JP2008065748A - タッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置 - Google Patents

タッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】パネル面内電極に対し、その抵抗値をほぼ均一に形成することができると共に、高抵抗化を実現するタッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】パネルのタッチ面に接触物を接触させてそのタッチ面における接触位置を検出するタッチパネルであって、絶縁性基板と、絶縁性基板上の少なくともタッチ面対応領域に広がるように設けられ、且つ、少なくとも一方の表面に抵抗調整部が形成された電極と、を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、タッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置に関する。
従来より、液晶表示装置等の入力手段の一つとして、液晶表示素子等の表示素子上に取り付けられるタッチパネルが研究・開発されている。この種のタッチパネルは、通常、パネル面に接触物が接触した際に生じる静電容量の変化に影響された電気信号によってその接触位置を検知するために、ガラス基板等の絶縁性基板上に形成された平板状の電極を備えている。
上述したタッチパネルに用いられるパネル面内の電極は、高抵抗や高透過率という性能が要求されるため、一般的に、ITO膜等の薄膜透明導電膜(膜厚100Å程度)が主に用いられている。
また、このような電極を用いた従来のタッチパネルとして、例えば、特許文献1には、絶縁性基板と、基板の一方の表面上の抵抗コーティングと、抵抗コーティング上の保護コーティングと、保護コーティング上に複数の端部電極を有し抵抗コーティングまで延在してこれと電気的接触を形成する導電性端部電極パターンと、を包含するものが開示されている。そして、これによれば、十分に緻密化されたハードコートを有するタッチパネルを提供することができる、と記載されている。
特表2004-537107号公報
しかしながら、上述したタッチパネルにおいて、パネル面内の電極を薄膜にすればするほど、その製造時において電極を所望の膜厚にすることが困難となると共に耐熱抵抗安定性、耐候性が劣る。このため、パネル面内の抵抗値を均一にまた安定して形成することが困難となり、タッチパネルの品質に問題が生じるおそれがある。
このような問題は、電極の膜厚を例えば200〜300Å等に形成して、ある程度の膜厚を確保することにより改善するが、電極の膜厚を厚くすると、タッチパネルの電極に要求される高抵抗性及び高透過性が低下するという問題が生じる。
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、パネル面内電極に対し、その抵抗値をほぼ均一にまた安定して形成することができると共に、高抵抗化並びに高透過率化を実現するタッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置を提供することである。
本発明に係るタッチパネルは、パネルのタッチ面に接触物を接触させてそのタッチ面における接触位置を検出するタッチパネルであって、絶縁性基板と、絶縁性基板上の少なくともタッチ面対応領域に広がるように設けられ、且つ、少なくとも一方の表面に抵抗調整部が形成された電極と、を備えたことを特徴とする。
このような構成によれば、パネルのタッチ面対応領域に広がるように設けられた電極の少なくとも一方の表面に抵抗調整部が形成されているため、ある程度の膜厚を確保してパネル面内電極の抵抗値を均一に形成することができると共に、電極表面の抵抗を調整することにより、高抵抗化を実現することができる。
また、本発明に係るタッチパネルは、抵抗調整部が、電極表面に形成された凹凸面で構成されていてもよい。
このような構成によれば、抵抗調整部が、電極表面に形成された凹凸面で構成されているため、凹部の形成されていないフラットな表面で形成されたものに比べて光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能がより良好となる。また、これによって電極表面に防眩性も付与することができる。
さらに、本発明に係るタッチパネルは、凹凸面の凹部が、電極表面に形成された溝で構成されていてもよい。
このような構成によれば、凹凸面の凹部が、電極表面に形成された溝で構成されているため、パターニング等の通常の電極形成処理によって簡易に電極表面に凹凸面を形成することができる。
また、本発明に係るタッチパネルは、溝が電極表面に格子状に設けられていてもよい。
このような構成によれば、溝が電極表面に格子状に設けられているため、電極表面全体に亘って抵抗値を均一化することができ、タッチパネルの接触位置検知性能が良好となる。
さらに、本発明に係るタッチパネルは、凹凸面の凹部が、電極の厚さ方向に形成された貫通孔で構成されていてもよい。
このような構成によれば、凹凸面の凹部が、電極の厚さ方向に形成された貫通孔で構成されているため、光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能がより良好となる。また、これによって電極表面に防眩性も付与することができる。
また、本発明に係るタッチパネルは、凹凸面の凹部の側面が、凹部が形成された電極の表面に向かって広がるように傾斜していてもよい。
このような構成によれば、凹凸面の凹部の側面が、凹部が形成された電極の表面に向かって広がるように傾斜しているため、電極上に設ける保護膜等を傾斜した側面に沿って凹部に隙間無く埋設することができる。
さらに、本発明に係るタッチパネルは、凹凸面が、それぞれ電極の表面に規則的に形成されていてもよい。
このような構成によれば、凹凸面が、それぞれ電極の表面に規則的に形成されているため、電極表面全体に亘って抵抗値を均一化することができ、タッチパネルの接触位置検知性能が良好となる。さらに、電極において局所的に光の透過率が偏っている部分がないため、パネル面の表示性能が良好となる。
また、本発明に係るタッチパネルは、凹凸面の凹部及び凸部が不規則に形成されてなる凹凸セルが、電極の表面に規則的に複数形成されていてもよい。
このような構成によれば、凹凸面の凹部及び凸部が不規則に形成されてなる凹凸セルが電極表面に形成されているため、電極の光反射パターン、光透過パターン、又は、光回折パターン等が不規則となる。従って、電極表面にモアレ縞が発生するのを抑制することができる。また、このような凹凸セルが電極表面に規則的に複数形成されているため、電極表面全体としては凹凸が規則的に形成されていることになる。従って、パネル面の表示性能が良好となる。
さらに、本発明に係るタッチパネルは、抵抗調整部が電極の両表面に形成されていてもよい。
このような構成によれば、抵抗調整部が電極の両表面に形成されているため、所望の抵抗値及び光の透過率をより精度良く電極に形成することができる。
また、本発明に係るタッチパネルは、電極が透明導電材料で形成されていてもよい。
このような構成によれば、電極が透明導電材料で形成されているため、光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能が良好となる。
さらに、本発明に係るタッチパネルは、透明導電材料がITO、IZO、ZnO及びSnO2のうちの少なくとも一つで構成されていてもよい。
このような構成によれば、透明導電材料がITO、IZO、ZnO及びSnO2のうちの少なくとも一つで構成されているため、光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能が良好となる。
