TW495863B

TW495863B - System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment

Info

Publication number: TW495863B
Application number: TW090119596A
Authority: TW
Inventors: Samantha Tan
Original assignee: Chem Trace Inc
Priority date: 2000-08-11
Filing date: 2001-08-10
Publication date: 2002-07-21
Also published as: EP1320879A4; US20120211468A1; US20050085400A1; EP1320879A1; US20050045209A1; AU2001286453A1; US20140190937A1; WO2002015255A1; US20040045574A1; US20060180180A1; US6810887B2; US20170232784A1

Description

495863 A7 B7 五、發明説明（I ) 發明背景一般商用的半導體晶片製程使用4到12吋矽晶圓。通常完成晶片製作需要超過1〇〇個步驟，這些步驟包括氧化、擴散、離子植入、導體層和絕緣體層的沉積、微影和鈾刻等步驟。其中許多的導電層或絕緣層以幾個微米 (microns)的厚度均勻沉積在晶圓上。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在嚴格要求的應用中，一些半導體製程設備的新部件在安裝前，需要先淸洗以去除機械加工或製造過程中所殘留的污染物，以符合半導體製程中所需的潔淨度。此外，在處理許多晶圓之後，半導體製程設備也會被污染，導致不能使用。例如在蝕刻製程中，聚合物會沉積在電極或晶圓基座（chuck)的表面。當沉積物的厚度過厚時，會導致晶圓和電極連通而干擾製程。此一現象會造成不均勻飩刻現象，及因晶圓上黏住在電極上之聚合物，導致失真的轉印電路。若不均勻度超過7 %，則會超過某些晶圓的特性限制，影響晶圓上周壁的平整度。除此之外，在設備的其他部分，如頂蓋/圓頂（roof/dome )及內襯（liner)部分也會堆積聚合物或污染物，並助長金屬或有機不純物堆積於晶圓上。如此一來，設備中的這些部件必須拆下來並分別逐一淸潔。一般半導體工廠會將半導體製程設備部件的淸潔交由專業淸潔公司處理，這些淸潔公司通常會根據由設備製造商所提供的方法（recipes)來淸理。這些方法會包含如何清理設備部件的資訊。但是在晶圓製程中有許多變因，使 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X2.97公釐） 495863 A7 _____B7 五、發明説明（1) 用後過腔體（chamber )的聚合物和污染物濃度不同，因此只依循一種淸潔方法不能保證製程設備一定可以被淸潔乾淨。此外，在實施淸理方法後，一般的淸理公司不會測試部件來確保其潔淨程度，而且對方法中的淸潔步驟是否有效並沒有槪念。在這種狀況之下，許多半導體部件淸理後回到工廠時’並沒有被淸潔乾淨，且仍含有過量的污染物。這些部件上的污染物可能會導致高粒子濃度而污染晶圓，或設備不能運轉，必須拆除重新淸理，延長設備停工的時間。綜上所述，可以加強淸潔並檢驗半導體製程設備潔淨度的方法和系統是必須的。淸潔的方法必須有彈性可隨狀況變通，且能夠減少或淸除設備的污染物，縮短淸潔步驟間的平均時間（mean time between cleanings，MTBC )，降低淸潔部件所需時數及半導體淸潔設備不能運轉的時間。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製擁有測試並確定步驟淸理成效能力的新淸潔方法，可以用於淸理潔淨度求嚴格的腔體部件。嚴格要求潔淨度的腔體部件通常由一些基材，如陶瓷（氧化鋁，Al2〇3、碳化矽，Sic及氮化鋁，A1N)和石英（二氧化矽，Si02)，所組成。由這些基材所製出的腔體部件價格昂貴，其選擇原因是不易被金屬化合物，有機化合物及粒子污染。有了新的淸潔方法，這些潔淨度要求嚴格的腔體部件可以有效的淸潔並且重複使用，以降低成本。在習知技術中，淸潔部件需要使用高濃度的酸液和其他淸潔劑。例如淸理石英的典型酸浴（typical acid bath) 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 495863 A7 B7 五、發明説明（3 ) 是由一份氫氟酸，一份硝酸和一份水混合而成。不幸的，如此高濃度的強酸水溶液產生許多缺點。其中一項是高濃度的酸液會經由產生刻痕、腐蝕及留下凹痕等方式破壞部件的表面。高濃度酸液還有價格昂貴，高危險且不易丟棄等缺點。發明摘要本發明以提供半導體製程設備及部件的強化淸潔程序，來解決以上問題。在一較佳實施例中，決定一符合淸潔部件的定義及特徵。接著需要淸理的部件經由測試，確定其不純物濃度。依部件之基材、其上之沉積物的種類和 -黏著的特性、粒子的產生方式和反應性，決定一可降低不純物濃度的淸潔程序。以適當的淸潔程序實施於部件上，降低不純物濃度並測試以確定部件已被淸潔。不純物的種類有很多種，但是一般可分爲金屬、粒子和有機聚合物等幾種分類。本發明的一較佳實施例中，在每次實施淸潔程序後重複偵測不純物濃度，以降低淸潔程序缺陷。此外，在本發明的程序中，藉由測試來瞭解欲淸潔部件的特徵，加上增加偵測解析度的方式可以達到降低不純物濃度到特定値的目標。而且部件可以確切的符合半導體製程所需的潔淨程度或統計上有意義的測試數値。淸潔程序還可以經由直接測量部件的潔淨程度，瞭解不純物增加的數目和部件尙可工作的時間關係來對製程做改進，以及最終增進晶圓的良 .4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495863 A7 B7 五、發明説明（+ ) 率。利用雙重測試槪念，包括淸潔程序中及淸潔程序完成後的測試，淸潔程序可以更符合個別顧客需要，以胃佳{七的方式進行淸潔，且對每一種淸潔度要求嚴格的部件皆可有效淸潔。更有利的是在較佳實施例中，本發明所使用的稀釋化^ 學溶液可降低淸潔程序的價格。且使用過後的化學品医|含較少量強酸，更容易丟棄且危險性低，也較不易傷害部件。本發明進一步包含如何調製有效稀釋溶液的方法。