TW463261B

TW463261B - Cleaning liquid and cleaning method for semiconductor substrates

Info

Publication number: TW463261B
Application number: TW087100206A
Authority: TW
Inventors: Chizuko Matsuo; Mikio Kishimoto; Kazushige Takaishi
Original assignee: Mitsubishi Material Silicon; Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 1997-01-16
Filing date: 1998-01-09
Publication date: 2001-11-11
Also published as: US6296714B1; KR19980070530A; EP0859404A3; EP0859404B1; EP0859404A2; KR100279911B1

Description

463261 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（1 ) 本發明係Η於一種用Μ洗淨類如矽晶圔等半導》基板之表面的洗淨液及使用該洗淨液的洗淨方法。此種半導骽基板之表面在製埴過程中#附著金靨雜質或1W 以下之微粒。《著半専艚装置之高積«化、高功能化，半導«基板表面不能受此等金雇雜霣或微粒等汚染之要求日益嚴格，因此，半専體基板之洗淨技術在蝥«半導臑装置技術而言，乃越顧出極其重要。習知半導體基板之洗淨方法中，使用遇氣化氬與氫氧化銨之SCI溶液及通氧化氩與稀鹽酸之SC2溶液的RCA洗淨法已為眾所週知。該HCA洗淨法係首先將半導*基板浸漬於SCI溶液中，利用該溶液之氧化性及驗性特質，將微粒及有機殘留物從基板表面除去。亦即，於該SCI溶硖中 ,氧化與通元兩種反應係同時進行，由氨產生之《元作用輿由«氧化氬提供之氧化作用係在同一榷中競相發生，同時以氫氧化铵溶液之鈾刻作用將微粒從基板表面剔除（ lift off)。其次，將該半導钃基板g瀆於SC2之酸性溶液中，薄SCI溶液除去不溶解之_性雛子或金屬離霣。另一方面，日本特開平7-94458虢公報亦揭示一種洗淨半等髓基板時，防止洗淨液中之金雇雜霣附著於基板表面或已一度從基板表面去除之金屬雜霣再附著於基板表面，且能抑制非必要之自然氧化膜之成長的半専«基板洗淨液及其洗淨方法。該洗淨液由含有氨0.0001〜0.001重量 X或含有乙二胺四乙酸（EDTA) (KQ005〜0.01重量X氫氟酸等酸性溶液所構成。為了要除去氧化膜，該洗淨液係維 (請先閲讀背面之注意事項再智寫本頁) 本纸張尺度逋用中囷國家標準（CNS ) A4规格（2! 〇 X 297公釐） 46326 1 A7 B7 五、發明説明（2 ) 持在pH為1左右之強酸性。若依照該洗淨方法，如第6 Η 所示，半導顦基板1浸漬於洗淨液5時，自然翥化膜2之去除與金厲雜質之去除係同時進行，轉移至洙淨液中之金雇元素乃形成配位基而變成金屬配》7被圃軍起來。半導髖基板1之表面在酸性溶液中帶負霣，金屬配鹽7則在酸性溶液中形成S位離子，其表面亦帶負霄，因此可以防止金鼷配鹽，亦即金Κ元素再附著於基板。然而，上述之RCA洗淨法係Κ兩傷槽去除污染基板之金蹰雜霣與微粒，故藥液之洙淨及其後之水洗使得洙淨作業變得複雜，而且洙淨用藥液亦爾酸性與鐮性兩種以上。所Μ此種洗淨法有I»時甚長、洗淨装置亦大型化、成本昂貴等缺失。而且，特開平7-94458號公報所示之洙淨法中，如第 6(c)圄及6(d)圖所示，微粒3之表面在強酸性洗淨液5 中係甫正霣，故雖可以上述理由從半導顦基板1除去金屬雜質4,微粒3卻仍附著於基板1表面，有無法去除之缺貼。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，上述之RCA洗淨法係在同一槽内«相產生氧化與理元甬種作用，故有：（一）由基板表面遊離出去之金臛雄質仍逗留在SCI溶液中，並藉其表面«位再附著於基板表面；（二）SCI溶液中之金靨鑪子蒙欲藉有機酸而S位化，但有櫬酸卻因SCI溶液而受到氧化«元處理乃至分解，致配位化作用極度降低。故RCA洗淨法有因金羼種類而致金屬雜質不能充分除去之缺失。 -5 - 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4現格（210X29?公釐） 463261 經濟部中央標準局貝工消资合作社印袈 A7 ___B7 _五、發明説明（3 ) 本發明之目的在提供一棰附著於半導《基板表面之金羼辕霣及微粒兩者均能有效去除之半導《基板用洗淨液及其洗淨方法。申請專利範麵第1項之發明係為含有0.0001〜0.1重鼉Jt之有機酸及0 . 0 0 5〜0.25重量X之氫氟酸，且pH值為 2〜4之半導«基板用洗淨液。申請專利範圓第2項之發明係W於第1項之洙淨液，其中之有櫬酸係為邐自擰撖酸、琥珀酸、乙二胺四乙酸（ Μ下稱EDTA)、酒石酸、水裼酸、草酸、乙酸、甲酸等所成组群之一種或二種Κ上者。申講専利範_第3項之發明係為Κ含有0.0001〜0.1 重量X之有檐酸及0.005〜0.25重量Ϊ之氫氟酸而其pH值為2〜4之半導鱺基板用洙淨液洗淨半導鱷基板之方法。申謫專利範國第4項之發明係闞於第3項之洙淨方法 ,其中之有嫌酸為選自擰攆酸、琥珀酸、EDTA、酒石酸、水橇酸、草酸、乙酸或甲酸等所成姐群之一種或二種以上者。如第1(a)麗及第1(b)匾所示，將污染之半導«基板 11浸漬於洗淨液15。以想氟酸（HF)去除形成在半導«基板11表面之自然氧化膜12，而自然氧化膜12上之微粒13與金靨雕質14Κ及包含於自然氣化R中之金属雜質14則轉移到洗淨液15中◊由於洗淨液15為含有G.005〜0.25重蛋X 之氫覦酸與0.0001〜0.1重1¾有機酸而pH值為2〜4之酸性溶液，故微粒13表面乃與基板11表面相同的帶有負電 {請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度遥用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部中央標'局屬工消費合作社印製 463261 A7 _B7_ 五、發明説明（4 ) 。而且，遊離至溶液中之金雇雜質14則與有機酸之分子16 形成配位基而變成金属£臁17。