また、本発明に係るタッチパネルは、電極が矩形状に形成されていると共に、矩形状に形成された電極の四隅にそれぞれ電極に流れる電流を検知する電流検知手段が電気的に接続されていてもよい。
このような構成によれば、矩形状に形成され、その四隅に電流検知手段が電気的に接続されたタッチパネルの電極に対し、ある程度の膜厚を確保してパネル面内電極の抵抗値を均一に形成することができると共に、電極表面の抵抗を調整することにより、高抵抗化を実現することができる。
本発明に係る表示装置は、上述したタッチパネルを備えたことを特徴とする。
このような構成によれば、パネルのタッチ面対応領域に広がるように設けられた電極の少なくとも一方の表面に抵抗調整部が形成されているため、ある程度の膜厚を確保してパネル面内電極の抵抗値を均一に形成することができると共に、電極表面の抵抗を調整することにより高抵抗化を実現するタッチパネルを備えた表示装置を得ることができる。
本発明によれば、パネル面内電極に対し、その抵抗値をほぼ均一にまた安定して形成することができると共に、高抵抗化並びに高透過率化を実現するタッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置を提供することができる。
(実施形態1)
本実施形態1に係るタッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置について、液晶表示装置を例にして、図面を用いて詳細に説明する。
(タッチパネル10の構成)
図1は本発明の実施形態1に係るタッチパネル10の平面図(保護膜は省略)を、図2は、図1のタッチパネル10平面のII−II線における断面図を示す。
タッチパネル10は、絶縁性基板11と、絶縁性基板11上に形成されたパネル面内電極12と、パネル面内電極12上の四辺に額縁を構成するように配設された額縁配線13と、絶縁性基板11上に形成されてパネル面内電極12の四隅に電気的に接続する外側配線14(電流検知手段)と、絶縁性基板11上において、パネル面内電極12、額縁配線13及び外側配線14を覆うように形成された保護膜15と、で構成されている。
絶縁性基板11は、ガラス又は樹脂等の絶縁性材料を用いて矩形状に形成されている。
パネル面内電極12は、プラチナ、金、白金、銀、銅、アルミニウム又はパラジウム等の金属、或いは、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ZnO又はSnO2等の透明導電材料、さらには、高分子導電材料等を用いて形成されている。パネル面内電極12は、タッチパネル10のタッチ面を覆うように、即ち、タッチ面対応領域16に配置されており、矩形状に形成されている。パネル面内電極12は、複数の矩形状の切り欠き17(貫通孔)を有する格子状に形成されている。パネル面内電極12の表面は、この切り欠き17で構成された凹部と、それ以外のフラットな部分で構成された凸部とで、凹凸面18(抵抗調整部)が形成されている。パネル面内電極12は、厚さが、例えば300Å程度に形成されている。また、この場合、パネル面内電極12は、抵抗値及び透過率をより良好なものにするために、フラットな部分で構成された凸部の面積が、パネル面内電極12の表面の面積に対して30〜50%程度に形成されているのが好ましく、特に40%程度に形成されているのが最適である。
格子状に形成されたパネル面内電極12の斜視図を図3に示す。図3において、パネル面内電極12の格子を構成する各線の線幅Aは、例えば50μmに、ピッチ間隔Bは、例えば85μmに形成されている。
額縁配線13は、矩形状に形成されたパネル面内電極12上であって、パネル面内電極12の四辺に沿って額縁を構成するように配設されている。額縁配線13は、導電層20と、導電層20上に形成された保護層21と、で構成されている。
額縁配線13の導電層20は、プラチナ、金、白金、銀、銅、アルミニウム又はパラジウム等の金属、或いは、ITO、IZO、ZnO又はSnO2等の透明導電材料、さらには、高分子導電材料等を用いて形成されている。額縁配線13の導電層20は、厚さが、例えば2000Å程度に形成されている。
額縁配線13の保護層21は、導電層20を腐蝕等から保護するものであればどのようなものでもよく、例えば、窒化チタン等を用いて形成されている。額縁配線13の保護層21は、厚さが、例えば1000Å程度に形成されている。
外側配線14は、それぞれ、絶縁性基板11上であって、パネル面内電極12の四隅に電気的に接続された4本の配線で構成されている。外側配線14は、一端がパネル面内電極12の四隅のいずれかに電気的に接続されており、他端がそれぞれ同一方向へ向かい、後述の駆動回路19に電気的に接続されている。外側配線14は、額縁配線13と同様に、導電層20と、導電層20上に形成された保護層21と、で構成されている。外側配線14の導電層20及び保護層21は、額縁配線13を構成する導電層20及び保護層21と同様の構成材料で、且つ、同様の厚さで、それぞれ形成されている。
保護膜15は、絶縁性基板11上において、パネル面内電極12、額縁配線13及び外側配線14を覆うように形成されている。保護膜15は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、有機SOG膜、又は、感光性有機樹脂膜等で形成されている。
(液晶表示装置22の構成)
次に、本発明の実施形態1に係るタッチパネル10を用いた液晶表示装置22について説明する。
図4は、液晶表示装置22の断面図を示す。
液晶表示装置22は、液晶表示パネル23と、液晶表示パネル23の裏面に配置されたバックライト24と、液晶表示パネル23の表面に配置されたタッチパネル10と、を備えている。
液晶表示パネル23は、ガラス基板を有するTFT基板25と、赤色絵素、緑色絵素及び青色絵素で構成されたカラーフィルタが形成され、ガラス基板を有するCF基板26と、を有している。TFT基板25とCF基板26との間には不図示の液晶層及びスペーサが形成されている。
TFT基板25は、その液晶層側(内側)に、画素領域がマトリクス状に形成され、画素領域に対応して、画素電極、薄膜トランジスタ等(それぞれ不図示)が形成されている。TFT基板25は、その基板端部にドライバIC27が設けられている。TFT基板25の基板端部には、コントローラが形成されたフレキシブルプリント基板(それぞれ不図示)が設けられている。
このドライバIC27及び上述のタッチパネル10の駆動回路19は、それぞれ不図示のコントローラに電気的に接続されている。
CF基板26は、ガラス基板上であって、その液晶層側(内側)に、いずれも不図示の赤色絵素、緑色絵素及び青色絵素と、これらの間に配置された遮光層および対向電極等の表示素子が形成されている。
また、TFT基板25及びCF基板26は、それぞれの外側表面に偏光板28及び保護フィルム29が形成されている。
バックライト24は、液晶表示パネル23のTFT基板25側に配置されている。バックライト24は、光源と、光源から出射された光を受けてその中を伝播させながら液晶表示パネル23に向けて出射する導光板と、導光板の裏面から出射された光を導光板に向けて反射する反射板(いずれも不図示)とを有している。
(タッチパネル10及びそれを用いた液晶表示装置22の機能)
次に、タッチパネル10及びそれを用いた液晶表示装置22の機能について説明する。
まず、コントローラから送られた信号によってTFT基板25のドライバIC27が薄膜トランジスタで構成されるスイッチング素子を作動させ、液晶の配列状態を変化させる。
液晶の配列状態が変化すると、液晶表示パネル23の表面に文字や画像が表示される。
ドライバIC27へ信号を送ったコントローラは、それと同時にタッチパネル10の駆動回路19へも信号を送り、パネル面内電極12の四隅へ外側配線14を通して電流を流す。