本發明的上文所述和其他優點，經由下列圖式及詳，細說明後可更淸楚的表現出來。圖式簡要說明圖1A爲淸潔半導體製程設備部件之一般淸潔程序方針的流程圖。圖1B揭露本發明之一較佳實施例中，淸潔半導體製程設備部件的流程圖，如淸潔高純度石英。圖2揭露本發明之另一較佳實施例中，淸潔高純度石英步驟的流程圖。圖3揭露本發明之一較佳實施例中，在一全新或淸潔部件上，實施表面粒子測試（surface particle test process) 以測量不純物濃度的流程圖。圖4揭露本發明的一較佳實施例中，在一全新或淸潔部件上，實施液體粒子測試（liquid particle test process) 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公董Ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495863 A7 __B7____ 五、發明説明（玄）之流程圖。 I--------^衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖5揭露本發明之一較佳實施例中，實施酸萃取/感應耦合電漿質譜分析技術於一全新或淸潔部件之流程圖。圖6揭露本發明的淸潔程序6 0 0，從局純度陶瓷圓頂移除有機聚合物及金屬不純物的流程圖。圖7揭露本發明的淸潔程序700，從高純度紋理石英表面（textured high purity quartz surface)移除污染粒子的流程圖。圖8揭露本發明的淸潔程序800，從高純度紋理陶瓷表面（textured high purity ceramic surface，氧化鋁含量大於99% )’移除污染粒子及金屬不純物的流程圖。 ^ 在配合圖示閱讀詳細說明後，相信可淸楚瞭解本發明的內容及其優點。發明詳細說明 -. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在此爲可有效移除不純物的淸潔半導體製程設備部件之發明說明，所淸潔的部件如在化學氣相沉積及蝕刻製程中之腔體部件。在接下來的敘述中，爲了完整瞭解本發明內容，提到許多特定細節。但爲習知技藝人士所瞭解，本發明可在含有部份或不含下列特定細節的狀況下實施。在其他例子中，許多爲人所熟知的步驟在本發明中沒有被詳細描述，是爲了避免本發明變爲繁瑣難懂。尤其需注意本發明包括絕大部分測量或測定不純物濃度之分析測量方法。 .4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（noxi公釐） ' ~! 495863 A7 ——_____B7__ 五、發明説明（) 根據本發明的一較佳實施例，在許多淸潔程序中使用新的化學配方，可實質上加強前面所提金屬不純物的移除。此一淸潔配方用於淸潔多晶砂（polysilicon )、石英及陶瓷（氧化鋁、碳化矽及氮化鋁）部件時，特別具有新穎性且淸潔能力已被證明。淸潔配方爲高純度的氫氟酸、硝酸及過氧化氫’以非常稀釋的濃度混合。該配方較佳爲含氫氟酸重量百分比0.5-1.5 %、硝酸重量百分比0.1-0.5%及過氧化氫重量百分比1-10%。在下列描述中，可發現此一特殊配方從某些材料表面可特別有效的收集金屬。這些高純度淸潔及收集溶液，特別在單晶矽的晶圓表面、高純度石英、多晶矽及陶瓷表面擁有高回收力及高效能。這些材料以前在淸潔時，採用高濃度的氫氟酸/硝酸及鹽酸/硝酸混合溶液，各成分的重量百分濃度爲10-40%，其中過氧化氫並沒有使用。高濃度的混合酸液並沒有強化移除金屬化合物的能力，且會嚴重腐鈾損壞基材。本發明中的高純度稀釋化學配方對淸除金屬污染物特別有效，且不會飩刻任何前面所提到的基材，造成深度大於幾百埃（angstrom) 的刻痕。因此，稀釋的淸潔用水溶液成分爲氫氟酸重量百分比 0.5-1.5%、硝酸重量百分比0·1-0·5%及過氧化氫重量百分比1-10%。過氧化氫的濃度也可爲不大於重量百分比5%。金屬污染物會在半導體製程設備部件的表面形成鍵結，如此金屬不純物會黏結在設備表面上。這些化學鍵的生成會增加部件淸潔的難度，除非使用正確化學配方。如 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） I--------·! (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495863 A7 B7 ____一五、發明説明（^]) 果化學配方的濃度過濃，半導體製程設備的部件會被破壞且不能復原，或者淸潔效果不佳。本發明的化學配方實質上以打斷化學鍵並收集金屬不純物的方式來強化淸潔程序的淸潔能力。即以氫氟酸溶解半導體設備表面矽及鋁的氧化物方式，來打斷矽和鋁之間的化學鍵。如此一來，金屬不純物可脫離表面並且被收集於淸潔溶液中。氫氟酸的含量必須小心控制，過量的氫氟酸會破壞設備部件的表面。氫氟酸的使用在半導體部件淸理中是必須的，因爲矽及鋁的氧化物是所有部件上普遍可見的不純污染物。過氧化氫是一種強氧化劑，可將金屬，如銅、金及銀，轉化爲可溶解的形式。因此，加入過氧化氫可增加自表面移除之金屬種類。硝酸的功能在於穩定並增加一些金屬不純物的溶解度，如原本不能溶解之鈣及鎂的氟化物可以留在溶液中，以免沉澱在半導體部件的表面。在此一技術中，溶液的較佳濃度爲越稀越符合需求，但仍必需可有效的淸潔半導體部件直至之前定義的潔淨度。前面所述的濃度範圍爲較佳的可淸潔設備之最小濃度。本發明的化學配方可用於各種半導體部件之淸潔程序及其他高純度材料的應用。在一較佳實施例中，此一配方可有效的從高純度石英上淸理金屬離子，通常在棒 (rods )、管（tubes )、坩鍋（crucibles )、圓頂（domes )、腔體（chamber)及鐘形容器（bell jars)中被發現。在另 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I--------參-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495863 A7 B7 五、發明説明（Q) ---------41. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一較佳實施例中’此一配方可以有效地從高純度的多晶矽及單晶砍表面淸理金屬離子，通常在腔體頂端 (chamber roofs )源環（source rings )、套管（collars )及晶圓（wafers ) 上被發現。