1 〇 〇個寬1 一 mm之正方形,貼上Cellophane膠帶,然 後撕下膠帶以使正方形塗覆膜自矽晶片上除去,所除去正 方形塗覆膜的數目(下文稱爲固化後所撕去正方形的數目 )爲0,由此證實經固化膜至晶片之黏合性極佳· 再者•使矽晶片12 5°C及2 · 3 a tm下進行髙壓 蒸煮器處理(PCT) 100小時,然後以與上述相同方 式*貼上Cellophane膠帶再撕去以評估黏合性•所除去正 方形塗覆膜的數目(下文稱爲髙溫高濕度處理後所撕去正 方形的數目)爲0,由此證實髙溫高壓處理後之黏合性極 佳。另外,當上述光敏性樹脂組成物清漆存放- 2 0°C之 冰箱3 0天,並未發現沈稹物,由此證實該光敏性樹脂組 成物清漆有良好存放性β 實例1 8 重覆與實例1 7相同的程序*但有機矽化合物改用下 式(S — 8 )有機矽化合物: H00C、 /C00H (C2HsO)3Si-C3H6-N-C^〇yc-/Qyc-N-C3H6-Si(C2H5〇)3 (S-8 ) HO 0 0 Η 其結果示於表3 : - (請先閲讀背面之注意事 裝-- 寫本頁) 訂 «線‘ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 502135 A7 _____B7 五、發明説明(43 ) 實例1 g 重覆與實例17相同的程序 式(S — 9)有機矽化合物: 但有機矽化合物 H00C> (CiH^ObSi-CsHs-N-C^O'
,C00H
、〇HTC3H6-SKC2H50)3 (S-9) OH 其結果示於表3 : 實例2 0 重覆與實例1 7相同的程序*但有機矽化合物改用下 式(S — 10)有機矽化合物:
HOOC、/s^/ON-C3H6 -Si(CH3〇)3ofsi (CHjOhSi-CaHfi-N-C^^^^COOH I u HO (S-10) (請先閱讀背面之注意事 裝-- 寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 其結果示於表3 : 實例2 1 重覆與實例1 7相同的程序,但有機矽化合物( s—7)所加的量改爲2重置份,其結果示於表3· 實例2 2 重覆與實例1 7相同的程序*但聚醯胺改用實例5所 合成之聚醯胺(A2),其結果示於表3 · «線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格( 210X297公釐)_ 46着 502135 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(44 ) 實例2 3 重覆與實例1 7相同的程序*但聚醯胺改用實例6所 合成之聚醯胺(A3) *其結果示於表3· 實例2 4 重覆與實例1 7相同的程序,但聚醯胺改用實例7所 合成之聚醯胺(A4),及重氮醗改用上述式(Q2)所 示重氮醌·其結果示於表3· 實例2 5 重覆與實例1 7相同的程序*但聚醯胺改用實例8所 合成之聚醯胺•其結果示於表3· 比較例1 7 重覆與實例1 7相同的程序,但不加有機矽化合物· 其結果示於表3 · 比較例1 8 重覆與實例22相同的程序,但不加有機矽化合物· 其結果示於表3 · 比較例1 9 重覆與實例2 3相同的-程序,但不加有機矽化合物· 其結果示於表3。 (請先閲讀背面之注意事寫本頁) 丨_裝· ,*ιτ 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4規格(2i〇x297公楚:) 一 47 - 502135 A7 B7 五、發明説明(45 ) 比較例2 0 重覆與實例1 7相同的程序•但有機矽化合物所加的 置降爲0 · 0 5重置份•其結果示於表3 · 比較例2 1 重覆與實例1 7相同的程序,但有機矽化合物的量增 爲5 0重量份•其結果示於表3 · 比較例2 2 重覆與實例1 7相同的程序,但有機矽化合物改用下 式(S — 11)有機矽化合物: CH2 - CHCH2OC3H6Si(OCH3)*\ / 0 其結果示於表3 · (請先閲讀背面之注意事 裝-- ^^寫本頁) 線 經濟部中央樣準局員工消費合作杜印製 比較例2 3 重覆與實例1 7相同的程序*但有機矽化合物改用下 式(S - 12)有機矽化合物: ch3 CH2sC-C-0-C3H6Si (OCH3):I 0 . (S-12) 其結果示於表3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 48 - 502135 A7 B7 五、發明説明(46 ) ” 比較例2 4 重覆與實例1 7相同的程序,但有機矽化合物改用下 式(S — 13)有機矽化合物: (C2H50)3S i C3He—NH2 (S - 1 3) 其結果示於表3 · 實例17 — 2 5之結果及比較例1 7 — 2 5之結果示 於表3 〇 (請先閱讀背面之注意事 寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印装 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_仙 502135 A7B7 五、發明説明(47 ) 表3 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 解析度 剩餘膜厚 度之良率 黏合性 (撕去正方形的數目) 多少天後 才有沈積物 (从m) (%) 固化後 髙溫髙濕度處理後 (天) 17 5 8 3.1 0 0 >30 18 5 82.9 0 0 3 19 7 8 1.3 0 0 20 實例 20 6 84.5 0 0 15 21 5 87.7 0 0 >30 22 7 9 0.2 0 0 >30 23 9 80.0 0 0 >30 24 7 88.1 0 0 >30 25 7 87.9 0 0 >30 17 5 88.0 100 100 >30 18 6 89.4 100 100 >30 19 6 90.6 100 100 >30 比較例 20 5 87.5 45 100 >30 21 2 0 49.1 0 0 2 0 22 15 9 6.0 2 100 >30 23 6 87.3 100 100 >30 24 因爲清漆被去色*無法評估· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)^ • 50 (請先閲讀背面之注意事 寫本 頁) 502135 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 _^___B7_五、發明説明(48 ) 實例2 6 重覆與實例1相同的程序,進行合成聚醯胺、製備正 型光敏性樹脂組成物及評估性質(敏感性、剩餘膜厚度之 良率及切變強度)β 之後*將上述製得正型光敏性樹脂組成物塗覆於表面 具有鋁電路之晶片元件上,則最後膜厚度變爲5 ,然 後進行圖案處理及最後加以烘烤•隨後,將所得產物分割 成薄片並使用導電膠將薄片安裝在用於16—針DIP( 雙列直插式封裝)之導線架上*然後用半導體封裝用環氧 樹脂(EME-6300H, Sumitomo Bakelite Co·, Ltd·之商品 名)加以封裝•此封裝品(package )在85 °C / 85% 濕度下處理1 6 8小時,浸漬2 6 0 °C之焊浴1 0秒,在 髙溫及高濕度(125/C,2 · 3atm,100%RH )下進行高壓蒸煮器處理•之後•檢査有無鋁電路打開之 失敗品•其結果示於表4· 實例2 7至3 3 重覆與實例2 6相同的程序*但改用表4所示之正型 光敏性樹脂組成物·其結果示於表4 · 比較例2 5 重覆與實例2 6相同的程序,但評估半導體裝置之可 信度*在元件表面並非塗覆·聚苯並噁唑樹脂•其結果示於 表4 β 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -〇1 - (請先閲讀背面之注意事'
