KR101027979B1 - 액정 디스플레이 디바이스 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 방법은 능동-매트릭스 액정 디스플레이 디바이스의 박막 트랜지스터에서 기저 전극상의 절연막상에 광-엠보싱(photo-embossing) 재질을 사용해서 돌출부(projection)와 침하부(depression)를 갖는 유기질막을 형성하는 단계와; 상기 유기질막까지 건식 에칭(dry etching)함으로써 유기질막의 두께를 감소시켜서 접촉-구멍-형성-영역에서 절연막을 노출시키는 단계와; 접촉 구멍을 형성하고 건식 에칭에 의해 기저를 노출된 절연막까지 노출시키는 단계와; 결과 구조체상에 반사 전극을 형성함으로써 노출된 기저 전극을 반사 전극과 접촉시키는 단계를 포함한다.

Description

액정 디스플레이 디바이스 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법, 특히 광리소그라피 단계를 증가시키지 않고 향상된 광특성을 보이는 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법과 관련이 있다.
능동 매트릭스형 액정 디스플레이 디바이스에서 반사 전극의 광확산 특성을 향상시키기 위해, 돌출부와 침하부를 구비한 유기막이 화소 영역의 반사 전극의 기저막으로서 형성되고, 반사 전극이 이 위에 형성된다{셀 내부 확산 반사기(In-Cell Diffusing Reflector: IDR}. 접촉 구멍이 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 절연막상에 형성될 때, TFT가 형성된 후, 돌출부와 침하부가 광리소그라피 단계에서 반사 영역에서 IDR을 위해 형성되며, 그리고 나서 접촉 구멍이 광리소그라피 단계와 에칭 단계에서 접촉 구멍을 형성하기 위해 마스크를 사용해서 게이트 절연막상에 형성된다.
하지만, 상기 설명된 방법은 IDR 돌출부와 침하부를 형성하고 접촉 구멍을 형성하는 두 개의 광리소그라피 단계를 필요로 한다. 이것은 마스크 절약(광리소그라피 단계의 감소)의 견지에서 바람직하지 않다.
광리소그라피 단계를 증가시키지 않고 향상된 광특성을 보이는 액정 디스플레이 디바이스를 얻을 수 있는 액정 디스플레이디바이스를 제조하는 방법을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
본 발명에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법은 능동-매트릭스액정 디스플레이 디바이스의 박막 트랜지스터에서 기저 전극 위의 절연막 상에 광-엠보싱 재질을 사용해서 돌출부(projection)와 침하부(depression)를 갖는 유기질막을 형성하는 단계와, 유기질막의 두께를 유기질막까지 건식 에칭함으로써 감소시켜 접촉-구멍-형성-영역에서 절연막을 노출시키는 단계와, 이 노출된 절연막을 건식 에칭함으로써 접촉 구멍을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 방법에 따라, 현상하지 않고 노출과 베이킹(baking)을 통해 패터닝(patterning)을 실현하는 것이 가능하다. 이것은 임의의 습식 과정 없이 유기막을 형성하는 단계로부터 접촉 구멍을 형성하는 단계까지의 단계를 실현하는 것을 가능하게 한다.
이것은 현상 단계를 요구하는 클리닝과 건조 단계의 필요를 제거하고, 처리량을 향상시킬 수 있다. 또한, 이 방법은 접촉 구멍을 형성하기 위한 광리소그라피 단계의 필요성을 제거하고, 따라서 이 단계는 복잡하지 않다.
본 발명에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법은 접촉 구멍의 형성에 있어서 기저 전극을 노출하는 단계와 결과 구조 상에 반사 전극을 형성함으로써 노출된 기저 전극을 반사 전극과 접촉시키는 단계를 선호적으로 포함한다.
본 발명에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법에 있어서, 광-엠보싱 재질은 선호적으로 노출 단계와 베이킹 단계에 의해 패터닝 할 수 있는 재질이다. 이 경우에, 유기질막은 유기질막 형성에 있어서 광-엠보싱 재질을 노출시키고 베이킹하는 것에 의해 선호적으로 형성된다. 또한 이 경우에, 반색조(halftone) 또는 회절(diffraction) 마스크가 노출시키는 데에 선호적으로 사용된다.
