JP2009122342A - 液晶表示装置、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、基板1上に形成された島状の半導体層3と、半導体層3のソース/ドレイン領域上に形成された導電パターン16と、半導体層3及び導電パターン16を覆うゲート絶縁膜4と、ゲート絶縁膜4上に形成され、チャネル領域の対面に配置されたゲート電極5と、ゲート電極5を覆う層間絶縁膜7と、層間絶縁膜7上に形成されたソース配線44と、ソース配線44を覆う保護膜10と、保護膜10上に形成され、保護膜10、層間絶縁膜7、及びゲート絶縁膜4を貫通するコンタクトホール8aを介して、ドレイン領域上の導電パターン16に接続する櫛歯形状の画素電極12と、保護膜10上において画素電極12と対向配置される櫛歯形状の共通電極13と、を備えるものである。
【選択図】 図2
Description
6 共通配線、7 層間絶縁膜、8、8a、8b、8c コンタクトホール、
9a ソース電極、9b ドレイン電極、9c パッド、
10 保護膜、11 スルーホール、12 画素電極、
13 共通電極(対向電極)、16 導電パターン、17 接続パターン、
18 追加共通配線、21、21a ドレイン−画素電極変換部、
22、22a 共通配線−共通電極変換部、23 保持容量、
41 表示領域、42 額縁領域、43 ゲート配線、44 ソース配線、
45 走査信号駆動回路、46 表示信号駆動回路、
47 画素、48、49 外部配線、50 TFT
Claims (9)
- 基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域を有する島状の半導体層と、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域上に形成された導電パターンと、
前記半導体層及び前記導電パターンを覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記チャネル領域の対面に配置されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線を覆う保護膜と、
前記保護膜上に形成され、前記保護膜、前記層間絶縁膜、及び前記ゲート絶縁膜を貫通する第1コンタクトホールを介して、前記ドレイン領域上の前記導電パターンに接続する櫛歯形状の画素電極と、
前記保護膜上において前記画素電極と対向配置される櫛歯形状の共通電極と、を備える液晶表示装置。 - 前記ゲート電極と同じ層によって形成され、前記保護膜及び前記層間絶縁膜を貫通する第2コンタクトホールを介して、前記共通電極に接続する共通配線をさらに備える請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極と同じ層によって形成され、前記第1コンタクトホールを介して前記ソース領域上の前記導電パターンに接続し、前記保護膜を貫通する第3コンタクトホールを介して前記配線に接続する接続パターンをさらに備える請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極、前記共通電極、及び前記接続パターンは、同じ透明導電膜によって形成されている請求項1乃至3のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
- 基板上に、島状の半導体層と、前記半導体層のソース領域及びドレイン領域上に導電パターンとを形成する工程と、
前記導電パターン及び前記半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記半導体層のチャネル領域の対面にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に配線を形成する工程と、
前記配線を覆う保護膜を形成する工程と、
前記保護膜、前記層間絶縁膜、及び前記ゲート絶縁膜を除去してコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールを介して、前記ドレイン領域上の前記導電パターンに接続する櫛歯形状の画素電極と、前記画素電極と対向配置される櫛歯形状の共通電極とを形成する工程と、を備える液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲート電極の形成工程では、前記ゲート絶縁膜の上に共通配線を形成し、
前記画素電極及び前記共通電極の形成工程では、前記コンタクトホールを介して、前記共通配線と接続するように前記共通電極を形成する請求項5に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記画素電極及び前記共通電極の形成工程では、前記コンタクトホールを介して、前記配線と前記ソース領域上の前記導電パターンとに接続する接続パターンをさらに形成する請求項5又は6に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画素電極、前記共通電極、及び前記接続パターンを、同じ透明導電膜によって形成する請求項5乃至7のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールは、1回のフォトリソグラフィーで形成される請求項5乃至8のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015049516A (ja) * | 2013-09-03 | 2015-03-16 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 液晶表示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001021920A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Furontekku:Kk | 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置 |
JP2002333641A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用多結晶シリコン薄膜トランジスター及びその製造方法 |
JP2003315827A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2005037913A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-10 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | インプレーンスイッチング方式液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2007133365A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 |
JP2007173652A (ja) * | 2005-12-23 | 2007-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法、ならびに、該薄膜トランジスタ装置を備えた表示装置 |
-
2007
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001021920A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Furontekku:Kk | 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置 |
JP2002333641A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置用多結晶シリコン薄膜トランジスター及びその製造方法 |
JP2003315827A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2005037913A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-10 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | インプレーンスイッチング方式液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2007133365A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 |
JP2007173652A (ja) * | 2005-12-23 | 2007-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法、ならびに、該薄膜トランジスタ装置を備えた表示装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015049516A (ja) * | 2013-09-03 | 2015-03-16 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 液晶表示装置 |
US10663813B2 (en) | 2013-09-03 | 2020-05-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
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