JP5788616B1 - 高周波電源装置、及びデュアルカソード用電源 - Google Patents

高周波電源装置、及びデュアルカソード用電源 Download PDF

Info

Publication number
JP5788616B1
JP5788616B1 JP2015020482A JP2015020482A JP5788616B1 JP 5788616 B1 JP5788616 B1 JP 5788616B1 JP 2015020482 A JP2015020482 A JP 2015020482A JP 2015020482 A JP2015020482 A JP 2015020482A JP 5788616 B1 JP5788616 B1 JP 5788616B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
output
circuit
frequency
output terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015020482A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016144371A (ja
Inventor
譲原 逸男
逸男 譲原
真一 小玉
真一 小玉
俊幸 安達
俊幸 安達
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2015020482A priority Critical patent/JP5788616B1/ja
Application filed by Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Kyosan Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to US15/542,977 priority patent/US10244615B2/en
Priority to PCT/JP2015/054727 priority patent/WO2016125316A1/ja
Priority to PL15881133T priority patent/PL3236718T3/pl
Priority to KR1020177021907A priority patent/KR101841409B1/ko
Priority to EP15881133.1A priority patent/EP3236718B1/en
Priority to CN201580074957.3A priority patent/CN107211521B/zh
Priority to TW104119272A priority patent/TWI544733B/zh
Application granted granted Critical
Publication of JP5788616B1 publication Critical patent/JP5788616B1/ja
Publication of JP2016144371A publication Critical patent/JP2016144371A/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3438Electrodes other than cathode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3444Associated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M5/00Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
    • H02M5/02Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc
    • H02M5/04Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters
    • H02M5/06Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using impedances
    • H02M5/08Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using impedances using capacitors only
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M5/00Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
    • H02M5/40Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc
    • H02M5/42Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/12Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H2242/00Auxiliary systems
    • H05H2242/20Power circuits
    • H05H2242/24Radiofrequency or microwave generators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