본 발명에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법에 있어서, 건식 프로세스는 유기질막을 형성하는 단계로부터 접촉 구멍을 형성하는 단계까지 선호적으로 수행된다. 또한, 본 발명에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법에 있어서, 절연막을 노출시키는 단계와 접촉 구멍을 형성하는 단계는 선호적으로 단일 장치에서 수행된다.
본 발명에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법에 있어서, 절연막을 노출시키는 단계에서 건식 에칭 프로세스는 유도적으로 연결된(inductively coupled) 플라즈마 모드 또는 반응적인 이온 에칭 모드에서 선호적으로 수행된다.
본 발명에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법에서, 액정 디스플레이 디바이스는 선호적으로 반사형 액정 디스플레이 디바이스 또는 반투과형(transflective) 액정 디스플레이 디바이스이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법의 한 단계를 도시하는 단면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법의 한 단계를 도시하는 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법의 한 단계를 도시하는 단면도.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법의 한 단계를 도시하는 단면도.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법의 한 단계를 도시하는 단면도.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법에 의해 얻어지는 액정 디스플레이 디바이스를 도시하는 단면도.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법의 한 단계를 도시하는 단면도.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법의 한 단계를 도시하는 단면도.
이제 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예가 아래에서 자세히 설명될 것이다.
(제1 실시예)
이 실시예는 반사 전극과 소스/드레인 전극(기저 전극)이 접촉 구멍을 통해 연결되는 경우를 설명한다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법에 의해 얻어지는 액정 디스플레이 디바이스의 일부를 도시하는 단면도이다. 이하에서는, 액정 디스플레이 디바이스가 반투과형인 경우가 설명될 것이다. 아래에서 설명되는 부분은 능동 매트릭스형 액정 디스플레이 디바이스의 게이트 전극과 게이트 절연막에 근접한 영역이다. 그러므로, 본 발명과 직접적인 관련이 없는 다른 부분들에 대한 설명은 생략된다. 이 다른 부분의 구조는 종래의 구조와 실질적으로 유사하다.
절연 투명 기판인 유리 기판(11)의 주요면상에, 광이 직접적으로 TFT 안으로 들어오는 것을 막는 광차폐막(12)이 존재한다. 이 광차폐막(12)은 소스 전극과 드레인 전극사이의 영역(틈)을 포함하는 영역에 대응하는 유리 기판 상의 영역에 형성된다. 층간(inter-layer) 절연막인 산화 규소막(예를 들면 SiO2)(13)은 광차폐막(12)이 형성되는 유리 기판(11)상에 형성된다. 여기서, 유기 기판 대신에 수정 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용하는 것이 또한 가능하다. 액정 디스플레이 디바이스가 반투과형일 때, 그와 같은 투명 기판이 사용될 수 있으나, 액정 디스플레이 디바이스가 반사형일 때는, 규소 기판이 또한 사용될 수 있다. 반사형 액정 디스플레이 디바이스인 경우에는 어떠한 광차폐막도 요구되지 않는다.
소스 전극과 드레인 전극은 산화 규소막(13)상에 형성된다. 소스 전극과 드레인 전극 각각은 ITO막(14)과 ITO막(14)상에 형성된 금속막(15)의 이중-층 구조를 가지며, 이 두 개의 전극은 투명 전극이다. 소스 전극과 드레인 전극은 이중-층 구조에 제한되지 않고, 단일-층 또는 삼중-층 구조를 또한 가질 수 있다. 하나의 틈 이 소스 전극과 드레인 전극 사이에 형성되고, 반도체막인 a-Si막(16)이 이 틈과 소스 전극과 이 틈 주위의 드레인 전극상에 형성된다.
