JP2001272697A

JP2001272697A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2001272697A
Application number: JP2000087109A
Authority: JP
Inventors: Masuyuki Ota; 益幸太田; Masahiro Ishii; 正宏石井
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-03-23
Filing date: 2000-03-23
Publication date: 2001-10-05
Also published as: TWI292074B; KR100376016B1; US20010026331A1; US6707523B2; KR20010090547A

Abstract

(57)【要約】【課題】量産性が向上された広視野角、高画質で、信頼
性の高い液晶表示装置を得る。【解決手段】広視野角を有するＩＰＳ方式の液晶表示
装置は、通電して表示を続けていると、黒いスポット状
のむら（核しみ）が発生する。また、ＩＰＳ方式では、
比抵抗の低い液晶を用いるため、液晶中の不純物が、表
示中に流動し、不定形の黒いむらになったり、表示パタ
ーンの端の部分に溜り、残像（焼き付き）が発生する。
これを防止するために、一対の基板に挟持された液晶層
と、基板の一方の側にマトリクス状に複数の画素が形成
された液晶表示装置において、複数の画素が形成される
側の基板には映像を表示するための第1の電極群及び配
線群が形成され、液晶層と第1の電極群及び配線群の間
には保護膜が形成され、前記保護膜と前記基板の他方の
基板の間に陰極と陽極の一方又は双方からなる第２の電
極又は配線が前記複数の画素内に少なくとも１つ形成さ
れてなることを特徴とする液晶表示装置。【効果】核しみおよび黒むらが解消される。また、残像
（焼き付き）が軽減される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特にアクティブマトリクス型液晶表示装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に代表され
るアクティブ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶
表示装置は薄い、軽量という特徴とブラウン管に匹敵す
る高画質という点から、ＯＡ機器等の表示端末として広
く普及し始めている。

【０００３】この液晶表示装置の表示方式には、大別し
て、次の２通りがある。１つは、透明電極が構成された
２つの基板により液晶を挾み込み、透明電極に印加され
た電圧で動作させ、液晶に入射した光を変調して表示す
る方式であり、現在、普及している製品がほとんどがこ
の方式を採用している。また、もう１つは、同一基板上
に構成した２つの電極の間の基板面にほぼ平行な電界に
より液晶を動作させ、液晶に入射した光を変調して表示
する方式であり、視野角が著しく広いという特徴を持
ち、主に液晶モニタ製品の一部に採用されている。

【０００４】後者の方式の特徴に関しては、たとえば、
特許出願公表平５−５０５２４７あるいは特公昭６３−
２１９０７、特開平６−１６０８７８、特開平９−１５
６５０、特開平７−２２５３８８、特開平７−３０６４
１７、米国特許５，７５４，２６６、米国特許２，７０
１，６９８、米国特許５，９１０，２７１等の文献に記
載されている。

【０００５】さらに、前者の方式の中で保護膜上に電極
を設けるものとして、特開平５−１６５０５９、特開平
５−３２３３７３、米国特許５，３３４，８５９があ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成からなる後者の液晶表示装置は、通電して表示を続け
ていると、所々に、黒いスポット状のむら（以下、核し
みと称する）が発生することが確認されている。また、
この核しみは、特に、特開平７−２２５３８８、特開平
７−３０６４１７に記載されているような、シアノ基を
有する液晶を用いたものに発生し易いことが、確認され
ている。

【０００７】また、別の課題として、後者の方式では、
特開平７−３０６４１７に記載されているように、比抵
抗の低い液晶を用いることが可能だが、このような液晶
は、不純物を取り込み易い傾向にあるため、液晶中の不
純物が、表示中に流動し、不定形の黒いむらになった
り、表示パターンの端の部分に溜り、残像（焼き付き）
として観測されるという問題があることが明らかになっ
た。

【０００８】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、横電界液晶表示装置（IP
S；In-Plane Switching mode)の量産に特有な弊害であ
る不定形の黒いむら（核しみ）等を防止し、高視野角、
高画質かつ高信頼性を有する液晶表示装置を提供するこ
とにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的な発明の概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。すなわち、一対の基板の一方に形
成されたパッシベーション膜の下には映像を表示するた
めの走査信号線、映像信号線、画素電極、対向電極が形
成され、該パッシベーション膜の上には、陽極又は陰極
の一方又は双方からなる電極又は配線を形成し、前記映
像を表示するための電極又は配線と、前記陽極又は陰極
の一方又は双方からなる電極又は配線を、スルーホール
を介して接続した構成を有する横電界方式の液晶表示装
置である。

【００１０】これにより、各電極および配線上に保護膜
欠陥が存在した場合に発生する、スポット状の黒いむら
（核しみ）を抑制することができる。なお、本発明にお
いて、陰極側の電極又は配線とは走査信号線を意味す
る。さらに、走査信号線に対して電位の高い電極又は配
線を陽極側の電極又は配線とし、陽極側の電極又は配線
とは映像信号線、画素電極、対向電極などの映像を表示
するために必要な電極又は配線を意味する。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の概要を以下に示す。な
お、以下の実施例の組み合わせは、全て本発明の範疇で
ある。

【００１２】（実施例１）《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》以下、アクテ
ィブ・マトリクス方式のカラー液晶表示装置に本発明を
適用した実施例を説明する。なお、以下説明する図面
で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００１３】《マトリクス部（画素部）の平面構成》図
１は本発明のアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表
示装置の一つの画素、図２はその周辺の関係を示す平面
図である。

【００１４】図１、図２に示すように、各画素ＰＩＸＥ
Ｌは、隣接する２本の走査信号線（ゲート信号線または
水平信号線）ＧＬと、隣接する２本の映像信号線（ドレ
イン信号線または垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４
本の信号線で囲まれた領域内）に配置されている。各画
素ＰＩＸＥＬは薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓ
ｔｇ、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、ＣＴ２および対向
電圧信号線ＣＬを含む。走査信号線ＧＬ、対向電圧信号
線ＣＬは図１、図２では左右方向に延在し、上下方向に
複数本配置されている。映像信号線ＤＬは上下方向に延
在し、左右方向に複数本配置されている。画素電極ＰＸ
は導電膜ｄ３で形成され、一体形成されたソース電極Ｓ
Ｄ１を介して薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に接続さ
れ、一方、対向電極ＣＴ、ＣＴ２は導電膜ｇ３で形成さ
れ，対向電圧信号線ＣＬと電気的に接続されている。ま
た、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ２は画
素電極ＰＸと同一の導電膜ｄ３で形成され、映像信号線
ＤＬと一体形成されている。尚、薄膜トランジスタＴＦ
Ｔのゲート電極は、走査信号線ＧＬの一部が兼用してい
る。更に、蓄積容量Ｃｓｔｇは、対向電極信号線ＣＬと
画素電極の一部ＰＸ２を重畳させることにより形成して
いる。

【００１５】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ、ＣＴ２は互
いに対向し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ、ＣＴ２と
の間の基板面にほぼ平行な電界または、基板面に平行な
成分を持つ電界により液晶ＬＣの光学的な状態を制御
し、表示を制御する。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ、Ｃ
Ｔ２は櫛歯状に構成され、それぞれ、図１、図２の上下
方向に長細い電極となっている。

【００１６】１画素内の対向電極ＣＴの本数Ｏ（櫛歯の
本数）は、画素電極ＰＸの本数（櫛歯の本数）ＰとＯ＝
Ｐ−１の関係を必ず持つように構成し（本実施例では、
Ｏ＝１、Ｐ＝２）、対向電極ＣＴ２の本数は必ず２本と
する。これは、対向電極ＣＴ、ＣＴ２と画素電極ＰＸを
交互に配置し、かつ、対向電極ＣＴ２を映像信号線ＤＬ
に必ず隣接させるためである。これにより、対向電極Ｃ
Ｔ、ＣＴ２と画素電極ＰＸの間の電界が、映像信号線Ｄ
Ｌから発生する電界から影響を受けないように、対向電
極ＣＴ２で映像信号線ＤＬからの電気力線をシールドす
ることができる。対向電極ＣＴ２は、対向電圧信号線Ｃ
Ｌにより常に外部から電位を供給されているため、電位
は安定している。そのため、映像信号線ＤＬに隣接して
も、電位の変動がほとんどない。また、これにより、画
素電極ＰＸの映像信号線ＤＬからの幾何学的な位置が遠
くなるので、画素電極ＰＸと映像信号線ＤＬの間の寄生
容量が大幅に減少し、画素電極電位Ｖｓの映像信号電圧
による変動も抑制できる。その結果、上下方向に発生す
るクロストーク（縦スミアと呼ばれる画質不良）を抑制
することができる。

【００１７】画素電極ＰＸの電極幅は、開口率を大きく
するために加工精度の許す限り細くする。また、対向電
極ＣＴの電極幅も、開口率を大きくするために加工精度
の許す限り細くする。本実施例では、画素電極ＰＸを５
μｍ、対向電極ＣＴを５μｍとした。尚、画素電極ＰＸ
と対向電極ＣＴの電極幅は、異ならしめても良く、４μ
ｍ、６μｍ、７μｍ、８μｍなど画素設計の都合に
よりそれぞれ異なる。

【００１８】また、映像信号線ＤＬの電極幅は、画素電
極ＰＸまたは対向電極ＣＴの電極幅と同一でも良いが、
断線を防止するために、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴに
比較して若干広くした方が好ましい。本実施例では、映
像信号線ＤＬの電極幅を８μｍとした。ここで、映像信
号線ＤＬの電極幅は、隣接する対向電極ＣＴ２の電極幅
の２倍未満になるように設定する。または、映像信号線
ＤＬの電極幅が歩留りの生産性から決まっている場合に
は、映像信号線ＤＬに隣接する対向電極ＣＴ２の電極幅
を映像信号線ＤＬの電極幅の１／２を超える値にする。
これは、映像信号線ＤＬから発生する電気力線をそれぞ
れ両脇の対向電極ＣＴ２で吸収するためであり、ある電
極幅から発生する電気力線を吸収するには、それと同一
幅以上の電極幅を持つ電極が必要である。

【００１９】したがって、映像信号線ＤＬの電極の半分
（４μmずつ）から発生する電気力線をそれぞれ両脇の
対向電極ＣＴ２が吸収すればよいため、映像信号線ＤＬ
に隣接する対向電極ＣＴの電極幅が１／２超とする。

【００２０】また、対向電極ＣＴ２と画素電極ＰＸの間
の領域の液晶分子を動作させるため、対向電極ＣＴ２は
画素電極ＰＸの電気力線も吸収し、電界を発生する必要
があるので、対向電極ＣＴ２の電極幅は画素電極ＰＸの
電極幅の１／２超が必要である。したがって、対向電極
ＣＴ２の電極幅は、これらの両方を満足するために、映
像信号線ＤＬの電極幅の１／２に画素電極ＰＸの電極幅
の１／２を加えた値以上必要である。本実施例では、対
向電極ＣＴ２の電極幅は、１０μｍとした。また、全体
として、画素電極ＰＸの幅の総和と映像信号線の幅を加
えた値が、対向電極ＣＴ、ＣＴ２の総和以下になるよう
にすることが好ましい。

【００２１】これにより、画素電極ＰＸと対向電極Ｃ
Ｔ、ＣＴ２の間の電界を有効かつ均一に印加できると共
に、映像信号の影響により、クロストークが発生する、
特に上下方向（縦方向のクロストーク）を防止すること
ができる。

【００２２】また、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、ＣＴ
２、映像信号線ＤＬの幅は、液晶層の厚み方向に対し
て、液晶層全体に十分な電界を印加するために、後述の
液晶層の厚みよりも大きくした方が好ましい。

【００２３】走査信号線ＧＬは末端側の画素（後述の走
査電極端子ＧＴＭの反対側）のゲート電極ＧＴに十分に
走査電圧が印加するだけの抵抗値を満足するように電極
幅を設定する。また、対向電圧信号線ＣＬも末端側の画
素（後述の共通バスラインＣＢ１およびＣＢ２から最も
遠い画素すなわちＣＢ１とＣＢ２の中間の画素）の対向
電極ＣＴに十分に対向電圧が印加できるだけの抵抗値を
満足するように電極幅を設定する。

【００２４】一方、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ、ＣＴ
２の間の電極間隔および画素電極ＰＸの本数と対向電極
ＣＴの本数は、画素ピッチ、液晶材料、特に液晶材料固
有の駆動電圧パラメータと映像信号駆動回路（信号側ド
ライバ）の耐圧によって決定される。これは、液晶材料
によって最大透過率を達成する電界強度が異なるため、
電極間隔を液晶材料に応じて設定し、用いる映像信号駆
動回路（信号側ドライバ）の耐圧で設定される信号電圧
の最大振幅の範囲で、最大透過率が得られるようにする
ためである。本実施例では、画素ピッチを９９μｍとし
たので、後述の液晶材料の誘電率異方性Δεとツイスト
弾性定数Ｋ_２２で決まる駆動電圧パラメータから、電極
間隔は１３．５μm、画素電極ＰＸの本数は４とした。

【００２５】尚、本実施例で示した具体的な数値は、一
例であり、上述の関係を満たす範囲では、任意に設定し
ても、本発明と同じ効果を得られることは明らかであ
る。

【００２６】本発明の要旨となり、最も重要な構成要素
は、図１に示される電極ＳＴである。この電極ＳＴによ
り、円状に黒く、くすんでくるしみ（核しみ）を低減さ
せることができる。本実施例では、電極ＳＴは、スルー
ホールＴＨを介して、画素電極の一部ＰＸ３に接続され
ている。詳細は以下に説明する。

【００２７】《電極ＳＴ》本発明の要旨である電極ＳＴ
は、円状に通電時間と共に黒く、くすんでくるスポット
状のしみ（核しみ）を低減させることができる。

【００２８】図６２は、従来例の一つの画素の平面図を
示したものである。図６２の画素には、保護膜ＰＳＶ上
には、電極はなく、各電極および各配線は、保護膜ＰＳ
Ｖで液晶とは、完全に絶縁されている。核しみは、液晶
中に直流電流が流れることによる電極反応で液晶の保持
率が低下し、発生するものである。その原理を以下に示
す。

【００２９】従来の画素で、液晶に電流が流れるために
は、電位の異なる電極が、２つとも保護膜ＰＳＶ上に露
出し、その間をリーク電流が流れることが考えられた。
しかしながら、核しみ部の顕微鏡観察からは、核しみ部
には絶縁膜の欠陥が、殆どは一つしか観測できない。こ
のことから、露出した電極から、他の電極の保護膜容量
への充電による電流によるメカニズムが推測された。こ
の場合は、保護膜欠陥が一つの場合でも、充電電流が流
れ、核しみが発生する。

【００３０】そこで、故意に保護膜ＰＳＶおよび絶縁膜
ＧＩに欠陥を生成した試作品を作製し、核しみの状態を
確認した。その結果、一つの電極上にしか欠陥を作って
いない領域でも核しみが発生しており、また、異なる電
位を持つ２つの電極のそれぞれに欠陥を生成した領域で
も、２つの核しみが観測され、それぞれの欠陥部で発生
していることが明らかになった。この事実からも、後者
の保護膜容量への充電電流による電極反応で核しみが発
生していることが裏付けられている。

【００３１】図６３、図６４にその詳細メカニズムを示
す。図６３に示すように、例えば、電位の高い陽極側の
電極上では、保護膜欠陥を引き起こした金属製の異物も
しくは電極自体が酸化され、陽イオンとなり、他の電極
の保護膜容量を、陽極側の電位に充電していく。この充
電電流は、周りの画素容量へも流れ、陽極側の電位に充
電された領域が拡大する。充電された領域は、陽イオン
の増加で、イオン濃度が高くなり、液晶の比抵抗が低下
し、液晶にかかる電圧の保持率が低下する。その結果、
電圧無印加で黒を得るノーマリブラックモードでは、保
護膜欠陥の周りの画素は、その周りよりも暗くなり、黒
いスポット状の輝度むらとして観測される。

【００３２】また、図６４に示すように、電位の低い陽
極側の電極上では、液晶分子が還元、分解され、陰イオ
ンとなり、他の電極の保護膜容量を、陰極側の電位に充
電していく。この充電電流は、周りの画素容量へも流
れ、陰極側の電位に充電された領域が拡大する。充電さ
れた領域は、陰イオンの増加で、イオン濃度が高くな
り、液晶の比抵抗が低下し、液晶にかかる電圧の保持率
が低下する。その結果、陽極の場合と同様に、保護膜欠
陥の周りの画素は、その周りよりも暗くなり、黒いスポ
ット状の輝度むらとして観測される。

【００３３】ここで図中のＸＹは液晶分子を表し、Ｘ、
Ｙ^-はその分解後の状態を表す。また、α⁺、β^-は、液
晶中の不純物イオンまたはドーパントが解離した状態を
表し、Ｚ⁺は、異物または電極が溶解しイオン化した状
態を表す。

【００３４】特に、基板面に平行な電界をかける方式
（Ｉｎ−ＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ方式）では、
比抵抗が低く、ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ方式の
ＴＦＴ−ＬＣＤでは使えないが、高速応答で、低電圧駆
動ができるシアノ基を有するシアノ系液晶を用いた方が
有利である。図６５に、シアノ系液晶の分子構造の一例
を示す。尚、図には、分子構造の一部のみ示してある。

