TW479359B - Solid-state image pickup device - Google Patents

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TW479359B
TW479359B TW090104892A TW90104892A TW479359B TW 479359 B TW479359 B TW 479359B TW 090104892 A TW090104892 A TW 090104892A TW 90104892 A TW90104892 A TW 90104892A TW 479359 B TW479359 B TW 479359B
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vertical transfer
vertical
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gate
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Tomohiro Konishi
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Sharp Kk
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Description

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明背景 本發明關於—固態影像拾取裝置，特別是-用於讀取提 取信號之固態影像拾取裝置。 一習知二維式影像感應器將説明如下，圖14揭示使用習 知CCD (電荷耦合裝置)之固態影像拾取裝置，在圖"中， 參考編號ιοί表示一光接收段（光二極體）、1〇2表示一垂 ⑽、一1 〇3表示一水平CCD、104表示一電荷電壓轉換段 1〇5表不一放大器、106表示一垂直轉移電極及107表示一 平轉移電極。 ·、 一二維式影像感應器具有一較高密度像素，特別是一 有2百萬以上像素之數位式靜態攝影機漸爲主流。 在^ :高像素數位式靜態攝影機代表之影像拾取裝置 ’週常操作之執行係藉由切換於_讀取與處理所有像素1 料之驅動方法及一僅利用提取處理所有像素資料一部分之 驅動方法之間。 ^者係主要用於印表機輸出之靜職案拾取模式，即一 靜態模式，而後主要用於利用監視器輸出以調整__物件 面輪廓之動態圖案拾取模式，即一監視模式。 監視模式之操作情形將説明如下。 ▲圖15揭示一使用於文後説明中之裝置結構，在圖15中， 夺考編號101表示-光接收段、102表示一垂直CCD、1〇3表 示—水平CCD、106表示-垂直轉移電極、崎示一水平 轉移電極及1 〇8表示一逆萜偾卓 .KA k蚊像素。此監視模式提取方法爲 I/7提取方法，用於7像素中讀取出】像素。 直 水 具 中資 表 -φ-ttr---------Μ0Ι— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4"i^7iI^97公爱） 4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（2 ) t圖15，垂直轉移電極106係以施加於28閘極之6相位閘 極Γ·φν1Α、φν1Β、ψν2、φν3Α、φν3Β、φν4之單元操作，閘 ”包坚ΦνΐΑ Φν丨Β、9V3A、φν3Β用於自一光二極體讀取一信 唬私荷，閘極電壓φν2、φ^4僅用於轉移信號電荷。 圖16揭示一監視模式中之驅動時間，圖17揭示在tl-t5各 時間中之電位關係。在圖16中，丁㈤爲一監視模式中之一垂 直轉移循環之周期，其係一靜態模式中之一垂直轉移循環 之周期Ts之四分之一。 在此監視模式中，同一信號係在各別範圍中讀取。首先 ，一相對應信號R⑹係在_由一閘極電壓讀取，由於 6閘極具有—閘極電壓^，而僅丄閘極電壓在一單元 内’因此讀取信號R(G)在一靜態模式中之一範圍内具核 資料量。 在12 , -由閘極電壓φ v, a讀取以用於工像素之信號係由6 相位閘極電壓φνΐΑ_φν4轉移，而一信號g(b)則僅由一問極電 壓Φ V3 A謂取。 所讀取之信號在-靜態模式中之_範圍内具有ι/7資料量 ，如同R (G)之例子者。隨後在13，用於工像素之各別信號 R(G)、G(B)係做轉移，藉由上述操作，各含有r、G' B一 顏色成分之信號係以範圍爲單元而讀取。 所讀取之信號係排列於一垂直CCD中之封包内，如圖η 所示，在每14像素7封包之單元内，用於2像素之不同顏色 成分之信號係以2封包（4像素）或3封包（6像素）之間距排列。 #著像素）之諸信號係在—水平空白 ^--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 緩濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 周期期間以南速連續地轉移，因此，一 G(B)信號轉移至一 水平CCD ’而在下一水平空白周期期間欲讀取至水平CCD < 一 R(G)信號則同時轉移至水平cCD附近（在t4)。在後續水 平2白周期期間，3級（6像素）係連續地轉移，且一R(G)信號 轉移至水平CCD，而接著欲讀取之信號G(B)則同時轉移至 水平CCD附近。 隨後，在垂直CCD中以空封包間距排列之信號可利用交 替重覆4級及3級之垂直轉移，以自水平CCD抽出。 因此，用於1幕之資料係在一靜態模式中讀取於2範圍， 而用於1幕之貧料則在一監視模式中提取至1/7，且可在工 乾圍讀取2/7次，因此，資料全部在一靜態模式中以1/7訊框 率處理。 例如當具有3百萬像素之一影像拾取裝置係以丨8 MHz時脈 頻率，每1訊框總數44百萬時脈操作時，則供工幕抽出資料 所而之時間在靜毖模式中爲大約1/4秒，而在監視模式中爲 大約1/29秒。因此，一平滑之動態影像可在一監視模式中 取得，如同1/30例子者，此爲NTSC (國家電視系統委員會） 電視格式之訊框率。 除1/7提取率以外，多種提取率皆可用於一監視模式中， 例如1/4、1/5、1/6、1/8或類此者，提取率係由一影像拾取 裝置中之像素總數、動態影像所需之像素數量及訊框率決 定。 原先一垂直轉移係在一靜態模式中以施加於4閘極之4相 位間極電壓φνι、CP”、（pV3、（PM之單元執行，此爲一正常轉 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 · -1線· ^^9
