JP3459804B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特に補強板が貼付られた絶縁性基板上に半導体チップが
実装され、半導体チップの裏面には放熱板が取り付けら
れるパッケージにおいて、基板から半導体チップ裏面ま
での高さは基板から補強板までの高さよりも高い半導体
装置に関する。
特に補強板が貼付られた絶縁性基板上に半導体チップが
実装され、半導体チップの裏面には放熱板が取り付けら
れるパッケージにおいて、基板から半導体チップ裏面ま
での高さは基板から補強板までの高さよりも高い半導体
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置は従来のフリ
ップチップ型ＢＧＡは図３に示されるように、銅材から
なる補強板５が張り付けられた絶縁性基板１上に、ハン
ダバンプ３を持ったフリップチップ型の半導体チップ２
がフェイスダウンで絶縁性基板１上に実装して、半導体
チップ２のハンダバンプ３と基板の予備ハンダ（図示せ
ず）とが溶融接続されて半導体チップ２と基板１が電気
的に接続されている。フリップチップ型の半導体チップ
２と基板１とのギャップは１４０ｕｍでバンプ間ピッチ
は２４０ｕｍ、バンプ数は３０００個、チップサイズ１
５ｍｍ□で、チップ厚７２５ｕｍである。基板１から半
導体チップ２の裏面までの高さは、半導体チップ反りを
含めて８９０ｕｍである。一方、基板１から補強板５の
表面までの高さは、基板１と補強板５との間の接着剤４
を含めて９１０ｕｍで、補強板５の高さの方が半導体チ
ップ２の高さよりも高い。このフリップチップ型の半導
体チップ２と絶縁性基板１との間隔のハンダ接続部にア
ンダーフィル樹脂６として、エポキシ系樹脂６の適量を
充満する。その後、アンダーフィル樹脂６を適正な温度
（この例では１５０℃前後）で硬化させる。
ップチップ型ＢＧＡは図３に示されるように、銅材から
なる補強板５が張り付けられた絶縁性基板１上に、ハン
ダバンプ３を持ったフリップチップ型の半導体チップ２
がフェイスダウンで絶縁性基板１上に実装して、半導体
チップ２のハンダバンプ３と基板の予備ハンダ（図示せ
ず）とが溶融接続されて半導体チップ２と基板１が電気
的に接続されている。フリップチップ型の半導体チップ
２と基板１とのギャップは１４０ｕｍでバンプ間ピッチ
は２４０ｕｍ、バンプ数は３０００個、チップサイズ１
５ｍｍ□で、チップ厚７２５ｕｍである。基板１から半
導体チップ２の裏面までの高さは、半導体チップ反りを
含めて８９０ｕｍである。一方、基板１から補強板５の
表面までの高さは、基板１と補強板５との間の接着剤４
を含めて９１０ｕｍで、補強板５の高さの方が半導体チ
ップ２の高さよりも高い。このフリップチップ型の半導
体チップ２と絶縁性基板１との間隔のハンダ接続部にア
ンダーフィル樹脂６として、エポキシ系樹脂６の適量を
充満する。その後、アンダーフィル樹脂６を適正な温度
（この例では１５０℃前後）で硬化させる。
【０００３】次に、半導体チップ裏面に接着樹脂とし
て、導電性の特性を有するＡｇペースト７を塗布する。
尚、絶縁性基板１の補強板２の上部には接着樹脂８も塗
布しておく。その後、半導体チップ裏面及び補強板上部
に銅材からなる放熱板９を配置して、樹脂を硬化させ放
熱板９を取り付ける。その後、半導体チップが搭載され
ていない絶縁性基板の裏面にハンダボール１０を搭載し
て、フリップチップ型のＢＧＡパッケージを得る。
て、導電性の特性を有するＡｇペースト７を塗布する。
尚、絶縁性基板１の補強板２の上部には接着樹脂８も塗
布しておく。その後、半導体チップ裏面及び補強板上部
に銅材からなる放熱板９を配置して、樹脂を硬化させ放
熱板９を取り付ける。その後、半導体チップが搭載され
ていない絶縁性基板の裏面にハンダボール１０を搭載し
て、フリップチップ型のＢＧＡパッケージを得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の方法で
フリップチップＢＧＡパッケージを製作した場合、基板
から半導体チップ裏面までの高さと基板から補強板まで
の高さの差は２０ｕｍで、補強板の高さの方が半導体チ
ップ高さより高くなり、さらに、補強板を基板に取り付
ける際の製造ばらつき（±２５ｕｍ）によっては補強板
の高さが半導体チップ高さより４０ｕｍ以上高くなる場
