495635 A7 B7 五、發明説明(i ) (發明所屬之技術領域) 本發明係關於一種液晶顯示裝置,特別是,關於一種 主動矩陣Μ之液晶顯示裝置。_ (以往之技術) 此種之液晶顯示裝置,係具備在經由液晶互相對向配 置的一對透明基板中一方之透明基板之液晶側面向X方向 延伸且向y方向並設的鬧極信號線及向y方向延伸且向X 方向並設的汲極信號線,並將圍繞於此等各信號線之各領 域作爲像素領域。 在各該像素領域,具備藉由來自上述閘極信號線之掃 描信號施以導通之薄膜電晶體,及經由該被導通之薄膜電 晶體施加有來自上述汲極信號線之影像信號的像素電極。 此種液晶顯示裝置係可良好地構成反襯,特別是,在 彩色液晶顯示裝置成爲不可欠缺之技術。 (發明欲解決之課題) 經漪部中央標率局β工消费合作社印父 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 但是,在此種液晶顯示裝置,隨著近幾年來之大型化 及高精細化之趨勢,所謂稱爲閃爍之畫面閃爍發生作爲無 法忽視之問題。特別是,在顯示領域之對角線之長度爲 \ 3 4 c m ( 1 3型)以上的液晶顯示裝置成爲無法忽視之 問題。 本發明人等係檢討發生閃爍之原因的結果,獲知如下 事項。 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) /\4規格(210X297公釐) 4- 495635 A7 B7 五、發明説明(2 ) 首先,由於必須較長形成閘極信號線,因此藉由該信 號線之電阻與電容之影響,而被輸入於此的掃描信號線’ 遍及終端_成爲產生波形失真' 該波形失真係成爲延遲薄膜電晶體之閘極,斷開之定 時,同時減小經由閘極,斷開時的閘極與源極間電容所跳 入之電壓的源極電極電位降低成分。此乃指閘極信號線對 於輸入端子側會增高終端側之源極電極電位。 所以,經由像素電極與液晶相對向之電極(共通電極 ),係一樣地有一定電壓施加於顯示面內,如此,施加於 該液晶之電壓係在閘極信號線之輸入端子側與終端側成爲 不相同。 如此,爲了避免液晶之分極,因實行反轉施加於液晶 之電位的交流化驅動,因此,在閘極信號線之輸入端子側 與終端側;液晶之施加電壓之大小關係爲在交流化驅動之 每一 1/2周期成爲反轉,成爲產生依高度變化的畫面之 閃爍。 經滅部中央標準局员工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 特別是,1 3型液晶顯示裝置係具有縱2 0 c m,橫 2 7 cm之顯示領域,閘極信號線之長度係成爲2 7 cm 以上,而在閘極信號線之輸入端子側與終端側,經由閘極 與源極間之電容,跳進電壓之相差係成爲無法忽視之較大 \ 値。 因此,在閘極信號線之長度爲27 cm以上(1 3型 以上)之液晶顯示裝置,係已經成爲僅調整共通電極之電 位,也難完全消除閃爍之狀況。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A/規格(210X 297公釐) -5 - 495635 A7 B7 五、發明説明(3 ) 又,藉由使用光石刻技術之選擇蝕刻形成各信號線及 薄膜電晶體時,藉由曝光裝置之光學系統之失真或透明基 板之撓曲,很難將每一各像素親域的薄膜電晶體之圖案成 爲完全均勻之狀態。 此時,藉由該圖案之偏差使薄膜電晶體之閘極與汲極 間電容不是均勻,則閘極斷開時之閘極與源極間電容所產 生之源極電位之降低量在畫面內不是一定。 因此,在該時,以與上述同樣之理由,成爲產生依亮 度變化所產生之畫面的閃爍。 本發明係依照此種事項而創作者,其目的係在於提供 一種即使顯示畫面大之液晶顯示裝置也可完全地抑制閃爍 之發生的液晶顯示裝置。 (解決課題所用之手段) 在本案發明所揭示之發明中,以下簡單地說明代表性 者之槪要。 經濟部中央標隼局負工消費合作社印來 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 手段1 一種液晶顯示裝置,其特徵爲:具備設於絕緣基板上 的閘極信號線,及電氣式地連接於上述閘極信號線且輸出
V 閘極驅動電壓的驅動電路,及具有源極電極,閘極電極及 汲極電極的第1及第2薄膜電晶體,及電氣式地連接於上 述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之一方的第1像 素電極,及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之源極電 本紙張尺度適用中國國家標準((:奶)入4規格(210/297公釐) -6 - 495635 A7 __B7_ 五、發明説明(A ) 4 極及汲極電極之一方的第2像素電極,及電氣式地連接於 上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之另一方的第 1影像信號線,及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之 源極電極及汲極電極之另一方的第2影像信號線;上述第 1薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地連接於上述閘極信號 線的第1部分,上述第2薄膜電晶體之閘極電極係電氣式 地連接於比上述閘極信號線的第1部分距上述驅動電路較 遠的第2部分;上述第1及第2薄膜電晶體之源極電極係 對於上述汲極電極在上述閘極電極上僅距通道長度,僅對 向通道寬度地設置,而上述薄膜電晶體之通道長度及通道 寬度係與上述第1薄膜電晶體之通道長度及通道寬度實質 相等,上述第2像素電極與上述閘極信號線之間的靜電電 容形成比上述第1像素電極與上述閘極信號線之間的靜電 電容大者。 經濟部中央標準局員Η消費合作社印^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此所構成的液晶顯示裝置,係以依存於跳進電壓之 上述電容C g s的像素電極之電位對於負方向之移位抵消 對於閘極信號線的掃描信號之波形失真所產生的像素電極 之電位對於正方向之移位,相等於接近於閘極信號線之驅 動電路,並施加於距輸入端子側與驅動電路較遠之終端側 的各像素電極的電壓。 、 所以,成爲可抑制依亮度變化所產生的畫面之閃爍。 手段2 一種液晶顯示裝置,其特徵爲:具備設於絕緣基板上 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A/規格(210X 297公釐) 495635 A7 _ B7 五、發明説明() 5 經淖部中央標隼局負工消费合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的閘極信號線,及電氣式地連接於上述閘極信號線且輸出 閘極驅動電壓的驅動電路,及具有源極電極,閘極電極及 汲極電極的第1及第2薄膜電晶體,及電氣式地連接於上 述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之一方的第1像 素電極,及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之源極電 極及汲極電極之一方的第2像素電極,及電氣式地連接於 上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之另一方的第 1影像信號線,及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之 源極電極及汲極電極之另一方的第2影像信號線;上述第 1薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地連接於上述閘極信號 線的第1部分,上述第2薄膜電晶體之閘極電極係電氣式 地連接於比上述閘極信號線的第1部分距上述驅動電路較 遠的第2部分;上述第2像素電極與上述閘極信號線之間 的靜電電容形成比上述第1像素電極與上述閘極信號線之 間的靜電電容大,上述第1及第2薄膜電晶體之源極電極 係對於上述汲極電極在上述閘極電極上僅距通道長度,僅 對向通道寬度設置,上述第1及第2薄膜電晶體之源極電 極及汲極電極之一方的電極爲與上述像素電極連接之部分 ,而將從與上述閘極電極重疊部分至不重疊部分之間的寬 度形成比上述第1及第2薄膜電晶體之通道寬度小者。 如此所構成的液晶顯示裝置,係在形成薄膜電晶體之 源極電極時即使產生其偏離,也可將該源極電極對於閘極 電極之重疊部之面積的變化成爲極小。 所以,可將閘極電極與源極電極之間的電容C g s之 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) ^ -8· 495635 A7 B7 五、發明説明(6 ) 變化成爲極小,成爲可抑制依亮度變化所產生的畫面之閃 爍。— 手段3 經濟部中央標準局負工消资合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一種液晶顯示裝置,其特徵爲:具備設於絕緣基板的 第1閘極信號線,及鄰接於上述第1閘極信號線設在上述 絕緣基板上的電容線,及電氣式地連接於上述閘極信號線 且用以輸入驅動電壓的端子,及具有源極電極,閘極電極 及汲極電極的第1及第2薄膜電晶體,及電氣式地連接於 上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之一方的第1 像素電極,及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之源極 電極及汲極電極之一方的第2像素電極,及電氣式地連接 於上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之另一方的 第1影像信號線,及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體 之源極電極及汲極電極之另一方的第2影像信號線;上述 第1薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地連接於上述第1閘 極信號線的第1部分,上述第2薄膜電晶體之閘極電極係 電氣式地連接於比上述第1閘極信號線的第1部分距上述 端子較遠的第2部分;上述第1及第2薄膜電晶體之源極 電極係對於上述汲極電極在上述閘極電極上、僅距通道長度 ,僅對向通道寬度地設置,而上述第2薄膜電晶體之通道 長度及通道寬度係與上述第1薄膜電晶體之通道長度及通 道寬度實質相等,上述第1及第2像素電極係經上述電容 線與絕緣膜形成一部分重疊,上述第2像素電極與上述電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )今4規格(210X297公釐) -9 - 495635 A7 ___B7 _ 五、發明説明(7 ) 容線之重疊面積係形成比上述第1像素電極與上述電容線 之重疊面積小者。 如此^構成的液晶顯示裝置,依依掃描信號之洩漏所 產生的像素電極電壓之電位降低成分,介經調整保持電容 可抑制介經掃描信號之波形失真在閘極信號線之輸入端子 側與終端側之變動。 所以,成爲可抑制依亮度變化所產生的畫面之閃爍。 手段4 經濟部中决標準局貝工消費合作社印擘 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一種液晶顯示裝置,其特徵爲:具備設於絕緣基板的 第1閘極信號線,及鄰接於上述第1閘極信號線設在上述 絕緣基板上的第2閘極信號線,及電氣式地連接於上述第 1閘極信號線且輸出閘極驅動電壓的驅動電路,及具有源 極電極,閘極電極及汲極電極的第1及第2薄膜電晶體, 及電氣式地連接於上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極 電極之一方的第1像素電極,及電氣式地連接於上述第2 薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之一方的第2像素電極 ,及電氣式地連接於上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲 極電極之另一方的第1影像信號線,及電氣式地連接於上 述第2薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之、另一方的第2 影像信號線;上述第1薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地 連接於上述第1閘極信號線的第1部分,上述第2薄膜電 晶體之閘極電極係電氣式地連接於比上述第1閘極信號線 的第1部分距上述驅動電路較遠的第2部分;上述第1及 本紙張尺度適用中國國家標率((:NS ) A4規格(210X297公釐) ~ ' - -10· 495635 A7 ___B7_ 五、發明説明(8 ) 第2薄膜電晶體之源極電極係對於上述汲極電極在上述閘 極電極上僅距通道長度,僅對向通道寬度地設置,而上述 第2薄膜-晶體之通道長度及通道寬度係與上述第1薄膜 電晶體之通道長度及通道寬度實質相等,上述第1及第2 像素電極係經上述第2閘極信號線與絕緣膜形成一部分重 疊,上述第2像素電極與上述第2閘極信號線之重疊面積 係形成比上述第1像素電極與上述第2閘極信號線之重疊 面積小者。 