495635 A7 B7 五、發明説明（i ) (發明所屬之技術領域） 本發明係關於一種液晶顯示裝置，特別是，關於一種 主動矩陣Μ之液晶顯示裝置。_ (以往之技術） 此種之液晶顯示裝置，係具備在經由液晶互相對向配 置的一對透明基板中一方之透明基板之液晶側面向X方向 延伸且向y方向並設的鬧極信號線及向y方向延伸且向X 方向並設的汲極信號線，並將圍繞於此等各信號線之各領 域作爲像素領域。 在各該像素領域，具備藉由來自上述閘極信號線之掃 描信號施以導通之薄膜電晶體，及經由該被導通之薄膜電 晶體施加有來自上述汲極信號線之影像信號的像素電極。 此種液晶顯示裝置係可良好地構成反襯，特別是，在 彩色液晶顯示裝置成爲不可欠缺之技術。 (發明欲解決之課題） 經漪部中央標率局β工消费合作社印父 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 但是，在此種液晶顯示裝置，隨著近幾年來之大型化 及高精細化之趨勢，所謂稱爲閃爍之畫面閃爍發生作爲無 法忽視之問題。特別是，在顯示領域之對角線之長度爲 \ 3 4 c m ( 1 3型）以上的液晶顯示裝置成爲無法忽視之 問題。 本發明人等係檢討發生閃爍之原因的結果，獲知如下 事項。 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) /\4規格（210X297公釐） 4- 495635 A7 B7 五、發明説明（2 ) 首先，由於必須較長形成閘極信號線，因此藉由該信 號線之電阻與電容之影響，而被輸入於此的掃描信號線’ 遍及終端_成爲產生波形失真' 該波形失真係成爲延遲薄膜電晶體之閘極，斷開之定 時，同時減小經由閘極，斷開時的閘極與源極間電容所跳 入之電壓的源極電極電位降低成分。此乃指閘極信號線對 於輸入端子側會增高終端側之源極電極電位。 所以，經由像素電極與液晶相對向之電極（共通電極 )，係一樣地有一定電壓施加於顯示面內，如此，施加於 該液晶之電壓係在閘極信號線之輸入端子側與終端側成爲 不相同。 如此，爲了避免液晶之分極，因實行反轉施加於液晶 之電位的交流化驅動，因此，在閘極信號線之輸入端子側 與終端側；液晶之施加電壓之大小關係爲在交流化驅動之 每一 1/2周期成爲反轉，成爲產生依高度變化的畫面之 閃爍。 經滅部中央標準局员工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 特別是，1 3型液晶顯示裝置係具有縱2 0 c m，橫 2 7 cm之顯示領域，閘極信號線之長度係成爲2 7 cm 以上，而在閘極信號線之輸入端子側與終端側，經由閘極 與源極間之電容，跳進電壓之相差係成爲無法忽視之較大 \ 値。 因此，在閘極信號線之長度爲27 cm以上（1 3型 以上）之液晶顯示裝置，係已經成爲僅調整共通電極之電 位，也難完全消除閃爍之狀況。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A/規格（210X 297公釐) -5 - 495635 A7 B7 五、發明説明（3 ) 又，藉由使用光石刻技術之選擇蝕刻形成各信號線及 薄膜電晶體時，藉由曝光裝置之光學系統之失真或透明基 板之撓曲，很難將每一各像素親域的薄膜電晶體之圖案成 爲完全均勻之狀態。 此時，藉由該圖案之偏差使薄膜電晶體之閘極與汲極 間電容不是均勻，則閘極斷開時之閘極與源極間電容所產 生之源極電位之降低量在畫面內不是一定。 因此，在該時，以與上述同樣之理由，成爲產生依亮 度變化所產生之畫面的閃爍。 本發明係依照此種事項而創作者，其目的係在於提供 一種即使顯示畫面大之液晶顯示裝置也可完全地抑制閃爍 之發生的液晶顯示裝置。 (解決課題所用之手段） 在本案發明所揭示之發明中，以下簡單地說明代表性 者之槪要。 經濟部中央標隼局負工消費合作社印來 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 手段1 一種液晶顯示裝置，其特徵爲：具備設於絕緣基板上 的閘極信號線，及電氣式地連接於上述閘極信號線且輸出
V 閘極驅動電壓的驅動電路，及具有源極電極，閘極電極及 汲極電極的第1及第2薄膜電晶體，及電氣式地連接於上 述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之一方的第1像 素電極，及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之源極電 本紙張尺度適用中國國家標準（（：奶）入4規格（210/297公釐） -6 - 495635 A7 __B7_ 五、發明説明（A ) 4 極及汲極電極之一方的第2像素電極，及電氣式地連接於 上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之另一方的第 1影像信號線，及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之 源極電極及汲極電極之另一方的第2影像信號線；上述第 1薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地連接於上述閘極信號 線的第1部分，上述第2薄膜電晶體之閘極電極係電氣式 地連接於比上述閘極信號線的第1部分距上述驅動電路較 遠的第2部分；上述第1及第2薄膜電晶體之源極電極係 對於上述汲極電極在上述閘極電極上僅距通道長度，僅對 向通道寬度地設置，而上述薄膜電晶體之通道長度及通道 寬度係與上述第1薄膜電晶體之通道長度及通道寬度實質 相等，上述第2像素電極與上述閘極信號線之間的靜電電 容形成比上述第1像素電極與上述閘極信號線之間的靜電 電容大者。 經濟部中央標準局員Η消費合作社印^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此所構成的液晶顯示裝置，係以依存於跳進電壓之 上述電容C g s的像素電極之電位對於負方向之移位抵消 對於閘極信號線的掃描信號之波形失真所產生的像素電極 之電位對於正方向之移位，相等於接近於閘極信號線之驅 動電路，並施加於距輸入端子側與驅動電路較遠之終端側 的各像素電極的電壓。 、 所以，成爲可抑制依亮度變化所產生的畫面之閃爍。 手段2 一種液晶顯示裝置，其特徵爲：具備設於絕緣基板上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A/規格（210X 297公釐) 495635 A7 _ B7 五、發明説明（） 5 經淖部中央標隼局負工消费合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的閘極信號線，及電氣式地連接於上述閘極信號線且輸出 閘極驅動電壓的驅動電路，及具有源極電極，閘極電極及 汲極電極的第1及第2薄膜電晶體，及電氣式地連接於上 述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之一方的第1像 素電極，及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之源極電 極及汲極電極之一方的第2像素電極，及電氣式地連接於 上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之另一方的第 1影像信號線，及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之 源極電極及汲極電極之另一方的第2影像信號線；上述第 1薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地連接於上述閘極信號 線的第1部分，上述第2薄膜電晶體之閘極電極係電氣式 地連接於比上述閘極信號線的第1部分距上述驅動電路較 遠的第2部分；上述第2像素電極與上述閘極信號線之間 的靜電電容形成比上述第1像素電極與上述閘極信號線之 間的靜電電容大，上述第1及第2薄膜電晶體之源極電極 係對於上述汲極電極在上述閘極電極上僅距通道長度，僅 對向通道寬度設置，上述第1及第2薄膜電晶體之源極電 極及汲極電極之一方的電極爲與上述像素電極連接之部分 ，而將從與上述閘極電極重疊部分至不重疊部分之間的寬 度形成比上述第1及第2薄膜電晶體之通道寬度小者。 如此所構成的液晶顯示裝置，係在形成薄膜電晶體之 源極電極時即使產生其偏離，也可將該源極電極對於閘極 電極之重疊部之面積的變化成爲極小。 所以，可將閘極電極與源極電極之間的電容C g s之 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ -8· 495635 A7 B7 五、發明説明（6 ) 變化成爲極小，成爲可抑制依亮度變化所產生的畫面之閃 爍。— 手段3 經濟部中央標準局負工消资合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一種液晶顯示裝置，其特徵爲：具備設於絕緣基板的 第1閘極信號線，及鄰接於上述第1閘極信號線設在上述 絕緣基板上的電容線，及電氣式地連接於上述閘極信號線 且用以輸入驅動電壓的端子，及具有源極電極，閘極電極 及汲極電極的第1及第2薄膜電晶體，及電氣式地連接於 上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之一方的第1 像素電極，及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之源極 電極及汲極電極之一方的第2像素電極，及電氣式地連接 於上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之另一方的 第1影像信號線，及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體 之源極電極及汲極電極之另一方的第2影像信號線；上述 第1薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地連接於上述第1閘 極信號線的第1部分，上述第2薄膜電晶體之閘極電極係 電氣式地連接於比上述第1閘極信號線的第1部分距上述 端子較遠的第2部分；上述第1及第2薄膜電晶體之源極 電極係對於上述汲極電極在上述閘極電極上、僅距通道長度 ，僅對向通道寬度地設置，而上述第2薄膜電晶體之通道 長度及通道寬度係與上述第1薄膜電晶體之通道長度及通 道寬度實質相等，上述第1及第2像素電極係經上述電容 線與絕緣膜形成一部分重疊，上述第2像素電極與上述電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )今4規格（210X297公釐） -9 - 495635 A7 ___B7 _ 五、發明説明（7 ) 容線之重疊面積係形成比上述第1像素電極與上述電容線 之重疊面積小者。 如此^構成的液晶顯示裝置，依依掃描信號之洩漏所 產生的像素電極電壓之電位降低成分，介經調整保持電容 可抑制介經掃描信號之波形失真在閘極信號線之輸入端子 側與終端側之變動。 所以，成爲可抑制依亮度變化所產生的畫面之閃爍。 手段4 經濟部中决標準局貝工消費合作社印擘 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一種液晶顯示裝置，其特徵爲：具備設於絕緣基板的 第1閘極信號線，及鄰接於上述第1閘極信號線設在上述 絕緣基板上的第2閘極信號線，及電氣式地連接於上述第 1閘極信號線且輸出閘極驅動電壓的驅動電路，及具有源 極電極，閘極電極及汲極電極的第1及第2薄膜電晶體， 及電氣式地連接於上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極 電極之一方的第1像素電極，及電氣式地連接於上述第2 薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之一方的第2像素電極 ，及電氣式地連接於上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲 極電極之另一方的第1影像信號線，及電氣式地連接於上 述第2薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之、另一方的第2 影像信號線；上述第1薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地 連接於上述第1閘極信號線的第1部分，上述第2薄膜電 晶體之閘極電極係電氣式地連接於比上述第1閘極信號線 的第1部分距上述驅動電路較遠的第2部分；上述第1及 本紙張尺度適用中國國家標率（（:NS ) A4規格（210X297公釐） ~ ' - -10· 495635 A7 ___B7_ 五、發明説明（8 ) 第2薄膜電晶體之源極電極係對於上述汲極電極在上述閘 極電極上僅距通道長度，僅對向通道寬度地設置，而上述 第2薄膜-晶體之通道長度及通道寬度係與上述第1薄膜 電晶體之通道長度及通道寬度實質相等，上述第1及第2 像素電極係經上述第2閘極信號線與絕緣膜形成一部分重 疊，上述第2像素電極與上述第2閘極信號線之重疊面積 係形成比上述第1像素電極與上述第2閘極信號線之重疊 面積小者。 如此所構成的液晶顯示裝置，依依掃描信號之洩漏所 產生的像素電極電壓之電位降低成分，介經調整保持電容 可抑制介經掃描信號之波形失真在閘極信號線之輸入端子 側與終端側之變動。 