TW461825B - Method for prevention of forming of scale in a wet type waste gas treating device - Google Patents

Description

461825 五、發明說明（1) (發明所屬的技術領域） 本發明為關於以溫式淨化廢氣的方法，尤其為關於溫 式廢氣處理裝置内之防止污垢生成的方法。 (相關的技術） 溫式廢氣處理裝置為使廢氣接觸含有水之洗淨液的褒 置，以此除去廢氣中的微粒子，水溶性物質及以水分解的物 質等。溫式廢氣處理裝置例如為使用填充塔、喷霧塔、通 氣槽、通氣攪拌槽等。 洗淨液則一般為使用自來水或於自來水中含有某種藥 物的水溶液。此種溫式廢氣處理裝置多為連續運轉，又為 減少排出於環境的廢水亦多循環使用洗淨液。 於使洗淨液循環的溫式廢氣處理裝置，為防止洗淨液 與廢氣中之有害成分之由，反應的生成物積蓄於裝置系統内 而使其能連讀運轉，習知為供給一定量的水於洗淨液並 出同量的水。 然即使如此亦有於洗淨液中積蓄不溶物，亦即積蓄污 垢的狀態。而由不溶物的生成積蓄遂有構成氣液接觸部、 洗淨液之循環泵、配管等附著污垢而發生閉塞等故障的狀 態。 尤其於洗淨液的供給水含有與廢氣中之有害成分起反 應而生成不溶性化合物之離子時成為問題。例如洗淨液 保持中性或鹼性時，如供給水含有鐵離子則有生成不溶性 的氫氧化鐵的狀態。又於洗淨液的供給水含有約離子時 如廢氣中含有氟瓦斯（F2)或二氧化碳（c〇2)，則於洗淨液中 、1 82 5 ___ 五'發明說明（2) 生成不溶性的氟化妈及/或碳酸詞的狀態。又娜酸離子及 硅酸離子亦成為污垢的原因。 由半導體裝置之製造裴置亦有排出含有氟瓦斯”2)及 二氣化碳（C 02)之廢氣的狀態。例如使用敍刻裝置等的半 導體裝置之製造裝置對於石夕晶圓等實施乾钱刻時為使用 CF4、CHF3、C2Fe等的氫氟化碳類。而由蝕刻裝置排出的廢 氣則含有氫氟化碳類之分解生成物的氟瓦斯（F2)及二氧化 碳（C02)。 又於半導體裝置之製造裝置的清淨時亦有排出含有氟 瓦斯（Fz)的情形。於半導體基板形成薄膜時使用化學蒸鍵 裝置為半導體裝置的製造裝置。然後用C1F3瓦斯清潔化學 蒸鑛裝置的容器及配管的内面附著之薄膜時，為由化學蒸 鑛裝置排出含有Fa、SiF4、、PF3等之氟瓦斯的廢氣/ 再則於半導體製造裝置之廢氣有包含BC 13、BF3等之蝴 化合物、四乙氧石圭娱：（tetraetho xysilane)(以下稱 TEOS)、SiH2Cl2等之矽化合物的情形。該等硼化合物、；^夕 化合物與洗淨液中的水起反應分解為硼酸離子、娃酸離 子、而调酸離子及娃酸離子則為生成污垢的原因。 對於上述發生不溶性之生成物的處理系統，為防止發 生故障有必要實施定期的洗淨或一部分零件的更換等處 理裳置的維護手續繁雜並具更換零件費用增多的問題’。此 外可抽出洗淨液的一部分以保持洗淨液中的不溶性化合物 的濃度於溶解度以下的方法，但由於排水量增多而不理° 想。

第5頁 五、發明說明（3) 於曰本特開昭50-122470號公報記載有添加螯合劑一 界面活性劑（chelant-surqactant)於水系以防止污垢堆積 於鋼爐之内表面的方法D又於特開平8 —92888號公報中記 載有對於舊紙的脫墨工序由添加檸檬酸或其塩（citric acid 〇r Citrate)以防止生成污垢的方法。 然而上述公報均未記載關於廢氣的處理方法。何況亦 即未記載對於半導體裝置之製造裝置所排出之廢氣的處理 方法。 (發明的概要） 本發明的第1態樣以解消上述的問題而防止洗淨液中 生成不溶性之化合物為目的。本發明之第2及第3態樣為使 洗淨液中不生成不溶性的化合物而處理廢氣以製造半導體 裝置為目的。 依本發明之任一態樣均以洗淨液中之螯合劑為配位於 離子以生成水溶性的螯合化合物而抑制不溶性生成物的發 生〇 本發明之第1態樣提供具備：使廢氣接觸含有水的洗淨 液之工序；使前述洗淨液循環再予利用的工序；對前述洗淨 ，按單位時間供給一定量之供給液的工序；以及由前述洗 淨液按前述單位時間排出前述一定量之前述洗淨液的工 序。而以前述洗淨液含有至少1種類之與生成污垢之原因 的離子起反應而生成水溶性之螯化合物之螯合劑為其特徵 的濕式廢氣淨化方法。 本發明之第2態樣提供具備：於容器内對於半導體裝置

