JPH0831806A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0831806A JPH0831806A JP6167631A JP16763194A JPH0831806A JP H0831806 A JPH0831806 A JP H0831806A JP 6167631 A JP6167631 A JP 6167631A JP 16763194 A JP16763194 A JP 16763194A JP H0831806 A JPH0831806 A JP H0831806A
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- electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空容器内に対向して配置された第１電極と
第２電極の電極電圧比率を一定に保持し得る技術を提供
する。 【構成】 半導体ウエハＷをプラズマ処理する真空容器
２内には相互に対向して上部電極３と下部電極４とが設
けられている。下部電極４にはワークＷを静電吸着する
ための直流電源が印加されるようになっている。スプリ
ッタトランス６はＲＦ電源５に接続される一次側コイル
６ａと上下両電極３，４に接続される二次側コイル６ｂ
とを有し、二次側コイル６ｂには接地位置を変化させて
ＲＦ電源５の電極３，４に対する分配比率を変化させる
接地タップ１０が設けられている。制御部１３はセンサ
１１，１２からの信号に基づいて接地タップ１０を制御
して両方の電極３，４の電極電圧の比を一定に制御す
る。
第２電極の電極電圧比率を一定に保持し得る技術を提供
する。 【構成】 半導体ウエハＷをプラズマ処理する真空容器
２内には相互に対向して上部電極３と下部電極４とが設
けられている。下部電極４にはワークＷを静電吸着する
ための直流電源が印加されるようになっている。スプリ
ッタトランス６はＲＦ電源５に接続される一次側コイル
６ａと上下両電極３，４に接続される二次側コイル６ｂ
とを有し、二次側コイル６ｂには接地位置を変化させて
ＲＦ電源５の電極３，４に対する分配比率を変化させる
接地タップ１０が設けられている。制御部１３はセンサ
１１，１２からの信号に基づいて接地タップ１０を制御
して両方の電極３，４の電極電圧の比を一定に制御す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハ等の被処理
物つまりワークをガスプラズマを利用して加工するプラ
ズマ処理技術に関する。
物つまりワークをガスプラズマを利用して加工するプラ
ズマ処理技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体装置を製造する際にお
ける半導体ウエハの処理には、半導体ウエハをワークと
してこれの表面に所望の物質の薄膜を形成するためのＣ
ＶＤ処理、ワーク上に微細な回路パターンを形成するエ
ッチング処理等がある。これらの処理を行うために、プ
ラズマ処理装置が用いられており、プラズマ処理は、反
応ガスの減圧下において放電することにより、常圧下で
は安定に得られない電子、イオンおよびラジカル等の反
応種を発生させ、所定の化学反応を促進させて前記エッ
チング処理等を行う技術である。
ける半導体ウエハの処理には、半導体ウエハをワークと
してこれの表面に所望の物質の薄膜を形成するためのＣ
ＶＤ処理、ワーク上に微細な回路パターンを形成するエ
ッチング処理等がある。これらの処理を行うために、プ
ラズマ処理装置が用いられており、プラズマ処理は、反
応ガスの減圧下において放電することにより、常圧下で
は安定に得られない電子、イオンおよびラジカル等の反
応種を発生させ、所定の化学反応を促進させて前記エッ
チング処理等を行う技術である。
【０００３】真空容器内に対向し合って配置された上下
の電極とＲＦ電源との間に、電源に接続される一次側コ
イルとこれに絶縁されかつ電極に接続される二次側コイ
ルを有するトランスを設けることにより、それぞれの電
極に同電圧で相互に位相を１８０°ずらして電源を供給
するようにした技術が、特開平２−１７７４５９号公報
に開示されている。
の電極とＲＦ電源との間に、電源に接続される一次側コ
イルとこれに絶縁されかつ電極に接続される二次側コイ
ルを有するトランスを設けることにより、それぞれの電
極に同電圧で相互に位相を１８０°ずらして電源を供給
するようにした技術が、特開平２−１７７４５９号公報
に開示されている。
【０００４】また、特開平４−４８７２７号公報には、
二次側コイルにタップを設けて、対向し合う電極に、位
相が１８０°ずれるとともに相互に異なる電圧を供給す
るようにした技術が開示されている。この場合の対向電
極相互間の電極電圧比は、二次側コイルの接地タップの
位置を変化させてコイル比率を変化させることにより決
定される。
二次側コイルにタップを設けて、対向し合う電極に、位
相が１８０°ずれるとともに相互に異なる電圧を供給す
るようにした技術が開示されている。この場合の対向電