該金羼配鼸17之配位離子為負離子。结果，微粒13或金羼轅質14之表面電位均和基板11之表面電位一樣帶負霣，故得Μ防止附著或再附著於基板（第1(c)圓）。將半専體基板11自洗淨液15提起時，卽可獲致乘已洙淨之基板11(第1(d) _)。其次，如第2(a)〜（e)麵所示，洗淨液15被金屬污染時，如將已汚染之半導β基板11浸濱於洗淨液15,亦可藉氬氟酸使形成在半導《基板11表面之自然氧化臢12去除，而自然氧化臢12上之微粒13與金臑觼質UM及包含於自然氧化膜中之金靨嫌質14均轉移到溶液15中。此時，污染洗淨液15之金屬亦連同自基板遊離至溶液中之金靥雑霣14和有檐酸之分子16形成配位基並變成金羼配簾17。由於該金羼配鹽17之配位雕子為負離子，故可和第1圓一樣地防止微粒13或金屬雜質14附著或再附著於基板，將半導髓基板 11自洗淨液15提起時，即可獲致已淨化之基板11。申講專利範園第5項之發明係為一種半専«基板之洗淨方法，其為一邊用至少500η·波長之光埭照射半導«基板表面，一邊Κ含有0 . 0 0 0 1〜0.1重量ί之有拥酸而其ΡΗ 值為2〜4之洗淨液洗條上述半専S基板者。將已污染之半導黼基板浸消於洗淨液，並用至少500 n·波長之光線照射該基板表面。藉由浸漬於洗淨液，附著於基板表面之撤粒及金靥雜質乃轉移至洗淨液中。由於洗淨液為含有0.0 0 0 1〜0.1簠量X之有機酸而其PH值為2〜4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（2!0X297公嫠） I n n I —L n I n n I n Ϊ— I— n Γ - I———— ! (請先閲讀背面之注^|^項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 463261 A7 _ _B7_ 五、發明説明（5 ) 之酸性溶液，故微粒表面乃和基板表面同樣帶負霄。再者 ,遊離至溶硖中之金臞雜霣乃和自有拥酸解雕之分子形成配位基，並變成金屬配獼。該金属R鹽之K位離子為負戆子。结果，微粒或金靥雜質之表面電位均和基板表面一樣圼負«狀故得K防止附著戎再附著於基板。未用光線照射基板表面時，如該洗淨液中之反*達到平衡狀態，則基板表面附近之金羼雜質即無法去除。但本發明中，K光鑲照射基板表面時，光媒照射所提供之光觸媒作用舍促進有櫬酸之埋元解離，使金屬雄質形成金屬配鹽之效應大為提高。因此，基板表面附近之金羼嫌霣之去除效果更佳。申謫專利範園第6項之發明為一種半導*基板之洗淨方法，其為一Λ以至少500η»波長之光線照射半導《基板表面，一邊Μ含有U . 〇〇〇 1〜· 1重量X之有嫌酸與《» ·㈣5 〜0.25重霣Ϊ之S氟酸而pH值為2〜4之洗淨液洗灌半導鰭基板。如第3(a}及3(b)麵所示，將已污染之半専《基板11 浸漬於洗淨液15,並在該基板11之表面照射波長至少500 , ηι之光線20由在申請專利範圃第5項所述之洗淨液中包含氫氟酸UF),且由氫蕹酸除去半導«基板11表面所形成之自然氧化_12,而自然氧化_12上之微粒13及金屬鐮質U與含於自然氧化膜中之金層雜質14則轉移至洗淨液15 中。由於洗淨液15為含有0·005〜0.25重MX之氬氟酸與0. 0 0 0 1〜0.1重量X之有櫬酸而其pH值為2〜4之酸性溶液，故撤粒13乃和基板11表面一樣帶負霣，而且，遊雄 -8 ™ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） I-i„ 裝訂------鍊1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 463261 A7 _B7_ 五、發明説明（6 ) 至溶液中之金羼蟾霣14乃和有機酸之分子16形成R位基，並成為金鼷配》17。該金雇配鹽17之配位離子為負離子。结果，微粒13或金靥雜質14之表面霣位乃和基板11表面霣位一揉屬負霣位，因此得K防止其附著或再附著於基板（第3(c)國）〇基板表面未照射光擦時，該洗淨液中之反應若到達平衡狀態，則基板表面附近之金属雜質即變得無法去除，惟於本發明中，對基板表面照射光線2 0畤，即可藉由光之照射而產生光觸媒作用K促進有檐酸之遢元解雛，使金屬雜質形成金羼配腰之效果提高。因此，基板表面附近金屬雜質之去除效果得以提升》將半等《基板11由洗淨液15提起時，即可獲致已淨化之基板11(第3(d)圃）。申誧專利範_第7項之發明係鼷於第5項戎第6項之洗淨方法，其中，有機酸係選自檸攆酸、琥珀酸、EDT A、酒石酸、水楊酸、草酸、乙酸或甲酸等所成組群之一種或二種Μ上。 Μ上所列述之有檐酸對污染基板之金屬_質雛子具有配位化作用。經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 ϋ.——— ^1. Is I I I I— .―1、批衣- I I I - i - - I I. ,1T (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 申請専利範第8項之半導《基板洙淨方法包括：Μ 有檐酸與氫氟酸混合而成且pH值為2〜4之混合液洗淨半導體基板之第一洗淨程序；及K氧化液濟洗孩半辱體基板之第二洗淨程序。第一洗淨程序中，係和第1(a)〜1(c)圓所示之申請專利範園第3項發明一樣，由已污染之半導鱺基板11去除自然氧化膜12時，自然氧化膜12上之»粒13與金颺雜質14 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS > A4規格（2丨0X297公釐）經濟部中央標準局員工消費合作社印« 463261 A7 B7 五、發明説明（7 ) K及包含於自然氣化膜中之金靥雜質14均轉移至混合液15 中。此時，微粒U或金牖雜霣14之表面電位皆和基板11之表面«位一漾帶負霣，故得以防止其附著成再附著於基板。將半導》基板11由洗淨液15中提起時，即可獲致巳洙淨之基板11。在第二洗淨程序中，係將第一洗淨程序洗淨之基板浸潰於氧化液内，利用該氧化液在基板表面形成親水性氧化膜，同時不使金靨雑霣S位化，而將附著於基板表面之有機酸興有播物除去。藉由氧化膜之形成，可Μ防止空氣中之微粒附著於從氧化液取出之基板表面。申請専利範圃第9項之發明係Μ於第8項之半導鱺基板洗淨方法，其中，第一洗淨程序與第二洗淨程序至少各實腌二次。垤由反覆施行第一洗淨程序與第二洗淨程序，基板表面得Μ更進一步淨化。申講專利範麵第10項之發明係鬮於第8項或第9項之半専霣基板洗淨方法，其中，第一洗淨程序之混合液係含. 