JP5323945B2 - タッチパネルの製造方法、及び、タッチパネルを備えた表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、絶縁性の透明基板上に透明導電膜によってタッチ電極が形成されたタッチパネルの製造方法、及び、タッチパネルを備えた表示装置の製造方法に関する。

近年、パーソナル・デジタル・アシスタント（ＰＤＡ）、パームトップコンピュータ、携帯用ゲーム機器などの普及に伴って、表示装置と組み合わせ可能な入力手段として、透明な基板上に形成されたタッチパネルが広く用いられている。

例えば、タッチパネル付きの表示装置としての液晶表示装置では、液晶パネルの画像表示面に透明なタッチパネルを重ねた構成を有していて、該タッチパネルを通して液晶パネルに表示される画像を観視することができる。このような液晶表示装置は、表示される画像に合わせて、タッチパネルの視認側の面、すなわち、液晶パネルの表示画像を観察する側の表面を、指先や入力ペンなどによって押圧した場合に、その位置を検出可能に構成されている。これにより、タッチパネルの入力内容をＰＤＡなどの使用機器の制御に反映させることができる。

透明基板を用いたタッチパネルの一例としての静電容量方式のタッチパネルは、ガラスやフィルムなどの絶縁性の透明基板上に、透明導電膜のタッチ電極が平面的なパターンとして形成されている。特に、タッチ電極が所定の間隔で配置されている投影型の静電容量方式は、複数のタッチ点を同時に検出するいわゆるマルチタッチに対応しているため、近年特に注目が集まっている。

このような静電容量方式のタッチパネルでは、表示パネルの画像表示面と重なる部分に形成されるタッチ電極は透明導電膜によって形成される。一方、タッチ電極の電位を外部の回路基板に出力するための接続端子や、タッチ電極と接続端子とを接続する引き出し配線は、透明導電膜よりも抵抗値が低いアルミなどの金属材料を用いた金属層によって形成される。金属層を接続端子や引き出し配線として用いる場合には、金属層の酸化や剥がれを防止するために該金属層の表面が保護膜によって覆われる。しかしながら、接続端子の少なくとも一部は、タッチパネルと外部回路とをつなぐフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）などの接続部材が接続されるために、保護膜で覆われることなく露出している必要がある。

図３３は、従来の静電容量方式タッチパネルの製造工程の一例を示す断面図である。なお、図３３（ａ）、図３３（ｂ）及び図３３（ｃ）において、左側の図が、タッチ電極が形成された部分、すなわち電極パターンを示す図１におけるＡ−Ａ’矢視線部分に相当するＡ部の断面を示している。また、図３３（ａ）、図３３（ｂ）及び図３３（ｃ）において、中央の図が、引き出し配線が形成されている部分、すなわち電極パターンを示す図１におけるＢ−Ｂ’矢視線部分に相当するＢ部の断面を示している。さらに、図３３（ａ）、図３３（ｂ）及び図３３（ｃ）において、右側の図が、接続端子が形成されている部分、すなわち電極パターンを示す図１におけるＣ−Ｃ’矢視線部分に相当するＣ部の断面を示している。

図３３に示すように、従来のタッチパネルの製造方法では、ガラス製または透明フィルム製の透明基板７０１上の全面に、アルミ（Ａｌ）層及び該アルミ層を覆うモリブデン（Ｍｏ）層をスパッタ法によって順次積層して、その上にレジスト膜を形成する。そして、このレジスト膜を、引き出し配線及び接続端子が形成される部分にのみレジスト膜を残すようにマスクを用いて露光し、現像する。その後、残ったレジスト膜をマスクとしてエッチングを行う。その結果、図３３(ａ)に示すように、引き出し配線及び接続電極が形成される部分に、アルミ層７１１及びモリブデン層７１２の積層体からなる金属層が形成される。

続いて、透明基板７０１上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電膜層をスパッタ法により形成する。そして、透明導電膜層上に図示しないレジスト膜を塗布した後、露光現像して、タッチ電極部分及び接続端子部分にレジスト膜を残存させる。このレジスト膜をマスクとして透明導電膜層をエッチングすることにより、タッチ電極部分及び接続端子部分のアルミ層７１１及びモリブデン層７１２の積層体上に、透明導電膜層７１３を形成する。該透明導電膜７１３が形成された構成を図３３(ｂ)に示す。

その後、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂または透明樹脂製の保護膜７１４を、ＣＶＤ法などによって透明基板７０１の全面に形成する。そして、レジストパターンを用いて保護膜７１４をエッチングすることにより、接続端子部分に開口部７１５を形成する。

このようにして、図３３（ｃ）に示すように、タッチ電極７０２、フローティング電極７０３、引き出し電極７０４及び接続端子７０５を備えたタッチパネルが製造される。ここで、タッチ電極７０２は、平面的なパターンとして形成された透明導電膜層７１３からなる。フローティング電極７０３は、タッチ電極７０２，７０２間に配置される透明導電膜層７１３からなる。引き出し電極７０４は、アルミ層７１１及びモリブデン層７１２の積層体である。接続端子７０５は，アルミ層７１１、モリブデン層７１２及び透明導電膜層７１３を積層してなる。なお、このタッチパネルでは、接続端子７０５上の開口７１５部分を除くパネル全面に、透明樹脂製の保護膜７１４が形成されている。

次に、従来のタッチパネルの製造方法の別の例を説明する。タッチ電極パターンが細かい場合や引き出し配線を配置する領域が狭い場合などには、透明基板上に、引き出し配線を、互いに導通しないように２層に分けて形成することがある。この場合には、接続端子が接続される引き出し配線が形成されている層に合わせて、接続端子も２層に分けて形成する。

図３４及び図３５は、引き出し配線が立体的に２層に分けて形成されている静電容量方式タッチパネルの製造工程の一例を示す断面図である。

なお、図３４の（ａ）〜（ｃ）及び図３５の（ａ）〜（ｃ）において、左側の図が、タッチ電極が形成された部分、すなわち２層に分かれた引き出し配線を有するタッチパネルの電極パターンを示す図６におけるＤ−Ｄ’矢視線部分に相当するＤ部の断面を示している。また、図３４の（ａ）〜（ｃ）及び図３５の（ａ）〜（ｃ）において、中央の図が、引き出し配線が形成されている部分、すなわち電極パターンを示す図６におけるＥ−Ｅ’矢視線部分に相当するＥ部の断面を示している。さらに、図３４の（ａ）〜（ｃ）及び図３５の（ａ）〜（ｃ）において、右側の図が、接続端子が形成されている部分、すなわち電極パターンを示す図６におけるＦ−Ｆ’矢視線部分に相当するＦ部の断面を示している。

まず、ガラス製または透明フィルム製の透明基板８０１上の全面に、アルミ層及び該アルミ層を覆うモリブデン層をスパッタ法によって順次積層して形成し、その上にレジスト膜を形成する。そして、このレジスト膜を露光現像して、第１層、すなわち、透明基板上に直接形成される下側の層において、引き出し配線及び接続端子が形成される部分にのみレジスト膜を残す。この残ったレジスト膜をマスクとして用いてエッチングを行う。その結果、図３４(ａ)に示すように、第１層の引き出し配線及び第１層の接続電極が形成される部分に、アルミ層８１１及びモリブデン層８１２の積層体が形成される。

続いて、図３４（ｂ）に示すように、第１層と第２層との層間絶縁膜としての機能を有する、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂または透明樹脂製の第１層の保護膜８１３をＣＶＤ法などによって形成する。

次に、形成された第１層の保護膜８１３上に、アルミ層及び該アルミ層を覆うモリブデン層を、再びスパッタ法によって順次積層して形成し、その上にレジスト膜を形成する。そして、このレジスト膜を露光現像して、第２層、すなわち、タッチパネルの表面側である上側の層において、引き出し配線及び接続端子が形成される部分にのみレジスト膜を残す。この残ったレジスト膜をマスクとして用いてエッチングを行う。その結果、図３４(ｃ)に示すように、第２層の引き出し配線及び第２層の接続電極が形成される部分にアルミ層８１４及びモリブデン層８１５の積層体が形成される。

次に、第１層の保護膜８１３において、該第１層の接続端子となるアルミ層８１１及びモリブデン層８１２の積層体の上方以外の部分に、パターン化されたレジスト膜を残存させる。このレジスト膜をマスクとして第１層の保護膜８１３をエッチングして開口部８１６を設け、モリブデン層８１２の表面を露出させる。この状態を、図３５(ａ)に示す。

続いて、第１層の保護膜８１３の表面に、ＣＶＤ法などによってＩＴＯなどの透明導電膜層を形成する。そして、タッチ電極とタッチ電極との間に形成されるフローティング電極の平面的パターンに合わせて、パターン化されたレジスト膜を形成する。このとき同時に、接続端子が形成されるＦ部において、第１層の保護膜８１３の開口部８１６を覆うようにレジスト膜を残存させる。そして、このレジスト膜をマスクとしてエッチングを行い、図３５(ｂ)に示すように、Ｄ部のタッチ電極及びフローティング電極が形成される部分と、Ｆ部の第１層の接続端子を覆う部分とに、パターン化された透明導電膜層８１７を残存させる。

次に、透明基板８０１の全面に、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂または透明樹脂製の第２層の保護膜８１８をＣＶＤ法などによって形成する。第２層の保護膜８１８上に、第１層の接続端子及び第２層の接続端子が形成される部分を残してレジスト膜をパターン化して形成する。このレジスト膜をマスクとしてエッチングを行い、第２層の保護膜８１８に開口部８１９及び開口部８２０を形成する。この結果、図３５(ｃ)に示すように、フローティング電極８０３と、第１層の引き出し電極８０４ａと、第２層の引き出し電極８０４ｂと、第１層の接続端子８０５ａと、第２層の接続端子８０５ｂとが形成されたタッチパネルが製造される。ここで、フローティング電極８０３は、第２層の保護膜８１８に覆われていて、且つ、タッチ電極８０２とタッチ電極８０２の間に形成されている。第１層の接続端子８０５ａ及び第２層の接続端子８０５ｂは、第１層の保護膜８１３及び第２層の保護膜８１８に設けられた開口部８１６，８１９，８２０から表面が露出している。

なお、例えば特開２００８−２３３９７６号公報には、タッチ電極とともに引き出し配線や接続端子を透明導電膜層によって形成する場合、タッチ電極と引き出し配線との電気的導通を確実なものとするために、両者の接続部分の透明導電膜をタッチ電極部分よりも厚くすることが提案されている。

上記従来のタッチパネルの製造方法では、図３３に示した引き出し配線７０４や接続端子７０５が１層構造のタッチパネルの場合でも、少なくとも３枚の露光マスクが必要となる。すなわち、まず、アルミ膜７１１とモリブデン膜７１２とからなる引き出し配線７０４及び接続端子７０５の金属層のパターンを形成するために、第１の露光マスクが必要である。そして、タッチ電極７０２及びフローティング電極７０３を構成するとともに、接続端子７０５の金属層の保護膜となる透明導電膜層７１３をパターンニングするために、第２の露光マスクが必要である。さらに、保護膜７１４において、接続端子７０５形成部分に導通を取るためのスルーホールとなる開口７１５を形成するために、第３の露光マスクが必要となる。

また、図３４及び図３５に示すように、引き出し配線８０４及び接続端子８０５の金属層を２層構造として形成するタッチパネルの場合には、少なくとも５枚の露光マスクが必要となる。すなわち、まず、アルミ膜８１１とモリブデン膜８１２とによってそれぞれ構成される、第１層の引き出し配線８０４ａ及び第１層の接続端子８０５ａのパターンを形成するために、第１の露光マスクが必要である。そして、アルミ膜８１４とモリブデン膜８１５とによってそれぞれ構成される、第２層の引き出し配線８０４ｂ及び第２層の接続端子８０５ｂのパターンを形成するために、第２の露光マスクが必要である。また、第１層の保護膜８１３に、第１層の接続端子８０５ａを露出させるための開口部８１６を形成するための第３の露光マスクが必要となる。そして、タッチ電極８０２、フローティング電極８０３、第１層の接続端子８０５ａの金属層及び第２層の接続端子８０５ｂの金属層をそれぞれ保護する膜となる透明導電膜８１７をパターンニングするために、第４の露光マスクが必要である。さらに、第２層の保護膜８１８において、接続端子８０５ａ，８０５ｂが形成される部分に、導通を取るためのスルーホールとなる開口部８１９，８２０を形成するために、第５の露光マスクが必要となる。

このように、多数の露光マスクを用いることは、多数回の露光現像工程を経てレジストパターンを形成し、形成されたレジストパターンを用いて多数回のエッチング工程を行うことになる。そのため、タッチパネルの製造コスト及び製造時間の増大に繋がる。また、露光マスクの枚数が増えることは、マスクの位置あわせ回数が増えることでもあるため、形成された各層の位置あわせのずれが増大する要因となり、製造されたタッチパネルのパターン精度の低下に繋がる。

そこで、以下の実施形態では、パターン形成に必要な露光マスクの枚数を低減したタッチパネルの製造方法、及び、このタッチパネルを備えた表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態にかかるタッチパネルの製造方法は、絶縁性の透明基板上に透明導電膜層及び金属層を順に積層した後、同一のレジストパターンを用いて、該透明導電膜層及び金属層を所定の電極パターンに形成し、該透明導電膜層及び前記金属層を覆う保護膜を形成して、該保護膜の所定位置に該保護膜を貫通する開口部を設け、該開口部が設けられた前記保護膜を用いて前記金属層をエッチングによって除去して前記透明導電膜層を露出させることにより、タッチ電極及び該タッチ電極の電位をタッチパネルの外部に出力する接続端子の少なくとも一方を形成する。

本発明の一実施形態にかかるタッチパネルの製造方法により、パターン形成に必要な露光マスクの枚数を低減することができる。

図１は、第１の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法によって製造され、且つ、引き出し配線が１層構造であるタッチパネルの電極パターンを示す平面図である。 図２は、第１の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法の製造工程を示す断面図である。 図３は、第１の実施形態の第１の応用例にかかるタッチパネルの製造方法の製造工程を示す断面図である。 図４は、第１の実施形態の第２の応用例にかかるタッチパネルの製造方法の製造工程を示す断面図である。 図５は、第１の実施形態の第３の応用例にかかるタッチパネルの製造方法の製造工程を示す断面図である。 図６は、第２の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法で製造され、且つ、タッチ電極、引き出し配線及び接続端子が、それぞれ２層構造となっているタッチパネルの電極パターンを示す平面図である。 図７は、第２の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法において、製造工程の初期の部分を示す断面図である。 図８は、第２の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法において、製造工程の中間の部分を示す断面図である。 図９は、第２の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法において、製造工程の後期の部分を示す断面図である。 図１０は、第２の実施形態の第１の応用例にかかるタッチパネルの製造方法において、製造工程の中間の部分を示す断面図である。 図１１は、第２の実施形態の第１の応用例にかかるタッチパネルの製造方法において、製造工程の後期の部分を示す断面図である。 図１２は、第２の実施形態の第２の応用例にかかるタッチパネルの製造方法において、製造工程の中間の部分を示す断面図である。 図１３は、第２の実施形態の第２の応用例にかかるタッチパネルの製造方法において、製造工程の後期の部分を示す断面図である。 図１４は、第２の実施形態の第３の応用例にかかるタッチパネルの製造方法において、製造工程の初期の部分を示す断面図である。 図１５は、第２の実施形態の第３の応用例にかかるタッチパネルの製造方法において、製造工程の中間の部分を示す断面図である。 図１６は、第２の実施形態の第３の応用例にかかるタッチパネルの製造方法において、製造工程の後期の部分を示す断面図である。 図１７は、第２の実施形態の第４の応用例にかかるタッチパネルの製造方法において、製造工程の中間の部分を示す断面図である。 図１８は、第２の実施形態の第４の応用例にかかるタッチパネルの製造方法において、製造工程の後期の部分を示す断面図である。 図１９は、第３の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法で製造され、且つ、引き出し配線の一部が繋ぎ替え配線となっているタッチパネルの電極パターンを示す平面図である。 図２０は、第３の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法の製造工程を示す断面図である。 図２１は、第３の実施形態の応用例にかかるタッチパネルの製造方法の製造工程を示す断面図である。 図２２は、第３の実施形態の第１の変形例にかかるタッチパネルの製造方法で製造され、且つ、引き出し配線の一部が繋ぎ替え配線となっているタッチパネルの電極パターンを示す平面図である。 図２３は、第３の実施形態の第１の変形例にかかるタッチパネルの製造方法において、製造工程を示す断面図である。 図２４は、第３の実施形態の第１の変形例の応用例にかかるタッチパネルの製造方法の製造工程を示す断面図である。 図２５は、第３の実施形態の第２の変形例にかかるタッチパネルの製造方法で製造され、且つ、引き出し配線の一部が繋ぎ替え配線となっているタッチパネルの電極パターンを示す平面図である。 図２６は、第３の実施形態の第２の変形例にかかるタッチパネルの製造方法の製造工程を示す断面図である。 図２７は、第３の実施形態の第２の変形例の応用例にかかるタッチパネルの製造方法の製造工程を示す断面図である。 図２８は、他の形態にかかるタッチパネルの製造方法で製造され、且つ、引き出し配線の一部が繋ぎ替え配線となっているタッチパネルの電極パターンを示す平面図である。 図２９は、他の形態にかかるタッチパネルの製造方法の製造工程を示す断面図である。 図３０は、第４の実施形態にかかるタッチパネルを備えた表示装置の製造方法のうち第１の製造方法を説明するフローチャートである。 図３１は、第４の実施形態にかかるタッチパネルを備えた表示装置の製造方法のうち第２の製造方法を説明するフローチャートである。 図３２は、第４の実施形態にかかるタッチパネルを備えた表示装置の製造方法によって製造される液晶表示装置の構成を示す断面図である。 図３３は、引き出し配線が１層構造であるタッチパネルにおいて、従来の製造方法の製造工程を示す断面図である。 図３４は、引き出し配線が２層構造であるタッチパネルにおいて、従来の製造方法の製造工程の前半を示す断面図である。 図３５は、引き出し配線が２層構造であるタッチパネルにおいて、従来の製造方法の製造工程の後半を示す断面図である。