【課題】互いに逆相の交流電圧を出力する高周波電源装置において、高周波出力回路の出力を二つに分圧する構成では、高電圧と低電圧の異なる電圧値を必要に応じた切り換えができず、出力端の電圧が高周波出力回路の出力電圧の1/2の波高値に低下する。【解決手段】高周波電源装置において、分圧回路で分圧した高周波電圧を接地電位に対して互いに逆相の交流電圧に分圧する分圧回路の接続状態を切り換えて二つの出力端電圧の電圧比率を変えることによって、高電圧と低電圧を切り換えて出力する。分圧回路における接続状態の切り換えによって、高電圧と低電圧の異なる電圧値を選択的に出力することを可能とし、高周波電源装置の出力端において、高電圧出力時に高電圧を選択して出力することによって高周波出力回路の出力電圧からの低下を抑制する。【選択図】図1

Description

本願発明は、互いに逆相の交流電圧を出力する高周波電源装置、及びプラズマチャンバ内の2つの電極に互いに逆相の交流電圧を印加するデュアルカソード用電源に関する。
チャンバ内で生成したプラズマを用いた成膜装置やスパッタリング装置等の装置では、チャンバ内に2つの電極(ターゲット)を配置し、これらの電極(ターゲット)に対してカソードとなる電圧及びアノードとなる電圧を交互に切り換えて印加してプラズマを生成するデュアルカソード方式と呼ばれる電圧印加が行われている(特許文献1参照)。
図9(a)はデュアルカソード方式による電圧印加の概略を説明するための図である。図9(a)に示す構成は、チャンバ内に配置した2つの電極(ターゲット)101,102と、電極(ターゲット)101に高周波電圧(RF:Radio Frequency)を印加するための高周波電源103と、電極(ターゲット)102に高周波電圧を印加するための高周波電源104と、スイッチングユニット105とを備える。
スイッチングユニット105は高周波電源103と高周波電源104とを切り換え、電極101と電極102に対して極性を変えた高周波電圧を交互に供給する。一対の電極に対して互いに逆相の高周波電圧を印加することによって、一方の電極にカソードとなる電圧を印加している間に他方の電極にアノードとなる電圧を印加し、一方の電極にアノードとなる電圧を印加している間に他方の電極に対してカソードとなる電圧を印加する。
互いに逆相の高周波電圧を印加することによって電極101及び電極102に蓄積された電荷は解消されるため、安定したプラズマを維持することができる(特許文献1参照)。
図9(b)はデュアルカソード方式の電圧印加において一台の高周波電源からなる構成を説明するための図である。図9(b)に示す構成は、チャンバ内に配置した2つの電極(ターゲット)111,112と、電極(ターゲット)111,112に高周波電圧を印加するための一台の高周波電源113と、高周波電圧を一対の電極111,112のそれぞれに対して交互に切り換えて印加するスイッチング回路115と、一対の電極(ターゲット)間でカソード及びアノードが交互に入れ替わるように各電極に交流電圧を印加する交流電源116を備える。
この構成では、一対の電極(ターゲット)に対して高周波電源113を共用して使用し、高周波電源113で生成した高周波電圧を、交流電源116で生成した交流電圧に一対の電極(ターゲット)のそれぞれに交互に切り換えながら重畳して印加する(特許文献2参照)。
特開2006−134603号(段落[0025]) 特開2010−248577号(段落[0006]〜段落[0009])
図9(a)に示した構成では、一つの電極(ターゲット)について一台の高周波電源を使用するため一対の電極(ターゲット)に対して二台の高周波電源装置が必要となり、装置の小型化や生産コストの抑制を妨げる要因となっている。
上記の問題点を解消する構成として図9(b)に示す構成が提案されている。この構成では、一対の電極(ターゲット)に対して一台の高周波電源を使用することによって、装置の小型化及び生産性の向上を図ることができる。一方、図9(b)に示した構成では、一対の電極(ターゲット)間においてカソードとアノードとを交互に入れ替えるために、高周波電圧を出力する高周波電源とは別にスイッチング回路115や交流電源116が必要である。
一対の電極(ターゲット)に対して一台の高周波電源を使用する構成において、スイッチング手段や交流電源を不要とする構成として図9(c)に示す構成が考えられる。
図9(c)に示す高周波電源装置121は、高周波出力回路122の出力端間に変圧器123を介して容量性素子125,126を直列接続してなる分圧回路124を並列接続し、容量性素子125,126の中点を接地する構成である。分圧回路124は、変圧器123を介して得られる高周波出力回路122の出力端a,b間の電圧Vabを容量性素子125と容量性素子126で交流的に二つの電圧に分圧する。容量性素子125,126の中点の電位が接地電位であるため、出力端A及び出力端BはVabの1/2の波高値(Vab/2)で互いに逆相の交流電圧の出力電圧Va及びVbを出力する。
出力端A及び出力端Bに一対の電極131,132を接続することによって、各電極131,132にアノードとカソードとを交互に切り換えて電圧を印加することができる。
高周波電源装置において、高電圧の出力電圧と低電圧の異なる電圧値の出力電圧が求められる場合がある。例えば、プラズマ発生装置を負荷とする場合には、プラズマ着火時にはイグニッション電圧として高電圧を電極に印加し、プラズマ着火後にプラズマを維持するにはイグニッション電圧よりも低い低電圧を印加する。デュアルカソード電源によってプラズマを生成する場合、プラズマ着火時にはプラズマ維持時よりも高い波高値の交流電圧を印加する必要がある。
図9(c)に示す構成の高周波電源装置は定電圧を出力する構成であり、常に一定波高値の電圧を出力する。そのため、プラズマ維持時においてもプラズマ着火時の高電圧を印加することになり、負荷が求める電圧値に対して十分に対応することができないという問題がある。
したがって、高周波出力回路の出力を二つに分圧する構成では、高電圧と低電圧の異なる電圧値を出力することができないという問題がある。