所以，成爲可抑制依亮度變化所產生的畫面之閃爍。 手段5 經漪部中央標導局貝工消费合作社印欠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一種液晶顯示裝置，其特徵爲：具備設於絕緣基板的 閘極信號線，及電氣式地連接於上述閛極信號線且輸出閘 極驅動電壓的驅動電路，及具有源極電極，閘極電極及汲 極電極的第1及第2薄膜電晶體，及電氣式地連接於上述 第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之一方的第1像素 \ 電極，及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之源極電極 及汲極電極之一方的第2像素電極，及電氣式地連接於上 述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之另一方的第1 影像信號線，及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之源 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 495635 A7 B7 五、發明説明（9 ) 極電極及汲極電極之另一方的第2影像信號線；上述第1 薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地連接於上述閘極信號線 的第1部#，上述第2薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地 連接於比上述閘極信號線的第1部分距上述驅動電路較遠 的第2部分；上述第2像素電極與上述第2影像信號線線 之間的靜電電容形成比上述第1像素電極與上述第1影像 信號線之間的靜電電容大者。 如此所構成的液晶顯示裝置，係依掃描信號之洩漏所 產生的像素電極電壓之電壓之電位降低成分，介經調整像 素電極與影像信號線之間的靜電電容（或源極與汲極間電 容）可抑制介經掃描信號之波形失真在閘極信號線之輸入 端子側與終端側之變動。 所以，成爲可抑制依亮度變化所產生的畫面之閃爍。 手段6 經鴻部中央標準局貝工消费合作社印^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一種液晶顯示裝置，其特徵爲：具備設於第1絕緣基 板上的閘極信號線，及電氣式地連接於上述閘極信號線且 用以輸入驅動電壓的端子，及具有源極電極，閘極電極及 汲極電極的第1及第2薄膜電晶體，及電氣式地連接於上 述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之一方的第1.像 素電極，及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之源極電 極及汲極電極之一方的第2像素電極，及電氣式地連接於 上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之另一方的第 1影像信號線，及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之 本紙張尺度適用中國國家標率（（：阳）八4規格（210'/297公釐） ^ -12- 495635 A7 B7 五、發明説明（10 ) 源極電極及汲極電極之另一方的第2影像信號線，及與上 述第1絕緣基板重疊地設置的透明第2絕緣基板，及設置 於與上述秦2絕緣基板之上述第1及第2像素電極對向之 位置的透明共通電極，及設於上述共通電極與上述第1及 第2像素電極之間的液晶，及設於上述第2絕緣基板，覆 蓋上述第1及第2像素電極之周圍的遮光膜；上述第1薄 膜電晶體之閘極電極係電氣式地連接於上述閘極信號線的 第1部分，上述第2薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地連 接於比上述閘極信號線的第1部分距上述端子較遠的第2 部分；以上述第2像素電極之上述遮光膜所覆蓋之部分的 面積係形成比以上述第1像素電極之上述遮光膜之部分的 面積小者。 如此所構成的液晶顯示裝置，係依掃描信號之洩漏所 產生的像素電極電壓之電位降低成分，介經調整像素電容 (液晶電容）可抑制介經掃描信號之波形失真在閘極信號 線之輸入端子側與終端側變動。 所以，成爲可抑制依亮度變化所產生的畫面之閃爍。 經濟部中央標準局貝工消f合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (發明之實施形態） 以下，使用圖式說明依本發明的液晶閑示裝置之一實 施例。 實施形態1 (液晶顯示屏之等値電路） 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS )々4規格（210X297公釐） -13- 495635 A7 B7 五、發明説明（U ) 第2圖係表示構成液晶顯示屏的透明基板中之一方之 透明基板（T F T基板）側之等値電路的電路圖。同圖係 電路圖，傕對應於實際之幾何上配置所描繪。 在第2圖之TF T基板TFT — L CD的液晶側之面 ，形成有向其X方向延伸且並設於y方向的閘極信號線（ 也稱爲掃描信號線）GL，及絕緣於該閘極信號線GL， 向y方向延伸且並設於X方向的汲極信號線（也稱爲影像 信號線）D L。 以閘極信號線G L與汲極信號線D L所圍繞的矩形狀 之領域係成爲構像素領域，而在此等各像素領域具備；藉 由來自一方之閘極信號線GL之掃描信號（電壓）之供應 而被導通的薄膜電晶體T F T，及經由該被導通之薄膜電 晶體T F T而施加從一方之汲極信號線所供應之影像信號 (電壓）的像素電極I TO 1。 該像素電極I T〇1係例如由Indjum Tin Oxide所形成 的透明導電層所構成。 經淖部中央標率局兵工消费合竹社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，在該像素電極I TO 1與另一方之閘極信號線 G L之間具備附加電容元件C a d d，構成在薄膜電晶體 丁 F T被斷開時能長時間地儲存施加於像素電極I T〇1 的影像信號。 \ 在各像素電極I TO 1之部分附有R，G，B之任一 記號，惟此等係表示顏色之三原色的紅，綠，藍，在各該 像素領域成爲能負擔對應之顏色。具體而言，成爲形成有 對應於與TFT基板（第1透明基板SUB 1 )對向地配 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) 44規格（210X297公釐） -14 - 495635 A7 B7 五、發明説明（12) 置的濾色基板（第2透明基板S UB 2 )側之顏色的濾色 片。 在此專顯示屏，作爲外設電路形成能連接有掃描信號 線驅動電路部1 0 4及影像信號線驅動電路部1 〇 3。 來自掃描信號線驅動電路部1 0 4係掃描信號依順序 輸入於各閘極信號線，配合該定時，成爲影像信號從影像 信號線驅動電路部1 0 3輸入於各汲極信號線。 在掃描信號線驅動電路部1 0 4及影像信號線驅動電 路部103連接有電源部102及控制部101，由此， 在各電路部成爲施行電源供應，同時發送信號等。 在經由如此所構成的T F T基板T F T與液晶而對向 配置之其他透明基板（濾色基板）之液晶側的面，去角像 素領域之框以形成黑色矩陣層，能覆蓋像素領域，且其周 邊能重疊於該黑色矩陣層BM上以形成濾色片。 經由也覆蓋此等黑色矩陣層及濾色層所形成的保護膜 ，形成有透明導電層所形成的共通電極。 經濟部中央標洚局兵工消费合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，在該共通電極之上面形成有規制上述液晶之配向 的配向膜。 (像素領域之構成）v 第3圖係表示對應於第2圖之虛線框A之像素領域之 具體構成的平面圖。 又，將第3圖之IV — IV線的剖面圖表示於第4圖，將 V - V線的剖面圖表示於第5圖，而將VI — VI線的剖面圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 495635 A7 __B7_ 五、發明説明（u ) 表示於第β圖。 首先，在透明基板S U Β 1之液晶側的面，形成有向 其X方向延伸且並設於y方向的閘極信號線GL。 該閘極信號線G L，係在例如鋁所構成之導電層g 1 的表面，形成有氧化鋁膜AOF (藉由陽極化成所形成） 之材料所構成。 在以該閘極信號線G L與下述之汲極信號線D L所圍 繞的像素領域之大部分，形成有透明導電膜（例如I T 0 )所構成的像素領域I TO 1。 像素領域之圖式左下邊的閘極信號線G L上之一部分 係成爲薄膜電晶體T F T之形成領域，在該領域，依順序 疊層有例如S i N所構成之閘極絕緣膜G I，i型非晶質 S i所構成之半導體層AS，及汲極電極SD2以及源極 電極S D 1所形成。 經澇部中央標準局貝-T-消費合作社印粼 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 源極，汲極係本來藉由其間之偏壓極所決定，在該液 晶顯示裝置之電路中，因其極性係動作中反轉，因此可瞭 解源極與汲極係動作會更換。但是，在本發明之專利說明 書中，將與像素電極I TO 1直接連接之一方的電極固定 作爲源極電極加以表現。 汲極電極S D 2及源極電極S D 1係成爲與汲極信號 線D L同時地形成。 亦即，汲極信號線D L係在其形成領域，藉由事先與 薄膜電晶體TFT之閘極絕緣膜G1，半導體層AS之形 成之同時所形成的絕緣膜G 1，形成於半導體層A S上的 本紙張尺度適用中國國家標净（CNS ) Λ4規格（210X29*7公釐） ' ^ -16- 495635 A7 B7 五、發明説明（14 ) 例如鉻與鋁之依順序疊層體所形成（參照第5圖）。在汲 極信號線D L之形成領域形成絕緣膜G 1 ’半導體層A S ，乃在於-少例如汲極信號線D_ L之段差超越。 薄膜電晶體T F T之汲極電極S D S係與汲極信號線 DL —體地形成，又，源極電極SD 1係與汲極電極 S D 2僅距所定通道長度分量所形成，同時延伸在上述像 素電極I TO 1之一部分而直接重疊所形成。 附加電容元件C a d d係如第6圖所示，將鬧極信號 線（與驅動薄膜電晶TFT之閘極信號線鄰接之其他閘極 信號線）GL作爲一方之電極，並將與汲極信號線DL同 時地形成之導電層d 1及與像素電極I TO 1同時地形成 之導電層d 1相重疊的導電層I T02作爲另一方之電極 ，而將介裝於其中間的絕緣膜之鋁之氧化膜A OF (也可 以爲氮化矽膜G1)構成介質膜。 經滴部中央標莩局員工消費合作社印掣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁). 絕緣膜G 1，及半導體層A S，係與薄膜電晶體 T F T之此等之形成可同時地形成。又，另一方之電極的 導電層d 1係延伸於上述像素電極I TO 1之一部分並直 接重疊所形成。 在如上所構成之像素領域的表面，連接有S i N所構 成之保護膜PSV1，能避免液晶直接接觸、於薄膜電晶體 T F T之特性劣化。 又，在保護膜P SV 1之表面全領域，連接有用以規 制液晶之配向的配向膜（未予圖示）。 本紙張尺度適用中國國家標净.（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 495635 A7 B7 五、發明説明（15 ) (τ F τ之動作） 第15圖係表示TFT主動矩陣液晶顯示裝置之單位 像素之等値電路的圖式。 _ 薄膜電晶體T F T係對於源極電極，將閘極電極藉由 正之電壓施以偏壓成爲導通狀態（源極與汲極間之電阻値 變小），並將供應於閘極電極之偏壓藉由接近於零成爲斷 開狀態，亦即，具有源極與汲極間之電阻値變大的傳動特 性。 在第1 6圖表示用以說明表示於第1 5圖之液晶顯示 裝置之動作之一例的波形圖。 又，在第1 6圖表示之各信號VG，VD及像素 P I X之電壓P XV，係藉由互相重疊此等能防止各波形 之區別成爲不明瞭，依信號VG，VD及PXV之順序錯 開時間來描繪。 經潢部中央標率局貝工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在結合於隨著掃描信號（閘極信號）VG之高位準所 選擇的閘極信號線G i (GL)的像素P I X實行從影像 信號線DL所供應之影像信號（汲極信號）VD之寫入。 此時，像素P I X之電壓PXV，係如在第1 6圖以虛線 所示，由於成爲上述導通狀態的T F T具有電阻成分及像 素P I X爲電容性元件C p i X，因此，_著此之時常數 豎立。在第1 6圖，最初，表示將像素（或液晶格）成爲 較高色調之狀態的正位準的影像信號VD。隨著閘極信號 線Gi+1(GL)之選擇，表不於第16圖之掃描信號 VG係從高位準之選擇位準成爲低位準之非選擇位準。由 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） - -18 嶋 495635 A7 B7 五、發明説明（16 ) 此，因TFT係成爲斷開狀態，因此，上述被寫入之影像 信號V D，係被保持成作用作爲電容性元件C p i X之像 素P I X。