JP3429140B2 - 偏光板および液晶表示装置 - Google Patents
偏光板および液晶表示装置Info
- Publication number
- JP3429140B2 JP3429140B2 JP25574896A JP25574896A JP3429140B2 JP 3429140 B2 JP3429140 B2 JP 3429140B2 JP 25574896 A JP25574896 A JP 25574896A JP 25574896 A JP25574896 A JP 25574896A JP 3429140 B2 JP3429140 B2 JP 3429140B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- polarizing plate
- liquid crystal
- crystal display
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、偏光板の構造、お
よび該偏光板を備えた液晶表示素子（すなわち、ＬＣＤ
(リキッド クリスタル ディスプレイ)。液晶表示パネ
ル）を有する液晶表示装置に関する。
よび該偏光板を備えた液晶表示素子（すなわち、ＬＣＤ
(リキッド クリスタル ディスプレイ)。液晶表示パネ
ル）を有する液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来の偏光板の構造例を示す一
部断面図である。
部断面図である。
【０００３】ＰＯＬは偏光板、ＰＬＬは偏光子層、ＳＰ
Ｌ１は偏光子層ＰＬＬの第１の支持体層、ＳＰＬ２は偏
光子層ＰＬＬの第２の支持体層、ＡＤＬは当該偏光板Ｐ
ＯＬを貼り付けるための粘着剤層、ＡＧＬはアンチグレ
ア処理がなされたアンチグレア層である。
Ｌ１は偏光子層ＰＬＬの第１の支持体層、ＳＰＬ２は偏
光子層ＰＬＬの第２の支持体層、ＡＤＬは当該偏光板Ｐ
ＯＬを貼り付けるための粘着剤層、ＡＧＬはアンチグレ
ア処理がなされたアンチグレア層である。
【０００４】偏光子層ＰＬＬは、例えばＰＶＡ（ポリビ
ニルアルコール）から形成されている。支持体層ＳＰＬ
１、ＳＰＬ２は、例えばＴＡＣ（トリアセチルセルロー
ス）から形成されている。また、アンチグレア層ＡＧＬ
は、例えばシリコン（Ｓｉ）粒子入りアクリル樹脂（ア
クリル系樹脂粘着剤）を、支持体層ＳＰＬ１の表面に塗
布して形成されている。
ニルアルコール）から形成されている。支持体層ＳＰＬ
１、ＳＰＬ２は、例えばＴＡＣ（トリアセチルセルロー
ス）から形成されている。また、アンチグレア層ＡＧＬ
は、例えばシリコン（Ｓｉ）粒子入りアクリル樹脂（ア
クリル系樹脂粘着剤）を、支持体層ＳＰＬ１の表面に塗
布して形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の偏光板ＰＯＬで
は、図６に示すごとく、偏光子層ＰＬＬの両側の支持体
層ＳＰＬ１、ＳＰＬ２の厚さａを同じにしている。
は、図６に示すごとく、偏光子層ＰＬＬの両側の支持体
層ＳＰＬ１、ＳＰＬ２の厚さａを同じにしている。
【０００６】このため、従来の偏光板ＰＯＬにおいて
は、粘着剤層ＡＤＬを介して偏光板ＰＯＬを、例えば液
晶表示素子（の液晶セル）等の対象物に貼り付ける前、
偏光板ＰＯＬに反りが生じる問題があった。偏光板ＰＯ
Ｌの反りは、例えば、表面（アンチグレア層ＡＧＬ）側
が凸になる。
は、粘着剤層ＡＤＬを介して偏光板ＰＯＬを、例えば液
晶表示素子（の液晶セル）等の対象物に貼り付ける前、
偏光板ＰＯＬに反りが生じる問題があった。偏光板ＰＯ
Ｌの反りは、例えば、表面（アンチグレア層ＡＧＬ）側
が凸になる。
【０００７】この結果、偏光板ＰＯＬを真空チャック等
を用いて吸着保持して移動するとき、偏光板ＰＯＬを吸
着することができなくなり、偏光板ＰＯＬの液晶表示素
子への貼り付け作業が低下し、偏光板ＰＯＬの貼り付け
ミス、および再生（貼り直し）作業が増加する。
を用いて吸着保持して移動するとき、偏光板ＰＯＬを吸
着することができなくなり、偏光板ＰＯＬの液晶表示素
子への貼り付け作業が低下し、偏光板ＰＯＬの貼り付け
ミス、および再生（貼り直し）作業が増加する。
【０００８】本発明の目的は、偏光板の反りを軽減する
ことができる偏光板の構造、および該偏光板を備えた液
晶表示素子を有する液晶表示装置を提供することにあ
る。
ことができる偏光板の構造、および該偏光板を備えた液
晶表示素子を有する液晶表示装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の偏光板は、偏光子層と、前記偏光子層を挟
持するようにその両側に設けたそれぞれ少なくとも１層
からなる２個の支持体層とを有する偏光板において、前
記偏光板の反りが凹となる側の前記支持体層の一方の厚
さが、該支持体層の他方より厚いことを特徴とする。ま
た、本発明の偏光板は、偏光子層と、前記偏光子層を挟
持するようにその両側に設けた２個の支持体層と、当該
偏光板を貼り付けるための粘着剤層とを有する偏光板に
おいて、前記偏光板の反りが凹となる側の前記支持体層
の一方の厚さが、該支持体層の他方より厚く、前記粘着
剤層は前記支持体層の一方の前記偏光子層とは反対側に
形成されていることを特徴とする。また、本発明の偏光
板は、前記支持体層の他方の前記偏光子層と反対側には
アンチグレア層が形成されていることを特徴とする。ま
た、本発明の液晶表示装置は、液晶表示素子を有し、且
つ、前記液晶表示素子の観察者側の表面に粘着剤層を介
して偏光板を貼り付けた液晶表示装置において、前記偏
光板は、偏光子層、前記偏光子層を挟持するようにその
両側に設けた２個の支持体層、前記２個の支持体層の一
方に形成され且つ前記偏光板を前記液晶表示素子の前記
観察者側の表面に貼り付ける粘着剤層、及び前記２個の
支持体層の他方の前記偏光子層とは反対側に形成された
アンチグレア層を有し、且つ前記支持体層の前記一方は
前記支持体層の前記他方より厚いことを特徴とする。
め、本発明の偏光板は、偏光子層と、前記偏光子層を挟
持するようにその両側に設けたそれぞれ少なくとも１層
からなる２個の支持体層とを有する偏光板において、前
記偏光板の反りが凹となる側の前記支持体層の一方の厚
さが、該支持体層の他方より厚いことを特徴とする。ま
た、本発明の偏光板は、偏光子層と、前記偏光子層を挟
持するようにその両側に設けた２個の支持体層と、当該
偏光板を貼り付けるための粘着剤層とを有する偏光板に
おいて、前記偏光板の反りが凹となる側の前記支持体層
の一方の厚さが、該支持体層の他方より厚く、前記粘着
剤層は前記支持体層の一方の前記偏光子層とは反対側に
形成されていることを特徴とする。また、本発明の偏光
板は、前記支持体層の他方の前記偏光子層と反対側には
アンチグレア層が形成されていることを特徴とする。ま
た、本発明の液晶表示装置は、液晶表示素子を有し、且
つ、前記液晶表示素子の観察者側の表面に粘着剤層を介
して偏光板を貼り付けた液晶表示装置において、前記偏
光板は、偏光子層、前記偏光子層を挟持するようにその
両側に設けた２個の支持体層、前記２個の支持体層の一
方に形成され且つ前記偏光板を前記液晶表示素子の前記
観察者側の表面に貼り付ける粘着剤層、及び前記２個の
支持体層の他方の前記偏光子層とは反対側に形成された
アンチグレア層を有し、且つ前記支持体層の前記一方は
前記支持体層の前記他方より厚いことを特徴とする。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】本発明では、偏光板の反りが凹となる側の
支持体層の厚さを、もう一方の支持体層の厚さより厚く
するという簡単な構成により、偏光板の反り量を少なく
することができる。
支持体層の厚さを、もう一方の支持体層の厚さより厚く
するという簡単な構成により、偏光板の反り量を少なく
することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
【００１６】図１は、本発明の一実施の形態の偏光板の
構造を示す一部断面図である。
構造を示す一部断面図である。
【００１７】ＰＯＬは偏光板、ＰＬＬは偏光子層、ＳＰ
Ｌ１は偏光子層ＰＬＬの第１の支持体層、ＳＰＬ２は偏
光子層ＰＬＬの第２の支持体層、ＡＤＬは当該偏光板Ｐ