また、図9(c)の構成では、高周波電圧を切り換えるスイッチング回路115や、一対の電極(ターゲット)間でカソード及びアノードを交互に入れ替えるための交流電源116を不要とすることができるが、出力端の電圧が高周波出力回路の出力電圧の1/2の波高値となり、負荷側の電極には高周波出力回路の出力電圧の1/2の波高値しか印加されず、プラズマを着火するには十分な電圧が得られないという問題がある。
図10は、図9(c)の構成の高周波電源装置121から配線ケーブル141,142を介してプラズマ発生装置130に高周波電圧を供給する構成を示している。
図10に示すように、配線ケーブル141,142を介して高周波電圧を供給する構成においても、高周波電源装置の出力端における出力電圧と同様に、電極131,132に印加される交流電圧の出力電圧Va及びVbの波高値は以下の式(1),(2)で示されるように高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2となる。
ここで、配線ケーブル141,142のインダクタンス及びキャパシタンスをそれぞれLla,Llb,Cla,Clbとすると、配線ケーブル141,142の外線は接地されているため、電極Aに印加される交流電圧の出力電圧Vaは以下の式(1)で表される。なお、数10kHz〜数100kHzの周波数帯域の高周波電圧を使用する場合には、配線ケーブルのインダクタンスLla,Llbは省略することができるため、以下の式(1)は高周波電源装置側の分圧回路のキャパシタンスCa,Cbと、配線ケーブルのキャパシタンスCla,Clbで表される。
Va= [ (Cb+Clb)/{(Ca+Cla)+(Cb+Clb)} ]・Vab ・・・(1)
ここで、Ca=Cb、Cla=Clbとすると、式(1)は式(2)で表される。
Va= { (Ca+Cla)/2(Ca+Cla) }・Vab=Vab/2 ・・・(2)
上記したように、図9(c)に示すように容量性素子を直列接続してなる分圧回路を備えた高周波電源装置では、出力電圧Va及びVbは高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2に制限されてしまう。
出力電圧が低電圧に制限されるという問題に対して、高周波電源装置が備える高周波出力回路の出力電圧の波高値を高めることによってプラズマ着火に必要な高電圧を得ることは可能であるが、高周波出力回路の高出力化は装置の大型化やコストの上昇を招くことになる。
したがって、互いに逆相の交流電圧を出力する高周波電源装置において、高周波出力回路の出力を二つに分圧する構成では、
(a)高電圧と低電圧の異なる電圧値を必要に応じて切り換えて出力することができない、
という問題がある他、
(b)出力端の電圧が高周波出力回路の出力電圧の1/2の波高値に低下する、
という問題があり、
プラズマ負荷に電圧を供給する際には、
(c)負荷側の電極に印加する電圧の波高値は高周波出力回路の出力電圧の1/2となり、プラズマ着火に支障をきたす恐れがある、
という問題がある。
本発明は前記した従来の問題点を解決し、高周波出力回路の出力を二つに分圧する構成によって互いに逆相の交流電圧を出力する高周波電源装置において、
(a)高電圧と低電圧の異なる電圧値を選択的に出力すること、
を目的とし、また
(b)高周波電源装置の出力端において、高電圧出力時には高周波出力回路の出力電圧からの低下を抑制すること、
を目的とし、
(c)プラズマ負荷に電圧を供給する際において、プラズマ着火時にはプラズマを着火するに十分な高電圧を出力し、プラズマ維持時にはプラズマを維持するに十分な低電圧を出力すること、
を目的とする。
本願発明は、高周波電源装置において、分圧回路で分圧した高周波電圧を接地電位に対して互いに逆相の交流電圧に分圧する分圧回路の接続状態を切り換えて二つの出力端電圧の電圧比率を変えることによって、高電圧と低電圧を切り換えて出力する。
本願発明は、分圧回路における接続状態の切り換えによって、高電圧と低電圧の異なる電圧値を選択的に出力することを可能とする。また、高周波電源装置の出力端において、高電圧出力時に高電圧を選択して出力することによって高周波出力回路の出力電圧からの低下を抑制することができ、プラズマ負荷に電圧を供給する際において、プラズマ着火時にはプラズマを着火するに十分な高電圧を出力し、プラズマ維持時にはプラズマを維持するに十分な低電圧を出力することができる。
本願発明の高周波電源装置は、互いに逆相の交流電圧を出力する高周波電源装置であり、その構成として、交流電源と、交流電源の電源電圧を所定周波数に変換して高周波電圧を出力する高周波出力回路と、高周波出力回路が出力する高周波電圧を接地電位に対して互いに逆相の交流電圧に分圧する分圧回路とを備える。
本願発明が備える分圧回路は、高周波出力回路の出力端間の中点を接地電位として第1の容量性素子と第2の容量性素子の2つの容量性素子を直列接続した直列回路と、直列回路の少なくとも何れか一方の容量性素子に対して、高周波出力回路の一方の出力端及び/又は接地電位の接続状態を切り換える切換回路とを備える。切換回路は、2つの容量性素子の接地電位に対する両端電圧の電圧比率を可変とし、高電圧と低電圧を切り換えて出力する。
本願発明の高周波電源装置が備える切換回路は複数の形態によって構成することができる。
切換回路の第1の形態および第2の形態は接地電位の接続状態を切り換えることによって出力電圧を切り換える構成であり、切換回路の第3の形態および第4の形態は容量性素子の容量を切り換えることによって出力電圧を切り換える構成である。
(本願の切換回路の第1の形態)
本願の切換回路の第1の形態は、第1の容量性素子と第2の容量性素子とを直列接続してなる直列回路の2つの容量性素子の少なくとも何れか一方の容量性素子の両端間において、高周波出力回路の一方の容量性素子側の出力端と接地電位との間を短絡又は開放する開閉回路を備える。なお、短絡動作は開閉回路を閉じる動作であり、開放動作は開閉回路を開く動作である。