在另一較佳實施例中，此一配方可以有效的從高純度陶瓷材料表面淸理金屬離子。若陶瓷材料爲氧化鋁及碳化砂材料’ 一般在腔體圓頂（chamber domes )、鐘型容器（belljars)、環（rings)、氣體噴嘴組件（gasn〇zzle assemblies)及晶圓基座（wafer chucks)上發現金屬不純物須淸除。若陶瓷材料爲氮化鋁，則其上金屬不純物一般在晶圓基座上被發現。 #1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製絕大部分的半導體設備部件由前面所提的基材所構成’並且含有經由顆粒噴擊法（grit blasting)而來的紋理來增加製程聚合物的黏著性。經過機械加工及紋理處理，部件上的粒子已被淸除。在紋理表面上的粒子有兩種。第一種爲粒子鬆散的黏著在表面上，可以用短時間的超音波震盪方式作物理性的移除。第二種粒子的來源較不明顯，這些粒子一般來自因紋理結構使得基材表面變爲脆弱。在製程腔體中，次表面的損害（sub-surface damage)通常因晶圓製程中的粒子脫落而被誇大。本發明的化學配方蝕刻已損害基材的一層表面且不影響表面原本具有的粗糙度，如此可很明顯的減少從紋理設備部件產生的粒子。首先，利用已知測試技術的其中一種來測定表面損害的深度。利用高濃度鹼性溶液，來腐蝕基材，如多晶矽基材，到特定深度。高濃度鹼液爲重量百分 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） A7 —--............—- 五、發明説明（C| ) 比10-30 %的氫氧化鉀及氫氧化鈉水溶液，特定深度即之前所測定的損害所在深度，以控制溫度及時間來蝕刻所需深度，以移除所有次表面損害。利用高濃度酸性溶液，來腐蝕基材，如陶瓷基材（氧化鋁、碳化矽及氮化鋁），到特定深度。高濃度酸液爲硫酸/過氧化氫或硫酸/磷酸溶液，其中各種化學品的重量百分比範圍是10-50 %，特定深度即之前所測定的損害所在深度，以控制溫度及時間來達成，以移除所有次表面損害。另一種用於石英的應用中， ί采用氫氟酸/硝酸的水溶液，兩種化學品的重量百分比範圍是20-40 %，加上使用10-20分鐘的超音波（27-120 kHz) 震盪。這樣的方式可以有效的蝕刻因顆粒噴擊法損壞的石英材料表面且粒子數可以顯著的減少。根據本發明的另一項槪念，前面所提及在晶圓製程中沉積在半導體設備表面的有機聚合物，可利用熱解步驟 (thermal decomposition step )自所有的材料表面來移除。通常在蝕刻設備中可發現有機聚合物沉積。將污染的石英和氧化鋁部件置於600-800°C的高溫環境，所需時間爲1-10 小時，根據需淸理的有機聚合物之厚度或阻抗而定，如此這些有機聚合物可被有效的移除。爲了此一步驟，需要一種局溫的包裹式暖爐（muffle furnace)。在另一較佳實施例中，在拆卸的半導體製程部件上實施淸潔程序，並且測試是否達到強化淸除不純物淸除的目標。這些步驟詳述如下。圖1A爲淸理半導體製程設備部件之一般淸理程序方 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495863 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（（o ) 針5的流程圖。程序始於操作10，並且前進到操作20。操作20爲發展一種部件淸理的基礎化學配方（baseline chemistry)。在操作30中，部件依據基礎化學配方來淸理。在操作40中，測量基礎化學配方的淸理效能。如果淸理效能不佳，則進行操作50，調整化學配方以增進淸理效能，之後部件在操作30中再度被淸潔。如果第一次淸潔效能就達到標準，則程序終止於操作60。在操作50中，化學配方可利用許多方式調整，例如增 • ' . * 加或減少酸或氧化劑等的應用。或者調整溶液的濃度，例如增加濃度或稀釋等。所以操作50的目的在於將化學配方最佳化，以提供最有效、最少損害、最經濟且最不危險的淸潔部件用溶液。 - 圖1B爲淸理半導體製程設備部件，如之前較佳實施例所提及的高純度石英，程序100流程圖。在起始操作102 中，爲實施程序前的準備工作。程序前的準備工作包括準備並測試設備的狀態，及其他爲熟知技藝人士所熟知的準備工作。程序前準備步驟包括建立操作環境控制，即粒子及金屬在環境中的數目，確認高純度的逆滲透/去離子水’建立新的操作草案，及設定配件程序。在操作104中，決定淸潔部件的規格。如之前所提出，一般淸潔公司通常依照設備製造商所給的方法淸理。通常一份由製造商所提供的方法會包括：在去離子水中漂淨一部件’將此部件浸入一特殊化學混合液等步驟。在本發明中’代替決定一種淸潔步驟，吾人決定淸潔部件的規格。 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 10 、、張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------Φ------、玎------0— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495863 A7 B7 五、發明説明（（I ) 此規格描述最小參數的特性，此最小參數需包含每一特定件所需潔淨度，此潔淨度需達到晶圓製程所需的潔淨度。規格也可以由其他方式決定，如需要淸理的部件或經由測試後來決定。有三種方法可以利用測試來產生規格。第一種是部件已經確知需要淸理，已有最小的參數需在淸潔後達到，例如一新部件。此部件被測試並且決定關於粒子數、金屬或有機殘留，或這幾者組合之狀況。測試粒子數時，其方式爲經由幾種測量方式測試部件表面粒子數。測量方式包括表面粒子計數器（Dryden QIII surface particle counter )、液體粒子計數器（叫湯particle counter ’ LPC)、f市描式電子顯微鏡（scanning Eiectron Microscopy, SEM)及掃描式電子顯微鏡附備能量分散χ 先偵測（SEM with Energy Dispersive X-ray detection， SEM/EDX)。測試金屬時，其表面經由精密的分析化學測試方法，來測試表面的金屬污染狀況，或測試大體積金屬污染物，或此兩者皆被測試。