TW460606B - RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition - Google Patents

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經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 4 6 Ο 6 w ο Α7 Β7五、發明説明（1 ) 技術領域 本發明係關於RF動力推動的電漿增強之化學蒸氣沈 積反應器及執行電漿增強之化學蒸氣沈積之方法。 背景技術 半導體製程經常涉及/或沈積薄膜或薄層於半導體基 板表面上其可有或未有其它層已經成形於其上。一種執行 膜或廣沈積之方式係透過化學蒸氣沈積（CVD)。CVD涉及 氣相化學品或反應物之化學沈積，該化學品或反應物含有 預定沈積於基板或基板表面之成分。反應物氣體被導入反 應腔室或反應器内，及於受熱表面分解及反應而形成預定 膜或層。 現有三大CVD方法可用於形成預定膜或層。包括： 大氣壓CVD(APCVD)，低壓CVD(LPCVD)及電漿增強之 CVD(PECVD)。前二方法（APCVD及LPCVD)係以其壓力為 特徵，典型使用熱能作為能量輸入來執行預定化學反應。 後述方法（PECVD)係以其壓力計畫及能量輸入方法為特徵 -~— 一.·... ' 〇 PECVD系統中，並非依賴熱能來引發與維持化學反 應，RF感應輝光放電用於移轉能量給反應物氣體。如此 可使基板保持於比APCVD及LPCVD系統更低溫。基板溫 度較低於某些情況合所需，原因為若干基板不具有熱穩定 性來接受藉其它方法塗布。其它預定特徵包括沈積速率可 提升，且可生產具有獨特組成及性質之膜或層。此外 PECVD方法及系統提供其它優點，例如黏著性良好，針 訂 線 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 經濟部中央揉準扃貝工消费合作杜印装 B7 五'發明説明（2 ) " ' 孔密度低，階遮蓋率良好，電氣性質適當，及與細線圖樣 轉印過程相容》 但沈積處理包括PECVD處理關聯之一問題在於膜或 層遮蓋率不均勻可能特別導致高縱橫比凹凸部，例如沈積 過程中典型發生稱做「麵包捲」或瓣尖問題。此等問題通 常涉及沈積材料非期望地非均勻積聚，而介於基板上之基 本結構間出現如同鎖孔之空間。先前技術解決之道係進盘 多^極薄層沈積且中間介入電漿蝕刻處理。介入之電漿蝕 刻係用來去除或切除尖頭而形成較為均勻的施用層，隨後 重^進行沈積及蝕刻直至達成預定遮蓋率為止β希望改良 PECVD方法及反應器沈精之膜或層品質。 本發明係有關改良PECVD處理系統及方法。本發明 亦係關於改良PECVD系統關聯之優點及特點包括前述優 點及特點。 _圖_式之簡單說明 後文將參照下列附圊描述本發明之較佳具體例。 第1圖為根據本發明之較佳具體例之電漿增強之化學 蒸氣沈積（PECVD)反應器系統之方塊圖。 第2圖顯示用於第1囷系統之較佳PECVD反應器之一 實務。 第3圊顯示用於第1圖系統之另一較佳PECVD反應器 之另一實務。 第4圖顯示用於第1圖系統之較佳功率分配器之一實務 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210.Χ29·?公釐） I---------1------1T------^ {請先«讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 6 0 A7 B7 五、發明説明（3 ) 第5圖顯示用於第1圖系統之另一較佳功率分配器之另 一實務。 第6圖為流程圖示例說明用於本發明之較佳具體例之 較佳處理方法。 執行本發明之最佳模式及束發明之谋壬 參照第1圖，電漿增強之化學蒸氣沈積（PE(：VD)反應 系統以方塊圖形式顯示概略於1〇。系統1〇包括一供氣單元 12, 一化學蒸氣沈積反應器14, 一rf功率分配器丨6及一 RF 功率產生器18 〇 供氣單元12可供給一或多種氣態反應物至反應器14用 於根據本發明處理*典型此等系統使用RF感應輝光放電 來移轉能量至反應物氣趙。