極相互間の電極電圧比は、二次側コイルの接地タップの
位置を変化させてコイル比率を変化させることにより決
定される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発明者
が二次側コイルのコイル比率と上下両電極の電極電圧と
の関係を検討したところ、コイル比率と電極電圧の電圧
比率とが一定に対応していないことが判明した。
が二次側コイルのコイル比率と上下両電極の電極電圧と
の関係を検討したところ、コイル比率と電極電圧の電圧
比率とが一定に対応していないことが判明した。
【０００６】特に、近年ではガスプラズマを利用して半
導体ウエハを加工するためのプラズマ処理装置にあって
は、半導体デバイスの進歩と半導体ウエハのサイズの大
口径化に伴い、静電吸着によるワークのガス冷却対応が
必要不可欠となっている。このため、ワークとしての半
導体ウエハ上の酸化膜が選択されているプラズマ処理装
置では、半導体ウエハを保持する側の電極を静電吸着対
応の構造とし、さらに、電極にプラズマ生成用の電力を
供給する電源回路に、静電吸着のための直流電源回路を
接続した回路構成としている。このようなプラズマ処理
装置を用いて上部電極と下部電極の各電極電圧を測定し
たところ、トランスの二次側コイルのコイル比率と、分
割された電圧比率との対応がとられていないことが判明
した。
導体ウエハを加工するためのプラズマ処理装置にあって
は、半導体デバイスの進歩と半導体ウエハのサイズの大
口径化に伴い、静電吸着によるワークのガス冷却対応が
必要不可欠となっている。このため、ワークとしての半
導体ウエハ上の酸化膜が選択されているプラズマ処理装
置では、半導体ウエハを保持する側の電極を静電吸着対
応の構造とし、さらに、電極にプラズマ生成用の電力を
供給する電源回路に、静電吸着のための直流電源回路を
接続した回路構成としている。このようなプラズマ処理
装置を用いて上部電極と下部電極の各電極電圧を測定し
たところ、トランスの二次側コイルのコイル比率と、分
割された電圧比率との対応がとられていないことが判明
した。
【０００７】本発明の目的は、真空容器内に対向して配
置された第１電極と第２電極の電極電圧比率を一定に保
持し得る技術を提供することである。
置された第１電極と第２電極の電極電圧比率を一定に保
持し得る技術を提供することである。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１０】すなわち、本発明のプラズマ処理装置は、
ワークをプラズマ処理する真空容器を有しており、この
中には相互に対向して第１電極と第２電極とが配置され
ている。それぞれの電極には、トランスの二次側コイル
が接続されておりＲＦ電源からの電力が相互に１８０°
位相をずらして供給される。二次側コイルには接地タッ
プが設けられており、二次側コイルの接地位置を変化さ
せて前記ＲＦ電源の前記それぞれの電極に対する分配比
率を変化する。制御手段は両方の電極のそれぞれの電圧
値を検出するセンサからの信号に基づいて接地タップを
制御して両電極の電極電圧の比を一定に制御することを
特徴とする。
ワークをプラズマ処理する真空容器を有しており、この
中には相互に対向して第１電極と第２電極とが配置され
ている。それぞれの電極には、トランスの二次側コイル
が接続されておりＲＦ電源からの電力が相互に１８０°
位相をずらして供給される。二次側コイルには接地タッ
プが設けられており、二次側コイルの接地位置を変化さ
せて前記ＲＦ電源の前記それぞれの電極に対する分配比
率を変化する。制御手段は両方の電極のそれぞれの電圧
値を検出するセンサからの信号に基づいて接地タップを
制御して両電極の電極電圧の比を一定に制御することを
特徴とする。
【００１１】さらに本発明のプラズマ処理装置は、一方
の電極にワークを静電吸着するための直流電源が印加さ
れるようになっている。さらに、接地タップは二次側コ
イルの接地位置を無段階に変化させる。また、ＲＦ電源
は３５０〜４５０ｋHzの周波数を生成する。
の電極にワークを静電吸着するための直流電源が印加さ
れるようになっている。さらに、接地タップは二次側コ
イルの接地位置を無段階に変化させる。また、ＲＦ電源
は３５０〜４５０ｋHzの周波数を生成する。
【００１２】
【作用】第１電極と第２電極の電圧値を検出して、その
検出値に基づいて接地タップによる電極に対する分配比
率をフィードバック制御するようにしたので、第１電極
と第２電極の電極電圧比が一定に保持される。これによ
り、最適条件でのプラズマ処理を行うことができる。
検出値に基づいて接地タップによる電極に対する分配比
率をフィードバック制御するようにしたので、第１電極
と第２電極の電極電圧比が一定に保持される。これによ
り、最適条件でのプラズマ処理を行うことができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１４】図１は本発明の一実施例であるプラズマ処
理装置を示す概略断面図であり、このプラズマ処理装置
は、内部に処理室１が形成された真空容器２を有し、こ
の真空容器２内には、第１電極としての上部電極３と第
２電極としての下部電極４とが相互に対向して配置され
ている。
理装置を示す概略断面図であり、このプラズマ処理装置
は、内部に処理室１が形成された真空容器２を有し、こ
の真空容器２内には、第１電極としての上部電極３と第
２電極としての下部電極４とが相互に対向して配置され
ている。
【００１５】それぞれの電極３，４にプラズマ生成用の
電力を供給するためのＲＦ電源５は、スプリッタトラン
ス６の一次側コイル６ａに接続され、この一次側コイル
６ａに絶縁された二次側コイル６ｂの両端は、上部電極
３と下部電極４とにそれぞれ接続されている。したがっ
て、上部電極３と下部電極４には、相互に位相が１８０
°ずらされた電力が供給される。ＲＦ電源５は、３５０
〜４５０ＫHz程度の比較的低い周波数の電力を供給す
る。
電力を供給するためのＲＦ電源５は、スプリッタトラン
ス６の一次側コイル６ａに接続され、この一次側コイル
６ａに絶縁された二次側コイル６ｂの両端は、上部電極
３と下部電極４とにそれぞれ接続されている。したがっ
て、上部電極３と下部電極４には、相互に位相が１８０
°ずらされた電力が供給される。ＲＦ電源５は、３５０
〜４５０ＫHz程度の比較的低い周波数の電力を供給す
る。
【００１６】下部電極つまり第２電極４は、ワークであ
る半導体ウエハＷを静電吸着するためのチャック電極と
なっており、その表面には誘電体からなる静電チャック
７が設けられている。下部電極４には、直流電源つまり
ＤＣ電源８がフィルター９を介して接続されており、静
電チャック７に対してワークＷを静電吸着するために必
要なＤＣ電圧が印加されるようになっている。
る半導体ウエハＷを静電吸着するためのチャック電極と
なっており、その表面には誘電体からなる静電チャック
７が設けられている。下部電極４には、直流電源つまり
ＤＣ電源８がフィルター９を介して接続されており、静
電チャック７に対してワークＷを静電吸着するために必
要なＤＣ電圧が印加されるようになっている。
【００１７】二次側コイル６ｂには接地タップ１０が設
けられており、この接地タップ１０により二次側コイル
６ｂの接地位置を変化させると、上部電極３と下部電極
４に対して供給される電圧の分配比率が変化することに
なる。したがって、接地タップ１０の二次側コイル６ｂ
に対する接地位置を変化させることにより、それぞれの
電極３，４に対しては、相互に位相が１８０°ずらされ
て同一の電圧あるいは異なる電圧となってＲＦ電源５か
らの電力が供給される。
けられており、この接地タップ１０により二次側コイル
６ｂの接地位置を変化させると、上部電極３と下部電極
４に対して供給される電圧の分配比率が変化することに
なる。したがって、接地タップ１０の二次側コイル６ｂ
に対する接地位置を変化させることにより、それぞれの
電極３，４に対しては、相互に位相が１８０°ずらされ
て同一の電圧あるいは異なる電圧となってＲＦ電源５か
らの電力が供給される。
【００１８】上部電極３と下部電極４の電圧値を検出す
るためのセンサ１１，１２が設けられており、これらの
センサ１１，１２からの検出信号は、制御部１３に送信
されるようになっている。一方、この制御部１３からは
接地タップ１０に対して制御信号が送られるようになっ
ている。この制御部１３には図示しない操作パネルが接
続されており、その操作パネルからの入力信号により、
それぞれの電極３，４に対して供給される電極電圧の分
配比率を無段階に設定し得るようになっている。そし
て、設定された分配比率とそれぞれのセンサ１１，１２
によって検出された電極電圧の比率とを比較して、制御
部１３からは接地タップ１０に対してフィードバック信
号が供給されるようになっている。
るためのセンサ１１，１２が設けられており、これらの
センサ１１，１２からの検出信号は、制御部１３に送信
されるようになっている。一方、この制御部１３からは
接地タップ１０に対して制御信号が送られるようになっ
ている。この制御部１３には図示しない操作パネルが接
続されており、その操作パネルからの入力信号により、
それぞれの電極３，４に対して供給される電極電圧の分
配比率を無段階に設定し得るようになっている。そし
て、設定された分配比率とそれぞれのセンサ１１，１２
によって検出された電極電圧の比率とを比較して、制御
部１３からは接地タップ１０に対してフィードバック信
号が供給されるようになっている。
【００１９】制御部１３にはＣＲＴ等からなる表示部１
４が接続されており、制御部１３からの信号によってそ
れぞれの電極３，４の電圧値がモニタリングされるよう
になっている。また、操作パネルからの入力により設定
された設定電圧値を表示部１４にモニタするようにして
も良い。
４が接続されており、制御部１３からの信号によってそ
れぞれの電極３，４の電圧値がモニタリングされるよう
になっている。また、操作パネルからの入力により設定
された設定電圧値を表示部１４にモニタするようにして
も良い。
【００２０】図２は二次側コイル６ｂに対する接地タッ
プ１０の位置を変化させることにより、両電極３，４と
のスプリット比を変化させた場合における上部電極３側
のスプリット比と、それぞれの電極３，４に供給される
電極電圧Ｖppとの関係を示す測定結果を示すグラフであ
る。この場合は、下部電極４にウエハＷを静電吸着する
ために直流電源８からＤＣ２５０Ｖの電力を印加してお
り、接地タップ１０によって両電極３，４を、図２にお
いて符号Ａで示す５０％のスプリット比に設定しても、
上部電極３の電圧の方が下部電極４よりも高い電極電圧
となった。
プ１０の位置を変化させることにより、両電極３，４と
のスプリット比を変化させた場合における上部電極３側
のスプリット比と、それぞれの電極３，４に供給される
電極電圧Ｖppとの関係を示す測定結果を示すグラフであ
る。この場合は、下部電極４にウエハＷを静電吸着する
ために直流電源８からＤＣ２５０Ｖの電力を印加してお
り、接地タップ１０によって両電極３，４を、図２にお
いて符号Ａで示す５０％のスプリット比に設定しても、
上部電極３の電圧の方が下部電極４よりも高い電極電圧
となった。
【００２１】二次側コイル６ｂの接地タップ１０による
スプリット比を、符号Ｂで示すように４７〜４８％に設
定すると、それぞれの電極３，４に対して供給される電
極電圧は相互に同圧となることが判明した。
スプリット比を、符号Ｂで示すように４７〜４８％に設
定すると、それぞれの電極３，４に対して供給される電
極電圧は相互に同圧となることが判明した。
【００２２】そこで、センサ１１，１２によって得られ
た電極電圧値を制御部１３において比較し、同電圧とな
るように設定された場合には、制御部１３からのフィー
ドバック信号により接地タップ１０が移動して分配比率
が変化する。これにより、それぞれの電極電圧が同圧と
なるように自動的に制御される。プラズマ処理がなされ
ている過程においてそれぞれの電極電圧が設定値からず
れた場合にも、自動的に設定電圧値に制御される。
た電極電圧値を制御部１３において比較し、同電圧とな
るように設定された場合には、制御部１３からのフィー
ドバック信号により接地タップ１０が移動して分配比率
が変化する。これにより、それぞれの電極電圧が同圧と
なるように自動的に制御される。プラズマ処理がなされ
ている過程においてそれぞれの電極電圧が設定値からず
れた場合にも、自動的に設定電圧値に制御される。
【００２３】このような構造のプラズマ処理装置を用い
て、ウエハＷにエッチング処理するには、下部電極４の
静電チャック７の上にウエハＷを載置した後に、処理室
１内を所定の真空度に保持するとともに処理ガスを供給
した状態のもとで、ＲＦ電源５から所定の周波数の電力
をそれぞれの電極３，４に供給し、直流電源８からＤＣ
電力を下部電極に印加する。これにより、両電極３，４
の間にプラズマ放電が発生して、ウエハＷ表面にエッチ
ング処理がなされる。プラズマ処理の過程で電極電圧が
設定値からずれた場合には、自動的にフィードバック制
御がなされて設定値に修正される。
て、ウエハＷにエッチング処理するには、下部電極４の
静電チャック７の上にウエハＷを載置した後に、処理室
１内を所定の真空度に保持するとともに処理ガスを供給
した状態のもとで、ＲＦ電源５から所定の周波数の電力
をそれぞれの電極３，４に供給し、直流電源８からＤＣ
電力を下部電極に印加する。これにより、両電極３，４
の間にプラズマ放電が発生して、ウエハＷ表面にエッチ
ング処理がなされる。プラズマ処理の過程で電極電圧が
設定値からずれた場合には、自動的にフィードバック制
御がなされて設定値に修正される。
【００２４】これにより、最適条件により安定的にプラ
ズマを生成させてワークを処理することができる。そし
て、それぞれの電極電圧は設定された同電圧あるいは異
なる電圧に設定され、しかも相互に位相が１８０°ずれ
ることになる。
ズマを生成させてワークを処理することができる。そし
て、それぞれの電極電圧は設定された同電圧あるいは異
なる電圧に設定され、しかも相互に位相が１８０°ずれ
ることになる。
【００２５】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２６】たとえば、図示する接地タップ１０は二次
側コイル６ｂの分力比率を無段階に設定し得るようにな
っているが、相互に接地位置が相違した複数の固定式接
地タップを設けて、そのうち任意のものを接地させるよ
うにしても良い。
側コイル６ｂの分力比率を無段階に設定し得るようにな
っているが、相互に接地位置が相違した複数の固定式接
地タップを設けて、そのうち任意のものを接地させるよ
うにしても良い。
【００２７】また、２つの電極にそれぞれ位相を１８０
°ずらして電力を供給するタイプのプラズマ処理装置で
あれば、バレル型プラズマエッチング装置、反応性イオ
ンエッチング装置、およびマグネトロンＲＩＥ装置等の
プラズマ処理装置にも本発明を適用することができる。
°ずらして電力を供給するタイプのプラズマ処理装置で
あれば、バレル型プラズマエッチング装置、反応性イオ
ンエッチング装置、およびマグネトロンＲＩＥ装置等の
プラズマ処理装置にも本発明を適用することができる。
【００２８】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその利用分野であるエッチング処理に適
用した場合について説明したが、これに限定されるもの
ではなく、たとえば、ＣＶＤ処理装置にも本発明を適用
できる。
なされた発明をその利用分野であるエッチング処理に適
用した場合について説明したが、これに限定されるもの
ではなく、たとえば、ＣＶＤ処理装置にも本発明を適用
できる。
【００２９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００３０】(1).第１電極と第２電極の電極電圧比が設
定された所定値に一定に保持されることになる。
定された所定値に一定に保持されることになる。
【００３１】(2).ワークを静電吸着するためのＤＣ電源
の影響を受けることなく、両方の電極の電極電圧を一定
に保持することができる。
の影響を受けることなく、両方の電極の電極電圧を一定
に保持することができる。
【００３２】(3).これにより、プラズマを最適条件によ
り安定的に生成することができる。
り安定的に生成することができる。
【図１】本発明の一実施例であるプラズマ処理装置を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図２】電極電圧とコイル比率つまりスプリット比との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
１ 処理室 ２ 真空容器 ３ 上部電極（第１電極） ４ 下部電極（第２電極） ５ ＲＦ電源 ６ スプリッタトランス ６ａ 一次側コイル ６ｂ 二次側コイル ７ 静電チャック ８ 直流電源 ９ フィルター １０ 接地タップ １１，１２ センサ １３ 制御部（制御手段） １４ 表示部 Ｗ ウエハ（ワーク）
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｍ 9216−2Ｇ (72)発明者 原島 正成 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 丸茂 宏 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 小笠原 充 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 相互に対向して配置された第１電極と第
２電極とを有し、ワークをプラズマ処理する真空容器
と、 ＲＦ電源に接続される一次側コイルと両端がそれぞれ前
記第１および第２電極に接続される二次側コイルとを有
し、相互に１８０°位相をずらして前記ＲＦ電源を前記
第１および第２電極に給電するトランスと、 前記二次側コイルの接地位置を変化させて前記ＲＦ電源
の前記それぞれの電極に対する分配比率を変化させる接
地タップと、 前記第１および第２電極のそれぞれの電圧値を検出する
センサからの信号に基づいて前記接地タップを制御して
前記第１電極と前記第２電極の電極電圧の比を一定に制
御する制御手段とを有することを特徴とするプラズマ処
理装置。 - 【請求項２】 前記第２電極の表面に設けられた誘電体
からなる静電チャックと、この静電チャックに直流電力
を印加する直流電源とを有し、前記静電チャックに発生
される静電吸着力により前記ワークを保持するようにし
たことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記接地タップは、前記二次側コイルの
接地位置を無段階に変化させるようにしたことを特徴と
する請求項１または２記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 前記ＲＦ電源は３５０〜４５０ｋHzの周
波数を生成することを特徴とする請求項１，２または３
記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6167631A JPH0831806A (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6167631A JPH0831806A (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831806A true JPH0831806A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15853364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6167631A Pending JPH0831806A (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831806A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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