,-ιτ ·!· 502135 A7 B7 五、發明説明(49 ) ^ 比較例2 6 在實例2 6評估樹脂性質時,圖案加工處理係在膜厚 度30#m進行•所以,既使在暴露劑量1,〇〇〇mJ / c nf *在顯像及圖案化後*在經暴露部分不可能有樹脂 留存· 比較例2 7 重覆與實例2 6相同的程序*但正型光敏性樹脂組成 物改用比較例1所製得之正型光敏性樹脂組成物,其結果 示於表4 β 比較例2 8 重覆與實例3 0相同之程序,但不加苯酚化合物·其 結果示於表4 · 比較例2 9 重覆與實例3 1相同之程序,但不加苯酚化合物•其 結果示於表4 · 比較例3 0 重覆與實例2 6相同之程序,但苯酚化合物所加的量 降爲0 · 5重量份•其結果*示於表4 * , 本紙張又度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)7~ " • - (請先閲讀背面之注意事 —裝-- 寫本頁) 訂 經濟部中央樣率局員工消費合作社印裝 502135 Α7 Β7 五、發明説明(50 ) 比較例3 1 重覆與實例2 6相同之程序,但苯酚化合物所加的量 增爲60重量份*其結果示於表4· 比較例3 2 · 重覆與實例2 6相同之程序,但苯酚化合物改用上述 式(P — 4)苯酚化合物·其結果示於表4 · 比較例3 3 重覆與實例2 6相同之程序,但苯酚化合物改用上述 式(P - 5)苯酚化合物·其結果示於表4 · 比較例3 4 重覆與實例2 6相同之程序’但苯酚化合物改用上述 式(Ρ — 6)苯酚化合物·其結果示於表4· 實例2 6 — 3 3及比較例2 5 — 3 4之結果示於表4 (請先閲讀背面之注意事' 寫本頁) 訂
••I 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -53 - 502135
A 五、發明説明(5!) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表4 糍性樹 脂繊物 敏酿 剩餘_ 度技率 切變酿 轉體類之可信度 (失敗品數目/20個纖品) (m J / cnf) (%) (kg/cnf) PCT 500 hr PCT 1000 hr 26 資例 1 200 92.0 3.4 0/20 0/20 27 實例 2 200 88.4 3 . 3 0/20 0/20 28 資例 3 180 92.4 3 . 2 0/20 0/20 實例 29 實例 4 280 91.6 3 · 5 0/20 0/20 30 *例 5 220 93.8 3 . 6 0/20 0/2 0 31 實例 6 260 95.7 3 . 5 0/20 0/20 32 實例 7 200 89 . 1 3 . 3 0/20 0/20 33 實例 8 260 94.7 • 3 · 5 2/20 0/20 25 一 一 1 . 5 2/20 8/20 26 - — 一 一 一 27 380 92.2 2 . 2 1/20 2/20 比麵 28 410 90 . 9 2 · 7 0/20 0/20 29 440 9 5.3 3 . 0 0/20 0/20 30 340 92.6 2 . 6 0/20 1/20 31 150 56 · 3 1 . 6 5/20 12/2 0 32 360 92.8 3 . 1 0/20 0/2 0 33 420 96 . 8 3 . 0 0/20 0/20 34 220 72.8 3 . 2 0/20 1/20 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事寫本頁) Μ 裝- 訂 «線 -54 - 502135 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 A7 £7_五、發明説明(52 ) 實例3 4 製備正型光敏件樹脂組成物 在2 0 0重量份N —甲基毗咯烷酮中,溶解1 0 0重 量份實例1所合成聚醯胺(A1 )、2 5重量份上述式( Q1)重氮醌、15重置份上述式(P — 1)苯酚化合物 、2 ·0重量份上述式(S — 1 )有機矽化合物(由r 一 胺丙基三乙氧矽烷與順丁烯二酸酐反應而製得)以及 1 . 0重量份上述式(S- 8)有機矽化合物(由r 一胺 丙基三乙氧矽烷與3,3 >,4,4 > 一二苯甲酮四羧酸 二酐反應而製得)*之後,經由0·2#m特氟隆過濾器 過濾,以製得光敏性樹脂組成物· 評估件詈 使用旋塗器將此正型光敏性樹脂塗覆於矽晶片,隨後 在烘箱中於7 0°C下烘乾1小時,以製得厚5 之塗覆 膜•此塗覆膜藉由使用g —線梯度尺暴露機器N S R — 1 505G3A( NIKON公司之商品名),經分度鏡而暴 露於光中,此時改變塗覆膜之暴露部分並以1 〇m J / cm·速率將暴露劑量由5 〇m J / cnf增加至5 4 0m J /cm*· 隨後,將經暴露塗覆膜浸漬於〇 · 79%氫氧化四甲 基銨水溶液3 0秒*以溶解及除去經暴露部分,然後以清 水清洗30秒。結果*證實在照射部分所形成圖案係於暴 露劑量2 0 0m J / cnf或更髙下形成(即敏感度2 0 0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格( 210X297公釐)_ gg ^ " (請先閲讀背面之注意事 ~·裝-- 寫本頁) *tr
•I 502135 A7 ____B7_^ 五、發明説明(53 ) , mJ/cnf) *此時之剩餘膜厚度之良率〔(顯像後膜厚 度/顯像前膜厚度)X100〕爲91 .3%,此係非常 髙的數值· 另外,將相同正型光敏性樹脂塗覆於矽晶片上,將之 預烘乾,隨後在烘箱中於150 °C、2 50充及350 1 下加熱3 0分鐘,以固化該樹脂。 再者,半導體封裝用之環氧樹脂組成物(EME-6300H ,Sumitomo Bakelite Co·, Ltd.之商品名)以尺寸 2 X 2x 2πιι (寬X長X髙)模塑於經固化膜上•使用張力計
I ,測量將模塑在聚苯並噁唑樹脂之經固化膜上之封裝環氧 樹脂組成物撕開之切變強度•所測得爲4 . 5kg/miri· 之後*將上述製得正型光敏性樹脂組成物塗覆於表面 具有鋁電路之晶片元件上,則最後膜厚度變爲5 然 後進行圖案處理及最後加以烘烤•隨後*將所得產物分割 成薄片並使用導電膠將薄片安裝在用於16—針DIP( 雙列直插式封裝)之導線架上*然後用半導體封裝用環氧 樹脂(EME-6300H, Sumitomo Bakelite Co·, Ltd.之商品 名)加以封裝•此封裝品(package )在85 °C/ 85% 濕度下處理1 6 8小時,浸漬260 °C之焊浴1 〇秒*在 髙溫及高濕度(125Ϊ,2 · 3a tm,l〇〇%RH )下進行高壓蒸煮器處理•之後,檢査有無鋁電路打開之 失敗品•其結果示於表5 · 實例3 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格( 210X297公釐)_別_ (請先閲讀背面之注意事 頁) 經 濟 部 中 央 標 準 局 員 工 消 費 合 作 社 印 502135 A7 B7 五、發明説明(54 ) 重覆與實例3 4相同的程序,但苯酚化合物改用上述式 (P — 2 )苯酚化合物·其結果示於表5 · 實例3 Θ 重覆與實例3 4相同的程序,但苯酚化合物改用上述式 (P—3)苯酚化合物·其結果示於表5· 實例3 7 重覆與實例3 4相同的程序,但所加苯酚化合物的量改 爲5重量份·其結果示於表5· 實例3 8 重覆與實例3 4相同的程序*但改用實例5合成之聚 醯胺(A2)取代聚醯胺(A1) ·其結果示於表5* 實例3 9 重覆與實例3 4相同的程序,但改用實例6合成之聚 醯胺(VA 3)取代聚醯胺(A1),及有機矽化合物改用 上述式(S — 7 )有機矽化合物(由r 一胺丙基三乙氧矽 烷與3,3 ",4,4 / 一氧二鄰苯二酸二酐反應而製得 )。其結果示於表5 · 實例4 0 - 重覆與實例3 4相同的程序,但改用實例7合成之聚 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項
