JPH06347415A - パーティクル検査装置およびその検査方法 - Google Patents
パーティクル検査装置およびその検査方法Info
- Publication number
- JPH06347415A JPH06347415A JP13973493A JP13973493A JPH06347415A JP H06347415 A JPH06347415 A JP H06347415A JP 13973493 A JP13973493 A JP 13973493A JP 13973493 A JP13973493 A JP 13973493A JP H06347415 A JPH06347415 A JP H06347415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- light
- particles
- data
- particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の製造工程中での障害となる半導体
ウェーハ裏面のパーティクルの検査を可能とする。 【構成】半導体ウェーハ上に集光した光を入射する光源
と半導体ウェーハからの反射及び散乱光を検出する検出
器を備える検出部からの、半導体ウェーハ裏面上のマッ
プデータをフーリエ変換部にてフーリエ変換する。半導
体ウェーハ裏面には周期的な凹凸が存在し、この裏面か
らの反射光によるノイズはフィルタ５により除去，分離
される。
ウェーハ裏面のパーティクルの検査を可能とする。 【構成】半導体ウェーハ上に集光した光を入射する光源
と半導体ウェーハからの反射及び散乱光を検出する検出
器を備える検出部からの、半導体ウェーハ裏面上のマッ
プデータをフーリエ変換部にてフーリエ変換する。半導
体ウェーハ裏面には周期的な凹凸が存在し、この裏面か
らの反射光によるノイズはフィルタ５により除去，分離
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造の障害となる
パーティクルの検査装置およびその検査方法に係わり、
特に半導体ウェーハのパーティクル検査装置およびその
検査方法に関する。
パーティクルの検査装置およびその検査方法に係わり、
特に半導体ウェーハのパーティクル検査装置およびその
検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、パーテ
ィクルが存在すると製造パターンの欠陥となるばかりで
なく、導電性パーティクルが存在すると導通してはいけ
ない部位で電気的なショートが発生し、また非導電性パ
ーティクルが配線等の導電物質中に存在すると電気的な
オープンが発生し半導体装置の歩留まりが低下する要因
となる。
ィクルが存在すると製造パターンの欠陥となるばかりで
なく、導電性パーティクルが存在すると導通してはいけ
ない部位で電気的なショートが発生し、また非導電性パ
ーティクルが配線等の導電物質中に存在すると電気的な
オープンが発生し半導体装置の歩留まりが低下する要因
となる。
【０００３】半導体製造工程中においては、これらのパ
ーティクルによる製造歩留まりの低下を未然に防止する
ため、個別製造プロセスでのパーティクル発塵量をモニ
ターウェーハを用いて検査している。この検査に用いら
れているパーティクル検査装置は以下に示される装置が
用いられていた。
ーティクルによる製造歩留まりの低下を未然に防止する
ため、個別製造プロセスでのパーティクル発塵量をモニ
ターウェーハを用いて検査している。この検査に用いら
れているパーティクル検査装置は以下に示される装置が
用いられていた。
【０００４】図５は従来のパーティクル検査装置の検出
部を示す模式図、図６は従来のパーティクル検査装置の
データ処理を表すブロック図である。
部を示す模式図、図６は従来のパーティクル検査装置の
データ処理を表すブロック図である。
【０００５】パーティクル検査用の半導体ウェーハ１２
を素子が形成されて表面２３を上にして回転及び平行移
動あるいはＸ−Ｙ方向に走査可能なステージ１３上に保
持する。ここに半導体ウェーハ１２の斜め方向の光源１
４よりレーザー光を表面２３に照射する。半導体ウェー
ハ１２の垂直方向には光電子増倍管を用いた検出器１５
が備えられている。用いられる半導体ウェーハ１２は鏡
面であるのでパーティクルが存在しない場合は検出器１
５には光が進入せず、検出器１５からは電圧は発生しな
い。一方半導体ウェーハ１２上にパーティクルが存在す
ると、光散乱の原理により反射光以外に散乱光が発生
し、検出器１５にこの散乱光が進入し、電圧を発生す
る。この検出器１５からの電圧即ちパーティクルからの
散乱光の強度はパーティクルの大きさに依存し、この電
圧によりパーティクルの大きさを推定することが可能で
ある。
を素子が形成されて表面２３を上にして回転及び平行移