當測試部件的大體積金屬污染物時，部分的材料浸漬（digest)於溶液中來測量材料內的不純物。當關係到表面金屬污染物時，從表面萃取出金屬’對所萃取表面之面積作均一化（normalize )，以及使用光譜技術如感應耦合電漿質譜技術（Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry，ICP-MS)分析。當分析部件上的有機物，使用去離子水及溶劑萃取有機物，並以有機碳總含量分機儀（total organic carbon analyzer， TOC)、氣相層析儀（Gas Chromatography，GC)或氣相層 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、rT 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495863 . A7 _____B7 五、發明説明（\1) 析質譜ί我（Gas Chromatography with Mass Spectrometry， GC-MS)來分析。或者整體材料可改放於高溫環境，讓表面粒子可以採氣體方式逸出（〇utgas)，將產生的氣體以擁有動態進氣室（dynamic head space)的氣相層析質譜儀或熱脫附氣相層析質譜儀（Automatic Termodesorption GC-MS，ATD GC-MS)分析。第二種方法，以已知最佳的淸潔方法來淸潔全新或用過部件，已知的最佳方法是根據理論或經驗的認知而來。部件在淸潔過後，偵測其不純物含量。接著部件裝回半導體製程設備，並收集腔體製程資料。製程資料包括1)當含有淸潔部件的半導體製程設備和矽晶圓表面接觸，落在晶圓表面的粒子數；2)含有淸潔部件的半導體製程設備運作時’落在晶圓上的金屬不純物；3)設備在需施行淸潔程序之間的平均可處理晶圓數等。這些腔體製程資料可以和分析淸潔後部件的不純物測試分析資料連結。如此一來，可以在腔體製程資料和淸潔後部件之不純物測試分析資料連結的基礎上，發展淸潔的方法和配方，而這些資料是在晶圓在製程腔體中運行之後得到的。此外，在估算過腔體製程施行結果參數後，可定出淸潔規格。在第三種方法中，收集已證明可在半導體製程上運行良好的部件之不純物測試資料，所測試的部件數目需在統計上有意義，來制定規格。收集統計上有意義數目的部件之測試資料時，控制限制値（control limits)的資料也可以建立。 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------1¾-----1、玎------0— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 495863 A7 B7 五、發明説明（\3) 接著，在操作106中，測定部件初始的不純物濃度。在此操作中，部件的金屬、粒子數或有機物等不純物濃度需被測定。爲測定粒子，需實施表面粒子測試或液體粒子測定，方法詳述如下。根據用來測定粒子數的測試方法種類，不純物濃度以每平方公分所含粒子數，或每單位體積溶液所含粒子數來表示。一般初始的微量金屬不純物以酸萃取/感應耦合電漿-質譜儀方式偵測，金屬濃度單位以每平方公分所含原子數（atoms/cm2)或每平方公分所含奈 * * · 像 * 克（ng，UK9 g)數（ng/cm2)表示。有機物的初始不純物濃度由氣相層析儀、氣相層析質譜儀或熱脫附氣相層析質譜儀測試，當濃度爲微量級時單位以每平方公分所含原子 •數（atoms/cm2 )，或每平方公分所含奈克數（ng/cm2 )表示。當含量爲主要成分時，單位爲表面濃度百分比（％ surface concentration)。半定量分析可用掃描式電子顯微鏡 / X光能量散射技術（SEM/EDX)來測定主要元素，如發生於聚合物處理程序中的碳、氟、氯、鋁、矽及氧。在表面測定操作108中，估計部件的表面之特徵。通常此一操作估計材料的特徵，包括表面所需的加工及表面粗糙度。下一操作110,決定可達到部件淸潔規格的機械及化學淸潔步驟。根據需淸理之部件的材料、大小、狀態及規格，實施機械及化學淸潔步驟可以將部件淸理，以達到之前在操作104所定義的規格。例如，用於淸理石英部件的程序將揭露如下。一但決定之後，實施化學及/或機械淸 .4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 n 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495863 A7 ____B7 五、發明説明（\令） — 潔步驟於部件上。經過淸理的部件，在操作112中再一次測試其不純物濃度。此一操作112和操作106相似，不同處在於操作112 是在部件已被淸潔後施行。在操作114中，決定原先訂定的淸潔規格是否已達到。實際上，爲在操作112中所測定的不純物濃度和在操作104中決定的規格互相比較。如果達到規格，程序繼續前進到部件測試操作116。如果沒有達到規格，程序繼續回到操作110，重新決定另一淸潔步驟。關於金屬不純物的移除，本發明利用一系列方法淸潔半導體設備部件。在此方法中，淸潔程序反覆進行直到不純物濃度減量至可接受範圍。實際上，以逐步^進行方式可將不純物濃度減量數個數量級（orders of magnitude)。此外，根據不純物濃度測量，淸潔步驟可以在每次實行時都將其最佳化。在設備測試操作116中，淸潔的部件安裝回設備並進行半導體製程。在操作過後’測試晶圓的不純物濃度，作爲程序中腔體內材料的純度指標。尤其是製程過後，在晶圓上所增加的粒子數及不純物。在操作118中，決定部件在相關的設備中是否運作正常。如果部件運作正常，則程序完成於最終操作12〇。反之’此程序繼繪回到操作110，決定另一淸潔步驟。在最終操作120中，淸潔程序已完成，淸潔部件可放回生產線。本發明的優點在於每次淸潔程序後，重複測試 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210X297公釐） " I 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495863 A7 B7 五、發明説明（\5 ) 不純物濃度，如此一來可減少淸潔缺陷。此外，本發明的程序因爲知道淸潔部件的特徵，藉由增加精確度可達到特定結果。由於持續的最佳化淸潔程序，因此經由特定程序的淸潔部件淸潔度可幾乎百分之百達到。本發明尙包含一重要特徵，爲使用分析方式來測試濃度。