TW496987B

TW496987B - Active matrix electro-optical device

Info

Publication number: TW496987B
Application number: TW088120362A
Authority: TW
Inventors: Shunpei Yamazaki; Takeshi Nishi
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 1995-10-12
Filing date: 1996-10-01
Publication date: 2002-08-01
Also published as: US6587169B1; TW503333B; TW477908B; US6175395B1; JPH09105953A; TW348228B; KR100386201B1

Description

496987 A7 ----- B7 五、發明說明（1 ) 1 _發明領或 .本發明係關於主動式矩陣光電裝置經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 .相關已知效的。它爲玻璃或控制進入動陣列液電晶體之成稱爲驅在較邊電路會區及週邊晶面板之關於液晶顯示實現 )、綠（面板及組幕顯示之而難以製示裝置。 1115 技藝說明主動式矩陣光們被構造成薄石英基底），或離開相關圖晶顯示裝置會電路（週邊電動器I C的外進步的版本中整合於基底之電路係整合於使用。上述液晶面板裝置。彩色顯示之第 G )、及藍（合這些面板所需求增加，由造面板，所以第二方法係揭 8 0中0 電裝置膜電晶作爲個素的電需要用路）。部I C ，藉由上。提相同基質顯示而言，是有於透明基底（通常對於高品體被形成別圖素。每一薄膜電晶體會極（圖素電極）之電荷。主以驅動用於個別圖素的薄膜一般而言，週邊電路係構造電路。使用薄膜電晶體而形成的週供一致化的結構，其中圖素底之上，此種配置將利於液應用之實施例，將於下說明凸出型一方法係於液晶面板中形成R (紅 B )濾色器。第二方法係製備眾多形成的影像。近年來，隨著大型螢於第一方法中，基底尺寸必須增加，第二方法最常用於實現凸出型顯示於日本新型公開號5 8 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）請先閱讀背面之注意事項再填本頁 -4 一 496987 A7 ------ ^B7 五、發明說明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第二方法中，爲結合影像，光軸一致性是非常重要的。傳統上，液晶面皮係獨立配置的，而光軸調制係藉由精密方式調整每一面板的位置及方向。但是，由於會使成本增加並使裝置複雜化，所以，此法並不是較佳。已知一進一步之技術，其中相同的影像會彼此疊加而增加螢幕尺寸或亮度。但是，此技術由於會使裝置結構複雜化而具有增加成本之問題。爲解決上述問題，曾將三面板整合成單一面板。在此情形下，基本上足以產生對應於R、G、B三元色之一組影像。藉由產生二或更多組對應於R、G、B之影像而增加亮度。. 在此型規劃中，在形成週邊驅動器電路區中，曾嘗試將高密度整合的週邊電路儘可能地設置於接近基底的中心，以增加最終產量。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製但是，上述傳統液晶顯示裝置具有下述的二個問題。第一個問題如下所述。由諸如C r之反射材料所製成並佔據顯示螢幕的大部份區域之黑色陣列係形成位於顯示螢幕側上的較高透明玻璃基底的內表面之上。外部光會由黑色陣列所反射並離開顯示螢幕。這將降低被顯示的影像之對比並因而使影像較不易觀看，亦即，降低顯示品質。第二問題係關於黑色基底形成於相對基底之上的情形。在此情形下，如圖11A所示’在考慮TFT基底與相對基底的結合準確度之情形下，黑色陣列1係形成爲與 I TO圖素電極2重疊5 — 7 。因此，開口部份的尺本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) 87 9 6 A7 B7 五、發明說明（3 ) 寸會受限。在此情形下，爲增加顯示裝置的亮度，必須使用較亮的背景光，而導致電力損耗增加。圖11A係顯示相對基底上的黑色陣列1與圖素電極 2如何彼此重疊。參考數字3 - 5係分別代表訊號線、 T F T及掃瞄線。發明概述爲解決 T F T上形陣列及I T 優點。將參陣列1形成。在前一情寬度：7 Μ 加至約4 0 另一方電路設於液彼此接近，上述二成黑色 0圖素考1 1 於T F 形下（ m )， % (重面，在晶區中圖素區問題，陣列。電極於 B而說 T基底圖1 1 而在後疊寬度相對基的上述即使在本發明本規劃相同基明此優上的情 A )，一情形 :2 β 底大到規劃中驅動電的目的係於驅動電路的具有重疊寬度因形成黑色底之上而減爲約2 Μπι之點。圖1 1 Β係顯示黑色形下，它們如何彼此重疊孔徑比例約1 5 % (重疊下（圖1 1 Β )，大量增 m ) 〇足以相對驅動電路且驅動，驅動電路區及圖素區會路區中，也會需要光遮蔽請先閱讀背面之注意事項再填本頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在用於圖素區的光遮蔽之黑色陣列形成於有T F T薄膜形成於上的基底之上並作爲驅動電路的光遮蔽以滿足上述需求之情形，會存有驅動電路與黑色陣列之間的中間絕 .緣膜的電容無法忽略之問題’即使遮蔽本身並未引起任何問題。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）一 6 - 496987 A7 __________ B7 五、發明說明（4 ) 假使中間絕緣膜爲3，〇〇〇A的氮化矽膜，其單位面積電容爲2. 50X10 — 16F//zm2 。舉例而言’假使驅動電路的時序線或類似線具有1 〇〇 /zm寬及 5 〇 ’ 000#m長的繞線，由此驅動電路的繞線與黑色陣列所形成的電容可達到1 . 2 5 X 1 〇—9 F。在此情形下，假設驅動電路的繞線具有〇. 2Ω//ζιη2的片電阻時，其延遲時間會達到1. 25x10-7秒，這將於以數百萬赫茲驅動繞線時，產生問題。電路特性在驅動電路中比在圖素TFT中還重要。因此，必須減低形成於驅動電路的TFT 與黑色陣列之間的中間絕緣膜之電容。如圖12所示，僅於TFT基底1 1上形成用於圖素區1 4的黑色陣列1 6，以致於與I TO電極1 7相鄰，並於相對基底1 2上形成用於驅動電路區1 3的黑色陣列 1 8。但是，雖然此規劃會增加孔1择比例，卻由於在 TFT基底1 1與相對基底1 2等二者之上，需要形成黑色陣列16及18，所以，會增加製造步驟之數目。在圖 1 2中，參考數字1 5及1 9分別代表鋁繞線及R、G和 B濾色器。現在必須提供一種液晶顯示裝置，其可具有驅動電路區的光遮蔽，而不會增加製造步驟數目。本發明的另一目的係防止形成於驅動電路的T F T與黑色陣列之間的中間絕緣膜中產生電容’以減少驅動電路的延遲時間，藉以產生高解析度影像。爲取得上述目的，根據發明，提供一種主動式陣列液本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·1111111·. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -7 一 496987 Α7 Β7 五、發明說明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 晶顯示裝置，包括：第一絕緣基底，包括：圖素區，於其中具有個別薄膜電晶體的眾多圖素會以陣列形式配置之；用以驅動圖素區的驅動電路區’驅動電路區係設置於與圖素區相同的表面之上並具有薄膜電晶體；及形成於驅動電路區之上的黑色陣列；相對於第一絕緣基底的第二絕緣基底；及插入於第一和第二絕緣基底之間的液晶材料。也提供一種主動陣列液晶顯示裝置，包括：第一絕緣基底，包括：圖素區，於其中具有個別薄膜電晶體的眾多圖素會以陣列形式配置之，並有平面薄（planati on film)形成；用於驅動圖素區的驅動電路區，驅動電路區係配置於與圖素區相同的表面上_並有薄膜電晶體；及黑色陣列，形成於第一絕緣基底之上；第二絕緣基底係相對於第一絕緣基底；液晶材料會插入於第一及第二絕緣基底之經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此外，提供一種液晶顯示裝置，包括：一對透明基底 ;插入於該透明基底對之間的液晶；2 η個液晶板，係藉由使用透明基底對而構成的，η係自然數’ 2 η個液晶板包括：主動陣列圖素區；驅動電路，延著圖素區配置；及黑色陣列，形成於第一絕緣基底之上；及用以結合2 η個液晶板所產生的影像之機構。此外，又提供一種液晶顯示裝置，包括：一對透明基戌；插入於該透明基底對之間的液晶；2 η個液晶板，係藉由使用透明基底對而構成的，η係自然數，2 η個液晶板包括：主動陣列圖素區，均具有平面膜；驅動電路，延本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8 - 496987 A7 __ B7 五、發明說明（6 ) 著圖素區配置，與圖素區之一相鄰的每一驅動電路之一側 ;及黑色陣列，形成於第一絕緣基底之上；及用以結合2 η個液晶板所產生的影像之機構。在發明中，絕緣基底意指透明材料所製成的基底，該透明材料具有相對於外力之某一程度的強度，舉例而言，諸如玻璃或石英之非有機材料。在薄膜電晶體（此後稱爲TFT)形成於基底上的情形下’較佳的是使用非鹼性玻璃基底或石英基底。在意圖減少液晶板重量的情形下，可使用低雙折射的膜，，諸如 PES (聚乙烯基硫酸鹽）。形成爲.每一圖素的T F T或週邊驅動電路可爲作用層由非晶矽或多晶矽所製成的型式。 I TO (氧化銦及錫之合金）透明電極會形成於基底上以作爲驅動液晶材料的電極。以抗熱性而言，須要在形成 I TO電極之後，形成黑色陣列。爲防止導因於液晶顯示裝置內的不規則反射之對比降低，使用於發明中的黑色陣列爲黑色材料擴散於透明材料中的型式。透明材料的實施例係諸如玻璃和石英之非有機材料及諸如樹脂的有機材料。從製造的簡易性之觀點而言，諸如丙烯酸材料之樹脂材料是較佳的。黑色材料的實施例係碳黑及顏料。舉例而言，可使用選自苯二甲藍顏料、暗吖酮顏料、異蚓跺滿酮顏料、偶氮顏料Μ醌顏料、或二噁嗪顏料等之有機顏料。形成黑色陣列的另一方法係使諸如凝膠之天然聚合材本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）請先閱讀背. Si 之注項

