TW482898B - A surface inspection system and method for distinguishing between particle defects and pit defects on a surface of a workpiece. - Google Patents

Description

482898 A7 ___B7__ 五、發明說明（厂：> • f - 發明背畺 本發明係關於表面檢視系統及方法而且’更特別地關 於微粒或工件之檢視，例如矽晶圓關於偵測如在表面之微 粒缺陷的存在或凹洞及分辨這些缺陷。 表面檢視系統常見用於物品或工件之檢視例如矽晶圓 以偵測在晶圓表面缺陷的存在。當該偵測指出很多缺陷’ 該晶圓可送回再淸理。如果該缺陷是微粒或其他殘屑在該 晶圓表面，該再淸理是成功的。然而如果該缺陷是凹洞或 “晶體產生凹洞” COP(crystal originated pits)在該晶圓表 面，這些不能由再淸理而移除。因爲這類表面檢視系統不 能分辨凹洞缺陷及微粒缺陷，所以該晶圓典型地送回再淸 理不管是否該缺陷是凹洞或微粒。因爲這些缺陷可能是凹 洞，再淸理該晶圓將導致只是浪費時間及資源。這是有益 的可分辨在晶圓表面之凹洞與在該位置之微粒。 發明摘要 本發明提供表面檢視系統及方法不僅偵測缺陷如在係 晶圓之工件表面的微粒與凹洞而且區別凹洞缺陷與微粒缺 陷。這使容易地確定工件是否需要再淸理以移除微粒缺陷 ，或採用其他方法成爲可能。 在廣泛方面，該表面檢視系統包括用於接受工件的偵 測站及定位及放置以掃描在上述偵測站之工件表面的掃描 器。該掃描器包括光源排列以投射P-偏振光束而且掃描器 定位以掃描通過該工件表面之該P-偏極化光束。該系統更 3 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱) ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •-線 482898 A7 _____B7___ 五、發明說明（1·) 進一步提供偵測由工件散射光角度散佈的差異並且根據這 些差異區別微粒缺陷及凹洞缺陷。該散射光角度分布的差 異可，例如藉由比較散射方向大致上垂直該工件表面的光 線量與從工件表面向後散射的光線量所測得。在散射光線 的角度散佈該差異之偵測可，例如包括確認在散射光的強 度分佈之凹處。 在工件旋轉及移動期間，該掃描器較佳地沿著相對地 窄掃描路徑掃描工件表面。更特別地，該系統較佳地具有 運送裝置安裝用於沿著材料路徑運送工件及在沿著材料路 徑移動期間與運送裝置結合並排列用來沿著材料路徑運動 期間旋轉工件的旋轉盤。該掃描器定位與排列用於在沿著 材料路徑旋轉及移動掃描該工件表面，以便全部工件表面 以螺旋狀型式被掃描。該掃描器包括不是Ρ-偏振光源就是 與該光源對準的Ρ-偏振過濾器相結合的光源。 收集器被規劃用來收集從工件表面折射或散射的光， 胃X件沿著材料路徑在旋轉及移動運動。該收集器包括暗 S道偵測器定位用於偵測從工件表面散射的光線。暗通道 偵沏ί器包括數個收集器定位及排列用來在相對工件表面的 胃胃收集光線。每個收集器包括光電探測器用於生成 0應、該及收:集光線的電子訊號。來自定位於不同角度之光 胃:電子訊號被比較以決定在散射光線的角度分佈 之差異。 mm個1收:集器較佳地包括前進通道收集器安排以收集 &工件表面向前散射的光線成分，以相當小的角度相對從 4 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑽X观公爱） . I------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - •線· 482898 五、發明說明（；·） 工件折射之特別反射，中間通道收集器放置鄰近該前進槽 收集器及排列以收集中間角度從工件表面大致上垂直散射 之光線成分，及後退通道收集器放置鄰近該中間通道收集 器及排列以收集相當大角度從工件表面大致上向後散射之 光線成分。 當該已測量光束接觸一缺陷，如凹洞或微粒，光線由 表面被散射而且由收集器所收集。該被散射光線之強度， 在偵測期間其偵測時間，提供有關在工件表面上缺陷之尺 寸及地點的資料。再者，該缺陷之本質，即不論缺陷是凹 洞或微粒，可由偵測由工件所散射光線之角度分佈所確定 。例如，假如該缺陷是凹洞，由中間通道收集器所散射及 偵測之光線量典型地是大於由後方槽收集器所偵測者。另 一方面’假如該缺陷是微粒，由中間通道收集器偵測之光 線量典型地是大於由後方槽收集器和/或前方收集器所偵測 者。該暗通道偵測器系統提供本發明之該表面檢視系統藉 由高靈敏度以更便於確認，分類及/或提供物件或工件表面 狀況之地形，包括在工件表面之微粒，凹洞或相似物這類 缺陷。 根據本發明之特別實施例，一 p-偏振光束被導向沿著 一預定相當窄掃描路徑及以相對於工件表面相當低的入射 角。該方法較佳地也包括給與工件在該窄的掃描期間旋轉 及平移運動以便該窄掃描路徑橫越沿著螺旋路徑之該工件 全部表面。 本發明之表面檢視系統及方法便利地分辨在該晶圓表 5 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（2iq χ挪公爱） —- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

