TW468053B - Antireflection film, process for forming the antireflection film, and antireflection glass - Google Patents

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Takakazu Nakada
Kenichi Motoyama
Rie Gunji
Makoto Wakabayashi
Hitoshi Furusho
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 8 053 A7 B7 五、發明說明(1 ) 本發明有關一種抗反射膜,其有利於改善影像顯示器 裝置的透明性,該裝置如液晶顯示器(LCD)、等離子顯示器 (PDP)、CRT、EL或接觸面板等,或爲由玻璃製成的光學 產品(如眼鏡之鏡片)及抗反射玻璃等。詳言之,本發明亦有 關一種抗反射玻璃,其在大規模生產性上具有優異性質。 透明基板(如玻璃基板)設有透明電極,以用於影像顯示 器裝置,如LCD、PDP、CRT、EL或接觸面板等裝置,其 在該基板的一面上產生約4 %的反射光 > 使可視性或透射性 會產生衰減。因此,爲了達到改善可視性或透射性之目的 ,可藉降低從基板上反射的光含量來達成,而目前所使用 的方法爲形成所謂的抗射膜之方法,如形成多層膜,其係 在基板表面上,藉層壓具有低反射率的薄膜或具有不同折 射率的薄膜而形成多層膜。 一般,具有多層膜結構的抗反射膜,在寬廣的波長範 圍內已知可具有有效的抗反射作用,但其在大規模生產性 上較差,其乃因需要一種有利於控制每一層膜的膜厚度具 有精確度之技術。因此,某些具有低反射率的薄膜已提出 藉由塗覆方法形成,如簡易地及便利地形成反射膜之方法 〇 曰本申請案A-6-1 57076提出製造具有低反射率的抗反 射膜之方法,其藉由在塗覆膜表面上,使用具有不同分子 量的烷氧矽烷類之水解濃縮物之類的塗覆液體,而形成微 細的不規則性表面。然而,該方法對塗覆膜上的不規則性 之控制方面會產生在形成塗覆膜期間較難控制相對溼度或 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) * /_}, 裝--------訂--------- 本紙張尺度適用_國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -4- A7 468053 B7__ 五、發明說明(2 ) 必需熟悉具有不同分子量之濃縮物的製作等問題。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 日本申請案A-5-105424揭示使用含細微顆粒MgF2的塗 覆液體之方法,但該方法會產生較差的機械強度與對基板 之黏著性不良等問題,且在抗反射性能上亦更差。 本案發明人已先發現,在80至450 °C之溫度,藉熱處 理使用氟烷基矽烷類之聚矽烷溶液製得的塗覆膜,可形成 具有低折射率與大的水接觸角度之塗覆膜(美國專利 5,800,926 ;日本申請案A-9-208898)=當該類塗覆膜形成於 顯示器裝置的表面上時,大的水接觸角度可作爲另外功能 之有用的性質,但當於裝置內部用作爲高透明性基板時, 其在該塗覆膜表面上需要形成另一膜層,此情形下,大的 水接觸角度將會損害在塗覆膜上形成的膜層, 因此,另外的硏究及結果係適當地選擇熱處理溫度, 其可能的話能夠獲得具有低水接觸角度與低折射率之塗覆 膜。 經濟部智慧財產局員4消費合作社印製
亦即,本發明之目的爲提供一種抗反射膜,其具有低 水接觸角度,及在抗反射性能上具有優異效果,藉由本發 明並可在大量及超大區域之生產性上提供一種能夠以低成 本處理之方法D 第一範圍中,本發明提供一種形成抗反射膜之方法, 其係黏著於玻璃表面上,其包含製備包含下述化合物之反 應混合物, 下式(1)之矽化合物(A): -5 - 本紙張尺度適用中固國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 468 05 3 KI. B7 五、發明說明(3 )
