4 6 3 ; > A7 _____m___ 五、發明說明（f ) -發明之領域 本發明係關於一種單體電容器、一種接線基板、一種 去耦電路、以及一種高頻電路，特別係關於一種能有效地 應用在高頻電路的單體電容器，以及分別藉著使用該單體 電容器所形成之接線基板、去耦電路、以及高頻電路。 相關先前技術之說明 傳統最典型之單體電容器係具有一個包含例如由陶瓷 介電質製成之複數層疊層介電層的電容器主體，以及在介 電層之疊層方向交替地透過預定之介電層彼此相對排列的 複數組第一及第二內部電極，以形成複數個電容器單元。 第一及第二外部端點電極係分別形成在該電容器主體之第 一及第二端面上。第一內部電極係延伸到該電容器主體之 第一端面上’該第一內部電極係電氣連接至該第一外部端 點電極。此外，第二內部電極係延伸到第二端面上，其係 電氣連接至該第二外部端點電極。 在此種單體電容器中，對於從第二外部電極流至第一 外部電極的電流而言，其係從第二外部電極流至第二內部 電極，且接著從第一內部電極流至第一外部電極。 電容器之等效電路能表示爲C L R串聯之電路，其中 C表示該電容器之電容’ L表示等效串聯電感（E S L ) ，而主要爲電極之電阻値的R稱之爲等效串聯電阻（E S R )。 在此等效電路中’共振頻率（f 係表示爲f 1 3 本紙張尺度適闬中國S家標準（CNS)A‘l規格（2i〇x 297公釐） 111 — I 暑 I — — — —— if -111111( -11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4 63'〕 五、發明說明（i ) /〔 2 αχ ( LxC ) 1/2〕。當頻率高於該共振頻率時’ 該電路不再表現爲電容器特性。換句話說，當L，也就是 E： S L·値變低時，則共振頻率（ί 〇變高。因此，該電路 可在更高之頻率使用之。而當用在微波頻段時，需提供一 種E S L値更低之電容器°
此外，當考慮到連接至用於供應電源給工作站、個人 電腦等微處理機單元（Μ P U )之Μ P U晶片的電源供應 電路以作爲去耦電容器使用之電容器時，亦需降低E S L ο 圖7係顯示如上述之14 ρ u 1及電源供應部件2的連 接架構範例的方塊圖。 參考圖7，Μ P U 1係具有Μ Ρ ϋ晶片（裸晶片）3 及記憶體4。電源供應部件2係用於對該MP U晶片3提 供電源。在從該電源供應部件2至該Μ ρ υ晶片3的電源 供應電路中，係連接一個去耦電容器5。此外，在該記憶 體4的旁邊係形成一個與該Μ ρ υ晶片3相關之訊號電路 〇 與上述MPU1相關而使用的該去耦電容器5之目的 係如同一般之去耦電容器’係用於吸收雜訊且平滑該電源 供應之變動。此外，近年來’ M P U晶片3已計劃使其操 作頻率超過500MHz ’達到1GHz。爲使用關於該 Μ ρ u晶片3所需之高速操作’需要能提供快速電源供應 之功能（當在升壓或類似情況急需電源時，能透過電容器 之大量充電而在數奈秒內供應電源的功能）。 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） il!!lllllilll™ * I I I I I i I « — — — III — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 63 五、發明說明（$ ) 因此’需要使Μ P U 1內的去耦電容器3之電感成分 變得越低越好’也就是說，低至例如1 〇 p H(Pico Henry， 10_9H)。因此’有實現具有如此低電感値之電容器的需求 〇 在下文中’將更具體地說明之。一種設計成需供應約 2 . 〇伏直流且消耗約2 4瓦電能的μP U晶#3 (操作 時脈頻率約5 〇 〇 μ Η ζ )，也就是說，約流過1 2安培 的電流。爲求減少該消耗電能，所採用之規範係當不操作 Μ P U 1睡眠模式時，降低睡眠模式中之消耗電能至1瓦 或更低1 °當從睡眠模式變更爲工作模式時，需在數個操作 時脈內對ΜΡ ϋ晶片3供應工作模式所需之電能。在5 0 Ο ΜΗ ζ之操作頻率下，當從睡眠模式變更爲工作模式時 ，需在4 一 7奈秒的時間內供應電能。 然而’上述電能無法從電源供應部件2即時供應。因 此’直到從該電源供應部件2供應電能爲止，係藉由零於 該Μ P U晶片3附近的去耦電容器5放出電荷而對該Μ Ρ U晶片3供應電能。 至於操作頻率1 G Η ζ的Μ P U晶片3，置於該Μ Ρ U晶片3附近的去耦電容器5之E S L需低至1 〇 pH。 上述的一般單體電容器之:E SL約在500-800 ρ Η的範圍，與上述低至1 〇 ρ Η的數値大不相同。如上 所述，該電感成分係因由該單體電容器內流動之電流決定 方向的感應磁流而在該單體電容器內產生的電感，且一個 自電感成分因該感應磁流而產生。 5 1— ^1 ^1 ^1 ^1 I ^1 ϋ n 1 ^ - n I— n n n )-BJ« n —i n n 4t I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐）