482898 A7 _ __B7___ 五、發明說明（# ·) --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 面的凹洞及在該晶圓表面的微粒而且因此決定是否淸理或 其他作用過程，例如改變製造及儲存的狀況可用來減少缺 陷。此外，該表面檢視系統及方法提供局空間解析度’在 物體表面小視野其交替地提供改善的邊緣偵測效能’改善 在檢視過程的重複性及降低由空氣分子散射引起的干擾信 號。 胤式簡單說明 其他優點將出現當該描述與伴隨圖示相結合，其中： 第一圖係根據本發明表面檢視系統之立體圖。 第二圖係顯示根據本發明之表面檢視系統的運送器被 排列用於旋轉地及平移地沿著材料路徑運送工件，如晶圓 Ο 第三圖係根據本發明槪略地顯示表面檢視系統之側視 丨線· 第三Α圖係根據本發明之表面檢視系統的光通道偵測 器之部分視圖。 第四圖係根據本發明槪略地顯示表面檢視系統之光學 掃插系統之側視圖。 第五圖係槪略說明穿過一檢視區域之晶圓的旋轉及移 動行程。 第六圖係根據本發明槪略地顯示用於收集從晶圓表面 散射光之具有部分光學的表面檢視系統收集器。 第七圖係根據本發明槪略地顯示表面檢視系統的系統 6 本紙張尺度^^中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' 482898 五、發明說明（t ·) •， 控制器。 第八圖顯示介於使用s-偏振及P-偏振光在法線及非法 線入射角度的比較以辨別在晶圓表面的凹洞與微粒。 第九圖顯示使用P-偏振光以非法線入射角度以偵測在 晶圓表面之凹洞與微粒的許多種類。 第十圖顯示介於使用S-偏振及P-偏振光的比較在偵測 在晶圓表面的微粒及提供實驗與模組結果。 第十一圖顯示使用以非法線入射角之P-偏振光以偵測 用於在晶圚表面.的許多直徑凹洞的散射光。 \ 第十二圖顯示使用P-偏振光以偵測在晶圓上不同直徑 的凹洞。 第十三圖顯示相對小COPS及使用非法線入射角之P-偏振光的微粒之角度散佈型式。 第十四圖係與第十三圖相似顯示中型COPS及微粒的 角度散佈型式。 第十五圖係與第十三圖相似顯示較大COPS及微粒的 角度散佈型式' 第十六圖係流程圖顯示該演算法應用於辨別COPS與 微粒。 第十七及十八圖是顯示用於第十六圖之演算法的常數 如何被導出。 第十九圖是乾淨晶圓之微粒圖。 第二十圖是乾淨晶圓之COPS圖。 第二十一圖係在已知尺寸之微粒缺陷已沉澱該處的第 - 7 本紙張尺度適用中國國家標準規格（210 X 297公釐） ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -•線- 482898 A7 B7 五、發明說明（6 ·) 十九圖晶圓之微粒圖。 第二十二圖係爲伴隨微粒沉澱在第二十一圖之晶圓 COP圖，但不被偵測爲COP缺陷。 元件符號說明 20 表面檢視系統 21 工作檯 22 殼體 23 視訊顯示器 25 鍵盤 26 滑鼠 27 櫥櫃 28 架單元 29 印表機 29a 報表紙 31 偵測檯 32 晶圓固持裝置 33 卡式盒 36,37 導軌 38,39 導軌構件 40 傳送器 41 馬達 41a 馬達軸 42 齒輪 43 載物構件 8 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 482898 A7 B7 五、發明說明（Ί -) 43a 凸緣 45 旋轉器 46 馬達 50 系統控制器 51 電源供應器 52 晶圓處理器 60 PC底盤 61 PC電源供應器 64 運動制器 65 控制計算機 66 乙太網介面 67 顯示器附加器 68 硬碟機 69 差動介面 70 底盤 72 匯流排介面 73 掃描控制器 74,75 前端電子裝置 80 掃描機 81 光源 82 擴張器 84 圓柱狀鏡 85 偏向器 86 透鏡 9 ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -·線' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 482898 A7 ____ B7_ 五、發明說明（》K 87 停止構件 90 掃描機總成 91 吸盤偵測器 92 伺服放大器 93 編碼器 95 掃描驅動器 100，121，123，125 收集器 120,122,124,126 偵測器 電路 光束 材質路徑 工件表面 晶圓 檢視區域 150 Β Ρ S W Ζ 窨施例描述 本發明將描述更完全參考伴隨其顯示特別實施例的圖 示。然而，此發明可在許多方面實施及並不解釋爲限制此 處所顯示之實施例；這些實施例被提供以便這揭示將是徹 底及完全的而且將完全地傳達本發明的範疇給熟習此技藝 者。相同數字完全提及相同的元件。 第一圖係表面檢視系統20的立體圖，其系統用於偵測 缺陷如微粒、凹洞及相似物這類在工件W或物件表面，如 矽晶圓。表面檢視系統20的部分被拆開爲了淸晰及由假想 線所表示以顯示表面檢視系統20的許多構件。表面檢視系 10 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 •線- 482898 A7 _B7___ 五、發明說明（？ _) 統20適合用於偵測未成形晶圓W的表面，不論是否有沉 澱薄膜。表面檢視系統20較佳地包括用於沿著材料路徑p 平移地運送工件W的裝置，該運送裝置當工件沿材料路徑 P移動時用於轉動工件W，裝置用於掃描在沿著該沿材料 路徑p的旋轉及平移運動期間該工件w的表面s，而且裝 置用於收集從該工件w的表面s所反射及散射的光。 如第一圖所示，該表面檢視系統20被安排成工作站， 其包括工作檯21。放置在工作檯21是大致緊密的而且實 質上是防光殼體22，視訊顯示器23，鍵盤25，滑鼠26。 該工作檯懸吊櫥櫃27用來支撐系統控制器50。鄰近該櫥 櫃27是架單元28用於支撐印表機29及伴隨的報表紙29a 。該防光殻體22已經被部分分離以更佳顯示本發明的檢視 排列。該晶圓W的檢視較佳地是在偵測檯31上偵測區Z 執行。機械晶圓固持裝置32是放置鄰近該偵測站20用以 從卡式盒33承載及解載晶圓W進入偵測檯31。該卡式盒 33固持一數目的晶圓W而且通過門被放進櫥櫃27 (未顯 示）。在防光殼體22內晶圓W的固持是自動地完成不接 觸人的手以避免污染物或斑點。 如在第一至三圖顯示，該偵測站20較佳地包括裝置用 於平移地沿著材料路徑P傳送工件W。該裝置用於傳送區 域Z。該平移傳送器40，如圖所示較佳地包括齒輪42，包 括排列用於轉動該齒輪42之馬達41，及具有一體成形齒 之導軌36，37。該馬達41及齒輪42架設於馬達軸41a形 成用於系統控制器50之夾頭。