合がある。この状態で放熱板を取り付けると、放熱板を
半導体チップ裏面に貼付する際のスクラブ作業実施後、
図４に示すように、スクラブの反動により放熱板９が凹
から凸にたわんで半導体チップ裏面に均一に伸ばした樹
脂が半導体チップ中心部に引き込まれてＡｇペースト樹
脂厚（約４０〜８０ｕｍ）が厚くなり所望の熱抵抗を得
ることがむずかしい。
フリップチップＢＧＡパッケージを製作した場合、基板
から半導体チップ裏面までの高さと基板から補強板まで
の高さの差は２０ｕｍで、補強板の高さの方が半導体チ
ップ高さより高くなり、さらに、補強板を基板に取り付
ける際の製造ばらつき（±２５ｕｍ）によっては補強板
の高さが半導体チップ高さより４０ｕｍ以上高くなる場
合がある。この状態で放熱板を取り付けると、放熱板を
半導体チップ裏面に貼付する際のスクラブ作業実施後、
図４に示すように、スクラブの反動により放熱板９が凹
から凸にたわんで半導体チップ裏面に均一に伸ばした樹
脂が半導体チップ中心部に引き込まれてＡｇペースト樹
脂厚（約４０〜８０ｕｍ）が厚くなり所望の熱抵抗を得
ることがむずかしい。
【０００５】また、補強板高さが７６０ｕｍと半導体チ
ップ高さより低すぎる場合、放熱板と補強板との隙間が
広がりすぎて、パッケージの取り扱いによっては補強板
上部の放熱板を変形させてしまう不具合が発生しやす
い。
ップ高さより低すぎる場合、放熱板と補強板との隙間が
広がりすぎて、パッケージの取り扱いによっては補強板
上部の放熱板を変形させてしまう不具合が発生しやす
い。
【０００６】尚、半導体チップまでの高さ８９０ｕｍ、
補強板までの高さ８７０〜８９０ｕｍの場合、前述した
ように補強板の貼付製造ばらつきとその他製造ばらつき
を考慮すると、補強板高さが半導体チップ高さより高く
なるときがあるため、好ましくない。したがって、本発
明の目的は、半導体チップ裏面が補強板より出ること
で、放熱板を取付する際のスクラブ作業を行いやすくす
る。これによって、半導体チップ裏面のＡｇペースト接
着剤の均一な濡れ性を確保し、樹脂厚みを５０ｕｍ以下
にすることができ、低熱抵抗のフリップチップパッケー
ジを得ることができる。また、放熱板と補強板との隙間
も適度な寸法となるため、半導体チップ裏面に貼り付け
た放熱板の変形も防止することができるという効果があ
る。
補強板までの高さ８７０〜８９０ｕｍの場合、前述した
ように補強板の貼付製造ばらつきとその他製造ばらつき
を考慮すると、補強板高さが半導体チップ高さより高く
なるときがあるため、好ましくない。したがって、本発
明の目的は、半導体チップ裏面が補強板より出ること
で、放熱板を取付する際のスクラブ作業を行いやすくす
る。これによって、半導体チップ裏面のＡｇペースト接
着剤の均一な濡れ性を確保し、樹脂厚みを５０ｕｍ以下
にすることができ、低熱抵抗のフリップチップパッケー
ジを得ることができる。また、放熱板と補強板との隙間
も適度な寸法となるため、半導体チップ裏面に貼り付け
た放熱板の変形も防止することができるという効果があ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
金属材料からなる補強板が張り付けられた絶縁性基板上
に、ハンダバンプを持ったフリップチップ型の半導体チ
ップをフェイスダウンで実装し、前記半導体チップと前
記絶縁性基板との間のハンダ接続部にアンダーフィル樹
脂を充満し、半導体チップ裏面および前記補強板に、そ
れぞれ導電性接着剤および接着樹脂で、金属材料からな
る放熱板を取り付け、前記半導体チップが搭載されてい
ない前記絶縁性基板の裏面にハンダボールを搭載し、前
記絶縁性基板から前記半導体チップの裏面までの高さが
前記絶縁性基板から前記補強板までの高さより７５±５
０μｍ以内で高いことを特徴とする。また、前記放熱板
と前記補強板との接着にエポキシ系樹脂を用いて硬化さ
せる事を特徴とする。
金属材料からなる補強板が張り付けられた絶縁性基板上
に、ハンダバンプを持ったフリップチップ型の半導体チ
ップをフェイスダウンで実装し、前記半導体チップと前
記絶縁性基板との間のハンダ接続部にアンダーフィル樹
脂を充満し、半導体チップ裏面および前記補強板に、そ
れぞれ導電性接着剤および接着樹脂で、金属材料からな
る放熱板を取り付け、前記半導体チップが搭載されてい
ない前記絶縁性基板の裏面にハンダボールを搭載し、前