如之前所述，一般的淸潔方式完成後只有少數或甚至沒有測試部件。大部分在淸潔過程中的典型測試，爲測試用於一般淸潔程序的漂淨水之電阻率，或化學浴的濃度。相反地，本發明逐一測量經過淸潔的半導體部件之不純物濃度，在圖3及下列敘述中詳細說明之。如前所述，一種淸潔半導體製造設備之部件的程序包含下列所述步驟。決定淸潔部件的定義，此定義包含多種不純物的最大可接受濃度。測定此部件在淸潔之前多種不純物的初始濃度。決定實施於此部件的淸潔程序，實施此淸潔程序於部件，其中淸潔程序使得部件產生多種減量的不純物濃度，且多種減量的不純物濃度低於多種不純物的初始濃度。測定多種減量的不純物濃度，比較多種減量的不純物濃度及定義中最大可接受的不純物濃度。當多種減量的不純物濃度大於或不符合多種不純物的最大可接受濃度，則重複實施淸潔程序該部件。此程序進一步包括測試處於重新組合設備中的部件，部件被設計爲操作設備。如果此部件在設備中運作不正常，重複淸潔程序。此程序尙包含至少一種不純物濃度程式爲表面粒子測 .4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董） I--------0 、玎舞 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 495863 A7 ___B7_ _ 五、發明説明試，及一種液體粒子測試。圖2爲本發明的另一較佳實施例，淸理高純度石英的流程圖。圖2顯示一程序200，其步驟如下。在操作210 中，部件以溶劑去除油污，所使用溶劑如異丙醇/丙酮 (IPA/acetone)混合溶液。並以去離子水漂淨，或在去離子水中進行超音波震盪。在操作212中，以之前所提及的高純度淸潔用配方噴灑或噴射漂淨部件。在操作214中，丟棄用於操作212的淸潔溶液。在操作216中，重複操作 ‘ 212.及214，重複的次數和規格中所需純度有關。在操作 218中，在石英部件上實施另一次的去離子水中超音波震盪和噴灑漂淨。在操作220中，將部件置於擁有高效率及广低穿透（High Efficiency Particulate Air/ Ultra Low

Penetration Air-filter，HEP A/ULPA)濾網的潔淨通風櫥內，通風橱位於無塵室中，以加熱燈來乾燥。在操作222 中，測試表面的金屬及/或表面粒子數。在操作224中，收集不純物的資料。以及在操作226中，石英部件在無麈室或類似的控制環境中封裝。減輕部件次表面損害的方法包括決定損害位於部件表面下方的涂度’此涂度爲次表面ί貝壞與該部件之表面間的距離。實施化學鈾刻於部件的表面，當化學餓刻大約達到前面測定的深度，停止化學飩刻。此外，一種淸理部件方法包括，於需要淸潔的部件表面，實施超音波淸潔程序。以稀釋的化學混合物噴灑並漂淨部件，及以去離子水噴灑並漂淨部件。此方法進一步包 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐) ' ： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495863 A7 ____B7___ 五、發明説明（丨Q) 含依部件所需的潔淨程度，重複以稀釋的化學混合物噴灑並漂淨部件，及以去離子水噴灑並漂淨該部件的步驟。圖3爲本發明之一較佳實施例中，測試全新或淸潔部件的不純物濃度之表面粒子測試程序300的流程圖。在初始操作301中，實施程序前的準備步驟。程序前準備步驟包括決定淸潔部件的特徵規格，以及其他爲熟悉習知技藝人士所瞭解的程序前準備步驟。這些程序包括實施如圖1 中的操作10到60及112。 •接著在操作302中，需測量的半導體設備部件在一 1000級（class 1000，每立方公分所含粒子數1000顆）或更佳的無塵室中開啓。拆卸之後，半導體設備部件打包並傳送到淸潔中心。爲避免新部件或需淸潔部件遭受不必要的污染，較佳的開啓部件方式爲在一控制的淸潔環境打開部件。在操作3〇4中，粒子計數器（particle counter)的輸入口以特定高度掃描部件。在操作306中，在部件上運行使用淸潔操作技術的分析。在操作308中，於計數器穩定後收集不純物資料，並且在操作310中處理資料q程序在操作312中完成。圖4爲本發明一較佳實施例，對全新或欲淸潔部件實施液體粒子偵測程序400的流程圖。在初始操作401中，實施程序前的準備步驟。程序前準備步驟包括淸潔部件的特徵規格，以及其他爲熟悉習知技藝人士的所瞭解的程序前準備步驟。這些程序包括實施如圖1中的操作1〇_到60 及 112。 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495863 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

A7 B7五、發明説明（\δ) 接著爲操作402,在無塵室中打開欲淸潔的半導體設備部件。拆卸之後，半導體設備部件打包並傳送到淸潔中心。爲避免新部件或需淸潔部件遭受不必要的污染，較佳的開啓部件方式爲在一控制的淸潔環境打開部件。在超潔淨水操作404中，偵測在超潔淨水中出現的粒子。液體粒子測試程序400以超潔淨水（ultra pure water， UPW)作爲媒介，來測定特定半導體設備部件的不純物濃度。爲了控制準確度，在部件放入之前需偵測超潔淨水中的不純物濃度。接著以超音波震盪方式，將黏著於部件表面的粒子逐入超潔淨水中。測試放入部件後的超潔淨水中粒子數，和放入之前的粒子數比較，可得到屬於部件釋出的粒子數。< - 在使用超潔淨水之操作406中，將已知體積的超潔淨水通入部件的腔體中。部件的腔體實質上最適合分析不純物濃度。在超潔淨水萃取操作408中，超潔淨水萃取部件上的粒子，並且引入液體粒子計數器中。將超潔淨水引入部件的腔體後，超潔淨水蒐集部件表面上的粒子。在測試放入部件前和放入部件後的超潔淨水之不純物濃度之後，可決定部件的不純物濃度。接著在操作410中，開始部件的不純物濃度分析。在液體粒子計數器穩定後，於操作412中蒐集不純物濃度資料。一開始，資料依據粒子大小蒐集，接著將資料對測試半導體部件表面的面積做均一化（normalize)。 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 1S (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1T. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 495863 A7 B7 五、發明説明（^ ) 不純物濃度資料繼續在操作中414中處理，以取得粒子尺寸的大小分佈和數量兩項資料。一次測量的粒子數量可爲數千顆。大小分布可由0.05微米到10微米左右。粒子數較佳以特定體積計算，特定體積爲可讓儀器有效分析之體積。結果以每單位體積所含粒子數（particles per volume)或每平方公分粒子數（particles per cm2)表示。接著爲程序後步驟416。程序後操作包括使用不純物濃度資料輔助部件的進一步處理，以及其他爲熟知技藝人士所熟知的操作。目前爲止，一種測定可開啓、含有內表面部件之污染的方法，包括將部件引入至少1000級無麈室，在控制的淸 - 潔環境中開啓部件，並在部件表面上蕾行污染物分析。此方法亦包括通入已知體積的超潔淨水至部件的腔體，吸取出水，並分析水中的污染物。此方法可另外包括通入已知體積的高純度萃取液至部件腔體，吸取出萃取液，並且分析在萃取液中的污染物。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖5爲本發明之一較佳實施例，在全新或淸潔部件上實施酸萃取/感應耦合電漿質譜技術500的流程圖。在初始操作501中，實施程序前的準備步驟。程序前準備步驟包括淸潔部件的特徵規格，以及其他爲熟悉習知技藝人士的所瞭解的程序前準備步驟。這些程序包括實施如圖1中的操作10到60及112。接著，在操作502中，在一無塵室中打開欲淸潔的半導體設備部件。拆卸之後，半導體設備部件打包並傳送到 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 495863 A7 B7 五、發明説明（：)一υ) 淸潔中心。爲避免新部件或需淸潔部件遭受不必要的污染，較佳的開啓部件方式爲在一控制的淸潔環境打開部件。在使用酸液萃取的操作5〇4中，分析程序500使用高純度萃取液，即氫氟酸重量百分比1.25 %、過氧化氫重量百分比3 %及硝酸重量百分比0·125 %，來測定特定半導體設備部件的金屬不純物濃度。在萃取液中金屬不純物的濃度，以感應耦合電漿質譜儀測定。接著，新部件之選定的範圍再次以高純度萃取液萃取。測定此萃取液中金屬不純物濃度，並且比較前後兩次部件萃取的濃度。在操作506中，通入已知體積的高濃度萃取液到欲分析的部件腔體。部件腔體實質上爲部件上可以提供不純物分析的最佳測試區域。产接著在操作5〇8中，高純度萃取液萃取不純物後，引入感應耦合電漿質譜儀。在高純度萃取液引入部件腔體後，萃取液蒐集在部件表面上的不純物。因此，測量萃取液於引入部件腔體之前和之後的金屬不純物濃度，可以得到部件上不金屬純物濃度資料。酸萃取/感應耦合電漿質譜儀技術最後在操作510完成程序。在分析操作510中，開始分析部件上的不純物濃度。在感應耦合電漿質譜儀穩定後’在操作512中收集不純物濃度資料。剛開始時’濃度以PPbw ( Parts per billion wt)爲單位，接著資料對所測定的部件表面做均一化處理。在操作514中，處理不純物濃度資料以每種微量金屬濃度ppbw表示。計算被萃取部件的面積’並且將所測得 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495863 A7 B7 五、發明説明（>\) 濃度對表面做均一化處理後，以單位每平方公分原子數 (atoms per cm2)或每平方公分戶斤含奈克數（ng/cm2)表不° 最後在操作516中，實施程序後操作。程序後操作包括使用不純物濃度資料輔助進一步部件的處理，以及其他爲熟知技藝人士所瞭解的操作。圖6爲本發明之一較佳實施例，淸潔程序600的流程圖，淸潔程序600爲移除高純度陶瓷圓頂（ceramic dome ’ 含氧化鋁大於99 % )的有機聚合物和金屬不純物。在初始操作601中，實施程序前的準備步驟。程序前準備步驟包括淸潔部件的特徵規格，以及其他爲熟悉習知技藝人士的 - 所瞭解的程序前準備步驟。 - 在操作602中，陶瓷圓頂以去離子水噴灑漂淨，以去除鬆散附著於表面的粒子、有機及金屬聚合物。一開始，陶瓷圓頂被打開、紀錄並拍照來紀錄圓頂的初始狀況。將陶瓷圓頂放入化學浴603約兩個小時。化學浴成分較佳爲稀釋的氫氟酸/硝酸化學浴，且加熱至約60-80°C。氫氟酸的濃度爲小於重量百分比5 %，硝酸濃度小於重量百分比10 %。加熱的酸液可以打斷Si-0、A1-0鍵及其他的金屬鍵。接著陶瓷圓頂從化學浴中移出，以去離子水噴灑漂淨，在無塵室風乾或加熱燈泡乾燥，直到在圓頂內外沒有發現濕氣爲止。在放部件入火爐之前的步驟603，對打斷 Si-O、A1-0鍵非常重要，可以縮短下一操作中部件放入火爐的時間。 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ---^___ _B7 五、發明説明（α^) 在加熱操作6〇4中，圓頂放入火爐中加熱，溫度爲700 到80〇°C，時間約6到12個小時。在加熱約6到12小時後關掉火爐，爲避免損害圓頂，火爐需在溫度降至200°C 以下才打開。如果太早打開火爐，圓頂可能會裂開。溫度降至200°C後打開爐門讓溫度降至80T：。當溫度低於80°C 時，從火爐中取出圓頂。接著在操作606中，圓頂放入另一種化學浴。此化學浴也是加熱到約80°C的氫氟酸/硝酸化學浴。氫氟酸和硝酸的濃度和之前化學浴相同，但需保持乾淨且從高純度化學品配製。圓頂放入化學浴約6到8小時，以溶解殘留的碳及矽/鋁氧化物及其他金屬不純物。化學浴之後，置於在廢酸液收费槽中以去離子水噴灑漂淨並去除殘留酸液^ 接著圓頂較佳以目視檢查607來審查部件的潔淨程度。如果仍可觀察到有機聚合物，重複操作604及606。在超音波震盪操作608中，圓頂在去離子水中進行超音波震盪。當圓頂通過目視檢查，在溢流的去離子水 (overflowing deionized water)中進行超音波震盪約兩小時。在操作610中，圓頂以液體粒子計數（LPC)技術測試。如前所述，此不純物測試操作可以幫助估計部件是否被淸理完成，擁有之前決定的淸潔規格。如果以粒子計數技術測試的粒子濃度低於每平方公分400,000顆（400,000 particle per cm2)，此圓頂以去離子水噴灑大約10次，接著以過濾後氮氣潔淨乾燥，之後放於加熱燈泡611下至少一小時。