本発明の一実施形態にかかるタッチパネルの製造方法は、絶縁性の透明基板上に透明導電膜層及び金属層を順に積層した後、同一のレジストパターンを用いて、該透明導電膜層及び金属層を所定の電極パターンに形成し、該透明導電膜層及び前記金属層を覆う保護膜を形成して、該保護膜の所定位置に該保護膜を貫通する開口部を設け、該開口部が設けられた前記保護膜を用いたエッチングによって前記金属層を除去し、前記透明導電膜層を露出させることにより、タッチ電極及び該タッチ電極の電位をタッチパネルの外部に出力する接続端子の少なくとも一方を形成する（第１の方法）。

上記方法により、例えば、タッチ電極、引き出し配線及び接続端子が同じ層に形成されているタッチパネルを、２枚の露光マスクによって製造することができる。具体的には、透明導電膜層及び金属層を所定の電極パターンに形成するための第１の露光マスク、及び、保護膜の所定位置に開口部を形成するための第２の露光マスクによって、上述の構成のタッチパネルを製造することができる。このため、同じ電極パターンを有するタッチパネルの製造には最低でも３枚の露光マスクが必要であった従来のタッチパネルの製造方法に比べて、マスク枚数が低減されることによる製造工程の簡略化及び低コスト化を実現することができる。また、マスクの位置あわせ回数の低減によるマスク位置ずれの少ない高い精度でタッチパネルを製造することが可能になる。

前記第１の方法において、前記金属層上に表面透明導電膜層を積層した後、前記同一のレジストパターンを用いて該表面透明導電膜層を所定の電極パターンに形成し、前記形成された表面透明導電膜層のうち前記接続端子となる部分を、前記エッチングによって除去されないように改質することが好ましい（第２の方法）。

こうすることで、抵抗値の低い金属層が積層されているとともに露出表面が透明導電膜層によって覆われて保護された接続端子を有するタッチパネルを、マスク枚数を増やすことなく製造することが可能になる。

前記第１または第２の方法において、前記保護膜は、有機樹脂膜によって構成されていて、前記エッチングによって前記透明導電膜層を露出させた後、前記保護膜を部分的に溶解させて、前記開口部の壁面を滑らかにすることが好ましい（第３の方法）。

これにより、タッチパネルの使用時に保護膜の破損を防止することができる。すなわち、上述の方法によって、保護膜の開口部の壁面の凹凸がなくなるため、タッチパネル使用時に該壁面での引っ掛かりをなくすことができ、耐久性の優れたタッチパネルを製造することができる。

前記第１の方法において、前記透明基板上に、第１層の前記透明導電膜層及び第１層の前記金属層を順に積層して、同一のレジストパターンを用いて該第１層の透明導電膜層及び第１層の金属層を所定の電極パターンに形成し、該第１層の透明導電膜層及び第１層の金属層を覆う第１層の前記保護膜を形成し、該第１層の保護膜上に第２層の透明導電膜層及び第２層の金属層を順に積層して、同一のレジストパターンを用いて前記第２層の透明導電膜層及び前記第２層の金属層を所定の電極パターンに形成し、該第２層の透明導電膜層及び該第２層の金属層を覆う第２層の保護膜を形成し、該第１層の保護膜及び該第２層の保護膜の所定位置に、該第１層の保護膜を貫通する第１層の開口部と、前記第２層の保護膜を貫通する第２層の開口部とを設け、該第１層の開口部が設けられた前記第１層の保護膜及び該第２層の開口部が設けられた前記第２層の保護膜を用いたエッチングによって、前記第１層の金属層及び前記第２層の金属膜を除去し、前記第１層の透明導電膜層及び前記第２層の透明導電膜層を露出させることにより、前記タッチ電極及び前記接続端子の少なくとも一方を形成することが好ましい（第４の方法）。

これにより、タッチ電極、引き出し電極及び接続端子が２層構造で形成されたタッチパネルを、３枚の露光マスクによって形成することができる。すなわち、第１層の電極パターンを形成するための第１の露光マスクと、第２層の電極パターンを形成する第２の露光マスクと、第１層及び第２層の保護膜に所定の開口部を形成するための第３の露光マスクとによって上述のタッチパネルを製造することができる。

前記第４の方法において、前記第１層の保護膜及び前記第２層の保護膜は、同一の材料によって構成されていて、前記第１層の保護膜における前記第１層の開口部を、前記第２層の保護膜上に形成されたレジストパターンをマスクとして用いて、第２層の保護膜における前記第２層の開口部と同時に形成することが好ましい（第５の方法）。こうすることで、３枚の露光マスクによってタッチパネルを製造することができる。

また、前記第４の方法において、前記第１層の保護膜は、前記第２層の保護膜とは異なる材料によって構成されていて、前記第１層の保護膜における前記第１層の開口部を、前記第２層の開口部が形成された前記第２層の保護膜をマスクとして用いて形成することが好ましい（第６の方法）。これにより、第１層の保護膜及び第２層の保護膜が異なる材料であっても、同じく３枚の露光マスクでタッチパネルを製造することができる。

前記第４から第６の方法のうちいずれか一つの方法において、前記第２層の保護膜は、有機樹脂膜によって構成されていて、前記エッチングによって、前記第１層の透明導電膜層及び前記第２層の前記透明導電膜層を露出させた後、前記第２層の保護膜を部分的に溶解させて、前記第１層の開口部及び前記第２層の開口部の各壁面を滑らかにすることが好ましい（第７の方法）。このようにすることで、タッチ電極、引き出し電極及び接続端子が２層構造によって形成されている場合でも、タッチパネルの使用時において、保護膜が破損することを防止できる。したがって、上述の方法によって、耐久性のより高いタッチパネルを製造することができる。

前記第１の方法において、前記タッチ電極と前記接続端子とを接続する引き出し配線は、その一部分が、該タッチ電極及び該接続端子とは異なる層に形成された繋ぎ替え配線によって構成されていて、前記保護膜の前記開口部は、前記繋ぎ替え配線と前記引き出し配線との接続部分となる部分にも形成されていて、前記繋ぎ替え配線と前記引き出し配線との接続部分は、前記所定の電極パターンの一部として形成され、前記繋ぎ替え配線を、前記保護膜上に形成された導電膜をレジストパターンによってパターンニングすることにより形成することが好ましい（第８の方法）。

このようにすることで、引き出し配線の一部が繋ぎ替え配線を構成しているタッチパネルを、３枚の露光マスクによって製造することができる。具体的には、透明導電膜層及び金属層を所定の電極パターンに形成するための第１の露光マスクと、保護膜の開口部を形成するための第２の露光マスクと、繋ぎ替え配線を形成するための第３の露光マスクとによって、上述のタッチパネルを製造することができる。

前記第８の方法において、前記繋ぎ替え配線は、前記引き出し配線が立体的に交差する部分に設けられることが好ましい（第９の方法）。この繋ぎ替え配線によって、引き出し配線を立体交差させることができるため、該引き出し配線の設計自由度を高めることができる。

前記第８の方法において、前記引き出し配線は、前記一部分以外の部分も、前記繋ぎ替え配線によって構成されていて、前記引き出し配線が立体的に交差する部分は、前記タッチ電極及び前記接続端子と同じ層に設けられていることが好ましい（第１０の方法）。

このような構成でも、上述の第８の方法と同様、３枚の露光マスクによって、タッチパネルを製造することができる。

前記第８から第１０の方法のうちいずれか一つの方法において、前記レジストパターンは、前記繋ぎ替え配線上に残存して、該繋ぎ替え配線の保護膜となることが好ましい（第１１の方法）。これにより、新たな保護膜を形成することなく、繋ぎ替え配線を保護することができる。

前記第８から第１０の方法のうちいずれか一つの方法において、前記繋ぎ替え配線を覆うように、前記露出した透明導電膜層以外の部分に絶縁性の表面保護膜を形成することが好ましい（第１２の方法）。これにより、表面保護膜によって、金属層が空気に触れて酸化するのを防止することができる。

前記第１から第１２の方法のうちいずれか一つの方法において、前記タッチ電極同士の間に、該タッチ電極と導通しないフローティング電極を有し、該フローティング電極は、前記タッチ電極と同時に前記透明導電膜層から形成されることが好ましい（第１３の方法）。

このようにすることで、タッチ電極の電極パターンが使用者に視認されることを抑制することができる。しかも、タッチ電極形成部分で不所望な浮遊電荷が生じるのを抑制することができる。

本発明の一実施形態にかかるタッチパネルを備えた表示装置の製造方法は、第１から第１３の方法のいずれか一つに記載のタッチパネルの製造方法によって製造されたタッチパネルの透明基板を基板として、表示パネルを製造する（第１４の方法）。

これにより、タッチパネルの透明基板を、表示パネルの基板として兼用することができる。また、本発明のタッチパネルの製造方法の特長を活かして、低コストで電極パターンの形成精度が高いタッチパネルを備えた表示装置を製造することができる。

また、本発明の一実施形態にかかるタッチパネルを備えた表示装置の製造方法は、前面基板及び背面基板を有する表示パネルを形成した後、該表示パネルの前記前面基板を透明基板として、第１から第１３の方法のいずれか一つに記載のタッチパネルの製造方法によってタッチパネルを形成する（第１５の方法）。

このような製造方法によっても、タッチパネルの透明基板と表示パネルの基板とを兼用することができる。

前記第１４または第１５の方法において、前記表示パネルは、液晶パネルであることが好ましい（第１６の方法）。

以下、本発明の一実施形態にかかるタッチパネルの製造方法、および、タッチパネルを備えた表示装置の製造方法について、それぞれ具体的な実施形態を用いて図面を参照しながら説明する。

なお、以下のタッチパネルの製造方法、および、タッチパネルを備えた表示装置の製造方法の各実施形態の説明では、タッチパネルとして、ガラス製の透明基板上に形成された、投影型静電容量式のタッチパネルを例示して説明する。しかし、以下の各実施形態におけるタッチパネルの製造方法は、投影型静電容量式のものに限らず、透明基板上に平面的なパターンとして形成された透明導電膜層をタッチ電極とする、各種のタッチパネルの製造方法として用いることができる。

また、以下で参照する各図は、説明の便宜上、タッチパネルの製造方法、および、該タッチパネルを備えた表示装置の製造方法により形成されるタッチパネルおよび表示装置の構成部材のうち、説明のために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。従って、タッチパネルの製造方法、および、タッチパネルを備えた表示装置の製造方法は、参照する各図に示されていない任意の構成部材を備えたタッチパネルおよび表示装置の製造方法として適用することができる。また、各図中の部材の寸法、特に、タッチパネルの厚さ方向の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を必ずしも忠実に表したものではない。

（第１の実施の形態）
まず、タッチ電極や引き出し配線、接続端子が、透明基板上に１層に形成されたタッチパネルの製造方法を、第１の実施形態として説明する。

図１は、第１の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法で製造されるタッチパネル１００において、タッチ電極パターンを示す平面図である。

タッチパネル１００には、絶縁性の透明基板であるガラス基板１上に、ＩＴＯなどの透明導電膜層を平面的なパターンとして形成することにより、タッチ電極２が形成されている。本実施形態のタッチパネル１００は投影型静電容量方式であるため、タッチ電極２は、図１に示すように、同じ大きさの略長方形の電極パターンが複数並ぶように形成されている。本実施形態のタッチパネルでは、横方向に１０個の電極パターンが縦方向に上下２列並んでいて、合計２０個の電極パターンを有している。

なお、タッチ電極２の配置パターンは、図１に示すものに限らない。したがって、タッチ電極２の電極パターンの形状は、図１に示した長方形状である必要はなく、また、横・縦に配列される電極パターンの個数も、１０×２に限られない。

投影型静電容量方式のタッチパネルでは、パターン化されたタッチ電極がその近傍に触れた使用者の指の位置を感知可能なように、タッチ電極同士は、所定の間隔、例えば２００μｍ〜８００μｍ程度の間隔を有するように配置する必要がある。このため、タッチ電極同士の間には、タッチ電極が形成されていない領域が存在する。

本実施形態のタッチパネル１００では、図１に示すように、タッチ電極２同士の間隔部分に、タッチ電極２と同じくＩＴＯなどの透明導電膜層によって形成されたフローティング電極３が設けられている。

なお、フローティング電極３は、タッチ電極２の電極パターンを使用者が視認しにくくする。また、フローティング電極３は、タッチ電極２が形成されていないタッチ電極２同士の間隔部分に不所望な浮遊電荷が貯まってタッチ電極の電位が変動することを防止する。このため、フローティング電極３の配置間隔や形状には、タッチ電極２のような制約はない。図１に示す本実施形態のタッチパネル１００では、図１において横方向に隣り合うタッチ電極２同士の間には、タッチ電極２の長辺と同じ長さの長辺を有する長方形のフローティング電極３が配置される。また、図１において縦方向に隣り合うタッチ電極２同士の間には、タッチ電極２同士を接続する接続配線６を避けるようにして、さまざまな縦横比を有する四角形のフローティング電極３が形成されている。これらはあくまでもフローティング電極３の形状及び配置を例示するものに過ぎず、フローティング電極３の形状を制限するものではない。

また、タッチ電極２を使用者に視認されにくくするフローティング電極３は、タッチパネル１００として必須の構成要件ではない。したがって、本実施形態をはじめ、他の実施形態においても、タッチパネルの製造方法において製造されるタッチパネルの電極パターンとして、フローティング電極３は必ずしも形成されていることを要しない。当然ながら、この場合には、パターン化されたタッチ電極２同士の間には、電極の形成されていない部分が存在することになる。

タッチ電極２は、該タッチ電極２によってタッチ位置を検出するための検出領域の周囲に設けられた引き出し配線４を介して、ガラス基板１の一端部に形成された接続端子５に接続されている。具体的には、各タッチ電極２は、タッチ位置の検出領域の周辺領域に形成された引き出し配線４と、タッチ位置の検出領域内でタッチ電極２同士を接続する接続配線６とによって、接続端子５に接続されている。本実施形態のタッチパネル１００では、４つの接続端子５が設けられている。そして、本実施形態のタッチパネル１００では、タッチ電極２に指先などが近づくことによって生じる静電容量の変化を、この４つの接続端子５の電圧の変化として把握することで、タッチ位置を検出する。

図２は、本実施形態にかかるタッチパネルの製造方法の、製造工程の一例を示す断面図である。

図２（ａ）、図２（ｂ）及び図２（ｃ）において、左側の図が、タッチ電極２とフローティング電極３とが形成された部分、すなわち電極パターンを示した図１におけるＡ−Ａ’矢視線の部分の断面を示している。以下の説明では、図１におけるＡ−Ａ’矢視線の部分をＡ部と称する。

また、図２（ａ）、図２（ｂ）及び図２（ｃ）において、中央の図が、引き出し配線が形成されている部分、すなわち電極パターンを示す図１におけるＢ−Ｂ’矢視線の部分の断面を示している。以下の説明では、図１におけるＢ−Ｂ’矢視線の部分をＢ部と称する。

そして、図２（ａ）、図２（ｂ）及び図２（ｃ）において、右側の図が、接続端子が形成されている部分、すなわち電極パターンを示す図１におけるＣ−Ｃ’矢視線の部分の断面を示している。以下の説明では、図１におけるＣ−Ｃ’矢視線の部分をＣ部と称する。

本実施形態のタッチパネルの製造方法では、透明基板であるガラス基板１上の全面に、ＩＴＯなどの透明導電膜層１１を形成した後、金属層１２を形成するＭｏＮ層１２ａ、アルミ層１２ｂ及びＢＭメタル層１２ｃを、スパッタ法によって順に積層する。

その後、金属層１２の最も上層であるＢＭメタル層１２ｃの上に、図示しないレジスト膜を形成する。このレジスト膜をマスクで覆って露光、現像するという通常のフォトリソグラフィ法によって、図１に示すＡ部のタッチ電極２及びフローティング電極３、Ｂ部の引き出し配線４、Ｃ部の接続端子５、さらに図２には図示されない接続配線６の部分に、レジストパターンを残存させる。

なお、タッチ位置の検出領域においてタッチ電極２同士を接続する接続配線６は、製造方法上、タッチ電極２と全く同様に形成されるものであるため、説明の煩雑化を回避するために以下本明細書において特に言及しない。また、接続配線６に関する詳細な説明も省略する。

次に、上述のように形成されたレジストパターンをマスクとして、酸系の混酸液にてＢＭメタル層１２ｃをエッチングした後、同一のレジストパターンを用いて、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によってアルミ層１２ｂ及びＭｏＮ層１２ａをエッチングする。更に、同一のレジストパターンを用いて、蓚酸液によって透明導電膜層１１をエッチングする。その後、ＢＭメタル層１２ｃ上に残っているレジスト膜を、レジスト剥離液にて剥離除去する。

このようにして、図１に示すような電極パターンを有する透明導電膜層１１及び金属層１２の積層体が形成される。このように積層体が形成された状態を図２(ａ)に示す。

次に、透明導電膜層及び金属層の積層体を覆うように、例えばＳｉＮの保護膜１３を、ＣＶＤ法を用いてガラス基板１上に形成する。そして、フォトリソグラフィ法を用いて、Ａ部のタッチ電極２及びフローティング電極３となる部分以外の部分、及び、Ｃ部の接続端子５となる部分以外の部分に、それぞれ、レジスト膜を残存させる。

その後、残存させたレジスト膜をマスクとして、フッ素系のガスを用いたドライエッチング（ＲＩＥ法）によって保護膜１３をエッチングする。これにより、Ａ部に保護膜１３を貫通する開口部１５，１６を、Ｃ部に保護膜１３を貫通する開口部１４をそれぞれ形成して、透明導電膜層１１及び金属層１２の積層体の表面に形成されたＢＭメタル層１２ｃを露出させる。そして、保護膜１３上に残っているレジスト膜を、レジスト剥離液で剥離除去する。この状態を図２（ｂ）に示す。