記絶縁性基板から前記半導体チップの裏面までの高さが
前記絶縁性基板から前記補強板までの高さより７５±５
０μｍ以内で高いことを特徴とする。また、前記放熱板
と前記補強板との接着にエポキシ系樹脂を用いて硬化さ
せる事を特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【０００９】図１は本発明の第１の実施形態の構成を示
す断面図である。図１に示されるように、本実施形態
は、銅材からなる補強板５が張り付けられた絶縁性基板
１の上に、ハンダバンプ３を持ったフリップチップ型の
半導体チップ２がフェイスダウンで絶縁性基板１の上に
実装されて、半導体チップのハンダバンプ３と基板１の
予備ハンダ（図示せず）とが溶融接続されて半導体チッ
プと基板１が電気的に接続されている。フリップチップ
型の半導体チップ２と基板１とのギャップは１４０ｕｍ
でバンプ間ピッチは２４０ｕｍ、バンプ数は３０００
個、半導体チップサイズ１５ｍｍ□で、チップ厚７２５
ｕｍである。基板１から半導体チップ裏面までの高さ
は、半導体チップ反りを含めて８９０ｕｍである。一
方、基板１から補強板５の表面までの高さは、基板１と
補強板５との間の接着剤４を含めて８２０ｕｍとなって
いる。このフリップチップ型の半導体チップ２と絶縁性
基板１との間隔のハンダ接続部にアンダーフィル樹脂６
として、エポキシ系樹脂の適量を充満する。その後、こ
のアンダーフィル樹脂６を適正な温度（この例では１５
０℃前後）で硬化させる。
す断面図である。図１に示されるように、本実施形態
は、銅材からなる補強板５が張り付けられた絶縁性基板
１の上に、ハンダバンプ３を持ったフリップチップ型の
半導体チップ２がフェイスダウンで絶縁性基板１の上に
実装されて、半導体チップのハンダバンプ３と基板１の
予備ハンダ（図示せず）とが溶融接続されて半導体チッ
プと基板１が電気的に接続されている。フリップチップ
型の半導体チップ２と基板１とのギャップは１４０ｕｍ
でバンプ間ピッチは２４０ｕｍ、バンプ数は３０００
個、半導体チップサイズ１５ｍｍ□で、チップ厚７２５
ｕｍである。基板１から半導体チップ裏面までの高さ
は、半導体チップ反りを含めて８９０ｕｍである。一
方、基板１から補強板５の表面までの高さは、基板１と
補強板５との間の接着剤４を含めて８２０ｕｍとなって
いる。このフリップチップ型の半導体チップ２と絶縁性
基板１との間隔のハンダ接続部にアンダーフィル樹脂６
として、エポキシ系樹脂の適量を充満する。その後、こ
のアンダーフィル樹脂６を適正な温度（この例では１５
０℃前後）で硬化させる。
【００１０】次に、半導体チップ裏面に接着樹脂とし
て、導電性の特性を有するＡｇペースト７を塗布する。
尚、絶縁性基板１の補強板５の上部には接着樹脂８も塗
布しておく。その後、半導体チップ２裏面及び補強板５
の上部に銅材からなる放熱板９を配置して、樹脂を硬化
させ放熱板９を取り付ける。その後、半導体チップが搭
載されていない絶縁性基板の裏面にハンダボール１０を
搭載して、フリップチップ型のＢＧＡパッケージを得
る。
て、導電性の特性を有するＡｇペースト７を塗布する。
尚、絶縁性基板１の補強板５の上部には接着樹脂８も塗
布しておく。その後、半導体チップ２裏面及び補強板５
の上部に銅材からなる放熱板９を配置して、樹脂を硬化
させ放熱板９を取り付ける。その後、半導体チップが搭
載されていない絶縁性基板の裏面にハンダボール１０を
搭載して、フリップチップ型のＢＧＡパッケージを得
る。
【００１１】本発明の半導体装置は、半導体チップ裏面
と放熱板との間の接着剤厚みを５０ｕｍ以下を得られる
ようにコントロールするため、基板から半導体チップ裏
面までの高さと基板から補強板表面までの高さとの差
は、７５ｕｍ±５０ｕｍで半導体チップの方の高さが高
いことを備えて構成されることが必要である。
と放熱板との間の接着剤厚みを５０ｕｍ以下を得られる
ようにコントロールするため、基板から半導体チップ裏
面までの高さと基板から補強板表面までの高さとの差
は、７５ｕｍ±５０ｕｍで半導体チップの方の高さが高
いことを備えて構成されることが必要である。
【００１２】図２は本発明の第２の実施形態の構成を示
す断面図である。図２に示されるように、本実施形態
は、テープ型ＢＧＡパッケージを説明する、なお、図２
の中でｈで示されるｈとａの関係は，ｈ−ａ＝７５ｕｍ
