TW494254B - Liquid crystal display device and method to manufacture the same - Google Patents

Description

五、發明説明（i ) 本發明係有關於一種液晶顯示裝置及其製造方法者。 在液晶顯不裝置之製造中，有如下列一連貫之步驟： 用以形成有如第6圖或第8圖所示之電極型樣之基板丨構成 液晶晶胞，將這液晶晶胞外周部在切斷位置2處切斷除去 ，除去之後，研磨被切斷部分，修整切斷部形狀的不齊。 在基板1上令該端子電極3可連接外部電路，而在靠近 切斷位置形成有端子電極3。第6圖及第8圖中之6係顯示電 極。 又在液晶晶胞内部備有薄膜電晶體等之開關元件之動 態矩陣陣列基板時，在陣列基板製成步驟以及液晶晶胞製 U步驟中產生靜電而會破壞開關元件，因此為了防止前述 步驟所產生之靜電的破壞，在基板丨上設有使端子電極3短 路之共通電極型樣4，在液晶晶胞外周部被切斷後，共通 電極型樣4也被除去。 即使液晶晶胞不備有開關元件時，也為了防止因靜電 導致配向膜之惡化，同樣地設有使端子電極短路之共通電 極型樣，在液晶晶胞外周部被切斷後，共通電極型樣也被 除去， 以前，該等電極大多由IT〇(氧化銦、氧化錫固容體） 所形成。此時，如第5(a)圖及第6圖所示，藉由共通電極 型樣4設於液晶晶胞之切斷位置2處之外側，在切斷基板時 ’也自動將共通電極型樣4除去。 但最近因顯示之大型化，漸漸需要低電阻化之電極， 如曰本公開公報特開平第9-230806號中記載之具有八§系 本紙張尺度適用中國國規格（210 X 297公釐） 494254 五、發明説明（2 ) 金屬電極之電極之提案。 進而’為了 一作為攜帶型顯示器需令反射型之液晶顯 不裝置之顯示明亮，而有一提案，其構成為，藉以兼具反 射功能及電極之金屬電極形成於下側基板，而將反射板配 置於液晶晶胞内部者。此時之構成有使用一片偏振板或是 不使用偏振板者。可作為上述金屬電極之材料，如以配線 電阻低且反射率高之A1系、Ag系材料為人矚目（例如··曰 本公開公報特開平第7-134300號、特開平第8479252號） 如此用以金屬電極作為端子電極3，尤其是硬度不太 兩之A1系、Ag系材料時，在液晶晶胞之切斷及研磨步驟 中，本來如第5(勾圖中所示，相鄰接之端子電極之間應可 電氣分離之處，但如第5(b)圖中符號7所示，因端子電極 材料之延性，在研磨時，於基板切斷部中相鄰接之端子電 極間發生短路現象。 在此為避免此問題產生，如第8圖所示，將共通電極 型樣4設於基板之切斷位置2之内側，切斷液晶晶胞之外周 部後’如第7圖所示’還需要藉雷射照射5除去共通電極型 樣4(相當於雷射照射幅寬L之面積），而將端子電極間分離 之多餘步驟。 本發明之目的在於提供一種液晶裔貝示装置及其製造方 法，係以具有延性之金屬材料形成電極型樣時，也 雷射照射等之多餘步驟。 A要 石氏張尺度適 210X297公釐）

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之液晶顯示裝置，包含有：第1基板；端子電 極本體，由設於前述基板内部之金屬所形成；中間連接配 線’係由一端連接於前述端子電極本體，且另一端延伸至 刖述基板端部之金屬所形成；第2基板；及一液晶層，係 夾持於前述第i與第2基板間者；其特徵在於：前述第丨基 板端部中之前述中間連接配線的線寬係設定成比前述端子 電極本體之電極寬度還狹窄者。 又，本發明之液晶顯示裝置之製造方法，包含有以下 步驟，即··於第1基板上將於後續步驟中切斷除去前述基 板外周部時之切斷位置内部形成由金屬所構成之多數端子 電極本體，且於前述切斷位置外部形成共通電極配線，進 而並形成以金屬構成之中間連接配線，以該等中間連接配 線作為將前述各端子電極本體連接至前述共通電極配線之 連接配線，並使其於前述切斷位置處之線寬比前述端子本 體之寬還狹窄；於第2基板與前述第丨基板間夾持液晶；及 由前述第1基板之切斷位置切斷除去前述基板之外周部。 經由本發明，可得一液晶顯示裝置，即：即使研磨經 由具有延性之金屬材料形成電極型樣之基板切出之基板端 面，也不會發生相鄰接之端子電極彼此間之短路者。 圖示之簡單說明 第1圖係用於本發明之實施態樣之基板之平面圖，第2 圖係同實施態樣中基板之端子電極附近之平面圖，第3圖 係第1圖中主要部份之擴大圖，第4圖係同實施態樣之反射