該夾頭之馬達41較佳地架 11 ΐ紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規；^ (210 X 297公釐) " 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 訂· A. 482898 A7 ___B7_ 五、發明說明（β _) 設於載物構件43，該構件具複數個凸緣43a向上延伸此處 接納工件W，換言之矽晶圓，如圖所示沿著工件W的邊緣 。用於該工件W之架設技術降低斑點或其他表面問題，與 放置該工件的下表面有關以便緊鄰地接觸載物構件43的上 表面。該載物構件43較佳地是平移地被傳送沿著載物導軌 構件38，39密接於下方。另一平移和/或轉動裝置如活塞 及汽缸規格架設於載物構件及用於轉動該載物構件馬達如 熟知技術者根據本發明可使用。 並且，用於轉動工件W的裝置顯示如旋轉器45，與 平移傳送器40相結合並且安排以轉動工件W在沿著材料 路徑P之平移運動期間。如圖示旋轉器45較佳地包括馬達 46架設至載物構件下方用於提供架設於該處以預定速度之 晶圓轉動。平移傳送器40與轉盤45較佳地是同步的而且 與掃描機80排列以便形成螺旋形小角度掃描（a )橫越工 件袠面在沿著材料路徑P之平移運動期間。 如第一圖及第三至五圖所示，掃描機80被放置及排列 以沿著材料路徑.P之平移運動期間掃描工件表面。可瞭解 的是由熟習該技藝者，該掃描機80可排列用於旋轉和/或 平移運動，當工件靜止時或平移地或旋轉地運動。此外， 其他材料路徑P可使用，即不是工件W就是掃描機80可 平移地運動而且該工件只在轉動路徑受偵測。因此，本發 明包括P-偏振光源81或結合P-偏振過濾器之光源以位置 對準光源以產生P-偏振光束B，裝置用於接收該光源及偵 測X件W的表面S，即折射鏡82，透鏡84, 86，偏轉器85 * 12 --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - ί線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 482898 A7 -------- B7__ 五、發明說明（ίΓ) ，及裝置用於給予工件W的轉動及平移偵測，即平移傳送 器40及旋轉器45。 該掃描機80較佳地包括光源81，即雷射被安排至產 生Ρ-偏振光束Β或結合Ρ-偏振過濾器以位置對準光源。該 Ρ-偏振光較佳地具有位置尺寸，其包括整體寬度小於0·1 釐米最大値之半。該掃描也包括裝置放置以接收該偏振光 束Β而且排列用於掃描該偏振光束Β沿著相對小角度掃描 路徑（α )橫越該工件W的表面S，當工件W旋轉地及平 移地運動沿著材料路徑Ρ。該光源81較佳地是相對短波的 可見光雷射，如氬離子或固態如熟習該技藝者所熟知。該 光源81 (雷射）較佳地是雷射與外部光學儀器結合如熟習 技藝者所瞭解。該光源81 (雷射）較佳地具有光束直徑大 約0.6釐米（mm)。 該掃描裝置較佳地包括偏轉器85如圖所示，放置以接 收偏振光束B而且排列以偏向該偏極化光束B沿著相對的 窄掃描路徑（α )。該偏轉器85較佳地是聽覺一光學（ ΑΟ)偏轉器如圖所示（或機械偏轉器），及該相對地窄掃 描路徑（α )較佳地不大於〇.1弧度及更特別地是在〇·025 一 0.04弧度範圍內。該掃描路徑α較佳地以方向相對平移 運動的路徑Ρ並且如第四圖所示，較佳地是大致上平行方 向該處箭頭所示。該偏向伴隨以高頻率聲波激動晶體’例 如該聲波與入射光波反應以這類方式用來轉移偏振光束Β 及藉以改變前進角度。可瞭解的是晶體的§午多頻率將反應 地引起該光通過該處以相對地多樣前進角度被偏向。如果 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 · ;線· 482898 A7 ---B7__ 五、發明說明（θ.) . --- <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .該聲波的頻率以方波掃描，該雷射光束Β以與該頻率成正 比的角度被掃描/該Α0偏轉器較佳地提供一定掃描速度 ，其交替地提供一定或預定時間反應用於從物件表面偵測 的微粒或缺陷。雖然本發明參考ΑΟ偏轉器85加以描述， 其他裝置用於提供小角度掃描如熟習該技藝所瞭解，如這 類電流計，壓電掃描器，共振掃描器，轉動鏡，掃描頭， 其他電子掃描器，或其同類根據本發明可被使用。 而且，光束擴張器82較佳地是放置介於該雷射光源 81及轉向裝置85在進入聽覺-光學轉向裝置85前以擴張 該雷射光束Β。該光束擴張器82較佳地提供裝置用於更完 全地塡充該轉向裝置85的主動開口以利用該轉向裝置85 的掃描角度。 •丨線· 該掃描機80較佳地包括裝置以位置對準偏向器85及 配置用於偵測從該窄偵測路徑（α )朝向工件W的表面S 以相當小的入射角（00 (相對於工件表面）偵測該光線 ，當該工件W旋轉地與平移地沿著材料路徑P運動。雖然 小入射角（θ ί)是較佳地，該小入射角（可是除垂直 於工件之角度外提供本發明的優點。較佳地該入射角從法 線至物件表面大於45度，即從工件W的表面至法線小於 45度而且更特別地，較佳地從法線至物件表面在65-85度 之範圍內。 導引裝置顯示於折射鏡82與複數個光學透鏡84，86 配置用以導引該光束B從雷射81朝向被偵測的工件W之 表面S。當該光束B自AO偏向器85運行，該光束B通過 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 482898 A7 ______B7____ 五、發明說明（fV) 圓筒狀透鏡84以角度朝向該光束B用於物件表面的線性 掃描’在物件的平移與旋轉運動通過該偵測區。停止構件 87以位置對準該圓筒狀透鏡84鄰近A0轉向裝置85放置 用來停止該相當小部分的光，其並不線性地朝向該工件W 表面的掃描。光學透鏡86放置圓筒狀透鏡84之後是聚焦 或f-theta透鏡如熟知該技藝者所知，配置用於聚焦該光束 在工件W表面。 根據本發明掃描機80較佳地掃描光線B的光束以轉 動的徑方向及線性，橫向或平移運動（Y)以實行螺旋掃 描型式，如第三圖最佳示範。然而，用於工件W其他任何 材料路徑P可用來提供本發明的優點。 