外側配線14を通してパネル面内電極12の四隅へ流れた電流は、額縁配線13を通り、パネル面内電極12全体に一様に電圧を加える。
このような状態において、液晶表示画面に表示された文字や画像から、選択すべき項目が位置するタッチパネル10のタッチ面を、指又はタッチペン等の接触物によってタッチする。
タッチパネル10のタッチ面が接触物によってタッチされると、パネル面内電極12の接触部に対応する位置が容量結合して静電容量が変化する。
静電容量が変化すると、パネル面内電極12の四隅に接続された外側配線14に、それぞれ接触物までの距離に比例した電流信号が流れる。
パネル面内電極12の四隅に接続された外側配線14に流れた電流信号は、駆動回路19を通りコントローラへ送られて、それぞれの電流値に基づいて接触物の位置座標が算出される。
算出された位置座標をもとに、コントローラは、再度TFT基板25のドライバIC27へ信号を送り、液晶表示画面の文字や画像を所望のものに変化させる。
(タッチパネル10及びそれを備えた液晶表示装置22の製造方法)
次に、タッチパネル10及びそれを備えた液晶表示装置22の製造方法について、図を用いて詳細に説明する。
(パネル面内電極12形成工程)
まず、図5に示すように、絶縁性基板11上に、スパッタリング法により、IZO膜30(厚さ300Å程度)を成膜する。
続いて、IZO膜30上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン(不図示)を形成する。
次に、上述のレジストパターンをマスクとして、IZO膜30を格子状にウエットエッチングすることにより、図6に示すパネル面内電極12を形成する。
(配線形成工程)
続いて、図7に示すように、スパッタリング法により、金属導電膜として、絶縁性基板11及びパネル面内電極12上に、例えば、アルミニウム膜31(厚さ2000Å程度)と窒化チタン膜32(厚さ1000Å程度)とを、それぞれ成膜する。
次に、窒化チタン膜32上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン(不図示)を形成する。
次いで、レジストパターンをマスクとして、アルミニウム膜31及び窒化チタン膜32をそれぞれドライエッチングすることにより、図8に示すように、額縁配線13及び外側配線14をそれぞれ形成する。
(保護膜15形成工程)
次に、図9に示すように、絶縁性基板11、パネル面内電極12、額縁配線13及び外側配線14をそれぞれ覆うように、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、窒化シリコン膜(厚さ1500Å程度)を成膜する。
続いて、窒化シリコン膜上に、感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後に、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン(不図示)を形成する。
次に、レジストパターンをマスクとして、窒化シリコン膜をドライエッチング又はウエットエッチングすることにより、図2に示すように、保護膜15を形成する。
以上によって、タッチパネル10を製造する。
尚、本実施形態では、パネル面内電極12をIZO膜により形成したが、スパッタリング法を用いて高抵抗のITO膜やATO(アンチモン・スズ酸化物)膜などにより形成してもよい。また、フレキソ印刷やインクジェット印刷などの印刷法を用いてITOナノインクや高分子導電膜などにより形成してもよい。ここで、ナノインクとは、直径数nmの微粒子を溶媒に分散させたインクである。
また、本実施形態では、額縁配線13及び外側配線14を、アルミニウム膜等により形成したが、フレキソ印刷やインクジェット印刷などの印刷法を用いてAuやAgを分散させたナノインク等により形成してもよい。
さらに、本実施形態では、保護膜15を窒化シリコン膜などの無機絶縁膜により形成したが、マスクデポスパッタリング法を用いて酸化シリコン膜などの無機絶縁膜により形成してもよい。また、スピンコート法を用いて有機SOG(Spin on Glass)膜や感光性有機樹脂膜等により形成したり、ドライフィルムラミネートを用いて有機絶縁膜等により形成してもよい。また、有機SOG膜や感光性有機樹脂膜をフレキソ印刷やインクジェット印刷などで成膜(パターニング)して、保護膜15を直接形成してもよい。
(液晶表示装置22の製造工程)
次に、タッチパネル10を備えた液晶表示装置22の製造工程について説明する。
(CF基板26の形成工程)
まず、ガラス基板を用意する。そして、ガラス基板上の遮光部となる領域で額縁部に、例えば、10mm以下、画素間に幅5〜50μmのブラックマトリクスをスパッタリング法などにより形成する。次に、ガラス基板上の表示部となる領域に赤の顔料が分散された樹脂フィルム(ドライフィルム)を全面にラミネートし、露光、現像及びベーク(熱処理)を行って、第1色層(赤)を形成する。次に、第1色層に重ねて、緑色の顔料が分散された樹脂フィルムを全面にラミネートし、露光、現像及びベーク(熱処理)を行って、第2色層(緑)を形成する。同様に、第3色層(青)を形成する。次に、色層上にITOを蒸着して対向電極を形成し、続いて配向膜を形成する。
以上の工程により、CF基板26を作製する。
(TFT基板25の形成工程)
続いて、ガラス基板を用意し、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成する。次いで、エッチング保護膜を形成し、パターン形成を行う。次に、コンタクトホール、ドレイン電極及びソース電極を形成する。次に、同一工程又は別工程によって、基板端部にドライバIC27を設け、薄膜トランジスタを形成し、さらに、コントローラを形成する。次いで、ITOを真空蒸着してパターン形成し、画素電極を形成する。続いて、セル厚を規定するためのスペーサを、フォトリソグラフィ工程を経て複数形成する。尚、スペーサはCF基板26側に形成してもよい。
以上の工程により、TFT基板25を作製する。
(液晶表示パネル23の形成工程)
次に、TFT基板25の遮光部に連続して途切れなくシール材を塗布する。
次いで、ディスペンサ等を用いて、例えば1ショット当り2mgの液晶材料をTFT基板25に滴下する。この際、液晶材料はTFT基板25の遮光部外周囲に枠状に塗布されたシール材の内方に滴下する。
続いて、液晶材料が滴下されたTFT基板25にCF基板26を位置合わせして貼り付ける。このとき、貼り付けられたCF基板26及びTFT基板25におけるシール材で囲まれた領域に、液晶表示セルが形成される。この工程は真空中で行われる。次いで、大気中に戻すと貼り合わされたTFT基板25及びCF基板26間の液晶材料が大気圧により拡散する。
このようにして、液晶材料を2枚の基板間に封止して貼り合わせ基板を形成し、その両表面に保護膜15を設けることにより、液晶表示パネル23を作製する。
次に、液晶表示パネル23のCF基板26側表面にタッチパネル10を設け、タッチパネル10の駆動回路19と液晶表示パネル23のコントローラとを電気的に接続する。
さらに、TFT基板25側表面にバックライト24等を設けて液晶表示装置22を完成させる。
(実施形態2)
次に、本発明の実施形態2に係るタッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置について、液晶表示装置を例にして説明する。
本実施形態2に係るタッチパネル40は、上述の実施形態1に係るタッチパネル10と比較して、パネル面内電極に溝が形成されている点を特徴とするものである。
また、以下、実施形態1に係るタッチパネル10及びそれを用いた液晶表示装置22と同様の構成要素については、同符号を付し、その説明を省略する。
