TW490858B - Polycrystalline thin film transistor for liquid crystal device(LCD) and method of manufacturing the same - Google Patents

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Woo-Suk Chung
Tae-Hyeong Park
Hyun-Jae Kim
Gyu-Sun Moon
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Description

490858 A7 -____B7__ 五、發明說明（1 ) 本發明係關於一種薄膜半導體及其製造方法，特別是 關於一種用於LCD(liquid crystal display)、具有p型和電 晶體以形成一用於一驅動電路之CMOS(complementary metal-oxide semiconductor)結構的多晶矽薄膜半導體，及 其製造方法。 在一資訊導向社會時代，電子顯示器的角色更形重 要，所有種類的電子顯示器被廣泛的運用在工業領域。 通常，電子顯示器係一用於視覺上傳送資訊給人之裝 置’亦即，自不同電子元件之電子資料信號輸出係被轉換 成一視覺上可辨認光學資料信號於電子顯示器。因此，電 子顯示器被視為一連接人與電子元件之橋樑。 電子顯示裔分為放射性顯示器，其中光學資料信號係 藉由一光放射方式顯示，及非放射性顯示器，其中光學資 料信號係藉由一光學調變方式，如光反射、散射及干射現 象等，顯示。該放射性顯示器即所謂主動顯示器，例如 CRT(Cathode Ray Tube) ^ PDP(Plasma Display Panel) ^ LED(Light Emitting Diode)及 ELD(Electr〇lnminescent 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製
Display)等，該非放射性顯示器即所謂被動顯示器有 LCD(Liquid Crystal Display)^ ECD(Electrochemical Display) 及 EPID(Electrophoretic Image Display)等。 用於一影像顯示器之CRT，如電視接收器及監視器， 在顯示品質及經濟效率的觀點下具有最高市場佔有率，但 也有許多缺點，如笨重、大體積及高功率消耗。 同時，由於半導體技術快速發展，不同種類的電子元 本紙張尺度朗中國國家標準（CNS)A4規格（21〇
X 297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
490858 五、發明說明（2) 件被低電[及低功率所驅動，並且電子設備變的較痩且較 輕’因此’根據新環境需要_具有較痩且較輕特性以及低 驅動電壓及低功率消耗特性的平板型顯示器。 在不同發展的平板型顯示器當中，LCD比任何其他顯 不為係更痩且更輕’並且具有該低驅動電壓及低功率消耗 特性，以及亦具有相似於CRT之顯示品質。因此，LCD被 廣泛地使用在不同的電子設備。 LCD包含分別具有一電極的兩基底及一置於該兩基底 之間的液晶層，一電壓被加至該電極以重新對齊液晶分子 並控制經由該分子所傳導之光量。 現今主要被用的一種LCD，係提供形成在每一基底的 该電極及一用來切換供應至每一電極之功率的薄膜電晶 體。通常，該薄膜電晶體（以下所指為TFT)係形成在該兩 基底之一邊。 此一利用形成在一圖素部之TFT的LCD係分成一非結 晶型TFT-LCD及一多晶型TFT-LCD。該多晶型TFT-LCD具 有一優點係該LCD在一具低功率消耗隻高速下被驅動並且 该圖素部之TFT能與一用於一驅動電路之半導體元件同時 形成。再者，該LCD之驅動電路通常具有一 CM〇S(complementary metal-oxide semiconductor)結構， 其中為增加電路性能，於不同的傳導電晶體之間完成互補 操作。 然而，因一η-通道電晶體及一p-通道電晶體係在相同 基底上一起形成，製造該多晶型TFT-LCD的程序與製造該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） ^-----------------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5- 490858 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（3) 非結晶型TFT-LCD的程序其中形成一信號通道電晶體相比 係非常複雜且困難係。典型地，藉由一用一光罩的照相平 版印刷程序，在該基底上形成該LCD的TFT，目前7至9張 的光罩被用於製造該非結晶型TFT-LCD。 第一（A)及第一（B)圖係一形成一 TFT的基底之圖素部 的橫截面圖，並且顯示一製造一具有一利用7張光罩的頂_ 閘極結構之多晶TFT的習知方法。 參考第一（A)圖，在一包含玻璃、石英或藍寶石之透 明基底10的整個表面上形成一塊狀層12。在一隨後程序之 一非晶矽的結晶化期間，該塊狀層防止在該基底丨〇的雜質 穿透一碎層。 在該塊狀層12上沉積該非晶矽層之後，藉由鐳射回火 熔爐回火，該非晶矽層被轉變成一多晶矽層。然後，利用 一照相平版印刷程序建構該多晶矽層以形成一主動結構 14(用一第一光罩）。 在該主動結構14及該塊狀層12上，沉積一閘極絕緣層 16及一閘極傳導層。利用該照相平版印刷程序餘刻在一卜 型TFT區的該閘極傳導層以形成一卜型TFT的問極電極（未 不）（用一第二光罩）。然後，離子植入严型雜質以形成一 源極/沒極區15S，15D。利用該照相平版印刷程序姓刻在 一 η-型TFT區的該閘極傳導層以形成hft的問極電 極18 (用一第三光罩）。離子植入仏型雜質以形成該源極， 汲極區15S，15D。於該離子植入程序，該閘極電極職 止將被植入的雜質進入位於其下之該主動結構14，因此容 ------^!-丨«裝------ (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 訂---\------ .線. -6- 490858 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4) 許一被定義在該主動結構14的通道區15C。這時，可改變 形成該p-型TFT及該n-型TFT之閘極和源極/汲極的程序次 序。 接著，為活化該摻入離子及保證該半導體層的損害， 利用一鐳射光束等執行該回火程序。在該閘極電極丨8及該 閘極絕緣層1 6之上，形成一由一有機絕緣物質和一無機絕 緣物質，如Si〇2、SiNx ’所製成的絕緣内層20。藉由該照 相平版印刷程序部分蝕刻該絕緣内層20以形成一用於露出 該源極區15S的第一接觸洞22a及一用於露出該主動結構14 之該汲極區15D的第二接觸洞22b(用一第四光罩）。 在該第一及第二接觸洞22a，22b及該絕緣内層2〇之上 沉積一金屬層，利用該照相平版印刷程序建構該金屬層以 形成一源極/汲極電極26a，26b及一資料線26c(用一第五 光罩）。 