JP2000338462A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2000338462A JP2000338462A JP11148245A JP14824599A JP2000338462A JP 2000338462 A JP2000338462 A JP 2000338462A JP 11148245 A JP11148245 A JP 11148245A JP 14824599 A JP14824599 A JP 14824599A JP 2000338462 A JP2000338462 A JP 2000338462A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 開口率の向上を図る。
【解決手段】 液晶の光透過領域を間にして配置される
画素電極と対向電極とを備え、対向電極に変動する電圧
を印加するとともに、この変動する電圧を基準電圧とし
て画素電極に映像信号を供給する。
画素電極と対向電極とを備え、対向電極に変動する電圧
を印加するとともに、この変動する電圧を基準電圧とし
て画素電極に映像信号を供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置
に関する。
り、特に、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】横電界方式と称される液晶表示装置は、
液晶を介して対向配置される各透明基板のうち一方の透
明基板の液晶側の面の各画素領域に、互いに離間されて
配置される画素電極と対向電極との間に電界を発生せし
めて、該各電極の間を通過する光の透過率を制御するよ
うに構成されている。そして、各画素における対向電極
は、互いに共通接続されて一定の電圧が印加されるよう
になっているとともに、各画素における画素電極はスイ
ッチング素子を介し該対向電極に印加されている電圧を
基準電圧とした階調に対応する信号電圧が印加されるよ
うになっている。
液晶を介して対向配置される各透明基板のうち一方の透
明基板の液晶側の面の各画素領域に、互いに離間されて
配置される画素電極と対向電極との間に電界を発生せし
めて、該各電極の間を通過する光の透過率を制御するよ
うに構成されている。そして、各画素における対向電極
は、互いに共通接続されて一定の電圧が印加されるよう
になっているとともに、各画素における画素電極はスイ
ッチング素子を介し該対向電極に印加されている電圧を
基準電圧とした階調に対応する信号電圧が印加されるよ
うになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の液晶表示装置は、その各画素において、画素
電極と対向電極が複数形成され、互いに対向して配置さ
れる画素電極と対向電極とを複数ペア備えるようにして
形成されている。
うな構成の液晶表示装置は、その各画素において、画素
電極と対向電極が複数形成され、互いに対向して配置さ
れる画素電極と対向電極とを複数ペア備えるようにして
形成されている。
【０００４】互いに対向して配置される画素電極と対向
電極との間の距離をある値以下に狭める必要からこのよ
うな配置をせざる得なかったためである。画素電極およ
び対向電極にそれぞれ電圧信号を供給するドライバの最
大出力電圧値が制約されているのにも拘らず、それらの
電極の間に発生する電界の最大強度をある値に確保せん
がためである。
電極との間の距離をある値以下に狭める必要からこのよ
うな配置をせざる得なかったためである。画素電極およ
び対向電極にそれぞれ電圧信号を供給するドライバの最
大出力電圧値が制約されているのにも拘らず、それらの
電極の間に発生する電界の最大強度をある値に確保せん
がためである。
【０００５】このことから、各画素において画素電極お
よび対向電極の占める面積が大きくなり、これら各電極
の形成領域は光透過領域とならないことから、いわゆる
開口率が大きく確保できないという不都合が指摘されて
いた。
よび対向電極の占める面積が大きくなり、これら各電極
の形成領域は光透過領域とならないことから、いわゆる
開口率が大きく確保できないという不都合が指摘されて
いた。
【０００６】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、開口率の向上を図った液
晶表示装置を提供することにある。
れたものであり、その目的は、開口率の向上を図った液
晶表示装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【０００８】すなわち、本発明による液晶表示装置は、
基本的には、液晶の光透過領域を間にして配置される画
素電極と対向電極とを備え、対向電極に変動する電圧を
印加するとともに、この変動する電圧を基準電圧として
画素電極に映像信号を供給することを特徴とするもので
ある。
基本的には、液晶の光透過領域を間にして配置される画
素電極と対向電極とを備え、対向電極に変動する電圧を
印加するとともに、この変動する電圧を基準電圧として
画素電極に映像信号を供給することを特徴とするもので
ある。
【０００９】このように構成した場合、画素電極と対向
電極との間に印加できる電圧の差は、該画素電極あるい
は対向電圧に印加できる電圧の最大レベルとほぼ等しく
でき、従来よりも大きくすることができる。
電極との間に印加できる電圧の差は、該画素電極あるい
は対向電圧に印加できる電圧の最大レベルとほぼ等しく
でき、従来よりも大きくすることができる。
【００１０】このことは、各画素に配置される画素電極
と対向電極は、その離間距離を大きくとれ、各画素当た
りの占有面積を小さくすることができる。このため、開
口率を向上させることができるようになる。
と対向電極は、その離間距離を大きくとれ、各画素当た
りの占有面積を小さくすることができる。このため、開
口率を向上させることができるようになる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 〔実施例１〕構成 図１は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構
成図である。同図は、横電界方式の液晶表示装置の液晶
を介して互いに対向配置される一対の透明基板のうち一
方の透明基板（いわゆるＴＦＴ基板と称される）の液晶
側の一画素（図中点線で囲まれる部分）およびその近傍
領域を示した平面図である。
の実施例を図面を用いて説明をする。 〔実施例１〕構成 図１は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構
成図である。同図は、横電界方式の液晶表示装置の液晶
を介して互いに対向配置される一対の透明基板のうち一
方の透明基板（いわゆるＴＦＴ基板と称される）の液晶
側の一画素（図中点線で囲まれる部分）およびその近傍
領域を示した平面図である。
【００１２】同図において、透明基板１があり、その透
明基板１の表面には図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設さ
れる走査信号線２が例えばクロム層で形成されている。
そして、該透明基板１の表面の全域には前記走査信号線
２をも被って例えばＳｉＮ膜からなる絶縁膜３が形成さ
れている。
明基板１の表面には図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設さ