有0 . 0 0 0 1〜0.1重董X之有播酸與0.005〜0·25重量X之氫氟酸。由於有櫬酸能令金腸雜質難子充分配位化，故為防止嫌粒再附著於基板起見，Μ採用上述潢度範麵之有鑊酸及 Μ飙酸為佳。申請專利範圍第11項之發明係W於第8項或第10項之半専體基板洗淨方法，其中，第一洗淨程序之有機酸係選 -1 0 - 本紙張尺度適用中圉國家揉準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） ---------.---^-------ΤΓ------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 6 32 6 1 A7 B7___ 五、發明説明（8 ) 自樺檬酸、琥珀酸、EDTA、酒石酸、水楊酸、草酸、乙酸或甲酸等所成组群之一種或二種以上者。上述列奉之有機酸對污染基板之雑霣金羼雛子有E位化作用。申讅専利範圃第12項之發明係醑於第8項或第9項之半導«基板洙淨方法，其中，係在第一洗淨程序之绲合液中將-導tt基板腌Μ超音波洗淨者》藉由超音波洗淨，微粒得以更確實地從基板表面除去。申讅専利範園第13項之發明係闞於第8項或第9項之半導β基板洗淨方法，其中，第二洗淨程序之氧化液係為溶解有奧氧之水溶液、邊氧化氫水溶液或硝酸者。上述列舉之氧化液具有在基板表面形成氧化_及將附著於基板表面之有«酸或有拥物分解除去之作用。發明之實梅形態經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之洗淨液係按照所欲除去之金屬雜霣種類來決定有«酸之種類及其滬度。該洗淨液之ΡΗ值為2〜4有櫬酸在洗淨液中之濃度0.0001〜0.1重量X。較佳濃度為0.003 〜0.006重量ί。若不足0.0001簠量X,則自基板表面遊離之金羼雜質雛子之配位化作用不足；而超通0.1重量X 時，則有徵粒再附著量增加之缺點。邂用於本發明之有糖酸除檸攆酸、琥珀酸、EDTA之外，尚有酒石酸、水楊酸、草酸、乙酸、甲酸等，並且播著構成雜質之金羼元素種類，缠當地自該等有櫬酸中遘定 1種或2種以上。 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210Χ297公釐> 463261 Α7 Β7 五、發明説明（9 ) 再者，洗淨液中含有氬氟酸時，該氬氟酸之濃度為 0 . 005〜G.25屋量X,其中尤M 0 . 00 5〜0.10重fiX為佳， 0.05〜0.1重最ί更佳。不足0.005重量X時，對半導髖基板表面之自然氧化膜缺乏剝離作用，超通0.25重量X 畤，洗淨液會成為PH值在2以下之強酸，使洗淨液中之有櫬酸解離作用受到抑制，不但K位化作用降低，微粒之表面霣位變成正電位，微粒又再附著於基板表面。在洗淨時若加上光媒照射，則照射於半専髖基板之光線波長至少須30 Dni,其中以500〜9ίί0ηι為佳，更隹則為 6 0 0〜7〇0ηιι。不足5 0 0 ηι時，半導嫌基板附近之光觸媒作用較弱，有檐酸無法邐元解縷，再者，光媒照度越高，照射量越多，光觸媒作用增加，得以促進有機酸之堪元解離。因此，可Κ看出配位離子形成能力能夠提升，基板表面附近之金臑雜質之去除效果較佳。經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 申請專利範園第8項之發明中，第一洗淨程序之混合液Μ第1項所述之洗淨液為佳；第二洙淨程序之氧化液則有臭氧溶解水溶液、通氧化氳水或硝酸。其中，臬氣溶解水溶液不但婢度高，低漘度即富有氧化力，且容易取得，甚為理想。該奥氧溶解水溶液之奧氧溻度Μ 0·5ρρη以上為佳。不足0.5ρρ·時，雞以在基板表面形成親水性氧化膜，且附著於碁板表面之有櫬酸與有播物之分解去除作用降低。奥氧對婢水之溶解界限約為25ρρ·,故溶解臭氧水溶液之臭氧濃度以5〜2 5ρρβ較佳。其次說明Μ矽晶園為代表之半辱體基板被金靥雜霣污 -12- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X297公釐）經濟部中央標準局貝工消費合作社印策 4 6326 1 A7 B7 五、發明説明（10 ) 染且使用氲氟酸洗淨時，金靥雜質附著並析出於基板之現象，K及使用氬氟酸與有機酸洗淨時，金屬籌質附著並析出於基板之現象。 (a) Μ氫氟酸洙淨時，金羼附著並析出於晶圓之現象不會對晶圃表面產生胜刻之溶液中含有金羼雛子，該溶液中之金屬雜質附著於晶圓表面時，一般而言，此種附著金羼可以分為容易形成矽化物之元素及容易形成矽酸鹽之元素等兩種。容易形成矽化物之元素有易與矽结合之Cu 、Ni等，容易形成矽酸鹽之元素有易和矽结合之l?e、Α1、 Ζη等。例如以高灞度之氩氟酸洗淨矽晶圓時、晶圓表面之自然氧化膜被除去，約90Χ之晶圓表面為氬所處理。因此，晶圓表面霣位降低，容易形成矽化物之Cu、Hi等乃自晶圆表面取得霣子並附著於晶圔表面。霣子從晶面表面轉移至Cu離子等離子狀態之容易度係取決於溶液中之界面位準。在上述狀態下，界面位準係在接近矽晶圓之界面位準之狀態，電子會按照霣子遷移通程而轉移，结果，此棰金 _難子乃轉移至晶圃表面。相對地，K低濃度之氪覦酸洗淨矽晶圖時，對自然氧化腠之蝕刻能力降低，自然氧化膜殘留於晶圓表面之比例增加，容易形成矽酸《之Fe、Al、Zn等乃附著於晶圓表面。此種狀態下，附著狀應之金羼元素與晶圆表面間之界面位準相差甚大，上逑之霣子遷移逢程不會輕易產生。比起與矽直接结合，Fe離子等與氧结合K形成氧化物時，其應超越能里差距較小。因此，Fe離子等並不是離子遷移， -1 3- 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS Μ4規格（21 ο X 297公釐） --------.---λ------IT------乂 (請先閲讀背面之注意ί項再填寫本頁) 經濟部中夬椟準局貝工消費合作社印裝 632 6 1 A7 B7五、發明説明（11) 而是屬於有頼Fe離子與氧化矽兩者接觸頻度之化學反應糸。 (b)用氳氟酸與有機酸洙淨時金屬附著於晶固並析出之規象从氫氟酸與有檐酸之混合酸作為洗淨液時，此種金腸之附著析出現象可K視作以上述（a)為基礎之複合系。亦即，根據S蕹酸與有櫬酸在洗淨液中分別Μ何種程度存在 .上逑附著析出現象畲有變化。決定此附著現象之因素為酸之離解常數或鬣雛常數。此常數較大時，有較多的質子放出，使酸之離子狀魅增加。在氫氟酸與有播酸之混合系中，可以看出酸之雛解常數較大者，較優先《解。