(タッチパネル40及びそれを備えた液晶表示装置49の構成)
図4は、本実施形態2に係るタッチパネル40及びそれを備えた液晶表示装置49の断面図を示す。
液晶表示装置49は、液晶表示パネル23と、液晶表示パネル23の裏面に配置されたバックライト24と、液晶表示パネル23の表面に配置されたタッチパネル40と、を備えている。
また、図10は本発明の実施形態2に係るタッチパネル40の平面図(保護膜は省略)を、図11は、図10のタッチパネル40平面のXI−XI線における断面図を示す。
タッチパネル40は、絶縁性基板41と、絶縁性基板41上に形成されたパネル面内電極42と、パネル面内電極42上の四辺に額縁を構成するように配設された額縁配線43と、絶縁性基板41上に形成されてパネル面内電極42の四隅に電気的に接続する外側配線44(電流検知手段)と、絶縁性基板41上において、パネル面内電極42、額縁配線43及び外側配線44を覆うように形成された保護膜45と、で構成されている。
パネル面内電極42は、プラチナ、金、白金、銀、銅、アルミニウム又はパラジウム等の金属、或いは、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ZnO又はSnO2等の透明導電材料、さらには、高分子導電材料等を用いて形成されている。パネル面内電極42は、タッチパネル40のタッチ面を覆うように配置されており、矩形状に形成されている。パネル面内電極42は、厚さが、例えば300Å程度に形成されている。また、この場合、抵抗値及び透過率をより良好なものにするために、パネル面内電極42は、フラットな部分で構成された凸部の面積が、パネル面内電極42の表面の面積に対して30〜50%程度に形成されているのが好ましく、特に40%程度に形成されているのが最適である。パネル面内電極42は、その表面全体に亘って格子状に設けられた溝47が形成されている。溝47の深さ、幅及びピッチ間隔はどのようなものであってもよいが、例えば、深さが150Å程度、幅が50μm程度、そして、ピッチ間が85μm程度に形成されている。パネル面内電極42の表面は、この溝47で構成された凹部と、それ以外のフラットな部分で構成された凸部とで、凹凸面48(抵抗調整部)が形成されている。
尚、パネル面内電極42の溝47は、上述したように格子状に形成されていなくてもよく、一方向に連続して形成されていてもよく、又、パネル面内電極42表面の所々に不連続に形成されていてもよい。さらに、上述のように表面に形成されていなくてもよく、裏面側に形成されていてもよい。
額縁配線43は、矩形状に形成されたパネル面内電極42上であって、パネル面内電極42の四辺に沿って額縁を構成するように配設されている。額縁配線43は、導電層20と、導電層20上に形成された保護層21と、で構成されている。
外側配線44は、それぞれ、絶縁性基板41上であって、パネル面内電極42の四隅に電気的に接続された4本の配線で構成されている。外側配線44は、一端がパネル面内電極42の四隅のいずれかに電気的に接続されており、他端がそれぞれ同一方向へ向かい、後述の駆動回路75に電気的に接続されている。外側配線44は、額縁配線43と同様に、導電層20と、導電層20上に形成された保護層21と、で構成されている。外側配線44の導電層20及び保護層21は、額縁配線43を構成する導電層20及び保護層21と同様の構成材料で、且つ、同様の厚さで、それぞれ形成されている。
保護膜45は、絶縁性基板41上において、パネル面内電極42、額縁配線43及び外側配線44を覆うように形成されている。保護膜45は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、有機SOG膜、又は、感光性有機樹脂膜等で形成されている。
(タッチパネル40及びそれを備えた液晶表示装置49の製造方法)
次に、タッチパネル40及びそれを備えた液晶表示装置49の製造方法について説明する。
まず、絶縁性基板41上に、スパッタリング法により、IZO膜(厚さ300Å程度)を成膜する。
続いて、IZO膜上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン(不図示)を形成する。
次に、上述のレジストパターンをマスクとして、IZO膜を格子状にウエットエッチングすることにより、格子状に設けた溝47を形成し、パネル面内電極42を作製する。
次に、絶縁性基板41及びパネル面内電極42上に、実施形態1と同様にして額縁配線43及び外側配線44を形成し、さらに保護膜45を設けてタッチパネル40を作製する。
次いで、実施形態1と同様にして液晶表示パネル23を作製し、これにタッチパネル40及びバックライト24をそれぞれ設けて液晶表示装置49を作製する。
(実施形態3)
次に、本発明の実施形態3に係るタッチパネル50及びタッチパネル50を用いた表示装置について、液晶表示装置59を例にして説明する。
本実施形態3に係るタッチパネル50は、上述の実施形態1に係るタッチパネル10と比較して、パネル面内電極に側面が広がる形状の溝57が形成されている点を特徴とするものである。
また、以下、実施形態1に係るタッチパネル10及びそれを用いた液晶表示装置22と同様の構成要素については、同符号を付し、その説明を省略する。
(タッチパネル50及びそれを備えた液晶表示装置59の構成)
図4は、本実施形態3に係るタッチパネル50及びそれを備えた液晶表示装置59の断面図を示す。
液晶表示装置59は、液晶表示パネル23と、液晶表示パネル23の裏面に配置されたバックライト24と、液晶表示パネル23の表面に配置されたタッチパネル50と、を備えている。
また、図12は本発明の実施形態3に係るタッチパネル50の平面図(保護膜55は省略)を、図13は、図12のタッチパネル50平面のXIII−XIII線における断面図を示す。
タッチパネル50は、絶縁性基板51と、絶縁性基板51上に形成されたパネル面内電極52と、パネル面内電極52上の四辺に額縁を構成するように配設された額縁配線53と、絶縁性基板51上に形成されてパネル面内電極52の四隅に電気的に接続する外側配線54(電流検知手段)と、絶縁性基板51上において、パネル面内電極52、額縁配線53及び外側配線54を覆うように形成された保護膜55と、で構成されている。
パネル面内電極52は、プラチナ、金、白金、銀、銅、アルミニウム又はパラジウム等の金属、或いは、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ZnO又はSnO2等の透明導電材料、さらには、高分子導電材料等を用いて形成されている。パネル面内電極52は、タッチパネル50のタッチ面を覆うように配置されており、矩形状に形成されている。パネル面内電極52は、厚さが、例えば300Å程度に形成されている。また、この場合、抵抗値及び透過率をより良好なものにするために、パネル面内電極52は、フラットな部分で構成された凸部の面積が、パネル面内電極52の表面の面積に対して30〜50%程度に形成されているのが好ましく、特に40%程度に形成されているのが最適である。パネル面内電極52は、その表面全体に亘って格子状に設けられた溝57が形成されている。溝57の側面は、電極の表面に向かって広がって傾斜するように形成されている。溝57の側面の傾斜角はどのようなものであってもよく、例えば垂線方向から45度外側へ広がって傾斜するように形成されている。パネル面内電極52の表面は、この溝57で構成された凹部と、それ以外のフラットな部分で構成された凸部とで、凹凸面58(抵抗調整部)が形成されている。
尚、パネル面内電極52の溝57は、上述したように格子状に形成されていなくてもよく、一方向に連続して形成されていてもよく、又、パネル面内電極52表面の所々に不連続に形成されていてもよい。