【００３５】このような液晶分子は、陰極で例えば、図
６６のような還元反応をし、中性の母体部分と、シアノ
イオンに分解される。この様に、従来の画素では、保護
膜欠陥が一つでもあると、黒いスポット状のしみ（核し
み）が発生する。この核しみは、初期状態では、反応が
起きていないので、確認されないが、通電を続けている
と反応が進行し、確認できるレベルになり、表示不良を
引き起こす。

【００３６】そこで、本発明では、保護膜上に故意に電
位の与えられた電極または導電体を設置する。言い換え
れば、電位の与えられた電極または導電体を保護膜上ま
たは配向膜の下に形成する。これにより、保護膜容量
に、事前に充電させておくことにより、保護膜欠陥が発
生し、電極が露出しても、充電電流を流れにくくする。

【００３７】これにより、陰極または陽極での電極反応
（電気化学反応）が抑制され、金属イオンの溶解、液晶
分子の還元が抑制される。言い換えれば、電極反応は電
流が流れて初めて起こる現象であり、電流が流れなけれ
ば起こらないので核しみの発生は抑制される。その結
果、液晶分子にかかる電圧の保持率の低下を防ぐので、
核しみは軽減される。図６７に陽極側に電極ＳＴを設置
した場合、図６８に陰極側に設置した場合を示す。

【００３８】本実施例では、電極ＳＴは、金属膜（金属
原子を含む層）ｉ１で形成されており、スルーホールＴ
Ｈを介して、画素電極の一部ＰＸ３に接続されている。
更に、この電極ＳＴは、外部から必ず電位が供給されて
いることが必要であり、フローティング電極では効果が
ないので、図１、図６に示したように保護膜ＰＳＶにス
ルーホールＴＨを開けて、他の電極に接続させている。
本実施例では、画素電極ＰＸと一体形成された画素電極
の一部ＰＸ３に接続させた。

【００３９】また、画素電極の一部ＰＸ３はスルーホー
ルや電極ＳＴが製造上の加工ばらつきがあっても必ず、
コンタクトが取れるように、図１に示すような画素電極
ＰＸより大きい台座を、画素電極端のスルーホールＴＨ
に合わさる部分に、画素電極ＰＸと一体的に設けた。

【００４０】この様に、本実施例で、画素電極に電気的
に接続した電極ＳＴを保護膜ＰＡＳ上に形成した。これ
により、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴ、ＣＴ２と液
晶との間に結果的に形成される、保護膜ＰＳＶまたは保
護膜ＰＳＶ１および絶縁膜ＧＩを誘電体とした容量（保
護膜容量）に、電極ＳＴにより定常的に充電され、電極
ＳＴと直流的にほぼ同電位（交流の場合はその直流成分
が同電位）を持った電極が異物等で、液晶層に露出して
も、充電電流が流れることはない。したがって、露出し
た電極付近での電気化学反応（電極反応）は起こらな
い。すなわち、電極ＳＴを保護膜ＰＳＶ上に形成するこ
とにより、電極上の保護膜欠陥による他の電極の保護膜
容量への充電電流を抑制し、核しみの発生が抑えられ
る。

【００４１】特に本発明においては、陰極側の電極又は
配線としてゲート電極ＧＴ又は走査信号線ＧＬが定義さ
れる。さらに、ゲート電極ＧＴ又は走査信号線ＧＬに対
して電位の高い電極又は配線を陽極側の電極又は配線と
定義し、陽極側の電極又は配線としてはソース電極ＳＤ
１、ドレイン電極ＳＤ２、映像信号線ＤＬ、画素電極Ｐ
Ｘ、対向電極ＣＴ、ＣＴ２、対向電圧信号線ＣＬがあ
る。上述の如く、本実施例においては、陽極側の電極又
は配線の一例として電極ＳＴが画素電極ＰＸに電気的に
接続されているが、電極ＳＴには陰極と陽極の一方又は
双方からなる電極又は配線に接続されても良い。これら
の組み合せ及びその特有な効果については、他の実施例
として後述する。

【００４２】また、本実施例では電極ＳＴに金属膜（金
属原子を含む層）を用いているが、ＩＴＯ、ＩＺＯを用
いても良い。また、アルミニウム、アルミニウム合金等
の自己酸化膜を形成する金属を用いても良い。ＩＴＯ、
ＩＺＯ、アルミニウム、アルミニウム合金等の自己酸化
金属は酸化物であるため、電極ＳＴの形成後に、酸化反
応が他の金属膜に比較して生じにくいためである。特
に、電極ＳＴは保護膜ＰＳＶ上に設けるため、酸化反応
が生じると電子又は正孔が流出して、液晶材料中に金属
イオンが溶け出す恐れもあるため、上述した酸化膜を用
いることが好ましい。ただし、そのような恐れがない場
合は酸化物でない金属材料を用いても良い。

【００４３】なお、電極ＳＴは、上述した詳細メカニズ
ムに基づき複数の画素内に少なくとも１つあれば良い。
一方で、後述する実施例７及び８のように、１画素内に
複数の電極ＳＴを形成しても良い。さらに本実施例のよ
うに１画素内に１つの電極ＳＴを設けても良いことは言
うまでもない。

【００４４】《マトリクス部（画素部）の断面構成》図
３は図１のＡ−Ａ’切断線における断面を示す図、図４
は図１のＢ−Ｂ’切断線における薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの断面図、図５は図１のＣ−Ｃ’切断線における蓄積
容量Ｃｓｔｇの断面を示す図である。図３から図５に示
すように、液晶層ＬＣを基準にして下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓ
ｔｇおよび電極群が形成され、上部透明ガラス基板ＳＵ
Ｂ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮光用ブラックマト
リクスパターンＢＭが形成されている。

【００４５】また、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２
のそれぞれの内側（液晶ＬＣ側）の表面には、液晶の初
期配向を制御する配向膜ＯＲＩ、ＯＲＩ２が設けられて
おり、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞれの
外側の表面には、偏光軸が直交して配置された（クロス
ニコル配置）偏光板が設けられている。

【００４６】また、図６には、図１のＤ−Ｄ’切断線に
おける断面図を示す。電極ＳＴは、保護膜ＰＳＶの上に
必ず形成されなければ成らない。言い換えれば、配向膜
ＯＲＩ１の下に形成されている。更に言い換えれば、保
護膜ＰＳＶの上または配向膜ＯＲＩ１の下に導電膜が形
成されている。この導電膜は、体積抵抗率で、１０^１１
Ω・ｃｍ以下であれば良い。１０^４Ω・ｃｍ以下であれ
ば、尚さら良い。本実施例では、この電極ＳＴの導電膜
材料として、透明導電膜ｉ１（Indium-Tin-Oxide ＩＴ
Ｏ：ネサ膜）を用いた。この電極ＳＴの材料としては、
金属でも良いが、保護膜ＰＳＶ上に設ける材料は、液晶
材料の汚染を考えると、材料として安定なＩＴＯが好ま
しい。ＩＺＯ（Indium-Zn-Oxide）でも同様である。ま
た、金属を用いる場合もＣｒ等の標準電位が低く、電気
化学反応（電極反応）の起こり易い材料よりも、Ａｌ
（合金も含む）のような電極反応の起こりにくい材料の
方が好ましい。

【００４７】更に、この電極ＳＴは、外部から必ず電位
が供給されていることが必要であり、フローティングで
は効果がないので、図１、図６に示したように保護膜Ｐ
ＳＶにスルーホールＴＨを開けて、他の電極に接続して
いる。本実施例では、画素電極ＰＸと一体形成された画
素電極の一部ＰＸ３に接続させた。

【００４８】《ＴＦＴ基板》以下では、下側透明ガラス
基板ＳＵＢ１側（ＴＦＴ基板）の構成を更に詳しく説明
する。

【００４９】《薄膜トランジスタＴＦＴ》薄膜トランジ
スタＴＦＴは、走査信号線ＧＬの一部であるゲート電極
ＧＴに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間
のチャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、
チャネル抵抗は大きくなるように動作する。

【００５０】薄膜トランジスタＴＦＴは、図３に示すよ
うに、ゲート電極ＧＴ、絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性、intr
insic、導電型決定不純物がドープされていない）非晶
質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層ＡＳ、一対の
ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有す。なお、
ソース、ドレインは本来その間のバイアス極性によって
決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極性は
動作中反転するので、ソース、ドレインは動作中入れ替
わると理解されたい。しかし、以下の説明では、便宜上
一方をソース、他方をドレインと固定して表現する。

【００５１】《ゲート電極ＧＴ》ゲート電極ＧＴは走査
信号線ＧＬと連続して形成されており、走査信号線ＧＬ
の一部の領域がゲート電極ＧＴとなるように構成されて
いる。ゲート電極ＧＴは薄膜トランジスタＴＦＴの能動
領域を超える部分である。本例では、ゲート電極ＧＴ
は、単層の導電膜ｇ３で形成されている。導電膜ｇ３と
しては例えばスパッタで形成されたクロム−モリブデン
合金（Ｃｒ−Ｍｏ）膜が用いられるがそれに限ったもの
ではない。例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａ
ｌ、Ｃｕやそれらを主体とした合金でも良い。低抵抗化
を図るならば、Ａｌ、Ｃｕやそれらを主体とした合金を
用いるのが好ましい。また、２層以上の積層構造で積層
膜で形成しても良く、断面のテーパー加工等に役立つ場
合がある。すなわち、腐食電位の異なる積層構造を用い
ることにより、薄い上層は垂直形状又は逆テーパー形状
になるが、該上層より厚い下層は順テーパー形状に形成
されるため、配線全体としてほぼ順テーパー形状とな
り、該配線を覆う絶縁膜等のカバレジが補償される。な
お、薄い上層としてはＣｒ−Ｍｏ、Ｃｒ−Ｗ、Ｃｒ−
Ｔｉ、Ｃｒ−Ｔａ等を用い、厚い下層としてはＣｒを
用いる。これにより、電池反応の影響で上下層の界面が
最もエッチング速度が大きくなり、下層全体の側端面は
順テーパ形状に加工され、上層の側端面は基板の面と垂
直な形状あるいは若干逆テーパ形状に加工される。

【００５２】なお、Ａｌを用いる場合は、Ａｌから発生
するヒロックを抑制するために、Ｎｄとの合金にするの
が有効であり、また、陽極化成して陽極酸化膜を表面に
形成することも、他の電極との短絡不良を低減でき、有
効である。

【００５３】《走査信号線ＧＬ》走査信号線ＧＬは導電
膜ｇ３で構成されている。この走査信号線ＧＬの導電膜
ｇ３はゲート電極ＧＴの導電膜ｇ３と同一製造工程で形
成され、かつ一体に構成されている。この走査信号線Ｇ
Ｌにより、外部回路からゲート電圧Ｖgをゲート電極Ｇ
Ｔに供給する。さらに、映像信号線ＤＬと交差する部分
は映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくするため細く
し、また、短絡しても、レーザートリミングで切り離す
ことができるように二股にしても良い。

【００５４】《絶縁膜ＧＩ》絶縁膜ＧＩは、薄膜トラン
ジスタＴＦＴにおいて、ゲート電極ＧＴと共に半導体層
ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜として使用され
る。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走査信号線ＧＬ
の上層に形成されている。絶縁膜ＧＩとしては例えばプ
ラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜が選ばれ、２
０００〜５０００Åの厚さに（本実施例では、３５００
Å程度）形成される。また，絶縁膜ＧＩは走査信号線Ｇ
Ｌおよび対向電圧信号線ＣＬと映像信号線ＤＬの層間絶
縁膜としても働き，それらの電気的絶縁にも寄与してい
る。また、ゲート絶縁膜は、酸化シリコン膜でも良い。
さらにそれらの２層形成にすると、電極間の短絡防止に
効果がある。

【００５５】《ｉ型半導体層ＡＳ》ｉ型半導体層ＡＳ
は、非晶質シリコンで、１００〜３０００Åの厚さに
（本実施例では、１２００Å程度の膜厚）で形成され
る。層ｄ０はオーミックコンタクト用のリン（Ｐ）をド
ープしたｎ(＋)型非晶質シリコン半導体層であり、下側
にｉ型半導体層ＡＳが存在し、上側に導電層ｄ３が存在
するところのみに残されている。

【００５６】ｉ型半導体層ＡＳおよび層ｄ０は，走査信
号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬと映像信号線ＤＬと
の交差部（クロスオーバ部）の両者間にも設けられてい
る。この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差部における走
査信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬと映像信号線Ｄ
Ｌとの短絡を低減する。

【００５７】また、ｉ型半導体層ＡＳは非晶質シリコン
に限ったことではなく、ポリシリコンまたは、単結晶シ
リコンでも構わない。尚、非晶質シリコンを用いる場合
は、光電導による電圧保持不良を低減するために、可能
なかぎり薄膜化した方が好ましい。

【００５８】《ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ
２》ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれ
は、ｎ(＋)型半導体層ｄ０に接触する導電膜ｄ３から構
成されている。

【００５９】導電膜ｄ３はスパッタで形成したクロム−
モリブデン合金（Ｃｒ−Ｍｏ）膜を用い、５００〜３０
００Åの厚さに（本実施例では、２０００Å程度）で形
成される。Ｃｒ−Ｍｏ膜は低応力であるので，比較的膜
厚を厚く形成することができ配線の低抵抗化に寄与す
る。また，Ｃｒ−Ｍｏ膜はｎ(＋)型半導体層ｄ０との接
着性も良好である。導電膜ｄ３として、Ｃｒ−Ｍｏ膜の
他に高融点金属（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高
融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ
2、ＷＳｉ2）膜を用いてもよく，また，Ａｌ，Ｃｕやそ
れらを主体とした合金等との積層構造にしても良い。

【００６０】導電膜ｄ３をマスクパターンでパターニン
グした後、導電膜ｄ３をマスクとして、ｎ(＋)型半導体
層ｄ０が除去される。つまり、ｉ型半導体層ＡＳ上に残
っていたｎ(＋)型半導体層ｄ０は導電膜ｄ３以外の部分
がセルフアラインで除去される。このとき、ｎ(＋)型半
導体層ｄ０はその厚さ分は全て除去されるようエッチン
グされるので、ｉ型半導体層ＡＳも若干その表面部分が
エッチングされるが、その程度はエッチング時間で制御
すればよい。

【００６１】尚、本実施例では、上述の様なバックチャ
ネルエッチ（ＢＣＥ）方式を用いてチャネル形成を行っ
たが、ｉ型半導体層ＡＳ上にも窒化シリコン等の絶縁
膜を用いてチャネルを保護したチャネルプロテクション
（ＣＨＰ）方式を用いても良い。

【００６２】《映像信号線ＤＬ》映像信号線ＤＬはソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の導電膜ｄ３
で構成されている。また、映像信号線ＤＬはドレイン電
極ＳＤ２と一体に形成されている。他は、ソース電極Ｓ
Ｄ１、ドレイン電極ＳＤ２と同様である。低抵抗化のた
めには、Ａｌ，Ｃｕやそれらを主体とした合金等との
積層構造にした方が好ましい。

【００６３】《画素電極ＰＸ》画素電極ＰＸは、導電層
ｄ３形成され、ソース電極ＳＤ２と画素電極の一部ＰＸ
２、ＰＸ３と一体形成されている。この画素電極と後述
の対向電極の間に与えられる電圧により、液晶分子の動
作を制御し、表示を得る。

【００６４】《対向電極ＣＴ、ＣＴ２》対向電極ＣＴ、
ＣＴ２は導電層ｇ３で形成され、対向電圧信号線ＣＬと
一体形成されている。この対向電極と前述の画素電極の
間に与えられる電圧により、液晶分子の動作を制御し、
表示を得る。

【００６５】対向電極ＣＴには対向電圧Ｖcomが印加さ
れるように構成されている。本実施例では、対向電圧Ｖ
comは映像信号線ＤＬに印加される最小レベルの駆動電
圧Ｖｄminと最大レベルの駆動電圧Ｖｄmaxとの中間直流
電位から、薄膜トランジスタ素子ＴＦＴをオフ状態にす
るときに発生するフィードスルー電圧ΔＶs分だけ低い
電位に設定されるが、映像信号駆動回路で使用される集
積回路の電源電圧を約半分に低減したい場合は、交流電
圧を印加すれば良い。

【００６６】《対向電圧信号線ＣＬ》対向電圧信号線Ｃ
Ｌは導電膜ｇ３で構成されている。この対向電圧信号線
ＣＬの導電膜ｇ３はゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬお
よび対向電極ＣＴの導電膜ｇ３と同一製造工程で形成さ
れ、かつ対向電極ＣＴと電気的に接続できるように構成
されている。この対向電圧信号線ＣＬにより、外部回路
から対向電圧Ｖcomを対向電極ＣＴに供給する。また、
映像信号線ＤＬと交差する部分は映像信号線ＤＬとの短
絡の確率を小さくするため細くし、また、短絡しても、
レーザートリミングで切り離すことができるように二股
にしても良い。