將氳氟酸及各種有播酸之第1離解常數依大小_序排列時，即成下列之式（1)。筚酸>EDTA>酒石_>擰攆酸_氫氟酸>«珀酸 >乙酸 .......(1) 由氫氟酸與有攮酸混合而成之本發明洗淨液中，根據上述（1)式之Μ係改變有埔酸之種類與氩氟酸之瀟度時，金屬之附著析出現象會如何變化，尚未充分明瞭，但可作. 如下之推_。 ①包含草酸、EDTA或酒石酸與氫氟酸之洗淨液以酸離解常數大於氫氟酸之有機酸與氫氟酸洙淨被金靨雜霣污染之矽晶圆時，與軍獨氬氣酸之洗淨液比較起來，由於有櫬酸之離解度甚強，故氳氟酸不會離解，容易以分子之形態殘留於洙淨液中。因此，氧化矽乃與HF分子產生化學反應而分解，使晶固表面為氫所處理。HF分子愈 -1 4 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 46326 ί Α7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Β7五、發明説明（12 ) 多，換言之，Μ氟酸之瀠度愈高，自然氧化膜愈容易除去 ,Cu等容易形成矽化物之金臑愈容易附著與析出。但是» 著有檐酸量之增加而發生之附著量減少等情況係有拥酸離子之配位效«影響所致。另一方面，Fe等容易矽酸鹽之金颺即難以附著與析出。此種Pe之類的金層會贜著有拥酸灞度之增加而容易形成配位«子，使對晶國表面之附著量滅少。 ②含有琥珀酸或乙酸及氫氟酸之洙淨液以酸鐮解常數小於氬氟酸之有櫬酸與氬氟酸來洗淨被金屬雜質所污染之矽晶圓時，由於氫氟酸之離解度很強，故難M HF分子之形態殘留，對自然氧化厲之胜刻能力乃下降。因此，自然氧化膦乃殘留下來。氬鎮酸之濃度愈高， Cu等容易形成氧化矽之金羼即難以附著析出。另一方面， Fe等容易形成矽酸«之金雇卻容易附著析出。但是Fe之類的金羼則因為有機酸禳度之增加而容易形成配位艨子，使對晶面之附著置減少》 @含有擰攆酸與氩氟酸之洗淨液撺欏酸與氩氟酸在離解能力上幾乎沒有差別，因此金靨對晶圃之附著析出之情形係就撺懞酸輿氫氟酸之濃度較高者所支配。亦即，氫氟酸之濃度愈低於擰懞酸，擰攆酸愈佔優努，故氫氟酸越難離解，越容易KHF分子狀態殘留。因此，自然氧化臢得以除去，Cu等容易形成氧化矽之金雇容易附著析出。相對地，氫氟酸之濃度越高於撺樺酸之澹度f氫氟酸之»解度較優勢，但不雕解之H F分子亦if加 -15- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 463261 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裝 A7 B7五、發明説明（13 ) ，故自然氣化鼷得Μ去除，Cu等容爵肜成氧化矽之金屬亦容易附著析出。另一方面，Fe等容易肜成矽酸醴之金羼亦容易附著析出。但是Fe之類的金靥又由於有機酸澹度之增加而容易形成S位離子，使對晶圓表面之附著最減少。實施例其次說明本發明實雎例與比較例。實施例1至9 如表1所示，分別在«水中混入0.0006菫量X、0.006 重量X及0.06重量S!之擰攆酸作為有嫌酸。另在0.0006 蜃量3；之擰檬酸水溶液中分別添加0.005重fiX、0.05蚩量X及G.5重量！t的氫氟酸而製得洗淨液。又在0.006重量X之擰捶酸水溶液中分別添加〇·〇〇5重董X、0·05簠ϋ X及0.5重董X之氫氟酸而製得洗淨液》此外，復於0.06 重霣X之擰攆酸水溶液中分別添加0.Q05屋量S及0.05重霣2及0.2 5里量X之氬氣酸而製得洗淨液。此等洗淨液之 ΡΗ值捃示於表4中。實施例16〜21 如表2所示，分別在純水中混人0.00008重量J；及 0.0008簠量3!之乙二胺四乙酸（EDTA)作為有櫬酸。另在 0 . 00008重量X之ΟΤΑ水溶液中分別添加0 . 005重董X、 0.05重量X及0.25重量X之氰氟駿而製得洗淨液。此外，又在0.0008簠董X之EDTA水溶液中分別添加0.0G5重量X、0.05里最％及25重量3；之氫氟酸而製得洗淨液。該等洗淨液之pH值掲示於表4。 —1 6 _ ---------------ΪΤ------奇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 463261 經濟部中央標準局負工消費合作社印策 A7 B7五、發明説明（14 ) 實施例22〜27 如表2所示，分別在摊水中混入0.0003重躉3{及0.003 重量X之酒石酸作為有«酸。另在0.0003簠嫌J：之酒石酸水溶液中分別添加0.005簠最X、0.05重霣X及0.25簠量X之fi氟酸而製得洗淨液。此外，又在〇.〇〇03簠量《之酒石酸水苗液中分別添加0.005簠曼X、0.05簠最X及 0.25重量X之氩氟酸而製得洗淨液.。該等洗淨液之PH值掲示於表4。實施例28〜36 如表3所示，分別在婢水中绲人0.01)027璽量X、 0.0027重董2及0.027重Μ之草酸作為有襯酸。另在 0 . 0 0 0 27重量X之草酸水溶液中分別添加0.005重量{、 0.05重最X及0.25簠量；{之氬覦酸而製得洗淨液。此外，又在0.0(127重量X之草酸水溶液中分別添加0.005里量X、0.05重JKX及0.25重董X之氩氟酸而製得洙淨液。再於0.02T里量X之箪酸水溶液中分別添加Ο·β05簠霣 X、0.05重量X及0.25菫量X之氫氟酸而製得洙淨液。此等洙淨液之ΡΗ值掲示於表5。實施例37〜42 如表3所示，分別在婢水中混人0.00018重量1；及 0.018重量X之乙酸作為有襪酸。另在0.00018簠1J!之乙酸水溶液中分別添加0.005重昼X、0.05重量J!及0.25 重最％之氫氟酸而製得洗淨液。又在0.018瘇量X之乙酸水溶液中分別添加〇·〇〇5重霣X、0.05重SX及0.25重 -17- ------„-------^------1Τ------^ {諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國®家梯準（CNS ) Α4規格（2丨〇X 297公釐） 4 經濟部中央梂準为負工消費合作社印聚 6 326 1 A7 B7五、發明説明（is ) 最》之氬氟酸而製得洙淨液。此等洙淨狭之PB值揭示於表 5 〇在該等室溫洗淨液中分别按100ppb之比例強制添加 Fe、Hi、Cu、Zn及AI等5種金颺離子，K及按8000儀/ 〇.1·1之比例強制添加粒徑為0.294«鼸之聚苯乙烯乳腰粒。上述金羼濃度約為一般溶液所含金屬濃度之1GQ0倍Κ 上。