CN102096532B - 静电电容型输入装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供静电电容型输入装置及其制造方法。一种静电电容型输入装置包括：第一透明导电膜，构成第一电极和第二电极，第一电极在基板上的输入区域中在第一方向上延伸，第二电极在输入区域中在与第一方向交叉的第二方向上延伸并在与第一电极的交叉部分中断开；层间绝缘膜，至少形成在与交叉部分重叠的区域中；以及第二透明导电膜，形成在层间绝缘膜上并具有比第一透明导电膜的薄层电阻低的薄层电阻，该第二透明导电膜构成中继电极和周边配线，该中继电极通过在没有形成层间绝缘膜的区域中电连接到第二电极而使在交叉部分中断开的第二电极电连接，周边配线在基板的位于输入区域外侧的周边区域中延伸。

Description

静电电容型输入装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及根据与输入位置检测电极耦接的静电电容的变化来检测输入位置的静电电容型输入装置及其制造方法。

背景技术

在诸如移动电话、汽车导航系统、个人计算机、售票机和银行终端的电子设备中，存在这样的设备，其中称为触摸面板的输入装置设置在液晶装置等的表面上，以允许使用者在参考液晶装置的图像显示区域中显示的图像的同时输入信息。在这样的输入装置当中，在静电电容型输入装置中，在基板的输入区域中在第一方向上延伸的第一电极和在交叉部分处与第一电极断开的第二电极由第一ITO膜形成。另外，在与交叉部分重叠的区域中，形成层间绝缘膜，并且在层间绝缘膜上，使断开的第二电极彼此电连接的中继电极由第二ITO膜构造。在基板上的输入区域的外周边区域中，形成电连接到第一电极和第二电极的周边配线。这里，因为需要周边配线具有低的电阻，所以周边配线由诸如APC膜的金属膜形成，APC膜由银、钯和铜的合金形成(例如，见日本特开2008-310550号公报)。

发明内容

然而，根据日本特开2008-310550号公报中描述的构造，总共需要四个图案化工艺，包括形成周边配线的图案、形成第一ITO膜的图案、形成层间绝缘膜的图案以及形成第二ITO膜的图案。因此，存在生产率低的问题。

因此，所希望的是提供能由总共三个图案化工艺形成第一电极、第二电极、层间绝缘膜、中继电极和周边配线的静电电容型输入装置以及制造该静电电容型输入装置的方法。

根据本发明的实施例，所提供的静电电容型输入装置包括：第一透明导电膜，构成第一电极和第二电极，第一电极在基板上的输入区域中在第一方向上延伸，第二电极在输入区域中在与第一方向交叉的第二方向上延伸并在与第一电极的交叉部分中断开；层间绝缘膜，至少形成在与交叉部分重叠的区域中；以及第二透明导电膜，形成在层间绝缘膜上，具有比第一透明导电膜的薄层电阻低的薄层电阻，该第二透明导电膜构成中继电极和周边配线，该中继电极通过在没有形成层间绝缘膜的区域中电连接到第二电极而使在交叉部分中断开的第二电极电连接，周边配线在基板的位于输入区域外侧的周边区域中延伸。

根据本发明的另一个实施例，提供了制造静电电容型输入装置的方法。该方法包括如下步骤：通过在基板上形成第一透明导电膜并采用光刻技术图案化该第一透明导电膜而形成第一电极和第二电极，第一电极在基板上的输入区域中在第一方向上延伸，第二电极在输入区域中在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且在与第一电极的交叉部分中断开；通过在基板上形成绝缘膜并采用光刻技术图案化该绝缘膜，至少在与交叉部分重叠的区域中形成层间绝缘膜；以及通过在基板上形成具有比第一透明导电膜的薄层电阻低的薄层电阻的第二透明导电膜并采用光刻技术图案化该第二透明导电膜而形成中继电极和周边配线，中继电极电连接在交叉部分中断开的该第二电极，周边配线在位于基板的输入区域外侧的周边区域中延伸。

如上所述，根据本发明的实施例，静电电容型输入装置的第一电极、第二电极、层间绝缘膜、中继电极和周边配线可以由包括第一透明导电膜、层间绝缘膜和第二透明导电膜的三种膜形成。换言之，第一电极、第二电极、层间绝缘膜、中继电极和周边配线可以通过总共三个图案化工艺形成。因此，根据本发明的实施例，生产效率高。另外，因为第二透明导电膜的薄层电阻低于第一透明导电膜的薄层电阻，所以可以构造出具有低电阻的周边配线，而不需要用金属膜形成周边配线。

在该实施例中，优选第一透明导电膜构成辅助配线，该辅助配线延伸为与周边配线重叠并且并联地电连接到周边配线。在这样的情况下，因为周边配线和辅助配线并联连接，所以可以降低配线电阻。另外，即使在一条配线断开的情况下，也可以实现能传输信号的冗余配线结构。