게이트 절연막인 질화 규소막(예를 들면, SiN)(17)이 a-Si막(16)상에 형성된다. 게이트 절연막인 질화 규소막(18)은 a-Si막(16), 질화 규소막(17), 소스 전극과 드레인 전극 상에 형성된다. 접촉 구멍(22)은 이러한 질화 규소막(예를 들면, SiN)(18)에 형성된다. 이제, 게이트 절연막이 질화 규소막(17, 18)의 이중-층 구조를 가지고 있으나, 게이트 절연막은 또한 단일-층 구조를 가질 수 있다.
질화 규소막(18)의 틈을 포함하는 영역에서, 게이트 전극(19)이 형성된다. IDR 유기질막(20b)이 이와 같은 구조를 갖는 반사 영역 상에(그 영역에 반사 전극이 제공되는) 형성된다. 유럽 특허 출원 제 03102200에서 설명된 본원 발명의 광-엠보싱 재질은 이 유기질막(20b)의 재질로서 사용된다. 돌출부와 침하부는 광 확산 능력을 갖는 반사 전극에 제공하기 위해 이 유기질막(20b)의 표면상에 형성된다. 반사 전극(23)은 유기질막(20b)의 반사 영역상에 형성된다. 이 반사 전극(23)은 또한 접촉 구멍(22)의 측벽상에 형성된다. 접촉 구멍(22)에서, 반사 전극(23)으로 가려진 부분 외의 금속막(15)이 제거되고, ITO막(14)이 노출된다. 게이트 전극(19)과 반사 전극(23)의 재질은 일반적으로 사용되는 재질이다.
이와 같은 구조를 갖는 액정 디스플레이 디바이스에서, IDR 구조를 갖는 유기질막(20b)은 평평하지 않은 형태를 가지며, 따라서 유기질막(20b)은 IDR을 사용해서 충분한 광학적인 효과를 보일 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제1 실시예에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하 는 방법이 도 1 내지 도 6을 사용해서 설명될 것이다. 도 1 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법의 단계를 도시하는 단면도이다.
도 1에서 도시된 대로, 한 예로서 크롬 몰리브덴막이 유리 기판(11) 상에 코팅되며, 광리소그라피 단계와 에칭 단계를 통해 와이어링(wiring) 영역(소스 전극과 드레인 전극 사이의 틈을 포함하는)에 대응하는 부분의 크롬 몰리브덴막만을 남기는 것에 의해 광차폐막(12)이 형성된다. 다음으로, 층간 절연막인 산화 규소막(13)이 유리 기판(11)과 광차폐막(12)상에 형성된다.
다음으로, ITO막(14)과 금속막(15)이 하나씩 산화규소막상에 형성되고, 개구(틈)가 광리소그라피 단계와 에칭 단계에서 게이트 영역에 형성된다. 이 개구에는 점점 가늘어지는 표면이 제공되는데, 이 표면의 폭은 그 위에 형성될 막의 범위(coverage)를 향상시키기 위해 산화 규소막(13) 방향으로 감소된다. 이 부분의 구조에서, ITO막(14)의 모서리가 금속막(15)의 모서리보다 더 많이 바깥쪽으로 확장되어야 하는 것이 필수적이며, 점점 가늘어지는 형태가 선호적으로 제공된다. 나중에 설명될 a-Si막을 형성하기 이전에 이와 같은 구조로 PH3 플라즈마를 조사하는(irradiating) 것은 P 원자가 ITO막(14)의 표면으로 흡수되는 것을 야기한다. 결과적으로, 옴 특성이 a-Si와 ITO 사이에 얻어진다.
그리고 나서, a-Si막(16)과 질화 규소막(17)이 이 개구를 갖는 금속막(15)상에 하나씩 차례로 형성되고, a-Si막(16)과 질화 규소막(17)은 광리소그라피 단계와 에칭 단계를 통해 이 게이트 영역(틈과 이 틈 주위의 소스와 드레인 전극)에 남겨진다.