れる走査信号線２が例えばクロム層で形成されている。
そして、該透明基板１の表面の全域には前記走査信号線
２をも被って例えばＳｉＮ膜からなる絶縁膜３が形成さ
れている。
【００１３】この絶縁膜３は、後述の第１信号線５Ａお
よび第２信号線５Ｂの走査信号線２に対する層間絶縁膜
としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成
領域においてはゲート絶縁膜としての機能を、後述の蓄
積容量素子Ｃｓｔｇの形成領域においては誘電体膜とし
ての機能を有するようになっている。
よび第２信号線５Ｂの走査信号線２に対する層間絶縁膜
としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成
領域においてはゲート絶縁膜としての機能を、後述の蓄
積容量素子Ｃｓｔｇの形成領域においては誘電体膜とし
ての機能を有するようになっている。
【００１４】一画素の領域内における前記絶縁膜３を介
する走査信号線２上には２個の薄膜トランジスタＴＦＴ
１、ＴＦＴ２が形成され、これら各薄膜トランジタＴＦ
Ｔ１、ＴＦＴ２は前記走査信号線２の一部をゲート電極
とするとともに前記絶縁膜３をゲート絶縁膜としてい
る。
する走査信号線２上には２個の薄膜トランジスタＴＦＴ
１、ＴＦＴ２が形成され、これら各薄膜トランジタＴＦ
Ｔ１、ＴＦＴ２は前記走査信号線２の一部をゲート電極
とするとともに前記絶縁膜３をゲート絶縁膜としてい
る。
【００１５】各薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２は
画素の左側および右側にそれぞれ位置づけられ、その個
所における該絶縁膜３上に例えばａ−Ｓｉからなる半導
体層４Ａ、４Ｂが形成され、さらに、その半導体層４
Ａ、４Ｂの表面にそれぞれドレイン電極およびソース電
極が形成されることによって、逆スタガ構造のＭＩＳ型
トランジスタとして構成されている。
画素の左側および右側にそれぞれ位置づけられ、その個
所における該絶縁膜３上に例えばａ−Ｓｉからなる半導
体層４Ａ、４Ｂが形成され、さらに、その半導体層４
Ａ、４Ｂの表面にそれぞれドレイン電極およびソース電
極が形成されることによって、逆スタガ構造のＭＩＳ型
トランジスタとして構成されている。
【００１６】そして、それぞれの薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ１、ＴＦＴ２の各電極は、その一部が第１信号線５Ａ
（映像信号線）および第２信号線５Ｂ（対向電圧信号
線）とともに形成され、他の一部は第２電極６Ｂ（対向
電極）とともに形成されるようになっている。
Ｔ１、ＴＦＴ２の各電極は、その一部が第１信号線５Ａ
（映像信号線）および第２信号線５Ｂ（対向電圧信号
線）とともに形成され、他の一部は第２電極６Ｂ（対向
電極）とともに形成されるようになっている。
【００１７】すなわち、画素の領域の図中左側にｙ方向
に延在する第１信号線５Ａ（映像信号線）が例えばクロ
ム層によって形成され、その一部が半導体層４Ａの表面
まで延在されて薄膜トランジスタＴＦＴ１のドレイン電
極が形成されている。
に延在する第１信号線５Ａ（映像信号線）が例えばクロ
ム層によって形成され、その一部が半導体層４Ａの表面
まで延在されて薄膜トランジスタＴＦＴ１のドレイン電
極が形成されている。
【００１８】なお、ソース、ドレインは本来そのバイア
ス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の回路
ではその極性は動作中反転するので、ソース、ドイレン
は動作中入れ替わる。しかし、以下の説明では便宜上一
方をソース、他方をドレインと固定して表現する。
ス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の回路
ではその極性は動作中反転するので、ソース、ドイレン
は動作中入れ替わる。しかし、以下の説明では便宜上一
方をソース、他方をドレインと固定して表現する。
【００１９】また、前記第１信号線５Ａ（映像信号線）
の形成と同時に、前記半導体層面にソース電極６Ｓおよ
びこのソース電極６Ｓから延在される第１電極６Ａ（画
素電極）とが形成されるようになっている。
の形成と同時に、前記半導体層面にソース電極６Ｓおよ
びこのソース電極６Ｓから延在される第１電極６Ａ（画
素電極）とが形成されるようになっている。
【００２０】この第１電極６Ａ（画素電極）は、後述す
る第２電極６Ｂ（対向電極）との間に透明基板１と平行
に電界を発生せしめる電極で、第１信号線５Ａ（映像信
号線）隣接されて平行に延在され、その後、その延在端
は走査信号線２と隣接されて平行に延在するように屈曲
されている。
る第２電極６Ｂ（対向電極）との間に透明基板１と平行
に電界を発生せしめる電極で、第１信号線５Ａ（映像信
号線）隣接されて平行に延在され、その後、その延在端
は走査信号線２と隣接されて平行に延在するように屈曲
されている。
【００２１】第１電極６Ａ（画素電極）の屈曲された延
在端は後述する蓄積容量素子Ｃｓｔｇの一方の電極を構
成するようになっている。
在端は後述する蓄積容量素子Ｃｓｔｇの一方の電極を構
成するようになっている。
【００２２】また、第１信号線５Ａ（映像信号線）の形
成と同時に、画素領域の図中右側にｙ方向に延在する第
２信号線５Ｂ（対向電圧信号線）が形成されている。こ
の第２信号線５Ｂにおいてその線幅の値は制限されない
が第１信号線５Ａの線幅と同一であることが好ましい。
成と同時に、画素領域の図中右側にｙ方向に延在する第
２信号線５Ｂ（対向電圧信号線）が形成されている。こ
の第２信号線５Ｂにおいてその線幅の値は制限されない
が第１信号線５Ａの線幅と同一であることが好ましい。
【００２３】そして、この第２信号線５Ｂ（対向電圧信
号線）は、その一部が薄膜トランジスタＴＦＴ２の半導
体層４Ｂの表面にまで延在されて該薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２のドレイン電極が構成されている。
号線）は、その一部が薄膜トランジスタＴＦＴ２の半導
体層４Ｂの表面にまで延在されて該薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２のドレイン電極が構成されている。
【００２４】さらに、このドレイン電極の形成の際にソ
ース電極６Ｓ’も形成されるようになっている。この場
合のソース電極６Ｓ’は、後の説明で明らかになるよう
に第２電極６Ｂ（対向電極）に接続されるようになって
いるが、該第２電極６Ｂ（対向電極）とは層が異なるた
め該第２電極６Ｂとのコンタクトを図るに充分な面積を
有する電極として形成されるようになっている。
ース電極６Ｓ’も形成されるようになっている。この場
合のソース電極６Ｓ’は、後の説明で明らかになるよう
に第２電極６Ｂ（対向電極）に接続されるようになって
いるが、該第２電極６Ｂ（対向電極）とは層が異なるた
め該第２電極６Ｂとのコンタクトを図るに充分な面積を
有する電極として形成されるようになっている。
【００２５】なお、薄膜トランジスタＴＦＴ１およびＴ
ＦＴ２は走査信号線２に走査信号が供給される際に同時
にオンされるトランジスタとなっており、この実施例で
は、そのいずれにおいてもｎチャネル型のＭＩＳ型トラ
ンジスタとなっている。
ＦＴ２は走査信号線２に走査信号が供給される際に同時