隨著從掃描信號VG_之高位準轉換成低位準， 像素之電壓PXV係藉由像素P I X (或是在TFT之源 極電極或汲極電極中連接於像素電極的電極。以下爲了說 明之方便，作爲源極電極加以處理）及T F T之閘極電極 間的寄生電容C g s產生電壓降低成分AV。又，從掃描 信號V G之低位準轉換成高位準，介經閘極與源極間之耦 合器C g s跳進像素P I X之電壓，係介經來自汲極信號 線Xi (DL)之影像信號VD之寫入而可加以抵消，惟 從掃描信號V G之高位準轉換成低位準時，跳進像素 P I X之電壓，係無法介經影像信號V D之寫入來抵消。 在第1 6圖，描繪該後一框之期間，供應有低色調位 準之影像信號V D。 一般，因液晶顯示裝置係實行交流驅動，因此，在掃 描信號VG之每一周期，影像信號VD之極性係如正/負 地轉換而被供應。 經洎部中央標苹局負工消費合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 亦即，如第1 6圖所示，掃描信號VG再成爲高位準 之選擇位準時，影像信號VD係成爲負極性之所期望的色 調位準。又，在第1 6圖係表示成爲負極性、之高色調位準 之例子。在此時，由於成爲上述導通狀態之T F T具有電 阻成分，及像素P IX爲電容性元件Cp i X，因此，像 素之電壓P XV係隨著此之時常數而下降。隨著下一閘極 信號線Gi+Ι (未予圖示）之選擇，表示於第16圖之 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ -19- 495635 A7 B7 五、發明説明（17) 掃描信V G，係從高位準之選擇位準成爲低位準之非選擇 位準。由此，由於TFT係成爲斷開狀態，上述影像信號 VD係被权持成作爲電容性元件Cp i X作用的像素 P I X。 隨著從掃描信號VG之高位準轉換成低位準，像素之 電壓P XV係藉由T F T之閘極電極與源極電極間的寄生 電容Cgs ，與上述同樣產生電位降低成分AV。又，與 正極性時同樣地，從掃描信號V G之低位準轉換成高位準 ，介經閘極與源極間之耦合器C g s跳進像素P I X之電 壓，係介經來自汲極信號線X i之影像信號VD之寫而可 加以抵消，惟從掃描V G之高位準轉換成低位準時，跳進 像素P I X之電壓，係無法介經影像信號VD之寫入來抵 消。因此，負極性時也與正極性同樣地介經閘極與源極間 的耦合器C g s，跳進像素P I X之電壓係將像素之電壓 PXV向負方向降低。 在第1 6圖，描繪該後-框之期間，供應有負極性之 低色調位準之影像信號線V D。 經濟部中央標準局負工消費合作杜印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上所述，液晶交流驅動之正極性及負極性，當掃描 信號VG從高位準轉換成低位準時，均藉由TFT之閘極 電極與源極電極間之寄生電容C g s，像素v之電壓P XV 係對於寫入時刻之影像信號VD之位準，如在第1 6圖以 虛線所示，產生電位降低成分。 因此，給與液晶顯示屏之共通電極C 0Μ的偏壓電壓 V c om，係在第1 6圖以兩點鏈線所示’設定在上述像 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A.4規格（210X297公釐） -20- 經濟部中央標枣趵負工消費合作社印災 495635 A7 __B7_ 五、發明説明（^ ) 1 〇 素之電壓Ρ X V之正極性及負極性之間的實質上中間的位 準（最適當之共通電極電壓）。亦即，在共通電極COM ，介經給與考慮像素電壓P X V„之電位降低Δν的最適當 之共通電極電壓，可實行液晶之實質上之交流驅動。 若給與共通電極C ΟΜ之偏壓電壓V c 〇 m從上述之 最適當之共通電極電壓偏離時，則在液晶交流驅動之正極 性與負極性之期間施加於液晶之電壓V 1 c產生相差，而 產生稱爲閃爍之週期性的亮度變化，顯著地降低顯示畫質 (保持電容元件之動作） 在第1 5圖中，Cg s係形成在先前所述之薄膜電晶 體T F T之閘極電極與源極電極之間的寄生電容。寄生電 容C g s之介質係閘極電極與源極電極間的層間絕緣膜。 C p i X係形成在透明像素電極P I X與共通透明像素電 極C Ο Μ之間的液晶電容。液晶電容C p i X之介質膜係 液晶及配向膜。V 1 c係施加於液晶的電壓。 保持電容元件C a d d係薄膜電晶體TFT被轉換時 ，能作用於減低對於像素電極電位P XV之掃描信號的電 位變化ΔΥ G之影響。將該樣子以式表示則、成爲式1。 △ V = {Cgs/(Cgs + Cdsl+Cds2 + Cadd + Cpix)}X △ VG......式 1 在此，ΔΥ係以前所述的介經掃描信號之電位變化 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） ~ -21 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
495635 A7 ______B7___ 五、發明説明（) 19 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) △ V G的像素電壓p X V之電位降低成分。該電壓降低成 分△ V係成爲施加於液晶之直流成分之原因，惟愈增大保 持電容C a d d，則愈可減少上述像素電壓P X V之電位 降低成分ΔΥ。又，保持電容元件C a d d係也具有增加 放電時間的作用，可延長儲存薄膜電晶體T F T成爲斷開 後之影像資訊。減低施加於液晶之直流成分，係可提高液 晶之壽命，並可減低在轉換液晶顯示畫面時留在先前之畫 像的所謂的燒痕。 又，第1 5圖及式1中，Cd s 1係薄膜電晶體之源 極電極S D 1與汲極電極S D 2間的寄生電容，也是像素 電極P I X與汲極信號線D i間的電容。 又，C d s 2係表示像素電極P I X及鄰接於此的汲 極信號線D i + 1間的寄生電容，C g d係表示閘極電極 與汲極電極間的寄生電容。 經濟部中央標苹局β,τ消費合作社印^ 如第3圖所示，閘極電極GL係增大成能覆蓋i型半 導體層A S之分量，會增加源極電極S D 1與汲極電極 SD 2之重疊面積，因此，寄生電容C g s會增大，像素 電極電位P X V係產生容易受到掃描信號V G之影響的反 效果。但是，介經設置保持電容元件Cadd，像素電極 電位P XV具有不容易受到寄生電容C g s、之影響的效果 〇
在本實施形態，由於像素之電容爲大約1 50 f F ’ 因此，保持電容元件C a d d之電容係考慮寫入特性，成 爲大約1 0 0 f F。由於寄生電容C g s爲大約1 5 f F 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS M4規格（210X297公釐） " -22- 495635 A 7 B7 五、發明説明（2〇 ) ，因此，保持電容元件C a d d之電容係成爲寄生電容 C g s之6倍以上。 又，第2圖，第3圖及第6圖，例示介經經由絕緣 膜重疊鄰接之像素之閘極信號線G L之一部分與像素電極 IT0 1，形成保持電容Cadd的附加電容方式之例子 ，惟保持電容C a d d係並不被限定於此者，如第1 2圖 ，第1 3圖及第1 4圖所示，與閘極信號線GL不同地設 置電容線，並介經經由絕緣膜重疊電容線C L與像素電極 IT01，形成保持電容Cadd之儲存電容方式也可以 。在本實施例中，附加電容方式係具有可提高口徑比之優 點，及增大閘極信號線GL之分佈電容的缺點。又，在本 實施例中，儲存電容方式係具有可減小閘極信號線G L之 分佈電容的優點，及口徑比降低設置電容線C L之分量及 增加製程的缺點。 (寄生電容C g s之偏差防止對策） 由於以往液晶顯示裝置之顯示領域係比L 0型（對角 經來·部中央標率局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 5 . 4 c m )小，因此，閘極電極與源極電極間之寄生 電容C g s之製造上之偏差係較少，而給與共通電壓 C〇Μ之最適當共通電極電壓V c 〇 m係一義地決定。 還是，液晶顯示裝置之顯示領域成爲比1 3型（對角 3 4 cm)時，則寄生電容C g s之製造上之偏差變大， 給與共通電壓C 0M之最適當共通電極電壓V c 〇 m係在 顯示領域之各部分有很大不同，成爲產生無法一義地決定 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- 495635 A7 ____B7_ 五、發明説明（21 ) 的課題。 爲了解決上述課題，在本實施例中，特別是，在上述 薄膜電晶爐T F T之源極電極S_D 1，如在其放大圖之第 1圖所示，在與像素電極I TO 1連接部分而在從與閘極 電極重疊部分至未重疊部分，其寬度形成比薄膜電晶體之 通道寬度W小。 亦即，在同圖中，汲極電極S D 2係形成從汲極信號 線D L在閘極信號線G L上沿著其行走方向延伸之後折彎 指向像素電極I T〇1側。 此時，作爲汲極電極S D 2實質上功能係指向至像素 電極I T 0 1側的折彎部，其長度係成爲決定薄膜電晶體 TFT之通道寬度W。 源極電極S D 1係配置成與該汲極電極S D 2之折彎 部相對向且隔著相當於通道長度之分量，以該狀態延伸至 像素電極I TO 1側俾能與該像素電極I TO 1之連接。 因此，與源極電極SD 1之汲極電極SD 2對向之邊 的長度係成爲上述頻道寬度。 經濟部中央標率局貝工消费合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 直交於該源極S D 1之延伸方向的寬度W0之長度形 成比上述通道寬度W小。 如此構成之源極電極S D 1係在形成此時，即使形成 \ 產生向圖中y方向偏位時，該源極電極S D 1對於閘極信 號線GL的重疊部之面積也不會有很大變化。此乃直交於 源極電極SD1之延伸方向的寬度W0之長度形成較小所 致。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X 297公釐） •24- 495635 A7 B7 五、發明説明（22 ) 又，在圖中X方向產生偏時，該源極電極S D 1對於 閘極信號線G L的重疊部之面積的變化係成爲完全沒有。 由此，即使在旋轉方向0產生偏位，該源極電極 S D 1對於閘極信號線G L的重疊部之面積也不會有很大 變化。 因此，各像素領域之薄膜電晶體TFT，係成爲可將 其閘極電極與源極電極之電容C g s大約均勻地形成，而 成爲可抑制閃爍之發生。 這種效果係並不是僅將汲極電極S D 2與源極電極 SD 1之圖案藉由表示於第1圖者，當然也可以藉由例如 第7 ( a )圖至第7 ( d)圖所示的各圖案同樣地得到。 此時，在上述之實施例中，源極電極SD 1係除了用 以連接於像素電極I TO 1之延伸部，構成與汲極電極 SD2對稱關係者。 但是，如第8圖所示，當然也可將源極電極S D 1形 成直接延伸至用以連接此之像素電極I TO 1相反方向延 伸而超越閘極信號線G L者。 經濟部中央標孪局兵工消费合作社印絜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此時，爲了該源極電極SD 1，避免與鄰接之像素領 域之像素電極I T01相連接，而在該閘極信號線GL設 於一部分切除G L C，構成能超越該閘極信號線G L。 v 換言之，與實質上未功能作爲電極之其他部分一體所 形成之源極電極S D 1，係形成能與閘極信號線G L交叉 之狀態。 如此所構成之源極電極S D 1係在形成此時，即使例 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) 44規格（210X297公釐） -25- 495635 A7 _____B7_ 五、發明説明（23) 如圖中X方向，另外即使向y方向產生偏位所形成，該源 極電極S D 1對於閘極信號線G L的重疊部之面積也完全 不會有變化。 因此，各像素領域之薄膜電晶體T F T係成爲可均勻 地形成其閘極電極與源極電極之電容C g s，成爲可大幅 度地抑制閃爍之發生。 在本實施例中，特別是，在沿著閘極信號線G L所排 列的各該薄膜電晶體T F T，其閘極電極（閘極信號線 G L )與源極電極S D 1之間的電容C g s ;構成在閘極 信號線之輸入端子側較小而在終端側較大。 亦即，第9 ( a )圖係表示閘極信號線G L之輸入端 子側的薄膜電晶體，而第9 ( b )圖係表示閘極信號線 G L之終端側的薄膜電晶體。 由第9 (a)圖及第9 (b)所示可知，藉由表示於 第9 (b)圖的薄膜電晶體TFT之源極電極SD1側的 半導體層A S形成比表示於第9 ( a )圖者較大（以符號 I表示該過剩分量），形成終端側之薄膜電晶體T F T之 經濟部中央標枣局β Η消资合作社印繁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 閘極信號線GL與源極電極SD 1之間的電容C g s較大 〇 亦即，終端側之薄膜電晶體之源極電極近旁的半導體 \ 層A S與閘極信號線G L重疊之面積，比輸入端子側之薄 膜電晶體之源極電極近旁的半導體層A S與閘極信號線 G L重疊之面積大。 