如果圓頂不能符合特定的不純物濃度，重複操作 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 495863 A7 B7 五、發明説明（二3>) 608 ° 操作612中，部件進一步測試其不純物濃度。圓頂的表面粒子測試較佳爲使用Dryden Q111粒子計數器。如果測試結果和之前預定的規格相符合’部件在無塵室中以雙袋（double bags)包裝。最後於操作614中’實施多種程序後操作。程序後操作包括在完整組裝的半導體製程設備測試淸潔後圓頂，以及其他爲熟知技藝人士所熟知的操作。當程序後操作完成後，程序600完成於操作616。淸潔陶瓷部件的方法包括將陶瓷部件浸於第一化學浴來破壞污染物鍵結，在污染物化學鍵被破壞後於火爐中加 - 熱陶瓷部件，接著將陶瓷部件浸於第/二化學浴中以移除污染物。其中第一化學液爲稀釋化學浴包含氫氟酸和硝酸，並且加熱至約60到80°C。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖7爲本發明之一較佳實施例，用來移除紋理石英表面粒子的淸潔程序7〇〇。在初始操作7〇1中，實施程序前的準備步驟。程序前準備步驟包括決定淸潔部件的特徵規格，以及其他爲熟悉習知技藝人士的所瞭解的程序前準備步驟。在操作702中，以去離子水噴灑漂淨高純度石英表面，以去除鬆散附著於表面的聚合物、粒子及金屬不純物。一開始，石英部件被拆下，紀錄並且拍照來記錄圓頂的初始狀況。石英部件放入化學浴703並且超音波震盪約15 分鐘。化學浴較佳爲高濃度的氫氟酸/硝酸化學浴。氫氟 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 495863 A7 B7 五、發明説明（24) 酸濃度爲重量百分濃度約25 %，硝酸濃度爲重量百分濃度約爲35 %。高濃度的酸液和超音波震盪能量會溶解受損石英部件的一層表面，降低石英部件表面的粒子數。部件移出化學浴之後，在操作704中以去離子水噴灑漂淨。接著，在操作706中，石英部件置於去離水中並進行超音波震盪，以進一步去除粒子。如果石英部件通過目視審查707,將之放於新的去離子水浴707A並超音波震盪約 15分鐘。如果部件沒有通過目視審查，則回到操作703進行另一次淸潔。在操作708中，石英部件以液體粒子計數技術測試。如前所述，此一不純物測試可幫助測定部件是否被淸潔且擁有之前所訂定的規格。如果以液體粒子計數技術所測濃度低於每平方公分200,000顆（200,000 particle -per cm2)，則在操作710中，以去離子水漂淨約十次，並且以氮氣淨化乾燥，接著放於加熱燈下至少1小時。如果圓頂不符合特定的不純物濃度，重複操作706。部件接著在操作712中測試不純物濃度。表面粒子偵測較佳爲使用Dryden QIII計數器。當測試符合預先訂定的規格，部件在無塵室以雙袋包裝。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製最後於操作714中，實施多種程序後操作。程序後操作包括測試圓頂裝於設備後的情形，以及其他爲熟知技藝人士所熟知的操作。當程序後操作完成後，程序700完成於操作716。圖8爲本發明的一較佳實施例，爲淸潔程序800的流程圖，程序800爲從高純度紋理陶瓷（氧化鋁含量大於99 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' "" 495863 A7 ____B7 五、發明説明（2ς) %)表面移除粒子和金屬不純物。在初始操作801中，實施程序前的準備步驟。程序前準備步驟包括決定淸潔部件的特徵規格，以及其他爲熟悉習知技藝人士的所瞭解的程序前準備步驟。在操作802中，陶瓷圓頂以去離子水噴灑漂淨，並移除鬆散附著於表面的聚合物、粒子及金屬不純物。一開始陶瓷圓頂被拆卸，紀錄並拍照來記錄一開始的狀態。陶瓷圓頂被放於化學浴803約兩小時。此化學浴較佳爲硫酸/ 過氧化氫或硫酸/磷酸化學浴，並且加熱到約140到180 °C。硫酸濃度爲重量百分比約50%，過氧化氫濃度爲重量百分比約15%，磷酸濃度爲重量百分比約40%。加熱的濃 -酸液會溶解一層已損壞的氧化鋁，降低頂表面的粒子數。從化學浴移出圓頂後，在步驟804中以去離子水噴灑漂淨。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製接著在操作806中，圓頂置於另一種化學浴中，此化學浴爲稀釋的氫氟酸/硝酸化學浴。氫氟酸和硝酸的濃度分別爲少於重量百分濃度5 %及10 %，用來移除金屬不純物。之後於廢酸液儲存槽中以去離子水噴灑來移除殘留的酸液。圓頂較佳地以目視審查807來確定部件的淸潔度。如果需再淸潔，重複操做806。在操作808中，圓頂於去離子水中實施超音波震盪。當圓頂通過目視審查後，在溢流的去離子水中實施超音波震盪約兩小時。在操作810中，以液體粒子計數技術來測試圓頂。如前所述，此不純物測試可幫助測定部件是否被 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 495863 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7五、發明説明（4 ) 淸潔且含有之前所決定的·淸潔規格。如果以液體粒子計數技術所測濃度低於每平方公分500,000顆（500,000 particle per cm2)，則在操作812中，以去離子水漂淨約十次，並且以氮氣淨化乾燥，接著放於加熱燈下至少1小時。如果圓頂沒有達到特定的不純物濃度限制，則重複操作808。部件接著在操作814中進一步測試不純物濃度。表面粒子偵測較佳爲使用Dryden QIII計數器。當測試符合預先訂定的規格，部件在無麈室以雙袋包裝。最後於操作816中，實施多種程序後操作。程序後操作包括測試淸潔後圓頂在完整組裝半導體製程設備的情形，以及其他爲習知技藝人士所熟知的操作。一如前所述，一種淸潔紋理石英部件的方法，先將一紋理石英部件浸入一超音波化學浴，接著將石音紋理部件浸入一超音波水浴，以及將該紋理石英部件浸入去離子水浴。此方法進一步包含將部件浸入一超音波溢流浴。本發明在此以較佳實施例說明，但爲熟知技藝人士所瞭解，在不脫離本發明的精神與範圍前提下，本發明可以經由許多變化或類似方式來實行，包括使用類似的方法及不同的儀器來實施。因此本發明不受文中所給之細節所偈限’可隨所附的申請專利範圍內做均等的變化與修改。 4HICKMAN/0101TW； 60081-300563 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁j 1Γ· --