にオンされるトランジスタとなっており、この実施例で
は、そのいずれにおいてもｎチャネル型のＭＩＳ型トラ
ンジスタとなっている。
【００２６】すなわち、各薄膜トランジスタＴＦＴ１、
ＴＦＴ２の各半導体層４Ａ、４Ｂは、その表面にｎ型の
不純物がドーピングされてｎ型不純物層が形成され、ド
レイン電極およびソース電極を形成した後に、それらの
電極から露出しているｎ型不純物層が前記各電極をマス
クとしてエッチングされるようになっており、該ｎ型不
純物層はオーミック層として各電極と半導体層の界面の
みに形成された構造となっている。
ＴＦＴ２の各半導体層４Ａ、４Ｂは、その表面にｎ型の
不純物がドーピングされてｎ型不純物層が形成され、ド
レイン電極およびソース電極を形成した後に、それらの
電極から露出しているｎ型不純物層が前記各電極をマス
クとしてエッチングされるようになっており、該ｎ型不
純物層はオーミック層として各電極と半導体層の界面の
みに形成された構造となっている。
【００２７】そして、薄膜トランジスタＴＦＴ２におい
てそのパターンは制限されないが薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ１のパターンと同一であることが好ましい。すなわ
ち、それぞれの薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２の
チャネル幅およびチャネル長、さらには各電極における
半導体層との重畳面積等が等しい（寄生容量が等しくな
ることを意味する）ことが好ましい。
てそのパターンは制限されないが薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ１のパターンと同一であることが好ましい。すなわ
ち、それぞれの薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２の
チャネル幅およびチャネル長、さらには各電極における
半導体層との重畳面積等が等しい（寄生容量が等しくな
ることを意味する）ことが好ましい。
【００２８】このようにする理由は、第１信号線５Ａか
ら薄膜トランジスタＴＦＴ１を介して第１電極６Ａに印
加する信号の経路の条件（抵抗、容量）と、第２信号線
５Ｂから薄膜トランジスタＴＦＴ２を介して第２電極６
Ｂに印加する信号の経路の条件とをほぼ等しくし、これ
によって、信号の波形歪等の影響をほぼ同じようにする
ためである。
ら薄膜トランジスタＴＦＴ１を介して第１電極６Ａに印
加する信号の経路の条件（抵抗、容量）と、第２信号線
５Ｂから薄膜トランジスタＴＦＴ２を介して第２電極６
Ｂに印加する信号の経路の条件とをほぼ等しくし、これ
によって、信号の波形歪等の影響をほぼ同じようにする
ためである。
【００２９】さらに、このように加工された透明基板１
の表面には、その全域（少なくとも各画素の集合体であ
る表示領域内）にわたって、例えばＳｉＮ膜からなる保
護膜７が形成されている。
の表面には、その全域（少なくとも各画素の集合体であ
る表示領域内）にわたって、例えばＳｉＮ膜からなる保
護膜７が形成されている。
【００３０】この保護膜７は、上述した膜膜トランジス
タＴＦＴ１、ＴＦＴ２の液晶との直接の接触を回避させ
て、その特性が液晶によって劣化されるのを防止する機
能等を有するものである。
タＴＦＴ１、ＴＦＴ２の液晶との直接の接触を回避させ
て、その特性が液晶によって劣化されるのを防止する機
能等を有するものである。
【００３１】この場合、保護膜７は薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２のソース電極６Ｓ’の形成部分においてコンタク
ト孔が形成されたものとなっている。すなわち、ソース
電極６Ｓ’は該コンタクト孔を通して保護膜７上に形成
される第２電極６Ｂ（対向電極）に接続されるようにな
っている。
ＦＴ２のソース電極６Ｓ’の形成部分においてコンタク
ト孔が形成されたものとなっている。すなわち、ソース
電極６Ｓ’は該コンタクト孔を通して保護膜７上に形成
される第２電極６Ｂ（対向電極）に接続されるようにな
っている。
【００３２】この第２電極６Ｂは例えばクロム層で形成
され、第２信号線５Ｂ（対向電圧信号線）に平行に隣接
されて延在され、その後、その延在端は走査信号線２と
隣接されて平行に延在するように屈曲されている。
され、第２信号線５Ｂ（対向電圧信号線）に平行に隣接
されて延在され、その後、その延在端は走査信号線２と
隣接されて平行に延在するように屈曲されている。
【００３３】なお、この第２電極はＩＴＯ（Indium-Tin
-Oxide）膜で形成するようにしてもよいことはいうまで
もない。横電界方式の液晶表示装置において、ＩＴＯ膜
は、上述した走査信号線２あるいは他の信号線の信号供
給端子においてその部分の電食等を回避するため、該端
子に重ねて形成されているのが通常である。このため、
このＩＴＯ膜の形成時において同時に第２電極６Ｂを形
成することによって製造工程の増大を回避できる効果を
奏する。
-Oxide）膜で形成するようにしてもよいことはいうまで
もない。横電界方式の液晶表示装置において、ＩＴＯ膜
は、上述した走査信号線２あるいは他の信号線の信号供
給端子においてその部分の電食等を回避するため、該端
子に重ねて形成されているのが通常である。このため、
このＩＴＯ膜の形成時において同時に第２電極６Ｂを形
成することによって製造工程の増大を回避できる効果を
奏する。
【００３４】第２電極６Ｂ（対向電極）の屈曲された延
在端は前記第１電極６Ａ（画素電極）の屈曲された延在
端と保護膜７を介して重畳されて形成され、該保護膜７
を誘電体膜とする蓄積容量素子Ｃｓｔｇの他方の電極を
構成するようになっている。
在端は前記第１電極６Ａ（画素電極）の屈曲された延在
端と保護膜７を介して重畳されて形成され、該保護膜７
を誘電体膜とする蓄積容量素子Ｃｓｔｇの他方の電極を
構成するようになっている。
【００３５】この蓄積容量素子Ｃｓｔｇは、薄膜トラン
ジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２の各オフ時においてそれまで
蓄積された信号電圧を比較的長く保持するため等の機能
を有するものである。
ジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２の各オフ時においてそれまで
蓄積された信号電圧を比較的長く保持するため等の機能
を有するものである。
【００３６】そして、このように加工された透明基板の
表面の全域（少なくとも各画素の集合体である表示領域
内）には配向膜（図示せず）が形成され、この配向膜に
直接に当接する液晶の初期配向方向を決定できるように
なっている。このように形成されたＴＦＴ基板は液晶を
介していわゆるフィルタ基板と対向配置されて組み立て
られるようになっている。
表面の全域（少なくとも各画素の集合体である表示領域
内）には配向膜（図示せず）が形成され、この配向膜に
直接に当接する液晶の初期配向方向を決定できるように
なっている。このように形成されたＴＦＴ基板は液晶を
介していわゆるフィルタ基板と対向配置されて組み立て
られるようになっている。
【００３７】フィルタ基板には、各画素領域を画するよ
うにして形成されるブラックマトリックス、このブラッ
クマトリックスの開口部に形成されるカラー（赤、緑、
青）フィルタ、および液晶に当接して形成される配向膜
等が形成されるようになっている。