±５０ｕｍである。銅材からなる補強板５が貼り付けら
れたＴＡＢの絶縁性テープ１１のインナーリード１２と
半導体チップ１３のパッド１４がボンディングにより接
続されて、インナーリード１２を介して半導体チップ１
３と基板１が電気的に接続されている。テープ厚１２５
ｕｍ、チップサイズ１０ｍｍ□、チップ厚３５０ｕｍで
ある。テープ表面から半導体チップ裏面までの高さは、
半導体チップ反りを含めて５２０ｕｍである。一方、テ
ープ１１の表面から補強板５の表面までの高さは、テー
プ１１と補強板５との間の接着剤４を含めて４４０ｕｍ
となっている。このインナーリード１２の接続部に樹脂
として、エポキシ系樹脂１４の適量をポッテイングす
る。その後、樹脂を適正な温度（この例では１５０℃前
後）で硬化させる。
す断面図である。図２に示されるように、本実施形態
は、テープ型ＢＧＡパッケージを説明する、なお、図２
の中でｈで示されるｈとａの関係は，ｈ−ａ＝７５ｕｍ
±５０ｕｍである。銅材からなる補強板５が貼り付けら
れたＴＡＢの絶縁性テープ１１のインナーリード１２と
半導体チップ１３のパッド１４がボンディングにより接
続されて、インナーリード１２を介して半導体チップ１
３と基板１が電気的に接続されている。テープ厚１２５
ｕｍ、チップサイズ１０ｍｍ□、チップ厚３５０ｕｍで
ある。テープ表面から半導体チップ裏面までの高さは、
半導体チップ反りを含めて５２０ｕｍである。一方、テ
ープ１１の表面から補強板５の表面までの高さは、テー
プ１１と補強板５との間の接着剤４を含めて４４０ｕｍ
となっている。このインナーリード１２の接続部に樹脂
として、エポキシ系樹脂１４の適量をポッテイングす
る。その後、樹脂を適正な温度（この例では１５０℃前
後）で硬化させる。
【００１３】次に、半導体チップ１３裏面に接着樹脂と
して、導電性の特性を有するＡｇペースト７を塗布す
る。尚、テープ上の補強板５の上部にも接着樹脂８を塗
布しておく。その後、半導体チップ裏面及び補強板５の
上部に銅材からなる放熱板９を配置して、樹脂を硬化さ
せ放熱板９を取り付ける。その後、テープ裏面にハンダ
ボール１０を搭載することによって、実施例１と同様に
低熱抵抗のテープ型のＢＧＡパッケージを得ることがで
きる。
して、導電性の特性を有するＡｇペースト７を塗布す
る。尚、テープ上の補強板５の上部にも接着樹脂８を塗
布しておく。その後、半導体チップ裏面及び補強板５の
上部に銅材からなる放熱板９を配置して、樹脂を硬化さ
せ放熱板９を取り付ける。その後、テープ裏面にハンダ
ボール１０を搭載することによって、実施例１と同様に
低熱抵抗のテープ型のＢＧＡパッケージを得ることがで
きる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板から
半導体チップ裏面までの高さを基板から補強板までの高
さよりも７５±５０ｕｍ高く設定することによって、半
導体チップ裏面が補強板より出ることで、放熱板を取付
する際のスクラブ作業を行いやすくする。これによっ
て、半導体チップ裏面のＡｇペースト接着剤の均一な濡
れ性を確保し、樹脂厚みを５０ｕｍ以下にすることがで
き、低熱抵抗のフリップチップパッケージを得ることが
できる。また、放熱板と補強板との隙間も適度な寸法と
なるため、半導体チップ裏面に貼り付けた放熱板の変形
も防止することができる。
半導体チップ裏面までの高さを基板から補強板までの高
さよりも７５±５０ｕｍ高く設定することによって、半
導体チップ裏面が補強板より出ることで、放熱板を取付
する際のスクラブ作業を行いやすくする。これによっ
て、半導体チップ裏面のＡｇペースト接着剤の均一な濡
れ性を確保し、樹脂厚みを５０ｕｍ以下にすることがで
き、低熱抵抗のフリップチップパッケージを得ることが
できる。また、放熱板と補強板との隙間も適度な寸法と
なるため、半導体チップ裏面に貼り付けた放熱板の変形
も防止することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態の断面図である。
【図３】従来の半導体装置の断面図である。
【図４】従来例において半導体チップの高さが高すぎる
場合の断面図である。
場合の断面図である。
１ 絶縁性基板
２，１３ 半導体チップ
３ ハンダバンプ
４ 接着剤
５ 補強板
６ アンダーフィル樹脂
７ Ａｇペースト