•1T 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 502135 A7 __B7 五、發明説明(55 ) 醯胺(A 4 )取代聚醯胺(A 1 )、重氮醌改用上述式( Q 2 )重氮醗*以及有機矽化合物係由1 . 〇重量份上述 式(S — 1 )有機矽化合物(由r 一胺丙基三乙氧矽烷與 順丁烯二酸酐反應而製得)、0 · 5重置份上述式(S — 7)有機矽化合物(由r 一胺丙基三乙氧矽烷與3,3 一 ,4,4 > 一氧二鄰苯二酸二酐反應而製得)及〇 · 5重 量份下式(S — 1 4 )有機矽化合物(由r 一環氧丙基丙 基三乙氧砍烷與3,3 ",4,4 > 一二苯甲酮四羧酸二 酐反應而製得)所取代· (請先閲讀背面之注意事_
ο
C -0-CH2· CH- (CH2) 3-S1- (OCHa) ( OH COOH 訂 •綱線 (S-14) 其結果示於表5 · 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 實例4 1 重覆與實例4 1相同之程序*但改用實例8合成之聚 醯胺(A5)取代聚醯胺(A1) ·其結果示於表5。 實例4 2 重覆與實例3 4相同之r程序,但不加苯酚化合物•其 結果示於表5 · ' 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) „ _ 502135 A7 B7 五、發明説明(56 ) .賁例4 3 重覆與實例3 8相同之程序*但不加苯酚化合物•其 結果示於表5 · , 實例4 4 重覆與實例3 9相同之程序,但不加苯酚化合物•其 結果示於表5 · 比較例3 5 重覆與實例3 4評估性質之相同程序,但在元件表面 並未塗覆聚苯並噁唑樹脂·其結果示於表5· 比較例3 6 在實例3 4評估樹脂性質中,將厚3 0 塗覆膜圖 案化β然而,既使在lOOOmJ/cnf暴露劑置,顯像 後樹脂仍留於暴露部分*及無法圖案化。 比較例3 7 重覆與實例3 4相同之程序•但所加苯酚化合物增加 至6 0重量份*其結果示於表5 · 比較例3 8 - 重覆與實例3 4相同之程序,但上述式(S — 1 )有 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ (請先閲讀背面之注意事
經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 502135 A7 _B7_ 五、發明説明(57 ) 機化合物(由T 一胺苯基三乙氧矽烷與順丁烯二酸酐反應 而製得)增加至15·0重量份,上述式(S-8)有機 矽化合物(由r 一胺苯基三乙氧矽烷與3,,4* 一二苯甲酮四羧酸二酐反應而製得)增加至10·0 重童份·其結果示於表5· 比較例3 9 重覆與實例3 4相同之程序,但苯酚化合物改用上述 式(P — 4)之苯酚化合物•其結果示於表5 · 比較例4 0 重覆與實例3 4相同之程序,但苯酚化合物改用上述 式(P — 5)苯酚化合物*其結果示於表5 · 實例3 4 — 4 4及比較例3 5 — 4 0之結果示於表5 (請先閲讀背面之注意事_
訂 «線 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 本紙張纽適用中國國家標準(CNS)A_ (膽歸楚)_ 60 502135
A B7 五、發明説明(5S ) 表5 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 敏感度 剩餘麟 度找率 切變強度 半導體錢之可信度 (规品數目/20個纖品) (m J / cnf) (%) "(kg/ c πί) PCT 500 hr PCT 1000 hr 34 200 92.0 3 . 4 0/20 0/20 35 190 88.4 3 . 3 0/20 1/20 36 180 92.4. 3 . 2 0/20 0/20 37 250 91.6 3 . 5 0/20 0/20 38 200 93.8 3 . 6 0/20 0/20 實例 39 230 95.7 3 . 5 0/20 0/20 40 180 89.1 3 . 3 0/20 0/20 41 220 94.7 3 . 5 0/20 0/20 42 320 93.6 3.4 0/20 1/20 43 330 95.1 3 . 2 0/20 0/20 44 320 95.2 3 . 2 2/20 0/20 35 一 一 1 . 6 1/20 10/20 36 一 一 一 一 一 mm 37 140 43.0 2 . 2 6/20 15/2 0 38 200 86 . 0 1 . 2 7/20 13/20 39 400 94.0 4.0 0/20 0/20 40 250 73.0 3 . 6 1/20 3/20 (請先閱讀背面之注意事填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -61 _ 502135 A7 B7 五、發明説明(59 ) 由上述實例可知*本發明正型光敏性樹脂組成物對封 裝樹脂及基材具優異黏合性*其具有髙敏感度及其可製得 具髙良率剩餘膜厚度之圖案•本發明亦可製得具髙可信度 之半導體裝置,其中經由使用對封裝樹脂具優異黏合性之 該正型光敏性樹脂組成物*可使具高良率剩餘膜厚度之聚 苯並噁唑樹脂之圖案形成於半導體元件上β (請先閲讀背面之注意事
訂 :線 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)
Claims (1)
- 502135六、申請專利範圍 附件二A : 第8 6 1 0 5 6 4 7號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 1年7月修正 物 1 成 C 組式 脂下 樹之 性份 敏量 光重 型 ο 正 ο 種 1 一) • A 1 ( 含胺 包醯 其聚 Η Η ο — X—ο NH OIC - Y 麵 OIC Z ΝΗ Υ 舞 OIC η (i) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中X係選自式(1 2)所示之四價基團:(12) Y係選自式(1 3)所示之二價基團: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 1 502135 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍其中1^及1^2示(:1—8伸烷基,以及R3及R4示Ci_8烷基 ;3及13示莫耳分率;a+b = l〇〇莫耳%; a = 60 • 0-100 · 0 莫耳 %; b = 0- 40 . 0 莫耳 %;及 η示2至500之整數, (Β ) 1至1 0 〇重量份之光敏性重氮醌化合物,以 及 (C ) 1至5 0重量份之至少一種選自以下結構式( 4)及(5)所示之苯酚化合物: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ΗΟOH OH OH (4) (5) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 2 - 502135 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 2 ·如申請專利範圍第1項之正型光敏性樹脂組成物 ,其中苯酣化合物(C)只包含下式(6 )及(7)所示 之苯酚化合物’或者下式(6 )及(7 )苯酚化合物佔苯 酚化合物(C )總重之至少5 〇重量% :(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (6) 3 ·—種正型光敏性樹脂組成物,其包含 (A ) 1 〇 0重量份之如申請專利範圍第1項所定義 之式(1 )聚醯胺, (B) 1至1〇〇重量份之光敏性重氮醌化合物,及 (D) 0 · 1至20重量份之選自下式(8) 、(9 )及(1 0 )中至少一者之有機矽化合物: 个h 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (h-广Si-CH2-CH2-RrN酿C-R5«h (8 ) I 1 1 HO 〇 其中 R5 示一 CH=CH — 或 一^) ,R 6示一C H 2 — 或—CH2— NH— C2H4 -,示一 CH3 或一 C2H5 ,R8示一0CH3或一 0C2H5及义示〇 、1或2之整數 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 〇X 29了公釐) 一 3 - 502135 abicd 六、申請專利範圍 ? (R7)£ (RB〇)3_rSi - CH2CH2 - R6 Η——N o c Ho CIO 6 R • N——H 1 oIc CIO /R5\ OH R —S ( * 2 Η 2C H2 c OR 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (9) 其中115示四價芳族基;r6示—ch2 —或一ch2—nh —C2H4—;尺7及118各示一 ch3或一c2h5;及义示 0 、 1或2之整數,以及 (Ri山 〇 〇I 1 0 (R18〇)3-「Si-R16-CH-CH2-〇一C、/C-OH OH Ri3 (Rl7)£ / \ 丨· HO—C C—0—CH2—CH—Rjg—Si— (OR^g )3-1I 1 I 0 0 OH (10) 其中R15示四價芳族基;R16示〇1_8伸烷基; 及 Ri8 各示一CH3 或—C2H5;及 示〇、1 或2 整數。 