うにして形成されるブラックマトリックス、このブラッ
クマトリックスの開口部に形成されるカラー（赤、緑、
青）フィルタ、および液晶に当接して形成される配向膜
等が形成されるようになっている。
【００３８】そして、第１信号線５Ａ（映像信号線）か
ら映像信号が薄膜トランジスタＴＦＴ１を介して第１電
極６Ａ（画素電極）に供給されるとともに、第２信号線
５Ｂ（対向電圧信号線）から対向電圧信号が薄膜トラン
ジスタＴＦＴ２を介して第２電極６Ｂ（対向電極）に供
給されるようになっている。
ら映像信号が薄膜トランジスタＴＦＴ１を介して第１電
極６Ａ（画素電極）に供給されるとともに、第２信号線
５Ｂ（対向電圧信号線）から対向電圧信号が薄膜トラン
ジスタＴＦＴ２を介して第２電極６Ｂ（対向電極）に供
給されるようになっている。
【００３９】これにより、第１電極６Ａ（画素電極）と
第２電極６Ｂ（対向電極）との間に透明基板１と平行に
電界が発生し、この電界の強度に応じて液晶の光透過率
を制御するようになっている。
第２電極６Ｂ（対向電極）との間に透明基板１と平行に
電界が発生し、この電界の強度に応じて液晶の光透過率
を制御するようになっている。
【００４０】このような構成は、いわゆる横電界方式と
称され、液晶の光透過領域を間にして第１電極および第
２電極が配置され、また、換言すれば、液晶の光透過方
向にほぼ直交する方向に電界を生じせしめる構成に特徴
を有する。
称され、液晶の光透過領域を間にして第１電極および第
２電極が配置され、また、換言すれば、液晶の光透過方
向にほぼ直交する方向に電界を生じせしめる構成に特徴
を有する。
【００４１】なお、上述した実施例では、一画素におい
て、第１電極６Ａ（画素電極）および第２電極６Ｂ（対
向電極）はそれぞれ一つ設けられたものである。しか
し、これに限定されることはなく、それ以上の数であっ
て、それらが例えば櫛歯状に配列されていてもよいこと
はもちろんである。
て、第１電極６Ａ（画素電極）および第２電極６Ｂ（対
向電極）はそれぞれ一つ設けられたものである。しか
し、これに限定されることはなく、それ以上の数であっ
て、それらが例えば櫛歯状に配列されていてもよいこと
はもちろんである。
【００４２】本発明による課題は各電極の占有面積を減
少させて開口率を向上することにあるが、液晶表示装置
に用いられるドライバの設定された最大出力電圧の関係
で各電極の間の距離をいかに大きくできるかということ
に本来的な目的があるからである。
少させて開口率を向上することにあるが、液晶表示装置
に用いられるドライバの設定された最大出力電圧の関係
で各電極の間の距離をいかに大きくできるかということ
に本来的な目的があるからである。
【００４３】また、上述した実施例では、第１信号線５
Ａを映像信号線、第１電極６Ａを画素電極とするととも
に、第２信号線５Ｂを対向電圧信号線、第２電極６Ｂを
対向電極としたものである。しかし、第２信号線５Ｂを
映像信号線、第２電極６Ｂを画素電極とするとともに、
第１信号線５Ａを対向電圧信号線、第１電極６Ａを対向
電極とするようにしても同様であることはいうまでもな
い。
Ａを映像信号線、第１電極６Ａを画素電極とするととも
に、第２信号線５Ｂを対向電圧信号線、第２電極６Ｂを
対向電極としたものである。しかし、第２信号線５Ｂを
映像信号線、第２電極６Ｂを画素電極とするとともに、
第１信号線５Ａを対向電圧信号線、第１電極６Ａを対向
電極とするようにしても同様であることはいうまでもな
い。
【００４４】駆動形態 図２は、上述した液晶表示装置の画素電極に印加される
電圧信号（実線Ｄ１）と対向電圧に印加される電圧信号
（点線Ｄ２）との関係を示したグラフで、同図（ａ）は
画素電極と対向電極との間の電圧がハイの場合、同図
（ｂ）は画素電極と対向電極との間の電圧がロウの場合
を示している。
電圧信号（実線Ｄ１）と対向電圧に印加される電圧信号
（点線Ｄ２）との関係を示したグラフで、同図（ａ）は
画素電極と対向電極との間の電圧がハイの場合、同図
（ｂ）は画素電極と対向電極との間の電圧がロウの場合
を示している。
【００４５】なお、各図において、液晶分子の分極を防
止するため、画素電極と対向電極とに印加される電圧の
ハイレベル側を順次入れ替えるいわゆる交流駆動を行っ
ている。
止するため、画素電極と対向電極とに印加される電圧の
ハイレベル側を順次入れ替えるいわゆる交流駆動を行っ
ている。
【００４６】すなわち、例えば、（ａ）に示す画素電極
と対向電極との間の電圧がハイの場合、画素電極に印加
される電圧信号は薄膜トランジスタＴＦＴ１を介してハ
イレベル（最大出力レベル）になった後にロウレベル
（最小出力レベル）に切り替えられるようになってい
る。
と対向電極との間の電圧がハイの場合、画素電極に印加
される電圧信号は薄膜トランジスタＴＦＴ１を介してハ
イレベル（最大出力レベル）になった後にロウレベル
（最小出力レベル）に切り替えられるようになってい
る。
【００４７】また、この場合、対向電極に印加される電
圧信号は薄膜トランジスタＴＦＴ２を介してロウレベル
（最小出力レベル）になった後にハイレベル（最大出力
レベル）に切り替えられるようになっている。
圧信号は薄膜トランジスタＴＦＴ２を介してロウレベル
（最小出力レベル）になった後にハイレベル（最大出力
レベル）に切り替えられるようになっている。
【００４８】このことは、画素電極に電圧信号を供給す
る駆動回路（ドライバ）および対向電極に電圧信号を供
給する駆動回路（ドライバ）のそれぞれの最大出力電圧
の幅がＶ１、Ｖ２（Ｖ１＝Ｖ２）であり、ドライバの最
大出力電圧と最小出力電圧の幅がＶ２である場合、画素
電極と対向電極との間にはその最大値としてＶ（＝Ｖ１
＝Ｖ２）の電圧を印加できることになる。
る駆動回路（ドライバ）および対向電極に電圧信号を供
給する駆動回路（ドライバ）のそれぞれの最大出力電圧
の幅がＶ１、Ｖ２（Ｖ１＝Ｖ２）であり、ドライバの最
大出力電圧と最小出力電圧の幅がＶ２である場合、画素
電極と対向電極との間にはその最大値としてＶ（＝Ｖ１
＝Ｖ２）の電圧を印加できることになる。
【００４９】すなわち、画素電極と対向電圧との間にＶ
の電圧を印加した状態で液晶の光透過率を最大にできる
程度に該画素電極と対向電圧との間の離間距離を大きく
することができることを意味する。
の電圧を印加した状態で液晶の光透過率を最大にできる
程度に該画素電極と対向電圧との間の離間距離を大きく
することができることを意味する。
【００５０】これに対して、従来における液晶表示装置
の画素電極に印加される信号電圧（実線Ｄ）と対向電圧
に印加される信号電圧（点線）との関係を図２に対応し
て描かれた図３に示す。
の画素電極に印加される信号電圧（実線Ｄ）と対向電圧
に印加される信号電圧（点線）との関係を図２に対応し
て描かれた図３に示す。
【００５１】対向電極に印加される信号電圧は一定（コ
モン電位）となっており、この一定の信号電圧を基準電
圧として画素電極に反転される信号電圧が印加されるよ
うになっている。
モン電位）となっており、この一定の信号電圧を基準電
圧として画素電極に反転される信号電圧が印加されるよ
うになっている。
【００５２】このため、画素電極に電圧信号を供給する
ドライバの対向電極の電圧を基準とした正極性、負極性
それぞれの出力電圧Ｖ１、Ｖ２（Ｖ１＝Ｖ２）に対し、
ドライバの最大出力電圧と最小出力電圧の幅は、Ｖ１＋
Ｖ２＝Ｖとなるため、画素電極と対向電極との間にはそ
の最大値としてＶ／２の電圧しか印加できないことにな
る。