如此所構成的液晶顯示裝置,依依掃描信號之洩漏所 產生的像素電極電壓之電位降低成分,介經調整保持電容 可抑制介經掃描信號之波形失真在閘極信號線之輸入端子 側與終端側之變動。 所以,成爲可抑制依亮度變化所產生的畫面之閃爍。 手段5 經漪部中央標導局貝工消费合作社印欠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一種液晶顯示裝置,其特徵爲:具備設於絕緣基板的 閘極信號線,及電氣式地連接於上述閛極信號線且輸出閘 極驅動電壓的驅動電路,及具有源極電極,閘極電極及汲 極電極的第1及第2薄膜電晶體,及電氣式地連接於上述 第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之一方的第1像素 \ 電極,及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之源極電極 及汲極電極之一方的第2像素電極,及電氣式地連接於上 述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之另一方的第1 影像信號線,及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之源 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 - 495635 A7 B7 五、發明説明(9 ) 極電極及汲極電極之另一方的第2影像信號線;上述第1 薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地連接於上述閘極信號線 的第1部#,上述第2薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地 連接於比上述閘極信號線的第1部分距上述驅動電路較遠 的第2部分;上述第2像素電極與上述第2影像信號線線 之間的靜電電容形成比上述第1像素電極與上述第1影像 信號線之間的靜電電容大者。 如此所構成的液晶顯示裝置,係依掃描信號之洩漏所 產生的像素電極電壓之電壓之電位降低成分,介經調整像 素電極與影像信號線之間的靜電電容(或源極與汲極間電 容)可抑制介經掃描信號之波形失真在閘極信號線之輸入 端子側與終端側之變動。 所以,成爲可抑制依亮度變化所產生的畫面之閃爍。 手段6 經鴻部中央標準局貝工消费合作社印^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一種液晶顯示裝置,其特徵爲:具備設於第1絕緣基 板上的閘極信號線,及電氣式地連接於上述閘極信號線且 用以輸入驅動電壓的端子,及具有源極電極,閘極電極及 汲極電極的第1及第2薄膜電晶體,及電氣式地連接於上 述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之一方的第1.像 素電極,及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之源極電 極及汲極電極之一方的第2像素電極,及電氣式地連接於 上述第1薄膜電晶體之源極電極及汲極電極之另一方的第 1影像信號線,及電氣式地連接於上述第2薄膜電晶體之 本紙張尺度適用中國國家標率((:阳)八4規格(210'/297公釐) ^ -12- 495635 A7 B7 五、發明説明(10 ) 源極電極及汲極電極之另一方的第2影像信號線,及與上 述第1絕緣基板重疊地設置的透明第2絕緣基板,及設置 於與上述秦2絕緣基板之上述第1及第2像素電極對向之 位置的透明共通電極,及設於上述共通電極與上述第1及 第2像素電極之間的液晶,及設於上述第2絕緣基板,覆 蓋上述第1及第2像素電極之周圍的遮光膜;上述第1薄 膜電晶體之閘極電極係電氣式地連接於上述閘極信號線的 第1部分,上述第2薄膜電晶體之閘極電極係電氣式地連 接於比上述閘極信號線的第1部分距上述端子較遠的第2 部分;以上述第2像素電極之上述遮光膜所覆蓋之部分的 面積係形成比以上述第1像素電極之上述遮光膜之部分的 面積小者。 如此所構成的液晶顯示裝置,係依掃描信號之洩漏所 產生的像素電極電壓之電位降低成分,介經調整像素電容 (液晶電容)可抑制介經掃描信號之波形失真在閘極信號 線之輸入端子側與終端側變動。 所以,成爲可抑制依亮度變化所產生的畫面之閃爍。 經濟部中央標準局貝工消f合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (發明之實施形態) 以下,使用圖式說明依本發明的液晶閑示裝置之一實 施例。 實施形態1 (液晶顯示屏之等値電路) 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS )々4規格(210X297公釐) -13- 495635 A7 B7 五、發明説明(U ) 第2圖係表示構成液晶顯示屏的透明基板中之一方之 透明基板(T F T基板)側之等値電路的電路圖。同圖係 電路圖,傕對應於實際之幾何上配置所描繪。 在第2圖之TF T基板TFT — L CD的液晶側之面 ,形成有向其X方向延伸且並設於y方向的閘極信號線( 也稱爲掃描信號線)GL,及絕緣於該閘極信號線GL, 向y方向延伸且並設於X方向的汲極信號線(也稱爲影像 信號線)D L。 以閘極信號線G L與汲極信號線D L所圍繞的矩形狀 之領域係成爲構像素領域,而在此等各像素領域具備;藉 由來自一方之閘極信號線GL之掃描信號(電壓)之供應 而被導通的薄膜電晶體T F T,及經由該被導通之薄膜電 晶體T F T而施加從一方之汲極信號線所供應之影像信號 (電壓)的像素電極I TO 1。 該像素電極I T〇1係例如由Indjum Tin Oxide所形成 的透明導電層所構成。 經淖部中央標率局兵工消费合竹社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,在該像素電極I TO 1與另一方之閘極信號線 G L之間具備附加電容元件C a d d,構成在薄膜電晶體 丁 F T被斷開時能長時間地儲存施加於像素電極I T〇1 的影像信號。 \ 在各像素電極I TO 1之部分附有R,G,B之任一 記號,惟此等係表示顏色之三原色的紅,綠,藍,在各該 像素領域成爲能負擔對應之顏色。具體而言,成爲形成有 對應於與TFT基板(第1透明基板SUB 1 )對向地配 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) 44規格(210X297公釐) -14 - 495635 A7 B7 五、發明説明(12) 置的濾色基板(第2透明基板S UB 2 )側之顏色的濾色 片。 在此專顯示屏,作爲外設電路形成能連接有掃描信號 線驅動電路部1 0 4及影像信號線驅動電路部1 〇 3。 來自掃描信號線驅動電路部1 0 4係掃描信號依順序 輸入於各閘極信號線,配合該定時,成爲影像信號從影像 信號線驅動電路部1 0 3輸入於各汲極信號線。 在掃描信號線驅動電路部1 0 4及影像信號線驅動電 路部103連接有電源部102及控制部101,由此, 在各電路部成爲施行電源供應,同時發送信號等。 在經由如此所構成的T F T基板T F T與液晶而對向 配置之其他透明基板(濾色基板)之液晶側的面,去角像 素領域之框以形成黑色矩陣層,能覆蓋像素領域,且其周 邊能重疊於該黑色矩陣層BM上以形成濾色片。 經由也覆蓋此等黑色矩陣層及濾色層所形成的保護膜 ,形成有透明導電層所形成的共通電極。 經濟部中央標洚局兵工消费合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,在該共通電極之上面形成有規制上述液晶之配向 的配向膜。 (像素領域之構成)v 第3圖係表示對應於第2圖之虛線框A之像素領域之 具體構成的平面圖。 又,將第3圖之IV — IV線的剖面圖表示於第4圖,將 V - V線的剖面圖表示於第5圖,而將VI — VI線的剖面圖 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -15- 495635 A7 __B7_ 五、發明説明(u ) 表示於第β圖。 首先,在透明基板S U Β 1之液晶側的面,形成有向 其X方向延伸且並設於y方向的閘極信號線GL。 該閘極信號線G L,係在例如鋁所構成之導電層g 1 的表面,形成有氧化鋁膜AOF (藉由陽極化成所形成) 之材料所構成。 在以該閘極信號線G L與下述之汲極信號線D L所圍 繞的像素領域之大部分,形成有透明導電膜(例如I T 0 )所構成的像素領域I TO 1。 像素領域之圖式左下邊的閘極信號線G L上之一部分 係成爲薄膜電晶體T F T之形成領域,在該領域,依順序 疊層有例如S i N所構成之閘極絕緣膜G I,i型非晶質 S i所構成之半導體層AS,及汲極電極SD2以及源極 電極S D 1所形成。 經澇部中央標準局貝-T-消費合作社印粼 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 源極,汲極係本來藉由其間之偏壓極所決定,在該液 晶顯示裝置之電路中,因其極性係動作中反轉,因此可瞭 解源極與汲極係動作會更換。但是,在本發明之專利說明 書中,將與像素電極I TO 1直接連接之一方的電極固定 作爲源極電極加以表現。 汲極電極S D 2及源極電極S D 1係成爲與汲極信號 線D L同時地形成。 亦即,汲極信號線D L係在其形成領域,藉由事先與 薄膜電晶體TFT之閘極絕緣膜G1,半導體層AS之形 成之同時所形成的絕緣膜G 1,形成於半導體層A S上的 本紙張尺度適用中國國家標净(CNS ) Λ4規格(210X29*7公釐) ' ^ -16- 495635 A7 B7 五、發明説明(14 ) 例如鉻與鋁之依順序疊層體所形成(參照第5圖)。在汲 極信號線D L之形成領域形成絕緣膜G 1 ’半導體層A S ,乃在於-少例如汲極信號線D_ L之段差超越。 薄膜電晶體T F T之汲極電極S D S係與汲極信號線 DL —體地形成,又,源極電極SD 1係與汲極電極 S D 2僅距所定通道長度分量所形成,同時延伸在上述像 素電極I TO 1之一部分而直接重疊所形成。 附加電容元件C a d d係如第6圖所示,將鬧極信號 線(與驅動薄膜電晶TFT之閘極信號線鄰接之其他閘極 信號線)GL作爲一方之電極,並將與汲極信號線DL同 時地形成之導電層d 1及與像素電極I TO 1同時地形成 之導電層d 1相重疊的導電層I T02作爲另一方之電極 ,而將介裝於其中間的絕緣膜之鋁之氧化膜A OF (也可 以爲氮化矽膜G1)構成介質膜。 經滴部中央標莩局員工消費合作社印掣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁). 絕緣膜G 1,及半導體層A S,係與薄膜電晶體 T F T之此等之形成可同時地形成。又,另一方之電極的 導電層d 1係延伸於上述像素電極I TO 1之一部分並直 接重疊所形成。 在如上所構成之像素領域的表面,連接有S i N所構 成之保護膜PSV1,能避免液晶直接接觸、於薄膜電晶體 T F T之特性劣化。 又,在保護膜P SV 1之表面全領域,連接有用以規 制液晶之配向的配向膜(未予圖示)。 本紙張尺度適用中國國家標净.(CNS ) A4規格(210X297公釐) -17- 495635 A7 B7 五、發明説明(15 ) (τ F τ之動作) 第15圖係表示TFT主動矩陣液晶顯示裝置之單位 像素之等値電路的圖式。 _ 薄膜電晶體T F T係對於源極電極,將閘極電極藉由 正之電壓施以偏壓成爲導通狀態(源極與汲極間之電阻値 變小),並將供應於閘極電極之偏壓藉由接近於零成爲斷 開狀態,亦即,具有源極與汲極間之電阻値變大的傳動特 性。 在第1 6圖表示用以說明表示於第1 5圖之液晶顯示 裝置之動作之一例的波形圖。 又,在第1 6圖表示之各信號VG,VD及像素 P I X之電壓P XV,係藉由互相重疊此等能防止各波形 之區別成爲不明瞭,依信號VG,VD及PXV之順序錯 開時間來描繪。 經潢部中央標率局貝工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在結合於隨著掃描信號(閘極信號)VG之高位準所 選擇的閘極信號線G i (GL)的像素P I X實行從影像 信號線DL所供應之影像信號(汲極信號)VD之寫入。 此時,像素P I X之電壓PXV,係如在第1 6圖以虛線 所示,由於成爲上述導通狀態的T F T具有電阻成分及像 素P I X爲電容性元件C p i X,因此,_著此之時常數 豎立。在第1 6圖,最初,表示將像素(或液晶格)成爲 較高色調之狀態的正位準的影像信號VD。隨著閘極信號 線Gi+1(GL)之選擇,表不於第16圖之掃描信號 VG係從高位準之選擇位準成爲低位準之非選擇位準。由 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) - -18 嶋 495635 A7 B7 五、發明説明(16 ) 此,因TFT係成爲斷開狀態,因此,上述被寫入之影像 信號V D,係被保持成作用作爲電容性元件C p i X之像 素P I X。隨著從掃描信號VG_之高位準轉換成低位準, 像素之電壓PXV係藉由像素P I X (或是在TFT之源 極電極或汲極電極中連接於像素電極的電極。以下爲了說 明之方便,作爲源極電極加以處理)及T F T之閘極電極 間的寄生電容C g s產生電壓降低成分AV。