ＯＬを貼り付けるための粘着剤層、ＡＧＬはアンチグレ
ア処理がなされたアンチグレア層である。
Ｌ１は偏光子層ＰＬＬの第１の支持体層、ＳＰＬ２は偏
光子層ＰＬＬの第２の支持体層、ＡＤＬは当該偏光板Ｐ
ＯＬを貼り付けるための粘着剤層、ＡＧＬはアンチグレ
ア処理がなされたアンチグレア層である。
【００１８】偏光子層ＰＬＬは、例えばＰＶＡ（ポリビ
ニルアルコール）から形成されている。支持体層ＳＰＬ
１、ＳＰＬ２は、例えばＴＡＣ（トリアセチルセルロー
ス）から形成されている。また、アンチグレア層ＡＧＬ
は、例えばシリコン（Ｓｉ）粒子入りアクリル樹脂（ア
クリル系樹脂粘着剤）を、支持体層ＳＰＬ１の表面に塗
布して形成されている。
ニルアルコール）から形成されている。支持体層ＳＰＬ
１、ＳＰＬ２は、例えばＴＡＣ（トリアセチルセルロー
ス）から形成されている。また、アンチグレア層ＡＧＬ
は、例えばシリコン（Ｓｉ）粒子入りアクリル樹脂（ア
クリル系樹脂粘着剤）を、支持体層ＳＰＬ１の表面に塗
布して形成されている。
【００１９】なお、アンチグレア層ＡＧＬは、当該偏光
板ＰＯＬを貼り付ける、例えば液晶表示素子（後で図
２、３を用いて詳しく説明する）の表示側、すなわち、
観察者側に貼り付けられる偏光板ＰＯＬに設けられる。
板ＰＯＬを貼り付ける、例えば液晶表示素子（後で図
２、３を用いて詳しく説明する）の表示側、すなわち、
観察者側に貼り付けられる偏光板ＰＯＬに設けられる。
【００２０】本実施の形態では、偏光板ＰＯＬを液晶表
示素子等の対象物に貼り付ける前、偏光板ＰＯＬの反り
は、表面（アンチグレア層ＡＧＬ）側が凸になるので、
偏光板ＰＯＬの反りが凹となる側の支持体層ＳＰＬ２の
厚さｂを、図１に示すように、支持体層ＳＰＬ１の厚さ
ａより厚くした。これにより、粘着剤層ＡＤＬを介して
偏光板ＰＯＬを例えば液晶表示素子に貼り付ける前、偏
光板ＰＯＬの反り量を少なくすることができる。
示素子等の対象物に貼り付ける前、偏光板ＰＯＬの反り
は、表面（アンチグレア層ＡＧＬ）側が凸になるので、
偏光板ＰＯＬの反りが凹となる側の支持体層ＳＰＬ２の
厚さｂを、図１に示すように、支持体層ＳＰＬ１の厚さ
ａより厚くした。これにより、粘着剤層ＡＤＬを介して
偏光板ＰＯＬを例えば液晶表示素子に貼り付ける前、偏
光板ＰＯＬの反り量を少なくすることができる。
【００２１】この結果、偏光板ＰＯＬの液晶表示素子へ
の貼り付け作業が向上し、偏光板ＰＯＬの貼り付けミ
ス、および再生（貼り直し）作業が減少する。
の貼り付け作業が向上し、偏光板ＰＯＬの貼り付けミ
ス、および再生（貼り直し）作業が減少する。
【００２２】《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》
以下、偏光板を備えた装置の一例として、アクティブ・
マトリクス方式のカラー液晶表示装置について説明す
る。
以下、偏光板を備えた装置の一例として、アクティブ・
マトリクス方式のカラー液晶表示装置について説明す
る。
【００２３】《マトリクス部の概要》図３はアクティブ
・マトリクス方式カラー液晶表示装置の一画素とその周
辺を示す平面図、図２はマトリクスの画素部を中央
（ｂ）に、両側（ａ）、（ｃ）に液晶表示パネル（すな
わち、液晶表示素子。ＬＣＤ）角付近と映像信号端子部
付近を示す断面図である。
・マトリクス方式カラー液晶表示装置の一画素とその周
辺を示す平面図、図２はマトリクスの画素部を中央
（ｂ）に、両側（ａ）、（ｃ）に液晶表示パネル（すな
わち、液晶表示素子。ＬＣＤ）角付近と映像信号端子部
付近を示す断面図である。
【００２４】図３に示すように、各画素は隣接する２本
の走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬ
と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または
垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲ま
れた領域内）に配置されている。各画素は薄膜トランジ
スタＴＦＴ、透明画素電極ＩＴＯ１および保持容量素子
Ｃaddを含む。走査信号線ＧＬは図では左右方向に延在
し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬ
は上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されてい
る。
の走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬ
と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または
垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲ま
れた領域内）に配置されている。各画素は薄膜トランジ
スタＴＦＴ、透明画素電極ＩＴＯ１および保持容量素子
Ｃaddを含む。走査信号線ＧＬは図では左右方向に延在
し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬ
は上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されてい
る。
【００２５】図２に示すように、液晶層ＬＣを基準にし
て下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタ
ＴＦＴおよび透明画素電極ＩＴＯ１が形成され、上部透
明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮
光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されてい
る。透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の両面にはディ
ップ処理等によって形成された酸化シリコン膜ＳＩＯが
設けられている。
て下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタ
ＴＦＴおよび透明画素電極ＩＴＯ１が形成され、上部透
明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮
光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されてい
る。透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の両面にはディ
ップ処理等によって形成された酸化シリコン膜ＳＩＯが
設けられている。
【００２６】上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の内側（液晶
ＬＣ側）の表面には、遮光膜ＢＭ、カラーフィルタＦＩ
Ｌ、保護膜ＰＳＶ２、共通透明画素電極ＩＴＯ２（ＣＯ
Ｍ）および上部配向膜ＯＲＩ２が順次積層して設けられ
ている。
ＬＣ側）の表面には、遮光膜ＢＭ、カラーフィルタＦＩ
Ｌ、保護膜ＰＳＶ２、共通透明画素電極ＩＴＯ２（ＣＯ
Ｍ）および上部配向膜ＯＲＩ２が順次積層して設けられ
ている。
【００２７】《マトリクス周辺の概要》前述の図２は図
３の２−２切断線における断面を中央にして、左側に図
１５のパネル角付近における断面を、右側に映像信号駆
動回路が接続されるべき外部接続端子ＤＴＭ付近の断面
を示す図である。
３の２−２切断線における断面を中央にして、左側に図
１５のパネル角付近における断面を、右側に映像信号駆
動回路が接続されるべき外部接続端子ＤＴＭ付近の断面
を示す図である。
【００２８】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個
分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサイ
ズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化さ
れた大きさのガラス基板を加工してから各品種に合った
サイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経て