動あるいはＸ−Ｙ方向に走査可能なステージ１３上に保
持する。ここに半導体ウェーハ１２の斜め方向の光源１
４よりレーザー光を表面２３に照射する。半導体ウェー
ハ１２の垂直方向には光電子増倍管を用いた検出器１５
が備えられている。用いられる半導体ウェーハ１２は鏡
面であるのでパーティクルが存在しない場合は検出器１
５には光が進入せず、検出器１５からは電圧は発生しな
い。一方半導体ウェーハ１２上にパーティクルが存在す
ると、光散乱の原理により反射光以外に散乱光が発生
し、検出器１５にこの散乱光が進入し、電圧を発生す
る。この検出器１５からの電圧即ちパーティクルからの
散乱光の強度はパーティクルの大きさに依存し、この電
圧によりパーティクルの大きさを推定することが可能で
ある。
【０００６】ステージ１３を回転及び平行移動あるいは
Ｘ−Ｙ方向に走査することにより、半導体ウェーハ１２
全面でのパーティクルのデータを収集することができ
る。これは図６に示されるように検出部１からの検出デ
ータとステージ制御部３からの座標データを記憶部２に
蓄え、半導体ウェーハ１２表面全面の走査が終わった段
階で記憶部２内のマップデータよりパーティクルのサイ
ズ別ヒストグラム及びパーティクルのマップを処理部７
において計算しディスプレイ８及びプリンタ９に出力す
るという手法となっていた。
Ｘ−Ｙ方向に走査することにより、半導体ウェーハ１２
全面でのパーティクルのデータを収集することができ
る。これは図６に示されるように検出部１からの検出デ
ータとステージ制御部３からの座標データを記憶部２に
蓄え、半導体ウェーハ１２表面全面の走査が終わった段
階で記憶部２内のマップデータよりパーティクルのサイ
ズ別ヒストグラム及びパーティクルのマップを処理部７
において計算しディスプレイ８及びプリンタ９に出力す
るという手法となっていた。
【０００７】また、フォトマスク等であって簡単なパタ
ーンを有する被検査物に対するパーティクルの検査装置
としては図７に示される検査装置が提唱されている（実
開昭６３−１７２９４５号）。透明なフォトマスク１６
の全面より白色光を入射し、フォトマスク１６の表面の
パターンの情報をレンズアレイ１７を介してリニアイメ
ージセンサ１８により読み取り、この信号をＡ／Ｄ変換
器１９でデジタル化し、記憶メモリ２０に記憶する。こ
の記憶されたデータをシグナルプロセッサ２１にてフー
リエ変換して、予め定められたパーティクルの存在しな
い場合のフーリエ変換パターンと比較することにより高
速でパーティクルの検査が可能となる。パーティクルが
存在した場合にはシグナルプロセッサ２１より異常があ
るという警報信号を警報器２２に送るというものであ
る。
ーンを有する被検査物に対するパーティクルの検査装置
としては図７に示される検査装置が提唱されている（実
開昭６３−１７２９４５号）。透明なフォトマスク１６
の全面より白色光を入射し、フォトマスク１６の表面の
パターンの情報をレンズアレイ１７を介してリニアイメ
ージセンサ１８により読み取り、この信号をＡ／Ｄ変換
器１９でデジタル化し、記憶メモリ２０に記憶する。こ
の記憶されたデータをシグナルプロセッサ２１にてフー
リエ変換して、予め定められたパーティクルの存在しな
い場合のフーリエ変換パターンと比較することにより高
速でパーティクルの検査が可能となる。パーティクルが
存在した場合にはシグナルプロセッサ２１より異常があ
るという警報信号を警報器２２に送るというものであ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の半導体
ウェーハ上のパーティクル検査装置においてはモニター
ウェーハから得られた散乱光強度のデータをそのままパ
ーティクルの大きさに変換している。この場合パーティ
クルが存在しない場合にモニターウェーハ表面からの散
乱光を抑えるために、モニターウェーハの表面は鏡面で
ある必要がある。一方、半導体製造装置からの発塵量を
調査する際に半導体ウェーハ表面でのパーティクル数の
みならず半導体ウェーハ裏面でのパーティクル数を調査
する必要がある。しかしながら半導体ウェーハ裏面には
周期的な凹凸が存在し、従来のパーティクル検査装置で
はこの凹凸からの反射光とパーティクルからの散乱光の
区分が不可能であり、ウェーハ裏面でのパーティクルの
検出が困難であるという欠点があった。
ウェーハ上のパーティクル検査装置においてはモニター
ウェーハから得られた散乱光強度のデータをそのままパ
ーティクルの大きさに変換している。この場合パーティ
クルが存在しない場合にモニターウェーハ表面からの散
乱光を抑えるために、モニターウェーハの表面は鏡面で
ある必要がある。一方、半導体製造装置からの発塵量を
調査する際に半導体ウェーハ表面でのパーティクル数の
みならず半導体ウェーハ裏面でのパーティクル数を調査
する必要がある。しかしながら半導体ウェーハ裏面には
周期的な凹凸が存在し、従来のパーティクル検査装置で