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 移模式。 惟，如先前技藝所述，例如當1/7提取率執行於一監視模 2中時，垂直轉移電極需要以施加於28閘極之6相位:極電 壓 Φν1Α、φνΐΒ、φν2、φν3Α、φν3Β、φν4 做爲一單元，因此， 複雜之轉移閘極線路結構需達成一監視模式。 、例如在1/4提取率之例子中，一單元爲施加於8閘極之6相 佐閘極電壓，在1/5提取率之例子中，一單元爲施加於2〇間 極又6相位閘極電壓，因此，一單元係依據提取率而改變， 不同之轉移閘極線路結構需依據影像拾取裝置中之像素總 數、動態影像所需之像素數量及訊框率而設計。 再者，爲了在一裝置中達成一或多不同監視模式，電極 線路結構會變得極複雜，因爲需要用於各別提取率之電極 線路結構之組合。一監視模式之提取率無法利用單獨改變 —驅動時間而改變，相對應於一所需監視模式之一感應器 段之電極線路需先製成。 發明概述 緣是，本發明之一目的在提供一固態影像拾取裝置，其 可以僅藉由改變驅動狀態而以一隨意提取率讀取，且輕易 改史成框率、解析度或類此者，而不令垂直轉移電極之 線路結構複雜。 爲了達成上述目的，其提供一種固態影像拾取裝置，包 含複數光接收段製成於一半導體基材上、垂直轉移段供於 垂直方向中轉移自光接收段1買取之電荷、及一水平轉移 段供於一水平方向中轉移由垂直轉移段轉移之電荷，其中 #裝--------tr--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Q χ 297公爱 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ---------B7_____ 五、發明說明（5 ) 、該固Μ像拾取裝置備有—電荷放電閘極，係製成鄰近 ^垂直轉移段與水平轉移段之連接處，且耗盡垂直轉移段 中之電荷，及一電荷放電汲極，係製成鄰近於電荷放電閘 極，及 一隨意之垂直轉移段中之信號電荷係藉由在一隨意時間 她加弘壓至電荷放電閑極，以自電荷放電問極放電至電 荷放電没極。 在本發明中，一放電閘極及一放電汲極係提供於—垂直 轉移段與-水平轉移段之連接處，在此結構中，累積用於 —隨意像素之電荷可完全耗盡。用於一欲提取像素之信號 電荷係藉由導通放電閘極而放電至放電汲極，而用於:他u 像素i信號電荷則不電至放電閘極，其係藉由切換放電閘 極而轉移至水平CCD。藉由使用此結構及驅動方法，資料 即可用一隨意提取率讀取。 因此，一監視模式（提取讀取）可達成，同時垂直轉移電極 具有相同於靜態模式（正常讀取）者之線路結構，而不令 轉移電極之線路結構複雜。此外，可僅藉由改變放電㈣ 足驅動狀態而達成隨意提取率，且輕易改變一訊框率、解 析度或類此者。 f 在本發明之一實施例中，一層位於閘極正下方，其具有 相同於垂直轉移段者之導電型式，係製成於垂直轉移段與 放電汲極之間之放電閘極下方。 、 在此實施例中，由於位於放電閘極正下方之層具有相& 於垂直轉移段者之導電型式，因此放電閘極下方之電位1 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} H--------1---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479359 A7 B7_ 五、發明說明（6 ) 佈可呈一向下之斜率，且當一高位準電壓施加於放電閘極 時即無隆起，如圖4B之虛線所示，因此，垂直轉移段完全 耗盡’且電何可放電至放電》及極。 在本發明之一實施例中，一層位於閘極正下方，其具有 相同於垂直轉移段者之導電型式，係在相同於製成垂直轉 移段之製程中，製成於垂直轉移段與放電汲極之間之放電 閘極下方。 在此實施例中，當製成垂直轉移段時，一具有相同於垂 直轉移段者導電型式之區域亦同時製成，在此例子中垂直 轉移段完全耗盡，且電荷可放電至放電汲極。 在本發明之一實施例中，放電閘極覆蓋至少部分之垂直 轉移段。 在此實施例中，放電閘極覆蓋至少部分之垂直轉移段， 因此，在一轉移時，一電位斜率形成於一轉移方向中，而 未形成一電位障壁或一電位凹穴，因此，垂直轉移段中一 封包内之電荷可完全耗盡，而不造成一瑕疵轉移。 在本發明之一實施例中，一施加於放電汲極之電壓係可 變化，且一施加於放電没極之電壓之驅動時間係同步於一 施加於放電閘極之電壓之驅動時間。 在此實施例中，一施加於放電汲極之電壓係可變化，且 一施加於放電没極之電壓之驅動時間係同步於一施加於放 電閘極之電壓之驅動時間。因此，在一正常電荷轉移時， 藉由製成放電汲極之一電位井較淺而可避免電荷漏至放電 汲極，而在一電荷放電操作時，藉由製成放電汲極之電位 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------41^衣— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·. --線- 479359