額縁配線53は、矩形状に形成されたパネル面内電極52上であって、パネル面内電極52の四辺に沿って額縁を構成するように配設されている。額縁配線53は、導電層20と、導電層20上に形成された保護層21と、で構成されている。
外側配線54は、それぞれ、絶縁性基板51上であって、パネル面内電極52の四隅に電気的に接続された4本の配線で構成されている。外側配線54は、一端がパネル面内電極52の四隅のいずれかに電気的に接続されており、他端がそれぞれ同一方向へ向かい、後述の駆動回路76に電気的に接続されている。外側配線54は、額縁配線53と同様に、導電層20と、導電層20上に形成された保護層21と、で構成されている。外側配線54の導電層20及び保護層21は、額縁配線53を構成する導電層20及び保護層21と同様の構成材料で、且つ、同様の厚さで、それぞれ形成されている。
保護膜55は、絶縁性基板51上において、パネル面内電極52、額縁配線53及び外側配線54を覆うように形成されている。保護膜55は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、有機SOG膜、又は、感光性有機樹脂膜等で形成されている。
(タッチパネル50及びそれを備えた液晶表示装置59の製造方法)
次に、タッチパネル50及びそれを備えた液晶表示装置59の製造方法について説明する。
まず、絶縁性基板51上に、スパッタリング法により、IZO膜(厚さ300Å程度)を成膜する。
続いて、IZO膜上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン(不図示)を形成する。
次に、上述のレジストパターンをマスクとして、IZO膜を格子状にウエットエッチングすることにより、格子状に設けた、側面が広がるように形成された溝57を形成し、パネル面内電極52を作製する。
次に、絶縁性基板51及びパネル面内電極52上に、実施形態1と同様にして額縁配線53及び外側配線54を形成し、さらに保護膜55を設けてタッチパネル50を作製する。
次いで、実施形態1と同様にして液晶表示パネル23を作製し、これにタッチパネル50及びバックライト24をそれぞれ設けて液晶表示装置59を作製する。
(実施形態4)
次に、本発明の実施形態4に係るタッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置について、液晶表示装置を例にして説明する。
本実施形態4に係るタッチパネル60は、上述の実施形態1に係るタッチパネル10と比較して、パネル面内電極に数種の切り欠き71,72,73が不規則に形成されてなる凹凸セル70が、上記電極の表面に規則的に複数形成されている点を特徴とするものである。
また、以下、実施形態1に係るタッチパネル60及びそれを用いた液晶表示装置69と同様の構成要素については、同符号を付し、その説明を省略する。
(タッチパネル60及びそれを備えた液晶表示装置69の構成)
図4は、本実施形態4に係るタッチパネル60及びそれを備えた液晶表示装置69の断面図を示す。
液晶表示装置69は、液晶表示パネル23と、液晶表示パネル23の裏面に配置されたバックライト24と、液晶表示パネル23の表面に配置されたタッチパネル60と、を備えている。
また、図14は本発明の実施形態4に係るタッチパネル60の平面図(保護膜65は省略)を、図15は、図14のタッチパネル60平面のXV−XV線における断面図を示す。
タッチパネル60は、絶縁性基板61と、絶縁性基板61上に形成されたパネル面内電極62と、パネル面内電極62上の四辺に額縁を構成するように配設された額縁配線63と、絶縁性基板61上に形成されてパネル面内電極62の四隅に電気的に接続する外側配線64(電流検知手段)と、絶縁性基板61上において、パネル面内電極62、額縁配線63及び外側配線64を覆うように形成された保護膜65と、で構成されている。
パネル面内電極62は、プラチナ、金、白金、銀、銅、アルミニウム又はパラジウム等の金属、或いは、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ZnO又はSnO2等の透明導電材料、さらには、高分子導電材料等を用いて形成されている。パネル面内電極62は、タッチパネル60のタッチ面を覆うように配置されており、矩形状に形成されている。パネル面内電極62は、厚さが、例えば300Å程度に形成されている。パネル面内電極62は、円形、楕円形及び矩形状の切り欠き71,72,73(貫通孔)が、それぞれ不規則に形成されてなる凹凸セル70が、規則的に配列されて複数形成されている。パネル面内電極62の表面は、この切り欠き71,72,73で構成された凹部と、それ以外のフラットな部分で構成された凸部とで、凹凸面68(抵抗調整部)が形成されている。
凹凸セル70は、それぞれタッチパネル60のタッチ面に触れる接触物の接触面積より小さいものであるのが良い。より具体的には、凹凸セル70をそれぞれ約1mm四方程度に形成し、幼児の指やタッチペンのペン先等を接触させても、その接触面積が少なくとも一つの凹凸セル70を覆うようにする。このように凹凸セル70を形成すると、接触物が、凹凸セル70の不規則に形成した切り欠き71,72,73をすべて覆うように接触することができる。従って、接触物のパネル面内電極62表面における接触位置をより正確に検知することができる。
一つの凹凸セル70に形成された切り欠き71,72,73は、それぞれタッチパネル60の抵抗値及び透過率をより良好なものにするために、それらを合わせた面積を一つの凹凸セル70の面積との関係で調整するのが良い。具体的には、本実施形態におけるパネル面内電極62の膜厚を300Åに形成しているため、一つの凹凸セル70のうち、切り欠き71,72,73を合わせた面積を除いた部分が、一つの凹凸セル70全体の面積に対して30〜50%程度に形成されているのが好ましく、特に40%程度に形成されているのが最適である。
また、切り欠き71,72,73は、それぞれ上述した形状に限らず、多角形状等のその他の形状であってもよい。また、その凹凸セル70内の配列や個数も上述のものに限らず、不規則的に配列されていればどのようなものであってもよい。さらに、凹部を構成するものは、上述のように切り欠きでなくてもよく、数種の形状からなる溝が形成されていてもよい。
額縁配線63は、矩形状に形成されたパネル面内電極62上であって、パネル面内電極62の四辺に沿って額縁を構成するように配設されている。額縁配線63は、導電層20と、導電層20上に形成された保護層21と、で構成されている。
外側配線64は、それぞれ、絶縁性基板61上であって、パネル面内電極62の四隅に電気的に接続された4本の配線で構成されている。外側配線64は、一端がパネル面内電極62の四隅のいずれかに電気的に接続されており、他端がそれぞれ同一方向へ向かい、後述の駆動回路77に電気的に接続されている。外側配線64は、額縁配線63と同様に、導電層20と、導電層20上に形成された保護層21と、で構成されている。外側配線64の導電層20及び保護層21は、額縁配線63を構成する導電層20及び保護層21と同様の構成材料で、且つ、同様の厚さで、それぞれ形成されている。
保護膜65は、絶縁性基板61上において、パネル面内電極62、額縁配線63及び外側配線64を覆うように形成されている。保護膜65は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、有機SOG膜、又は、感光性有機樹脂膜等で形成されている。
(タッチパネル60及びそれを備えた液晶表示装置69の製造方法)
次に、タッチパネル60及びそれを備えた液晶表示装置69の製造方法について説明する。
まず、絶縁性基板61上に、スパッタリング法により、IZO膜(厚さ300Å程度)を成膜する。