又,從掃描 信號V G之低位準轉換成高位準,介經閘極與源極間之耦 合器C g s跳進像素P I X之電壓,係介經來自汲極信號 線Xi (DL)之影像信號VD之寫入而可加以抵消,惟 從掃描信號V G之高位準轉換成低位準時,跳進像素 P I X之電壓,係無法介經影像信號V D之寫入來抵消。 在第1 6圖,描繪該後一框之期間,供應有低色調位 準之影像信號V D。 一般,因液晶顯示裝置係實行交流驅動,因此,在掃 描信號VG之每一周期,影像信號VD之極性係如正/負 地轉換而被供應。 經洎部中央標苹局負工消費合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 亦即,如第1 6圖所示,掃描信號VG再成爲高位準 之選擇位準時,影像信號VD係成爲負極性之所期望的色 調位準。又,在第1 6圖係表示成爲負極性、之高色調位準 之例子。在此時,由於成爲上述導通狀態之T F T具有電 阻成分,及像素P IX爲電容性元件Cp i X,因此,像 素之電壓P XV係隨著此之時常數而下降。隨著下一閘極 信號線Gi+Ι (未予圖示)之選擇,表示於第16圖之 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) ^ -19- 495635 A7 B7 五、發明説明(17) 掃描信V G,係從高位準之選擇位準成爲低位準之非選擇 位準。由此,由於TFT係成爲斷開狀態,上述影像信號 VD係被权持成作爲電容性元件Cp i X作用的像素 P I X。 隨著從掃描信號VG之高位準轉換成低位準,像素之 電壓P XV係藉由T F T之閘極電極與源極電極間的寄生 電容Cgs ,與上述同樣產生電位降低成分AV。又,與 正極性時同樣地,從掃描信號V G之低位準轉換成高位準 ,介經閘極與源極間之耦合器C g s跳進像素P I X之電 壓,係介經來自汲極信號線X i之影像信號VD之寫而可 加以抵消,惟從掃描V G之高位準轉換成低位準時,跳進 像素P I X之電壓,係無法介經影像信號VD之寫入來抵 消。因此,負極性時也與正極性同樣地介經閘極與源極間 的耦合器C g s,跳進像素P I X之電壓係將像素之電壓 PXV向負方向降低。 在第1 6圖,描繪該後-框之期間,供應有負極性之 低色調位準之影像信號線V D。 經濟部中央標準局負工消費合作杜印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上所述,液晶交流驅動之正極性及負極性,當掃描 信號VG從高位準轉換成低位準時,均藉由TFT之閘極 電極與源極電極間之寄生電容C g s,像素v之電壓P XV 係對於寫入時刻之影像信號VD之位準,如在第1 6圖以 虛線所示,產生電位降低成分。 因此,給與液晶顯示屏之共通電極C 0Μ的偏壓電壓 V c om,係在第1 6圖以兩點鏈線所示’設定在上述像 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A.4規格(210X297公釐) -20- 經濟部中央標枣趵負工消費合作社印災 495635 A7 __B7_ 五、發明説明(^ ) 1 〇 素之電壓Ρ X V之正極性及負極性之間的實質上中間的位 準(最適當之共通電極電壓)。亦即,在共通電極COM ,介經給與考慮像素電壓P X V„之電位降低Δν的最適當 之共通電極電壓,可實行液晶之實質上之交流驅動。 若給與共通電極C ΟΜ之偏壓電壓V c 〇 m從上述之 最適當之共通電極電壓偏離時,則在液晶交流驅動之正極 性與負極性之期間施加於液晶之電壓V 1 c產生相差,而 產生稱爲閃爍之週期性的亮度變化,顯著地降低顯示畫質 (保持電容元件之動作) 在第1 5圖中,Cg s係形成在先前所述之薄膜電晶 體T F T之閘極電極與源極電極之間的寄生電容。寄生電 容C g s之介質係閘極電極與源極電極間的層間絕緣膜。 C p i X係形成在透明像素電極P I X與共通透明像素電 極C Ο Μ之間的液晶電容。液晶電容C p i X之介質膜係 液晶及配向膜。V 1 c係施加於液晶的電壓。 保持電容元件C a d d係薄膜電晶體TFT被轉換時 ,能作用於減低對於像素電極電位P XV之掃描信號的電 位變化ΔΥ G之影響。將該樣子以式表示則、成爲式1。 △ V = {Cgs/(Cgs + Cdsl+Cds2 + Cadd + Cpix)}X △ VG......式 1 在此,ΔΥ係以前所述的介經掃描信號之電位變化 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) ~ -21 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
495635 A7 ______B7___ 五、發明説明() 19 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) △ V G的像素電壓p X V之電位降低成分。該電壓降低成 分△ V係成爲施加於液晶之直流成分之原因,惟愈增大保 持電容C a d d,則愈可減少上述像素電壓P X V之電位 降低成分ΔΥ。又,保持電容元件C a d d係也具有增加 放電時間的作用,可延長儲存薄膜電晶體T F T成爲斷開 後之影像資訊。減低施加於液晶之直流成分,係可提高液 晶之壽命,並可減低在轉換液晶顯示畫面時留在先前之畫 像的所謂的燒痕。 又,第1 5圖及式1中,Cd s 1係薄膜電晶體之源 極電極S D 1與汲極電極S D 2間的寄生電容,也是像素 電極P I X與汲極信號線D i間的電容。 又,C d s 2係表示像素電極P I X及鄰接於此的汲 極信號線D i + 1間的寄生電容,C g d係表示閘極電極 與汲極電極間的寄生電容。 經濟部中央標苹局β,τ消費合作社印^ 如第3圖所示,閘極電極GL係增大成能覆蓋i型半 導體層A S之分量,會增加源極電極S D 1與汲極電極 SD 2之重疊面積,因此,寄生電容C g s會增大,像素 電極電位P X V係產生容易受到掃描信號V G之影響的反 效果。但是,介經設置保持電容元件Cadd,像素電極 電位P XV具有不容易受到寄生電容C g s、之影響的效果 〇
在本實施形態,由於像素之電容爲大約1 50 f F ’ 因此,保持電容元件C a d d之電容係考慮寫入特性,成 爲大約1 0 0 f F。由於寄生電容C g s爲大約1 5 f F 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS M4規格(210X297公釐) " -22- 495635 A 7 B7 五、發明説明(2〇 ) ,因此,保持電容元件C a d d之電容係成爲寄生電容 C g s之6倍以上。 又,第2圖,第3圖及第6圖,例示介經經由絕緣 膜重疊鄰接之像素之閘極信號線G L之一部分與像素電極 IT0 1,形成保持電容Cadd的附加電容方式之例子 ,惟保持電容C a d d係並不被限定於此者,如第1 2圖 ,第1 3圖及第1 4圖所示,與閘極信號線GL不同地設 置電容線,並介經經由絕緣膜重疊電容線C L與像素電極 IT01,形成保持電容Cadd之儲存電容方式也可以 。在本實施例中,附加電容方式係具有可提高口徑比之優 點,及增大閘極信號線GL之分佈電容的缺點。又,在本 實施例中,儲存電容方式係具有可減小閘極信號線G L之 分佈電容的優點,及口徑比降低設置電容線C L之分量及 增加製程的缺點。 (寄生電容C g s之偏差防止對策) 由於以往液晶顯示裝置之顯示領域係比L 0型(對角 經來·部中央標率局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 5 . 4 c m )小,因此,閘極電極與源極電極間之寄生 電容C g s之製造上之偏差係較少,而給與共通電壓 C〇Μ之最適當共通電極電壓V c 〇 m係一義地決定。 還是,液晶顯示裝置之顯示領域成爲比1 3型(對角 3 4 cm)時,則寄生電容C g s之製造上之偏差變大, 給與共通電壓C 0M之最適當共通電極電壓V c 〇 m係在 顯示領域之各部分有很大不同,成爲產生無法一義地決定 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -23- 495635 A7 ____B7_ 五、發明説明(21 ) 的課題。 爲了解決上述課題,在本實施例中,特別是,在上述 薄膜電晶爐T F T之源極電極S_D 1,如在其放大圖之第 1圖所示,在與像素電極I TO 1連接部分而在從與閘極 電極重疊部分至未重疊部分,其寬度形成比薄膜電晶體之 通道寬度W小。 亦即,在同圖中,汲極電極S D 2係形成從汲極信號 線D L在閘極信號線G L上沿著其行走方向延伸之後折彎 指向像素電極I T〇1側。 此時,作爲汲極電極S D 2實質上功能係指向至像素 電極I T 0 1側的折彎部,其長度係成爲決定薄膜電晶體 TFT之通道寬度W。 源極電極S D 1係配置成與該汲極電極S D 2之折彎 部相對向且隔著相當於通道長度之分量,以該狀態延伸至 像素電極I TO 1側俾能與該像素電極I TO 1之連接。 因此,與源極電極SD 1之汲極電極SD 2對向之邊 的長度係成爲上述頻道寬度。 經濟部中央標率局貝工消费合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 直交於該源極S D 1之延伸方向的寬度W0之長度形 成比上述通道寬度W小。 如此構成之源極電極S D 1係在形成此時,即使形成 \ 產生向圖中y方向偏位時,該源極電極S D 1對於閘極信 號線GL的重疊部之面積也不會有很大變化。此乃直交於 源極電極SD1之延伸方向的寬度W0之長度形成較小所 致。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X 297公釐) •24- 495635 A7 B7 五、發明説明(22 ) 又,在圖中X方向產生偏時,該源極電極S D 1對於 閘極信號線G L的重疊部之面積的變化係成爲完全沒有。 由此,即使在旋轉方向0產生偏位,該源極電極 S D 1對於閘極信號線G L的重疊部之面積也不會有很大 變化。 因此,各像素領域之薄膜電晶體TFT,係成爲可將 其閘極電極與源極電極之電容C g s大約均勻地形成,而 成爲可抑制閃爍之發生。 這種效果係並不是僅將汲極電極S D 2與源極電極 SD 1之圖案藉由表示於第1圖者,當然也可以藉由例如 第7 ( a )圖至第7 ( d)圖所示的各圖案同樣地得到。 此時,在上述之實施例中,源極電極SD 1係除了用 以連接於像素電極I TO 1之延伸部,構成與汲極電極 SD2對稱關係者。 但是,如第8圖所示,當然也可將源極電極S D 1形 成直接延伸至用以連接此之像素電極I TO 1相反方向延 伸而超越閘極信號線G L者。 經濟部中央標孪局兵工消费合作社印絜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此時,爲了該源極電極SD 1,避免與鄰接之像素領 域之像素電極I T01相連接,而在該閘極信號線GL設 於一部分切除G L C,構成能超越該閘極信號線G L。 v 換言之,與實質上未功能作爲電極之其他部分一體所 形成之源極電極S D 1,係形成能與閘極信號線G L交叉 之狀態。 如此所構成之源極電極S D 1係在形成此時,即使例 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) 44規格(210X297公釐) -25- 495635 A7 _____B7_ 五、發明説明(23) 如圖中X方向,另外即使向y方向產生偏位所形成,該源 極電極S D 1對於閘極信號線G L的重疊部之面積也完全 不會有變化。 因此,各像素領域之薄膜電晶體T F T係成爲可均勻 地形成其閘極電極與源極電極之電容C g s,成爲可大幅 度地抑制閃爍之發生。 在本實施例中,特別是,在沿著閘極信號線G L所排 列的各該薄膜電晶體T F T,其閘極電極(閘極信號線 G L )與源極電極S D 1之間的電容C g s ;構成在閘極 信號線之輸入端子側較小而在終端側較大。 亦即,第9 ( a )圖係表示閘極信號線G L之輸入端 子側的薄膜電晶體,而第9 ( b )圖係表示閘極信號線 G L之終端側的薄膜電晶體。 由第9 (a)圖及第9 (b)所示可知,藉由表示於 第9 (b)圖的薄膜電晶體TFT之源極電極SD1側的 半導體層A S形成比表示於第9 ( a )圖者較大(以符號 I表示該過剩分量),形成終端側之薄膜電晶體T F T之 經濟部中央標枣局β Η消资合作社印繁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 閘極信號線GL與源極電極SD 1之間的電容C g s較大 〇 亦即,終端側之薄膜電晶體之源極電極近旁的半導體 \ 層A S與閘極信號線G L重疊之面積,比輸入端子側之薄 膜電晶體之源極電極近旁的半導體層A S與閘極信號線 G L重疊之面積大。 此時,從閘極信號線G L之輸入端子側至終端側的各 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) Λ/規格(210X297公釐) _~ -26- 495635 A7 B7 五、發明説明(24 ) 薄膜電晶體TFT之電容Cg s係構成依順序變大,或是 構成依順序地群化鄰接之複數各薄膜電晶體,並依順序地 增大每一 it等群也可以。 _ 藉由如上所構成,依對於閘極信號線G L之掃描信號 的波形失真的像素電極I TO 1向電位正方向的移位,以 依存於跳進電壓之上述電容C g s的像素電極I TO 1向 電位負方向的移位被相殺,而可將施加於閘極信號線G L 之輸入端子側與終端側之各液晶的電壓成爲相等。 所以,可抑制依亮度變化的畫面之閃爍。 一般,液晶屏之一線的寫入時間,係以來自掃描信號 線驅動電路部(參照第2 (A)圖之記號1 04)之「 T F T導通信號」之寬度所決定之時間內完成。 經濟部中央標準局β工消f合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而,TFT導通信號係藉由水平掃描頻率,其寬度 一義地決定的矩形脈衝,一般在矩形脈衝,由於其上昇或 下降之電流變化分量(d i / d t )較大,因此,容易受 到信號路徑中之時常數之影響,因實際之上昇或下降波形 成爲沿著時常數曲線的曲線性波形(以下,將該曲線性波 形稱爲「波形失真」,而曲率大之波形稱爲「波形失真大 」),而且因其波形失真係愈接近信號路徑之終端愈大, 因此,上述像素電壓P XV之電位降低成兮AV係愈至掃 描信號線之終端愈少,結果,終端側之像素電壓(源極電 極電壓)對於掃描信號線之輸入端子側較高。 這種問題點,特別是,在增大像素數時,或增大畫面 尺寸(特別是掃描線方向的尺寸)時較顯著。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -27- 經漭部中央標準局負工消費合作社印災 495635 A7 __B7 五、發明説明(25) 第15圖之分佈電容(Cgs,Cadd,Cgd) 與像素數或畫面尺寸在比例上變較大。 以下,具體地說明上述問題點。 第1 7圖係表示液晶顯示屏之一線分量的等値電路。 在該圖中,GTM係TFT導通信號之輸入端子(亦即, 連接於第2圖之掃描信號線驅動電路1 〇 4之輸出的端子 ),該端子G T Μ係經掃描信號線驅動電路1 〇 4與液晶 顯示屏之間的配線1 1,而被連接於液晶顯示屏之閘極信 號線GL。R 1 1及C 1 1係分別表示配線1 1之電阻成 分與電容成分。閘極信號線G L係等値於像素單位,而各 像素之R12及C12係分別表示各像素之電阻分量與電 容分量(也稱爲分佈電容,相當於C g s + C a d d + C g d ) 〇 現在注重於閘極信號線GL之兩點a,c,考量在各 該點之TFT導通信號之波形失真。a係最接近於端子 GTM之點。將該點a之TFT導通信號方便上作爲 VG a。C係從端子GTM最遠之(換言之,爲掃描信號 之終端之)點。將該點C之TFT導通信號方便上稱爲 V G c。 第1 8 ( a )圖係表示端子側,第1 $ ( b )圖係表 示中央側,而第1 8 ( c )圖係表示終端側之T F T之驅 動波形的圖式。任何信號VC a,VG c均在分配於一水 平掃描期間內的所定寫入期間T X從上昇至下降變化之矩 形脈衝。信號VGa之波形失真係藉由Rl 1與C 1 1之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' •28- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
495635 A7 ___B7_ 五、發明説明(% ) ΖΌ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 時常數所產生之微少者,惟信號V G c之波形失真係除了 該R 11與C 1 1之時常數外,又包括一線之像素數之 R12與C12的時常數所產生_之較大者。因此,信號 VGc之下降t f r比信號VGa之下降t f 1相當延遲 。延遲之程度係像素數愈多,或畫面尺寸愈大則愈顯著。 乃增大上述之分佈電容(亦即C 1 2 )所致。 亦即,成爲t f r>t f 1之關係,其相差係主要依 存於上述分佈電容之大小。 因此,由先前所說明之式1之關係,端子側之像素電 壓的降低成分△ V 1係成爲比終端側像素電壓的降低成分 △ V r 大。 以往,因單位像素之寄生電容C g s,C d s 1, C d s 2及保持電容C a d d係成爲相等於像素電極之驅 動條件,因此,常識上設計成顯示領域之任何場所均成爲 一定。故在以往技術,先前所述之最適當共通電極之電壓 V c 〇 m實際上係在閘極信號線G L之端子側與終端側不 柑同。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 但是以往係顯示畫面之尺寸比1 0型(縱1 5 cm ’ 橫2 1 cm)小,且閘極信號線GL也不長(2 1 cm以 下),因此在輸入端子側之像素與終端側之、像素之間’像 素電極之電位降低成分△ V之相差係可忽視之小’在液晶 顯示裝置之驅動界限(特別是,最適當共通電極電壓 V c 〇 m之界限)上有餘量,故無法認識本發明之課題。 因此,在以往技術中,一線之像素數較多時,或顯示 本紙張尺度適用中國國家標率((^5)人4規格(210’/ 297公釐) -29- 495635 A7 B7 五、發明説明(27 ) 領域之閘極信號線方向之長度變長時(至少在閘極信號線 之長度爲2 7 cm以上的液晶顯示裝置),對於顯示領域 之全像素&爲無法將給與共通霞極之電壓成爲最適當者。 爲了解決上述課題,在上述實施例,係藉將薄膜電晶 體TFT之源極電極SD1側之半導體層AS之大小形成 不同,而將其電容C g s成爲不同者。 又,在上述實施例,由於在薄膜電晶體TFT之通道 形成領域(源極電極S D 1與汲極電極S D 2之間的領域 )以外之部分,將半導體層A S之大小形成不相同,因此 ,在輸入端子側與終端側變更閘極與源極間電容C g s, 而不變更T F T之尺寸(具體而言,通道長度1及通道寬 度w )下,容易設計液晶顯示裝置。 經滅部中央標準局员工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,由式1可知,將像素電極之電位降低成分AV調 整成在各像素間相差減少的方法,係如上述實施例,並不 被限定於調整閘極與源極間電容C g s的方法,或是調整 保持電容元件Ca dd之方法,調整液晶電容Cp i X ( 具體而言,爲像素電極I TO 1之面積或像素電極 IT〇1與共通電極COM(未予圖示)間的距離)之方 法,或調整源極與汲極間電容C d s 1之方法,或是調整 像素電極I TO 1及與此鄰接之汲極信號線D L間之寄生 電容Cds2的方法也可以。 但是,調整閘極與源極間電容C g s的上述實施例者 ,式1之分子僅由閘極與源極間電容C g s所構成可知, 以較少之閘極與源極間電容C g s之變化量,用較廣動態 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -30 - 495635 A7 B7 五、發明説明(28 ) 等級可調整像素電極之電位降低成分Δν。如此在上述實 施例,由於用以變化閘極與源極間電容C g s的空間較少 就可以,因此,可增大像素之口_徑比。 又,組合閘極與源極間電容C g s,保持電容元件 Ca dd,液晶顯示電容Cp i X,源極與汲極電容 C d s 1及像素電極汲極信號線間電谷C d s 2加以調整
,即可以更廣動態等級調整像素電極的電位降低成分△ V 〇 又,介經保持電容元件C a d d,液晶電容C p i X ,源極或汲極電容C d s 1或像素電極汲極信號線間電容 Cds 2,來調整像素電極之電位降低成分AV時,由此 等電容構成式1之分母即可明瞭,在掃描信號驅動波形之 失真變大的終端側的像素側的像素c來減少此等電容,而 以掃描信號驅動波形之失真較少的輸入端側的像素a來增 大此等電容。 經满部中央標導局負工消费合作社印掣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,調整閘極與源極間電容C g s之方法係並不被限 定於調整與半導體層A S之閘極信號線G L的重疊面積者 ,如第1 0圖所示,對於閘極信號線G L之源極電極 S D 1的重疊領域之該閘極信號線G L構成延伸如圖示之 突起部G L P,且該突起部G L P之面積係閘極信號線 G L之輸入端子側較小且在終端側較大地形成也可得到同 樣之效果。 又,如第1 1圖所示,當然也可以藉由變更該閘極信 號線G L之寬度方向的長度將源極電極S D 1對於閘極信 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS )冷4規格(210X297公釐) 一 -31 - 495635 A7 ____B7 五、發明説明(29) 號線G L的重疊領域形成不同。 亦即,將沿著閘極信號線G L排列的各像素領域,在 互相鄰接乏複數之每一像素領域成爲群化,並將該各群化 之像素領域的閘極信號線G L形成從其輸入端子側至終端 側依順序擴充(擴充與源極電極SD 1之像素電極 I TO 1連接之一邊的寬度)構成。 又,如第1 2圖,第1 3圖及第1 4圖所示,在保持 電容C a d d採用儲存電容方式的液晶顯示裝置時,藉由 從輸入端子側至終端側依順序擴充像素電極I T 0 1與電 容線C L之重疊面積的構成,也可調整像素電極之電位降 低成分Δν。在第1 3圖及第1 4圖所示之實施例,介經 調整電容線C L之寬度w3,來調整電位降低成分AV。 經滅部中央標卑局負工消費合竹社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於儲存電容方式之液晶顯示裝置係閘極信號線G L 之分佈電容較少,因此,具有可減少掃描信號VG之波形 失真的影響。但是,在儲存電容方式之液晶顯示裝置,也 如上述實施例,調整閘極與源極間電容C g s或保持電容 C a d d,介經減小輸入端子側與終端側之電位降低成分 △ V之相差,由於可將掃描信號VG之波形失真的影響成 爲完全沒有,因此,可實現具有最大級之顯示畫面的液晶 顯示裝置。 、 又,輸入於閘極信號線G L之信號線波形的失真,係 從輸入端愈至終端,單調地增加。 第1 7圖之b部係表示閘極信號線(掃描信號線) G L之中央部,而將其部分之T F T驅動波形表面於第 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X297公釐) -32- 495635 A7 _B7___ 五、發明説明(3〇) 18 (b)圖。第18 (a)圖係表示於第17圖之(a )之輸入端子側的T F T驅動波形,而第1 8 ( c )圖係 表示於第1 7圖之c之終端側之T F T驅動波形。比較第 18 (a)圖,第18 (b)圖及第18 (c)圖即可知 ,中央部之掃描信號VGb之下降時間t f係在輸入端子 側之下降時間t f 1與終端側之下降時間t f r之中間。 亦即,具有t f l<t f<t f r之關係。因此,在設計 成寄生電容在所有像素成爲同等的以往之液晶顯示裝置, 中央部之像素電極之電位降低成分AV,係在.輸入端子側 之電位降低成分△ V 1與輸出端子側之電位降低成分 △ V r之間。亦即具有Δν 1 >AV>AV r之關係。 因此,對應於閘極信號線G L之中央部分的像素電極 I T 0對於電壓正方向之移位量,係比對應於閘極信號線 G L之輸入端的像素電極I T〇多,而比對應於閘極信號 線GL之終端的像素電極I TO少。 經#‘部中央標绛局兵Η消費合作社印^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