在本发明的实施例中，优选层间绝缘膜形成在与第一电极重叠的区域中以及与第二电极重叠的区域中。在这样的情况下，具有这样的优点：在图案化第二透明导电膜时预先形成的第一电极和第二电极不被蚀刻。从而，作为第二透明导电膜，可以采用能够用对第一透明导电膜具有蚀刻选择性的蚀刻材料蚀刻的透明导电膜，例如其中堆叠IZO(氧化铟锌)层、银基金属层(银层或以银为主要成分的合金层)和IZO层的透明导电膜。另外，作为第二透明导电膜，可以采用相对于第一透明导电膜不具有蚀刻选择性的透明导电膜，例如其中堆叠ITO(氧化铟锡)层、银基金属层(银层或以银为主要成分的合金层)和ITO层的透明导电膜。

在此情况下，优选层间绝缘膜形成在周边配线的层和辅助配线的层之间。在这样的情况下，在通过图案化形成周边配线时预先形成的辅助配线不被用于形成周边配线的蚀刻材料蚀刻。从而，作为第二透明导电膜，可以采用能够用对第一透明导电膜具有蚀刻选择性的蚀刻材料蚀刻的透明导电膜，例如其中堆叠IZO层、银基金属层和IZO层的透明导电膜。另外，作为第二透明导电膜，可以采用相对于第一透明导电膜不具有蚀刻选择性的透明导电膜，例如其中堆叠ITO层、银基金属层和ITO层的透明导电膜。

在本发明的实施例中，优选层间绝缘膜仅形成在输入区域的与交叉部分重叠的区域中。在这样的情况下，因为在输入区域没有不必要的层间绝缘膜，所以可以提高输入区域的光学透明度。

在此情况下，优选第二透明导电膜相对于第一透明导电膜具有蚀刻选择性。

在本发明的实施例中，优选第二透明导电膜是其中堆叠IZO层、银基金属层和IZO层的透明导电膜。因为透明导电膜相对于第一透明导电膜具有蚀刻选择性，所以在蚀刻第二透明导电膜时预先形成的第一电极和第二电极不被蚀刻。从而，具有这样的优点，其中对层间绝缘膜的形成范围没有严格的限制，从而可以采用层间绝缘膜仅形成在输入区域的与交叉部分等重叠的区域中。

在本发明的第一电极或第二电极被层间绝缘膜等覆盖的实施例中，优选其中堆叠ITO层、银基金属层和ITO层的透明导电膜可用作第二透明导电膜。

根据本发明实施例的静电电容型输入装置例如用于构成结合电光设备的输入装置。在结合电光设备的输入装置中，用于产生图像的电光面板构造在基板的与其输入操作侧相反的一侧上。

具有根据本发明实施例的输入装置的电光设备用在诸如移动电话、汽车导航、个人计算机、售票机和银行终端的电子设备中。

附图说明

图1是示意性示出具有根据本发明实施例1的静电电容型输入装置的结合电光设备的输入装置的总体构造的示意图。

图2A和2B是示意性地示出根据本发明实施例1的结合电光设备的输入装置的截面构造的示意图。

图3A和3B是示出在根据本发明实施例1的静电电容型输入装置中使用的基板的构造的示意图。

图4A至4D是示出根据本发明实施例1的静电电容型输入装置的制造方法的工艺的截面图。

图5A和5B是示出在根据本发明实施例2的静电电容型输入装置中使用的基板的构造的示意图。

图6A至6D是示出根据本发明实施例2的静电电容型输入装置的制造方法的工艺的截面图

图7A至7C是具有根据本发明实施例的结合电光设备的输入装置的电子设备的示意图。

具体实施方式

将参考附图描述本发明的实施例。在下面的描述所参考的附图中，为了使每个层和每个构件具有能在图中识别的尺寸，将各层和各构件的比例进行了不同的设定。

[实施例1]

[基本构造]

(结合电光设备的输入装置的总体构造)

图1是示意性示出具有根据本发明实施例1的静电电容型输入装置的结合电光设备的输入装置的总体构造的示意图。图2A和2B是示意性地示出根据本发明实施例1的结合电光设备的输入装置的截面构造的示意图。图2A是构造示例的示意图，其中输入位置检测电极设置在基板的第一表面侧，该第一表面侧位于基板的输入操作侧。图2B是构造示例的示意图，其中输入位置检测电极设置在基板的第二表面侧，该第二表面侧位于基板的输入操作侧的相反侧。