此時，從閘極信號線G L之輸入端子側至終端側的各 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ/規格（210X297公釐） _~ -26- 495635 A7 B7 五、發明説明（24 ) 薄膜電晶體TFT之電容Cg s係構成依順序變大，或是 構成依順序地群化鄰接之複數各薄膜電晶體，並依順序地 增大每一 it等群也可以。 _ 藉由如上所構成，依對於閘極信號線G L之掃描信號 的波形失真的像素電極I TO 1向電位正方向的移位，以 依存於跳進電壓之上述電容C g s的像素電極I TO 1向 電位負方向的移位被相殺，而可將施加於閘極信號線G L 之輸入端子側與終端側之各液晶的電壓成爲相等。 所以，可抑制依亮度變化的畫面之閃爍。 一般，液晶屏之一線的寫入時間，係以來自掃描信號 線驅動電路部（參照第2 (A)圖之記號1 04)之「 T F T導通信號」之寬度所決定之時間內完成。 經濟部中央標準局β工消f合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而，TFT導通信號係藉由水平掃描頻率，其寬度 一義地決定的矩形脈衝，一般在矩形脈衝，由於其上昇或 下降之電流變化分量（d i / d t )較大，因此，容易受 到信號路徑中之時常數之影響，因實際之上昇或下降波形 成爲沿著時常數曲線的曲線性波形（以下，將該曲線性波 形稱爲「波形失真」，而曲率大之波形稱爲「波形失真大 」），而且因其波形失真係愈接近信號路徑之終端愈大， 因此，上述像素電壓P XV之電位降低成兮AV係愈至掃 描信號線之終端愈少，結果，終端側之像素電壓（源極電 極電壓）對於掃描信號線之輸入端子側較高。 這種問題點，特別是，在增大像素數時，或增大畫面 尺寸（特別是掃描線方向的尺寸）時較顯著。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -27- 經漭部中央標準局負工消費合作社印災 495635 A7 __B7 五、發明説明（25) 第15圖之分佈電容（Cgs，Cadd，Cgd) 與像素數或畫面尺寸在比例上變較大。 以下，具體地說明上述問題點。 第1 7圖係表示液晶顯示屏之一線分量的等値電路。 在該圖中，GTM係TFT導通信號之輸入端子（亦即， 連接於第2圖之掃描信號線驅動電路1 〇 4之輸出的端子 )，該端子G T Μ係經掃描信號線驅動電路1 〇 4與液晶 顯示屏之間的配線1 1，而被連接於液晶顯示屏之閘極信 號線GL。R 1 1及C 1 1係分別表示配線1 1之電阻成 分與電容成分。閘極信號線G L係等値於像素單位，而各 像素之R12及C12係分別表示各像素之電阻分量與電 容分量（也稱爲分佈電容，相當於C g s + C a d d + C g d ) 〇 現在注重於閘極信號線GL之兩點a，c，考量在各 該點之TFT導通信號之波形失真。a係最接近於端子 GTM之點。將該點a之TFT導通信號方便上作爲 VG a。C係從端子GTM最遠之（換言之，爲掃描信號 之終端之）點。將該點C之TFT導通信號方便上稱爲 V G c。 第1 8 ( a )圖係表示端子側，第1 $ ( b )圖係表 示中央側，而第1 8 ( c )圖係表示終端側之T F T之驅 動波形的圖式。任何信號VC a，VG c均在分配於一水 平掃描期間內的所定寫入期間T X從上昇至下降變化之矩 形脈衝。信號VGa之波形失真係藉由Rl 1與C 1 1之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ' •28- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
495635 A7 ___B7_ 五、發明説明（％ ) ΖΌ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 時常數所產生之微少者，惟信號V G c之波形失真係除了 該R 11與C 1 1之時常數外，又包括一線之像素數之 R12與C12的時常數所產生_之較大者。因此，信號 VGc之下降t f r比信號VGa之下降t f 1相當延遲 。延遲之程度係像素數愈多，或畫面尺寸愈大則愈顯著。 乃增大上述之分佈電容（亦即C 1 2 )所致。 亦即，成爲t f r>t f 1之關係，其相差係主要依 存於上述分佈電容之大小。 因此，由先前所說明之式1之關係，端子側之像素電 壓的降低成分△ V 1係成爲比終端側像素電壓的降低成分 △ V r 大。 以往，因單位像素之寄生電容C g s，C d s 1， C d s 2及保持電容C a d d係成爲相等於像素電極之驅 動條件，因此，常識上設計成顯示領域之任何場所均成爲 一定。故在以往技術，先前所述之最適當共通電極之電壓 V c 〇 m實際上係在閘極信號線G L之端子側與終端側不 柑同。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 但是以往係顯示畫面之尺寸比1 0型（縱1 5 cm ’ 橫2 1 cm)小，且閘極信號線GL也不長（2 1 cm以 下），因此在輸入端子側之像素與終端側之、像素之間’像 素電極之電位降低成分△ V之相差係可忽視之小’在液晶 顯示裝置之驅動界限（特別是，最適當共通電極電壓 V c 〇 m之界限）上有餘量，故無法認識本發明之課題。 因此，在以往技術中，一線之像素數較多時，或顯示 本紙張尺度適用中國國家標率（（^5)人4規格（210’/ 297公釐） -29- 495635 A7 B7 五、發明説明（27 ) 領域之閘極信號線方向之長度變長時（至少在閘極信號線 之長度爲2 7 cm以上的液晶顯示裝置），對於顯示領域 之全像素&爲無法將給與共通霞極之電壓成爲最適當者。 爲了解決上述課題，在上述實施例，係藉將薄膜電晶 體TFT之源極電極SD1側之半導體層AS之大小形成 不同，而將其電容C g s成爲不同者。 又，在上述實施例，由於在薄膜電晶體TFT之通道 形成領域（源極電極S D 1與汲極電極S D 2之間的領域 )以外之部分，將半導體層A S之大小形成不相同，因此 ，在輸入端子側與終端側變更閘極與源極間電容C g s， 而不變更T F T之尺寸（具體而言，通道長度1及通道寬 度w )下，容易設計液晶顯示裝置。 經滅部中央標準局员工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，由式1可知，將像素電極之電位降低成分AV調 整成在各像素間相差減少的方法，係如上述實施例，並不 被限定於調整閘極與源極間電容C g s的方法，或是調整 保持電容元件Ca dd之方法，調整液晶電容Cp i X ( 具體而言，爲像素電極I TO 1之面積或像素電極 IT〇1與共通電極COM(未予圖示）間的距離）之方 法，或調整源極與汲極間電容C d s 1之方法，或是調整 像素電極I TO 1及與此鄰接之汲極信號線D L間之寄生 電容Cds2的方法也可以。 但是，調整閘極與源極間電容C g s的上述實施例者 ，式1之分子僅由閘極與源極間電容C g s所構成可知， 以較少之閘極與源極間電容C g s之變化量，用較廣動態 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30 - 495635 A7 B7 五、發明説明（28 ) 等級可調整像素電極之電位降低成分Δν。如此在上述實 施例，由於用以變化閘極與源極間電容C g s的空間較少 就可以，因此，可增大像素之口_徑比。 又，組合閘極與源極間電容C g s，保持電容元件 Ca dd，液晶顯示電容Cp i X，源極與汲極電容 C d s 1及像素電極汲極信號線間電谷C d s 2加以調整
，即可以更廣動態等級調整像素電極的電位降低成分△ V 〇 又，介經保持電容元件C a d d，液晶電容C p i X ，源極或汲極電容C d s 1或像素電極汲極信號線間電容 Cds 2，來調整像素電極之電位降低成分AV時，由此 等電容構成式1之分母即可明瞭，在掃描信號驅動波形之 失真變大的終端側的像素側的像素c來減少此等電容，而 以掃描信號驅動波形之失真較少的輸入端側的像素a來增 大此等電容。 經满部中央標導局負工消费合作社印掣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，調整閘極與源極間電容C g s之方法係並不被限 定於調整與半導體層A S之閘極信號線G L的重疊面積者 ，如第1 0圖所示，對於閘極信號線G L之源極電極 S D 1的重疊領域之該閘極信號線G L構成延伸如圖示之 突起部G L P，且該突起部G L P之面積係閘極信號線 G L之輸入端子側較小且在終端側較大地形成也可得到同 樣之效果。 又，如第1 1圖所示，當然也可以藉由變更該閘極信 號線G L之寬度方向的長度將源極電極S D 1對於閘極信 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS )冷4規格（210X297公釐） 一 -31 - 495635 A7 ____B7 五、發明説明（29) 號線G L的重疊領域形成不同。 亦即，將沿著閘極信號線G L排列的各像素領域，在 互相鄰接乏複數之每一像素領域成爲群化，並將該各群化 之像素領域的閘極信號線G L形成從其輸入端子側至終端 側依順序擴充（擴充與源極電極SD 1之像素電極 I TO 1連接之一邊的寬度）構成。 又，如第1 2圖，第1 3圖及第1 4圖所示，在保持 電容C a d d採用儲存電容方式的液晶顯示裝置時，藉由 從輸入端子側至終端側依順序擴充像素電極I T 0 1與電 容線C L之重疊面積的構成，也可調整像素電極之電位降 低成分Δν。在第1 3圖及第1 4圖所示之實施例，介經 調整電容線C L之寬度w3，來調整電位降低成分AV。 經滅部中央標卑局負工消費合竹社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於儲存電容方式之液晶顯示裝置係閘極信號線G L 之分佈電容較少，因此，具有可減少掃描信號VG之波形 失真的影響。但是，在儲存電容方式之液晶顯示裝置，也 如上述實施例，調整閘極與源極間電容C g s或保持電容 C a d d，介經減小輸入端子側與終端側之電位降低成分 △ V之相差，由於可將掃描信號VG之波形失真的影響成 爲完全沒有，因此，可實現具有最大級之顯示畫面的液晶 顯示裝置。 、 又，輸入於閘極信號線G L之信號線波形的失真，係 從輸入端愈至終端，單調地增加。 第1 7圖之b部係表示閘極信號線（掃描信號線） G L之中央部，而將其部分之T F T驅動波形表面於第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） -32- 495635 A7 _B7___ 五、發明説明（3〇) 18 (b)圖。第18 (a)圖係表示於第17圖之（a )之輸入端子側的T F T驅動波形，而第1 8 ( c )圖係 表示於第1 7圖之c之終端側之T F T驅動波形。比較第 18 (a)圖，第18 (b)圖及第18 (c)圖即可知 ，中央部之掃描信號VGb之下降時間t f係在輸入端子 側之下降時間t f 1與終端側之下降時間t f r之中間。 亦即，具有t f l<t f<t f r之關係。因此，在設計 成寄生電容在所有像素成爲同等的以往之液晶顯示裝置， 中央部之像素電極之電位降低成分AV，係在.輸入端子側 之電位降低成分△ V 1與輸出端子側之電位降低成分 △ V r之間。亦即具有Δν 1 >AV>AV r之關係。 因此，對應於閘極信號線G L之中央部分的像素電極 I T 0對於電壓正方向之移位量，係比對應於閘極信號線 G L之輸入端的像素電極I T〇多，而比對應於閘極信號 線GL之終端的像素電極I TO少。 經#‘部中央標绛局兵Η消費合作社印^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