4 ·如申請專利範圍第3項之正型光敏性樹脂組成物 ,其中式(8)中R5示一CH=CH —。 5 ·如申請專利範圍第3項之正型光敏性樹脂組成物 ,其中式(9 )中R5係選自式(11 )所示之四價基團 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 一 4 - 502135 ABCD 六、申請專利範圍如善 0(11) 放 〇至5項中任一項之正型光敏性樹脂組成物,其中光敏性重氮醌化合物(B )係選自式(1 4 )所示之化合物: ch3 Q〇 — >—〇Q ch3 \ φ Q〇 j y~ 〇Q CH3 XcH3 ♦ 〇Q (14) 〇Q (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Q 中其 示N2 本紙張尺度適用中國國家摞準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -5 - 502135 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 7 . —種正型光敏性樹脂組成物,其包含: (A) 100重量份之如申請專利範圍第1項所定義 之式(1 )聚醯胺, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (B) 1至10 0重量份之光敏性重氮醌化合物, (C) 1至5 0重量份之至少一種選自如申請專利範 圍第1項所定義之結構式(4 )及(5 )所示之苯酚化合 物,及 (D) 0 · 1至20重量份之至少一種選自如申請專 利範圍第3項所定義之式(8 ) 、( 9 )及(1 0 )所示 之有機矽化合物。 8 ·如申請專利範圍第7項之正型光敏性樹脂組成物 ,其中苯酚化合物(C )只包含如申請專利範圍第2項所 定義之式(6 )及(7 )所示之苯酚化合物,或者式(6 )及(7 )苯酚化合物佔苯酚化合物(C )總重之至少 5 0重量%。 9 ·如申請專利範圍第7項之正型光敏性樹脂組成物 ,其中光敏性重氮醌化合物(B )係選自如申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第6項所定義之式(1 4)所示之化合物。 1 0 . —種用於製備由下式(1 5)所示聚苯並噁唑 樹脂所構成之薄膜的方法,該薄膜具有〇 · 1至20#m 之厚度且可用於製備半導體裝置,本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -6 - 502135 A8 B8 C8 D8 Γ、申請專利範圍 其中X係選自式(1 2 )所示之四價基團(12)(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210父29<7公釐) -7 - 502135 ABICD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 物,然後將所得塗覆膜加以預烘燒、曝光及顯像,以使塗 覆膜圖案化,以及隨後將經圖案化之塗覆膜熱固化,其中 該光敏性樹脂組成物包括: (A) 1〇〇重量份之如申請專利範圍第1項所定義 之式(1 )聚醯胺, (B) 1至1〇〇重量份之光敏性重氮醌化合物,及 (C) 1至50重量份之至少一種選自如申請專利範 圍第3項所定義之結構式(4 )及(5 )所示之有機矽化 合物。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之薄膜,其中苯酚化 合物(C )只包含如申請專利範圍第2項所定義之式(6 )及(7)所示之苯酚化合物,或者式(6)及(7)苯 酚化合物佔苯酚化合物(C )總重之至少5 0重量%。 1 2 · —種用於製備由下式(1 5 )所示聚苯並噁唑 樹脂所構成之薄膜的方法,該薄膜具有〇.1至20 之厚度且可用於製備半導體裝置,其中X係選自式(1 2)所示之四價基團: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ:297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)-8 一 502135 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中Ri及R2示〇1_8伸烷基;尺3及尺4示(:^8烷基;a 及b示莫耳分率;a+b=l〇〇莫耳%; a=60·0 -10 0 . 0 莫耳%; b = 〇 — 40 · 0 莫耳;及 η 示 2 至5 0 0之整數, 此方法包含於半導體元件上塗覆正型光敏性樹脂組成 物,然後將所得塗覆膜加以預烘燒、曝光及顯像,以使塗 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) 一 9 - 502135 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 覆膜圖案化,以及隨後將經圖案化之塗覆膜熱固化,其中 該光敏性樹脂組成物包括: (A) 1 〇 〇重量份之如申請專利範圍第1項所定義 之式(1 )聚醯胺, (B) 1至1〇〇重量份之光敏性重氮醌化合物,及 (D)〇·1至20重量份之至少一種選自如申請專 利範圍第3項所定義之式(8 ) 、( 9 )及(1 〇 )所示 之有機矽化合物。 13 ·如申請專利範圍第12項之薄膜,其中式(8 )中 R5係一CH=CH -。 14 ·如申請專利範圍第12項之薄膜,其中式(9 )中R5係選自下式(11)所示之四價基團: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Ί·經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (11) 〇 15 . —種用於製備由下式(15)所示聚苯並噁哇 樹脂所構成之薄膜的方法,該薄膜具有〇 · 1至2 〇 之厚度且可用於製備半導體裝置, 〇 Η Η Ο ν ·; I I « \ c一n一 z—n—c—y 4--- / U5) -10 - 502135 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 Γ、申請專利範圍 其中X係選自式(1 2 )所示之四價基團 γ Ζ 其及 I 至(請先閲讀背面之注意事項再填寫本買) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210Χ297公釐) 11 - 502135 ABCD 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 物而製得,然後將所得塗覆膜加以預烘燒、曝光及顯像, 以使塗覆膜圖案化,以及隨後將經圖案化之塗覆膜熱固化 ,其中該光敏性樹脂組成物包括: (A)100重量份之如申請專利範圍第1項所定義 之式(1 )聚醯胺, (B ) 1至1 〇 〇重量份之光敏性重氮醌化合物, (C) 1至50重量份之至少一種選自如申請專利範 圍第1項所定義之結構式(4 )及(5 )所示之苯酚化合 物,及 (D) 〇 · 1至2 0重量份之至少一種選自如申請專 範圍第3項所定義之式(8) 、(9)及(10)所示之 有機矽化合物。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之薄膜,其中苯酚化 合物(C )只包含如申請專利範圍第2項所定義之式(6 )及(7)所示之苯酚化合物,或者式(6)及(7)苯 酚化合物佔苯酚化合物(C )總重之至少5 0重量%。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項之薄膜,其中光敏性 重氮醌化合物(B )係選自如申請專利範圍第6項所定義 之式(14)所示之化合物。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -12 -