如图1所示，通常，该实施例的结合电光设备的输入装置100具有在重叠状态下的图像生成装置5和静电电容型输入装置1，图像生成装置5由液晶装置等构造，静电电容型输入装置1设置在图像生成装置5的在显示光出射侧的表面上。静电电容型输入装置1包括输入面板2(触摸面板)，并且图像生成装置5包括液晶面板以用作电光面板5a(显示面板)。在该实施例中，输入面板2和电光面板5a二者具有矩形的平面形状，并且在平面图中静电电容型输入装置1和结合电光设备的输入装置100的中央区域是输入区域2a。在平面图中图像生成装置5和结合电光设备的输入装置100的重叠输入区域2a的区域是图像形成区域。对于输入面板2设置有端部20e的一侧，连接柔性配线基板35。另外，对于电光面板5a设置有端部20e的一侧，连接柔性配线基板73。

在图1以及图2A和2B中，图像生成装置5是透射式或半透射反射式的有源矩阵型液晶显示装置。在电光面板5a的与设置输入面板2的侧相反的一侧(与显示光出射侧相反的一侧)上，设置背光装置(图中未示出)。背光装置例如具有光导板和光源，光导板是透明的并设置在电光面板5a的以重叠方式设置静电电容型输入装置1的一侧的相反侧，光源例如为朝着光导板的侧端部发射白光等的发光二极管。在光源发射的光从光导板的侧端部入射后，该光在光导板内传播的同时朝着电光面板5a发射。在光导板和电光面板5a之间，可以设置片状光学构件例如光散射片或棱镜片。

在图像生成装置5中，在电光面板5a的显示光出射侧，以重叠的方式设置第一偏光板81。另外，在电光面板5a的相反侧，以重叠的方式设置第二偏光板82。电光面板5a包括设置在与显示光出射侧相反的一侧的透明的部件基板50和设置在显示光出射侧以与部件基板50相对的透明相对基板60。相对基板60和部件基板50通过矩形的框状密封构件71接合在一起，并且液晶层55保持在相对基板60和部件基板50之间由密封构件71围绕的区域内。在部件基板50的面对相对基板60的表面上，多个像素电极58由透明导电膜形成，该透明导电膜例如为ITO(氧化铟锡)膜或IZO(氧化铟锌)膜。另外，在相对基板60的面对部件基板50的表面上，公用电极68由诸如ITO膜的透明导电膜形成。另外，在相对基板60上形成滤色器。在图像生成装置5为IPS(平面内转换)型或FFS(边缘场转换)型的情况下，公用电极68设置在部件基板50侧。部件基板50可以设置在相对基板60的显示光出射侧。驱动IC 75采用COG技术构建在部件基板50的从相对基板60的边缘突出的突出区域59中，并且柔性配线基板73连接到突出区域59。在部件基板50上，驱动电路可以与设置在部件基板50上的开关器件同时形成。

(静电电容型输入装置1的详细构造)

在图2A和2B所示的静电电容型输入装置1中，输入面板2包括透明基板20，该透明基板20由玻璃板、塑料板等构成。在该实施例中，玻璃基板用作基板20。在基板20由塑料材料形成的情况下，作为塑料材料，可以采用耐热的透明片例如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、PES(聚醚砜)、PI(聚酰亚胺)或包括聚降冰片烯等的环烯树脂。在下文，基板20的形成下述电极等的一侧将描述为第一表面20a，并且相反的一侧描述为第二表面20b。

稍后将详细描述，在图2A和2B所示的静电电容型输入装置1中，在基板20的第一表面20a上，当从基板20观察时从下层侧朝着上层侧形成第一透明导电膜4a、层间绝缘膜214和第二透明导电膜4b。因此，输入位置检测电极21由第一透明导电膜4a和第二透明导电膜4b当中的第一透明导电膜4a形成。在基板20的端部20e中，柔性配线基板35连接到第一表面20a。具有绝缘特性的透明盖90采用粘合剂90e等结合到基板20的第一表面20a侧。在盖90的与基板20的输入区域2a的外围区域(周边区域2b)重叠的区域中，印刷遮光层90a。遮光层90a围绕的区域是输入区域2a。遮光层90a与电光面板5a的外围区域重叠并且屏蔽从图像生成装置5的光源或光导板的端部泄漏的光。另外，在输入面板2和液晶面板5a之间，设置用作屏蔽的导电膜99，其中诸如ITO膜的透明导电膜形成在透明膜上。在图2B中，输入面板2和第一偏光板81可以采用粘合剂90e等直接彼此接合。另外，在图2B所示构造的情况下，可以构造为基板20用作盖，而省略盖90。

(静电电容型输入装置的详细构造)

图3A和3B是示出在根据本发明实施例1的静电电容型输入装置1中使用的基板20的构造的示意图。图3A是示出基板20的截面构造的示意图，而图3B是示出其平面构造的示意图。

如图3A和3B所示，根据该实施例的静电电容型输入装置1，在基板20的第一表面20a侧，当从基板20观察时从下层侧朝着上层侧依次形成第一透明导电膜4a、层间绝缘膜214和第二透明导电膜4b。

