JP2009068872A - マスク検査方法及びマスク検査装置並びに電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】微細な割れや歪みを容易に検出できるマスク検査方法及びマスク検査装置並びに電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】マスク１とガラス基板１２とを間隙を介して対向配置し、ガラス基板１２を透過させてマスク１に単色光を照射する工程と、マスク１とガラス基板１２との間に形成された干渉縞パターンに基づいてマスク１の良否を判別する工程とを備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、マスク検査方法及びマスク検査装置並びに電気光学装置の製造方法に関するものである。

近年、有機ＥＬ（Electroluminescence）を用いた発光パネルの開発が盛んに行われている。このような発光パネル、すなわち有機ＥＬ装置では、例えば低分子系材料をＲＧＢ毎に分けて蒸着する際に、蒸着マスクが用いられている。
蒸着マスクは、マスクに対する垂直方向に対して傾いた斜め方向から飛来する蒸着物を被蒸着基板に堆積させるため、薄肉化されている。そのため、マスクの表面に蒸着物が堆積することによって凹みや歪み、割れなどが発生することがある。ここで、マスクに照明光を照射することで、マスクに形成された異物の検出するマスク検査方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−３７１３４号公報

しかしながら、上記従来のマスク検査方法においても、以下の課題が残されている。すなわち、照明光の照射では異物の検出が行えるものの、微細な割れや歪みを検出できないという問題がある。

本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかるマスク検査方法は、マスクと対向基板とを間隙を介して対向配置し、該対向基板を透過させて前記マスクに単色光を照射する工程と、前記マスクと前記対向基板との間に形成された干渉縞パターンに基づいて前記マスクの良否を判別する工程とを備えることを特徴とする。

また、本発明にかかるマスク検査装置は、間隙を介してマスクと対向配置される対向基板と、該対向基板を透過させて前記マスクに単色光を照射し、前記対向基板と前記マスクとの間に前記間隙に応じた干渉縞パターンを形成する光源とを備えることを特徴とする。

この発明では、形成された干渉縞パターンに基づいてマスクの微細な割れや歪みの発生位置を検出できる。
すなわち、対向基板を透過させてマスクに対して単色光を照射すると、マスクと対向基板との間に、マスクと対向基板との間隙に応じた干渉縞が形成される。ここで、マスク及び対向基板それぞれが対向する内面間における光路長が単色光の１／２波長であるときに単色光が減衰し、内面間の光路長が単色光の１／４であるときに単色光が増幅する。このため、マスクと対向基板との内面間の光路長に応じて干渉縞パターンが変化する。例えば、マスクに割れが発生している場合には干渉縞に割れに沿った屈曲線が形成され、異常な歪みがある場合にはその歪みを中心とした同心状の干渉縞が形成される。これにより、割れや異常な歪みの発生位置が検出される。したがって、マスクの不良を早期に発見でき、マスクを用いた蒸着により形成される製造物の歩留まりを高めることができる。

また、本発明にかかるマスク検査方法は、前記マスクの良否を判別する工程では、前記マスク及び前記対向基板により形成された干渉縞パターンとあらかじめ記録された基準干渉縞パターンとを比較することで、前記マスクの良否の判別を行うことが好ましい。
また、本発明にかかるマスク検査装置は、前記干渉縞パターンを記録する記録手段と、
前記干渉縞パターンとあらかじめ記録された基準干渉縞パターンとを比較して前記マスクの良否を判別する判別手段とを備えることが好ましい。
この発明では、あらかじめ取得した基準干渉縞パターンと比較することにより、マスクの不良を発見する。このように、判別手段によりマスクの異常の有無を判別することで、マスクの不良の発見を自動化できる。

また、本発明にかかるマスク検査装置は、前記対向基板及び前記マスクを収容する真空チャンバを備え、該真空チャンバに、前記マスクを搬入出するゲートバルブが設けられていることが好ましい。
この発明では、マスクの検査を真空環境下で行うことにより、マスクの検査時においてマスクに異物が付着することや、パーティクルが発生することを抑制できる。
また、ゲートバルブを介してマスクを用いた蒸着を行う蒸着装置を接続することで、蒸着装置を大気開放することなくマスクをマスク検査装置に搬送してマスクの検査を行うことができる。したがって、マスクの検査に必要な時間の短縮化が図れる。

また、本発明にかかるマスク検査装置は、前記対向基板の一面に、前記マスクに向けて突出する凸部が形成されていることが好ましい。
この発明では、凸部をスペーサとしてマスクと対向基板との間隙を確保することで、形成された干渉縞パターンに基づいたマスクの良否の判別をより正確に行える。

また、本発明にかかるマスク検査装置は、前記凸部の先端が、前記マスクの角部と当接することが好ましい。
この発明では、マスクの角部においてマスクと対向基板との間隙を所定以上に保持することで、蒸着物の堆積などによるマスクの中央部における撓みなどの変化をより正確に検出できる。したがって、干渉縞パターンに基づいたマスクの良否の判別精度が向上する。

また、本発明にかかるマスク検査装置は、前記凸部が、前記対向基板の一面に複数形成されていることが好ましい。
この発明では、凸部を複数設けることで、マスクと対向基板との間に所定以上の間隙をより確実に確保でき、さらに正確なマスクの良否の判別が行える。

また、本発明にかかるマスク検査装置は、前記光源を動かして前記単色光の照射方向を変更する光源移動機構を備えることが好ましい。
この発明では、光源を移動させた複数個所において形成された干渉縞パターンに基づいてマスクの良否の判別を行うことで、割れや異常な歪みをより確実に検出できる。したがって、マスクの良否の判別精度がさらに向上する。

また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、上記記載のマスク検査装置を備えることを特徴とする。
この発明では、上述と同様に、形成された干渉縞パターンに基づいてマスクの微細な割れや歪みの発生位置を検出できる。

以下、本発明におけるマスク検査方法及びマスク検査装置の一実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。

〔マスク〕
まず、本実施形態におけるマスク検査装置を用いて検査されるマスクについて説明する。ここで、図１はマスクを示す斜視図、図２は図１の平面図である。なお、各図において、マスクチップに形成された開口部の数を適宜変更している。
マスク１は、例えば有機ＥＬ装置（電気光学装置）を構成する画素パターンを形成する際に用いられる。そして、マスク１は、図１及び図２に示すように、複数のマスクチップ２と、マスクチップ２を貼付するための支持基板３とを備えている。
マスクチップ２は、図１に示すように、シリコンで形成された平面視正方形の板状部材であり、厚さが例えば１０μｍ以上３０μｍ以下となっている。また、マスクチップ２には、平面視正方形の貫通孔である開口部３ａが複数形成されている。複数の開口部３ａは、マスクチップ２の２辺それぞれに沿って互いが平行かつ一定間隔となるように配置されている。
また、マスクチップ２の周縁部は、支持基板３に貼付する際の貼付部となっている。そして、マスクチップ２には、支持基板３に貼付する際の位置合わせに用いられるアライメントマーク４が形成されている。

支持基板３は、ガラスで形成された平面視正方形の板状部材であり、厚さが例えば３ｍｍ程度となっている。また、支持基板３には、支持基板３の一辺に沿って延在する平面視長方形の貫通孔である開口部３ａが複数形成されている。複数の開口部３ａは、支持基板３の上記一辺と直交する他の一辺に沿って互いが平行かつ一定間隔となるように配置されている。
また、支持基板３の一面には、マスクチップ２の貼付の際の位置合わせに用いられるアライメントマーク５と、マスク１を用いた蒸着の際のマスクの位置合わせに用いられるアライメントマーク６とが形成されている。そして、支持基板３の一面には、複数のマスクチップ２が複数の開口部３ａそれぞれを塞ぐように接着剤により貼付されている。ここで、マスクチップ２の開口部２ａは、平面視で支持基板３における開口部３ａと重なっている。

〔マスク検査装置〕
次に、本発明にかかるマスク検査装置について説明する。ここで、図３はマスク検査装置を示す概略構成図、図４はガラス基板の製造工程を示す工程図である。
本実施形態におけるマスク検査装置１０は、有機ＥＬ装置の製造装置に設けられており、図３に示すように、真空チャンバ１１と、ガラス基板１２と、光源１３と、記録手段１４と、判別部（判別手段）１５とを備えている。

真空チャンバ１１の内部には、マスク１及びガラス基板１２を載置するステージ１６が設けられている。ステージ１６は、マスク１の側縁を支持する構成となっている。
また、真空チャンバ１１の側壁部には、真空チャンバ１１内へのマスク１の搬入出を行うゲートバルブ１８、１９が設けられている。そして、真空チャンバ１１の天井部には、開口が形成されており、ガラスで形成された観察窓１７で被覆されている。

真空チャンバ１１は、ゲートバルブ１８を介して、有機ＥＬ装置の製造装置を構成するマスクストック室２０と連結されている。このマスクストック室２０には、複数のマスク１が収納されている。
また、真空チャンバ１１は、ゲートバルブ１９を介して、有機ＥＬ装置の製造装置を構成する複数の蒸着装置（図示略）それぞれに接続される搬送室２１に連結されている。搬送室２１は、製造装置の外部から搬送された被蒸着基板（図示略）の搬送を各蒸着装置との間で行うと共に、マスク１の搬送をマスク検査装置１０及び各蒸着装置との間で行う構成となっている。

ガラス基板１２は、真空チャンバ１１内においてマスク１上に配置され、光源１３が照射する単色光に対して透光性を有する。そして、ガラス基板１２は、板状部材であってガラスで形成された基板本体（対向基板）１２ａと、基板本体１２ａに設けられてＳｉＯ_２（二酸化シリコン）で形成された複数の凸部１２ｂとを備えている。

複数の凸部１２ｂは、基板本体１２ａにおいてガラス基板１２をステージ１６上に載置したときにマスク１側を向く一面に形成されている。そして、複数の凸部１２ｂは、円柱状であって、高さが例えば１μｍ以上１５μｍ以下程度となっている。また、複数の凸部１２ｂは、図２に示すように、ガラス基板１２をマスク１上に配置したときに、平面視（ガラス基板１２とマスク１との重ね合わせ方向）においてマスクチップ２の角部と重なる位置に形成されている。
また、ガラス基板１２は、以下のようにして製造される。まず、基板本体１２ａの一面に、ＳｉＯ_２膜１２ｃを成膜する（図４（ａ））。そして、ＳｉＯ_２膜１２ｃ上に凸部１２ｂを形成する領域を被覆するレジスト層２２を形成した後（図４（ｂ））、例えばフッ酸をエッチャントとしたウェットエッチングによりレジスト層２２で被覆されていない部分におけるＳｉＯ_２膜１２ｃを除去し、凸部１２ｂを形成する（図４（ｃ））。最後に、レジスト層２２を除去する（図４（ｄ））。以上のようにして、ガラス基板１２を製造する。

光源１３は、図３に示すように、例えば波長５８９ｎｍの光を射出するナトリウムランプで構成されている。また、光源１３は、真空チャンバ１１の外部に設けられており、観察窓１７を介して真空チャンバ１１内に配置されたガラス基板１２及びマスク１に向けて光を照射する構成となっている。また、光源１３は、光源移動機構２５により、真空チャンバ１１内に配置されたマスク１及びガラス基板１２に向けて照射する単色光の入射方向及び入射角度を変更可能な構成となっている。
記録手段１４は、撮像手段２６と、撮像手段２６で撮像した画像を記録する記録部２７とを備えている。
撮像手段２６は、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）で構成されており、撮像した画像を記録部２７に送信する構成となっている。また、撮像手段２６は、真空チャンバ１１の外部に設けられており、観察窓１７を介して撮像する構成となっている。
判別部１５は、マスク１及びガラス基板１２により形成された干渉縞パターンに基づいてマスク１の良否を判別する構成となっている。

〔有機ＥＬ装置の製造方法〕
次に、有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。ここで、図５は有機ＥＬ装置の製造工程を示す工程図である。なお、本実施形態では、有機ＥＬ装置を構成する透明基板に上述したマスク１を用いて発光材料（発光層）を成膜する方法について説明し、他の製造方法については省略する。

まず、ガラスなどの透光性材料で形成された被蒸着基板３１を有機ＥＬ装置の製造装置内に搬送する。そして、被蒸着基板３１に、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透光性導電材料で形成された透明電極３２を形成する。
さらに、透明電極３２が形成された被蒸着基板３１を蒸着装置に搬送し、透明電極３２上に正孔輸送層３３を積層する。

次に、図５（ａ）に示すように、透明電極３２及び正孔輸送層３３が形成された被蒸着基板３１を他の蒸着装置に搬送し、蒸着装置を構成するチャンバ内部の上方に固定する。そして、マスク１を被蒸着基板において発光材料を蒸着する領域に位置合わせした後、マスク１を介して赤色の発光材料を被蒸着基板３１に成膜する。これにより、被蒸着基板３１の所定位置に赤色発光層３４が形成される。
続いて、図５（ｂ）に示すように、赤色発光層３４が形成された被蒸着基板３１を他の蒸着装置に搬送し、チャンバ内部の上方に固定する。そして、上述と同様に、マスク１を介して緑色の発光材料を被蒸着基板３１に成膜する。これにより、被蒸着基板３１の所定位置に緑色発光層３５が形成される。

さらに、図５（ｃ）に示すように、緑色発光層３５が形成された被蒸着基板３１を他の蒸着装置に搬送し、チャンバ内部の上方に固定する。そして、上述と同様に、マスク１を介して青色の発光材料を被蒸着基板３１に成膜する。これにより、被蒸着基板３１の所定位置に青色発光層３６が形成される。
なお、各色の発光層３４〜３６を成膜する際に用いられるマスク１は、マスク検査装置１０において適宜その良否が検査される。ここで、マスク検査装置１０によるマスク検査方法については後述する。
その後、各色の発光層３４〜３６が形成された被蒸着基板３１上に、電子輸送層、電子注入層及び陰極層を成膜する。以上のようにして、有機ＥＬ装置を製造する。

〔マスク検査方法〕
次に、マスク１の検査方法について説明する。ここで、図６はマスク検査方法を示すフローチャート、図７は干渉縞パターンを示す平面図、図８は干渉縞パターンを示す平面図である。
各色の発光層３４〜３６を成膜する際に用いられるマスク１において、蒸着時において蒸着装置内で蒸着源に向く面であって被蒸着基板３１から離間する側を向く一面には、各色の発光材料が付着する。また、マスクチップ２には、異常な歪みや割れなどが発生することがある。そこで、マスク検査装置１０は、以下のようにしてマスクチップ２を検査する。

まず、マスク検査装置１０は、マスクストック室２０からマスク１を真空チャンバ１１内に搬入する（図６に示すステップＳＴ１）。ここでは、ガラス基板１２は、真空チャンバ１１内において凸部１２ｂの先端がマスク１に向かうようにマスク１上に載置される。このとき、凸部１２ｂの先端がマスクチップ２の角部と当接する。また、マスクチップ２は、周縁部が支持基板３に固定されているため、その自重により中央部が下方に向けて撓む。そのため、マスクチップ２の周縁部と基板本体１２ａとの間には、少なくとも凸部１２ｂの高さに相当する間隙が形成される。

次に、マスク検査装置１０は、ガラス基板１２及びマスク１に向けて単色光を照射し、ガラス基板１２及びマスクチップ２により形成される干渉縞パターンを撮像する（図６に示すステップＳＴ２）。ここでは、光源１３が、真空チャンバ１１の外部から単色光をガラス基板１２及びマスクチップ２に向けて照射する。ガラス基板１２に向けて照射された単色光は、ガラス基板１２を透過してマスクチップ２の上面において反射する。

このとき、ガラス基板１２からマスクチップ２の上面に向かう光と、マスクチップ２の上面における反射光とは、マスクチップ２の上面と基板本体１２ａの下面との間隙が単色光の波長の１／４であるときに減衰し、単色光の波長の１／２であるときに増幅する。そのため、マスクチップ２の上面と基板本体１２ａの下面との間の距離に応じて、マスクチップ２とガラス基板１２とにより単色光の干渉縞パターンが形成される。そして、撮像手段２６は、形成された干渉縞パターンを撮像する。なお、マスクチップ２の中央部が下方に向けて撓んでいるため、例えば図７（ａ）に示すような干渉縞パターンが形成される。

また、光源１３は、光源移動機構２５により、ガラス基板１２及びマスクチップ２に対する単色光の入射角度や入射方向を変更する。ガラス基板１２及びマスクチップ２により形成される干渉縞パターンは、単色光の入射角度や入射方向に応じて変化する。そして、撮像手段２６は、光源１３を移動させた複数個所それぞれにおいて形成された干渉縞パターンを撮像する。

続いて、判別部１５が、マスク１の良否を判別する（図６に示すステップＳＴ３）。ここでは、判別部１５が、干渉縞パターンに基づいて、マスクチップ２に割れや歪み、異常な撓みなどが発生していないか判断する。このとき、マスクチップ２に割れが発生している場合には、例えば図７（ｂ）に示す領域Ａ１のように、干渉縞パターンの一部が割れの発生箇所に沿って屈曲する。また、マスクチップ２に異常な歪みが発生している場合には、例えば図７（ｂ）に示す領域Ａ２のように、異常な歪みの発生箇所を中心として同心状に干渉縞が形成される。したがって、判別部１５は、干渉縞パターンから割れや異常な歪みの発生位置を検出できる。このとき、光源１３を移動させた複数個所において形成された干渉縞パターンに基づいてマスク１の良否を判別することで、割れや異常な歪みをより確実に検出できる。

この結果、マスクチップ２に割れや歪み、異常な撓みなどが発生していないと判別した場合、マスク検査装置１０は、撮像した干渉縞パターンを基準干渉縞パターンとして記録部２７に記録する（図６に示すステップＳＴ４）。
一方、マスクチップ２に割れや歪み、異常な撓みなどが発生していると判別した場合、マスク検査装置１０は、マスク１をマスクストック室２０に搬送し（図６に示すステップＳＴ５）、マスク１の検査を終了する。そして、マスク検査装置１０は、マスクストック室２０から新たなマスク１を真空チャンバ１１内に搬入する（図６に示すステップＳＴ１）。

次に、マスク検査装置１０は、異常がないと判別したマスク１を搬送室２１に搬送する。そして、蒸着装置では、上述のように搬送されたマスク１を用いた蒸着を例えば１０回程度行う（図６に示すステップＳＴ６）。このとき、マスクチップ２の下面には、蒸着物が付着すると共に、異物の付着や割れが発生することがある。

続いて、マスク検査装置１０は、マスク１を真空チャンバ１１内に搬送する（図６に示すステップＳＴ７）。ここでは、上述したステップＳＴ１と同様に、真空チャンバ１１内においてガラス基板１２を凸部１２ｂの先端をマスク１に向けた状態でマスク１上に載置する。
次に、マスク検査装置１０は、上述したステップＳＴ２と同様に、ガラス基板１２及びマスク１に向けて単色光を照射し、ガラス基板１２及びマスク１により形成される干渉縞パターンを撮像する（図６に示すステップＳＴ８）。ここで、マスクチップ２の下面に蒸着物が付着しているため、マスクチップ２の重量は蒸着前と比較して大きくなっている。そのため、ステージ１６上に載置した際のマスクチップ２の撓み量が大きくなる。したがって、例えば図８（ａ）に示すように、干渉縞の密度が高くなった干渉縞パターンが得られる。

次に、判別部１５は、撮像した干渉縞パターンと基準干渉縞パターンとを比較する（図６に示すステップＳＴ９）。ここでは、判別部１５が、ステップＳＴ４において記録部２７に記録した基準干渉縞パターンと、撮像された干渉縞パターンとを比較する。そして、判別部１５が、マスクチップ２に割れや歪み、異常な撓みなどが発生していないか判断する。このとき、上述のように、マスク１の重量が増大しているため、干渉縞パターンの密度が高くなる。また、上述と同様に、マスクチップ２に割れが発生している場合には、例えば図８（ｂ）に示す領域Ａ３のように、干渉縞パターンの一部が屈曲する。そして、マスクチップ２に異常な歪みが発生している場合には、例えば図８（ｂ）に示す領域Ａ４のように、同心状の干渉縞が形成される。したがって、判別部１５は、干渉縞パターンに基づいてマスクチップ２の撓み量や、割れや異常な歪みの発生位置を検出できる。また、光源１３を移動させた複数個所において形成された干渉縞パターンに基づいてマスク１の良否を判別することで、割れや異常な歪みをより確実に検出できる。

判別部１５は、撮像された干渉縞パターンの密度が所定の許容範囲内であるときに、当該マスク１を継続して蒸着に用いることができると判断する。そして、製造装置は、このマスク１を搬送室２１に搬出し、蒸着装置においてマスク１を用いた蒸着を再び行う（図６に示すステップＳＴ６）。
一方、判別部１５は、撮像された干渉縞パターンの密度が所定の許容範囲外であるときや、マスクチップ２の割れや異常な歪みを発見したときに、このマスク１を継続して蒸着に使用できないと判断する。そして、マスク検査装置１０は、このマスク１をマスクストック室２０に搬送し（図６に示すステップＳＴ５）、マスク１の検査を終了する。そして、マスク検査装置１０は、マスクストック室２０から新たなマスク１を真空チャンバ１１内に搬入する（図６に示すステップＳＴ１）。以上のようにして、マスク１を検査する。

以上のように、本実施形態におけるマスク検査方法、マスク検査装置１０及び有機ＥＬ装置の製造方法によれば、干渉縞パターンに基づいてマスクチップ２の微細な割れや異常な歪みの発生箇所を検出できるため、マスク１の不良を早期に発見でき、マスク１を用いた蒸着により形成される有機ＥＬ装置の歩留まりが向上する。このとき、ガラス基板１２がマスクチップ２の角部と当接する凸部１２ｂを有することで、基板本体１２ａとマスクチップ２との間隙を確実に確保できる。したがって、干渉縞パターンに基づいたマスク１の良否の判別精度が向上する。

ここで、判別部１５が干渉縞パターンと基準干渉縞パターンとを比較してマスク１の良否の判別を行うため、マスク１の検査を自動化することができる。
また、マスク検査装置１０が蒸着装置に接続される真空チャンバ１１を備えているため、蒸着装置を大気開放することなくマスク１をマスク検査装置１０に搬送して検査できる。したがって、マスク１の検査に必要な時間を短縮できる。また、マスク１に異物が付着することや、パーティクルが発生することを抑制できる。
そして、光源１３を移動させた複数個所において形成された干渉縞パターンに基づいてマスク１の良否を判別することで、割れや異常な歪みをより確実に検出できる。したがって、マスク１の良否の判別精度がさらに向上する。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、対向基板としてガラス基板を用いているが、単色光に対して透光性を有していれば、例えばアクリル樹脂など、他の材料により形成された板状部材を用いてもよい。また、対向基板としては、蒸着装置において各色の発光層が形成される被蒸着基板を用いてもよい。このように、非蒸着基板によって対向基板を構成することで、蒸着装置における蒸着時にオンタイムでマスクの検査を行うことができ、マスクの良否の判別精度がさらに向上する。
また、ガラス基板に凸部を形成しているが、ガラス基板とマスクチップとにより干渉縞が形成できれば、凸部を形成しなくてもよい。

また、マスクチップは、シリコンにより形成されているが、例えば金属材料など、他の材料により形成されてもよい、さらに、マスクは、マスクチップとこれを支持する支持基板とを備えているが、金属で形成された板状のメタルマスクなどであってもよい。
そして、マスク検査装置は、光源を移動させることにより複数個所において形成された干渉縞パターンを撮像しているが、光源を複数個所に設けることで複数個所において干渉縞パターンを撮像する構成としてもよい。また、マスク検査装置は、少なくとも一箇所において干渉縞パターンを撮像する構成であればよい。
さらに、記録手段を設けずに、目視などにより干渉縞パターンを観察することでマスクの良否の判別を行ってもよい。
また、マスクは、蒸着に用いられているが、スパッタやＣＶＤ法（化学的気相成長法）など、他の薄膜パターンの成膜時に用いられてもよい。

また、電気光学装置としては、一対の電極の間に電界を発生させることにより電気光学層の光学特性を変化させるものであれば、有機ＥＬ装置に限らず、液晶装置など他の装置であってもよい。

本発明のマスク検査方法に用いられるマスクを示す斜視図である。 図１の平面図である。 本発明のマスク検査装置を示す概略構成図である。 図３のガラス基板の製造工程を示す工程図である。 マスクを用いた有機ＥＬ装置の製造工程を示す工程図である。 本発明のマスク検査方法を示すフローチャートである。 干渉縞パターンを示す平面図である。 干渉縞パターンを示す平面図である。

符号の説明

１ マスク、１０ マスク検査装置、１１ 真空チャンバ、１２ ガラス基板（対向基板）、１２ｂ 凸部、１３ 光源、１４ 記録手段、１５ 判別部（判別手段）、１８，１９ ゲートバルブ、２５ 光源移動機構、２６ 撮像手段、２７ 記録部

Claims (10)

1. マスクと対向基板とを間隙を介して対向配置し、該対向基板を透過させて前記マスクに単色光を照射する工程と、
   前記マスクと前記対向基板との間に形成された干渉縞パターンに基づいて前記マスクの良否を判別する工程とを備えることを特徴とするマスク検査方法。
2. 前記マスクの良否を判別する工程では、前記マスク及び前記対向基板により形成された干渉縞パターンとあらかじめ記録された基準干渉縞パターンとを比較することで、前記マスクの良否の判別を行うことを特徴とする請求項１に記載のマスク検査方法。
3. 間隙を介してマスクと対向配置される対向基板と、
   該対向基板を透過させて前記マスクに単色光を照射し、前記対向基板と前記マスクとの間に前記間隙に応じた干渉縞パターンを形成する光源とを備えることを特徴とするマスク検査装置。
4. 前記干渉縞パターンを記録する記録手段と、
   前記干渉縞パターンとあらかじめ記録された基準干渉縞パターンとを比較して前記マスクの良否を判別する判別手段とを備えることを特徴とする請求項３に記載のマスク検査装置。
5. 前記対向基板及び前記マスクを収容する真空チャンバを備え、
   該真空チャンバに、前記マスクを搬入出するゲートバルブが設けられていることを特徴とする請求項３または４に記載のマスク検査装置。
6. 前記対向基板の一面に、前記マスクに向けて突出する凸部が形成されていることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載のマスク検査装置。
7. 前記凸部の先端が、前記マスクの角部と当接することを特徴とする請求項６に記載のマスク検査装置。
8. 前記凸部が、前記対向基板の一面に複数形成されていることを特徴とする請求項６または７に記載のマスク検査装置。
9. 前記光源を動かして前記単色光の照射方向を変更する光源移動機構を備えることを特徴とする請求項３から８のいずれか１項に記載のマスク検査装置。
10. 請求項１から９のいずれか１項に記載のマスク検査方法を用いた電気光学装置の製造方法。

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