因此，介經將連接於閘極信號線G L之中央部分的薄 膜電晶體T F T之閘極電極與源極電極S D 1之間的電容 C g s，形成比連接於閘極信號線GL之輸入端的薄膜電 晶體TFT之電容C g s大，而比連接於閘極信號線GL 之終端的薄膜電晶體TFT之電容C g s小，可將跳進輸 \ 人端及終端之像素電極I TO與中央部之像素電極I TO 的閘極信號之洩漏成分成爲均勻，而最適當之共通電極電 壓在輸入端及終端之像素之像素與中央部之像素不會不相 同，因此在顯示領域之中央部不會發生閃爍。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X29*7公釐） •33- 495635 A7 B7 ------—— --------------—__________ 五、發明説明（31 ) 又，在此閘極信號線之輸入端及終端的像素電極 I TO係在貢獻於顯示之像素電極I TO 1被議論，而除 外考量對於以遮光膜被遮光的像素電極I τ 0 1或未完成 之像素的像素電極等之顯示上未貢獻的像素電極I T〇1 乃妥當；當然這些與閃爍無關係者。 但是，在閘極信號線之輸入端及終端的像素電極 I TO 1，若對應於被遮光之像素電極I το 1之像素， 採用終端側之薄膜電晶體T F T之電容C g S比輸入端側 之薄膜電晶體TFT之電容Cg s大之構成，具有直流成 分不會施加於液晶，而可提高液晶之壽命的效果。 在本實施例，說明施以依輸入於聞極信號線G L之掃 描信號之波形失真的閃爍防止對策，及依曝光裝置之光學 系統之失真的源極電極S D 1之偏位的閃爍防止對策的液 晶顯示裝置者，惟當然構成施以這些各防止對策中之任何 一方均可以。 MM部中次標枣局負二消费合作社印私 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 但是在實行依源極電極S D 1之偏位的閃爍防止對策 的液晶顯示裝置，介經實行依輸入於閘極信號線G L之掃 描信號之波形失真的閃爍防止對策，可用高精度調整像素 電極的電位降低成分Δν，即使將顯示領域放大至最大級 ，也可以充分地確保液晶顯示屏之驅動界限（特別是，共 通電極電壓V com之界限）。 (透明基板SUB 1之製造方法） 以下，參照第1 9圖至第2 1圖說明表示於第3圖的 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ.4規格（210X297公釐） -34- 495635 A7 B7 五、發明説明（32) 液晶顯示裝置之第1透明絕緣基板（薄膜電晶體基板） SUB 1側的製造方法。又，在同圖中，中央之文字係表 示工程名稱之略稱，左邊係表示薄膜電晶體T F T ( IV -IV切剖線），右邊係表示保持電容C a d d (VI - VI切剖 線）之剖面形狀觀看的加工流程。除了工程B及D外，工 程A至G之工程係對應於各光處理所區分者，各該工程之 切剖圖均表示完成光處理後之加工，且除去光阻劑之階段 。又，上述光處理係表示在本說明爲從光阻劑之塗佈經使 用光罩之選擇曝光，並顯像此爲止的一連串作業者，避免 重複說明。以下依照所區分之工程加以說明。 工程A，第1 9圖 經漭部中央標準局β Η消費合作社印袈 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在7 0 5 9玻璃（商品名稱）所構成的第1透明絕緣 基板SUB 1之兩面介經浸漬處理設置氧化矽膜S I 0之 後，實行500 °C，60分鐘之烘烤。又，該S I 0膜係 形成用以緩和透明絕緣膜S U B 1之表面凹凸所形成，惟 凹凸過少時，爲可省略之工程。介經濺射設置膜厚爲 2800A 之 Al-Ta，A1-Ti— Ta，A1 -Pd等所構成的第1導電膜gl。經光處理後，以磷酸與 硝酸及水醋酸之混酸液選擇性蝕刻第1導電膜g 1。 工程B，第1 9圖 剛施以光阻後（形成上述之陽極氧化圖案後），在將 介經氨水調整3%酒石酸成爲pH6 · 2 5±0 · 0 5之 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' ^ -35- 495635 A7 B7 五、發明説明（％ ) 溶液以乙二酸液稀釋成1 : 9之液所形成之陽極氧化液中 浸漬基板S U B 1，形成電流密度調整成0 · 5 m A / c m 2 (定電流形成）。之後，實行陽極氧化直到能得到所 定之A 1 2〇 3膜厚所必需的形成電壓1 2 5 V爲止的陽極 氧化（陽極形成）。然後，在該狀態下保持數十分鐘較理 想（形成定電壓）。此乃爲了得到均勻之A 12〇3膜上極 重要。由此，導電膜g 1被陽極氧化，在掃描信號線（閘 極線）GL上及側面自動對準地形成有膜厚1 8 Ο Ο A之 陽極氧化膜AOF，而成爲薄膜電晶體TFT之閘極絕緣 膜之一部分。 I程C，第1 9圖 介經濺射設置膜厚1 4 Ο Ο A之I TO膜所形成的導 電膜I T 0。光處理後，以硝酸與硝酸之混酸液作爲蝕刻 液介經選擇性地蝕刻導電膜I T 0，形成保持電容 C a d d之其中一方的電極及透明像素電極I TO 1。 經洎部中夾標皁局β工消費合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 工程D，第2 0圖 在電漿CVD裝置導入氨氣體，矽烷氣體，氮氣體。 設置膜厚2 0 0 0 A之氮化矽膜，在電漿C、VD裝置導入 矽烷氣體，氫氣體，設置膜厚2 0 0 0 A之i型非晶質 S i膜之後，在電漿CVD裝置導入氫氣體，磷氣體，設 置300A之N+型非晶質Si膜d〇)。該成膜係在相 同C V D裝置變更反應室連續地實行。 本紙張尺度適用中國國家標準（（:NS ) A4規格（210X 297公釐） - -36· 495635 A7 B7 五、發明说明（34 ) 工程E，第2 0圖 光處^後’作爲乾蝕刻氣體使用SF6，BC 1，實 行蝕刻N +型非晶質S i膜d 〇，及i型非晶質S i膜 AS。之後使用SF6實行蝕刻氮化Si膜GI 。當然也 可以用SF6氣體連續蝕刻N+型非晶質S i膜d〇，i 型非晶質S i膜A S及氮化S i膜G I。 如此介經以S F 6作爲主成分之氣體連續地蝕刻至層 之CVD膜，可將i型非晶質S i膜AS及氮化S i膜 G I之側壁加工成推拔形狀。因上述推拔形狀，即使源極 電極S D 1形成在其上部，也顯著地降低斷線的機率。N +型非晶質S i膜d 〇之推拔角度接近9 0度，惟因厚度 薄至30 0 A，故在該段落差之斷線機率極小。因此，N +非晶質S i膜d 0，i型非晶質S i膜A S，氮化S i 膜G I之平面圖案係嚴格地說並不是相同圖案，而是斷面 成爲順推拔形狀，因此，依N+型非晶質Si膜d〇，i 型非晶質S i膜AS，氮化膜G I之順序成爲大圖案。 經Μ部中央標绛局負工消費合作社印$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 工程F，第2 1圖 介經濺射設置膜厚6 0 0 A之C r所形成之第1導電 膜d 1。光處理後，以硝酸第2铈溶液銨蝕刻第1導電膜 dl，形成汲極信號線DL，源極電極SD1，及汲極電 極 S D 2。 在本實施例，如工程E所示，由於N +型非晶質S i 本紙張尺度速W中國國家標碑（（、NS ) Λ4規格（210父297公羡1 ^ -37· 495635 A 7 B7 五、發明説明（35 ) 膜d 〇，i型非晶質S i膜A S，氮化S i膜G I成爲順 推拔，因此，僅以第1導電膜dl形成源極電極SD1， 也不會使源極電極S D 1成爲斷線。 之後，在乾蝕刻裝置導入S F 6，B C 1而介經蝕刻 N +型非晶質S i膜d 0，俾選擇性地除去源極與汲極間 的N+型半導體層d〇。 工程G，第2 1圖 在電漿CVD裝置導入氨氣體，矽烷氣體，氮氣體， 設置膜厚0 · 6^m之氮化S i膜。經光處理後，作爲乾 蝕刻氣體使用S F 6而介經蝕刻，形成保護膜P SV 1。 作爲保護膜，不僅在CVD所形成之S i N膜，也可以使 用有機材料者。 (光罩之設計） 第1基板SUB 1之各層的圖案係介經光刻法所形成 〇 經滅部中决標泽局β工消资合竹社印災 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2 2 ( a )圖係表示圖案形成方法之一例的圖式。 MSK 1係用以複印至基板之圖案PAT所形成的光 罩。MS K 1係一個，形成有液晶顯示屏之一層的全圖案 〇 SUB 1係光阻劑塗佈於主面的基板。在第2 2 (a )圖之例子，係表示在一片基板S U B 1形成一個液晶顯 示屏之圖案的例子。但是，在一片母玻璃基板形成複數液 本紙張尺度適州中國國家標率（（、奶）八4規格（210'/297公釐） -38- 495635 A7 ___B7_ 五、發明説明（Μ ) 〇0 晶顯示屏之圖案也可以。 在光罩設有對準標記A LM，介經對準設於基板之對 準標記ALM與光罩之對準標記ALM，實行第1基板 SUB 1之各層間的對準。 在水銀燈等光源L I T所發生之紫外線等之光，係在 透鏡光學系L E N被加工成均勻之面光源後，被送至反射 鏡 Μ I R。 被送至反射鏡Μ I R之光係向狹縫S L Τ反射，而經 狹縫S L Τ之光係成爲線狀之光來照射光罩MS Κ 1。 透過光罩MSK1之線狀光係踫到基板SUB 1上而 感光光阻劑。 此時，僅照到光之e部分，光罩MSK 1之圖案 PAT被複印在基板SUB 1上。 在表示於第2 2 ( a )圖之箭印方向，對於基板及光 罩，介經相對地移動狹縫S L T或反射鏡Μ I R，光罩 MSK 1之圖案PAT作爲基板SUB 1之圖案PAT / 被轉印。 :¾¾部中次掠準局Μ,χ消费合竹社印災 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第22 (b)圖係表示以表示於第22 (a)圖之方 法所使用的光罩MSK1之圖案PAT的例子者。 以表示於第9圖之實施例爲基礎加以說.明時，表示於 第2 2 ( b )圖之光罩MSK係形成有半導體層AS之圖 案。 閘極信號線G L之延伸方向係X時，則第2 2 ( b ) 圖之a係表示輸入端子側的半導體層A S之圖案，而b係 本紙張尺度適用中國國家標华（（，NS )々4規格（210X297公釐） -39- 495635 A7 B7 五、發明説明（37 ) 表示終端側的半導體層AS之圖案。第22(b)圖之I 部分，係用以調整先前所述之閘極與源極間電容C g s的 圖案。 一 在表示於第22 (a)圖及第22 (b)圖的一光罩 MS K 1形成液晶顯示屏之一層的全圖案，而依照圖案形 成基板SUB 1之所期望之層（例如半導體層AS)之方 法，在相同曝光條件下，由於可形成輸入端子側與終端側 之圖案，因此，以高精度可形成用以調整像素電極之電位 降低成分Δν的圖案I 。 故可精度優異地控制電位降低成分AV，而可提高液 晶顯示屏時的界限（特別是共通電極電壓V c om之界限 )° 又，如第22 (a)圖所示，在形成基板SUB1上 之圖案PAT時，由於移動反射鏡Μ I R或狹縫S LT並 施以曝光，因此，介經機械上之部分的精度，在基板上之 圖案PAT會產生歪斜。 經渋部中决標卑局δ,τ消費合作社印欠 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 但是，介經直交於以第7 (a)圖至第7 (d)圖及 第8圖所示之源極電極SD1之延伸方向的寬度w〇之長 度形成比上述通道寬度w小之構成，因依源極電極S D 1 與閘極信號線G L對準偏離的閘極與源極間，電容C g s之 變動變少。因此，可減小曝光工程之歪斜的影響。 第2 3 ( a )圖係表示在第1基板SUB 1形成圖案 之方法的其他例者。 與第22 (a)圖不同點，係將基板SUB1上之圖 本紙張尺度適家標卒（rNS ) μ規格（210X 297公釐1 - -40 麵 經滅部中次標缚^只工消资含作社印$ 495635 A7 _____ B7 五、發明説明（幼） 案PAT分成複數之塊圖案PATi ，PATii , PATiii，PATiv，而在每一各塊使用一枚光罩 MSKi ，MSKii ，MSKiii，MSKiv 者。 第23 (b)圖係表示在表示於第23 (a)圖之方 法的複數光罩 MSKi ，MSKii，MSKiii，MSKiv 的圖案的例子者。 以表示於第9圖之實施例爲基礎加以說明時，第2 3 (b )圖係表示半導體層a s之光罩之例子。閘極信號線 G L之延伸方向係X時，則光罩M S K i ，M S K iv係表 示輸入端子側之光罩，而光罩MSKii，MSKiii係表示 終端側之光罩。又，表示於第2 3 ( b )圖之a係表示輸 入端子側的半導體層A S之圖案，而b係表示終端側的半 導體層AS之圖案。第23 (b)圖之I部分，係用以調 整先前所述之閘極與源極間電容C g s的圖案。 其他，未特別地說明之點係與表示於先前所述之第 22 (a)圖及第22 (b)圖之實施例相同。 依照表示於第23 (a)圖之實施例，由於介經複數 光罩 MSK i ，MSKii，MSKiii，MSKiv 形成一具 液晶顯示裝置之一個層的圖案PAT# ，因此，可製作顯 示畫面的大液晶顯示裝置。 、 但是，在如第23 (a)圖所示之實施例中’在輸入 端子側與終端側，由於必須以不同之光罩形成調整電位降 低成分Δν的圖案1，因此，很難以高精度來調整電位降 低成分△ V。 本紙張尺度適用中國國家標缚((，奶）八4規格（2】0><：297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) έ -丁 -" -41 - 495635 A7 B7 五、發明説明（39 ) 又，在表示於第23 (a)圖之實施例，由於在基板 SUB1 之各塊圖案 PATi > ，PATii'， PATffi /，PATiv>之間的:境界領域，重複曝光複數 次，因此，圖案比其他部分更細小。 因此，在避開複數次曝光之部分的部分，必須設置調 整電位降低成分AV的圖案1。 對此，由於表示於第22 (a)圖之實施例，係以一 枚光罩MSK 1形成液晶顯示裝置之一層的圖案PAT / ，因此，無境界領域地，用以設置調整電位降低成分Δν 之圖案1的限制較少。 但是，欲製造具有最大級之顯示領域的液晶顯示裝置 時，若未考慮調整電位降低成分AV的圖案1之精度，貝！I 表示於第2 3 ( a )圖之實施例者較適合。 經淆部中次標準局只工消费合作社印來 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 表示於上述之第22 (a)圖，第22 (b)圖或第 23 (a)圖及第23 (b)圖所示的圖案之形成方法， 係表示在半導體層AS，設置調整電位降低成分Δν的圖 案1之例子，惟在其他層設置調整電位降低成分AV的圖 案1也可以。 