第6頁 4 6182 5 五、發明說明u) 之前驅體以餘刻瓦斯或其電漿實施蝕刻的工序；將前述麵 刻瓦斯f其電漿由前述容器排出的工序；使由前述容器排 出的廢氣接觸含有水的洗淨液的工序；使前述洗淨液循環 再予利用的工序；對前述洗淨液按單位時間供給一定量之 供給$的工序；以及由前述洗淨液按前述單位時間排出前 述一定量之前述洗淨液的工序。而以前述洗淨液含有至少 與生成污垢之原因的離子起反應而生成水溶性之 整化合物之螯合劑為其特徵的半導體裝置之製造方法。 广本發明之第3態樣提供具備：於化學蒸鍍裝置之容置内 ^薄膜形成瓦斯為化學蒸鍍於半導體裝置之前驅體以形成 薄Ϊ的工序；將所得半導體裝置由前述容器取出的工序；對 於則述化學蒸鍍裝置之前述容器以清淨瓦斯清淨的工序； f前述化學蒸鍍裝置之前述容器所排出之前述清淨工序的

Αλ dK JUjA 、 啊於含有水的洗淨液的工序；使前述洗淨液循環再 的工序；對前述洗淨液按單位時間供給一定量之供 、給液的工皮 _定θ 斤；以及由前述洗淨液按前述單位時間排出前述 你2 Sw述洗淨液的工序。而以前述洗淨液含有至少1 種類之與4 〇_、、 /μ人成污垢之原因的離子起反應而生成水溶性之蝥 化〇物之數人 於 笼合劑為其特徵的半導體裝置之製造方法。 .., J 發明以更為具有添加含有前述螯合劑之水溶液於 含有水歲<或前述供給液的工序為宜°或以更為具有添加 宜。戍述螯合劑之藥液於前述洗淨液或前述供給液為 體憝人2 W迷供給液為使水流通填充有具適當溶解度之固 塔（column)而得為宜〇 i^sn· 第7頁 五、發明說明 (5) " ~ 又以前述廢氣為由前述半導體裝置之製造裝置發生為 宜。 前述廢氣為含有酸性瓦斯時，更以具備添加含鹼性的 藥液於前述洗淨液或前述供給液的工序為宜。或於前述廢 氣中含有驗性瓦斯時則更以具備添加酸性的藥液於前述洗 淨液或前述供給液的工序為宜。 又於前述接觸工序以使用填充塔、喷霧塔、攪拌槽或 通氣攪拌槽為宜。 又以前述離子為金屬離子為宜。或以前述離子為鐵離 子、約離子、棚酸離子或娃酸離子為宜。 又刑述螯合劑以使用氧基香芽酮（amin〇 carvone)酸 或塩類、氧化香芹酮（oxycarv〇ne )酸或塩類、硅酸塩類、 或聚磷酸塩（poly phosphorate salt)類為宜。 又以具備添加含有pH調整劑的藥液於前述洗淨液或前 述供給液的工序為且。更以具備測定前述洗淨液之pH值的 工序，以及依據所得pH值以控制含有pH調整劑之藥液量的 工序為宜。 (圖面的簡單說明） 第1圖表示實施本發明之方法的裝置之概略圖。 第2圖表示實施本發明之方法的另一裝置之概略圖。 第3圖表示實施本發明之方法的另一裝置之概略圖。 第4圖表示實施本發明之方法的另一裝置之概略圖。 第5圖（a)表示氣液接觸裝置之一實施態樣的概略圖。 第5圖（b)表示氣液接觸裝置之另一實施態樣的概略

ΐ： _•正 附件一4 d 1 82 5 案號 87118559 五 '發明說明（6) 圖。 圖 圖 圖 rgi 團 第6圖（a)表示氣液接觸裝置之另一實施態樣的概略 第6圖（b)表示氣液接觸裝置之另一實施態樣的概略 第7圖（a)表示氣液接觸裝置之另一實施態樣的概略 第7圖（b)表示氣液接觸裝置之另一實施態樣的概略 第8®表示蝕刻裝置之一實施態樣的概略圖。 第9圖表示蝕刻裝置之另一實施態樣的概略圖 [元件符號之說明] 1 ' 66 廢氣 2 氣液接觸部 3 處理後瓦斯 4、28 ' 29 、 31 洗淨 5 循環泵 6 '8 流量錶 7 供給水 9 排水管 10 排水 11 藥液 12、14 泵 13 整合劑水溶液 15 混合溶液 16 固體螫合劑 17 溶解槽 18 旁通管 19 pH電極 20 填充塔 22 填充物 23 上面 24 噴嘴 30 通氣槽 32 槽 34 廢氣導入部 35 先端 36 擋板