46319C Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ψ) 在上述背景說明中，低E S L的單體電容器結構可從 已揭示在日本未審核之公開專利第2 — 159008號、 美國專利第5 8 8 0 9 2 5號及曰本未審核之公開專利第 1 1 — 1 4 4 9 9 6號等文獻瞭解之。 上述的低E S L主要係藉著消除在該單體電容器內所 感應的磁流而實現之。爲能導致該磁流之消除’係實行使 在該單體電容器內流動之電流方向多樣化。爲求電流方向 之多樣化，故增加形成在電容器主體之外側表面上的外部 端點電極的數目，此外，並增加從內部電極而來以使外部 端點電極及內部電極導電的引線電極的數目。因此，藉由 將在該內部電極內流動之電流分岔爲數個方向，能抑制磁' 流之產生，並藉此獲得低E S L。 然而，即使單體電容器之E S L已如上述方法降低之 ，仍甚難實現1 0 p Η或更低之E S L ’因此，在單體電 容器作爲連接至如圖7中所示Μ P U 1之電源供應部件2 的去耦電容器5使用的情況下·，係並聯複數個單體電容器 ，並且於此狀態下，係裝設在接線基板上。 本發明欲解決之問題 在上述的單體電容器中，藉由消除在該內部電極內電 流流動的特定方向性能獲得低E S L。然而，在各自的引 線電極內，電流以同一方向流動。因此，爲求進一步降低 E S L，不能忽略掉電流在各自的引線電極部分流動時所 引起之電感成分。 此外，當考慮到具有減少之E S L的單體電容器’例 6 1 «^1 ^1 n n n n n D t ^ n n n ^OJI n n If I - I (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 463 1 A7 B7 五、發明說明（Γ) 如作爲連接至如圖7中所示Μ P U 1之電源供應部件2的 去親電容器5使用時，複數個外部端點電極的排列間距通 常設定成如約0 . 8毫米（± 0 1毫米）的微小値。因 連接至各自之外部端點電極的複數個引線電極之間的間隔 需符合該外部端點電極之排列間距’故各自的弓丨線電極之 寬度方向尺寸變得很小。此亦爲降低E S L之阻礙。 因此，本發明的一項目的係提供一種改良之單體電容 器，其能有效地實現低E S L並特別注意到引線電極之形 態。 本發明的另一項目的係提供藉由使用上述單; 而裝配的接線基板、去耦電路及高頻電路。 發明槪要 本發明之單體電容器係包含一個電容器主體，其具有 兩個相對主要面以及四個在該兩個主要面之間相連接的側 面。 該電容器主體包含複數層沿著該兩個相對主要面延展 之方向延展的介電層’以及至少一對透週其中一層介電層 彼此相對的第一及第二內部電極以定義一個電容器單元。 該電容器主體更包含從該第一內部電極延伸到至少一 個側面上至少兩個位置的至少兩個第一引線電極，以及從 該第二內部電極延伸到該第一引線電極所延伸之位置之間 位置的至少一個第二引線電極。 在該第一及第二引線電極所延伸之側面上設有第一及 第二外部端點電極，並分別導電至該第一及第二引線電極 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2.10 X 297公釐） -------------''--„ 丨丨 — II 訂-- ------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 463190 A7 __B7_ 五、發明說明（6 ) 0 爲解決上述技術問題，至少一個第一及第二引線電極 中的長度L對寬度W之比値L/W係在約〇·4至約3. 0的範圍內。 該比値L/W最好在約0·4至約1.3的範圍內。 此外，該第一及第二引線電極最好延伸到彼此相對的 至少兩個側面上。