頁 I I I I I 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一 9 - 496987 Α7 __ Β7 五、發明說明（7 ) 料、或諸如聚乙嫌烯吡咯烷酮等物質密圖型，最後，以經濟部智慧財產局員工消費合作社印製脂、丙程形成在較佳的可、球研散於樹量的諸散穩定 0 . 1 均勻並藉，於T 於其中基底之，接受與與前者除黑色陣醇之合成聚合材料、或重鉻酸鹽之聚乙感光，然後，藉由照相蝕刻法以形成精酸染料或活性染料使其染色之。進一步的方法係使諸如碳的頻料擴散於諸如P V A樹或聚醯亞胺樹脂，然後，以照相蝕刻製烯酸樹脂、精細圖型。上述製程中，此乃由於根據所使用磨法、三滾脂材料中的如表面劑之並形成薄黑 β m。假使因而使黑色由一般的照 F T基底上的有機溶液上，然後，約 2 0 0 0C τ F T形成相同的材料了透明電極列、及/或，將碳黑擴其可減少電的黑色材料筒法等方法方法。可於擴散劑而改陣列層，黑平均粒徑大陣列無法完相蝕刻法，形成黑色陣會藉由旋轉藉由已知的的後置烘烤於其上的基所製成的。之外，於必平面膜會形散於丙烯酸樹脂中的方法是阻並形成薄膜所致。，從使用攪拌器之攪拌方法中適當地選擇將黑色材料擴擴散操作期間，藉由加入小善黑色材料擴散性。爲使擴色材料的平均粒徑必須約爲於此值，可能會發生色彩不成所須功能。以同於形成樹脂圖型之方式列。亦即，有黑色材料擴散塗敷或印刷而施加於T F T 照相蝕刻法而圖型化，最後〇底相對之第二絕緣基底係由要時，諸如濾色器之成件、成於相對基底之上。在濾色本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）請先閱讀背. 面之注意事項

再赢I 頁 I I I I I I 訂一 10 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496987 A7 一 B7 五、發明說明（8 ) 器形成的情形下，首先，黑色陣列會形成於基底之上，然後，形成濾色器，之後，形成平面膜以使不平整表面平坦，最後，形成透明電極層。液晶材料可爲向列性、膽甾基、或碟狀結晶的材料，或是這些材料中之一擴散於透明樹脂材料中的擴散性液晶。特別的是，由於擴散性液晶不須使用偏振板，所以，可提供光亮面板。在使用向列性、腦甾基、或碟狀結晶的材料之情形下，會於基底對的相對表面之一或二表面上執行定向處理，以使液晶材料在某方向上定向。定向處理事實上係磨擦處理，其係以布或類似物，直接地或經由形成於基底之一或二基底上的有機或無機材料，磨擦基底表面。接受定向處理的基底會設置成定向處理過的表面或有 TFT、透明電極等形成於上的表面會彼此相對，且液晶材料會置於相對基底之間。間隔器或類似物會分布於基底對之間，以提供固定的基底間隙。使用直徑爲1 一 1 0 Am的的間隔器。基底對會以諸如環氧樹脂之黏著劑而彼此固定。黏著劑會施加至基底的週圍部份以環繞圖素區及週邊驅動電路區。圖式簡述圖1 Α至1 G係剖面視圖，顯示根據本發明第一實施例之低溫多晶矽製程的剖面視圖；圖2 A及2 B係顯示根據發明的第二實施例之積體主本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------T--J—-------—訂----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

MB MB 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496987 A7 ___ B7 五、發明說明（9 ) 動陣列面板之一般規劃；圖3 A及3 B係顯示根據發明的第二實施例之積體主動陣列面板之一般規劃；圖4 A至4 G係剖面視圖，顯示根據本發明第三實施例之低溫多晶矽製程的剖面視圖；圖5 A至5 F及圖6 A至6 D係顯示根據本發明發四實施例之主動陣列液晶顯示裝置的製造製程；圖7係圖6 C的A — A —剖面視圖；圖8係顯示根據發明的第四實施例之主動陣列電路的部份之電路圖；圖9 A及9 B係顯示根據發明的第五實施例之接線形狀；圖10係顯示根據發明第六實施例之具有平面薄膜的液晶顯示裝置；圖1 1 A及1 1 B係顯示主動陣列液晶顯示裝置；及圖1 2係顯示主動陣列液晶顯示裝置的另一實施例。文中元件對照表 1 :黑色陣列 2 : I T 0圖素電極 3 :信號線 4 :薄膜電晶體 5 :掃猫線 1 2 :相對基底本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮1 ~ " 一 12 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