本紙張尺度家標準（CNS ) _£^1〇><297讀） I--------A------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 、發明説明（ 型液 晶顯示裝置之戴面圖， 第5圖 中端子電極附近之平面圖， 第6圖>f: 之一 例之平面圖，第7圖係說明習^ 之端子電極附近之平面圖， 第8圖< 另一 例之平面圖。 圖中符號說明： 1 基板 2 3a 端子電極本體 3b 4 共通電極 5 6 顯示電極 7 8 偏振板 9 10 散射薄膜 11 12 配向膜 13 14 液晶 15 16 下側基板 17 18 Ti膜 19 20 非均質性導電黏著齊, I 21 22 LSI晶片 23 用以實施發明之最佳態樣 基板之切斷位置 中間連接配線 雷射照射部 短路部 高分子薄膜 上側基板 ITO透明電極 密封樹脂 A1合金膜 丙稀系樹脂 帶載體 印刷基板 以下參考第1〜4圖，詳細說明本發明之實施態樣。 第1圖中，在基板上形成有··顯示電極6、連接於該潑 示電極6且同時位於基板切斷位置2内側之端子電極本體3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公着） C請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁，> 裝 l·訂 494254 五、發明説明（ 、位於切斷位置2外側之靜電對策用之共通電極4、及如第 2圖或第3圖所示連接端子電極本體3a與共通電極4間之中 間連接配線3b。遠比切斷位置2還外側之基板外周部分會 在後續步驟中切斷除去。 將端子電極附近之擴大圖示於第2圖。如第2圖所示， 中間連接配線3b之線寬A設定成比端子電極本體3a之電極 之寬還狹窄。 第4圖係顯示一使用形成有如上述之電極配線之基板 所製成之反射型液晶顯示裝置，在第4圖中，顯示電極兼 具反射電極。 以下，藉本發明之反射型液晶顯示裝置之製造具體實 施例說明之。 實施例1 首先，在下側基板16表面上，用以Ti電極及A1合金電 極經由DC磁控管濺射法依序積層500 A之Ti膜18、2000 A 之A1合金膜17。在這兩層膜上形成如第2圖所示之電極型 樣，作為鏡面反射型之金屬反射電極。其中於該基板上沒 有形成TFT等之開關元件。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 = - - - I m — — ϊ- y —ϋ Ι ϋ^— m ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在如此形成電極之下側基板16及形成ITO透明電極13 之上側基板11之表面上，印刷5wt%聚醯亞胺之N-甲基-2-吡咯啶酮溶液，以溫度200°C硬化後，而以實現250°扭轉 之STN模式之狀態，藉以人造絲布之旋轉拋光法進行配向 處理，形成配向膜12。 然後，於上側基板Π上之周邊密封部上印刷一混入有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 494254 A7 B7 五、發明説明（ 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 徑5·5 μ m之玻璃纖維i.0wt%之熱硬化性密封樹脂15，在 下側基板16上面以200個/mm2之比例散佈5.0 " m樹脂玻璃 珠’將上側基板11與下側基板丨6相互貼合，經丨5()<>c將密 封樹脂硬化形成一液晶晶胞。 進而’將液晶晶胞下側基板之外周部在如第1圖所示 之切斷位置2切斷除去後，研磨該切斷部修整形狀，真空 注入一於折射率各向異性△ η為〇·ΐ6之酯系向列液晶裡混 合有一定量之對掌性液晶之液晶14，用以紫外線硬化性樹 脂封口後，藉紫外線光硬化之。 在如此形成之液晶晶胞之上側基板丨丨上，黏合由薄膜 法線測量其散射方向在〇。至50。之住友化學工業（股）製之前 方散射薄膜（商品名：路米斯堤），作為散射用薄膜1〇。在 該膜上，笋貼由聚碳酸酯樹脂形成之高分子薄膜9。該高 分子薄膜9係由2片延遲軸相異之高分子薄膜構成，液晶晶 胞側之南分子薄膜為光相差〇. 3 // m且延遲軸係相對於上 側基板11之配向方向為90。，而上側之高分子薄膜為光相 差0.5/z m且延遲軸係相對於上側基板丨丨之配向方向為45。 者。又，令其吸收軸與液晶晶胞側之高分子薄膜之延遲軸 一致，黏貼一施有防眩處理之中性灰偏光板（住友化學工 業（股）製 SQ-1852AP)8。 又，將載置電子零件之印刷基板23以及載置LSI晶片22 且由TAB帶載體21構成之液晶晶胞之驅動電路，經由各向 異性導電黏著劑20，連接於液晶晶胞之端子電極17。 進而，經丙烯系樹脂（曰立化成學工業（股）製、TFU4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝.