參考弟一（B)圖’在該源極/ ；;及極電極2 6 a，2 6 b、該資 • 料線26c及該絕緣内層20之上，形成一由該有機絕緣物質 和該無機絕緣物質所製成的保護層28。利用該照相平版印 刷程序部分蝕刻該保護層28以形成一用於露出該源極電極 26a的介層洞30(用一第六光罩）。 然後，在該介層洞30及該保護層28之上沉積一透明傳 導層或一反射傳導層之後，藉由該照相平版印刷程序建構 4傳導層以形成一圖素電極32，其經由該介層洞3〇連接該 源極電極26a(用一第七光罩）。 根據該習知TFT-LCD，為了製造該頂-閘極結構，需 -------------^--------^----------線 (請先閱讀背面之;jL意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標⑽ 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A： 五、發明說明（， 要该照相平版印刷 序用於建構該主動結構、該P-型TFT =甲玉電極、該型TFT之閘極電極、該接觸洞、該資料 線、該介層洞及該圖素電極的七層。因此，共七個光罩係 必要的。 照相平版印刷程序的數量增加愈多，該製造成本及程 機率便增加愈多。因該多晶TFT的製造成本也增 加’用來減少光罩數量的技術係必要的。 因此，本發明的第一目的係提供一種用於LCD的多晶 石夕TFT ’其中由相同物質 貝斤衣成之不同層係形成在相同的 一層上，以減少光罩的數量。
本毛月的第—目的係提供—種用於LCD的多晶石夕TFT 的製造方法，豆中由如ρη札所a /、 貝斤‘成之不同層係形成在相 同的一層上，以減少光罩的數量。 本發明的第三目的俏裎报 ^ m 扪係挺供一種用於LCD的多晶矽 TFT’其中-接觸洞及一介層洞於同時形成，以減少光罩 的數量。
本發明的第四目的係提供—種用於LCD的多晶石夕TFT 的製造方法，其中一接觸洞及一 碉j ^ ;丨層洞於同時形成，以減 少光罩的數量。 為達成本發明之第-目的，係提供一種用於LCD的多 晶石夕TFT。該TFT包含-形成在-基底上的主動結構，一 閘極絕緣層係形成在包含該主動結構的基底上，一閘極線 係形成在該間極絕緣層上以穿過該主動結構，並包含一用 來定義該主動結構的—第一雜質區、一第二雜質區及一通 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗〇 x 297公爱一 (請先閒讀背面之注意事項再填寫本頁)
-8- 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 490858 Λ7 ______B7 _ 五、發明說明（6) 道區之閘極電極，一絕緣内層係形成在包含該閘極線之該 閘極絕緣層上，一資料線係形成在該絕緣内層上，並經由 牙過。玄第—雜質區上的該閘極絕緣層及該絕緣内層所形 成之第-接觸洞連接該第二雜質區，一圖素電極係形成在 该絕緣内層上，藉由建構—傳導層同於該資料線，並經由 -穿過該第-雜質區上的該閘極絕緣層及該絕緣内層而形 成之第二接觸洞與該第一雜質區連接。 為達成本發明之第二目的，係提供一種用於lcd之多 晶石夕TF 丁的製造方法。於該上述方法，一主動結構係形成 在一基底上，然後一閘極絕緣層係形成在包含該主動結構 的基底上，然後，一閘極層係形成在該閘極絕緣層上並且 然後該閘極曾被建構以行成一閘極線，執行一離子植入程 序以开y成在该主動結構的一第一雜質區及一第二雜質區， 形成-絕緣内層在該絕緣層及該閘極線上，部分姓刻該絕 f内層及該閘極絕緣層以形成—用於露出該第二雜質區的 第-接觸洞及一用於露出該第一雜質區的第二接觸洞，形 成-傳導層在包含該第-及第二接觸洞的該絕緣内層上， 然後建構該傳導層以形成一經由該第一接觸洞連接至該第 一雜貝區的資料線及一經由該第二接觸洞連接至該第一雜 質區的圖素電極。 為達成本發明之第三目的，係提供一種用於lcd的多 晶石夕TFT。該TFT包含一形成在一基底上的主動結構，一 閘極絕緣層係形成在包含該主動結構的基底上，一閘極線 係形成在該閘極絕緣層上以穿過該主動結構，並包含一用 本紙張尺¥適用fii^^CNS)A4規格⑵。χ 2 - -------------^----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -9- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（ 來疋義忒主動結構的一第一雜質區、一第二雜質區及一通 逼區之閘極電極，一第一絕緣内層係形成在包含該閘極線 的該閘極絕緣層之± 料線係形成在該第一絕緣内層 上及一形成在該第一絕緣内層及在資料線上之第二絕緣内 層，一圖素電極係在該第二絕緣内層形成，並經由一穿過 。亥第一雜質區上的該閘極絕緣層、該第一絕緣内層及該第 二絕緣内層而形成之第二接觸洞與該第一雜質區連接，一 電極係形成在該第二絕緣内層之上並同於該圖素電極自同 一層形成，該電極，經由一穿過在該第二雜質區上的該閘 極絕緣層及該第-及第二絕緣内層所形成的第_接觸洞及 一形成在該資料線上之該第二絕緣内層的第三接觸洞，連 接該資料線及該第二雜質區。 為達成本發明之第四目的，係提供一種用於Lcd之多 晶矽TFT的製造方法，其包含如下步驟： 形成一主動結構在一基底上並且形成一閘極絕緣層在 包含該主動結構之該基底上，形成—閘極層在該閘極絕緣 層上然後建構該閘極層以形成一閘極線，執行—離子植入 程序以形成該主動結構的一第一雜質區及一第二雜質區， 形成一第一絕緣内層在包含該閘極線之該絕緣層上然後形 成-資料線在該第-絕緣内層上’形成一第二絕緣=層在 包含該資料線之該第-絕緣内層i，部分#刻該第二㈣ 内=、該第-絕緣内層或該閘極絕緣層以形成—用於露出 該第二雜質區的第一接觸洞、一用於露出該第—雜質區的 第二接觸洞及一用於露出該第資料線的第三接觸洞，' =成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-10- 490858 經1 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 Λ7 五、發明說明（ 一傳‘層在该第二絕緣内層上然後建構該傳導層以形成一 經由該第-及第三接觸洞連接該資料線及該第二雜質區的 電極及-經由該第二接觸洞被連接至該第一雜質區的圖素 電極。 根據本發明之第-實施例，能由相同物質所構成的一 資料線及一圖素電極係自同一層形成，用來分別連接該資 料線及該圖素電極至一主動結構之一源極區及一没極區的 接觸洞係同時被形成。因此，所用之光罩數量自7張減少 至5張，藉此簡化一製造程序。 根據本發明之第二實施例，為避免形成自同一層之該 資料線及該圖素電極，如第一實施例所述，暴露至外部，' 一保護層係形成在該資料線及該圖素電極之上，此時，因 移除一墊區的該保護層，與第一實施例比較，更需要一用 來建構該保護層之光罩。該光罩數量係為6張。 