因此,介經將連接於閘極信號線G L之中央部分的薄 膜電晶體T F T之閘極電極與源極電極S D 1之間的電容 C g s,形成比連接於閘極信號線GL之輸入端的薄膜電 晶體TFT之電容C g s大,而比連接於閘極信號線GL 之終端的薄膜電晶體TFT之電容C g s小,可將跳進輸 \ 人端及終端之像素電極I TO與中央部之像素電極I TO 的閘極信號之洩漏成分成爲均勻,而最適當之共通電極電 壓在輸入端及終端之像素之像素與中央部之像素不會不相 同,因此在顯示領域之中央部不會發生閃爍。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X29*7公釐) •33- 495635 A7 B7 ------—— --------------—__________ 五、發明説明(31 ) 又,在此閘極信號線之輸入端及終端的像素電極 I TO係在貢獻於顯示之像素電極I TO 1被議論,而除 外考量對於以遮光膜被遮光的像素電極I τ 0 1或未完成 之像素的像素電極等之顯示上未貢獻的像素電極I T〇1 乃妥當;當然這些與閃爍無關係者。 但是,在閘極信號線之輸入端及終端的像素電極 I TO 1,若對應於被遮光之像素電極I το 1之像素, 採用終端側之薄膜電晶體T F T之電容C g S比輸入端側 之薄膜電晶體TFT之電容Cg s大之構成,具有直流成 分不會施加於液晶,而可提高液晶之壽命的效果。 在本實施例,說明施以依輸入於聞極信號線G L之掃 描信號之波形失真的閃爍防止對策,及依曝光裝置之光學 系統之失真的源極電極S D 1之偏位的閃爍防止對策的液 晶顯示裝置者,惟當然構成施以這些各防止對策中之任何 一方均可以。 MM部中次標枣局負二消费合作社印私 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 但是在實行依源極電極S D 1之偏位的閃爍防止對策 的液晶顯示裝置,介經實行依輸入於閘極信號線G L之掃 描信號之波形失真的閃爍防止對策,可用高精度調整像素 電極的電位降低成分Δν,即使將顯示領域放大至最大級 ,也可以充分地確保液晶顯示屏之驅動界限(特別是,共 通電極電壓V com之界限)。 (透明基板SUB 1之製造方法) 以下,參照第1 9圖至第2 1圖說明表示於第3圖的 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) Λ.4規格(210X297公釐) -34- 495635 A7 B7 五、發明説明(32) 液晶顯示裝置之第1透明絕緣基板(薄膜電晶體基板) SUB 1側的製造方法。又,在同圖中,中央之文字係表 示工程名稱之略稱,左邊係表示薄膜電晶體T F T ( IV -IV切剖線),右邊係表示保持電容C a d d (VI - VI切剖 線)之剖面形狀觀看的加工流程。除了工程B及D外,工 程A至G之工程係對應於各光處理所區分者,各該工程之 切剖圖均表示完成光處理後之加工,且除去光阻劑之階段 。又,上述光處理係表示在本說明爲從光阻劑之塗佈經使 用光罩之選擇曝光,並顯像此爲止的一連串作業者,避免 重複說明。以下依照所區分之工程加以說明。 工程A,第1 9圖 經漭部中央標準局β Η消費合作社印袈 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在7 0 5 9玻璃(商品名稱)所構成的第1透明絕緣 基板SUB 1之兩面介經浸漬處理設置氧化矽膜S I 0之 後,實行500 °C,60分鐘之烘烤。又,該S I 0膜係 形成用以緩和透明絕緣膜S U B 1之表面凹凸所形成,惟 凹凸過少時,爲可省略之工程。介經濺射設置膜厚爲 2800A 之 Al-Ta,A1-Ti— Ta,A1 -Pd等所構成的第1導電膜gl。經光處理後,以磷酸與 硝酸及水醋酸之混酸液選擇性蝕刻第1導電膜g 1。 工程B,第1 9圖 剛施以光阻後(形成上述之陽極氧化圖案後),在將 介經氨水調整3%酒石酸成爲pH6 · 2 5±0 · 0 5之 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' ^ -35- 495635 A7 B7 五、發明説明(% ) 溶液以乙二酸液稀釋成1 : 9之液所形成之陽極氧化液中 浸漬基板S U B 1,形成電流密度調整成0 · 5 m A / c m 2 (定電流形成)。之後,實行陽極氧化直到能得到所 定之A 1 2〇 3膜厚所必需的形成電壓1 2 5 V爲止的陽極 氧化(陽極形成)。然後,在該狀態下保持數十分鐘較理 想(形成定電壓)。此乃爲了得到均勻之A 12〇3膜上極 重要。由此,導電膜g 1被陽極氧化,在掃描信號線(閘 極線)GL上及側面自動對準地形成有膜厚1 8 Ο Ο A之 陽極氧化膜AOF,而成爲薄膜電晶體TFT之閘極絕緣 膜之一部分。 I程C,第1 9圖 介經濺射設置膜厚1 4 Ο Ο A之I TO膜所形成的導 電膜I T 0。光處理後,以硝酸與硝酸之混酸液作爲蝕刻 液介經選擇性地蝕刻導電膜I T 0,形成保持電容 C a d d之其中一方的電極及透明像素電極I TO 1。 經洎部中夾標皁局β工消費合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 工程D,第2 0圖 在電漿CVD裝置導入氨氣體,矽烷氣體,氮氣體。 設置膜厚2 0 0 0 A之氮化矽膜,在電漿C、VD裝置導入 矽烷氣體,氫氣體,設置膜厚2 0 0 0 A之i型非晶質 S i膜之後,在電漿CVD裝置導入氫氣體,磷氣體,設 置300A之N+型非晶質Si膜d〇)。該成膜係在相 同C V D裝置變更反應室連續地實行。 本紙張尺度適用中國國家標準((:NS ) A4規格(210X 297公釐) - -36· 495635 A7 B7 五、發明说明(34 ) 工程E,第2 0圖 光處^後’作爲乾蝕刻氣體使用SF6,BC 1,實 行蝕刻N +型非晶質S i膜d 〇,及i型非晶質S i膜 AS。之後使用SF6實行蝕刻氮化Si膜GI 。當然也 可以用SF6氣體連續蝕刻N+型非晶質S i膜d〇,i 型非晶質S i膜A S及氮化S i膜G I。 如此介經以S F 6作爲主成分之氣體連續地蝕刻至層 之CVD膜,可將i型非晶質S i膜AS及氮化S i膜 G I之側壁加工成推拔形狀。因上述推拔形狀,即使源極 電極S D 1形成在其上部,也顯著地降低斷線的機率。N +型非晶質S i膜d 〇之推拔角度接近9 0度,惟因厚度 薄至30 0 A,故在該段落差之斷線機率極小。因此,N +非晶質S i膜d 0,i型非晶質S i膜A S,氮化S i 膜G I之平面圖案係嚴格地說並不是相同圖案,而是斷面 成爲順推拔形狀,因此,依N+型非晶質Si膜d〇,i 型非晶質S i膜AS,氮化膜G I之順序成爲大圖案。 經Μ部中央標绛局負工消費合作社印$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 工程F,第2 1圖 介經濺射設置膜厚6 0 0 A之C r所形成之第1導電 膜d 1。光處理後,以硝酸第2铈溶液銨蝕刻第1導電膜 dl,形成汲極信號線DL,源極電極SD1,及汲極電 極 S D 2。 在本實施例,如工程E所示,由於N +型非晶質S i 本紙張尺度速W中國國家標碑((、NS ) Λ4規格(210父297公羡1 ^ -37· 495635 A 7 B7 五、發明説明(35 ) 膜d 〇,i型非晶質S i膜A S,氮化S i膜G I成爲順 推拔,因此,僅以第1導電膜dl形成源極電極SD1, 也不會使源極電極S D 1成爲斷線。 之後,在乾蝕刻裝置導入S F 6,B C 1而介經蝕刻 N +型非晶質S i膜d 0,俾選擇性地除去源極與汲極間 的N+型半導體層d〇。 工程G,第2 1圖 在電漿CVD裝置導入氨氣體,矽烷氣體,氮氣體, 設置膜厚0 · 6^m之氮化S i膜。經光處理後,作爲乾 蝕刻氣體使用S F 6而介經蝕刻,形成保護膜P SV 1。 作爲保護膜,不僅在CVD所形成之S i N膜,也可以使 用有機材料者。 (光罩之設計) 第1基板SUB 1之各層的圖案係介經光刻法所形成 〇 經滅部中决標泽局β工消资合竹社印災 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2 2 ( a )圖係表示圖案形成方法之一例的圖式。 MSK 1係用以複印至基板之圖案PAT所形成的光 罩。MS K 1係一個,形成有液晶顯示屏之一層的全圖案 〇 SUB 1係光阻劑塗佈於主面的基板。在第2 2 (a )圖之例子,係表示在一片基板S U B 1形成一個液晶顯 示屏之圖案的例子。但是,在一片母玻璃基板形成複數液 本紙張尺度適州中國國家標率((、奶)八4規格(210'/297公釐) -38- 495635 A7 ___B7_ 五、發明説明(Μ ) 〇0 晶顯示屏之圖案也可以。 在光罩設有對準標記A LM,介經對準設於基板之對 準標記ALM與光罩之對準標記ALM,實行第1基板 SUB 1之各層間的對準。 在水銀燈等光源L I T所發生之紫外線等之光,係在 透鏡光學系L E N被加工成均勻之面光源後,被送至反射 鏡 Μ I R。 被送至反射鏡Μ I R之光係向狹縫S L Τ反射,而經 狹縫S L Τ之光係成爲線狀之光來照射光罩MS Κ 1。 透過光罩MSK1之線狀光係踫到基板SUB 1上而 感光光阻劑。 此時,僅照到光之e部分,光罩MSK 1之圖案 PAT被複印在基板SUB 1上。 在表示於第2 2 ( a )圖之箭印方向,對於基板及光 罩,介經相對地移動狹縫S L T或反射鏡Μ I R,光罩 MSK 1之圖案PAT作爲基板SUB 1之圖案PAT / 被轉印。 :¾¾部中次掠準局Μ,χ消费合竹社印災 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第22 (b)圖係表示以表示於第22 (a)圖之方 法所使用的光罩MSK1之圖案PAT的例子者。 以表示於第9圖之實施例爲基礎加以說.明時,表示於 第2 2 ( b )圖之光罩MSK係形成有半導體層AS之圖 案。 閘極信號線G L之延伸方向係X時,則第2 2 ( b ) 圖之a係表示輸入端子側的半導體層A S之圖案,而b係 本紙張尺度適用中國國家標华((,NS )々4規格(210X297公釐) -39- 495635 A7 B7 五、發明説明(37 ) 表示終端側的半導體層AS之圖案。第22(b)圖之I 部分,係用以調整先前所述之閘極與源極間電容C g s的 圖案。 一 在表示於第22 (a)圖及第22 (b)圖的一光罩 MS K 1形成液晶顯示屏之一層的全圖案,而依照圖案形 成基板SUB 1之所期望之層(例如半導體層AS)之方 法,在相同曝光條件下,由於可形成輸入端子側與終端側 之圖案,因此,以高精度可形成用以調整像素電極之電位 降低成分Δν的圖案I 。 故可精度優異地控制電位降低成分AV,而可提高液 晶顯示屏時的界限(特別是共通電極電壓V c om之界限 )° 又,如第22 (a)圖所示,在形成基板SUB1上 之圖案PAT時,由於移動反射鏡Μ I R或狹縫S LT並 施以曝光,因此,介經機械上之部分的精度,在基板上之 圖案PAT會產生歪斜。 經渋部中决標卑局δ,τ消費合作社印欠 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 但是,介經直交於以第7 (a)圖至第7 (d)圖及 第8圖所示之源極電極SD1之延伸方向的寬度w〇之長 度形成比上述通道寬度w小之構成,因依源極電極S D 1 與閘極信號線G L對準偏離的閘極與源極間,電容C g s之 變動變少。因此,可減小曝光工程之歪斜的影響。 第2 3 ( a )圖係表示在第1基板SUB 1形成圖案 之方法的其他例者。 與第22 (a)圖不同點,係將基板SUB1上之圖 本紙張尺度適家標卒(rNS ) μ規格(210X 297公釐1 - -40 麵 經滅部中次標缚^只工消资含作社印$ 495635 A7 _____ B7 五、發明説明(幼) 案PAT分成複數之塊圖案PATi ,PATii , PATiii,PATiv,而在每一各塊使用一枚光罩 MSKi ,MSKii ,MSKiii,MSKiv 者。 第23 (b)圖係表示在表示於第23 (a)圖之方 法的複數光罩 MSKi ,MSKii,MSKiii,MSKiv 的圖案的例子者。 以表示於第9圖之實施例爲基礎加以說明時,第2 3 (b )圖係表示半導體層a s之光罩之例子。閘極信號線 G L之延伸方向係X時,則光罩M S K i ,M S K iv係表 示輸入端子側之光罩,而光罩MSKii,MSKiii係表示 終端側之光罩。又,表示於第2 3 ( b )圖之a係表示輸 入端子側的半導體層A S之圖案,而b係表示終端側的半 導體層AS之圖案。第23 (b)圖之I部分,係用以調 整先前所述之閘極與源極間電容C g s的圖案。 其他,未特別地說明之點係與表示於先前所述之第 22 (a)圖及第22 (b)圖之實施例相同。 依照表示於第23 (a)圖之實施例,由於介經複數 光罩 MSK i ,MSKii,MSKiii,MSKiv 形成一具 液晶顯示裝置之一個層的圖案PAT# ,因此,可製作顯 示畫面的大液晶顯示裝置。 、 但是,在如第23 (a)圖所示之實施例中’在輸入 端子側與終端側,由於必須以不同之光罩形成調整電位降 低成分Δν的圖案1,因此,很難以高精度來調整電位降 低成分△ V。 本紙張尺度適用中國國家標缚((,奶)八4規格(2】0><:297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) έ -丁 -" -41 - 495635 A7 B7 五、發明説明(39 ) 又,在表示於第23 (a)圖之實施例,由於在基板 SUB1 之各塊圖案 PATi > ,PATii', PATffi /,PATiv>之間的:境界領域,重複曝光複數 次,因此,圖案比其他部分更細小。 因此,在避開複數次曝光之部分的部分,必須設置調 整電位降低成分AV的圖案1。 對此,由於表示於第22 (a)圖之實施例,係以一 枚光罩MSK 1形成液晶顯示裝置之一層的圖案PAT / ,因此,無境界領域地,用以設置調整電位降低成分Δν 之圖案1的限制較少。 但是,欲製造具有最大級之顯示領域的液晶顯示裝置 時,若未考慮調整電位降低成分AV的圖案1之精度,貝!I 表示於第2 3 ( a )圖之實施例者較適合。 經淆部中次標準局只工消费合作社印來 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 表示於上述之第22 (a)圖,第22 (b)圖或第 23 (a)圖及第23 (b)圖所示的圖案之形成方法, 係表示在半導體層AS,設置調整電位降低成分Δν的圖 案1之例子,惟在其他層設置調整電位降低成分AV的圖 案1也可以。 例如在表示於第1 1圖及第1 1圖之實施例中,在形 成閘極信號線GL之工程(第1光)之光罩γ,使用表示於 第22 (a)圖,第22 (b)圖或第23 (a)福,第 23 (b)圖的圖案形成方向也可以·又,在形成源極電 極SD 1的工程(第1光)所用的光罩,使用表示於第 22 (a)圖,第 22(b)圖或第 23 (a),第 23 ’ 本紙張尺度適用中國囤家標缚((、NS ) /\4娜(210X297公釐) ^ -42- 495635 A7 B7 _ 五、發明説明(4()) (b )圖所示之圖案的形成方法也可以。