【００６７】《蓄積容量Ｃｓｔｇ》導電膜ｄ３は、薄膜
トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２部分において、
対向電圧信号線ＣＬと重なるように形成されている。こ
の重ね合わせは、図５からも明らかなように、画素電極
ＰＸの一部ＰＸ３（ｄ３）を一方の電極とし、対向電圧
信号ＣＬを他方の電極とする蓄積容量（静電容量素子）
Ｃｓｔｇを構成する。この蓄積容量Ｃｓｔｇの誘電体膜
は、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として使用
される絶縁膜ＧＩで構成されている。

【００６８】図１に示すように平面的には蓄積容量Ｃｔ
ｇは対向電圧信号線ＣＬの一部分に形成されている。

【００６９】《保護膜ＰＳＶ１》薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ上には保護膜ＰＳＶ１が設けられている。保護膜ＰＳ
Ｖ１は主に薄膜トランジスタＴＦＴを湿気等から保護す
るために形成されており、透明性が高くしかも耐湿性の
良いものを使用する。保護膜ＰＳＶ１はたとえばプラズ
マＣＶＤ装置で形成した酸化シリコン膜や窒化シリコン
膜または、アクリル樹脂やポリイミド等で形成されてお
り、０.１〜３μｍ程度の膜厚で形成する。

【００７０】保護膜ＰＳＶ１は、外部接続端子ＤＴＭ，
ＧＴＭを露出するよう除去されている。保護膜ＰＳＶ１
と絶縁膜ＧＩの厚さ関係に関しては、前者は保護効果を
考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コンダクタン
スｇｍを薄くされる。また，本実施例では、保護膜ＰＳ
Ｖ１は絶縁膜ＧＩと同一ホトマスクでパターニングし，
一括で加工した。これにより、工程数が削減され、スル
ープット向上が図れる。また，画素部では，画素電極の
一部ＰＸ３と電極ＳＴとの電気的接続のために，スルー
ホールＴＨを設けている。スルーホールＴＨはｄ3でブ
ロッキングされるのでｄ3層までの孔があく。

【００７１】《カラーフィルタ基板》次に、図１、図２
に戻り、上側透明ガラス基板ＳＵＢ2側（カラーフィル
タ基板）の構成を詳しく説明する。

【００７２】《遮光膜ＢＭ》上部透明ガラス基板ＳＵＢ
２側には、不要な間隙部（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ
の間以外の隙間）からの透過光が表示面側に出射して、
コントラスト比等を低下させないように遮光膜ＢＭ（い
わゆるブラックマトリクス）を形成している。遮光膜Ｂ
Ｍは、外部光またはバックライト光がｉ型半導体層ＡＳ
に入射しないようにする役割も果たしている。すなわ
ち、薄膜トランジスタＴＦＴのｉ型半導体層ＡＳは上下
にある遮光膜ＢＭおよび大き目のゲート電極ＧＴによっ
てサンドイッチにされ、外部の自然光やバックライト光
が当たらなくなる。

【００７３】図１に示す線ＢＭｂは、遮光膜ＢＭの開口
部の境界を示す線であり、遮光膜ＢＭは、薄膜トランジ
スタ素子ＴＦＴ上部とその上下左右方向にマトリクス上
に延在した構成である。このパターンは、１例であり、
開口部の形状等はコントラストや他の光学特性を犠牲に
しない範囲で、任意に設定できる。櫛歯電極端部等の電
界方向が乱れる部分においては、その部分の表示は、画
素内の映像情報に１対１で対応し、かつ、黒の場合には
黒、白の場合には白になるため、表示の一部として利用
することが可能である。

【００７４】遮光膜ＢＭは光に対する遮蔽性を有し、か
つ、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電界に影響を与
えないように絶縁性の高い膜で形成されており、本実施
例では黒色の顔料をレジスト材に混入し、１.２μm程度
の厚さで形成している。

【００７５】遮光膜ＢＭは各行の画素に上下左右方向に
マトリクス状に形成され、この線で各行各列の有効表示
領域が仕切られている。従って、各行各列の画素の輪郭
が遮光膜ＢＭによってはっきりとする。つまり、遮光膜
ＢＭは.ブラックマトリクスとｉ型半導体層ＡＳに対す
る遮光との２つの機能をもつ。

【００７６】遮光膜ＢＭは周辺部にも額縁状に形成さ
れ、そのパターンは図１に示すマトリクス部のパターン
と連続して形成されている。周辺部の遮光膜ＢＭは、シ
ール部ＳＬの外側に延長され、パソコン等の実装機に起
因する反射光等の漏れ光がマトリクス部に入り込むのを
防ぐと共に，バックライト等の光が表示エリア外に漏れ
るのも防いでいる。他方、この遮光膜ＢＭは基板ＳＵＢ
２の縁よりも約０．３〜１．０ｍｍ程内側に留められ、
基板ＳＵＢ２の切断領域を避けて形成されている。

【００７７】《カラーフィルタＦＩＬ》カラーフィルタ
ＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは遮
光膜ＢＭのエッジ部分と重なるように形成されている。

【００７８】カラーフィルタＦＩＬは次のように形成す
ることができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の
表面にアクリル系樹脂等の赤、緑、青の顔料を混入した
基材を形成し、フォトリソグラフィ技術でパターニング
し、各色（赤、緑、青）のフィルタを順次形成する。色
純度をより高くするために、シアン等の他の色の顔料を
混ぜ合わせる場合もある。

【００７９】《オーバーコート膜ＯＣ》オーバーコート
膜ＯＣはカラーフィルタＦＩＬの染料の液晶ＬＣへの漏
洩の防止、および、カラーフィルタＦＩＬ、遮光膜ＢＭ
による段差の平坦化のために設けられている。オーバー
コート膜ＯＣはたとえばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等
の透明樹脂材料で形成されている。

【００８０】《液晶層および偏向板》次に、液晶層、配
向膜、偏光板等について説明する。

【００８１】《液晶層》液晶材料ＬＣとしては、誘電率
異方性Δεが正でその値が13.2、屈折率異方性Δnが0.0
75（589nm、20℃）のネマティック液晶を用いる。液晶
層の厚み（ギャップ）は、3.9μmとし、リタデーション
Δn・dは0.285とする。このリタデーションΔn・dの値
により、後述の配向膜と偏光板とを組み合わせ、液晶分
子がラビング方向から電界方向に４５°回転したとき最
大透過率を得ることができ、可視光の範囲ないで波長依
存性がほとんどない透過光を得ることができる。なお、
液晶層の厚み（ギャップ）は、ポリマビーズで制御して
いる。さらに、液晶材料ＬＣは、特に限定したものでは
なく、誘電率異方性Δεは負でもよい。また、誘電率異
方性Δεは、その値が大きいほうが、駆動電圧が低減で
きる。なお、屈折率異方性Δnは小さいほうが、液晶層
の厚み（ギャップ）を厚くでき、液晶の封入時間が短縮
され、かつギャップばらつきを少なくすることができ
る。特に、より色つきのない白表示を行うためにはリタ
デーションは０．２５〜０．３２の範囲が好ましい。

【００８２】《配向膜》配向膜ＯＲＩとしては、ポリイ
ミドを用いる。ラビング方向ＲＤＲは上下基板で互いに
平行にし、かつ印加電界方向ＥＤＲとのなす角度は７５
°とする。図２１にその関係を示す。

【００８３】なお、ラビング方向ＲＤＲと印加電界方向
ＥＤＲとのなす角度は、液晶材料の誘電率異方性Δεが
正であれば、４５℃以上９０℃未満、誘電率異方性Δε
が負であれば、０°を超え４５°以下でなければならな
い。

【００８４】《偏光板》偏光板ＰＯＬとしては、下側の
偏光板ＰＯＬ１の偏光透過軸ＭＡＸ１をラビング方向Ｒ
ＤＲと一致させ、上側の偏向板ＰＯＬ２の偏光透過軸Ｍ
ＡＸ２を、それに直交させる。図２１にその関係を示
す。これにより、本発明の画素に印加される電圧（画素
電極ＰＸと対向電極ＣＴ、ＣＴ２の間の電圧）を増加さ
せるに伴い、透過率が上昇するノーマリクローズ特性を
得ることができ、また、電圧無印加時には、良質な黒表
示ができる。

【００８５】《マトリクス周辺の構成》図７は上下のガ
ラス基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬの
マトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面を示す図である。

【００８６】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個
分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサイ
ズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化さ
れた大きさのガラス基板を加工してから各品種に合った
サイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経て
からガラスを切断する。図７は後者の例を示すもので、
上下基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の切断後を表しており、Ｌ
Ｎは両基板の切断前の縁を示す。いずれの場合も、完成
状態では外部接続端子群Ｔｇ、Ｔｄおよび端子ＣＴＭ
（添字略）が存在する（図７で左辺と上辺の）部分はそ
れらを露出するように上側基板ＳＵＢ２の大きさが下側
基板ＳＵＢ１よりも内側に制限されている。端子群Ｔ
ｇ，Ｔｄはそれぞれ後述する走査回路接続用端子ＧＴ
Ｍ、映像信号回路接続用端子ＤＴＭとそれらの引出配線
部を集積回路チップＣＨＩが搭載されたテープキャリア
パッケージＴＣＰ（図１８、図１９）の単位に複数本ま
とめて名付けたものである。

【００８７】各群のマトリクス部から外部接続端子部に
至るまでの引出配線は、両端に近づくにつれ傾斜してい
る。これは、パッケージＴＣＰの配列ピッチ及び各パッ
ケージＴＣＰにおける接続端子ピッチに表示パネルＰＮ
Ｌの端子ＤＴＭ，ＧＴＭを合わせるためである。また、
対向電極端子ＣＴＭは、対向電極ＣＴ１、ＣＴ２および
対向電圧信号線ＣＬに対向電圧を外部回路から与えるた
めの端子である。マトリクス部の対向電圧信号線ＣＬ
は、走査回路用端子ＧＴＭ側およびその反対側（図７で
は左右）に引き出し、各対向電圧信号線を共通バスライ
ンＣＢ１、ＣＢ２で一纏めにして、対向電極端子ＣＴＭ
に接続している。

【００８８】尚、本実施例では、対向電極端子ＣＴＭを
外部接続端子群Ｔｇ、Ｔｄと別に設けたが、その中の一
部に設けても良い。また、共通バスラインは２本設けた
が、１本でも構わない。但し、２本設けた方が、対向電
圧の波形歪みが無くなるので、好ましい。

【００８９】また、本実施例では、ＴＣＰを用いたが、
ガラス上に直接ドライバＩＣを実装する方式（ＣＯＧ、
ＦＣＡ等）を用いても良い。

【００９０】透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に
はその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣ
を.封止するようにシールパターンＳＬが形成される。
シール材は例えばエポキシ樹脂から成る。

【００９１】配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２の層は、シール
パターンＳＬの内側に形成される。偏光板ＰＯＬ１、Ｐ
ＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透
明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に構成されている。
液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配向膜ＯＲＩ
１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパターンＳＬで
仕切られた領域に封入されている。下部配向膜ＯＲＩ１
は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜ＰＳＶ１の上
部に形成される。

【００９２】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口
部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪをエポキ
シ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって
組み立てられる。

【００９３】尚、本実施例では、液晶封入口ＩＮＪを走
査回路用端子ＧＴＭの反対側に設けたが、映像信号回路
接続用端子ＤＴＭの反対側に設けても良い。また、１つ
ではなく２つ以上設けた方が、封入時間が短縮されるの
で、好ましい。

【００９４】《ゲート端子部》図８は表示マトリクスの
走査信号線ＧＬからその外部接続端子ＧＴＭまでの接続
構造を示す図であり、（ａ）は平面であり（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ切断線における断面を示している。な
お、同図は図７左方付近に対応し、斜め配線の部分は便
宜状一直線状で表した。図中Ｃｒ−Ｍｏ層ｇ３は、判り
易くするためハッチを施してある。

【００９５】ゲート端子ＧＴＭはＣｒ−Ｍｏ層ｇ３と、
更にその表面を保護し、かつ、ＴＣＰ（ＴａｐｅＣａ
ｒｒｉｅｒＰａｃｋｅｇｅ）との接続の信頼性を向上
させるための透明導電層ｉ１とで構成されている。この
透明導電層ｉ１は電極ＳＴと同一工程で形成された透明
導電膜ＩＴＯを用いている。

【００９６】平面図において、絶縁膜ＧＩおよび保護膜
ＰＳＶ１はその境界線よりも右側に形成されており、左
端に位置する端子部ＧＴＭはそれらから露出し外部回路
との電気的接触ができるようになっている。図８では、
ゲート線ＧＬとゲート端子の一つの対のみが示されてい
るが、実際はこのような対が上下に複数本並べられ端子
群Ｔｇ（図７）が構成され、ゲート端子の左端は、製造
過程では、基板の切断領域を越えて延長され配線ＳＨｇ
（図示せず）によって短絡される。製造過程における配
向膜ＯＲＩ１のラビング時等の静電破壊防止に役立つ。

【００９７】《ドレイン端子ＤＴＭ》図９は映像信号線
ＤＬからその外部接続端子ＤＴＭまでの接続を示す図で
あり、（ａ）はその平面を示し、（ｂ）は（ａ）のＢ−
Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は図７上方付
近に対応し、図面の向きは便宜上変えてあるが右端方向
が基板ＳＵＢ１の上端部に該当する。

【００９８】ＴＳＴｄは検査端子でありここには外部回
路は接続されないが、プローブ針等を接触できるよう配
線部より幅が広げられている。同様に、ドレイン端子Ｄ
ＴＭも外部回路との接続ができるよう配線部より幅が広
げられている。外部接続ドレイン端子ＤＴＭは上下方向
に配列され、ドレイン端子ＤＴＭは、図７に示すように
端子群Ｔｄ（添字省略）を構成し基板ＳＵＢ１の切断線
を越えて更に延長され、製造過程中は静電破壊防止のた
めその全てが互いに配線ＳＨｄ（図示せず）によって短
絡される。検査端子ＴＳＴｄは図９に示すように一本置
きの映像信号線ＤＬに形成される。

【００９９】ドレイン接続端子ＤＴＭは透明導電層ｉ１
で形成されており、保護膜ＰＳＶ１を除去した部分で映
像信号線ＤＬと接続されている。この透明導電膜ｉ１は
ゲート端子ＧＴＭの時と同様に電極ＳＴと同一工程で形
成された透明導電膜ＩＴＯを用いている。マトリクス部
からドレイン端子部ＤＴＭまでの引出配線は、映像信号
線ＤＬと同じレベルの層ｄ３が構成されている。

【０１００】《対向電極端子ＣＴＭ》図１０は対向電圧
信号線CＬからその外部接続端子ＣＴＭまでの接続を示
す図であり、（ａ）はその平面を示し、（ｂ）は（ａ）
のＢ−Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は図７
右上付近に対応する。

【０１０１】各対向電圧信号線ＣＬは共通バスラインＣ
Ｂ１で一纏めして対向電極端子ＣＴＭに引き出されてい
る。共通バスラインＣＢ１は導電層ｇ３の上に導電層３
を積層し，透明導電層ｉ１でそれらを電気的に接続した
構造となっている。これは、共通バスラインＣＢ１の抵
抗を低減し、対向電圧が外部回路から各対向電圧信号線
ＣＬに十分に供給されるようにするためである。本構造
では、特に新たに導電層を負荷することなく、共通バス
ラインの抵抗を下げられるのが特徴である。

【０１０２】対向電極端子ＣＴＭは、導電層ｇ３の上に
透明導電層ｉ１が積層された構造になっている。この透
明導電膜ｉ１は他の端子の時と同様に画素電極ＰＸと同
一工程で形成された透明導電膜ＩＴＯを用いている。透
明導電層ｉ１により、その表面を保護し、電食等を防ぐ
ために耐久性のよい透明導電層ｉ１で、導電層ｇ３を覆
っている。また透明導電層ｉ１と導電層ｇ３および導電
層ｄ３との接続は保護膜ＰＳＶ１および絶縁膜ＧＩにう
スルーホールを形成し導通を取っている。

【０１０３】一方，図１１は対向電圧信号線CＬのもう
一方の端からその外部接続端子ＣＴＭ２までの接続を示
す図であり、（ａ）はその平面を示し、（ｂ）は（ａ）
のＢ−Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は図７
左上付近に対応する。ここで，共通バスラインＣＢ２で
は各対向電圧信号線ＣＬのもう一方の端（ゲート端子Ｇ
ＴＭ側）をで一纏めして対向電極端子ＣＴＭ２に引き出
されている。共通バスラインＣＢ１と異なる点は，走査
信号線ＧＬとは絶縁されるように，導電層ｄ３と透明導
電層ｉ１で形成していることである。また，走査信号線
ＧＬとの絶縁は絶縁膜ＧＩで行っている。

【０１０４】《表示装置全体等価回路》表示マトリクス
部の等価回路とその周辺回路の結線図を図１２に示す。
同図は回路図ではあるが、実際の幾何学的配置に対応し
て描かれている。ＡＲは複数の画素を二次元状に配列し
たマトリクス・アレイである。図中、Ｘは映像信号線Ｄ
Ｌを意味し、添字Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青およ
び赤画素に対応して付加されている。Ｙは走査信号線Ｇ
Ｌを意味し、添字１，２，３，…，endは走査タイミン
グの順序に従って付加されている。