在该实施例中，第一透明导电膜4a由膜厚范围为10nm至30nm的ITO膜构造。用作第一透明导电膜4a的ITO膜是多晶的，并且粗略地来说薄层电阻为100Ω/sq。层间绝缘膜214由诸如光敏树脂膜或氧化硅膜的透明绝缘膜构造。

在该实施例中，第二透明导电膜4b由透明导电膜构造，在该透明导电膜中以上述顺序堆叠IZO层、银基金属层(银层或者以银为主要成分的合金层)和IZO层并且总厚度的范围为80nm至120nm。第二透明导电膜4b的薄层电阻典型地为2Ω/sq，并且低至第一透明导电膜4a的薄层电阻的约1/50。这里，第二透明导电膜4b的IZO层、银基金属层和IZO层的厚度范围分别为30nm至70nm、6nm至12nm和30nm至40nm。因为第二透明导电膜4b具有非晶的IZO层和很薄的银基金属层，所以第二透明导电膜4b可以采用对第一透明导电膜4a具有蚀刻选择性的蚀刻材料蚀刻。

在基板20的整个第一表面20a上，可以形成由氧化硅膜等构造的透明下保护膜。在这样的情况下，第一透明导电膜4a、层间绝缘膜214和第二透明导电膜4b依次堆叠在下保护膜上。

在该实施例的静电电容型输入装置1中，第一透明导电膜4a首先形成为输入区域2a中的多个菱形区域，并且该多个菱形区域构成输入位置检测电极21(第一电极211和第二电极212)的焊垫部分211a和212a(大面积部分)。焊垫部分211a和212a在Y方向和X方向上交替地设置。在多个焊垫部分211a中，Y方向(第一方向)上彼此相邻的焊垫部分211a通过连接部分211c连接，并且焊垫部分211a和连接部分211c构成延伸在Y方向上的第一电极211。

相反，尽管多个焊垫部分212a构成在X方向(第二方向)上延伸的第二电极212，但是X方向上彼此相邻的焊垫部分212a之间的部分(即，与连接部分211c重叠的部分)包括断开部分212e。

层间绝缘膜214形成在整个输入区域2a上。在层间绝缘膜214中，形成接触孔214a。接触孔214a形成在与隔着断开部分212e彼此面对的焊垫部分212a的端部重叠的位置处。

在与接触孔214a重叠的区域中，第二透明导电膜4b形成为中继电极215。另外，在周边区域2b中，第二透明导电膜4b形成为电连接到输入位置检测电极21(第一电极211和第二电极212)的周边配线27，并且形成为靠近端部20e的安装端子24。

另外，在第二透明导电膜4b的上层侧，由光敏树脂形成的上覆层28形成在基板20的大致整个表面上。

另外，在该实施例中，在周边区域2b中，第一透明导电膜4a形成为延伸以与周边配线27重叠的辅助配线26。周边配线27与辅助配线26的上表面直接接触。从而，形成周边配线27和辅助配线26并联电连接的构造。

(输入位置检测电极21的构造)

在如上所述构造的静电电容型输入装置1中，第一电极211和第二电极212由相同的导电膜(第一透明导电膜4a)形成，并且在彼此交叉的方向上延伸。从而，在基板20上，存在第一电极211和第二电极212彼此交叉的交叉部分218。

这里，在第一电极211和第二电极212中，第一电极211在Y方向上由第一透明导电膜4a构成的连接部分211c连接，从而甚至延伸进入交叉部分218。相反，在第二电极212中，在交叉部分218中构成断开部分212e。然而，在交叉部分218中，中继电极215形成在层间绝缘膜214的上层中。因此，中继电极215通过层间绝缘膜214的接触孔214a电连接隔着断开部分212e彼此相邻的焊垫212a。从而，第二电极212以在X方向上电连接的状态延伸在X方向上。另外，中继电极215隔着层间绝缘膜214与连接部分211c重叠。因此，不存在形成短路的问题。

如上所述构造的第一电极211和第二电极212包括在由交叉部分218限定的区域中的大面积的矩形焊垫部分211a和212a。在第一电极211的交叉部分218中设置的连接部分211c具有小的宽度，其宽度小于焊垫部分211a和212a的宽度。另外，中继电极215也具有小的宽度，其宽度小于焊垫部分211a和212a的宽度。

(输入方法)

在如上所述构造的静电电容型输入装置1中，例如具有矩形脉冲形状的位置检测信号输出到输入位置检测电极21(第一电极211和第二电极212)中的每一个。结果，当电容没有寄生在输入位置检测电极21上时，位置检测信号被输出并保持输入波形。相反，当电容寄生在输入位置检测电极21上时，输出波形因电容而变形。从而，可以检测出电容是否寄生在输入位置检测电极21上。因此，根据该实施例，与每个输入位置检测电极21耦合的静电电容通过将位置检测信号输出到多个输入位置检测电极21而被监测。因此，当手指接近多个输入位置检测电极21中的任何一个时，手指接近的输入位置检测电极21的静电电容增加对应于手指和输入位置检测电极之间产生的静电电容的量。从而可以确定手指接近的电极。