続いて、IZO膜上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン(不図示)を形成する。
次に、上述のレジストパターンをマスクとして、IZO膜をウエットエッチングすることにより、円形、楕円形及び矩形状の切り欠き71,72,73がそれぞれ不規則に形成されてなる凹凸セル70を規則的に配列されて複数形成し、パネル面内電極62を作製する。
次に、絶縁性基板61及びパネル面内電極62上に、実施形態1と同様にして額縁配線63及び外側配線64を形成し、さらに保護膜65を設けてタッチパネル60を作製する。
次いで、実施形態1と同様にして液晶表示パネル23を作製し、これにタッチパネル60及びバックライト24をそれぞれ設けて液晶表示装置69を作製する。
(実施形態5)
次に、本発明の実施形態5に係るタッチパネル80及びタッチパネル80を用いた表示装置について、液晶表示装置を例にして説明する。
本実施形態5に係るタッチパネル80は、上述の実施形態2に係るタッチパネル40と比較して、その表面全体に亘って格子状に設けられた溝87が、裏面側にも同様に形成されている点を特徴とするものである。
また、以下、実施形態2に係るタッチパネル40及びそれを用いた液晶表示装置49と同様の構成要素については、同符号を付し、その説明を省略する。
(タッチパネル80及びそれを備えた液晶表示装置89の構成)
図4は、本実施形態5に係るタッチパネル80及びそれを備えた液晶表示装置89の断面図を示す。
液晶表示装置89は、液晶表示パネル23と、液晶表示パネル23の裏面に配置されたバックライト24と、液晶表示パネル23の表面に配置されたタッチパネル80と、を備えている。
また、図16は本発明の実施形態4に係るタッチパネル80の平面図(保護膜85は省略)を、図17は、図16のタッチパネル80平面のXVII−XVII線における断面図を示す。
タッチパネル80は、絶縁性基板81と、絶縁性基板81上に形成されたパネル面内電極82と、パネル面内電極82上の四辺に額縁を構成するように配設された額縁配線83と、絶縁性基板81上に形成されてパネル面内電極82の四隅に電気的に接続する外側配線84(電流検知手段)と、絶縁性基板81上において、パネル面内電極82、額縁配線83及び外側配線84を覆うように形成された保護膜85と、で構成されている。
パネル面内電極82は、プラチナ、金、白金、銀、銅、アルミニウム又はパラジウム等の金属、或いは、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ZnO又はSnO2等の透明導電材料、さらには、高分子導電材料等を用いて形成されている。パネル面内電極82は、タッチパネル80のタッチ面を覆うように配置されており、矩形状に形成されている。パネル面内電極82は、厚さが、例えば300Å程度に形成されている。また、この場合、抵抗値及び透過率をより良好なものにするために、パネル面内電極82は、その表面及び裏面のそれぞれについて、フラットな部分で構成された凸部の面積が、パネル面内電極82のそれぞれの面の面積に対して30〜50%程度に形成されているのが好ましく、特に40%程度に形成されているのが最適である。パネル面内電極82は、その表面全体に亘って格子状に設けられた溝87が形成されている。さらに、その裏面全体に亘っても同様に、格子状に設けられた溝87が形成されている。パネル面内電極82の表面及び裏面は、それぞれ、この溝87で構成された凹部と、それ以外のフラットな部分で構成された凸部とで、凹凸面88(抵抗調整部)が形成されている。溝87の深さ、幅及びピッチ間隔はどのようなものであってもよいが、例えば、深さが150Å程度、幅が50μm程度、そして、ピッチ間が85μm程度に形成されている。
額縁配線83は、矩形状に形成されたパネル面内電極82上であって、パネル面内電極82の四辺に沿って額縁を構成するように配設されている。額縁配線83は、導電層20と、導電層20上に形成された保護層21と、で構成されている。
外側配線84は、それぞれ、絶縁性基板81上であって、パネル面内電極82の四隅に電気的に接続された4本の配線で構成されている。外側配線84は、一端がパネル面内電極82の四隅のいずれかに電気的に接続されており、他端がそれぞれ同一方向へ向かい、後述の駆動回路78に電気的に接続されている。外側配線84は、額縁配線83と同様に、導電層20と、導電層20上に形成された保護層21と、で構成されている。外側配線84の導電層20及び保護層21は、額縁配線83を構成する導電層20及び保護層21と同様の構成材料で、且つ、同様の厚さで、それぞれ形成されている。
保護膜85は、絶縁性基板81上において、パネル面内電極82、額縁配線83及び外側配線84を覆うように形成されている。保護膜85は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、有機SOG膜、又は、感光性有機樹脂膜等で形成されている。
(タッチパネル80及びそれを備えた液晶表示装置89の製造方法)
次に、タッチパネル80及びそれを備えた液晶表示装置89の製造方法について説明する。
まず、用意した絶縁性基板81にレジスト膜を形成し、露光及び現像を行い、所定のレジストパターンを形成する。
続いて、上述のレジストパターン(不図示)をマスクとして、絶縁性基板81をウェトエッチングすることにより、パネル面内電極82形成予定領域に図に示すような格子状の壁部を形成する。
次に、格子状の壁部が形成された絶縁性基板81上に、スパッタリング法により、IZO膜(厚さ300Å程度)を成膜する。
続いて、IZO膜上に感光性樹脂からなるレジストを塗布してレジスト膜を成膜した後、そのレジスト膜に対して、露光及び現像を行い、所定のレジストパターン(不図示)を形成する。
次に、上述のレジストパターンをマスクとして、IZO膜をウエットエッチングすることにより、格子状に設けた溝87を形成し、パネル面内電極82を作製する。
次に、絶縁性基板81及びパネル面内電極82上に、実施形態2と同様にして額縁配線83及び外側配線84を形成し、さらに保護膜85を設けてタッチパネル80を作製する。
次いで、実施形態1と同様にして液晶表示パネル23を作製し、これにタッチパネル80及びバックライト24をそれぞれ設けて液晶表示装置89を作製する。
尚、本実施形態では、絶縁性基板上に、パネル面内電極を形成し、その上に額縁配線を形成したが、これに限られず、絶縁性基板上に額縁配線を形成し、そこへパネル面内電極を形成してもよい。この場合、パネル面内電極は、その端部のみが額縁配線上に形成されている構成となる。
また、表示装置として液晶表示装置を例に挙げたが、これに限定されず、PDP(plasma display panel;プラズマディスプレイパネル)、有機EL(organic electroluminescence )、又は、SED(surface-conduction electron-emitter display;表面電界ディスプレイ)等のその他の表示装置についても本発明に係るタッチパネルを用いることができる。
(試験評価1)
表面に凹凸を形成していない膜厚がほぼ均一なパネル面内電極を有するタッチパネルについて、パネル面内電極の膜厚と、電極の抵抗(シート抵抗)及びその抵抗値の電極内における分布率との関係を調べるための評価試験を行った。
〈試験評価用タッチパネル〉
試験評価用タッチパネルについては、膜厚が、それぞれ100、200,300,400,500Åのパネル面内電極82を有するタッチパネルを採用した。
〈試験評価方法〉
上記試験評価用の各タッチパネルについて、パネル面内電極の所定領域におけるシート抵抗をそれぞれ複数箇所測定し、さらにその抵抗値の電極面内分布率を算出した。
〈試験評価結果〉
試験評価1の結果を図18に示す。