--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： -丨線· 井較深而可自垂直轉移段穩定地放電至放電及柄。 :本發明之一實施例中’一施加於放電及極之脈衝寬度 ，、在-放電操作模式中覆蓋至少一施加於放電間極之脈衝 ’放電操作模式即放電汲極驅動且同步於放電閉極之驅動。 2此實施例中，-覆蓋施加於放電閘極之脈衝係在一放 電掭作模式中施加於放電汲極，叾中放電閘極下方之一區 域較低，因此電荷放電操作可穩定地執行。 在本發明之-實施例中，一放電没極係提供於相鄰垂直 轉移段之間，且位於放電②n之：垂直轉移段中之 信號電荷係經過鄰近於垂直轉移段之放電閘極，而放電至 此一放電及極。 在此實施例中，一放電汲極係由二垂直轉移段共用，因 此，即使當像素尺寸較小時，像素間距可減小且仍可取得 製成放電汲極及放電閘極之充足面積。 在本發明之一實施例中，備有放電汲極之垂直轉移段及 未備有放電没極之垂直轉移段係隨意地設定，且設定放電 没極之組合係配置於垂直方向中之複數級上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此實施例中，水平間距可減小，因爲複數級放電汲極 係提供於垂直方向中。 圖式簡單説明 本發明可由以下詳細説明及相關圖式中徹底暸解，而圖 文係用於説明而非侷限本發明，及其中·· 圖1A係一簡示圖，揭示一二維式影像感應器之結構，其 係本發明第一實施例之固態影像拾取裝置，圖1β係沿圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479359 A7 ___B7_ 五、發明說明（8 ) 之1B-1B所取之截面圖； 圖2A係第一實施例之一放電段配置圖，圖2B係第一實施 例在一放電操作時之驅動時間圖； 圖3係第一實施例在監視模式中之驅動時間； 圖4A係第一實施例之放電段結構之截面圖，圖4B係相對 應於圖4A之電位分佈圖，圖4C係一比較實例放電部結構之 截面圖，及圖4D係相對應於圖4C之電位分佈圖，· 圖5 A係一配置圖，揭示本發明第二實施例之結構，及圖 5B係沿圖5A之5B-5B所取之電位分佈截面圖； 圖6A-6C揭示第二實施例在正常轉移模式之轉移順序中垂 直轉移方向之電位分佈； 圖7A係一配置圖，揭示第二實施例之比較實例結構，及 圖7B係沿圖7A之C-C’所取之電位分佈截面圖; 圖8A-8C係沿圖7A之8A-8A所取之電位分佈截面圖，揭示 轉移順序中之電位分佈； 圖9 A係一配置圖，揭示本發明第三實施例之結構，及圖 9B係一驅動時間圖； 圖10A係沿圖9A之10A-10A所取之截面圖，圖10B揭示相 對應於圖10A截面結構之電位分佈，及圖10C揭示第三實施 例之比較實例電位分佈； 圖11係一配置圖，揭示本發明第四實施例之結構； 圖12係一配置圖，揭示本發明第五實施例之結構； 圖13係第五實施例之驅動時間圖： 圖14揭示一習知二維式影像感應器之結構； -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------衣--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) « ' -丨線' ^/^359
五、發明說明（9 ) 圖15係習知影像感應器之一較詳細之裝置結構圖； 圖16係習知二維式影像感應器在一監視模式中之驅動時 間圖；及 圖17係一電位圖，揭示習知影像感應器在一監視模式中 之k號轉移狀態。 較佳實施例詳細説明 本發明之固態影像拾取裝置將參考圖中之實施例而詳細 說明如下。 (第一實施例） 圖ΙΑ、1B揭示做爲本發明固態影像拾取裝置一實施例之 利用CCD (電荷耦合裝置）之二維式影像感應器。 如圖1A所示，此二維式影像感應器備有複數垂直ccd 2 且以預定間距排列，及複數光接收段1、1、1…且各由—光 二極體組成及排列於諸CCD 2之間。一水平CCD 3係鄰置於 垂直CCD 2、2、2...之一端，一電荷電壓轉換段4及一放大 器5依序設於水平CCD 3之一端。垂直CCD 2具有垂直轉移 電極6,而水平CCD 3具有水平轉移電極7,在此實施例中， 垂直CCD 2、水平CCD 3及放電没極區9係n型半導體層。 如圖1Β所示，垂直CCD 2係製成於一由？型半導體構成之 矽基材10中，垂直轉移電極6則設於垂直CCD 2上且其間設 有一閘極絕緣膜12。一放電閘極8係鄰置於垂直轉移電極6 ，一放電閘極Vth控制植入區11製成於放電閘極8下方且其 間設有閘極絕緣膜12。再者，一放電汲極9鄰置於此植入區 1 1 〇 --------；-----— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479359 A7 B7_ 五、發明說明（1Q ) 如圖1A所示，放電閘極8及放電没極9係鄰置於垂直C C D 2及水平CCD 3。 當一高閘極電壓施加於放電閘極8以導通放電閘極8時， 垂直CCD 2中之電荷即轉移至放電汲極9，而垂直CCD 2中 之一封包内之電荷完全耗盡。另方面，當一低閘極電壓施 加於放電閘極8以切斷放電閘極8時，垂直CCD 2中之電荷並 不轉移至放電汲極9,但是通常會在垂直轉移方向中轉移。 圖2A揭示此實施例之垂直CCD 2、放電閘極8及放電汲極 9之配置情形，圖2B揭示驅動時間。在圖2A、2B中，φνι-φν4 係垂直CCD 2之驅動電壓，cpTG係放電閘極8之驅動電壓。 首先，閘極電壓(pTG呈較高且一高電壓施加於放電閘極8 ，如圖2 B所示，使得當一放電操作時，放電閘極8下方之一 電位井係較深於垂直CCD 2之電位者。此時，放電汲極9之 電位井係設定爲較深於放電閘極8下方之電位井，垂直CCD 2中之電荷即可利用此電壓關係而轉移至放電汲極9。 在一正常轉移操作時，一低電壓（閘極電壓φΤ(3)施加於放 電閘極8，且放電閘極8下方電位井大致等於（或較淺於）供施 加一低電壓之轉移電極6下方之垂直CCD 2電位井，因此， 垂直CCD中之電荷不會放電至放電閘極8，而是在一轉移方 向中轉移。 因此，監視模式操作可利用上述放電閘極8之電荷放電功 能而致能。 利用放電閘極8及放電汲極9之監視模式操作將説明於後 ，應該注意的是此監視模式中之提取法爲1/7提取法，即7 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 丨線- A7 A7