(静电电容型输入装置1的制造方法)

图4A至4D是示出根据本发明实施例1的静电电容型输入装置1的制造方法的工艺的截面图。为了制造静电电容型输入装置1，首先，在图4A所示的第一工艺中，在第一透明导电膜4a形成在基板20上之后，采用光刻技术将第一透明导电膜4a图案化。更加具体地讲，在膜厚度范围为10nm至30nm的多晶的ITO膜(薄层电阻≈100Ω/sq)形成为第一透明导电膜4a之后，采用光刻技术形成抗蚀剂掩模，然后，蚀刻第一透明导电膜4a。在这样的蚀刻工艺中，通过采用氯化铁基的蚀刻溶液来进行湿法蚀刻，然后，通过采用氢氧化钾水溶液等去除蚀刻掩模。结果，形成在基板20上的输入区域2a内延伸在Y方向上的第一电极211、在输入区域2a内延伸在X方向上的第二电极212以及在周边区域2b中延伸的辅助配线26。

接下来，在图4B所示的第二工艺中，在绝缘膜形成在基板20上后，采用光刻技术图案化该绝缘膜。结果，在包括交叉部分218的整个输入区域2a中，形成具有接触孔214a的层间绝缘膜214。在该实施例中，在基板被涂布光敏树脂之后，曝光并显影被涂布的基板，从而形成层间绝缘膜214。

接下来，在图4C所示的第三工艺中，在薄层电阻低于第一透明导电膜4a的第二透明导电膜4b形成在基板20上之后，采用光刻技术图案化第二透明导电膜4b。更具体地讲，在IZO层、银基金属层和IZO层以上述顺序堆叠的透明导电膜(薄层电阻≈2Ω/sq)形成为具有80nm至120nm的厚度范围以作为第二透明导电膜4b之后，采用光刻技术形成抗蚀剂掩模，然后，蚀刻第二透明导电膜4b。在这样的蚀刻工艺中，采用蚀刻溶液进行湿法蚀刻，该蚀刻溶液由分别包含5％、60％和35％的硝酸、磷酸和醋酸的混合水溶液形成，然后采用氢氧化钾水溶液等去除蚀刻掩模。结果，形成使由交叉部分218断开的第二电极212电连接的中继电极215和在周边区域2b中延伸的周边配线27。这里，因为用于蚀刻第二透明导电膜4b的蚀刻溶液对第一透明导电膜4a具有蚀刻选择性，所以预先形成的辅助配线26没有被溶解。另外，因为预先形成的第一电极211和第二电极212被层间绝缘膜214覆盖，所以第一电极211和第二电极212在用于第二透明导电膜4b的蚀刻工艺中没有被蚀刻。

其后，如图4D所示，形成由诸如光敏树脂的有机膜或无机膜形成的上覆层28。

(该实施例的操作和优点)

如上所述，根据该实施例，静电电容型输入装置1的第一电极211、第二电极212、层间绝缘膜214、中继电极215以及周边配线27可以由包括第一透明导电膜4a、层间绝缘膜214和第二透明导电膜4b的三种膜形成。因此，根据该实施例，总共三个图案化工艺就足够了，从而生产率提高。另外，因为第二透明导电膜4b的薄层电阻低于第一透明导电膜4a的薄层电阻，所以可以构造出具有低电阻的周边配线27，而不需要用金属膜形成周边配线27。

另外，第一透明导电膜4a构成辅助配线26，该辅助配线26延伸为与周边配线27重叠并且并联地电连接周边配线27。因此，因为周边配线27和辅助配线26并联地电连接在一起，所以可以降低配线电阻。另外，即使在一条配线断开的情况下，也可以实现能传输信号的冗余配线结构。

另外，根据该实施例，因为其中堆叠IZO层、银基金属层和IZO层的透明导电膜用作第二透明导电膜4b，所以第二透明导电膜4b可以由对第一透明导电膜4a具有蚀刻选择性的蚀刻材料蚀刻。因此，当蚀刻第二透明导电膜4b时，预先形成的辅助配线26没有被溶解。因此，即使在周边配线27中，辅助配线26也不必形成为具有过宽的宽度，因此周边区域2b的宽度尺寸可以很小。

另外，根据该实施例，预先形成的第一电极211和第二电极212被层间绝缘膜214覆盖，从而，在蚀刻第二透明导电膜4b时第一电极211和第二电极212不被蚀刻。

[实施例1的修改示例1]