からガラスを切断する。
ればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個
分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサイ
ズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化さ
れた大きさのガラス基板を加工してから各品種に合った
サイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経て
からガラスを切断する。
【００２９】透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に
はその縁に沿って、液晶封入口（図示省略）を除き、液
晶ＬＣを封止するようにシールパターンＳＬが形成され
る。シール材は例えばエポキシ樹脂から成る。上部透明
ガラス基板ＳＵＢ２側の共通透明画素電極ＩＴＯ２は、
少なくとも一箇所において、本実施例ではパネルの４角
で銀ペースト材ＡＧＰによって下部透明ガラス基板ＳＵ
Ｂ１側に形成されたその引出配線ＩＮＴに接続されてい
る。この引出配線ＩＮＴは後述するゲート端子（図示省
略）、ドレイン端子ＤＴＭと同一製造工程で形成され
る。
はその縁に沿って、液晶封入口（図示省略）を除き、液
晶ＬＣを封止するようにシールパターンＳＬが形成され
る。シール材は例えばエポキシ樹脂から成る。上部透明
ガラス基板ＳＵＢ２側の共通透明画素電極ＩＴＯ２は、
少なくとも一箇所において、本実施例ではパネルの４角
で銀ペースト材ＡＧＰによって下部透明ガラス基板ＳＵ
Ｂ１側に形成されたその引出配線ＩＮＴに接続されてい
る。この引出配線ＩＮＴは後述するゲート端子（図示省
略）、ドレイン端子ＤＴＭと同一製造工程で形成され
る。
【００３０】配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２、透明画素電極
ＩＴＯ１、共通透明画素電極ＩＴＯ２、それぞれの層
は、シールパターンＳＬの内側に形成される。
ＩＴＯ１、共通透明画素電極ＩＴＯ２、それぞれの層
は、シールパターンＳＬの内側に形成される。
【００３１】液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部
配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパ
ターンＳＬで仕切られた領域に封入されている。下部配
向膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜
ＰＳＶ１の上部に形成される。
配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパ
ターンＳＬで仕切られた領域に封入されている。下部配
向膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜
ＰＳＶ１の上部に形成される。
【００３２】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口
部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪをエポキ
シ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって
組み立てられる。
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口
部ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪをエポキ
シ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって
組み立てられる。
【００３３】《偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２》偏光板ＰＯ
Ｌ１、ＰＯＬ２は、図２に示すように、それぞれ下部透
明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の
外側の表面に形成されている。偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ
２の構造は、図１に示したように、偏光板の反りが凹と
なる側、すなわち、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２
側の支持体層ＳＰＬ２の厚さを、支持体層ＳＰＬ１の厚
さより厚くしてある。これにより、貼り付ける前の偏光
板ＰＯＬの反り量を少なくすることができる。なお、図
１に示したアンチグレア層ＡＧＬは、液晶表示素子ＰＮ
Ｌの表示側、すなわち、観察者側に貼り付けられる方の
例えば偏光板ＰＯＬ２のみに設けられている。
Ｌ１、ＰＯＬ２は、図２に示すように、それぞれ下部透
明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の
外側の表面に形成されている。偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ
２の構造は、図１に示したように、偏光板の反りが凹と
なる側、すなわち、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２
側の支持体層ＳＰＬ２の厚さを、支持体層ＳＰＬ１の厚
さより厚くしてある。これにより、貼り付ける前の偏光
板ＰＯＬの反り量を少なくすることができる。なお、図
１に示したアンチグレア層ＡＧＬは、液晶表示素子ＰＮ
Ｌの表示側、すなわち、観察者側に貼り付けられる方の
例えば偏光板ＰＯＬ２のみに設けられている。
【００３４】《薄膜トランジスタＴＦＴ》次に、図２、
図３に戻り、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１側の構成を詳しく説明
する。
図３に戻り、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１側の構成を詳しく説明
する。
【００３５】薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極Ｇ
Ｔに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間の
チャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、チ
ャネル抵抗は大きくなるように動作する。
Ｔに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間の
チャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、チ
ャネル抵抗は大きくなるように動作する。
【００３６】各画素には複数（２つ）の薄膜トランジス
タＴＦＴ１、ＴＦＴ２が冗長して設けられる。薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれは、実質的に同
一サイズ（チャネル長、チャネル幅が同じ）で構成さ
れ、ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性、
intrinsic、導電型決定不純物がドープされていない）
非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層ＡＳ、一
対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有す。な
お、ソース、ドレインは本来その間のバイアス極性によ
って決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極
性は動作中反転するので、ソース、ドレインは動作中入
れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明では、便
宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表現す