最好有至少一個第一及第二引線電極延 伸到各自的四個側面上。 從該主要面的周圍方向看去，該第一引線電極及第二 引線電極最好交替地排列。 有利的是，該單體電容器係配置成定義一個連接至設 置在微處理器單元內的Μ P U晶片之電源供應電路的去耦 電容器。 本發明可直接用於將上述單體電容器裝設於其上的接 線基板。 當本發明直接用於上述之接線基板時，根據一具體之 形式，該接線基板上更裝設有一個微處理機單元之Μ P U 晶片。 再者，本發明係指包含上述單體電容器的去耦電路。 此外，本發明係指包含上述單體電容器的高頻電路。 圖式簡單說明 圖1係顯示如本發明之第一個實施例的單體電容器1 1之外觀的立體圖。 圖2係顯示如圖1所示之單體電容器11之內部結構 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 公釐） — — — — — ^ — — — — — —^-aJI n I I I I I i Ϊ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 63 190 Λ7 _B? .__ 五、發明說明（9 ) 的平面圖。圖2 ( 1 )顯示第一內部電極2 0之剖面的內 部結構。圖2 ( 2 )顯示第二內部電極2 1之剖面的內部 結構。 圖3係爲對應圖2之圖形，顯示如本發明之第二個實 施例的單體電容器1 1 a。 圖4係爲對應圖2之圖形，顯示如本發明之第三個實 施例的單體電容器1 1 b。 圖5係顯示Μ P U 3 1的平面圖，其中如本發明之實 施例的單體電容器3 4係作爲去耦電容器。 圖6係顯示如圖5所示之單體電容器3 4及接線基板 3 2之間連接部分的放大立體圖。 圖7係顯示本發明所關注的MP U 1及電源供應器2 之連接配置的方塊圖。 元件符號說明 1 . · ·微處理器 2 ...電源供應部件 3 ...微處理器晶片 4 ...記憶體 5 ...去親電容器 1 1 ...單體電容器 1 2、1 3 ...主要面 1 4、1 5 ' 1 6、1 7 _ · ·側面 1 8 ...電容器主體 1 9 . ·介電層 -------------! 6--------訂---------線 (請先閱讀背面之法意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A.l規格（210x 297公釐） 463 1 9〇 Λ_ A/ B7 五、發明說明（{?) 2· 0、2 1 ...內部電極 2 2、2 3 _ ..引線電極 2 4、2 5 ...外部端點電極 3 1. ..微處理器 3 2 · ..接線基板 3 3 - ..微處理器單元晶片 3 4 · ..單體電容器 3 5. ..外部端點電極 3 6 · ..導電墊 3 7 · ..焊錫 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較佳實施例之詳細說明 圖1及圖2顯示根據本發明之第一個實施例的單體電 容器1 1。於此處，圖1係顯示該單體電容器1 1之外觀 的立體圖。圖2係顯示單體電容器1 1之內部結構之特定 剖面的平面圖。圖2 ( 1 )及圖2 ( 2 )係顯示不同之割 面。 如圖1所示之外觀，該單體電容器1 1係提供一個直 角平行六面髖的電容器主體1 8，其具有兩個彼此相對的 主要面1 2及1 3，以及四個在該主要面1 2及1 3之， 相連接的側面14、15'16及17。 ~該電容器主體18包含複數層由陶瓷介電質製成並沿 著該主要面1 2及1 3延展之方向延展的介電層1 9，以 及至少一對透過預定之介電層19彼此相對的第一及第二 I 內部電極2 0及2 1以形成電容器單元。 言 r 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規佟mo X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 3 1 9 0 A7 _____B7 _ 五、發明說明（） 圖2 ( 1 )顯示該第一內部電極2 0所延展之剖面。 圖2 ( 2 )顯示該第二內部電極2 1所延展之剖面。 ^ 該電容器主體18更包含五個分別從該第一內部電極 2 0導線至三個側面1 5至1 7的第一引線電極2 2，以 及五個分別從該第二內部電極2 1導線至三個側面1 4、 1 5及1 7的第二引線電極2 3。 