開閉回路の短絡動作は、一方の容量性素子側の出力端を接地電位として、高周波出力回路の一方の容量性素子側の出力端電圧を零電圧とし、他方の容量性素子側の出力端電圧を高周波出力回路の出力電圧とする。
この開閉回路の短絡動作によって、高周波電源装置の出力端からは高周波出力回路の高電圧を出力することができる。
他方、開閉回路の開放動作は、高周波出力回路の出力端電圧を両容量性素子の容量に応じて分圧した分圧電圧とする。
この開閉回路の開放動作によって、高周波電源装置の二つの出力端から分圧による低電圧を出力することができる。
第1の形態の開閉回路は、当該開閉回路の高周波回路への接続において電気的に等価である複数の構成とすることができる。
開閉回路の第1の構成は、開閉回路を高周波出力回路の一方の出力端と接地電位との間に設ける構成である。第1の構成によれば、開閉回路を閉じることによって高周波出力回路の一方の出力端を接地電位として出力電圧の波高値を零とし、他方の出力端のみから高周波出力回路の出力電圧を出力する。他方、開閉回路を開くことによって高周波出力回路の一方の出力端を接地電位から絶縁状態とし、高周波出力回路の出力電圧を分圧回路で分圧した二つの電圧を各出力端から出力する。
開閉回路の第2の構成は、開閉回路を高周波出力回路の一方の出力端と中点との間に設ける構成である。第2の構成によれば、開閉回路を閉じることによって高周波出力回路の一方の出力端を分圧回路の中点に接続して接地電位として出力電圧の波高値を零とし、他方の出力端のみから高周波出力回路の出力電圧を出力する。他方、開閉回路を開くことによって高周波出力回路の一方の出力端を中点から絶縁状態として、高周波出力回路の出力電圧を分圧回路で分圧した二つの電圧を各出力端から出力する。
開閉回路の第3の構成は、開閉回路を一方の容量性素子に並列接続する構成である。第3の構成によれば、開閉回路を閉じることによって一方の容量性素子間を短絡して、高周波出力回路の一方の出力端を接地電位として出力電圧の波高値を零とし、他方の出力端のみから高周波出力回路の出力電圧を出力する。他方、開閉回路を開くことによって高周波出力回路の出力電圧を分圧回路で分圧した二つの電圧を各出力端から出力する。
開閉回路の第1〜第3の構成は電気的に等価な回路であり、開閉回路を閉じることによって一方の出力端の出力電圧を零電圧とし、他方の出力端のみから高周波出力回路の出力電圧を出力し、開閉回路を開くことによって高周波出力回路の出力電圧を分圧した二つの電圧を各出力端から出力する。
第1の形態の切換回路は、高周波出力回路の二つの出力端に対して、何れか一方又は両方の出力端側に設けることができる。切換回路を高周波出力回路の二つの出力端の内で何れか一方に設けた場合には、切換回路を設けた側の出力端の出力電圧を零電圧とし、他方の出力端の出力電圧を高周波出力回路の出力電圧とすることができる。切換回路を高周波出力回路の二つの出力端の両方に設けた場合には、何れか一方の切換回路を選択して切換動作を行い、他方の切換回路は開状態として使用する。
(本願の切換回路の第2の形態)
本願の切換回路の第2の形態は、直列回路の2つの容量性素子の中点及び高周波出力回路の一方の容量性素子側の出力端に対して、接地電位を切り換えて接続する切換スイッチを備える。
切換スイッチの切換において、直列回路の2つの容量性素子の中点に対して接地電位を切り換えることによって、高周波出力回路の一方の容量性素子側の出力端電圧を零電圧とし、他方の容量性素子側の出力端電圧を高周波出力回路の出力電圧とする。
他方、高周波出力回路の一方の容量性素子側の出力端に対して接地電位に切り換えることによって、高周波出力回路の両方の容量性素子側の出力端電圧を、高周波出力回路の出力電圧を両容量性素子の容量に応じて分圧した分圧電圧とする。
第2の形態の切換回路は、高周波出力回路の二つの出力端に対して、何れか一方又は両方の出力端側に設けることができる。切換回路を高周波出力回路の二つの出力端の内で何れか一方に設けた場合には、切換回路を設けた側の出力端の出力電圧を零電圧とし、他方の出力端の出力電圧を高周波出力回路の出力電圧とすることができる。切換回路を高周波出力回路の二つの出力端の両方に設けた場合には、何れか一方の切換回路を選択して切換動作を行い、他方の切換回路は開状態として使用する。
(本願の切換回路の第3の形態)
本願の切換回路の第3の形態は、直列回路の2つの容量性素子の何れか一方の容量性素子に対して第3の容量性素子を直列接続する切換スイッチを備える。
切換スイッチの切換において、第3の容量性素子の直列接続は、高周波出力回路の他方の容量性素子側の出力端電圧の波高値を一方の容量性素子側の出力端電圧の波高値よりも高くする。
他方、第3の容量性素子の切り離しは、高周波出力回路の両方の容量性素子側の出力端電圧を、高周波出力回路の出力電圧を両容量性素子の容量に応じて分圧した分圧電圧とする。
第3の形態の切換回路は、高周波出力回路の二つの出力端に対して、何れか一方又は両方の出力端側に設けることができる。切換回路を高周波出力回路の二つの出力端の内で何れか一方に設けた場合には、切換回路を設けた側の出力端の出力電圧を低電圧とし、他方の出力端の出力電圧を高電圧とすることができる。切換回路を高周波出力回路の二つの出力端の両方に設けた場合には、何れか一方の切換回路を選択して切換動作を行い、他方の切換回路は開状態として使用する。
(本願の切換回路の第4の形態)
本願の切換回路の第4の形態は、直列回路の2つの容量性素子の何れか一方の容量性素子に対して第4の容量性素子を並列接続する切換スイッチを備える。
切換スイッチの切換において、第4の容量性素子の並列接続は、一方の容量性素子側の出力端電圧の波高値を高周波出力回路の他方の容量性素子側の出力端電圧の波高値よりも高くする。