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐 五、發明説明（ 覆蓋連接有帶載體（tape carrier)之電極部及密封樹月旨 間之端子電極之露出部。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此構成中，可得到一種反射型液晶顯示裝置，用以 題〇負荷比之單純矩_動，可清楚顯*反射率低且無 t色之黑顯7F、反射率高且無彩色之白顯示、從黑到白之 無彩色之變化者。 針對上述反射型液晶顯示裝置，檢討因切斷研磨對如 第2圖所示之線寬A、間隔B及長度c之影響以及因切斷部 之不齊之損傷程度。又，因切斷部之研磨使金屬延伸致使 相鄰接之端子電極間短路等課題。 將圖2中之電極寬D固定在45em，而線寬八為仙以瓜 、30# m、20# m、i〇/z m ;間隔b為 30// m、4〇// m、50 # m、60/z m ;切斷後剩餘長度c為 loo" ^、200// m、300 # πι、400 e m作為樣品準備之。針對該等樣品檢討前述切 斷及研磨之影響。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 其結果，首先關於長度C:因切斷所引起基板端部之 輕微不齊會侵入到1〇〇〆m左右内側，且從基板切斷位置 再向内部研磨約1 〇〇 #爪之部分修整形狀，因此長度C為丨〇〇 β m之樣品會因切斷及研磨之損傷而波及到端子電極本體 3a之部分。而對於長度c為20〇e m、300 # m、400 // m之 樣品而言，則其因切斷及研磨之損傷不會波及到端子電極 本體3a之部分。 從該結果可知，將長度C設定在200 # m以上時，可得 一構成：因切斷及研磨引起之損傷不會波及到端子電極本 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 10 494254 五、發明説明（） 體3a之部分者。 其次’在線寬A為40# m及30//m時，針對電極間隔B 為30#111、40//111、50#111、60//111，可發現因研磨而在基 板之切斷部有金屬延展，而相鄰接之中間連接配線間短路 之現象。線寬A在20//m，電極間隔b為3〇//m時，發生部 份因研磨而在切斷部有金屬延展之現象，但相鄰接之中間 連接配線間仍不致短路，而電極間隔]3為4〇“111、5〇“m 、60/zm時，不會有因研磨而在切斷部有金屬延展之現象 ，且相鄰接之中間連接配線間也沒有短路。在電極幅寬A 為 10#m時，針對30/zm、40/zm、5〇//m、6〇#m之任一 種電極間隔B,沒有發生因研磨而在切斷部有金屬延展之 現象，且相鄰接之中間連接配線間也沒有短路。 從該結果可知，將基板切斷部之中間連接配線之線寬 設定在2” m以下時，可得—構成：不會因研磨而在基板 切斷部有金屬延展之現象，且相鄰接之中間連接配線間也 沒有短路者。X，在液晶晶胞切斷部中相鄰接之電極間隔 B若在40 em以上時，則可得一更佳之結果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，將A丨合金膜17之厚度增加至5〇〇〇人時，也可得一 與上述相同之結果。 又，上述實施例中，也採用顯示部以金屬電極形成之 反射型液晶顯示裝置為例說明，但端子電極本體及中間連 接配線為金屬電極時也適用上述結果，因此也適用於顯示 電極係由ITO構成之透過型液晶顯示裝置。 又，在本實施例中，雖使用了沒有形成TFT等之開關 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公& ^4254