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (在兩端驅動閘極信號線G L之情形) 第2 4圖係表示爲了減低掃描信號線驅動波形VG的 波形失真,在閘極信號線G L之左右兩端設置掃描信號線 驅動電路部1 0 4之例子的液晶顯示裝置的等値電路·在 表示於第2 4圖的構成的液晶顯示裝置中,閘極信號線 G L之終端係沒有存在。 但是,在表示於第2 4圖之構成的液晶顯示裝置,距 兩件掃描信號線驅動電路部1 0 4較遠的中央部之像素B 的掃描信號線VG之波形失真,比距兩件掃描信號驅動電 路部1 0 4較近側的像素A,C的掃描信號VG之波形失 真大。 因此,在表示於第2 4圖之兩側驅動的液晶顯示裝置 ,介經將距輸入端子較遠側之像素B的閘極與源極間電容 C g s,構成比接近於輸入端子側之像素A,C的閘極與 源極間電容C g s較大即可減小依掃描信號V G之波形失 真的像素電極之電位降低成分之相差。 具體的閘極與源極間電容C g s之調整方法係如表示 於第9圖,第1 0圖及第1 1圖之實施例' 又,在表示於第2 4圖之兩側驅動的液晶顯示裝置, 減小像素電極之電位降低成分之相差的方法,係並不 被限定於調整閘極與源極間電容C g s者,而調整保持電 容Ca dd,液晶電容Cp i X,源極與汲極間電容 本紙張尺度適用中國國家標绛(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) — " ^ - 43 - 495635 A7 B7 五、發明説明(41 ) C d s 1或像素電極與汲極信號線間電容C d s 2者也可 以。 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,在本實施例表示依形成閘極電極,形成閘極絕緣 膜,形體半導體層,形成源極及汲極電極之順序所形成的 反參差構造的薄膜電晶體T F T。 但是,本發明係並不限定於使用反參差構造的薄膜電 晶體的液晶顯示裝置者,而在使用經由閘極絕緣膜將閘極 電極形成在半導體層上之正參差構造的薄膜電晶體T F T 的液晶顯示裝置也可適用本發明。 實施之形態2 又,本發明係將所謂縱電場方式之液晶顯示裝置說明 作爲一實施例者。但是,在一方之透明基板的液晶側之面 設置互相相對向的一對電極,而在此等各電極之間與該透 明平板平行地產生電場的橫電場方式時,其情形也完全相 同,故也可適用該橫電場方式之液晶顯示裝置。 第2 5圖係表示適用本發明的橫電場方式之主動矩陣 方式彩色液晶顯示裝置之一像素與其周邊的平面圖。 第2 6圖係表示第2 5圖之3 — 3切剖線之剖面的圖 式。如第2 5圖及第2 6圖所示,以液晶層L C爲基準, 在下部透明玻璃基板S U B 1側形成有薄膜電晶體T F T ,儲存電容C s t g,像素電極PX及對向電極COM2 ,而在上部透明玻璃基板SUB 2側形成有濾色片F 1 L ,遮光用黑矩陣圖案BM。 本紙張尺度適用不國國家標率(rNS ) Λ4規格(210X 297公楚1 ~ •44- 495635 A7 B7 五、發明説明(42) 又,在透明玻璃基板SUB1,SUB2之各該內側 (液晶L C側)之表面,設有控制液晶之初期配向的配向 膜0R11,〇R12,而在透明玻璃基板SUB1, S U B 2之各該外側的表面,設有偏光軸直交所配置的偏 光板。 如第2 5圖所示,各像素係配置於閘極信號線(掃描 信號線或水平信號線)GL,及對向電壓信號線(共通電 極配線)C0H1,及鄰接之兩條汲極信號線(影像信號 線或垂直信號線)DL之交叉領域內(四條信號線所圍繞 的領域內)。各像素係包括薄膜電晶體T F T,儲存電容 C s t g,像素電極PX及對向電極COM2。閘極信號 線GL,對向電壓信號線C0M1係在圖中向左右方向延 伸,向上下方向配置複數支,汲極信號線D L係向上下方 向延伸,並向上下方向配置複數支。像素電極P X係與薄 膜電晶體TFT相連接,而對向電極COM2係與對向電 壓信號線C〇Ml成爲一體。 經治部中次標準局β工消费合作社印$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在沿著汲極信號D L上下地鄰接的二像素,係在第 2 5圖之A線折彎時,平面構成成爲重疊之構成。此乃係 以沿著汲極信號線D L上下地鄰接之二像素共通化對向電 壓信號線COM 1,並介經放大對向電壓信號線COM 1 之電極寬度,而爲了減低對向電壓信號線C0M1之電阻 。由此,將對向電壓從外部電路充分地供應至左右方向之 各像素的對向電極C 0M 2成爲容易。 像素電極PX與對向電極COM2係互相地對向,介 本紙張尺度適用中國國家標率((、NS ) Λ4規格(21〇Χ297公濩) ' '~ ^ -45- 495635 A7 B7__ 五、發明説明() 43 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經各像素電極P X與對向電極c Ο Μ 2之間的電場控制液 晶L C之光學性狀態,俾控制顯示。像素電極Ρ X與對向 電極C Ο Μ 2係梳齒狀地構成,_.分別形成向圖之上下方向 較細長之電極。 閘極信號線G L係設定電極寬度使掃描電壓能充分地 施加於終端側的像素之閘極電極G Τ,俾得到充足之電阻 値。又,對向電壓信號線C 0Μ 1也設定電極寬度使對向 電壓能充分地施加於終端側的像素之對向電極C Ο Μ 2俾 得到充足之電阻値。 在第2 5圖中,以記號I所示之部分,爲調整像素電 極之電位降低成分的部分。以記號I所示之部分係與像素 電極Ρ X —體地形成,介經經由閘極信號線G L與絕緣膜 G I相重疊,構成閘極與源極間電容C g s。 因此,在表示於第2 5圖之實施例,係介經將閘極與 源極間電容調整圖案I與閘極信號線G L之重疊部分的面 積,在接近輸入端子側之像素形成較小,而在距輸入端子 較遠側之像素形成較大,俾減少像素電極之電位降低成分 △ V之像素間的相差。 橫電場方式之液晶顯示裝置係具有視角特性較廣之特 徵。·因此,在顯示領域較大之液晶顯示裝置,介經採用橫 電場方式,即可解決因視角特性狹窄而無法看到畫面之一 部的以往問題。 因此,介經在橫電場方式之液晶顯示裝置適用本發明 ,由於可減少依閘極信號線GL變長所產生的驅動波形之 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) /\4祕(210X297公兼1 - -46 - 495635 A 7 ____ B7 _ 五、發明説明(44 ) 失真的影響’因此可實現具有最大級之顯示領域的液晶顯 不裝置。 在橫電場方式之液晶顯示裝置,調整像素電極之電位 降低成分AV的方法,係也並不被限定於調整閘極與源極 間電容Cg s的方法,也可以調整保持電容Ca dd,液 晶電容Cp i X,源極與汲極間電容Cd s i或像素電極 汲極信號線間電容C g s 2者。 實施形態3 以下,將調整閘極與源極間電容C g s的其他實施例 表示於第27 (a)圖及第27 (b)圖。 第27(a)圖及第27(b)圖係表示將表示於第 3圖之像素之平面圖的薄膜電晶體T F T近旁之部分的圖 式。第27(a)圖及第27(b)圖未記載部分之構成 係與表示於第3圖之像素構成相同。 第2 7 ( a )圖係表示輸入端子側之像素的薄膜電晶 體TFT之構成,而第27(b)圖係表示距輸入端子較 遠側的薄膜電晶體T F T之構成。 在本實施例,係將薄膜電晶體T F T之通道長度1之 方向與閘極信號線G L之延伸方向垂直地配、置。 在本實施例,係以設於半導體層A S的調整圖案I 1 ,及設於源極電極S P 1的調整圖案I 2之兩部分’來調 整閘極與源極間電容C g s,俾減少像素電極之電位降低 成分之像素間的相差。因此,在本實施例,由於在狹 本紙張尺度適用中國國家標卒((、NS ) Λ4規格(210X 297公嫠) - -47· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經漭部+决標枣局兵^-消费合作社印^. 495635 A7 B7 五、發明説明(45) 窄領域可設置調整圖案I 1及調整圖案I 2,因此可提高 像素之孔徑比。 又,如第2 7 (a)圖及第27 (b)圖所示,在本 實施例,由於將設於源極電極SD 1之調整圖案I 2,設 置於隔著規定薄膜電晶體T F T之通道長度丨及通道寬度 w之部分,因此,介經在源極電極S D 1設置調整圖案 I 2,也不會改變薄膜電晶體TFT的驅動能力。 實施形態4 第28(a)圖及第28(b)圖係表示調整閘極與 源極間電容C g s的其他實施例。 第28 (a)圖及第28 (b)圖也是表示將表示於 第3圖之像素的平面圖的薄膜電晶體T F T之近旁部分的 圖式。在第28 (a)圖及第28 (b)圖未記載部分之 構成係與表示於第3圖之像素構成相同。 第2 8 ( a )圖係表示輸入端子側之像素的薄膜電晶 體TFT之構成,而第28(b)圖係表示距輸入端子較 遠側的薄膜電晶體T F T之構成。 在本實施例,係從閘極信號線G L分岐地設置薄膜電 晶體T F T之閘極電極G T。 、 在本實施例,係在薄膜電晶體T F T之閘極電極G T 與源極S D 1重疊部分,設置缺口圖案I 3來調整閘極與 源極間電容C g s,俾減少像素電極之電位降低成分△ V 的像素間的相差。因此,在本實施例;係與在遮光性金屬 本纸張尺度適用中國國家標· ( CNS ) ( 210X 297^1 ) 一 - -48- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) d 訂 495635 A7 ____ B7 五、發明説明(46 ) 膜所構成之閘極電極G T設置突起之情形不相同,不會犠 牲孔徑比。 介經設於表示於第28 (a_)圖及第28 (b)圖之 閘極電極GT的缺口圖案1 3,爲了減小依掃描信號之波 形失真所產生的像素電極之電位降低成分ΔΥ之相差,愈 增加愈接近於輸入端子的像素之缺口圖案2 3之缺口量即 可以。 在表示於第28 (a)圖及第28 (b)圖之本實施 例,也由於將設於閘極電極GT之調整圖案I 3,隔著薄 膜電晶體T F T之通道長度1及通道寬度w之部分設置, 因此介經在閘極電極GT設置調整圖案I 3,也不會改變 薄膜電晶體T F T之驅動能力。 實施形態5 以下,說明在增大像素孔徑比之液晶顯示裝置,施加 減小依掃描信號之波形失真的像素電極之電位降低成分 △V的相差之對策的實施例。 經浇部中决標準>^β,τ消费合作社印到木 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (像素領域之構成) 第2 9 ( a )圖係表示對應於本實施例之第2圖之虛
V 線框A之像素領域之具體性構成的平面圖。 將第2 9 ( a )圖之IV - IV線的剖面圖表示於第30 圖,並將V — V線的剖面圖表示於第3 1圖,又將VI — VI 線的剖面圖表示於第3 2圖。 本紙張尺度適用中國國家標坪((、NS ) Λ4規格(210X297公釐) -49- ΜΜ部中次標準’局β:Γ·消費合作社印到水 495635 A7 B7 五、發明説明(47 ) 液晶顯示屏係如第3 0圖所示,以液晶L C爲基準, 在第1透明基板SUB 1側形成有薄膜電晶體TFT及像 素電極I TO 1,在第2透明基板SUB 2側形成有濾色 片FIL,黑矩陣圖案(第1遮光膜)BMI。 在第3 0圖中,POL 1係設於第1基板的第1偏光 板,而POL 2係設於第2基板的第2偏光板。 首先,在玻璃等所構成之第1透明基板S U B 1之液 晶側的面,形成有向其X方向延伸並排設於y方向的閘極 信號線G L。 該閘極信號線G L,係由鉻,鉬,鉻與鉬之合金,鋁 ,鉅或鈦等所形成的導電膜g 1所構成。又,爲了降低閘 極信號線G L之配線電阻,使用上述之導電膜的疊層膜來 構成閘極信號線G L也可以。又,在閘極信號線G L使用 鋁時,爲了避免金屬鬚之突起,使用添加少量鉬,鈦或鈮 等金屬之合金也可以。 在由該閘極信號線G L與下述之汲極信號線D L所圍 繞之像素領域的大部分,形成有透明導電膜(例I TO) 所構成的像素電極I TO 1。 像素領域之圖式下方的閘極信號線G L上之一部分係 成爲薄膜電晶體T F T之形成領域。薄膜電晶體T F T ’ \ 係例如依S i N所構成之閘極絕緣膜G I,i型非晶質 S i所構成之半導體層AS,包括不純物之非晶質S i所 構成的半導體層d〇,汲極電極SD2及源極電極SD1 順序疊層所形成. 本紙張尺度適州中國國家標率(CNS ) />4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -50- 495635 A7 B7 五、發明説明(48 ) 汲極電極s D 2及源極電極S D 1係成爲與汲極信號 線D L同時地形成。 汲極信號線D L係如第3 1圖所示’形成在絕緣膜 G 1,半導體層A S及包括雜質之非晶質S i所構成的半 導體層dO上,藉由鉻,鉬,鉻與鉬之合金,鋁,鉬或鈥 等導電膜之單層或疊層體所形成。