ドライバの対向電極の電圧を基準とした正極性、負極性
それぞれの出力電圧Ｖ１、Ｖ２（Ｖ１＝Ｖ２）に対し、
ドライバの最大出力電圧と最小出力電圧の幅は、Ｖ１＋
Ｖ２＝Ｖとなるため、画素電極と対向電極との間にはそ
の最大値としてＶ／２の電圧しか印加できないことにな
る。
【００５３】効果 上述の駆動形態から明らかになるように、画素電極と対
向電極との間に印加できる電圧を従来よりも大きくする
ことができ、これにより画素電極と対向電極との間の距
離を従来よりも大きくすることができるようになる。
向電極との間に印加できる電圧を従来よりも大きくする
ことができ、これにより画素電極と対向電極との間の距
離を従来よりも大きくすることができるようになる。
【００５４】このことは、一画素内に配置される画素電
極と対向電極の数を減少させるできることを意味する。
このため、画素電極と対向電極の一画素内における占有
面積を小さくすることができ、開口率の向上を図ること
ができるようになる。
極と対向電極の数を減少させるできることを意味する。
このため、画素電極と対向電極の一画素内における占有
面積を小さくすることができ、開口率の向上を図ること
ができるようになる。
【００５５】図４（ａ）は、本発明による液晶表示装置
の開口率の向上を従来の液晶表示装置と比較して示した
グラフを示している。このグラフによれば、その横軸に
画素ピッチ（μｍ）を縦軸に開口率（％）が示され、該
画素ピッチが２５８μｍ以上になることにより従来より
も開口率の向上が図れることが判る。ここで、画素ピッ
チは、図４（ｂ）に示すように、カラー用の三原色を担
当する３個の隣接する画素のピッチを示している。
の開口率の向上を従来の液晶表示装置と比較して示した
グラフを示している。このグラフによれば、その横軸に
画素ピッチ（μｍ）を縦軸に開口率（％）が示され、該
画素ピッチが２５８μｍ以上になることにより従来より
も開口率の向上が図れることが判る。ここで、画素ピッ
チは、図４（ｂ）に示すように、カラー用の三原色を担
当する３個の隣接する画素のピッチを示している。
【００５６】また、上述したグラフを得るのに、映像信
号線の幅を８μｍ、走査信号線および対向電圧信号線の
各幅を３０μｍ、同層の信号線の離間距離ルールを６μ
ｍ以上、異層の信号線の離間距離を２μｍ以上、とし
た。また、画素電極と対向電極の幅をそれぞれ６μｍと
して、それらの離間距離を本発明の場合には最大３０μ
ｍに、従来の場合には最大１５μｍにした。
号線の幅を８μｍ、走査信号線および対向電圧信号線の
各幅を３０μｍ、同層の信号線の離間距離ルールを６μ
ｍ以上、異層の信号線の離間距離を２μｍ以上、とし
た。また、画素電極と対向電極の幅をそれぞれ６μｍと
して、それらの離間距離を本発明の場合には最大３０μ
ｍに、従来の場合には最大１５μｍにした。
【００５７】また、図５は、画素ピッチを２５８μｍ以
上にすることによって、それに応じて開口率の向上が大
きくなっていることを示すグラフである。図中、丸点で
示す特性は電極幅を一定とした場合であり、実線で示す
特性は電極幅を可変とした場合を示している。
上にすることによって、それに応じて開口率の向上が大
きくなっていることを示すグラフである。図中、丸点で
示す特性は電極幅を一定とした場合であり、実線で示す
特性は電極幅を可変とした場合を示している。
【００５８】さらに、図６は表示部の対角サイズにおけ
る画素ピッチ（開口率にほぼ対応している）を解像度が
ＶＧＡ、ＳＶＧＡ、ＸＧＡ、ＳＸＧＡ、ＵＸＧＡに応じ
て示したグラフである。
る画素ピッチ（開口率にほぼ対応している）を解像度が
ＶＧＡ、ＳＶＧＡ、ＸＧＡ、ＳＸＧＡ、ＵＸＧＡに応じ
て示したグラフである。
【００５９】同グラフから、画素ピッチが２５８以上で
あって、解像度がＶＧＡの場合に対角サイズが８．２イ
ンチ以上、解像度がＳＶＧＡの場合に対角サイズが１
０．２インチ以上、解像度がＸＧＡの場合に対角サイズ
が１３．０インチ以上、解像度がＳＸＧＡの場合に対角
サイズが１４．１インチ以上、解像度がＵＸＧＡの場合
に対角サイズが１６．８インチ以上とすることによっ
て、従来よりも開口率が向上できることが判明する。
あって、解像度がＶＧＡの場合に対角サイズが８．２イ
ンチ以上、解像度がＳＶＧＡの場合に対角サイズが１
０．２インチ以上、解像度がＸＧＡの場合に対角サイズ
が１３．０インチ以上、解像度がＳＸＧＡの場合に対角
サイズが１４．１インチ以上、解像度がＵＸＧＡの場合
に対角サイズが１６．８インチ以上とすることによっ
て、従来よりも開口率が向上できることが判明する。
【００６０】また、上述の駆動形態によれば、画素電極
と対向電極との間の電圧に直流成分が含まれていないこ
とから、映像信号線に接続されるドライバおよび対向電
圧信号線に接続されるドライバを同一のものとすること
によって、残像、あるいはフリッカ等が発生し難いよう
になっている。
と対向電極との間の電圧に直流成分が含まれていないこ
とから、映像信号線に接続されるドライバおよび対向電
圧信号線に接続されるドライバを同一のものとすること
によって、残像、あるいはフリッカ等が発生し難いよう
になっている。
【００６１】このため、たとえ薄膜トランジスタのオフ
時の該薄膜トランジスタのゲート．ソース間の寄生容量
Ｃｇｓによる飛込み電圧の発生に対しても、その影響が
少ないという効果を奏する。
時の該薄膜トランジスタのゲート．ソース間の寄生容量
Ｃｇｓによる飛込み電圧の発生に対しても、その影響が
少ないという効果を奏する。
【００６２】これに対して、従来の液晶表示装置は、薄
膜トランジスタのオフ時の該薄膜トランジスタの寄生容
量Ｃｇｓによる飛込み電圧の発生に対して映像信号の中
心がコモン電位に対してシフトし（図７にＶｘとして示
す）、その際の直流成分によって残像、あるいはフリッ
カ等が発生し易い状態にあった。
膜トランジスタのオフ時の該薄膜トランジスタの寄生容
量Ｃｇｓによる飛込み電圧の発生に対して映像信号の中
心がコモン電位に対してシフトし（図７にＶｘとして示
す）、その際の直流成分によって残像、あるいはフリッ
カ等が発生し易い状態にあった。
【００６３】〔実施例２〕図８は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す構成図で、図１と対応した図
となっている。図１の場合と異なる部分は、まず、第１
電極６Ａ（画素電極）は予め走査信号線２の形成と同時
（したがって同一の材料）に形成されるようになってい
る。
示装置の他の実施例を示す構成図で、図１と対応した図
となっている。図１の場合と異なる部分は、まず、第１
電極６Ａ（画素電極）は予め走査信号線２の形成と同時
（したがって同一の材料）に形成されるようになってい
る。
【００６４】そして、絶縁膜３を形成した後に、薄膜ト
ランジスタＴＦＴ２のソース電極から延在される第２電
極６Ｂ（対向電極）の形成と同時に、薄膜トランジスタ
ＴＦＴ１のソース電極と第１電極６Ａとの間に形成され
る導電層１０（対向電極と同一材料）によって接続が図
れるようになっている。
ランジスタＴＦＴ２のソース電極から延在される第２電
極６Ｂ（対向電極）の形成と同時に、薄膜トランジスタ
ＴＦＴ１のソース電極と第１電極６Ａとの間に形成され
る導電層１０（対向電極と同一材料）によって接続が図
れるようになっている。
【００６５】この場合の導電層１０は、走査信号線２あ
るいは他の信号線の信号供給端子に電食防止等のために
重ねて形成されるＩＴＯ膜と同時に形成されるＩＴＯ膜