る。
タＴＦＴ１、ＴＦＴ２が冗長して設けられる。薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれは、実質的に同
一サイズ（チャネル長、チャネル幅が同じ）で構成さ
れ、ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性、
intrinsic、導電型決定不純物がドープされていない）
非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層ＡＳ、一
対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有す。な
お、ソース、ドレインは本来その間のバイアス極性によ
って決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極
性は動作中反転するので、ソース、ドレインは動作中入
れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明では、便
宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表現す
る。
【００３７】《ゲート電極ＧＴ》ゲート電極ＧＴは走査
信号線ＧＬから垂直方向に突出する形状で構成されてい
る（Ｔ字形状に分岐されている）。ゲート電極ＧＴは薄
膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれの能動領
域を越えるよう突出している。薄膜トランジスタＴＦＴ
１、ＴＦＴ２のそれぞれのゲート電極ＧＴは、一体に
（共通のゲート電極として）構成されており、走査信号
線ＧＬに連続して形成されている。本例では、ゲート電
極ＧＴは、単層の第２導電膜ｇ２で形成されている。第
２導電膜ｇ２としては例えばスパッタで形成されたアル
ミニウム（Ａｌ）膜が用いられ、その上にはＡｌの陽極
酸化膜ＡＯＦが設けられている。
信号線ＧＬから垂直方向に突出する形状で構成されてい
る（Ｔ字形状に分岐されている）。ゲート電極ＧＴは薄
膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれの能動領
域を越えるよう突出している。薄膜トランジスタＴＦＴ
１、ＴＦＴ２のそれぞれのゲート電極ＧＴは、一体に
（共通のゲート電極として）構成されており、走査信号
線ＧＬに連続して形成されている。本例では、ゲート電
極ＧＴは、単層の第２導電膜ｇ２で形成されている。第
２導電膜ｇ２としては例えばスパッタで形成されたアル
ミニウム（Ａｌ）膜が用いられ、その上にはＡｌの陽極
酸化膜ＡＯＦが設けられている。
【００３８】このゲート電極ＧＴはｉ型半導体層ＡＳを
完全に覆うよう（下方からみて）それより大き目に形成
され、ｉ型半導体層ＡＳに外光やバックライト光が当た
らないよう工夫されている。
完全に覆うよう（下方からみて）それより大き目に形成
され、ｉ型半導体層ＡＳに外光やバックライト光が当た
らないよう工夫されている。
【００３９】《走査信号線ＧＬ》走査信号線ＧＬは第２
導電膜ｇ２で構成されている。この走査信号線ＧＬの第
２導電膜ｇ２はゲート電極ＧＴの第２導電膜ｇ２と同一
製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。ま
た、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設
けられている。
導電膜ｇ２で構成されている。この走査信号線ＧＬの第
２導電膜ｇ２はゲート電極ＧＴの第２導電膜ｇ２と同一
製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。ま
た、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設
けられている。
【００４０】《絶縁膜ＧＩ》絶縁膜ＧＩは、薄膜トラン
ジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２において、ゲート電極ＧＴと
共に半導体層ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜と
して使用される。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走
査信号線ＧＬの上層に形成されている。絶縁膜ＧＩとし
ては例えばプラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜
が選ばれ、１２００〜２７００Åの厚さに（本実施例で
は、２０００Å程度）形成される。ゲート絶縁膜ＧＩ
は、マトリクス部ＡＲの全体を囲むように形成され、周
辺部は外部接続端子ＤＴＭを露出するよう除去されてい
る。絶縁膜ＧＩは走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬの電
気的絶縁にも寄与している。
ジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２において、ゲート電極ＧＴと
共に半導体層ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜と
して使用される。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走
査信号線ＧＬの上層に形成されている。絶縁膜ＧＩとし
ては例えばプラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜
が選ばれ、１２００〜２７００Åの厚さに（本実施例で
は、２０００Å程度）形成される。ゲート絶縁膜ＧＩ
は、マトリクス部ＡＲの全体を囲むように形成され、周
辺部は外部接続端子ＤＴＭを露出するよう除去されてい
る。絶縁膜ＧＩは走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬの電
気的絶縁にも寄与している。
【００４１】《ｉ型半導体層ＡＳ》ｉ型半導体層ＡＳ
は、本例では薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそ
れぞれに独立した島となるよう形成され、非晶質シリコ
ンで、２００〜２２００Åの厚さに（本実施例では、２
０００Å程度の膜厚）で形成される。層ｄ０はオーミッ
クコンタクト用のリン（Ｐ）をドープしたＮ+型非晶質
シリコン半導体層であり、下側にｉ型半導体層ＡＳが存
在し、上側に導電層ｄ２（ｄ３）が存在するところのみ
に残されている。
は、本例では薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそ
れぞれに独立した島となるよう形成され、非晶質シリコ
ンで、２００〜２２００Åの厚さに（本実施例では、２
０００Å程度の膜厚）で形成される。層ｄ０はオーミッ
クコンタクト用のリン（Ｐ）をドープしたＮ+型非晶質
シリコン半導体層であり、下側にｉ型半導体層ＡＳが存
在し、上側に導電層ｄ２（ｄ３）が存在するところのみ
に残されている。
【００４２】ｉ型半導体層ＡＳは走査信号線ＧＬと映像
信号線ＤＬとの交差部（クロスオーバ部）の両者間にも
設けられている。この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差
部における走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとの短絡を
低減する。
信号線ＤＬとの交差部（クロスオーバ部）の両者間にも
設けられている。この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差
部における走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとの短絡を
低減する。
【００４３】《透明画素電極ＩＴＯ１》透明画素電極Ｉ
ＴＯ１は液晶表示部の画素電極の一方を構成する。
ＴＯ１は液晶表示部の画素電極の一方を構成する。
【００４４】透明画素電極ＩＴＯ１は薄膜トランジスタ