另一方面，準備 KSC1 溶液[H*0: H*0a(30X): ΝΗ«0Η (29ί)=5: 1: 0.25之混合液】洗淨之矽晶圓，將该晶園浸潰於上述洗淨液中10分鐘後，Κ超纯水濟洗10分鑪，繼用鼴心力除去晶圓表面之液嫌，使之乾嫌》薄由上述方式進行晶圓表面自然氧化篇之剝霪、金羼雜質之配位離子化以及晶圆/微粒/金屬鴒質等各表面霣位之控制後，矽晶圆即洗淨完畢。比較例1 以習知RC Α洙淨法作為比較钶1。亦即，首先將已用其他SCI溶液洙淨之矽晶圓浸漬於按相同於*旆例之比例添加有相同於霣施例之金羼《子與微粒的SCI溶液丨H*0 :. H*Oa(30X>: HH*0H(29X)=5: 1: 1之混合液】中，加熟至 75〜80TC ,並在80t：保持10分鐘。該矽晶圔用超純水清洗後，浸漬於H2〇: HF( 49X) = 50 : 1之混合液中15秒鐘，再K 超纯水濟洗。_將淸洗邊之矽晶圓浸漬於SC2溶液[[Hz〇 :Η z 0 2 ( 3 0 J；) : H C 1 ( 3 7 Ϊ ) = 6 : 1 : 1 之混合液],加热至 7 5 〜8 GO,在80笱保持10分鐘。然後，和實施例同樣地用超婢水濟洗矽晶圓，並加Μ乾煉。 -18- --------------_裝------訂------泉 <诗先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 4 632 6 1 A7 ___B7_ 五、發明説明（U ) 比較例2 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 在典水中混入〇 . 0 〇 5重最！{之乙二胺四乙酸作為有機酸，並在該混合液中添加1重最：之氫氟酸，將PH值調整至1而製得洗淨液〇按照相同於實豳例之比例在該洙淨液中添加相同於實廉例之金颸雛子及微粒後，將矽晶圃沒漬於該洗淨液中10分鐘，然後與實施例同樣地用超水將矽晶圆濟洙，乾淨並加以乾煉。比較例3 在純水中混入0.05重量1!之氢氟酸作為洗淨液。按照相闻於實施例之比例在該洗淨液中添加相同於實腌例之金羼離子及微粒後，將矽晶蹰浸潰於該洗淨液中10分鐘，然後與實施例同樣地用超炖水將矽晶画濟洗乾淨，並加K •乾嫌。比較例4 經濟部中央標準局負工消費合作社印製在婢水中混入0.25重最》之氬氟酸作為洗淨液。按照相同於賨施例之比例在該洗淨液中添加相同於實施例之金厲雛子及微粒後，將矽晶圓浸漬於該洗淨液中1Q分鏟，然後與實腌例同樣地用超炖水將矽晶圃濟洗乾淨，並加Μ 乾嫌。比較試驗與評霣 (a)金靥雜質濃度分別以實腌例1〜4、7〜11、14、13、17、13、21〜 23、2 6〜29、31、34、35、37〜42及比較例1之洗淨液清洗矽晶圓，然後测定該等洗淨後之矽晶圓表面之金屬雜 -19- 本紙張尺度適用_國國家標準（〇阳）八4規格（210><297公釐） 463261 A7 _______B7__ 五、發明説明（1·?) 質濃度。該金屬雜霣濃度之洒定係將舊氟酸輿硝酸之混合酸滴在洗淨後之矽晶圓中央部，令該液滴在晶圓表面來回潦動，使其逋及整傾晶固表面，然後將該液滴回收，並Μ 原子吸光分析法加以分析，其结果掲示於表1〜表3。由表1〜表3可以確認上述①〜③之金羼具有附著吸出現象。 (b)粒子相對蝤加量分別 Μ 實施例 1、4、7、12、15、18、2 0、22、24、 26、31及比較例1〜4之洗淨液淸洗晶圓，然後測定洗淨後之各晶圓表面之粒子殘留粒子。該殘留粒子數之拥定係 Μ微粒計算器（particle counter)計算粒徑在0.2jub Κ 上大小之粒子，其结果掲示於表4及表5。由表4及表5可K明白顯示出上述寊廉例及比較例1 之各洗淨液濟洗之晶圃表面分別殘留有8〜78個微粒。相對地，使用比較例2〜4之洗淨液濟洗者殘留218〜2123個粒子。由此可知，實施例之洗淨液較諸比較例2〜4之洗淨液更簾洗淨殘留粒子。 I J - 裝 I n I - I 1 - I ^ l— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐} 463261 C表1】氫氟酸濃度 (wt%) 有撤酸有機酸濃度 (wt%) 金屬雜質濃度名稱 F e Ν ί Ζ η C u A 1 1 0.0006 4.5 X1011 < 1 χιο10 < 1 ΧΙΟ10 4.3 ΧΙΟ11 < 1 χιο10 2 0.005 0.006 2.6 ΧΙΟ11 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 2.6 ΧΙΟ14 < 1 ΧΙΟ10 3 0.06 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 6.2 ΧΙΟ12 < 1 ΧΙΟ10 実 4 0.0006 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 <1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 5 0.05 擰檬酸 0.006 -- — — — 6 0.06 — — 7 0.0006 < 1 χιο10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 2.7 χιο12 < 1 ΧΙΟ10 施 8 0.25 0.006 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 3.0 ΧΙΟ12 < 1 ΧΙΟ10 9 0.06 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 2.9 ΧΙΟ12 < 1 ΧΙΟ10 10 0.005 0.00003 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 7.3 ΧΙΟ11 < 1 ΧΙΟ10 11 0.003 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 χιο10 1 ΧΙΟ12 < 1 ΧΙΟ10 例 12 0.05 琥珀酸 0.00003 — 13 0.003 — 14 0.25 0.00003 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 1.5 ΧΙΟ11 15 