とすることにより製造工数の増大を回避できるようにな
る。
るいは他の信号線の信号供給端子に電食防止等のために
重ねて形成されるＩＴＯ膜と同時に形成されるＩＴＯ膜
とすることにより製造工数の増大を回避できるようにな
る。
【００６６】このため、前記絶縁膜３は、薄膜トランジ
スタＴＦＴ１のソース電極の一部を露出させるコンタク
ト孔が形成されるようになっているとともに、第１電極
６Ａと第２電極６Ｂとの間に形成される蓄積容量素子Ｃ
ｓｔｇの誘電体膜となるようになっている。
スタＴＦＴ１のソース電極の一部を露出させるコンタク
ト孔が形成されるようになっているとともに、第１電極
６Ａと第２電極６Ｂとの間に形成される蓄積容量素子Ｃ
ｓｔｇの誘電体膜となるようになっている。
【００６７】〔実施例３〕図９は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す構成図で、図８と対応した図
となっている。同図において、第１電極６Ａ（画素電
極）が走査信号線２と同時に形成され絶縁膜３を介して
薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電極と接続を図って
いるのは図８の場合と同様である。
示装置の他の実施例を示す構成図で、図８と対応した図
となっている。同図において、第１電極６Ａ（画素電
極）が走査信号線２と同時に形成され絶縁膜３を介して
薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電極と接続を図って
いるのは図８の場合と同様である。
【００６８】しかし、第２電極は、保護膜７上に形成さ
れこの保護膜７に形成されたコンタクト孔を通して薄膜
トランジスタＴＦＴ２のソース電極６Ｓ’と接続されて
いる点が図８と異なっている。
れこの保護膜７に形成されたコンタクト孔を通して薄膜
トランジスタＴＦＴ２のソース電極６Ｓ’と接続されて
いる点が図８と異なっている。
【００６９】そして、ソース電極６Ｓ’は薄膜トランジ
スタＴＦＴ１のソース電極６Ｓと同時に形成され、その
材料は例えばＩＴＯ膜から構成されている。この場合、
蓄積容量素子Ｃｓｔｇの誘電体膜は絶縁膜３と保護膜７
との積層体となっている。
スタＴＦＴ１のソース電極６Ｓと同時に形成され、その
材料は例えばＩＴＯ膜から構成されている。この場合、
蓄積容量素子Ｃｓｔｇの誘電体膜は絶縁膜３と保護膜７
との積層体となっている。
【００７０】〔実施例４〕図１０は、上述した画素構成
を有する液晶表示装置において、第１信号線５Ａ（映像
信号線）および第２信号線５Ｂ（対向電圧信号線）にそ
れぞれ電圧信号を供給する場合の実施例について示した
ものである。
を有する液晶表示装置において、第１信号線５Ａ（映像
信号線）および第２信号線５Ｂ（対向電圧信号線）にそ
れぞれ電圧信号を供給する場合の実施例について示した
ものである。
【００７１】同図において、各走査信号線２の一端側に
は走査信号駆動回路１１が接続され、各第１信号線５Ａ
および第２信号線５Ｂの一端側には映像信号駆動回路１
２が接続されている。
は走査信号駆動回路１１が接続され、各第１信号線５Ａ
および第２信号線５Ｂの一端側には映像信号駆動回路１
２が接続されている。
【００７２】また、これら各駆動回路１１、１２は、画
像情報が入力されるコントローラ１３によって制御さ
れ、走査信号駆動回路１１からは各走査信号線２に順次
走査信号が供給されるとともに、そのタイミングに合わ
せて映像信号駆動回路１２からは各第１信号線５Ａおよ
び第２信号線５Ｂにそれぞれ映像信号および対向電圧信
号が供給されるようになっている。
像情報が入力されるコントローラ１３によって制御さ
れ、走査信号駆動回路１１からは各走査信号線２に順次
走査信号が供給されるとともに、そのタイミングに合わ
せて映像信号駆動回路１２からは各第１信号線５Ａおよ
び第２信号線５Ｂにそれぞれ映像信号および対向電圧信
号が供給されるようになっている。
【００７３】各画素において、第２信号線５Ｂに供給さ
れる対向電圧信号は、第１信号線５Ａに供給される映像
信号に対してドット反転された信号となっており、２ラ
イン毎に同一の階調データがコントローラから供給され
るようになっている。
れる対向電圧信号は、第１信号線５Ａに供給される映像
信号に対してドット反転された信号となっており、２ラ
イン毎に同一の階調データがコントローラから供給され
るようになっている。
【００７４】〔実施例５〕図１１は、上述した画素構成
を有する液晶表示装置において映像信号線および対向電
圧信号線にそれぞれ電圧信号を供給する場合の実施例に
ついて示したものであり、図１０と対応した図面となっ
ている。
を有する液晶表示装置において映像信号線および対向電
圧信号線にそれぞれ電圧信号を供給する場合の実施例に
ついて示したものであり、図１０と対応した図面となっ
ている。
【００７５】図１０と異なる部分は、第１信号線５Ａに
映像信号を供給する映像信号駆動回路１２Ａは該各第１
信号線５Ａの一端側に接続されているのに対して、第２
信号線５Ｂに対向電圧信号を供給する映像信号駆動回路
１２Ｂは該第２信号線５Ｂの他端側に接続されている。
映像信号を供給する映像信号駆動回路１２Ａは該各第１
信号線５Ａの一端側に接続されているのに対して、第２
信号線５Ｂに対向電圧信号を供給する映像信号駆動回路
１２Ｂは該第２信号線５Ｂの他端側に接続されている。
【００７６】このようにした場合、第１信号線５Ａおよ
び第２信号線５Ｂのそれぞれのピッチをそれらの駆動回
路１２Ａ、１２Ｂから観て一定にすることができ、引き
出し配線部での入力信号のアンバランスを防止できる効
果を奏するようにできる。
び第２信号線５Ｂのそれぞれのピッチをそれらの駆動回
路１２Ａ、１２Ｂから観て一定にすることができ、引き
出し配線部での入力信号のアンバランスを防止できる効
果を奏するようにできる。
【００７７】〔実施例６〕図１２は、上述した画素構成
を有する液晶表示装置において映像信号線および対向電
圧信号線にそれぞれ電圧信号を供給する場合の他の実施
例について示したものであり、図１０と対応した図面と
なっている。
を有する液晶表示装置において映像信号線および対向電
圧信号線にそれぞれ電圧信号を供給する場合の他の実施
例について示したものであり、図１０と対応した図面と
なっている。
【００７８】第２信号線５Ｂに供給される対向電圧信号
は、第１信号線５Ａに供給される映像信号に対して、ド
ット反転された信号となっていることに関しては図１０
の場合と同様であるが、それに隣接する画素側の第１信
号線５Ａに供給される映像信号は前記対向電圧信号と同
じ極性を有するよう駆動されるようになっている。
は、第１信号線５Ａに供給される映像信号に対して、ド
ット反転された信号となっていることに関しては図１０
の場合と同様であるが、それに隣接する画素側の第１信
号線５Ａに供給される映像信号は前記対向電圧信号と同
じ極性を有するよう駆動されるようになっている。
【００７９】すなわち、第１信号線、この第１信号線と
実質的な画素領域を間にして配置される第２信号線、こ
の第２信号線に近接して配置される第１信号線、この第
１信号線と実質的な画素領域を間にして配置される第２
信号線……という配置関係にあって、近接して配置され
る第２信号線と第１信号線にそれぞれ供給される対向電
圧信号と映像電圧信号とは互いにドット反転した関係を
回避し互いに同極性となるように駆動されるようになっ
ている。このようにした場合、隣接する第２信号線５Ｂ