次に、貫通した開口部１４，１５，１６が形成された保護膜１３をマスクとして、酸系の混酸液によってＢＭメタル層１２ｃをエッチングした後、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によってアルミ層１２ｂ及びＭｏＮ層１２ａを連続してエッチングする。この結果、タッチ位置の検出領域であるＡ部と、接続端子が形成される領域であるＣ部とでは、金属層１２が除去されて、透明導電膜層１１が露出する。引き出し配線が形成されるＢ部では、保護膜１３が残存しているので、該保護膜１３によって覆われた透明導電膜層１１及び金属層１２の積層体が残っている。

このようにして、図１に示した電極パターンが構成されるとともに、Ａ部に、透明導電膜層１１によって構成されたタッチ電極２及びフローティング電極３が形成される。Ｂ部には、透明導電膜層１１に金属層１２が積層されることによって抵抗値が引き下げられた引き出し配線４が、保護膜１３によって覆われた状態で形成される。そして、Ｃ部では、保護膜１３に接続のためのビアホールとなる開口部１４が形成されることによって、透明導電膜層１１からなる接続端子５が露出する。

図２（ａ）、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に製造工程を示した、本実施形態のタッチパネルの製造方法によれば、図１に示した電極パターンを有するタッチ電極２と接続端子５とを接続する引き出し配線４を、抵抗値の低い金属膜１２を積層して形成することができる。このとき使用する露光マスクは、図２(ａ)に示すように透明導電膜層１１及び金属層１２をパターン化するための第１の露光マスク、及び、図２(ｂ)に示すように保護膜１３の所定の位置に、開口部１４，１５，１６を形成するための第２の露光マスクの合計２枚となる。

このため、図３３に示すように３枚の露光マスクを必要とする従来の製造方法と比較して、本実施形態のタッチパネルの製造方法は、使用するマスクの数を低減することができる。これにより、タッチパネルを低コストで製造することができ、また、マスクの位置合わせ誤差に起因するパターンのずれが発生しにくい。

次に、図１の電極パターンを有するタッチパネルの製造方法について、いくつかの応用例を説明する。

図３は、本実施形態のタッチパネルの製造方法において、第１の応用例を示す断面図である。

なお、図３（ａ）、図３（ｂ）及び図３（ｃ）の各図が示している部分は、上記本実施形態のタッチパネルの製造方法において各部の断面を示した図２（ａ）、図２（ｂ）及び図２（ｃ）とそれぞれ同じ部分である。すなわち、左側の図が、タッチ電極２及びフローティング電極３が形成された部分である図１のＡ−Ａ’矢視線の部分（Ａ部）を示している。また、中央の図が、引き出し配線４が形成されている部分である図１のＢ−Ｂ’矢視線の部分（Ｂ部）を、右側の図が、接続端子５が形成されている部分である図１のＣ−Ｃ’矢視線の部分（Ｃ部）を、それぞれ示している。

図３に示すように、まず、透明基板であるガラス基板１上の全面に、ＩＴＯなどの透明導電膜層１１を形成した後、金属層１２を形成するＭｏＮ層１２ａ、アルミ層１２ｂ及びＢＭメタル層１２ｃを、スパッタ法によって順に積層する。そして、フォトリソグラフィ法によってレジストパターンを形成し、このレジストパターンを用いて金属層１２及び透明導電膜層１１をエッチングする。その後、レジスト膜の除去を行う。図３(ａ)は、この状態を示していて、Ａ部のタッチ電極２及びフローティング電極３となる部分、Ｂ部の引き出し配線４となる部分、及び、Ｃ部の接続端子５となる部分に、透明導電膜層１１及び金属層１２の積層体が図１に示す電極パターンで形成される。

次に、保護膜としての透明有機樹脂膜１７をガラス基板１上の全面に塗布し、フォトリソグラフィ法によってＡ部に開口部１９，２０、Ｃ部に開口部１８をそれぞれ形成して、透明導電膜層１１及び金属層１２の積層体の表面を露出させる。この状態を図３（ｂ）に示す。

次に、所定位置に開口部１８，１９，２０が形成された透明有機樹脂膜１７をマスクとして、酸系の混酸液によってＢＭメタル層１２ｃをエッチングした後、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によってアルミ層１２ｂ及びＭｏＮ層１２ａを連続してエッチングする。この結果、タッチ位置の検出領域であるＡ部と、接続端子が形成される領域であるＣ部とでは、金属層１２が除去されて透明導電膜層１１が露出する。引き出し配線４が形成されるＢ部では、透明有機樹脂膜１７によって覆われた透明導電膜層１１及び金属層１２の積層体が残っている。この状態を図３(ｃ)に示す。

その後、透明有機樹脂膜１７に対して、樹脂膜を硬化させる場合の最適露光の７倍から８倍の露光量の紫外線を照射して、環境温度が２００℃など、透明有機樹脂膜１７に用いられている材料に適したメルト条件で透明有機樹脂膜１７をアニールする。その結果、透明有機樹脂層１７が部分的に溶解して、タッチ電極２及びフローティング電極３の表面を露出させるＡ部の開口部１９，２０、及び、接続端子５の表面を露出させるＣ部の開口部１８の各壁面が、図３（ｄ）に示すような滑らかなものとなる。

図２に示した本実施形態のタッチパネルの製造方法では、タッチ電極２、フローティング電極３及び接続端子５となる部分の金属層１２の表面積に比べて、保護膜１３の開口部１４，１５，１６の底面部の大きさが小さくなる。このため、保護膜１３をマスクとして金属層１２をエッチングした後、タッチ電極２、フローティング電極３及び接続端子５の周囲には、図２(ｃ)に示すように、頭部が傘のように開いた形状を呈する保護膜１３が残存する。

このように、保護膜１３の断面形状が傘状になって、底面側よりも表面側に面積が大きくなる部分が存在すると、タッチパネル使用時にこの傘状の突起部分に物体が引っかかりやすく、保護膜が破損するおそれが生じる。そうすると、破損部分がタッチパネルの表面の異物になったり、保護膜とともにパターン化された透明導電膜層が剥がれてしまったりすることが考えられる。これに対し、図３に示すような第１の応用例では、保護膜の開口部の壁面の形状を滑らかにするアニール工程を備えているため、タッチパネル使用時の保護膜の破損や剥がれを防止して、信頼性の高いタッチパネルを得ることができる。

なお、図３に示す第１の応用例で用いられたアニール工程は、タッチパネルの保護膜のメルト条件下において該保護膜の断面形状を滑らかにするものであり、フォリソグラフィ法のようなマスクによる露光現像工程によって滑らかな断面形状を得るものではない。このため、第１の応用例においても、図１に示した電極パターンを有し、且つ、タッチ電極２及び接続端子５を接続する引き出し配線４を抵抗値の低い金属膜１２を用いて形成したタッチパネルを、合計２枚のマスクで製造することができる。

次に、図４は、本実施形態のタッチパネルの製造方法における第２の応用例を示す断面図である。なお、図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）の各図におけるＡ部、Ｂ部、Ｃ部は、上記図２や図３と同様に、それぞれ、図１におけるＡ−Ａ’矢視線で示すＡ部、図１におけるＢ−Ｂ’矢視線で示すＢ部、図１におけるＣ−Ｃ’矢視線で示すＣ部である。

図４に示す第２の応用例では、透明基板であるガラス基板１上の全面に、ＩＴＯなどの透明導電膜層１１を形成した後、金属層１２を形成するＭｏＮ層１２ａ、アルミ層１２ｂ及びＭｏＮｂ層１２ｄを、スパッタ法によって順に積層する。その後、フォトリソグラフィ法を用いて、図４(ａ)に示すように、Ａ部のタッチ電極２及びフローティング電極３となる部分、Ｂ部の引き出し配線４となる部分、及び、Ｃ部の接続端子５となる部分に、それぞれ、透明導電膜層１１及び金属層１２の積層体を形成する。

次に、ＳｉＮまたは透明有機樹脂の保護膜２１をガラス基板１上の全面に塗布し、フォトリソグラフィ法を用いて、タッチ位置の検出領域であるＡ部と接続端子が形成されるＣ部とに、開口部２２，２３を設ける。ここで、第２の応用例にかかるタッチパネルの製造方法では、Ａ部の開口部２３を、タッチ電極２及びフローティング電極３が形成されるタッチ位置を検出する検出領域全体を露出させる大きな開口部としている点で図２に示した上述の実施形態の構成とは異なる。また、接続端子５が形成されるＣ部の開口部２２を、透明導電膜層１１及び金属層１２の形成パターンよりも開口面積が大きな開口部としている点で、図２に示した本実施形態の構成とは異なる。

その後、保護膜２１をマスクとして、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によってＭｏＮｂ層１２ｄ、アルミ層１２ｂ及びＭｏＮ層１２ａをエッチングする。これにより、タッチ位置の検出領域であるＡ部と接続端子５が形成される領域であるＣ部とにおいて、透明導電膜層１１を露出させる。この状態を図４(ｃ)に示す。

図４（ｃ）に示すように、第２の応用例では、タッチ電極２、フローティング電極３及び接続端子５の形成部分における保護膜２１の開口部２２，２３の面積を大きくしているため、図２（ｃ）に示す上述の実施形態のように、保護膜の断面形状が頭部の大きい傘状となることがない。したがって、第２の応用例の製造方法によれば、保護膜の破損や剥がれを防止可能な耐久性の面で信頼性の高いタッチパネルを、２枚の露光マスクによって得ることができる。

以上、本実施形態、第１の応用例及び第２の応用例として説明したタッチパネルの製造方法では、透明導電膜層１１及び金属層１２の積層体から、開口部１４，１８，２２が設けられた保護膜１３，１７，２１をマスクとして、金属層１２を除去した。金属層１２がタッチパネルの表面に露出すると外気に触れて容易に酸化されるため、上述のように金属層１２を除去することによって接続端子５の表面の酸化を防止することができる。これにより、接続端子５と、該接続端子５からタッチ位置検出信号となるタッチ電極の電位を出力するための図示しないＦＰＣなどとの間で接続不良が生じやすくなることを防止できる。

一方、接続端子５は、タッチパネルのタッチ位置検出領域の周辺領域に配置されるものであるために透明である必要はない。接続端子５は、引き出し配線４と同様により高い導通性が求められる部分であるため、むしろ透明導電膜層１１に金属層１２が積層されている方が好ましい。

このように低抵抗の金属層１２が積層された接続端子５を備えたタッチパネルの製造方法を、以下、本実施形態の第３の応用例として説明する。

図５は、第３の応用例を示す断面図である。なお、図５（ａ）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）の各図におけるＡ部、Ｂ部、Ｃ部も、上記図２、図３及び図４と同様、それぞれ、図１におけるＡ−Ａ’矢視線の部分、図１におけるＢ−Ｂ’矢視線の部分、図１におけるＣ−Ｃ’矢視線の部分を示す。

図５に示す第３の応用例では、透明基板であるガラス基板１上の全面に、ＩＴＯなどの透明導電膜層１１を形成した後、金属層１２を形成するＭｏＮ層１２ａ、アルミ層１２ｂ及びＭｏＮｂ層１２ｄを、スパッタ法にて順に積層する。そして、ＭｏＮｂ層１２ｄ上に、再びＩＴＯなどの表面透明導電膜層２４をスパッタ法などによって形成する。

その後、図５(ａ)に示すように、Ａ部のタッチ電極２及びフローティング電極３となる部分、Ｂ部の引き出し配線４となる部分、及び、Ｃ部の接続端子５となる部分に、透明導電膜層１１、金属層１２及び表面透明導電膜層２４の積層体を、レジストパターンを用いて形成する。

次に、ＳｉＮの保護膜２５をガラス基板１上の全面にスパッタ法などによって形成する。そして、図５（ｂ）に示すように、タッチパネルの接続端子５となる部分にレーザー光２６を照射して、表面透明導電膜層２４をレーザーアニールしてその組成を改質し、後のエッチング工程で使用されるエッチング液によってエッチングされないようにする。

続いて、フォトリソグラフィ法を用いて、タッチ位置検出部分であるＡ部及び接続端子が形成されるＣ部の保護膜２５に、開口部２７及び開口部２８を形成する。ここで、図５（ｃ）に示すように、第３の応用例にかかるタッチパネルの製造方法では、Ａ部の開口部２８として、上記第２の応用例と同様、タッチ電極２及びフローティング電極３が形成されるタッチ位置の検出領域全体を露出させるような大きな開口部が形成される。また、Ｃ部の接続端子５が形成される部分では、透明導電膜層１１、金属層１２及び表面透明導電膜層２４の積層体の形成パターンの幅よりも、Ｃ部の開口部２７の開口面積の方が小さい。

その後、保護膜２５をマスクとして、蓚酸液によって表面透明導電膜層２４をエッチングした後、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によってＭｏＮｂ層１２ｄ、アルミ層１２ｂ及びＭｏＮ層１２ａをエッチングする。このようにすることで、図５（ｄ）に示すように、タッチ位置の検出領域であるＡ部には、タッチ電極２及びフローティング電極３を構成する透明導電膜層１１が露出する。

一方、積層体の最上層の表面透明導電膜層２４が保護膜２５によって覆われているＢ部と、最上層の表面透明導電膜層２４がレーザーアニールにより改質されたれたＣ部とでは、表明透明導電膜層２４が蓚酸ではエッチングされない。そのため、これらのＢ部及びＣ部では、透明導電膜層１１、金属層１２及び表面透明導電膜層２４の積層体がそのまま残存する。

このように、第３の応用例のタッチパネルの製造方法によれば、タッチ電極２及びフローティング電極３が透明導電膜層１１によって形成され、且つ、低抵抗な引き出し配線４及び接続端子５を有するタッチパネルを、２枚の露光マスクを用いて製造することができる。

なお、図５（ｃ）に示すように、タッチ電極２及びフローティング電極３が形成されるタッチ位置の検出領域全体が露出するような大きな開口部２８が設けられているが、この開口部２８は、第３の応用例の構成において必須のものではない。例えば、図２に示す本実施形態のタッチパネルの製造方法のように、タッチ電極２及びフローティング電極３にそれぞれ対応するような開口部１９，２０を設けてもよい。

一方、Ｃ部の接続端子５が形成される部分の開口部２７は、透明導電膜層１１、金属層１２及び表面透明導電膜層２４の積層体の形成パターンの幅よりも、開口面積を小さくすることが重要である。このＣ部の開口部２７の面積が、上記図４に示した第２の応用例の開口部２２のように、透明導電膜層１１及び金属層１２の積層体の幅よりも大きい場合には、Ａ部に形成された金属層１２と同様にエッチングされてしまうからである。すなわち、エッチング工程において、表面透明導電膜層２４はレーザーアニールによって改質されているため、容易にエッチングされないものの、開口部２７の面積が大きくて金属層１２が露出していると、該金属層１２がエッチングされてしまい、接続端子５を形成できなくなるからである。

以上の説明では、図１に示すような１層のタッチ電極パターンを有するタッチパネル１００の製造方法について、基本となる実施形態及びその応用例について図面を用いて説明した。これらの全ての形態において、従来の製造方法よりも少ない２枚の露光マスクで所望のタッチ電極パターンを有するタッチパネルを製造することができる。また、タッチパネルの製造方法として工程を簡略化できるため、製造時間及び製造コストを低減することができる。さらに、露光マスクの位置あわせ回数を低減することができるため、電極パターンの形成精度の高いタッチパネルが得られる。

なお、上述の実施形態におけるタッチパネルの製造方法で例示した各層の膜厚は、一例として、ガラス基板１の厚さが０．７ｍｍであり、透明導電膜層１１の厚さが７０ｎｍである。また、例えば、金属層１２を形成するＭｏＮ層１２ａが５０ｎｍであり、アルミ層１２ｂが１５０ｎｍ、ＢＭメタル層１２ｃが１００ｎｍ、ＭｏＮｂ層１２ｄが１００ｎｍ、保護膜１３，１７，２１，２５が３μｍである。

また、透明導電膜層１１及び表面透明導電膜層２４として、上述の実施形態ではＩＴＯを用いる例を示したが、その他にＩＺＯ、ＺｎＯなどが使用できる。金属層として、上述の実施形態ではＭｏＮ層、アルミ層及びＢＭメタル層の３層の積層体の例と、ＭｏＮ層、アルミ層及びＭｏＮｂ層の３層の積層体の例を示したが、これらは、使用環境や表示品位に応じて適宜使い分けることが望ましい。なお、ＢＭメタル層として、酸化クロム膜やニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミ（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）を含んだ合金の酸化膜などの黒色金属膜を用いることができる。また、金属層は、３層の積層体に限らず、ＢＭ層及びＭｏＮなどの２層の積層体、ＢＭメタル、ＭｏＮなどからなる単層を用いることができる。

また、形成後に部分的に溶解させない保護膜１３，１７，２５として、ＳｉＮ膜やＳｉＯ₂膜を例示したが、他にＳｉＯＮなどを用いることができる。一方、形成後に部分的に溶解させて開口部の壁面を滑らかにする場合の保護膜２１として用いられる透明有機樹脂として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ノボラック樹脂などを用いることができる。

なお、透明導電膜層１１や表面透明導電膜層２４，金属層１２，保護膜１３，１７，２１，２５として、上記例示して説明した材料と異なる材料を用いる場合には、当然ながら、各膜を良好に選択的にエッチングできるエッチング液を用いることとなる。具体的には、エッチング液として、例えば、金属膜をエッチングする場合には硝酸、燐酸及び酢酸の混酸液を、透明導電膜層をエッチングする場合には蓚酸などをそれぞれ用いることができる。

また、レジストパターンを形成するレジスト剤としては、ノボラック樹脂、アクリル樹脂などを用いることができる。さらに、レジスト膜の現像液としては、ＮａＯＨ、ＫＯＨを用いることができる。レジスト膜の剥離液としては、ＮＭＰ、アミン、グリコルエーテルなどを用いることかできる。

（第２の実施の形態）
次に、タッチ電極や引き出し配線、接続端子が、絶縁性の透明基板上にそれぞれ２層構造として形成されたタッチパネルの製造方法を、第２の実施形態として説明する。

図６は、第２の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法で製造されたタッチパネル２００の電極パターンを示す平面図である。