Claims

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495863 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1· 一種淸潔半導體製造設備之部件（parts)的程序，包含下列步驟：決定淸潔部件的一定義，該定義包含多種不純物的最大可接受濃度；測定該部件在淸潔之前的多種不純物的一初始濃度；決定實施於該部件的一淸潔程序；實施該淸潔程序於該部件，其中該淸潔程序使得該部件產生多種減量的不純物濃度，且該多種減量的不純物濃度低於該多種不純物的初始濃度；測定該多種減量的不純物濃度；比較該多種減量的不純物濃度及該定義中該多種最大可接受的不純物濃度；及當該多種減量的不純物濃度不符合該多種不純物的最大可接受濃度，則重複實施該淸潔程序於該部件。 2. 如申請專利範圍第1項所述的程序，進一步包含：測試處於一重新組裝設備中的該部件，該部件被設計爲操作該設備。 3. 如申請專利範圍第2項所述的程序，進一步包含下列步驟：當該部件在該重新組裝設備中無法正常運作時’ 重複實施一淸潔程序於該部件。 4. 如申請專利範圍第1項所述的程序，利用一表面粒子測試（a surface particle test) ’決定至少一種不純物?辰度。 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 _」7 一本纸張尺度適用中國國家標準（CNS )八4*1格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}

495863 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5. 如申請專利範圍第1項所述的程序，利用一液體中的粒子測試（a liquid particle test )，決定至少一種不純物 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的濃度。 6. 一種稀釋水溶液，用於淸潔部件，該水溶液成份包含= 氫氟酸（HF)，重量百分比爲0.5 - 1.5 % ; 硝酸（HN〇3)，重量百分比爲0·1 - 0.5 % ; 過氧化氫（Η202 )，重量百分比爲1 一 10%。 7. 如申請專利範圍第6項所述的稀釋水溶液，其中過氧化氫的濃度不大於重量百分比5 %。 8. —種減輕一部件的次表面（sub-surface)損壞的方法， - 包含下列步驟： - 決定位於一部件表面下方的一深度，該深度爲次表面損壞與該部件之表面間的距離；實施一化學蝕刻於該部件的表面；及當該化學蝕刻大約達到該深度，停止該化學蝕刻。 9. 一種淸理一部件的方法，包含下列步驟：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製於需要淸潔的一部件之一表面，實施一超音波淸潔程序；以稀釋的化學混合物噴灑並漂淨（spray rising)該部件；及以去離子水噴灑並漂淨該部件。 10. 如申請專利範圍第9項所述的方法，進一步包含：依該 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 495863 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 部件所需的潔淨程度，重複以稀釋的化學混合物噴灑並漂淨該部件，及以去離子水噴灑並漂淨該部件的步驟。 11. 一種測量一污染物的方法，污染物位於含有一內表面且可開啓之一部件中，包含下步驟：將一部件引入一潔淨環境，該環境至少爲1000級（Class . 1000)；在該潔淨環境中開啓該部件；以及於該部件的內表面上施行一污染物分析。 12. 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中施行該污染物分析包含下列步驟：通入一已知體積的超潔淨水 (ultra pure water)於該部件的一腔體，抽出該水，並且分析該水中的污染物。 13. 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中施行該污染物分析包含下列步驟：通入一已知體積的高純度萃取液於該部件的一腔體，抽出該萃取液，並且分析該萃取液中的污染物。 14. 一種淸潔陶瓷部件的方法，包含下列步驟：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製將一陶瓷部件浸於一第一化學浴（chemical bath)中，破壞一污染物的鍵結；破壞該污染物鍵結後，將陶瓷部件在置於一火爐中並加熱：以及將該陶瓷部件浸於一第二化學浴中，移除該污染物。 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 495863 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I5·如申請專利範圍第14項所述的方法，其中該第一化學浴爲稀釋的化學浴，成份包含氫氟酸及硝酸，並加熱至攝氏60到80度間。 16·—種淸潔一紋理石英部件（textured quartz part)的方法，包含下列步驟：將一紋理石英部件浸入一超音波化學浴；將該石音紋理部件浸入一超音波水浴；以及將該紋理石英部件浸入一去離子水浴。 17· —種淸除紋理陶瓷表面（textured ceramic surface)上之金屬不純物的方法，包含下列步驟：將含有紋理表面的一陶瓷部件浸入一加熱的化學浴；在去離子水中漂淨該部件；將該部件浸入一稀釋的酸浴並漂淨（diising); 目視檢查該部件；以及重複將該部件浸入該稀釋酸浴中，直到該部件通過目視檢查。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 18.如申請專利範圍第17項的方法，進一步包含下列步驟：將該部件浸入一超音波溢流浴（ultrasonification overflowing bath) 〇 4HICKMAN/0101TW; 60081-300563 30 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）