隨後於放電區内產生自由電子 而其獲取能量’故當其碰撞氣趙分子時，發生反應物氣體 之氣相解離及離子化。如此’能量物種被吸收於工件或基 板上。 經濟部中央橾準局員工消費合作社印装 ----------装— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 PECVD反應器14界定一處理腔室或容積，於其内部 進行根據本發明之處理。第一較佳實務中，反應器14包含 平行板反應器。平行板反應器可配置成僅處理單一半導體 工件或晶圓。另外，反應器配置成處理多於一個半導趙工 件或晶圓。第二較佳實務中，反應器14包含電感線圈 PECVD反應器。二較佳實務將於後文就第2及3圖詳細討 〇 仍然參照第1圖，RF功率分配器16於示例說明之較佳 具體例中分配或以其它方式劃分RF輸入功率（該rf輪入功 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 460 A7 B7 經濟部中央橾準局負工消費合作社印裝 五、發明説明（4 率係由RF功率產生器18產生）成為RF功率組成分，隨後用 來動力推動個別反應器電極。較佳實務中，jb 根 據選定之功率比分配或劃分，選定之功率比可数立乍 員操縱。較佳此種比例非為直接1 : 1之比》此種經過分配 或劃分的功率隨後透過導線或端子15，17施用至各層反應 器14之部分之個別電極，容後詳述。 參照第2图，根據第一較佳實務之PECVD反應器概略 陳述於20 »反應器20較佳包含電容平行板反應器，其可或 可未配置成可處理多於一工件或晶圓。較佳反應器2〇界定 一處理腔室21 ’其包括一第一電極22設置於其内部。電極 22係配置成支撐至少一半導體工件呈半導體晶圓w形式。 此處使用「支撐」一詞於本文件及連同各具體例意圖表示 夹持或定位一或多個半導體工件於預定取向故可進行化學 蒸氣沈積。如此半導體工件可被支撐、夾持或以其他方式 定位成所示水平位置以外之其它方向。此外，雖然本發明 係就僅含二電極之系統内容討論，但須了解本發明之反應 器及方法可用於不一定僅限於二電極之系統。第一電極22 包含第一電極表面積24,晶圓W停靠於第一表面積上用於 根據本發明之製程處理。於示例說明之較佳具體例中，第 一電極22為感受器其可支撐工件。處理腔室21包含第二電 極26其係設置於腔室内部。二電極間存在一間隙，故電極 彼此適當隔開。於示例說明之較佳具體例中，第二電極26 組成蓮蓬頭電極’其係以工作式批鄰感受器，且配置成可 由供氣單元12供給氣態反應物（第1圖）。但氣態反應物可 本紙張適财關家料（CNS }職格⑺Qx297^ 裝 訂 線 (請先聞讀背面之注ί項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局貝工消費合作杜印製 4 6 0 b ^ ^ A7 ___B7_ 五、發明説明（5 ) 以其它方式導入反應器内。較佳第二電極26界定第二電極 表面積28，其係與第一電極表面積24不同且較佳較小。換 言之’第一電極表面積24係大於第二電極表面積28。此種 第一與第二電極間之奏J6積差異可使電極僅使用單一 RF 功率源即可發展出RF功率差異。由後文說明顯然易知。 仍然參照第2圖，導線15及17分別工作式連接至第一 及第二電極22，26。此導線連接RF功率產生器18(第1圖） 經由RF功率分配器16之個別電極，RF功率分配器供後文 討論目的係以工作式插置於RF功率產生器與感受器及蓮 蓬頭電極二者間。較佳RF功率產生器18包含單一產生器 功率源，功率源係工作式連結處理腔室且配置成可提供rF 功率給RF功率分配器，而後者又根據選定之功率比提供RF 功率給感受器及蓮蓬頭，容後詳述《如此表示於先前 PECVD反應器之一大新穎差異，後者僅有一蓮蓮頭電極 係藉RF功率源供電，而感受器電極係接地。示例說明之 單一 RF功率產生器較佳配置成可提供RF功率至電極，其 可於處理腔室内部有效發展電漿處理環境及相對於半導體 工件提供預定偏壓。