はこの凹凸からの反射光とパーティクルからの散乱光の
区分が不可能であり、ウェーハ裏面でのパーティクルの
検出が困難であるという欠点があった。
【０００９】またリニアイメージセンサーとフーリエ変
換を用いるパーティクル検査装置では、フォトマスク等
の透明な材質でありかつ周期的なパターンを有する被検
査物に対しては検査可能であるが、光学的に不透明な半
導体ウェーハに対しては透過光を用いる検査法を適用す
ることができない。
換を用いるパーティクル検査装置では、フォトマスク等
の透明な材質でありかつ周期的なパターンを有する被検
査物に対しては検査可能であるが、光学的に不透明な半
導体ウェーハに対しては透過光を用いる検査法を適用す
ることができない。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のパーティクル検
査装置は、従来技術の課題に鑑み発明されたもので、半
導体ウェーハ裏面の凹凸が周期性を有することに着目
し、半導体ウェーハ裏面からの検出光の二次元データ
を、すなわちＸ，Ｙ方向の面積的データをフーリエ変換
することにより半導体ウェーハ裏面からの反射光と半導
体ウェーハ裏面上のパーティクルからの散乱光を分離す
ることにより、半導体ウェーハ裏面上のパーティクルを
検出可能としている。具体的には、半導体ウェーハ上に
集光した光を入射する光源と、半導体ウェーハからの反
射及び散乱光を検出する検出器と、半導体ウェーハ全面
を操作するための手段を有し、半導体ウェーハ全面から
の検出光のＸ，Ｙ方向の面積的データをフーリエ変換す
る手法とを有している。
査装置は、従来技術の課題に鑑み発明されたもので、半
導体ウェーハ裏面の凹凸が周期性を有することに着目
し、半導体ウェーハ裏面からの検出光の二次元データ
を、すなわちＸ，Ｙ方向の面積的データをフーリエ変換
することにより半導体ウェーハ裏面からの反射光と半導
体ウェーハ裏面上のパーティクルからの散乱光を分離す
ることにより、半導体ウェーハ裏面上のパーティクルを
検出可能としている。具体的には、半導体ウェーハ上に
集光した光を入射する光源と、半導体ウェーハからの反
射及び散乱光を検出する検出器と、半導体ウェーハ全面
を操作するための手段を有し、半導体ウェーハ全面から
の検出光のＸ，Ｙ方向の面積的データをフーリエ変換す
る手法とを有している。
【００１１】半導体ウェーハ裏面からの凹凸による散乱
光のＸ，Ｙ方向の面積的データはこの凹凸が周期性を有
することを反映し裏面にパーティクルが存在しない場合
には、検出光のデータをフーリエ変換すると裏面の凹凸
の周期を反映したフーリエ変換データが得られる。一方
ここにパーティクルが存在した場合、このパーティクル
からの散乱光は周期性が存在しないので、これをフーリ
エ変換すると高調波を多く含むデータが得られる。この
２種類のデータの差より、半導体ウェーハ裏面に存在す
るパーティクルの検出が可能となる。
光のＸ，Ｙ方向の面積的データはこの凹凸が周期性を有
することを反映し裏面にパーティクルが存在しない場合
には、検出光のデータをフーリエ変換すると裏面の凹凸
の周期を反映したフーリエ変換データが得られる。一方
ここにパーティクルが存在した場合、このパーティクル
からの散乱光は周期性が存在しないので、これをフーリ
エ変換すると高調波を多く含むデータが得られる。この
２種類のデータの差より、半導体ウェーハ裏面に存在す
るパーティクルの検出が可能となる。
【００１２】したがって本発明のパーティクルの検査方
法は、半導体ウェーハの裏面を走査する集光した光の反
射及び散乱光を検出し、この検出した検出光のデータを
フーリエ変換することを特徴とする。
法は、半導体ウェーハの裏面を走査する集光した光の反
射及び散乱光を検出し、この検出した検出光のデータを
フーリエ変換することを特徴とする。
【００１３】
【実施例】次に本発明の図面を参照して説明する。
【００１４】図１は本発明のパーティクル検査装置の一
実施例におけるデータ処理のブロック図である。なお本
発明のパーティクル検査装置の検出部は図２に示すよう
に、図５に示される従来のパーティクル検査装置の検出
部と同様の構成からなっている。しかし本発明の実施例
ではステージ１３上には半導体ウェーハ１２がその裏面
（素子が形成されない方の主面）２４を上面に向けて保
持されている。
実施例におけるデータ処理のブロック図である。なお本
発明のパーティクル検査装置の検出部は図２に示すよう
に、図５に示される従来のパーティクル検査装置の検出
部と同様の構成からなっている。しかし本発明の実施例
ではステージ１３上には半導体ウェーハ１２がその裏面
（素子が形成されない方の主面）２４を上面に向けて保
持されている。
【００１５】図１において、検出部１より取り込まれた
半導体ウェーハ裏面からの検出光データは記憶部２に転
送され、この時同時にその検出光の座標データがステー