Si(ORV (1) 其中R爲Cu烷基: 下式(2)之矽化合物(B): R'Si(0 R2)^ (2) 其中R1爲CVu有機基,及R2爲院基; 下式(3)之醇類(C): R3CH2〇H (3) 其中R3爲氫原子’或未取代的或取代的Cl.,2烷基;及 乙二酸(D):該混合物比例包含··對每莫耳的矽化合物 (A),砂化合物(B)爲0.05至4.5莫耳,對每莫耳之矽化合物 (A)及(B)中所含的總烷氧基,醇類(C)爲〇.5至100莫耳,及 對每莫耳之矽化合物(A)及(B)中所含的總烷氧基,乙二酸 (D)爲0,2至2莫耳;在50至180 °C溫度下加熱該反應混合 物,直到在反應混合物中殘餘的矽化合物(A)及(B)的總含量 低於5莫耳%爲止,而以反應混合物中的矽原子計,維持 Si〇2濃度爲0.5至10重量%,及保持無水之狀態,以形成聚 矽氧烷溶液;在玻璃表面塗覆聚矽氧烷溶液,以形成塗覆 膜;及在480至520 °C溫度熱固化該塗覆膜。 第二範圍中,本發明提供一種依據第一範圍之形成抗 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------产 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6- A7 4 68 05 3 B7_____ 五、發明說明(4 ) 反射膜之方法,其中,矽化合物(B)之式(2)中,該有機基圑 爲含氟原子之R1基團。 第三範圍中,本發明提供一種依據第一範圍之形成抗 反射膜之方法,其中,式(2)爲下式(4)之矽化合物(B): CF3(CF2)11CH2CH2Si(OR4)3 (4) 其中η爲0至12整數,及R4爲Cm烷基。 第四範圍中,本發明提供一種抗反射膜,其係黏著形 成於玻璃表面上,其具有1.33至1.38折射率及至多40°的水 接觸角度,其由包含下述化合物之反應混合物而製得, 下式(1)之矽化合物(A):
Si(OR)4 (1) 其中R爲Cm烷基; 下式(2)之矽化合物(B): R'Si(0 R2)3 (2) 其中R1爲有機基,及R2爲C!.5烷基; 下式(3)之醇類(C): R3CH2〇H (3) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4現格(210 X 297公釐) iurlL-----裝------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --訂---------缺厂 0: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 468053 A7 B7 經濟部智慧,財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(5 ) 其中R3爲氫原子,或未取代的或取代的Cii2烷基;及 乙一酸(D);該混合物比例包含:對每莫耳的政化合物 (A) ’砂化合物(B)爲0.05至4.5莫耳,對每莫耳之矽化合物 (A)及(B)中所含的總烷氧基,醇類(c)爲〇,5至ι〇〇莫耳,及 對每旲耳之矽化合物(A)及(B)中所含的總烷氧基,乙二酸 (D)爲0.2至2莫耳;在50至180 °C溫度下加熱該反應混合 物,直到在反應混合物中殘餘的矽化合物(A)& (B)的.總含量 低於5莫耳%爲止,而以反應混合物中的矽原子計,維持 SiCh濃度爲0.5至10重量%,及保持無水之狀態,以形成聚 矽氧烷溶液;在玻璃表面塗覆聚矽氧烷溶液,以形成塗覆 膜;及在480至520 °C溫度熱固化該塗覆膜。 第五範圍中,本發明提供一種依據第四範圍之抗反射 膜,其中,矽化合物(B)之式(2)中,該有機基團爲含氟原子 之R1基團。 第六範圍中,本發明提供一種依據第四範圍之抗反射 膜,其中,式(2)爲下式(4)之矽化合物(B): CF3(CF〇„CH2CH3Si(OR4)3 (4) 其中η爲0至12整數,及尺4爲Cm烷基。 第七範圍中,本發明提供一種抗反射玻璃,其包含玻 璃及如第四範圍所定義的抗反射膜,該膜係形成於玻璃之 一面或二面上。 以下,本發明將以相關的較佳具體實施狀況,詳細地 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 / ----訂---------%.、. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -8- 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 8 05 3 A7 __B7 _ 五、發明說明(6 ) 說明本發明之內容。 上述式(1)中,烷基R之實例包括:甲基,乙基,丙基 ,丁基,及戊基。化合物(A)之較佳實例包括:四甲氧基矽 烷,四乙氧基矽烷,四丙氧基矽烷,及四丁氧基矽烷。上 例中,以四甲氧基矽烷及四乙氧基矽烷爲最佳。 上述式(2)中,烷基R2之實例包括:甲基,乙基,丙基 ,丁基,及戊基。化合物(B)之較佳實例包括:甲基三甲氧 基矽烷,甲基三乙氧基矽烷,乙基三甲氧基矽烷,乙基三 乙氧基矽烷,丙基三甲氧基矽烷,丙基三乙氧基矽烷,丁 基三甲氧基矽烷,丁基三乙氧基矽烷,戊基三甲氧基矽烷 ,戊基三乙氧基矽烷,庚基三甲氧基矽烷,庚基三乙氧基 矽烷,辛基三甲氧基矽烷,辛基三乙氧基砂.烷,十二烷基 三甲氧基矽烷,十二烷基三乙氧基矽烷,十六烷基三甲氧 基矽烷,十六烷基三乙氧基矽烷,十八烷基三甲氧基矽烷 ,十八烷基三乙氧基矽烷,苯基三甲氧基矽烷,苯基三乙 氧基矽烷,乙烯基三甲氧基矽烷,乙烯基三乙氧基矽烷, r-胺丙基基三甲氧基矽烷,r-胺丙基三乙氧基矽烷,r-縮水甘油氧丙基三甲氧基矽烷,r-縮水甘油氧丙基三乙氧 基矽烷,r-甲丙烯基氧丙基三甲氧基矽烷,r-甲丙烯基氧 丙基三乙氧基矽烷,三氟丙基三甲氧基矽烷,三氟丙基三 乙氧基矽烷,十三氟辛基三甲氧基矽烷,十三氟辛基三乙 氧基矽烷,十七氟癸基三甲氧基矽烷,及十七氟癸基三乙 氧基矽烷。該類化合物可單獨使用,或以二種或多種彼等 化合物之混合物組合形式使用。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-9- A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 68 053 五、發明說明(7 ) 在較佳的矽化合物(B)之例中,最佳爲下式(4)之含氟的 石夕院: CF3(CF2)„CH2CH2Si(OR4)3 (4) 其中η爲0至I2整數,及尺4爲Cw烷華;其如:三氟 丙基三甲氧基砂院(η == 0),三氟丙基三乙氧基砂焼(n = 〇) ,十三氟辛基三甲氧基矽烷(η = 5),十三氟辛基三乙氧基 矽烷(η = 5),十七氟癸基三甲氧基矽烷(η = 7),或十七氟 癸基三乙氧基矽烷U = 7)。 上述式(3)中,未取代的烷基R3之實例包括:甲基,乙 基,丙基,丁基,戊基,己基,庚基,及辛,基。取代的烷 基R3之實例包括:羥基甲基,甲氧基甲基,乙氧基甲基, 羥基乙基,甲氧基乙基,及乙氧基乙基。 醇類(C)之較佳實例包括:甲醇,乙醇,丙醇,正丁醇 ,乙二醇單甲基醚,乙二醇單乙基醚,二乙二醇單甲基醚 ,二乙二醇單乙基醚及丙二醇單乙基醚。該類化合物可單 獨使用’或以二種或多種彼等化合物之混合物組合形式使 用。上例中,以乙醇爲最佳。 本發明中’相對於每莫耳的矽化合物(Α),矽化合物(Β) 之含量較佳爲0.05至4.5莫耳。而若含量低於〇.〇5莫耳時 ,會傾向於很難形成具有低於1.40折射率之塗覆膜;若含 量超過4.5莫耳時,會傾向於很難獲得均勻形式溶液。 相對於每莫耳之矽化合物(Α)及(Β)中所含的總烷氧基, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) f請先閱讀背面之注音?#項再填寫本頁)
4 68 05 3 A7 B7 五、發明說明(8 ) 醇類(C)之含量較佳爲〇,5至100莫耳,最佳爲丨至5〇莫耳 s而若含量低於0.5莫耳時,需花費很長的時間形成聚矽烷 ,及傾向於很難從藉此所製得的含聚矽烷的溶液中形成具 有高硬度的塗覆膜:另方面,若含量超過1〇〇莫耳時,在 所製得的含聚砂院液體中的SiCh濃度傾向於不足量,而使 在塗覆前所需SiCh濃度不足。 相對於每莫耳之矽化合物(A)及(B)中所含的總烷氧基, 乙二酸(D)之含量較佳爲0.2至2莫耳,最佳爲0.25至1莫耳 。而若含量低於0.2莫耳時,傾向於很難從所製得的溶液中 形成具有高硬度的塗覆膜;及若含量超過2莫耳時,該混 合物含有相當高多量的乙二酸(D),依此將傾向於很難製得 具有所希望性能的塗覆膜。 本發明反應混合物包含矽化合物(A)及(B)、醇類(C)、 及乙二酸(D),其可藉由混合該等成分而形成。