例如維持電極於較佳功率偏差有助於 加速離子或離子物種朝向工件或晶圊，其可促進服貼遮蓋 率，特別於高縱橫比凹凸部時尤為如此。又復，可獲得瞑 或層組成之較為均勻及/或較高純度。 參照第3圖且根據本發明之另一較佳實務’陳述不同 型PECVD反應器30。此種反應器包含感應線圈PECVD。 反應器30包含一處理腔室31，於腔室内部可進行根據本發 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） ----------^------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 4 6 0 b ^ 6 A7 _ _____ B7 五、發明説明（6 ) 明之化學蒸氣沈積處理。第一電極32係設置於反應器内部 ，且配置成可支撐至少一半導體工件，如晶園从於其上。 第一電極32係藉較佳單_RF功率產生器18供電（第1圖）。 根據本發明可有多於一個待處理晶圊。第士電 於處理腔室31外部，包含複數線圈其可藉同一較佳單—RF 功率產生器供電》 參照第2及3囷，包含pEcVD反應器其包括個別電極 ’二者皆由單一 RF功率產生器或功率源供電。根據第一 實務’二電極係設置於處理腔室内部（第2圖根據第二 較佳實務’至少一電極係設置於處理腔室外部（第3圖）。 較佳實務之二電極皆由單一RF#率產生器如第1圖之功率 產生器18供電。如前述，如此表示與先前pecvD反應器 之新穎差異，後者中二電極並非使用來自共通單一 RF# 率源之RF功率動力推動。 參照第4園，較佳RF功率分配器陳述於3 6。於示例說 明之較佳具體例中，功率分配器36包含變壓器38，其包括 輸入端或一次繞線40及輸出端或二次繞線42。輸入端40係 透過同軸纜線44工作式耦合或連結至rf功率產生器ι8(第 1圖）及接收如此產生之功率β輸出端42包含至少二輸出端 子15，17’其係工作式耦合或連結至第一及第二電極22, 26(第2囷之PECVD反應器）或第一及第二電極32，34(第3 圖之PECVD反應器）。較佳實務中’輸出端含有多於兩個 端子，第一及第二反應器構成由其供給動力之唯一處理腔 室電極。功率分配器36將功率產生器18供給的輸入功率分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2!0Χ297公釐） 9 ----------装-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?τ Α7 _________Β7_ 五、發明説明（7 ) 配成第一及第二功率組成分，其隨後供給個別電極。較佳 變壓器之輸出端根據選定之功率比（容後詳述）供給功率給 第一及第二電極。適當匹配網路46係用於阻抗匹配用途。 此種網路典型包括各種電容及電感組件其配置用於阻抗匹 配。此係以方塊圖形式表示於框46。 經濟部中央標準局貝工消费合作杜印策 根據本發明之一較佳方面，RF功率分配器36包含一 中央分接變壓器，其中供給第一及第二電極之輸出功率幅 度大致相等。當功率分配器36用與第2圖之PECVD反應器 結合使用時此乃合所需。但某些情況下發現供給各電極之 功率比係與電極22, 26表面積24, 28成比例*因此藉由改 變或操縱表面積’可操縱或選擇功率比並影響由此種功率 組成分施用的個別電極「所見」之第一及第二功率组成分 幅度。於示例說明之較佳具體例中，此種表面積彼此不同 ’感受器表面積係大於蓮蓬頭表面積。如此可依據可定義 關係發展出功率差。此種關係係由預定相對幅度組成，該 幅度係與電極表面積之第四次幂之倒數比成正比^換言之 ’藉由改變感受器與蓮蓬頭間之相對表面積比，可執行改 變施加功率。於示例說明之較佳具體例中，第二電極或蓮 蓬頭26之表面積係小於第一電極或感受器22之表面積。如 此導致施加至蓮篷頭之功率幅度比感受器更高。如此優異 地允許被導入腔室21之反應物以較佳方式沈積，使高能物 種被抽取朝向支撐工件之電極方向。 參照第5圊，另一較佳功率分配器概略示於36立。此種 替代較佳功率分配器可獲得預定功率差異而無須考慮電極 ---------------—...