496987 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7______ 五、發明說明（W ) 1 3 :驅動電路區 1 4 :圖素區 1 5 :鋁繞線 1 6 :黑色陣列 1 7 : I T 0電極 1 8 :黑色陣列 1 9 :濾色器 1 0 1 :基底 102:下鍍著氧化物膜 103-105:島狀作用層 1 0 6 .:閘絕緣膜 _ 1 0 7 — 1 0 9 :閘電極 110 — 112:氧化鋁層 1 1 3 :光阻掩罩 1 1 4 一 1 1 5 :濃的N型區（源極及汲極） 1 1 6 :光阻掩罩 1 1 7 :濃的P型區（源極及汲極） 1 1 8 :中間層絕緣膜 119 — 121:電極/接線線 1 2 2 — 1 2 3 :電極/接線線 1 2 4 :氮化矽膜 1 2 5 :圖素電極 1 2 6 :中間層膜 1 2 7 :黑色陣列本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-13 - 496987 A7 ____B7__ 五、發明說明（η ) 201 — 202 :驅動電路 203 — 205 :第一組面板 206 - 208 :第二組面板 209 — 21 1:週邊驅動電路 3 9 9 :薄膜電晶體 400:圖素薄膜電晶體 4 0 1 :玻璃基底 402:下鍍著氧化物膜 403 — 405 :島狀作用層 4 0 6 :閘絕緣膜 4 0 7 — 4 0 9 :閘電極 410 — 412:氧化鋁層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製極汲及極源 ( 線線區線線型接接 N \ \ 的膜極極濃區緣電電罩：罩型絕：：膜極膜列掩 5 掩 P 層 13 矽電層陣膜阻 1 阻的間 22 化素間色面光 4 光濃中 44 氮圖中黑平 • · | > .·· ·_ | _ »··. · . ·· · 346789245678 1± 1± 1± 1± 1± IX CXI 2 CO OJ CN1 4444 -4 4444444 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）一 14 一 496987 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 __五、發明說明（12 ) 5 0 0 :氧化矽膜 5 0 1 :玻璃基底 5 0 2 :作用層 503-505:光阻掩罩 5 0 6 :閘電極 5 0 7 :短路線部份 5 0 8 :接線部份 509 — 511:多孔陽極氧化膜 512 — 514:濃密陽極氧化膜 515 — 517:氧化矽膜 5 1 8 :源極區 519:低濃度雜質區 520:通道形成區 5 2 1 :低濃度雜質區 5 2 2 :吸極區 523:中間層絕緣膜 5 2 4 :源電極及接線線 5 2 5 :閘電極 526 — 528 :仿電極 5 2 9 :中間層絕緣膜 530 — 533 ··接觸孔 534:源極電極及接線線之端部 5 3 5 : I T〇電極 5 3 6 :圖素電極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - 15 - 496987 A7 B7 五、發明說明（13 ) 5 3 7 : I T 0 膜 5 3 8 :黑色陣列 5 3 9 :平面膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 〇 1 :接線線部份 702:第一中間層絕緣膜部份較佳實施例詳述在下述中，說明使用根據本發明之主動陣列電路的液晶顯示裝置的基底之製造方法。實施例1 參考圖1 A至1 G，說明根據發明第一實施例的積體主動陣列電路之製造製程。此製程爲低溫多晶矽製程。在圖1 A至1 G中，左側係顯示驅動電路的TFT9 9之製造製程，而右側係顯示主動陣列電路的TFT 1 〇〇之製造流程。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製首先，1 ，0 0 0 - 3 ，0 0 0 A的氧化矽膜，亦即，下銨著氧化物膜1 0 2會藉由氧氣氛中的濺射或電漿 CVD而形成於玻璃基底10 1上（第一絕緣基底）。然後，具有300 — 1，500A，較佳的是500 一 1 ，000A的非晶矽膜會藉由CVD或LPCVD而形成，並藉由不低於5 0 0 °C，較佳的是5 0 0 — 6 0 〇 °C之熱退火而晶化或改善。在熱退火以進一步改善結晶性之後，可執行光學退火（舉例而言，雷射退火）。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐），一 16 - 496987 A7 Β7 五、發明說明（Η ) 此外，如同日本專 244104所述速矽結晶之諸如鎳接著，矽膜會作用層1 0 3 (用道丁 F 丁）及主動 T F Τ )之島狀作 2000Α的氧化形成。或者，可藉好的結果可藉由使取得。之後，2 ，◦ 而形成於整個基底小丘，鋁膜可含有 1 0 9係藉由蝕刻利公開案號6 — 244 1 0 3及6 — ’可於熱退火之結晶步驟中加入用以加之元素（催化元素）。被蝕刻成驅動電路的TFT 9 9之島狀於P通道TFT)和104 (角於N通電路TFT100的TFT (圖素用層105。然後，500 — 矽閘絕緣膜1 0 6會藉由氧氣氛濺射而由電漿CVD而形成。在此情形下，良用氧化二氮或氧氧及矽烷之材料氣體而 0 0 - 6，0 0 0A的鋁膜會藉由濺射表面上。爲防止在後續加熱製程中發生矽、銃、鉑或類似物。閘電極107— 鋁膜而形成的（圖1A)。請先閱背面之注意事項頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印「然後，使鋁閘電極1 0 7 — 1 0 9陽極化。結果，閘電極1 0 7 — 1 0 9的表面會與作爲絕緣層之氧化鋁層 110—112 —起形成（圖1B)。接著，光阻掩罩1 1 3會被形成以致於可涵蓋構成 TFT99的P通道TFT之作用層103。然後，使用磷摻雜氣體之離子植入而佈植1 X 1 〇12至5 X 1 01 3原子/ cm2之磷離子。結果，形成濃的N型區（源極及汲極）114 及 115 (圖 1C)。接著，形成光阻掩罩1 1 6以遮蓋構成TFT 9 9的展尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496987 A7 _ _ B7 五、發明說明（15 ) N通道TFT之作用層1〇4及構成圖素TFT的作用層 1 0 5。經由使用乙硼烷摻雜氣體的離子摻雜而植入5 X 1 014至8 X 1 015原子/ cm2劑量的硼離子。結果，形成濃的 P型區117 (源極及汲極）。亦即，藉由上述摻雜而形成濃的N型區（源極及汲極）1 1 4和1 1 5 及濃的P型區（源極及汲極）117 (圖1D)。之後，在450 — 850 °C下，執行熱退火0. 5至 3小時以修復摻所造成的損傷、使被摻雜的離子活化、及恢復矽的晶性。然後，3，000 - 6，000A作爲中間絕緣膜1 1 8的氧化矽膜會經由電漿CVD而形成於整個表面上。.或者，形成氮化矽膜或氧化矽膜和氮化矽膜的多層膜。經由濕蝕刻或乾蝕刻以蝕刻中間絕緣膜1 1 8而形成用於源極及汲極的接點孔。然後，經由濺射而形成2，000 — 6，000A的鋁膜或鈦/鋁多層膜。藉由蝕刻此膜，形成驅動電路的 TFT9 9之電極/接線線1 1 9 一 1 2 1及圖素TFT 的電極/接線線122及123(圖1E)。此外，經由電漿蝕刻而形成1，000 - 3，000A作爲被動膜之氮化矽膜1 2 4，然後被蝕刻以形成到達圖素 TFT1 〇〇的電極1 2 3之接點孔。接著，經由濺射而形成500—1 ，500A的ITO膜（銦錫氧化物），然後，被蝕刻以形成圖素電極125。此外，經由電漿 CVD而形成2，000A的氮化矽膜，然後，被蝕刻成中間層膜1 2 6 (圖1 F )。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------r---»----------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 18 496987 Α7 ___ __Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（16 ) 接著，樹脂材料製成的黑色陣含圖素電極1 2 5的區域中，亦即 TFT之上及包含圖素TFT 1 〇敷、旋轉塗敷或印刷溶液而形成黑液中平均粒徑1 ，0 0 0A的碳黑料中。在1 0 0°C下預烘烤2分鐘蝕刻技術而使膜圖型化，以便在僅外之所有接線及TFT9 9和1 0 127 (圖1G)。此圖型化係藉還強的紫外光（多於2 OmW/c 於圖型化時間不足以允許與氧反應黑色陣列之後，形成P VA (聚乙氧的理由係氧的存在會使得樹脂材膜之品質會因而降低。藉由使用溶解於水中之2. 影溶液而執行顯影。結果，1// 形成於週邊驅動電路9 9、圖素源極接線之上。圖素區的孔徑比藉由結合如此形成的TFT 晶面板。藉由插入5 /zm直徑的，而在整個面板之上形成均勻的此結合及固定，以環氧樹脂黏著區及週邊驅動電路區的圖型。在之後，液晶材料會被插入二基底列1 2 7會形成於未包，形成於驅動電路的 0的接線區上。藉由塗色陣列1 2 7，在該溶會擴散於丙烯酸樹脂材之後，藉由已知的照相除了圖素電極1 25之 0之上，形成黑色陣列由施加比一般圖型化中 m2)而執行的，以致。舉例而言，會於施用烯醇）氧遮蔽膜。遮蔽料與其反應且所形成的 36wt%TMAH的顯 m厚的黑色陣列1 2 7會 TFT100、及閘極/ 例爲6 0 %。基底至相對基底而形成液球形間隔器於二基底之間基底間隙。爲使二基底彼劑將它們密合成環繞圖素二基底被切割成給定形狀之間。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）請先閱讀背. 面之注意事項

