KR930003266A - 평탄화 재료 및 평탄화 방법 - Google Patents

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KR930003266A
KR930003266A KR1019920012769A KR920012769A KR930003266A KR 930003266 A KR930003266 A KR 930003266A KR 1019920012769 A KR1019920012769 A KR 1019920012769A KR 920012769 A KR920012769 A KR 920012769A KR 930003266 A KR930003266 A KR 930003266A
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KR
South Korea
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thermosetting agent
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resin
hydrogen atom
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KR1019920012769A
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마쓰무라 고사부로
아까시 미쓰마사
쓰쓰미 요시따까
하세가와 마사즈미
Original Assignee
다시로 마도까
도소오 가부시끼가이샤
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내용 없음.

Description

평탄화 재료 및 평탄화 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 할레이션 방지제로서 2,2′,4,4′-테트라히드록시벤조페논을 사용한 실시예 17에서 형성된 평탄화 막의 스펙트럼 특성을 나타내는 그래프이다,
제2도는 2,2′,4,4′-테트라히드록시벤조페논 대신에 2-히드록시-4-메톡시벤조페논을 사용한 경우 유가한 스펙트럼 특성을 나타내는 그래프이다,
제3도는 실시예 17, 19 및 20의 평탄화 재료에 대하여 경화시간에 따른 투과율의 변화를 나타내는 그래프이다,
제4도는 실시예 6, 21 및 22에서 형성한 평탄화막의 건조 에칭 내구력의 측정결과를 나타내는 그래프이다,
제5도는 실시예 23 및 24및 참고예 6에서 형성한 평탄화 필름의 내열성 시험의 결과를 나타내는 그래프이다,
제6도는 실시예 42∼45의 평탄화 재료의 경화특성을 나타내는 그래프이다,
제7도는 실시예 48∼50의 평탄화재료의 경화 특성을 나타내는 그래프이다,
제8도는 여러 온도에서 경화했을때 실시예 51의 평탄화 재료의 경화 특성을 나타내는 그래프이다.

Claims (11)