如第一、三、三A及六至七圖所示，用於從工件表面 收集光線的裝置較佳地是收集器100,其具有亮通道收集 器Π〇配置用於偵測特別地從工件W表面S所反射的光及 暗通道偵測器120鄰近亮通道收集器110設置用於偵測從 工件W表面S所散射的光。該亮通道收集器110用於偵測 從工件W表面S所散射之光。亮通道收集器110可是 PMT或光電二極體，但較佳地如熟知該技藝者所知，是象 限格裝置，即偵測器配置於X-Y座標定位偵測以便在反射 光的路徑之偏差，即在缺陷或微粒偵測期間可被決定。這 類象限格偵測器由Advanced Photonix，Inc.，所製造，該公 司即先前的 Silicon Detector Corp·，of Camarillo, California 。雖然特別規格被顯示，可瞭解的是根據本發明許多其他 矩形或多重格，即雙重格，規格可被使用。 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 丨線. 482898 A7 __B7____ 五、發明說明（卟.） 暗頻道偵測器120較佳地包括複數個收集器121，123, 125互相鄰近設置及配置用於收集從工件W表面S以不同 相對的預定角度之散射光成分。暗通道偵測器120之複數 個收集器121，123, 125形成片段光學儀器至少兩個收集器 互相鄰近設置y如熟知該向技藝所瞭解之複數個收集器 121，123, 125是複數個透鏡，及根據本發明其他透鏡組合 可使用。該複數個收集器121，123, 125相對地包括前方通 道偵測器121配置以收集從工件W表面S在相對地小角度 a向前散射的光成分，中間通道收集器123非常鄰近該前 方通道收集器121及配置以收集從工件W表面S在相對地 中間角度b大致法線散射的光成分，而且後方通道收集器 125非常鄰近該中間通道收集器123及配置以收集從工件 W表面S在相對地大角度c向後方散射的光成分。暗通道 偵測器120更進一步包括前方通道偵測器122,中間通道 偵測器124，後方通道偵測器126每個相對地放置以光學 溝通相對的收集器121, 123，125及裝置以電力連接該前方 ，中間及後方頻通偵測器122, 124, 126並且反應來自該偵 測器的訊號用於決定工件W表面S上微粒的存在。該收集 器的決定裝置較佳地是訊號鑑別電路150，這類顯示（見 第三及七圖）並且熟習該技藝者所瞭解，其所接收訊號代 表來自亮通道偵測器110及暗通道偵測器110的已收集光 線。 六圖顯示，該複數個收集器121，123，125的相對個別 角度a，b，c較佳地關於來自工件w表面S光的反射角（0 16 . Ill — I II — I * · I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一-°4. ••線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 482898 A7 ___B7_ 五、發明說明（) ----I------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r)所決定及相對前方角度a，後方角度b而且相對該掃描 的入射角（0i)，實質上直角b光線成分散射。例如，如 果該入射角6» i關於該表面是相當小（關於法線是高的）例 如從平行爲15°·或從法線爲-75° ，則向前散射或小角度a 較佳地大約是22°至67° ，該實質上法線散射或中角度大 約是-25°至20°而且該向後散射或大角度大約是-72°至-27° 。此外，本發明的優點已實現，例如入射角Θ i是從平 行爲25°或從法線爲-65°藉具波長488nm之P-偏振可見 光，該向後通道收集器以-38°爲中心及該向後通道收集器 以10°爲中心。當微粒或缺陷被偵測，例如前方通道偵測 器121放置以接受而且收集前方散射a，該中間通道收集 器123放置以接受而且收集實質上法線散射b及該後方頻 道收集器125放置以接受而且收集來自工件表面之後方散 射c，關於該被偵測微粒或缺陷，或其類似物。大致上垂 直入射平面的方向，全角度大約73°在以上範例被捕捉。 這每段固定角度大約〇·64或全部大約1.92，在先前偵測器 其實質已改善。 前第一圖的立體圖及第七圖的略圖所示，表面檢視系 統20較佳地是由電腦控制。系統控制器5〇運轉表面檢視 系統20由操作員的監督及導引，儲存及取出由表面檢視系 統20所產生的資料，及進行資料分析較佳地反應預定的命 令。圖示該掃描器總成部分90與掃描機8〇 —起運轉而且 包括夾頭偵測器91，其運送一位置至伺服放大器92。該正 偵測物件的相對位置與系統控制器50聯繫經由馬達41， 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公釐)' — 482898 A7 _______B7____ 五、發明說明（^) 46及架設其上的送碼器93。該位置資料被傳送至A<3掃描 控制器73，其控制器較佳地形成系統電子底盤7〇的部分 及反應地驅動該A0偏轉器85經由A0掃描驅動器95。 系統電子底盤70包括系統電源供應器71而且接收來 自暗通道偵測器12〇及亮頻道偵測器11〇的訊號相對地代 表被散射及該特別地反射光。如熟知該技藝者瞭解，這些 資料訊號傳統以電力地類比格式聯絡至類比前端電子裝置 75而且由數位前端電子裝置74或相似裝置轉變成數位格 式。前端電子裝置74也與AO掃描控制器73運作，系統 匯流排介面72，及差動介面69，即個人電腦（pc)底盤 60的差動匯流排。系統匯流排介面72也與該表面檢視系 統20的雷射能源供應器51聯繫。 該PC底盤60包括PC電源供應器61配置用於補充電 力至該PC。該PC底盤60也有運動控制器64，其控制器 聯繫該掃描器總成90的伺服放大器92及系統控制計算機 65，即微處理機或控制器。該系統控制計算機65較佳地以 電力地聯繫晶圓固持器52反應地傳送與接受預定命令訊號 用於架設與固持該物件或如上顯示被偵測之晶圓。該系統 控制計算機65較佳地也聯繫硬碟機68，顯示器附加器67 聯繫該顯示器，及乙太網介面66配置用於網路或其他系統 50聯繫。