【０１０５】走査信号線Ｙ（添字省略）は垂直走査回路
Ｖに接続されており、映像信号線Ｘ（添字省略）は映像
信号駆動回路Ｈに接続されている。ＳＵＰは１つの電圧
源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るための
電源回路やホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ
（陰極線管）用の情報をＴＦＴ液晶表示装置用の情報に
交換する回路を含む回路である。

【０１０６】《駆動方法》図１３に本実施例の液晶表示
装置の駆動波形を示す。対向電圧Ｖｃは一定電圧とす
る。走査信号Ｖgは１走査期間ごとに、オンレベルをと
り，その他はオフレベルをとる。映像信号電圧は、液晶
層に印加したい電圧の２倍の振幅で正極と負極を１フレ
ーム毎に反転して１つの画素に伝えるように印加する。
ここで，映像信号電圧Ｖｄは１列毎に極性を反転し，２
行毎にも極性を反転する。これにより，極性が反転した
画素が上下左右にとなりあう構成となり，フリッカ，ク
ロストーク（スミア）を発生しにくくすることができ
る。また，対向電圧Ｖｃは映像信号電圧の極性反転のセ
ンター電圧から，一定量さげた電圧に設定する。これ
は，薄膜トランジスタ素子がオンからオフに変わるとき
に発生するフィードスルー電圧を補正するものであり，
液晶に直流成分の少ない交流電圧を印加するために行う
（液晶は直流が印加されると，残像，劣化等が激しくな
るため）。したがって、画素電極の直流成分の電位と対
向電極の電位はほぼ同電位になる。また，この他に，対
向電圧は交流化することで映像信号電圧の最大振幅を低
減でき、映像信号駆動回路（信号側ドライバ）に耐圧の
低いものを用いることも可能である。

【０１０７】《蓄積容量Ｃｓｔｇの働き》蓄積容量Ｃｓ
ｔｇは、画素に書き込まれた（薄膜トランジスタＴＦＴ
がオフした後の）映像情報を、長く蓄積するために設け
る。本発明で用いている電界を基板面と平行に印加する
方式では、電界を基板面に垂直に印加する方式と異な
り、画素電極と対向電極で構成される容量（いわゆる液
晶容量）がほとんど無いため、蓄積容量Ｃｓｔｇがない
と映像情報を画素に蓄積することができない。したがっ
て、電界を基板面と平行に印加する方式では、蓄積容量
Ｃｓｔｇは必須の構成要素である。

【０１０８】また、蓄積容量Ｃｓｔｇは、薄膜トランジ
スタＴＦＴがスイッチングするとき、画素電極電位Ｖs
に対するゲート電位変化ΔＶgの影響を低減するように
も働く。この様子を式で表すと、次のようになる。

【０１０９】ΔＶs＝{Ｃgs/(Ｃgs+Ｃstg+Ｃpix)}×ΔＶ
g

【０１１０】ここで、Ｃgsは薄膜トランジスタＴＦＴの
ゲート電極ＧＴとソース電極ＳＤ１との間に形成される
寄生容量、Ｃpixは画素電極ＰＸと対向電極ＣＴ，ＣＴ
２との間に形成される容量、ΔＶsはΔＶgによる画素電
極電位の変化分いわゆるフィードスルー電圧を表わす。
この変化分ΔＶsは液晶ＬＣに加わる直流成分の原因と
なるが、保持容量Ｃstgを大きくすればする程、その値
を小さくすることができる。液晶ＬＣに印加される直流
成分の低減は、液晶ＬＣの寿命を向上し、液晶表示画面
の切り替え時に前の画像が残るいわゆる焼き付きを低減
することができる。

【０１１１】前述したように、ゲート電極ＧＴはｉ型半
導体層ＡＳを完全に覆うよう大きくされている分、ソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２とのオーバラップ面
積が増え、従って寄生容量Ｃgsが大きくなり、画素電極
電位Ｖsはゲート（走査）信号Ｖgの影響を受け易くなる
という逆効果が生じる。しかし、蓄積容量Ｃstgを設け
ることによりこのデメリットも解消することができる。

【０１１２】《製造方法》つぎに、上述した液晶表示装
置の基板ＳＵＢ１側の製造方法について図１４〜図１６
を参照して説明する。なお同図において、中央の文字は
工程名の略称であり、左側は図３に示す薄膜トランジス
タＴＦＴ部分、右側は図８に示すゲート端子付近の断面
形状でみた加工の流れを示す。工程Ｂ、工程Ｄを除き工
程Ａ〜工程Ｉは各写真処理に対応して区分けしたもの
で、各工程のいずれの断面図も写真処理後の加工が終わ
りフォトレジストを除去した段階を示している。なお、
写真処理とは本説明ではフォトレジストの塗布からマス
クを使用した選択露光を経てそれを現像するまでの一連
の作業を示すものとし、繰返しの説明は避ける。以下区
分けした工程に従って、説明する。

【０１１３】工程Ａ、図１４ＡＮ６３５ガラス（商品名）からなる下部透明ガラス基
板ＳＵＢ１上に膜厚が２０００ÅのＣｒ−Ｍｏ等からな
る導電膜ｇ３をスパッタリングにより設ける。写真処理
後、硝酸第２セリウムアンモンで導電膜ｇ３を選択的に
エッチングする。それによって、ゲート電極ＧＴ、走査
信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬ、ゲート端子ＧＴＭ、
共通バスラインＣＢ１の第１導電層、対向電極端子ＣＴ
M１の第１導電層、ゲート端子ＧＴＭを接続するバスラ
インＳＨｇ（図示せず）を形成する。

【０１１４】工程Ｂ、図１４プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が３５００Åの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が１２００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けたの
ち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを
導入して、膜厚が３００ÅのＮ(＋)型非晶質Ｓｉ膜を設
ける。

【０１１５】工程Ｃ、図１４写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ6、ＣＣ
ｌ4を使用してＮ(＋)型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ
膜を選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層
ＡＳの島を形成する。

【０１１６】工程Ｄ、図１５膜厚が３００ÅのＣｒからなる導電膜ｄ３をスパッタリ
ングにより設ける。写真処理後、導電膜ｄ３を工程Ａと
同様な液でエッチングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極
ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２、共通バスラインＣＢ２の
第１導電層,およびドレイン端子ＤＴＭを短絡するバス
ラインＳＨｄ（図示せず）を形成する。つぎに、ドライ
エッチング装置にＣＣｌ4、ＳＦ6を導入して、Ｎ(＋)型
非晶質Ｓｉ膜をエッチングすることにより、ソースとド
レイン間のＮ(＋)型半導体層ｄ０を選択的に除去する。

【０１１７】工程Ｅ、図１５プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が０.４μｍの窒化Ｓｉ膜を設
ける。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ6
を使用して窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングすることに
よって、保護膜ＰＳＶ１および絶縁膜ＧＩをパターニン
グする。

【０１１８】工程Ｆ、図１６膜厚が１４００ÅのＩＴＯ膜からなる透明導電膜ｉ１を
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で透明導電膜ｉ１を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭの最
上層、ドレイン端子ＤＴＭおよび対向電極端子ＣＴＭ１
およびＣＴＭ２の第２導電層を形成する。

【０１１９】《表示パネルＰＮＬと駆動回路基板ＰＣＢ
１》図１７は、図７等に示した表示パネルＰＮＬに映像
信号駆動回路Ｈと垂直走査回路Ｖを接続した状態を示す
上面図である。

【０１２０】ＣＨＩは表示パネルＰＮＬを駆動させる駆
動ＩＣチップ（下側の５個は垂直走査回路側の駆動ＩＣ
チップ、左の１０個ずつは映像信号駆動回路側の駆動Ｉ
Ｃチップ）である。ＴＣＰは図１８、図１９で後述する
ように駆動用ＩＣチップＣＨＩがテープ・オートメイテ
ィド・ボンディング法（ＴＡＢ）により実装されたテー
プキャリアパッケージ、ＰＣＢ１は上記ＴＣＰやコンデ
ンサ等が実装された駆動回路基板で、映像信号駆動回路
用と走査信号駆動回路用の２つに分割されている。ＦＧ
Ｐはフレームグランドパッドであり、シールドケースＳ
ＨＤに切り込んで設けられたバネ状の破片が半田付けさ
れる。ＦＣは下側の駆動回路基板ＰＣＢ１と左側の駆動
回路基板ＰＣＢ１を電気的に接続するフラットケーブル
である。フラットケーブルＦＣとしては図に示すよう
に、複数のリード線（りん青銅の素材にＳｎ鍍金を施し
たもの）をストライプ状のポリエチレン層とポリビニル
アルコール層とでサンドイッチして支持したものを使用
する。

【０１２１】《ＴＣＰの接続構造》図１８は走査信号駆
動回路Ｖや映像信号駆動回路Ｈを構成する、集積回路チ
ップＣＨＩがフレキシブル配線基板に搭載されたテープ
キャリアパッケージＴＣＰの断面構造を示す図であり、
図１９はそれを液晶表示パネルの、本例では走査信号回
路用端子GＴＭに接続した状態を示す要部断面図であ
る。

【０１２２】同図において、ＴＴＢは集積回路ＣＨＩの
入力端子・配線部であり、ＴＴＭは集積回路ＣＨＩの出
力端子・配線部であり、例えばＣｕから成り、それぞれ
の内側の先端部（通称インナーリード）には集積回路Ｃ
ＨＩのボンディングパッドＰＡＤがいわゆるフェースダ
ウンボンディング法により接続される。端子ＴＴＢ，Ｔ
ＴＭの外側の先端部（通称アウターリード）はそれぞれ
半導体集積回路チップＣＨＩの入力及び出力に対応し、
半田付け等によりＣＲＴ／ＴＦＴ変換回路・電源回路Ｓ
ＵＰに、異方性導電膜ＡＣＦによって液晶表示パネルＰ
ＮＬに接続される。パッケージＴＣＰは、その先端部が
パネルＰＮＬ側の接続端子GＴＭを露出した保護膜ＰＳ
Ｖ１を覆うようにパネルに接続されており、従って、外
部接続端子GＴＭ（DＴＭ）は保護膜ＰＳＶ１かパッケー
ジＴＣＰの少なくとも一方で覆われるので電触に対して
強くなる。

【０１２３】ＢＦ１はポリイミド等からなるベースフィ
ルムであり、ＳＲＳは半田付けの際半田が余計なところ
へつかないようにマスクするためのソルダレジスト膜で
ある。シールパターンＳＬの外側の上下ガラス基板の隙
間は洗浄後エポキシ樹脂ＥＰＸ等により保護され、パッ
ケージＴＣＰと上側基板ＳＵＢ２の間には更にシリコー
ン樹脂ＳＩＬが充填され保護が多重化されている。

【０１２４】《駆動回路基板ＰＣＢ２》駆動回路基板Ｐ
ＣＢ２は、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品が搭載
されている。この駆動回路基板ＰＣＢ２には、１つの電
圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るため
の電源回路や、ホスト（上位演算処理装置）からのＣＲ
Ｔ（陰極線管）用の情報をＴＦＴ液晶表示装置用の情報
に変換する回路を含む回路ＳＵＰが搭載されている。Ｃ
Ｊは外部と接続される図示しないコネクタが接続される
コネクタ接続部である。駆動回路基板ＰＣＢ１と駆動回
路基板ＰＣＢ２とはフラットケーブルＦＣにより電気的
に接続されている。

【０１２５】《液晶表示モジュールの全体構成》図２０
は、液晶表示モジュールＭＤＬの各構成部品を示す分解
斜視図である。ＳＨＤは金属板から成る枠状のシールド
ケース（メタルフレーム）、ＬＣＷその表示窓、ＰＮＬ
は液晶表示パネル、ＳＰＢは光拡散板、ＬＣＢは導光
体、ＲＭは反射板、ＢＬはバックライト蛍光管、ＬＣＡ
はバックライトケースであり、図に示すような上下の配
置関係で各部材が積み重ねられてモジュールＭＤＬが組
み立てられる。

【０１２６】モジュールＭＤＬは、シールドケースＳＨ
Ｄに設けられた爪とフックによって全体が固定されるよ
うになっている。バックライトケースＬＣＡはバックラ
イト蛍光管ＢＬ、光拡散板ＳＰＢ、導光体ＬＣＢ、反射
板ＲＭを収納する形状になっており、導光体ＬＣＢの側
面に配置されたバックライト蛍光管ＢＬの光を、導光体
ＬＣＢ、反射板ＲＭ、光拡散板ＳＰＢにより表示面で一
様なバックライトにし、液晶表示パネルＰＮＬ側に出
射する。

【０１２７】バックライト蛍光管ＢＬにはインバータ回
路基板ＰＣＢ３が接続されており、バックライト蛍光管
ＢＬの電源となっている。尚、本実施例では、導光体を
用い、蛍光管をその側面に配置した、いわゆるサイド型
バックライトを用いたが、輝度を上げるために、蛍光管
を光拡散板の下に配置した、いわゆる直下型バックライ
トを用いても良い。以上、本実施例では、画素電極に電
気的に接続された電極ＳＴを新に設け、保護膜上に形成
する、言い換えれば、配向膜の直下に形成することによ
り、ＩＰＳ方式のＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、保護膜欠陥
が存在した場合に発生する、スポット状の黒いむら（核
しみ）を抑制することができる。特に、本実施例では、
電極ＳＴとほぼ同電位（交流の場合はその直流成分が同
電位）である、画素電極ＰＸ、ＰＸ２、ＰＸ３、ソース
電極ＳＤ１上の保護膜欠陥、対向電極ＣＴ、ＣＴ２、対
向電極信号線ＣＬ上の保護膜欠陥による核しみは、ほぼ
完全に解消される効果が有った。

【０１２８】更に、本実施例では、核しみを抑えると共
に、保護膜容量に新たな充電電流を発生させないことに
より、イオン性不純物の流動を抑え、不定形の黒いむら
の発生も抑制することができた。同様に、固定パターン
を長時間表示させた場合にパターンの端が黒くなる残像
（焼き付き）も同様の作用により、大幅に軽減すること
ができた。

【０１２９】（実施例２）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０１３０】図２２は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。また、図２３には、図２２のＤ−Ｄ’切断線
における断面図を示す。本実施例では、電極ＳＴは、ス
ルーホールＴＨを介して、対向電極の一部ＣＴ３に接続
されている。

【０１３１】対向電極は、画素電極とは異なり、スイッ
チング素子を介して電圧を与えられておらず、常に外部
から十分な電圧を印加されているため、核しみの各画素
の保護膜容量への充電が十分に早くなる。したがって、
点灯初期等、電極ＳＴからの充電が不十分な状態でのコ
ントラスト比低下、ちらつき発生などの表示不良状態の
時間が大幅に短縮された。

【０１３２】本実施例では、実施例１の効果に加え、点
灯初期の表示不良を抑制するとができた。

【０１３３】（実施例３）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０１３４】図２４は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。また、図２５には、図２４のＤ−Ｄ’切断線
における断面図を示す。

【０１３５】本実施例では、電極ＳＴは、スルーホール
ＴＨを介して、映像信号線の一部ＤＬ３に接続されてい
る。

【０１３６】映像信号線は、他の電極および配線と比較
し、直流成分的には最も高い電位を有する。したがっ
て、陽極側の酸化反応は、完全に抑えられ、酸化反応に
よる電極の溶解から発生する断線不良の発生が解消され
た。

【０１３７】以上、本実施例では、電極ＳＴとほぼ同電
位（交流の場合はその直流成分が同電位）であるため、
映像信号線ＤＬ上の保護膜欠陥による核しみは、ほぼ完
全に解消される効果が有ったのに加え、映像信号線の通
電後に発生する断線不良が完全に解消された。更に、本
実施例１と同様に、、イオン性不純物の流動を抑え、不
定形の黒いむらの発生も抑制することができた。同様
に、固定パターンを長時間表示させた場合にパターンの
端が黒くなる残像（焼き付き）も同様の作用により、大
幅に軽減することができた。

【０１３８】更に、映像信号線は、画素電極とは異な
り、スイッチング素子を介して電圧を与えられておら
ず、常に外部から十分な電圧を印加されているため、核
しみの各画素の保護膜容量への充電が十分に早くなる。
したがって、点灯初期等、電極ＳＴからの充電が不十分
な状態でのコントラスト比低下、ちらつき発生などの表
示不良状態の時間が大幅に短縮された。

【０１３９】また、本実施例では、シアノ系の液晶を用
いたが、フッ素系の液晶を用いれば、陰極における還元
反応が抑制されるため、陽極側の電位を電極ＳＴに加え
るだけで、陽極側の核しみが抑えられるだけでなく、陰
極側の核しみも抑えることができ、より好ましい。

【０１４０】（実施例４）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０１４１】図２６、図２７は本実施例の一つの画素お
よびその周辺の画素を示す平面図である。また、図２８
には、図２６のＤ−Ｄ’切断線における断面図を示す。
本実施例では、電極ＳＴは、スルーホールＴＨを介し
て、画素電極の一部ＰＸ３に接続されているが、本実施
例では、更に、電極ＳＴを一行前の走査信号線（ゲート
線）ＧＬ２上に重畳、もしくは、はみ出すように形成し
た。この様に形成することにより、蓄積容量Ｃｓｔｇに
加えて補助容量Ｃａｄｄが形成されることになる。