在汲極信號線D L之形 成領域,形成半導體層A S及包括雜質的半導體層d 0 ’ B例如防止汲極信號線D L依半導體層A S及包括雜質之 半導體層d 0之段落差所產生的斷線。 薄膜電晶體T F T之汲極電極S D 2係與汲極信號線 DL —體地形成,而源極電極SD 1係與汲極電極SD 2 僅隔著所定之通道長度1之分量所形成。 在源極電極S D1及汲極電極S D 2上設有絕緣膜所 構成的保護膜PSV1。保護膜PSV1係成爲可避免液 晶對於薄膜電晶體T F T之直接接觸的特性劣化。保護膜 P S V 1係由如氮化矽膜或聚醯亞胺等之有機樹脂膜之耐 濕性優異之膜所構成。 經消部中次椋準/¾¾ Η消资合作社印4'.'冬 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在保護膜PSV1上形成有像素電極IT01。 在源極電極SD1上之保護膜PSV1,設有用以電 氣式地連接源極電極SD 1與像素電極I TO 1的貫穿孔 C 〇 N T。 保持電容元件c a d d係如第3 2圖所示,將閘極信 號線(驅動薄膜電晶體T F T之閘極信號線與鄰接之其他 閘極信號線)GL作爲其中一方之電極,並將與像素電極 本紙張尺度中國_家標,(CNS ) 21 OX 297/^ t ) - -51 495635 A7 B7 五、發明説明(49 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I 丁0 1同時地形成的導電層作爲另一方之電極,又將介 裝於此等之中間的絕緣膜G I ,保護膜P SV 1作爲介質 膜所構成。 _ 絕緣膜GI ,保護膜PSV1係與薄膜電晶體TFT 者之形成同時形成,又,另一方之電極的導電層係與上述 像素電極I T 0同時地形成。 在像素電極I T〇之所有表面形成有用以規制液晶之 配向的配向膜OR I 1。 在本實施例,由於在像素電極I TO 1與閘極信號線 G L及汲極信號線D L之間存有絕緣膜的保護膜P S V 1 ,因此,即使像素電極I TO 1與閘極信號線G L或像素 電極I TO 1及汲極信號線D L平面地重疊也不會短路。 因此,在本實施例中,可將像素電極I TO 1形成較大, 因可增大配置像素之孔徑,增加液晶電容C p i X,而可 減小保持電容C a d d等之特徵。 在由玻璃等所構成的第2透明基板SUB 2之內側( 液晶L C側)之表面,依順序疊層設有第1遮光膜Β Μ 1 ,濾色片F I L,共通透明電極COM及上部配向膜 0 R I 2。 第1遮光膜BM1係在鉻,鋁等之遮光性金屬膜,丙 \ 烯酸等樹脂膜,添加染料,顏料或碳等的遮光性之有機膜 所構成。 共通透明電極C 0M係I TO等之透明導電膜所構成 本紙張尺度適州中國國家標嘩((,NS ) Λ4規格(210X297公釐) • - 52 - 495635 A7 B7 五、發明説明(5〇) 濾色片F I L係在丙烯酸等之有機樹脂膜所構成之基 材,添加染料或顏料者所構成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,爲了防止濾色片F I L之染料或顏料污染液晶 L C,在濾色片F I L與共通透明電極COM之間,設置 丙烯酸等之有機樹脂膜所構成之濾色保護膜也可以。 (第2遮光膜BM2) 在本實施例中,如第29 (a)圖及第31圖所示, 在形成有汲極信號線D L之第1透明基板S UB 1上,設 有遮光性之金屬膜所構成的第2遮光膜BM2。第2遮光 膜BM 2係與構成閘極信號線G L之導電膜g l相同材料 ,與閘極信號線G L同層地形成。 該第2遮光膜BM2係平面構造上如第2 9 ( a )圖 所示地沿著汲極信號線D L而與像素電極I TO 1重疊, 而且形成與汲極信號線D L不重疊之狀態。一方面,在剖 面構造上,如第3 1圖所示,第2遮光膜SUB 2係藉由 汲極信號線D L與閘極絕緣膜G I被絕緣分離。所以,第 2遮光膜BM2與汲極信號線D L成爲短路之可能性較小 。又,像素電極IT01與第2遮光膜BM2係以閘極絕 緣膜G1及保護PSV1被絕緣分離。 v 第2遮光膜BM2係提高一像素對於像素的像素電極 之透過部的面積,亦即具有提高孔徑比並提高顯示屏之亮 度的功能。在表示於第2 8圖之顯示屏,背面光B L係設 定在第1透明基板SUB 1之其中一方之一邊。背面光 本紙張尺度速州中國國家標率(CNS ) ^4規格(210X297公釐) -53- 495635 A7 B7 五、發明説明(51) B L係設在第2透明基板S U B 2側也可以,惟在以下, 爲了方便上,從第1透明基板S U B 1側被照射,而從第 2透明基板S U B 2觀察時之情形表示於例子。照射光係 透過第1透明基板SUB 1,而從未形成有第1透明基板 SUB 1上的遮光性的膜(閘極信號線GL,汲極信號線 DL及第2遮光膜BM2之部分而進入液晶LC。該光係 以施加於形成在第2透明基板S U B 2的共通電極C〇M 與形成在第1透明基板.SUB 1的像素電極I TO 1間的 電壓被控制。 經滅部中央標皁局β工消资合作社印欠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 顯示屏在像素電極I TO 1施加電壓時,則在降低光 之透過率的正常白模態,如本實施例地未形成第2遮光膜 BM2時,必須以設於第2透明基板SUB 2之第1遮光 膜BM1廣泛地覆蓋像素電極I TO 1之周圍,否則從汲 極信號線DL或閘極信號線GL及像素電極I TO 1之間 隙有無法以電壓控制之光會洩漏,而降低顯示之反襯。又 ,第2透明基板SUB 2與第1透明基板SUB 1係隔著 液晶張貼,而必須增大對準界限,與在第1透明基板 SUB 1設置第2遮光膜BM2之本實施例相比較,孔徑 比變小。 又,在本實施例中,在第2遮光膜SU;B2 ,使用與 閘極信號線GL相同之遮光性之金屬膜g 1,惟若可遮斷 光者,也可以使用在丙烯酸等脂肪膜含有染料,顏料或碳 等而形成遮光膜的絕緣性之遮光膜。 本紙張尺度適用中國國家標缚(CNS )/>4規格(210Χ 297公釐) -54- 495635 A7 B7 五、發明説明(52) (將像素電極之電位降低成分AV成爲均勻的方法) 第2 9 ( a )圖係表示輸入端子側之像素的平面構造 ,而第2 9 ( b )圖係表示從輸入端子較遠側(例如終端 側)之像素的平面構造的一部分。 本實施例也將薄膜電晶體T F T之通道長度1之方向 與閘極信號線G L之延伸方向垂直地配置。 在本實施例中,在像素電極I TO 1設置與選擇像素 電極I TO 1之閘極信號線G L重疊部分,來調整閘極與 源極間電容C g s,俾減少像素電極之電位降低成分△ V 的像素間之相差。 在設於表示在第2 9 (a)圖之像素電極I TO 1的 調整圖案1 4,爲了減小依掃描信號之波形失真所發生的 像素電極之電位降低成分Δν之相差,愈距輸入端子愈遠 之像素,將調整圖案1 4與閘極信號線GL之重疊面積, 比愈接近於輸入端側之像素僅多所定量d即可以。 經$部中决標绛局β-χ消贽合作社印來 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本實施例中,爲了每一像素地調整閘極與源極間電 容C g s,由於將像素電極I TO 1延伸設至與選擇該像 素電極I TO 1之閘極信號線GL重疊之部分,故遮光性 之金屬所構成的閘極信號線G L具有與覆蓋像素電極之線 的第1遮光膜BM1相同之功能。因此,可將覆蓋像素電 極I TO 1與閘極信號線GL之重疊部分1的第1遮光膜 BM 1,可向以箭號所示之閘極信號線G L之方向後退, 而可擴大像素之孔徑。 又,在本實施例中,設於像素電極I TO 1與鄰接之 本紙張尺度適用中國國家標枣(rNS )今4規格(210X297公釐) -55- 495635 A7 ____B7 五、發明説明(53) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 像素的閘極信號線G L之重疊部分的保持電容C a d d之 部分,因鄰接之像素的閘極信號線G L也由遮光性之金屬 所構成,因此,具有與第1遮光膜BM1相同之功能。故 可將第1遮光膜BM 1後退至閘極信號線G L露出之位置 ,而可提高像素之孔徑。 又,在本實施例中,在閘極與源極間電容C g s之介 質使用保護膜P SV 1與絕緣膜G I。由於在保護膜 P S V 1與絕緣膜G I之相同場所,存在梢孔之可能性極 少,因此,在調整閘極與源極間電容C g s之部分1 4, 也不會有像素電極I TO與閘極信號線G L短路之問題。 實施形態6 以下,將調整閘極與源極間電容C g s之其他實施例 表示於第33 (a)圖及第33 (b)圖。 經$部中央標準局β二消资合作社印到木 第33 (a)圖及第33 (b)圖係表示將表示於第 29 (a)圖之像素的平面圖之薄膜電晶體TFT之近旁 部分的圖式。未記載於第33 (a)圖及第33(b)圖 之部分的構成係與表示於第2 9 ( a )圖之像素的構成相 同。 第3 3 ( a )圖係表示輸入端子側之谭素之薄膜電晶 體TFT的構成,而第33 (b)圖係表示距輸入端子較 遠側之薄膜電晶體T F T的構成。 在本實施例中,薄膜電晶體TFT之通道長度1的方 向係垂直地配置於閘極信號線G L之延伸方向。 '本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X 297公釐) - -56- 495635 A7 B7 五、發明説明(54 ) 在本實施例中,以設於與源極電極S D 1重疊部分之 閘極信號線G L的調整圖案I 5 ’調整閘極與源極間電容 C g s,俾減小像素電極之電位降低成分△ V的像素間之 相差。 以設在表示於第33 (a)圖及第33 (b)圖之閘 極信號線GL的調整圖案I 5 ’爲了減小依掃描信號之波 形失真所發生的像素電極之電位降低成分AV的相差,愈 距輸入端子較遠之像素愈增加調整圖案I5與源極電極 SD1之重疊面積即可以。 實施形態7 第34(a)圖及第34(b)圖係表示調整閘極與 源極間電容C g s之其他實施例。 經演部中决標導局β-τ.消贽合作社印來 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第34(a)圖及第34(b)圖係表示將表示於第 2 9 ( a )圖之像素的平面圖之薄膜電晶體TFT之近旁 部分的圖式。未記載於第34(a)圖及第34(b)圖 之部分的構成係與表示於第2 9 ( a )圖之像素的構成相 同。 第3 4 ( a )圖係表示輸入端子側之像素之薄膜電晶 體TFT的構成,而第34(b)圖係表甲距輸入端子較 遠側之薄膜電晶體T F T的構成。 在本實施例中,薄膜電晶體TFT之通道長度1的方 向係垂直地配置於閘極信號線G L之延伸方向。 在本實施例中,在閘極信號線G L設置與像素電極 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS )今4規格(2ΙΟΧ297公釐) -57- 495635 A7 B7 五、發明説明(55) 1 T 0 1重疊的調整圖案I 6,調整閘極與源極間電容 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C g s,俾減小像素電極之電位降低成分△ V的像素間之 相差。 — 以設在表示於第34 (a)圖及第34 (b)圖之閘 極信號線GL的調整圖案I 5,爲了減小依掃描信號之波 形失真所發生的像素電極之電位降低成分AV的相差,愈 距輸入端子較遠之像素,比接近於輸入端子側之像素愈增 加調整圖案I 6與像素電極I TO 1之重疊面積。 實施形態8 第35 (a)圖及第35 (b)圖係表示調整閘極與 源極間電容C g s之其他實施例。 第35 (a)圖及第35 (b)圖係表示將表示於第 2 9 ( a )圖之像素的平面圖之倉膜電晶體TFT之近旁 部分的圖式。未記載於第35 (a)圖及第35 (b)圖 之部分的構成係與表示於第2 9 ( a )圖之像素的構成相 同。 第3 5 ( a )圖係表示輸入端子側之像素之薄膜電晶 體TFT的構成,而第35 (b)圖係表示距輸入端子較 遠側之薄膜電晶體T F T的構成。 在本實施例中,從閘極信號線G L分岐設置薄膜電晶 體TFT之閘極電極GT。 在本實施例中,在薄膜電晶體T F T之源極電極 S D 1與閘極電極GT重疊之兩部位部分,設置調整圖案 本紙張尺度適用中國國家標净(CNS ) A4規格(210X297公釐) •58- 495635 A7 __B7 五、發明説明(56 ) I 7及I 7 /,調整閘極與源極間電容C g s,俾減小像 素電極之電位降低成分Δν的像素間之相差。 介經設在表示於第35(a)圖及第35(b)圖的 源極電極SD 1的調圖案I 7及I 7 >,爲了減小依掃描 信號之波形失真所發生的像素電極之電位降低成分Δν的 相差,愈距輸入端子較遠之像素愈增加調整圖案I 7與 I 7 >之全部面積即可以。 又,在表示於第35 (a)圖及第35 (b)圖之本 實施例中,半導體層A S之寬度形成比源極電極S D 1之 寬度小,介經半導體層A S之寬度來規定薄膜電晶體 TFT之通道寬度。由於調整閘極與源極間電容Cg s之 圖案1 7及1 7 /係設在與半導體層AS未重疊部分,因 此,介經在源極電極SD1設置調整圖案17,17>, 而不會改變薄膜電晶體T F T之驅動能力。 