該反應混合 物較佳爲以溶液之形式加熱,例如,較佳爲以溶液形式之 反應混合加熱,而該溶液係藉由預先添加乙二酸(D)至醇類 (C)中以形成乙二酸的醇溶液,然後混合矽化合物(A)及(B) 與該醇溶液。加熱可在50至180 °C之液體溫度下進行,及 較佳爲例如在密閉容器或回流下進行,依此不會發生液體 之蒸發或揮發作用》 若在形成聚矽烷溶液期間的液體溫度低於50 °C時,該 溶液傾向於產生混濁現象,或會傾向於含有不溶解的物質 ,依此傾向於形成非均勻形式的溶液。因此,液體溫度較 佳爲至少50 °C,且當溫度較高時,在短時間內可完成其操 (請先閱讀背面之泛意事項再填寫本頁) -Μ,--------訂-------!'^. / 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) -11 - 4 6 8 053 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _____B7____五、發明說明(9 ) 作。 然而’在高於180 °C溫度下加熱係沒有效益的,而不 會產生任何其它的有利效果。另本發明之加熱時間並無特 別限制’例如,通常在50 °C下加熱約8小時,及在78 t下 回流加熱約3小時。一般,當殘餘的矽化合物(A)及(B)之含 量變爲低於5莫耳%時(以矽化合物(A)及(B)總用量爲基準) ’加熱可終止;若殘餘的矽化合物(A)及(B)之含量超過5莫 耳%時’當該溶液塗覆於基板表面上及加熱固化時,所產生 的塗覆膜傾向於具有微孔(pinholes),或其傾向於很難製得 具有足夠硬度的塗覆膜。 藉由上述加熱所獲得的聚矽烷溶液在需要的情形下可 被濃縮或稀釋。彼時,以聚矽烷中的固體含量計,Si〇2濃 度較佳爲0.5至15重量%。而若3丨〇2濃度低於0.5重量%時 ,傾向於很難藉由單一的塗覆操作獲得所希望的厚度;及 若SiCh濃度超過15重量%時,溶液的適用期傾向於不夠長 〇 所製備的溶液經塗覆及加熱固化而獲得所需的塗覆膜 ,其藉由一般常用的方法塗覆。該形成於基板(玻璃)表面上 的塗覆膜可經加熱固化(在加熱固化之前),其可在室溫至 120 °C之溫度下乾燥,較佳爲在50至100 °C溫度乾燥;及然 後在480至520 °C溫度下加熱。而若加熱溫度低於480 °C時 ,水接觸角度會超過40°,此爲不希望的結果;另方面,若 加熱溫度超過520 °C時,折射率傾向於增加至超過1.38, 依此該塗覆膜在抗反射性能上傾向於不良。據此,爲了形 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -丨裂 ----訂.---i!^-:\ i. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 68 05 3 A7 __B7_ 五、發明說明(1〇) »5 成具有小的水接觸角度(至多40°之範圍)與具有1.33至i.38 的折射率,及具有優異抗反射性能之塗覆膜,上述溫度範 圍必需適當地選擇。 上述加熱的時間並無特別限制,而其通常爲5至60分 鐘。該項加熱步驟可藉習知方法進行,例如藉由使用加熱 板、烤箱或帶式爐等方式進行加熱。 上述塗覆方法通常可使用習知方法,如旋轉塗覆方法 、浸漬(dip)塗覆方法、輯塗覆方法或撓性印刷 (flexoprinting)方法等。 以下,本發明將以相關的實例詳細地說明,惟據悉其 並不因此藉由該特定實例而限制本發明之範疇。 實例1 將70.8克的乙醇加入設有回流冷凝器%四頸燒瓶中, 及將12.0克的乙二酸慢慢地邊攪拌邊加入,以獲得乙二酸 的乙醇溶液。 然後,該溶液加熱至其回流溫度,及在回流下逐滴加 入包含11.0克的四乙氧基矽烷及6,2克的十三氟辛基三甲氧 基政院之混合液體。 在逐滴加入完成後,回流下繼續加熱5小時,接著藉 冷卻而獲得聚矽烷溶液(L1),其含有4重量%的Si.Ch濃度, 以固體含量計。 該溶液藉氣體色層法分析,其未檢測到任何的烷氧化 物單體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -M ----I---^--- ------ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -13- A7 4 6 8 0 5 3 __B7_____ 五、發明說明(11 ) 實例2 將72.4克的乙醇加入設有回流冷凝器的四頸燒瓶中, 及將12.0克的乙二酸慢慢地邊攪拌邊加入,以獲得乙二酸 的乙醇溶液。 