ＴＦＴ１のソース電極ＳＤ１および薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２のソース電極ＳＤ１の両方に接続されている。こ
のため、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のうちの
１つに欠陥が発生しても、その欠陥が副作用をもたらす
場合はレーザ光等によって適切な箇所を切断し、そうで
ない場合は他方の薄膜トランジスタが正常に動作してい
るので放置すればよい。透明画素電極ＩＴＯ１は第１導
電膜ｄ１によって構成されており、この第１導電膜ｄ１
はスパッタリングで形成された透明導電膜（Indium-Tin
-Oxide ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１０００〜２００
０Åの厚さに（本実施例では、１４００Å程度の膜厚）
形成される。
ＴＦＴ１のソース電極ＳＤ１および薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２のソース電極ＳＤ１の両方に接続されている。こ
のため、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のうちの
１つに欠陥が発生しても、その欠陥が副作用をもたらす
場合はレーザ光等によって適切な箇所を切断し、そうで
ない場合は他方の薄膜トランジスタが正常に動作してい
るので放置すればよい。透明画素電極ＩＴＯ１は第１導
電膜ｄ１によって構成されており、この第１導電膜ｄ１
はスパッタリングで形成された透明導電膜（Indium-Tin
-Oxide ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１０００〜２００
０Åの厚さに（本実施例では、１４００Å程度の膜厚）
形成される。
【００４５】《ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ
２》ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれ
は、Ｎ+型半導体層ｄ０に接触する第２導電膜ｄ２とそ
の上に形成された第３導電膜ｄ３とから構成されてい
る。
２》ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれ
は、Ｎ+型半導体層ｄ０に接触する第２導電膜ｄ２とそ
の上に形成された第３導電膜ｄ３とから構成されてい
る。
【００４６】第２導電膜ｄ２はスパッタで形成したクロ
ム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００Åの厚さに（本
実施例では、６００Å程度）で形成される。Ｃｒ膜は膜
厚を厚く形成するとストレスが大きくなるので、２００
０Å程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Ｃｒ膜はＮ
+型半導体層ｄ０との接着性を良好にし、第３導電膜ｄ
３のＡｌがＮ+型半導体層ｄ０に拡散することを防止す
る（いわゆるバリア層の）目的で使用される。第２導電
膜ｄ２として、Ｃｒ膜の他に高融点金属（Ｍｏ、Ｔｉ、
Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ2、Ｔ
ｉＳｉ2、ＴａＳｉ2、ＷＳｉ2）膜を用いてもよい。
ム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００Åの厚さに（本
実施例では、６００Å程度）で形成される。Ｃｒ膜は膜
厚を厚く形成するとストレスが大きくなるので、２００
０Å程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Ｃｒ膜はＮ
+型半導体層ｄ０との接着性を良好にし、第３導電膜ｄ
３のＡｌがＮ+型半導体層ｄ０に拡散することを防止す
る（いわゆるバリア層の）目的で使用される。第２導電
膜ｄ２として、Ｃｒ膜の他に高融点金属（Ｍｏ、Ｔｉ、
Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ2、Ｔ
ｉＳｉ2、ＴａＳｉ2、ＷＳｉ2）膜を用いてもよい。
【００４７】第３導電膜ｄ３はＡｌのスパッタリングで
３０００〜５０００Åの厚さに（本実施例では、４００
０Å程度）形成される。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレ
スが小さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース
電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬ
の抵抗値を低減したり、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層
ＡＳに起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカ
バーレッジを良くする）働きがある。
３０００〜５０００Åの厚さに（本実施例では、４００
０Å程度）形成される。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレ
スが小さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース
電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬ
の抵抗値を低減したり、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層
ＡＳに起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカ
バーレッジを良くする）働きがある。
【００４８】第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３を同じマ
スクパターンでパターニングした後、同じマスクを用い
て、あるいは第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３をマスク
として、Ｎ+型半導体層ｄ０が除去される。つまり、ｉ
型半導体層ＡＳ上に残っていたＮ+型半導体層ｄ０は第
２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３以外の部分がセルフアラ
インで除去される。このとき、Ｎ+型半導体層ｄ０はそ
の厚さ分は全て除去されるようエッチングされるので、
ｉ型半導体層ＡＳも若干その表面部分がエッチングされ
るが、その程度はエッチング時間で制御すればよい。
スクパターンでパターニングした後、同じマスクを用い
て、あるいは第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３をマスク
として、Ｎ+型半導体層ｄ０が除去される。つまり、ｉ
型半導体層ＡＳ上に残っていたＮ+型半導体層ｄ０は第
２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３以外の部分がセルフアラ
インで除去される。このとき、Ｎ+型半導体層ｄ０はそ
の厚さ分は全て除去されるようエッチングされるので、
ｉ型半導体層ＡＳも若干その表面部分がエッチングされ
るが、その程度はエッチング時間で制御すればよい。
【００４９】《映像信号線ＤＬ》映像信号線ＤＬはソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜
ｄ２、第３導電膜ｄ３で構成されている。
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜
ｄ２、第３導電膜ｄ３で構成されている。
【００５０】《保護膜ＰＳＶ１》薄膜トランジスタＴＦ
Ｔおよび透明画素電極ＩＴＯ１上には保護膜ＰＳＶ１が
設けられている。保護膜ＰＳＶ１は主に薄膜トランジス
タＴＦＴを湿気等から保護するために形成されており、
透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用する。保護