在实施例1中，尽管其中堆叠IZO层、银基金属层和IZO层的透明导电膜用作第二透明导电膜4b，但是在实施例1中，在蚀刻第二透明导电膜4b时预先形成的第一电极211和第二电极212被层间绝缘膜214覆盖。从而，在周边区域2b的宽度尺寸可以或多或少地拓宽的情况下，其中堆叠ITO层、银基金属层和ITO层的透明导电膜可以用作第二透明导电膜4b。因为这样的透明导电膜的薄层电阻低于第一透明导电膜4a的薄层电阻，所以可以构造出具有低电阻的周边配线27，而不需要用金属膜形成周边配线27。

另外，在其中堆叠ITO层、银基金属层和ITO层的透明导电膜用作第二透明导电膜4b的情况下，作为在图案化工艺中所使用的蚀刻溶液，采用氯化铁基蚀刻溶液。在这样的情况下，当周边配线27的宽度尺寸设定为大于辅助配线26时，在蚀刻第二透明导电膜4b时可以防止辅助配线26被蚀刻。

[实施例1的修改示例2]

还是在该示例中，与实施例1的修改示例1类似，其中堆叠ITO层、银基金属层和ITO层的透明导电膜用作第二透明导电膜4b。从而，作为在图案化工艺中使用的蚀刻溶液，采用氯化铁基蚀刻溶液。因此，在该示例中，层间绝缘膜214被保留以保持在周边区域2b中，从而覆盖预先形成的辅助配线26。根据这样的构造，在蚀刻第二透明导电膜4b时可以防止辅助配线26被蚀刻。从而，没必要采用这样的构造，其中周边配线27以大的宽度形成以保护辅助配线26不受蚀刻溶液的影响。

根据这样的构造，尽管层间绝缘膜214设置在辅助配线26和周边配线27之间，但是辅助配线26和周边配线27可以通过经由接触孔(没有形成层间绝缘膜214的区域)电连接辅助配线26和周边配线27而被并联地电连接，其中在延伸方向上的至少两个位置处接触孔形成在层间绝缘膜214中。

另外，层间绝缘膜214设置在辅助配线26和周边配线27之间的构造可以应用于其中堆叠IZO层、银基金属层和IZO层的透明导电膜用作第二透明导电膜4b的情况。

[实施例2]

(静电电容型输入装置的详细构造)

图5A和5B是示出在根据本发明实施例2的静电电容型输入装置1中使用的基板20的构造的示意图。图5A是示出基板20的截面构造的示意图，而图5B是示出其平面构造的示意图。该实施例的基本构造与实施例1基本相同。因此，对于每个相同的部件，给予相同的参考符号，并且省略其描述。

如图5A和5B所示，根据该实施例的静电电容型输入装置1，与实施例1类似，在基板20的第一表面20a侧，当从基板20观察时从下层侧朝着上层侧依次形成第一透明导电膜4a、层间绝缘膜214和第二透明导电膜4b。在该实施例中，第一透明导电膜4a由膜厚范围为10nm至30nm的ITO膜构造。用作第一透明导电膜4a的ITO膜是多晶的并且典型地薄层电阻为100Ω/sq。层间绝缘膜214由诸如光敏树脂膜或氧化硅膜的透明绝缘膜构造。第二透明导电膜4b由其中依次堆叠IZO层、银基金属层和IZO层的透明导电膜构造，并且总厚度范围为80nm至120nm。第二透明导电膜4b的薄层电阻典型地为2Ω/sq，并且低至第一透明导电膜4a的薄层电阻的约1/50。这里，第二透明导电膜4b的IZO层、银基金属层和IZO层的厚度范围分别为30nm至70nm、6nm至12nm和30nm至40nm。

第一透明导电膜4a构成输入位置检测电极21(第一电极211和第二电极212)，并且第二电极212在与第一电极211的交叉部分218中具有断开部分212e。

在该实施例中，与实施例1不同的是，层间绝缘膜214仅形成在输入区域2a中的第一电极211与第二电极212的交叉部分218中，并且其他区域为不形成层间绝缘膜214的区域。

第二透明导电膜4b在层间绝缘膜214的上层侧形成为中继电极215。另外，第二透明导电膜4b在周边区域2b中形成为电连接到输入位置检测电极21(第一电极211和第二电极212)的周边配线27，并且在接近端部20e的区域中形成为安装端子24。

另外，在第二透明导电膜4b的上层侧，由诸如光敏树脂的有机膜或无机膜形成的上覆层28形成在基板20的大致整个表面上。

另外，在该实施例中，第一透明导电膜4a在周边区域2b中形成为辅助配线26，该辅助配线26延伸以与周边配线27重叠。周边配线27与辅助配线26的上表面直接接触。从而，形成周边配线27和辅助配线26并联电连接的构造。

在如上所述构造的静电电容型输入装置1中，在交叉部分218中的断开部分212e构造在第二电极212中。然而，中继电极215在没有形成层间绝缘膜214的区域中使隔着断开部分212e而彼此相邻的焊垫212a电连接。从而，第二电极212以在X方向上电连接的状态延伸在X方向上。