と第１信号線５Ａにおいて一方の信号による他の信号へ
の悪影響を低減できる効果を奏するようになる。
実質的な画素領域を間にして配置される第２信号線、こ
の第２信号線に近接して配置される第１信号線、この第
１信号線と実質的な画素領域を間にして配置される第２
信号線……という配置関係にあって、近接して配置され
る第２信号線と第１信号線にそれぞれ供給される対向電
圧信号と映像電圧信号とは互いにドット反転した関係を
回避し互いに同極性となるように駆動されるようになっ
ている。このようにした場合、隣接する第２信号線５Ｂ
と第１信号線５Ａにおいて一方の信号による他の信号へ
の悪影響を低減できる効果を奏するようになる。
【００８０】〔実施例７〕図１３は、上述した画素構成
を有する液晶表示装置において映像信号線および対向電
圧信号線にそれぞれ電圧信号を供給する場合の他の実施
例について示したものであり、図１１と対応した図面と
なっている。
を有する液晶表示装置において映像信号線および対向電
圧信号線にそれぞれ電圧信号を供給する場合の他の実施
例について示したものであり、図１１と対応した図面と
なっている。
【００８１】図１１の場合と異なるのは、上述した実施
例と同様に、隣接された第１信号線５Ａと第２信号線５
Ｂにおいてそれぞれ同極性の信号を供給することによっ
て、一方の信号線の信号による他方の信号線の信号への
悪影響を低減できるようにしている。
例と同様に、隣接された第１信号線５Ａと第２信号線５
Ｂにおいてそれぞれ同極性の信号を供給することによっ
て、一方の信号線の信号による他方の信号線の信号への
悪影響を低減できるようにしている。
【００８２】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、開口率の向上を図
ることができるようになる。
本発明による液晶表示装置によれば、開口率の向上を図
ることができるようになる。
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図２】図１に示した液晶表示装置の画素に印加される
電圧信号を示す説明図である。
電圧信号を示す説明図である。
【図３】従来の液晶表示装置の画素に印加される電圧信
号を示す説明図である。
号を示す説明図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の開口率の向上を示
すグラフである。
すグラフである。
【図５】本発明による液晶表示装置の従来の場合と比較
した開口率の向上を示すグラフである。
した開口率の向上を示すグラフである。
【図６】本発明による液晶表示装置のその解像度に応じ
た開口率の向上を示すグラフである。
た開口率の向上を示すグラフである。
【図７】本発明による液晶表示装置の効果を従来の場合
と比較するための説明図である。
と比較するための説明図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の信号線とそれに
接続される駆動回路の一実施例を示す構成図である。
接続される駆動回路の一実施例を示す構成図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の信号線とそれに
接続される駆動回路の他の実施例を示す構成図である。
接続される駆動回路の他の実施例を示す構成図である。
【図１２】本発明による液晶表示装置の信号線とそれに
接続される駆動回路の他の実施例を示す構成図である。
接続される駆動回路の他の実施例を示す構成図である。
【図１３】本発明による液晶表示装置の信号線とそれに
接続される駆動回路の他の実施例を示す構成図である。
接続される駆動回路の他の実施例を示す構成図である。
１……透明基板、２……走査信号線、３……絶縁膜、４
Ａ、４Ｂ……半導体層、５Ａ……第１信号線、５Ｂ……
第２信号線、６Ａ……第１電極、６Ｂ……第２電極、７
……保護膜、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、Ｃｓｔｇ…
…蓄積容量素子。
Ａ、４Ｂ……半導体層、５Ａ……第１信号線、５Ｂ……
第２信号線、６Ａ……第１電極、６Ｂ……第２電極、７
……保護膜、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、Ｃｓｔｇ…
…蓄積容量素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 引場 正行 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H093 NA16 NC21 NC34 ND22 NF04 NH11 5C006 AA01 AA22 AC26 AF51 BB16 BC06 FA54 5C080 AA10 BB05 CC03 DD03 DD29 FF11 JJ02 JJ04 JJ05 JJ06
Claims (24)
- 【請求項１】 液晶の光透過領域を間にして配置される
画素電極と対向電極とを備え、 対向電極に変動する電圧を印加するとともに、この変動
する電圧を基準電圧として画素電極に映像信号を供給す
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶の光透過領域を間にして配置される
画素電極と対向電極とを備え、 対向電極に変動する電圧を印加するとともに、この変動
する電圧を基準電圧として画素電極に信号電圧を供給
し、 かつ、前記基準電圧と信号電圧はその中心のレベルに対
して逆特性となっていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項３】 液晶の光透過方向にほぼ直交する方向に
電界を生じせしめる電極対を備え、 これら電極対の各電極にそれぞれ変動する電圧信号を供
給するとともに、この電圧信号の供給によって各電極の
間に発生する電界の強度が映像情報に対応していること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶の光透過方向にほぼ直交する方向に
電界を生じせしめる電極対を備え、 これら電極対の各電極にそれぞれ変動する電圧信号を供
給するとともに、これら各電圧信号はそれらの中心レベ
ルに対して逆特性となっていることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項５】 電極対の各電極の間に発生する電界は、
一方の電極に供給される電圧信号が最大レベルであると
ともに他方の電極に供給される電圧信号が最小レベルの
際に、最も強度が高くなることを特徴とする請求項４記
載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 液晶を介して対向配置される透明基板の
うち一方の基板の液晶側の面に互いに離間された少なく
とも一対の電極を備え、 これら電極のそれぞれに変動する電圧信号を印加するこ
とによって、それらの間に映像情報に対応させた電界を
生じせしめることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 一対の電極のうち一方の電極に最大レベ
ルの電圧信号が印加され他方の電極に最小レベルの電圧
信号が印加された場合に、それら電極の間の電界の強度
が最大になることを特徴とする請求項６記載の液晶表示
装置。 - 【請求項８】 液晶の光透過領域を間にして配置される