タッチパネル２００には、絶縁性の透明基板であるガラス基板１０１上に、ＩＴＯにより構成された透明導電膜層を平面的なパターンとして形成したタッチ電極が設けられている。本実施形態のタッチパネル２００は、タッチ電極１０２ａ，１０２ｂ、引き出し配線１０４ａ，１０４ｂ及び接続端子１０５ａ，１０５ｂが、それぞれ上下２つの層に分かれた２層構造で形成されている。この点が、図１に示した第１の実施形態にかかるタッチパネル１００の電極パターンと異なっている。

図６では、必要以上に図面が煩雑になることを防ぐために、引き出し配線１０４ａ，１０４ｂが一部分で立体的に交差している以外は、タッチ電極１０２ａ，１０２ｂ及び接続端子１０５ａ，１０５ｂの形状や配置は図１のタッチパネル１００と同じとしている。しかしながら、タッチ電極のパターンが細かい場合や、タッチ電極が形成されたタッチ位置検出領域の周囲の領域が狭く、引き出し配線の引き回しが困難な場合には、タッチ電極、引き出し配線、及び、これらに接続される接続端子を、２層構造として形成することがある。本実施形態では、このように、タッチ電極１０２ａ，１０２ｂや引き出し配線１０４ａ，１０４ｂ、接続端子１０５ａ，１０５ｂが２層構造で形成されるタッチパネル２００を、少ない数の露光マスクで露光する製造方法を説明する。

図６に示すように、本実施形態のタッチパネルの製造方法で製造されるタッチパネル２００も、図１に示したタッチパネル１００と同様、同じ大きさの略長方形のタッチ電極が横方向に１０個、縦方向に２列の合計２０個、並ぶように設けられている。このタッチ電極は、ガラス基板１０１上に直接形成された透明電極層によって構成される、下層である第１層のタッチ電極１０２ａと、この第１層のタッチ電極１０２ａとはタッチパネルの厚さ方向の異なる層に形成された、上層である第２層のタッチ電極１０２ｂとを有する。これらのタッチ電極１０２ａ，１０２ｂは、平面視で、交互に並ぶように配置されている。

なお、各タッチ電極１０２ａ，１０２ｂのパターン形状は、図６に示した長方形状である必要はなく、また、横・縦に配置されるパターンの個数も１０×２に限らない点は、図１の場合と同様である。

本実施形態のタッチパネルの製造方法によって製造されるタッチパネル２００には、タッチ電極１０２同士の間で且つタッチ電極１０２ａと同じ第１層に、ＩＴＯによって形成されたフローティング電極１０３が設けられている。なお、フローティング電極１０３の配置や形状について何ら制約がないことは、図１で示したタッチパネル１００のタッチ電極パターンと同じである。また、フローティング電極１０３が、第１層のタッチ電極１０２ａと同じ層に形成される場合を示したが、本実施形態では、これは必須の要件ではないため、第２層のタッチ電極１０２ｂと同じ層にフローティング電極１０３が形成されていてもよい。

また、タッチ電極１０２を使用者に視認されにくくするフローティング電極１０３はタッチパネル２００として必須の構成要件ではない点も、図１に示すタッチパネル１００と同様である。

本実施形態のタッチパネル２００では、引き出し配線及び接続端子も、タッチ電極と同様、下層である第１層と上層である第２層とに分かれて形成されている。具体的には、引き出し配線１０４ａ及び接続端子１０５ａが、タッチ電極１０２ａ及びフローティング電極１０３と同じ第１層に形成されていて、引き出し配線１０４ｂ及び接続端子１０５ｂが、タッチ電極１０２ｂと同じ第２層に形成されている。

次に、本実施形態にかかるタッチパネルの製造方法を、製造工程の一例を示す断面図である図７から図９を用いて説明する。

なお、図７（ａ）、図７（ｂ）、図８（ａ）、図８（ｂ）、図９（ａ）及び図９（ｂ）において、左側の図が、タッチ電極１０２ａ、１０２ｂ及びフローティング電極１０３が形成された部分、すなわち図６におけるＤ−Ｄ’矢視線の部分の断面構成を示している。以下の説明において、図６におけるＤ−Ｄ’矢視線の部分をＤ部と称する。

また、図７（ａ）、図７（ｂ）、図８（ａ）、図８（ｂ）、図９（ａ）及び図９（ｂ）において、中央の図が、引き出し配線１０４ａ、１０４ｂが形成されている部分、すなわち図６におけるＥ−Ｅ’矢視線の部分の断面構成を示している。以下の説明において、図６におけるＥ−Ｅ’矢視線の部分をＥ部と称する。

さらに、図７（ａ）、図７（ｂ）、図８（ａ）、図８（ｂ）、図９（ａ）及び図９（ｂ）において、右側の図が、接続端子１０５ａ、１０５ｂが形成されている部分、すなわち図６におけるＦ−Ｆ’矢視線の部分の断面構成を示している。以下の説明において、図６におけるＦ−Ｆ’矢視線の部分をＦ部と称する。

本実施形態のタッチパネル２００の製造方法では、透明基板であるガラス基板１０１上の全面に、ＩＴＯなどの透明導電膜層１１１を形成した後、金属層１１２を形成するＭｏＮ層１１２ａ、アルミ層１１２ｂ及びＭｏＮｂ層１１２ｃを、スパッタ法によって順に積層する。

その後、金属層１１２の最上層であるＭｏＮｂ層１１２ｃの上に、図示しないレジスト膜を形成する。このレジスト膜を所定のマスクで覆って露光、現像するという通常のフォトリソグラフィ法によって、Ｄ部の第１層のタッチ電極１０２ａ及びフローティング電極１０３となる部分、Ｅ部の第１層の引き出し配線１０４ａとなる部分、及び、Ｆ部の第１層目の接続端子１０５ａとなる部分に、レジストパターンを残存させる。

次に、形成されたレジストパターンをマスクとして、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によって、ＭｏＮｂ層１１２ｃ、アルミ層１１２ｂ及びＭｏＮ層１１２ａを同時にエッチングする。更に、同一のレジストパターンを用いて、蓚酸液によって透明導電膜層１１１をエッチングする。

その後、ＭｏＮｂ層１１２ｃの上に残っているレジスト膜を、レジスト剥離液にて剥離除去する。この状態を図７(ａ)に示す。

次に、図７(ｂ)に示すように、例えばＳｉＮからなる第１層の保護膜１１３を、ＣＶＤ法を用いてガラス基板１０１の全面に形成する。この第１層の保護膜１１３が、第２層と第１層とを絶縁分離する膜になる。

次に、第１層の保護膜１１３上の全面に、ＩＴＯなどの透明導電膜層１１４を形成した後、金属層１１５を形成するＭｏＮ層１１５ａ、アルミ層１１５ｂ及びＭｏＮｂ層１１５ｃを、スパッタ法によって順に積層する。

その後、金属層１１５の最上層であるＭｏＮｂ層１１５ｃの上に、図示しないレジスト膜を形成する。そして、このレジスト膜を所定のマスクで覆って露光、現像するという通常のフォトリソグラフィ法によって、第１層と同様に、Ｄ部の第２層のタッチ電極１０２ｂとなる部分、Ｅ部の第２層の引き出し配線１０４ｂとなる部分、及び、Ｆ部の第２層の接続端子１０５ｂとなる部分に、レジストパターンを残存させる。

次に、形成されたレジストパターンをマスクとして、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によって、ＭｏＮｂ層１１５ｃ、アルミ層１１５ｂ及びＭｏＮ層１１５ａを同時にエッチングする。さらに、同一のレジストパターンを用いて蓚酸液によって透明導電膜層１１４をエッチングする。

その後、ＭｏＮｂ層１１５ｃの上に残っているレジスト膜を、レジスト剥離液にて剥離除去する。この状態を図８(ａ)に示す。

次に、図８(ｂ)に示すように、例えばＳｉＮからなる第２層の保護膜１１６を、ＣＶＤ法を用いてガラス基板１０１の全面に形成する。

そして、フォトリソグラフィ法によって、Ｄ部の第１層のタッチ電極１０２ａ、フローティング電極１０３及び第２層のタッチ電極１０２ｂとなる部分以外、及び、Ｆ部の第１層の接続端子１０５ａ及び第２層の接続端子１０５ｂとなる部分以外に、レジスト膜を残存させる。

その後、残存させたレジスト膜をマスクとして、フッ素系のガスを用いたドライエッチング（ＲＩＥ法）によって第２層の保護膜１１６及び第１層の保護膜１１３をエッチングする。これにより、Ｄ部に開口部１１９，１２０，１２１を，Ｆ部に開口部１１７，１１８をそれぞれ形成して、第１層の透明導電膜層１１１及び金属層１１２の積層体の表面、及び、第２層の透明導電膜層１１４及び金属層１１５の積層体の表面をそれぞれ露出させる。そして、第２層の保護膜１１６上に残っているレジスト膜を、レジスト剥離液で剥離除去する。この状態が、図９（ａ）の状態である。

次に、所定位置に開口部１１７，１１８，１１９，１２０，１２１が形成された第１層の保護膜１１３及び第２層の保護膜１１６をマスクとして、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によって、ＭｏＮｂ層１１２ｃ，１１５ｃ、アルミ層１１２ｂ，１１５ｂ及びＭｏＮ層１１２ａ，１１５ａを連続してエッチングする。この結果、タッチ位置の検出領域であるＤ部及び接続端子１０５が形成される領域であるＦ部では、第１層の金属層１１２及び第２層の金属層１１５が除去されて、第１層の透明導電膜層１１１及び第２層の透明導電膜層１１４が露出する。第１層の引き出し配線１０４ａ及び第２層の引き出し配線１０４ｂが形成されるＥ部では、第１層の保護膜１１３及び第２層の保護膜１１６が残存している。そのため、第１層では、保護膜１１３によって覆われた透明導電膜層１１及び金属層１１２の積層体が残っていて、第２層では、保護膜１１６によって覆われた透明導電膜層１１４及び金属層１１５の積層体が残っている。

このようにして、図９(ｂ)に示すように、Ｄ部に、第１層の透明導電膜層１１１によって構成された第１層のタッチ電極１０２ａ及びフローティング電極１０３が形成されるとともに、第２層の透明導電膜層１１４によって構成された第２層のタッチ電極１０２ｂが形成される。Ｅ部には、第１層に、金属層１１２が積層されて抵抗値が引き下げられた引き出し配線１０４ａが、第１層の保護膜１１３及び第２層の保護膜１１６によって覆われた状態で形成される。また、Ｅ部には、第２層に、金属層１１５が積層されて抵抗値が引き下げられた引き出し配線１０４ｂが、第２層の保護膜１１６によって覆われた状態で形成される。そして、Ｆ部では、第１層の保護膜１１３及び第２層の保護膜１１６に、接続のためのビアホールとなる開口部１１８及び開口部１１７が形成されるため、透明導電膜層１１１からなる第１層の接続端子１０５ａ及び透明導電膜層１１４からなる第２層の接続端子１０５ｂが露出している。

図７から図９に示す本実施形態のタッチパネルの製造方法によれば、図６に示すように２層に分離された電極パターンを有する構成を実現できる。また、この製造方法によれば、タッチ電極１０２ａと接続端子１０５ａとを接続する引き出し配線１０４ａ、及び、タッチ電極１０２ｂと接続端子１０５ｂとを接続する引き出し配線１０４ｂを、抵抗値の低い金属膜１１２，１１５を積層した構成とすることができる。

このとき使用する露光マスクは、合計３枚である。具体的には、図７(ａ)に示すように第１層に形成される透明導電膜層１１１及び金属層１１２をパターン化するための第１の露光マスクが必要である。また、図８(ａ)に示すように第２層に形成される透明導電膜層１１４及び金属層１１５をパターン化するための第２の露光マスクが必要である。さらに、図８（ａ）に示すように第１層の保護膜１１３及び第２層の保護膜１１６の所定の位置に、開口部１１７，１１８，１１９，１２０，１２１を形成するための第３の露光マスクが必要である。

このため、図３４及び図３５に示した従来の製造方法では、最低限５枚必要であったマスクを３枚に減らすことができる。そのため、本実施形態のタッチパネルの製造方法は、タッチ電極のパターンが２層に形成されたタッチパネルの製造方法として、製造コストが安く、且つ、マスク合わせ誤差に起因するパターンのずれが発生しにくい製造方法である。

次に、図１０及び図１１を用いて、本実施形態における第１の応用例のタッチパネルの製造方法について説明する。なお、図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１（ａ）及び図１１(ｂ)の各図が示しているＤ部、Ｅ部及びＦ部の各部分は、上述の本実施形態のタッチパネルの製造方法で各部の断面構造を示した図７から図９と同様である。すなわち、Ｄ部、Ｅ部及びＦ部は、それぞれ、図６におけるＤ−Ｄ’矢視線の部分、Ｅ−Ｅ’矢視線の部分、Ｆ−Ｆ’矢視線の部分を示している。

第１の応用例のタッチパネルの製造方法は、上述の本実施形態のタッチパネルの製造方法とは異なり、第１層の保護膜と第２層の保護膜とが同じ材料によって形成されていない。すなわち、第１層の保護膜が例えばＳｉＮ膜で、第２層の保護膜が例えば透明有機樹脂というように、第１層の保護膜と第２層の保護膜とが異なる材料によって形成されている。

第１の応用例のタッチパネルの製造方法でも、透明基板１０１上に、下層である第１層の透明導電膜層１１１及び金属層１１２の積層体を形成した後、第１層の保護膜１１３を形成し、該保護膜１１３上に上層である第２層の透明導電膜層１１４及び金属層１１５の積層体を形成する。ここまでは、図７（ａ）、図７（ｂ）及び図８（ａ）に順次示した上記本実施形態のタッチパネルの製造方法と同じである。このため、ここまでの製造工程の図示は省略する。この状態を示す図１０(ａ)は、図８(ａ)と同じ状態を示している。

次に、第１の応用例のタッチパネルの製造方法では、第２層の透明導電膜層１１４及び第２層の金属層１１５の積層体を覆うように、第１層の保護膜１１３上の全面に、透明有機樹脂製の第２層の保護膜１２２を形成する。

そして、フォトリソグラフィ法によって、図１０（ｂ）に示すように、透明有機樹脂製の第２層の保護膜１２２に、Ｄ部でタッチ電極１０２ａとなる部分に開口部１２７を、フローティング電極１０３となる部分に開口部１２６を、それぞれ形成する。また、第２層の保護膜１２２には、第２層のタッチ電極１０２ｂとなる部分に開口部１２５を形成する。また、Ｆ部で第１層の接続端子１０５ａとなる部分に開口部１２４を、第２層の接続端子１０５ｂとなる部分に開口部１２３を、それぞれ形成する。

その後、開口部が形成されずに残存している保護膜１２２をマスクとして、フッ素系のガスを用いたドライエッチング（ＲＩＥ法）によって第１層の保護膜１１３をエッチングする。具体的には、図１１(ａ)に示すように、第２層の保護膜１２２に形成された開口部１２４を用いて第１層の保護膜１１３に開口部１２８を、第２層の保護膜１２２に形成された開口部１２６を用いて第１層の保護膜１１３に開口部１２９を、それぞれ形成する。また、第２層の保護膜１２２に形成された開口部１２７を用いて第１層の保護膜１１３に開口部１３０を形成する。

次に、開口部１２８〜１３０が形成された第１層の保護膜１１３及び開口部１２３〜１２７が形成された第２層の保護膜１２２をマスクとして、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によって、ＭｏＮｂ層１１２ｃ，１１５ｃ、アルミ層１１２ｂ，１１５ｂ及びＭｏＮ層１１２ａ，１１５ａを連続してエッチングする。この結果、タッチ位置の検出領域であるＤ部及び接続端子１０５ａ，１０５ｂが形成される領域であるＦ部では、金属層１１２，１１５が除去されて、透明導電膜層１１１，１１４が露出する。引き出し配線１０４ａ，１０４ｂが形成されるＥ部では、第１層の保護膜１１３及び第２層の保護膜１１６が残存しているので、保護膜１１３，１１６によって覆われた透明導電膜層１１１，１１４及び金属層１１２，１１５の積層体が残っている。

このようにして、図１１(ｂ)に示すように、図６に示す電極パターンを構成する２層構造のタッチパネル２００を形成することができる。

本実施形態の第１の応用例では、第２層の保護膜１２２を第１層の保護膜材料であるＳｉＮとは異なる透明有機樹脂によって形成したため、図７から図９に示す製造方法のように、第２層の保護膜１１６及び第１層の保護膜１１３を一度にエッチングして開口部を形成することはできない。しかしながら、第２層の透明有機樹脂製の保護膜１１６に形成した開口部１２４，１２６，１２７を用いて、第１層の保護膜１１３の開口部１２８〜１３０を形成するエッチングを行うことができる。

このため、本実施形態の第１の応用例のタッチパネルの製造方法においても、使用する露光マスクは、合計３枚となる。具体的には、第１層の透明導電膜層１１１及び金属層１１２をパターン化するための第１の露光マスク、第２層の透明導電膜層１１４及び金属層１１５をパターン化するための第２の露光マスク、図１０（ｂ）に示すように、第２層の保護膜１２２に開口部１２３〜１２７を形成するための第３の露光マスクである。

したがって、本実施形態の第１の応用例では、タッチパネルの第１層の保護膜と第２層の保護膜とを異なる材料で形成した場合でも、図６に示すタッチパネル２００を、３枚のマスクを用いて、低コストで精度良く製造することができる。

次に、本実施形態の第２の応用例のタッチパネルの製造方法について、図１２及び図１３を用いて説明する。なお、図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１３（ａ）及び図１３(ｂ)の各図が示しているＤ部、Ｅ部及びＦ部の各部分は、上記本実施形態のタッチパネルの製造方法や第１の応用例の製造方法を示した図７から図１１と同様である。すなわち、Ｄ部、Ｅ部及びＦ部は、それぞれ、図６におけるＤ−Ｄ’矢視線の部分、Ｅ−Ｅ’矢視線の部分及びＦ−Ｆ’矢視線の部分を示している。

本実施形態の第２の応用例のタッチパネルの製造方法は、透明基板１０１上に、第１層の透明導電膜層１１１及び金属層１１２の積層体が形成された後、例えばＳｉＯ₂からなる第１層の保護膜１１３が形成される。そして、該保護膜１１３上に、第２層の透明導電膜層１１４及び金属層１１５の積層体が形成され、さらに透明有機樹脂製の第２層の保護膜１２２が形成される。