例如在表示於第1 1圖及第1 1圖之實施例中，在形 成閘極信號線GL之工程（第1光）之光罩γ，使用表示於 第22 (a)圖，第22 (b)圖或第23 (a)福，第 23 (b)圖的圖案形成方向也可以·又，在形成源極電 極SD 1的工程（第1光）所用的光罩，使用表示於第 22 (a)圖，第 22(b)圖或第 23 (a)，第 23 ’ 本紙張尺度適用中國囤家標缚((、NS ) /\4娜（210X297公釐) ^ -42- 495635 A7 B7 _ 五、發明説明（4()) (b )圖所示之圖案的形成方法也可以。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (在兩端驅動閘極信號線G L之情形） 第2 4圖係表示爲了減低掃描信號線驅動波形VG的 波形失真，在閘極信號線G L之左右兩端設置掃描信號線 驅動電路部1 0 4之例子的液晶顯示裝置的等値電路·在 表示於第2 4圖的構成的液晶顯示裝置中，閘極信號線 G L之終端係沒有存在。 但是，在表示於第2 4圖之構成的液晶顯示裝置，距 兩件掃描信號線驅動電路部1 0 4較遠的中央部之像素B 的掃描信號線VG之波形失真，比距兩件掃描信號驅動電 路部1 0 4較近側的像素A，C的掃描信號VG之波形失 真大。 因此，在表示於第2 4圖之兩側驅動的液晶顯示裝置 ，介經將距輸入端子較遠側之像素B的閘極與源極間電容 C g s，構成比接近於輸入端子側之像素A，C的閘極與 源極間電容C g s較大即可減小依掃描信號V G之波形失 真的像素電極之電位降低成分之相差。 具體的閘極與源極間電容C g s之調整方法係如表示 於第9圖，第1 0圖及第1 1圖之實施例' 又，在表示於第2 4圖之兩側驅動的液晶顯示裝置， 減小像素電極之電位降低成分之相差的方法，係並不 被限定於調整閘極與源極間電容C g s者，而調整保持電 容Ca dd，液晶電容Cp i X，源極與汲極間電容 本紙張尺度適用中國國家標绛（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐) — " ^ - 43 - 495635 A7 B7 五、發明説明（41 ) C d s 1或像素電極與汲極信號線間電容C d s 2者也可 以。 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，在本實施例表示依形成閘極電極，形成閘極絕緣 膜，形體半導體層，形成源極及汲極電極之順序所形成的 反參差構造的薄膜電晶體T F T。 但是，本發明係並不限定於使用反參差構造的薄膜電 晶體的液晶顯示裝置者，而在使用經由閘極絕緣膜將閘極 電極形成在半導體層上之正參差構造的薄膜電晶體T F T 的液晶顯示裝置也可適用本發明。 實施之形態2 又，本發明係將所謂縱電場方式之液晶顯示裝置說明 作爲一實施例者。但是，在一方之透明基板的液晶側之面 設置互相相對向的一對電極，而在此等各電極之間與該透 明平板平行地產生電場的橫電場方式時，其情形也完全相 同，故也可適用該橫電場方式之液晶顯示裝置。 第2 5圖係表示適用本發明的橫電場方式之主動矩陣 方式彩色液晶顯示裝置之一像素與其周邊的平面圖。 第2 6圖係表示第2 5圖之3 — 3切剖線之剖面的圖 式。如第2 5圖及第2 6圖所示，以液晶層L C爲基準， 在下部透明玻璃基板S U B 1側形成有薄膜電晶體T F T ，儲存電容C s t g，像素電極PX及對向電極COM2 ，而在上部透明玻璃基板SUB 2側形成有濾色片F 1 L ，遮光用黑矩陣圖案BM。 本紙張尺度適用不國國家標率（rNS ) Λ4規格（210X 297公楚1 ~ •44- 495635 A7 B7 五、發明説明（42) 又，在透明玻璃基板SUB1，SUB2之各該內側 (液晶L C側）之表面，設有控制液晶之初期配向的配向 膜0R11，〇R12，而在透明玻璃基板SUB1， S U B 2之各該外側的表面，設有偏光軸直交所配置的偏 光板。 如第2 5圖所示，各像素係配置於閘極信號線（掃描 信號線或水平信號線）GL，及對向電壓信號線（共通電 極配線）C0H1，及鄰接之兩條汲極信號線（影像信號 線或垂直信號線）DL之交叉領域內（四條信號線所圍繞 的領域內）。各像素係包括薄膜電晶體T F T，儲存電容 C s t g，像素電極PX及對向電極COM2。閘極信號 線GL，對向電壓信號線C0M1係在圖中向左右方向延 伸，向上下方向配置複數支，汲極信號線D L係向上下方 向延伸，並向上下方向配置複數支。像素電極P X係與薄 膜電晶體TFT相連接，而對向電極COM2係與對向電 壓信號線C〇Ml成爲一體。 經治部中次標準局β工消费合作社印$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在沿著汲極信號D L上下地鄰接的二像素，係在第 2 5圖之A線折彎時，平面構成成爲重疊之構成。此乃係 以沿著汲極信號線D L上下地鄰接之二像素共通化對向電 壓信號線COM 1，並介經放大對向電壓信號線COM 1 之電極寬度，而爲了減低對向電壓信號線C0M1之電阻 。由此，將對向電壓從外部電路充分地供應至左右方向之 各像素的對向電極C 0M 2成爲容易。 像素電極PX與對向電極COM2係互相地對向，介 本紙張尺度適用中國國家標率（（、NS ) Λ4規格（21〇Χ297公濩) ' '~ ^ -45- 495635 A7 B7__ 五、發明説明（） 43 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經各像素電極P X與對向電極c Ο Μ 2之間的電場控制液 晶L C之光學性狀態，俾控制顯示。像素電極Ρ X與對向 電極C Ο Μ 2係梳齒狀地構成，_.分別形成向圖之上下方向 較細長之電極。 閘極信號線G L係設定電極寬度使掃描電壓能充分地 施加於終端側的像素之閘極電極G Τ，俾得到充足之電阻 値。又，對向電壓信號線C 0Μ 1也設定電極寬度使對向 電壓能充分地施加於終端側的像素之對向電極C Ο Μ 2俾 得到充足之電阻値。 在第2 5圖中，以記號I所示之部分，爲調整像素電 極之電位降低成分的部分。以記號I所示之部分係與像素 電極Ρ X —體地形成，介經經由閘極信號線G L與絕緣膜 G I相重疊，構成閘極與源極間電容C g s。 因此，在表示於第2 5圖之實施例，係介經將閘極與 源極間電容調整圖案I與閘極信號線G L之重疊部分的面 積，在接近輸入端子側之像素形成較小，而在距輸入端子 較遠側之像素形成較大，俾減少像素電極之電位降低成分 △ V之像素間的相差。 橫電場方式之液晶顯示裝置係具有視角特性較廣之特 徵。·因此，在顯示領域較大之液晶顯示裝置，介經採用橫 電場方式，即可解決因視角特性狹窄而無法看到畫面之一 部的以往問題。 因此，介經在橫電場方式之液晶顯示裝置適用本發明 ，由於可減少依閘極信號線GL變長所產生的驅動波形之 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) /\4祕（210X297公兼1 - -46 - 495635 A 7 ____ B7 _ 五、發明説明（44 ) 失真的影響’因此可實現具有最大級之顯示領域的液晶顯 不裝置。 在橫電場方式之液晶顯示裝置，調整像素電極之電位 降低成分AV的方法，係也並不被限定於調整閘極與源極 間電容Cg s的方法，也可以調整保持電容Ca dd，液 晶電容Cp i X，源極與汲極間電容Cd s i或像素電極 汲極信號線間電容C g s 2者。 實施形態3 以下，將調整閘極與源極間電容C g s的其他實施例 表示於第27 (a)圖及第27 (b)圖。 第27(a)圖及第27(b)圖係表示將表示於第 3圖之像素之平面圖的薄膜電晶體T F T近旁之部分的圖 式。第27(a)圖及第27(b)圖未記載部分之構成 係與表示於第3圖之像素構成相同。 第2 7 ( a )圖係表示輸入端子側之像素的薄膜電晶 體TFT之構成，而第27(b)圖係表示距輸入端子較 遠側的薄膜電晶體T F T之構成。 在本實施例，係將薄膜電晶體T F T之通道長度1之 方向與閘極信號線G L之延伸方向垂直地配、置。 在本實施例，係以設於半導體層A S的調整圖案I 1 ，及設於源極電極S P 1的調整圖案I 2之兩部分’來調 整閘極與源極間電容C g s，俾減少像素電極之電位降低 成分之像素間的相差。因此，在本實施例，由於在狹 本紙張尺度適用中國國家標卒((、NS ) Λ4規格（210X 297公嫠） - -47· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經漭部+决標枣局兵^-消费合作社印^. 495635 A7 B7 五、發明説明（45) 窄領域可設置調整圖案I 1及調整圖案I 2，因此可提高 像素之孔徑比。 又，如第2 7 (a)圖及第27 (b)圖所示，在本 實施例，由於將設於源極電極SD 1之調整圖案I 2，設 置於隔著規定薄膜電晶體T F T之通道長度丨及通道寬度 w之部分，因此，介經在源極電極S D 1設置調整圖案 I 2，也不會改變薄膜電晶體TFT的驅動能力。 實施形態4 第28(a)圖及第28(b)圖係表示調整閘極與 源極間電容C g s的其他實施例。 第28 (a)圖及第28 (b)圖也是表示將表示於 第3圖之像素的平面圖的薄膜電晶體T F T之近旁部分的 圖式。在第28 (a)圖及第28 (b)圖未記載部分之 構成係與表示於第3圖之像素構成相同。 第2 8 ( a )圖係表示輸入端子側之像素的薄膜電晶 體TFT之構成，而第28(b)圖係表示距輸入端子較 遠側的薄膜電晶體T F T之構成。 在本實施例，係從閘極信號線G L分岐地設置薄膜電 晶體T F T之閘極電極G T。 、 在本實施例，係在薄膜電晶體T F T之閘極電極G T 與源極S D 1重疊部分，設置缺口圖案I 3來調整閘極與 源極間電容C g s，俾減少像素電極之電位降低成分△ V 的像素間的相差。因此，在本實施例；係與在遮光性金屬 本纸張尺度適用中國國家標· ( CNS ) ( 210X 297^1 ) 一 - -48- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) d 訂 495635 A7 ____ B7 五、發明説明（46 ) 膜所構成之閘極電極G T設置突起之情形不相同，不會犠 牲孔徑比。 介經設於表示於第28 (a_)圖及第28 (b)圖之 閘極電極GT的缺口圖案1 3，爲了減小依掃描信號之波 形失真所產生的像素電極之電位降低成分ΔΥ之相差，愈 增加愈接近於輸入端子的像素之缺口圖案2 3之缺口量即 可以。 在表示於第28 (a)圖及第28 (b)圖之本實施 例，也由於將設於閘極電極GT之調整圖案I 3，隔著薄 膜電晶體T F T之通道長度1及通道寬度w之部分設置， 因此介經在閘極電極GT設置調整圖案I 3，也不會改變 薄膜電晶體T F T之驅動能力。 實施形態5 以下，說明在增大像素孔徑比之液晶顯示裝置，施加 減小依掃描信號之波形失真的像素電極之電位降低成分 △V的相差之對策的實施例。 經浇部中决標準>^β,τ消费合作社印到木 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (像素領域之構成） 第2 9 ( a )圖係表示對應於本實施例之第2圖之虛
V 線框A之像素領域之具體性構成的平面圖。 將第2 9 ( a )圖之IV - IV線的剖面圖表示於第30 圖，並將V — V線的剖面圖表示於第3 1圖，又將VI — VI 線的剖面圖表示於第3 2圖。 本紙張尺度適用中國國家標坪（（、NS ) Λ4規格（210X297公釐） -49- ΜΜ部中次標準’局β:Γ·消費合作社印到水 495635 A7 B7 五、發明説明（47 ) 液晶顯示屏係如第3 0圖所示，以液晶L C爲基準， 在第1透明基板SUB 1側形成有薄膜電晶體TFT及像 素電極I TO 1，在第2透明基板SUB 2側形成有濾色 片FIL，黑矩陣圖案（第1遮光膜）BMI。 在第3 0圖中，POL 1係設於第1基板的第1偏光 板，而POL 2係設於第2基板的第2偏光板。 首先，在玻璃等所構成之第1透明基板S U B 1之液 晶側的面，形成有向其X方向延伸並排設於y方向的閘極 信號線G L。 該閘極信號線G L，係由鉻，鉬，鉻與鉬之合金，鋁 ，鉅或鈦等所形成的導電膜g 1所構成。又，爲了降低閘 極信號線G L之配線電阻，使用上述之導電膜的疊層膜來 構成閘極信號線G L也可以。又，在閘極信號線G L使用 鋁時，爲了避免金屬鬚之突起，使用添加少量鉬，鈦或鈮 等金屬之合金也可以。 在由該閘極信號線G L與下述之汲極信號線D L所圍 繞之像素領域的大部分，形成有透明導電膜（例I TO) 所構成的像素電極I TO 1。 像素領域之圖式下方的閘極信號線G L上之一部分係 成爲薄膜電晶體T F T之形成領域。薄膜電晶體T F T ’ \ 係例如依S i N所構成之閘極絕緣膜G I，i型非晶質 S i所構成之半導體層AS，包括不純物之非晶質S i所 構成的半導體層d〇，汲極電極SD2及源極電極SD1 順序疊層所形成. 本紙張尺度適州中國國家標率（CNS ) />4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -50- 495635 A7 B7 五、發明説明（48 ) 汲極電極s D 2及源極電極S D 1係成爲與汲極信號 線D L同時地形成。 汲極信號線D L係如第3 1圖所示’形成在絕緣膜 G 1，半導體層A S及包括雜質之非晶質S i所構成的半 導體層dO上，藉由鉻，鉬，鉻與鉬之合金，鋁，鉬或鈥 等導電膜之單層或疊層體所形成。