影像處理器64以電力聯繫差動介面69及該系統 控制計算機65用於處理被偵測物件和/或缺陷，起伏，或 微粒的表面影像。該表面檢視系統50如第七圖所示，及如 熟知該技藝者所瞭解，較佳地由軟體與硬體組合所形成， 18 本紙張尺度適用中國國1準fCNS)A4規格（210 x 297公釐） "" ~~ '^ , --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂： 482898 A7 _ B7___ 五、發明說明（Η·) .· 其形成這些許多成分或該系統50的組合。 如第一至七圖所示，根據本發明偵測工件W表面S之 缺陷的方法也被提供。較佳地偵測工件W表面S的方法包 括旋轉地及平移地沿著材料路徑Ρ傳送工件W與偵測相對 窄光偵測路徑α橫越工件W的表面，當該工件w沿著材 料路徑Ρ運行。沿著材料路徑旋轉地及平移地傳送工件W 的步驟較佳地是與掃描工件表面的步驟同步以便給予實質 上螺旋形工件表面掃描。從工件W的表面S之光線反射及 光散射較佳地是分別地收集。從工件表面散射的光線被收 集，當個別光成分在不同角度。例如，從工件W的表面S 所垂直散射之光成分及從工件W的表面S所向後散射之光 成分被分別收集而且加以比較以確定在該散射光的角度分 佈之差異。從工件W的表面S所散射之光成分在複數個預 定散射角度a，b，C由複數個收集器121，123, 125個別地收 集。較佳地，該收集器設置以收集向前散射光線成分，向 後散射光線成分，及以實質上垂直該工件表面的方向所散 射的光成分。由許多收集器所偵測的光線象徵缺陷在工件 W的表面S。 爲決定該缺陷是微粒缺陷或凹洞，從工件散射光的角 度分佈之差異被偵測。這可藉由比較從其一該收集器所收 集的散射光量與其他一個或多個收集器所收集的光量達成 。由偵測器122，124及126所偵測的光，特別地該中間通 道偵測器124及後方通道偵測器126可用來辨識在工件表 面的微粒與工件表面的凹洞，當P-偏振光在該掃描器使用 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·- .線- 482898 A7 五、發明說明（Κ·) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 時。特別地，當該缺陷在工件表面是凹洞’從該工件表面 所散射之Ρ-偏振光形成一型式，其中散射至中間通道偵測 器124的光量大於散射至後方通道偵測器126的光量。這 已經發現特別地在小凹洞的案例，即直徑不大於300nm的 凹洞。相對之下，當該缺陷在該工件表面是微粒時’從該 晶圓表面散射的P-偏振光形成一型式，其中散射至中間通 道偵測器124的光量小於散射至後方通道偵測器126的光 量。第八至十五圖顯示對於不同尺寸的凹洞與微粒之散射 光分佈的案例，.當P-偏振光被使用時。第八圖是介於在工 件表面的90nm鎢微粒及在工件表面的180nm鎢凹洞的散 射圖之比較。如在第八圖左邊之該兩散佈圖所見，使用S-偏振光及使用法線或垂直入射角，即0i=〇° ，不論具S或 P-偏振光不提供辨識在工件表面的微粒與凹洞之有效方法 。對於凹洞缺陷及微粒缺陷之由工件所散射光的角度散佈 大致上相似。同樣地，如觀察在右上方象限的散佈圖，當 S-偏振光被使用在非垂直入射角，用於案例-70° ，在 對於凹洞與微粒的散佈曲線形狀之差異相當地小。然而當 P-偏振光使用時，如在右下方象限的散佈圖所見，該微粒 散佈光用這類型式以便凹洞在垂直該工件的區域被偵測。 該凹洞製造明顯不同的角度散佈型式，藉此型式凹洞與微 粒可加以辨識。 第九圖顯示由不同微粒材料而得之角度分佈型式。當 P-偏振光被使用以一入射角，-70° ，該微粒可藉在大 約垂直工件平面（0° )的區域中特性凹處加以辨別，因此 ' 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 482898 A7 ^ -—____B7_____ 五、發明說明（0.) 允許在工件表面微粒的存在與在工件中凹洞的存在可被辨 別。特別地，120nm psl微粒，90nm矽微粒，80nm鎢微粒 ’及75nm鋁微粒全部展示特殊凹處在法線方向或垂直工 件表面（0° )的附近。該特別最小點對每個微粒改變，但 全部大致在涵蓋從0至垂直方向±25。的區域內。來自凹 洞的散射型式不顯示凹處。 第十圖比較對於使用O.lmn psl球之模組結果與實驗 結果的該角度分佈，其使用P-偏振光及S-偏振光的波長 488nm及入射角75°之雷射光束。如圖所示，該P-偏振光 製造特殊凹處在0°的附近。使用S-偏極化光，沒有這類 俯角發生。 第^一圖顯示對於不同直徑的俯角之模組散佈。如第 十一圖所示，當P-偏振光被使用以一入射角，0^-70° ， 向後散射光量大於對小凹洞向前散射光量。這是特殊的案 例，此處該凹洞的直徑不大於300nm。 第十三、十四及十五圖顯示代表性的角度分佈形式分 別地用於小COPS，中COPS及大COPS對微粒使用P-偏 振光以-70°入射角。在第十三圖，可觀察120nm杯型式展 示凸形分佈形式，藉從-20°至-60°範圍的角度向後散射 的光量高於以20°及更高的光向前散射。尺寸90nm及以 下許多化合物的微粒全部展示特殊的凹形散佈形式，在〇 °附近的“凹處”。對於該較大尺寸微粒，即90mn psl， 該向前散射光的強度大於該向後散射光者。 如第十四圖所見，對於較大155nm COP的角度散佈形 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 1線- 482898 A7 _______B7 ___ 五、發明說明（ 式大致上相似第十三圖的120nm杯型式，藉從-20°至-80 °範圍的角度向後散射的光量大於光向前散射。該較小尺 寸微粒，即90nm及較小尺寸通常展示特殊的凹形散佈形 式，在〇°附近的“凹處”，及藉向前散射的光量大於光 向後散射的量。該較大微粒（210mn psl)顯示明顯地較大 差異介於光向前散射及光向後散射的量。