다음으로, 게이트 절연막인 질화 규소막(18)이 이 기판의 전체 표면상에 형성된다. 이 게이트 전극(19)을 위한 금속막이 또한 이 기판 표면위에 형성된다. 이것에 추가해서, 유기질막(20)의 재질이 유기질막(20)를 형성하기 위해 이 위에 코팅된다. 이 유기질막(20)은 반색조 마스크(21)을 사용해서 패터닝이 된다.
이제, 유럽 특허 출원 번호 03102200.7에서 설명된 본 출원자의 광-엠보싱 재질이 유기질막(20)의 재질로서 사용된다. 이 출원 내용의 전체적인 개시는 여기서 전체적으로 참조로 병합된다. 이 광-엠보싱 재질은 광민감도가 노출 후에 베이킹 단계를 적용하는 것에 의해 손실되는 재질이다. 돌출부와 침하부를 갖는 유기질막이 광-엠보싱 재질을 사용해서 형성될 때, 노출 단계와 베이킹 단계를 사용해서 패터닝을 실현하는 것이 가능하다. 이것은 현상 단계의 필요성을 제거시키며, 습식 프로세스를 생략하는 것을 가능하게 한다.
이 반색조 마스크(21)는 광을 차폐하는 광차폐부(21a)와, 단지 광의 일부만을 통과시키는 것을 허용하는 반-투명부(21b)와, 모든 광이 통과되는 것을 허용하는 투명부(21c)로 이루어져 있다. 반색조 마스크(21)의 투명부(21c)는 접촉 구멍이 형성되는 게이트 절연막의 영역에 대응하기 위해 제공되며, 광차폐부(21a)는 IDR 유기질막의 볼록한 부분을 포함하는 영역에 대응하기 위해 제공되고, 반투명부(21b)는 IDR 유기질막의 오목한 부분을 포함하는 영역에 대응하기 위해 제공된다.
광-엠보싱 재질이 도 2에 도시된 대로 이 반색조 마스크를 사용하여 광에 노 출될 때, 모든 노출 광은 투명부(21c)를 통과하며, 노출광의 일부가 반투명부(21b)를 통과한다. 반면에, 노출광의 어느 것도 광차폐부분(21a)을 통과하지 않는다. 즉, 투명부(21c)에 대응하는 영역의 광-엠보싱 재질의 대부분이 제거되고, 남겨진 것은 모든 것 중에 가장 얇은 부분이다. 반면에, 반투명부(21b)에 대응하는 영역의 광-엠보싱 재질이 부분적으로 제거된다. 광차폐부(21a)에 대응하는 영역의 모든 광-엠보싱 재질은 남게 된다. 베이킹 단계는 광-엠보싱 재질을 경화하기(harden) 위해 남겨진 유기질막(20a)에 적용된다. 이것은 돌출부와 침하부를 갖는 유기질막(20a)을 초래한다.
다음으로, 건식 에칭이 유기질막(20a)에 적용되고, 유기질막(20a)의 전체 두께는 접촉-구멍-형성 영역(X)(개구의 형성)의 질화 규소막을 노출하기 위해 감소된다. 즉, 유기질막이 건식 에칭을 통해 도 2에서 점선으로 도시된 것처럼 남겨진다. 이 때, 유기질막(20a)이 접촉-구멍-형성 영역(X)의 질화 규소막(18)상에 남겨질 때, 애싱(ashing) 등을 사용해서 유기질막(20a)을 제거하는 것이 선호된다.
이 건식 에칭이 접촉 구멍이 형성되는 영역에서 유기질막(20a)을 제거하기 위해 수행되므로, 사용되는 가스와 조건은 이 목적이 달성될 수 있는 범위 내에서 적절히 수정될 수 있다. 또한, 노출된 질화 규소막(18)(접촉-구멍-형성 영역)은 EPD(End Point Detector: 말단점 검출기)에 의해 검출될 수 있다. 또한, 유도적으로 연결된 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 모드 혹은 반응적 이온 에칭(RIE: reactive ion etching) 모드에서 건식 에칭을 수행하는 것에 의해 유기질막(20a)의 두께를 균일하게 감소시키는 것이 가능하고, 그러므로, 평평하지 않은 형태가 건식 에칭 후에 유지될 수 있다. 이런 식으로, 확산 반사 특성이 저하되는 것을 방지하는 것이 가능하다.