___ 10 (請先閲讀背面之注意事項再填客本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 460606 A7 B7 五、發明説明（8 ) 間之表面積比且與表面積比無關，無論該等電極係屬第2 圖之反應器或第3圖之反應器皆如此。若屬適當對所述功 率分配器標示以類似編號，差異係附接「a」或以不同編 號表示。如此功率分配器36a包含輸入端40，其係工作式 輕合RF產生器18(第1圖），及輸出端42a其係工作式轉合較 佳反應器20’ 30中任一者。如此可使第2圈之反應器2〇無 須具有感受器電極及蓮蓮頭電極而其各自之表面積較為接 近相等。功率分配器36a較佳允許選定之功率比係以改變 供給電極之功率之方式調整》如此於示例說明之較佳具體 例中，RF功率分配器包含變壓器有複數二次繞線42a。此 如48指示*可以變化方式接地。 仍然參照第5圖且供舉例說明之用，輸出端42a顯示為 包含九組繞線。經由將不同繞線或線圈選擇性接地，可將 不同功率比供給蓮蓬頭及感受器電極。特別例如若如所示 編號2線圈或繞線接地，則第一電極亦即電極22(第2圖）或 32(第3圖）接收來|功率產生器之2/9或22.2%輸入功率。 如此第二電極亦即電極26(第2圖）或34(第3圊）接收7/9或 77.8°/。輸入功率β相關地，若編號7之線圈或繞線接地， 則功率分布顛倒，亦即第一電極接收7/9輸入功率而第二 電極接收2/9輸入功率。如此供給較佳電極之功率可改變 來配合不同的處理計畫。於示例說明之較佳第5圖具體例 十’功率分配器36a可由終端使用者改變選定功率比調整 來配合不同的處理計畫a此種處理計畫較佳可提供適量功 率給第二電極而非第一電極。另外，供給最接近半導體工 本紙張尺度適用中圉國家揉準（CNS ) A4規格（21〇χ 297公董） I------；--裝---\-I.--tr------0 {請先閲婧背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 11 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 460606 A7 _______B7_五、發明説明（9 ) 件電極之功率係低於供給較遠離工件之電極之功率。 如此已經敘述兩種較佳功率分配器。其中第一種（第4 圖）可優異地產生具有大致相等幅度之輸出功率。此種功 率分配器適合用於反應器，如第2圖之反應器20,其中供 給示例說明電極之最終功率幅度可藉由改變電極表面積比 調整。此種功率分配器也可合併反應器30使用。另外且同 等較佳地功率分配器36a(第5圖）允許輸出功率以變化方式 調整至適合用於反應器如第2圖反應器20之選定功率比， 其中電極可具有或無須具有電極表面積間有意義的變化。 此外’此等功率分配器可且較佳合併第3圖之反應器3〇使 用。 參照第6圖，結合前述反應器使用之處理半導體工件 之較佳方法之代表流程圖概略示於1〇〇。較佳方法包含首 先於步驟110設置一半導體工件於前述PECVD反應器中之 選定者。根據較佳實務，設置感受器用於支撐工件於處理 腔室内部。根據第2圖具體例，蓮蓬頭電極26係設置成工 作式毗鄰感受器，配置成供給氣態反應物之腔室内部。根 據第3圖具體例，反應器電極中之至少一者係設置於腔室 外部。於步驟112 ,氣態反應物供給反應器腔室，此時於 步驟114，供給來自較佳單一或共通RF功率源之RF功率。 於步驟116 ’供給的rf功率劃分為第一及第二功率組成分 ，其選擇性供給前述個別電極。例如於步驟118之第一功 率組成分施加至第一電極。於步驟12〇，第二功率組成分 施加至第二電極。較佳施加之功率組成分與另—組成

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本育) ，装. 線--- i^n t 12 4 6 U l ? j A7 ____B7_ 五、發明説明（10 ) 差異係來自於電極表面積變化（第2圖）或功率分配器36a之 一次繞線或輸出端42a之變化選擇性接地（第5圖），根據較 佳實務，變壓器輸出線圈而非中心線圈可選擇性接地用於 改變功率組成分之相對幅度β此係指示為選擇性步驟122 ，其中個別使用者可選擇各反應器電極間之預定功率比。 於處理步驟124’且以預定功率比施加至選定電極，半導 體工件經處理而執行化學蒸氣沈積◊於步驟丨26，完成處 理，且根據前文說明處理次一工件。 遵照法令規定，本發明已經或多或少就結構及方法特 點做出特定說明。但須了解本發明絕非囿限於所示及所述 之特定特點，此處揭示之手段包含將本發明付諸執行之較 佳形式。因此本發明係以隨附之申請專利範圍之適當範圍 適當解說之任何形式或修改形式申請專利。 ----------^---^——：--1T------'^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度朝中關家縣⑽s丨从胁（21()><297公慶） 4 6 Ο 6 Ο 〇 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（ιι ) 元件標號對照 10…電漿增強之化學蒸氣 30…PECVD反應器 沈積反應器系統 31…處理腔室 12…供氣單元 32“·第一電極 14…化學蒸氣沈積反應器 34…第二電極 15…導線，端子 36，36a…功率分配器 16…RF功率分配器 38···變壓器 17…導線，端子 40…輸入端，第一繞線 18…RF功率產生器 42…輸出端，第二繞線 20…反應器 44…同軸纜線 21…處理腔室 46·*· S己 Μ $ ，才匡 22…第一電極 48…接地 24…第一電極表面積 100…流程圖 26…第二電極 110-26…步騨 28…第一電極表面積 -I I n 裝 ~~ .. ~ n 訂 線 (請先閲讀背面之注意ί·項再填寫本頁) 本紙伕尺度適用中國國家標準（〇^>戍4規格（2〖0父297公釐） 14

Claims (1)

1. 公告本 ^ 3'4 60 6 8. \)s ¾^.¾督龙財，---5-55.:¾工消脅合作社印製 申請專利範圍 第88102446號申請案申請專利範圍修正本 90.03.19. 1. 一種電容式電漿增強之化學蒸氣沈積反應器，其包含： 一處理腔室； 一感受器電極於該腔室内部*其係配置成可支撐至少 一半導體工件； 一蓮蓬頭電極於該腔室内部，其係工作式毗鄰該感受 器電極且配置成可提供氣態反應物至該腔室内部； 一單一射頻（RF)功率產生器，其係工作式耦合該感受 器電極及該蓮蓬頭電極’且配置成對該等電極供給 率而發展出一電漿處理環境於該腔室内及相對於該半導體 工件發展出一預定偏壓；及 一 RF功率分配器’其包含一變壓器，該變壓器具有 一個一次繞線與一個二次繞線，該一次繞線係耦接至該RF 功率產生器且該二次繞線係耦接至該等感受器電極與蓮蓬 頭電極，該RF功率分配器係配置成可介於該感受器電極 及該蓮蓬頭電極間以一選定之功率比提供來自該RF功率 產生器之功率給該等感受器電極及蓮蓮頭電極。 2·如申請專利範圍第1項之電漿增強之化學蒸氣沈積反應 器，其中該感受器電極及該蓮蓮頭電極具有彼此不同的表 面積，其該選定之功率比係與其間之一表面積比成比例。 3.如申請專利㈣第丄項之電毁增強之化學蒸氣沈積反應 器，其中該選定之功率比非為1:丨之比。 4·#中請㈣㈣第】項之電衆增強之化學蒸氣沈積反應 器’其中該RF功率分配器包含一包括一中央分接二次 ------------ 裝----_---訂------威 .无 _!·-:]ϋ.-.'·.'/.·';ίδ_3 再蛾 4本頁) ，

   460 6 l B8 ΓΚ __________iis I六、申請專利範圍 ~ . — j 4 [ 線之變壓器’其具有至少二輸出端子，個別輸出端子係連 結至该專感受器電極及蓮篷頭電極之一。 5.如申請專利範圍第1項之電漿增強之化學蒸氣沈積反應 器，其中： i ： 6亥功率分配器包含一包括一十央分接二次繞線之 變壓器； 該感受器電極及該蓮蓬頭電極具有彼此不同之個別表 面積；及 該選定之功率比係與介於其間之一表面積比成比例。 6_如申請專利範圍第1項之電漿增強之化學蒸氣沈積反應 器’其中該感受器電極及該蓮蓬頭電極具有大致相等的個 別表面積。 7 ‘如申請專利範圍第丨項之電漿增強之化學蒸氣沈積反應 器’其中該選定之功率比係可調整。 8. 如申請專利範圍第1項之電漿增強之化學蒸氣沈積反應 器，其中該RF功率分配器包含一變壓器具有複數可變可 接地一次繞線用於改變該選定之功率比。 9. 如申請專利範圍第丨項之電漿增強之化學蒸氣沈積反應 器，其中該感受器電極及該蓮蓮頭電極具有個別表面積為 大致相等，及該選定之功率比為可調整。 1〇_如申請專利範圍第1項之電漿增強之化學蒸氣沈積反 應器，其中該感受器電極及該蓮蓬頭電極具有個別表面積 為大致相等，且該RF功率分配器包含複數可變接地二次 繞線用於調整該選定之功率比。 注念^^'5'.、再硬Η本頁) 蚜-部"慧时十-_-贷工消費合作钍印製 ---，裝------訂------旅——^------- 本紙張纽適用中^^"家標率（{：\5)从規格（；：10.〇公擎'1 ' 六 ^-¾.^¾时4 ν'··!;ττ工消費合作社印製 46Qg 八^ B8 CS ___ D8 申諸專利範圍 11. 一種平行板電漿增強之化學蒸氣沈積反應器，其包 含： 一處理腔室： 一感受器電極於該腔室内，且配置成可支撐至少一半 導體工件’該感受器電極包含一第一表面積； 一蓮蓬頭電極於該腔室内，且配置成可供給反應物至 該腔室内部，該蓮蓬頭電極包含一第二表面積其係小於該 第一表面積；及 一單一 RF功率源係工作式耦合至該等蓮蓬頭電極及 感受器電極，且係配置成可根據一預先界定之相對幅度供 給RF功率至各電極而相對於由該感受器電極支撐之一半 導體工件發展出_預定偏壓’及於該處理腔室内部發展出 一電漿處理環境。 12. 如申請專利範圍第U項之平行板電漿增強之化學蒸氣 沈積反應器，其中該預先界定之相對幅度係與該等電極面 積之第四次幂之倒數比值成正比。 13. —種平行板電漿增強之化學蒸氣沈積反應器，其包 含： 一處理腔室； 一感受器電極於該腔室内，且配置成可支撐至少一半 導體工件，該感受器電極包含一第一表面積； 一蓮蓮頭電極於該腔室内工作式毗鄰該感受器電極且 配置成可提供氣態反應物至該腔室内部，該蓮蓬頭電極有 一蓮蓬頭表面積係小於該感受器電極表面積； 本紙張纥度適用中國國家揉牟（CMS ) A4規格（公螫：， 裝 訂 球· II —^ I. H. 4 60 ο Λί Γ8 L>S 々·中讳專利範圍 一單一 RF功率產生器，其係工作式結合該處理腔室 且配置成可提供RF功率；及 一變壓器，其具有一輸入端及一具有不多於二輸出端 子之分離分接第二繞線，該輪入端係工作式連結且可接收 來自該RF功率產生器之rF功率，及個別輸出端子係連結 该等感受器電極及蓮蓬頭電極’且係配置成可以與該等電 極面積比成比例之一選定功率比供給RF功率至各電極。 —種電漿增強之化學蒸氣沈積反應器，其包含： 一處理腔室； 一第一電極其係位於該腔室内部且配置成可支撐一工 件； 一第二電極其係工作式結合該腔室； 一單一 RF功率產生器其係配置成可供給rf功率； 一變壓器’其具有一輸入端及一輸出端，而僅有二輸 出端子其係與該反應器電極之任一者形成個別連結，輸入 端係工作式連結且接收來自該RF功率產生器之功率，該 等輸出端子係配置成可於一選定比供給RF功率至各電 極’該選定之功率比係可有效（a)相對一工件發展出一預 定偏壓’及（b)建立且維持於該處理腔室内部之一電漿處 理環境；及 該輸出端進一步包含複數繞線，其個別繞線可選擇性 接地用於改變供給個別電極之該RF功率及其選定之功率 比’其中鍵反應器為一感應線圈反應器且該第二電極係配 置於該腔室外部。 木紙張&度適财賴家縣（CNS ) A4規格（ϋΐηκπ公缚 二注您事唄再硪片本頁) 畔3湘暫葸$-4.:.'7:{4工消費合作社印製 ----i------、w---------- -18- φ:清專制範園 15. 如申請專利範圍第14項之電漿反應器，其中該等電極 之至夕一者係設置於或腔室内部且係配置用於支撑一半導 體工件。 16. —種電漿反應器，其包含： 一腔室’其界定一處理容積； —第一電極，其係工作式連結該腔室； 一第二電極’其係工作式連結該腔室； 一單一 RF功率產生器；及 一變壓器，其具有一個一次繞線與一分離二次繞線， 該一次繞線係連結至該RF功率產生器用於接收其產生之 功率，且该二次繞線包括二輸出端子，一輸出端子係連結 至該第一電極’且另一輸出端子係連結至該第二電極，該 二次繞線係根據一預定功率比供給功率至各該第一及第二 電極，其中該等電極其中之一係配置於該腔室外部。 17. 如申請專利範圍第16項之電漿反應器，其中該等第一 及第二電極包含彼此不同的個別表面積。 18. 如申請專利範圍第16項之電漿反應器，其中該二次繞 線包含複數可變可接地繞線用於改變該選定的功率比。 19_ 一種感應線圈電漿反應器，其包含： 一腔室，其界定一處理容積； 一第一電極，其係工作式連結該腔室； —第二電極’其係配置於該腔室外部且係工作式連結 該腔室； 一單一RF功率產生器；及 木紙張&度刺中國國家標準（CNS) Α4規格（公雄） 46 Bis 申請專利範圍 一變壓器’其具有一個一次繞線與一分離二次繞線， 該一次繞線係連結至該RF功率產生器用於接收其產生之 功率，且該二次繞線包括二輸出端子，一輸出端子係連結 至該第一電極’且另一輸出端子係連結至該第二電極，該 二次繞線包含複數可變可接地繞線用於改變該選定功率， 根據該預定功率比供給功率至各該第一及第二電極。 20. —種對處理腔室内部之半導體工件進行電漿增強之化 學蒸氣沈積材料之半導體處理方法，該方法包含： 提供一第一電極用於支撐一工件； 提供第二電極工作式結合該腔室，該等第—及第二電 極係構成該唯一處理腔室電極，相對於該電極將發展出一 預定偏壓及將形成一電漿處理環境； 經由一具有一個一次繞線與一個二次繞線之可變變壓 器施加來自該單一 RF功率產生器之RF功率至該等第一及 第二電極二者，該施加之功率界定該等第_與第二電極間 之該選定功率比不等於1 : 1之比；及 提供至少一反應性氣體於該處理腔室内部其可有效用 於化學;线沈積極切料處理腔 室内部之一晶圓上。 21. 如申請專利範圍第2〇項之半導趙處理方法，其中該第 二電極係設置於該腔室内部。 22. 如申請專利範圍第20項之半導體處理方法，其中該第 二電極係設置於該腔室外部。 ' ^ 23. 如申請專利範圍第20項之半導體處理方法，其 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS ) A4規格【2丨 '^..-1·.ν:·事¾再喰4本頁) --- 裝---------訂 經4础贫慧时，消費合作杜印餐 --------- -20. 460606 Λ 8 ΒΗ CS 六 :.1— . ...... . ' . - . It n:l-ii - 1 J—Γ i · ·· ϋ· -I I if _ I i. --- —L 蟑·V7邮知日慧財-ίϊν :.H工消費合作社印製 中請專利範圍 該第二電極係設置於該腔室内部； 該第一電極包含一感受器電極具有一經界定之表面 積； 該第二電極包含一蓮蓬頭電極具有一經界定之表面 二注"事^再填."本頁) 穡’該蓮蓬頭電極係配置成可提供反應物至該腔室内部； 及 該專第一及第二電極之個別表面積係彼此不同。 24. 如申請專利範圍第20項之半導體處理方法，其中該施 用步驟包含： 形成一工作式連結介於該第一電極、該第二電極與該 變壓器之該二次繞線間； 形成一工作式連結介於該變壓器一次繞線與該單一 RF功率產生器間； 將RF功率產生器供給之RF功率分配成第—及第二功 率組成分； 施加該第一功率組成分至該第一電極；及 施加該第二功率組成分至該第二電極。 25. 如申請專利範圍第20項之半導體處理方法， 次其中該施 加步驟包含： 形成工作式連結介於該第一電極、該第二電極與該變 壓器之該二次繞線間； κ 形成工作式連結介於該變壓器之該—次繞 〇 RF功率產生器間； ' μ _ 分配該RF功率產生器供給之rf功率成為第一 及第二 本紙張兄度遶用中國國家標準（<：’奶）八4規格（：：1〇/2*^公犛', -21- 46U&Q§ Λα BS cs _____ Ds .申諸專钊範圍 ~ 功率組成分； 施加該第一功率組成分至該第一電極； 施加該第二功率組成分至該第二電極；且 其中該二次繞線包含複數可變可接地線圈以啟動欲改 變之不同幅度之該等第一與第二功率組成分。 26. —種對處理腔室内部之半導體工件進行電漿增強之化 學蒸氣沈積材料之半導體處理方法，該方法包含： 提供一第一電極於該腔室内部用於支撐一工件； 提供一第二電極於該腔室内部； 提供一變壓器具有一個一次繞線及一個二次繞線，該 二次繞線包含複數線圈，其中一線圈包含一中央線圈； 形成工作式連結介於該一次繞線與一單一 RF功率產 生器間’該產生器係配置成可提供RF功率至該一次繞線 且包含該唯一 RF功率源其係工作式連結該處理腔室； 形成工作式連結介於該二次繞線與該等第一及第二電 極間’該連結構成該變壓器與任何處理腔室電極間之唯一 連結； 將該中心線圈以外之該等二次繞線線圈其中之一接地 而產生該等第一及第二功率组成分，其幅度比值不同，該 第一功率組成分係施加至該第一電極，及該第二功率組成 分係施加至該第二電極；及 提供至少一種反應性氣體於該處理腔室内部其可有效 用於化學蒸氣沈積一層材料於由該第一電極支撐拎該處理 腔室内部之一晶圓上。 木紙張兄度適用中國國家標率ί CNS丨Α4規格（210/：^公筹1 :Ϊ.1'::7Γ-背5:1注悉事唄再蛾^本頁) ---1— -< -- κ ---訂-------成-.—-I 蛵濟况智慧財.，¾¾工消費合作社印製 -22- 460606 }iS ('S i入、 •—π. -. τ. " " 11 " -一‘一.·_，“，，一〜一 一 _ "， * I .— --. J |六，申請專利範圍 ! 27·如申請專利範圍第26項之半導體處理方法，其中該第 一功率組成分係大於該第二功率組成分。 28.如申請專利範圍第26項之半導體處理方法，其中該變 壓器具有複數二次繞線線圈之它者選擇性接地用於改變該 等第一及第二功率組成分之相對幅度。 I I 29. —種化學蒸氣沈積材料於處理腔室内部之一半導體工 件上之半導體處理方法，其包含： 分配由一具有耗接至一單RF —功率源之_個一次燒 線之變壓器之一個二次繞線所產生之功率成為具有不同幅 度之該等第一及第二RF功率組成分，該第一功率源構成 結合該處理腔室之唯一 RF功率源； 以個別具有不等幅度之該等第一及第二RF#率組成 分僅供電給二處理腔室電極；及 提供至少一種反應性氣體於該處理腔室内部其可有效 化學蒸氣沈積一層材料層於該處理腔室内部由其中一電極 支撐之一晶圓上。 30. 如申請專利範圍第29項之半導體處理方法，其中該供 電包含： 以該第一 RF功率組成分供電一第一電極，該第一電 極係支撐至少一半導體工件用於加工處理；及 以該第二RF功率組成分供電一第二電極，該第二電 極之供電幅度比該第一電極更大β 31. 如申請專利範圍第29項之半導體處理方法，其中該等 處理腔室電極之至少一者係設置於該處理腔室外部。 木紙張足度㈣中®國家縣（〔，NS )_Λ4祕（：ΐη.χ. 2g7公勢：, ' .元-'..:;i'zc}f-a^"."本貫) :".-^-;"智慧財义'工消費合作社印製 i ----- 裝-------訂------咸 — ；-------, — -23 - 460606 & Be C8 ____D8 六、申請專利範圍 32. —種執行電漿增強之化學蒸氣沈積之半導體處理方 法，包含於沈積期間由一單一 RF#率產生器施加RF功率 至構成電漿增強之化學蒸氣沈積反應器之部件的僅二電 極，該單一RF功率產生器係構成連結反應器之唯一RF# 率產生器。 33. 如申請專利範圍第32項之半導體處理方法，其中該等 電極係設置於反應器内部且具有個別表面積彼此不同： 34·如申請專利範圍第32項之半導體處理方法，其中該等 電極中之至少一者係設置於反應器内部。 35·如申請專利範圍第32項之半導體處理方法，其中該反 應器為一電感線圈反應器。 36·如申請專利範圍第32項之半導體處理方法，其中該RF 功率係根據1 : 1以外之選定功率比施用至該等電極β ••Λ4事項再蛾.¾本筲― 裝----^--- :工消費合作杜印製 冰—----]| 本紙張又度邊用中國國家榡準（) Α4規格{ 公筚. -24 -