310193.ptc 第9頁 2001.05.11.009 461825 案號87118559 巧0年女月曰 修正 i、發明說明（7) 38 氣 泡 39 多孔 管 40 攪 拌 部 42 馬達 44 軸 46 攪拌 葉 片 47 圓 周 部 48 直角 輪葉片 50 真 空 容 器 52 ' 54、56 電 極 58 尚 頻 電 壓 62 前驅 m 64 # 刻 瓦 斯 (發明 的較 佳 實 施形態） 本發明為對於洗淨液供給一定量的水並排出同量之水 的方式之濕式廢氣處理裝置以添加適當的螯合劑以防止污 垢的生成，其添加螫合劑的方法則有下述3種。 (1) 以適當的方法添加螯合劑水溶液於洗淨液。 (2) 對於賦與處理性能於洗淨液而添加的藥液為予先 混合以適當的螯合劑。 (3) 使供給水通過充填具有適當溶解度的固體蝥合劑 之塔後添加於洗淨液。 以下參照圖面詳細說明上述第（3)項之方法。 第1圖至第3圖表示前述（1)至（3)項之方法所對應的裝 置之概略圖。第1圖至第3圖中，1為廢氣，2為氣液接觸部，3 為處理後瓦斯，4為洗淨液，5為循環泵，6為流量錶，7為供給 310193.ptc 第9-1頁 2001.05. 11.010 461825 案號87118559 %年 < 月’纟曰 修正_ 五、發明說明（8) 水，8為流量錶，9為棑水管，10為排水，11為藥液，12及14為 泵，13為螯合劑水溶液，15為藥液與螯合劑的混合溶液，16 為固體螯合劑，17為溶解槽，19為測定pH值的pH電極。 首先參照第1圖，廢氣1為於氣液接觸部2與洗淨液4接 觸，除去其處理對象成分成為處理後瓦斯3而排出。洗淨液 4為由循環泵5使其循環於裝置内。對洗淨液為介由流量錶 8供給一定量的供給水7。又由排水管9排出與供給量為等 量的排水10。又為得到預定的處理性能，藥液11為由泵12 供給於循環水° 同時調整為適當之濃度的螯合劑水溶液13為由泵14添 加於循環水。 螯合劑可使用（1)EDTA( ethyl ened inline tetracetate)之類的氨基香序酿[酸或其塩，（2〉如檸檬酸之 氧化香芹酮酸或其塩，（3)如偏矽酸鈉之硅酸塩類，（4)如焦 磷酸鈉之聚磷酸塩類等。再則只要為能於洗淨液中與不溶 性生成物之起源的供給水或洗淨液中的離子形成水溶液的 合成體均可而不僅限於上述的螯合劑。 洗淨液中之餐合劑濃度有必要使成為問題之離子的大 部分變成螫化合物所需要的濃度以上的由考慮供給水中之 離子濃度.供給水量’及洗淨液的組成而予以調整。對於 螯合劑水溶液的濃度，使給量為有必要滿足上述條件的決 定。 、 第1圖表不藥液11及螯合劑水溶液13為添加於循環 水。但亦可將藥液11及/或f合劑水溶液13添加於供給水

310193.ptc 2001.05.11. 〇Π 461825

其次參照第2圖’廢氣丨於氣液接觸部2與洗淨液4接觸 除去處理對象成分後成為處理後瓦斯3而排出。洗淨液4為 由循環泵5使其循環於裝置内。對於洗淨液為介由流量錶 供給一定量的供給水7。與供給量為等量的排1〇為:排水 管9排出。又為求得一預定的處理性能由泵12供給藥劑與 螯合劑的混合溶液1 5。 '、 螯合劑可使用於第1圖所說明同樣的成分，然於混合藥 劑以得處理性能時，有必要選擇不發生處理上之不便或"發' 熱等。 洗淨液中之螯合劑濃度有必要使成為問題之離子的大 部分變成螯合物所需要的濃度以上的由考慮供給水中之離 子濃度•供給水量’及洗淨液的組成而予以調整。又由於 用以賦與處理性能而添加的藥劑及螯合劑為同時注入，因 此亦有必要考慮用以賦與處理性能而添加的藥液的使用量 以決定其添加量·。 第2圖所示之混合溶液1 5為添加於循環水。但將混合 溶液1 5添加於供給水7亦可。 其次參照第3圖，廢氣1為於氣液接觸部2與洗淨液4接 觸，除去處理對象成分後成為處理後瓦斯3而排出。洗淨液 4為由應環泵5循環於裝置内。介由填充適當的固體螯合劑 1 6的溶解槽1 7與流量錶8供給一預定量的供給水7於洗淨 液。與供給量為等量的排水10為由排水管9排出。又為賦 與一預定性能之藥液1 1為由泵1 2供給。