膜ＰＳＶ１は例えばプラズマＣＶＤ装置で形成した酸化
シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、１μｍ
程度の膜厚で形成する。
Ｔおよび透明画素電極ＩＴＯ１上には保護膜ＰＳＶ１が
設けられている。保護膜ＰＳＶ１は主に薄膜トランジス
タＴＦＴを湿気等から保護するために形成されており、
透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用する。保護
膜ＰＳＶ１は例えばプラズマＣＶＤ装置で形成した酸化
シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、１μｍ
程度の膜厚で形成する。
【００５１】保護膜ＰＳＶ１は、マトリクス部ＡＲの全
体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴＭ
を露出するよう除去され、また上基板側ＳＵＢ２の共通
電極ＣＯＭを下側基板ＳＵＢ１の外部接続端子接続用引
出配線ＩＮＴに銀ペーストＡＧＰで接続する部分も除去
されている。保護膜ＰＳＶ１とゲート絶縁膜ＧＩの厚さ
関係に関しては、前者は保護効果を考え厚くされ、後者
はトランジスタの相互コンダクタンスｇｍを薄くされ
る。したがって、保護効果の高い保護膜ＰＳＶ１は周辺
部もできるだけ広い範囲に亘って保護するようゲート絶
縁膜ＧＩよりも大きく形成されている。
体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴＭ
を露出するよう除去され、また上基板側ＳＵＢ２の共通
電極ＣＯＭを下側基板ＳＵＢ１の外部接続端子接続用引
出配線ＩＮＴに銀ペーストＡＧＰで接続する部分も除去
されている。保護膜ＰＳＶ１とゲート絶縁膜ＧＩの厚さ
関係に関しては、前者は保護効果を考え厚くされ、後者
はトランジスタの相互コンダクタンスｇｍを薄くされ
る。したがって、保護効果の高い保護膜ＰＳＶ１は周辺
部もできるだけ広い範囲に亘って保護するようゲート絶
縁膜ＧＩよりも大きく形成されている。
【００５２】《遮光膜ＢＭ》上部透明ガラス基板ＳＵＢ
２側には、外部光又はバックライト光がｉ型半導体層Ａ
Ｓに入射しないよう遮光膜ＢＭが設けられている。図３
に示す遮光膜ＢＭの閉じた多角形の輪郭線は、その内側
が遮光膜ＢＭが形成されない開口を示している。遮光膜
ＢＭは光に対する遮蔽性が高い例えばアルミニウム膜や
クロム膜等で形成されており、本実施例ではクロム膜が
スパッタリングで１３００Å程度の厚さに形成される。
２側には、外部光又はバックライト光がｉ型半導体層Ａ
Ｓに入射しないよう遮光膜ＢＭが設けられている。図３
に示す遮光膜ＢＭの閉じた多角形の輪郭線は、その内側
が遮光膜ＢＭが形成されない開口を示している。遮光膜
ＢＭは光に対する遮蔽性が高い例えばアルミニウム膜や
クロム膜等で形成されており、本実施例ではクロム膜が
スパッタリングで１３００Å程度の厚さに形成される。
【００５３】したがって、薄膜トランジスタＴＦＴ１、
ＴＦＴ２のｉ型半導体層ＡＳは上下にある遮光膜ＢＭお
よび大き目のゲート電極ＧＴによってサンドイッチにさ
れ、外部の自然光やバックライト光が当たらなくなる。
遮光膜ＢＭは各画素の周囲に格子状に形成され（いわゆ
るブラックマトリクス）、この格子で１画素の有効表示
領域が仕切られている。したがって、各画素の輪郭が遮
光膜ＢＭによってはっきりとし、コントラストが向上す
る。つまり、遮光膜ＢＭはｉ型半導体層ＡＳに対する遮
光とブラックマトリクスとの２つの機能をもつ。
ＴＦＴ２のｉ型半導体層ＡＳは上下にある遮光膜ＢＭお
よび大き目のゲート電極ＧＴによってサンドイッチにさ
れ、外部の自然光やバックライト光が当たらなくなる。
遮光膜ＢＭは各画素の周囲に格子状に形成され（いわゆ
るブラックマトリクス）、この格子で１画素の有効表示
領域が仕切られている。したがって、各画素の輪郭が遮
光膜ＢＭによってはっきりとし、コントラストが向上す
る。つまり、遮光膜ＢＭはｉ型半導体層ＡＳに対する遮
光とブラックマトリクスとの２つの機能をもつ。
【００５４】透明画素電極ＩＴＯ１のラビング方向の根
本側のエッジ部分（図３右下部分）も遮光膜ＢＭによっ
て遮光されているので、上記部分にドメインが発生した
としても、ドメインが見えないので、表示特性が劣化す
ることはない。
本側のエッジ部分（図３右下部分）も遮光膜ＢＭによっ
て遮光されているので、上記部分にドメインが発生した
としても、ドメインが見えないので、表示特性が劣化す
ることはない。
【００５５】遮光膜ＢＭは周辺部にも額縁状に形成さ
れ、そのパターンはドット状に複数の開口を設けた図３
に示すマトリクス部のパターンと連続して形成されてい
る。周辺部の遮光膜ＢＭは、シール部ＳＬの外側に延長
され、パソコン等の実装機に起因する反射光等の漏れ光
がマトリクス部に入り込むのを防いでいる。他方、この
遮光膜ＢＭは基板ＳＵＢ２の縁よりも約０．３〜１．０
ｍｍ程内側に留められ、基板ＳＵＢ２の切断領域を避け
て形成されている。
れ、そのパターンはドット状に複数の開口を設けた図３
に示すマトリクス部のパターンと連続して形成されてい
る。周辺部の遮光膜ＢＭは、シール部ＳＬの外側に延長
され、パソコン等の実装機に起因する反射光等の漏れ光
がマトリクス部に入り込むのを防いでいる。他方、この
遮光膜ＢＭは基板ＳＵＢ２の縁よりも約０．３〜１．０
ｍｍ程内側に留められ、基板ＳＵＢ２の切断領域を避け
て形成されている。
【００５６】《カラーフィルタＦＩＬ》カラーフィルタ
ＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは透
明画素電極ＩＴＯ１の全てを覆うように大き目に形成さ
れ、遮光膜ＢＭはカラーフィルタＦＩＬおよび透明画素
電極ＩＴＯ１のエッジ部分と重なるよう透明画素電極Ｉ
ＴＯ１の周縁部より内側に形成されている。
ＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは透
明画素電極ＩＴＯ１の全てを覆うように大き目に形成さ
れ、遮光膜ＢＭはカラーフィルタＦＩＬおよび透明画素
電極ＩＴＯ１のエッジ部分と重なるよう透明画素電極Ｉ
ＴＯ１の周縁部より内側に形成されている。
【００５７】カラーフィルタＦＩＬは次のように形成す
ることができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の
表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォトリ
ソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基材
を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染め、固着
処理を施し、赤色フィルタＲを形成する。つぎに、同様
な工程を施すことによって、緑色フィルタＧ、青色フィ
ルタＢを順次形成する。
ることができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の
表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォトリ
ソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基材
を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染め、固着
処理を施し、赤色フィルタＲを形成する。つぎに、同様
な工程を施すことによって、緑色フィルタＧ、青色フィ
ルタＢを順次形成する。
【００５８】《保護膜ＰＳＶ２》保護膜ＰＳＶ２はカラ
ーフィルタＦＩＬの染料が液晶ＬＣに漏れることを防止
するために設けられている。保護膜ＰＳＶ２は例えばア
クリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成され
ている。
ーフィルタＦＩＬの染料が液晶ＬＣに漏れることを防止
するために設けられている。保護膜ＰＳＶ２は例えばア
クリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成され
ている。
【００５９】《共通透明画素電極ＩＴＯ２》共通透明画