他方、第4の容量性素子の切り離しは、高周波出力回路の両方の容量性素子側の出力端電圧を、高周波出力回路の出力電圧を両容量性素子の容量に応じて分圧した分圧電圧とする。
第4の形態の切換回路は、高周波出力回路の二つの出力端に対して、何れか一方又は両方の出力端側に設けることができる。切換回路を高周波出力回路の二つの出力端の内で何れか一方に設けた場合には、切換回路を設けた側の出力端の出力電圧を高電圧とし、他方の出力端の出力電圧を低電圧とすることができる。切換回路を高周波出力回路の二つの出力端の両方に設けた場合には、何れか一方の切換回路を選択して切換動作を行い、他方の切換回路は開状態として使用する。
(デュアルカソード用電源)
本願発明の高周波電源装置は、プラズマチャンバ内の2つの電極に互いに逆相の交流電圧を印加するデュアルカソード用電源に適用することができる。本願発明のデュアルカソード用電源は、前記した高周波電源装置と、プラズマチャンバ内でプラズマを着火させるイグニッション動作状態と、着火したプラズマを維持するプラズマ維持状態との動作状態を制御する制御回路とを備える。
本願発明の制御回路は、電極に流れる電流に基づいて切換回路を制御してイグニッション動作状態の電圧比率とプラズマ維持状態の電圧比率とを変え、イグニッション動作状態において、2つの電極の内のプラズマを着火させる電極の電圧比率を高め、プラズマ維持状態において、2つの電極の電圧比率を均等化する。他方、イグニッション動作状態において、プラズマを着火させる電極に流れるイグニッション電流が設定値を越えたとき切換回路において接続状態を切り換え、プラズマ維持状態に切り換える。
以上説明したように、本発明によれば、高電圧と低電圧の異なる電圧値を選択的に出力することができる。
また、高周波電源装置の出力端において、高電圧出力時には高周波出力回路の出力電圧からの低下を抑制することができる。
プラズマ負荷に電圧を供給する際において、プラズマ着火時にはプラズマを着火するに十分な高電圧を出力し、プラズマ維持時にはプラズマを維持するに十分な低電圧を出力することができる。
本願発明の高周波電源装置の概略構成を説明するための図である。 本願発明の切換回路の第1の構成例及び動作例を説明するための図である。 本願発明の切換回路の第1の構成の変形例を説明するための図である。 本願発明のデュアルカソード用電源の構成例及び制御例を説明するための図である。 本願発明のデュアルカソード用電源の構成例及び制御例を説明するための図である。 本願発明の切換回路の第2の構成例及び動作例を説明するための図である。 本願発明の切換回路の第3の構成例及び動作例を説明するための図である。 本願発明の切換回路の第4の構成例及び動作例を説明するための図である。 デュアルカソード方式による電圧印加の概略を説明するための図である。 デュアルカソード方式による電圧印加の概略を説明するための図である。
本願発明の高周波電源装置、デュアルカソード用電源について図1〜図8を用いて説明する。
以下、図1を用いて本願発明の高周波電源装置の概略構成を説明し、図2を用いて本願発明の切換回路の第1の構成例及び動作例を説明し、図3,4を用いて本願発明のデュアルカソード用電源の構成例及び制御例を説明し、図5を用いて本願発明の切換回路の第1の構成の変形例を説明し、図6を用いて本願発明の切換回路の第2の構成例及び動作例を説明し、図7を用いて本願発明の切換回路の第3の構成例及び動作例を説明し、図8を用いて本願発明の切換回路の第4の構成例及び動作例を説明する。
(本願発明の構成)
図1は本願発明の高周波電源装置の概略構成を説明するための図であり、図1(a)は概略構成を示し、図1(b),(c)は高周波電源装置からプラズマ負荷に電圧供給する際において、プラズマを着火させるイグニッション動作時及びプラズマ着火後にプラズマを維持する状態を示している。
図1(a)において、高周波電源装置1は、交流電源2と、交流電源2の電源電圧を所定周波数に変換して高周波電圧を出力する高周波出力回路3と、高周波出力回路3が出力する高周波電圧を接地電位に対して互いに逆相の交流電圧に分圧する分圧回路4とを備え、出力端A,Bから互いに逆相の交流電圧を出力する。
分圧回路4は、高周波出力回路3の出力端a,b間の中点Mを接地電位として第1の容量性素子Caと第2の容量性素子Cbの2つの容量性素子を直列接続した直列回路5と、直列回路5の少なくとも何れか一方の容量性素子に対して、高周波出力回路3の一方の出力端及び/又は接地電位の接続状態を切り換え、2つの容量性素子Ca、Cbの接地電位に対する出力電圧Va、Vbの電圧比率を可変とし、高電圧と低電圧を切り換えて出力する切換回路6とを備える。
高周波電源装置からプラズマ負荷に電圧供給する際には、出力端A,Bからプラズマ負荷に出力電圧を供給する。プラズマ負荷への出力電圧の供給は、出力端A,Bとチャンバ内に配置した一対の電極とを直接あるいは配線ケーブルを介して接続することによって行う。
デュアルカソード方式の電圧印加では、チャンバ内に配置した一対の電極に互いに逆相の交流電圧を印加する。プラズマ生成は、チャンバ内でプラズマを着火させるためのイグニッション動作と、イグニッション動作によって着火したプラズマを維持するプラズマ維持動作が行われる。イグニッション動作では、プラズマを着火させるためにチャンバ内の電極に高電圧を印加する。
イグニッション動作時:
図1(b)はイグニッション動作時を示している。電圧本願発明の高周波電源装置では、イグニッション動作によるチャンバ内のプラズマ着火において、チャンバ内に配置した一対の電極の少なくとも何れか一方の電極において着火状態となれば足りるため、分圧回路4で分圧された出力電圧が出力される出力端A,Bの内の何れか一方の出力端から出力される出力電圧を高電圧とし、この高電圧を一方の電極に印加することによってプラズマ着火を行う。