五、發明說明（11 ) 像素中讀出1像素。 首先’在一靜悲模式（正常讀取）中，奇數（或偶數）列之像 表^號係自光二極體丨讀至垂直CCD 2，而垂直CCD 2製成 使1封包具有二像素。.讀至垂直CcD 2之電荷係轉移向垂直 CCD 2’且南達鄰近於放電閘極8之一部分垂直ccd 2處， 此係在垂直CCD 2及水平CCD 3之連接處附近。 圖3揭示在一 1/7提取模式中之垂直C(：D 2與放電閘極8之 驅動時間實例，在此實例中，垂直CCD 2係以相同於一正常 轉移（靜態模式）時間之驅動時間操作。 h後，閘極電壓(pTG施加於放電閘極8，以切斷7封包（14像 素）中1封包（2像素）所用之閘極，而導通6封包所用之閘極， 研即放電閘極8係對7封包中之6封包導通，因此由垂直cCD 2轉移之信號量可提取1/7 (在範圍a中之操作）。 隨後，奇數（或偶數）列之像素信號係自光二極體1讀至垂 直CCD 2，讀至垂直CCD 2之電荷係轉移向水平ccd 3，且 咼達鄰近於放電閘極8之一部分垂直CCD 2處，此係在垂直 CCD 2及水平CCD 3之連接處附近。在範圍八之例子中，放 弘閘極8係對7封包（14像素）中之丨封包（2像素）切斷，且對其 餘6封包（12像素）導通，以執行一放電操作（在範圍B中之操 作）。 此時，假設在範圍A及範圍B中做爲一單元之7封包（14像 素）組合，則用於不同顏色成分之2像素之信號係以3封包0 像素）或4封包（8像素）之單元輸出。 在此實施例中説明驅動方法及在一 1/7提取模式中之操作 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 丨線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479359 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（12 )
情形，但是可以瞭解的是任意提取操作例如1/4、丨/5、1/6 、1/8或類此者皆可藉由改變驅動時間而達成。用於執行此 提取之像素仏唬係利用導通放電閘極8而放電，所需之像素 ^號則利用切斷放電閘極8以自垂直CCD 2轉移向水平CCD 3，亦即一奴思之提取可依施加於放電閘極8之電壓之時間 而執行。 内線CCD中I像素提取（監視模式）係説明於此實施例中， 但是提取亦致能於連續式掃描CCD中，且任意之隨意提取 皆可利用一放電閘極8及一放電汲極9執行。 如上所述，利用此實施例之結構，垂直CCD 2係以相同於 一正常轉移（靜態模式）中之驅動時間驅動，且一隨意監視速 率之監視模式操作僅藉由改變施加於放電閘極8之電壓之驅 動時間而致能，此舉顯示提取可在不使用先前技藝中垂直 轉移電極之複雜結構下達成。 ^ 圖4A揭示第一實施例結構，其中放電閘極8下方之放電閘 極Vth控制植入區11具有相同於垂直CCD 2者之導電型式， 圖4B揭示此結構中之電位關係。 如圖4A所示，垂直CCD 2係位於垂直轉移電極6下方，且 其間設有一閘極絕緣膜12，放電閘極vth控制植入區1 1係鄰 置於垂直CCD 2，放電汲極9則鄰置於此植入區u。一通道 停止層13係鄰置於垂直CCD 2，且在植入區u之相對立側 ，放電閘極8鄰置於垂直轉移電極6且在垂直方向相對立於 植入區1 1，編號1 〇表示一矽基材。 在圖4 A所示之結構中，由於放電閘極8下方之植入區且 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- -丨線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479359 A7 ______B7__ 五、發明說明（13 ) 有相同於垂直CCD 2者之導電型式，趨近於放電汲極9之放 電閘極8下方電位分佈可呈一向下之斜率，且當一高電壓施 加於放電閘極8時即無隆起，如圖4B之虛線所示，因此，在 垂直CCD 2中之電荷完全耗盡，且電荷可放電至放電汲極9 。應該注意的是，放電閘極8下方之植入區1 1可藉由製成一 相同導電型式於垂直CCD 2者之區域，及當垂直CCD 2製成 時使同一植入層内之區域併合於垂直CCD 2而製成，在此例 子中，垂直CCD 2中之電荷完全耗盡，且電荷可放電至放電 汲極9。 相反於圖4 A中之結構，若放電閘極8下方之區域不具有相 同於垂直CCD 2者之導電型式，如圖4C所示，則當一高電 壓施加於放電閘極8時，一隆起即發生於放電閘極8下方之 電位分佈中，如圖4D之虛線所示，因此垂直CCD 2中之電 荷無法完全耗盡。 (第二實施例） 圖5揭示本發明第二實施例之結構，在第二實施例中，放 電閘極28覆蓋一部分垂直CCD 22，在圖5A中，參考編號22 表示一垂直CCD、26表示一垂直轉移電極、28表示一放電 閘極、29表示一放電汲極、及13表示一通道停止層。 第二實施例具有一結構以防止放電閘極28與垂直CCD 22 未重疊時所發生之殘餘電荷，放電閘極28覆蓋一部分垂直 CCD 22。 圖5B係沿圖5A之5B-5B所取之電位分佈截面圖，當一高 電壓施加於放電閘極28時，即可取得虛線所示之電位分佈 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) "" -------------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·- -丨線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479359 A7 _B7_ 五、發明說明（14 ) ，且電荷係自垂直C C D 2 2放電向放電没極2 9。 另方面，圖6A-6C係沿圖5 A之6 A -6 A所取之電位分佈截面 圖，這些電位分佈並不在放電模式，而是在一正常轉移模 式。 如圖6B所示，當t = t2時，垂直CCD 22之電位井係在一鄰 近於放電閘極28之部位變淺，此可視爲因一窄通道效應所 致。惟，在一轉移時，亦即當t = t3時，一電位斜率形成於 一轉移方向中，而未形成一電位障壁或一電位凹穴。應該 注意的是，圖2B中之驅動脈衝時間t = h - t5係用於圖6A-6C 中之電位暫時變化（h、t2、t3)。 因此，由於放電閘極28覆蓋一部分垂直CCD 22，垂直 CCD 22中一封包内之電荷可完全耗盡，而不造成一瑕疵轉 移。 另方面，若放電閘極38未重疊於垂直CCD 22，如圖7A所 示，則電位關係即如圖7B所示，其爲沿圖7A之7B -7B所取 之截面圖。亦即，當一高電壓施加於放電閘極3 8時，放電 汲極29係自垂直CCD 22釋放向放電汲極29。另方面，在一 正常轉移時，如圖8A-8C所示，其係沿圖7A之8 -8所取之電 位截面圖，電位井係在鄰近於放電閘極38之垂直CCD 22之 一部位22A變深，此因窄通道效應係在此部位22A之CCD寬 度變大時而釋除，如圖7A所示。 因此，在圖7A之結構中，考量剩餘電荷發生於垂直CCD 22之電位P在圖8A-8C所示之一垂直方向轉移時發生，應該 注意的是，圖2中之垂直方向驅動脈衝時間t = ti - t5係用於 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -丨線· 479359 A7 B7 __ 五、發明說明（15 ) 顯示圖8A-8C中之電位P之暫時變化（t2、t3、t4)。 (第三實施例） 圖9 A揭示一第三實施例之配置方式，在第三實施例中， 一施加於放電汲極49之電壓VD係在圖5A所示之第二實施例 中呈可變式。 圖9B揭示圖9A所示結構在一正常轉移模式及一放電操作 模式中，施加於轉移電極6之信號φν i - φν4、一施加於放電 閘極48之信號(pTG、及一施加於放電汲極49之電壓VD之波形 。在第三實施例中，一高電壓VD係在含有當信號φτσ變高Β寺 之一周期期間施加於放電汲極，如圖9Β所示。 圖10Α係沿圖9Α之10Α-10Α所取之截面圖，圖10Β揭示一 相對應於圖10Α截面結構之電位分佈，如圖10Β之實線所示 ，當放電閘極48切斷時，施加於放電汲極49之電壓VD係較 低，且放電汲極49之電壓井P1較淺。另方面，如圖10B之虛 線所示，當放電閘極48導通時，施加於放電汲極49之電壓 VD係較高，且放電汲極49之電壓井P2較淺。惟，放電汲極 49之電壓井係設定較深於放電閘極48下方之電壓井。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -_線_ 藉由此操作，當放電閘極48切斷時，在放電操作中放電 汲極49之電壓井P1係較淺於電壓井P2，因此垂直CCD 22中 之部分電荷可避免經過放電閘極48而放電至放電汲極49。 因此，依據第三實施例所示，，即使當像素尺寸小時，放 電汲極仍可在正常操作時避免，且一訊框速率、解析度或 類此者可輕易改變於一隨意提取率。 如圖10C之實線所示，當一施加於放電汲極49之電壓VD呈 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479359 A7 _B7_ 五、發明說明（16 ) 固定時，在正常轉移中有一大電位差存在於放電閘極48下 方之區域與放電汲極49之間，因此，放電閘極48下方之電 位即因短通道效應而由放電没極49之電位吸引，且放電閘 極48下方之電位井較深於圖1 0B所示之例子者。在此例子中 ，在正常轉移時（放電閘極切斷時），垂直CCD 22中之部分 電荷可經過放電閘極48而放電至放電汲極49，爲了避免此 瑕疵轉移，放電閘極48之長度僅需延長即可，但是此卻因 有限之像素尺寸而難以達成。 (第四實施例） 圖11揭示本發明第四實施例之固態影像拾取裝置結構。 第四實施例係設計以減少像素間距。 如圖11所示，此實施例備有一第一垂直CCD 8 1、一第二 垂直CCD 82、一放電閘極83、一放電汲極84、垂直轉移電 極85及一通道停止層86。 在第四實施例中，放電汲極84係提供於第一垂直CCD 81 與第二垂直CCD 82之間，放電閘極83係鄰設於各垂直CCD 81、82之二側且夾置放電汲極84。 如圖1 1所示，由於二垂直CCD 8 1、82共用一放電没極84 ，因此，即使當像素尺寸較小時，仍可取得一製成放電汲 極84及放電閘極83之充足面積。 在此實施例之一放電操作中，放電閘極83具有高電壓， 且垂直CCD 81、82中之信號電荷係放電至由二垂直CCD 81 、82共用之放電汲極84。 此時，圖1 1所示p型區中之通道停止層86可防止二垂直 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . •線 479359
五、發明說明（17 CD 8 1、82與另一相鄰垂直ccd之間交換電荷。 因此’依此實施例所示，由於放電汲極84係由二垂直 D 8 1 82共用’則即使當像素尺寸較小時，仍可提供一 可做放電操作之固態影像拾取裝置。 (第五實施例） 圖12揭不本發明第五實施例之固態影像拾取裝置結構， 第五實施例係藉由提供複數級放電汲極，以設計減少水平 方向之間距。 第五貝施例備有一第一垂直CCD 91、一第二垂直CCD 92 、一第一放電閘極93、一第二放電閘極94、一第一放電汲 極95、一第二放電汲極96、垂直轉移電極97及一通道停止 層98 〇 如圖12所示，第一垂直CCD 91及第二垂直CCD 92係交替 地排列，當二相鄰之垂直CCD在上級相近地延伸時，其即 於下級相距地延伸，當其在上級相近地延伸時，其於下級 相距地延伸，亦即如圖12所示，第一垂直CCD 91及第二垂 直CC D 92排列使得相近及相距之延伸段依續反覆於上級。 另方面，在下級上，相距及相近之延伸段係相反於上級之 相位而依續反覆。 第一放電汲極95設於在上級彼此相距之第一垂直CCD 9 1 及第二垂直CCD 92之間，第一放電閘極93則設於第一放電 汲極95及第一垂直CCD 91之間，第一放電閘極93局部地重 疊於第一垂直CCD 91。重疊於第一放電閘極93之第一垂直 C C D 9 1大約中央部位具有一延伸段9 1A，係延伸至第一放 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - ϋ ϋ ϋ ϋ 訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479359 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 A7 B7 五、發明說明（18 ) 電汲極95。 第二放電汲極96設於彼此相距之第二垂直CCD 92及第一 垂直CCD 91之間，第二放電閘極94則設於第二放電汲極％ 及第二垂直CCD 92之間，第二放電閘極94局部地重疊於第 二垂直CCD 92。重疊於第二放電閘極94之第二垂直ccd 92 大約中央邵位具有一延伸段92A，係延伸至第二放電汲極 96 ° 因此，第五實施例具有二級式結構，且第一放電没極％ 及第二放電汲極96分別在上、下級，第一放電汲極％及第 一放電閘極93係提供於每隔一垂直CCD，即第一垂直ccD 91而在下級上，第一放電没極96及第二放電閘極94係提 供於第二垂直CCD 92，即放電汲極未提供於上級者，因此 在所有垂直CCD中之信號電荷可放電。 圖13揭示圖12所示結構在一放電操作中之驅動時間，此 驅動時間表揭示一 1/7提取監視模式。 在广實施例中，垂直CCD W、Μ係以相同於一正常轉移 (靜悲模式）時間之驅動時間操作，依此時間表中之閘極信號 Φκμ、φτ〇2波形所示，第一放電閘極％係在第二放電閘極94 導通周期（放電操作模式）之前，具有一時間丨封包。 在一正常操作僅執行於丨封包（2像素）後而第一及第二放電 間極93、94在切斷狀態時，執行_放電操作而諸閘極係如 封包（12像素）呈導通狀態。 用於2像素之不同顏色信號可藉由重覆在範圍a、β中之此 操作而輸出於3封包（6像素）或4封包（8像素）。 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格咖χ挪公⑴ --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -21 - A7 B7 、發明說明（19 當複數級之放電没極95、96係提供”五實施例之例子 ’用於1線之像素信號可藉由變移各級上之放電問㈣ 、94驅動時間而提取，其無關於放電閘極％％與放 極95、96之位置。 、包/ 一在第五實施例巾已揭述1/7·提取監視模式，但是操作另可 藉由改變驅動時間而以任意提取率達成，例如1/4、1/5、 1/6、1/8或類此者，亦即欲提取之像素信號係在放電問極導 通時釋放，所需之像素信號則在放電閘極切斷時轉移向水 平 CCD 〇 當一電壓施加於上、下級上之放電汲極95、96之其中一 放電閘極93、94以保持其切斷狀態，及一高電壓施加於另 一放電汲極以導通時，一正常轉移即執行於其中一相鄰垂 直CCD，且一放電操作執行於另一垂直CCD，結果即可執 行在1線中處理每隔一信號之取提。 每隔一垂直CCD具有一二級式結構於圖12所示結構中之 垂直方向中，但是垂直方向中之二級式結構不需提供於每 隔一垂直CCD，備有一放電汲極之垂直c CD與未備有一放 電汲極之垂直CCD之組合可隨意設定，其不限制垂直方向 中之級數，故可提供複數級。 本發明已説明如上，可以瞭解的是其可有多種變化，諸 此變化則未脱離本發明精神範臂’且諸此修改應爲習於此 技者所知，即其應在以下申請專利範圍内。 22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------tl---------線 —Aw----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 479359 A7 B7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（2Q ) 參考編號： 1 ： 2、22 : 3 ： 4 ： 5 ： 6 > 26 ： 7 ： 8 、 28 、 38 、 48 9 、 29 、 49 : 10 : 11 ： 12 ： 13 ： 81、91 : 82 > 92 ： 83 ： 84 ： 85 、 97 : 86 > 98 ： 93 ： 94 ： 95 ： 96 ：
光接收段 垂直CCD 水平CCD 電荷電壓轉換段 放大器 垂直轉移電極 水平轉移電極 放電閘極 放電没極 碎基材 閘極Vth控制植入區 閘極絕緣膜 通道停止層 第一垂直CCD 第二垂直CCD 放電閘極 放電没極 垂直轉移電極 通道停止層 第·一放電閘極 弟二放電閘極 第一放電汲極 弟一放電〉及極 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 479359 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2. 3. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4· 5. 一種固態影像拾取裝置，包含複數光接收段（丨）製成於一 半導體基材（10)上、垂直轉移段（2)供於一垂直方向中轉 移自光接收段（1)讀取之電荷、及一水平轉移段（3)供於一 水平方向中轉移由垂直轉移段（2)轉移之電荷，其中 該固悲影像拾取裝置備有一電荷放電閘極（8)，係製成 鄰近於垂直轉移段（2)與水平轉移段（3)之連接處，且耗盡 垂直轉移段中之電荷，及一電荷放電汲極（9)，係製成鄰 近於電荷放電閘極（8)，及 一隨意之垂直轉移段（2)中之信號電荷係藉由在一隨意 時間施加一電壓至電荷放電閘極（8)，以自電荷放電閘極 (8 )放電至電何放電》及極（9 )。 如申請專利範圍第1項之固態影像拾取裝置，其中 一層（11)位於閘極（8)正下方，其具有相同於垂直轉移 段（2)者之導電型式，係製成於垂直轉移段（2)與放電汲極 (9)之間之放電閘極（8)下方。 如申請專利範圍第1項之固態影像拾取裝置，其中 一層（11)位於閘極（8)正下方，其具有相同於垂直轉移 & (2)者之導電型式，係在相同於製成垂直轉移段之製程 中，製成於垂直轉移段（2)與放電没極（9)之間之放電閘柄 (8)下方。 ^ 如申請專利範圍第1項之固態影像拾取裝置，其中 放電閘極（28)覆蓋至少部分之垂直轉移段（22)。 如申请專利範圍第1項之固態影像拾取裝置，其中 一施加於放電汲極（49)之電壓（Vd)係可變化，且—施加 -24 - Φ、紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -------— ^------—^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    479359 六、申請專利範圍 於放弘汲極（49)之電壓（Vd)之驅動時間係同步於一施加 於放電閘極（48)之電壓（Φτο)之驅動時間。 6. 如申請專利範圍第5項之固態影像拾取裝置，其中 一施加於放電汲極（49)之脈衝寬度係在一放電操作模 式中覆盖至少一施加於放電閘極（48)之脈衝（φτ〇)，放電 操作模式即放電汲極（49)驅動且同步於放電閘極（48)之驅 動。 7. 如申請專利範圍第1項之固態影像拾取裝置，其中 一放電汲極（84)係提供於相鄰垂直轉移段（81、82)之間 ’且位於放電汲極（84)二側上之二垂直轉移段（81、82)中 之信號電荷係經過鄰近於垂直轉移段、82)之放電閘 極（83)，而放電至此一放電汲極（84)。 8. 如申請專利範圍第1項之固態影像拾取裝置，其中 備有放電没極之垂直轉移段及未備有放電没極之垂直 轉移段係隨意地設定，且設定放電汲極之組合係配置於 垂直方向中之複數級上。 --------訂----1-----線—AWI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱）
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Cited By (1)

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US8259219B2 (en) 2008-07-03 2012-09-04 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Detection system for autofocus function of image capture device and control method thereof

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001238134A (ja) * 2000-02-23 2001-08-31 Sony Corp 固体撮像素子およびその駆動方法並びにカメラシステム
JP3947969B2 (ja) * 2002-05-15 2007-07-25 ソニー株式会社 画像処理装置、および画像処理方法、記録媒体、並びにプログラム
US7663684B2 (en) * 2003-03-28 2010-02-16 Fujifilm Corporation Charge transfer device and a solid state imaging device using the charge transfer device
US8705808B2 (en) 2003-09-05 2014-04-22 Honeywell International Inc. Combined face and iris recognition system
US8064647B2 (en) * 2006-03-03 2011-11-22 Honeywell International Inc. System for iris detection tracking and recognition at a distance
US8098901B2 (en) 2005-01-26 2012-01-17 Honeywell International Inc. Standoff iris recognition system
US8090157B2 (en) 2005-01-26 2012-01-03 Honeywell International Inc. Approaches and apparatus for eye detection in a digital image
US8049812B2 (en) * 2006-03-03 2011-11-01 Honeywell International Inc. Camera with auto focus capability
US8442276B2 (en) 2006-03-03 2013-05-14 Honeywell International Inc. Invariant radial iris segmentation
US7593550B2 (en) 2005-01-26 2009-09-22 Honeywell International Inc. Distance iris recognition
US7761453B2 (en) 2005-01-26 2010-07-20 Honeywell International Inc. Method and system for indexing and searching an iris image database
JP4353770B2 (ja) * 2003-10-31 2009-10-28 三洋電機株式会社 固体撮像素子の駆動方法
JP4771664B2 (ja) * 2004-01-30 2011-09-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JP4739706B2 (ja) * 2004-07-23 2011-08-03 富士フイルム株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
GB2448653B (en) 2006-03-03 2011-03-23 Honeywell Int Inc Single lens splitter camera
GB2450023B (en) 2006-03-03 2011-06-08 Honeywell Int Inc An iris image encoding method
JP2009529197A (ja) 2006-03-03 2009-08-13 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド モジュールバイオメトリクス収集システムアーキテクチャ
WO2008016724A2 (en) 2006-03-03 2008-02-07 Honeywell International, Inc. An iris recognition system having image quality metrics
US20090092283A1 (en) * 2007-10-09 2009-04-09 Honeywell International Inc. Surveillance and monitoring system
JP5132262B2 (ja) * 2007-11-02 2013-01-30 三菱電機株式会社 裏面入射型リニアイメージセンサ、その駆動方法、及びその製造方法
US8436907B2 (en) 2008-05-09 2013-05-07 Honeywell International Inc. Heterogeneous video capturing system
US8213782B2 (en) * 2008-08-07 2012-07-03 Honeywell International Inc. Predictive autofocusing system
US8090246B2 (en) 2008-08-08 2012-01-03 Honeywell International Inc. Image acquisition system
US8280119B2 (en) * 2008-12-05 2012-10-02 Honeywell International Inc. Iris recognition system using quality metrics
US8472681B2 (en) 2009-06-15 2013-06-25 Honeywell International Inc. Iris and ocular recognition system using trace transforms
US8630464B2 (en) 2009-06-15 2014-01-14 Honeywell International Inc. Adaptive iris matching using database indexing
JP5562335B2 (ja) * 2009-07-10 2014-07-30 パナソニック株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法
US8742887B2 (en) 2010-09-03 2014-06-03 Honeywell International Inc. Biometric visitor check system

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4513313A (en) * 1982-12-07 1985-04-23 Canon Kabushiki Kaisha Solid state imaging device
JPS59201589A (ja) 1983-04-30 1984-11-15 Shoichi Tanaka 固体撮像装置
JPS6362480A (ja) 1986-09-03 1988-03-18 Toshiba Corp 固体撮像装置
US4912560A (en) * 1988-01-29 1990-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid state image sensing device
JPH0748828B2 (ja) 1988-06-01 1995-05-24 日本電気株式会社 固体撮像素子
JP2806076B2 (ja) 1991-06-11 1998-09-30 日本電気株式会社 固体撮像素子とその駆動方法
JPH04369266A (ja) 1991-06-17 1992-12-22 Sony Corp Ｃｃｄ固体撮像素子
US5270558A (en) * 1991-12-03 1993-12-14 Massachusetts Institute Of Technology Integrated electronic shutter for charge-coupled devices
JP2832136B2 (ja) * 1992-12-28 1998-12-02 シャープ株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
US5440343A (en) * 1994-02-28 1995-08-08 Eastman Kodak Company Motion/still electronic image sensing apparatus
US5828406A (en) * 1994-12-30 1998-10-27 Eastman Kodak Company Electronic camera having a processor for mapping image pixel signals into color display pixels
JP2000134540A (ja) 1998-10-29 2000-05-12 Nec Corp 固体撮像装置及びその駆動方法
JP2001053267A (ja) 1999-08-16 2001-02-23 Sony Corp 固体撮像素子およびその駆動方法並びにカメラシステム
JP2001238134A (ja) 2000-02-23 2001-08-31 Sony Corp 固体撮像素子およびその駆動方法並びにカメラシステム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8259219B2 (en) 2008-07-03 2012-09-04 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Detection system for autofocus function of image capture device and control method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
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KR100489341B1 (ko) 2005-05-16
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US7053948B2 (en) 2006-05-30
JP2001267548A (ja) 2001-09-28
US20010023919A1 (en) 2001-09-27

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