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软么劍劑可使用於第1圖所說明同樣的成分，然對於固體 :貝1有必要選定使用具有使洗淨液中之螯合劑濃度含 p笛q不’容性生成物之生成所必要的濃度之溶解度者。 Μ π 1圖表不藥液11為添加於循環水。但將藥液11添加 於供給水7亦可。 κ 液在螯合劑之外，，亦可含有ρΗ調整劑、緩衝劑' .劑等° ρΗ調整劑例如可使用使洗淨液為鹼性之氣 碰^ ^氣氧化鉀等的藥劑，以及使其為酸性之塩酸及硫 酸等的藥劑。 如廢氣為含有塩酸等之酸性瓦斯時，洗淨液 致，降低。因此為防止其邱的降低，以添加2 可列盛=述洗淨液或前述供給液為纟。鹼性的藥液例如 風氧化鈉及氫氧化鉀等的水溶液。 性而氣中含有氨等的驗性瓦斯時，洗淨液逐漸成為鹼 離、ρ上升。然後如存在有游離的鐵離子時（例如與鐵 於2反應的螯合劑太少時）將生成氫氧鐵而成為污ς。 述俾上升以添加酸性的藥液於前述洗淨液或前 、:液為宜。酸性的藥液例如可列舉稀塩酸及稀硫酸。 錶，淨液4的pH最好以pH電極19等的pH錶測定。而由pH ,传之值控制藥液的供給量更好。控制可 施，亦可使用電腦自動控制。 斷實

氣液接觸裝置可用填充塔、喷霧塔、冑氣槽 塔：等。氣液接觸裝置亦可使用例⑹第5圖(。所示的填J

4 6 182 5 疒A A 案號87118559 >年夕月從曰 修正_ 五、發明說明（11) 第5圖（a)表示於其内部填充有拉西環（Rasching ring)等之填充物22的填充塔20。一般為將廢氣導入於洗 淨液29之水面上並在填充物22的下部，與填充物22接觸後 由填充物22的上部排出。一方面洗淨液28由配置在填充物 22上面之噴嘴24等導入於填充物22的上面23,然後為洗淨 液29保持於填充塔20的下部。廢氣1與洗淨液28通過填充 物22時兩者發生接觸。填充物22的形狀及尺寸不受限定， 只要能使其發生氣液接觸即可。 第5圖（b)表示内部設置有喷嘴24的噴霧塔。洗淨液28 由噴嘴24喷射成噴灑狀，廢氣1則於通過噴灑狀的洗淨液28 時與其發生氣液接觸。 ' 苐6圖（a)表示通氣槽。通氣槽30具備用以保持洗淨液 31的槽32及用以導入廢氣於洗淨液中的廢氣導入部34'。槽 32的侧壁以設有擋板36為宜。 廢氣1為導入於廢氣導入部34,由其先端35導入洗淨液 31内。廢氣中的氣泡38自洗淨液31中上升而匯集於槽32的 上部空間後將其排出。洗淨液31介由未圓示的配管導入於 槽32,並介由未圖示的配管由槽32排出。 、 第6圖（b)表示使用多孔管39的通氣槽3〇β多孔 裝設在廢氣導入部34的先端，由其可導入微細的 洗淨液31_。第6圖（b)中與第6圖（a)共同的部分％ '一 符號而省略其說明。 ° 氣液接觸裝置可使用通氣攪拌槽。通氣攪拌 用以保持洗淨液的槽、攪拌洗淨液的攪拌部以及用^導

4 6 1825 五、發明說明（li) ' ~ ~— --- 入廢氣於洗淨液中的廢氣導入部為宜。撥拌部例如 馬達、連結於馬達而為旋轉自如的軸、以及固定於輛的： 片、廢氣為由廢氣導入部的出口導入洗淨液中。該廢= 入部的出口以設在攪拌部之葉片近傍為宜。 礼導 總之，通氣攪拌槽係攪拌槽設攪拌部者。第7圖（3) 第7圖⑴中與第6圖（a)及第6圖〇)共同的部分為註 — 符號而省略其說明。 第7圖（a)及第7圖（b)中，攪拌部4〇具備馬達42、連結 於馬達42而為旋轉自如的軸44、以及固定於軸44之搜掉整 片46。 果 第7圖（a)中，於轴44固定有2以上的攪拌葉片46(圓盤 渦輪葉片），各攪拌葉片46具有圓盤狀的圓周部47與直角渦 輪葉片48。於配置在最下部之攪拌葉片46的直下設置廢^ 導入部34的先端35。為增加氣泡在液中的滯留時間與攪拌 葉片的剪斷力，宜將該攪拌葉片分上下兩段設置。 將攪拌葉片46在洗淨液中以高速旋轉的同時由廢氣導 入部34的先端35將廢氣導入洗淨液31中。然後以搜拌葉片 46的剪斷力使廢氣在液中分散成微細氣泡。 第7圖（b)表示廢氣為由設在攪拌葉片46直下之多孔管 3 9以微細化的狀態導入，再由設在其上之授拌葉片4 6的剪 斷力使其成為微細氣泡瓦斯分散於液中。 半導體裝置之製造裝置可舉蝕刻裝置、化學蒸鍍 (CUD)裝置等。由半導體裝置之製造裝置產生的廢氣包含 於半導體裝置之製造處理發生的廢氣及於半導體裝置之製

4 6 1825 五，發明說明（12) 造後於清淨製造裝置時所發生的廢氣。 對於半導體裝置則並無限制，可包含二極體、電晶 體、石夕控制整流器（thyristor)、ROM、RAM等之記憶體、 CPU 等。 半導體裝置的前驅體，例如有由半導體形成的基板，及 於該基板積層以薄膜的前驅體。於基板的半導體含有矽等 的IV屬元素、ιπ-ν化合物半導體、I卜”化合物半導體等 之化合物半導體等。 對於半導體裝置的前驅體以蝕刻瓦斯或電漿實行蝕刻 時將排出廢氣。關於半導體裝置之製造方法的蝕刻工序有 如曰本特公昭56-14151號公報、特公昭57~45310號公報所 記載者。特公昭56-1 41 51號公報、特公昭57-453 1 0號公報 所開示全部於本說明中均.予援用。又於Jacqueline 1. Kroschwi tz, Mary Howe-Grant 編「Ki rk-Othmer 化學技術 辭典」（Encyclopedia of Chemical Technology),第 4 版， 第 21 卷，720 至 816 頁，John ffiley&Sons，Inc.) 1 997 中記載 有關於半導體之製造方法及半導體裝置。本說明書援用其 全部記載。又於M. S. Tyagi著「半導體物質及裝置入門」 (Introduction to Semi conductor Materials and Devices)， John ffiley&Sons， Inc·， 1991,299 至562 頁記 載有關於半導體裝置，本說明書亦援用其記載。再則於 「半導體物質及裝置入門」563至6 12頁中亦記載有半導體 裝置之製造方法，本說明書亦援用其記載。 蝕刻為包括；以蝕刻瓦斯實施物理衝擊而蝕刻之濺擊

461825 五、發明說明（13) 蝕刻；以蝕刻瓦斯之物理衝擊及與蝕刻瓦斯之化學反應的 相對效果實施蚀刻之反應性離子蝕刻；以及不使用由触刻 瓦斯之物理衝擊而用與餘刻瓦斯的化學反應以實施姓刻之 電漿蝕刻。 使用濺擊蝕刻時，其蝕刻瓦斯適宜使用cf4、chf3、c2f6 等的氫氟化破類。於反應性離子蝕刻及電漿触刻時，其蝕 刻瓦斯則宜使用BC13、BF3、C 12等。 第8圖表示蝕刻裝置的概略圖。蝕刻裝置具備真空容 器50及配置在真空容器50之内部的電極52。電極52為連接 於高頻電壓58。於電極52上例如載置有半導體裝置的前驅 體62,例如為半導體晶圓。然後使蝕刻瓦斯64流通於真空 容器50内，同時施加局頻電壓於電極52，由以對半導體裝置 的前驅體62實施濺擊蝕刻或反應性離子蝕刻。於此為由蝕 刻瓦斯64的種類而決定濺擊蝕刻或為反應性離子蝕刻。然 後廢乱66由真空容器排出而導入廢氣處理裝置。 第8圖中表示只用一電極。然亦可如第9圖所示使用一 對的電極54、56。如第9圖所示，蝕刻瓦斯64為流通於真空 容器50内，由施加高頻電壓58於電極54及電極56，由以對置 放在電極54上之半導體裝置的前驅體62實施濺擊蝕刻或反 應性離子蝕刻。然後廢氣66由真空容器排出，導入廢氣處 理裝置内。 (實施例） 以下由實施例以具體的說明本發明，但本發明並不受 限於該等實施例。

4 6 182 5 五、發明說明（14) 實施例1 第4圖表示實施本發明的概略圖。第4圖為於第3圖的 裝置加設用以旁通溶解槽17之閥的旁通管18，及用以監視 洗淨液之pH的pH電極1 9者。 以第4圖之概略圖所示裝置處理含5〇〇〇ρριη之匕的廢氣 1。廢乱的流量為50公升/ min。廢氣1於填充拉西環的氣液 接觸部2與洗淨液4於流向中接觸，除去其處理對象成分成 為處理後瓦斯3而排出。填充塔的尺寸為直徑25〇jnm，高度 400mm。洗淨液4為由循環泵5以10公升/min的速度循環於 裝置内。固體螯合劑為用EDTA(ethy lenediamine tetraacetate)16填充有15kg的溶解槽17,介以流量錶8供 給0. 5公升/min之供給水7於洗淨液。又為保持—預定的瓦 斯處理性能，用p Η電極1 9監視洗淨液的p Η，如p Η低於8時，則 由泵1 2供給25%氫氧化鈉溶液11。又由排水管9排出與供給 量等量的排水1 0。 於開始廢氣處理1小時後，將溶解槽17之入口、出口的 供給水與排水10採樣以測定其鈣離子濃度、鐵離子濃度、 氟離子濃度及EDTA濃度。 又洗淨液中之上述各濃度可考慮為與排水令的濃度相 同。 其結果表不於表1。

第17頁 4 6 182 5 五、發明說明（15) 成分 表1 溶解槽入口 溶解槽出口 排水 Ca 0.25 0.24 0.24 Fe 0. 10 0.10 0. 10 F <0,01 <0. 0 141 EDTA <0.1 0.8 0. 76 pH 6.5 5. 0 8.0 (pH以外的單位：mmol/litre) 由表1可知溶解槽入口的供給水含有0,25mmol/litre 的鹤、0. 1 Ommo 1/litre的鐵。上述濃度於溶解槽出口為大 約相同。溶解槽入口之供給水未含EDTA，然於溶解槽出口 則檢出0. 80 mmol / 1 itre。此可考慮為收容於溶解槽的A 溶出的結果。EDTA的溶解度為7mmo 1程度，因此可享溶解度 的大約1成溶出。排水中的鈣、鐵的濃度於溶解槽出口大 約為相同。鈣與鐵由於生成EDTA與可溶性的整形化人 可認為於廢氣處理裝置内不發生沈澱或附著 σ 、

氧化鐵而以其原來的濃度排出。 -氣化每或H 又以此較為目的，將供給水7不經由溶解 通管18供給而實行與上述同樣的檢討。兑 而a由旁 一。 栝果如表2所 示 。

1IH 第18胃

461825 I ^ 87118559 年 f 月 ί^曰 條正 五'發明說明（17) 表2 成分 供給水 排水

Ca 0.24 0.0 1

Fe 0. 10 0. 02 F <0.01 40 EDTA <0.1 <0.1 pH_6. 5 一 —. 8. 2 (pH以外的單位：nifliol/litre) 由表2可知供給水中含有〇.24minol/litre的好、 O.lOmmol/litre的鐵。然而排水中之鈣與鐵的濃度則各為 0. Olmmol/litre、0. 02mmoi/litre，比供給水中的含量非 常低。此可考慮鈣與鐵的大部分於廢氣處理裝置内成為氣 化辦及氛氧化鐵而沈漱附著。 實施例2 本實施例用第2圖所示的裝置處理含有5000ppm之F2的 廢氣1。廢氣的流量為50L/min。廢氣1於填充拉西環的氣 液接觸部2與洗淨液4於流向中接觸，除去其處理對象成分 成為處理後瓦斯3而排出。填充塔的尺寸為直徑25 0mm，高 度440mm。洗淨液4為由循環泵5以10L/min的速度循環於裝 置内。又為保持一蕷定的瓦斯處理性能，用pH電極19監視 洗淨液的pH，如pH低於8時，則由泵12供給25%氫氧化鈉溶液 15。該氫氧化納溶液預先溶解有l.〇mmol/g的EDTA。與供 給量（lL/min)等量的排水10為由排水管9排出。 於開始廢氣處理10小時後，將供給水7與排水1〇採樣以

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I 4 6 182 5 五、發明說明（Π) 測定其辦離子滚度、鐵離子濃度、氟離子濃度及E D T A ί農 度。 又洗淨液中之上述各濃度可考慮為與排水中的濃度相 同。其結果如表3所示。 表3 分 _ —— 供給水 排水 Ca 0.25 0.25 Fe 0.10 0. 10 F <0.01 21 EDTA <0. 1 3.5 pH 5.0 8.0 (pH以外的單位：mmol/L) 由表3可知，供給水中，含有〇.25mmol/L的妈及 0. 1 0 mmol/L的鐵。排水中的鈣與鐵的濃度與溶解槽出口的 濃度大約為相等。鈣與鐵由於生成EDTA與可溶性的螯化合 物，可認為於廢氣處理裝置内不發生沈澱或附著為氟化舞 及氫’氧化鐵而以其原來的濃度排出。 又以比較為目的，用不混合EDTA之25%NaOH溶液實行與 上述同樣的檢討β其結果如第4圖所示。