在汲極信號線D L之形 成領域，形成半導體層A S及包括雜質的半導體層d 0 ’ B例如防止汲極信號線D L依半導體層A S及包括雜質之 半導體層d 0之段落差所產生的斷線。 薄膜電晶體T F T之汲極電極S D 2係與汲極信號線 DL —體地形成，而源極電極SD 1係與汲極電極SD 2 僅隔著所定之通道長度1之分量所形成。 在源極電極S D1及汲極電極S D 2上設有絕緣膜所 構成的保護膜PSV1。保護膜PSV1係成爲可避免液 晶對於薄膜電晶體T F T之直接接觸的特性劣化。保護膜 P S V 1係由如氮化矽膜或聚醯亞胺等之有機樹脂膜之耐 濕性優異之膜所構成。 經消部中次椋準/¾¾ Η消资合作社印4'.'冬 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在保護膜PSV1上形成有像素電極IT01。 在源極電極SD1上之保護膜PSV1，設有用以電 氣式地連接源極電極SD 1與像素電極I TO 1的貫穿孔 C 〇 N T。 保持電容元件c a d d係如第3 2圖所示，將閘極信 號線（驅動薄膜電晶體T F T之閘極信號線與鄰接之其他 閘極信號線）GL作爲其中一方之電極，並將與像素電極 本紙張尺度中國_家標,(CNS ) 21 OX 297/^ t ) - -51 495635 A7 B7 五、發明説明（49 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I 丁0 1同時地形成的導電層作爲另一方之電極，又將介 裝於此等之中間的絕緣膜G I ，保護膜P SV 1作爲介質 膜所構成。 _ 絕緣膜GI ，保護膜PSV1係與薄膜電晶體TFT 者之形成同時形成，又，另一方之電極的導電層係與上述 像素電極I T 0同時地形成。 在像素電極I T〇之所有表面形成有用以規制液晶之 配向的配向膜OR I 1。 在本實施例，由於在像素電極I TO 1與閘極信號線 G L及汲極信號線D L之間存有絕緣膜的保護膜P S V 1 ，因此，即使像素電極I TO 1與閘極信號線G L或像素 電極I TO 1及汲極信號線D L平面地重疊也不會短路。 因此，在本實施例中，可將像素電極I TO 1形成較大， 因可增大配置像素之孔徑，增加液晶電容C p i X，而可 減小保持電容C a d d等之特徵。 在由玻璃等所構成的第2透明基板SUB 2之內側（ 液晶L C側）之表面，依順序疊層設有第1遮光膜Β Μ 1 ，濾色片F I L，共通透明電極COM及上部配向膜 0 R I 2。 第1遮光膜BM1係在鉻，鋁等之遮光性金屬膜，丙 \ 烯酸等樹脂膜，添加染料，顏料或碳等的遮光性之有機膜 所構成。 共通透明電極C 0M係I TO等之透明導電膜所構成 本紙張尺度適州中國國家標嘩（（，NS ) Λ4規格（210X297公釐） • - 52 - 495635 A7 B7 五、發明説明（5〇) 濾色片F I L係在丙烯酸等之有機樹脂膜所構成之基 材，添加染料或顏料者所構成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，爲了防止濾色片F I L之染料或顏料污染液晶 L C，在濾色片F I L與共通透明電極COM之間，設置 丙烯酸等之有機樹脂膜所構成之濾色保護膜也可以。 (第2遮光膜BM2) 在本實施例中，如第29 (a)圖及第31圖所示， 在形成有汲極信號線D L之第1透明基板S UB 1上，設 有遮光性之金屬膜所構成的第2遮光膜BM2。第2遮光 膜BM 2係與構成閘極信號線G L之導電膜g l相同材料 ，與閘極信號線G L同層地形成。 該第2遮光膜BM2係平面構造上如第2 9 ( a )圖 所示地沿著汲極信號線D L而與像素電極I TO 1重疊， 而且形成與汲極信號線D L不重疊之狀態。一方面，在剖 面構造上，如第3 1圖所示，第2遮光膜SUB 2係藉由 汲極信號線D L與閘極絕緣膜G I被絕緣分離。所以，第 2遮光膜BM2與汲極信號線D L成爲短路之可能性較小 。又，像素電極IT01與第2遮光膜BM2係以閘極絕 緣膜G1及保護PSV1被絕緣分離。 v 第2遮光膜BM2係提高一像素對於像素的像素電極 之透過部的面積，亦即具有提高孔徑比並提高顯示屏之亮 度的功能。在表示於第2 8圖之顯示屏，背面光B L係設 定在第1透明基板SUB 1之其中一方之一邊。背面光 本紙張尺度速州中國國家標率（CNS ) ^4規格（210X297公釐） -53- 495635 A7 B7 五、發明説明（51) B L係設在第2透明基板S U B 2側也可以，惟在以下， 爲了方便上，從第1透明基板S U B 1側被照射，而從第 2透明基板S U B 2觀察時之情形表示於例子。照射光係 透過第1透明基板SUB 1，而從未形成有第1透明基板 SUB 1上的遮光性的膜（閘極信號線GL，汲極信號線 DL及第2遮光膜BM2之部分而進入液晶LC。該光係 以施加於形成在第2透明基板S U B 2的共通電極C〇M 與形成在第1透明基板.SUB 1的像素電極I TO 1間的 電壓被控制。 經滅部中央標皁局β工消资合作社印欠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 顯示屏在像素電極I TO 1施加電壓時，則在降低光 之透過率的正常白模態，如本實施例地未形成第2遮光膜 BM2時，必須以設於第2透明基板SUB 2之第1遮光 膜BM1廣泛地覆蓋像素電極I TO 1之周圍，否則從汲 極信號線DL或閘極信號線GL及像素電極I TO 1之間 隙有無法以電壓控制之光會洩漏，而降低顯示之反襯。又 ，第2透明基板SUB 2與第1透明基板SUB 1係隔著 液晶張貼，而必須增大對準界限，與在第1透明基板 SUB 1設置第2遮光膜BM2之本實施例相比較，孔徑 比變小。 又，在本實施例中，在第2遮光膜SU；B2 ,使用與 閘極信號線GL相同之遮光性之金屬膜g 1，惟若可遮斷 光者，也可以使用在丙烯酸等脂肪膜含有染料，顏料或碳 等而形成遮光膜的絕緣性之遮光膜。 本紙張尺度適用中國國家標缚（CNS )/>4規格（210Χ 297公釐） -54- 495635 A7 B7 五、發明説明（52) (將像素電極之電位降低成分AV成爲均勻的方法） 第2 9 ( a )圖係表示輸入端子側之像素的平面構造 ，而第2 9 ( b )圖係表示從輸入端子較遠側（例如終端 側）之像素的平面構造的一部分。 本實施例也將薄膜電晶體T F T之通道長度1之方向 與閘極信號線G L之延伸方向垂直地配置。 在本實施例中，在像素電極I TO 1設置與選擇像素 電極I TO 1之閘極信號線G L重疊部分，來調整閘極與 源極間電容C g s，俾減少像素電極之電位降低成分△ V 的像素間之相差。 在設於表示在第2 9 (a)圖之像素電極I TO 1的 調整圖案1 4，爲了減小依掃描信號之波形失真所發生的 像素電極之電位降低成分Δν之相差，愈距輸入端子愈遠 之像素，將調整圖案1 4與閘極信號線GL之重疊面積， 比愈接近於輸入端側之像素僅多所定量d即可以。 經$部中决標绛局β-χ消贽合作社印來 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本實施例中，爲了每一像素地調整閘極與源極間電 容C g s，由於將像素電極I TO 1延伸設至與選擇該像 素電極I TO 1之閘極信號線GL重疊之部分，故遮光性 之金屬所構成的閘極信號線G L具有與覆蓋像素電極之線 的第1遮光膜BM1相同之功能。因此，可將覆蓋像素電 極I TO 1與閘極信號線GL之重疊部分1的第1遮光膜 BM 1，可向以箭號所示之閘極信號線G L之方向後退， 而可擴大像素之孔徑。 又，在本實施例中，設於像素電極I TO 1與鄰接之 本紙張尺度適用中國國家標枣（rNS )今4規格（210X297公釐） -55- 495635 A7 ____B7 五、發明説明（53) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 像素的閘極信號線G L之重疊部分的保持電容C a d d之 部分，因鄰接之像素的閘極信號線G L也由遮光性之金屬 所構成，因此，具有與第1遮光膜BM1相同之功能。故 可將第1遮光膜BM 1後退至閘極信號線G L露出之位置 ，而可提高像素之孔徑。 又，在本實施例中，在閘極與源極間電容C g s之介 質使用保護膜P SV 1與絕緣膜G I。由於在保護膜 P S V 1與絕緣膜G I之相同場所，存在梢孔之可能性極 少，因此，在調整閘極與源極間電容C g s之部分1 4， 也不會有像素電極I TO與閘極信號線G L短路之問題。 實施形態6 以下，將調整閘極與源極間電容C g s之其他實施例 表示於第33 (a)圖及第33 (b)圖。 經$部中央標準局β二消资合作社印到木 第33 (a)圖及第33 (b)圖係表示將表示於第 29 (a)圖之像素的平面圖之薄膜電晶體TFT之近旁 部分的圖式。未記載於第33 (a)圖及第33(b)圖 之部分的構成係與表示於第2 9 ( a )圖之像素的構成相 同。 第3 3 ( a )圖係表示輸入端子側之谭素之薄膜電晶 體TFT的構成，而第33 (b)圖係表示距輸入端子較 遠側之薄膜電晶體T F T的構成。 在本實施例中，薄膜電晶體TFT之通道長度1的方 向係垂直地配置於閘極信號線G L之延伸方向。 '本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X 297公釐） - -56- 495635 A7 B7 五、發明説明（54 ) 在本實施例中，以設於與源極電極S D 1重疊部分之 閘極信號線G L的調整圖案I 5 ’調整閘極與源極間電容 C g s，俾減小像素電極之電位降低成分△ V的像素間之 相差。 以設在表示於第33 (a)圖及第33 (b)圖之閘 極信號線GL的調整圖案I 5 ’爲了減小依掃描信號之波 形失真所發生的像素電極之電位降低成分AV的相差，愈 距輸入端子較遠之像素愈增加調整圖案I5與源極電極 SD1之重疊面積即可以。 實施形態7 第34(a)圖及第34(b)圖係表示調整閘極與 源極間電容C g s之其他實施例。 經演部中决標導局β-τ.消贽合作社印來 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第34(a)圖及第34(b)圖係表示將表示於第 2 9 ( a )圖之像素的平面圖之薄膜電晶體TFT之近旁 部分的圖式。未記載於第34(a)圖及第34(b)圖 之部分的構成係與表示於第2 9 ( a )圖之像素的構成相 同。 第3 4 ( a )圖係表示輸入端子側之像素之薄膜電晶 體TFT的構成，而第34(b)圖係表甲距輸入端子較 遠側之薄膜電晶體T F T的構成。 在本實施例中，薄膜電晶體TFT之通道長度1的方 向係垂直地配置於閘極信號線G L之延伸方向。 在本實施例中，在閘極信號線G L設置與像素電極 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS )今4規格（2ΙΟΧ297公釐） -57- 495635 A7 B7 五、發明説明（55) 1 T 0 1重疊的調整圖案I 6，調整閘極與源極間電容 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C g s，俾減小像素電極之電位降低成分△ V的像素間之 相差。 — 以設在表示於第34 (a)圖及第34 (b)圖之閘 極信號線GL的調整圖案I 5，爲了減小依掃描信號之波 形失真所發生的像素電極之電位降低成分AV的相差，愈 距輸入端子較遠之像素，比接近於輸入端子側之像素愈增 加調整圖案I 6與像素電極I TO 1之重疊面積。 實施形態8 第35 (a)圖及第35 (b)圖係表示調整閘極與 源極間電容C g s之其他實施例。 第35 (a)圖及第35 (b)圖係表示將表示於第 2 9 ( a )圖之像素的平面圖之倉膜電晶體TFT之近旁 部分的圖式。未記載於第35 (a)圖及第35 (b)圖 之部分的構成係與表示於第2 9 ( a )圖之像素的構成相 同。 第3 5 ( a )圖係表示輸入端子側之像素之薄膜電晶 體TFT的構成，而第35 (b)圖係表示距輸入端子較 遠側之薄膜電晶體T F T的構成。 在本實施例中，從閘極信號線G L分岐設置薄膜電晶 體TFT之閘極電極GT。 在本實施例中，在薄膜電晶體T F T之源極電極 S D 1與閘極電極GT重疊之兩部位部分，設置調整圖案 本紙張尺度適用中國國家標净（CNS ) A4規格（210X297公釐） •58- 495635 A7 __B7 五、發明説明（56 ) I 7及I 7 /，調整閘極與源極間電容C g s，俾減小像 素電極之電位降低成分Δν的像素間之相差。 介經設在表示於第35(a)圖及第35(b)圖的 源極電極SD 1的調圖案I 7及I 7 >，爲了減小依掃描 信號之波形失真所發生的像素電極之電位降低成分Δν的 相差，愈距輸入端子較遠之像素愈增加調整圖案I 7與 I 7 >之全部面積即可以。 又，在表示於第35 (a)圖及第35 (b)圖之本 實施例中，半導體層A S之寬度形成比源極電極S D 1之 寬度小，介經半導體層A S之寬度來規定薄膜電晶體 TFT之通道寬度。由於調整閘極與源極間電容Cg s之 圖案1 7及1 7 /係設在與半導體層AS未重疊部分，因 此，介經在源極電極SD1設置調整圖案17，17>， 而不會改變薄膜電晶體T F T之驅動能力。 