Η 頁I I I I I 丽訂 -19 - 496987 A7 B7___ __ 五、發明說明（17 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在液晶顯示裝置中，由於黑色陣列係由樹脂材料所製成’所以，驅動電路T F T與黑色陣列之間的中間絕緣膜具有小至可忽略的電容。雖然，在本實施例中，形成於圖型TF T上的黑色陣列列的部份係由樹脂材料所製成的，但也可由樹脂材料製成。但是，驅動電路上的黑色陣列與圖素TFT上的黑色陣列係以不同材料所製成的，所以會增加製造步驟的數目。也可以不在圖素TFT上形成黑色陣列。實施例2 本實施例係與積體液晶面板的規劃有關，其係根據第一實施例的製造方法而形成的且於其中會有六個面板合而爲一。圖2 A及2 B係顯示根據本實施例的積體液晶面板之一般規劃。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖2 A係積體液晶面板的平面視圖並顯示T F T形成於其上的基底之一般規劃。圖2B係圖2A的A—A/剖面圖。圖2 A及2 B係顯示第一實施例的樹脂黑色陣列 127形成於週邊驅動電路20 1、202及209-2 1 1中的情形。在週邊驅動電路中，由於高度積體，所以，此缺點會以高機率降低產能。根據形成積體電路的經驗法則，基底週邊部份的產能會比中央部份的產能還低。這被認爲是導因於諸如週邊部份中更加可觀的基底變形、週邊部份中機率較高的灰塵存在、及光罩定位誤差等不同因素。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20 - 496987 A7 _ B7 五、發明說明（18 ) 產能的減少係導因於這些不同因素於電路積體度增加時變成更加可觀所致。因此，假使可能的話，爲增加整個裝置的產能，可有效地於基底的中央部份形成高度積體電圖2 A及2 B的液晶面板特徵爲形成彩色影像（r、 G、及B )的第一組面板2 0 3 — 2 0 5及形成另一彩色影像（R / 、G>、及B，）的第二組面板206 -2 0 8會整合在一起，且用於每一水平掃瞄及垂直掃瞄的那些面板會共同使用週邊驅動電路201、20 2及 2 0 9 - 2 1 1。實施例3 本實施例係關於平面膜設於根據第二實施例上有 T F T形成於基底之上的例子。亦即，平面膜4 2 8設於圖素區及有黑色陣列形成的區域中。圖3 A及3 B係顯示本實施例，其中與第二實施相同的參考數字代表相同部份。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製首先，根據第一實施例的製造方法，製造根據第二實施例有TFT形成的基底。圖4A-4G係顯示特定製造製程。首先，經由氧氣氛之濺射或電漿CVD而於玻璃基底 40 1 (第一絕緣基底）上形成1 ，000 -3，000A厚的氧化矽膜，亦即下鍍著氧化膜402。然後，300—1 ，500 A較佳的是500 — 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮) -21 - 496987 A7 B7 五、發明說明（19 ) 1 ，0 0 0A之非晶矽膜會藉由電漿CVD或LPCVD 而形成，並於不低於5 0 0 °C之溫度，較佳的是5 0 0 -6 0 0°C下，藉由熱退火而結晶並改善晶性。在熱退火之後，可執行光學退火（舉例而言，雷射退火）以進一步改善晶性。此外，如同日本專利公開案號6 — 2 4 4 1 0 3 及6 — 2 4 4 1 0 4中所述，於晶化步驟中藉由熱退火而加作用以加速矽的結晶之諸如鎳之元素（催化元素）。

接著，矽膜會被蝕刻成驅動電路的TFT3 9 9之島狀作用層40 3 (用於P通道TFT)和404 (用於N 通道TFT)及陣列電路TFT400的TFT (圖素 T F T )之島狀作用層4 0 5。然後，5 0 0 - 2 0 0 0A的氧化矽閘絕緣膜4 0 6會藉由氧氣氛濺射而形成。或者，可藉由電漿CVD而形成。在此情形下，良好的結果可藉由使用二氧化二氮或氧及矽烷之材料氣體而取得。之後，2，000 — 6，000A的鋁膜會藉由濺射而形成於整個基底表面上。爲防止在後續加熱製程中發生小丘，鋁膜可含有矽、銃、鉑或類似物。閘電極4 0 7 — 40 9係藉由蝕刻鋁膜而形成的（圖4A)。 .然後，使鋁閘電極4 0 7 - 4 0 9陽極化。結果，閘電極4 0 7 — 4 0 9的表面會與作爲絕緣層之氧化鋁層 410—412 —起形成（圖4B)。接著，光阻掩罩4 1 3會被形成以致於可遮蓋構成 TFT399的P通道丁 FT之作用層403。然後，使本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) ij