図18において、各シート抵抗値を挟んで記された上下の抵抗値は、それぞれ複数箇所測定して得られた抵抗値の最大値及び最小値を示している。そして、電極面内分布率は、複数箇所測定して得られたシート抵抗の平均値からの最大値及び最小値の差の割合を示している。
図18によって、膜厚を100Åから500Åへと増大させていくほど、パネル面内電極のシート抵抗は下がり、電極面内分布率も低下するという結果が得られた。
(試験評価2)
次に、本発明の実施形態2に係るタッチパネル40と同様の構成のタッチパネルについて、パネル面内電極の膜厚及び面積比率と、電極の抵抗(シート抵抗)と、の関係を調べるための評価試験を行った。
〈試験評価用タッチパネル〉
試験評価用タッチパネルについては、膜厚が、それぞれ100、200,300Åであるパネル面内電極を有するものを採用した。また、これらのパネル面内電極は、それぞれ複数の矩形状の切り欠きを有する格子状に形成されており、その電極表面の面積がパネル面に対して約60〜80%程度であるもの、即ち、パネル面に対して約20〜40%程度の面積が切り欠かれているものを用いた。
〈試験評価方法〉
上記試験評価用の各タッチパネルについて、パネル面内電極の所定領域におけるシート抵抗をそれぞれ測定した。
〈試験評価結果〉
試験評価2の結果を図19に示す。
図19から、膜厚が100Åで均一に形成されたパネル面内電極と同等のシート抵抗を実現するためには、膜厚が200Åのパネル面内電極の場合は、電極表面のパネル面に対する面積の割合を約60%程度に形成するのがよいことがわかる。さらに、膜厚が300Åのパネル面内電極の場合は、電極表面のパネル面に対する面積の割合を約50%程度に形成するのがよいことがわかる。
また、図18及び図19を比較することにより、例えば、膜厚が300Åのパネル面内電極に関しては、試験評価1のタッチパネルのパネル面内電極ではシート抵抗が所定領域あたり約165オーム程度であるのに対し、試験評価2の電極表面のパネル面に対する面積の割合を約60%程度に形成したものは約500オーム程度と、約3倍の値を有することがわかる。従って、パネル面内電極の表面積を調整することで、効率良く電極の高抵抗化が可能となることがわかる。
(試験評価3)
次に、本発明の実施形態2に係るタッチパネル40と同様の構成のタッチパネルについて、パネル面内電極の膜厚及び面積比率と、タッチパネルの透過率との関係を調べるための評価試験を行った。
〈試験評価用タッチパネル〉
試験評価用タッチパネルについては、膜厚が、それぞれ100、200,300Åであるパネル面内電極を有するものを採用した。また、これらのパネル面内電極は、それぞれ複数の矩形状の切り欠きを有する格子状に形成されており、その電極表面の面積がパネル面に対して約60及び80%程度であるもの、即ち、パネル面に対してそれぞれ約40及び20%程度の面積が切り欠かれているものを用いた。
〈試験評価方法〉
上記試験評価用の各タッチパネルについて、下側に所定のバックライトを設置して光を照射させ、透過率をそれぞれ測定した。
〈試験評価結果〉
試験評価3の結果を図20に示す。
図20から、膜厚が100Åで均一に形成されたパネル面内電極と同等の透過率を実現するためには、膜厚が200Åのパネル面内電極の場合は、電極表面のパネル面に対する面積の割合を約50%程度に形成するのがよいことがわかる。さらに、膜厚が300Åのパネル面内電極の場合は、電極表面のパネル面に対する面積の割合を約40%程度に形成するのがよいことがわかる。
(作用効果)
次に、作用効果について説明する。
本発明の実施形態1〜5に係るタッチパネル10,40,50,60,80は、パネルのタッチ面に接触物を接触させてそのタッチ面における接触位置を検出するタッチパネルであって、絶縁性基板11,41,51,61,81と、絶縁性基板11,41,51,61,81上の少なくともタッチ面対応領域16に広がるように設けられ、且つ、少なくとも一方の表面に抵抗調整部18,48,58,68,88が形成されたパネル面内電極12,42,52,62,82と、を備えたことを特徴とする。
このような構成によれば、パネルのタッチ面対応領域16に広がるように設けられたパネル面内電極12,42,52,62,82の少なくとも一方の表面に抵抗調整部18,48,58,68,88が形成されているため、ある程度の膜厚を確保してパネル面内電極12,42,52,62,82の抵抗値を均一に形成することができると共に、電極表面の抵抗を調整することにより、高抵抗化を実現することができる。
また、本発明の実施形態1〜5に係るタッチパネル10,40,50,60,80は、抵抗調整部が、電極表面に形成された凹凸面18,48,58,68,88で構成されていることを特徴とする。
このような構成によれば、抵抗調整部が、電極表面に形成された凹凸面18,48,58,68,88で構成されているため、凹部の形成されていないフラットな表面で形成されたものに比べて光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能がより良好となる。また、これによって電極表面に防眩性も付与することができる。
さらに、本発明の実施形態2,3,5に係るタッチパネル40,50,80は、凹凸面48,68,88の凹部が、電極表面に形成された溝47,57,87で構成されていることを特徴とする。
このような構成によれば、凹凸面48,68,88の凹部が、電極表面に形成された溝47,57,87で構成されているため、パターニング等の通常の電極形成処理によって簡易に電極表面に凹凸面48,68,88を形成することができる。
また、本発明の実施形態2,3,5に係るタッチパネル40,50,80は、溝47,57,87が電極表面に格子状に設けられていることを特徴とする。
このような構成によれば、溝47,57,87が電極表面に格子状に設けられているため、電極表面全体に亘って抵抗値を均一化することができ、タッチパネル40,50,80の接触位置検知性能が良好となる。
さらに、本発明の実施形態1,4に係るタッチパネル10,60は、凹凸面18,68の凹部が、電極の厚さ方向に形成された貫通孔で構成されていることを特徴とする。
このような構成によれば、凹凸面88の凹部が、電極の厚さ方向に形成された貫通孔17,71,72,73で構成されているため、光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能がより良好となる。また、これによって電極表面に防眩性も付与することができる。
また、本発明の実施形態3に係るタッチパネル50は、凹凸面58の凹部の側面が、凹部が形成された電極の表面に向かって広がるように傾斜していることを特徴とする。
このような構成によれば、凹凸面58の凹部の側面が、凹部が形成された電極の表面に向かって広がるように傾斜しているため、電極上に設ける保護膜55等を傾斜した側面に沿って凹部に隙間無く埋設することができる。
さらに、本発明の実施形態1〜5に係るタッチパネル10,40,50,60,80は、凹凸面18,48,58,68,88が、それぞれ電極の表面に規則的に形成されていることを特徴とする。
このような構成によれば、凹凸面18,48,58,68,88が、それぞれ電極の表面に規則的に形成されているため、電極表面全体に亘って抵抗値を均一化することができ、タッチパネル10,40,50,60,80の接触位置検知性能が良好となる。さらに、電極において局所的に光の透過率が偏っている部分がないため、パネル面の表示性能が良好となる。
また、本発明の実施形態4に係るタッチパネル60は、凹凸面68の凹部及び凸部が不規則に形成されてなる凹凸セル70が、電極の表面に規則的に複数形成されていることを特徴とする。