根據本發明之第三實施例，形成該資料線之後，接觸 洞同時被形成，一與該圖素電極及該資料線連接之電極自 同一層形成，因此，所用之光罩數量自7張減少至6張。 根據本發明之第四實施例，若一用於絕緣該資料線之 第二絕緣内層由一丙烯酸感光有機物質所製成，經由一在 一曝光程序期間之顯影程序建構該第二絕緣内層不需一分 隔之蝕刻程序之後，用於露出該資料線及該源極/汲極區 的邊接觸洞係被-單獨照相平版印刷程序所形成，係於一 用氟基氣體之乾蝕科程序，利用介於一氧化物層（或一氮 化物層）及一金屬層之間的蝕刻特性差。 本紙張尺度適用τ _家標準（CNS)A4 — χ 297公爱- ^ --------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490858 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7 五、發明說明（9) 本發明之上述目的與其他優點，藉由參考該附圖而詳 細說明之本發明較佳實施例將更清楚，在圖式中·· 第一（A)及第一（B)圖係一習知LCD用多晶TFT利用七 張光罩的製造方法之橫截面圖； 第二圖係根據本發明第一實施例多晶矽TFT的橫戴面 圖； 弟二圖係能夠應用在本發明第一實施例多晶石夕Τρ丁的 平面圖； 第四圖係一沿著第三圖之B-B，線的橫截面圖； 第五（A)至第五（E)圖係沿著第三圖之A-A，線以顯示一 製造該多晶矽TFT之方法的橫截面圖； 第六圖係根據本發明第二實施例多晶矽TFT的橫截面 圖， 第七圖係根據本發明第三實施例多晶矽TFT的橫截面 圖， 第八圖係能夠應用在本發明第三實施例多晶石夕TFT的 平面圖； 第九（A)至第九（E)圖係沿著第八圖之c_c，線以顯示一 製造該多晶矽TFT之方法的橫戴面圖；及 第十（A)及第十（B)圖係根據本發明第四實施例多晶矽 TFT的橫截面圖。 現在，參考附圖將詳細地說明本發明之較佳實施例。 實施例一 第二圖係顯示本發明多晶矽TFT之第一實施例的橫截 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱) ^ -----1!」— — ^^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------------線1 490858 A7 B7 .五、發明說明（10) 面圖。 根據第二圖，在一由透明絕緣物質，如玻填、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藍寶石，所做成的透明基底100之上，形成有一塊狀層。 於該塊狀層102上形成一多晶矽主動結構丨〇4，該主動、纟士構 104包含一與其一體成形之低電極ι〇5Τ。 於該主動結構104及該塊狀層1〇2上，形成有一由氣化 • 矽或氧化矽所做成之閘極絕緣層106。於該閘極絕緣層1〇6 上，形成一穿越該主動結構104以定義源極/汲極區1〇5S， 105D之閘極電極l〇8a。亦即，該主動結構1〇4與該閘極電 極108a重疊的部分作為一 TFT通道區i〇5C，並且，該主動 結構104的一邊，其相對於位於中心的該通道區i〇5c所區 为，當作疋邊源極區105S，另一邊當作是該汲極區1〇5D， 同時，該源極區105S與該汲極區105D彼此的位置可互換。 再者，用於接收來自一外部IC(未示）之掃瞄信號的一 電容器線（亦即該電容器的上電極）1〇8b及一閘極墊1〇以和 • 該閘極電極108a形成於同一層，同時，為了增加儲存電容， 該主動結構104之該源極區105S較寬可與該電容器線1〇扑 重疊。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於該閘極電極l〇8a、該電容器線1〇8b、該閘極墊1〇8c 及該閘極絕緣層106之上，形成有一絕緣内層11〇,其由一 有機絕緣物質和一無機絕緣物質，如si〇2、siNx，所製成。 用於和該閘極墊1 〇8c連接的一資料線丨丨4a、一圖素電 極114b及一傳導結構丨丨4c和該絕緣内層！丨〇形成於同一 層。該資料線114a經由一形成在該汲極區i〇5D上穿過該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G X 297公H ~ Α7 -------Β7 __ 五、發明說明（U) 閘極絕緣層106和該絕緣内層110的第一接觸洞11 2a與該汲 極區105D連接。該資料線114a傳送一影像信號至該汲極 區 105D。 該圖素電極114b經由一形成在該源極區105S上穿過 该閘極絕緣層106和該絕緣内層11 〇的第二接觸洞11 2b與該 源極區105S直接連接。該圖素電極114b接收來自該TFT的 影像信號，連同一上基底之一電極以產生一電場，該圖素 電極114b接收來自該TFT之源極區105S的影像信號。 該傳導結構114c經由一形成在該閘極墊1〇8(：上部之該 絕緣内層110的第四接觸洞112c與該閘極墊108c連接。 根據本發明之第一較佳貫施例，餘刻該絕緣内層1 1 〇， 同時形成該第一及第二接觸洞112a、112b，然後，沉積並 建構一傳導層114以同時形成該資料線114a和該圖素電極 114b。 第二圖係一能用於本發明第一實施例之多晶石夕TF丁的 平面圖，以及第四圖係一沿著第三圖之Β·Β，線的橫截面 圖，這時，第二圖係一沿著第三圖之Α-Α，線的橫戴面圖。 參考第三及第四圖，於該透明基底之上形成一由一單 層紹或一含鋁金屬合金，如AINd，或一堆疊在紹上之& 或Mo合金的多層結構所製成之閘極線。該閘極線係包含 一在與該電容器線108b平行之第一方向（即橫向）延伸的閘 極線108、連接該閘極線ι〇8的一端以接收一來自外界的掃 信號並傳送該信號至該閘極線108的該閘極塾（第二圖的 l〇8c)及當作該閘極線1〇8一部分的該閘極電極（第二圖的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝--------訂---------線I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 490858 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（12) 108a) 〇 於該閘極線108之上，形成在一第— 取牡弟一方向（即縱向）延 伸的該資料線114a。該主動結構1〇4與該資料線"物以部 分重疊來形成。當作該閘極線一部分之該間極電極穿越; 主動結構1〇4。該電容器線祕的一大部份與一被該問極 電極所穿越之該主動結構104的下區（即該源極區）重疊。 該主動結構104的一部分，其與該資料線丨丨仏重疊，作為 •該沒極區105D，亦即，該資料線114a經由在該汲極區丨⑽ 上所形成之該第一接觸洞112a與該汲極區1〇5D直接連 接。該第二接觸洞112b係形成在該主動結構1〇4的該源極 區105S上。和該資料線114a形成於同一層之該圖素電極 114b經由遠第二接觸洞1 12b與該源極區直接連接。 再者’ 一信號傳送線1 〇8d沿垂直該閘極線丨〇8之該第 二方向形成，並以一所需之距離和該閘極線！ 〇8相隔。