(静电电容型输入装置1的制造方法)

图6A至6D是示出根据本发明实施例2的静电电容型输入装置1的制造方法的工艺的截面图。为了制造该实施例的静电电容型输入装置1，首先，在图6A所示的第一工艺中，在第一透明导电膜4a形成在基板20上之后，采用光刻技术图案化第一透明导电膜4a。更具体地讲，在膜厚度范围为10nm至30nm的多晶的ITO膜(薄层电阻≈100Ω/sq)形成为第一透明导电膜4a之后，采用光刻技术形成抗蚀剂掩模，然后，蚀刻第一透明导电膜4a。在这样的蚀刻工艺中，采用氯化铁基的蚀刻溶液进行湿法蚀刻，然后采用氢氧化钾水溶液等去除蚀刻掩模。结果，形成在基板20上的输入区域2a内延伸在Y方向上的第一电极211、在输入区域2a内延伸在X方向上的第二电极212以及在周边区域2b中延伸的辅助配线26。

接下来，在图6B所示的第二工艺中，在绝缘膜形成在基板20上之后，采用光刻技术图案化该绝缘膜。结果，层间绝缘膜214仅形成在交叉部分218中。在该实施例中，在基板用光敏树脂涂布之后，曝光并显影被涂布的基板，从而形成层间绝缘膜214。

接下来，在图6C所示的第三工艺中，在薄层电阻低于第一透明导电膜4a的第二透明导电膜4b形成在基板20上之后，采用光刻技术图案化第二透明导电膜4b。更具体地讲，在其中以上述顺序堆叠IZO层、银基金属层和IZO层的透明导电膜(薄层电阻≈2Ω/sq)形成为具有80nm至120nm的膜厚度范围以作为第二透明导电膜4b之后，采用光刻技术形成抗蚀剂掩模，然后，蚀刻第二透明导电膜4b。在这样的蚀刻工艺中，采用蚀刻溶液进行湿法蚀刻，该蚀刻溶液由包含5％、60％和35％的硝酸、磷酸和醋酸的混合水溶液形成，然后，采用氢氧化钾水溶液等去除蚀刻掩模。结果，形成中继电极215和周边配线27，中继电极215电连接由交叉部分218断开的第二电极212，周边配线27延伸在周边区域2b中。这里，因为用于蚀刻第二透明导电膜4b的蚀刻溶液对第一透明导电膜4a具有蚀刻选择性，所以预先形成的第一电极211、第二电极212和辅助配线26没有被蚀刻。

其后，如图6D所示，形成由诸如光敏树脂的有机膜或无机膜形成的上覆层28。

(该实施例的操作和优点)

如上所述，根据该实施例，静电电容型输入装置1的第一电极211、第二电极212、层间绝缘膜214、中继电极215和周边配线27可以由包括第一透明导电膜4a、层间绝缘膜214和第二透明导电膜4b的三种膜形成。因此，根据该实施例，总计进行三个图案化工艺，从而生产效率提高。另外，因为第二透明导电膜4b的薄层电阻低于第一透明导电膜4a的薄层电阻，所以可以构造出具有低电阻的周边配线27，而不需要用金属膜形成周边配线27。

另外，中继电极215设置成小面积的细长形状的透明导电膜图案。因此，中继电极215在视觉上无法辨识，并且液晶面板的显示质量不会降低。

另外，第一透明导电膜4a构成辅助配线26，该辅助配线26延伸以与周边配线27重叠并且并联地电连接到周边配线27。因此，因为周边配线27和辅助配线26并联地连接在一起，所以可以降低配线电阻。另外，即使在一条配线断开的情况下，也可以实现能传输信号的冗余配线结构。

另外，根据该实施例，因为其中堆叠IZO层、银基金属层和IZO层的透明导电膜用作第二透明导电膜4b，所以第二透明导电膜4b可以由对第一透明导电膜4a具有蚀刻选择性的蚀刻材料蚀刻。因此，在蚀刻第二透明导电膜4b时，预先形成的第一电极211和第二电极212没有被溶解。因此，即使在层间绝缘膜214仅形成在交叉部分218中的情况下，静电电容型输入装置1的第一电极211、第二电极212、层间绝缘膜214、中继电极215和周边配线27也可以由包括第一透明导电膜4a、层间绝缘膜214和第二透明导电膜4b的三种膜形成。

另外，在蚀刻第二透明导电膜4b时，预先形成的辅助配线26没有被溶解。因此，在周边配线27中，辅助配线26没必要形成为具有过宽的宽度，因此周边区域2b的宽度尺寸可以很小。

[实施例2的修改示例]