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22 - 496987 A7 B7 五、發明說明（20 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用磷摻雜氣體之離子植入而佈植1 X 1 〇12至5 X 1 〇13 原子/ C m2之磷離子。結果，形成濃的N型區（源極及汲極）414及415 (圖4C)。接著，光阻掩罩4 1 6會形成爲可遮蓋構成 TFT3 9 9的N通道TFT之作用層40 4及構成圖素之作用層4 0 5。經由使用乙硼烷摻雜氣體的離子摻雜而植入5 X 1 〇 14至8 X 1 015原子/ cm2劑量之硼離子。結果，形成濃的P型區417 (源極及汲極）。亦即’ 藉由上述摻雜而形成濃的N型區（源極及汲極）4 1 4和 415及濃的P型區（源極及汲極）417 (圖4D)。之後，在450 - 850 °C下，執行熱退火0. 5至 3小時以修復摻所造成的損傷、使被摻雜的離子活化、及恢復矽的晶性。然後，3，000 — 6，000A作爲中間絕緣膜418的氧化矽膜會經由電漿CVD而形成於整個表面上。或者，形成氮化矽膜或氧化矽膜和氮化矽膜的多層膜。經由濕蝕刻或乾蝕刻以蝕刻中間絕緣膜4 1 8而形成用於源極及汲極的接點孔。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然後，經由濺射而形成2，000-6，000A的鋁膜或鈦/鋁多層膜。藉由蝕刻此膜，形成驅動電路的 TFT3 9 9之電極/接線線4 1 9 一 42 1及圖素 TFT的電極/接線線422及423(圖4E)。此外，經由電漿蝕刻而形成1，000 — 3，000A作爲被動膜之氮化矽膜1 2 4，然後被蝕刻以形成到達圖素 TFT4 0 0的電極4 2 3之接點孔。接著，經由濺射而本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496987 A7 ____ B7_______ 五、發明說明（2!) 形成500 — 1，500A的ITO膜（銦錫氧化物），然後，被蝕刻以形成圖素電極425。此外，經由電漿 CVD而形成2，0 00厚的氮化矽膜，然後，被蝕刻成中間層膜4 2 6 (圖4 F )。接著，樹脂材料製成的黑色陣列4 2 7會形成於未包含圖素電極4 2 5的區域中，亦即，形成於驅動電路的 T F T之上及包含圖素TF T4 0 0的接線區上。藉由塗敷、旋轉塗敷或印刷溶液而形成黑色陣列1 2 7，在該溶液中平均粒徑1 ，0 0 0A的碳黑會擴散於丙烯酸樹脂材料中。在1 0 0°C下預烘烤2分鐘之後，藉由已知的照相 •蝕刻技術而使膜圖型化，以便在僅除了圖素電極42 5之外之所有接線及TFT3 9 9和4 0 0之上，形成黑色陣列1 2 7。此圖型化係藉由施加比一般圖型化中還強的紫外光（多於2 OmW/cm2)而執行的，以致於圖型化時間不足以允許與氧反應。舉例而言，會於施用黑色陣列之後，形成 PVA (聚乙烯醇）氧遮蔽膜。遮蔽氧的理由係氧的存在會使得樹脂材料與其反應且所形成的膜之品質會因而降低。藉由使用溶解於水中之2. 36wt%TMAH的顯影溶液而執行顯影。結果，1 //m厚的黑色陣列4 2 7會形成於週邊驅動電路399、圖素TFT400、及閘極 /源極接線之上。圖素區的孔徑比例爲6 0%。接著，藉由旋轉塗敷而施加主要由丙烯酸樹脂製成的樹脂溶液於黑色陣列4 2 7及圖素區，以使表面平面化。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 ϋ I .1 · .1 ϋ —.1 meem ·ϋ ϋ < -24 - 496987 A7 r-· __ B7 五、發明說明（22 ) 樹脂液體會藉由1 7 0。(：熱處理3小時，而完全地成爲平面膜428。平面膜428具有1 — 2//m厚度（圖4G )〇如上所述，非丙烯酸樹脂之平面膜4 2 8的實施例包含胺基矽烷改質環氧樹脂及聚醯亞胺。當如同本實施例一般形成平面膜時，平坦定向膜可形成於圖素區中，而改善液晶定向。藉由結合如此形成的T F T基底至相對基底而形成液晶面板。藉由插入5 /zm直徑的球形間隔器於二基底之間，而在整個面板之上形成均勻的基底間隙。爲使二基底彼此結合及固定，以環氧樹脂黏著劑將它們密合成環繞圖素區及週邊驅動電路區的圖型。在二基底被切割成給定形狀之後，液晶材料會被插入二基底之間。在液晶顯示裝置中，由於黑色陣列係由樹脂材料所製成，所以，驅動電路T F T與黑色陣列之間的中間絕緣膜具有小至可忽略的電容。雖然，在本實施例中，形成於圖型TFT上的部份黑色陣列係由樹脂材料所製成的，但也可由樹脂材料製成。但是，驅動電路上的黑色陣列與圖素T F T上的黑色陣列係以不同材料所製成的，所以會增加製造步驟的數目。也可以不在圖素TFT上形成黑色陣列。實施例4 ‘本實施例係關於加入一特點於第一及第三實施例的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再决寫本頁) I · ϋ ·1 ϋ _1 mKmm i·— · 1 ϋ ϋ elm ·ϋ ϋ ϋ - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25 496987 A7 B7 五、發明說明（23 ) (請先閱讀背面之注意事項再«(寫本頁) T F T製程之情形。本實施係關於具有防止被製造的半導體裝置免於因執行電漿C VD或濺射時所施加的高壓脈沖而破裂之製程。圖5 A至5 F及6 A至6 D係顯示根據本實施例之一般製程。首先說明圖5 A的步驟。經由電漿C VD或濺射，於玻璃基底5 0 1上形成作爲下方膜（未顯示）之 3，000A厚的氧化矽膜。或者，基底50 1也可爲石英基底。接著，經由電漿CVD或低壓熱CVD而形成作爲主動層5 0 2的啓始膜之5 0 0A厚的非晶矽膜。藉由加熱及/或雷射光而使非晶矽膜結晶，以取得結晶矽膜（未顯示）。或者，經由低壓熱CVD或電漿CVD以直接形成結晶矽膜。藉由使用第一光罩，使因此而形成的結晶矽膜圖型化成用於薄膜電晶體之作用層502(見圖5A)。接著，經由電漿CVD以形成作爲閘絕緣膜之 1，000A的氧化矽膜500。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此外，經由濺射或電子束蒸鍍，形成用於第一層接線 506 — 508之鋁膜（未顯示）。爲於後續步驟中，抑制小丘及鬚狀之發生，鋁膜含有 S c、Y或至少一選自鑭系及锕系之元素，是有效的方法。在此實施例中，Sc係以〇· lwt%包含於鋁膜中。小丘及鬚狀物係針狀或刺狀凸出物，係於膜被加熱至高於3 0 0 °C或被雷射光照射時，形成於鋁膜表面之上。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26 - 496987 Α7 ____ _ Β7 五、發明說明（24 ) 此外，非常薄、於鋁膜（未顯示）表阻掩罩503-50 含有含水氨，執行陽極爲陽極及陰密陽極氧化膜之厚度般係由施加，於鋁膜上使用的電解液板分別作之厚度經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然後形成於鋁罩5 0 3 二光罩形接著圖型化成連接閘線極化中以 5 A中所接著使用草酸氧化膜5 驟中的第 )之間的膜上的濃密一 5 0 5 與成光阻掩罩，藉由使用閘極5 0 6 和源極線之供應電流之示的狀態。，光阻掩罩之3 %含水 0 9-51 一層接線5 濃密的面之上 5之黏中和的化處理極，於設定爲電壓所形成光陽極氧鋁膜之 5 0 3 光阻膜和自此短路線接線的陽極，以著性 3 % 。亦電解 15 控制阻掩化膜間取一 5 氧化膜（未顯示）會形成改善被形成於鋁膜上的光〇酒石酸之乙烯乙二酸溶液即，陽極化係以鋁膜及鉑液中執行的。所產生的濃 0A。濃密的陽極氧化膜〇罩5 03 - 505。藉由 (未顯示），可於光阻掩得較佳的黏著性。使用第 0 5 〇掩罩503 - 505，使鋁膜延伸、及部份的閘線（未顯示）、用以用於稍後的閘極5 0 6陽 508。因此，可取得圖請先閱讀背· 面之注意事項

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電解，而於由於光阻掩罩5 506 — 508 上， 5 0 3及5 0 5會保留成原狀，藉由溶液而形成圖5 B中所示的多孔陽極 1。特別的是，藉由形成於圖5A步 0 6 - 5 08 (陽極）與銷板（陰極上述含水溶液中執行陽極化。 0 3 - 5 0 5分別存在於個別鋁圖型所以電解液並不會與鋁圖型5 0 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -27 - 496987 A7 _^ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（25 ) 5 0 8的上表面接觸並因而使陽極化僅於個別圖型5 0 6 一508的側面上進行此陽極化係藉由電數字5 0 8代表其部份則會造成所產生的陽極有不同厚度。特別的是面積液晶面板而言，是多孔陽極氧化膜5 極化時間而控制之，並 1 ，00A的範圍內。 509 — 51 1之厚度 5，000A低濃度雜多孔陽極氧化膜5 0 9 如同稍後之詳述，有下述重要角色： -低濃度雜質區（ -抑制第一層與第在多孔陽極氧化膜 5 B )，光阻膜503 除去，然後，1 5 0 A 會被除去。之後，形成濃密的於抑制小丘及鬚狀之產使用含有含水氨中解，經 )而執氧化膜，電流必須的由陽極化電流供應線（參考行的，以防止電壓下降，否於主動陣列區的相對端處具供應線的使用，對於生產大 0 9 — 5 1 1的生長距離可藉由陽可選擇成約3，000 — 在本實 (生長質區（稍後形成）的尺寸一般可由的生長距離所決定。多孔陽極氧化區509—511具一般稱爲LDD區）之形成；及二層接線的交接點處之缺陷產生。 509 - 511形成之後（參見圖一 505 (未顯示於圖5B)會被厚的濃密陽極氧化膜（未顯示）也陽極氧化膜512—514，其對生是相當有效的。和的3 %酒石酸之乙烯乙二酸溶液施例中，多孔陽極氧化膜距離）會設定於本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）一 28 - 請先閱讀背. 面之 ' 注意事. 項再赢本頁 I 訂 496987 A7 B7 五、發明說明（26 ) 的電解液，形成濃密的陽極氧化膜5 1 2 — 5 1 4。在本步驟中，由於電解液會進入多孔陽極氧化膜 509—511 ，所以濃密的陽極氧化膜512-514 會形成於殘餘的鋁電極及接線5 0 6 - 5 0 8的表面上。而且，在本陽極化步驟中，經由用於陽極化的電流供應線（參考數字5 0 8代表其部份），供應陽極化電流，以使產生於整個主動陣列區之上的陽極氧化膜之厚度均勻〇濃密的陽極氧化膜512—514之厚度會設定於 8 0 0A。假使濃密的陽極氧化膜5 1 2 - 5 1 4的厚度製造得較厚時（舉例而言，大於2，0 0 0 A )，則稍後形成於作用層中的偏移區也製成較厚。但是，爲達此目的，施加電壓必須增加至高於2 0 0 V，對生產力及安全操作而言，此點並不佳。因此，在本實施例中，爲取得抑制小丘和鬚狀的產生及提高崩潰電壓之效果，濃密的陽極氧化膜5 1 2 — 5 1 4的厚度會設定於800A。上述步驟的結果爲，形成如圖5 B所示之閘極及閘線 5〇6 ，其尺寸藉由陽極化而小於圖5A中的對應尺寸。濃密的陽極氧化膜513和514及多孔陽極氧化膜 5 1 0和5 1 1也會延著連接閘線5 0 6和源極線之短路線部份5 0 6及用於閘極5 0 6的陽極化之電流供應線的部份508而設置。因而取得圖5 B的狀態。之後，氧化矽膜5 0 3曝露部份會被移去以形成薄膜電晶體作用層5 0 2中的低濃度本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂---------線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -29 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496987 A7 B7 五、發明說明（27) 雜質區。因此，可取得圖5 C的狀態，其中氧化矽膜 515 — 517會保留。接著，多孔陽極氧化膜5 0 9 — 5 1 1會被除去（參見圖5D)。它們可以藉由使用磷酸、乙酸及硝酸等的混合酸而選擇性地被除去。在本狀態下，雜質離子會被植入以形成薄膜電晶體的源極及汲極區。特別的是，磷離子會被植入以形成N通道薄膜電晶體。爲形成P通道電晶體而非N通道電晶體，會植入硼離子。在本步驟中，源極區5 1 8及汲極區5 2 2與低濃度雜質區5 1 .9和5 2 1會以自我對齊之方式而形成。形成於通道形成區5 2 0及汲極區5 2 2之間的低濃度區 5 2 1通常稱爲低摻雜汲極（圖5D)。低濃度雜質區5 1 9及5 2 1對於製造具有小偏移電流特性的薄膜電晶體是非常有效的。特別的是，由於具有小偏移電流特性是必須的，所以，藉由形成低濃度雜質區而取得小偏移電流特性，對於主動陣列區中每一圖素中所設置的薄膜電晶體而言是有利的。在雜質離子佈植之後，會施加雷射光以使被布植的雜質離子化活化並使離子佈植所損傷的區域退火。在本操作中，先前形成的濃密陽極氧化膜5 1 2 — 5 1 4會防止小丘及鬚狀發生於閘極5 0 6及接線5 0 7和5 0 8處。接著，經由使用TEOS材料氣體之電漿CVD，形成作爲第一中間層絕緣膜5 2 3之4，Ο Ο 0 A厚的氧化本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I ^1 1_1 -1 1 Mmmmw 一δ,ν _ 1 1 ϋ ·ϋ n ·>1 ΛΕβ I · -30 - 496987 A7 B7 五、發明說明（28 ) 矽膜。 (請先閱讀背面之注意事項再寫本頁) 或者，中間層絕緣膜可爲氮化矽膜或氮氧化矽膜。在形成氮化矽膜的情形下，電漿CVD可以與氨材料氣體一起使用。在形成氮氧化矽膜的情形下，電漿CVD可以與 T E 0 S及N20材料氣體一起使用。關於進一步的另一種可能，爲第一中間層絕緣膜 5 2 3爲選自氧化矽膜、氮化矽膜及氮氧化矽膜之眾多膜之疊層膜。之後，藉由使用第三光罩而形成穿過第一中間層絕緣膜5 2 3之接點孔，以取得圖5 E之狀態。然後，形成均由鈦膜、鋁興及鈦膜所構成的三層膜之第二層電極及接線。由於鈦膜僅被用以取得良好接點，所以，鈦膜的厚度可能小於數百埃。在本步驟中使用第四光罩。雖然，第二層接線層的每一層均爲單層鋁膜，所以，上述三層膜會被用於本實施例中，以取得與其它電極及接線之良好接觸。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製必須使用不同的蝕刻劑以蝕刻鈦膜及鋁膜。在本實施例中，會使用過氧化銨蝕刻鈦膜，並使用鋁混合酸蝕刻鋁膜。因此，可取得圖5 F之狀態。在圖5 F中，參考數字 5 2 4係代表源極及接線，而5 2 5係代表閘極。雖然未顯示於圖5 F ’閘極5 2 5會被形成爲可自閘線5 0 6延伸。接線及電極5 2 4和5 2 5爲第二層接線。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31 - 496987 A7 ___ B7 五、發明說明（29 ) 第二層接線之源極線524及閘極（閘線）525會經由短路線而彼此連接。此結構會消除源極線5 2 4與閘極525之間的電壓差。源極線5 2 4會形成爲與陽極化電流供應線5 0 8交會’亦即通過，第一中間層絕緣膜5 2 3會插入於二者之間。圖5 F亦顯示仿電極（爲便於說明稱爲電極）526 - 5 28，其並不作爲電極或接線，而是用於稍後的分割步驟。亦即，在它們係在最後步驟中扮演分割接線5 0 7 及5 0 8之角色。接著，形成作爲第二中間層絕緣膜5 2 9的 4，000A厚的氧化矽膜。或者，第二中間層絕緣膜 5 2 9可爲氮化矽膜、氮氧化矽膜、或這些絕緣膜及氧化矽膜所構成的疊層膜。在第二中間層絕緣膜5 2 9形成期間，源極線5 2 4 及閘極5 2 5會經由短路線5 0 7而彼此短路。因此，電漿在源極線5 2 4及閘極5 2 5之間產生電壓差，而此電壓差接著會以靜電方式使閘絕緣膜515(氧化矽膜）崩潰之情形，可以被避免。接著，使用第五光罩形成接點孔520 — 522，以取得圖6 A之狀態。參考數字5 3 0係代表接點孔，此接點孔係用於汲極區5 2 2、對分割接線5 9 7而言是必須的開口 5 3 1 、及對分割接線5 0 8是必須的開口 5 3 2 和 5 3 3 。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

--------訂---------線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496987 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（30 ) 在此步驟中，源極及表面會曝露，稍後作爲外 5 2 4會連接至用以驅動而端點5 3 4係週邊驅動複雜化，週邊驅動電路並接著，藉由濺射而形以取得圖6B的狀態。然極5 3 5圖型化成圖素電在形成圖素電極5 3 的不須要部份之後，繼續第二層接線.）5 2 6 - 5 5 0 8之孔亦即，開口 1 - 層接線，因此，接線5 0 在上述蝕刻中，由於層膜，所以，對於個別膜因此，取得圖6C之極5 3 6藉由圖型化而形用新的光罩。接線524的尾端部份534之部導出端。事實上，源極線主動陣列電路的週邊驅動電路’ 電路的外部端點。但是’爲避免未顯示於圖6 A - 6 D ° 成構成圖素電極的I TO電極’ 後，使用第六光罩，將IT〇電極 5 3 6 〇 6時，在除去I TO電極5 3 5 蝕刻以形成穿過電極（仿電極： 2 8及第一層接線5 0 7和 5 3 3會延伸通過第二層及第一 7及508會被分割。每一第二接線係鈦膜及鋁膜的疊而言，須要使用不同的蝕刻劑。狀態。由於上述步驟係與圖素電成時，同時執行的，所以無須使第一層及第二層接線可以同時除去的理由在於僅有金屬材料可以被選擇性地除去，而氧化矽膜的絕緣膜等會留下。在上述步驟中，I TO膜5 3 7的一部份會被留在自源極線5 2 4延伸的液晶面板之導出電極5 3 4的表面上本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）請先閱讀背面之注意事項

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五、發明說明（31 ) 。此I T 0膜係作屬接線或與導出端及相互擴散。爲了下述原因部份532及53 程中，摩擦的橡膠，然後，執行摩擦 5 0 8係以電氣方 524與接線50 如圖6 C所示及二區域處被分割圖7係圖6 C 爲緩衝層，用以 5 3 4相接觸的防止導出端5 3 4與金導電板等二者之間腐蝕

，用於陽 3處被分樹脂膜會以使液晶式處於浮 8之間產，接線5 。分割部的A — A 極化的割。在形成爲定向。動狀態生不須 0 7及份會被 /剖面電流供的部份應線5 液晶面二中間作中，，可防壓差。會分別如同所如圖7 5 0 8 因先前 0 8會於皮組合製層絕緣膜由於接線止源極線於一區域需。 C所示，以提供交形成多孔電流供後續的遮蓋第在此操，所以要的電 5 0 8 設定成視圖0 應接線 7 0 1 先閱讀背. 面之注意事項