0.003 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 1 ΧΙΟ11 -21- 【表2】氫氟酸濃度 (wt%) 有機有機酸濃度 (wt%) 金靥雑質濃度名稱 F e Ν i Ζ η C u A 1 16 0.005 0.00008 — — 17 0.0008 <1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 18 0.05 EDTA 0.00008 — 実 19 0.0008 2 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 <1 ΧΙΟ10 2 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 20 0.25 0.00008 — 施 21 0.0008 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 4 χιο11 < 1 ΧΙΟ10 22 0.005 0.0003 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 1.1 ΧΙΟ13 < 1 ΧΙΟ10 23 0.003 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 7.7 χιο12 < 1 ΧΙΟ10 例 24 0.05 番石酸 0.0003 — ' — 25 0.003 — — 26 0.25 0.0003 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 1.8 χιο12 < 1 ΧΙΟ10 27 0.003 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 4.3 ΧΙΟ11 < 1 Χίο10 22- 463261 【表3】氬氟酵 ί有機酸有機酸金屬雜質濃度濃度 (vt%) * m 濃度 F e Ν i Ζ η C u A 1 28 0.00027 4.5 ΧΙΟ11 <1 ΧΙΟ10 29 0.005 0.0027 <1 ΧΙΟ10 <1 ΧΙΟ10 <1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 <1 ΧΙΟ10 30 0.027 — --— 実 31 0.00027 — 1.6 ΧΙΟ13 1.2 ΧΙΟ10 32 0.05 草酸 0.0027 — 33 0.027 — —"- —— 34 0.00027 2.6 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 4.8 ΧΙΟ13 <1 ΧΙΟ10 施 35 0.25 0.0027 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 4.3 ΧΙΟ12 < 1 ΧΙΟ10 36 0.027 — 37 0.005 0.00018 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 9 ΧΙΟ12 4.9 ΧΙΟ1。 38 0.018 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 1.5 ΧΙΟ12 < 1 ΧΙΟ10 例 39 0.05 乙酸 0.00018 < 1 ΧΙΟ10 < 1 X10LQ < 1 ΧΙΟ10 5.2 ΧΙΟ11 1.3 ΧΙΟ10 40 0.0018 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 4.7 ΧΙΟ11 1 ΧΙΟ10 41 0.25 0.00018 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 Χίο1。 1.1 ΧΙΟ12 < 1 χίο10 42 0.0018 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 5.4 ΧΙΟ11 < 1 ΧΙΟ10 比較例 1 (RCA洗浄） < 1 ΧΙΟ10 < 1 ΧΙΟ10 1.0 ΧΙΟ10 1.5 ΧΙΟ11 4.0 ΧΙΟ10 4 (S326 1 【表4】氫氟酵濃度有機酸 « m -有櫬酸濃度 i wtX) pH 0.2// κιΚ上微粒之附着數（個）実 1 0.005 檸檬酸 0.0006 3.0 12 2 0.006 2.9 3 0.06 2.3 4 0.05 0.0006 2.8 15 5 0.006 2.4 6 0.06 2.2 — 7 0.25 0.0006 2.0 64 8 0.006 2.0 9 0.06 2.0 ——™ 10 0.00003 3.2 — 11 0.005 0.003 3.2 — 12 琥珀酸 0.00003 2.7 51 13 0.05 0.003 3.4 施 14 0.00003 2.0 — 15 0.25 0.003 2.0 72 16 0.00008 3.1 17 0.005 0.0008 3.0 -^ 18 EDTA 0.00008 2.4 8 19 0.05 0.0008 2.3 — 例 20 0.00008 2.0 16 21 0.25 0.0008 2.0 — 22 0.0003 3.1 49 23 0.005 0.003 2.4 — 24 龆酸 0.0003 2.8 41 25 0.05 0.003 2.1 26 0.0003 2.0 78 27 0.25 0.003 2.0 -24 — 4 6326 1 ◎【表5】 g氟酸有機酸有機酸 0.2i/ mM上微粒濃度濃度 pH 之附着數（個） (wt%) 名稱 (tft%) 28 0.00027 3.0 29 0.005 0.0027 2.6 — 30 0.027 2.0 — 実 31 0.00027 2.9 43 32 0.05. 箄酸 0,0027 2.7 --- 33 0.027 2.4 34 0.00027 2.0 施 35 0.25 0.0027 2.0 36 0.027 2.0 — 37 0.00018 3.1 38 0.005 0.0018. 