當 建構该閘極線所用的一閘極薄膜的同時，形成該信號傳送 ，線1 08d。該信號傳送線1 〇8d經由該資料線1 1 4a與該TFT的 汲極區105D連接，以傳送該影像信號至該汲極區1〇5D。 在這情況下，該資料線1 14a經由形成於該汲極區i〇5D的 第一接觸洞112a及形成於該信號傳送線1〇8d的第三接觸洞 1 12d連接該信號傳送線1 〇8d及該汲極區l〇5D。 第五（A)至五（E)圖係一製造該多晶矽TFT的方法以顯 示形成該TFT的基底之圖素部分的橫截面圖。 第五（A)圖係顯示一形成該主動結構1 〇4的步驟。在由 一絕緣物質，如玻璃、石英或藍寶石，所做成的該透明基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)a4規格（21〇 x 297公釐） -15- -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（13) 底⑽之上，沉積-厚度為测A的氧化石夕以形成該塊狀 層1〇2,該塊狀層102可被省略。然而，在—非結晶形石夕層 結晶化期間，寧可用該塊狀層來防止於該基底100中的不 同雜質穿透進一矽層。 猎由一化學蒸氣沉積，在該塊狀層1〇2上沉積該非結 晶㈣層達約500A的厚度之後，執行一錯射回火處理或 一熔爐回火處理以結晶化該非結晶形矽層至該多晶矽層， 然後，建構該多晶石夕層以形成該主動結構104(用—第一光 罩）。 第五（B)圖係顯示一形成該資料線的步驟。藉由一化 學瘵氣沉積，於該主動結構1〇4及該塊狀層1〇2之上沉積該 氧化矽或j氮化矽，以形成該閘極絕緣層1 。於該閘極 絕緣層106之上沉積一閘極傳導層之後，建構該閘極傳導 層以形成該閘極線及該電容器線1〇8b。在這時，可形成垂 直延至閘極線之該信號傳送線（第三圖中的108d)以一所需 之距離和该閘極線相隔。在隨後的步驟，該信號傳送線與 σ玄資料線連接以具有傳送該影像信號至該汲極區1 05D之 功能。 该閘極線包含形成於一顯示區之閘極線（第三圖中的 1〇8)、作為該閘極線一部分的該閘極電極108a、及形成在 一位置在該顯示區外部的墊區之該閘極墊108c。該閘極墊 l〇8c自外界接收該掃瞄信號並傳送該信號至該閘極線 108 β閘極傳導層係由該單層紹或一含銘金屬合金，如 A1Nd’或該堆疊在鋁上之Cr或Mo合金的多層結構所製成。 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐 -16· 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490858
五、發明說明（14) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
然後，詳細說明一閘極建構步驟。 用一知相平版印刷程序蝕刻一 P型TFT區的該閘極傳 ‘層以形成该P型TFT的閘極電極（未示）之後（用一第二光 罩），離子植入p型雜質以形成該源/汲極區。接著，用該 照相平版印刷程序蝕刻一 11型TFT區的該閘極傳導層以形 成该η型TFT的閘極電極108a (用一第三光罩），然後離子 植入n型雜質以形成該源極/汲極區（105S，105D)。該閘極 電極108a在泫雜質離子植入程序時阻礙該雜質，以定義在 該主動結構104之位於該閘極電極丨〇8a低部的該通道區 105C。因此，顛倒形成該p型TFT及該n型丁FT之該閘極及 該源極/汲極的處理次序是沒關係的。再者，該11型丁打之 該源/汲極可形成具有一 LDD結構。 雖然未顯示在該圖素部份，為了形成一具有(：“〇3結 構的驅動電路，在一驅動電路部下執行用於建構該p型τρτ 之閘極電極及該源極/汲極的離子植入之光罩程序及用於 建構該η型TFT之閘極電極及該源極/汲極的離子植入之其 他光罩程序。例如，在相對於該η型TFT區之光罩程序内， 該閘極電極之建構係和該源極/汲極之離子植入同時執 行。 第五（C)圖係顯示一形成該絕緣内層1丨〇的步驟。如以 上所述，在完成該閘極電極建構及該源極/汲極離子植入 之後’執行用鐳射光束等之回火處理以活化所摻雜的離子 並彌補該半導體層的損害。然後，於該閘極線、該電容器 線108b及該閘極絕緣層106上，形成一厚度達數千a之誃 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗〇 X 297公爱) ' —-—---- ------------I --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490858
°"、、、巴緣内層110可由一氧化矽、氮化矽或其 組口物之無機絕緣物f、和_丙稀酸感光有機絕緣物質所 製成。若用該感光有機層，在—曝光程序之後經由一顯影 序π成錢構，+需—分隔㈣程序。再者，在該絕緣 内層110# 1表面’藉由部分控制光量之曝光程序形成 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 絕緣内層1 1 0。兮绍緣+ β 隆起部(具有-透鏡形狀之凸面部），然後，在其上形成由 反射物貝所衣成之該圖素電極，因此經由液晶分散被該 隆起部所傳送之光線並改善一視角。 第五（D)圖係顯示一形成該接觸洞的步驟。利用照相 平版印刷程序㈣部分該絕緣内層i 1()及該閘極絕緣層 106，以形成用來露出該主動結構1〇4之該汲極區的 第一接觸洞112a、用來露出該源極區1〇53的該第二接觸洞 112b、用來露出該信號傳送線（第三圖中的丨⑽句的該第三 接觸洞、及用來露出該閘極墊（1〇8〇的該第四接觸洞（用 一第四光罩）。 第五（E)圖係顯示一在該第一至第三接觸洞1 1 ， 112b，112c及該絕緣内層110上沉積該傳導層114的步驟。 在本實施例中，因建構該傳導層114以形成該資料線丨丨“ 和該圖素電極1 14b，若是一反射式LCD，一具有高反射性 之金屬，如A1，為該傳導層114所用，若是一背光sLCD， 用一透明傳導層’如IT〇(indium-tin_〇xide)層或 IZO(indium-zinc-oxide)層。 然後’利用照相平版印刷程序敍刻該傳導層114，以 形成該資料線114a、該圖素電極114b及該用於連接如第二 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） --------訂—^-------線《 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 18