上述五個第一引線電極2 2係彼此從不同的地方牽線 而出。第二引線電極2 3牽線而出的位置係分別夾在第一 引線電極2 2牽線而出的位置之間。若從該主要面1 2及 1 3周圍的方向看去，則該第一引線電極2 2及該第二引 線電極2 3係交替地排列。 再者，在第一引線電極2 2導線到的側面1 .5至1 7 上，係分別提供導電至該第一引線電極2 2的第一外部端 點電極2 4。此外，在第二引線電極2 3導線到的側面1 4、1 5及1 7上’係分別提供導電至該第二引線電極2 3的第二外部端點電極2 5。 因此，在該單體電容器1 1內，該第一引線電極2 2 及該第二引線電極2 3的其中之一或兩者皆係從四個側面 1 4至1 7上牽線而出。因此，係提供第一外部端點電極 2 4及第二外部端點電極2 5的其中之一或提供兩者。 如上所述，從該主要面1 2及1 3周圍的方向看去， 該第一引線電極2 2及該第二引線電極2 3係交替地排列 。因此，所有的第一外部端點電極2 4係分別在該四個側 面1 4至1 7上排列成鄰近第二外部端點電極2 5。從另 11 /本紙張尺度適用ϋ國家標準（CNS)/Vt規格（210 X 29f公餐） 一 ' - - ------111* '----丨！||訂* —------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 五、發明說明（p ) 一種觀點來看，所有外部端點電極2 4及2 5係配置成使 得其中任何一個均不會靠近另一個連接至相同內部電極的 外部端點電極2 4及2 5。 如上所述，在該單體電容器1 1中，提供谭數個第一 引線電極2 2及複數個第二引線電極2 3，且因此能引導 該內部電極2 0及2 1內的電流流向不同之方向。因此， 能有效地消除這些電流所引起之磁流，並且能達成降低E S L。 具體地說，爲降低E S L，一種有效的方法係分別將 第一及第二引線電極2 2及2 3導引至該三個側面1 5至 1 7及該三個側面1 4、1 5及1 7上，以導引第一及第 二引線電極2 2及2 3其中之一或兩者至該四個側面1 4 至1 7上，並且從該主要面1 2及1 3周圍的方向看去將 該第一引線電極2 2及該第二引線電極2 3交替地排列， 如本實施例所述。 在該單體電容器1 1中，係有複數個彼此相對的該第 一內部電極2 0及該第二內部電極2 1的部件數目以獲得 大的靜態電容器，使得複數個電容器單元被形成。因此， 第一及第二內部電極2 0及2 1係以例如複數個的數目結 合之。如上述方法製造之複數個電容器單元係利用第一及 第二外部端點電極2 4及2 5而彼此並聯。 在如本發明的該種單體電容器1 1中，其特徵在於， 第一及第二引線電極22及23各自的長度尺寸L對寬度 尺寸W之比値L/W係在從0· 4至3.0的範圍內。該 12 本紙張尺i適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線！ A7 463190 五、發明說明（lf ) 比値L/W最好設定在從〇 . 4至1 · 3的範圍內。比値 L/W之範圍係由接下來的實驗決定之。 在本實驗中，作爲樣品的單體電容器丨1係提供具有 主要面1 2及1 3的電容器主體18,其尺寸爲3. 2毫 米X 1 · 6毫米。所準備之單體電容器1 1的引線電極2 2及2 3係具有如接下來表1中''長度〃及''寬度〃所示 的不同之長度尺寸L及不同之寬度尺寸W。 表1 寬度\長度 0.1mm 0 . 2mm 0.3mm 0.5mm 0 • 08mm 3 8 6 5 87 106 0 • 16mm 28 3 5 5 0 8 1 0 .24mm 25 3 2 3 9 58 接著，對個別的單體電容器1 1之樣品，以共振方法 決定其ESL値。表1內顯示這些ESL値（pH)。 如表1所示，當比値L/W達3 . 0時，可獲得達8 OpH之ESL値。此外，當該比値L/W達1 . 3時， 可獲得達4 OpH之ESL値。 因此，該單體電容器1 1之E S L値與比値L/W相 關。也就是說，在各自的引線電極2 2及2 3內流動之電 流係單向的，且因此，在這些部件內的電感成分之比例相 當的大。此外，因引線電極2 2及2 3各自的長度尺寸L 及寬度尺寸W之間關係的影響，故不能忽略在該內部電極 2 0及2 1內流動之電流的狀態。 (請先閱璜背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 n n I I n I 一各’ « l / n ϋ n ! ϋ I I I. .— I - - - - 1 n n n I - n - I ϋ I n 1· 本紙張尺度適用中國1家標準（CNS)A4規格（2Κ)χ297公釐） 五 '發明說明（丨i) 此外，如上所述，當以電荷充電時，藉由將該比値L /W設定爲3或更小，或設定爲1 . 3或更小，並將引線 電極2 2及2 3各自的寬度尺寸W設定成相當大，則流過 該電容器單元至該引線電極2 2及2 3的電流能在該內部 電極2 0及2 1內順暢地流過。 此外，該比値L/W係爲〇 . 4或更大。該原因係當 比値L/W小於〇 . 4時，則長度尺寸L太小，亦即相對 應之寬度尺寸W太大。因此，容易引起絕緣特性及防潮特 Λ 性方面的缺失。 圖3顯示如本發明之第二個實施例的單體電容器11 a，且圖3係爲對應於圖2之圖形。在圖2及圖3中相同 之元件係以相同之參考圖號標示之，並省略重複之說明。 在如圖3所示之單體電容器1 1 a中，在該電容器主 體1 8之側面1 4及1 6上並無提供外部端點電極。因此 ，無任何第一引線電極及第二引線電極牽線至側面14及 1 6 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫.本頁) 在此實施例中，從該主要面1 2及1 3周圍的方向看 去，則該第一引線電極2 2及該第二引線電極2 3係交替 地排列（參考圖1 )。因此，該第一外部電極2 4及該第 二外部電極2 5亦交替地排列。 關於該上述之單體電容器1 1 a，所準備之樣品的引 線電極2 2及2 3之長度尺寸L及寬度尺寸W係如上述第 一個實施例的相同方式變動之。樣品各自的E S L値係以 決定。結果係顯示在接下來的表2中。 本紙張尺度適闬中國國家標準（CNS)A.l規格（2Κ)χ297公釐） 3 6 4 五、發明說明（0) 表2 寬度\長度 0 . 1mm 0.2mm 0 . 3mm 〇 . 5mm 0.08mm 79 107 13 1 17 6 0.16mm 6 8 76 9 5 13 3 〇.24mm 5 5 6 6 77 10 6 如表2所示，當比値L/W達3 . 0時，可獲得達1 2〇ρΗ之ESL値。當該比値L/W達1 . 3時，可獲 得達8 Ο ρ Η之E S L値。 因此，該E S L値與引線電極2 2及2 3各自之長度 尺寸L及寬度尺寸W相關。 圖4顯示如本發明之第三個實施例的單體電容器11 b，且圖4係爲對應於圖2之圖形。在圖3中與圖4相同 之元件係以相同之參考圖號標示之，並省略重複之說明。 在如圖4所示之單體電容器1 1 b中，電容器主體1 8之主要面大致上爲正方形。第一及第二內部電極2 0及 21大致上亦分別爲正方形之圖案。 第一及第二引線電極2 2及2 3係導線至四個側面1 4至1 7。該第一引線電極2 2及該第二引線電極2 3係 交替地排列在側面1 4至1 7上。再者，當從該電容器主 體1 8之主要面1-2及1 3 (參考圖1 )的周圍方向看去 時，該第一引線電極2 2及該第二引線電極2 3係交替地 排列。 在此實施例中，係增加該第一及第二引線電極2 2及 2 3導線至四個側面1 4至1 7的第一及第二引線電極2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Al規烙⑵Ο χ 297公釐） <請先閱讀背面之注意事項再填1本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 163 1 〇 A/ _ΒΤ^__ 五、發明說明（ΜΑ ) 2及2 3之數目。因此，能獲得降的更低之E S L。 在此單體電容器1 1 b中，引線電極2 2及2 3各自 的長度尺寸L對寬度尺寸W之比値L/W係在〇.4至3 .0的範圍內，最好係在0 . 4至1 . 3的範圍內。 在上文中，係參考圖示的數個實施例而說明本發明之 單體電容器。然而，可將內部電極之數目、引線電極之數 目及位置或外部端點電極之數目及位置做不同之改變。至 於上述引線電極之數目及位置，在本發明之範疇內的單體 電容器係提供至少兩個第一引線電極以及至少一個第二引 線電極，該兩個第一引線電極係分別導引至在一個側面上 的兩個位置，而該一個第二引線電極係導引至夾在該第一 引線電極所導引之位置之間的位置上。 本發明之單體電容器若供如上述及圖7所示之Μ P U 1作爲去耦電容器5係非常有利的。