TW473758B

TW473758B - Field emission-type electron source and manufacturing method thereof

Info

Publication number: TW473758B
Application number: TW089121846A
Authority: TW
Inventors: Yoshiaki Honda; Tsutomu Ichihara; Takuya Komoda; Koichi Aizawa; Yoshifumi Watabe
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Priority date: 1999-10-18
Filing date: 2000-10-18
Publication date: 2002-01-21
Also published as: CN1217371C; US6765342B1; EP1094485A3; SG90185A1; CN1293441A; EP1094485A2; KR20010051104A; KR100420772B1

Description

473758 A7 B7 五、發朋説明（1 ) 【發明之背景】【發明之技術領域】本發明係關於以電場放射放射電子線之電場放射型電子源及其製造方法。【習知技術之說明】以往，作爲電場放射型電子源，例如已知有美國_利第3，665，241號等所揭示之所謂sp i n t型電極。在s p i n t型電極，設有··配置多數微小三角錐狀之射極晶片之基板、與使射極晶片先端部露出之放射孔、與對於射極晶片所絕緣之狀態下所配置之閘層。此 s p i n t型電極，係在真空中將射極晶片對於閘層成爲負極，藉對於這些施加高電壓，從射極晶片先端透過反射孔反射電子線。但是，於s p i n t型電極，其製程複雜，並且因欲以良好精度形成多數三角錐狀之射極晶片爲困難之事，所以例如若應用於平面發光裝置或顯示器等時，有不容易變成大面積的問題。又，於s p i n t型電極，因電場會集中於射極之先端，所以，射極先端周圍之真空度低存在有殘留氣體時，因以所放射之電子致使殘留氣體被正離子所離子化，此正離子將會衝突於射極晶片之先端。因此，射極晶片先端會受到損傷（例如，離子衝擊之損傷），致使所放射電子之電流密度或效率等變成不安定，而會發生射極晶片之壽命變短之問題。因此’ s p i n t型電極爲了本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ί-------0—, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 473758 Α7 Β7 五、發明説明（2 ) 防止這種問題，必須在高真空（大約1 Ο ·5 P a〜大約 1 Ο ·6 P a )使用。因此，其成本就偏高，並且具有其使用變成麻煩之不妥情形。，爲了改善這種不妥情形，提案有Μ I M ( Metal Insulator Metal )方式或Μ 〇 S ( Metal Oxide Semiconductor )方式之電場放射型電子源。前者係金屬 -絕緣膜-金屬之積層構造，後者係具有金屬-氧化膜- ί 半導體積層構造之平面型電場放射型電子源。於此之電場放射型電子源，爲了提高電子放射效率（亦即，放射許多電子時），就必須使絕緣膜或氧化膜之厚度變薄。然而，若使絕緣膜或氧化膜之厚度太薄時，當對於積層構造之上下電極間施加電壓時，恐會發生絕緣破壞之虞。因此，減少絕緣膜或氧化膜厚度有其制約。因必須防止這種絕緣破壞，所以有不能將電子之釋出效率（拉出效率）那麼高之-不妥情形。又，近年’如日本專利特開平8 - 2 5 0 7 6 6號公報所揭示，爲了提高電子之釋出效率，提案有將矽基板射單結晶半導體基板之一表面藉陽極化處理形成多孔質半導體層（多孔質矽層），在多孔質半導體層上形成金屬薄膜，在半導體基板與金屬薄膜之間藉施加電壓使電子放射之電場放射型電子源（半導體冷電子釋出元件）。但是，日本專利特開平8 - 2 5 0 7 6 6號公報所揭示之電場放射型電子源，係因基板爲限於半導體基板，所以有達成其大面積化及降低成本爲困難之不妥情形。又，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 473758 Α7 Β7 五、發明説明（3 ) 於此電場放射型電子源’在釋出電子時容易發生所謂間歇盪盪（popping )現象，釋出電子量容易發生不勻。因此 ’若將此應用於平面發光裝置或顯示器等時，會發生發光不勻之不妥情形。於是，本申請人等，係於日本專利特願平1 〇 -2 7 2 3 4〇號（特許第2 9 6 6 8 4 2號）及日本專利特願平1〇一 2 7 2 3 4 2號（特許第2 9 8 7 1 4 0號

I )，提案有將多孔質結晶矽層，藉使用快速熱氧化法加以氧化，在導電性基板與金屬薄膜之間，形成從導電性基板所注入之電子會漂移之強電場漂移層之電場放射型電子源〇例如，如第1 6圖所示，在電場放射型電子源（以下，簡稱「電子源」）1 0 ’裝設有導電性基板之η型矽基板1。在η型矽基板1之主表面側，形成有被氧化之多結-晶矽層.所成之強電場漂移層（以下，只稱「漂移層」。） 6。在強電場漂移層6上，形成有由金屬薄膜所成之表面電極7。並且，在η型矽基板1背面，形成有歐姆電極（ ohmic electrode ) 2 0 如第1 7圖所示，於第6圖所示電子源’在真空中配置有表面電極7之外，對向於表面電極7配置有集極電極 21。並且，表面電極7與η型矽基板1 (歐姆電極2) 之間，有表面電極7對於η型矽基板1能夠變成正電位，施加直流電壓V p s。另方，在集極電極2 1與表面電極 7之間，集極電極2 1爲對於表面電極7變成正電位，施 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -6 - A73758 A7 B7 五、發明説明（4 ) 加直流電壓V C。這樣，從η型矽基板1注入於漂移層6 之電子，爲使漂移層6漂移，而透過表面電極7釋出（第 1 7圖中之一點鏈線，係表示表面電極7釋出來之電子e · )。因此，表面電極7係由功函數小之材料形成較佳。於此，流動於表面電極7與歐姆電極2間之電流係稱爲二極體電流I p s。另者’，流動於集極電極2 1與表面電極7間之電流係稱爲釋出電子電流I e。對於*極^體電流I p s之釋出電子電流I e之比率（I e / I p s ')愈大，電子釋出效率會變愈高。於此電子源1 〇 ’ ，係表面電極7與歐姆電極2之間施加直流電壓V p s即使爲1〇〜2 Ο V左右之低電壓，也可釋出電子。於此電子源1 0 ’ ，係電子釋出特性之真空度之依存性爲小。並且，釋出電子時不會發生歇盪現象。因此，可將安定之電子以高電子釋出效率釋出。如第1 8圖所示，漂移層6，被認爲包含有至少柱狀之多結晶矽5 1 ( grain )、與薄矽氧化膜5 2、與微米級之微結晶矽層6 3、與絕緣膜之矽氧化膜6 4。薄矽氧化膜5 2係形成於多結晶矽5 1之表面。微結晶矽層6 3 係位於多結晶矽5 1間。矽氧化膜6 4係形成於微結晶矽層6 3之表面，而具有較該微結晶矽層6 3之結晶粒徑較小之厚度。亦即，漂移層6係各顆粒表面被認爲成爲多孔質在各顆粒之中心部分維持有結晶狀態。因此，施加於漂移層6 之電場爲大部分施加於矽氧化膜6 4。其結果，所注入之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言