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11738796A JP3207352B2 (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP13859396A JP3346981B2 (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 半導体装置 |
JP15967996A JP3449856B2 (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP16447296A JP3449858B2 (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP16931996A JP3390303B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW502135B true TW502135B (en) | 2002-09-11 |
Family
ID=27526762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW086105647A TW502135B (en) | 1996-05-13 | 1997-04-29 | Positive type photosensitive resin composition and process for preparing polybenzoxazole resin film by using the same |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6071666A (zh) |
EP (1) | EP0807852B1 (zh) |
KR (1) | KR100533488B1 (zh) |
CN (2) | CN1113273C (zh) |
DE (1) | DE69704294T2 (zh) |
TW (1) | TW502135B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI397770B (zh) * | 2006-08-17 | 2013-06-01 | Hitachi Chem Dupont Microsys | 正型光阻組成物、圖案的製造方法以及電子零件 |
TWI637942B (zh) * | 2016-10-27 | 2018-10-11 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 四羧酸二酯化合物、聚醯亞胺前驅體之聚合物及其製造方法、負型感光性樹脂組成物、圖案形成方法及硬化被膜形成方法 |
TWI764333B (zh) * | 2019-10-23 | 2022-05-11 | 南韓商胡網加成股份有限公司 | 聚矽氧烷共聚物、其製備方法及包括其的樹脂組合物 |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3509612B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2004-03-22 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性重合体組成物、レリーフパターンの製造法及び電子部品 |
US6214516B1 (en) * | 1998-10-01 | 2001-04-10 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Photosensitive resin compositions |
JP3426531B2 (ja) * | 1998-10-30 | 2003-07-14 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性重合体組成物、レリーフパターンの製造法及び電子部品 |
JP3667184B2 (ja) | 1999-02-26 | 2005-07-06 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置 |
KR100721477B1 (ko) * | 1999-06-01 | 2007-05-23 | 도레이 가부시끼가이샤 | 포지티브형 감광성 폴리이미드 전구체 조성물 |
JP2002040654A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
CN100347609C (zh) * | 2000-10-31 | 2007-11-07 | 英特尔公司 | 正性光敏树脂组合物、制备正性光敏树脂组合物的方法及半导体设备 |
JP4371587B2 (ja) * | 2001-01-05 | 2009-11-25 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2002091082A1 (fr) * | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Compositions de resine photosensibles positives et dispositif a semi-conducteur |
DE10137376A1 (de) * | 2001-07-31 | 2003-02-27 | Infineon Technologies Ag | Geklebte Chip- und Waferstapel |
DE10137375A1 (de) * | 2001-07-31 | 2003-02-27 | Infineon Technologies Ag | Verwendung von Polybenzoxazolen (PBO) zum Kleben |
JP4084597B2 (ja) * | 2002-05-07 | 2008-04-30 | 群栄化学工業株式会社 | アミノ基含有フェノール誘導体 |
TWI288296B (en) * | 2002-05-29 | 2007-10-11 | Toray Industries | Optically sensitive resin composition and heat durable resin film |
DE10228769A1 (de) * | 2002-06-27 | 2004-02-05 | Infineon Technologies Ag | Isoliermaterial für Aluminium und Kupfermetallisierungen |
US6887643B2 (en) * | 2002-08-05 | 2005-05-03 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive resin precursor composition |