続いて、第２層の保護膜１２２には、フォトリソグラフィ法によって、Ｄ部の第１層のタッチ電極１０２ａとなる部分に開口部１２７を、フローティング電極１０３となる部分に開口部１２６を、それぞれ形成する。また、第２層のタッチ電極１０２ｂとなる部分に開口部１２５を、さらに、Ｆ部の第１層の接続端子１０５ａとなる部分に開口部１２４を、第２層の接続端子１０５ｂとなる部分に開口部１２３を、それぞれ形成する。ここまでが、上述の第１の応用例と同じである。この状態、すなわち第１の応用例の図１０(ｂ)と同じ状態を、図１２（ａ）に示す。

次に、この第２の応用例の製造方法においても、透明有機樹脂である第２層の保護膜１２２に形成された開口１２４，１２６，１２７を用いて、フッ素系のガスを用いたドライエッチング（ＲＩＥ法）によって第１層の保護膜１１３に開口部１２８〜１３０を形成する。ここで、第２の応用例では、図１２(ｂ)に示すように、第１層の保護膜１１３に形成された開口部１２８〜１３０の上部の開口面積が、第２層の保護膜１２２に形成された開口１２４，１２６，１２７の下部の開口面積よりも大きな面積を有するように、エッチング条件をコントロールする。この点が、図１１（ａ）に示すように第１層の保護膜１１３に形成された開口部１２８，１２９，１３０が第２層の保護膜１２２に形成された開口部１２４，１２６，１２７と連続する形状で形成される、第１の応用例とは異なる。

そして、第２の応用例では、開口部１２８〜１３０が形成された第１層の保護膜１１３及び開口部１２３〜１２７が形成された第２層の保護膜１２２をマスクとして、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によって、ＭｏＮｂ層１１２ｃ，１１５ｃ、アルミ層１１２ｂ，１１５ｂ及びＭｏＮ層１１２ａ，１１５ａを連続してエッチングする。この結果、図１３(ａ)に示すように、金属層１１２，１１５が除去されるため、Ｄ部及びＦ部において、透明導電膜層１１１，１１４が露出する。

次に、透明有機樹脂膜である第２の保護膜１２２に、硬化させる時の最適露光の７倍から８倍の露光量の紫外線を照射して、環境温度が２００℃など、材料である透明有機樹脂膜に適したメルト条件でアニールする。その結果、タッチ電極１０２ａ、１０２ｂ及びフローティング電極１０３の表面を露出させるＤ部の開口部１３３〜１３５の壁面，及び、接続端子１０５ａ，１０５ｂの表面を露出させるＦ部の開口部１３１，１３２の壁面を、それぞれ、図１３（ｂ）に示すように、ガラス基板１０１側から連続する滑らかな面にすることができる。

このように、第２の応用例におけるタッチパネル２００の製造方法では、タッチ電極１０２ａ，１０２ｂ、フローティング電極１０３、接続端子１０５ａ，１０５ｂを露出させるような開口部１３１〜１３５を、連続して滑らかな壁面を有する断面形状に形成することができる。このため、タッチパネルの使用時に、第１層の保護膜１１３や第２層の保護膜１２２の段差部が引っかかり、第１層の保護膜１１３や第２層の保護膜１２２が破損してその破損部分がタッチパネルの表面の異物となることを防止できる。また、第１層の保護膜１１３や第２層の保護膜１２２とともに、パターン化されたタッチ電極１０２ａ，１０２ｂや、フローティング電極１０３，接続端子１０５ａ，１０５ｂが剥がれるといった不都合を防止できる信頼性の高いタッチパネルを得ることができる。

なお、図１３（ｂ）に示すように第２の応用例のタッチパネルの製造方法で用いられたアニール工程は、第２層の保護膜１２２のメルト条件下で該保護膜１２２の断面形状を滑らかにするものであり、マスクによる新たな露光現像工程は必要としない。したがって、第２の応用例においても、図６に示すように２層に分離された電極パターンを有し、且つ、抵抗値の低い金属膜１１２，１１５が積層された引き出し配線１０４ａ，１０４ｂを有するタッチパネルを、合計３枚のマスクによって製造することができる。

次に、本実施形態の第３の応用例にかかるタッチパネルの製造方法について、図１４から図１６を用いて説明する。図１４から図１６の各図において、Ｄ部、Ｅ部、Ｆ部は、それぞれ、図６におけるＤ−Ｄ’矢視線の部分、Ｅ−Ｅ’矢視線の部分及びＦ−Ｆ’矢視線の部分を示している。

第３の応用例にかかるタッチパネルの製造方法では、まず、透明基板であるガラス基板１０１上の全面に、ＩＴＯなどの透明導電膜層１１１を形成した後、金属層１１２を形成するＭｏＮ層１１２ａ、アルミ層１１２ｂ及びＭｏＮｂ層１１２ｃを、スパッタ法によって順に積層する。そして、図示しないレジスト膜を形成して、通常のフォトリソグラフィ法によって所定のレジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクとして、ＭｏＮｂ層１１２ｃ、アルミ層１１２ｂ、ＭｏＮ層１１２ａ及び透明導電膜層１１１をエッチングする。この状態が図１４（ａ）に示す状態であり、本実施形態の製造方法を説明した図７(ａ)と同じ状態である。

次に、図１４(ｂ)に示すように、透明有機樹脂膜による第１層の保護膜１３６を、ガラス基板１０１の全面に形成する。そして、第１層の保護膜１３６に、通常のフォトリソグラフィ法によって、第１層のタッチ電極１０２ａ、フローティング電極１０３及び接続端子１０５ａとなる部分に、それぞれ、開口部１３９，１３８，１３７を形成して、金属層１１２の最上層であるＭｏＮｂ層１１２ｃを露出させる。このとき、図１４（ｂ）に示すように、Ｅ部に形成される第１層の引き出し配線１０４ａとなる透明導電膜層１１１及び金属層１１２の積層体は、第１層の保護膜１３６によって覆われている。

次に、第１層の保護膜１３６上に、ＩＴＯなどの透明導電膜層１１４を形成した後、金属層１１５を形成する第１層のＭｏＮ層１１５ａ、第２層のアルミ層１１５ｂ及び第３層のＭｏＮｂ層１１５ｃを、スパッタ法によって順に積層する。そして、レジスト膜を用いた通常のフォトリソグラフィ法によって、第１層と同様に、Ｄ部の第２層のタッチ電極１０２ｂ、Ｅ部の第２層の引き出し配線１０４ｂ及びＦ部の第２層の接続端子１０５ｂとなる部分に、透明導電膜層１１４及び金属層１１５の積層体を形成する。これにより、図１５（ａ）に示す状態とする。

次に、透明有機樹脂膜による第２層の保護膜１４０をガラス基板１０１の全面に亘って形成する。そして、フォトリソグラフィ法によって、図１５(ｂ)に示すように、Ｄ部における第１層のタッチ電極１０２ａ、フローティング電極１０３及び第２層のタッチ電極１０２ｂとなる部分にそれぞれ開口部１４５、１４４，１４３を形成する。また、Ｆ部における第１層の接続端子１０５ａ及び第２層の接続端子１０５ｂとなる部分に、それぞれ開口部１４２，１４１を形成する。

このとき、第１層の保護膜１３６には、既に開口部１３７，１３８，１３９が形成されているため、図１５(ｂ)に示すように、第２層の保護膜１４０に形成された開口部１４５，１４４，１４２と第１層の保護層１３６に形成された開口部１３９，１３８，１３７とが繋がる。具体的には、第２層の保護層１４０に形成された開口部１４５と第１層の保護膜１３６に形成された開口部１３９とが繋がり，第２層の保護膜１４０に形成された開口部１４４と第１層の保護膜１３６に形成された開口部１３８とが繋がる。さらに、第２層の保護膜１４０に形成された開口部１４２と第１層の保護膜１３６に形成された開口部１３７とが繋がる。これにより、Ｄ部のタッチ電極１０２ａ、１０２ｂ、フローティング電極１０３及びＦ部の接続端子１０５ａ、１０５ｂとなる部分にそれぞれ形成された、第１層の透明導電膜層１１１及び金属層１１２の積層体、または第２層の透明導電膜層１１４及び金属層１１５の積層体が露出することになる。

その後、開口部１４１〜１４５が形成された第２層の保護膜１４０及び開口部１３７〜１３９が形成された第１層の保護層１３６をマスクとして用いてエッチングを行い、Ｄ部及びＦ部において、透明導電膜層１１１，１１４に積層された金属層１１２，１１５を除去する。金属層１１２，１１５を除去した状態を示した図が、図１６(ａ)である。

その後、透明有機樹脂膜の第１層の保護膜１３６及び第２層の保護膜１４０を溶かすのに適したメルト条件で、アニールを行う。これにより、タッチ電極１０２ａ，１０２ｂ及びフローティング電極１０３の表面を露出させるＤ部の開口部１４８，１５０，１４９の壁面、及び、接続端子１０５ａ，１０５ｂの表面を露出させるＦ部の開口部１４６，１４７の壁面を、図１６（ｂ）に示すように、連続した滑らかな面にすることができる。

図１４から図１６に示す第３の応用例の製造方法によれば、図６に示す２層に分離された電極パターンを有し、且つ、抵抗値の低い金属膜１１２，１１５が積層された引き出し配線１０４ａ，１０４ｂを有するタッチパネル２００を得ることができる。

このとき使用する露光マスクは、合計４枚である。具体的には、まず、図１４(ａ)に示すように第１層に形成される透明導電膜層１１１及び金属層１１２をパターン化するための第１の露光マスクが必要である。また、図１４(ｂ)に示すように第１層の保護膜１３６に所定の開口部１３７，１３８，１３９を形成するための第２の露光マスクが必要である。さらに、図１５(ａ)に示すように第２層に形成される透明導電膜層１１４及び金属層１１５をパターン化するための第３の露光マスクが必要である。そして、図１５（ｂ）に示すように第２層の保護膜１４０の所定の位置に、開口部１４１，１４２，１４３，１４４，１４５を形成するための第４の露光マスクが必要である。

このように、タッチ電極を微細化して電極数（チャネル数）を増やし、タッチパネルのタッチ感度を上げるために、第１層の絶縁膜１３６と第２層の絶縁膜１４０とを別々のマスクで露光してパターンニングする必要がある。そのため、必要となる露光マスクの枚数は、合計４枚となり、上述の本実施形態にかかるタッチパネルの製造方法に比べて１枚多くなってしまう。しかし、この第３の応用例によれば、第１層の保護膜１３６及び第２層の保護膜１４０にアクリル樹脂である透明有機樹脂を用いるとともに２層構造の電極パターンを有するタッチパネルを、図３４及び図３５で示した従来の製造方法で必要なマスク枚数（５枚）よりも少ないマスク枚数で製造することができる。

次に、図１７及び図１８を用いて、本実施形態の第４の応用例にかかるタッチパネルの製造方法について説明する。なお、図１７及び図１８におけるＤ部、Ｅ部、Ｆ部の各部分は、それぞれ、図６におけるＤ−Ｄ’矢視線の部分、Ｅ−Ｅ’矢視線の部分及びＦ−Ｆ’矢視線の部分を示している。

第４の応用例にかかる製造方法は、第１層の透明導電膜層１１１及び金属層１１２の積層体をパターン化した後、例えばＳｉＯ₂からなる第１層の保護膜を形成し、第２層の透明導電膜層１１４及び金属層１１５の積層体をパターン化するまでの工程は、上述の第１の応用例と同じであるため図示を省略する。第２層の透明導電膜層１１４及び金属層１１５の積層体がパターン化された状態を図１７(ａ)に示す。

続いて、第１層の保護膜１１３上に、透明有機樹脂からなる第２層の保護膜１５１を形成する。ここで、図１０及び図１１に示した第１の応用例では、第２層の保護膜１２２のＤ部のタッチ電極１０２ａ，１０２ｂ、フローティング電極１０３及びＦ部の接続端子１０５ａ，１０５ｂとなる部分に、それぞれ、開口部１２７，１２５，１２６，１２４，１２３を形成した。しかし、この第４の応用例では、図１７（ｂ）に示すように、Ｄ部には、タッチ電極１０２ａ，１０２ｂ及びフローティング電極１０３が形成されるタッチ位置の検出領域全体を露出させるように開口部１５４が形成されている。また、Ｆ部の接続端子１０５ａ，１０５ｂとなる部分に形成された開口部１５３，１５２は、その開口面積が、接続端子１０５ａ，１０５ｂとなる透明電極１１１，１１４及び金属層１１２，１１５の積層体の面積よりも大きく形成されている。以上の点で、この第４の応用例は、第１の追応用例とは異なっている。

続いて、フッ素系のガスを用いたドライエッチング（ＲＩＥ法）により、第２層の保護膜１５１をマスクとして、ＳｉＯ₂の第１層の保護膜１１３をエッチングする。このとき、エッチング条件を制御して、図１８(ａ)に示すように、第２層のタッチ電極１０２ｂ及び第２層の接続端子１０５ｂとなる部分において、透明導電膜層１１４及び金属層１１５の積層体の下に形成されている第１層の保護膜１１３がエッチングされないようにする。

そして、図１８(ａ)に示すように、いずれも第１層として形成される、タッチ電極１０２ａ、フローティング電極１０３及び接続端子１０５ａとなる部分において、透明導電膜層１１１及び金属層１１２の積層体の上面及び側面を露出させる。

次に、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によって、ＭｏＮｂ層１１２ｃ，１１５ｃ、アルミ層１１２ｂ，１１５ｂ及びＭｏＮ層１１２ａ，１１５ａを連続してエッチングする。この結果、タッチ位置の検出領域であるＤ部、及び、接続端子１０５ａ，１０５ｂが形成される領域であるＦ部では、金属層１１２，１１５が除去されて、透明導電膜層１１１，１１４が露出する。このとき、第２層のタッチ電極１０２ｂ及び接続端子１０５ｂは、下方に残存した第１層の保護層１１３上に位置する。

第４の応用例においても、使用する露光マスクは、合計３枚となる。具体的には、第２層に形成される透明導電膜層１１１及び金属層１１２をパターン化するための第１の露光マスクが必要である。また、第１層に形成される透明導電膜層１１４及び金属層１１５をパターン化するための第２の露光マスクが必要である。さらに、図１７（ｂ）に示すように、保護膜１５１の所定の位置に開口１５２，１５３，１５４を形成するための第３の露光マスクが必要である。

したがって、第４の応用例によって、タッチパネル表面の保護膜に透明なアクリル樹脂などの透明有機樹脂を用いるとともに、図６に示す電極パターン形状を有し、タッチ位置検出領域の全体を露出させたタッチパネル２００を、３枚のマスクを用いて低コストで精度良く製造できる。

以上、本実施形態にかかるタッチパネルの製造方法及びその応用例について説明した。これらのタッチパネルの製造方法によって、上下２層にタッチ電極や引き出し配線、接続端子が形成されたタッチ電極パターンを有するタッチパネルを、従来の製造方法よりも少ない枚数の露光マスクによって製造することができる。これにより、タッチパネルの製造コストを低減できるとともに、マスクの位置合わせ回数を低減することができる。したがって、上述の各製造方法を用いることによって、タッチパネルの製造時に誤差が発生しにくい。

なお、上述の実施形態におけるタッチパネルの製造方法において例示した各層の膜厚は、基本的に第１の実施形態として示したものと同じである。

例えば、ガラス基板１の厚さが０．７ｍｍであり、第１層の透明導電膜層１１１及び第２層の透明導電膜層１１４の厚さが７０ｎｍである。また、例えば、第１層の金属層１１２及び第２層の金属層１１５を形成するＭｏＮ層１１２ａ，１１５ａが５０ｎｍであり、アルミ層１１２ｂ，１１５ｂが１５０ｎｍである。さらに、例えば、ＭｏＮｂ層１１２ｃ，１１５ｃが１００ｎｍであり、第１層の保護膜１１３，１３６及び第２層の保護膜１２２，１４０，１５１が３μｍである。

また、透明導電膜層や保護膜の形成材料、及び、レジスト膜やエッチング液などとして用いることができる材料なども、第１の実施形態において説明した各種材料を用いることができる。

（第３の実施の形態）
次に、タッチパネルの製造方法の第３の実施形態について説明する。この実施形態は、タッチ電極及び接続端子が同じ１層に形成されているが、引き出し配線の少なくとも一部分が、タッチ電極や接続端子が形成された層とは異なる層でつなぎ直された、いわゆる繋ぎ替え配線を有するタッチパネルの製造方法に関する。

図１９は、本実施形態のタッチパネルの製造方法で製造されるタッチパネル３００の電極パターンを示す平面図である。

タッチパネル３００は、絶縁性の透明基板であるガラス基板２０１上に、ＩＴＯからなる透明導電膜層が平面的なパターンとして形成されたタッチ電極２０２を有している。本実施形態のタッチパネル３００では、タッチ電極２０２と接続端子２０５とを接続する引き出し配線２０４が、タッチ電極２０２や接続端子２０５が形成された層において途切れている。そして、引き出し配線２０４は、異なる層に形成された繋ぎ替え配線２０７によって、平面的には十字状になる立体交差部分を有している。

図１９では、必要以上に図面が煩雑になることを防ぐために、タッチ電極２０２、引き出し配線２０４及び接続端子２０５の形状、基本的な配置パターンは、引き出し配線４がタッチ電極２と同じ層に形成された図１に示す第１の実施形態の電極パターンと同様としている。しかしながら、電極パターンが細かくなった場合や、タッチ位置検出領域の周辺の領域が狭く、一つの平面だけでは引き出し配線２０４の引き回しが困難な場合には、図１９に示すように引き出し配線２０４を立体交差させるための繋ぎ替え配線２０７を備えた継ぎ換え部が形成されることがある。

なお、図１９に電極パターンを示すタッチパネル３００において、タッチ電極２０２自体の配列や形状、タッチ電極２０２同士の間にフローティング電極２０３が配置されている点などは、図１に示すタッチパネル１００と同様であるため、詳細な説明は省略する。