2.9 — 例 39 乙酸 0.00018 2.9 40 0.05 0.0018 2.8 — 41 0.00018 2.0 42 0.25 0.0018 2.0 1 (RCA洗浄） — 10 比 - 2 1.00 EDTA 0.005 1.0 2123 較 3 0.05 ——- 218 例無 4 0.25 一 1542 -25- 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 463261 A7 _B7_ 五、發明説明（23 ) 實施例43 首先，在 SCI 溶液[H2〇: H2〇2(30X): HH«0B(29X) = 5 :1: 0.25之混合液]中添加Fe離子lOflppb,並升澴至 80 Ό，其次，將矽晶画浸憒於該80 t：之溶液中10分鏟，然後清洗10分鐘，再用雛心力除去晶圓表面之液滴，並使之乾燥。另一方面，在婢水中混人0.Q06屋量X之搏懞酸而製得PB值為4之洗淨液。將被上述金屬污染之矽晶豳浸溃於室溫之此種洗淨液中10分鐘。對該矽晶画表面照射照明度為100,000勒克（Lux)波長為500 η·之光線。然後，用超纯水淸洗該矽晶圓10分鐘，薄Μ施行晶圖表面自然氧化謓之剝離、金屬雜質之配位離子化及晶圚/微粒/金屬譫質等各表面霣位控制，矽晶圃之洗淨便告完成。實腌例44 除照射光線之波長改為550η· Μ外，其他矽晶園之洗淨條件與步骤和實施例43相同。實胨例45 除照射光埭之波長改為600η· Μ外，其他矽晶翮之洗淨條件輿步驟和實腌例43相同。實施例46 除照射光嬢之波長改為650 πβ Μ外，其他矽晶面之洗淨條件與步驟和實fe例43相同。比較例5 除未照射光線外，其他矽晶圓之洗淨條件與步驟和實 -2 6 - 本紙垠尺度適用中國困家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---"------.---裝-----.—訂------j (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 4 632 6 1 A7 B7 五、發明説明（24 ) 施例43相同。比較例6 除照射光鎳之波長改為45ttns Μ外，其他矽晶圄之洗 / 淨條件與步驟和實拖例4 3相同》其次檢査以實施43〜46及比較例5、6所洗淨之矽晶圆表面之Fe澹度。該金羼雜質濃度之測定係將氫氟酸與礴酸之混合酸液滴在洙淨後之矽晶圆中央部，令該液滴在晶圃表面來回流動，使其遒及整個晶圓表面，然後將該液滴回收，並K原子吸光分析法加Μ分析，其结果掲示於第4 國。由第4圖即可明瞭，如實豳例4 3〜46所示地將照射光線之波長設定500 η· Μ上時，與波長在450 η·以下之比較例及6比較之下，Fe濃度妁減少一大節。實施例47 K下述之方法準供表面預先附著有Al、Fe、Cu、Ni及 Zn等5種金属之矽晶圔。首先，在SCI溶液【B«0: B2〇2( 30Χ) ： 8Η«ΟΗ(29Χ) = 5 : 1 : 0 . 25 之混合液]中分別以 100 ppb之比例強制添加Al、Fe、Cu、Ni及Zn等5種金廳。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將該溶液升溫至8QTC，其次將矽晶圆g漬於此8〇υ之溶液中10分鐘後，進行清洗10分鐘，用離心力除去晶圓表面之液滴，使之乾燥。在作為第一洗淨程序之步驟中，對纯水混入0.006重最X之擰搛酸當作有《酸，並於該水溶液中添加0.05重量X之氫氟酸，將ΡΒ值諝整至3.0而製得洗淨用混合液》 -27- 本紙張尺度逋用中國國家榇準（CNS > Α4現格（210X297公釐） 463261 A7 B7 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製五、發明説明（25 ) 將受上述金蹰雜質污染之矽晶画浸漬於室溫下之ft種绲合液中^霣施超音波洗淨分鐘。然後用超純水清洗該矽晶固10分鐘。繼於作為第二洗淨程序之步鼸中，將該已洗淨之矽晶圃浸漬於臭氧濃度為8PP1之室溫溶解奥氧水溶液中10分鏟。然後，用超纯水濟洗該矽晶圆分鐘。再來則是以上述第一洗淨程序將該晶固»施再洗然後又K第二洗淨程序實施再洙淨。亦即，第一洗淨程序與第二洗淨程序係分別進行兩次。比較例7 以習知RCA洗淨法作為比較例7»亦即，首先和實雎例4 7同樣地將受金靥雜質污染之矽晶圓浸清於SCI溶液[ Η 2 0 : Η ϋ 0 * ( 3 0 X > : N Η * Ο Η ( 2 9 Ϊ > = 5 : 1 : 1 之混合液 1 ,加热至75〜8010,在80t：保持10分鐘。將該矽晶圓用超純水濟洗後，又浸憒於H*0: HF(49X)=50 : 1之混合液中15秒鐘，再用超婢水清洗。_之，將淸洗後之矽晶圃浸撗於SC2 溶液[Η20: Ηί〇2(3〇χ): HC1(37!£)=6: 1: 1 之混合液 j 中，加熱至75〜80tJ ,於8010保持10分鐘。之後，與實旅例 4 7同揉地用超純水潇洙矽晶囿。用上述SCI溶液將此矽晶圓再洗淨之後，又以上述 SC2溶液雎行再洙淨。亦即，SCI溶液之洗淨與SC2溶液之洗淨分別實施兩次。比較試驗與評量將分別以實腌例47與比較例7洙淨後之矽晶圓就其晶 -28- (讀先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) 本紙朵尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） a 經濟部中央揉準局員工消費合作社印^ 6326 1 A7 B7五、發明説明（26) 圃表面之金靥嫌霣濃度加以拥定。該金屬嫌霣瀰度之澜定係將氣氟酸與硝酸之混合酸液滴在洗淨後之晶圓表面中央部，令該液滴來回淀動，使其缠布整價晶圓表面，然後將該掖滴回收，用原子吸光分析法分析之，其结果掲示於第 5圄。如第5圓即可明瞭，與用朁知RC A洗淨法施行洗淨之比較例7所得晶圓相比，除了 Ni溻度相等之外，賁施例47 所得晶圔在其他5種金羼方面均大約1大節K上之洗淨效果。尤其是Al、Fe、Ni及Zn等4種金羼均在10X10·原子 /c·*以下。此外，Fe與Ni之向下筋頭係表示檢测界限Μ下。發明之功效如上所述，若依照申請専利範園第3項之洗淨方法， •則可Μ在軍一槽中進行基板表面自然氧化胰之剌離、金羼雑質之配位鐮子化及基板/嫌粒/金屬雜質等各表面霣位之控制等3種作用檐構，而得Κ將金屬雑質及微粒兩者從半導體基板有效的去除。结果，與習知RC Α洗淨法比較，洗淨程序得K籣化，洗淨用蕖液亦只要氫氟酸與有播酸甬種即可，只要用小型装置在短時間內即可洗淨，洗淨成本得 K降低。