このイグニッション動作時には、他方の出力端から出力される出力電圧は、一方の出力端から出力される高電圧と比較して低電圧となる。この低電圧が印加された電極では、印加電圧がプラズマ着火に足りる電圧ではないためプラズマ着火には寄与しない。一方、高電圧が印加された電極ではプラズマ着火動作が行われるため、この電極側でプラズマが着火することでチャンバ内ではプラズマが生成される。
図1(b)に示す例は、切換回路6の出力電圧をVa<Vbとして、出力端Aから低電圧の出力電圧Vaを出力し、出力端Bから高電圧の出力電圧Vbを出力する例を示している。出力電圧の高電圧及び低電圧は、例えば、高電圧を高周波出力回路3の出力電圧Vabとし、低電圧を接地電圧とすることができる。出力端A及び出力端Bの何れを高電圧又は低電圧の出力端とするかは、切換回路6の設定で定めることができ、切換回路6での出力状態を切り換えることによって出力端Aから高電圧の出力電圧Vaを出力し、出力端Bから低電圧の出力電圧Vbを出力することもできる。
プラズマ維持状態:
図1(c)はプラズマ維持状態を示している。イグニッション動作によってチャンバ内にプラズマが生成された後、チャンバ内の一対の電極にプラズマ維持電圧を印加して生成されたプラズマを維持する。このとき印加するプラズマ維持電圧は生成したプラズマを維持するためであるため、イグニッション動作時に印加した高電圧である必要はなく低電圧で足りる。
図1(b)に示す例では、切換回路6において高周波出力回路3の出力電圧Vabをそれぞれ1/2に分圧したVa(=Vab/2)を出力電圧Vaとして出力し、Vb(=Vab/2)を出力電圧Vbとして出力する例を示している。ここで、直列回路5の中点Mが接地電位であるため、出力電圧Vaと出力電圧Vbとは逆相の関係にある。
上記した図1(b),(c)では、高周波電源装置1が電圧供給する負荷として、一対の電極に対して互いに逆相の電圧を印加するデュアルカソード方式のプラズマ負荷の例を示しているが、本願発明の高周波電源装置が電圧供給する負荷はプラズマ負荷に限らず、互いに逆相の電圧を印加される負荷に適用することができ、負荷に対して高電圧と低電圧とを切り換えて出力することができる。
(本願発明の切換回路の第1の構成例及び動作)
図2は本願発明の切換回路の第1の構成例及び動作を説明するための図である。図2は高周波出力回路を省略し、分圧回路が備える直列回路と切換回路の構成例について示している。
図2(a)は概略構成を示し、図2(b),(c)は高周波電源装置からプラズマ負荷に電圧供給する際において、プラズマを着火させるイグニッション動作時及びプラズマ着火後にプラズマを維持する状態を示している。図2(d)は第1の構成の変形例を示している。
図2(a)において、分圧回路14は直列回路15と切換回路16とを備え、高周波出力回路の出力端a,b間の出力Vabを分圧すると共に出力切換を行って、出力端Aから出力電圧Vaを出力し、出力端Bから出力電圧Vbを出力する。
直列回路15は、第1の容量性素子Caと第2の容量性素子Cbとの直列接続を高周波出力回路の出力端a,b間に接続すると共に、中点Mを接地して接地電位とする。
切換回路16は出力端A又は出力端Bの何れかと接地電位との間を接続又は分離する開閉回路で構成される。図2(a)に示す切換回路16は、出力端Aと接地電位との間を接続/分離する開閉回路の例である。
イグニッション動作時:
図2(b)に示す例は、切換回路16の出力電圧をVa<Vbとして、出力端Aから低電圧の出力電圧Vaを出力し、出力端Bから高電圧の出力電圧Vbを出力する例を示している。イグニッション動作時には、切換回路16は開閉回路を閉状態(ON状態)として出力端Aを接地電位に切り換える。この切り換えによって、出力端Aの出力電圧Vaは接地電圧となり、出力端Bからは高周波出力回路の出力電圧Vabの波高値で位相が逆相の出力電圧Vbが出力される。
プラズマ維持状態:
図2(c)はプラズマ維持状態を示している。イグニッション動作によってチャンバ内にプラズマが生成された後、チャンバ内の一対の電極にプラズマ維持電圧を印加して生成されたプラズマを維持する。プラズマ維持状態では、切換回路16は開閉回路を開状態(OFF状態)として出力端Aを接地電位から分離する。この切り換えによって、出力端Aからは高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2の波高値で位相が同相の出力電圧Vaが出力され、出力端Bからは高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2の波高値で位相が逆相の出力電圧Vbが出力される。
図2(d)は第1の構成の変形例を示している。図2(d)に示す構成例では、切換回路16の出力端Bと接地電位との間に開閉回路を設け、出力端Bと接地電位との間を接続/分離する。図2(d)に示す構成例では、イグニッション動作時に切換回路16の開閉回路を閉状態(ON状態)として出力端Bを接地電位に切り換え、出力端Bの出力電圧Vbを接地電圧とし、出力端Aから高周波出力回路の出力電圧Vabの波高値で位相が同相の出力電圧Vaを出力する。
(本願発明の切換回路の第1の構成例の開閉回路の変形例)
本願発明の切換回路の第1の構成例の開閉回路の変形例について図3を用いて説明する。切換回路の第1の構成例の開閉回路は、開閉回路の高周波回路への接続において電気的に等価な複数の形態で構成することができる。
図3(a)は開閉回路の第1の変形例を示している。第1の変形例は、分圧回路14において開閉回路16Aを高周波出力回路の一方の出力端aあるいは高周波電源回路の出力端Aと接地電位との間に設ける構成である。
第1の変形例によれば、開閉回路16Aを閉じてON状態とすることによって高周波出力回路の一方の出力端a及び高周波電源装置の出力端Aを接地電位として、出力端Aの出力電圧Vaの波高値を零とし、他方の出力端Bのみから高周波出力回路の出力電圧Vabを出力する。他方、開閉回路16Aを開いてOFF状態とすることによって高周波出力回路の一方の出力端a及び高周波電源装置の出力端Aを接地電位から絶縁状態とし、高周波出力回路の出力電圧を分圧回路14で分圧した電圧Vaを出力端Aから出力し、電圧Vbを出力端Bから出力する。