図２０は、図１９に示すタッチパネル３００の製造方法の製造工程の一例を示す断面図である。

なお、図２０（ａ）、図２０（ｂ）及び図２０（ｃ）には、それぞれ、４つの図が示されている。左端の図が、電極パターンを示した図１９におけるＧ−Ｇ’矢視線部分、すなわち、タッチ電極２０２、フローティング電極２０３及び２本の引き出し配線２０４が形成された部分の断面構成を示している。以下の説明において、図１９におけるＧ−Ｇ’矢視線の部分をＧ部と称する。

また、図２０（ａ）、図２０（ｂ）及び図２０（ｃ）において、左から２番目の図が、図１９におけるＨ−Ｈ’矢視線部分、すなわち、接続端子２０５が形成された部分の断面構成を示している。以下の説明において、図１９におけるＨ−Ｈ’矢視線の部分をＨ部と称する。

さらに、図２０（ａ）、図２０（ｂ）及び図２０（ｃ）において、左から３番目の図が、電極パターンを示した図１９におけるＩ−Ｉ’矢視線部分、すなわち、引き出し配線２０４と繋ぎ替え配線２０７との接続部分の断面構成を示している。以下の説明において、図１９におけるＩ−Ｉ’矢視線の部分をＩ部と称する。

そして、図２０（ａ）、図２０（ｂ）及び図２０（ｃ）において、右端の図が、電極パターンを示した図１９におけるＪ−Ｊ’矢視線部分、すなわち、タッチ電極２０２と引き出し配線２０４との接続部分の断面構成を示している。以下の説明において、図１９におけるＪ−Ｊ’矢視線の部分をＪ部と称する。

本実施形態のタッチパネル３００の製造方法では、透明基板であるガラス基板２０１上の全面に、ＩＴＯなどの透明導電膜層２１１を形成した後、金属層２１２を構成するＭｏＮ層２１２ａ、アルミ層２１２ｂ及びＭｏＮ層２１２ｃを、スパッタ法によって順に積層する。

その後、金属層２１２の最上層であるＭｏＮ層２１２ｃの上に、保護膜となるレジスト膜２１３を形成する。このレジスト膜２１３に、通常のフォトリソグラフィ法によって、図２０（ｂ）に示すように、タッチ電極２０２及びフローティング電極２０３を含むタッチ位置の検出領域に対応して、開口部２１６を形成する。また、レジスト膜２１３において、フォトリソグラフィ法によって、接続端子２０５が形成される部分に開口部２１５を、及び、引き出し配線２０４と繋ぎ替え配線２０７との接続部となる部分に開口部２１４をそれぞれ形成する。

次に、繋ぎ替え配線となるＭｏなどの導電膜２１７をスパッタ法などによって成膜し、該導電膜２１７にレジスト膜２１８を重ねて形成した後、継ぎ換え配線２０７となる部分にレジスト膜２１８を残存させる。

その後、レジスト膜２１３，２１８をマスクとして、導電膜２１７と、タッチ電極２０２、フローティング電極２０３及び接続端子２０５の形成部分の金属層２１２（ＭｏＮ層２１２ｃ、アルミ層２１２ｂ及びＭｏＮ層２１２ａ）とを、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によってエッチングする。なお、繋ぎ替え配線２０７上のレジスト膜２１８は、繋ぎ替え配線２０７の保護膜とするために残存させる。こうすることで、図２０（ｃ）の状態となる。

本実施形態のタッチパネルの製造方法では、透明導電膜層２１１及び低抵抗の金属層２１２が積層されてなる引き出し配線２０４と、該引き出し配線２０４を立体交差させる繋ぎ替え配線２０７とを備えたタッチパネル３００を、合計３枚のマスクによって製造できる。具体的には、タッチパネル３００の製造には、透明導電膜２１１及び金属層２１２の積層体をパターンニングするための第１の露光マスクが必要である。また、レジスト膜２１３に開口部２１４，２１５，２１６を形成するための第２の露光マスク、及び、繋ぎ替え配線２０７を形成するために必要なレジスト膜２１８をパターンニングするための第３の露光マスクが必要である。

このため、繋ぎ替え配線２０７を備えていて、引き出し配線２０４の配置の設計自由度が高いタッチパネル３００を、少ない数の露光マスクで製造することができる。これにより、タッチパネルの製造コストの削減することができるとともに、マスクの位置あわせ回数の低減による製造精度の向上を図れる。

次に、本実施形態の応用例にかかるタッチパネルの製造方法について説明する。

図２１は、本実施形態のタッチパネルの製造方法の応用例を示す断面図である。なお、図２１（ａ）及び図２１（ｂ）における４つの図は、図２０と同様、左端の図が図１９におけるＧ−Ｇ’矢視線部分であるＧ部を、左から２番目の図が図１９におけるＨ−Ｈ’矢視線部分であるＨ部を、それぞれ示している。また、図２１（ａ）及び図２１（ｂ）において、左から３番目の図が図１９におけるＩ−Ｉ’矢視線部分であるＩ部を、右端の図が図１９におけるＪ−Ｊ’矢視線部分であるＪ部を、それぞれ示している。

本実施形態の応用例にかかるタッチパネルの製造方法では、透明基板であるガラス基板２０１上の全面に、ＩＴＯなどの透明導電膜層２１１を形成した後、ＭｏＮ層２１２ａ、アルミ層２１２ｂ及びＭｏＮ層２１２ｃからなる金属層２１２を積層してパターン化する。その後、フォトリソグラフィ法によって、レジスト膜２１３に３つの開口２１４，２１５，２１６を形成する。以上の点までは、図２０を用いて説明したタッチパネルの製造方法と同じである。

その後、本応用例では、レジスト膜２１３を、たとえば温度２２０℃で５０分のアニール処理をする。

次に、繋ぎ替え配線となるＭｏなどの導電膜２１７をスパッタ法などによって成膜し、該導電膜２１７にレジスト膜２１８を重ねて形成した後、継ぎ換え配線２０７となる部分にレジスト膜２１８を残存させる。その後、レジスト膜２１３，２１８をマスクとして、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によって、導電膜２１７と、タッチ電極２０２、フローティング電極２０３及び接続端子２０５の形成部分の金属層２１２（ＭｏＮ層２１２ｃ、アルミ層２１２ｂ及びＭｏＮ層２１２ａ）とをエッチングする。エッチングされた後の状態を図２１（ａ）に示す。

この図２１（ａ）に示す構成は、図２０（ｃ）の構成と外形的には同じであるが、形成されたレジスト膜２１３がアニールされている点で、図２０（ｃ）の構成とは異なる。

続いて、剥離液にて繋ぎ替え配線２０７上のレジスト膜２１８を剥離する。このとき、アニールされたレジスト膜２１３は、硬化しているため剥離されない。

最後に、表面保護膜であるレジスト膜２１９を塗布形成した後、Ｇ部のタッチ電極２０２及びフローティング電極２０３の形成部分以外の部分、及び、Ｈ部の接続端子２０５形成部分以外の部分に、それぞれ、レジスト膜２１９を残存させる。

したがって、上述の応用例の製造方法によって、タッチ電極２０２とフローティング電極２０３とが形成されたタッチ位置検出領域及び接続端子２０５を除いた部分が同じ厚さの表面保護膜によって覆われたタッチパネル３００を、合計４枚のマスクによって製造できる。具体的には、上述の応用列の製造方法では、透明導電膜層及び金属層の積層体をパターンニングするための第１のマスク、レジスト膜２１３に開口２１４，２１５，２１６を形成するための第２のマスクが必要である。また、継ぎ換え配線２１７を形成するために必要なレジスト膜２１８をパターンニングするための第３のマスク、タッチパネルの表面を覆う表面保護層となるレジスト膜２１９をパターンニングするための第４のマスクが必要である。

特に、本応用例によれば、図２１（ｂ）のＪ部に示すように、タッチ電極２０２と引き出し配線２０４との接続部分では、引き出し配線２０４において、透明導電膜２１１に積層された金属層２１２の側部端面を、表面保護膜であるレジスト膜２１９によって覆うことができる。これにより、金属層２１２が空気に触れて酸化するなどの不都合を回避することができる。

次に、本実施形態の第１の変形例のタッチパネルの製造方法を説明する。この変形例では、タッチパネルは、引き出し配線が、繋ぎ替え配線として、タッチ電極や接続端子とは異なる層に形成された電極パターンを有する。

図２２は、第１の変形例のタッチパネルの製造方法によって製造されるタッチパネル４００の電極パターンを示す平面図である。

タッチパネル４００は、絶縁性の透明基板であるガラス基板３０１上に、ＩＴＯによって構成された透明導電膜層が平面的なパターンとして形成されたタッチ電極３０２を有する。また、タッチパネル４００では、タッチ電極３０２で検出したタッチ位置信号をタッチパネル４００の外部へ出力するための接続端子３０５が、ガラス基板３０１上に形成されている。これらのタッチ電極３０２と接続端子３０５とを接続する引き出し配線３０４は、タッチ電極３０２や接続端子３０５とは異なる層に、繋ぎ替え配線として形成されている。すなわち、タッチパネル４００では、異なる層に形成されたタッチ電極３０２と引き出し配線３０４とが接続部分３０８に設けられた貫通孔で電気的に接続されている。また、タッチパネル４００では、異なる層に形成された接続端子３０５と引き出し配線３０４とが、接続部分３０７に設けられた貫通孔で電気的に接続されている。また、タッチパネル４００では、引き出し配線同士が立体交差するように、引き出し配線３０４と、タッチ電極３０２や接続端子３０５と同じ層に形成された引き出し配線交差部３１０とが接続部分３０９に設けられた貫通孔で接続されている。

なお、図２２において、タッチ電極３０２の配列パターンや、タッチ電極３０２同士の間にフローティング電極３０３が配置されている点などは、図１に示したタッチパネル１００と同様であるため、詳細な説明は省略する。

図２３は、図２２に示すタッチパネル４００の製造方法の製造工程の一例を示す断面図である。

なお、図２３（ａ）、図２３（ｂ）及び図２３（ｃ）において、それぞれ、３つの図が示されているが、左側の図が、電極パターンを示した図２２におけるＫ−Ｋ’矢視線部分、すなわち、タッチ電極３０２、フローティング電極３０３、接続端子３０５、及び、引き出し配線３０４と接続端子３０５との接続部分３０７が形成された部分の断面を示している。以下の説明において、図２２におけるＫ−Ｋ’矢視線の部分をＫ部と称する。

また、図２３（ａ）、図２３（ｂ）及び図２３（ｃ）において、中央の図が、図２２におけるＬ−Ｌ’矢視線部分、すなわち、タッチ電極３０２と引き出し配線３０４との接続部分３０８が形成された部分の断面を示している。以下の説明において、図２２におけるＬ−Ｌ’矢視線の部分をＬ部と称する。

さらに、図２３（ａ）、図２３（ｂ）及び図２３（ｃ）において、右側の図が、図２２におけるＭ−Ｍ’矢視線部分、すなわち、引き出し配線３０４と、該引き出し配線３０４に対して立体交差する引き出し配線交差部３１０部分との接続部分３０９の周辺の断面を示している。以下の説明において、図２２におけるＭ−Ｍ’矢視線の部分をＭ部と称する。

本実施形態の第１の変形例のタッチパネル４００の製造方法では、透明基板であるガラス基板３０１上の全面に、ＩＴＯなどの透明導電膜層３１１と、金属層としてのＭｏ層３１２とをスパッタ法によって順に積層する。そして、図２３(ａ)に示すように、透明導電膜層３１１及び金属層３１２の積層体を、タッチ電極３０２及びフローティング電極３０３が形成されるタッチ位置の検出領域、接続端子３０５が形成される部分、及び、繋ぎ替え配線である引き出し電極３０４とタッチ電極３０２との接続部分３０８にパターン形成する。また，透明導電膜層３１１及び金属層３１２の積層体は、引き出し電極３０４と接続端子３０５との接続部分３０７，引き出し配線交差部３１０部分、及び、引き出し電極３０４と引き出し配線交差部３１０部分との接続部分３０９にもパターン形成される。

その後、Ｍｏ層３１２の上に保護膜であるレジスト膜３１３を形成する。このレジスト膜３１３において、通常のフォトリソグラフィ法によって、図２３（ｂ）に示すように、タッチ電極３０２及びフローティング電極３０３が形成されるＫ部の図中右側部分及びＬ部の図中右側部分に、開口部３１６を形成する。また、レジスト膜３１３において、接続端子３０５が形成されるＫ部の図中左端部分に開口部３１９を形成するとともに、引き出し配線３０４と接続端子３０５との接続部分３０７が形成されるＫ部の図中中央部分に開口部３１８を形成する。さらに、レジスト膜３１３において、タッチ電極３０２と引き出し配線３０４との接続部分３０８が形成されるＬ部の図中左側に開口部３１７を形成するとともに、引き出し配線３０４と引き出し配線交差部３１０との接続部分３０９が設けられるＭ部に、２つの開口部３１４，３１５を形成する。

次に、繋ぎ替え配線である引き出し配線３０４を形成する金属層として、例えばアルミ層３２０及びＭｏＮ層３２１を、スパッタ法を用いて積層形成する。そして、引き出し配線３０４、接続部分３０７、接続部分３０８及び接続部分３０９となる部分に、それぞれ、レジスト膜３２２を残存させる。

その後、このレジストパターンをマスクとして、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によって、ＭｏＮ層３２１、アルミ層３２０、及び、透明導電膜層３１１上に積層された金属層としてのＭｏ層３１２をエッチングする。これにより、タッチ電極３０２、フローティング電極３０３及び接続端子３０５を構成する透明導電膜層３１１を露出させる。また、図２３(ｃ)のＬ部に示すように、引き出し配線３０４と引き出し配線交差部３１０との立体交差部分では、互いに接触して導通しないように、レジスト膜３２２に形成された隙間部３２３によって、引き出し配線３０４と接続部分３０９との間に所定の間隔を確保する。

このとき、引き出し配線３０４及び接続部分３０７，３０８，３０９上に残存するレジスト膜３２２は、引き出し配線３０４及び接続部分３０７，３０８，３０９の表面を覆う酸化保護膜として機能するため、除去せずに残しておく。

第１の変形例の製造方法では、タッチ電極３０２及び接続端子３０５とは異なる層に繋ぎ替え配線として形成され、且つ、低抵抗を実現可能な金属層からなる引き出し配線３０４を備えたタッチパネル４００を、合計３枚のマスクによって製造することができる。具体的には、タッチパネル４００を製造する際には、透明導電膜層３１１及び金属層３１２をパターンニングするための第１の露光マスクが必要である。また、レジスト膜３１３に開口３１４，３１５，３１６、３１７，３１８，３１９を形成するための第２の露光マスクが必要である。さらに、継ぎ換え配線である引き出し配線３０４を形成するために必要なレジスト膜３２２をパターンニングするための第３の露光マスクが必要である。

これにより、低抵抗の引き出し配線３０４を備えたタッチパネル４００を、少ない数のマスクによって製造することができる。したがって、マスク製造のコストを削減できるとともに、マスク位置あわせ回数の低減によって製造精度の向上を図れる。

次に、第１の変形例の製造方法の応用例について説明する。

図２４は、第１の変形例の製造方法の応用例を示す断面図である。なお、図２４（ａ）及び図２４（ｂ）における３つの図は、図２３と同様、左側の図が図２２におけるＫ−Ｋ’矢視線部分であるＫ部を、中央の図が図２２におけるＬ−Ｌ’矢視線部分であるＬ部を、右側の図が図２２におけるＭ−Ｍ’矢視線部分であるＭ部をそれぞれ示している。

第１の変形例の製造方法の応用例では、透明基板であるガラス基板３０１上の全面に、ＩＴＯなどの透明導電膜層３１１と、金属層としてのＭｏ層３１２とをスパッタ法によって順に積層した後、パターン化する。そして、全面に形成したレジスト膜３１３に、フォトリソグラフィ法によって、開口３１４，３１５，３１６、３１７，３１８、３１９を形成する。ここまでは、図２３を用いて説明した第１の変形例の製造方法と同じである。

その後、本応用例では、レジスト膜３１３を、たとえば温度２２０℃で５０分のアニール処理を行って硬化させる。

次に、繋ぎ替え配線である引き出し配線３０４を形成する金属層として、アルミ層３２０及びＭｏＮ層３２１を積層形成した後、これらのアルミ層３２０及びＭｏＮ層３２１を、パターン化されたレジスト膜３２２を用いてエッチングする。このエッチングした状態を図２４（ａ）に示す。この図２４（ａ）の構成は、図２３（ｃ）構成と外形的には同じであるが、形成されているレジスト膜３１３がアニールされたものである点で、図２３（ｃ）の構成とは異なる。

続いて、剥離液によって、引き出し配線３０４及び接続部分３０７，３０８，３０９上のレジスト膜３２２を剥離する。このとき、アニールされたレジスト膜３１３は、硬化しているため、剥離されない。

最後に、表面保護膜であるレジスト膜３２４を塗布した後、Ｋ部及びＬ部におけるタッチ電極３０２及びフローティング電極３０３の形成部分以外の部分、及び、Ｋ部の接続端子３０５形成部分以外の部分に、レジスト膜３２４を残存させる。

これにより、第１の変形例の応用例では、タッチ位置検出領域及び接続端子３０５が形成される部分以外が同じ厚さの表面保護膜であるレジスト膜３２４によって覆われたタッチパネル４００を、合計４枚のマスクによって製造することができる。具体的には、透明導電膜３１１及び金属層３１２の積層体をパターンニングするための第１の露光マスク、レジスト膜３１３に開口３１４，３１５，３１６，３１７，３１８，３１９を形成するための第２の露光マスクが必要である。また、継ぎ換え配線である引き出し配線３０４及び接続部分３０７，３０８，３０９を形成するために必要なレジスト膜３２２をパターンニングするための第３の露光マスク、タッチパネルの表面を覆う表面保護層となるレジスト膜３２４をパターンニングするための第４の露光マスクが必要である。

