JPH10340887A

JPH10340887A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPH10340887A
Application number: JP16522997A
Authority: JP
Inventors: Kiichi Hama; 貴一浜
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1997-06-06
Filing date: 1997-06-06
Publication date: 1998-12-22
Anticipated expiration: 2017-06-06
Also published as: JP3629705B2

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマ生成用高周波電力のパルスのオン・
オフに応じてバイアス用高周波電力のマッチングを合わ
せることが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】バイアス用高周波電力用の整合器１６３
は，第１高周波電源１６２から供給されるプラズマ生成
用高周波電力のパルスのオン時に対応する第１整合回路
１６４と，上記パルスのオフ時に対応する第２整合回路
１６６とから構成される。第１整合回路１６４と第２整
合回路１６６とは，検出器１６０により検出された上記
パルスのオン・オフ情報に基づいて，制御器１７２の制
御により切り替え可能なスイッチング回路１６８によっ
て，いずれか一方に切り替えられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，プラズマ処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より，例えば気密な処理容器内に形
成された処理室内に，例えば上部電極と下部電極とを対
向配置すると共に，処理容器の外周に磁石を備えたエッ
チング装置が提案されている。かかる装置においては，
下部電極上に被処理体，例えば半導体ウェハ（以下，
「ウェハ」と称する。）を載置した後，処理室内に所定
の処理ガスを導入する。次いで，例えば上部電極に対し
て，例えば１３．５６ＭＨｚのプラズマ生成用高周波電
力を印加し，下部電極と上部電極との間にグロー放電を
生じさせると共に，この放電により処理ガスを解離さ
せ，プラズマを励起させる。さらに，処理室内は，磁石
により所定の磁界が生じているため，プラズマ中の電子
がＥ×Ｂドリフトを起こし，さらに処理ガスの解離が促
進される。また，下部電極には，例えば３８０ｋＨｚの
バイアス用高周波電力が印加されているため，プラズマ
中の所定の正イオンがウェハの被処理面に効果的に引き
込まる。このようにして引き込まれた正イオンは，プラ
ズマ中で生成され，ウェハの表面に吸着している反応種
であるラジカル，例えば酸化膜（ＳｉＯ₂膜）に対する
エッチングの場合はＣＦ系ラジカルをイオン衝撃により
活性化する。そして，この活性化されたラジカルが被エ
ッチング物質と反応することにより，ウェハに対して所
定のエッチング処理が施される構成となっている。

【０００３】しかし，プラズマ生成用高周波電力は，上
部電極に対して連続発振（以下，「ＣＷ」と称する。）
されているため，処理室内の電子温度が上昇して処理ガ
スの解離が過度に進行し，選択比及びエッチングレート
が低下するという問題が生じることがある。すなわち，
例えば表面にＳｉＯ₂膜が形成されたＳｉから成るウェ
ハに対して，例えばＣ₄Ｆ₈とＡｒとＣＯとＯ₂とから成
る混合ガス（処理ガス）を用いてエッチング処理を施す
場合には，電子温度の上昇に伴って，ＣＦ₄の解離が急
激に進み，Ｆラジカルが多く生成されてしまうことがあ
る。その結果，反応種となるイオンであるＣＦラジカル
や，ＣＦ₂ラジカルや，ＣＦ₃ラジカルの生成量が減少
し，エッチングレートが低下する場合があった。さら
に，Ｆラジカルがウェハを形成するＳｉ及びウェハの被
処理面表面に形成されたレジスト膜をエッチングするた
め，それらＳｉ及びレジスト膜に対するＳｉＯ₂の選択
比が低下する場合があった。従って，上述の如くＣＷの
プラズマ生成用高周波電力を用いて処理を行う場合，選
択比及びエッチングレートなどの向上には，自ずと限界
が生じ，特に最近の半導体デバイスの超微細加工におい
ては，その限界の克服が技術的要求項目として挙げられ
ている。

【０００４】さらに，ＣＷのプラズマ生成用高周波電力
を用いてエッチング処理を施す場合には，上述した正イ
オンの入射により，ウェハの被処理面表面に形成された
レジスト膜に正の電荷が生じることがある。その結果，
このチャージング現象，すなわちレジスト膜上の正の電
荷により，プラズマ中からウェハ表面に対して引き込ま
れる正イオンの軌道が曲げられていまい，所望の形状，
例えば垂直な形状を得られなくなってしまう場合があ
る。

【０００５】そこで，最近では，パルス制御された，す
なわち所定の間隔でオン・オフ制御されたプラズマ生成
用高周波電力を，例えば上部電極に対して印加すること
によって，処理室内にパルスプラズマを励起し，そのパ
ルスプラズマによって被処理体の処理を行う技術が提案
されている。かかる技術により，処理室内に間欠的なパ
ルスプラズマが励起されるため，処理室内の電子温度の
上昇を抑制することができ，かつ処理ガスを任意の速度
で解離させることが可能となるため，選択比やエッチン
グレートなどを向上させることができる。

【０００６】また，発明者らの知見によれば，パルス制
御されたプラズマ生成用高周波電力を用いた場合には，
特にそのパルスのオフ時に生成されるアフターグロープ
ラズマによって負イオンのみが生成され，この負イオン
によりレジスト膜に生じた正の電荷が解消される。この
負イオンを多く生成させるガスをしては，例えばＳ
Ｆ₆，Ｃｌ₂等が知られており，ＳＦ₆は例えばポリシリ
コン膜に対するエッチングプロセスに，またＣｌ₂は例
えばＡｌ膜に対するエッチングプロセスに使用されてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，処理時
には，プラズマ生成用高周波電力のパルスのオン・オフ
に伴って，いわゆるプラズマ回路（等価回路）のインピ
ーダンスが短時間で急激に変化することがある。従っ
て，下部電極に印加されるバイアス用高周波電力のバイ
アス用高周波電力用の整合回路が，プラズマ生成用高周
波電力のパルスのオン・オフの変化に追従することがで
きず，いわゆる反射波を緩和することが困難になるとい
う問題が生じることがある。その結果，励起されたプラ
ズマ中の正イオン等を被処理体の被処理面に効果的に引
き込むことができず，均一な処理を被処理体に施すこと
が困難となる場合がある。

【０００８】本発明は，従来のプラズマ処理装置が有す
る上記のような問題点に鑑みて成されたものであり，プ
ラズマ生成用高周波電力にパルス制御された高周波電力
を用いる場合に，バイアス用高周波電力のマッチングを
所望の状態で合わせることが可能な，新規かつ改良され
たプラズマ処理装置を提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は，処理室内に少
なくとも１つの電極を配置し，処理室内に処理ガスを導
入すると共に，電極に対して高周波電力を印加して，処
理室内に配置された被処理体に対して所定のプラズマ処
理を施すプラズマ処理装置に適用されるものである。そ
して，上記課題を解決するため，本発明によれば，電極
には，パルス制御されたプラズマ生成用高周波電力と，
プラズマ生成用高周波電力の周波数よりも低い周波数の
バイアス用高周波電力とが，それそれに対応する整合器
を介して印加されると共に，バイアス用高周波電力用の
整合器は，並列に接続されたプラズマ生成用高周波電力
のパルスのオン時に対応する第１整合回路と，プラズマ
生成用高周波電力のパルスのオフ時に対応する第２整合
回路とから構成され，第１整合回路及び第２整合回路
は，プラズマ生成用高周波電力のパルスのオン・オフに
よってそれぞれ切り替えられることを特徴としている。

【００１０】かかる構成によれば，上述したプラズマ回
路のインピーダンスの変化，すなわちプラズマ生成用高
周波電力のパルスのオン・オフ時のインピーダンスの変
化に対応して，バイアス用高周波電力用の第１整合回路
と第２整合回路とが切り替えられるため，常時所望の状
態でバイアス用高周波電力のマッチングを合わせること
ができる。その結果，被処理体の被処理面に対して正イ
オンを所望の状態で効果的に引き込むことができ，高選
択比かつ高エッチングレートで均一な処理を施すことが
できる。

【００１１】また，請求項２に記載の発明は，バイアス
用高周波電力は，連続発振される高周波電力であること
を特徴としている。かかる構成によれば，ＣＷのバイア
ス用高周波電力が電極に印加されるため，例えばプラズ
マ生成用高周波電力が数十μｓｅｃ以下または数百μｓ
ｃｅ以上の間隔でパルス制御される場合には，いわゆる
アフターグロー時を含めてプラズマ生成用高周波電力の
みにより励起されたプラズマ中の正イオンを，常時効果
的に被処理体に引き込むことができる。また，例えばプ
ラズマ生成用高周波電力が数十μｓｅｃ〜数百μｓｃｅ
の間隔でパルス制御される場合は，そのパルスのオフ時
にはバイアス用高周波電力によりプラズマが励起され，
かつそのバイアス用高周波電力によりプラズマ中の正イ
オンが効果的に被処理体に引き込むことができる。その
結果，被処理体に対して，さらに高エッチングレートで
の処理を施すことができる。

【００１２】さらに，請求項３に記載の発明は，バイア
ス用高周波電力は，パルス制御された高周波電力である
ことを特徴としている。かかる構成によれば，パルス制
御されたバイアス用高周波電力が電極に印加されるた
め，バイアス用高周波電力のパルスのオン時には，上述
したＣＷのバイアス用高周波電力と同様に，プラズマ中
の正イオンを被処理体の被処理面に効果的に引き込むこ
とができる。また，バイアス用高周波電力のパルスのオ
フ時には，例えば被処理体にコンタクトホールを形成す
る場合，そのコンタクトホール内に正イオンよりもラジ
カルを相対的に多く進入させることができる。その結
果，正イオンがコンタクトホール内の被エッチング面を
直接叩くことによって起こるエッチングストップを，効
果的に防止することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら，
本発明にかかるプラズマ処理装置をエッチング装置に適
用した，実施の形態について詳細に説明する。図１に示
したエッチング装置１００には，導電性素材，例えば表
面が陽極酸化処理されたアルミニウムから成る閉塞自在
な略円筒形状の処理容器１０２内に，処理室１０４が形
成されていると共に，処理容器１０２は接地線１０６に
より接地されている。また，処理室１０４の底部には，
絶縁性素材，例えばセラミックスから成る絶縁支持板１
０８が設けられている。そして，この絶縁支持板１０８
の上部に，被処理体，例えば表面にＳｉＯ₂膜が形成さ
れたＳｉから成るウェハＷを載置すると共に，下部電極
となるサセプタ１１０が配置されている。

【００１４】このサセプタ１１０は，導電性素材，例え
ば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムから成る略円
筒形状であり，絶縁支持板１０８及び処理容器１０２の
底部を遊貫する昇降軸１１２によって支持されている。
また，昇降軸１１２は，処理容器１０２外部に設置され
ている駆動モータＭ１１４によって上下動自在である。
従って，この駆動モータＭ１１４の作動により，サセプ
タ１１０は，図１中の矢印方向に上下動自在に移動可能
な構成となっている。さらに，サセプタ１１０と絶縁支
持板１０８との間には，昇降軸１１２の外方を囲むよう
に伸縮自在な気密部材であるベローズ１１６が設けられ
ており，処理室１０４内を気密に保つように構成されて
いる。

【００１５】また，サセプタ１１０の内部には，不図示
の温度調節機構，例えばセラミックヒータや冷媒循環路
が設けられていると共に，不図示の温度センサが設けら
れている。従って，処理時には，サセプタ１１０を介し
てウェハＷを所定の温度，例えば２５℃に維持するよう
に構成されている。

【００１６】さらに，サセプタ１１０上には，ウェハＷ
を吸着保持するための静電チャック１１８が設けられて
いる。この静電チャック１１８は，導電性の薄膜１１８
ａを例えばポリイミド系の樹脂１１８ｂによって上下か
ら挟持した構成となっている。そして，処理容器１０２
外部に設置された高圧直流電源１２０から所定の高電
圧，例えば１．５〜２．０ｋＶの電圧を薄膜１１８ａに
印加すると，クーロン力によりウェハＷが静電チャック
１１８の上面に吸着，保持される構成となっている。

【００１７】また，静電チャック１１８の外周で，かつ
サセプタ１１０の周縁を囲む位置には，絶縁性素材，例
えば石英から成る略環状のフォーカスリング１２２が設
けられている。従って，このフォーカスリング１２２に
より，プラズマ中のエッチャントイオンを効果的にウェ
ハＷに入射させることができる。

【００１８】一方，処理室１０４の上部には，例えばセ
ラミックスから成る略環状の絶縁支持材１２４を介し
て，導電性材料，例えばアルミニウムから成る略円盤状
の上部電極支持部材１２６が設けられていると共に，こ
の上部電極支持部材１２６は，接地線１２８によって接
地されている。また，上部電極支持部材１２６の下面に
は，導電性材料，例えば単結晶シリコンから成る略円盤
状の上部電極１３０が密着して取り付けられている。こ
の上部電極１３０は，サセプタ１１０と対向する位置に
配置されている。さらに，上部電極１３０の周縁には，
絶縁性材料，例えば石英から成る略環状のシールドリン
グ１３２が取り付けられており，このシールドリング１
３２によって，プラズマの拡散を防止し，プラズマ生成
空間に所望の高密度プラズマを励起させることができ
る。

【００１９】また，上部電極支持部材１２６と上部電極
１３０との間には，中空部１３４が形成されていると共
に，この中空部１３４には，ガス導入管１３６が接続さ
れている。さらに，ガス導入管１３６には，バルブ１３
８及び流量調節器ＭＦＣ１４０を介して，ガス供給源１
４２が接続されている。また，上部電極１３０には，中
空部１３４と処理室１０４とを連通する貫通孔１３０ａ
が設けられている。従って，ガス供給源１４２から供給
される所定の処理ガス，例えばＣＦ₂とＯ₂とＳＦ₆とＢ
Ｃｌ₃とから成る混合ガスは，ガス導入管１３６を介し
て，一旦中空部１３４内に導入された後，貫通孔１３０
ａからウェハＷの被処理面に均一に吐出される構成とな
っている。

【００２０】また，処理容器１０２の下方側壁には，処
理室１０４内の排ガスを排気するための排気管１４４が
接続されていると共に，この排気管１４４には，真空引
き機構Ｐ１４６が接続されている。従って，処理時に
は，真空引き機構Ｐ１４６を作動させることにより，処
理室１０４内を所定の減圧雰囲気，例えば１０ｍＴｏｒ
ｒの減圧度にまで真空引きすることができる。また，排
気管１４４と処理室１０４とが連通する部分には，パン
チング板から成る排気板１４８が設けられているため，
処理室１０４内の排ガスを均一に排気することができ
る。

【００２１】また，処理容器１０２の外部側壁の所定位
置には，処理室１０４内に所定の磁界を形成させるため
の，コイル１５０が配置されている。従って，処理時に
は，このコイル１５０から発生した磁界によってプラズ
マ中の電子がＥ×Ｂドリフトを起こし，この電子の衝突
により処理ガスの解離がより一層促進され，プラズマ密
度を向上させることができる。

【００２２】次に，本実施の形態にかかる高周波電力の
印加構成について説明する。本実施の形態においては，
サセプタ１１０に対して，プラズマ生成用高周波電力と
バイアス用高周波電力とが印加されるように構成されて
いる。すなわち，サセプタ１１０には，給電経路１５２
が接続されていると共に，この給電経路１５２には，第
１分岐経路１５４と第２分岐経路１５６とが接続されて
いる。第１分岐経路１５４には，整合回路から成る整合
器１５８，後述のプラズマ生成用高周波電力のパルスの
オン・オフを検出するための検出器１６０を介して，第
１高周波電源１６２が接続されている。

【００２３】一方，第２分岐経路１５６には，整合器１
６３が接続されていると共に，この整合器１６３は，上
記パルスのオン・オフにそれぞれ対応する第１整合回路
１６４と第２整合回路１６６とが並列に接続される構成
となっている。さらに，整合器１６３の第１整合回路１
６４及び第２整合回路１６６には，これら第１整合回路
１６４と第２整合回路１６６とを，上記パルスのオン・
オフに基づいて切り替えるスイッチング回路１６８が接
続されていると共に，このスイッチング回路１６８に
は，第２高周波電源１７０が接続されている。また，ス
イッチング回路１６８には，このスイッチング回路１６
８を制御するための制御器１７２が接続されていると共
にこの制御器１７２には，検出器１６０が接続されてい
る。

【００２４】そして，処理時には，第１高周波電源１６
２からパルス制御，例えば数十ｍｓｅｃ以下の間隔でオ
ン・オフするパルス制御されたプラズマ生成用高周波電
力，例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が，検出器１
６０，整合器１５８，分岐経路１５４及び給電経路１５
２を介してサセプタ１１０に印加される構成となってい
る。このように，所望の状態でパルス制御されたプラズ
マ生成用高周波電力がサセプタ１１０に印加されると，
パルスのオン時に上昇した電子温度が，オフ時に緩和さ
れるため，結果的に電子温度の上昇を抑制することがで
きる。そして，この電子温度の上昇の抑制によって反応
ガスの過度の解離を抑えることができるため，結果的に
対下地，対レジスト膜に対する選択比の向上を図ること
ができると共に，高エッチングレートでかつ均一な処理
をウェハＷに施すことができる。また，プラズマ生成用
高周波電力のパルスのオフ時には，特にＣｌ₂，ＳＦ₆に
ついては，アフターグロープラズマの発生により負イオ
ンが生じ，正イオンによってウェハＷの被処理面に形成
されたレジスト膜に生じた正の電荷が解消されるため，
この負イオンによってプラズマ中からウェハＷの表面に
引き込まれる正イオンの軌道が曲げられることなく，被
処理面対して垂直に入射させることができる。

【００２５】また，第２高周波電源１７０からは，ＣＷ
またはパルス制御されたバイアス用高周波電力，例えば
３８０ｋＨｚの高周波電力が，スイッチング回路１６
８，第１整合回路１６４または第２整合回路１６６，分
岐経路１５６及び給電経路１５２を介してサセプタ１１
０に印加される構成となっている。この際，第１整合回
路１６４と第２整合回路１６６とは，プラズマ生成用高
周波電力のパルスのオン・オフに基づいて，スイッチン
グ回路１６８により切り替えられる構成となっている。
すなわち，まずプラズマ生成用高周波電力のパルスのオ
ンまたはオフを検出器１６０によって検出し，このパル
スのオン・オフ情報を制御器１７２に伝達する。次い
で，制御器１７２は，パルスのオン・オフ情報に基づい
てスイッチング回路１６８を制御し，図２に示したよう
に，パルスのオン時には第１整合回路１６４のみが作動
するように，またパルスのオフ時には第２整合回路１６
６のみが作動するように切り替える構成となっている。

【００２６】従って，プラズマ生成用高周波電力のパル
スのオン・オフによって，プラズマ回路のインピーダン
スが変化した場合でも，バイアス用高周波電力のマッチ
ングを所望の状態で合わせることができる。その結果，
励起されたプラズマ中の正イオンを常時所望の状態でウ
ェハＷの被処理面に引き込むことができる。

【００２７】また，バイアス用高周波電力がＣＷであ
り，かつプラズマ生成用高周波電力が例えば数十μｓｅ
ｃ以下または数百μｓｃｅ以上の間隔でパルス制御され
る場合には，ＣＦ系ラジカルを所望の状態にコントロー
ルすることができる。また，バイアス用高周波電力がＣ
Ｗであり，かつプラズマ生成用高周波電力が例えば十μ
ｓｅｃ〜数百μｓｃｅ間隔でパルス制御される場合に
は，プラズマ生成用高周波電力のパルスのオン時には，
そのプラズマ生成用高周波電力によって励起されたプラ
ズマを，またプラズマ生成用高周波電力のオフ時には，
バイアス用高周波電力によって励起されたプラズマを効
果的にウェハＷに引き込むことができる。従って，上記
いずれの場合でも，常時プラズマ中のイオンをウェハＷ
に引き込むことができ，エッチングレートを向上させる
ことができる。

【００２８】また，バイアス用高周波電力もパルス制御
する場合には，そのパルスのオン時には，上述したＣＷ
のバイアス用高周波電力と同様にエッチャントイオンを
効果的にウェハＷに引き込むことができる。また，バイ
アス用高周波電力のパルスのオフ時には，例えばウェハ
Ｗの被処理面にコンタクトホールを形成する場合，その
コンタクトホール内にプラズマ中のラジカルを進入させ
ることができる。ところで，バイアス用高周波電力をＣ
Ｗとした場合には，プラズマ中の正イオンが随時コンタ
クトホール内に引き込まれ，そのコンタクトホール内の
反応生成物が随時外部に吹き出すため，ラジカルがコン
タクトホール内に進入し難くなる場合がある。そして，
そのコンタクトホール内にラジカルが進入し難くなった
場合，引き込まれた正イオンが直接被エッチング面を叩
いてしまうため，その被エッチング面が変質して，エッ
チングが進行しなくなるいわゆるエッチングストップを
起こす場合がある。そこで，バイアス用高周波電力をパ
ルス制御することにより，上述したエッチングストップ
を起こしやすいコンタクトホールに対するエッチング
を，非常に効率的に行うことができる。

【００２９】以上，本発明の好適な実施の一形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技
術的思想の範疇において，当業者であれば，各種変更例
及び修正例に相当し得るものであり，それら変更例及び
修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了
解される。

【００３０】例えば，上記実施の形態において，プラズ
マ生成用高周波電力とバイアス用高周波電力とをサセプ
タ１１０に印加する構成を例に挙げて説明したが，本発
明はかかる構成に限定されるものではなく，上部電極に
プラズマ生成用高周波電力を印加し，サセプタにバイア
ス用高周波電力を印加する構成としても実施可能であ
る。

【００３１】また，上記実施の形態において，プラズマ
生成用高周波電力とバイアス用高周波電力とを，給電経
路１５２を介してサセプタ１１０に印加する構成を例に
挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるも
のではなく，それぞれ別々の給電手段を通じてサセプタ
に印加する構成としてもよい。

【００３２】さらに，上記実施の形態において，プラズ
マ生成用高周波電力のパルスのオン・オフを検出器１６
０によって検出する構成を例に挙げて説明したが，本発
明はかかる構成に限定されるものではなく，制御器によ
って，プラズマ生成用高周波電力を供給する高周波電源
から直接パルスのオン・オフを検出する構成としてもよ
い。

【００３３】さらにまた，上記実施の形態において，処
理容器１０２の外部側壁にコイル１５０を設けた構成を
例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定され
るものではなく，特に磁界発生手段を備えない構成であ
っても，本発明は実施可能である。

【００３４】また，上記実施の形態において，ウェハＷ
に対してエッチング処理を施す例を挙げて説明したが，
本発明はかかる構成に限定されるものではなく，被処理
体としてＬＣＤ用ガラス基板を用いることができると共
に，本発明は各種プラズマ処理に対しても適用すること
ができる。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば，バイアス用高周波電力
用の整合器を，プラズマ生成用高周波電力のパルスのオ
ン・オフにそれぞれ対応する第１整合回路と第２整合回
路とから構成すると共に，そのパルスのオン・オフに基
づいて第１整合回路と第２整合回路とを切り替える構成
とした。従って，プラズマ生成用高周波電力のパルスの
オン時またはオフ時のいずれの場合においても，所望の
状態でバイアス用高周波電力のマッチングを合わせるこ
とができる。その結果，被処理体に対して，高選択比か
つ高エッチングレートで均一なプラズマ処理を施すこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用可能なエッチング装置を示した概
略的な断面図である。

【図２】図１に示した整合回路の切り替えを説明するた
めの説明図である。

【符号の説明】

１００エッチング装置１０２処理容器１０４処理室１１０サセプタ１３０上部電極１５８，１６３整合器１６０検出器１６２第１高周波電源１６４第１整合回路１６６第２整合回路１６８スイッチング回路１７０第２高周波電源１７２制御器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理室内に少なくとも１つの電極を配置
し，前記処理室内に処理ガスを導入すると共に，前記電
極に対して高周波電力を印加して，前記処理室内に配置
された被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すプラ
ズマ処理装置において，前記電極には，パルス制御され
たプラズマ生成用高周波電力と，前記プラズマ生成用高
周波電力の周波数よりも低い周波数のバイアス用高周波
電力とが，それそれに対応する整合器を介して印加さ
れ，前記バイアス用高周波電力用の前記整合器は，並列
に接続された前記プラズマ生成用高周波電力のパルスの
オン時に対応する第１整合回路と，前記プラズマ生成用
高周波電力のパルスのオフ時に対応する第２整合回路と
から構成され，前記第１整合回路及び前記第２整合回路
は，前記プラズマ生成用高周波電力のパルスのオン・オ
フによってそれぞれ切り替えられることを特徴とする，
プラズマ処理装置。
【請求項２】前記バイアス用高周波電力は，連続発振
される高周波電力であることを特徴とする，請求項１に
記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】前記バイアス用高周波電力は，パルス制
御された高周波電力であることを特徴とする，請求項１
に記載のプラズマ処理装置。