T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473758 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發朋説明（5 ) 電子係由施加於矽氧化膜6 4之強電場之多結晶矽5 1間向第1 0圖中之箭頭A方向（向第1 〇圖中之上方向）漂移。像這樣’即可提升電子釋出效率。按，達到漂移層6 表面之電子爲被認爲熱電子，容易穿過表面電極7而釋出於真空中。表面電極7之厚度係被設定爲1 〇 nm至1 5 n m左右。然而，作爲導電性基板替代η型矽基板1等半導體基 I 板，在玻璃基板等絕緣性基板上例如可使用形成有由’ I 丁 0膜所成之導電性層基板。此時，增大電子源面積，即可減低成本。第1 9圖係表示使用由玻璃基板所成之絕緣性基板 1 1、與形成於該絕緣性基板1 1之I Τ〇膜所成之導電性層8所構成之導電性基板之電子源1 〇 ” 。如第1 9圖所示’於電子源”在絕緣性基板1 1上，形成有例如由 I Τ 0膜所成之導電性層8。在導電性層8上，形成有漂移層6。在漂移層6上，形成有由金屬薄膜所成之表面電極7。於此’漂移層6係在導電性層8上堆積非摻雜之多結晶矽層之後，將該多結晶矽層使用陽極氧化處理加以多孔質化’再由快速加熱法藉實施氧化或氮化所形成。即使於此電子源1 〇 ” ，與第1 7圖所示之電子源 10’之情形同樣之手法，從導電性層8注入於之漂移層 6之電子，爲漂移漂移層6，透過表面電極7釋出。於這情形’即使施加於表面電極7與導電性層8間之直流電壓 V p s爲1 0〜2 0V左右之低電壓，也可釋出電子。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) #1. 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -8- 473758 A7 B7 五、發明説明（6 ) 於使用上述絕緣性基板1 1之電子源1 〇 ” ，係在導電性層8上堆積非摻雜之多結晶矽層之後，該多結晶矽層以陽極化處理成爲多孔質化，再使用快速加熱法藉氧化所形成。其時，氧化溫度因較高溫（從8 0 〇 °c到9 0〇°C 之溫度範圍），所以，作爲絕緣性基板1 1不得不使用昂貴之石英玻璃。因此，有增大電子源1 0 ”之面積，或妨礙減低成本之不妥情形。作爲解決此不妥情形之手段i (亦即，達成製程之低溫化之手段），想到了氧化多孔質化多結晶矽層之方法。例如，以酸氧化之方法，或包含氧或臭氧之至少一方之氣體環境中照射紫外線加以氧化之方法等。因使用這種方法，作爲絕緣性基板1 1，可使用耐熱溫度爲較石英玻璃基板低價格，較石英玻璃基板低廉之玻璃基板（例如，無鹼玻璃基板、低鹼玻璃基板、蘇打石灰玻璃基板等）。按，於上述之各電子源1 0 ’ 、1 0 ” ，全部之非摻雜多結晶層雖然被多孔質化，但是，也可以只有一部被多孔質化。但是，利用絕緣性基板1 1之電子源1 0 ” ，係於製程由I T〇膜所成之導電性層8上堆積非摻雜之多結晶矽層時，在與導電性層8之界面附近形成高電阻之非晶質矽層。因此，導電性層8與漂移層6之間或於漂移層6之導電性層8之界面附近，會殘留高電阻之非晶質矽層。其結果，流動二極體電流I p s時，發生非晶質矽層之電壓下降，而施加於漂移層6之電壓會降低。因此，爲了得到所 ^^^1- I! n-ϋ *—^1· —ϋ ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -9 - 473758 A7 B7 五、發明説明（7 ) 需之釋出電子電流（發射電流）I e之直流電壓V P s就變高，而有電子釋出效率降低之不妥情形。又，因在非晶質矽層發生電壓降，致使非晶質矽層發熱而損及熱安定性之不妥情形。並且，因在導電性層8與非晶質矽層之間具有其蕭特基位障（Schottky barner )，所以’會在蕭特基位障發生電壓降之不妥情形。並且，利用絕緣性基板1 1之電子源1 〇 ” ’係j在高電阻之非晶質層之膜厚因會在面內變成不均勻，所以會在面內電位變成不均勻。因此，依據陽極氧化處理之多孔質化之程度會發生面內之不均勻。因此，在面內之電子釋出量會發生不均勻之不妥情形。又，在漂移層6中會留下高電阻之非晶質層，所以’ 例如第2 0圖所示，在漂移層6中有時會形成膜厚較厚之非晶質層膜6 a。此時，漂移層6之電阻變局’流動於漂移層6之電流會變小。因此，利用上述n型矽基板1之電子源1 0 ’相較有電子釋出量降低之不妥情形。於第2〇圖，6 c係表示漂移層6中之非晶質層膜6 a以外之結晶化層。使用絕緣性基板1 1之電子源1 〇 ”之剖面以截面 Τ E Μ所視時，如第2 1圖所示，非晶質層膜6 a之厚度爲不均勻。於漂移層6係如上述，形成於微結晶矽層6 3 表面之矽氧化膜6 4電場變成最強。因此’如第2 1圖所示，若非晶質層膜6 a厚度不均勻時，在漂移層6各領域之電場強度會發生不均勻。所以，不能從表面電極7之全 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 線一經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -1〇 - 473758 A7 B7 五、發朋説明（8 ) 面同樣地釋出電子。因此，在從表面電極7釋出之電子能量’有依場所之發生分布之不妥情形。【發明槪要】

本發明係爲了解決上述以往之問題所開發者，其一目的，係提供一種電子釋出效率高，熱安定性高之電子源（電場放射型電子源）及其製造方法。其另一目的係提/共一種電子釋出量高、可達成低成本化之電子源。 I 依據爲了達成上述目的之本發明之一態樣，（I )包括基板、與形成於基板一表面之導電性層、與形成於導電性層上之半導體層、與形成於該半導體層被氧化或氮化之多孔質層所成之漂移層（強漂移層）、與形成於漂移層上之表面電極，（Π ) —種藉對於表面電極能夠變成正極施加電壓，從導電性層所注入之電子爲將漂移層漂移，透過表面電極釋出之電子源，（ΙΠ )半導體層係提供一種，使用使電阻降低手段之低電阻之半導體、或將電阻降低之製程所形成之低電阻之半導體所成。於此電子源，因在導電性層上形成有低電阻之半導體結晶層，所以，起因於導電性層之蕭特基位障爲較以往之變薄。因此，可由隧道作用流動電流，可降低在其特基位障之電壓降。因此，在導電性層上形成有高電阻之非晶質半導體層時相較，電子釋出效率會變高。並且，熱安定性會變高。於上述電子源，於厚度方向至少將導電性層少之漂移 J— - - —l· ---- - - - -- I-I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -11 - 473758 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（9 ) 層側部分，因使用可抑制在漂移層中之非晶質形成之導電性材料所形成，以降低半導體層之電阻較佳。此時，可減少.包含於漂移層中之非晶質層。所以，減低成本，可提高電子釋出量。於上述電子源，導電性層，係由向厚度方向積層之至少2層之導電性膜所構成，最上層之導電性膜，具有在漂移層之形成溫度附近之溫度與上述導體容易反應之性i質較佳。此時，最上層以外之導電性膜之材料適當選擇，就可使導電性層之電阻値變小。於上述電子源，最上層之導電性膜係由鋁或鎳或與這些作爲主成分之合金形成較佳。此時，以低成本可形成最上層之導電性膜。又，最上層之導電性膜之厚度不超過 5〇n m較佳。此時，可減少從最上層之導電性膜到漂移層之擴散量。又，可抑制在漂移層中之電子散亂機率增大〜。因此，可抑制電子釋出效率之降低。於上述電子源，最上層之導電性膜，也可以爲較鋁，向漂移層不容影擴散之材料所形成。此時，可防止從最上層之導電性膜向漂移層擴散，可提高耐熱性及經時性安定性。於上述電子源，由設於導電性層與半導體層間之矽化物層，也可以降低半導體層之電阻。此時，在導電性層上形成局電阻之非晶質半導體層之情形相較，蕭特基位障之過度會變低。又，電子釋出效率變高，並且，熱安定性會變高。因此’可防止從導電性層之半導體層之導電性層之 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) J1 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 473758 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（10 ) 構成元件之擴散。並且，可抑制因擴散之合金化等。所以，熱安定性會更加提升。於上述電子源，將半導體層由互相電阻不同之複數層形成，愈近於導電性層之層愈減低電阻，也可以降低半導體層之電阻。此時，近於導電性層之半導體層因電阻會變愈小，所以，可提升電子釋tB效率。於上述電子源，將半導體層連續地形成爲電阻發生變 ί 化之構造，也可以藉使愈近於導電性層部分電阻變低、此時’愈近於導電性層因電阻愈小，所以可提升電子釋出效率。於上述電子源，低電阻之半導體層，係形成非晶質半導體層之後，也可以將此以加熱使其結晶化形成。又，低電阻之半導體層，係形成非晶質半導體層之後，也可以將此以熱退火加熱以使其結晶來形成。低電阻之半導體層，--係形成非晶質半導體層之後，也可以將此以雷射退火加熱使其結晶化來形成。於上述電子源，低電阻之半導體層係形成非晶質半導體層之後’也可以將此使用氫加熱使其結晶化形成。低電阻之半導體層，係形成非晶質半導體層之後，也可以將此以氫電漿照射使其結晶化形成。又，低電阻之半導體層，係形成非晶質半導體層之後，也可以將此氫離子照射使其結晶化形成。於上述電子源，非晶質半導體層係以不純物摻雜之低電阻之非晶質半導體層較佳。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -13- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