經· 濟 部 智 慧 財 產 局 員- 工 消 費 合· 作 社 490858 A： _______ B7_____ 五、發明說明（16) 圖所示之閘極塾的傳導結構114c(用一第五光罩）。經由穿 過在該没極區105D上之該閘極絕緣層106及該絕緣内層 110所形成的該第一接觸洞112a，該資料線114a被連接至 該沒極區105D。此外，經由形成在該汲極區ι〇5Ε)上的該 第一接觸洞112a及形成在該信號傳送線（第三圖中的1〇8d) 上的该第二接觸洞（第三圖中的112d)，該資料線1 i4a連接 該信號傳送線l〇8d及該汲極區105D。 該圖素電極114b，經由穿過在該源極區1〇5S上的該 閘極絕緣層106和該絕緣内層！ 10所形成的該第二接觸洞 112b，與該源極區1058直接連接。該傳導結構丨14〇，經由 形成在該閘極墊1 〇8c的一上部之該絕緣内層丨丨〇的該第四 接觸洞112c ’與該閘極墊i〇8c連接。 實施例二 第六圖係顯示本發明多晶矽TFT之第二實施例的橫戴 面圖。 根據第一圖’利用與實施例一相同的方法形成一用於 連接一閘極墊之資料線丨14a、一圖像電極丨丨仆及一傳導結 構114c後（用該第五光罩），在一組合物質的整個表面上沉 積一無機絕緣物質，如氮化矽（SiNx)，以形成一保護層 1 1 6。然後，用照相平版印刷程序蝕刻於該傳導層1 1 k上 之該保護層1 1 6以露出該傳導層i 14c(用一第六光罩）。 若如以上所述形成該保護層，和實施例一比較，光罩 數量增加到6張。然而，具有避免該資料㈣如及該圖素 電極l!4b被污染以及保護該結構的優點。該保護層ii6最 -------------裝--------訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 好有一所需之厚度，如此可避免在該圖素電極及其上基底 的一電極之間產生一電場。 t施例三 第七圖係顯示本發明多晶矽TFT之第三實施例的橫截 面圖。 根據第七圖，在一由透明絕緣物質，如玻璃、石英或 藍寳石，所做成的透明基底300之上，形成有一塊狀層30;。 於該塊狀層302上形成一多晶矽主動結構3〇4，一電容器的 低電極305T—體成形在該主動結構3〇4。 於該主動結構304及該塊狀層3〇2上，形成有一由氮化 矽或氧化矽所做成之閘極絕緣層3〇6。於該閘極絕緣層川6 上，形成一穿越該主動結構3〇4以定義源極/汲極區3〇5s， 105D之閘極電極108a。，亦即，該主動結構3〇4與該問極電 極3〇8a重叠的部分作為一 TFT通道區3〇5〇,並且，該主動 結構104的一邊，其相對於位於中心的該通道區3〇5c所區 分，當作是該源極區305S，另一邊當作是該汲極區3〇5：〇， 同時，該源極區305S與該汲極區3〇5D彼此的位置可互換。 再者，用於接收來自一外部1〇：(未示）之掃瞄信號的一 電容器線（亦即該電容器的上電極）鳩及_閘極塾和該閘 極電極308a形成於同一層，同時，為了增加儲存電容，該 主動結構304之該源極區3〇5s較寬可與該電容器線3〇肋重 疊。 於該閘極電極308a、該電容器線3〇8b及該閘極絕緣層 306之上，形成有一第一絕緣内層31〇，其由一無機物質，
本紙張尺度義中國國家標準（CNb)A4規格⑽X 297公爱) --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490858 A7 B7 五、發明說明（18) 如Si02& SiNx，或一丙烯酸感光有機物質所製成。 於該第一絕緣内層310之上形成一由一單層鋁或一含 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 鋁金屬合金，如AINd，或一堆疊在鋁上之Cr或Mo合金的 多層結構所製成的資料線3 12，該資料線3 12傳送一影像信 號至該没極區3 0 5 D。因此，最好是由一具有高傳導性之 金屬所製成的資料線3 12 ’以便降低於傳送該影像信號時 A 的齡損。 _ 經. 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 於該資料線3 12及該第一絕緣内層3 1 0之上，形成有一 第二絕緣内層314，其由一無機物質，如Si02&SiNx，或 一丙烯酸感光有機物質所製成。於該第二絕緣内層314之 上，一經由一形成在該源極區305S上穿過該閘極絕緣層 3 〇 6、該第一絕緣内層3 1 0及該第二絕緣内層3 14的第二接 觸洞316b所形成的圖素電極318b與該源極區305S直接連 接。於該第二絕緣内層3 14之上，一經由一形成在該汲極 區3 0 5 D上穿過該閘極絕緣層3 0 6、該第一絕緣内層3 1 〇及 • 該第二絕緣内層3 14的第一接觸洞3 1 6a和一形成在該資料 線312上之該第二絕緣内層314的第三接觸洞316c所形成的 沒極電極318a連接該資料線3 12及該汲極區305D。該汲極 電極318a及該圖素電極31 8b形成自同一層。當該源極區 3 0 5 S與該汲極區3 0 5 D的位置互換時，一連接至該資料線 3 12的電極被當作是一源極電極，該圖素電極3丨此係直接 連接至該沒極區3 0 5 D。 該圖素電極318b具有接收來自該TFT的影像信號連同 該源極 一上基底之一電極（未示）以產生一電場及接收來自
斗观58 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ^------___ 五、發明說明（19) 區305S之該影像信號的功能。 根據本發明此一實施例，係同時形成用於連接該資料 線312及該汲極區3051)的該第一和第三接觸洞31以，31以 以及用於連接該圖素電極318b至該源極區3〇5S的該第二 接觸洞3 1 6b ’因此該光罩數量自七張減少至六張。 第八圖係一可根據此一本發明第一實施例所製造之該 多晶矽TFT的平面圖。 參考第八圖，於該透明基底之上形成一由一單層鋁或 5鋁金屬合金，如AINd，或一堆疊在鋁上之(^或]^〇合 金的多層結構所製成的閘極線。該閘極線係包含一在與該 電容器線308b平行之第一方向（即橫向）延伸的閘極線 308、連接至该閘極線3〇8的一端以接收一來自外界的掃信 唬亚傳达該信號至該閘極線3〇8的該閘極墊（未示）及當作 該閘極線308—部分之該TFT的閘極電極（第七圖的3〇8a)。 於該閘極線之上，形成該資料線312，其在一垂直該 第方向的第二方向（即縱向）延伸。該主動結構3〇4以一 所而之距離和δ亥資料線3 12相隔。自該閘極線3〇8所分支出 的該閘極電極穿越該主動結構3〇4。該電容器線3〇讣的一 大部份與一被該閘極電極所穿越之該主動結構3〇4的下區 (即該源極區）重4。_被該閘極電極所穿越之該主動結構 3〇4的上區（即該汲極區）被該汲極電極31心連接至該資料 線3 12為此連接，遠第一接觸洞3 1 6a係形成在汲極區， 該第三接觸洞316c係形成在一該資料線312的所需部。 該第二接觸洞316b係形成在該主動結構104的該源極 本紙張尺錢中國國家鮮（CNS)A4規格（210 X 297公髮)_