다음으로, 건식 에칭이 질화 규소막(18)이 도 4에서 도시된 대로 노출되는 영역에서 접촉 구멍(22)을 형성하기 위해 도 3에서 보여진 구조에 적용된다. 이 때, 에칭이 마스크로서 유기질막(20b)을 사용해서 수행된다.
이 건식 에칭이 접촉 구멍을 형성하도록 수행되므로, 사용되는 가스와 조건은 이 목적이 적절하게 달성될 수 있는 범위 내에서 수정될 수 있다.
따라서, 패터닝이 노출과 베이킹을 통해 수행될 수 있는데, 즉, 현상하지 않고 패터닝을 할 수 있는 광-엠보싱 재질을 IDR 유기질막의 재질로서 사용해서, 돌출부와 침하부를 갖는 유기질막을 형성하는 단계로부터 건식 프로세스(어떠한 습식 프로세스도 사용하지 않고)를 사용해서 유기질막의 기저의 절연막을 위한 접촉 구멍을 형성하는 단계까지의 모든 단계를 수행하는 것이 가능하다. 그러므로, 유기질막을 형성하는 단계로부터 접촉 구멍을 형성하는 단계까지의 여러 단계가 단일 장치에서 수행되어 처리량을 향상시킬 수 있다.
다음으로, 도 5에서 도시된 대로, 금속막이 반사 전극(23)을 형성하기 위해 반사 영역{유기질막(20b)과 접촉 구멍의 질화 규소막(18)의 측벽을 포함하는}상에 코팅된다. 이제, 접촉 구멍(22)의 영역은 또한 전송 영역의 역할을 한다. 알루미늄 등은 반사 전극(23)의 재질로서 사용될 수 있다. 다음으로, 도 6에서 도시된 대로, 반사 전극(23)의 동일한 레지스트 패턴을 사용해서, 금속막(15)이 계속적으로 에칭되고, ITO막(14)이 전송 영역을 형성하기 위해 노출된다. 에칭 후에, 유기질막이 벗겨진다. 이런 방식으로, 기저 전극{금속막(15)}과 반사 전극(23)이 접촉 구멍을 통해 연결된다. 알루미늄을 반사 전극(23)의 재질로서 그리고 크롬 몰리브덴 합금을 금속막(15)의 재질로서 사용하면, 단일 부식액(etchant)을 사용하는 것이 가능하며, 따라서, 상기 설명된 금속막(15)을 계속해서 건식-에칭하기 위해 반사 전극(23)의 동일 레지스트(resist) 패턴을 사용하는 것이 가능하다.
이런 방식으로, 배열 기판이 생성되고, 반대되는(opposed) 기판이 정상적인 방법을 사용해서 생성되며, 배열 기판과 반대되는 기판이 액정 디스플레이 디바이스를 생성하기 위해 조립된다.
따라서, 이 실시예의 방법에 따라, 평평하지 않은 유기질막이 광-엠보싱 재질을 사용해서 능동 매트릭스형 액정 디스플레이 디바이스의 박막 트랜지스터에서 기저 전극상의 절연막상에 형성되고, 이 유기질막은 건식 에칭되며, 이 유기질막의 막 두께는 감소되며, 접촉-구멍-형성 영역의 절연막이 노출되며, 노출된 절연막이 건식 에칭되며, 접촉 구멍이 형성된다.