特に、本応用例によれば、図２４（ｂ）のＫ部の左側に示す接続端子３０５と引き出し配線３０４との接続部分３０７において、金属層３１２及び繋ぎ替え配線を形成する金属層３２０，３２１の側部端面を、表面保護膜であるレジスト膜３２４によって覆うことができる。同様に、Ｌ部の右側に示すタッチ電極３０２と引き出し配線３０４との接続部分３０８や，Ｍ部に示す引き出し配線３０４と引き出し配線交差部３１０との接続部分３０９においても、金属層３１２，３２０，３２１の側部端面をレジスト膜３２４によって覆うことができる。これにより、金属層３１２，３２０，３２１が、空気に触れて酸化するなどの不都合を回避することができる。

次に、本実施形態の第２の変形例のタッチパネルの製造方法を説明する。この第２の変形例では、タッチパネルは、引き出し配線が、繋ぎ替え配線によって立体交差していて、引き出し配線の側面がエッチングされない構造である。

図２５は、第２の変形例の製造方法で製造されるタッチパネル５００の電極パターンを示す平面図である。

タッチパネル５００は、絶縁性の透明基板であるガラス基板４０１上に、ＩＴＯによって構成された透明導電膜層が平面的なパターンとして形成されたタッチ電極４０２を有する。また、タッチパネル５００には、タッチ電極４０２で検出されたタッチ位置信号をタッチパネル５００の外部へ出力するための接続端子４０５が、ガラス基板４０１上の端部に形成されている。これらのタッチ電極４０２と接続端子４０５とを接続する引き出し配線４０４は、タッチパネル５００の周辺部領域に形成されている。また、引き出し配線４０４は、その一部で、他の部分の引き出し配線４０４とは異なる層に形成された繋ぎ替え配線４０７と立体交差している。引き出し配線４０４と繋ぎ替え配線４０７とは、他の部分の引き出し配線４０４と繋ぎ替え配線４０７とを隔てる絶縁層となる保護膜に形成された貫通孔内の接続部分によって電気的に接続されている。

なお、図２５では、タッチパネル５００において、タッチ電極４０２自体の配列パターンや、タッチ電極４０２同士の間にフローティング電極４０３が配置されている点などは、図１９に示すタッチパネル３００と同様であるため、詳細な説明は省略する。

図２６は、図２５に示すタッチパネル５００の製造方法の製造工程の一例を示す断面図である。

なお、図２６（ａ）、図２６（ｂ）及び図２６（ｃ）において、それぞれ、３つの図が示されているが、左側の図が、電極パターンを示した図２５におけるＯ−Ｏ’矢視線部分、すなわち、タッチ電極４０２、フローティング電極４０３、引き出し配線４０４、及び、引き出し配線４０４と接続端子４０５との接続部分の断面構成を示している。以下の説明において、図２５におけるＯ−Ｏ’矢視線の部分をＯ部と称する。

また、図２６（ａ）、図２６（ｂ）及び図２６（ｃ）において、中央の図が、電極パターンを示した図２５におけるＰ−Ｐ’矢視線部分、すなわち、タッチ電極４０２と引き出し配線４０４との接続部分が形成された部分の断面構成を示している。以下の説明において、図２５におけるＰ−Ｐ’矢視線の部分をＰ部と称する。

さらに、図２６（ａ）、図２６（ｂ）及び図２６（ｃ）において、右側の図が、電極パターンを示した図２５におけるＱ−Ｑ’矢視線部分、すなわち、引き出し配線４０４同士が、繋ぎ替え配線４０７を介して立体的に交差している部分の断面構成を示している。以下の説明において、図２５におけるＱ−Ｑ’矢視線の部分をＱ部と称する。

第２の変形例のタッチパネル５００の製造方法では、透明基板であるガラス基板４０１上の全面に、ＩＴＯなどの透明導電膜層４１１と、ＭｏＮ層４１２ａ、アルミ層４１２ｂ及びＭｏＮ層４１２ｃからなる金属層４１２とをスパッタリング法などによって、順次積層して形成する。

続いて、金属層４１２の最上層であるＭｏＮ層４１２ｃを覆うように、図示しないレジスト膜を形成し、所定のフォトリソグラフィ法によって、タッチ電極４０２やフローティング電極４０３，引き出し配線４０４、接続端子４０５などのパターンを形成する。その後、レジスト膜をマスクとして、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によって透明導電膜層４１１及び金属層４１２の積層体を、図２６(ａ)に示す所定の形状にパターニングする。

その後、ＭｏＮ層４１２ｃ上に保護膜であるレジスト膜４１３を形成する。このレジスト膜４１３には、通常のフォトリソグラフィ法によって、図２６（ｂ）に示すように、タッチ電極４０２及びフローティング電極４０３が形成されるＯ部の図中右側部分及びＰ部の図中右側部分に、開口部４１６を形成する。また、レジスト膜４１３には、フォトリソグラフィ法によって、接続端子が形成されるＯ部の図中左端部分に開口部４１７を、引き出し配線４０４と繋ぎ替え配線４０７との接続部分であるＱ部に開口部４１４を、それぞれ形成する。

このとき、この第２の変形例にかかるタッチパネル５００の製造方法では、図２６(ｂ)に示すように、引き出し配線４０４となる透明導電膜層４１１及び金属層４１２の積層体の側面が露出しないように、Ｑ部に示す繋ぎ替え配線の形成部分に形成される開口部４１４，４１５の大きさは、透明導電膜層４１１及び金属層４１２の積層体の面積よりも小さい。

次に、繋ぎ替え配線４０７を形成する金属層として、例えばＭｏ層などの金属層４１８を、スパッタ法を用いて形成する。そして、繋ぎ替え配線４０７となる部分にレジスト膜４１９を残存させた後、パターン化されたレジスト膜４１３，４１９をマスクとして、燐酸、酢酸及び硝酸の混酸液によって繋ぎ替え配線４０７となるＭｏＮ層４１８をパターン化する。同時に、タッチ電極４０２、フローティング電極４０３及び接続端子４０５となる部分の透明導電膜層４１１上に残存している金属層４１２をエッチングして、タッチ電極４０２、フローティング電極４０３及び接続端子４０５を形成する透明導電膜層４１１を露出させる。

この時、繋ぎ替え配線４０７上に残存するパターン化されたレジスト膜４１９は、繋ぎ替え配線４０７の表面を覆う保護膜として機能するため、除去せずに残しておく。これにより、図２６（ｃ）のような構成が得られる。

第２の変形例の製造方法では、上記のように、繋ぎ替え配線４０７を形成する際に、引き出し配線４０４の側面が露出しないようになっている。このため、開口部４１５，４１４を形成するエッチングの際に、引き出し配線４０４を形成するアルミ層４１２ｂが浸食されることを防止することができる。これにより、抵抗値が低いアルミ層４１２ｂがエッチング時に浸食されて、抵抗値が高くなってしまうことを防止することができる。

上記説明した第２の変形例の製造方法では、低抵抗の金属層４１２を重ねて形成された引き出し配線４０４と、該引き出し配線４０４を立体的に交差させるための繋ぎ替え配線４０７とを備えたタッチパネル５００を、合計３枚のマスクによって製造することができる。具体的には、上述のタッチパネル５００の製造方法では、透明導電膜層４１１及び金属層４１２をパターンニングするための第１の露光マスクが必要である。また、レジスト膜４１３に開口４１４，４１５，４１６，４１７を形成するための第２の露光マスクが必要である。さらに、継ぎ換え配線４０７を形成するためのレジスト膜４１９をパターンニングするとともに、タッチ電極４０２などの透明導電膜層４１１上に残存する金属層４１２を除去するための第３の露光マスクが必要である。

これにより、低抵抗の引き出し配線４０４を備えたタッチパネル５００を、少ない数のマスクによって製造することができる。したがって、マスク製造のコストを削減できるとともに、マスクの位置あわせ回数の低減による製造精度の向上を図れる。

なお、上記本実施形態の第２の変形例にかかる製造方法では、繋ぎ替え電極４０７を、Ｍｏ層を用いて形成した。しかしながら、繋ぎ替え配線を形成するためのエッチング工程において、該繋ぎ替え配線は透明絶縁膜４１１上に残っている金属層４１２と同時にエッチングされるため、繋ぎ替え配線の構成を金属層４１２と同じ構成、すなわち、ＭｏＮ層、アルミ層及びＭｏＮ層の３層構成としてもよい。

次に、第２の変形例の製造方法の応用例について説明する。

図２７は、第２の変形例の製造方法の応用例を示す断面図である。なお、図２７（ａ）及び図２７（ｂ）における３つの図は、図２６と同様、左側の図が図２５におけるＯ−Ｏ’矢視線部分であるＯ部を、中央の図が図２５におけるＰ−Ｐ’矢視線部分であるＰ部を、右側の図が図２５におけるＱ−Ｑ’矢視線部分であるＱ部をそれぞれ示している。

第２の変形例の製造方法の応用例では、透明基板であるガラス基板４０１上の全面に、ＩＴＯなどの透明導電膜層４１１と、ＭｏＮ層４１２ａ、アルミ層４１２ｂ、ＭｏＮ層４１２ｃの３層構成の金属層４１２とを順次積層した後、所定の平面形状にパターン化する。そして、全面に形成した保護膜であるレジスト膜４１３に、フォトリソグラフィ法によって、４つの開口４１４，４１５，４１６、４１７を形成する。ここまでは、図２６を用いて説明した第２の変形例の製造方法と同じである。

その後、本応用例では、レジスト膜４１３を、たとえば温度２２０℃で５０分のアニール処理を行って硬化させる。

次に、繋ぎ替え配線４０７を形成する金属層として、Ｍｏ層４１８を形成した後、パターン化されたレジスト膜４１９を用いてエッチングを行う。このとき、同時に、タッチ電極４０２、フローティング電極４０３及び接続端子４０５を構成する透明導電膜層４１１上の金属層４１２をエッチングして除去する。これによって得られる構成を図２７（ａ）に示す。この図２７（ａ）の構成は、図２６（ｃ）の構成と外形的には同じであるが、形成されているレジスト膜４１３がアニールされたものである点で、図２６（ｃ）の構成とは異なる。

続いて、剥離液によって繋ぎ替え配線４０７上のレジスト膜４１９を剥離する。このとき、アニールされたレジスト膜４１３は、硬化しているため剥離されない。

最後に、表面保護膜であるレジスト膜４２０を塗布形成した後、Ｏ部及びＰ部のタッチ電極４０２及びフローティング電極４０３の形成部分以外、及び、Ｏ部の接続端子４０５形成部分以外の部分に、レジスト膜４２０を残存させる。

これにより、第２の変形例の応用例では、タッチ位置検出領域及び接続端子４０５の形成部分以外が同じ厚さの保護膜４２０で覆われたタッチパネル５００を、合計４枚のマスクによって製造することができる。具体的には、上述の製造方法では、透明導電膜層４１１及び金属層４１２の積層体をパターンニングするための第１の露光マスク、レジスト層４１３に開口４１４，４１５，４１６、４１７を形成するための第２の露光マスクが必要である。また、繋ぎ替え配線４０７を形成するためのレジスト膜４１９をパターンニングし、透明導電膜層４１１を露出させるための第３の露光マスク、タッチパネルの表面を覆う保護層となるレジスト膜４２０をパターンニングするための第４の露光マスクが必要である。

特に、本応用例によれば、図２７（ｂ）のＯ部の左側やＰ部の右側に示すように、接続端子４０５と引き出し電極４０４との接続部分、及び、タッチ電極４０２と引き出し配線４０４との接続部分で、金属層４１２の側部端面を保護膜であるレジスト膜４２０によって覆うことができる。これにより、金属層４１２が空気に触れて酸化するなどの不都合を回避することができる。

なお、上記本実施形態のタッチパネルの製造方法において例示した各層の膜厚は、基本的に第１の実施形態として示したものと同じであるため、詳細な説明を省略する。

第１の実施形態では示されなかった部材の各膜厚は、例えば以下のとおりである。繋ぎ替え配線２０７，４０７及び引き出し配線３０４を形成するＭｏ膜の膜厚は、例えば１００ｎｍであり、繋ぎ替え配線２０７及び引き出し配線３０４，４０７上に形成される保護膜として残存させるレジスト膜２１８，３２２、４１９の膜厚は、例えば１．６ｎｍである。また、応用例として説明した、タッチパネル全面を覆う表面保護膜としてのレジスト膜２１９，３２４，４２０の膜厚としては、例えば１．６ｎｍである。

（他の形態について）
以上、本発明の第３の実施形態として、引き出し配線の少なくとも一部が他の層に形成される繋ぎ替え配線を有するタッチパネルの製造方法について、変形例や応用例を、図面を用いて説明した。

ここで、本発明の実施形態ではないが、第３の実施形態として説明してきた繋ぎ替え配線を有するタッチパネルの製造方法について、露光マスクの数を低減して製造することができる他の形態にも言及しておく。

他の形態として説明するタッチパネルの製造方法は、引き出し配線が繋ぎ替え配線で立体交差するタッチパネルの製造方法であって、繋ぎ替え配線が金属膜ではなく、ＩＴＯなどの透明導電膜によって構成されているタッチパネルの製造方法である。

図２８は、他の形態のタッチパネルの製造方法によって製造されるタッチパネル６００の電極パターンを示す平面図である。

タッチパネル６００は、絶縁性の透明基板であるガラス基板５０１上に、ＩＴＯによって形成された透明導電膜が平面的なパターンとして形成されたタッチ電極５０２を有する。また、タッチパネル６００では、タッチ電極５０２で検出されたタッチ位置信号をタッチパネル６００の外部へ出力するための接続端子５０５が、ガラス基板５０１上の端部に形成されている。これらのタッチ電極５０２と接続端子５０５とを接続する引き出し配線５０４は、タッチパネル６００の周辺部領域に形成されている。引き出し配線５０４は、一部で、他の部分の引き出し配線５０４とは異なる層に形成された透明導電膜からなる繋ぎ替え配線５０８によって立体交差している。引き出し配線５０４と繋ぎ替え配線５０８とは、他の部分の引き出し配線５０４と繋ぎ替え配線５０８とを隔てる保護膜に形成された貫通孔内の接続部分によって電気的に接続されている。

また、この実施形態で示すタッチパネル６００は、タッチ電極５０２とタッチ電極間に配置されるフローティング電極５０３とが、ガラス基板５０１上に直接形成されているのではなく、繋ぎ替え配線５０８と同じ層に形成されている。このため、タッチ電極５０２と引き出し配線５０４とは、保護膜を貫通する接続部分５０７によって電気的に導通している。

なお、図２８に示すタッチパネル６００において、タッチ電極５０２自体の配列パターンや、タッチ電極５０２同士の間にフローティング電極５０３が配置されている点などは、図１９に示すタッチパネル３００と同様であるため、詳細な説明は省略する。

図２９は、図２８に示すタッチパネル６００の製造方法の製造工程の一例を示す断面図である。

なお、図２９（ａ）、図２９（ｂ）及び図２９（ｃ）において、それぞれ、４つの図が示されているが、左端の図が、電極パターンを示した図２８におけるＲ−Ｒ’矢視線部分、すなわち、タッチ電極５０２、フローティング電極５０３及び引き出し配線５０４が形成された部分の断面構成を示している。以下の説明において、図２８におけるＲ−Ｒ’矢視線の部分をＲ部と称する。

また、図２９（ａ）、図２９（ｂ）及び図２９（ｃ）において、左から２番目の図が、図２８におけるＳ−Ｓ’矢視線部分、すなわち、接続端子５０５が形成されている部分の断面構成を示している。以下の説明において、図２８におけるＳ−Ｓ’矢視線の部分をＳ部と称する。

さらに図２９（ａ）、図２９（ｂ）及び図２９（ｃ）において、左から３番目の図が、図２８におけるＴ−Ｔ’矢視線の部分を、すなわち、タッチ電極５０２と引き出し配線５０４との接続部分の断面構成を示している。以下の説明において、図２８におけるＴ−Ｔ’矢視線の部分をＴ部と称する。

そして、図２９（ａ）、図２９（ｂ）及び図２９（ｃ）において、右端側の図が、図２８におけるＵ−Ｕ’矢視線部分、すなわち、引き出し配線５０４同士が、繋ぎ替え配線を介して立体的に交差している部分の断面構成を示している。以下の説明において、図２８におけるＵ−Ｕ’矢視線の部分をＵ部と称する。

他の形態であるタッチパネル６００の製造方法では、まず、透明基板であるガラス基板５０１上の全面に、金属層として、アルミ膜５１１及びＭｏＮ膜５１２をスパッタリング法などによって積層して形成する。

続いて、ＭｏＮ膜５１２を覆うように図示しないレジスト膜を形成し、通常のフォトリソグラフィ法によって、Ｒ部、Ｔ部及びＵ部の引き出し配線５０４となる部分、Ｕ部の繋ぎ替え配線５０８と引き出し配線５０４との接続部分、及び、Ｓ部の接続端子５０５となる部分で、レジスト膜をパターンニングする。そして、このレジスト膜を用いて金属層５１１，５１２をエッチングして、図２９(ａ)に示す所定の形状パターンとする。

その後、ＭｏＮ層５１２上に保護膜であるレジスト膜５１３を形成する。このレジスト膜５１３において、通常のフォトリソグラフィ法によって、図２９（ｂ）に示すように、Ｓ部に接続端子５０５の形成部分である開口５１７を形成する。また、レジスト膜５１３において、フォトリソグラフィ法によって、Ｔ部にタッチ電極５０２と引き出し電極５０４との接続部分５０７となる開口部５１６を、Ｕ部に繋ぎ替え配線５０８と引き出し電極５０４との接続部分となる開口部５１４，５１５をそれぞれ形成する。

その後、例えば温度２２０℃で５０分のアニール処理をして、レジスト膜５１３を硬化させる。

続いて、ＩＴＯなどの透明導電膜層５１８を、ガラス基板５０１の全面に形成する。そして、図示しないレジスト膜を形成し、通常のフォトリソグラフィ法によって、タッチ電極５０２となる部分、フローティング電極５０３となる部分、接続端子５０５となる部分、タッチ電極５０２と引き出し配線５０４との接続部分５０７となる部分、及び、引き出し配線５０４同士を接続する繋ぎ替え電極５０８となる部分で、レジスト膜をパターンニングする。その後、このパターンニングされたレジスト膜をマスクとして、蓚酸によってＩＴＯなどの透明導電膜層５１８をエッチングする。さらに、透明導電膜層５１８上に残っているレジスト膜を、剥離液によって剥離除去する。このようにして、図２９（ｃ）に示す構成となる。