張 紙 _I_本 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 疋件之基板，本發明，端子電極及中間連接配線若是金屬 電極時，也完全適用於使用形成有開關元件之基板，即動 態矩陣陣列基板者，可提高顯示水準。 又，在本實施例中所使用之八丨合金在金屬之中也屬於 延性最高之種類，因此對於其他金屬可實施更安全之切斷 及研磨。如針對含有因其反射率高，可作為一反射電極而 文矚目之Ag或Ag合金的膜，本發明亦適用之。 又，在上述說明中，將端子電極之電極幅寬]〇設定在 45# m，但只要是用以將驅動液晶晶胞之電子零件連接於 液晶晶胞之端子電極時所需之電極寬度，即不在此限。 又如第4圖所示之實施態樣中，雖使用如第3圖所示之 基板專構成下側基板16 ,但使用如第3圖所示之從端子電 極本體至基板切斷部係由金屬電極形成之構成的加工基板 專構成上側基板11，或在下側基板16及上側基板u雙方使 用如第3圖所示由端子電極本體及中間連接配線係由金屬 電極形成之構成的基板，將該兩片基板黏合構成液晶晶胞 時，本發明亦適用之。 如上根據本發明，藉以連接端子電極本體及共通電極 之中間連接配線之線寬形狀做成比端子電極本體還狹窄， 即使在切斷位置切斷及研磨液晶晶胞之基板時，也不會有 因該基板切斷部之外形不齊而引起對端子電極之損傷，又 即使研磨，也不會有在切斷部處金屬延展導致相鄰接之電 極間短路之現象發生。 |家標準（〇刚八4規格（21(^297公董) "------- -12 - ----------i-----1、玎一----------------------·—I (請先閱讀背面之注意事项再填寫本頁)

i、發明説明（10) 產業之可利用性 經由本發明，可得一液晶顯示裝置，係即使研磨一由 導電性佳且具有延性之金屬材料形成電極型樣之基板切出 之端面’也不會有相鄰接之端子電極彼此間短路現象發生 〇 其結果’以往用以除去共通電極所需之雷射照射之程 序皆不需要了，因此可實現液晶顯示裝置之製造成本的降 低’可帶來低消費電力之反射型及大型高精細之液晶顯示 裝置之普及。 I--------"'裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 l·------a 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉

Claims (1)

1. 〜、申譜專利’範圍 '—— 第88104667號申請案申請專利範圍修正本91年3月7曰 1 · 一種液晶顯示裝置，包含有： 第1基板（1); 顯示電極（6)，由設於前述第丨基板表面之内部的金 屬所形成； 端子電極（3a) 中間連接配線（3b)，係由一端連接於前述端子電極 且另一端延伸至前述基板端部之金屬所形成； 第2基板；及 一液晶層，係夾持於前述第i與第2基板間者；其特 徵在於： 前述第1基板端部中之前述中間連接配線的線寬係 没疋成比前述端子電極之電極寬度還狹窄，且前述端子 電極及别述中間連接配線係一層以上含有A1或A!合金 、Ag或Ag合金中任一種之膜，該中間連接配線之形成 係由前述第1基板之端部向内側延伸2〇〇//m以上。 2·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中前述基板 中之至少一方係動態矩陣陣列基板。 3·如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其中該中間 連接配線在第1基板端部之線寬係設定在20#m以下， 且其與相鄰接之前述中間連接配線間之間隔則設定在 40# m以上者。 4· 一狻液晶顯示裝置之製造方法，包含有以下步驟，即： 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇><297公釐） 494254

   本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公釐） 14 力、申請專利範園 於第1基板（1)上將於後續步驟中切斷除去前述第i 基板外周部時之切斷位置（1)内部形成由多數之顯示電 極（6)及A1或A1合金、Ag或Ag合金中任一種所構成之多 數的端子電極（3a)之步驟； 於前述切斷位置外部形成共通電極配線（4)之步驟 形成以A1或A1合金、Ag或Ag合金中任一種構成之 由前述切斷位置向内側延伸2〇〇 # m以上之中間連接配 線，其係以該等中間連接配線來連接前述端子電極連接 至則述共通電極配線，並使其於前述切斷位置處之線寬 比前述端子電極本體之寬還狹窄； 於第2基板與前述第丨基板間夾持液晶的步驟；及 由前述第1基板之切斷位置切斷除去前述外周部的 步驟。 5·如申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置之製造方法，其 中前述基板中之至少一方係動態矩陣陣列基板。 6·如申請專利範圍第4或5項之液晶顯示裝置之製造方法 ，其中該前述中間連接配線在前述切斷位置之線寬係設 疋在20 /z m以下，且其與相鄰接之前述中間連接配線間 之間隔則設定在4〇 # 上者。