素電極ＩＴＯ２は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に画
素ごとに設けられた透明画素電極ＩＴＯ１に対向し、液
晶ＬＣの光学的な状態は各画素電極ＩＴＯ１と共通透明
画素電極ＩＴＯ２との間の電位差（電界）に応答して変
化する。この共通透明画素電極ＩＴＯ２にはコモン電圧
Ｖcomが印加されるように構成されている。本実施例で
は、コモン電圧Ｖcomは映像信号線ＤＬに印加される最
小レベルの駆動電圧Ｖｄminと最大レベルの駆動電圧Ｖ
ｄmaxとの中間直流電位に設定されるが、映像信号駆動
回路で使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減し
たい場合は、交流電圧を印加すればよい。
素電極ＩＴＯ２は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に画
素ごとに設けられた透明画素電極ＩＴＯ１に対向し、液
晶ＬＣの光学的な状態は各画素電極ＩＴＯ１と共通透明
画素電極ＩＴＯ２との間の電位差（電界）に応答して変
化する。この共通透明画素電極ＩＴＯ２にはコモン電圧
Ｖcomが印加されるように構成されている。本実施例で
は、コモン電圧Ｖcomは映像信号線ＤＬに印加される最
小レベルの駆動電圧Ｖｄminと最大レベルの駆動電圧Ｖ
ｄmaxとの中間直流電位に設定されるが、映像信号駆動
回路で使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減し
たい場合は、交流電圧を印加すればよい。
【００６０】《液晶表示モジュールの全体構成》図４
は、図２、図３に示した液晶表示素子ＰＮＬを組み込ん
だ液晶表示モジュールＭＤＬの分解斜視図である。
は、図２、図３に示した液晶表示素子ＰＮＬを組み込ん
だ液晶表示モジュールＭＤＬの分解斜視図である。
【００６１】ＳＨＤは金属板から成るシールドケース
（メタルフレームとも称す）、ＷＤは表示窓、ＩＮＳ１
〜３は絶縁シート、ＰＣＢ１〜３は回路基板（ＰＣＢ１
はドレイン側回路基板、ＰＣＢ２はゲート側回路基板、
ＰＣＢ３はインターフェイス回路基板）、ＪＮは回路基
板ＰＣＢ１〜３どうしを電気的に接続するジョイナ、Ｔ
ＣＰ１、ＴＣＰ２はテープキャリアパッケージ、ＰＮＬ
は液晶表示パネル、ＧＣはゴムクッション、ＩＬＳは遮
光スペーサ、ＰＲＳはプリズムシート、ＳＰＳは拡散シ
ート、ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反射シート、ＭＣＡは
一体成型により形成された下側ケース（モールドケー
ス）、ＬＰは蛍光管、ＬＰＣはランプケーブル、ＧＢは
蛍光管ＬＰを支持するゴムブッシュであり、図に示すよ
うな上下の配置関係で各部材が積み重ねられて液晶表示
モジュールＭＤＬが組み立てられる。
（メタルフレームとも称す）、ＷＤは表示窓、ＩＮＳ１
〜３は絶縁シート、ＰＣＢ１〜３は回路基板（ＰＣＢ１
はドレイン側回路基板、ＰＣＢ２はゲート側回路基板、
ＰＣＢ３はインターフェイス回路基板）、ＪＮは回路基
板ＰＣＢ１〜３どうしを電気的に接続するジョイナ、Ｔ
ＣＰ１、ＴＣＰ２はテープキャリアパッケージ、ＰＮＬ
は液晶表示パネル、ＧＣはゴムクッション、ＩＬＳは遮
光スペーサ、ＰＲＳはプリズムシート、ＳＰＳは拡散シ
ート、ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反射シート、ＭＣＡは
一体成型により形成された下側ケース（モールドケー
ス）、ＬＰは蛍光管、ＬＰＣはランプケーブル、ＧＢは
蛍光管ＬＰを支持するゴムブッシュであり、図に示すよ
うな上下の配置関係で各部材が積み重ねられて液晶表示
モジュールＭＤＬが組み立てられる。
【００６２】モジュールＭＤＬは、下側ケースＭＣＡ、
シールドケースＳＨＤの２種の収納・保持部材を有す
る。絶縁シートＩＮＳ１〜３、回路基板ＰＣＢ１〜３、
液晶表示パネルＰＮＬを収納、固定した金属製シールド
ケースＳＨＤと、蛍光管ＬＰ、導光板ＧＬＢ、プリズム
シートＰＲＳ等から成るバックライトＢＬを収納した下
側ケースＭＣＡとを合体させることにより、モジュール
ＭＤＬが組み立てられる。
シールドケースＳＨＤの２種の収納・保持部材を有す
る。絶縁シートＩＮＳ１〜３、回路基板ＰＣＢ１〜３、
液晶表示パネルＰＮＬを収納、固定した金属製シールド
ケースＳＨＤと、蛍光管ＬＰ、導光板ＧＬＢ、プリズム
シートＰＲＳ等から成るバックライトＢＬを収納した下
側ケースＭＣＡとを合体させることにより、モジュール
ＭＤＬが組み立てられる。
【００６３】図５は、液晶表示モジュールＭＤＬを実装
したノートブック型のパソコン、あるいはワープロの斜
視図である。
したノートブック型のパソコン、あるいはワープロの斜
視図である。
【００６４】以上本発明を実施の形態に基づいて具体的
に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることは勿論である。例えば本発明の液晶表
示装置は、アクティブ・マトリクス方式の液晶表示装置
にも、単純マトリクス方式の液晶表示装置にも適用でき
ることは言うまでもない。
に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることは勿論である。例えば本発明の液晶表
示装置は、アクティブ・マトリクス方式の液晶表示装置
にも、単純マトリクス方式の液晶表示装置にも適用でき
ることは言うまでもない。
【００６５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
偏光板の反りを軽減することができるので、偏光板の貼
り付け作業が向上し、偏光板の貼り付けミスおよび再生
作業が減少する。
偏光板の反りを軽減することができるので、偏光板の貼
り付け作業が向上し、偏光板の貼り付けミスおよび再生
作業が減少する。
【図１】本発明の一実施の形態の偏光板の構造を示す一
部断面図である。
部断面図である。
【図２】マトリクスの画素部を中央に（図３の２−２切
断線における断面図）、両側にパネル角付近と映像信号
端子部付近を示す断面図である。
断線における断面図）、両側にパネル角付近と映像信号
端子部付近を示す断面図である。
【図３】アクティブ・マトリックス方式カラー液晶表示
装置の液晶表示素子の一画素とその周辺を示す要部平面
図である。
装置の液晶表示素子の一画素とその周辺を示す要部平面
図である。
【図４】アクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示モ
ジュールの分解斜視図である。
ジュールの分解斜視図である。
【図５】図４の液晶表示モジュールを実装したノートブ
ック型のパソコンあるいはワープロの斜視図である。
ック型のパソコンあるいはワープロの斜視図である。
【図６】従来の偏光板の構造例を示す一部断面図であ
る。
る。
ＰＯＬ…偏光板、ＰＬＬ…偏光子層、ＳＰＬ１…第１の
支持体層、ＳＰＬ２…第２の支持体層、ＡＤＬ…粘着剤
層、ＡＧＬ…アンチグレア層、ＰＯＬ１、ＰＯＬ２…偏
光板、ＰＮＬ…液晶表示パネル（液晶表示素子）。
支持体層、ＳＰＬ２…第２の支持体層、ＡＤＬ…粘着剤
層、ＡＧＬ…アンチグレア層、ＰＯＬ１、ＰＯＬ２…偏
光板、ＰＮＬ…液晶表示パネル（液晶表示素子）。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02B 5/30
Claims (4)
- 【請求項１】偏光子層と、前記偏光子層を挟持するよう
にその両側に設けたそれぞれ少なくとも１層からなる２
個の支持体層とを有する偏光板において、前記偏光板の
反りが凹となる側の前記支持体層の一方の厚さが、該支
持体層の他方より厚いことを特徴とする偏光板。 - 【請求項２】偏光子層と、前記偏光子層を挟持するよう
にその両側に設けた２個の支持体層と、当該偏光板を貼
り付けるための粘着剤層とを有する偏光板において、前
記偏光板の反りが凹となる側の前記支持体層の一方の厚
さが、該支持体層の他方より厚く、前記粘着剤層は前記
支持体層の一方の前記偏光子層とは反対側に形成されて
いることを特徴とする偏光板。 - 【請求項３】 前記支持体層の他方の前記偏光子層と反対