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製源極線會。必陽極氧因坡表面在會形成電路T 藉由塗 5 3 8 於丙烯，藉由 5 2 4會通過陽極化須注意，接線5 0 8 化膜而具有步階狀。此，第一中間層絕緣膜5 2 4因步脂材料的區域，可防止源極線5 2 圖6C的狀態中，樹於除了圖素電極之外 FT及包含圖素TF 敷，經由旋轉鍍著或，在該溶液中均均粒酸樹脂材料中。在執已知的照相蝕刻技術 T的接印刷一徑1，行1 0 ，使膜 3的部份7 0 2會有緩階存在而被切割。製成的黑色陣列5 3 8 中。亦即，形成於驅動線區之上（圖6 D )。溶液而形成黑色陣列 0 0 0A的碳黑會擴散 0 °C預烘烤2小時之後圖型化以便在僅除了圖本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -34 - 496987 A7 B7 五、發明說明（32) 素電極之外的所有接線及τ F T之上，形成黑色陣列 5 3 8。此圖型化係藉由施加較一般圖型化強的紫外光（大於2 OmW/cm2)而執行的，以致於圖型化時間並不足以與氧反應。而且，舉例而言，PVA (聚乙烯醇）氧遮蔽膜會於施加黑色陣列之後形成。遮蔽氧的理爲氧的存在會使得樹脂材料與其反應且所產生的膜品質會因而降低。具有2. 36wt%TMAH溶解於水之顯影液會用以執行顯影。結果，於週邊驅動電路、圖素TFT、及閘極/源極接線之上，形成1 /zm厚的黑色陣列5 3 8。圖素區的孔徑比爲6 0 %。藉由結合如此形成的T F T基底於相對基底而形成液晶面板。藉由插入5 // m直徑的球體間隔器於二基間，而使整個面板之上的基底間隙均勻。爲使二基底彼此結合及固定，以環繞圖素區與週邊驅動電路區之圖型，使用環氧樹脂黏著劑密封此二基底。在二基底被切割成給定形狀之後，液晶材料會注入於二基底之間。在如此形成的液晶顯示裝置中，由於黑色陣列5 3 8 係由樹脂材料所製成，所以，驅動.電路T F T與黑色陣列 5 3 8之間的中間層絕緣膜具有小至可忽略的電容。在形成黑色陣列5 3 8時，會以黑色陣列5 3 8材料填充開口 5 3 1 - 5 3 3。由於材料係爲樹脂材料，所以，以黑色陣列5 3 8的材料填充開口 5 3 1 - 5 3 3對於提供筒可靠度是有效的。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） · - 35 _ (請先閱讀背面之注意事項再«(寫本頁) 1111111. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 496987 A7 _ B7 五、發明說明（33 ) 圖8係顯示主動陣列液晶面板的主動陣列電路之部份 ’此電路係用於本實施例中。圖8並未包含用以輸入驅動訊號至源極線5 2 4及閘極線5 2 5之週邊驅動電路。在圖8的規劃中，閘極線5 2 5及源極線5 2 4係藉由短路線5 0 7而被短路的。短路線5 0 7會於圖6 C步驟中，被開口531分割。在圖6 C的步驟中，陽極化電流供應線5 〇 8會被開口 5 3 2及5 3 3分割。源極線524會通過延伸於分割部份之間的電流供應線5 0 8之上，中間層絕緣膜5 2 3 會插入於二者之間。實施例5 本實施例係關於諸如圖6 C中所示之開口 5 3 2及 5 3 3所分割的第一層接線之形狀。舉例而言，一旦完成陽極化，接線5 0 8會變成不須要。但是，必須注意，由區域性不正常放電所引起的脈沖電流會於第一中間層絕緣線5 2 3或第二層絕緣線5 2 9形成期間，流經長接線 5 0 8 ° 在形成第一中間層絕緣線5 2 3或第二中間層絕緣線 5 2 9時，接線5 0 8會連接至每一閘極。因此，假使脈沖電流流經接線5 0 8，則脈沖電壓會施加至每一閘電極〇爲解決此問題，在本實施例中，如圖9 A所示，接線 5 0 8會於分割部份具有托架狀，以致於使脈沖電流會於本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再本頁) -ϋ n ϋ ϋ ϋ ·ϋ mmmaf J 丨，· iw ϋ ϋ ϋ I ^1 ϋ I ι 言矣j 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36 - 496987 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（34 ) 這些部份消失或衰減。圖9 A及9 B係顯示分割之前及之後的狀態。托架狀部份會由圖6 C中所示的開口 5 3 2及5 3 3 除去。雖然此規劃會要求開口 5 3 2及5 3 3增加尺寸，但是，假使考慮最後填充的黑色陣列材料之黏滯性特時，開口 5 3 2及5 3 3尺寸的增加是較佳的。實施例本膜5 3 情形。，會藉 5 3 9 根於週邊色陣列動電路藉能簡單面板的 6 實施例 9形成在藉由由同於。圖1 據本發驅動電之間的的延遲由使用並減少藉由適 rCst* Bbte πώ：積體度係關於於圖素同於第第三實 0顯示明，在路之上中間層時間，本發明其製造當安排，仍可第四實區及黑四實施施例之一實施液晶顯的結構絕緣膜而可以，可使成本，週邊驅避免產施例的色陣列例之製平面膜例。示裝置，可防中產生產生高液晶顯但卻可動電路能減少 TFT製程之後，平面形成於其中的區域中的程而形成黑色陣列之後形成方法而形成平面膜中，使用黑色陣列形成止驅動電路T F T與黑電容。結果，可減少驅解析度影像。示裝置的整體結構儘可產生高品質影像。此外，所以，即使增加液晶請先閱讀背面之注意事項

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Claims

496987 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8夂、申請專利範圍 1. 一種主動式矩陣光電裝置，其包括：一基底；一圖素電極，被提供於該基底之上；至少一電晶體，與該圖素電極相連接並被提供於該基底之上，該電晶體包括一由非晶矽所做的通道形成區；以及一光遮蔽、層，包括被提供在該電晶體之上相鄰於該基底的樹脂，其中該樹脂包含具有0.1微米或0.1微米以下之平均直徑的炭黑。 2. —種主動式矩陣光電-置，其包括：一基底；一圖素電極，被提供於該基底之上； V *' 至少一電晶體，被提供於用來驅動該主動式矩陣電路之周邊驅動電路中，該周邊驅動電路被配置在該基底之上在該主動式矩陣電路的附近，該電晶體包括一由非晶矽所做的通道形成區；以及一光遮蔽層，包括被提供在該電晶體之上相鄰於該基底的樹脂，其中該樹脂包含具有0.1微米或〇.1微米以下之平均直徑的炭黑。 3· —種主動式矩陣光電裝置，其包括：一基底；一電晶體，被提供於該基底之上並包括一由非晶矽所 (請先閱讀背面之注意事項再 -裝___ :一^本頁： . -丨線】本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） - 38 - 496987 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍做的通道形成區；以及一光遮蔽層，包括被提供在該電晶體之上相鄰於該基底的樹脂，其中該樹脂包含具有0.1微米或〇.1微米以下之平均直徑的炭黑。 4·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該光遮蔽層覆蓋該圖素電極的側邊邊緣。 5·如申請專利範圍第2項之裝置，其中該光遮蔽層覆蓋該圖素電極的側邊邊緣。 6 ·如申請專利範圍第1項之裝置，更包括一被提供在該基底之上的平面樹脂膜，其中該平面樹脂膜提供一平面化表面於該基底的整個表面.之上。 7·如申請專利範圍第2項之裝置，更包括一被提供在該基底之上的平面樹脂膜，其中該平面樹脂膜提供一平面化表面於該基底的整個表面之上。 8. 如申請專利範圍第3項之裝置，更包括一被提供在該基底之上的平面樹脂膜，其中該平面樹脂膜提供一平面化表面於該基底的整個表面之上。 9. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中該至少一電晶體包括被提供在該基底之上的一 P通道電晶體及一 N通道電晶體，以及其中該光遮蔽層被提供在該P通道電晶體及該N通道電晶體之上 ° 1 〇 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中該光電裝本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再 · 11 本頁) 11 ! 111 訂----— II--*3^ · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - 39 - 496987 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍置係液晶顯示器。 1 1 ·如申請專利範圍第2項之裝置，其中該光電裝置係液晶顯示器。 1 2 _如申請專利範圍第3項之裝置，其中該光電裝置係液晶顯不器。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之裝置，更包括一中間層絕緣膜被提供在介於該電晶體與該光遮蔽層之間。 14.如申請專利範圍第2項之裝置，更包括一中間層絕緣膜被提供在介於該電晶體與該光遮蔽層之間。 1 5 .如申請專利範圍第3項之裝置，更包括一中間層絕緣膜被提供在介於該電晶f與該光遮蔽層之間。 1 6 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該電晶體係薄膜電晶體。 1 7 ·如申請專利範圍第2項之裝置，其中該電;晶體係薄膜電晶體。 1 8 ·如申請專利範圍第3項之裝置，其中該電晶體係薄膜電晶體。 1 9 ·如申請專利範圍第1 3項之裝置，其中該中間層絕緣膜包括_梦氮化物。 20.如申請專利範圍第14項之裝置，其中該中間層絕緣膜包括矽氮化物。 2 1 .如申請專利範圍第1 5項之裝置，其中該中間層絕緣膜包括矽氮化物。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）一 40 - (請先閱讀背面之注意事項 —裝--- 再本頁) . •線·