이 유기질막을 구성하는 재질은 현상 없이 노출과 베이킹을 통해 패터닝 될 수 있고, 그러므로, 어떠한 습식 프로세스 없이 유기질막을 형성하는 단계로부터 접촉 구멍을 형성하는 단계에 이르기까지의 여러 단계를 실현하는 것이 가능하다. 이것은 현상 단계에서 요구되는 클리닝/건조 단계의 필요성을 제거하며, 처리량을 향상시킬 수 있다. 또한, 이 방법은 접촉 구멍을 형성하기 위한 임의의 광리소그라피 단계를 요구하지 않으며, 따라서, 이 단계는 복잡하지 않다. 이 방법에서 얻어지는 액정 디스플레이 디바이스는 이 표면 상에 돌출부와 침하부를 갖는 유기질막 을 형성할 수 있고, 이것에 의해 종래의 기술에서와 같은 IDR 효과를 보일 수 있다.
(제2 실시예)
이 실시예는 본 발명이 패널 외부에서 단자-형성 위치에 적용되는 경우를 설명할 것이다. 도 7과 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따라 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법의 단계를 도시하는 단면도이다. 도 7과 도 8에서, 점선으로부터 왼쪽 부분은 패널 영역이고, 점선으로부터 오른쪽 영역(밀봉 영역의 외부)은 단자-형성 영역(Y)이다.
산화 규소막(13)은 유리 기판상에 형성되고, ITO막(14)과 금속막(15)은 하나씩 이 위에 형성되며, 이 막들은 패터닝 된다. 이 때, ITO막(14), 금속막(15)과 게이트 전극(19)이 서로 중첩되지 않도록, 패터닝이 수행된다. ITO막(14), 금속막(15)와 게이트 전극(19)이 서로 중첩하도록 패터닝이 또한 수행될 수 있다. 질화 규소막(18)이 금속막(15)상에 형성되고, 게이트 전극(19)은 이 위에 형성되며, 그리고 나서 IDR 유기질막이 형성된다. 그리고 나서, 이 유기질막이 제1 실시예의 경우처럼 반색조 마스크를 사용해서 노출과 베이킹을 통해 패터닝 되며, 그 후 유기질막(20b)이 남겨지는 방식으로 건식 에칭된다. 이것은 접촉-구멍-형성 영역(X)과 단자-형성-영역(Y)에서 질화 규소막(18)이 노출되는 것을 야기한다.
다음으로, 도 8에서 도시된 대로, 질화 규소막(18)이 유기질막(20b)을 마스크로 사용해서 건식 에칭되며, 그리고 나서 반사 전극(23)이 이 위에 형성된다. 이 반사 전극(23)은 게이트 전극(19)과 금속막(15)이 연결되도록 패터닝 된다. 반면 에, 단자-형성 역역(Y)에서, 질화 규소막(18)이 유기질막(20b)을 마스크로 사용해서 건식 에칭되며, 그후에 금속막(15)이 에칭된 질화 규소막(18)을 마스크로 사용해서 에칭된다. 하나의 단자는 이런 식으로 형성된다.
건식 에칭 조건 등은 제1 실시예에서의 것과 동일하다.
따라서, 이 실시예의 방법에 따라, 평평하지 않은 유기질막이 광-엠보싱 재질을 사용해서 절연막상에 형성되고, 건식 에칭은 유기질막에 적용되고, 유기질막의 두께가 감소되며, 단자-형성 영역에서 접촉-구멍 형성 영역의 절연막이 노출되고, 노출된 절연막이 접촉 구멍을 형성하기 위해 건식 에칭된다.
이 유기질막을 구성하는 재질은 현상없이 노출과 베이킹을 통해 패터닝 될 수 있고, 그러므로 임의의 습식 프로세스 없이 유기질막을 형성하는 단계로부터 접촉 구멍을 형성하는 단계까지의 여러 단계를 실현하는 것이 가능하다. 이것은 현상 단계에서 요구되는 클리닝/건조 단계를 위한 필요성을 제거하며, 처리량을 향상시킬 수 있다. 또한, 이 방법은 접촉 구멍을 형성하기 위한 임의의 광리소그라피 단계를 요구하지 않으며, 따라서 이 단계들은 복잡하지 않다. 이 방법에서 얻어지는 액정 디스플레이 디바이스는 이 표면 상에 돌출부와 침하부를 갖는 유기질막을 형성할 수 있으며, 이것에 의해 종래의 기술에서처럼 IDR 효과를 보일 수 있다.