図3(b)は開閉回路の第2の変形例を示している。第2の変形例は、分圧回路14において開閉回路16Bを高周波出力回路の一方の出力端a及び高周波電源装置の出力端Aと中点Mとの間に設ける構成である。
第2の変形例によれば、開閉回路16Bを閉じてON状態とすることによって高周波出力回路の一方の出力端a及び高周波電源装置の出力端Aを分圧回路の中点Mに接続して接地電位として出力電圧Vaの波高値を零とし、他方の出力端Bのみから高周波出力回路の出力電圧Vabを出力する。他方、開閉回路16Bを開いてOFF状態とすることによって高周波出力回路の一方の出力端a及び高周波電源装置の出力端Aを中点Mから絶縁状態として、高周波出力回路の出力電圧Vabを分圧回路14で分圧した電圧Vaを出力端Aから出力し、電圧Vbを出力端Bから出力する。
図3(c)は開閉回路の第3の変形例を示している。第3の変形例は、分圧回路14において開閉回路16Cを一方の容量性素子Caに並列接続する構成である。第3の変形例によれば、開閉回路16Cを閉じてON状態とすることによって一方の容量性素子Caの両端間を短絡して、高周波出力回路の一方の出力端a及び高周波電源装置の出力端Aを接地電位として出力電圧Vaの波高値を零とし、他方の出力端Bのみから高周波出力回路の出力電圧Vabを出力する。他方、開閉回路16Cを開いてOFF状態とすることによって高周波出力回路の出力電圧Vabを分圧回路14で分圧した電圧Vaを出力端Aから出力し、電圧Vbを出力端Bから出力する。
図3(a)〜図3(c)では開閉回路16A,16B,16Cを第1の容量性素子Ca側に設ける例を示しているが、第2の容量性素子Cb側に設ける構成としてもよい。
開閉回路の第1〜第3の変形例は電気的に等価な回路であり、開閉回路を閉じることによって一方の出力端の出力電圧を零電圧とし、他方の出力端のみから高周波出力回路の出力電圧を出力し、開閉回路を開くことによって高周波出力回路の出力電圧を分圧した二つの電圧を各出力端から出力する。
(本願発明のデュアルカソード用電源の構成例び制御)
本願発明の高周波電源装置を備えたデュアルカソード用電源の構成及び制御について図4を用いて説明する。
図4において、デュアルカソード用電源は、高周波電源装置1と、プラズマチャンバ内でプラズマを着火させるイグニッション動作状態と、着火したプラズマを維持するプラズマ維持状態との動作状態を制御する制御回路7とを備える。
高周波電源装置1は、高周波出力回路3と分圧回路4とを備え、分圧回路4は第1の容量性素子Caと第2の容量性素子Cbとを直列接続してなる直列回路5と切換回路6とを備える。
高周波出力回路3は、一構成例として、交流電源2の交流電圧を整流する整流部3a、過渡的に生じる高電圧を抑制する保護回路を構成するスナバー回路3b、入力した直流電圧Vinを所定の出力電圧Vcに変換するチョッパ回路3c、直流出力を交流出力に変換するインバータ回路3d、インバータ回路3dの交流出力の電圧を所定電圧に変換する変圧器3eを備える。
直列回路5は、第1の容量性素子Caと第2の容量性素子Cbとを直列接続して構成され、出力端Aと出力端Bとの間に接続され、第1の容量性素子Caと第2の容量性素子Cbの中点Mは接地されている。
切換回路6は、出力端A側と接地電位との間に設けた開閉回路で構成され、開閉回路は出力端Aから接地に向かう方向を順方向とするダイオードD1と、逆方向のダイオードD2を並列接続したスイッチング素子Q1との直列回路で構成され、スイッチング素子Q1をON状態とすることによって出力端A側を接地し、出力端Aの出力電圧Vaを接地電位にする。
図4では負荷としてプラズマ発生装置10を示し、配線ケーブル11a,11bを介して出力端A及び出力端Bをプラズマ発生装置10が備える一対の電極に接続する。
制御回路7は、チョッパ回路3cの出力電圧Vcと、チョッパ回路3cからインバータ回路3dに流れる電流Ic、及び変圧器3eから出力端A,Bに向かって流れる電流Ioをフィードバックし、チョッパ回路3c及び切換回路6のスイッチング素子Q1を制御する。
図5は制御回路によるイグニッション動作を接続するためのフローチャートである。
切換回路6のスイッチング素子Q1の制御は、イグニッション動作時にスイッチング素子Q1を閉じてON状態とし(S1)、出力端Bから高周波出力回路の出力電圧Vabを出力端Bからプラズマ発生装置10の一方の電極に印加し、イグニッション動作を開始する(S2)。
イグニッション動作によってプラズマが着火すると、イグニッション電流Iiが増加する。制御回路7は検出した電流Ioをイグニッション電流Iiとしてフードバックし、プラズマ着火状態を判定する設定電流Idと比較し、イグニッション電流Iiが設定電流Idを越えた場合には(S3)、プラズマが着火したと判定してスイッチング素子Q1を開いてOFF状態とし(S4)、出力端A及び出力端Bから互いに逆相の電圧を出力し、生成されたプラズマを維持する(S5)。
(本願発明の切換回路の第2の構成及び動作)
図6は本願発明の切換回路の第2の構成例及び動作を説明するための図である。図6は高周波出力回路を省略し、分圧回路が備える直列回路と切換回路の構成例について示している。
図6(a)は概略構成を示し、図6(b),(c)は高周波電源装置からプラズマ負荷に電圧供給する際において、プラズマを着火させるイグニッション動作時及びプラズマ着火後にプラズマを維持する状態を示している。図6(d),(e)は第2の構成の変形例を示している。
図6(a)において、分圧回路24は直列回路25と切換回路26とを備え、高周波出力回路の出力端a,b間の出力Vabを分圧すると共に出力切換を行って、出力端Aから出力電圧Vaを出力し、出力端Bから出力電圧Vbを出力する。