ジ制御部３から記憶部２に転送される。半導体ウェーハ
裏面の全面の走査が完了すると記憶部のメモリ内には半
導体ウェーハ上の全裏面からの検出光データがＸ，Ｙ方
向の面積的（以下、二次元、と称す）のマップデータと
して蓄えられることになる。
半導体ウェーハ裏面からの検出光データは記憶部２に転
送され、この時同時にその検出光の座標データがステー
ジ制御部３から記憶部２に転送される。半導体ウェーハ
裏面の全面の走査が完了すると記憶部のメモリ内には半
導体ウェーハ上の全裏面からの検出光データがＸ，Ｙ方
向の面積的（以下、二次元、と称す）のマップデータと
して蓄えられることになる。
【００１６】この二次元データをフーリエ変換するため
に、マップデータはフーリエ変換部４に転送される。フ
ーリエ変換部４にてマップデータは高速フーリエ変換さ
れフーリエ変換後のデータ（以後これをパワースペクト
ルと呼ぶ）が得られる。
に、マップデータはフーリエ変換部４に転送される。フ
ーリエ変換部４にてマップデータは高速フーリエ変換さ
れフーリエ変換後のデータ（以後これをパワースペクト
ルと呼ぶ）が得られる。
【００１７】半導体ウェーハ裏面の情報を得ようとする
ときに半導体ウェーハ裏面にパーティクルが存在しない
場合のパワースペクトルを便宜上一次元（Ｘ方向もしく
はＹ方向）で表すと裏面の凹凸の周期性を反映し、図４
中Ａの曲線に示されるように、ある一定の周波数を中心
としたピーク波形となる。
ときに半導体ウェーハ裏面にパーティクルが存在しない
場合のパワースペクトルを便宜上一次元（Ｘ方向もしく
はＹ方向）で表すと裏面の凹凸の周期性を反映し、図４
中Ａの曲線に示されるように、ある一定の周波数を中心
としたピーク波形となる。
【００１８】一方、半導体ウェーハ裏面にパーティクル
が存在した場合のパーティクルからのパワースペクトル
を一次元で表すと、図４中Ｂの曲線に示されるような、
パワースペクトルが得られる。
が存在した場合のパーティクルからのパワースペクトル
を一次元で表すと、図４中Ｂの曲線に示されるような、
パワースペクトルが得られる。
【００１９】この図４のＡおよびＢの曲線を分離するこ
とにより半導体ウェーハ裏面のパーティクルの存在を検
出することができる。具体的には図４のＡおよびＢの混
在したパワースペクトルをロウカットフィルターに通し
低周波成分を除去する。このロウカットフィルターは計
算機中で数値的に行われる。またその閾周波数をウェー
ハ裏面より得られる図４中の周波数ｆH よりも低い周波
数成分を除去するロウカットフィルタを用いる。これに
より、図４中Ｂの波形のみを選択することができる。フ
ーリエ変換部４からのパワースペクトルはこのフィルタ
部５でパーティクルからのデータのみに加工された後に
逆フーリエ変換部６に転送される。ここでフーリエ変換
部４と同様の手法によりパーティクルのパワースペクト
ルは逆フーリエ変換され、パーティクルのみのマップデ
ータが得られる。このマップデータを処理部７でパーテ
ィクルのサイズ別ヒストグラム及びパーティクルのマッ
プに変換しディスプレイ８及びプリンタ９に出力する。
とにより半導体ウェーハ裏面のパーティクルの存在を検
出することができる。具体的には図４のＡおよびＢの混
在したパワースペクトルをロウカットフィルターに通し
低周波成分を除去する。このロウカットフィルターは計
算機中で数値的に行われる。またその閾周波数をウェー
ハ裏面より得られる図４中の周波数ｆH よりも低い周波
数成分を除去するロウカットフィルタを用いる。これに
より、図４中Ｂの波形のみを選択することができる。フ
ーリエ変換部４からのパワースペクトルはこのフィルタ
部５でパーティクルからのデータのみに加工された後に
逆フーリエ変換部６に転送される。ここでフーリエ変換
部４と同様の手法によりパーティクルのパワースペクト
ルは逆フーリエ変換され、パーティクルのみのマップデ
ータが得られる。このマップデータを処理部７でパーテ
ィクルのサイズ別ヒストグラム及びパーティクルのマッ
プに変換しディスプレイ８及びプリンタ９に出力する。
【００２０】一方パーティクルからの散乱光は図４中Ｂ
に示される波形以外にも、Ｃで示されるような波形を示
すこともまれにある。このような場合にはロウカットフ
ィルタで処理を行うとパーティクルからの散乱光の一部
も除去されてしまい、パーティクル検出感度が低下する
可能性がある。この課題を解決するためにはフィルタに
図４中ｆL からｆH の間の周波数成分を除去するフィル
タを用いることも可能である。
に示される波形以外にも、Ｃで示されるような波形を示
すこともまれにある。このような場合にはロウカットフ
ィルタで処理を行うとパーティクルからの散乱光の一部
も除去されてしまい、パーティクル検出感度が低下する
可能性がある。この課題を解決するためにはフィルタに
図４中ｆL からｆH の間の周波数成分を除去するフィル
タを用いることも可能である。