然後,該溶液加熱至其回流溫度,及在回流下逐滴加 入包含12.5克的四乙氧基矽烷及3.1克的十三氟辛基三甲氧 基矽烷之混合液體。 在逐滴加入完成後,回流下繼續加熱5小時,接著藉 冷卻而獲得聚矽烷溶液(L2),其含有4重量%的3丨〇2濃赛, 以固體含量計。 e 該溶液藉氣體色層法分析,其未檢測到任何的烷氧化 人 物單體。 實例3 將70.6克的乙醇加入設有回流冷凝器的四頸燒瓶中, 及將1 2.0克的乙二酸慢慢地邊攪拌邊加入,以獲得乙二酸 的乙醇溶液。 然後’該溶液加熱至其回流溫度,及在回流下逐滴加 入包含9.4克的四乙氧基矽烷、6.2克的十三氟辛基三甲氧 基砂烷、1.2克的r -縮水甘油氧丙基三甲氧基矽烷及0.6克 的r -胺丙基三乙氧基矽烷之混合液體。弯逐滴加入完成後 ’回流下繼續加熱5小時,接著藉冷卻而i得聚矽烷溶液 (L3) ’其含有4重量%的以〇2濃度,以固體含量計。 該溶液藉氣體色層法分析,其未檢測到任何Κι烷氧化 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) ----訂---------.^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中囤國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 14 468053 A7 B7 五、發明說明(12) 物單體。 實例4 將73.9克的乙醇加入設有回流冷凝器的四頸燒瓶中, 及將12.0克的乙二酸慢慢地邊攪拌邊加入,以獲得乙二酸 的乙醇溶液。 然後,該溶液加熱至其回流溫度,及在回流下逐滴加 入包含9.4克的四乙氧基矽烷、2.9克的三氟丙基三甲氧基 矽烷、1.2克的τ -縮水甘油氧丙基三甲氧基矽烷及0.6克的 胺丙基三乙氧基矽烷之混合液體。在逐滴加入完成後, 回流下繼續加熱5小時,接著藉冷卻而獲得聚矽烷溶液(L4) ,其含有4重量%的Si〇2濃度,以固體含量計。 該溶液藉氣體色層法分析,其未檢測到任何的烷氧化 物單體。 實例5 將52.7克的乙醇加入設有回流冷凝器的四頸燒瓶中, 及將20.5克的乙二酸慢慢地邊攪拌邊加入,以獲得乙二酸 的乙醇溶液。 然後,該溶液加熱至其回流溫度,及在回流下逐滴加 入包含21.9克的四乙氧基矽烷及4.9克的十八烷基三乙氧基 矽烷之混合液體。在逐滴加入完成後,回流下繼續加熱5 小時,接著藉冷卻而獲得聚矽烷溶液(L5),其含有7重量% 的SiCl·濃度,以固體含量計。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15- {請·先閱績貧面之生意事項再填窝本頁) 裝 ----訂-------iA\ 經濟部智慧財產局員工消費合作社^'製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 468053 A7 ______B7__五、發明說明(13 ) 該溶液藉氣體色層法分析,其未檢測到任何的烷氧化 物單體。 實例6 將50.7克的乙醇加入設有回流冷凝器的四頸燒瓶中, 及將21.6克的乙二酸慢慢地邊攪拌邊加入,以獲得乙二酸 的乙醇溶液·》 然後,該溶液加熱至其回流溫度•及在回流下逐滴加 入包含6.3克的四乙氧基矽烷及21.4克的甲基三乙氧基矽院 之混合液體。在逐滴加入完成後,回流下繼續加熱5小時 ,接著藉冷卻而獲得聚矽烷溶液(L6),其含有9重量%的 SiCh濃度,以固體含量計。 該溶液藉氣體色層法分析,其未檢測到任何的烷氧化 物單體。 實例7 將64.9克的乙醇加入設有回流冷凝器的四頸燒瓶中, 及將15.8克的乙二酸慢慢地邊攪拌邊加入,以獲得乙二酸 的乙醇溶液。 然後,該溶液加熱至其回流溫度,及在回流下逐滴加 入包含10.4克的四乙氧基矽烷及8.9克的甲基三乙氧基矽院 之混合液體。在逐滴加入完成後,回流下繼續加熱5小時 ,接著藉冷卻而獲得聚矽烷溶液(L7),其含有6重量%的 SiCh濃度,以固體含量計。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -1裝 --丨訂—--— -1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4 G S 0 o 3 _—— —-— ---------------—..... 附件一: 第89125074號專利申請案--------------------------- --------------------------- 中文說明書修正頁修正十民國90年8月修正 '~- i 補先~' -:-