US7195849B2 (en) * | 2003-03-11 | 2007-03-27 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Photosensitive resin compositions |
JP2007525545A (ja) * | 2003-03-11 | 2007-09-06 | フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド | 新規な感光性樹脂組成物 |
WO2004081663A2 (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-23 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Novel photosensitive resin compositions |
EP1491952B1 (en) * | 2003-06-23 | 2015-10-07 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device |
TW200512543A (en) | 2003-08-06 | 2005-04-01 | Sumitomo Bakelite Co | Polyamide resin, positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device |
US7416822B2 (en) * | 2004-01-20 | 2008-08-26 | Asahi Kasei Emd Corporation | Resin and resin composition |
US7435525B2 (en) * | 2004-05-07 | 2008-10-14 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part |
JP4801082B2 (ja) * | 2004-10-13 | 2011-10-26 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 湿式現像可能なベンゾシクロブテン系ポリマー組成物及びその組成物の使用方法 |
US7795462B2 (en) | 2005-01-13 | 2010-09-14 | Xerox Corporation | Crosslinked siloxane outmost layer having aromatic silicon-containing compounds for photoreceptors |
EP1885819A2 (en) * | 2005-06-03 | 2008-02-13 | FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. | Pretreatment compositions |
KR100669508B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2007-01-16 | 한국화학연구원 | 아믹산-실록산 화합물과 이 화합물을 졸-겔 반응하여제조된 이미드-실록산 중합체 |
EP2639638A1 (en) * | 2005-11-30 | 2013-09-18 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition, and semiconductor device and display therewith |
JP2007240975A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | 感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
EP2056163A4 (en) * | 2006-08-15 | 2009-11-11 | Asahi Kasei Emd Corp | POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION |
JP5532200B2 (ja) * | 2006-10-24 | 2014-06-25 | 住友ベークライト株式会社 | ビス(アミノフェノール)誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子 |
US20100009290A1 (en) * | 2006-12-03 | 2010-01-14 | Central Glass Co., Ltd. | Photosensitive Polybenzoxazines and Methods of Making the Same |
US20100216070A1 (en) * | 2006-12-04 | 2010-08-26 | Central Glass Co., Ltd. | Photosensitive Polyimides and Methods of Making the Same |
US7678514B2 (en) * | 2007-12-27 | 2010-03-16 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive-type photosensitive resin composition, cured film, protecting film, insulating film and semiconductor device and display device using these films |
WO2009136647A1 (ja) | 2008-05-07 | 2009-11-12 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜及び絶縁膜、並びにそれを用いた半導体装置及び表示体装置 |
KR100995079B1 (ko) | 2008-09-29 | 2010-11-18 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
TWI459141B (zh) * | 2008-10-20 | 2014-11-01 | Cheil Ind Inc | 正型光敏性樹脂組成物 |
US8530119B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-09-10 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition, cured film, protective film, interlayer insulating film, and semiconductor device and display element using the same |
KR101354640B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2014-01-27 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
TW201525064A (zh) * | 2013-12-16 | 2015-07-01 | Daxin Materials Corp | 感光樹脂組成物、感光樹脂及有機發光二極體顯示元件 |
KR102367407B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-02-25 | 도레이 카부시키가이샤 | 수지 조성물 |
US11512199B2 (en) * | 2016-11-02 | 2022-11-29 | Toray Industries, Inc. | Resin composition, resin sheet, cured film, organic el display device, semiconductor electronic component, semiconductor equipment, and method for producing organic el display device |