側にはアンチグレア層が形成されていることを特徴とす
る請求項２記載の偏光板。 - 【請求項４】 液晶表示素子を有し、且つ、前記液晶表示
素子の観察者側の表面に粘着剤層を介して偏光板を貼り
付けた液晶表示装置において、 前記偏光板は、偏光子層、前記偏光子層を挟持するよう
にその両側に設けた２個の支持体層、前記２個の支持体
層の一方に形成され且つ前記偏光板を前記液晶表示素子
の前記観察者側の表面に貼り付ける粘着剤層、及び前記
２個の支持体層の他方の前記偏光子層とは反対側に形成
されたアンチグレア層を有し、且つ前記支持体層の前記
一方は前記支持体層の前記他方より厚いことを特徴とす
る液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25574896A JP3429140B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 偏光板および液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25574896A JP3429140B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 偏光板および液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10104424A JPH10104424A (ja) | 1998-04-24 |
| JP3429140B2 true JP3429140B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=17283091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25574896A Ceased JP3429140B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 偏光板および液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3429140B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3908470B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2007-04-25 | 日東電工株式会社 | 偏光板の製造方法 |
| KR100692695B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2007-03-14 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR101232732B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2013-02-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광판 및 이를 이용한 액정표시장치 |
| JP5655706B2 (ja) * | 2011-05-24 | 2015-01-21 | コニカミノルタ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP6786860B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2020-11-18 | 凸版印刷株式会社 | ガラス配線基板及び半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3009021U (ja) | 1994-09-14 | 1995-03-28 | 日本合成化学工業株式会社 | 積層構造体 |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP25574896A patent/JP3429140B2/ja not_active Ceased
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3009021U (ja) | 1994-09-14 | 1995-03-28 | 日本合成化学工業株式会社 | 積層構造体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10104424A (ja) | 1998-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100356603B1 (ko) | 액정표시장치 | |
| US5739880A (en) | Liquid crystal display device having a shielding film for shielding light from a light source | |
| US5844255A (en) | Structure of liquid crystal display device for antireflection | |
| US6335773B1 (en) | Liquid crystal display device in which the light length, polarizing axis, and alignment direction are related | |
| JPH1010493A (ja) | 液晶表示装置および液晶表示基板 | |
| JPH09258203A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2008176237A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3865836B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH10325951A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP5178327B2 (ja) | 液晶表示パネル、液晶表示パネルを備えた電子機器、及び液晶表示パネルの製造方法 | |
| JPH09297321A (ja) | 液晶表示基板および液晶表示装置 | |
| JPH11202787A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH08278507A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3429140B2 (ja) | 偏光板および液晶表示装置 | |
| JPH09113886A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH09258244A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH1096922A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2871818B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH08201847A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2000035573A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH07248493A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH10253953A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH11119210A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2000155532A (ja) | 表示装置および液晶表示装置 | |
| JPH0961815A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |