TW479333B - Semiconductor package - Google Patents

Description

479333 五、發明說明（1) 發明背量 曼Jg之領域 本發明係關於一種半導辦在 封裝體中，-半導體晶片係以，特別是在該半導體 緣基板上，且一熱輻射板則 2接之強化板安裝在一絕 板J附者在該半導體晶片之背面。 jlLM技術之招？ j纟 圖3所示之半導體裝置即係— 態之BGA封裝體。一倒裝晶片 ]裝日日片（fllP chip)型 個面朝下設於一絕緣基板丨1之;^半導體晶片2具有複數 ―)，該絕緣基板則設有 起部(solder 導體晶片之焊接隆起部3與基強化，，如&，透過半 接，即可將半導體晶片2與基板丨預焊點（未顯不）間之焊 倒裝晶片型態之半導體晶片2盥 ^電連接。此處，介於 m，而各隆起部之間隔則為24〇、土反之間的間隙為140 # 個，晶片尺寸為二見= 晶片2從某柘1矣而瞀立 而日日片厚度為725 。半導體 ^ ^ f # ^ ^ ^ ^ ^ 化板5表面厚度則為91Q $ 含-黏者劑4的強 與強化板5間之空間中。所以係填充再基板1 片2之高度為大。一作為填 板5之商度較半導體晶 ewrOMJ以適虽$填充於一焊接連接部該 二:、介=裝晶片型態之半導體晶片基 然後’再於-適當溫度下（在此例中約為15〇。〇將填之底^。

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7，此銀膠7係作為;:二：：則塗覆上-具導電性之銀膠 板5的上部亦塗覆有—黏//脂。此外，絕緣基板1之強化 輻射板9設置在^導體曰Π8。然'後，將-以銅製成之 藉由樹脂的固化而將二片二背二巧 設在未設有半導體曰射板9。《後，再將焊接球10 、有牛V體晶片之絕緣基板的背面上，如此即可6 成一倒裝晶片型態之BGA封裝體。 凡

士根據上述之習知方法，在製造倒裝晶片之BGA封譽 日守i當半導體晶片與強化板之高度係從基板表面起算^時一， 此=度差為2 0 // m，所以，強化板高度係大於半導體晶 之高度。若將強化板黏著至基板之製造過程中所造成曰 度差的誤差值（2 5 // m)考慮在内，則強化板的高度就會比^ f導體晶片大4 0 /z m左右。若輻射板係在此狀態下加以黏 著’則在將輻射板接合至半導體晶片背面後的擦除工作\ 成後，如圖4所示之輻射板9由於擦除之動作而彎曲成一凡 狀’並由於擦除動作而又彎曲成一凸狀。結果，原本已= 勻分布在半導體晶片背面上之樹脂又會被推到半導體晶^ 之中央部位，造成該部位銀膠樹脂之厚度增加（約增加@至 40至80 //m左右），如此即不易獲致預定之熱阻值。

此外，當強化板的高度為7 6 0 // m時，由於此高度相車A 於半導體晶片之高度又過小，故輻射板與強化板之間隙又 會過大，導致在強化板上之輻射板極易因操作方式的不同 而變形。

第6頁 479333 五、發明說明（3) 進一步，若半導體晶片之高度為890/zm，而強化板之 高度介於870至8 90 //m之間，亦即強化板之高度係大於半 導體晶片之高度時，則上述在強化板接合過程中所產生之 誤差值以及發生於其它製造過程中之誤差值就必須納入考 慮才行。 發明概要 本發明之目的係提供一 輻射板時之擦除工作、確保 著劑之濕化、減低樹脂的厚 一具有低熱阻之倒裝晶片封 根據本發明之半導體封 在絕緣基板表面上之周邊並 没於絕緣基板表面上之半導 片上之輻射板。其中，從絕 背面之高度係大於算到強化 射板相接觸。 半導體封裝體，其可促進黏著 半導體晶片背面相對於銀膠黏 度使其小於5 0 # m、以及形成 裝體。 裝體包含一絕緣基板、一設置 壬一環形之強化板、一面朝下 體晶片、以及一設於半導體晶 緣基板表面算起到半導體晶片 板表面之高度，強化板並與輻 氣屋實施例之詳細說明 本發明配合附圖可說明如下。 一圖1係本發明第一實施例之組態的橫立彳 示，在此實施例中，一銅製強化板5,,二面圖。如圖1所 上之周邊處而呈一環形， 片型態之半導體晶片2係面朝下裝設在絕「上=

479333 五、發明說明（4) 導體晶片2與基板1係透過半導體晶片2之焊接隆起部3的 接舆基板1之預焊（未顯示）而相互電性連接。介於倒 Y 片型態之半導體晶片2與基板1間之間隙為j 4〇 # m，各H 部之間隔為240 //m，隆起部則共有3 〇〇〇個，半導體晶片^ 尺寸為15mm見方，而晶片厚度則為725 /zm。半導體=曰片^ 基板1起算並包含半導體晶片之幫曲部的背面厚度為曰8曰9〇 2 m。同時，與輻射板相接觸並從基板丨表面起算之強化 度為82〇^m，此厚度係包含射入基板}與強化板5間^ 1耆劑4厚曰度，一作為焊接連接部之填底樹脂的環氧樹脂 i ί ： Ϊ填ί :裝ί片型態之半導體晶片2與絕緣基板1 脂6曰固化Υ ，在一適當溫度（此例中約150。〇下將填底樹 導電'ίΐ赚7在半Λ體晶片2背面上鍍上-作為黏著樹脂之 i絕緣基板1之強化板5上部亦鍍有- 2之背面盥絲外4, 銅衣之輻射板9設置在半導體晶片 著1上，/如乐g板之上部以將輻射板9藉由固化樹脂而附 Ϊ本=:獲得一倒裝晶片型態之_封裝體。 面盘導體裝置中，為了將射入半導體晶片背 ί ί著劑厚度控制在50之下，必須使從 暴板表面到半導辦曰g北i 、— 板之高度相差曰曰+ 咼度以及從基板表面到強化 較大。 土 5°_ ’且半導體晶片背面之高度則 圖。：2圖1::顯示i發明第二實施例之組態的橫剖面 • ’、此貫施例係—帶型BGA封裝體。在圖2 479333 五、發明說明（5) 中，長度h與a滿足條件h-a=75 ± 50 //m，一半導體晶片13 表面上設有一内導線12與一配塾14 ’此内導線12係^接至 一 TAB之絕緣帶U，而此TAB則附著於—铜製環形強化板 5，内導線1 2與配墊1 4則以打線而相互電連接。半導體曰 片13與焊接球10係透過内導線12而相互電連接°。帶體厚^曰度 則為125_，晶片尺寸為10mm見方，而晶片厚度則為35〇又 。從帶體U表面到半導體晶片13背面、並包 晶片1 3之彎曲部的高度為52 〇 # m。同時，…册 板5表面、並包含帶體n與強化板5間所加::著劑、化 將作為黏著樹脂之環氧樹脂14以適當量加 ΐ)下二連接部，然後，在-適當溫度(此射 接著’在半導體晶片13背面塗覆上— 導電性銀膠，此外，鹛髀μ改几此々L作馬黏者树知之 。接英#外""體上強化板之上部亦塗覆一黏著樹 =化柄銅製輻射板9設置在半導體晶片背面上與 強板上°卩以藉由樹脂將輻射板θ附著其上。接著，盥 — #，藉由將焊接球10設於帶體背面上，即可 獲付一低熱阻之帶型BGA封裝體。 發明由使半導體晶片背面較強化板突出’本 面到半導#北者輻射板時之擦除工作，其方式係使基板表 户 -月面之局度能較從基板表面到強化板表面之高 ^ ^ ^ Λ # m左右。如此一來，即可確保半導體晶片. n ;、畏膠黏著劑能均勻的濕化，使樹脂厚度能小於 仔一具有低熱阻之倒裝晶片封裝體。此外，

第9頁 五、發明說明（6) z i ί於輻射板與強化板間之間隙可被設成一適备大小， 故本發明尚可阶L Α 一 人迥田八』 形。 輕射板被附著至半導體晶片背面時的變 非將本發明狹義^ 於方便說明本發明之釦在—A。 ^ 之任何變更，=也限制於該較佳實：存車乂佳實施例’而 屬本發明申社_ '例。凡依本發明所做 乃甲％專利之範園。 以上所述，係用 本發明狹義认 ；方便說明本發明之私〜a /丨 X, 你鐵•義地限制於玆击"一之車乂佳實施例，而 麵 第10頁 479333 圖式簡單說明 上述本發明之目的、優點和特色由以下較佳實施例之 詳細說明、並參考圖式當可更加明白，其中： 圖1係用以顯示本發明第一實施例之封裝體的橫剖面圖。 圖2係用以顯示本發明第二實施例之封裝體的橫剖面圖。 圖3係用以顯示習知封裝體的橫剖面圖。 圖4係用以顯示在習知封裝體中，半導體晶片之高度過大 情況的橫剖面圖。 符號說明 1〜絕緣基板 2〜半導體晶片 3〜焊接隆起部 4〜黏著劑 5〜強化板 6〜環氧樹脂 7〜銀膠 8〜連接樹脂 9〜輻射板 1 0〜焊接球 11〜絕緣帶 1 2〜内導線 1 3〜半導體晶片 1 4〜配塾

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Claims (1)

1. 479333 六、申請專利範圍 I 一種半導體封裝體，包含 絶緣基板 強化板，呈-/ 邊； 衣形形成於該絕緣基板表面之周 一半導體晶片，S鈿 上；以及 朝下形成於該絕緣基板表面 一熱輕射板，开彡4、# 1由，认 成於該半導體晶片上； 其T，從該絕緣基始 高度，係大於該強化板板ί面至該半導體晶片背面之 射板相接觸。 之问度，該強化板並舆該熱輻 2.如申請專利範圍第1項之半導# 緣基板到該半導體曰Μ % & ¥體封裝體，其中，由該絕 ^ 0甘Γ 月面之高度係大於該強化板表面夕 -度，且其相差範圍為75 ± 50⑽。 ⑤表面之 ^Λ申請專利範圍第1項之半導體封裝體，其中，-第 ::树脂被射入該輻射板與該半導體晶片之間，且— #者樹脂被射入該輻射板與該強化板之間。 一 4.如申請專利範圍第3項之半導體封裝體其中， 黏著樹脂係一導電樹脂。 Μ第一 5· —種半導體封裝體，包含： 一TAB型態之絕緣帶； 一強化板，形成於該絕緣帶上並呈環形； 一半導體晶片，面朝下形成於該絕緣帶上；p 一熱輻射板，形成於該半導體晶片上； 以及 其中，由該絕緣帶到該半導體晶片背面之高声'

   479333 六、申請專利範圍 係大於該強化板表面之高度，該強化板並與該熱輻射板相 接觸。 6.如申請專利範圍第5項之半導體封裝體，其中，由該絕 緣帶到該半導體晶片背面之南度’係大於該強化板表面之 高度，且其相差範圍為75 ±50//m。

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