【０１４２】《補助容量Ｃａｄｄの働き》補助容量Ｃａ
ｄｄは、蓄積容量Ｃｓｔｇと同様に画素に書き込まれた
（薄膜トランジスタＴＦＴがオフした後の）映像情報
を、長く蓄積することに効果がある。特に、蓄積容量Ｃ
ｓｔｇを設けない時は、補助容量Ｃａｄｄは必須の構成
要素になる。

【０１４３】また、蓄積容量Ｃｓｔｇと同様に、補助容
量Ｃａｄｄは、薄膜トランジスタＴＦＴがスイッチング
するとき、画素電極電位Ｖsに対するゲート電位変化Δ
Ｖgの影響を低減するようにも働く。この様子を式で表
すと、次のようになる。

【０１４４】ΔＶs＝{Ｃgs/(Ｃgs+Ｃstg+Ｃadd+Ｃpix)}
×ΔＶg

【０１４５】この変化分ΔＶsは液晶ＬＣに加わる直流
成分の原因となるが、保持容量Ｃａｄｄを大きくすれば
する程、その値を小さくすることができる。液晶ＬＣに
印加される直流成分の低減は、液晶ＬＣの寿命を向上
し、液晶表示画面の切り替え時に前の画像が残るいわゆ
る焼き付きを低減することができる。

【０１４６】本実施例の電極ＳＴは、実施例１と同様
に、画素電極と同電位であるため、画素電極上の保護膜
欠陥や、対向電極、対向電極信号線上の保護膜欠陥によ
る核しみは、ほぼ完全に解消される効果が有るが、それ
に加えて、ゲート線ＧＬ上に異物があり、ゲート絶縁膜
ＧＩおよび保護膜ＰＳＶ１に欠陥があった場合にも、核
しみの発生を防ぐまたは軽減する効果がある。

【０１４７】これは、ゲート線上に保護膜欠陥があった
場合でも、欠陥の周りを電極ＳＴが取り囲む構造にな
り、欠陥部からの電気力線は、電極ＳＴに殆どが収束す
るため、周りの保護膜容量への充電電流は、あまり流れ
ない。また、欠陥部で液晶中のイオンがマイナスにチャ
ージアップするが、周りにある電極ＳＴにすぐに放電す
るため、マイナスイオンが、周りの画素に拡散しにくく
なる。したがって、核しみの大きさ、強度ともに大幅に
軽減することができた。

【０１４８】また、本施例では、画素電極と接続された
電極で走査配線を被覆したので、例え、異物により、画
素電極と走査信号線が短絡しても、点欠陥で収まるた
め、歩留低下を招かない。

【０１４９】以上、本実施例では、実施例１の効果に加
え、走査信号線（ゲート線）ＧＬ上の保護膜欠陥による
核しみも、大幅に軽減される効果が有った。また、走査
電極からの不要な電界を表示領域内に及ぼすことが無く
なり、フリッカ、残像等の走査信号線からの電界による
直流成分による表示不良が解消される効果も得られた。

【０１５０】（実施例５）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１、実施例２および実施例４と同一である。
図２９は本実施例の一つの画素を示す平面図である。

【０１５１】本実施例では、実施例２と同様に、電極Ｓ
Ｔは、スルーホールＴＨを介して、対向電極の一部ＣＴ
３に接続されており、実施例４と同様に、電極ＳＴを一
行前の走査信号線（ゲート線）ＧＬ２上に重畳、もしく
は、はみ出すように形成した。尚、本実施例では、補助
容量Ｃａｄｄが形成されることはない。

【０１５２】以上、本実施例では、実施例１、実施例２
および実施例４の効果が得られた。

【０１５３】（実施例６）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１、実施例３および実施例４と同一である。

【０１５４】図３０は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。また、本実施例では、実施例３と同様に、電
極ＳＴは、スルーホールＴＨを介して、映像信号線の一
部ＤＬ３に接続されており、実施例４と同様に、電極Ｓ
Ｔを一行前の走査信号線（ゲート線）ＧＬ２上に重畳、
もしくは、はみ出すように形成した。尚、本実施例で
は、補助容量Ｃａｄｄが形成されることはない。

【０１５５】以上、本実施例では、実施例１、実施例３
および実施例４の効果が得られた。

【０１５６】（実施例７）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０１５７】図３１は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。また、本実施例では、実施例１と同様に、電
極Ｓは、スルーホールＴＨを介して、画素電極の一部に
接続されている。

【０１５８】また、本実施例では、電極ＳＴを２つ設
け、それぞれを、走査信号線ＧＬの脇に配置した。これ
により、実施例４と同様に、走査信号線上の保護膜欠陥
による核しみを軽減させることができると共に、走査電
極からの不要な電界を表示領域内に及ぼすことが無くな
り、フリッカ、残像等の走査信号線からの電界による直
流成分による表示不良が解消される。

【０１５９】以上、本実施例では、実施例１および実施
例４の効果が得られた。

【０１６０】（実施例８）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１、実施例２、実施例７と同一である。

【０１６１】図３２は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、実施例２と同様に、電極ＳＴ
は、スルーホールＴＨを介して、対向電極の一部に接続
されている。

【０１６２】また、本実施例では、電極ＳＴを２つ設
け、それぞれを、走査信号線ＧＬの脇に配置した。これ
により、実施例４と同様に、走査信号線上の保護膜欠陥
による核しみを軽減させることができると共に、走査電
極からの不要な電界を表示領域内に及ぼすことが無くな
り、フリッカ、残像等の走査信号線からの電界による直
流成分による表示不良が解消される。

【０１６３】以上、本実施例では、実施例１、実施例２
および実施例４の効果が得られた。

【０１６４】（実施例９）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１および実施例４と同一である。

【０１６５】図３３は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。

【０１６６】本実施例では、実施例４と同様に、電極Ｓ
Ｔは、スルーホールＴＨを介して、画素電極の一部に接
続され、前行の走査信号線に重畳するように構成してい
る。

【０１６７】また、本実施例では、蓄積容量Ｃｓｔｇを
大きくし、かつ薄膜トランジスタ素子ＴＦＴの寄生容量
Ｃｇｓを減らすことにより、ＴＦＴのスイッチングオフ
時のフィードスルー電圧ΔＶｓ（図１３に表示）を１Ｖ
以下に低減した。これにより、画素電極、対向電極、映
像信号線の直流成分の電位がほぼ同電位になるため、電
極ＳＴは画素電極に接続されるだけで、画素電極、対向
電極、映像信号線上の保護膜欠陥による充電電流の発生
を抑制することができ、核しみの発生を、抑制すること
ができる。核しみを発生するための電極反応が起こるた
めのしきい値電圧は、約０．５〜1Ｖであり、液晶材料
および電極材料によってその値は、異なるが、本実施例
で構成したものでは、１Ｖであったため、このフィード
スルー電圧ΔＶｓを１Ｖ以下に成るように、蓄積容量Ｃ
ｓｔｇおよび薄膜トランジスタＴＦＴの寄生容量Ｃｇｓ
を設定した。

【０１６８】尚、本実施例では、１Ｖ以下になるように
設定したが、材料によらないようにするためには０．５
Ｖ以下にすることが好ましい。

【０１６９】以上、本実施例では、画素電極とほぼ同電
位（交流の場合はその直流成分が同電位）である、画素
電極ＰＸ、ＰＸ２、ＰＸ３、ソース電極ＳＤ１上の保護
膜欠陥、対向電極ＣＴ、ＣＴ２、対向電極信号線ＣＬ上
の保護膜欠陥および映像信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ
２上の保護膜欠陥による核しみは、ほぼ完全に解消され
る効果が有った。また、実施例４と同様に、走査信号線
（ゲート線）ＧＬ上の保護膜欠陥による核しみも、大幅
に軽減される効果が有った。また、走査電極からの不要
な電界を表示領域内に及ぼすことが無くなり、フリッ
カ、残像等の走査信号線からの電界による直流成分によ
る表示不良が解消される効果も得られた。

【０１７０】更に、本実施例１と同様に、、イオン性不
純物の流動を抑え、不定形の黒いむらの発生も抑制する
ことができた。同様に、固定パターンを長時間表示させ
た場合にパターンの端が黒くなる残像（焼き付き）も同
様の作用により、大幅に軽減することができた。

【０１７１】（実施例１０）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１、実施例５および実施例９と同一である。

【０１７２】本実施例では、実施例５と同様に、電極Ｓ
Ｔは、スルーホールＴＨを介して、対向電極の一部に接
続され、前行の走査信号線に重畳するように構成してい
る。また、本実施例では、実施例９と同様に、蓄積容量
Ｃｓｔｇを大きくし、かつ薄膜トランジスタ素子ＴＦＴ
の寄生容量Ｃｇｓを減らすことにより、ＴＦＴのスイッ
チングオフ時のフィードスルー電圧ΔＶｓ（図１３に表
示）を１Ｖ以下に低減した。これにより、画素電極、対
向電極、映像信号線の直流成分の電位がほぼ同電位にな
るため、電極ＳＴは対向電極に接続されるだけで、画素
電極、対向電極、映像信号線上の保護膜欠陥による充電
電流の発生を抑制することができ、核しみの発生を、抑
制することができる。核しみを発生するための電極反応
が起こるためのしきい値電圧は、約０．５〜1Ｖであ
り、液晶材料および電極材料によってその値は、異なる
が、本実施例で構成したものでは、１Ｖであったため、
このフィードスルー電圧ΔＶｓを１Ｖ以下に成るよう
に、蓄積容量Ｃｓｔｇおよび薄膜トランジスタＴＦＴの
寄生容量Ｃｇｓを設定した。

【０１７３】尚、本実施例では、１Ｖ以下になるように
設定したが、材料によらないようにするためには０．５
Ｖ以下にすることが好ましい。

【０１７４】以上、本実施例では、実施例９の効果に加
え、実施例２と同様に、点灯初期等、電極ＳＴからの充
電が不十分な状態でのコントラスト比低下、ちらつき発
生などの表示不良状態の時間が大幅に短縮される効果が
得られた。

【０１７５】（実施例１１）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１、実施例６および実施例９と同一である。

【０１７６】本実施例では、実施例６と同様に、電極Ｓ
Ｔは、スルーホールＴＨを介して、映像信号線の一部に
接続され、前行の走査信号線に重畳するように構成して
いる。また、本実施例では、実施例９と同様に、蓄積容
量Ｃｓｔｇを大きくし、かつ薄膜トランジスタ素子ＴＦ
Ｔの寄生容量Ｃｇｓを減らすことにより、ＴＦＴのスイ
ッチングオフ時のフィードスルー電圧ΔＶｓ（図１３に
表示）を１Ｖ以下に低減した。これにより、画素電極、
対向電極、映像信号線の直流成分の電位がほぼ同電位に
なるため、電極ＳＴは映像信号線に接続されるだけで、
画素電極、対向電極、映像信号線上の保護膜欠陥による
充電電流の発生を抑制することができ、核しみの発生
を、抑制することができる。核しみを発生するための電
極反応が起こるためのしきい値電圧は、約０．５〜1Ｖ
であり、液晶材料および電極材料によってその値は、異
なるが、本実施例で構成したものでは、１Ｖであったた
め、このフィードスルー電圧ΔＶｓを１Ｖ以下に成るよ
うに、蓄積容量Ｃｓｔｇおよび薄膜トランジスタＴＦＴ
の寄生容量Ｃｇｓを設定した。

【０１７７】尚、本実施例では、１Ｖ以下になるように
設定したが、材料によらないようにするためには０．５
Ｖ以下にすることが好ましい。

【０１７８】以上、本実施例では、実施例９の効果に加
え、実施例３の効果が得られた。

【０１７９】（実施例１２）本実施例は、下記の点を除
き、実施例４と同一である。

【０１８０】本実施例の駆動波形を図３４に示す。本実
施例では、走査電圧Ｖｇが３値の電圧を有する。この３
値の電圧は、一つは選択電圧であり、薄膜トランジスタ
ＴＦＴをオンさせるための電圧であり、残りの２つは薄
膜トランジスタＴＦＴをオフ状態に保つための電圧であ
る。走査期間中、薄膜トランジスタＴＦＴをオンさせ、
映像信号を書き込んだ後、薄膜トランジスタＴＦＴをＶ
ｇｈからＶｇｌ２に引き下げ、薄膜トランジスタＴＦＴ
をオフ状態にする。この時、フィードスルー電圧ΔＶｓ
が発生し、書き込んだ電圧から低電位側にシフトする。
このフィードスルー電圧は、正極の信号を書き込んだ時
と、負極の電圧を書き込んだ時で、若干異なる。この
後、薄膜トランジスタＴＦＴが十分にオフ状態になるよ
うに、１走査期間（１Ｈ）待った後、前行の走査信号の
非選択電圧を、Ｖｇｌ２からＶｇｌ１に引き上げる。こ
の時、再び補助容量Ｃａｄｄを介して、画素電極電位に
電圧ΔＶｓ’が飛び込み、画素電圧は、高電圧側にシフ
トする。この電圧ΔＶｇｌ、補助容量Ｃａｄｄを適正化
し、フィードスルー電圧ΔＶｓに対してこのΔＶｓ’を
適正化することで、画素電極電圧の直流成分の電位およ
び対向電圧と、映像信号線電位の直流成分の電位をほぼ
一致させることができる。

【０１８１】このフィードスルー電圧ΔＶｓとΔＶｓ’
は以下の式で決まる。

【０１８２】

【数１】

【０１８３】ここで、Cgs(on)は薄膜トランジスタＴＦ
Ｔがオン時のゲートーソース間寄生容量、 Cgs(off)は
薄膜トランジスタＴＦＴがオフ時のゲートーソース間寄
生容量を示す。

【０１８４】これにより、電極ＳＴは、画素電極、対向
電極、映像信号線のどれか一つに接続されるだけで、画
素電極、対向電極、映像信号線上の保護膜欠陥による充
電電流の発生を抑制することができ、核しみの発生を、
抑制することができる。

【０１８５】本実施例では、電極ＳＴは、画素電極に接
続されているが、対向電極でも同等の効果が得られる。

【０１８６】以上、本実施例では、画素電極とほぼ同電
位（交流の場合はその直流成分が同電位）である、画素
電極ＰＸ、ＰＸ２、ＰＸ３、ソース電極ＳＤ１上の保護
膜欠陥、対向電極ＣＴ、ＣＴ２、対向電極信号線ＣＬ上
の保護膜欠陥および映像信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ
２上の保護膜欠陥による核しみは、ほぼ完全に解消され
る効果が有った。また、実施例４と同様に、走査信号線
（ゲート線）ＧＬ上の保護膜欠陥による核しみも、大幅
に軽減される効果が有った。また、走査電極からの不要
な電界を表示領域内に及ぼすことが無くなり、フリッ
カ、残像等の走査信号線からの電界による直流成分によ
る表示不良が解消される効果も得られた。

【０１８７】更に、本実施例１と同様に、、イオン性不
純物の流動を抑え、不定形の黒いむらの発生も抑制する
ことができた。同様に、固定パターンを長時間表示させ
た場合にパターンの端が黒くなる残像（焼き付き）も同
様の作用により、大幅に軽減することができた。

【０１８８】（実施例１３）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０１８９】図３５は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、電極ＳＴは、スルーホールＴ
Ｈを介して、画素電極の一部に接続され、映像信号線に
重畳するように構成している。また、本実施例では次列
（隣）の映像信号線に重畳させたが、次列の映像信号線
に重畳させても良い。

【０１９０】本実施例の電極ＳＴは、実施例１と同様
に、画素電極と同電位であるため、画素電極上の保護膜
欠陥や、対向電極、対向電極信号線上の保護膜欠陥によ
る核しみは、ほぼ完全に解消される効果が有るが、それ
に加えて、映像信号線ＤＬ上に異物があり、保護膜ＰＳ
Ｖ１に欠陥があった場合にも、核しみの発生を防ぐまた
は軽減する効果がある。

【０１９１】これは、映像信号線ＤＬ上に保護膜欠陥が
あった場合でも、欠陥の周りを電極ＳＴが取り囲む構造
になり、欠陥部からの電気力線は、電極ＳＴに殆どが収
束するため、周りの保護膜容量への充電電流は、あまり
流れない。また、欠陥部で液晶中のイオンがプラスにチ
ャージアップするが、周りにある電極ＳＴにすぐに放電
するため、プラスイオンが、周りの画素に拡散しにくく
なる。したがって、核しみの大きさ、強度ともに大幅に
軽減することができた。また、本施例では、画素電極と
接続された電極で映像信号線を被覆したので、例え、異
物により、画素電極と映像信号線が短絡しても、点欠陥
で収まるため、歩留低下を招かない。