再者，若依照申請專利範画第5或6項之洗淨方法，使用光線照射所產生之光觸媒作用可促進有楢酸之堪元離解，大幅提高金謳雜霣形成金«配鹽之效果，故基板表面附近之金羼雜質去除功效得以提升。洗淨用第液也只要有棟酸1種或氫氟酸與有櫬酸2種即足夠。 -29- ----^---„---------.訂-------竣' y (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙涑尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 463261 經濟部中央橾準局負工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（27 ) 而且，若依照申請専利範圃第8項之洗淨方法，係以第一洗淨程序進行基板表面自然氧化膜之剝離、金靥雜質之配位離子化及基板/微粒/金靨雜質之各表面電位控制等三種作用播溝，使金羼雜質及微粒兩者從半専髖基板有效除去後，再Μ第二洙淨程序在基板表面形成氧化謨，同時將附著於基板表面之有播酸與有櫬物分解除去，因此，與習用RC Α洗淨法比較，微粒與金颺雑質兩者均可有效去除，洗淨用蕖液也只要氫氟酸、有櫬酸及氧化液三種即可。圓面之簡軍脫明第1骊係揭示以申謫專利範醑第1項之洗淨液進行洗淨時之洗淨櫬構圖；第2圃係揭示从申講専利範画第1項之洗淨液進行洗淨時之另一洗淨機構騰；第3困係揭示Μ申請專利範画第6項之洗淨液進行洗淨時之洗淨捆構圈；第4圖係揭示照射光埭之波長改變時之實施例及比較例在Fe去除效果方面之匾示；第5圈揭示Μ實施例4 7與比較例7洗淨後之晶圆表面之金羼雑質溻度比較園；第6圈掲示以習知洗淨液進行洗淨時之洗淨櫬構圈。符號之說明 11----半導嫌基板 12----自然氧化膜 13....撤粒 14....金靥雜質 -30" ---·-------.---^------ΤΓ------線-! (請先聞讀背面之注意事項再域寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 46326 1 A7 B7 五、發明説明（28) 15----洗淨液 16——有櫬酸分子 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作'社印製 -31- 本紙浪尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公釐>

Claims

經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 463261 年9月匕ϋ漬正./'更-玉,/..補光序 pc 第87H0206號專利申請案民國和年7月（日修正申請專利範圍 1. 一種半導暖基板之洗淨液，係含有〇〜1 重量Ϊ之有機酸與0 . 0 0 5〜0·25重量χ之氫氟酸而其pH值為2〜4者。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體基板之洗淨液，其中，該有機酸為選自檸檬酸、琥珀酸、乙二胺四乙酸、酒石酸、水楊酸、草酸、乙酸及甲酸等所戚組群之一種或二種以上者。 3. —種半導體基板之洗淨方法，其特戡係Μ含有 0.1)001〜0·1重量X之有櫬酸與0 . 0 0 5〜0.25重SX之氫氟酸而其pH值為2〜4之半導體基板用洗淨液來洗淨半導體基板者。 4. 如申請專利範圍第3項之半導體基板之洗淨方法，其中，該有機酸為選自擰攆酸、琥珀酸、乙二胺四乙酸、酒石酸、水揚酸、草酸、乙酸及甲酸等所成组群之一種或二種Μ上者。 5. —棰半専體基板之洗淨方法，係一面用波長至少 500ηιιι之光線照射半導體基板表面，一面以含有〇.〇〇〇1〜木紙張尺度逋用中國國家標车（CNS)Μ規格（210x297公釐） ΐτ.^ (請先聞讀背面之注意事項再行繪製) 463261 E6 F6 〇·1重量3：之有機酸而其pH值為2〜4之洗淨硖來洗淨上述半導體基板者。 6.—種半導體基板之洗淨方法，係一面用波長至少 500 nn之光線照射半導體基板表面，一面以含有o.oool〜重量5!之有櫬酸及0.00 5〜0.25重量3；之氫氟酸而其 ΡΗ值為2〜4之洗淨液來洗淨上述半導餵基板者。 7· 如申請專利範園第5項或6項之半導體基板之洙淨方法，其中，該有櫬酸為選自擰檬酸、琥珀酸、乙二胺 Ε3乙酸、酒石酸、水楊酸、箄酸、乙酸或甲酸等所成组群之一種或兩種者。' 8·—種半導體基板之洗淨方法，係包括： Μ有機酸與氫氟酸混合所得而其pH值為2〜4之混合 (請先閲讀背面之注意事項再行繪褽) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製法次淨 1 方兩洗0. 。淨行之 ~ 序洗施板01 程之各基ϋο 淨板少39ϋ 洗基至導有及二體係半含 ;第導序之係序之半程項液程板之淨 9 合淨基項洗或绲洗歷〇〇二〇〇之一導第第第，序第半圍與圍程之述範序範淨板上利程利洗基淨專淨專一體洗請洗請第等液申！申，半化如第如中淨氧， .其洗用 9‘ 中10，來其。法液，者方本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS > A4規格（210X297公釐） 46326 1 Ε6 F6 與酸機有之 % 量 i 簋者酸氟氫之 X 量 βΒ 3_3 法珀方琥淨、洗酸之攆板擰基，自體.S 導為半係之酸項機 8 有第之圍序範程利淨專洗請 f 申第如， . 中 11其甲或酸乙 % 酸草 ' 酸揚。水者、上酸以石種酒二、或 At 酵種乙一四之胺群二组乙成、所酸等法珀方琥淨、洗酸之攆板擰基自體選専為半偽之酸項機 ο - 1 有第之圍序範程利淨專洗請一申第如， . 中 12其酸甲或酸乙 \ 酸草、酸楊。水者、上酸 Μ 石種酒二、或酸種乙一四之胺群二组乙成、所酸等淨板洗基之體板導基半體將専中半莪之合項混 9 之或序 8 程第淨園洗範一利第專在。請依者申，淨如中洗 . 其音 3 1 ，超法施方實淨疲洗溶之水板氧基臭體解導溶半為之係項液 9 化或氧 8 之第序圍程範淨。利洗者專二酸請第硝申，或如中氫其化 14，氧法過方、 (請先閲讀背面之注意事項再行熗製) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製本紙張尺度逋用中國國家橾率（CNS ) Α4见格（210Χ29：?公釐）