五.、發明説明(14) '—-...------—J 該溶液藉氣體色層法分析,其未檢測到任何的烷氧化 物單體。. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 比較例1 將43.7克的乙醇、16.6克的四乙氧基矽烷及9.3克的 十三氟辛基三甲氧.基矽烷加入設有回流冷凝器的四頸燒瓶 中,及混合而獲得乙醇溶液。然後,該溶液加熱至其回流 溫度’及在回流下逐滴加入包含24.9克的乙醇、5.4克的水 及0.1克的硝酸之混合液體。_ 在逐滴加入完成後,回流下.繼續加熱5小時,接著藉. 冷.卻而獲得聚矽烷溶液(L8),其含有4重量%的SiCh濃度, 以固體含量計。 比較例+2 將70,8克的乙醇加入設有回流冷凝器的四頸燒瓶中, 及將12.0克的乙二酸慢慢地邊攪拌邊加入,以獲得乙二酸 的乙醇溶液。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 然後,該溶液加熱至其回流溫度,及在回流下逐滴加 入包含13.9克的四乙氧基矽烷。在逐滴加入完成後,回流 下繼續加熱5小時,接著藉冷卻而獲得聚矽烷溶液(L9),其 含有4重量%的Si〇2濃度,以固體含量計。 該溶液藉氣體色層法分析,其未檢測到任何的烷氧化 物單體。 上述每一個溶液(L1)至(L9)以乙醇稀釋,以固體含量計 ,SiCh濃度爲1重量%,及使用該經稀釋的溶液作爲塗覆液 本紙張尺度逋用中.國國家標隼(CNS ) A4規格.(210X297公釐) 468053 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五.、發明説明(15) 體’塗覆膜藉浸漬塗覆方式在玻璃上形成^然後,該塗覆 膜在100 °C下置於烤箱中烘烤10分鐘,及然後在火爐中依 據表1所示之溫度(固化溫度)加熱,以獲得抗反射玻璃。然 後,與所獲得的塗覆膜(抗反射'膜)相關的抗張硬度、折射率 、透射性、水接觸角度及膜厚度,可藉由下述方法檢測。 折射率之測量’使用含有形成於矽基板上的塗覆膜之 基板,在相同的條件下進行測量。 抗張硬度:按照ns K5400之方法測量。 折射率:使用橢圓對稱儀(.Ellipsometer ) DVA-36L ( 製自Mizojid股份有限公司),在63 3 nm波長測量折射率。 透射性.:使用分光光度計UV3 100PC (製i Shimadzu股 份有限公司),在400至8 00 nm波長範圍測量分光透射性。 水接觸角度:使用自動接觸角度儀CA-Z型號(製自 Kyowa Kaimen股份有限公司),當滴入3微升的純水時,測 量其接觸角度;該水接觸角度(°)以正實數表示。然而,當 水接觸角度低於10°時,藉由該測量裝置檢測將不可能獲得 準確的測量値。 膜厚度:藉由切割器切割乾膜,及在固化後,藉由 Talystep裝置(製自Rank Taylor Hobson公司)測量其差異程 度,及得到膜厚度。 .該些檢測結果示於表1。此處,比較1示出比較例1之 塗覆溶液(亦即塗覆溶液L8)的評估結果。比較2示出比較例 2之塗覆溶液(亦即塗覆溶液L9)的評估結果。比較3示出在 本發明之必要固化溫度範圍外的溫度時所作的評估結果° (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 裝. 