【０１９２】以上、本実施例では、実施例１の効果に加
え、映像信号線（ドレイン線）ＤＬ上の保護膜欠陥によ
る核しみも、大幅に軽減される効果が有った。

【０１９３】（実施例１４）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０１９４】図３６は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、電極ＳＴは、スルーホールＴ
Ｈを介して、対向電極の一部に接続され、隣の映像信号
線に重畳するように構成している。本実施例では隣（次
列）の映像信号線に重畳させたが、自列の映像信号線に
重畳させても良い。

【０１９５】本実施例の電極ＳＴは、実施例１３と同様
に、対向電極と同電位であるため、画素電極上の保護膜
欠陥や、対向電極、対向電極信号線上の保護膜欠陥によ
る核しみは、ほぼ完全に解消される効果が有るが、それ
に加えて、映像信号線ＤＬ上に異物があり、保護膜ＰＳ
Ｖ１に欠陥があった場合にも、核しみの発生を防ぐまた
は軽減する効果がある。

【０１９６】また、本実施例では、対向電極で、ドレイ
ン線（映像信号線）ＤＬを被覆しているため、映像信号
線からの不要な電界を遮断し、それによる縦方向に筋を
引く現象（縦スミア、クロストーク）を解消することが
できる。

【０１９７】以上、本実施例では、実施例１３の効果に
加え、実施例２と同様に初期点灯の表示不良を軽減でき
ると共に、縦方向のクロストークが解消される効果が有
った。

【０１９８】（実施例１５）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０１９９】図３７は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、電極ＳＴ１は、スルーホール
ＴＨを介して、画素電極の一部に接続され、自列の映像
信号線に重畳させ、かつ、電極ＳＴ２は、スルーホール
ＴＨを介して、画素電極の一部に接続され、走査信号線
に重畳させるように構成している。本実施例では、ＳＴ
１を自列の映像信号線に重畳させたが、隣（次列）の映
像信号線に重畳させても良い。

【０２００】本実施例の電極ＳＴ１、ＳＴ２は、画素電
極と同電位であるため、画素電極上の保護膜欠陥や、対
向電極、対向電極信号線上の保護膜欠陥による核しみ
は、ほぼ完全に解消される効果が有るが、それに加え
て、映像信号線ＤＬおよび走査信号線ＧＬ上に異物があ
り、ゲート絶縁膜ＧＩおよび保護膜ＰＳＶ１に欠陥があ
った場合にも、核しみの発生を防ぐまたは軽減する効果
がある。

【０２０１】以上、本実施例では、すべての電極上にＰ
ＡＳ欠陥（保護膜欠陥）があった場合も、核しみを抑制
することができる効果がある。更に、本実施例では、実
施例１と同様に、核しみを抑えると共に、保護膜容量に
新たな充電電流を発生させないことにより、イオン性不
純物の流動を抑え、不定形の黒いむらの発生も抑制する
ことができる効果がある。同様に、固定パターンを長時
間表示させた場合にパターンの端が黒くなる残像（焼き
付き）も同様の作用により、大幅に軽減することができ
る効果がある。また、走査電極からの不要な電界を表示
領域内に及ぼすことが無くなり、フリッカ、残像等の走
査信号線からの電界による直流成分による表示不良が解
消される効果も得られる。

【０２０２】（実施例１６）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０２０３】図３８は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、電極ＳＴ１は、スルーホール
ＴＨを介して、対向電極の一部に接続され、自列の映像
信号線に重畳させ、かつ、電極ＳＴ２は、スルーホール
ＴＨを介して、対向電極の一部に接続され、走査信号線
に重畳させるように構成している。本実施例では、ＳＴ
１を隣（次列）の映像信号線に重畳させたが、自列の映
像信号線に重畳させても良い。本実施例の電極ＳＴ１、
ＳＴ２は、対向電極と同電位であるため、画素電極上の
保護膜欠陥や、対向電極、対向電極信号線上の保護膜欠
陥による核しみは、ほぼ完全に解消される効果が有る
が、それに加えて、映像信号線ＤＬおよび走査信号線Ｇ
Ｌ上に異物があり、ゲート絶縁膜ＧＩおよび保護膜ＰＳ
Ｖ１に欠陥があった場合にも、核しみの発生を防ぐまた
は軽減する効果がある。

【０２０４】また、本実施例では、対向電極で、ドレイ
ン線（映像信号線）ＧＬを被覆しているため、映像信号
線からの不要な電界を遮断し、それによる縦方向に筋を
引く現象（縦スミア、クロストーク）を解消することが
できる。

【０２０５】以上、本実施例では、実施例１５の効果に
加え、実施例２と同様に初期点灯の表示不良を軽減でき
ると共に、縦方向のクロストークが解消される効果も有
る。

【０２０６】（実施例１７）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０２０７】図３９は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、電極ＳＴ１は、スルーホール
ＴＨを介して、対向電極の一部に接続され、次列（隣）
の映像信号線に重畳させ、かつ、電極ＳＴ２は、スルー
ホールＴＨを介して、画素電極の一部に接続され、走査
信号線に重畳させるように構成している。本実施例で
は、ＳＴ１を隣（次列）の映像信号線に重畳させたが、
自列の映像信号線に重畳させても良い。

【０２０８】また、走査信号線に重畳させる電極ＳＴを
対向電極に、映像信号線に重畳させる電極ＳＴを映像信
号線に重畳させても良いが、縦スミアを抑制するために
は、映像信号線に重畳させて電極ＳＴを対向電極に接続
した方が好ましい。

【０２０９】本実施例の電極ＳＴ１、ＳＴ２は、画素電
極および対向電極（画素電極の直流成分の電位と対向電
極の電位はほぼ同電位）と同電位であるため、画素電極
上の保護膜欠陥や、対向電極、対向電極信号線上の保護
膜欠陥による核しみは、ほぼ完全に解消される効果が有
るが、それに加えて、映像信号線ＤＬおよび走査信号線
ＧＬ上に異物があり、ゲート絶縁膜ＧＩおよび保護膜Ｐ
ＳＶ１に欠陥があった場合にも、核しみの発生を防ぐま
たは軽減する効果がある。

【０２１０】また、本実施例では、対向電極で、ドレイ
ン線（映像信号線）ＧＬを被覆しているため、映像信号
線からの不要な電界を遮断し、それによる縦方向に筋を
引く現象（縦スミア、クロストーク）を解消することが
できる。

【０２１１】また、実施例１６では走査電極と対向電極
が異物により短絡し、線欠陥を生じる恐れがあったが、
本実施例では、例え、短絡しても、点欠陥で収まるた
め、歩留を向上させることができる。

【０２１２】以上、本実施例では、実施例１６の効果に
加え、実施例２と同様に初期点灯の表示不良を軽減でき
ると共に、縦方向のクロストークが解消される効果も有
る。

【０２１３】（実施例１８）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１および実施例４と同一である。

【０２１４】図４０は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、電極ＳＴは、スルーホールＴ
Ｈを介して、対向電極の一部に接続され、走査信号線、
映像信号線および薄膜トランジスタＴＦＴ上に重畳さ
せ、画素電極と対向電極の表示領域以外の全てに形成し
た。

【０２１５】本実施例の電極ＳＴは、対向電極と同電位
であるため、画素電極上の保護膜欠陥や、対向電極、対
向電極信号線上の保護膜欠陥による核しみは、ほぼ完全
に解消される効果が有るが、それに加えて、薄膜トラン
ジスタＴＦＴ上、映像信号線ＤＬおよび走査信号線ＧＬ
上に異物があり、ゲート絶縁膜ＧＩおよび保護膜ＰＳＶ
１に欠陥があった場合にも、核しみの発生を防ぐまたは
軽減する効果がある。

【０２１６】以上、本実施例では、実施例１６の効果を
得ることができた。また、各配線と電極ＳＴとの間の容
量を低減するために、アクリル樹脂や、ポリイミド等の
有機保護膜を用いると、走査信号および映像信号の信号
波形の鈍りが軽減され、好ましい。

【０２１７】（実施例１９）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１および実施例４と同一である。

【０２１８】図４１は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、電極ＳＴは、スルーホールＴ
Ｈを介して、ソース電極の一部に接続され、画素電極と
兼用する。本実施例では、電極ＳＴを透明導電膜ＩＴＯ
で形成したため、電極部分の透過光が透過率の向上に寄
与する。また、最上層の電極ＳＴで表示領域の液晶を駆
動するため、保護膜への電圧分割が少なく、低い電圧
で、最大透過率を得ることができる。言い換えれば、低
電圧で液晶を駆動することができる。本実施例の電極Ｓ
Ｔは、画素電極と同電位であるため、画素電極上の保護
膜欠陥や、対向電極、対向電極信号線上の保護膜欠陥に
よる核しみは、ほぼ完全に解消される効果が有る。

【０２１９】以上、本実施例では、実施例４の効果に加
え、透過率が向上する効果および低電圧化できる効果が
得られた。

【０２２０】また、ＳＤ３は、走査配線からの電界の影
響が表示領域内に入り込まないようにしたシールド電極
であり、前行の走査配線からの影響は、対向電極信号線
を、走査信号線と隣接させることにより、走査配線から
の電界の影響が表示領域内に入り込まないようにした。
これにより、初期点灯時のフリッカなどの表示不良を解
消できる効果を得た。

【０２２１】但し、他の実施例と異なり、保護膜による
直流緩和現象が少なくなるため、残像は若干悪化する。

【０２２２】（実施例２０）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１および実施例５と同一である。

【０２２３】本実施例では、電極ＳＴは、スルーホール
ＴＨを介して、対向電極信号線ＣＬの一部に接続され、
対向電極と兼用する。本実施例では、電極ＳＴを透明導
電膜ＩＴＯで形成したため、電極部分の透過光が透過率
の向上に寄与する。また、最上層の電極ＳＴで表示領域
の液晶を駆動するため、保護膜への電圧分割が少なく、
低い電圧で、最大透過率を得ることができる。言い換え
れば、低電圧で液晶を駆動することができる。本実施例
の電極ＳＴは、対向電極と同電位であるため、画素電極
上の保護膜欠陥や、対向電極、対向電極信号線上の保護
膜欠陥による核しみは、ほぼ完全に解消される効果が有
る。

【０２２４】以上、本実施例では、実施例５の効果に加
え、透過率が向上する効果および低電圧化できる効果が
得られた。

【０２２５】但し、他の実施例と異なり、保護膜による
直流緩和現象が少なくなるため、残像は若干悪化する。

【０２２６】（実施例２１）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１および実施例２０と同一である。

【０２２７】本実施例では、電極ＳＴの一つは、スルー
ホールＴＨを介して、対向電極信号線ＣＬの一部に接続
され、対向電極と兼用する。また、もう一つの電極ＳＴ
は、スルーホールＴＨを介して、ソース電極の一部に接
続され、画素電極と兼用する。本実施例では、電極ＳＴ
を透明導電膜ＩＴＯで形成したため、電極部分の透過光
が透過率の向上に寄与する。また、最上層の電極ＳＴで
表示領域の液晶を駆動するため、保護膜への電圧分割が
なく、低い電圧で、最大透過率を得ることができる。言
い換えれば、低電圧で液晶を駆動することができる。

【０２２８】本実施例の電極ＳＴは、対向電極と同電位
であるため、画素電極上の保護膜欠陥や、対向電極、対
向電極信号線上の保護膜欠陥による核しみは、ほぼ完全
に解消される効果が有る。

【０２２９】以上、本実施例では、実施例２０の効果に
加え、更に、透過率が向上する効果および低電圧化でき
る効果が得られた。但し、他の実施例と異なり、保護膜
による直流緩和現象がないため、残像は大幅に悪化す
る。

【０２３０】（実施例２２）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０２３１】図４２は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、電極ＳＴは、スルーホールＴ
Ｈを介して、画素電極の一部に接続され、一部は、自列
（隣）の映像信号線に重畳され、一部は次列の映像信号
線に重畳させている。本実施例の電極ＳＴは、実施例１
と同様に、画素電極と同電位であるため、画素電極上の
保護膜欠陥や、対向電極、対向電極信号線上の保護膜欠
陥による核しみは、ほぼ完全に解消される効果が有る
が、それに加えて、映像信号線ＤＬ上に異物があり、保
護膜ＰＳＶ１に欠陥があった場合にも、核しみの発生を
防ぐまたは軽減する効果がある。

【０２３２】また、本実施例では、画素電極と接続され
た電極で映像信号線を被覆したので、例え、異物によ
り、画素電極と映像信号線が短絡しても、点欠陥で収ま
るため、歩留低下を招かない。

【０２３３】また、実施例１３では、電極ＳＴと映像信
号線との容量結合による電極変動による縦スミアが発生
するが、本実施例では、電極ＳＴをたすき状に、ドレイ
ン線（映像信号線）ＤＬに重畳させたので、一列ごと
に、印加する信号の極性を反転される、列毎反転駆動
や、ドット反転駆動を用いれば、電極ＳＴとそれぞれの
映像信号線との容量結合による電極変動が補償し合い、
電極ＳＴの電位は、ほとんど変化しない。したがって、
この容量結合の結果発生する縦方向に筋を引く現象（縦
スミア、クロストーク）は抑制される。

【０２３４】以上、本実施例では、実施例１の効果に加
え、映像信号線（ドレイン線）ＧＬ上の保護膜欠陥によ
る核しみも、大幅に軽減される効果が有った。また、縦
方向のクロストークが解消される効果が有った。

【０２３５】（実施例２３）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０２３６】図４３は本実施例の一つの画素およびその
周辺を示す平面図である。また、図４４には、図４３の
Ｅ−Ｅ’切断線における断面図を示す。また、図４５に
は、図７の下辺付近（有効表示領域外）の電極ＳＴと映
像信号線の接続部を示す。本実施例では、電極ＳＴは、
有効表示領域外の部分でスルーホールＴＨを介して、映
像信号線の一部に接続されており、図４３、図４４に示
されるに様に、映像信号線上に、映像信号線と併設し
て、上下方向に延在した、線状の形状をしている。図４
５に示される接続部分は、映像信号線の上下の有効表示
領域外に設けられており、映像信号線ＤＬが一ヶ所断線
したとしても、電極ＳＴによって、切れた映像信号線が
電気的に接続された状態を保つ。言い換えれば映像信号
線の断線不良に対する冗長構造になる。

【０２３７】実施例３と同様に、映像信号線は、他の電
極および配線と比較し、直流成分的には最も高い電位を
有する。したがって、陽極側の酸化反応は、完全に抑え
られ、酸化反応による電極の溶解から発生する断線不良
の発生が解消されるが、走査配線や対向電極信号線の交
差部で、配線が乗り越える時に、その段差で切れる断線
が発生する。本実施例は、この断線に対しても効果があ
り、映像信号線の断線をほとんど解消することができ
た。

【０２３８】以上、本実施例では、実施例３の効果に加
え、更に、歩留を向上させることができる効果を得た。

【０２３９】（実施例２４）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０２４０】図４６は本実施例の一つの画素およびその
周辺を示す平面図である。また、図４７には、図４６の
Ｆ−Ｆ’切断線における断面図を示す。本実施例では、
電極ＳＴは、有効表示領域内の部分でスルーホールＴＨ
を介して、映像信号線の一部に接続されており、図４６
に示されるに様に、映像信号線上に、映像信号線と併設
して、上下方向に延在している。これにより、映像信号
線ＤＬが1画素内で２ヶ所以上断線しなければ、映像信
号線が、複数ヵ所断線していても、電極ＳＴによって、
切れた映像信号線が電気的に接続された状態を保つ。言
い換えれば映像信号線の断線不良に対する冗長構造にな
る。

【０２４１】実施例３と同様に、映像信号線は、他の電
極および配線と比較し、直流成分的には最も高い電位を
有する。したがって、陽極側の酸化反応は、完全に抑え
られ、酸化反応による電極の溶解から発生する断線不良
の発生が解消されるが、走査配線や対向電極信号線の交
差部で、配線が乗り越える時に、その段差で切れる断線
が発生する。本実施例は、この断線に対して実施例２３
より更に効果があり、映像信号線の断線を完全に解消す
ることができた。

【０２４２】以上、本実施例では、実施例３の効果に加
え、更に、歩留を向上させることができる効果を得た。

【０２４３】（実施例２５）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０２４４】図４８は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、電極ＳＴは、スルーホールＴ
Ｈを介して、走査信号線の一部に接続されている。

【０２４５】走査信号線は、他の電極および配線と比較
し、直流成分的には最も低い電位を有する。したがっ
て、陰極側の還元反応は、完全に抑えられ、還元反応に
よる液晶分解の発生が解消された。

【０２４６】以上、本実施例では、電極ＳＴとほぼ同電
位（交流の場合はその直流成分が同電位）であるため、
走査信号線ＧＬ上の保護膜欠陥による核しみは、ほぼ完
全に解消される効果が有った。更に、本実施例１と同様
に、、イオン性不純物の流動を抑え、不定形の黒いむら
の発生も抑制することができた。同様に、固定パターン
を長時間表示させた場合にパターンの端が黒くなる残像
（焼き付き）も同様の作用により、大幅に軽減すること
ができた。特に、映像信号線は、画素電極とは異なり、
スイッチング素子を介して電圧を与えられておらず、常
に外部から十分な電圧を印加されているため、核しみの
各画素の保護膜容量への充電が十分に速くなる。したが
って、点灯初期等、電極ＳＴからの充電が不十分な状態
でのコントラスト比低下、ちらつき発生などの表示不良
状態の時間が大幅に短縮された。