473758 A7 B7 __ 五、發朋説明（11 ) 於上述電子源，也可以藉添加不純物以降低半導體層之電阻。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於上述電子源，在藉添加不純物所形成之低電阻之半導體層上，也可以在再形成更加一層之低電阻半導體層。以注入離子添加不純物所形成之低電阻之半導體層上’也可以在再形成更加一層之低邊阻半導體層。又’因不純物擴散藉添加不純物所形成之低電阻之半導體層上’也i可以在再形成更加一層之低電阻半導體層。 ' 於上述電子源，形成半導體層後，形成多孔質半導體層之後，形成強電場漂移層後’於表面電極形成後之至少一，進行熱處理較佳。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製於上述電子源，漂移層係包含有在基板之主表面排列大約直交之柱狀半導體結晶’與位於該半導體結晶間之微米級之半導體微結晶，與形成於該半導體微結晶表面具較-所形成之該半導體微結晶之結晶粒徑更小厚度之絕緣膜較佳。此時，於漂移層，係從導電性層所注入之電子爲不衝突於半導體微結晶，以施加於絕緣膜之電場所加速而漂移。於此，在漂移層所產生之熱將透過柱狀半導體層結晶散熱。因此，釋出電子時不會發生歇盪現象’而可由高效率釋出電子。於上述電子源，半導體層也可以爲多結晶半導體。此時，容易使電子源之面積增大。此多結晶半導體係也可以由6 0 0 °c以下之低溫製程可形成之半導體材料所成較佳。此時’作爲絕緣性基板較 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公爱1 - 14 _ '' 473758 A7 B7 五、發.明説明（12 ) 石英玻璃基板可使用低廉之無鹼玻璃基板。因此，可減低成本。又，可將電子源之面積增大。並且，依多結晶半導體之形成溫度，較低鹼玻璃基板、蘇打石灰玻璃基板等之無鹼玻璃基板相較也可使用耐熱溫度低之玻璃基板。於上述電子源，半導體也可以爲矽。此時，可使用矽製程。因此，例如，應用於i示器等電子源時，可將導電性層之圖条微細化’或局精度化。

I 於上述電子源，導電性層也可以爲金屬。此時，可容易減低導電性層之電阻。於上述電子源，基板也可以爲具有5 0 0 °C以上之耐熱性之玻璃基板。依據本發明之另一態樣，係提供一種，（I )包含基板、與形成於基板之一接面上之導電性層、與形成於導電性層上之半導體結晶層、與形成於該半導體結晶層接面側之被氧化或氮化之多孔質半導體層所成之漂移層、與形成-於漂移層上之接面電極，（Π )表面電極爲對於導電性層能夠變成正極施加電壓，從導電性層所注入之電子爲漂移漂移層，透過接面電極釋出，（m )半導體結晶層，係使用降低電阻手段之電阻體之半導體，或降低電阻之製程所形成之低電阻之半導體所成之電子源之製造方法。該方法係，（IV )在基板上形成導電性層之步驟，與（V )在導電性層上形成非晶質半導體層之後，藉將該非晶質半導體層結晶化以形成半導體結晶層之步驟，與（VI )在半導體結晶層上形成半導體層後，將至少該半導體層之至少一部藉成爲多孔質化以形成多孔質半導體層之步驟，與（W ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 173758 A7 ---------- B7 五、發，明説明（13 ) 包含將多孔質半導體層藉氧化或氮化以形成漂移層之步驟 ’與（νιπ )在漂移層上形成表面電極之步驟。於此，非晶負半導體層係例如以加熱加以多結晶化。於此製造方法’可提供一種較在導電性層上形成高電阻之非晶質半導體層之電子源，電子釋出效率爲高並且熱安定性爲高之電子源。 ’ 加熱也可以使用熱退火或雷射退火。此時，較在i導電性層上形成高電阻之非晶質半導體層之電子源，可提供電子釋出率高且熱安定性高之電子源。於上述製造方法，非晶質半導體層，也可以使用氫之加熱加以結晶化。非晶質半導體層也可以藉照射氫電漿加以結晶化。非晶質半導體層也可以藉照射氫離子加以結晶化。此時，在導電性層上形成有高電阻之非晶質半導體層之電子源相較，可提供電子釋出率高且熱安定性高之電子源。於上述製造方法，非晶質半導體層，也可以爲摻雜不純物之低電阻之非晶質半導體層。此時，可良好地控制非晶質半導體層之電阻。其結果，可良好地減低低電阻之半導體結晶層之電阻。於上述製造方法之（V )在導電性層上形成非晶質半導體層之後，替代藉將該非晶質半導體層結晶化形成半導體結晶層之步驟，（IX )也可以在導電性層上，設形成添加不純物之半導體結晶層。此時，在導電性層上形成高電阻之非晶質半導體層之電子源相較，可提供電子釋出效率本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐Ί . 16 - ""~ ·! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473758 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發.明説明（14 ) 高且熱安定性高之電子源。於此，半導體結晶層係也可以爲離子注入或不純物擴散藉添加不純物加以形成。此時，在導電性層上形成高電阻之非晶質半導體層之電子源相較，可提供電子釋出效率局且熱安定性局之電子源。於上述製造方法，形成牵導體結晶層後、形成半導體層後、形成多孔質半導體層後、形成強電場漂移層後，以 i 表面電極形成後之至少一個，進行熱處理較佳。此時’，可減低或去除由導電性層與半導體層所形成之蕭特基位障（ Schottky barrrier )。所以，可提供電子釋出效率高、熱安定性高之電子源。【較佳實施形態之說明】：本申請係依據在日本所提出之日本專利特願平1 1 _ 295959 、日本專利特願2〇〇〇一〇16388及日本專利特願2 0 0 0 - 0 1 6 3 9 4者，此內容係全面地組裝於此。 (實施形態1 ) 如第1圖所示，關於實施形態之電子源1 〇 (電場放射型電子源）係具有玻璃基板（例如，無鹼玻璃基板）所成之絕緣性基板1 1。在絕緣性基板1 1之一個表面上，形成有由鎢所成之導電性層8。在導電性層8上，形成有半導體結晶層之η型多結晶矽層9。在η型多結晶5夕_ 9 ___I_I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 17 473758 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發朋説明（15 ) 上，形成有非摻雜（non d〇pmg )之多結晶矽層3。在結晶矽層3上，形成有由被氧化之多孔質多結晶矽層所成之漂移層6 (強電場漂移層）。在漂移層6上形成有表面電極7。按，非摻雜結晶矽層3則不一定需要設非摻雜結晶矽層3。η型多結晶矽層9上，也可形成漂移層6。關於實施形態1之電子源1 〇 ’係下列之點具有特徵。亦即，在導電性層8上不形成非晶質矽層，而形成,低電阻之η型多結晶矽層9。並且，在η型多結晶矽層9之主表面側，形成有漂移層6。像這樣，關於實施形態之電子源1 〇，因在導電性層 8上形成有低電阻之半導體結晶層之η型多結晶矽層9 ’ 所以，在導電性層8上形成有高電阻之非晶質矽層之以往者相較，起因於導電性層8之蕭特基位障會變薄。因此，可用險道作用（tunneling )流動電流。因此’可減低在蕭特基位障之電壓降。因此，與在導電性層8上形成高電阻之非晶質半導體層相較，電子釋出效率會變高。並且’ 熱安定性會變高。按，於實施形態1，係導電性層8爲由金屬之鎢（W )所形成，但是導電性層8之材料並非限定於鎢。替代鎢也可以使用銅（C u )、鋁（A 1 )、鎳（N i )、鉬（ Mo)、鉻（Cr)、白金（Pt)、鈦（Ti)、銘（ Co)、結（Z r )、鉅（T a )、給（H f )、鈀（ P d )、釩（V )、鈮（N b )、錳（Μ η )、鐵（F e )、釕（R u )、餓（〇 s )、銥（I r )、金（A u ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX297公釐） __ 18 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 473758 Α7 Β7 五、發明説明（16 ) 、銀（A g )、矽（S i )等。也可以從這些材料所選擇之複數者積層而成。上述材料之中也可以將複數合金化加以堆積。又，作爲導電性層8也可以使用I T〇、S η〇2 ' Ζ η〇等金屬氧化物（透明電極）。對於上述金屬氧化物’從上述W到S i之各種金屬材料適當選擇加以積層，或也可以對於上述金屬氧化物堆積上述金屬材料之合金膜〇茲參照第2 A圖〜第2 E圖說明關於實施形態Γ之電子源1 0之製造方法如下。首先，在絕緣性基板1 1之一主表面（於第2 A圖之上面）上，鎢所成之導電性層8，爲例如使用噴濺法等加以堆積。接著，在導電性層8上，以電漿C V D法等，邊摻雜η形不純物堆積n型非晶質矽層。此後，藉加熱n型非晶質矽層結晶化，形成η型多結晶矽層9，而得到第 -2 Α圖所示構造。η型多結晶矽層9也可堆積非晶質矽層之後，退火η型非晶質矽層實施加熱結晶化來形成。也可以堆積η型非晶質矽層之後，使用雷射退火η型非晶質矽層加熱加以結晶化形成。堆積η型非晶質矽層之後，也可以將η型非晶質矽層，使用氫實施熱處理藉結晶化來形成。又，也可以堆積η型非晶質矽層之後，將η型非晶質矽層照射氫電漿藉結晶化加以形成。也可以堆積η型非晶質矽層之後，將η型非晶質矽層，照射氫離子結晶化加以形成。也可以替代堆積η型非晶質矽層，在導電性層8上將添加有不純物之低電阻之η型多結晶矽層9直接堆積。也衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐） -19 _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4737M. A7 B7 五、發明説明（17 ) 可以在導電性層8上不形成非晶質矽層之堆積條件下，堆積非摻雜多結晶矽層之後’對於多結晶矽層離子注入不純物以形成η型多結晶矽層9。也可以在導電性層8上不形成非晶質矽層之堆積條件下，堆積摻雜之多結晶矽層之後，在多結晶矽層擴散不純粹物以形成η型多結晶矽層9。形成η型多結晶矽層9之後，將既定厚度（例如， 1 . 5 # m )之非摻雜之結晶矽層3例如由電漿C V ρ法形成，即得到第2 B圖所示之構造。於此，非摻雜結'晶矽層3因由電漿V C D法堆積，所以可在6 0 0 °C以下（. 1〇0 °C〜6 0 0 °C )之低溫製程形成。按，非摻雜結晶矽層3之形成方法，並非限定於電漿V C D法。也可以由觸媒C V D法形成。即使以觸媒C V D法，結晶矽層3係可在6 0 0 t以下之低溫製程形成。形成非摻雜結晶矽層3之後，5 5 w t %之氟化氫水溶液與甲醇大約以1 : 1混合所成之混合液所成具有電解液之陽極氧化處理槽，將白金電極（未圖示）成爲負極’ 將導電性層8作爲正極，對於多結晶矽層3邊照射光線在既定之條件下進行陽極氧化處理。藉此，多結晶矽層3被多孔質化到既定深度，形成多孔質多結晶矽層4 ’而可得到第2 C圖所示之構造。於實施形態1，陽極氧化處理時，在陽極氧化處理之期間中，照射於多結晶矽層3表面之光功率及電流密度爲一定。但是，此條件也可適當地變更 (例如，也可以變化電流密度。）。於實施形態1 ，多結晶矽層3之一部爲被多孔質化。但是，也可以將全部多結本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20 · -jll. ϋϋ 爲 νϋ ml 1— ϋϋ In— ϋ— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^i7l258_ A7 ______B7 五、發明説明（18 ) 晶矽層3被多孔質化（亦即，在η型多結晶矽層9上，形成多孔質多結晶矽層4 )。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 結束陽極氧化處理之後，從陽極氧化處·理槽去除電解液。並且，在陽極氧化處理槽裝入新酸（例如，大約1〇 %之稀硝酸、大約1 〇 %之稀硫酸、王水）。此後，使用裝有酸之陽極氧化處理槽，#白金電極（未圖示）作爲負極將導電性層8作爲正極，通入一定電流藉氧化多孔質多