--------^------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -22- 經- 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 490858 A7 ------^__^___ 五、發明說明（20) 區’和該汲極電極318a形成於同一層之該圖素電極318b經 由该第二接觸洞3 1 6b與該源極區直接連接。 第九（A)至第九（E)圖係顯示沿著第八圖之C-C，線的橫 截面圖’以說明一製造該多晶矽TFT的方法。 第九（A)圖係顯示一形成該主動結構3〇4的步驟。在由 一絕緣物質，如玻璃、石英及藍寶石，所做成的該透明基 | 底300之上，沉積一厚度為1000A的氧化矽以形一該塊狀 曰〇2 玄塊狀層302可被省略。然而，在一非結晶形石夕層 結晶化期間，寧可用該塊狀層來防止於該基底300中的不 同雜質穿透進一矽層。 藉由一化學蒸氣沉積，在該塊狀層302上沉積該非結 曰曰幵y石夕層達約5〇〇A的厚度之後，執行一鐳射回火處理或 熔爐回火處理以結晶化該非結晶形矽層至該多晶矽層， 後用如、相平版印刷程序建構該多晶石夕層以形成該主 動結構304(用一第一光罩）。 第九（B)圖係顯示一形成該資料線的步驟。藉由一化 學瘵氣沉積，於該主動結構304及該塊狀層302之上沉積該 氧化矽或该氮化矽，以形成該閘極絕緣層306。於該閘極 絕緣層306之上沉積一閘極傳導層之後，用該照相平版印 刷程序建構-p型及η型TF 丁的該閘極傳導層以形成該間極 線。在該ρ型及η型源極/汲極執行一離子植入程序（用一第 一及第三光罩），此時，同時形成該閘極線3〇8平行之該電 容器線308b。 該閘極線包含形成於一顯示區之閘極線（第八圖中的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐 -------------^衣--------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -23- 490858 A7 B7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 發明說明（21) 308)、作為該閘極線一部分的該閘極電極3〇8a、及形成在 一位置在該顯示區外部的墊區之該閘極墊（未示）。該閘極 塾自外界接收該掃瞄信號並傳送該信號至該閘極線3〇8。 該閘極傳導層係由該單層鋁或一含鋁金屬合金，如A1Nd， 或该堆$在鋁上之Cr或Mo合金的多層結構所製成。 第九（C)圖係顯示一形成該第一絕緣内層3 10、該資料 線3 12及第二絕緣内層314的步驟。如以上所述，在完成該 閘極電極建構及該源極/汲極離子植入之後，執行用鐳射 光束等之回火處理以活化所doped入的離子並彌補該半導 體層的損害。然後，於該閘極線、該電容器線308b及該閘 極絕緣層306上，形成一厚度達數千人之該第一絕緣内層 310。該第一絕緣内層310可由該氧化矽 '氮化矽或其組合 物之無機絕緣物質、或一丙烯酸感光有機絕緣物質所製 成。若用該感光有機層，在一曝光程序之後經由一顯影程 序完成該建構，不需一分隔蝕刻程序。 再者’於該第一絕緣内層310之上，形成一厚度約為 2000A的傳導層，該傳導層被該照相平版印刷程序蝕刻以 形成該資料線312(用一第四光罩），最好是由一具有高傳 導性之金屬所製成的該資料線3丨2，以便降低於傳送該影 像信號時的虧損。因此，該資料線3丨2係由該單層鋁或一 含鋁金屬合金，如AINd，或該堆疊在鋁上之心或M〇合金 的多層結構所製成。 於該資料線312及該第一絕緣内層31〇之上，形成一厚 度達數千A之該第二絕緣内層3 14，該第二絕緣内層3 14最 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） ----— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 聚---- 訂---------線| 490858 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 、發明說明（22) 好由該無機絕緣物質，如該氧化碎、氮化碎或其組合物。 第九（D)圖係顯示一形成該接觸洞的步驟。利用照相 平版印刷程序钱刻部分該第二絕緣内層314、該第一絕緣 内層310及該閘極絕緣層3〇6，以形成用來露出該主動結構 3^04之汲極區305D的該第一接觸洞31仏、用來露出該源極 區3 05S的該第二接觸洞316b及用來露出該資料線Μ〕的該 第一接觸洞（用一第五光罩）。此外，一用來露出該閘極墊 的第四接觸洞與該第一至第三接觸洞316a，31讣及31心一 起形成。 這時，該第二絕緣内層314、該第一絕緣内層31〇及該 閘極絕緣層306應被蝕刻以形成該第一及第二接觸洞 316a，316b，該第二絕緣内層314應被蝕刻以形成該第三 接觸洞3 1 6C，再者，該第二及第一絕緣内層3 1 4，3 1 0應被 餘刻以形成該第四接觸洞。因此，因將被蝕刻的層數個個 不同，係存在該接觸洞未能於同時形成的問題。 在此一實施例中，要解決上述問題，藉由一用氟基氣 體之乾蝕刻方法執行該蝕刻程序。當製造一易揮發之副產 品時，形成該絕緣内層及該閘極絕緣層的該氧化層及該氮 化層係連績被蝕刻。然而，在另一方面，形成該資料線的 金屬層與該氟基氣體反應以產生一非揮發之副產品。因該 金屬層之一表面係保護，該金屬層不再被蝕刻或一蝕刻速 率係明顯降低。因此，該第一至第四接觸洞，其分別有一 不同深度，利用其特性可同時形成。 再者’利用一具有全曝光結構的光罩，具有不同深度 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） --------------裝--------訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -25- 490858 A7 B7 23、 五、發明說明（ 之該接觸洞與一為了降低曝光強度的狹縫一起形成。 第九（E)圖係顯示一在該第一至第三接觸洞3 1 6a， 316b，316c及該第二絕緣内層314上沉積該傳導層318的步 驟。在本實施例中，因建構該傳導層3 1 8以形成該圖素電 極，若是一反射式LCD，一具有高反射性之金屬，如Ai， 為該傳導層3 18所用，若是一背光式LCD，用一透明傳導 層，如 ITO(indiiim-tin-〇xide)層或 IZO(indium-zinc-oxide) 層。 然後，利用照相平版印刷程序建構該傳導層3丨8，以 形成該汲極電極3 18a及該圖素電極318b (用一第六光罩）， 如第七圖所示。該汲極電極318a，經由穿過在該汲極區 305D上之該閘極絕緣層306、該第一絕緣内層31〇及該第 二絕緣内層314所形成的該第一接觸洞316a及穿過在該資 料線3 12的一上部之上的該第二絕緣内層3 14所形成的該第 一接觸洞3 1 6 c ’連接该 >及極區3 〇 5 D及該資料線3 1 2。 該圖素電極318b，經由穿過在該源極區3〇5s的一上 部之上的該閘極絕緣層306、該第一絕緣内層3丨〇及該第二 絕緣内層314所形成的該第二接觸洞丨丨几，與該源極區 305S直接連接。 並且，雖然未示於圖式中，當建構該傳導層3丨8時， 在該閘極墊區形成一閘極墊傳導結構，該閘極墊傳導結構 經由穿過在該閘極墊的一上部之上的該第一及第二絕緣内 層310，3 14所形成的該第四接觸洞，與該閘極墊連接。 實施例四 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -26· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 490858 A7 B7 、發明說明（"） 第十（A)圖及第十（B)圖係顯示本發明第四實施例的多 晶矽TFT之製造方法的橫截面圖。 