這趨勢可見於第 十五圖，其微粒爲200nm。 由這些特殊角度散佈形式，分辨COPS與微粒是可能 的。特別地，如果來自中間通道偵測器124與來自後方通 道收集器125訊號強度之比例小於預定値，該缺陷可分類 爲微粒。如果來自中間通道偵測器124光與來自前方通道 收集器122訊號強度之比例大於預定値，該缺陷可分類爲 凹洞。第十六圖顯示適當的程式用於分析來自該偵測器的 資料以辨別微粒與COPS。如果中間通道指示尺寸C與後 方通道指示尺寸B之比例大於預定値，在此例中爲1·14則 該缺陷可分類爲微粒。否則，訊號事件Β代表該後方通道 指不尺寸及訊號事件C代表該中間通道指不尺寸被導引至 比測儀，其該値c與値Β乘以預定常數作比較，在此情形 爲1.14。如果C不大於1.14乘以Β，則該訊號事件可分類 爲微粒。如果C大於1.14乘以Β，則其該値C與値F作比 較，該値F代表該前方通道指示尺寸。假如C大於預定常 數（在此例爲1.36)乘以値F，則該訊號事件可分類爲 COP。假如小於預定常數乘以値F，則該訊號事件可分類 爲微粒。 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 ^ ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· · i線· 482898 A7 B7 五、發明說明（d). 此程式的應用如用於COPS是圖示於第十七圖。程式 對於微粒的應用，在此例中銘微粒圖示於第十八圖。第十 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 七圖及第十八圖顯示對於不同大小的微粒及COPS之組模 資料與實驗資料如何用來導出使用的常數，在第十六圖所 顯示的演算形式。熟習該項技藝者是明顯的是本發明並不 侷限於上述特殊程式，及其他方法及特殊程式可用來處理 由不同偵測器所得資料而且辨別凹洞與微粒以符合本發明 〇 檢視該晶圓期間，當訊號事件分類爲微粒缺陷與凹洞 缺陷’該最終資料以適合的形式儲存在記憶體，如光域形 式以限定微粒或凹洞在晶圓表面的“地圖”。此外，該訊 號事件的強度値，代表該微粒或凹洞之指示尺寸，可儲存 以提供條帶圖顯示該缺陷的尺寸分類。此資訊可傳送使用 者爲視訊顯示器晶圓的視覺表現。第十九圖，例如顯示一 視訊顯示器銀幕，其代表淸潔晶圓的微粒地圖，與條帶圖 顯示微粒尺寸分佈。第二十圖顯示對於該相同晶圓的 COPS或凹洞之地圖及對於該凹洞之尺寸梯級頻佈圖。第 二十一及二十二圖顯示本發明之儀器與方法的靈敏度及選 擇性。用於製造第十九圖的微粒地圖之該相同晶圓以已知 尺寸的微粒缺陷被“種晶”在晶圓上之三區域。第二十一 圖是晶圓的微粒圖，而且種晶微粒的三區域是明顯的。第 二十二圖是該相同晶圓的COP圖。比較第二十圖（種晶前 )與第二十二圖（種晶後），該COP圖與條帶圖不受在晶 圓種晶微粒的高濃度所影響是明顯的。 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 482898 A7 五、發明說明（ -) 在說明書與圖式，已揭露典型本發明的實施例，及雖 然特殊名詞被採用，這些名詞只用於描述而非以限制爲目 的。本發明已詳盡描述參考許多特殊對於許多實施例的前 案。許多改良與改變皆在描述於先前說明書與定義於附屬 申請專利範圍中的精神與範疇內。 24 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂* _ 線. 本紙張尺度適用國家標準（CNS)A4 χ 297公·

Claims (1)

1. 482898 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範.圍 1· 一種用於辨別在工件表面的微粒缺陷與凹洞缺陷的表 面檢視系統，其表面檢視系統包括： 一種用於接受工件的偵測站； 掃描器定位及放置以掃描在上述偵測站之工件表面， 該掃描器包括被排列以投射p-偏振光束的光源而且定位以 掃描該P-偏振光束通過該工件表面的裝置；及 該裝置用於偵測由工件散射光的角度散佈差異及根據 這些差異用於辨別微粒缺陷及凹洞缺陷。 2·如申請專利範圍第1項所述一種表面檢視系統，其中 用於偵測散射光角度分布的差異之裝置包括用於比較散射 方向大致上垂直該工件表面的光線量與從工件表面向後散 射的光線量之裝置。 ， 3.如申請專利範圍第1項所述一種表面檢視系統，其中 用於偵測散射光角度分布的差異之裝置包括用於辨別凹處 在該散射光的強度散佈之裝置。 4·如申請專利範圍第1項所述一種表面檢視系統，其中 用於偵測散射光角度分布的差異之裝置包括數個收集器被 定位及排列用來在相對工件表面的不同角度收集光線，每 個收集器包括光電偵測器用於生成反應該已收集光線的電 子訊號及裝置用於比較來自定位在不同角度的光電偵測器 的訊號。 5·如申請專利範圍第4項所述一種表面檢視系統，其中 複數個收集器包括第一收集器被定位與配置以收集大致上 從該工件表面垂直散射的光成分，及第二收集器被定位與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱〉 --------------------訂--------- • . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 482898 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範·圍 配置以收集從該工件表面小角度散射的光成分。 A如申請專利範圍第5項所述一種表面檢視系統，其中 該掃描器被定位與配置以導引該光束以非垂直的預定入射 角進入工件表面，而且該第二收集器被定位與配置以收集 向後散射光成分。 7·如申請專利範圍第6項所述一種表面檢視系統，其中 該複數個收集器附加地包括第三收集器被定位與配置以收 集從該工件表面向前散射的光成分。 8·如申請專利範圍第6項所述一種表面檢視系統，其中 該掃描器被定位與配置以導引該光束以至少從垂直至工件 表面-50°的入射角進入工件表面。 