画素電極と対向電極とを備え、 対向電極に変動する電圧を印加するとともに、この変動
する電圧を基準電圧として画素電極に映像信号を供給
し、 かつ、映像信号の最大レベルと基準電圧の最小レベルと
の中間電位と基準電圧の最大レベルと映像信号の最小レ
ベルとの中間電位がほぼ一致することを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項９】 映像信号を供給するドライバの最大出力
レベルと最小出力レベルはそれぞれ基準電圧を供給する
ドライバの最大出力レベルと最小出力レベルとほぼ等し
いことを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】 一方の基板の液晶側の面に、画素電極
と、この画素電極に離間されて配置された対向電極と、
前記画素電極に第１のスイッチング素子を介して映像信
号が供給される映像信号線と、前記対向電極に前記第１
スイッチング素子の駆動と同じタイミングで駆動する第
２のスイッチング素子を介して対向電圧が供給される対
向電圧信号線と、が形成されていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項１１】 一方の基板の液晶側の面に、画素電極
と、この画素電極に離間されて配置された対向電極と、
前記画素電極に第１薄膜トランジスタを介して映像信号
が供給される映像信号線と、前記対向電極に前記第１薄
膜トランジスタの駆動と同じタイミングで駆動する第２
の薄膜トランジタを介して対向電圧が供給される対向電
圧信号線と、が形成され、 前記第１の薄膜トランジスタおよび第２の薄膜トランジ
スタは、それぞれ同一の寸法でかつ同一のパターンで形
成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１２】 一方の基板の液晶側の面に、画素電極
と、この画素電極に離間されて配置された対向電極と、
前記画素電極に第１のスイッチング素子を介して映像信
号が供給される映像信号線と、前記対向電極に前記第１
スイッチング素子の駆動と同じタイミングで駆動する第
２のスイッチング素子を介して対向電圧が供給される対
向電圧信号線とが形成され、 前記映像信号線と対向電圧信号線はそれらの線幅がほぼ
同一となっていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１３】 液晶の光透過方向にほぼ直交する方向
に電界を生じせしめる電極対と、この電極対のうち一方
の電極に第１のスイッチング素子を介して電圧信号が供
給される第１信号線と、前記電極対のうち他方の電極に
前記第１スイッチング素子の駆動と同じタイミングで駆
動する第２のスイッチング素子を介して電圧信号が供給
される第２信号線とが形成され、 第１信号線から第１スイッチング素子を介して前記一方
の電極に信号が到る回路の抵抗および容量が第２信号線
から第２スイッチング素子を介して前記他方の電極に信
号が到る回路の抵抗および容量にほぼ等しいことを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項１４】 同一の走査信号線への走査信号の供給
によって第１スイッチング素子および第２スイッチング
素子が駆動することを特徴とする請求項１０ないし１３
記載のうちいずれか記載の液晶表示装置。 - 【請求項１５】 各画素に、一方の側に隣接する画素に
近接して第１信号線が他方の側に隣接する画素に近接し
て第２信号線が設けられ、 各画素内に、液晶の光透過方向とほぼ直交する方向に並
設される電極を備え、これら各電極は前記第１信号線を
介して電圧信号が供給される第１電極と前記第２信号線
を介して電圧信号が供給される第２電極とからなり、 このうち一方の電極に印加される信号電圧を基準電圧と
して他方の電極に映像信号電圧が印加されるとともに、 各画素の第１信号線に供給される電圧信号と該画素に隣
接する画素の第２信号線に供給される電圧信号はその一
方がハイレベルの際には他方もハイレベルに、一方がロ
ウレベルの際には他方もロウレベルになっていることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１６】 第１電極は第１スイッチング素子を介
して第１信号線からの信号電圧が印加されるとともに、
第２電極は第２スイッチング素子を介して第２信号電圧
が印加されることを特徴とする請求項１５記載の液晶表
示装置。 - 【請求項１７】 一方の基板の液晶側の面に、画素電極
と、この画素電極に離間されて配置された対向電極と、
前記画素電極に第１のスイッチング素子を介し接続され
る映像信号線と、この映像信号線の延在方向の一方の側
から映像信号を供給する映像信号駆動回路と、前記対向
電極に前記第１スイッチング素子の駆動と同じタイミン
グで駆動する第２のスイッチング素子を介して接続され
る対向電圧信号線と、この対向電圧信号線の延在方向の
他方の側から対向電圧信号を供給する対向電圧信号駆動
回路と、を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１８】 同一の走査信号線への走査信号の供給
によって第１スイッチング素子および第２スイッチング
素子が駆動することを特徴とする請求項１７記載の液晶
表示装置。 - 【請求項１９】 カラー表示用の隣接する３個の画素の
幅を画素ピッチとした場合、この画素ピッチが２５８μ
ｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし１８のう
ちいずれか記載の液晶表示装置。 - 【請求項２０】 カラー表示用の隣接する３個の画素の
幅を画素ピッチとした場合、画素ピッチが２５８μｍ以
上であって、解像度がＶＧＡの場合に対角サイズが８．
２インチ以上であることを特徴とする請求項１ないし１
８のうちいずれか記載の液晶表示装置。 - 【請求項２１】 カラー表示用の隣接する３個の画素の
幅を画素ピッチとした場合、画素ピッチが２５８μｍ以
上であって、解像度がＳＶＧＡの場合に対角サイズが１
０．２インチ以上であることを特徴とする請求項１ない
し１８のうちいずれか記載の液晶表示装置。 - 【請求項２２】 カラー表示用の隣接する３個の画素の
幅を画素ピッチとした場合、画素ピッチが２５８μｍ以
上であって、解像度がＸＧＡの場合に対角サイズが１
３．０インチ以上であることを特徴とする請求項１ない
し１８のうちいずれか記載の液晶表示装置。 - 【請求項２３】 カラー表示用の隣接する３個の画素の
幅を画素ピッチとした場合、画素ピッチが２５８μｍ以
上であって、解像度がＳＸＧＡの場合に対角サイズが１
４．１インチ以上であることを特徴とする請求項１ない
し１８のうちいずれか記載の液晶表示装置。 - 【請求項２４】 カラー表示用の隣接する３個の画素の
幅を画素ピッチとした場合、画素ピッチが２５８μｍ以
上であって、解像度がＵＸＧＡの場合に対角サイズが１
６．８インチ以上であることを特徴とする請求項１ない
し１８のうちいずれか記載の液晶表示装置。
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- 1999-05-27 JP JP14824599A patent/JP3670517B2/ja not_active Expired - Fee Related
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