經肩部中央標準扃負Η消費合作社印來 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,在表示於第35 (a)圖及第35 (b)圖之實 施例中,介經閘極電極GT來遮光半導體層A S,及爲了 防止薄膜電晶體T F T之誤動作,平面地僅存在閘極電極 GT之領域內設置半導體層A S。因此,介經閘極電極 GT完全地遮光半導體層AS時,在源極電極SD 1與閘 極電極GT之間具有半導體層A S沒有之部分,因而具有 閘極與源極間電容C g s變大之缺點。但是,在本實施例 中,由於調整閘極與源極間電容C g s,減小像素電極之 電位降低成分△ V的相差,因此可減'少介經像素電極G T 完全地遮光半導體層A S所發生的閘極與源極間電容 本紙張尺度通用中國國家標率((,NS )今4規格(210X297公釐) -59- 495635 A7 B7___ 五、發明説明(57) c g s變大的缺點。 實施形熊9 _ 第36 (a)圖及第36 (b)圖係表示調整保持電 容Cadd的其他實施例。 第36 (a)圖及第36 (b)圖係表示本實施例之 像素的平面構造的圖式。 第36 (a)圖及第36 (b)圖係形成與表示於第 2 9 ( a )圖之像素構造之液晶顯示裝置相同構造。因此 在本實施例未特別加以記載部分的構成係與表示於第2 9 (a)圖之像素的構成相同。 第36 (a)圖係表示輸入端子側之像素的構成’而 第3 6 ( b )圖係表示距輸入端子較遠側之像素的構成。 在本實施例中,變更像素電極I TO 1與鄰接之像素 的閘極信號線G L相重疊部分之面積,調節保持電容 C a d d,俾減小像素電極之電位降低成分△ V的像素間 的相差。 經潢部中决標唪局負工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 調整表示於第36 (a)圖及第36 (b)圖的保持 電容C a d d,爲了減小依掃描信號之波形失真所發生的 像素電極之電位降低成分的相差,愈距輸七端子較遠之像 素比愈接近於輸入端子之像素的閘極信號線G L與像素電 極I TO 1之重疊面積減少以d表示之所定量,俾減小保 持電容Cadd即可以。 本紙張尺度適用中國國家標+,Μ CNS M娜(210χ酬) 495635 A7 B7 五、發明説明(58) 實施形態1 ΰ_ 第37 (a)圖及第37 (b)圖係表示調整液晶電 容Cpix之其他實施例。 _ 第37 (a)圖及第37 (b)圖係表示本實施例之 像素之平面構造的圖式。 第37 (a)圖及第37 (b)圖也形成與表示於第 29 (a)圖之像素構造的液晶顯示裝置相同構造。因此 ,在本實施例未特別加以記載部之構成係與表示於第2 9 (a )圖之構成相同。 第3 7 ( a )圖係表示輸入端子側之像素的構成,而 第3 7 ( b )圖係表示距輸入端子較遠側之像素的構成。 在本實施例中,變更像素電極I TO 1之面積,並變 更與共通電極COM之面積,來調整液晶電容C p i X, 俾減少像素電極之電位降低成分△ V的像素間的相差。 經滅部中决標率局負η消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 變更表示於第37 (a)圖及第37 (b)圖 的像素電極I TO 1之面積,爲了減小依掃描信號之波形 失真所發生的像素電極之電位降低成分的相差,愈距 輸入端子較遠之像素比愈接近於輸入端之像素的像素電極 之面積僅減少以d表示之所定量,俾減小保持電容 C p i X即可以。 、 又,在本實施例中,如第37(a)圖及第37(b )圖所示,即使變更像素電極I TO 1之面積,第1遮光 膜BM 1之孔徑面積係在接近於輸入端子之像素與距輸入 端子較遠之像素相同,又,在本實施例中,變更以第1遮 本紙張尺度適用中國國家標率((、NS ) >4規格(210X297公釐) -61 - 495635 A7 B7 五、發明説明(59) 光膜BM1之部分的像素電極I TO 1之形狀’變更像素 電極之面積,由於調整液晶電容C P i X ’因此’在接近 於輸入端子之像素與距輸入端子較遠之像素沒有通過光之 孔徑上之差異,不會產生亮度差。 實施形態1 h 第38 (a)圖及第38(b)圖係表示以遮光性金 屬膜第2遮光膜BM2,並調整第2遮光膜BM2與像素 電極I TO 1之重疊面積的其他實施例。 第38 (a)圖及第38(b)圖係表示本實施例之 像素之平面構造的圖式。 第38 (a)圖及第38(b)圖係表示將表示於第 2 9 ( a )圖之像素的平面圖之薄膜電晶體TFT之近旁 部分的圖式。未記載於第38(a)圖及第38 (b)圖 之部分的構成係與表示於第2 9 ( a )圖之像素的構成相 同。 第3 8 ( a )圖係表示輸入端子側之像素之薄膜電晶 體TFT的構成,而第38(b)圖係表示距輸入端子較 遠側之薄膜電晶體T F T的構成。 在本實施例中,電氣式地連接第2遮为膜BM2與鄰 接之像素的閘極信號線GL,變更第2遮光膜BM2與像 素電極I TO 1之重疊面積,俾減少像素電極之電位降低 成分△ V的像素間的相差。 在本實施例中,由於第2遮光膜BM2係電氣式地連 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) $4規格(210Χ297公釐) 衊—丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -62- 495635 A7 B7 五、發明説明(6〇) 接鄰接之像素的閘極信號線GL,因此,第2遮光膜 BM2與像素電極I TO 1之重疊部分係實行與保持電容 Cadd相同之動作。 _ 變更表示於第38 (a)圖及第38 (b)圖的第2 遮光膜BM2與像素電極I TO 1之重疊面積’爲了減小 依掃描信號之波形失真所發生的像素電極之電位降低成分 △ V的相差,將接近於輸入端子側的第2遮光膜BM2與 像素電極I TO 1之重疊面積,比距輸入端子較遠側之像 素者僅增加以d表示之所定量,俾增大保持電容C a d d 即可以。 又,在本實施例中,由於不變更像素電極之面積,並 調整保持電容電極之面積,因此,即使變更保持電容 Cadd,液晶電容Cpix也不會變更。 Μ漭部中央標枣局β工消费合作社印繁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,變更第2遮光膜BM2與像素電極I TO 1之重 疊面積時,有像素之孔徑變更之問題,惟如第3 8 ( a ) 圖及第38 (b)圖所示,在以設於第2透明基板 SUB 2的第1遮光膜BM1所覆蓋之領域內介經變更第 2遮光膜BM2與像素電極I TO 1之重疊面積,即可解 決變更像素之孔徑的問題。 又,在本實施例中,表示將第2遮光皞BM2電氣式 地連接於閘極信號線G L之例子,惟在電氣式地浮起第2 遮光膜BM2之狀態下,即使變更與像素電極I TO 1重 疊之面積也可減小像素電極之電位降低成分AV的相差。 在將第2遮光膜ΒΜ2成爲電氣式地浮起之狀態時,變更 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) Λ4規格(210Χ297公釐) -63 - 495635 A7 B7 五、發明説明(61) 與像素電極I TO 1之重疊面積時,可變更源極與汲極間 電容C d s 1或像素電極與汲極信號線間電容C d s 2。 此時,愈接近於輸入端子側之像素愈增加第2遮光膜 BM2與像素電極I T0 1重疊之面積。 但是,愈增加源極與汲極間電容C d s 1及像素電極 汲極信號線間電容C d s 2,乃有像素間之串音之問題, 如第38 (a)圖與第38(b)圖所示,將第2遮光膜 BM2連接於閘極信號線G L者較理想。 (發明之效果) 由以上說明可明瞭,依照依本發明之液晶顯示裝置, 成爲可抑制抑制閃爍之發生。 (圖式之簡單說明) 第1圖係表示依本發明之液晶顯示裝置之一實施例的 要部平面圖。 M濟部中次標枣局負工消费合竹社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2圖係表示依本發明之液晶顯示裝置之一實施例的 等値電路圖。 第3圖係表示依本發明之液晶顯示裝置之像素領域之 一實施例的平面圖。 、 第4圖係表示第3圖之IV — IV線的剖面圖。 第5圖係表示第3圖之V—V線的剖面圖。 第6圖係表示第3圖之VI - VI線的剖面圖。 第7 ( a )圖至第7 (d)圖係表示依本發明之液晶 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) 規格(210X297公釐) -64· 495635 A7 B7__ 五、發明説明(62) 顯示裝置之其他實施例的說明圖。 第8圖係表示依本發明之液晶顯示裝置之其他實施例 的平面圖。 _ 第9 (a)圖及第9 (b)圖係表示依本發明之液晶 顯示裝置之其他實施例的平面圖。, 第10 (a)圖及第1〇 (b)圖係表示依本發明之 液晶顯示裝置之其他實施例的平面圖。 第11 (a)圖及第11 (b)圖係表示依本發明之 液晶顯示裝置之其他實施例的平面圖。 第1 2圖係表示依本發明之液晶顯示裝置之其他實施 例的等値電路圖。 > 第1 3圖係表示依本發明之液晶顯示裝置之像素領域 之其他實施例<的平面圖。 第1 4圖係表示第1 3圖之VI — VI線的剖面圖。 第1 5圖係表示T F T主動矩陣液晶顯示裝置之單位 像素之等値電路的圖式。 第1 6圖係表示T F T主動矩陣液晶顯示裝置的驅動 經濟部中央標卑局BJ-消费合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 波形圖。 V. 第1 7圖係表示液晶顯示屏之一線分量的等値電路。 第18 (a)圖係表示端子側之,第is (b)圖係 表示中央部之,第18(c)圖係表示終端側之像素之薄 膜電晶體T F T的驅動波形圖。 第1 9圖係表示薄膜電晶體基板SUB 1之製造方法 的工程圖。 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS )々4規格(210/297公釐1 '' 一 -65 - 495635 A7 B7 -—-----------_ 五、發明説明(μ ) 63 第2 0圖係表示薄膜電晶體基板SUB 1之製造方法 的工程圖。 第2 1圖係表示薄膜電晶體基板SUB 1之製造方法 的工程圖。 第2 2 ( a )圖係表示介經光刻法將圖案形成在薄膜 電晶體基板SUB 1之方法的圖式;第2 2 (b)圖係表 示光罩之圖案之例的圖式。 第2 3 ( a )圖係表示介經光刻法將圖案形成在薄膜 電晶體基板SUB1之其他方法的圖式;第23 (b)圖 係表示光罩之圖案之其他例的圖式。 第2 4圖係表示在閘極信號線之左右兩端設置掃描信 號線驅動電路1 0 4的其他實施例之液晶顯示裝置的等値 電路。 第2 5圖係表示適用本發明的橫電場方式之主動矩陣 液晶顯示裝置之單位像素的平面圖。 第2 6圖係表示第2 5圖之3 — 3切剖線之剖面的圖 式。 經濟部中决標莩局兵Η消资合作社印繁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 第27 (a)圖及第27 (b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 第28 (a)圖及第28 (b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 第29 (a)圖及第29(b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素部的平面圖。 第3 0圖係表示第2 9圖之IV — IV線的剖面圖。 本紙張尺度通用中國國家標率(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) -66 - 495635 中文說明書 民國87年9月修正 五、發明説明(64 ) 會}ήη\0: 第3 1圖係表示第2 9圖之V — V線的剖面i。 秦3 2圖係表示第2 9圖之VI — VI線的剖面圖。 第3 3 (a)圖及第33 (b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 第34 (a)圖及第34 (b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 第35 (a)圖及第35 (b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 第36 (a)圖及第36 ( 圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 第3 7 ( a )圖及第3 7 ( b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 :容 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3 8 ( a )圖及第3 8 ( b)圖係表示依本發明的 液晶顯示裝置之其他實施例之像素之主要部分的平面圖。 (記號之說明。 L:閘極信號線,DL:汲極信號線,IT01 :像 素電極,丁FT:薄膜電晶體,GI:閘極絕緣膜,AS :半導體層,SD1 ;源極電極,SD2 :汲極電極。