I 結晶矽層4，形成漂移層6，而得到如第2 D圖所示之構造。形成漂移層6之後，在漂移層6上，由導電性從導電性膜（例如，金屬膜）所成之表面電極7爲例如由澱積形成，可得到如第2 Ε圖所示構造之電子源1 0。於實施形態1雖然表面電極7之厚度爲1 5 nm，但是，其厚度並非限定於此。通過漂移層6之電子爲可穿過之厚度即可。·· 又，於實施形態1係成爲表面電極7之導電性薄膜雖然由澱積形成，但是導電性薄膜之形成方法係並非限定於澱積，例如也可以使用噴濺法。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製依據上述製造方法，電子釋出效率爲高可得到熱安定性高之電子源1 0。又，多結晶矽層3爲由電漿C V D法等之低溫製程所形成。多孔質多結晶矽層4係由酸氧化。並且，表面電極7爲以澱積法、噴濺法等所形成。η型多結晶矽層也以較低溫形成。因此，在6 0 0 °C以下之低溫製程就可製造電子源1 0。因此，作爲絕緣性基板1 1，可使用較石英玻璃基板低廉之無鹼玻璃基板。其結果，減 1紙張尺度適用中國國家標準（€奶）八4規格（210'乂297公釐） _ 21 - 172258 A7 B7 五、發明説明（19 ) 低其製造成本，可更增大其面積。並且，依多結晶矽層3 之形成溫度，爲較低鹼玻璃基板、蘇打石灰玻璃基板等之無鹼玻璃基板，也可使甩耐熱溫度低之玻璃基板。於上述方法所製造之電子源1 0，係與日本專利特願平1 0 — 272 340號或日本專利特願平1 〇 — 2 7 2 3 4 2號所揭示之電子源同樣，電子釋出特性之真空度依存性爲小。並且，釋出電子時不會發生歇盪現象。

I 所以，可安定地釋出電子。 ‘ 漂移層6係與習知例同樣，如第1 8圖所示，被認爲由至少柱狀之多結晶矽5 1、與薄矽氧化膜5 2、與微結晶砍層6 3、與砂氧化膜6 4所構成。亦即，被認爲漂移層6係各顆粒之表面被多孔質化，在各顆粒之中心部分爲維持結晶狀態。於上述之製造方法，多孔質多結晶矽層4係由酸氧化。但是，也可以例如以含有氧及臭氧之至少一方之氣體環境中藉照射紫外線加以氧化。此時，氧化係從1 0 0 t到 6 0 〇 °C之溫度範圍進行較佳。此溫度也可較6 0 0 °C更高。但是，作爲絕緣性基板1 1可使用低廉之玻璃基板，所以氧化係從1 0 0 t到6 0 0 t之溫度範圍進行較佳。作爲基板使用矽基板或石英玻璃基板時，多孔質多結晶矽層4也可以由快速加熱法（例如，R T〇法等）氧化。關於實施形態1之電子源1 0之基本動作，係與第 1 7圖所示之以往者相同。例如第3圖所示，表面電極7 爲配置於真空中之外，對向於表面電極7配置有集極電極本紙罹尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製、!'

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 明説明（20 ) 2 1。並且，在表面電極7與η型矽基板1 (電阻電極2 )之間，表面電極7爲對於η型矽基板1能夠變成正電位，施加直流電壓V p s。·另者，在集極電極21與表面電極7之間，集極電極2 1爲對於表面電極7能夠變成正電位，施加直流電壓V c。這樣，從η型矽基板1注入於漂移層6之電子，爲漂移於漂移層6透過表面電極7釋出（第3圖中之一點鏈線，係通過表面電極7釋出之電子e ·

I 之流動）。即使於實施形態1之電子源1 0，也與以往構成同樣，施加於表面電極7與導電性層8間之直流電壓

Vp s即使爲1 0〜2 0V左右之低電壓，也可釋出電子〇於實施形態1，漂移層6係由被氧化之多孔質多結晶矽構成。但是，漂移層6係也可以由被氮化之多孔質多結晶半導體層所構成。又，η型多結晶矽層9也可以構成分別由電阻（不純物濃度）不同之η型多結晶矽層係成爲向厚度方向積層之多層構造，近於導電性層8之η型多結晶矽層那樣電阻爲小。η型多結晶矽層9，也可以向厚度方向電阻（不純物濃度）爲連續性地變化愈靠近導電性層8 電阻會變低之層。於實施形態，作爲低電阻之半導體結晶層使用η型多結晶矽層9。但是，也可以替代η型多結晶石夕層9使用ρ型多結晶砂層。屬於半導體結晶層η型多結晶矽層9、屬於結晶半導體層之多孔質結晶矽層3、漂移層6，或形成表面電極7 後，藉至少一次熱處理（6 0 0 °C以下），就可減低或去 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 辞· 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- 473758 Α7 Β7 五、發明説明（21 ) 除導電性層8與η型多結晶砂層9所形成之蕭特基位障。藉此就可得到電子釋出效率高熱安定性高之電子源1〇。 (實施形態2 ) 關於實施形態2之電子源之構成，係與實施形態1時大約相同。但是，如第4圖所示，作爲基板使用ρ型矽基板1 2之點、與導電性層8爲由η型結晶矽層所形成之點