以上説明した他の実施形態によれば、低抵抗の金属層５１１、５１２と透明導電膜層５１８とが積層された接続端子５０５と、接続部分５０７と，引き出し配線５０４を立体交差するための繋ぎ替え配線５０８とを備えたタッチパネル６００を、合計３枚のマスクによって製造することができる。具体的には、上述の他の実施形態では、引き出し配線５０４を形成する金属層５１１，５１２をパターンニングするための第１の露光マスクが必要である。また、レジスト層５１３に開口５１４，５１５，５１６，５１７を形成するための第２の露光マスク、及び、タッチ電極４０２、接続端子５０５の保護膜５０７及び繋ぎ替え配線５０８となる透明導電膜層５１８をパターンニングするための第３の露光マスクが必要である。

これにより、引き出し配線５０４及び接続端子５０５に低抵抗の金属層５１１、５１２を積層することができ、且つ、繋ぎ替え配線５０８を有していて引き出し配線５０４のパターン設計に高い自由度を備えたタッチパネル６００を、少ない数のマスクによって製造することができる。したがって、タッチパネル製造上のコストを削減できるとともに、マスクの位置あわせ回数の低減による製造精度の向上を図れる。

（第４の実施形態）
次に、以上説明したタッチパネルの製造方法によって形成されたタッチパネルを備えた表示装置の製造方法について、図面を用いて説明する。

図３０は、以上説明したタッチパネルの製造方法により製造されたタッチパネルを備えた表示装置の製造方法の一例として、表示パネルが液晶パネルである液晶表示装置の第１の製造方法を示すフローチャートである。

図３０に示すように、液晶表示装置の第１の製造方法は、まず、第１の実施形態から第３の実施形態として説明してきたタッチパネルの製造方法によって、透明なガラス基板にタッチパネルを製造するタッチパネル工程を有する（ステップＳ１）。

このタッチパネル工程によって一方の面にタッチ電極などが形成されたガラス基板を、液晶表示装置の画像観視側である前面側に位置する前面基板として取り扱う（ステップＳ２）。

そして、前面基板のタッチ電極が形成されている側とは反対側の表面に、通常のカラーフィルタ形成工程(ＣＦ工程)によって、カラーフィルタ層、ブラックマトリクス（ＢＭ）層、対向電極、保護膜、及び、液晶分子を所定の方向に向けるための配向膜などを形成する（ステップＳ３）。

このようにして、一方の表面にタッチパルが、他方の表面にＣＦ層がそれぞれ形成されたタッチパネル付きＣＦ基板である前面基板が得られる（ステップＳ４）。

続いて、ガラス基板に、通常のアクティブ基板形成工程であるＴＦＴ工程によって、画素電極や、該画素電極に画像表示のための電圧信号を印加するゲート線、ソース線、画素電極に対応して形成されるスイッチング素子としてのＴＦＴを形成する（ステップＳ５）。また、この工程では、保護膜や、液晶分子を配向させるための配向膜などが適宜形成される。

このようにして、液晶パネルの背面側に位置するＴＦＴ基板である背面基板が得られる（ステップＳ６）。

続いて、液晶工程において、前面基板もしくは背面基板のいずれか一方の基板の表面に、封止樹脂を枠状に塗布し、液晶層を滴下して、該一方の基板を他方の基板と貼り合わせる（ステップＳ７）。

その後、封止樹脂を硬化させることにより、液晶パネルが得られる（ステップＳ８）。

得られた液晶パネルの両外面に、互いに偏光方向が異なるように２枚の偏光板が貼り付けられ、液晶パネルの背面側にバックライト装置が配置される。これにより、タッチパネルを備えた液晶表示装置が得られる。なお、タッチパネルを備えた液晶表示装置が、１枚のガラス基板に複数の液晶表示パネルが連続して形成される場合、液晶パネルは、封止樹脂が硬化されて液晶パネルとなった後に、タッチパネル付き液晶表示装置のサイズに合わせて分断される（ステップＳ９）。

図３１は、上述のタッチパネルの製造方法によって製造されたタッチパネルを備えた表示装置の第２の製造方法を示すフローチャートである。

図３１に示すように、第２の製造方法では、まず、ガラス基板の一方の表面に、通常のカラーフィルタ形成工程(ＣＦ工程)によって、カラーフィルタ層、ブラックマトリクス（ＢＭ）層、対向電極、保護膜、及び、液晶分子を所定の方向に向けるための配向膜などを形成する（ステップＳ１１）。

このようにして、一方の表面にＣＦ層が形成されたＣＦ基板である前面基板が得られる（ステップＳ１２）。

続いて、別のガラス基板に通常のアクティブ基板形成工程であるＴＦＴ工程によって、画素電極、該画素電極に画像表示のための電圧信号を印加するゲート線、ソース線、画素電極に対応して形成されるスイッチング素子としてのＴＦＴを形成する。また、この工程では、保護膜や、液晶分子を配向させるための配向膜などが適宜形成される（ステップＳ１３）。

このようにして、液晶パネルの背面側に位置するＴＦＴ基板である背面基板が得られる（ステップＳ１４）。

続いて、液晶工程では、前面基板もしくは背面基板のいずれか一方の基板の表面に、封止樹脂を枠状に塗布し、液晶層を滴下して、該一方の基板を他方の基板と貼り合わせる（ステップＳ１５）。

その後、封止樹脂を硬化させることにより、液晶パネルが得られる。

続いて、必要に応じて液晶パネルを研磨して薄型化した後、液晶パネルの前面基板、すなわちＣＦ基板である基板の外側の表面に、上述のタッチパネルの製造方法によって、タッチパネルを製造する（ステップＳ１６）。

得られた液晶パネルの両外面に、互いに偏光方向が異なるように２枚の偏光板が貼り付けられるとともに、液晶パネルの背面側にバックライト装置が配置される。これにより、タッチパネルを備えた液晶表示装置が形成される。なお、タッチパネルを備えた液晶表示装置が、１つのガラス基板に複数の液晶表示パネルが連続して形成される場合、液晶パネルは、タッチパネル付き液晶表示装置のサイズに合わせて分断される（ステップＳ１７）。

図３２は、図３０もしくは図３１に示す製造方法で得られる液晶表示装置の断面構成を示す図である。なお、本実施形態では、一例として、第１の実施形態として説明したタッチパネル１００を前面基板に有する透過型液晶表示装置を説明する。

図３２に示すように、本実施形態にかかるタッチパネル付き液晶表示装置１０００は、外部からのタッチ位置を検出するタッチパネル１００と、表示パネルである液晶パネル１１００とを備えている。タッチパネル１００と液晶パネル１１００とは積層されていて、該液晶パネル１１００を構成する一つの基板である前面基板がタッチパネル１００のガラス基板１を兼ねている。

液晶パネル１１００は、一般的な透過型の液晶パネルであって、液晶パネル１１００を構成する２つのガラス製の基板である前面基板１と背面基板１２００との間に、液晶層１３００が形成されている。

前面基板１の内表面には、カラー画像表示のためにそれぞれの画素に対応して図示しないカラーフィルタが形成されている。また、前面基板１の内表面には、液晶層１２に所定の電圧を印加する図示しない対向電極が設けられている。

背面基板１２００の内表面には、複数の行および複数の列を形成するようにマトリクス状に図示しない画素電極が配置されている。液晶パネル１１００では、この画素電極と前面基板１の対向電極との間の電位を調整することによって、液晶層１３００の液晶分子の配向状態を変化させて画像表示が行われる。この背面基板１２００の画素電極が形成されている領域が液晶パネル１１００の表示領域となる。この液晶パネル１１００の表示領域は、タッチパネル１００のタッチ位置の検出領域とほぼ一致している。

また、背面基板１２００の表示領域には、いずれも図示しない、画素電極の行方向に配置された複数のゲート線、列方向に配置された複数のソース線、及び、直交するゲート線とソース線との交点近傍に配置され、それぞれの画素電極に接続されたＴＦＴが設けられている。このゲート線に順次ゲート電圧を印加することで、行ごとにスイッチング素子であるＴＦＴがオンとなって選択され、選択された行に属するそれぞれの画素電極に、ソース線を介して画像表示に必要な電圧が印加される。

図３２におけるタッチパネル１００の図中上側、及び、液晶パネル１１００の背面基板１２００の図中下側には、液晶層１３００と組み合わされることで透過光を制御して画像表示を行うための図示しない一対の偏光板が、各偏光角を所定角度異ならせた状態で配置されている。また、液晶パネル１１００の前面基板１及び背面基板１２００における液晶層１３００に面する内表面には、上記した電極類やスイッチング素子を覆う絶縁膜が形成されていて、そのさらに表面には液晶分子の配列方向を定める配向膜が形成されている。これらの絶縁膜や配向膜の構成は、液晶パネルとして一般的なものであるので、図示及び詳細な説明を省略する。

また、液晶パネル１１００の背面には、液晶パネル１１００で画像を表示するために必要な照射光を照射する図示しないバックライトが配置される。本実施形態のタッチパネル付き液晶表示装置１０００のバックライトは、例えば、サイドライト型またはエッジライト型と呼ばれる、平板状の導光体とその側面に設けられた冷陰極蛍光管または発光ダイオードなどの光源とを有するものを用いることができる。また、液晶パネル１１００の背面に、液晶パネル１１００側に光を照射するように光源を平面的に配置して、光源からの照射光を集光シートや拡散シートなどの光学シートを介して液晶パネルに照射する、直下型とばれるタイプのバックライトを用いることもできる。なお、バックライトの光源としては、冷陰極蛍光管や発光ダイオードに限らず、熱陰極蛍光管やＥＬ発光体など各種のものを用いることができる。

上記の説明では、タッチパネルが形成される前面基板をカラーフィルタ基板として説明した。しかしながら、上述の製造方法によって得られる液晶表示装置は、これに限らず、タッチパネルが形成される前面基板をアクティブマトリクス基板として、背面基板をカラーフィルタ基板としてもよい。また、アクティブマトリクス基板上にカラーフィルタが形成された、いわゆるＣＦオンアレイ形式の液晶パネルとすることもできる。

また、上記の説明では、液晶パネルの構成として、いわゆるアクティブマトリクス方式のものを例示した。しかしながら、上述の製造方法によって得られる液晶表示装置は、これに限らず、いわゆる単純マトリクス方式の液晶パネルとすることもできる。また、液晶パネルの駆動方法も、対向する基板間に電圧を印加する、いわゆる垂直配向方式に限らず、基板の平面方向に電圧を印加するＩＰＳ方式など、他の駆動方式も採用することができる。

さらに、液晶パネル自体も、バックライトからの照射光を画像表示に用いる透過型または半透過型と呼ばれるものに限らず、前面基板１を透過して入射する外光を背面基板に形成された反射電極で反射させて画像表示に用いる、反射型の液晶パネルであってもよい。この場合にはバックライト、及び、背面基板の外側（図３２における下側）に配置される上述の偏光板が不要となる。

上記実施形態では、タッチパネルと積層されて画像表示を行う表示装置として、液晶パネルを用いた液晶表示装置の例について説明した。しかしながら、表示装置の表示パネルとして液晶パネルを用いたものに限らず、有機および無機のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）パネルや、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、さらには、電界放出型ディスプレイなど各種の平板型ディスプレイであってもよい。

以上、タッチパネルの製造方法と、タッチパネルを備えた表示装置の製造方法について、具体的な実施形態を、図面を用いて説明した。しかし、タッチパネルの製造方法及び該タッチパネルを備えた表示装置の製造方法は、上述の各実施形態には限定されない。

例えば、タッチパネルは、表示パネルと積層されて接着剤で固着される構成であってもよい。すなわち、タッチパネルのガラス基板と表示パネルの前面基板とが別々の基板であってもよい。

なお、このように、タッチパネルの基板が液晶パネルなどの表示パネルの前面基板を兼ねない場合には、タッチパネルの基板として、上記の実施形態で説明したガラス基板以外に、例えば可撓性の樹脂基板なども用いることができる。

本発明は、タッチパネルの製造方法、及び、タッチパネルを備えた表示装置の製造方法として産業上利用可能である。

Claims (16)

1. 絶縁性の透明基板上に透明導電膜層及び金属層を順に積層した後、同一のレジストパターンを用いて、該透明導電膜層及び金属層を所定の電極パターンに形成し、
   前記透明導電膜層及び前記金属層を覆う保護膜を形成して、該保護膜の所定位置に該保護膜を貫通する開口部を設け、
   前記開口部が設けられた前記保護膜を用いたエッチングによって前記金属層を除去し、前記透明導電膜層を露出させることにより、タッチ電極及び該タッチ電極の電位をタッチパネルの外部に出力する接続端子の少なくとも一方を形成する、タッチパネルの製造方法。
2. 前記金属層上に表面透明導電膜層を積層した後、前記同一のレジストパターンを用いて該表面透明導電膜層を所定の電極パターンに形成し、
   前記形成された表面透明導電膜層のうち前記接続端子となる部分を、前記エッチングによって除去されないように改質する、請求項１に記載のタッチパネルの製造方法。
3. 前記保護膜は、有機樹脂膜によって構成されていて、
   前記エッチングによって前記透明導電膜層を露出させた後、前記保護膜を部分的に溶解させて、前記開口部の壁面を滑らかにする、請求項１または２に記載のタッチパネルの製造方法。
4. 前記透明基板上に、第１層の前記透明導電膜層及び第１層の前記金属層を順に積層して、同一のレジストパターンを用いて該第１層の透明導電膜層及び第１層の金属層を所定の電極パターンに形成し、
   前記第１層の透明導電膜層及び第１層の金属層を覆う第１層の前記保護膜を形成し、
   前記第１層の保護膜上に第２層の透明導電膜層及び第２層の金属層を順に積層して、同一のレジストパターンを用いて前記第２層の透明導電膜層及び前記第２層の金属層を所定の電極パターンに形成し、
   前記第２層の透明導電膜層及び前記第２層の金属層を覆う第２層の保護膜を形成し、
   前記第１層の保護膜及び前記第２層の保護膜の所定位置に、該第１層の保護膜を貫通する第１層の開口部と、前記第２層の保護膜を貫通する第２層の開口部とを設け、
   前記第１層の開口部が設けられた前記第１層の保護膜及び前記第２層の開口部が設けられた前記第２層の保護膜を用いたエッチングによって、前記第１層の金属層及び前記第２層の金属膜を除去し、前記第１層の透明導電膜層及び前記第２層の透明導電膜層を露出させることにより、前記タッチ電極及び前記接続端子の少なくとも一方を形成する、請求項１に記載のタッチパネルの製造方法。
5. 前記第１層の保護膜及び前記第２層の保護膜は、同一の材料によって構成されていて、
   前記第１層の保護膜における前記第１層の開口部を、前記第２層の保護膜上に形成されたレジストパターンをマスクとして用いて、該第２層の保護膜における前記第２層の開口部と同時に形成する、請求項４に記載のタッチパネルの製造方法。
6. 前記第１層の保護膜は、前記第２層の保護膜とは異なる材料によって構成されていて、
   前記第１層の保護膜における前記第１層の開口部を、前記第２層の開口部が形成された前記第２層の保護膜をマスクとして用いて形成する、請求項４に記載のタッチパネルの製造方法。
7. 前記第２層の保護膜は、有機樹脂膜によって構成されていて、
   前記エッチングによって、前記第１層の透明導電膜層及び前記第２層の前記透明導電膜層を露出させた後、前記第２層の保護膜を部分的に溶解させて、前記第１層の開口部及び前記第２層の開口部の各壁面を滑らかにする、請求項４から６のいずれか１項に記載のタッチパネルの製造方法。
8. 前記タッチ電極と前記接続端子とを接続する引き出し配線は、その一部分が、該タッチ電極及び該接続端子とは異なる層に形成された繋ぎ替え配線によって構成されていて、
   前記保護膜の前記開口部は、前記繋ぎ替え配線と前記引き出し配線との接続部分となる部分にも形成されていて、
   前記繋ぎ替え配線と前記引き出し配線との接続部分は、前記所定の電極パターンの一部として形成され、
   前記繋ぎ替え配線を、前記保護膜上に形成された導電膜をレジストパターンによってパターンニングすることにより形成する、請求項１に記載のタッチパネルの製造方法。
9. 前記繋ぎ替え配線は、前記引き出し配線が立体的に交差する部分に設けられる、請求項８に記載のタッチパネルの製造方法。
10. 前記引き出し配線は、前記一部分以外の部分も、前記繋ぎ替え配線によって構成されていて、
    前記引き出し配線が立体的に交差する部分は、前記タッチ電極及び前記接続端子と同じ層に設けられている、請求項８に記載のタッチパネルの製造方法。
11. 前記レジストパターンは、前記繋ぎ替え配線上に残存して、該繋ぎ替え配線の保護膜となる、請求項８から１０のいずれか１項に記載のタッチパネルの製造方法。
12. 前記繋ぎ替え配線を覆うように、前記露出した透明導電膜層以外の部分に絶縁性の表面保護膜を形成する、請求項８から１０のいずれか１項に記載のタッチパネルの製造方法。
13. 前記タッチ電極同士の間に、該タッチ電極と導通しないフローティング電極を有し、
    前記フローティング電極は、前記タッチ電極と同時に前記透明導電膜層から形成される、請求項１から１２のいずれか１項に記載のタッチパネルの製造方法。
14. 請求項１から１３のいずれか１項に記載のタッチパネルの製造方法によって製造されたタッチパネルの透明基板を基板として、表示パネルを製造する、タッチパネルを備えた表示装置の製造方法。
15. 前面基板及び背面基板を有する表示パネルを形成した後、該表示パネルの前記前面基板を透明基板として、請求項１から１３のいずれか１項に記載のタッチパネルの製造方法によってタッチパネルを形成する、タッチパネルを備えた表示装置の製造方法。
16. 前記表示パネルは、液晶パネルである、請求項１４または１５に記載のタッチパネルを備えた表示装置の製造方法。

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