9·如申請專利範圍第5項所述一種表面檢視系統，其中 第一收集器被定位以收集從垂直至該工件表面大約±-20° 散射的光成分。 10.如申請專利範圍第1項至第9項任一項所述一種表 面檢視系統，其附加地包括形成第一地圖的裝置以辨識在 工件表面的凹洞缺陷的位置及第二地圖的裝置以辨識在工 件表面的微粒缺陷的位置。 Π.如申請專利範圍第10項所述一種表面檢視系統，其 包括視訊顯示器以運轉地結合該裝置以形成第一及第二地 圖用於展示第一及第二地圖的視覺表示法。 12.如申請專利範圍第1項所述一種表面檢視系統，其 中該光源被排列以投射P-偏振光束以至少垂直該工件表面 向後50度的入射角，而且其中用於偵測與辨別的裝置包括 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 482898 A8 B8 C8 D8 、申請專利範.圍 用於偵測從在該偵測站之工件表面散射光線的偵測器配置 ，該偵測器包括中間通道收集器被定位與配置以收集大致 上垂直工件表面之散射光成分，及後方通道收集器被放置 預定路徑橫越工件表面； 偵測器配置用於偵測從該偵測站上工件表面所散射的 光線，該偵測包括中間槽收集器被定位與安排以收集大致 上從垂直工件表面所散射的光成分，及後方通道收集器被 疋位與安排以收集由工件表面向後散射的光成分，該收集 器每個包括光電偵測器用於產生訊號以反應該被收集光線 :及 比測儀反應來自該中間通道收集器的光電偵測器之電 子訊號及該後方通道收集器用以偵測從工件散射p-偏振光 的角度分佈之差異。 13·如申請專利範圍第I2項所述一種表面檢視系統，其 中該偵測站包括： 傳送器配置以平移地沿著材料路徑傳送工件；及 旋轉器結合傳送器而且被配置沿著材料路徑之平移運 動期間用以轉動工件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 14·如申請專利範圍第13項所述一種表面檢視系統，其 中該掃描器被定位與配置沿著材料路徑P之平移運動期間 以掃描工件表面以在工件表面製造螺旋掃描形式。 15. —種用妗辨別在工件表面之微粒缺陷與凹洞缺陷之 方法，該方法包括： 掃描越過工件表面之P偏振光之光束； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 482898 A8 B8 C8 D8 ___ 六、申請專利範.圍 • s 收集從工件表面散射的光線；及 偵測從工件散射的光角度散佈之差異而且基於上述差 異辨別微粒缺陷與凹洞微粒。 16. 如申請專利範圍第15項所述方法，其中偵測散射光 角度分佈差異之步驟包括比較由散射方向大致上垂直該工' 件表面散射的光線量與從工件表面向後散射的光線量。 17. 如申請專利範圍第15項所述方法，其中偵測散射光 角度分佈差異之步驟包括辨別在散射光強度分佈的凹處。 18. 如申請專利範圍第15項所述方法，其中偵測散射光 角度分佈差異之步驟包括比較相對工件表面不同角度所收 集的散射光強度。 ， 19. 如申請專利範圍第18項所述方法，其中偵測散射光 角度分佈差異之步驟包括比較大致上從工件表面垂直所散、 射光的強度與以小角度從該工件表面散射的光成分強度。 20. 如申請專利範圍第15項至第19項任一項所述方法 ，其中附加地包括形成第一地圖辨識凹洞缺陷在該工件表 面的位置。 21. 如申請專利範圍第20項所述方法，其包括形成第二 地圖、辨別微粒缺陷在該工件表面的位置。 22·如申請專利範圍第21項所述方法，其包括表示在視 訊顯示器之該第一地及第二地圖。 23.如申請專利範圍第21項所述方法，其中該偵測越過 工件表面光束之步驟包括從垂直至工件表面至少以50度投 影光束至工件表面。 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 482898 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範.圍 -/ 24· —種用於分辨在工件表面微粒缺陷及凹洞缺陷的表 面檢視方法，其方法包括： 接受在偵測站的工件； 掃描在偵測站之工件表面藉P-偏振光以入射角至少從 垂直至工件表面向後50度； 收集在偵測器之工件表面藉第一收集器被定位與配置 以收集大致上垂直從該工件表面散射的光成分，及第二收 集器定位與配置以收集從該工件表面向後散射的光成分； 轉換該已收集光成分自第一收集器與第二收集器進入 個別地電子訊號；及 分析該訊號以辨別微粒缺陷與凹洞缺陷。 25.如申請專利範圍第24項所述方法，其中該分析步驟 包括辨別缺陷是微粒，假如第一收集器訊號的強度與第二 收集器的訊號比例小於預定量時。 26·如申請專利範圍第Μ項所述方法，其中該收集步驟 附加地包括收集在偵測站的工件表面散射的光藉由第三收 集器被定位與配置以收集從工件表面向前散射之光成分而 且轉辨該已收集光成爲電子訊號，及其中該分析步驟包括 確認缺陷爲凹洞，假如第一收集器訊號強度與第三收集器 訊號之比例大於預定量。 27· —種用於分辨在工件表面微粒缺陷及凹洞缺陷的表 面檢視方法，其方法包括： 接受在偵測站的工件； 平移地沿著材料路徑傳送偵測站之工件； 5 本&張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) "" " " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線， 482898 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範.圍 沿著該材料路徑在平移運動期間轉動該工件； 掃描偏振光束橫越該轉動面而且平移地以至少從垂 直至工件50度爲入射角； 收集在第一位置垂直工件表面的散射光及在第二位置 在表面後方的散射光； 偵測從工件表面散射光的角度分佈之差異；及 分析該已偵測角度分佈之差異以辨別微粒缺陷與凹洞 缺陷。 28_ —種用於分辨在工件表面微粒缺陷及凹洞缺陷的表 面檢視系統，其系統包括： 安裝掃描器以掃描工件表面，該掃描器包括一光源用 來以斜角度投射P偏振光； 暗通道偵測器包括至少兩個收集器用來以相對工件表 面的不同角度收集光線；而且 比測儀用來偵測來自工件散射P-偏振光的角度分佈之 差異。 