본 발명은 제1 실시예와 제2 실시예에 제한되지 않으며, 다양한 방식으로 수정되는 재질과 사용되는 가스 등을 가지고 구현될 수 있다. 예를 들면, 제1과 제2 실시예에서 사용된 재질과 구조는 제한적이지 않으며, 동일한 기능을 보일 수 있는 대안적인 재질과 대안적인 구조를 사용하는 것이 가능하다. 즉, 제1과 제2 실시 예는 산화 규소막이 층간 절연막으로 사용되고, 질화 규소막이 게이트 절연막으로 사용되며, 크롬막이 광차폐막으로 사용되는 경우를 설명했다. 그러나, 본 발명에서, 만약 임의의 다른 재질이 최소한 동일한 기능을 보인다면, 이 재질이 사용될 수 있다. 또한, 만약 각각의 막이 이 막의 기능과 최소한 동일한 기능을 보인다면, 각각의 막의 두께는 특별히 제한적이지 않다.
또한, 제1과 제2 실시예는 반색조 마스크가 사용되는 경우를 설명하였지만,본 발명에서, 광차폐부, 투명부, 반투명부(해상도 한도와 같거나 이보다 더 작은 미세 패턴 영역)를 갖는 회절 마스크를 사용해서 두꺼운 막 구역과 개구를 갖는 유기질막을 형성하는 것이 또한 가능하다. 이 회절 마스크의 경우에서, 해상도가 이 노출 디바이스의 해상도 한도와 같거나 이보다 더 작은, 작은 패턴이 형성되고, 이 부분은 반투명부로서 사용된다. 광이 이 작은 패턴을 가지고 회절될 때, 약한 광이 이 마스크를 통과한다.
제1과 제2 실시예가 액정 디스플레이 디바이스가 반투과형인 경우를 설명했으나, 본발명은 액정 디스플레이 디바이스가 반사형인 경우에 마찬가지로 적용가능하다. 반사형의 경우는 광차폐막이 필요치 않고 반사 전극이 또한 질화 규소막 등의 개구에 형성되는 것을 제외하고는 반투과형의 경우와 실질적으로 동일하다.
위에서 설명한 것처럼, 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법에 따라, 돌출부와 침하부를 갖는 유기질막이 능동-매트릭스 액정 디스플레이 디바이스의 박막 트랜지스터에서 기저 전극상의 절연막상에 광-엠보싱 재질을 사용해서 형성되고, 유기질막까지 건식 에칭을 함으로써 유기질막의 두께를 감소시킴으로써 접촉- 구멍-형성-영역에서 절연막이 노출되고, 접촉 구멍은 이 노출된 절연막을 건식 에칭함으로써 형성되고, 따라서 패터닝은 현상없이 노출과 베이킹을 통해 수행될 수 있다. 이것은 임의의 습식 프로세스 없이 유기막을 형성하는 단계로부터 접촉 구멍을 형성하는 단계까지의 여러 단계를 실현하는 것을 가능하게 한다. 이것은 현상 단계에서 요구되는 클리닝/건식 단계의 필요성을 제거하며, 이것에 의해 처리량이 향상될 수 있다. 또한, 이 방법은 접촉 구멍을 형성하기 위한 광리소그라피 단계의 필요성을 제거시키며, 따라서 이 단계들은 복잡하지 않다.
본 발명은 반사형 액정 디스플레이 디바이스와 반투과형 액정 디스플레이 디바이스에 응용 가능하다.