參考第十（A)圖，用相同於本發明之實施例三的方法， 在形成一電容器線308b及一包含一閘極電極308a、一閘極 線及一閘極墊的閘極線之後，在其上沉積一氧化物 (Si〇2)、一氮化物（SiNx)及其組合物之一無機絕緣物質以 形成一第一絕緣内層3 10。 一金屬的資料線3 12形成在該第一絕緣内層3丨〇上，然 後，在該第一絕緣内層310及該資料線312上，形成一由一 丙烯酸感光有機物質所製成的第二絕緣内層3 1 5。 若用一光罩曝光及顯影該第二絕緣内層315，移除在 該資料線312上部的一第三接觸區的該第二絕緣内層315以 形成一用於露出該資料線3 12的第三接觸洞3丨6c。並且， 該第一絕緣内層3 1 0及該閘極絕緣層3〇6仍保留在一第二接 觸區及一源極/汲極3〇5S，305D上部的第一接觸區。 參考第十（B)圖，在形成該第三接觸洞316c的狀況下， 若用氟基氣體執行一乾蝕刻程序，該金屬資料線312的一 表面係保護，以便不再蝕刻該資料線312或慢慢地執行該 餘刻程序，同時，連續餘刻氧化物或氮化物的該第一絕緣 内層310及該閘極絕緣層3〇6。因此，該第一、第二、第二 及第四接觸區完全被打開以形成該第-接觸洞3l6a、該第 二接觸洞316b及該第四接觸洞（未示）。 所因此，若該第二絕緣内層315係由該感光有機絕緣物 貝所製成，用一單獨照相平版印刷程序形成分別具有不同 --------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-27- 490858 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（2) 深度之該接觸洞。 在此’由-該感光有機物質所製成之該第二絕緣内層 315的上面之上’藉由部分控制光量之曝光程序形成； 起部…反射性物質之时祕在其切成。祕起部作 為-微透鏡，因此提供-改善影像品#，如㈣，的 LCD。 根據本發明第-實施例，形成自同_層的一資料線及 -圖素電極㈣由相同物所製成。用於分別連接該資料線 及該圖素電極至一主動結構的_源極區及_汲極區的接觸 洞’在同時被形成。亦即，經由自同_層如該圖素電極所 形成的該資料線，一影像信號係被傳送至該汲極區。再者， 不需一分隔之源極電極，該圖素電極係直接被連接至該 TFT之源極區。所以，所用之光罩數量由7張減少至⑼， 因此簡化一製造程序。 根據本發明第二實施例，為避免形成自同一層的該資 料線及該圖素電極，如第一實施例所述，暴露到外部，於 該資料線及該圖素電極之上形成一保護層。此時，因該塾 區之保護層被移除，與第二實施例比較，仍需要一用於建 構該保護層之光罩。 根據本發明第三實施例，形成該資料線之後，同時形 成接觸洞，一與該圖素電極及該資料線連接之電極，自同 一層被形成。亦即，經由自同一層如該圖素電極所形成的 該汲極電極，應用至該資料線的該影像信號可被傳送至該 TFT之汲極區。再者，不需一分隔之源極電極，該圖素電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）
請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i "ml裝--------訂---------線 490858 A7 五、發明說明（26) 極係直接被連接至一 TFT之該源極區。因此，所用之光罩 數量由7張減少至5張。 根據本發明第四實施例，若一用於絕緣該資料線之第 二絕緣内層由一丙烯酸感光有機物質所製成，不需_分隔 之姓刻程序，經由一在一曝光程序期間之顯影程序，建構 該第二絕緣内層，於一用就基氣體之乾钱科程序，利用介 於一氧化物層（或一氮化物層）及一金屬層之間的蝕刻特性 差，用於露出該資料線及該源極/汲極區的該接觸洞係被 一單獨照相平版印刷程序所形成。 因此，根據本發明用於LCD之TFT的製造方法，與習 知方法比較，該光罩數量是減少的，因此簡化該製造程序。 當本發明被詳細說明時，在不違反本發明申請專利範 圍所定義之精神與範圍可做出不同的變化、替換及修改是 可以被理解的。 --------------^—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· •線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準規格（210 X 297公釐） -29- 490858 A7 B7五、發明說明（27) 【元件標號對照表】 100，300…透明基底 110…絕緣内層 102，302…塊狀層 112a，316a".第一 接觸洞 104，304…主動結構 112b，316b···第二 接觸洞 105C，305C··.通道區 112d，316c···第三 接觸洞 105D，305D...汲極區 112c··.第四接觸洞 105S，305S...源極區 114...傳導層 105T，305T...低電極 114a，312...資料線 106，306…閘極絕緣層 114b，318b...圖素電極 108，308...閘極線 114c...傳導結構 108a，308a...閘極電極 116...保護層 108b，308b...電容器線 310...第一絕緣内層 108c...閘極墊 314，315···第二絕緣内層 108d...信號傳送線 318a...汲極電極 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 六、申請專利範圍 1· 一種用於LCD的多晶矽TFT，包含： 一主動結構’其形成在一基底上； 一閘極絕緣層，其形成在包含該主動結構的基底 上； 閘極線’其形成在該閘極絕緣層上以穿過該主動 結構，該閘極線包含一用來定義一第一雜質區、一第二 雜質區及一通道區； 一 緣内層，其形成在包含該閘極線之該閘極絕緣 層上； 一資料線，其形成在該絕緣内層上，並經由一穿過 σ亥第一雜貝區上的該閘極絕緣層及該絕緣内層所形成之 弟一接觸洞連接該第二雜質區；及 一圖素電極，其與該資料線自同一層形成，並經由 一穿過該第一雜質區上的該閘極絕緣層及該絕緣内層而 形成之第一接觸洞與該第一雜質區連接。 2. 如申請專利範圍第丨項所述之TFT，更包含一電容器線， 其同於該閘極線自該閘極絕緣層形成，該電容器線與該 第一雜質區重疊並與該閘極線平行。 3. 如申请專利範圍第1項所述之TFT，更包含一信號傳送 線，其同於該閘極線自該閘極絕緣層形成，以一所需之 間距與该閘極線隔開時，該信號傳送線在一垂直於該閘 極線的方向延伸，並且 其中該資料線，經由該第一接觸洞及一在該信號傳 送線之上的該絕緣内層所形成的第三接 ，連接該信 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 i編· 頁I 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -31-