第20頁 4 6 1 82 5 表4 Μ /> 供給水 排水 Ca 0. 24 0.01 Fe 0. 10 0.02 F <0. 01 20 6.5 8.2 ------- (pH ^ 外的單位： mmo1/L ) 五、發明說明¢18) 由表4可知，供給水中含有〇. 24mmol/L的鈣及 0 . 1 Ommo 1 / L的鐵。然排水中的飼及鐵的濃度各為 0.01mmol/L及0.〇210111〇1几，比供給水中之濃度非常低。舞 與鐵的大部分可考慮為於廢氣處理裝置内成為氟化 氧化鐵沈澱附著。 氧 依本發明為使洗淨液中之數人& & &， 溶性的螯化合物而 ：:丨物：：：位以生成水 需增加排水量而可減低性生成物的發生。因此可不 及零件的更換。 乳理裝置之定期洗淨等的處理

Claims (1)

1. 妒U . 46 182 5 附件— 二_案號87118559_年月曰_ 六、申請專利範圍 1. 一種濕式廢氣淨化方法，具備： 使廢氣接觸含有水之洗淨液的工序； 使前述洗淨液循環再予利用的工序； 對前述洗淨液按單位時間供給一定量之供給液的 工序； 由前述洗淨液按前述單位時間排出前述一定量之 前述洗淨液的工序；而以 前述洗淨液含有至少1種類之與生成污垢之原因的 離子起反應而生成水溶性之蝥化合物之螯合劑為其特 徵者。 2. 如申請專利範圍第1項之廢氣淨化方法，其中更以具備 將含有前述螯合劍之水溶液添加於前述洗淨液或前述 供給液的工序者。 3. 如申請專利範圍第1項之廢氣淨化方法，其中更以具備 將含有水與前述螯合劑的藥液添加於前述洗淨液或前 述供給液的工序者。 4. 如申請專利範圍第1項之廢氣淨化方法，其中前述供給 液為由以水流通填充有具適當之溶解度的固體螯合劑 之塔而製成之工序者。 5. 如申請專利範圍第1項之廢氣淨化方法，其中前述廢氣 為由半導體裝置之製造裝置所產生者〇 6. 如申請專利範圍第1項之廢氣淨化方法，其争前述廢氣 為含有酸性瓦斯，並更為具備添加鹼性的藥液於前述洗 淨液或前述供給液之工序者。

   A:\310193.ptc 第1頁 2000. 04. 28.022 461825 案號87118559 年月日 修正 六、申請專利範圍 7. 如申請專利範圍第1項之廢氣淨化方法，其中前述廢氣 為含有鹼性瓦斯，並更為具備添加酸性的藥液於前述洗 淨液或前述供給液之工序者。 8. 如申請專利範圍第1項之廢氣淨化方法，其中於前述接 觸工序為使用填充塔、喷霧塔、攪拌槽或通氣攪拌槽 者。 9. 如申請專利範圍第1項之廢氣淨化方法，其中前述離子 為金屬離子者。 10. 如申請專利範圍第1項至第9項之任一項的廢氣淨化方 法，其中前述離子為鐵離子、#5離子、删酸離子或娃酸 離子者。 11. 如申請專利範圍第1項之廢氣淨化方法，其中前述螯合 劑為使用氨基香芹酮酸或其塩、氧化香芹酮或其塩、 硅酸塩類、或聚磷酸塩類者。 12. 如申請專利範圍第1項的廢氣淨化方法，其中更具備將 含有pH調整劑的藥液添加於前述洗淨液或前述供給液 的工序者。 13. 如申請專利範圍第12項的廢氣淨化方法，其中更為具 備； 測定前述洗淨液之pH的工序；以及 依據所測得pH值以控制含有pH調整劑之藥液量的 工序者。 14. 一種半導體裝置製程之廢氣淨化方法，具備： 於容器内對半導體裝置的前驅體用蝕刻瓦斯或其

   A:\310193.ptc 第2頁 2000. 04. 28. 023 461825 并^^ 案號87118559_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 電漿實施蚀刻的工序； 將前述蝕刻瓦斯或其電漿由前述容器排出的工序； 使由前述容器排出的廢氣與含有水的洗淨液接觸 的工序； 使前述洗淨液循環再予利用的工序； 對前述洗淨液按單位時間供給一定量之供給液的 工序；以及 由前述洗淨液按前述單位時間排出前述一定量之 前述洗淨液的工序，而以 前述洗淨液含有至少1種類之與生成污垢之原因的 離子起反應而生成水溶性之螯化合物之螯合劑為其特 徵者。 15, —種半導體裝置製程之廢氣淨化方法，具備； 於化學蒸鍍裝置的容器内使薄膜形成瓦斯於半導 體裝置的前驅體發生化學蒸鍍以形成薄膜的工序； 將前述工序所得半導體裝置由前述容器取出的工 序； 對前述化學蒸鍍裝置的前述容器用洗淨瓦斯予以 清淨的工序； 將前述化學蒸鍍裝置之前述容器排出之前述清淨 工序的廢氣接觸於含有水的洗淨液的工序； 使前_述洗淨液循環再予利用的工序； 對前述洗淨液按單位時間供給一定量之供給液的 工序；以及

   A:\310193.ptc 第3頁 2000. 05. 02. 024 撕厂ί 案號87118559_ 年月曰_修正 六、 申請專利範圍 由 前 述 洗 淨 液 按前 述單 位 時間 排出前 述， —定量之 前 述 洗 淨 液 的 工 序 ，而以 前 述 洗 淨 液 含 有至 少1種類之與生成污垢 之原因的 離 子 起 反 應 而 生 成 水溶 性之 螯 化合 物之螯 合 削為其特 徵 者 〇 16. 如 中 請 專 利 範 圍 第 14或 15項 之 廢氣 淨化方 法， 其中更以 具 備 將 含 有 前 述 蝥 合劑 之水 溶 液添 加於前 述 先淨液或 前 述 供 給 液 的 工 序 者。 17. 如 中 請 專 利 範 圍 第 14或 1 5項 之 廢氣 淨化方 法， 其中更以 具 備 將 含 有 水 與 前 述螯 合劑 的 藥液 添加於 前述洗淨液 或 前 述 供 給 液 的 工 序者 〇 18. 如 中 請 專 利 範 圍 第 14或 15項 之 廢氣 淨4匕方 法， 其中前述 供 給 液 為 由 以 水 流 通填 充有 具 適當 之溶解 度的固體蝥 合 劑 之 塔 而 製 成 之 工序 者。 19. 如 中 請 專 利 範 圍 第 14或 15項 之 廢氣 淨化方 法， 其中前述 廢 氣 為 含 有 酸 性 瓦 斯，並更為具備添加鹼性的 藥液於前 述 洗 淨 液 或 前 述 供 給液 之工 序 者。 20. 如 中 請 專 利 範 圍 第 14或 15項 之 廢氣 淨4匕方 法， 其中前述 廢 氣 為 含 有 驗 性 瓦 斯，並更為具備添加酸性的 藥液於前 述 洗 淨 液 或 前 述 供 給液 之工 序 者。 21. 如 中 請 專 利 範 圍 第 14或 15項 之 廢氣 淨化方 法， 其中於前 述 接 觸 工 序 為 使 用 填充 塔、 噴 霧塔 、攪拌 槽或通氣攪 拌 槽 者 〇 22. 如 中 請 專 利 範 圍 第 14或 15項 之 廢氣 淨{匕方 法， 其中前述

   A:\310193.ptc 第4頁 2000.04. 28.025 4 6 182 5 对【案號87118559_年月日 修正_ 六、申請專利範圍 離子為金屬離子者。 23. 如申請專利範圍第14或15項之廢氣淨化方法，其中前述 離子為鐵離子、鈣離子、硼酸離子或硅酸離子者。 24. 如申請專利範圍第14或15項之廢氣淨化方法，其中前述 螯合劑為使用氨基香芹酮酸或其塩，氧化香芹酮酸或其 塩，硅酸塩類，或聚磷酸塩類者。 25. 如申請專利範圍第14或15項之廢氣淨化方法，其中更具 備將含有pH調整劑的藥液添加於前述洗淨液或前述供 給液的工序者。 26. 如申請專利範圍第25項之廢氣淨化方法，其中再具備： 測定前述洗淨液之pH的工序；以及 依據所測得pH值以控制含有pH調整劑之藥液量的 工序者。 27. —種污垢生成防止方法，係對於含有氟氣及二氧化碳 的廢氣使其與洗淨液接觸而加以處理之濕式廢氣處理 裝置之污垢生成防止方法，其特徵在：對前述洗淨液添 加可與構成生成污垢原因的金屬離子起反應而生成水 溶性螯化合物之至少1種螯合劑者。 κβί i^m A:\310193.ptc 第 5 頁 2000.04.28.026