Claims (9)

  1. 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법에 있어서,
    능동-매트릭스 액정 디스플레이 디바이스의 박막 트랜지스터에서 기저 전극상의 절연막상에 광-엠보싱(photo-embossing) 재질을 사용하여 돌출부(projection)와 침하부(depression)를 갖는 유기질막을 형성하는 단계로서, 상기 광-엠보싱 재질은 노출 단계와 베이킹(baking) 단계에 의해 패터닝 될 수 있는 재질이고, 상기 유기질막은 상기 유기질막을 형성함에 있어 상기 광-엠보싱 재질을 노출시키고 베이킹하여 형성되는 것인, 상기 유기질막 형성 단계;
    상기 유기질막까지 건식 에칭(dry etching)함으로써 유기질막의 두께를 감소시켜서 접촉-구멍-형성-영역에서 상기 절연막을 노출시키는 단계와;
    상기 노출된 절연막까지 건식 에칭함으로써 접촉 구멍을 형성하는 단계를 포함하는, 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접촉 구멍 형성함에 있어 상기 기저 전극을 노출시키는 단계와; 그 결과 형성되는 구조체상에 반사 전극을 형성함으로써, 노출된 상기 기저 전극을 상기 반사 전극과 접촉시키는 단계를 추가적으로 포함하는, 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 노출시킴에 있어 반색조(halftone) 마스크 또는 회절 마스크가 사용되는 것인, 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 건식 프로세스들은 상기 유기질막을 형성하는 단계로부터 상기 접촉 구멍을 형성하는 단계까지 수행되는 것인, 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연막을 노출시키는 단계와 상기 접촉 구멍을 형성하는 단계는 단일 장치에서 수행되는 것인, 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연막을 노출하는 단계에서 건식 에칭 프로세스는 유도 결합(inductively coupled) 플라즈마 모드 또는 반응 이온 에칭 모드에서 수행되는 것인, 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액정 디스플레이 디바이스는 반사형 액정 디스플레이 디바이스 또는 반투과형 액정 디스플레이 디바이스인 것인, 액정 디스플레이 디바이스를 제조하는 방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005048774B4 (de) * 2005-10-07 2009-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Substrat, das zumindest bereichsweise an einer Oberfläche mit einer Beschichtung eines Metalls versehen ist, sowie dessen Verwendung
JP5323945B2 (ja) * 2009-11-26 2013-10-23 シャープ株式会社 タッチパネルの製造方法、及び、タッチパネルを備えた表示装置の製造方法
GB2489940A (en) 2011-04-11 2012-10-17 Plastic Logic Ltd Reflective pixel element for reflective display devices
TWI435152B (zh) 2011-08-16 2014-04-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 形成接觸窗的方法
KR20140094188A (ko) * 2013-01-21 2014-07-30 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9889472B2 (en) * 2014-03-21 2018-02-13 Koninklijke Philips N.V. CMUT device and manufacturing method
CN107515498B (zh) 2017-09-18 2020-06-05 上海天马微电子有限公司 阵列基板和显示面板
CN110941126B (zh) * 2019-12-27 2021-04-27 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010086334A (ko) * 2000-01-14 2001-09-10 가네꼬 히사시 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20020083947A (ko) * 2001-04-26 2002-11-04 닛본 덴기 가부시끼가이샤 액정표시장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW409194B (en) * 1995-11-28 2000-10-21 Sharp Kk Active matrix substrate and liquid crystal display apparatus and method for producing the same
JP2000349301A (ja) * 1999-04-01 2000-12-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2000353649A (ja) * 1999-06-09 2000-12-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4632522B2 (ja) 2000-11-30 2011-02-16 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 反射型液晶表示装置の製造方法
JP4651826B2 (ja) * 2001-01-31 2011-03-16 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 反射型表示装置及びその製造方法
JP3908552B2 (ja) * 2001-03-29 2007-04-25 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
TW490858B (en) * 2001-04-26 2002-06-11 Samsung Electronics Co Ltd Polycrystalline thin film transistor for liquid crystal device(LCD) and method of manufacturing the same
US7342622B2 (en) * 2001-10-22 2008-03-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display for enhancing reflection and method of manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010086334A (ko) * 2000-01-14 2001-09-10 가네꼬 히사시 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20020083947A (ko) * 2001-04-26 2002-11-04 닛본 덴기 가부시끼가이샤 액정표시장치 및 그 제조방법

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Publication number Publication date
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ATE503204T1 (de) 2011-04-15

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