このような構成によれば、凹凸面68の凹部及び凸部が不規則に形成されてなる凹凸セル70が電極表面に形成されているため、電極の光反射パターン、光透過パターン、又は、光回折パターン等が不規則となる。従って、電極表面にモアレ縞が発生するのを抑制することができる。また、このような凹凸セル70が電極表面に規則的に複数形成されているため、電極表面全体としては凹凸が規則的に形成されていることになる。従って、パネル面の表示性能が良好となる。
さらに、本発明の実施形態5に係るタッチパネル80は、抵抗調整部88が電極の両表面に形成されていることを特徴とする。
このような構成によれば、抵抗調整部88が電極の両表面に形成されているため、所望の抵抗値及び光の透過率をより精度良く電極に形成することができる。
また、本発明の実施形態1〜5に係るタッチパネル10,40,50,60,80は、電極が透明導電材料で形成されていることを特徴とする。
このような構成によれば、電極が透明導電材料で形成されているため、光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能が良好となる。
さらに、本発明の本発明の実施形態1〜5に係るタッチパネル10,40,50,60,80は、透明導電材料がITO、IZO、ZnO及びSnO2のうちの少なくとも一つで構成されていることを特徴とする。
このような構成によれば、透明導電材料がITO、IZO、ZnO及びSnO2のうちの少なくとも一つで構成されているため、光の透過率が高くなり、パネル面の表示性能が良好となる。
また、本発明の本発明の実施形態1〜5に係るタッチパネル10,40,50,60,80は、電極が矩形状に形成されていると共に、矩形状に形成された電極の四隅にそれぞれ電極に流れる電流を検知する電流検知手段14,44,54,64,84が電気的に接続されていることを特徴とする。
このような構成によれば、矩形状に形成され、その四隅に電流検知手段14,44,54,64,84が電気的に接続されたタッチパネル10,40,50,60,80の電極に対し、ある程度の膜厚を確保してパネル面内電極12,42,52,62,82の抵抗値を均一に形成することができると共に、電極表面の抵抗を調整することにより、高抵抗化を実現することができる。
本発明の実施形態1〜5に係る液晶表示装置22,49,59,69,89は、上述したタッチパネル10,40,50,60,80を備えたことを特徴とする。
このような構成によれば、パネルのタッチ面対応領域16に広がるように設けられた電極の少なくとも一方の表面に抵抗調整部18,48,58,68,88が形成されているため、ある程度の膜厚を確保してパネル面内電極12,42,52,62,82の抵抗値を均一に形成することができると共に、電極表面の抵抗を調整することにより高抵抗化を実現するタッチパネル10,40,50,60,80を備えた液晶表示装置22,49,59,69,89を得ることができる。
以上説明したように、本発明は、タッチパネル及びタッチパネルを用いた表示装置について有用である。
本発明の実施形態1に係るタッチパネル10の平面図である。 図1のタッチパネル10平面のII−II線における断面図である。 格子状に形成されたパネル面内電極12の斜視図である。 本発明の実施形態1〜5に係る液晶表示装置22,49,59,69,89の断面図である。 本発明の実施形態1に係るタッチパネル10のフォトリソ製造工程におけるIZO膜30を成膜した絶縁性基板11の断面図である。 本発明の実施形態1に係るタッチパネル10のフォトリソ製造工程におけるIZO膜30をパターニングした絶縁性基板11の断面図である。 本発明の実施形態1に係るタッチパネル10のフォトリソ製造工程におけるアルミニウム膜31及び窒化チタン膜32を成膜した絶縁性基板11の断面図である。 本発明の実施形態1に係るタッチパネル10のフォトリソ製造工程におけるアルミニウム膜31及び窒化チタン膜32をパターニングした絶縁性基板11の断面図である。 本発明の実施形態1に係るタッチパネル10のフォトリソ製造工程における保護膜15を成膜した絶縁性基板11の断面図である。 本発明の実施形態2に係るタッチパネル40の平面図である。 図10のタッチパネル40平面のXI−XI線における断面図である。 本発明の実施形態3に係るタッチパネル50の平面図である。 図12のタッチパネル50平面のXIII−XIII線における断面図である。 本発明の実施形態4に係るタッチパネル60の平面図である。 図14のタッチパネル60平面のXV−XV線における断面図である。 本発明の実施形態4に係るタッチパネル80の平面図である。 図16のタッチパネル80平面のXVII−XVII線における断面図である。 試験評価1の評価結果を示すグラフである。 試験評価2の評価結果を示すグラフである。 試験評価3の評価結果を示すグラフである。
符号の説明
10,40,50,60,80 タッチパネル
11,41,51,61,81 絶縁性基板
12,42,52,62,82 パネル面内電極
13,43,53,63,83 額縁配線
14,44,54,64,84 外側配線
15,45,55,65,85 保護膜
16 タッチ面対応領域
17,71,72,73 切り欠き
18,48,58,68,88 凹凸面
19,75,76,77,78 駆動回路
20 導電層
21 保護層
22,49,59,69,89 液晶表示装置
47,57,87 溝
70 凹凸セル

Claims (13)

  1. パネルのタッチ面に接触物を接触させてそのタッチ面における接触位置を検出するタッチパネルであって、
    絶縁性基板と、
    上記絶縁性基板上の少なくともタッチ面対応領域に広がるように設けられ、且つ、少なくとも一方の表面に抵抗調整部が形成された電極と、
    を備えたタッチパネル。
  2. 請求項1に記載されたタッチパネルにおいて、
    上記抵抗調整部は、上記電極表面に形成された凹凸面で構成されているタッチパネル。
  3. 請求項2に記載されたタッチパネルにおいて、
    上記凹凸面の凹部は、上記電極表面に形成された溝で構成されているタッチパネル。
  4. 請求項3に記載されたタッチパネルにおいて、
    上記溝が上記電極表面に格子状に設けられているタッチパネル。
  5. 請求項2に記載されたタッチパネルにおいて、
    上記凹凸面の凹部は、上記電極の厚さ方向に形成された貫通孔で構成されているタッチパネル。
  6. 請求項2に記載されたタッチパネルにおいて、
    上記凹凸面の凹部の側面は、該凹部が形成された電極の表面に向かって広がるように傾斜しているタッチパネル。
  7. 請求項2に記載されたタッチパネルにおいて、
    上記凹凸面が、それぞれ上記電極の表面に規則的に形成されているタッチパネル。
  8. 請求項2に記載されたタッチパネルにおいて、
    上記凹凸面の凹部及び凸部が不規則に形成されてなる凹凸セルが、上記電極の表面に規則的に複数形成されているタッチパネル。
  9. 請求項1に記載されたタッチパネルにおいて、
    上記抵抗調整部が上記電極の両表面に形成されているタッチパネル。
  10. 請求項1に記載されたタッチパネルにおいて、
    上記電極が透明導電材料で形成されているタッチパネル。
  11. 請求項10に記載されたタッチパネルにおいて、
    上記透明導電材料がITO、IZO、ZnO及びSnO2のうちの少なくとも一つで構成されているタッチパネル。
  12. 請求項1に記載されたタッチパネルにおいて、
    上記電極が矩形状に形成されていると共に、
    上記矩形状に形成された電極の四隅にそれぞれ該電極に流れる電流を検知する電流検知手段が電気的に接続されているタッチパネル。
  13. 請求項1乃至12のいずれかに記載されたタッチパネルを備えた表示装置
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