經肩部中央標準扃負Η消費合作社印來 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，在表示於第35 (a)圖及第35 (b)圖之實 施例中，介經閘極電極GT來遮光半導體層A S，及爲了 防止薄膜電晶體T F T之誤動作，平面地僅存在閘極電極 GT之領域內設置半導體層A S。因此，介經閘極電極 GT完全地遮光半導體層AS時，在源極電極SD 1與閘 極電極GT之間具有半導體層A S沒有之部分，因而具有 閘極與源極間電容C g s變大之缺點。但是，在本實施例 中，由於調整閘極與源極間電容C g s，減小像素電極之 電位降低成分△ V的相差，因此可減'少介經像素電極G T 完全地遮光半導體層A S所發生的閘極與源極間電容 本紙張尺度通用中國國家標率（（，NS )今4規格（210X297公釐） -59- 495635 A7 B7___ 五、發明説明（57) c g s變大的缺點。 實施形熊9 _ 第36 (a)圖及第36 (b)圖係表示調整保持電 容Cadd的其他實施例。 第36 (a)圖及第36 (b)圖係表示本實施例之 像素的平面構造的圖式。 第36 (a)圖及第36 (b)圖係形成與表示於第 2 9 ( a )圖之像素構造之液晶顯示裝置相同構造。因此 在本實施例未特別加以記載部分的構成係與表示於第2 9 (a)圖之像素的構成相同。 第36 (a)圖係表示輸入端子側之像素的構成’而 第3 6 ( b )圖係表示距輸入端子較遠側之像素的構成。 在本實施例中，變更像素電極I TO 1與鄰接之像素 的閘極信號線G L相重疊部分之面積，調節保持電容 C a d d，俾減小像素電極之電位降低成分△ V的像素間 的相差。 經潢部中决標唪局負工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 調整表示於第36 (a)圖及第36 (b)圖的保持 電容C a d d，爲了減小依掃描信號之波形失真所發生的 像素電極之電位降低成分的相差，愈距輸七端子較遠之像 素比愈接近於輸入端子之像素的閘極信號線G L與像素電 極I TO 1之重疊面積減少以d表示之所定量，俾減小保 持電容Cadd即可以。 本紙張尺度適用中國國家標+,Μ CNS M娜（210χ酬） 495635 A7 B7 五、發明説明（58) 實施形態1 ΰ_ 第37 (a)圖及第37 (b)圖係表示調整液晶電 容Cpix之其他實施例。 _ 第37 (a)圖及第37 (b)圖係表示本實施例之 像素之平面構造的圖式。 第37 (a)圖及第37 (b)圖也形成與表示於第 29 (a)圖之像素構造的液晶顯示裝置相同構造。因此 ，在本實施例未特別加以記載部之構成係與表示於第2 9 (a )圖之構成相同。 第3 7 ( a )圖係表示輸入端子側之像素的構成，而 第3 7 ( b )圖係表示距輸入端子較遠側之像素的構成。 在本實施例中，變更像素電極I TO 1之面積，並變 更與共通電極COM之面積，來調整液晶電容C p i X， 俾減少像素電極之電位降低成分△ V的像素間的相差。 經滅部中决標率局負η消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 變更表示於第37 (a)圖及第37 (b)圖 的像素電極I TO 1之面積，爲了減小依掃描信號之波形 失真所發生的像素電極之電位降低成分的相差，愈距 輸入端子較遠之像素比愈接近於輸入端之像素的像素電極 之面積僅減少以d表示之所定量，俾減小保持電容 C p i X即可以。 、 又，在本實施例中，如第37(a)圖及第37(b )圖所示，即使變更像素電極I TO 1之面積，第1遮光 膜BM 1之孔徑面積係在接近於輸入端子之像素與距輸入 端子較遠之像素相同，又，在本實施例中，變更以第1遮 本紙張尺度適用中國國家標率（（、NS ) >4規格（210X297公釐） -61 - 495635 A7 B7 五、發明説明（59) 光膜BM1之部分的像素電極I TO 1之形狀’變更像素 電極之面積，由於調整液晶電容C P i X ’因此’在接近 於輸入端子之像素與距輸入端子較遠之像素沒有通過光之 孔徑上之差異，不會產生亮度差。 實施形態1 h 第38 (a)圖及第38(b)圖係表示以遮光性金 屬膜第2遮光膜BM2，並調整第2遮光膜BM2與像素 電極I TO 1之重疊面積的其他實施例。 第38 (a)圖及第38(b)圖係表示本實施例之 像素之平面構造的圖式。 第38 (a)圖及第38(b)圖係表示將表示於第 2 9 ( a )圖之像素的平面圖之薄膜電晶體TFT之近旁 部分的圖式。未記載於第38(a)圖及第38 (b)圖 之部分的構成係與表示於第2 9 ( a )圖之像素的構成相 同。 第3 8 ( a )圖係表示輸入端子側之像素之薄膜電晶 體TFT的構成，而第38(b)圖係表示距輸入端子較 遠側之薄膜電晶體T F T的構成。 在本實施例中，電氣式地連接第2遮为膜BM2與鄰 接之像素的閘極信號線GL，變更第2遮光膜BM2與像 素電極I TO 1之重疊面積，俾減少像素電極之電位降低 成分△ V的像素間的相差。 在本實施例中，由於第2遮光膜BM2係電氣式地連 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) $4規格（210Χ297公釐） 衊—丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -62- 495635 A7 B7 五、發明説明（6〇) 接鄰接之像素的閘極信號線GL，因此，第2遮光膜 BM2與像素電極I TO 1之重疊部分係實行與保持電容 Cadd相同之動作。 _ 變更表示於第38 (a)圖及第38 (b)圖的第2 遮光膜BM2與像素電極I TO 1之重疊面積’爲了減小 依掃描信號之波形失真所發生的像素電極之電位降低成分 △ V的相差，將接近於輸入端子側的第2遮光膜BM2與 像素電極I TO 1之重疊面積，比距輸入端子較遠側之像 素者僅增加以d表示之所定量，俾增大保持電容C a d d 即可以。 又，在本實施例中，由於不變更像素電極之面積，並 調整保持電容電極之面積，因此，即使變更保持電容 Cadd，液晶電容Cpix也不會變更。 Μ漭部中央標枣局β工消费合作社印繁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，變更第2遮光膜BM2與像素電極I TO 1之重 疊面積時，有像素之孔徑變更之問題，惟如第3 8 ( a ) 圖及第38 (b)圖所示，在以設於第2透明基板 SUB 2的第1遮光膜BM1所覆蓋之領域內介經變更第 2遮光膜BM2與像素電極I TO 1之重疊面積，即可解 決變更像素之孔徑的問題。 又，在本實施例中，表示將第2遮光皞BM2電氣式 地連接於閘極信號線G L之例子，惟在電氣式地浮起第2 遮光膜BM2之狀態下，即使變更與像素電極I TO 1重 疊之面積也可減小像素電極之電位降低成分AV的相差。 在將第2遮光膜ΒΜ2成爲電氣式地浮起之狀態時，變更 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210Χ297公釐） -63 - 495635 A7 B7 五、發明説明（61) 與像素電極I TO 1之重疊面積時，可變更源極與汲極間 電容C d s 1或像素電極與汲極信號線間電容C d s 2。 此時，愈接近於輸入端子側之像素愈增加第2遮光膜 BM2與像素電極I T0 1重疊之面積。 但是，愈增加源極與汲極間電容C d s 1及像素電極 汲極信號線間電容C d s 2，乃有像素間之串音之問題， 如第38 (a)圖與第38(b)圖所示，將第2遮光膜 BM2連接於閘極信號線G L者較理想。 (發明之效果） 由以上說明可明瞭，依照依本發明之液晶顯示裝置， 成爲可抑制抑制閃爍之發生。 (圖式之簡單說明） 第1圖係表示依本發明之液晶顯示裝置之一實施例的 要部平面圖。 M濟部中次標枣局負工消费合竹社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2圖係表示依本發明之液晶顯示裝置之一實施例的 等値電路圖。 第3圖係表示依本發明之液晶顯示裝置之像素領域之 一實施例的平面圖。 、 第4圖係表示第3圖之IV — IV線的剖面圖。 第5圖係表示第3圖之V—V線的剖面圖。 第6圖係表示第3圖之VI - VI線的剖面圖。 第7 ( a )圖至第7 (d)圖係表示依本發明之液晶 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) 規格（210X297公釐） -64· 495635 A7 B7__ 五、發明説明（62) 顯示裝置之其他實施例的說明圖。 第8圖係表示依本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 的平面圖。 _ 第9 (a)圖及第9 (b)圖係表示依本發明之液晶 顯示裝置之其他實施例的平面圖。， 第10 (a)圖及第1〇 (b)圖係表示依本發明之 液晶顯示裝置之其他實施例的平面圖。 第11 (a)圖及第11 (b)圖係表示依本發明之 液晶顯示裝置之其他實施例的平面圖。 第1 2圖係表示依本發明之液晶顯示裝置之其他實施 例的等値電路圖。 > 第1 3圖係表示依本發明之液晶顯示裝置之像素領域 之其他實施例<的平面圖。 第1 4圖係表示第1 3圖之VI — VI線的剖面圖。 第1 5圖係表示T F T主動矩陣液晶顯示裝置之單位 像素之等値電路的圖式。 第1 6圖係表示T F T主動矩陣液晶顯示裝置的驅動 經濟部中央標卑局BJ-消费合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 波形圖。 V. 第1 7圖係表示液晶顯示屏之一線分量的等値電路。 第18 (a)圖係表示端子側之，第is (b)圖係 表示中央部之，第18(c)圖係表示終端側之像素之薄 膜電晶體T F T的驅動波形圖。 第1 9圖係表示薄膜電晶體基板SUB 1之製造方法 的工程圖。 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS )々4規格（210/297公釐1 '' 一 -65 - 495635 A7 B7 -—-----------_ 五、發明説明（μ ) 63 第2 0圖係表示薄膜電晶體基板SUB 1之製造方法 的工程圖。 第2 1圖係表示薄膜電晶體基板SUB 1之製造方法 的工程圖。 第2 2 ( a )圖係表示介經光刻法將圖案形成在薄膜 電晶體基板SUB 1之方法的圖式；第2 2 (b)圖係表 示光罩之圖案之例的圖式。 第2 3 ( a )圖係表示介經光刻法將圖案形成在薄膜 電晶體基板SUB1之其他方法的圖式；第23 (b)圖 係表示光罩之圖案之其他例的圖式。 第2 4圖係表示在閘極信號線之左右兩端設置掃描信 號線驅動電路1 0 4的其他實施例之液晶顯示裝置的等値 電路。 第2 5圖係表示適用本發明的橫電場方式之主動矩陣 液晶顯示裝置之單位像素的平面圖。 第2 6圖係表示第2 5圖之3 — 3切剖線之剖面的圖 式。 經濟部中决標莩局兵Η消资合作社印繁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 第27 (a)圖及第27 (b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 第28 (a)圖及第28 (b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 第29 (a)圖及第29(b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素部的平面圖。 第3 0圖係表示第2 9圖之IV — IV線的剖面圖。 本紙張尺度通用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） -66 - 495635 中文說明書 民國87年9月修正 五、發明説明（64 ) 會}ήη\0: 第3 1圖係表示第2 9圖之V — V線的剖面i。 秦3 2圖係表示第2 9圖之VI — VI線的剖面圖。 第3 3 (a)圖及第33 (b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 第34 (a)圖及第34 (b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 第35 (a)圖及第35 (b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 第36 (a)圖及第36 ( 圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 第3 7 ( a )圖及第3 7 ( b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 :容 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3 8 ( a )圖及第3 8 ( b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 (記號之說明。 L:閘極信號線，DL:汲極信號線，IT01 :像 素電極，丁FT:薄膜電晶體，GI:閘極絕緣膜，AS :半導體層，SD1 ;源極電極，SD2 :汲極電極。