下面將參考圖5及圖 6說明包含去耦電容器的本發明之單體電容器的Μ P U結 構。 如圖5所示，MP U 3 1包含具有多層結構之接線基 板3 2。MP U晶片（裸晶）3 3係以表面安裝在該接線 基板3 2之上層。 此外，作爲去耦電容器使用的單體電容器3 4係以表 面安裝在該Μ P U晶片3 3附近的接線_ 3 2上。至於 該單體電容器3 4可使用已降低E S L的上述之單體電容 器 11、11a 或 lib。 此外，圖5顯示在該接線基板3 2上安裝四個單體電 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本
_ n n n 一-δ』I n n n I I I I I J I - I n f I n n 1- I A7 4 63 1 (l ) ____137__ 五、發明說明（ο ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 容器3 4的狀態。藉由將該四個單體電容器彼此以並聯相 連接，該四個單體電容器3 4能提供例如1 Ο p Η或更低 之E S L的低E S L値。 如圖6所示，在單體電容器3 4中，係藉由焊錫3 7 將其外部端點電極3 5焊接在該接線基板3 2上的導電墊 3 6。爲獲得這些單體電容器3 4之間以及單體電容器3 4與ΜP U晶片3 3之間的連接，係通過該導電墊3 6實 施輔助孔連接，但未在圖中顯示。 爲降低伴隨單體電容器3 4與ΜP U晶片3 3之間接 線而產生的電感成分，該單體電容器3 4最好直接放置在 該Μ P U晶片3 3的附近。接著，在如圖5所示安裝四個 單體電容器3 4的情況中，其放置的最佳方式係將每一個 單體電容器3 4放在具有長方形平面形狀之ΜP U晶片的 每一側邊。 在單體電容器3 4放置在具有長方形平面形狀之ΜΡ U晶片3 3的每一邊附近並如上述勻稱排列的情況中，該 單體電容器3 4之數目最好爲4的整數倍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更具體地說，當欲實現1 Ο Ρ Η之E S L，並以在該 ΜP U晶片的每一側邊附近放置一個單體電容器3 4的方 式排置總數爲4個單體電容器3 4時，能使用E S L値高 達40ρΗ的單體電容器34。當以在該MPU晶片的每 一側邊附近放置兩個單體電容器3 4的方式排置總數爲8 個單體電容器3 4時’能使用E S L値高達8 Ο Ρ Η的單 體電容器3 4。當以在該Μ P U晶片的每一側邊附近放置 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公g ) A7 五、發明說明（/6 ) 三個單體電容器3 4的方式排置總數爲1 2個單體電容器 3 4時，能使用E S L値高達1 2 0 pH的單體電容器3 4 ° 優點 如上所述，在本發明之單體電容器中，形成引線電極 的方式係使得在內部電極內流動之電流導向不同之方向， 此外，每個引線電極的長度尺寸L對寬度尺寸W之比値L /W係選在〇 . 4至3 . 0的範圍內。因此，能有效地消 除因在該內部電極內流動之電流所引起的磁流之出現及影 響。因此，能獲得更低之E S L。 當上述之比値L/W在0 · 4至1 . 3的範圍內時， 能獲得更低之ESL値。 此外，在本發明之單體電容器中，藉著將第一及第二 引線電極分別導線至該電容器之主體的至少兩個相對側面 上，或藉著將第一及第二引線電極其中之一或兩者導線至 該四個側面的每一面上，或從該電容器主體之主要面的周 圍方向看去將該第一引線電極及該第二引線電極交替地排 列，則能獲得更低之E S L。 因此，能將該單體電容器之共振頻率製作的更高。能 將該單體電容器作爲電容器的頻率波段製作在更高之頻率 波段。本發明之單體電容器能應付更高頻之電子電路，並 能有效地在高頻電路中作爲例如旁路電容器及去耦電容器 使用之。 對於作爲配合Μ P U晶片或類似電路使用之去耦電容 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<21(^297公釐） <請先閱讀背面之注咅'華項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 t I PJ ttj tt nf —Ml n l^i >^1 i n I— I I ^- - ·