I 爲不同。亦即，於實施形態2，替代實施形態1之絕緣性基板1 1使用Ρ型矽基板1 2。因此，可將導電性層8由 η型結晶矽層形成，可將導電性層8與η形矽層9進行格子整合。按’對於與實施形態1相同之構成元件，標示同一符號而省略其說明。即使關於實施形態2之電子源10，也與實施形態同樣，電子釋出效率高，且熱安定性高。關於實施形態2之-電子源1 0之製造方法，係與關莳實施形態1之製造方法大約相同。但是，導電性層8之形成方法爲不同。於實施形態2，作爲基板因使用ρ型矽基板1 2，所以，導電性層8係例如可由磊晶成長法、離子注入法、擴散法等形成 (實施形態3 ) 如第5圖所示，關於實施方法3之電子源1 0，係由玻璃基板（例如，無鹼玻璃基板）所成之絕緣性基板1 1 之一表面上形成有由鎢所成之導電性層8。在導電性層8 本纸張又度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24 - 473758 A7 B7 五、發明説明（22 ) 上形成有由W S 1 2 之矽化物層1 9 °在矽化物層1 9上，形成有非摻雜結晶矽層3。在結晶矽層3上，形成有被氧化之多孔質多結晶矽所成之漂移層6 °在漂移層6上形成有表面電極7。按，不一定需要裝設非摻雜結晶矽層3 ό矽化物層1 9上，也可以形成漂移層6。關於實施形態3之電子源1 〇 ’其特徵爲在導電性層 8上形成有矽化物層1 9，在矽化物層1 9之主表面側形 i 成有漂移層6。 · 像這樣，於實施形態3，因在導電性層8上形成有低電阻之矽化物層1 9，所以，與以往在導電性層8上形成有高電阻之非晶質矽層時相較，可減低發生於界面之過度蕭特基位障。因此，流動於漂移層6之電流就變大（亦即，二極體電流I P s會變大）。其結果，電子釋出效率會變高。並且，發熱量減少熱安定性會變高。又，因在導電〜性層8上形成有矽化物層1 9，所以可防止從導電性層8 對於多結晶矽層3及漂移層6之導電性層8之構成元件之擴散。因此，熱安定性將更加提升。於此，導電性層8與矽化物層1 9之間，幾乎不存在蕭特基位障。在矽化物層 1 9與多結晶矽層3之間存在有蕭特基位障。但是蕭特基位障之高度，係未設有矽化物層1 9時，形成於導電性層 8與多結晶矽層3間之蕭特基位障之高度爲低。因此，可減低於蕭特基位障之電壓降。於實施形態3，導電性層8係由金屬之鎢（W )所構成。但是，導電性層8之材料爲並非限定於鎢。替代鎢也本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2ι〇Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 473758 A7 B7 五、發朋説明（23 ) 可以使用銅（C u )、鋁（A 1 )、鎳（N i )、鉬（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ 〇 )、路（Cr)、白金（Pt)、鈦（Ti)、銘（ Co)、結（Z r )、鉅（T a )、給（H f )、祀（ P d )、釩（V )、鈮（N b )、錳（Μ η )、鐵（f e )、釕（R u )、餓（〇 s )、銥（I r )、金（a u ) 、銀（A g )、矽（S i )等。也可以從這些材料所選擇之複數者積層而成。上述材料之中也可以將複數合金化加 i 以堆積。又，作爲導電性層8也可以使用I T〇、S ·η〇2 、Ζ η 0等金屬氧化物（透明電極）。對於上述金屬氧化物，從上述W到S i之各種金屬材料適當選擇加以積層，或也可以對於上述金屬氧化物堆積上述金屬材料之合金膜〇茲參照第6 A圖- 6 E圖就關於實施形態3之電子源 1〇之製造方法說明如下。首先，在絕緣性基板1 1之一表面（於第6 A圖之上面）上，鎢所成之導電性層8，爲例如使用噴濺法等加以堆積。接著，在導電性層8上，以電漿C V D法等形成由經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 W S i 2 所成之矽化物層1 9，而得到第6 A圖所示構造 0 形成矽化物層1 9之後，既定之厚度（例如，1 . 5 β m )之非摻雜結晶矽層3，爲例如由電漿C V D法形成，得到如第6 B圖所示之構造。非摻雜之結晶矽層3因由電漿C V D法形成，所以可在6 0 0 t：以下（1 0 〇 °C〜 6 0 0 t )之低溫製程形成。按，非摻雜結晶矽層3之形本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 26 - __1T375S- A7 B7 五、發明説明（24 ) 成方法，並非限定於電漿V c D法。也可以由觸媒C V D 法形成。即使以觸媒C V D法，多結晶矽層3係可在 6〇0 °C以下之低溫製程形成。因形成有矽化物層1 9，所以堆積多結晶矽層3時，矽化物層1 9之金屬元素將成爲觸媒發生作用。並且，藉減低結晶化溫度，就可促進結晶化。又，因可減低非晶質命層。所以，可在矽化物層 1 9形成被結晶化之多結晶矽層3。所以，可減低在界面 ί 之電壓降。 ‘ 形成非摻雜多結晶砂層3之後，5 5 w t %之氟化氫水溶液與甲醇大約以1 : 1混合所成之混合液所成具有電解液之陽極氧化處理槽，將白金電極（未圖示）成爲負極，將導電性層8作爲正極，對於多結晶矽層3邊照射光線在既定之條件下進行陽極氧化處理。藉此，多結晶矽層3 被多孔質化到既定深度，形成多孔質多結晶矽層4，而可-得到第6 C圖所示之構造。於實施形態3之陽極氧化處理時，在陽極氧化處理之期間中，照射於多結晶矽層3之表面之光功率及電流密度爲一定。但是，此條件也可適當地變更（例如，也可以變化電流密度。）。於實施形態3，多結晶矽層3之一部爲被多孔質化。但是，也可以將全部多結晶矽層3被多孔質化（亦即，在矽化物層1 9上，形成多孔質多結晶矽層4 )。並且，也可以到矽化物層1 9 內被多孔質化。結束陽極氧化處理之後，從陽極氧化處理槽去除電解液。並且，在陽極氧化處理槽裝入新酸（例如，大約1 0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） _ 27 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473758 A7 B7 五、發朋説明（25 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) %之稀硝酸、大約1 〇 %之稀硫酸、王水等）。此後，使用裝有酸之陽極氧化處理槽，將白金電極（未圖示）作爲負極將導電性層8作爲正極，通入一定電流藉氧化多孔質多結晶矽層4，形成漂移層6，而得到如第6 D圖所示之構造。形成漂移層6之後，在漂移層6上，由導電性從導電性膜（例如，金屬膜）所成之表面電極7爲例如由澱積形