WO2018199117A1 (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | 三井化学株式会社 | 基板積層体及び基板積層体の製造方法 |
KR102605655B1 (ko) | 2017-06-16 | 2023-11-23 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 다층 구조물 |
CN111019345B (zh) * | 2019-12-17 | 2021-06-29 | 中国科学院化学研究所 | 一种聚(酰亚胺-苯并噁唑)薄膜及其制备方法与用途 |
CN111518272B (zh) * | 2020-04-20 | 2023-11-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL199728A (zh) * | 1954-08-20 | |||
BE539175A (zh) * | 1954-08-20 | |||
US3755354A (en) * | 1969-05-05 | 1973-08-28 | Gen Electric | Amide acid and imido-substituted organosilanes |
US3669658A (en) * | 1969-06-11 | 1972-06-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive printing plate |
JPS6036571B2 (ja) * | 1978-06-14 | 1985-08-21 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示セル |
DE2931297A1 (de) * | 1979-08-01 | 1981-02-19 | Siemens Ag | Waermebestaendige positivresists und verfahren zur herstellung waermebestaendiger reliefstrukturen |
US4460739A (en) * | 1983-07-01 | 1984-07-17 | General Electric Company | Composition for promoting adhesion of curable silicones to substrates |
EP0291779B1 (de) * | 1987-05-18 | 1994-07-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Wärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger Reliefstrukturen |
US4927736A (en) * | 1987-07-21 | 1990-05-22 | Hoechst Celanese Corporation | Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom |
JPS6446862A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Fujitsu Ltd | Bus controller |
JPH0830167B2 (ja) * | 1988-02-24 | 1996-03-27 | 日本合成ゴム株式会社 | 硬化性組成物 |
DE3837612A1 (de) * | 1988-11-05 | 1990-05-23 | Ciba Geigy Ag | Positiv-fotoresists von polyimid-typ |
US5288588A (en) * | 1989-10-27 | 1994-02-22 | Nissan Chemical Industries Ltd. | Positive photosensitive polyimide resin composition comprising an o-quinone diazide as a photosensitive compound |
JPH087435B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1996-01-29 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP2566169B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1996-12-25 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JPH061377B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1994-01-05 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP2566171B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1996-12-25 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP2764220B2 (ja) | 1990-04-27 | 1998-06-11 | パイオニア株式会社 | オーディオディスク・メモリディスク兼用ディスクプレーヤ |
JPH041651A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2694472B2 (ja) * | 1990-04-18 | 1997-12-24 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JPH0411260A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-16 | Toray Ind Inc | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JPH0412356A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-16 | Toray Ind Inc | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP2629403B2 (ja) * | 1990-04-28 | 1997-07-09 | 東レ株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
DE69131529T2 (de) * | 1990-05-29 | 2000-01-20 | Sumitomo Bakelite Co. Ltd., Tokio/Tokyo | Positiv arbeitende lichtempfindliche Harzzusammensetzung |
JP2806622B2 (ja) * | 1990-10-25 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | ヒートシンクの取付構造 |
KR0134753B1 (ko) * | 1993-02-26 | 1998-04-18 | 사토 후미오 | 폴리아미드산 조성물 |
JP3078175B2 (ja) * | 1994-05-06 | 2000-08-21 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
-
1997