訂 1· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格< 210X 297公釐〇 4 5 8 05 3 五、發明説明(16) 表1 A7 B7 實例 塗覆 溶液 固化 溫度 (°c ) 膜厚度 (nm) 鉛筆 硬度 折射率 透射性 (%) Ί 水接觸 角度 __11) 1 L1 480 80 8H 1.33 98.4 17 2 L1 500 75 8H 1.33 98.4 — ----^ 12 3 L1 520 75 .8 Η 1.34 98.2 . -- 10 4 L2 500 84 8Η 1.36 97.7 11 .5 L3 500 78 8Η 1.34 98.1 10 6 L4 500 80 8Η 1.37 97,4 _----- 10或以下 7 L5 500 82 7Η 1.37 97.5 10或以下 8 L6 500 79 8Η 1,37 97.5 40 9 L7 500 81 8Η 1.38 97.2 35 比較1 L8 500 80 8Η 1.45 94.6 10 比較2 L9 500 82 . 8Η 1.44 94.8 10或以下 比較3 L1 600 70 8Η 1.45 94.6 10 (許先閲1兩之注意事項考木耳j .裝. -訂 S》· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明,在抗反射性能方面,具有優異性質的抗 反射膜在生產性上可展現出優異的效果。依此所得的抗反 射玻璃有利於製造各種高透明性之顯示器,如LCD、PDP 及接觸面板等。 本案在日本專利申請號1 1 -353.870,於1 999年12月14 曰申請,其全部揭示的內容包括說明書、申請專利範圍、 圖不及總論在此全部倂入參考。 良紙張尺及適用中國國家揉準(CNS >A4規格(2丨0X297公楚.) -19 -

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 468 053 六、申請專利範圍 1 · 一種形成抗反射膜之方法,係黏著形成於玻璃表面 上’且其包含製備包含下述化合物之反應混合物, 下式(1)之矽化合物(A): Si(0R)4 (1) 其中R爲C !. 5烷基; 下式(2)之矽化合物(B): RlSi(0 R2)j (2) 其中以爲Ci.18有機基,及R2爲C,_5烷基; 下式(3)之醇類(C): R3CH2〇H (3) 其中R3爲氫原子’或未取代的或取代的Cl_12烷基;及 乙二酸(D); 該混合物比例包含:對每莫耳的矽化合物(A),砂化合 物(B)爲0.05至4,5莫耳,對每莫耳之矽化合物(A)及邙)中所 含的總烷氧基,醇類(C)爲0.5至100莫耳,及對每莫耳之砂 化合物(Α)及(Β)中所含的總烷氧基,乙二酸(D)爲ο』至2莫 耳;在50至180 °C溫度下加熱該反應混合物,直到在反應 混合物中殘餘的矽化合物(A)及(B)的總含量低於5莫耳%爲 f請先閱靖背面vii意事項再填窝本κ} i裝 %> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) -20 A8 B8 C8 D8 468053 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 止,而以反應混合物中的矽原子計,維持Si〇2濃度爲0.5至 10重量%,及保持無水之狀態,以形成聚矽氧烷溶液;在 玻璃表面塗覆聚矽氧烷溶液,以形成塗覆膜;及在480至 520 °C溫度熱固化該塗覆膜。 2. 如申請專利範圍第1項之形成抗反射膜之方法,其 中,矽化合物(B)之式(2)中,該有機基團爲含氟原子之R1基 團。 3. 如申請專利範圍第1項之形成抗反射膜之方法,其 中,式(2)爲下式(4)之矽化合物(B): CF3(CF2)nCH2CH2Si(OR4)3 (4) 其中η爲0至12整數,及R4爲(V5烷基。 4. 一種抗反射膜,係黏著形成於玻璃表面上,其具有 折射率爲1.33至1.38,及水接觸角度爲至多40°,且其由包 含下述化合物之反應混合物所製備, 下式(1)之矽化合物(A): 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Si(OR)4 (1) 其中R爲Cm烷基; 下式(2)之矽化合物(B): R!Si(0 R2)3 (2) -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 463053 