【０２４７】（実施例２６）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０２４８】図４９は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、電極ＳＴ１は、スルーホール
ＴＨを介して、画素電極の一部に接続され、かつ、電極
ＳＴ２は、スルーホールＴＨを介して、走査信号線の一
部に接続されている。陽極側の電極と、陰極側の電極
を、両方共に、保護膜上に形成することにより、陽極側
の電圧の充電および陰極側の電圧の充電が同時に行わ
れ、他の部分で保護膜欠陥があり、電極が露出したとし
ても、その部分からの充電電流はほとんど発生しない。
したがって、陽極側、陰極側とも電極反応は起こらず、
核しみは発生しない。但し、本実施例では、映像信号線
の直流成分の電位が、画素電極の直流成分の電位より高
いので、映像信号線上に保護膜欠陥があると、陽極側の
酸化反応が起こり、核しみが発生するが、画素電極の直
流成分の電位と映像信号線の直流成分の電位の差は、実
施例１０や実施例１２の方法で、ほとんど無くすことが
できるので、これらとの組み合わせで、どの電極上に保
護膜欠陥があったとしても、核しみが発生することは無
い。

【０２４９】ここで、電極ＳＴ１および電極ＳＴ２の配
置に注意する必要がある。電極ＳＴ１および電極ＳＴ２
は、両方とも、保護膜上にあり、画素電極の直流成分の
電位と走査信号の非選択電圧による直流電圧がほぼ常に
印加されているので、この直流電圧により液晶が駆動さ
れ、光漏れが発生し、黒表示が十分でない、すなわち、
コントラスト比の低下が発生する。

【０２５０】そこで、本実施例では、電極ＳＴ１の中心
と電極ＳＴ２の中心を結んだ直線が、ラビング方向ＲＤ
Ｒとほぼ一致するようにする。具体的には、電極ＳＴ１
の中心と電極ＳＴ２の中心を結んだ直線とラビング角度
のなす角度φを、±２０°以内、正確には±２０．５°
以内にする。これは、コントラスト比３０以上を保つた
め、電極ＳＴ１と電極ＳＴ２の間で駆動される液晶の回
転角度が±１０°以内、正確には±１０．５°以内であ
り、また電界と液晶分子の長軸のなす角度が１０°以上
に成るとそれ以上に回転するために、極めて大きなエネ
ルギーが必要になり、２０Ｖ以下の直流電圧では回転し
なくなるためであり、これらの両者を足しあわせた値で
ある。但し、好ましくは、コントラスト比１００以上を
保つために、±１５°以内、正確には±１５．７°以内
に成るようにした方が良い。また、電極ＳＴ２との電極
ＳＴ１（最近接のもの以外のものも含む）を結ぶ直線と
ラビング方向とのなす角度φ、φ’が上記範囲内に入ら
ない場合、その距離Ｌを画素電極と対向電極の間の距離
よりを十分に長く設定する。具体的には、電極ＳＴ１と
電極ＳＴ２の間の直流成分による電界が、画素電極と対
向電極の間の電圧で駆動される液晶の光学的しきい値電
界以下になるように設定する。

【０２５１】尚、本実施例では、電極ＳＴの中心を結ぶ
直線とラビング方向のなす角度を規定したが、電極ＳＴ
の形状が長細い場合や、形が円状、または四角状でない
場合は、電極ＳＴの端同士を結ぶ直線とラビング方向の
なす角度に上記を適応しても良い。

【０２５２】以上、本実施例では、走査信号線に接続さ
れた電極ＳＴ１と画素電極に接続された電極ＳＴ２と、
両方共に、保護膜上に形成することにより、電極ＳＴ１
と電極ＳＴ2とほぼ同電位（交流の場合はその直流成分
が同電位）である、画素電極ＰＸ、ＰＸ２、ＰＸ３、ソ
ース電極ＳＤ１上の保護膜欠陥、対向電極ＣＴ、ＣＴ
２、対向電極信号線ＣＬ上の保護膜欠陥、走査信号線Ｇ
Ｌ上保護膜欠陥のによる核しみは、ほぼ完全に解消され
る効果が有った。また、実施例１０、実施例１２の一
方、または、両方と組み合わせることにより、映像信号
線ＤＬ上の核しみも完全に解消される。

【０２５３】（実施例２７）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１および実施例２６と同一である。

【０２５４】図５０は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、電極ＳＴ１は、スルーホール
ＴＨを介して、対向電極信号線の一部に接続され、か
つ、電極ＳＴ２は、スルーホールＴＨを介して、走査信
号線の一部に接続されている。

【０２５５】以上、本実施例では、走査信号線に接続さ
れた電極ＳＴ１と対向電極に接続された電極ＳＴ２と、
両方共に、保護膜上に形成することにより、電極ＳＴ１
と電極ＳＴ2とほぼ同電位（交流の場合はその直流成分
が同電位）である、画素電極ＰＸ、ＰＸ２、ＰＸ３、ソ
ース電極ＳＤ１上の保護膜欠陥、対向電極ＣＴ、ＣＴ
２、対向電極信号線ＣＬ上の保護膜欠陥、走査信号線Ｇ
Ｌ上保護膜欠陥のによる核しみは、ほぼ完全に解消され
る効果が有った。また、実施例１０、実施例１２の一
方、または、両方と組み合わせることにより、映像信号
線ＤＬ上の核しみも完全に解消される。

【０２５６】（実施例２８）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１および実施例２６と同一である。

【０２５７】図５１は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、電極ＳＴ１は、スルーホール
ＴＨを介して、映像電極信号線の一部に接続され、か
つ、電極ＳＴ２は、スルーホールＴＨを介して、走査信
号線の一部に接続されている。

【０２５８】本実施例では、陰極側の電極ＳＴ１を電位
の最も低い走査信号線ＧＬに接続し、また、陽極側の電
極ＳＴ２を電位の最も高い映像信号線ＤＬに接続するこ
とで、すべての電極および配線に対して、陰極、陽極の
電位が充電され、その中間の電位を有する電極に対して
も、充電電流がほとんど発生しない。したがって、すべ
ての電極および配線上に、保護膜欠陥があったとして
も、核しみが発生することはない。

【０２５９】以上、本実施例では、実施例１０および実
施例１２と組み合わせなくとも、走査信号線に接続され
た電極ＳＴ１と映像信号電極に接続された電極ＳＴ２
と、両方共に、保護膜上に形成することにより、電極Ｓ
Ｔ１と電極ＳＴ2とほぼ同電位（交流の場合はその直流
成分が同電位）および中間電位である、画素電極ＰＸ、
ＰＸ２、ＰＸ３、ソース電極ＳＤ１、対向電極ＣＴ、Ｃ
Ｔ２、対向電極信号線ＣＬ、走査信号線ＧＬ上および映
像信号線ＤＬ上の保護膜欠陥による核しみが完全に解消
される。

【０２６０】（実施例２９）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。

【０２６１】図５２は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。本実施例では、画素電極ＰＸおよび対向電極
ＣＴ、ＣＴ２をくの字（シェブロン）状の電極にした。
これにより、液晶分子の回転方向が、２方向になり、違
う回転方向を持った領域の光学特性が、お互いに補償し
合い、更に広視野角を得ることができた。これは、仰角
を傾けた時の液晶分子の長軸方向と短軸方向のリタデー
ションの変化の違いで、回転方向が一方向しかないと、
ある一定の方向は、リタデーションが小さくなり、青め
がかり、それと直交する方向は、リタデーションが大き
くなり、黄色くなる。これをお互いに反対方向に回転す
る領域を設けることにより、青と黄色の補色関係を利用
し、色付きを解消することができた。また同時に、低階
調（暗い階調）での階調反転も抑えることができた。

【０２６２】また、くの字のラビング方向に対する角度
θ１、θ２は、同一である方が好ましいが、同一でなく
ても良い。また、くの字の屈曲回数も一例である。

【０２６３】本実施例では、実施例1の効果に加え、更
に、広視野角を得ることができた。

【０２６４】（実施例３０）本実施例は、下記の点を除
き、実施例４と同一である。図５３は本実施例の一つの
画素を示す平面図である。本実施例は、実施例４と実施
例２９の組み合わせである。

【０２６５】（実施例３１）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１８と同一である。図５４は本実施例の一つ
の画素を示す平面図である。本実施例は、実施例１８と
実施例２９の組み合わせである。

【０２６６】（実施例３２）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１９と同一である。図５５は本実施例の一つ
の画素を示す平面図である。本実施例は、実施例１９と
実施例２９の組み合わせである。

【０２６７】（実施例３３）本実施例は、下記の点を除
き、実施例２４と同一である。図５６は本実施例の一つ
の画素を示す平面図である。本実施例は、実施例２４と
実施例２９の組み合わせである。

【０２６８】（実施例３４）本実施例は、下記の点を除
き、実施例２６と同一である。図５７は本実施例の一つ
の画素を示す平面図である。本実施例は、実施例２６と
実施例２９の組み合わせである。

【０２６９】（実施例３５）本実施例は、下記の点を除
き、実施例２８と同一である。図５８は本実施例の一つ
の画素を示す平面図である。本実施例は、実施例２８と
実施例２９の組み合わせである。

【０２７０】（実施例３６）本実施例は、下記の点を除
き、実施例３４と同一である。図５９は本実施例の一つ
の画素を示す平面図である。本実施例では、電極ＳＴ１
を、走査信号線上に、それと平行に線状に形成し、ま
た、電極ＳＴ２を画素電極に接続し、電極ＳＴ１と平行
な方向に長細い形状とした。

【０２７１】これにより、電極ＳＴ１と電極ＳＴ２の間
の電界は、殆どの部分で、電界方向が同じに成るため、
ラビング方向とのなす角と殆どの部分で一致させること
ができる。したがって、この電界で液晶が駆動されるこ
とがなくなるため、極めて高いコントラスト比を得るこ
とができた。また、走査信号線を電極ＳＴ１で複数の画
素間で繋いでいるため、冗長構造になり、走査信号線の
断線不良が減少する。

【０２７２】以上、本実施例では、実施例３４の効果に
加え、更に、高コントラスト比が得られ、歩留を向上す
る効果を得た。また、電極ＳＴ２を対向電極信号線に接
続し、対向電極信号線と平行に線状に形成しても良い。
この場合は、対向電極信号線の断線不良も低減できる。

【０２７３】（実施例３７）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１と同一である。図６０は本実施例の一つの
画素の断面図である。本実施例では、電極ＳＴをカラー
フィルタ側基板ＳＵＢ２側の平坦化膜ＯＣ上の配向膜直
下に設けた。また、平面的には、映像信号線および走査
信号線に重畳させるようにした。

【０２７４】本実施例では、この電極ＳＴに有効表示領
域外の周辺部から、対向電圧を供給した。ここで、ＴＦ
Ｔ側基板ＳＵＢ１上の構成は、従来例のままである。

【０２７５】また、ＩＰＳ方式のＴＦＴ−ＬＣＤでは、
カラーフィルタ側基板の裏側に、静電気による表示不良
を解消するために、ＩＴＯを全面に形成しなければなら
ないが、本実施例では、電極ＳＴがその役割を果たすの
で、この裏面ＩＴＯは不必要になる。以上、本実施例で
は、実施例２の効果に加え、更に、カラーフィルタ側基
板の形成工程の簡略化が図れた。尚、本実施例では平坦
化膜上に電極ＳＴを設けたが、平坦化膜が無い場合は、
配向膜直下のカラーフィルタＦＩＬ上に形成しても良
い。

【０２７６】（実施例３８）本実施例は、下記の点を除
き、実施例１および実施例２６と同一である。

【０２７７】図６１は本実施例の一つの画素を示す平面
図である。

【０２７８】本実施例では、電極ＳＴ１は、スルーホー
ルＴＨを介して、走査信号線の一部に接続され、かつ、
電極ＳＴ２は、カラーフィルタ側基板ＳＵＢ２側の平
坦化膜ＯＣ上の配向膜直下に設けた。平面的には、図６
１では、走査信号線に重畳させるように線状に形成した
が、映像信号線上にも重畳させ、マトリクス状の構成に
しても良い。本実施例では、この電極ＳＴ２に有効表示
領域外の周辺部から、対向電圧を供給した。

【０２７９】本実施例では、電極ＳＴ１と電極ＳＴ２を
それぞれ、別の基板上に形成したため、電極の形成工程
でのエッチング不良などによる短絡不良が必然的に発生
しなくなる。また、電極ＳＴ１と電極ＳＴ２は平面的に
は重畳し形成できるため、基板面に平行な電界をほとん
ど発生することが無く、画素電極と対向電極の間の液晶
を駆動することが無い。したがって、高コントラスト比
を得ることができる。以上、本実施例では、走査信号線
に接続された電極ＳＴ１と対向電極に接続された電極Ｓ
Ｔ２と、両方共に、実施例２７の効果に加え、電極ＳＴ
１と電極ＳＴ２のショート不良が軽減する効果を得た。
また、更に高コントラスト比の特性を得られる効果も得
た。

【０２８０】

【発明の効果】以上、本発明では、電極ＳＴを新たに設
け保護膜上に形成する、または、平坦化膜上またはカラ
ーフィルタ上に形成する。更に言い換えれば、配向膜の
下に形成することにより、ＩＰＳ方式のＴＦＴ−ＬＣＤ
において、各電極および配線上に保護膜欠陥が存在した
場合に発生する、スポット状の黒いむら（核しみ）を抑
制することができる。更に、本実施例では、核しみを抑
えると共に、保護膜容量に新たな充電電流を発生させな
いことにより、イオン性不純物の流動を抑え、不定形の
黒いむらの発生も抑制することができる。同様に、固定
パターンを長時間表示させた場合にパターンの端が黒く
なる残像（焼き付き）も同様の作用により、大幅に軽減
することができる。また、電極ＳＴにより、映像信号線
および走査信号線、対向電極信号線を冗長構造にするこ
とにより、断線に対する歩留を向上させ、横電界液晶表
示装置の量産性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１のアクティブ・マトリックス
型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す平面
図である。

【図２】本発明の実施例１のアクティブ・マトリックス
型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素の周辺を示
す平面図である。

【図３】図１のＡ−Ａ’切断線における液晶スイッチン
グ領域部分の断面図である。

【図４】図１のＢ−Ｂ’切断線における薄膜トランジス
タ素子ＴＦＴ部分の断面図である。

【図５】図１のＣ−Ｃ’切断線における蓄積容量Ｃｓｔ
ｇ部分の断面図である。

【図６】図１のＤ−Ｄ’切断線における電極ＳＴ部分の
断面図である。

【図７】表示パネルのマトリクス周辺部の構成を説明す
るための平面図である。

【図８】ゲート端子ＧＴＭとゲート配線ＧＬの接続部近
辺を示す平面と断面の図である。

【図９】ドレイン端子ＤＴＭと映像信号線ＤＬとの接続
部付近を示す平面と断面の図である。

【図１０】共通電極端子ＣＴＭ１、共通バスラインＣＢ
１および共通電圧信号線ＣＬの接続部付近を示す平面と
断面の図である。

【図１１】共通電極端子ＣＴＭ２、共通バスラインＣＢ
２および共通電圧信号線ＣＬの接続部付近を示す平面と
断面の図である。

【図１２】本発明のアクティブ・マトリックス型カラー
液晶表示装置のマトリクス部とその周辺を含む回路図で
ある。

【図１３】本発明の実施例１のアクティブ・マトリック
ス型カラー液晶表示装置の駆動波形を示す図である。

【図１４】基板ＳＵＢ１側の工程Ａ〜Ｃの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１５】基板ＳＵＢ１側の工程Ｄ〜Ｅの製造工程を示
す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。

【図１６】基板ＳＵＢ１側の工程Ｆの製造工程を示す画
素部とゲート端子部の断面図のフローチャートである。

【図１７】液晶表示パネルに周辺の駆動回路を実装した
状態を示す上面図である。

【図１８】駆動回路を構成する集積回路チップＣＨＩが
フレキシブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッ
ケージＴＣＰの断面構造を示す図である。

【図１９】テープキャリアパッケージＴＣＰを液晶表示
パネルＰＮＬの走査信号回路用端子ＧＴＭに接続した状
態を示す要部断面図である。

【図２０】液晶表示モジュールの分解斜視図である。

【図２１】実施例１のラビング方向と偏光板の透過軸の
角度を示す図である。

【図２２】本発明の実施例２のアクティブ・マトリック
ス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す平
面図である。

【図２３】図２２のＤ−Ｄ’切断線における電極ＳＴ部
分の断面図である。

【図２４】本発明の実施例３のアクティブ・マトリック
ス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す平
面図である。

【図２５】図２４のＤ−Ｄ’切断線における電極ＳＴ部
分の断面図である。

【図２６】本発明の実施例４のアクティブ・マトリック
ス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す平
面図である。

【図２７】本発明の実施例４のアクティブ・マトリック
ス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素の周辺を
示す平面図である。