  1. 평탄화 단계에 있어서의 사용온도를 200℃ 미만으로 설정가능한 수지 및 멜라민계 열경화재 및/또는 에폭시계 열경화제로 이루어진 것을 특징으로 하는 평탄화 재료.
  2. 제1항에 있어서, 평탄화 단계에 있어서의 사용온도를 200℃ 미만으로 설정가능한 수지가 아크릴계 수지인 것을 특징으로 하는 평탄화 재료.
  3. 제1항에 있어서, 평탄화 단계에 있어서의 사용온도를 200℃ 미만으로 설정가능한 수지가 하기 일반식(1)로 표시되는 구조단위로 이루어진 아크릴계 수지이며, 열경화제가 하기 일반식 (2)로 표시되는 구조단위로 이루어진 멜라민계 열경화제 및/또는 에폭시계 열경화제인 것을 특징으로 하는 평탄화 재료.
    [식중, R1, R2, R3은 각기 수소 또는 메틸기를 나타내고, A1, A2, A3은 각기 OB1또는 NB2B3을 나타내고, B1, B2, B3은 각기 수소원자, C1∼6알킬기, 알케닐기 또는 히드록시 알킬기 C2∼12에폭시기, C6∼12아릴기 또는 C7∼12의 아르알킬기를 나타내고, x, y, z는 각각 0을 포함하는 양수이며, 또한 하기식을 만족한다 :
    O≤X/(x+y+z)≤1
    O≤y/(x+y+z)≤1
    O≤z/(x+y+z)≤1]
    [식중, Y는 -NX5X6또는 페닐기를 나타내고, X1∼X6은 각기 수소원자 또는 -CH2OZ를 나타내고, Z는 수소 또는 C1∼5알킬기를 나타낸다.]
  4. 제1항에 있어서, 평탄화 단계에 있어서의 사용온도를 200℃ 미만으로 설정가능한 수지가 아크릴계 수지이며, 열경화제가 멜라민계 열경화제 및/또는 에폭시계 열경화제이며, 상기 수지, 상기 열경화제, 상기 할레이션(halation) 방지제 중 적어도 하나와 부가 반응 가능한 관능기를 갖는 할레이션 방지제를 더 함유하여 이루어진 것을 특징으로 하는 평탄화 재료.
  5. 제4항에 있어서, 평탄화 단계에 있어서의 사용온도를 200℃ 미만으로 설정 가능한 수지가 하기 일반식 (3) 또는 일반식(4)로 표시되는 구조 단위로 이루어진 아크릴계 수지이며, 열경화제가 하기 일반식(3)에 표시되는 구조단위로 이루어진 멜라민계 열경화제 및/또는 에폭시계 열경화제이며, 할레이션 방지제가 하기 일반식 (5)로 표시되는 구조단위로 이루어진 벤조페노계 화합물인 것을 특징으로 하는 평탄화 재료.
    [식중, Y는 -NX5X6또는 페닐기이고 X1∼X6은 각기 수소원자 또는 -CH2OZ이며, Z는 수소원자 또는 C1∼5알킬기이다.]
    [식중, R4, R5, R6은 각기 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, A4, A5는 각기 OB4또는 NB5B6을 나타내고, B4, B5, B6은 각기 수소원자, C1∼6알킬기, 알케닐기 또는 히드록시 알킬기, C2∼12에폭시기, C6∼12아릴기 또는 C7∼12아르알킬기를 나타내고, x, y, z는 각각 0을 포함하는 양수이며 하기식을 만족한다 :
    O≤X/(x+y+z)≤1
    O≤y/(x+y+z)≤1
    O≤z/(x+y+z)≤1]
    [식중, R7, R8, R9는 각기 수소 또는 메틸기를 나타내고, A6, A7은 각기 OB7또는 NB8B9를 나타내고, B7, B8, B9는 각기 수소, C1∼6알킬기, 알케닐기 또는 히드록시알킬기, C2∼12에폭시기, C6∼12아릴기 또는C7∼12아르알킬기를 나타내고, x, y, z는 각기 0을 포함하는 양수이며 또한 하기식을 나타낸다 :
    O≤X/(x+y+z)≤1
    O≤y/(x+y+z)≤1
    O≤z/(x+y+z)≤1]
    [식중 R10∼R18은 각기 수소원자 또는 -OW를 나타내고, W는 수소원자 또는 C1∼5알킬기를 나타내며, 단 R10∼R18중 적어도 하나는 -OH 이다. ]
  6. 제1항 내지 5항중 어느 한 항에 있어서, 가열에 의해 촉매활성을 발현하며, 상기 수지, 상기 열경화제, 상기 할레이션 방지제, 상기 경화촉매중, 적어도 하나와 부가반응 가능한 관능기를 갖는 경화 촉매를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 평탄화 재료.
  7. 제6항에 있어서, 경화 촉매가 하기 일반식(6)에 표시되는 방향족 아민 및/또는 적어도 하나 이상의 -COOH기를 갖는 산 무수물인 것을 특징으로 하는 평탄화 재료.
    [식중, Rl9∼R21은 각기 수소 또는 C1∼5알킬기를 나타내고, 단 R19∼R21중 적어도 하나는 수소원자이며, D는 메틸렌기, 카르보닐기, 술피드기, 술폭시드기 또는 술폰기를 나타낸다. ]
  8. 제1항 내지 5항중 어느 한 항에 있어서, 촉매활성을 발현하는 산 발생제계 경화촉매를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 평탄화 재료.
  9. 제8항에 있어서, 경화 촉매가 오늄염계 화합물인 것을 특징으로 하는 평탄화 재료.
  10. 제1항 내지 5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 평탄화 재료를 용매에 용해시킨 용액의 형태인 것을 특징으로 하는 평탄화 재료.
  11. 제1항 내지 10항 기재의 평탄화 재료를 표면 요철을 갖는 기판상에 도포하여 막을 형성시킨 후 가열하여 막을 유동 및 열경화시키는 것을 포함하는 요철을 갖는 기판의 평탄화 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920012769A 1991-07-16 1992-07-16 평탄화 재료 및 평탄화 방법 KR930003266A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6587169B1 (en) 1995-10-12 2003-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having black matrix
US6900855B1 (en) 1995-10-12 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having resin black matrix over counter substrate

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KR100386201B1 (ko) * 1995-10-12 2003-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 디스플레이장치
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US8094254B2 (en) 1995-10-12 2012-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device comprising a light shielding layer surrounding a transparent conductive film and a portion of said light shielding layer extends over and said transparent conductive film

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