I 成，可得到如第6 E圖所示構造之電子源1 〇。於實施形態3雖然表面電極7之厚度爲1 5 nm，但是，其厚度並非限定於此。通過漂移層6之電子爲可穿過之厚度即可。又，於實施形態3將成爲表面電極7之導電性薄膜雖然可由澱積形成，但是導電性薄膜之形成方法係並非限定於澱積，例如也可以使用噴濺法。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製依據上述製造方法，電子釋出效率爲高可得到熱安定性高之電子源1 0。又，多結晶矽層3爲可由電漿C V D 法等之低溫製程所形成。多孔質多結晶矽層4係由酸氧化。並且，表面電極7爲以澱積法、噴濺法等所形成。η型多結晶矽層也可由較低溫形成。因此，在6 0 0 °C以下之低溫製程就可製造電子源1 0。因此，作爲絕緣性基板 1 1，可使用較石英玻璃基板低廉之無鹼玻璃基板。其結果，減低其製造成本，可更增大其面積。並且，依多結晶矽層3之形成溫度，爲較低鹼坡璃基板、蘇打石灰玻璃基板等之無鹼玻璃基板，也可使用耐熱溫度低之玻璃基板。於上述方法所製造之電子源1 0，與關於實施形態1 D氏張尺度適用中國國家標準（ CNS )八4規格（210X297公釐） ?28 - 473758 A7 B7 _ 五、發明説明（26 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 或2之電子源同樣，電子釋出特性對於真空度依存性爲小。並且，釋出電子時不會發生歇盪現象。所以，可安定地釋出電子。 < 漂移層6係與習知例同樣，如第1 8圖所示，被認爲由至少柱狀之多結晶矽5 1、與薄矽氧化膜5 2、與微結晶矽層6 3、與矽氧化膜6 4所構成。亦即，被認爲漂移層6係各顆粒之表面被多孔質化，在各顆粒之中心部户爲維持結晶狀態。 * ' 於上述之製造方法，多孔質多結晶矽層4係由酸所氧化。但是，也可以例如以含有氧及臭氧之至少一方之氣體環境中藉照射紫外線加以氧化。此時，氧化係從1 〇〇 °C 到6 0 0 °C之溫度範圍進行較佳。此溫度也可較6 0〇°C 更高。但是，作爲絕緣性基板1 1因可使用低廉之玻璃基板，所以氧化從1 〇〇 °C到6 0 0 °C之溫度範圍進行較佳_· 。但是作爲基板使用砂基板或石英玻璃基板時，多孔質多結晶矽層4也可以由快速加熱法（例如，R T〇法等）氧化。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製關於賓施形態3之電子源1 〇之基本動作，係與第3 圖所示實施形態1之情形相同。從導電性層8注入於漂移層6之電子爲使漂移層6漂移，而透過表面電極7釋出。關於實施形態3之電子源1 0，即使將表面電極7與導電性層8間所施加之直流電壓V p s使用1 0〜2 Ο V左右之低電壓，也可使電子釋出。於實施形態3，漂移層6係由被氧化之多孔質多結晶 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 473758. Α7 Β7 五、發朋説明（27 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 矽層所構成。但是，導電性層8也可以由被氮化之多孔質多結晶矽層、或其他被氧化或氮化之多孔質多結晶半導體層所構成。矽化物層1 9·並非限定於W S i 2 ，只要是金屬元素與S i間之金屬間化合物即可。作爲金屬元素，除了 W之外，也可以使用鎳（N i )、鉬（Μ 〇 )、鉻（ Cr)、白金（Pt)、鈦（Ti)、銘（c〇)、結（

Zr)、組（Ta)、給（Hf)、隹巴（Pd)、飢（V ! )、鈮（N b )、錳（Μ η )、鐵（F e )、釕（R，u ) 、铑（R h )、銶（R e )、鎢（W )、餓（〇 s )、銥 (I r )等。又，矽化物層1 9也可以爲矽化物膜之多層構造。 (實施形態4 ) 關於實施形態4之電子源1 0之基本構成，係與實施形態3大約相同。但是，如第7圖所示，在矽化物層1 9 上形成有屬於低電阻之半導體層之η型多結晶矽層9之外，在η型多結晶矽層9上形成多結晶矽層3之點爲相異。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製按，與實施形態3相同之構成元件爲標示同一符號而省略其說明。即使於實施形態4之電子源1 0，也與實施形態3時同樣，電子釋出效率高，熱安定性爲高。關於實施形態4 之電子源1 0，係於實施形態1之導電性層8與η型多結晶矽層9之間，設有矽化物層1 9之構成。所以’可防止從導電性層8對於η型多結晶矽層9之導電性層8之構成本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -30 - 473758 A 7 B7 五、發明説明（28 ) 元件之擴散，而可提高矽化物層1 9之結晶性。 —4· - -»----ϋ I 丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 關於實施形態4之電子源1 〇之製造方法，係於實施形態‘3之製造方法大約相同。但是，增加形成η型多結晶矽層9之製程。η型多結晶矽層9之形成方法，爲只要採用實施形態1之任一形成方法即可。替代η型多結晶矽層 9也可以使用ρ型多結晶矽層。於實施形態1〜4，作爲屬於基板之絕緣性基板1 1

I 使用玻璃基板，但是絕緣性基板1 1並非限定於玻璃基板。例如，也可以使用在矽基板上形成絕緣膜（S i〇2 、 A 1〇x等氧化膜、S i N、BN、A 1 Nx等氮化膜）之基板，或在金屬基板上形成有絕緣膜（氧化膜、氮化膜等）之基板。 (實施形態5 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如第8圖及第9圖所示，關於實施方法5之電子源 1〇，係具有玻璃基板（例如，無鹼玻璃基板）之絕緣性基板1 1。絕緣性基板1 1之一表面上，形成有由在導電性材料所成之導電性層8。在導電性層8上形成有由被氧化之多孔質多結晶矽所成之漂移層6。在漂移層6上’形成有表面電極7。在實施形態5，導電性層8係向厚度積層之2層導電性層8 a、8 b所成。上側之導電性層8 b，係在漂移層 6之形成溫度附近之溫度（例如，從1 〇 0 °C到6 〇〇 °C 之溫度範圍）由具有與有矽容易反應性質之導電性材料所本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _Α73758 A7 B7 五、發明説明（29 ) 形成。另者，下側之導電性層8 a ，係由具有與有矽不容易反應性質之導電性材料所形成。總之’於實施形態5，係與導電性層8厚度方向，至少漂移層6側，爲由可抑制漂移層6中之非晶質形成之導電性材料所形成。所以，如第1 0圖所示，可減少含在漂移層6中之非晶質層6 a ( 可使非晶質層6 a之膜厚變薄）。所以’可減低其成本，提高其電子釋出量。

I 於實施形態5，導電性層8，係在其厚度方向所積層之2層之導電性層8a、8b所構成，但是，也可由積層於其厚度方向之3層以上之導電性層構成。此時，最上層之導電性層及最下層之導電性膜，只要分別具有與上側及下側之導電性層8 a、8 b同樣之性質即可。於實施形態5，上側之導電性層8 b係由鋁（A 1 ) 形成，下側之導電性層8 a係由較鋁電阻爲小之銅（C u )所形成（所以，導電性層8之電阻値將變小）但是，上側之導電性層8 b之材料，替代鋁也可以使用鎳（N 1 ) 、鉬（Μ 〇 )、鉻（C r )、白金（P t )、鈦（T i ) 、鈷（C 〇 )、結（Z r )、鉬（T a )、給（H f )、鈀（P d )、铑（R h )、鎢（W )等。也可以使用這些之氧化物從這些複數種類所成之合金膜或這些金屬與矽之合金矽化物膜。作爲下側之導電性層8 a之材料，可使用銅、銀、鋁等低電阻材料（配線材料）。又，也可以使用鉻、鈦等與玻璃密貼性高之材料。並且，也可由這些材料堆積複數層所成。 LT.- -!---- I _ __ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 線經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -32- 173758 Α7 Β7 五、聲明説明（30 ) ♦, mu H·— —ι_ϋ ml ml— I n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 作爲上側之導電性層8 b之材料使用鋁時，如第1〇圖所示，非晶質層6 a之膜厚，可較以往者（參照第2 0 圖）充分地薄。並且，非晶質層6 a之膜厚不均勻也會變小（非晶質層6 a與結晶化層6 c之界面大約成爲平坦）。因此，在漂移層6之各領域之電場強度之偏差會變小。其結果，可從表面電極7之全面大約同樣地釋出電子。所以，不會因從表面電極7釋出之電子能量依場所而發生分

I 布之不同。又，作爲上側之導電性層8 b使用鎳時，如第 1 1圖所示，漂移層6係只以結晶化層6 c構成，而不會形成非晶質層6 a。所以，較作爲上側之導電性層8 b使用錦時’可提局電子釋出效率。線上側之導電性層8 b之厚度爲愈薄較好。若此厚度爲 5〇n m以下時，認爲可減少從上側之導電性層8 b對於漂移層6之金屬元素之擴散量。因此，可抑制在漂移層6 中之電子散亂機率，可抑制電子釋出效率之降低。上側之導電性層8 a厚度，係考慮上述金屬元素之擴散可將漂移層6厚度成爲充分地小較佳。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製茲參照第1 2 A圖一 1 2 E圖就關於實施形態5之電子源1 0之製造方法說明如下。首先，在絕緣性基板1 1之一表面（於第1 2 A圖上面）上，所成下側之導電性層8 a。接著，在下側之導電性層8 a上，形成上側之導電性層8 b，而可得到第 12A圖所示之構造。形成導電性層8 a與導電性層8 b所成之導電性層8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ：297公釐） -33 -