【図２８】図２６のＤ−Ｄ’切断線における電極ＳＴ部
分と補助容量Ｃａｄｄ部分の断面図である。

【図２９】本発明の実施例５のアクティブ・マトリック
ス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す平
面図である。

【図３０】本発明の実施例６のアクティブ・マトリック
ス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す平
面図である。

【図３１】本発明の実施例７のアクティブ・マトリック
ス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す平
面図である。

【図３２】本発明の実施例８のアクティブ・マトリック
ス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す平
面図である。

【図３３】本発明の実施例９のアクティブ・マトリック
ス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す平
面図である。

【図３４】本発明の実施例１２のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の駆動波形を示す図である。

【図３５】本発明の実施例１３のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図３６】本発明の実施例１４のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図３７】本発明の実施例１５のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図３８】本発明の実施例１６のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図３９】本発明の実施例１７のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図４０】本発明の実施例１８のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図４１】本発明の実施例１９のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図４２】本発明の実施例２２のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図４３】本発明の実施例２３のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図４４】図４３のＥ−Ｅ’切断線における電極ＳＴ部
分の断面図である。

【図４５】本発明の実施例２３のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の下辺付近（有
効表示領域外）の電極ＳＴと映像信号線の接続部を示す
平面図である。

【図４６】本発明の実施例２４のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図４７】図４６のＦ−Ｆ’切断線における電極ＳＴ部
分の断面図である。

【図４８】本発明の実施例２５のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図４９】本発明の実施例２６のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図５０】本発明の実施例２７のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図５１】本発明の実施例２８のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図５２】本発明の実施例２９のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図５３】本発明の実施例３０のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図５４】本発明の実施例３１のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図５５】本発明の実施例３２のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図５６】本発明の実施例３３のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図５７】本発明の実施例３４のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図５８】本発明の実施例３５のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図５９】本発明の実施例３６のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図６０】本発明の実施例３７のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を断面
図である。

【図６１】本発明の実施例３８のアクティブ・マトリッ
クス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素を示す
平面図である。

【図６２】従来例の一つの画素を示す平面図である。

【図６３】陽極側の核しみ発生の原理を示す図である。

【図６４】陰極側の核しみ発生の原理を示す図である。

【図６５】シアノ系液晶の分子構造の一例を示す図であ
る。

【図６６】シアノ系液晶の還元反応の一例を示す図であ
る。

【図６７】陽極側に電極ＳＴを設置した場合の核しみ発
生の抑制原理を示す図である。

【図６８】陰極側に電極ＳＴを設置した場合の核しみ発
生の抑制原理を示す図である。

【符号の説明】

ＳＴ…保護膜上または配向膜の直下に設けられた電極ま
たは導電体ＳＵＢ…透明ガラス基板、ＧＬ…走査信号線、ＤＬ…映
像信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＰＸ…画素電極、Ｃ
Ｔ…対向電極、ＧＩ…絶縁膜、ＧＴ…ゲート電極、ＡＳ
…ｉ型半導体層、ＳＤ…ソース電極またはドレイン電
極、ＰＳＶ…保護膜、ＢＭ…遮光膜、ＦＩＬ…カラーフ
ィルタ、ＯＣ…平坦化膜、ＬＣ…液晶、ＴＦＴ…薄膜ト
ランジスタ、ｇ，ｄ…導電膜、Ｃstg…蓄積容量、ＡＯ
Ｆ…陽極酸化膜、ＡＯ…陽極酸化マスク、ＧＴＭ…ゲー
ト端子、ＤＴＭ…ドレイン端子、ＣＢ…共通バスライ
ン、ＤＴＭ…共通電極端子、ＳＨＤ…シールドケース、
ＰＮＬ…液晶表示パネル、ＳＰＢ…光拡散板、ＬＣＢ…
導光体、ＢＬ…バックライト蛍光管、ＬＣＡ…バックラ
イトケース、ＲＭ…反射板、（以上添字省略）。

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の基板に挟持された液晶層と、該基板
の一方の側にマトリクス状に複数の画素が形成された液
晶表示装置において、前記複数の画素が形成される側の
基板には映像を表示するための第1の電極群及び配線群
が形成され、前記液晶層と前記第1の電極群及び配線群
の間には保護膜が形成され、前記保護膜の上に陰極と陽
極の一方又は双方からなる第２の電極又は配線が前記複
数の画素内に少なくとも１つ形成され、前記第２の電極
又は配線は、コンタクトホールを介して、前記第1の電
極群及び配線群のいずれかに接続されてなることを特徴
とする液晶表示装置。
【請求項２】前記基板の一方の側にマトリクス状に複数
の画素が形成された液晶表示装置は、該複数の画素ごと
に薄膜トランジスタが形成され、前記基板の他方の側に
はカラーフィルター及びブラックマトリクスが形成され
ており、前記第1の電極は少なくとも一対の画素電極又
は対向電極を含み、前記第1の配線は少なくとも走査信
号線及び映像信号線を含むことを特徴とする請求項１に
記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記コンタクトホールを介して、前記陰極
の第2の電極又は配線と接続されるのは、前記走査信号
線であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装
置。
【請求項４】前記コンタクトホールを介して、前記陽極
の第2の電極又は配線と接続されるのは、対向電極又は
前記対向電極に接続された対向電圧信号線のいずれかで
あることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】前記コンタクトホールを介して、前記陽極
の第2の電極又は配線と接続されるのは、櫛歯形状に形
成された画素電極であることを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。
【請求項６】前記走査信号線は前記複数の画素が形成さ
れる側の基板の上に形成され、それらの上にはゲート保
護膜が被覆され、該ゲート保護膜の上には前記映像信号
線が形成され、それらを覆って前記保護膜が形成され、
前記陰極と陽極の一方又は双方からなる第２の電極又は
配線が前記パッシベーションの上に形成され、前記液晶
層の配向を制御する配向膜が前記第２の電極又は配線の
上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
液晶表示装置。
【請求項７】前記第２の電極又は配線は、前記ブラック
マトリクスによって覆われていることを特徴とする請求
項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】前記第２の電極又は配線は、マトリクス状
に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液
晶表示装置。
【請求項９】前記第２の電極又は配線は前記複数の画素
の各画素ごとに少なくとも１つ形成されていることを特
徴とする請求項１から６に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】前記第２の電極又は配線は前記複数の画
素の各画素ごとに複数個設けられていることを特徴とす
る請求項１から６に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】一対の基板に配向膜を介して挟まれた液
晶層と、該基板の一方の側に複数の走査信号線と映像信
号線によってマトリクス状に複数の画素が形成された液
晶表示装置において、前記複数の各画素は、前記一対の
基板の一方の基板に形成され、前記走査信号線の走査信
号に基づいて、前記映像信号線の映像信号が薄膜トラン
ジスタを介して供給される画素電極と、前記一対の基板
の一方の基板に形成され、対向電圧信号線を介して対向
電圧が供給される対向電極を有し、前記一方の基板と前
記配向膜の間に形成された保護膜と少なくとも前記映像
信号線と前記画素電極は前記一方の基板と保護膜との間
に形成され、前記走査信号線又は前記対向電圧信号線又
は前記対向電極のうちのいずれかは、前記配向膜と保護
膜との間に形成され、前記配向膜と前記保護膜の間に陰
極と陽極の一方又は双方からなる電極又は配線が前記複
数の画素内に少なくとも１つ形成され、前記陰極と陽極
の一方又は双方からなる電極又は配線は、コンタクトホ
ールを介して、前記一方の基板と保護膜との間に形成さ
れたいずれかの信号線又は電極に接続されてなることを
特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】前記コンタクトホールを介して、前記陰
極の電極又は配線と接続されるのは、前記走査信号線で
あることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装
置。
【請求項１３】一対の基板に挟持された液晶層と、該基
板の一方の側にマトリクス状に複数の画素が形成された
表示領域と、前記複数の画素が形成される側の基板に
は、走査信号線、映像信号線、画素電極、対向電極、対
向電圧信号線及び薄膜トランジスタからなる第1の電極
群が形成され、前記液晶層と前記第1の電極群の間には
保護膜が形成され、前記保護膜と前記基板の他方の基板
の間には陰極と陽極の一方又は双方からなる第2の電極
群が前記表示領域内に少なくとも１つ形成され、前記第
２の電極群は透明電極であり、電気的に接続する手段を
介して、前記第1の電極群のいずれかに接続されてなる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】前記透明電極は、ＩＴＯ又はＩＺＯから
なることを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装
置。
【請求項１５】前記電気的に接続する手段を介して、前
記第2の電極群のうち陰極の電極群と接続されるのは、
前記走査信号線であることを特徴とする請求項１３に記
載の液晶表示装置。
【請求項１６】前記電気的に接続する手段を介して、前
記第2の電極群のうち陽極の電極群と接続されるのは、
画素電極又は対向電極又は対向電圧信号線又は映像信号
線のいずれかであることを特徴とする請求項１３に記載
の液晶表示装置。
【請求項１７】前記基板の他方の側にはカラーフィルタ
ー及びブラックマトリクスが形成されており、前記第２
の電極群は前記他方の基板の液晶層側に形成されている
ことを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】前記他方の基板の液晶層側に形成される
第２の電極群は、前記表示領域の外で前記電気的に接続
する手段を介して、前記第1の電極群のいずれかに接続
されてなることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表
示装置。
【請求項１９】前記第２の電極群は前記複数の画素の各
画素ごとに少なくとも１つ形成されていることを特徴と
する請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】前記第２の電極群は前記複数の画素の各
画素ごとに複数個設けられていることを特徴とする請求
項に記載１３の液晶表示装置。
【請求項２１】一対の基板面に形成された配向膜を介し
て挟まれた液晶層と、該基板の一方の側に複数の走査信
号線と映像信号線によってマトリクス状に複数の画素が
形成された液晶表示装置において、前記複数の各画素
は、前記一対の基板の一方の基板に形成され、前記走査
信号線の走査信号に基づいて、前記映像信号線の映像信
号が薄膜トランジスタを介して供給される画素電極と、
前記一対の基板の一方の基板に形成され、対向電圧信号
線を介して対向電圧が供給される対向電極を有し、前記
一方の基板と前記配向膜の間に形成された保護膜と少な
くとも前記映像信号線と前記画素電極は前記一方の基板
と保護膜との間に形成され、前記走査信号線又は前記対
向電圧信号線又は前記対向電極のうちのいずれかは、前
記配向膜と保護膜との間に形成され、前記配向膜と前記
保護膜の間に陰極と陽極の一方又は双方からなるITO又
はIZOを含有する部材が前記複数の画素内に少なくとも
１つ形成され、前記陰極と陽極の一方又は双方からなる
電極又は配線は、電気的に接続する手段を介して、前記
一方の基板と保護膜との間に形成されたいずれかの信号
線又は電極に接続されてなることを特徴とする液晶表示
装置。
【請求項２２】配向膜が被覆された一対の基板と、前記
一対の基板の少なくとも配向膜が形成された側に挟まれ
た液晶層と、前記配向膜の下に形成された保護膜と、前
記一対の基板の一方と前記保護膜の間に形成される複数
の走査信号線と、前記一対の基板の一方と前記保護膜の
間に形成され、前記走査信号線とマトリクス状に交差す
る複数の映像信号線と、前記複数の走査信号線及び映像
信号線で囲まれる領域に形成される複数の画素と、前記
複数の画素は、前記一対の基板の一方と前記保護膜の間
に形成される少なくとも一対の画素電極と対向電極と、
を有する液晶表示装置において、前記各画素は、前記配
向膜と前記保護膜の間に金属原子を含む層が形成され、
前記走査信号線、画素電極、対向電極、又は前記映像信
号線のうちのいずれかは、電気的に接続する手段を介し
て前記金属原子を含む層と接続されることを特徴とする
液晶表示装置。
【請求項２３】前記電気的に接続する手段を介して、前
記金属原子を含む層と接続されるのは、前記走査信号線
であることを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装
置。
【請求項２４】前記電気的に接続する手段を介して、前
記金属原子を含む層と接続されるのは、対向電極、又は
前記対向電極に接続され前記対向電極に対向電圧を印加
する対向電圧信号線のいずれかであることを特徴とする
請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】前記電気的に接続する手段を介して、前
記金属原子を含む層と接続されるのは、画素電極である
ことを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】前記金属原子を含む層は、前記走査信号
線、画素電極、対向電極、対向電圧信号線又は映像信号
線のいずれかと、前記保護膜を介してその一部又は全部
がオーバーラップすることを特徴とする請求項２２に記
載の液晶表示装置。
【請求項２７】前記電気的に接続する手段は、前記基板
の深さ方向に形成された部分と、前記基板の平面方向に
形成された部分とからなることを特徴とする請求項２２
に記載の液晶表示装置。
【請求項２８】前記保護膜はSiNxとSiOxのいずれかを含
む無機材料からなることを特徴とする請求項２２に記載
の液晶表示装置。
【請求項２９】前記保護膜はアクリル樹脂、エポキシ、
ポリイミドのいずれかを含む有機材料からなることを特
徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項３０】前記金属原子を含む層は前記複数の画素
の各画素ごとに少なくとも１つ形成されていることを特
徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項３１】前記金属原子を含む層は前記複数の画素
の各画素ごとに複数個設けられていることを特徴とする
請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項３２】前記画素電極が情報を保持している状態
において、前記画素電極と前記映像信号線の電圧の直流
成分の電位の差が１Ｖ以内であることを特徴とする請求
項１、１１、１３、２１、２２に記載の液晶表示装置の
駆動方法。
【請求項３３】前記画素電極が情報を保持している状態
において、前記画素電極と前記映像信号線の電圧の直流
成分の電位の差が０．５Ｖ以内であることを特徴とする
請求項１、１１、１３、２１、２２に記載の液晶表示装
置の駆動方法。
【請求項３４】薄膜トランジスタによって画素電極を駆
動する液晶表示装置の駆動方法において、前記走査信号
線の走査電圧が、３値以上の電位によって、駆動される
ことを特徴とする請求項１、１１、１３、２１、２２に
記載の液晶表示装置の駆動方法。
【請求項３５】薄膜トランジスタによって画素電極を駆
動する液晶表示装置の駆動方法において、前記画素電極
には、第１の容量（Ｃａｄｄ）が付加されており、前記
画素電極に信号電圧が供給された状態が終了し、薄膜ト
ランジスタがオフ状態になった後に走査電圧を変化さ
せ、前記第１の容量（Ｃａｄｄ）による容量結合によっ
て、前記画素電極の電位を補正することを特徴とする請
求項３４に記載の液晶表示装置の駆動方法。
【請求項３６】前記画素電極は、第2の容量（Ｃｓｔ
ｇ）が更に付加されていることを特徴とする請求項に記
載３５の液晶表示装置の駆動方法。
【請求項３７】一対の基板に挟持された液晶層と、該基
板の一方の側にマトリクス状に複数の画素が形成された
液晶表示装置において、前記複数の画素が形成される側
の基板には映像を表示するための第1の電極群及び配線
群が形成され、前記液晶層と前記第1の電極群及び配線
群の間には保護膜が形成され、前記保護膜と液晶層の間
に陰極と陽極からなる第２の電極対又は配線対が前記複
数の画素内に少なくとも１対形成されてなることを特徴
とする液晶表示装置。
【請求項３８】前記第1の電極群及び配線群は、コンタ
クトホールを介して、前記陰極と陽極からなる第２の電
極対又は配線対と接続される請求項３７記載の液晶表示
装置において、前記陰極の第2の電極又は配線は、前記
第1の電極群及び配線群のうちの前記走査信号線と接続
され、前記陽極の第2の電極又は配線は、前記第1の電極
群及び配線群のうちの前記画素電極又は対向電極又は対
向電圧信号線又は映像信号線のいずれかと接続されるこ
とを特徴とする請求項３７に記載の液晶表示装置。
【請求項３９】一対の基板に挟持された液晶層と、前記
基板の液晶層側に形成された配向膜と、前記配向膜と前
記一対の基板の一方との間に形成された保護膜と、前記
保護膜と前記一対の基板の一方との間に形成された第1
の電極群及び配線群を有する液晶表示装置において、前
記保護膜と前記配向膜の間には第２の電極又は配線が前
記複数の画素内に少なくとも１つ形成され、かつ前記保
護膜と前記配向膜の間には前記第２の電極に印加される
電圧とは異なる電圧が印加される第３の電極又は配線が
前記複数の画素内に少なくとも１つ形成されてなること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項４０】前記第1の電極群及び配線群は、走査信
号線、映像信号線、画素電極、対向電極、対向電圧信号
線であり、前記第２の電極又は配線は、スルーホールを
介して前記走査信号線に接続され、前記第３の電極又は
配線は、スルーホールを介して前記映像信号線、前記画
素電極、前記対向電極、前記対向電圧信号線のいずれか
に接続されることを特徴とする請求項３９に記載の液晶
表示装置。
【請求項４１】前記第３の電極又は配線は前記複数の画
素の各画素ごとに少なくとも１つ形成されていることを
特徴とする請求項３７又は３９に記載の液晶表示装置。
【請求項４２】前記第３の電極又は配線は前記複数の画
素の各画素ごとに複数個設けられていることを特徴とす
る請求項３７又は３９に記載の液晶表示装置。