29· —種用於分辨在工件表面微粒缺陷及凹洞缺陷的表 面檢視方法，其方法包括： 以斜角度掃描越過工件表面之P偏振光； 以相對工件表面的不同預定角度用來收集從工件表面 散射的光線；而且 偵測從工件散射的光線的角度散佈。 紗· 一種用於分辨在工件表面微粒缺陷及凹洞缺陷的表 面檢視系統，其系統包括： 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 482898 A8 B8 C8 D8___ 六、申請專利範，圍 掃描器以掃描工件表面，該掃描器包括一光源以斜角 度投射P偏振光；而且 暗通道偵測器包括至少兩個收集器用來以相對工件表 面的不同預定角度收集散射的光線。 31·如申請專利範圍第30項所述之表面檢視系統，其中 每個收集器收集在一範圍角度的散射光線，該範圍角度與 其他收集器所收集的範圍角度不相重疊。 32. 如申請專利範圍第30項所述之表面檢視系統，其中 第一收集器係安裝以收集在預定角度範圍所散射的光線成 分，這包括由工件表面垂直散射的光線，而且第二收集器 係安裝以收集在預定角度範圍所散射的光線，這不包括由 工件表面垂直散射的光線。 33. 如申請專利範圍第32項所述之表面檢視系統，其中 第一收集器係安裝以收集與垂直工件表面不超過25度的角 度所散射的光線。 34·如申請專利範圍第32項或第33項所述之表面檢視 系統，其中第二收集器係安裝以收集與垂直工件表面至少 22度的角度所散射的光線成分。 35·如申請專利範圍第34項所述之表面檢視系統，其中 第一收集器係安裝以收集與垂直工件表面不超過72度的角 度所散射的光線。 36·如申請專利範圍第30項所述之表面檢視系統，其中 該掃描窃係安裝以掃描與垂直工件表面至少45度的斜角度 〇 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公------ --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 482898 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 37·如申請專利範圍第3〇項所述之表面檢視系統，其中 該掃描器係安裝以掃描與垂直工件表面介於65至85度的 斜角度。 38·如申請專利範圍第3〇項所述之表面檢視系統，其中 進一步包括光通道偵測器，這包括一收集器以收集由工件 表面所反射的光線。 39· —種用於辨別在工件表面的微粒缺陷與凹洞缺陷的 表面檢視方法，其包括： 以斜角度偵測越過工件表面的P偏振光線；而且 以相對工件表面的不同預定角度用來收集從工件表面 散射的光線。 4〇·如申請專利範圍第39項所述之表面檢視方法，其中 P偏振光線以垂直工件表面至少45度的斜角度在工件表面 被掃描。 41·如申請專利範圍第39項所述之表面檢視方法，其中 P偏振光以垂直工件表面介於65度至85度間的斜角度在工 件表面被掃描。 42·如申請專利範圍第39項所述之表面檢視方法，其中 收集從工件表面所散射光線的步驟包括收集在預定角度範 圍所散射的光線成分，這範圍包括由工件表面所垂直散射 的光線，而且收集在角度範圍散射的光線，這範圍不包括 由表面垂直散射的光線。 '43·如申請專利範圍第42項所述之表面檢視方法，其中 收集從預定角度範圍散射的光線成分，這包括由工件表面 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂·--------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 482898 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範.圍 垂直散射的光線，收集光線成分包括收集與垂直工件表面 不超過25度的角度所散射的光線。 44. 如申請專利範圍第42項或第43項所述之表面檢視 方法，其中收集從預定角度範圍散射的光線成分，這角度 不包含垂直表面所散射的光線，收集光線包括收集與垂直 工件表面至少22度的角度所散射的光線。 45. 如申請專利範圍第44項所述之表面檢視方法，其中 收集從預定角度範圍散射的光線成分，這角度不包含垂直 表面所散射的光線，收集光線包括收集與垂直工件表面不 超過72度的角度所散射的光線。 46· —種用於辨別在工件表面的微粒缺陷與凹洞缺陷的 表面檢視系統，其包括： 掃描器以掃描工件表面，該掃描器包括一光源以斜角 度投射P偏振光； 暗通道偵測器包括至少兩個收集器用來以相對工件表 面的不同預定角度收集散射的光線；而且 基於該暗通道偵測器所偵測的散射光甩來分類工件表 面所偵測的缺陷的裝置。 47·如申請專利範圍第46項所述之表面檢視系統，其中 用來分類在工件表面所偵測的缺陷的裝置包括偵測由工件 散射光線的角度分布的差異。 48· —種用於辨別在工件表面的微粒缺陷與凹洞缺陷的 表面檢視方法，其包括： 以斜角度掃描越過工件表面的P偏振光線； 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂------1-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) / 482898 Α8 Β8 C8 D8 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範眉 以相對工件表面的不同預定角度用來分別地收集從χ 件表面散射的光線；而且 基於工件表面所收集的散射光用來分類工件表面戶斤十自 測的缺陷。 魏 、 49·如申請專利範圍第48項所述之表面債铡方法， 分類在工件表面所偵測的缺陷包括偵測從工件散射光線的 角度分布的差異。 --------1Τ---------線 ^__w. . . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）