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍其中1^爲(!]1_18有機基,及112爲(21.5院基 下式(3)之醇類(C): R3CH2〇H (3) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中R3爲氫原子,或未取代的或取代的Cl.12烷基;及 乙二酸(D); 該混合物比例包含:對每莫耳的矽化合物(A),砂化合 物(B)爲0.05至4.5莫耳,對每莫耳之矽化合物(幻及⑺)中所 含的總院氧基,醇擊(C)爲0.5至100莫耳,及對每莫耳之砂 化合物(A)及(B)中所含的總烷氧基,乙二酸(D)爲0.2至2莫 耳;在50至180 °C溫度下加熱該反應混合物,直到在反應 混合物中殘餘的矽化合物(A)及(B)的總含量低於5莫耳%爲 止,而以反應混合物中的矽原子計,維持Si〇2濃度爲0.5至 10重量%,及保持無水之狀態,以形成聚矽氧烷溶液:在 玻璃表面塗覆聚砂氧.院溶液,以形成塗覆膜;及在480至 520 °C溫度熱固化該塗覆膜。 5, 如申請專利範圍第4項之抗反射膜,其中’砂化合 物(B)之式(2)中,該有機基團爲含氟原子之Rl基圑。 6. 如申請專利範圍第4項之抗反射膜’其中,式(2)爲 下式(4)之矽化合物(B): CF3(CF2)nCH2CH2Si(OR4): (4) C %閱靖背¾V泛%事項再翁本頁) I . n J I n - 一PJr [ n Ft n n n I r· 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) -22- 468053 AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍其中Π爲0至12整數,及R4爲Cl.5烷基。7.-種抗:反射玻璃,其包含玻璃及申請專利範圍第4 項之抗反射膜’又,該膜係形成於玻璃之—面或二面上。 111------— —i. 裝· 11 — — — — — ^ * — ( — — [ — 1— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} β. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4 G S 0 o 3 _—— —-— ---------------—..... 附件一: 第89125074號專利申請案--------------------------- --------------------------- 中文說明書修正頁修正十民國90年8月修正 '~- i 補先~' -:- 五.、發明説明(14) '—-...------—J 該溶液藉氣體色層法分析,其未檢測到任何的烷氧化 物單體。. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 比較例1 將43.7克的乙醇、16.6克的四乙氧基矽烷及9.3克的 十三氟辛基三甲氧.基矽烷加入設有回流冷凝器的四頸燒瓶 中,及混合而獲得乙醇溶液。然後,該溶液加熱至其回流 溫度’及在回流下逐滴加入包含24.9克的乙醇、5.4克的水 及0.1克的硝酸之混合液體。_ 在逐滴加入完成後,回流下.繼續加熱5小時,接著藉. 冷.卻而獲得聚矽烷溶液(L8),其含有4重量%的SiCh濃度, 以固體含量計。 比較例+2 將70,8克的乙醇加入設有回流冷凝器的四頸燒瓶中, 及將12.0克的乙二酸慢慢地邊攪拌邊加入,以獲得乙二酸 的乙醇溶液。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 然後,該溶液加熱至其回流溫度,及在回流下逐滴加 入包含13.9克的四乙氧基矽烷。在逐滴加入完成後,回流 下繼續加熱5小時,接著藉冷卻而獲得聚矽烷溶液(L9),其 含有4重量%的Si〇2濃度,以固體含量計。 該溶液藉氣體色層法分析,其未檢測到任何的烷氧化 物單體。 上述每一個溶液(L1)至(L9)以乙醇稀釋,以固體含量計 ,SiCh濃度爲1重量%,及使用該經稀釋的溶液作爲塗覆液 本紙張尺度逋用中.國國家標隼(CNS ) A4規格.(210X297公釐)
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