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    六、申請專利範圍 號傳送線。 4·如申請專利範圍第1項所述之TFT，更包含一形成在該 基底及該主動結構之的塊狀層。 5·如申請專利範圍第1項所述之TFT，更包含一形成在該 絕緣内層、該資料線及該圖素電極之上的鈍態層。 6·如申請專利範圍第1項所述之TFT，其中該絕緣内層包 含一無機絕緣物質。 7·如申請專利範圍第1項所述之TFT，其中該絕緣内層包 含一有機絕緣物質。 8. 如申請專利範圍第7項所述之τρτ，其中該絕緣内層具 有一隆起表面。 9. 一種用於LCD的多晶矽TFT，包含： 主動結構’其形成在一基底上； 一閘極絕緣層，其形成在包含該主動結構的基底 上； 一閘極線，其形成在該閘極絕緣層上以穿過該主動 結構，該閘極線包含一用來定義一第一雜質區、一第二 雜質區及一通道區； -第-絕緣内層，其在包含該閘極線的該閘極絕緣 層之上形成； 一資料線，其形成在該第一絕緣内層上； -第二絕緣内層，其在包含該閘極線的該第一絕緣 内層之上形成； 一圖素電極，其在該第二絕緣内層形成，並經由一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ---------------------訂· I I------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *32-
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    "一電極，其在該第二絕緣内層之上形成並同於該圖 素電極自同-層形成，該電極，經由-穿過在該第二雜 f，上的該閘極絕緣層及該第-及第二絕緣内層所形成 的第接觸洞及一形成在該資料線上之該第二絕緣内層 的第三接觸洞’連接該資料線及該第二雜質區。 1〇·如申請專利範圍第9項所述之TFT，更包含一電容器 線’其在該閘極絕緣層上形成並且同於該閘極線自同一 層形成，該電容器線與該第―雜質區重疊並與該閘極線 平行。 11 ·如申請專利範圍第9項所述之TFT，其中該第一及第二 絕緣内層包含一無機絕緣物質。 12·如申請專利範圍第9項所述之TFT ,其中該第一及第一 絕緣内層包含一丙烯酸感光有機絕緣物質。 13·如申請專利範圍第12項所述之TFT ,其中該第二絕緣 内層具有一隆起表面。 14· 一種用於LCD之多晶矽TF 丁的製造方法，包含如下步 驟： 形成一主動結構在一基底上； 形成一閘極絕緣層在包含該主動結構之該基底上· 形成一閘極層在該閘極絕緣層上； 建構該閘極層以形成一閘極線，並且執行一離子
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再¾寫本頁} 太 --線· -33- 六、申請專利範圍 入耘序以形成在該主動結構的一第一雜質區及一第二雜 質區； —4 形成一絕緣内層在該絕緣層及該閘極線上； 部分蝕刻該絕緣内層及該閘極絕緣層以形成一用於 路出忒第二雜質區的第一接觸洞及一用於露出該第一雜 質區的第二接觸洞； 形成一傳導層在包含該第一及第二接觸洞的該絕緣 内層上；及 建構該傳導層以形成一經由該第一接觸洞連接至該 第二雜質區的資料線及一經由該第二接觸洞連接至該第 一雜質區的圖素電極。 15·如申請專利範圍第14項所述之tft的製造方法，在形 成該主動結構的步驟之前，更包含形成-塊狀層於該基 底整個表面上之步驟。 16.如申請專利範圍第14項所述之TFT的製造方法，其中， 形成該閘極線並執行該離子植入程序的步驟，更包含如 下之步驟.· 您濟部智慧財產局員工消費合作社印製 形成一第一閘極電極在一第一傳導型電晶體區，然 後並植入一第二傳導型雜質離子；及 形成一第二閘極電極在一第二傳導型電晶體區，然 後並植入一第一傳導型雜質離子。 17·如申請專利範圍第14項所述之TFT的製造方法，在建 構該閘極層以形成該閘極線之步驟期間，更包含形成一 信號傳送線之步驟，該信號傳送線在—垂直於該閉
    -34- 490858 AS B8 C8
    六、申請專利範圍 、方向在A閘極線以外延伸，以_所需之間距與該問極 線隔開時。 18·如申睛專利範圍第17項所述之丁打的製造方法，在姓 刻該絕緣内層及該閘極絕緣層以形成該第-及第二接觸 洞』間’更包含形成_用於露出該信號傳送線在該第一 及第二接觸洞以外的第三接觸洞之步驟。 19.如申請專利範圍第18項所述之丁打的製造方法，其中 该貧料線經由該第_及第二接觸洞連接該信號傳送線及 該第二雜質區。 20·如申請專利範圍第14項所述之爪的製造方法，其中 4、、、巴緣内層包含_有機絕緣物質或—無機絕緣物質。 21.如申請專利範圍第14項所述之丁FT的製造方法，在形 成該有機絕緣物質的該絕緣内層之步驟期間，更包含一 執行-曝光及顯影程序以形成—在該絕緣内層上的一表 面的隆起部之步驟。 22· -種用於LCD之多晶矽TFT的製造方法，&含如下步
    {請先閱讀背面之注意事項再^本頁) -線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣
    形成一主動結構在一基底上； 形成一閘極絕緣層在包含該主動結構之該基底上； 形成一閘極層在該閘極絕緣層上； 建構孩閘極層以形成一閘極線，並且執行一離子植 入程序以形成在该主動結構的一第一雜質區及一第二雜 質區！ ” 幵y成苐絶緣内層在包含該閘極線之該絕緣層
    本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱
    -35-
    申請專利 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 範圍 上； 升/成寅料線在該第一絕緣内層上； 形成一第二絕緣内層在包含該資料線之該第一絕緣 内層上； 部分餘刻該第二絕緣内層、該第一絕緣内層或該閘 極乡巴緣層以形成一用於露出該第二雜質區的第一接觸 、'P1 '一用於露出該第一雜質區的第二接觸洞及一用於露 出該第資料線的第三接觸洞； 形成一傳導層在該第二絕緣内層上；及 建構該傳導層以形成一經由該第一及第三接觸洞連 接。玄貝料線及該第二雜質區的電極及一經由該第二接觸 洞被連接至該第一雜質區的圖素電極。 士申叫專利範圍第22項所述之tft的製造方法，其中形 成該第一、第二及第三接觸洞之步驟被一利用氟基氣體 之乾姓刻程序所執行。 24.如申請專利範圍第22項所述之TFT的製造方法，其中 形成該第一、第二及第三接觸洞之步驟係利用一具有全 曝光結構及一狹縫結構之光罩執行。 25·如申請專利範圍第22項所述之TFT的製造方法，其中 該第二絕緣内層包含一丙烯酸感光有機絕緣物質。 26·如申請專利範圍第22項所述之TFT的製造方法，在， 成該第二絕緣内層之步驟期間，更包含執行一曝光及顯 影程序以形成一隆起部在該第二絕緣内層之_表面之牛 驟。 ^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2J0 X 297公釐
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