【００２１】次に本発明の別の実施例を図面を参照して
説明する。図３は本発明のパーティクル検査装置の別の
実施例におけるデータ処理のブロック図である。本実施
例においてはフィルタ５を用いる代わりにパーティクル
の存在しない状態での半導体ウェーハ裏面からの散乱光
のフーリエ変換データを予め記憶させておき、これと測
定されたデータのフーリエ変換データとを比較すること
で、パーティクルのデータのみを抽出分離しようという
ものである。基準データ記憶部１０には、パーティクル
の存在しない場合のウェーハ裏面からのフーリエ変換さ
れた検出データを予め蓄えておく。先の実施例と同様に
半導体ウェーハから得られたフーリエ変換されたパワー
スペクトルは比較部１１に転送される。比較部１１には
基準データ記憶部１０より基準データが転送され、パワ
ースペクトルと基準データの比較が行われる。具体的に
は、 （パワースペクトル）−（基準データ） なる減算を行い、パーティクルからのデータのみに加工
される。以降は先の実施例と同様な処理が行われる。
説明する。図３は本発明のパーティクル検査装置の別の
実施例におけるデータ処理のブロック図である。本実施
例においてはフィルタ５を用いる代わりにパーティクル
の存在しない状態での半導体ウェーハ裏面からの散乱光
のフーリエ変換データを予め記憶させておき、これと測
定されたデータのフーリエ変換データとを比較すること
で、パーティクルのデータのみを抽出分離しようという
ものである。基準データ記憶部１０には、パーティクル
の存在しない場合のウェーハ裏面からのフーリエ変換さ
れた検出データを予め蓄えておく。先の実施例と同様に
半導体ウェーハから得られたフーリエ変換されたパワー
スペクトルは比較部１１に転送される。比較部１１には
基準データ記憶部１０より基準データが転送され、パワ
ースペクトルと基準データの比較が行われる。具体的に
は、 （パワースペクトル）−（基準データ） なる減算を行い、パーティクルからのデータのみに加工
される。以降は先の実施例と同様な処理が行われる。
【００２２】以上の実施例では半導体ウェーハ裏面から
のパーティクル検査に限って実施例を紹介したが本発明
による検査装置を用いれば不透明の半導体ウェーハの裏
面のみならず周期性を有する半導体ウェーハの表面のパ
ターン上のパーティクルも検査することが可能である。
のパーティクル検査に限って実施例を紹介したが本発明
による検査装置を用いれば不透明の半導体ウェーハの裏
面のみならず周期性を有する半導体ウェーハの表面のパ
ターン上のパーティクルも検査することが可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように本発明のパーティクル
検査装置は、半導体ウェーハ上に集光した光を入射する
光源と、半導体ウェーハからの反射及び散乱光を検出す
る検出器と、半導体ウェーハ全面を走査するための手段
を有し、半導体ウェーハ全面からの検出光の二次元デー
タをフーリエ変換する手法とを有することにより、従来
法では検出困難であった半導体ウェーハ裏面のパーティ
クルの検査が可能となる。そして図６の従来のパーティ
クル検査装置では裏面上では５ミクロン以上のパーティ
クルでないと検出することができなかったが、本発明の
パーティクル検査装置では０．５ミクロンより小のパー
ティクルも検出可能であり、検出感度が１桁以上向上し
た。
検査装置は、半導体ウェーハ上に集光した光を入射する
光源と、半導体ウェーハからの反射及び散乱光を検出す
る検出器と、半導体ウェーハ全面を走査するための手段
を有し、半導体ウェーハ全面からの検出光の二次元デー
タをフーリエ変換する手法とを有することにより、従来
法では検出困難であった半導体ウェーハ裏面のパーティ
クルの検査が可能となる。そして図６の従来のパーティ
クル検査装置では裏面上では５ミクロン以上のパーティ
クルでないと検出することができなかったが、本発明の
パーティクル検査装置では０．５ミクロンより小のパー
ティクルも検出可能であり、検出感度が１桁以上向上し
た。
【図１】本発明のパーティクル検査装置の一実施例にお
けるデータ処理を示すブロック図。
けるデータ処理を示すブロック図。
【図２】本発明の実施例のパーティクル検査装置の検出
部を示す模式図。
部を示す模式図。
【図３】本発明のパーティクル検査装置の別の実施例に
おけるデータ処理を示すブロック図。
おけるデータ処理を示すブロック図。
【図４】本発明の一実施例の検査装置で得られるパワー
スペクトルを示す図。
スペクトルを示す図。
【図５】パーティクル検査装置の検出部を示す模式図。
【図６】従来技術のパーティクル検査装置のデータ処理
を示すブロック図。
を示すブロック図。
【図７】別の従来技術のパーティクル検査装置を示すブ
ロック図。
ロック図。
１ 検出部 ２ 記憶部 ３ ステージ制御部 ４ フーリエ変換部 ５ フィルタ ６ 逆フーリエ変換部 ７ 処理部 ８ ディスプレイ ９ プリンタ １０ 基準データ記憶部 １１ 比較部 １２ 半導体ウェーハ １３ ステージ １４ 光源 １５ 検出器 １６ フォトマスク １７ レンズアレイ １８ リニアイメージセンサ １９ Ａ／Ｄ変換器 ２０ 記憶メモリ ２１ シグナルプロセッサ ２２ 警報器 ２３ 半導体ウェーハの表面 ２４ 半導体ウェーハの裏面
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェーハ上に集光した光を入射す
る光源と、前記半導体ウェーハからの反射及び散乱光を
検出する検出器と、前記半導体ウェーハ全面を操作する
ための手段を有し、前記半導体ウェーハ全面からの検出
光のデータをフーリエ変換する手段とを有するパーティ
クル検査装置。 - 【請求項２】 半導体ウェーハの裏面を操作する集光し
た光の反射及び散乱光を検出し、この検出した検出光の
データをフーリエ変換することを特徴とするパーティク
ルの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13973493A JPH06347415A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | パーティクル検査装置およびその検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13973493A JPH06347415A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | パーティクル検査装置およびその検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347415A true JPH06347415A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15252140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13973493A Pending JPH06347415A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | パーティクル検査装置およびその検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06347415A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008501120A (ja) * | 2004-05-28 | 2008-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 光学測定における形状ラフネス測定 |
| WO2009147821A1 (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | 住友化学株式会社 | 樹脂材料検査装置および記録媒体 |
| US7968354B1 (en) | 2002-10-04 | 2011-06-28 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods for correlating backside and frontside defects detected on a specimen and classification of backside defects |
| WO2011155294A1 (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-15 | シャープ株式会社 | 基板処理装置、基板搬送装置および打痕検出装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6264123A (ja) * | 1986-09-12 | 1987-03-23 | Nec Corp | 半導体回路 |
| JPS63190352A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-05 | Matsushita Electronics Corp | 半導体ウェハ検査方法 |
-
1993
- 1993-06-11 JP JP13973493A patent/JPH06347415A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6264123A (ja) * | 1986-09-12 | 1987-03-23 | Nec Corp | 半導体回路 |
| JPS63190352A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-05 | Matsushita Electronics Corp | 半導体ウェハ検査方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7968354B1 (en) | 2002-10-04 | 2011-06-28 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods for correlating backside and frontside defects detected on a specimen and classification of backside defects |
| JP2008501120A (ja) * | 2004-05-28 | 2008-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 光学測定における形状ラフネス測定 |
| JP4842931B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2011-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 光学測定における形状ラフネス測定 |
| WO2009147821A1 (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | 住友化学株式会社 | 樹脂材料検査装置および記録媒体 |
| JP2009294087A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 樹脂材料検査装置およびプログラム |
| WO2011155294A1 (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-15 | シャープ株式会社 | 基板処理装置、基板搬送装置および打痕検出装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8775101B2 (en) | Detecting defects on a wafer | |
| US9053527B2 (en) | Detecting defects on a wafer | |
| JP4230674B2 (ja) | 欠陥検査装置およびその方法 | |
| JP3996728B2 (ja) | 表面検査装置およびその方法 | |
| CA1038948A (en) | Photomask inspection by real time diffraction pattern analysis | |
| EP2396815A2 (en) | Detecting defects on a wafer | |
| JP2006201179A (ja) | 表面検査装置およびその方法 | |
| JP3938227B2 (ja) | 異物検査方法および装置 | |
| JP3287227B2 (ja) | 微小異物検出方法及びその検出装置 | |
| JP3087384B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH10221267A (ja) | 微小欠陥検査方法およびその装置並びに露光方法および半導体基板の製造方法 | |
| KR102188625B1 (ko) | 웨이퍼 검사용 로직에서의 패턴 억제 | |
| JPH06347415A (ja) | パーティクル検査装置およびその検査方法 | |
| US9933370B2 (en) | Inspection apparatus | |
| JP2009192541A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JP2004079593A (ja) | 異物検査方法及び異物検査装置 | |
| JP3314217B2 (ja) | 外観検査装置 | |
| JP2010223964A (ja) | 欠陥検査装置およびその方法 | |
| JP2002340537A (ja) | 表面評価方法 | |
| JP2004163240A (ja) | 表面評価装置 | |
| JP2898669B2 (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPH0523061B2 (ja) | ||
| JP2003057193A (ja) | 異物検査装置 | |
| JP3348059B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0845999A (ja) | 規則的パターンを有するウェハの表面検査方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960109 |