根据该实施例，类似于实施例1的修改示例2，层间绝缘膜214可以设置在辅助配线26和周边配线27之间。即使在这样的情况下，辅助配线26和周边配线27也可以通过在延伸方向上的至少两个位置处电连接辅助配线26和周边配线27而并联电连接

[其他实施例]

在各实施例中，液晶装置用作图像生成装置5。然而，作为图像生成装置5，可以采用有机电致发光装置。

[安装在电子设备中的示例]

接下来，将描述应用根据各实施例的结合电光设备的输入装置100的电子设备。图7A至7C是具有根据本发明实施例的结合电光设备的输入装置100的电子设备的示意图。图7A示出了包括结合电光设备的输入装置100的移动式个人计算机的构造。个人计算机2000包括作为显示单元的结合电光设备的输入装置100和主体单元2010。在主体单元2010中，设置电源开关2001和键盘2002。图7B示出了包括结合电光设备的输入装置100的移动电话的构造。移动电话3000包括多个操作按钮3001、滚动按钮3002和作为显示单元的结合电光设备的输入装置100。通过操作滚动按钮3002，可滚动在结合电光设备的输入装置100中显示的屏幕。图7C示出了应用结合电光设备的输入装置100的个人数字助理(PDA)的构造。个人数字助理4000具有多个操作按钮4001、电源开关4002和作为显示单元的结合电光设备的输入装置100。在操作电源开关4002时，诸如通讯录或日程表的各种信息显示在结合电光设备的输入装置100中。

另外，作为应用结合电光设备的输入装置100的电子设备的示例，除了图7A至7C所示的电子设备外，还有诸如数字静态照相机、液晶电视机、取景器型或直观监测型录像机、汽车导航系统、寻呼机、电子记事本、计算器、文字处理器、工作站、电视电话、POS终端和银行终端的电子设备。作为上述各种电子设备的显示单元，可以应用上述结合电光设备的输入装置100。

本申请包含2009年12月15日提交至日本专利局的日本优先权专利申请JP 2009-283728中公开的相关主题事项，其全部内容通过引用结合于此。

本领域的技术人员应当理解的是，在所附权利要求或其等同方案的范围内，根据设计需要和其他因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。

Claims (9)

1.一种静电电容型输入装置，包括：

第一透明导电膜，构成第一电极和第二电极，该第一电极在基板上的输入区域中在第一方向上延伸，该第二电极在该输入区域中在与该第一方向交叉的第二方向上延伸，其中，该第二电极与第一电极形成在同一层并在与该第一电极的交叉部分中断开；

层间绝缘膜，至少形成在与该交叉部分重叠的区域中；以及

第二透明导电膜，形成在该层间绝缘膜上并具有比该第一透明导电膜的薄层电阻低的薄层电阻，该第二透明导电膜构成中继电极和周边配线，该中继电极通过在没有形成该层间绝缘膜的区域中电连接到该第二电极而使在该交叉部分中断开的该第二电极电连接，该周边配线在该基板的位于该输入区域外侧的周边区域中延伸。

2.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置，其中该第一透明导电膜构成辅助配线，该辅助配线延伸为与该周边配线重叠并且并联地电连接到该周边配线。

3.根据权利要求2所述的静电电容型输入装置，其中该层间绝缘膜形成在与该第一电极重叠的区域中以及与该第二电极重叠的区域中。

4.根据权利要求3所述的静电电容型输入装置，其中该层间绝缘膜形成在该周边配线的层和该辅助配线的层之间。

5.根据权利要求2所述的静电电容型输入装置，其中该层间绝缘膜仅形成在该输入区域的与该交叉部分重叠的区域中。

6.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置，其中该第二透明导电膜由对该第一透明导电膜具有蚀刻选择性的蚀刻材料蚀刻。

7.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置，其中该第二透明导电膜是堆叠IZO层、银基金属层和IZO层的透明导电膜。

8.根据权利要求3所述的静电电容型输入装置，其中该第二透明导电膜是堆叠ITO层、银基金属层和ITO层的透明导电膜。

9.一种静电电容型输入装置的制造方法，该方法包括如下步骤：

通过在基板上形成第一透明导电膜并采用光刻技术图案化该第一透明导电膜而在同一层中形成第一电极和第二电极，该第一电极在该基板上的输入区域中在第一方向上延伸，该第二电极在该输入区域中在与该第一方向交叉的第二方向上延伸并且在与该第一电极的交叉部分中断开；

通过在该基板上形成绝缘膜并采用光刻技术图案化该绝缘膜，至少在与该交叉部分重叠的区域中形成层间绝缘膜；以及

通过在该基板上形成具有比该第一透明导电膜的薄层电阻低的薄层电阻的第二透明导电膜并采用光刻技术图案化该第二透明导电膜而形成中继电极和周边配线，该中继电极使在该交叉部分中断开的该第二电极电连接，该周边配线在该基板的位于该输入区域外侧的周边区域中延伸。