AZ37M A7 B7 五、發日月説明（31 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之後，既定之厚度（例如’ 1 · 5 // m )之非摻雜結晶砂層3，爲例如由電漿C V D法形成，得到如第1 2 B圖所示之構造。於此’非摻雜之結晶矽層3因由電漿c v d法所堆積，所以可在6 " 〇 0 °C以下（1 0 0 t〜6 〇〇 t ) 之低溫製程形成。按’非摻雜結晶矽層3之形成方法，並非限定於電漿V C D法’也可以由觸媒C V D法形成。即使以觸媒C V D法，多結晶矽層3係可在6 0 0 °C以下之低溫製程形成。 < 形成非摻雜多結晶矽層3之後，5 5 w t %之氟化氫水溶液與甲醇大約以1 : 1混合所成之混合液所成具有電解液之陽極氧化處理槽，將白金電極（未圖示）成爲負極，將導電性層8作爲正極，對於多結晶矽層3邊照射光線在既定之條件下進行陽極氧化處理。藉此，多孔質多結晶矽層4而可得到第1 2 C圖所示之構造。於實施形態5之陽極氧化處理，係在陽極氧化處理之期間中，照射於多結晶矽層3表面之光功率及電流密度爲一定。但是，此條件也可適當地變更（例如，也可以變化電流密度。）。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製結束陽極氧化處理之後，從陽極氧化處理槽去除電解液。並且，在陽極氧化處理槽裝入新酸（例如，大約1〇 %之稀硝酸、大約1 0 %之稀硫酸、王水等）。此後，使用裝有酸之陽極氧化處理槽，將白金電極（未圖示）作爲負極將導電性層8作爲正極，通入一定電流藉氧化多孔質多結晶矽層4，形成漂移層6，而得到如第1 2 D圖所示之構造。 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473758 Α7 Β7 五、發日月説明（32 ) 形成漂移層6之後，在漂移層6上，從導電性膜（例如，金屬膜）所成之表面電極7爲例如由澱積形成’可得到如第1 2 E圖所示構造之電子源1 〇。於實施形態5雖然表面電極7之厚度爲1 5 nm，但是，其厚度並非限定於此。通過漂移層6之電子爲可穿過之厚度即可。又，於實施形態5將成爲表面電極7之導電性薄膜雖然可由澱積形成，但是導電性薄膜之形成方法並非限定於澱積，例如

I 也可以使用噴濺法。 ’ 依據上述製造方法，多結晶矽層3爲可由電漿c V D 法等之低溫製程所形成。多孔質多結晶矽層4係由酸氧化。並且，表面電極7爲以澱積法、噴濺法等所形成。因此，在6 0 0 °C以下之低溫製程就可製造電子源1 〇。因此，作爲絕緣性基板1 1 ，可使用較石英玻璃基板低廉之無鹼玻璃基板。.其結果，減低其製造成本，並且，可更增大其面積。並且，依多結晶矽層3之形成溫度，爲較低鹼玻璃基板、蘇打石灰玻璃基板等之無鹼玻璃基板，也可使用耐熱溫度低之玻璃基板。並且，導電性層8上側之導電性層8 b爲於多結晶矽層3之形成溫度由與矽（亦即，多結晶矽層3之構成元素）容易反應之材料所形成。因此，可抑制在多結晶砂層3中形成非晶質層（亦即，於多結晶矽層3之堆積初期過程可抑制非晶質層之形成）。其結果，可防止漂移層6變成所需以上之筒電阻（可變成與使用以往η型砍基板1之電場放射型電子源1 〇 ’之強電場漂移層6相同程度之電阻。）。所以可提高電子釋出效率。本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) Α4規格（210X297公釐) ΓΙ -- h---.------------IT------00— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 473758 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發日月説明（33 ) 由上述製造方法所製造之電子源’係本申請人等與於曰本專利特願平1 0 - 2 7 2 3 4 0號或日本專利特願平 1 0 - 2 7 2 3 4號所提案之電子源同樣’電子釋出特性對於真空度之依存性爲小。並且，在電子釋出時不會發生歇盪現象。所以，可安定地釋出電子。於上述之製造方法，多孔質多結晶砂層4係由酸所氧化。但是，也可以例如在含有氧與臭氧之至少一方之氣體 I 環境中照射紫外線加以氧化。此時，氧化從1 〇〇 °c到 6〇0 °C之溫度範圍進行較佳。此溫度也可以較6 0 0 °C 爲高。但是作爲絕緣性基板1 1基板因可使用低廉之玻璃基板，所以，在從1 0 0 °C到6 0 0 °C之溫度範圍被氧化較佳。所以將上側之導電性層8 b厚度設定爲不超過5 0 n m，係依據下述理由。亦即，若上側之導電性層8 b厚度太厚時，構成上側之導電性層8 b之金屬元素爲將多量擴散於多結晶矽層3中。其結果，多結晶矽層3將變成矽化物。並且，因這矽化物會被多孔質化，所以，即使形成漂移層6，動作時之電子散亂機率就增大而會降低電子釋出效率。總之，上側之導電性層8 b之厚度，對於漂移層 6之擴散量爲少（只擴散於漂移層6之導電性層8側），所以設定成電子釋出效率之影響變少較佳。藉將上側之導電性層8 b，較鋁對於多結晶矽層3、多孔質多結晶矽層4、漂移層6不容易擴散（亦即，擴散焓爲大）材料所形成，製造時或動作時，也可有效地抑制構成隨著溫度上升所發生之上側導電性層8 b之元素擴散 —本纸張尺度適用^^國家標準（〔刚八4規格（21(^297公釐)' l·---.------Φ------、訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 473758 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（34 ) 。鋁之擴散焓係3 2 9 k J /m〇1 ( 7 8 · 7 k c a 1 /mol)。作爲較鋁之擴散焓爲大之材料，則可舉出 Ni 、M〇、Cr、PL、Ti、c〇、Zr、Ta、 Hf、Pd、Rh、W及這些之氧化物。關於實施形態5之電子源1 〇之基本動作，係如第3 圖所示實施形態1之情形相同。例如，第1 3圖所示，從導電性層8注入於漂移層6之電子，爲漂移於漂移層6， I 經過表面電極7釋出。即使關於實施形態5之電子源Ί〇 ’施加於表面電極7與導電性層8間之直流電壓V p s即使成爲1 0〜2 0V左右之低電壓，也可釋出電子。於第1 4圖表示由上述製造方法所製造之電子源1 〇之電子釋出特性。於第1 4圖，橫軸係表示直流電壓 V p s値，縱軸係表示電流密度。第1 4圖中，A (〇）係將導電性層8成爲W/ T i構造（亦即，上側之導電性層8 b爲W，下側之導電性層8 a爲T i )時之二極體電流I p s。B ( ·)係將導電性層8成爲W/ T i構造時之釋出電子電流I e。C ( □)，係表示將導電性層8成爲A 1 - S i /W/ T構造（亦即，上側之導電性層8 b 爲A 1 — S i ，下側之導電性層8 a爲T i )時之二極體電流ί P S。D ( )係表示將導電性層8成爲A 1 -S ί /W/ T時之釋出電流I e。E ( △)係表示將導電性層8成爲N i /W/ T i構造（亦即，上側之導電性層 8 b爲N i ，下側之導電性層8 a爲T i時之二極體電流 I p s。F ( ▲)係將導電性層8成爲N i /W/ T i構 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- AT3758 A7 B7 五、發明説明（35 ) 造時之釋出電流I e。第1 5圖係表示將關於第1 4圖所示之釋出電流I e 與上述直流電壓V P s之資料’以Fwoler-Nordheim 描繪之結果。第1 5圖中，Η ( )係導電性層8爲W/ T i 構造時之資料。I ( ▲) ’係導電性層8爲A 1 - S i / W/ T構造時之資料。G (籲）係導電性層8爲N 1 /W / T i構造時之資料。陽極化處理之條件，係不管導電性