- 1997-04-29 TW TW086105647A patent/TW502135B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-04-30 DE DE69704294T patent/DE69704294T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-30 EP EP97107190A patent/EP0807852B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-12 CN CN97111184A patent/CN1113273C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-12 US US08/854,863 patent/US6071666A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-12 KR KR1019970018351A patent/KR100533488B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-11-17 US US09/442,277 patent/US6235436B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-04-29 CN CNB021190453A patent/CN1215380C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI397770B (zh) * | 2006-08-17 | 2013-06-01 | Hitachi Chem Dupont Microsys | 正型光阻組成物、圖案的製造方法以及電子零件 |
TWI637942B (zh) * | 2016-10-27 | 2018-10-11 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 四羧酸二酯化合物、聚醯亞胺前驅體之聚合物及其製造方法、負型感光性樹脂組成物、圖案形成方法及硬化被膜形成方法 |
TWI764333B (zh) * | 2019-10-23 | 2022-05-11 | 南韓商胡網加成股份有限公司 | 聚矽氧烷共聚物、其製備方法及包括其的樹脂組合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0807852B1 (en) | 2001-03-21 |
DE69704294D1 (de) | 2001-04-26 |
US6071666A (en) | 2000-06-06 |
EP0807852A1 (en) | 1997-11-19 |
US6235436B1 (en) | 2001-05-22 |
CN1381768A (zh) | 2002-11-27 |
KR100533488B1 (ko) | 2006-04-14 |
DE69704294T2 (de) | 2001-09-13 |
CN1113273C (zh) | 2003-07-02 |
CN1215380C (zh) | 2005-08-17 |
CN1165980A (zh) | 1997-11-26 |
KR970076084A (ko) | 1997-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW502135B (en) | Positive type photosensitive resin composition and process for preparing polybenzoxazole resin film by using the same | |
TWI744366B (zh) | 感光性樹脂組成物、其硬化物、層間絕緣膜、表面保護膜及電子零件 | |
JP2004206032A (ja) | 耐熱感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造方法及び電子部品 | |
KR20100044125A (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물 | |
JPH09302221A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP2006227387A (ja) | 感光性樹脂組成物、レリーフパターンの形成方法及び電子部品 | |
JP3995962B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3051821B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びそれを用いるパターン化されたポリイミド皮膜の形成方法 | |
JPH11109620A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
WO2002091082A1 (fr) | Compositions de resine photosensibles positives et dispositif a semi-conducteur | |
KR20110013211A (ko) | 전자 부품의 절연막 또는 표면 보호막용 수지 조성물, 패턴 경화막의 제조 방법 및 전자 부품 | |
JP4040216B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
US5573886A (en) | Photosensitive resin composition comprising a polyimide precursor and method for making a polyimide film pattern from the same | |
JP2002040654A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP2002278051A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3390303B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH11258787A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
TWI394003B (zh) | 感光性樹脂組成物,硬化膜,保護膜,絕緣膜及使用其等之半導體裝置,顯示裝置 | |
JP3449858B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP2000131845A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置 | |
KR20100042947A (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물 | |
EP2309329A1 (en) | Positive-type photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film, and semiconductor device and display device each comprising the cured film | |
JP2002020485A (ja) | ポリアミド樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4197213B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
TWI226513B (en) | Positive photosensitive resin composition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |