WO2011155294A1 - 基板処理装置、基板搬送装置および打痕検出装置 - Google Patents

基板処理装置、基板搬送装置および打痕検出装置 Download PDF

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政則 関
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シャープ株式会社
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/89—Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles
    • G01N21/892—Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles characterised by the flaw, defect or object feature examined
    • G01N21/896—Optical defects in or on transparent materials, e.g. distortion, surface flaws in conveyed flat sheet or rod
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus (for example, a dry etching apparatus) for processing a substrate.
  • the present invention relates to an apparatus for processing a substrate such as mother glass for a liquid crystal panel.
  • the present invention also relates to a substrate transport apparatus that transports a substrate and an apparatus that detects a dent formed on the substrate. Note that this application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2010-131882 filed on Jun. 9, 2010, the entire contents of which are incorporated herein by reference. .
  • a liquid crystal panel which is a component of a liquid crystal display device (LCD) has a structure in which a pair of glass substrates are opposed to each other with a predetermined gap secured.
  • the glass substrates (mother glass) for liquid crystal panels have been increasing year by year, and the liquid crystal panel production line is used to transport such large glass substrates.
  • a substrate transfer device is provided in the factory.
  • a processing apparatus that processes a glass substrate for a liquid crystal panel often performs various processes by introducing the mother glass transported by the substrate transport apparatus into the processing apparatus from the viewpoint of efficiency.
  • mother glass is introduced into a chamber and a dry etching process is performed in the chamber.
  • the mother glass is removed as a defective substrate (NG substrate).
  • the mother glass may have dents due to vibrations caused by robot arm transfer operations and lift pin lifting / lowering operations.
  • the mother glass that only has dents is not broken, so it is It will not be removed.
  • the substrate may be removed by checking visually or using a substrate crack detection device.
  • a mother glass with a dent is introduced into a dry etching apparatus, if a crack develops in the dry etching apparatus and a substrate crack occurs, it is very difficult to remove the broken mother glass. It will be a hassle. Specifically, the dry etching apparatus is stopped, the vacuum state (or atmosphere) of the dry etching apparatus is opened, and then all glass pieces are removed by human hands, and then the dry etching apparatus can be operated again. It is necessary to restore to the state.
  • Patent Document 1 discloses a surface inspection apparatus for inspecting surface defects on the surface of a disk substrate (aluminum disk substrate) used in an information storage device such as a hard disk drive.
  • a glass substrate mother glass
  • the mother glass is very large in size, it takes time to stop all the mother glasses at the place where the surface inspection device is installed and to perform the inspection process, and to perform the inspection process is a throughput. Will result in a decline.
  • the dent of the glass substrate cannot be detected, there is a possibility that the substrate is damaged in a processing apparatus such as a dry etching apparatus, and the problem about the damage in the processing apparatus cannot be solved.
  • an image pickup apparatus that can be used to determine the quality of a pattern formed on the surface of the mother glass acquires image data of the pattern formation region of the mother glass.
  • the dent is often generated on the substrate edge of the mother glass located outside the pattern formation region. In this case, the dent data cannot be acquired by the image pickup apparatus.
  • the present invention has been made in view of such a point, and a main object thereof is to provide a substrate processing apparatus capable of easily detecting a dent formed on a substrate.
  • a substrate processing apparatus is an apparatus for processing a substrate, and includes a load lock chamber into which a substrate is introduced from the outside, a process chamber connected to the load lock chamber and processing the substrate, and the load
  • the lock chamber is provided with a laser light source that emits light for scanning the entire back surface of the substrate, and a light receiving element that receives reflected light reflected by the back surface
  • the substrate processing apparatus further includes:
  • An analysis device is provided that detects the presence or absence of a dent by analyzing the reflected light.
  • the analysis device has a function of performing a Fourier transform on the intensity distribution of the reflected light.
  • the load lock chamber includes a moving device that moves the substrate, and the laser light source irradiates the back surface of the substrate that is moved by the moving device.
  • the laser light source irradiates a sheet laser beam extending across a width direction perpendicular to the moving direction of the substrate on the back surface of the substrate, and the light receiving element is the sheet. The reflected light of the laser beam is received.
  • the sheet laser light is generated by passing light from the laser light source through an optical system.
  • the substrate is a mother glass for a liquid crystal panel.
  • the process chamber is a chamber that performs a process selected from the group consisting of dry etching, CVD, and sputtering.
  • a substrate transport apparatus is a device for transporting a substrate, a transport conveyor capable of transporting a substrate, a laser light source that emits light for scanning the entire back surface of the substrate moving on the transport conveyor, and the back surface
  • a light receiving element that receives the reflected light reflected by the light source and an analysis device that detects the presence or absence of a dent by analyzing the reflected light.
  • the analysis device has a function of performing a Fourier transform on the intensity distribution of the reflected light.
  • the substrate is a mother glass for a liquid crystal panel
  • the laser light source extends on a back surface of the substrate over a width direction perpendicular to the moving direction of the substrate.
  • Laser light is irradiated, and the light receiving element receives reflected light of the sheet laser light.
  • a dent detection device is a device for detecting a dent on a substrate, a laser light source that emits a sheet laser beam that scans the entire back surface of the substrate, and a light receiving device that receives reflected light reflected by the back surface.
  • An element and an analysis device that detects the presence or absence of a dent by analyzing the reflected light are provided.
  • the apparatus further includes a splitter that branches the laser light and a further light receiving element that receives the light of the splitter.
  • Another dent detection device is a device for detecting a dent on a substrate, a laser light source that emits light for scanning the side surface of the substrate, and a light receiving element that receives the reflected light reflected by the side surface. And an analyzer for detecting the presence or absence of a dent by analyzing the reflected light.
  • the analysis device has a function of performing a Fourier transform on the intensity distribution of the reflected light.
  • the dent detection method is a method for detecting a dent on a substrate, a step of emitting light for scanning a side surface of the substrate, a step of receiving reflected light reflected by the side surface, and the reflection Analyzing the light to detect the presence or absence of a dent.
  • the presence or absence of the dent is determined by comparing the intensity distribution of the reflected light with the intensity distribution of the reflected light serving as a reference of a normal part.
  • the detecting step includes a step of Fourier transforming the intensity distribution of the reflected light.
  • the detecting step performs a Fourier transform on the compared intensity difference or intensity ratio distribution by comparing the intensity distribution of the emitted light and the intensity distribution of the reflected light. Includes steps.
  • a laser light source that emits light for scanning the entire back surface of the substrate, a light receiving element that receives reflected light reflected by the back surface, and an analysis for detecting the presence or absence of a dent by analyzing the reflected light Therefore, the dent formed on the substrate can be easily detected by analyzing the reflected light from the back surface of the moving substrate.
  • FIG. 1 It is a figure which shows typically the structure of the dent detection apparatus 100 of embodiment of this invention.
  • (A)-(c) is a graph showing intensity distribution of reflected light.
  • (A) And (b) is a graph showing what carried out the Fourier transform of the intensity distribution of reflected light.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of a dent detection device 100 according to an embodiment of the present invention.
  • the dent detection device 100 includes a laser light source 20 that emits light 25a that scans the entire back surface 10b of the substrate 10, and a light receiving element 22 that receives the reflected light 25b reflected by the back surface 10b. Yes.
  • the dent detection device 100 is provided with an analysis device 21 that detects the presence or absence of the dent 90 by analyzing the reflected light 25b.
  • the substrate 10 of the present embodiment is, for example, a glass substrate, and the substrate 10 of the present embodiment is a glass substrate for a liquid crystal panel.
  • the substrate 10 is a mother glass before being cut out to the dimensions of the liquid crystal panel.
  • the size of the mother glass as the substrate 10 is 1 meter or more on one side. Specifically, when the substrate 10 is a 10th generation mother glass, the size is 2880 mm (W) ⁇ 3130 mm (L).
  • the substrate 10 is not limited to the mother glass before being cut out to the dimensions of the liquid crystal panel, but may be glass having the size of the liquid crystal panel after being cut out. Further, the substrate 10 may be an array substrate on which a thin film transistor (TFT) is manufactured (or a product in the middle of manufacturing), or a CF substrate on which a color filter (CF) is formed (or a device in the middle of manufacturing thereof). It may be. When the substrate 10 is an array substrate or a CF substrate (including those in the middle of production), a thin film (such as various patterns) is formed on the surface 10 a of the substrate 10. In addition, the substrate 10 is not limited to a liquid crystal panel, but may be used for other purposes (for example, a PDP or other flat panel display).
  • TFT thin film transistor
  • CF color filter
  • the substrate 10 is not limited to a liquid crystal panel, but may be used for other purposes (for example, a PDP or other flat panel display).
  • the laser light source 20 is, for example, a solid laser element, and the laser light source 20 in the present embodiment is a semiconductor laser element (for example, a blue LED laser element).
  • substrate 10 can be arrange
  • the laser light source 20 irradiates the back surface 10b of the moving substrate 10, and thereby scans the entire back surface 10b of the substrate 10.
  • the laser light source 20 irradiates a sheet laser beam 25 c extending in the width direction (W) perpendicular to the moving direction 50 of the substrate 10.
  • the sheet laser beam 25c (that is, a sheet-shaped laser beam) can be generated by passing an optical system (for example, a combination of a beam expander and a cylindrical lens) through the laser light source 20 that emits linear light. It is.
  • the light receiving element 22 is an element that receives light and converts it into an electrical signal, and the light receiving element 22 in the present embodiment is a photodiode.
  • the light receiving element 22 shown in FIG. 1 receives the reflected light 25b of the sheet laser light 25c.
  • the light receiving element 22 may be provided with an optical system (for example, a condensing lens), and the reflected light 25b may be received through the optical system.
  • the light receiving element 22 is connected to the analysis device 21, and data of the light receiving element 22 is sent to the analysis device 21.
  • the analysis device 21 is also connected to the laser light source 20, and the operation of the laser light source 20 can be controlled by the analysis device 21.
  • the laser light source 20 and the light receiving element 22 are disposed on the bottom plate 24 positioned below the moving substrate 10.
  • the substrate 10 passes above the bottom plate 24, the back surface 10 b of the substrate 10 passing therethrough is scanned with the light (25 a, 25 c) of the laser light source 20, and the reflected light 25 b is received by the light receiving element 22.
  • the bottom plate 24 is a part of the substrate processing apparatus (for example, a bottom plate of a load lock chamber in the dry etching apparatus). is there.
  • the analysis device 21 detects the dent 90 when the dent 90 is generated on the back surface 10b of the substrate 10 by analyzing the intensity distribution of the reflected light 25b.
  • the analysis device 21 can be composed of, for example, a personal computer (PC).
  • the analysis device 21 includes, for example, a storage device (for example, a hard disk, a semiconductor memory, an optical disk, etc.) in which a program for detecting the dent 90 (a dent detection program) is stored, a central processing circuit (CPU), an input / output device (display) Keyboard, mouse, etc.).
  • FIG. 2A is a graph showing the intensity distribution of the reference reflected light 25b. Since there is no dent 90 on the back surface 10b of the substrate 10, the laser intensity (vertical axis) is constant even if the position (horizontal axis) of the substrate along the width direction (W) is changed.
  • the width direction (W) represents a direction perpendicular to the traveling direction of the substrate 10, and the size of the substrate 10 is related to the width direction (W) and the length direction (L). Not.
  • FIG. 2B is a graph showing the intensity distribution of the reflected light 25b at a normal portion of the back surface 10b of the substrate 10.
  • the intensity distribution of the normal part is basically the same as the reference distribution shown in FIG.
  • the dent 90 is generated on the back surface 10b of the substrate 10, light scattering occurs at that portion. Therefore, as shown in FIG. 2C, the strength of the portion (90a) where the dent 90 is present is reduced, and the presence or absence of the dent 90 can be determined by detecting this strength reduction.
  • the analysis device 21 of this embodiment further has a function of Fourier transforming this intensity distribution.
  • Examples of the Fourier transform of the intensity distributions shown in FIGS. 2B and 2C are shown in FIGS. 3A and 3B, respectively.
  • a graph of a pattern serving as a predetermined reference is obtained.
  • a component (peak) 90b different from the reference pattern is generated, and the presence of the dent 90 is determined based on the component (peak) 90b.
  • the substrate 10 on which the dent 90 is detected by the analysis device 21 can be removed before a predetermined process is executed by the substrate processing apparatus. Thereby, it can be avoided that the substrate 10 in which the dent 90 is generated enters the substrate processing apparatus, and the substrate 10 is damaged due to the crack progressing from the dent 90 in the substrate processing apparatus.
  • the dent 90 is inevitably generated by the vibration of the robot arm transport operation and the lift pin lifting / lowering operation. Specifically, a dent 90 is generated due to a minor failure of the transport system device (such as a loose screw fixing portion and a shift of the transport roller position). The dent 90 produced by such a phenomenon is different from a large flaw, and for example, it is difficult to visually confirm its presence. On the other hand, since the mother glass in which the dent 90 is generated is not broken, it is difficult to remove it as a defective substrate. Therefore, the substrate 10 having the dent 90 is broken in the substrate processing apparatus. There was a case. According to the configuration of the present embodiment, since the presence of the dent 90 can be detected, such a problem can be avoided.
  • the laser light source 20 that emits light (or sheet laser light) 25a that scans the entire back surface 10b of the substrate 10 and the reflected light 25b that is reflected by the back surface 10b are received.
  • the light receiving element 22 and the analysis device 21 that detects the presence or absence of the dent 90 by analyzing the reflected light 25b are provided. Therefore, by analyzing the reflected light 25b from the back surface 10b of the substrate 10 moving along the traveling direction 50, the dent 90 formed on the substrate 10 can be easily detected.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 200 of the present embodiment.
  • the substrate processing apparatus 200 shown in FIG. 4 is a dry etching apparatus, and can dry-etch a thin film formed on the surface 10a of the substrate 10.
  • the illustrated substrate processing apparatus 200 includes a load lock chamber 32 into which a substrate 10 is introduced from the outside, and a process chamber 35 connected to the load lock chamber 32 and processing the substrate 10.
  • the load lock chamber 32 is connected to the process chamber 35 via a transfer chamber 33, and a substrate moving robot having a robot arm for moving the substrate 10 is arranged in the transfer chamber 33. ing.
  • the load lock chamber 32 is a chamber provided for the purpose of holding the process chamber 35 in a vacuum (or atmosphere) and not opening it to the atmosphere.
  • the load lock chamber 32 is used for loading and unloading the substrate 10 before and after processing into the process chamber 35. Has been installed for.
  • the load lock chamber 32 is provided with a mechanism for transferring the substrate 10 or a substrate transport mechanism, and the substrate 10 before and after processing can be taken in and out of the outside, and between the process chamber 35 and the substrate 10. Can be put in and out.
  • the substrate processing apparatus 200 of this embodiment is provided with a dent detection apparatus 100.
  • the dent detection device 100 is disposed in the load lock chamber 32. Therefore, when the substrate 10 passes through the load lock chamber 32, it is possible to inspect whether or not the dent 90 is present on the substrate 10. Further, since the entire surface of the back surface 10b of the substrate 10 can be scanned in accordance with the movement of the substrate 10, it is not necessary to secure a separate time for inspection, and a reduction in processing throughput of the substrate 10 is suppressed. can do.
  • the process chamber 35 has, for example, a structure shown in FIG.
  • the process chamber 35 (dry etching processing unit) shown in FIG. 5 has a structure of a parallel plate type plasma etching apparatus.
  • an upper electrode 41 and a lower electrode 42 are arranged to face each other.
  • the upper electrode 41 is connected to the ground 43, while the lower electrode 42 is connected to the high frequency power supply 44.
  • An exhaust port 47 is formed in a part of the chamber 35 (here, at the bottom), and exhaust is performed through the exhaust port 47 (arrow 48).
  • An etching gas inlet (not shown) is also arranged in the chamber 35.
  • the substrate 10 can be disposed on the upper surface 42 a of the lower electrode 42.
  • plasma 40 is generated between the upper electrode 41 and the lower electrode 42.
  • an etching gas is introduced when the plasma 40 is generated, a plasma etching process can be performed. After the etching process, the substrate 10 moves from the process chamber 35 to the transfer chamber 33, and then moves to the outside through the load lock chamber 32.
  • a dry etching apparatus has been described as an example of the substrate processing apparatus 200, but the dent detection apparatus 100 of the present embodiment can be used for other substrate processing apparatuses.
  • the dent detection apparatus 100 can be used in a CVD apparatus, a sputtering apparatus, or the like.
  • FIG. 6 is a perspective view for explaining the substrate transfer device 300 provided with the dent detection device 100 of the present embodiment.
  • FIG. 7 shows a cross-sectional configuration of the substrate transfer apparatus 300 of this embodiment.
  • the substrate transfer apparatus 300 may be disposed not only inside the above-described substrate processing apparatus 200 but also on a manufacturing process line outside the substrate processing apparatus 200. That is, by detecting the dent 90 of the substrate 10 being transported outside the substrate processing apparatus 200, the defective substrate can be prevented from being introduced into the substrate processing apparatus 200. At the same time, since a defective substrate can be found at a predetermined point when the substrate 10 is transported, it is possible to pick up in advance the substrate 10 that may be cracked.
  • the 6 includes a roller conveyor 26.
  • the substrate transfer apparatus 300 shown in FIG. The substrate 10 moves in the traveling direction 50 according to the rotation of the roller conveyor 26.
  • the laser light source 20 and the light receiving element 22 constituting the dent detection device 100 are disposed between the rotating members of the adjacent roller conveyors 26. If the dent 90 is detected on the substrate 10 by the analysis device 21, a warning of a defective substrate is issued. Thereafter, the movement of the roller conveyor 26 can be controlled to remove the defective substrate from the production line.
  • FIG. 7 shows a configuration in which an optical system 28 that generates sheet-like laser light 27a from the laser light source 20 and an optical system 29 that condenses the reflected light 27b are provided.
  • Yes. 6 and 7 exemplify those using the roller conveyor 26 as the substrate transfer device 300, but those using other moving devices (for example, air levitation devices) may be adopted.
  • the substrate transfer device 300 can be controlled to remove and discard the defective substrate. Furthermore, the completion of the inspection of the dent 90 during the movement of the substrate 10 eliminates the need for a processing time for the dent inspection, so that a decrease in throughput in the panel manufacturing process can be suppressed.
  • the intensity distribution of the reflected light 25b and the reflected light (reference reflected light) serving as a reference for the normal part are used. Not only the method of comparing the intensity distribution but also other methods can be adopted. For example, the intensity distribution of the reflected light 25b is compared with the intensity distribution of the emitted light 25a (that is, the light before reflection), and the intensity difference or intensity ratio distribution is Fourier transformed to obtain the peak intensity position. Detect changes. According to this, it is possible to detect a slight change in the intensity distribution. In the case of performing this method, for example, a splitter (beam splitter) that branches the laser light 25a is provided in the optical system 28 shown in FIG. 7, and a light receiving element (second light receiving element) that receives the branched laser light. ).
  • a splitter beam splitter
  • the location is often not the central region of the substrate on which the predetermined pattern is formed, but the outer edge thereof. Even when the dent 90 is generated at the edge of the substrate 10, the configuration of this embodiment scans the entire back surface 10 b of the substrate 10, so that the dent 90 at such a location can also be detected.
  • several layers are deposited on the surface (upper surface) 10a of the substrate 10, but such layers are not formed on the back surface (lower surface) 10b of the substrate 10. Therefore, according to the method of the present embodiment in which the back surface 10b of the substrate 10 is scanned, the dent 90 can be easily detected without being blocked by another layer.
  • the dent 90 is often generated on the back surface 10b of the substrate 10 due to vibrations caused by the robot arm transfer operation or the lift pin lifting / lowering operation. The technique is technically valuable.
  • the method of detecting the dent 90 generated on the back surface 10b of the substrate 10 has been described.
  • the dent 90 generated on the side surface 10c of the substrate 10 is detected.
  • the side surface 10 c of the substrate 10 moving in the traveling direction 50 is irradiated with the light 25 a from the laser light source 20 and the reflected light 25 b is received by the light receiving element 22.
  • the presence or absence of the dent 90 is determined by If both side surfaces 10c of the moving substrate 10 are scanned, it is possible to determine whether or not the dent 90 is present on the side surface 10c of the substrate 10. Even when the dent 90 is generated on the side surface 10c of the substrate 10, a crack may progress from the dent 90 and the substrate 10 may be cracked. Therefore, it is also possible to detect the dent 90 on the side surface 10c. Is worth it.
  • the present invention it is possible to provide a substrate processing apparatus, a substrate transport apparatus, and a dent detection apparatus that can easily detect dents formed on a substrate.
  • Substrate (mother glass) 10a substrate surface 10b substrate back surface 10c substrate side surface 20 laser light source 21 analysis device 22 light receiving element 24 bottom plate 26 roller conveyor 32 load lock chamber 33 transfer chamber 35 process chamber 40 plasma 41 upper electrode 42 lower electrode 43 ground 44 high frequency power supply 47 Exhaust port 50 Traveling direction 90 Striking 100 Striking detection device 150 Striking detection device 200 Substrate processing device 300 Substrate transport device

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Abstract

　基板に形成された打痕を簡便に検出可能な基板処理装置を提供する。基板１０を処理する基板処理装置２００は、外部から基板１０が導入されるロードロックチャンバ３２と、ロードロックチャンバ３２に接続されたプロセスチャンバ３５とを備える。ロードロックチャンバ３２には、基板１０の裏面１０ｂを全面スキャンする光２５ａを出射するレーザ光源２０と、裏面１０ｂで反射された反射光２５ｂを受光する受光素子２２とが設けられる。基板処理装置２００は、反射光２５ｂを解析することによって打痕９０の有無を検出する解析装置２１を備えている。

Description

基板処理装置、基板搬送装置および打痕検出装置
　本発明は、基板の処理を行う基板処理装置（例えば、ドライエッチング装置）に関する。特に、液晶パネル用のマザーガラスのような基板を処理する装置に関する。本発明はまた、基板を搬送する基板搬送装置、および、基板に形成された打痕を検出する装置に関する。
　なお、本出願は２０１０年６月９日に出願された日本国特許出願２０１０－１３１８８２号に基づく優先権を主張しており、その出願の全内容は本明細書中に参照として組み入れられている。
　液晶表示装置（ＬＣＤ）の構成部品である液晶パネルは、一対のガラス基板を所定のギャップを確保した状態で対向させた構造を有している。液晶パネルの大型化・量産化に伴って、液晶パネル用のガラス基板（マザーガラス）は年々大型化しており、液晶パネルの製造ラインにおいては、そのように大型化したガラス基板を搬送するための基板搬送装置が工場内に設けられている。
　近年、液晶パネル用のガラス基板に対して処理を行う処理装置では、効率化の観点から、基板搬送装置で搬送したマザーガラスを処理装置に導入して各種処理を施すことが多い。例えば、ドライエッチング装置では、チャンバ内にマザーガラスを導入して、そのチャンバ内でドライエッチング処理を実行する。
　基板の搬送時にマザーガラスの割れが確認されたならば、そのマザーガラスは不良基板（ＮＧ基板）として除去される。しかしながら、マザーガラスには、ロボットアームの搬送操作やリフトピンの昇降動作による振動で打痕が生じる場合があるが、打痕が生じただけのマザーガラスは割れているわけではないので、不良基板として除去されないことになる。
　基板搬送装置で搬送中にマザーガラスの打痕から亀裂が進展して、基板割れが確認された場合には、目視または基板割れ検出装置で確認して、その基板を適宜取り除けばよい。一方で、打痕が生じたマザーガラスがドライエッチング装置に導入されたときに、ドライエッチング装置内で亀裂が進展して、基板割れが生じた場合、その割れたマザーガラスを取り除くのは非常に手間となる。具体的には、ドライエッチング装置を停止し、そしてドライエッチング装置の真空状態（または雰囲気）を開放にし、次いで、人の手でガラス片を全て除去し、その後、再び、ドライエッチング装置が動作できる状態にまで復旧させる必要がある。特に大型化したマザーガラス（例えば、一辺が約３メートル）がドライエッチング装置で割れた場合、そのガラス片は大量であり、その除去も大変である。また、ドライエッチング装置を回復させるまで、ドライエッチング処理は停止したままであるので、液晶パネルの製造工程のスループットは当然低下する。
特開２０００－１６２１４６号公報
　特許文献１には、ハードディスク駆動装置等の情報記憶装置に用いられるディスク基板（アルミディスク基板）の表面上の表面欠陥を検査する表面検査装置が開示されている。しかしながら、液晶パネル用のガラス基板（マザーガラス）の表面は、各種処理によって成膜されていくので、表面検査装置でガラス基板の打痕を見つけ出すのは難しい。さらには、マザーガラスは非常に大サイズであるので、全てのマザーガラスを表面検査装置の設置箇所で停止させて検査工程を実行することは時間がかかり、そして、その検査工程を行うことがスループットの低下をもたらしてしまう。
　一方で、ガラス基板の打痕を検出できなければ、ドライエッチング装置のような処理装置内で基板が破損する可能性が存在し、その処理装置内の破損についての問題を解決することができない。なお、マザーガラスの表面に形成されるパターンの良否判定に使用可能な画像撮像装置は、マザーガラスのパターン形成領域の画像データを取得する。一方、打痕は、パターン形成領域の外側に位置する、マザーガラスの基板縁部に生じることも多く、その場合には、打痕のデータは画像撮像装置では取得することはできない。
　本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、基板に形成された打痕を簡便に検出可能な基板処理装置を提供することにある。
　本発明に係る基板処理装置は、基板を処理する装置であり、外部から基板が導入されるロードロックチャンバと、前記ロードロックチャンバに接続され、前記基板を処理するプロセスチャンバとを備え、前記ロードロックチャンバには、前記基板の裏面を全面スキャンする光を出射するレーザ光源と、前記裏面で反射された反射光を受光する受光素子とが設けられており、前記基板処理装置は、さらに、前記反射光を解析することによって打痕の有無を検出する解析装置を備えている。
　ある好適な実施形態において、前記解析装置は、前記反射光の強度の分布をフーリエ変換する機能を有する。
　ある好適な実施形態において、前記ロードロックチャンバは、前記基板を移動させる移動装置を備えており、前記レーザ光源は、前記移動装置によって移動する前記基板の前記裏面を照射する。
　ある好適な実施形態において、前記レーザ光源は、前記基板の裏面のうち、前記基板の移動方向に対して直角である幅方向にわたって延びてなるシートレーザ光を照射し、前記受光素子は、前記シートレーザ光の反射光を受光する。
　ある好適な実施形態において、前記シートレーザ光は、前記レーザ光源からの光を光学系に通すことによって発生させている。
　ある好適な実施形態において、前記基板は、液晶パネル用のマザーガラスである。
　ある好適な実施形態において、前記プロセスチャンバは、ドライエッチング、ＣＶＤおよびスパッタからなる群から選択される処理を実行するチャンバである。
　本発明に係る基板搬送装置は、基板を搬送する装置であり、基板を搬送可能な搬送コンベアと、前記搬送コンベアで移動する前記基板の裏面を全面スキャンする光を出射するレーザ光源と、前記裏面で反射された反射光を受光する受光素子と、前記反射光を解析することによって打痕の有無を検出する解析装置とを備えている。
　ある好適な実施形態において、前記解析装置は、前記反射光の強度の分布をフーリエ変換する機能を有する。
　ある好適な実施形態において、前記基板は、液晶パネル用のマザーガラスであり、前記レーザ光源は、前記基板の裏面のうち、前記基板の移動方向に対して直角である幅方向にわたって延びてなるシートレーザ光を照射し、前記受光素子は、前記シートレーザ光の反射光を受光する。
　本発明に係る打痕検出装置は、基板の打痕を検出する装置であり、基板の裏面を全面スキャンするシートレーザ光を出射するレーザ光源と、前記裏面で反射された反射光を受光する受光素子と、前記反射光を解析することによって打痕の有無を検出する解析装置とを備える。
　ある好適な実施形態では、さらに、前記レーザ光を分岐するスプリッタと、前記スプリッタの光を受光する更なる受光素子とを備える。
　本発明に係る他の打痕検出装置は、基板の打痕を検出する装置であり、基板の側面をスキャンする光を出射するレーザ光源と、前記側面で反射された反射光を受光する受光素子と、前記反射光を解析することによって打痕の有無を検出する解析装置とを備える。
　ある好適な実施形態において、前記解析装置は、前記反射光の強度の分布をフーリエ変換する機能を有する。
　本発明に係る打痕検出方法は、基板の打痕を検出する方法であり、基板の側面をスキャンする光を出射する工程と、前記側面で反射された反射光を受光する工程と、前記反射光を解析することによって打痕の有無を検出する工程とを含む。
　ある好適な実施形態において、前記検出する工程は、前記反射光の強度の分布と、正常部位の基準となる反射光の強度の分布とを比較することによって、前記打痕の有無を判定する。
　ある好適な実施形態において、前記検出する工程では、前記反射光の強度の分布をフーリエ変換するステップを含む。
　ある好適な実施形態において、前記検出する工程は、前記出射した光の強度の分布と、前記反射光の強度の分布とを比較することによって、比較した強度差分または強度比の分布をフーリエ変換するステップを含む。
　本発明によれば、基板の裏面を全面スキャンする光を出射するレーザ光源と、裏面で反射された反射光を受光する受光素子と、反射光を解析することによって打痕の有無を検出する解析装置とを備えているので、移動する基板の裏面からの反射光を解析することで、基板に形成された打痕を簡便に検出することができる。
本発明の実施形態の打痕検出装置１００の構成を模式的に示す図である。 （ａ）から（ｃ）は、反射光の強度分布を表すグラフである。 （ａ）および（ｂ）は、反射光の強度分布をフーリエ変換したものを表すグラフである。 本発明の実施形態の基板処理装置２００の構成を模式的に示す図である。 ドライエッチング装置の場合におけるプロセスチャンバ３５の断面図である。 本発明の実施形態の基板搬送装置３００の構成を模式的に示す斜視図である。 本発明の実施形態の基板搬送装置３００の構成を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態の打痕検出装置の改変例１５０を模式的に示す斜視図である。
　以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のために、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。
　図１は、本発明に係る実施形態の打痕検出装置１００の構成を模式的に示している。本実施形態の打痕検出装置１００は、基板１０の裏面１０ｂを全面スキャンする光２５ａを出射するレーザ光源２０と、裏面１０ｂで反射された反射光２５ｂを受光する受光素子２２とから構成されている。そして、打痕検出装置１００には、反射光２５ｂを解析することによって打痕９０の有無を検出する解析装置２１が設けられている。
　本実施形態の基板１０は、例えば、ガラス基板であり、本実施形態における基板１０は、液晶パネル用のガラス基板である。図示した例では、基板１０は、液晶パネルの寸法に切り出す前のマザーガラスである。基板１０としてのマザーガラスの寸法は１辺が１メートル以上あり、具体的には、基板１０が第１０世代のマザーガラスの場合、その寸法は２８８０ｍｍ（Ｗ）×３１３０ｍｍ（Ｌ）である。
　なお、基板１０は、液晶パネルの寸法に切り出す前のマザーガラスに限らず、切り出した後の液晶パネルのサイズのガラスであってもよい。さらに、基板１０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が作製されるアレイ基板（またはその作製途中のもの）であってもよいし、カラーフィルタ（ＣＦ）が形成されるＣＦ基板（またはその作製途中のもの）であってもよい。基板１０がアレイ基板またはＣＦ基板（それぞれ作製途中のものを含む）の場合、基板１０の表面１０ａには薄膜（各種パターンなど）が形成されている。また、基板１０は、液晶パネルの用途のものに限らず、他の用途のもの（例えば、ＰＤＰその他のフラットパネルディスプレイ）であっても構わない。
　レーザ光源２０は、例えば、固体レーザ素子であり、本実施形態におけるレーザ光源２０は半導体レーザ素子（例えば、青色ＬＥＤレーザ素子）である。本実施形態の構成では、基板１０は、基板移動装置（例えば、コロコンベア装置、エア浮上コンベア装置）の上に配置されて、移動方向５０の方に進行させることができる。レーザ光源２０は、移動する基板１０の裏面１０ｂを照射し、それによって、基板１０の裏面１０ｂの全面スキャンを行う。具体的には、レーザ光源２０は、基板１０の移動方向５０に対して直角である幅方向（Ｗ）にわたって延びてなるシートレーザ光２５ｃを照射する。シートレーザ光２５ｃ（すなわち、シート状のレーザ光線）は、線状の光を出射するレーザ光源２０に光学系（例えば、ビームエクスパンダおよびシリンドリカルレンズの組合せ）を通過させることによって発生させることが可能である。
　受光素子２２は、光を受けて電気信号に変換する素子であり、本実施形態における受光素子２２はフォトダイオードである。図１に示した受光素子２２は、シートレーザ光２５ｃの反射光２５ｂを受光する。なお、受光素子２２に光学系（例えば、集光レンズ）を設けて、その光学系を通して反射光２５ｂを受光してもよい。受光素子２２は、解析装置２１に接続されており、受光素子２２のデータは解析装置２１に送られる。本実施形態では、解析装置２１は、レーザ光源２０にも接続されており、解析装置２１によってレーザ光源２０の動作を制御することができる。
　なお、本実施形態の構成では、レーザ光源２０および受光素子２２は、移動する基板１０の下方に位置する底板２４に配置されている。言い換えると、底板２４の上方を基板１０が通過し、その通過する基板１０の裏面１０ｂをレーザ光源２０の光（２５ａ、２５ｃ）でスキャンし、その反射光２５ｂを受光素子２２で受光する。打痕検出装置１００が基板処理装置（例えば、ドライエッチング装置）内に配置されている場合、底板２４は、基板処理装置の一部の部材（例えば、ドライエッチング装置におけるロードロックチャンバの底板）である。
　本実施形態の解析装置２１は、反射光２５ｂの強度の分布を解析することによって、基板１０の裏面１０ｂに打痕９０が生じていた場合にその打痕９０を検出する。解析装置２１は、例えば、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）から構成することができる。解析装置２１は、例えば、打痕９０を検出するプログラム（打痕検出プログラム）が格納された記憶装置（例えば、ハードディスク、半導体メモリ、光ディスクなど）、中央演算回路（ＣＰＵ）、入出力装置（ディスプレイ、キーボード、マウスなど）から構成されている。
　次に、本実施形態の構成による打痕９０の検出手法について、図２（ａ）から（ｃ）を参照しながらさらに説明する。
　図２（ａ）は、基準となる反射光２５ｂの強度分布を表すグラフである。基板１０の裏面１０ｂに打痕９０が存在しないので、幅方向（Ｗ）に沿った基板の位置（横軸）を変化させても、レーザ強度（縦軸）は一定である。なお、幅方向（Ｗ）は、基板１０の進行方向に垂直な方向を表しており、ここで、幅方向（Ｗ）と長さ方向（Ｌ）の基準において基板１０の寸法の大小は関係していない。
　図２（ｂ）は、基板１０の裏面１０ｂのうち正常な部位の反射光２５ｂの強度分布を表すグラフである。正常な部位の強度分布は、基本的に、図２（ａ）に示した基準分布と同じになる。一方で、基板１０の裏面１０ｂに打痕９０が生じていると、その箇所は光の散乱が生じる。したがって、図２（ｃ）に示すように、打痕９０が存在している箇所（９０ａ）の強度は低下し、この強度低下を検知することによって打痕９０の有無を判定することができる。
　本実施形態の解析装置２１は、さらに、この強度分布をフーリエ変換する機能を有している。図２（ｂ）および（ｃ）に示した強度分布をフーリエ変換した一例を、それぞれ、図３（ａ）および（ｂ）に示す。正常な部位の強度分布をフーリエ変換した場合、所定の基準となるパターンのグラフが得られる。一方で、打痕９０を含む部位の強度分布をフーリエ変換した場合、基準のパターンと異なる成分（ピーク）９０ｂが生じ、その成分（ピーク）９０ｂに基づいて、打痕９０の存在を判定することができる。このようにフーリエ変換の処理（データ加工）を施した方が、打痕９０の有無の判定をすることが容易になる。ただし、フーリエ変換を行わずに、反射光２５ｂの強度分布に基づいて、打痕９０の有無の判定をすることも可能である。
　解析装置２１によって打痕９０が検出された基板１０は、基板処理装置で所定の処理が実行される前に除去することができる。これにより、打痕９０が生じている基板１０が基板処理装置内に入り、その基板処理装置内で打痕９０から亀裂が進行して基板１０が破損することを回避することができる。
　さらに説明すると、液晶パネル用マザーガラスは、各種工程および搬送工程において丁寧かつ慎重に扱われているものの、ロボットアームの搬送操作やリフトピンの昇降動作による振動によって、どうしても打痕９０が生じてしまう。具体的には、搬送系装置の軽微な故障（ネジ固定部緩み、搬送ローラの位置がずれる等）によって打痕９０が発生してしまう。そのような現象で生じる打痕９０は、大きな傷と異なり、例えば目視ではその存在を確認しにくい。一方で、打痕９０が生じただけのマザーガラスは割れているわけではないので、不良基板として除去することは難しく、それゆえに、基板処理装置内で、打痕９０のある基板１０が割れてしまうことがあった。本実施形態の構成によれば、打痕９０の存在を検出することができるので、そのような不具合を回避することが可能となる。
　本実施形態の打痕検出装置１００では、基板１０の裏面１０ｂを全面スキャンする光（または、シートレーザ光）２５ａを出射するレーザ光源２０と、その裏面１０ｂで反射された反射光２５ｂを受光する受光素子２２と、反射光２５ｂを解析することによって打痕９０の有無を検出する解析装置２１とを備えている。したがって、進行方向５０に沿って移動する基板１０の裏面１０ｂからの反射光２５ｂを解析することによって、基板１０に形成された打痕９０を簡便に検出することができる。
　図４は、本実施形態の基板処理装置２００の構成を模式的に示す図である。図４に示した基板処理装置２００は、ドライエッチング装置であり、基板１０の表面１０ａに形成された薄膜をドライエッチングすることができる。
　図示した基板処理装置２００は、外部から基板１０が導入されるロードロックチャンバ３２と、ロードロックチャンバ３２に接続され、基板１０を処理するプロセスチャンバ３５とから構成されている。この構成例では、ロードロックチャンバ３２は、トランスファー室３３を介してプロセスチャンバ３５に接続されており、トランスファー室３３には、基板１０を移動させるためのロボットアームを持った基板移動ロボットが配置されている。
　ロードロックチャンバ３２は、プロセスチャンバ３５を真空（または雰囲気）で保持し大気に開放しないことを目的に設けられたチャンバであり、プロセスチャンバ３５への処理前・処理後の基板１０の出し入れを行うために設置されている。ロードロックチャンバ３２には、基板１０の受け渡しを行う機構、または、基板搬送機構が設けられており、処理前／処理後の基板１０を外部との間で出し入れできるとともに、プロセスチャンバ３５との間で出し入れすることができる。
　本実施形態の基板処理装置２００には、打痕検出装置１００が設けられている。図４に示した例では、ロードロックチャンバ３２に打痕検出装置１００が配置されている。したがって、基板１０がロードロックチャンバ３２を通過する際に、基板１０に打痕９０が存在するかどうかを検査することができる。また、基板１０の移動にあわせて、基板１０の裏面１０ｂの全面スキャンを実行することができるので、検査だけの時間を別途確保する必要がなく、基板１０の処理のスループットを低下させることを抑制することができる。
　基板処理装置２００がドライエッチング装置の場合、プロセスチャンバ３５は、例えば、図５に示す構造を有する。図５に示したプロセスチャンバ３５（ドライエッチング処理部）は、平行平板型プラズマエッチング装置の構造を有している。プロセスチャンバ３５内には、上部電極４１と下部電極４２とが対向して配置されている。この例では、上部電極４１はグランド４３に接続されており、一方、下部電極４２は高周波電源４４に接続されている。チャンバ３５の一部（ここでは底部）には、排気口４７が形成されており、排気口４７を通じて排気が実行される（矢印４８）。なお、チャンバ３５内には、エッチングガスの導入口（不図示）も配置されている。
　基板１０は、下部電極４２の上面４２ａに配置することができる。ドライエッチング装置を動作させた場合、上部電極４１と下部電極４２との間にプラズマ４０が発生する。そのプラズマ４０が発生している時に、エッチングガスを導入すると、プラズマエッチング処理を実行することができる。エッチング処理が終わった基板１０は、プロセスチャンバ３５からトランスファー室３３に移動して、次いで、ロードロックチャンバ３２を通って、外部に移動する。
　この例では、基板処理装置２００として、ドライエッチング装置を例にして説明したが、本実施形態の打痕検出装置１００は、それ以外の基板処理装置にも用いることができる。ドライエッチング装置の他のものとしては、例えば、ＣＶＤ装置、スパッタ装置などに打痕検出装置１００を用いることができる。
　図６は、本実施形態の打痕検出装置１００が設けられた基板搬送装置３００を説明するための斜視図である。また、図７は、本実施形態の基板搬送装置３００の断面構成を示している。
　本実施形態の基板搬送装置３００は、上述した基板処理装置２００の内部に配置するだけでなく、基板処理装置２００の外の製造プロセスラインに配置してもよい。すなわち、基板処理装置２００の外において搬送されている基板１０の打痕９０を検出することによって、その不良基板が基板処理装置２００の内部に導入されることを阻止することができる。それとともに、基板１０の搬送時の所定のポイントで、不良基板を見つけることができることにより、割れが生じる可能性がある基板１０を事前にピックアップすることが可能となるからである。
　図６に示した基板搬送装置３００は、コロコンベア２６を備えている。基板１０は、コロコンベア２６の回転にしたがって進行方向５０に移動していく。打痕検出装置１００を構成するレーザ光源２０と受光素子２２は、隣接するコロコンベア２６の回転部材の間に配置されている。解析装置２１によって基板１０に打痕９０が検出されれば、不良基板の警告を発する。その後は、コロコンベア２６の移動を制御して、不良基板を製造ラインから取り除くことができる。
　なお、図７に示した基板搬送装置３００では、レーザ光源２０からシート状のレーザ光２７ａを発生させる光学系２８と、その反射光２７ｂを集光する光学系２９が設けられた構成を示している。また、図６および図７では、基板搬送装置３００としてコロコンベア２６を用いるものを例示したが、それ以外の移動装置（例えば、エア浮上装置）を用いるものを採用しても構わない。
　本実施形態の構成では、移動中の基板１０の裏面１０ｂをスキャンすることによって打痕９０を検知するので、打痕検査用のスペースを別途確保することがないという利点もある。また、移動中に検査が完了して、不良基板を検知できれば、基板搬送装置３００を制御して、その不良基板の除去・廃棄も実行することができる。さらに、基板１０の移動中に打痕９０の検査が完了することは、打痕検査のためだけの処理時間が不要となるので、パネル製造工程におけるスループットの低下を抑制することができる。
　また、打痕９０を検出する場合には、図２（ａ）から（ｃ）に示したように、反射光２５ｂの強度の分布と、正常部位の基準となる反射光（基準反射光）の強度の分布とを比較する手法に限らず、他の手法を採用することも可能である。例えば、反射光２５ｂの強度の分布と、出射した光２５ａ（すなわち、反射する前の光）の強度の分布とを比較して、その強度差分または強度比の分布をフーリエ変換し、ピーク強度位置の変化を検出する。これによれば、微少な強度分布の変化を検出することが可能となる。その手法を行う場合には、例えば図７に示した光学系２８に、レーザ光２５ａを分岐するスプリッタ（ビームスプリッタ）を設けて、その分岐したレーザ光を受光する受光素子（第２の受光素子）を配置すればよい。
　なお、基板１０に打痕９０が生じる場合、その箇所は、所定のパターンが形成される基板の中央領域ではなく、その外側の縁部であることも多い。基板１０の縁部に打痕９０が生じたときでも、本実施形態の構成は、基板１０の裏面１０ｂの全面をスキャンするので、そのような箇所の打痕９０も検出することができる。加えて、基板１０の表面（上面）１０ａにはいくつもの層（機能性薄膜）が堆積されるが、基板１０の裏面（下面）１０ｂにはそのような層は形成されない。したがって、基板１０の裏面１０ｂをスキャンする本実施形態の手法によれば、打痕９０が他の層で塞がれることがなく、容易に打痕９０を検出することができる。そして、打痕９０は、ロボットアームの搬送操作やリフトピンの昇降動作による振動によって、基板１０の裏面１０ｂに生じる場合が多いので、その点でも、打痕９０を検出する上で、本実施形態の手法は技術的な価値がある。
　また、上述した実施形態では、基板１０の裏面１０ｂに生じた打痕９０を検出する手法を説明したが、図８に示すように、基板１０の側面１０ｃに生じた打痕９０を検出するように改変してもよい。図８に示した改変例１５０では、進行方向５０の方に移動する基板１０の側面１０ｃに対して、レーザ光源２０からの光２５ａを照射し、その反射光２５ｂを受光素子２２で受光することによって、打痕９０の有無を判定する。移動する基板１０の両方の側面１０ｃをスキャンすれば、その基板１０の側面１０ｃに打痕９０が存在するか否か判別することが可能となる。基板１０の側面１０ｃに打痕９０が発生した場合でも、その打痕９０から亀裂が進行して基板１０の割れが生じる可能性があるので、側面１０ｃの打痕９０を検出することにも技術的な価値がある。
　以上、本発明を好適な実施形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変が可能である。
　本発明によれば、基板に形成された打痕を簡便に検出可能な基板処理装置、基板搬送装置、打痕検出装置を提供することができる。
 １０ 基板（マザーガラス）
 １０ａ 基板の表面
 １０ｂ 基板の裏面
 １０ｃ 基板の側面
 ２０ レーザ光源
 ２１ 解析装置
 ２２ 受光素子
 ２４ 底板
 ２６ コロコンベア
 ３２ ロードロックチャンバ
 ３３ トランスファー室
 ３５ プロセスチャンバ
 ４０ プラズマ
 ４１ 上部電極
 ４２ 下部電極
 ４３ グランド
 ４４ 高周波電源
 ４７ 排気口
 ５０ 進行方向
 ９０ 打痕
１００ 打痕検出装置
１５０ 打痕検出装置
２００ 基板処理装置
３００ 基板搬送装置

Claims (18)

  1. 　基板を処理する基板処理装置であって、
    　外部から基板が導入されるロードロックチャンバと、
    　前記ロードロックチャンバに接続され、前記基板を処理するプロセスチャンバと
    　を備え、
    　前記ロードロックチャンバには、前記基板の裏面を全面スキャンする光を出射するレーザ光源と、前記裏面で反射された反射光を受光する受光素子とが設けられており、
    　前記基板処理装置は、さらに、前記反射光を解析することによって打痕の有無を検出する解析装置を備えていることを特徴とする、基板処理装置。
  2. 　前記解析装置は、前記反射光の強度の分布をフーリエ変換する機能を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記ロードロックチャンバは、前記基板を移動させる移動装置を備えており、
    　前記レーザ光源は、前記移動装置によって移動する前記基板の前記裏面を照射する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記レーザ光源は、前記基板の裏面のうち、前記基板の移動方向に対して直角である幅方向にわたって延びてなるシートレーザ光を照射し、
    　前記受光素子は、前記シートレーザ光の反射光を受光する、請求項２に記載の基板処理装置。
  5. 　前記シートレーザ光は、前記レーザ光源からの光を光学系に通すことによって発生させている、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 　前記基板は、液晶パネル用のマザーガラスである、請求項１から５の何れか一つに記載の基板処理装置。
  7. 　前記プロセスチャンバは、ドライエッチング、ＣＶＤおよびスパッタからなる群から選択される処理を実行するチャンバである、請求項１から６の何れか一つに記載の基板処理装置。
  8. 　基板を搬送する基板搬送装置であって、
    　基板を搬送可能な搬送コンベアと、
    　前記搬送コンベアで移動する前記基板の裏面を全面スキャンする光を出射するレーザ光源と、
    　前記裏面で反射された反射光を受光する受光素子と、
    　前記反射光を解析することによって打痕の有無を検出する解析装置と
    を備えている、基板搬送装置。
  9. 　前記解析装置は、前記反射光の強度の分布をフーリエ変換する機能を有する、請求項８に記載の基板搬送装置。
  10. 　前記基板は、液晶パネル用のマザーガラスであり、
    　前記レーザ光源は、前記基板の裏面のうち、前記基板の移動方向に対して直角である幅方向にわたって延びてなるシートレーザ光を照射し、
    　前記受光素子は、前記シートレーザ光の反射光を受光する、請求項８または９に記載の基板搬送装置。
  11. 　基板の打痕を検出する打痕検出装置であって、
    　基板の裏面を全面スキャンするシートレーザ光を出射するレーザ光源と、
    　前記裏面で反射された反射光を受光する受光素子と、
    　前記反射光を解析することによって打痕の有無を検出する解析装置と
    を備える、打痕検出装置。
  12. 　さらに、前記レーザ光を分岐するスプリッタと、
    　前記スプリッタの光を受光する更なる受光素子と
    　を備える、請求項１１に記載の打痕検出装置。
  13. 　基板の打痕を検出する打痕検出装置であって、
    　基板の側面をスキャンする光を出射するレーザ光源と、
    　前記側面で反射された反射光を受光する受光素子と、
    　前記反射光を解析することによって打痕の有無を検出する解析装置と
    を備える、打痕検出装置。
  14. 　前記解析装置は、前記反射光の強度の分布をフーリエ変換する機能を有する、請求項１１から１３の何れか一つに記載の打痕検出装置。
  15. 　基板の打痕を検出する打痕検出方法であって、
    　基板の側面をスキャンする光を出射する工程と、
    　前記側面で反射された反射光を受光する工程と、
    　前記反射光を解析することによって打痕の有無を検出する工程と
    を含む、打痕検出方法。
  16. 　前記検出する工程は、前記反射光の強度の分布と、正常部位の基準となる反射光の強度の分布とを比較することによって、前記打痕の有無を判定する、請求項１５に記載の打痕検出方法。
  17. 　前記検出する工程では、前記反射光の強度の分布をフーリエ変換するステップを含むことを特徴とする、請求項１５または１６の何れか一つに記載の打痕検出方法。
  18. 　前記検出する工程は、前記出射した光の強度の分布と、前記反射光の強度の分布とを比較することによって、比較した強度差分または強度比の分布をフーリエ変換するステップを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の打痕検出方法。
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