I 層8之性質，設定爲如下。亦即，電流密度爲1 2 · ·5 m A / c m 2 。通電時間爲6秒。以酸之氧化條件爲不管導電性層8之性質·，設定爲如下。亦即，施加電壓爲2〇 V。電流密度爲1 2 . 5 m A / c m 2 。上側之導電性層 8 b厚度爲5 0 n m。特性測定時之直流電壓V c爲 1 0 0 V而爲一定。依據第1 4圖，曉得可得到良好之電子釋出電流I e 及電子釋出效率（I e / I p s )。於實施形態5，漂移層6係由被氧化之多孔質多結晶矽所構成。但是，漂移層6係也可以由被氮化之多孔質多結晶矽，或其他之氧化或被氮化之多孔質多結晶半導體層構成。以上，本發明係關聯於其特定實施形態之所說明，但是除此之外，本行業者當然曉得可進行多數之變形例及修正例。所以，本發明係並非由這些實施形態所限定者，而是由所附之申請專利範圍所限定者。卜.1_.------鳟丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂線一經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38 - 473758 A7 B7 五、發明説明（36 ) 六.圖式之簡單說明第1圖係關於本發明之實施形態1之電子源之立體剖面圖。，第2 A - 2 E圖係第1圖所示電子源製程之主要工程之中間體或製品之立體剖面圖。 .. 第3圖係用來說明第1圖所示電子源之電子釋出動作之圖。 i 第4圖關於本發明實施形態2之電子源之立體剖面圖〇第5圖關於本發明實施形態3之電子源之立體剖面圖〇第6 A - 6 E圖係第5圖所示電子源製程之主要工程之中間體或製品之立體剖面圖。第7圖關於本發明實施形態4之電子源之立體剖面圖-- 〇第8圖關於本發明實施形態5之電子源之立體剖面圖〇第9圖係第8圖所示電子源之斜視圖。第1 0圖係第8圖所示電子源之要部立體剖面圖。第1 1圖係關於本發明實施形態4電子源之變形例之要部立體剖面圖。第1 2 A — 1 2 E圖係第8圖所示電子源製程之主要工程之中間體或製品之立體剖面圖。第1 3圖係用來說明第8圖所示電子源之電子釋出動本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） f—i------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -39· A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Β7五、發.明説明（37 ) 作之之圖。第1 4圖係第8圖所示電子源之電子釋出特性之圖表〇 , 第1 5圖係關於第1 4圖所不依據圖表之資料之 Fowler-Nordheim 描繪之圖表。第1 6圖係習知電子源之立體剖面圖。第1 7圖係用來說明第1 6圖所示電子源之電子釋出 I 動作之圖。 ’ 第1 8圖係用來說明第1 6圖所示電子源之電子釋出機構之原理之圖。第1 9圖係另一習知電子源之立體剖面圖。第2 0圖係第1 9圖所示電子源之要部立體剖面圖。第2 1圖係第1 9圖所示電子源之要部之另一立體剖面圖。卜— ^, 鮮丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 主要元件對照表 1 0 電場放射型電子源 1 η型矽基板 6 強電場漂移層 7 表面電極 2 1 集極電極 5 1 多結晶矽 2 歐姆電極 5 2，6 4 矽氧化膜線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -40- 473758 A7 __B7 五、發日月説明（38 ) 6 3 微結晶層 8 導電性層 11 絕緣性基板 . 19 矽化物層 8 a ，8 b 導電性膜 6 c 結晶化層 ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -41 -

Claims

473758 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種電場放射型電子源，其係具有：基板，與導電性層：爲形成於基板之一表面上，與 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 半導體層：爲被形成於導電性層上，與強電場漂移層：由形成於該半導體層表面側之被氧化或氮化之多孔質半導體層所成，與表面電極：爲被形成於強電場漂移層上， t 藉施加電壓使表面電極爲對於導電性層能夠變成正極，從導電性層所注入之電子爲漂移強電場漂移層，而通過表面電極釋出者，其特徵爲：上述半導體層爲由：使用可降低電阻之手段之低電阻之半導體、或降低電阻之工程所形成之低電阻之半導體。 2 ·如申請專利範圍第1項之電場放射型電子源，其中於厚度方向將導電性層之至少強電場漂移層側部分，以可抑制在強電場漂移層中之非晶質之形成之導電性材料所形成，以降低上述半導體層之電阻。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 .如申請專利範圍第2項之電場放射型電子源，其中上述導電性層，係積層於厚度方向之至少2層之導電十生膜所成，最上層之導電性膜，係在強電場漂移層之形成溫度附近之溫度具有與上述半導體容易反應之性質。 4 ·如申請專利範圍第3項之電場放射型電子源，其中最上層之導電性膜，係由鋁或鎳或這些作爲主成分之合金所形成。 5 ·如申請專利範圍第3項之電場放射型電子源，其 42 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 473758 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍中最上層之導電性膜厚度，爲不超過5 0 nm。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 ·如申請專利範圍第3項之電場放射型電子源，其中最上層之導電性膜，係由較鋁對於強電場漂移層不容易擴散之材料所形成。 7 .如申請專利範圍第1項之電場放射型電子源，其中由設於導電性層與半導體層間之矽化物層，以降低上述半導體層之電阻。 ί 8 ·如申請專利範圍第1項之電場放射型電子源‘，其中將半導體層由互相電阻不同之複數層形成，藉愈靠近導電性層使電阻變低，來降低上述半導體層之電阻。 9 .如申請專利範圍第1項之電場放射型電子源，其中將半導體層形成爲連續地變化電阻之構造，藉愈靠近導電性層之部分愈降低電阻，來降低上述半導體層之電阻。 1 〇 ·如申請專利範圍第1項之電場放射型電子源，其中低電阻之半導體層，係形成非晶質半導體層之後，將此藉加熱加以結晶化來形成者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 1 ·如申請專利範圍第1項之電場放射型電子源，其中低電阻之半導體層，係形成非晶質半導體層之後，將此藉使用氫加以結晶化來形成者。 1 2 ·如申請專利範圍第1項之電場放射型電子源，其中低電阻之半導體層，爲不純物被摻雜之低電阻之非晶質半導體。 1 3 ·如申請專利範圍第1項之電場放射型電子源，其中藉添加爲不純物來降低上述半導體層之電阻。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 43 - 473758 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之電場放射型電子源，其中藉添加爲不純物所形成之低電阻之述半導體層上，再形成有另外半導體層。. 1 5 .如申請專利範圍第1項之電場放射型電子源，其中形成半導體層之後、形成多孔質半導體層之後、形成強電場漂移層之後、形成表商電極之後，於至少其一實施熱處理。 i 1 6 ·如申請專利範圍第1項之電場放射型電子源，其中強電場漂移層，係包含：舆基板主表面大約成直交排列之柱狀半導體結晶、與位於該半導體結晶間之微米級之半導體微結晶、與具較形成於該半導體微結晶表面之該半導體微結晶之結晶粒徑更小厚度之絕緣膜。 1 7 .如申請專利範圍第1項之電場放射型電子源，其中半導體層係多結晶半導體。 1 8 ·如申請專利範圍第1項之電場放射型電子源，其中多結晶半導體層係由可用6 0 0 t以下之低溫製程可形成之半導體材料所形成。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 9 · 一種電場放射型電子源之製造方法，其係具有基板，與導電性層：爲形成於基板之一表面上，與半導體結晶層：爲被形成於導電性層上，與強電場漂移層：由形成於該半導體層表面側之被氧化或氮化之多孔質半導體層所成，與本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -44 - 473758 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍表面電極：爲被形成於強電場漂移層上， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉施加電壓使表面電極爲對於導電性層能夠變成正極，從導電性層所注入之電子爲漂移強電場漂移層，而通過表面電極釋出者，上述半導體結晶層，係使用使電阻降低之手段之低電阻之半導體，或降低電阻之工程所形成之低電阻之半導體所成者，該方法，其特徵爲包含：在基板上形成導電性層之步驟，與 I 在導電性層上形成非晶質半導體層之後，藉將該·非晶質半導體層結晶化以形成半導體結晶層之步驟，與在半導體結晶層上形成半導體層之後，將該半導體層之至少一部藉成爲多孔質化以形成多孔質半導體層之步驟，與藉氧化或氮化多孔質半導體層以形成強電場漂移層之步驟，與在強電場漂移層上形成表面電極之步驟。 2 0 · —種電場放射型電子源之製造方法，其係具有經濟部智慧財產局員工消費合作社印製基板，與導電性層：爲形成於基板之一表面上，與半導體結晶層··爲被形成於導電性層上，與強電場漂移層：由形成於該半導體層表面側之被氧化或氮化之多孔質半導體層所成，與表面電極：爲被形成於強電場漂移層上，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ：297公釐） -45 - 473758 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍藉施加電壓使表面電極爲對於導電性層能夠變成正極，從導電性層所注入之電子爲漂移強電場漂移層，而通過表面電極釋出者，上述半導體結晶層，係使用使電阻降低之手段之低電阻之半導體，或降低電阻之工程所形成之低電阻之半導體所成者，該方法，其特徵爲包含：在基板上形成導電性層之步驟，與在導電性層上，形成添加不純物之半導體結晶層之步 ' ! 驟，與，在該半導體結晶層上形成半導體層之後，將該半導體之至少一部藉加以多孔質化以形成多孔質半導體層之步驟，與藉將多孔質半導體層加以氧化或氮化以形成強電場漂移層之步驟，與在強電場漂移層上形成表面電極之步驟。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、v'口經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -46 -