８ 接着樹脂
９ 放熱板
１０ ハンダボール
１１ 絶縁性テープ
１２ インナーリード
１４ エポキシ系樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 金属材料からなる補強板が張り付けられ
た絶縁性基板上に、ハンダバンプを持ったフリップチッ
プ型の半導体チップをフェイスダウンで実装し、前記半
導体チップと前記絶縁性基板との間のハンダ接続部にア
ンダーフィル樹脂を充満し、半導体チップ裏面および前
記補強板に、それぞれ導電性接着剤および接着樹脂で、
金属材料からなる放熱板を取り付け、前記半導体チップ
が搭載されていない前記絶縁性基板の裏面にハンダボー
ルを搭載し、前記絶縁性基板から前記半導体チップの裏
面までの高さが前記絶縁性基板から前記補強板までの高
さより７５±５０μｍ以内で高いことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 前記放熱板と前記補強板との接着にエポ
キシ系樹脂を用いて硬化させる事を特徴とする請求項１
記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000051223A JP3459804B2 (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 半導体装置 |
| TW090104440A TW479333B (en) | 2000-02-28 | 2001-02-26 | Semiconductor package |
| US09/791,801 US20010017408A1 (en) | 2000-02-28 | 2001-02-26 | Semiconductor package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000051223A JP3459804B2 (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244362A JP2001244362A (ja) | 2001-09-07 |
| JP3459804B2 true JP3459804B2 (ja) | 2003-10-27 |
Family
ID=18572893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000051223A Expired - Fee Related JP3459804B2 (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | 半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010017408A1 (ja) |
| JP (1) | JP3459804B2 (ja) |
| TW (1) | TW479333B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7923850B2 (en) | 2008-08-26 | 2011-04-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor chip with solder joint protection ring |
| US8008133B2 (en) | 2008-02-11 | 2011-08-30 | Globalfoundries Inc. | Chip package with channel stiffener frame |
| US8927344B2 (en) | 2008-03-19 | 2015-01-06 | Ati Technologies Ulc | Die substrate with reinforcement structure |
| US9867282B2 (en) | 2013-08-16 | 2018-01-09 | Ati Technologies Ulc | Circuit board with corner hollows |
Families Citing this family (24)
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