直列回路25は、第1の容量性素子Caと第2の容量性素子Cbとの直列接続を高周波出力回路の出力端a,b間に接続すると共に、中点Mを接地して接地電位とする。
切換回路26は、出力端A又は出力端Bの何れかの出力端と直列回路25の中点Mとを、接地電位に対して切り換えて接続又は分離する開閉回路で構成される。図6(a)に示す切換回路12は、接点S1によって直列回路25の中点Mと接地電位との間の接続/分離を切り換え、接点S2によって出力端Aと接地電位との間の接続/分離を切り換える構成例である。
イグニッション動作時:
図6(b)に示す例は、切換回路26の接点S2を接地電位に接続して、出力端Aを接地電位とし、出力端Bから高周波出力回路の出力電圧Vabと同波高値の出力電圧Vbを出力する例を示している。
イグニッション動作時には、切換回路26は接点S2を接地電位に接続して出力端Aを接地電位に切り換える。この切り換えによって、出力端Aの出力電圧Vaは接地電圧となり、出力端Bからは高周波出力回路の出力電圧Vabの波高値で位相が逆相の出力電圧Vbが出力される。
プラズマ維持状態:
図6(c)はプラズマ維持状態を示している。イグニッション動作によってチャンバ内にプラズマが生成された後、チャンバ内の一対の電極にプラズマ維持電圧を印加して生成されたプラズマを維持する。プラズマ維持状態では、切換回路26は接点S1を接地電位に接続し、出力端Aを接地電位から分離する。この切り換えによって、出力端Aからは高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2の波高値で位相が同相の出力電圧Vaが出力され、出力端Bからは高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2の波高値で位相が逆相の出力電圧Vbが出力される。
図6(d),(e)は第2の構成の変形例を示している。
図6(d)に示す構成例では、切換回路26Bを出力端Bと接地電位との間に設け、出力端Bと接地電位との間を接続/分離する。図6(d)に示す構成例では、切換回路26Bは接点S2を接地電位に接続して出力端Bを接地電位に切り換える。この切り換えによって、出力端Bの出力電圧Vbは接地電圧となり、出力端Aからは高周波出力回路の出力電圧Vabの波高値で位相が逆相の出力電圧Vaが出力される。
図6(e)に示す構成例では、直列回路の二つの容量性素子Ca,Cbと二つのスイッチング素子SW1及びSW2によってブリッジ回路を構成すると共に、二つの容量性素子の接続点及び二つのスイッチング素子の接続点を共に接地する。この構成では、切換回路26Cのスイッチング素子SW1を動作させスイッチング素子SW2をOFF状態とすることによって図6(a)に示した構成と同様の回路を構成することができ、スイッチング素子SW2を動作させスイッチング素子SW1をOFF状態とすることによって図6(d)に示した構成と同様の回路を構成することができる。
(本願発明の切換回路の第3の構成及び動作)
図7は本願発明の切換回路の第3の構成例及び動作を説明するための図である。図7は高周波出力回路を省略し、分圧回路が備える直列回路と切換回路の構成例について示している。
図7(a)は概略構成を示し、図7(b),(c)は高周波電源装置からプラズマ負荷に電圧供給する際において、プラズマを着火させるイグニッション動作時及びプラズマ着火後にプラズマを維持する状態を示している。
図7(a)において、分圧回路34は直列回路35と切換回路36とを備え、高周波出力回路の出力端a,b間の出力Vabを分圧すると共に出力切換を行って、出力端Aから出力電圧Vaを出力し、出力端Bから出力電圧Vbを出力する。
切換回路36は、第2の容量性素子Cbの端部及び接地電位を、第1の容量性素子Ca、又は第1の容量性素子Caと直列接続される第3の容量性素子Ccとを切り換えて接続するスイッチング素子である。図7(a)に示す構成では、接点S1によって第1の容量性素子Caと第2の容量性素子Cbとの接続/分離を行い、接点S2によって第3の容量性素子Ccと第2の容量性素子Cbとの接続/分離を行う。
第3の容量性素子Ccは第1の容量性素子Caと直列接続されているため、接点S1側に切り換えた場合には、第1の容量性素子Caと第2の容量性素子Cbによって直列回路35が形成され、その中点は接地電位となる。また、接点S2側に切り換えた場合には、第1の容量性素子Ca、第3の容量性素子Cc、及び第2の容量性素子Cbによって直列回路35が形成され、第3の容量性素子Ccと第2の容量性素子Cbとの接続点は接地電位となる。
切換回路36は、接点S1と接点S2とを切り換えることによって容量性素子を直列接続してなる直列回路の接地電位に対する容量比を切り換え、これによって直列回路の両端に印加される交流電圧の分圧比率を変更し、出力端A及び出力端Bから出力する出力電圧を切り換えることができる。
切換回路36において接点S2側に切り換えた場合には、直列回路35は、接地電位に対して出力端A側は容量性素子Caと容量性素子Ccとの直列回路となり出力端B側は第2の容量性素子Cbとなるため、各容量性素子の容量が同じとした場合には、分圧によって出力端Aの出力電圧Vaは高電圧となり、出力端Bの出力電圧Vbは低電圧となる。
一方、切換回路36において接点S1側に切り換えた場合には、直列回路35は、接地電位に対して出力端A側は容量性素子Caとなり出力端B側は第2の容量性素子Cbとなるため、両容量性素子の容量が同しいとした場合には、分圧によって出力端Aの出力電圧Vaと出力端Bの出力電圧Vbは高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2の電圧となる。
図7(a)に示す構成例は、切換回路36によって出力端A側に第1の容量性素子Caと第3の容量性素子Ccの直列回路を形成する例を示しているが、接続関係を反転させて、切換回路36によって出力端B側に第2の容量性素子Cbと第3の容量性素子Ccの直列回路を形成する構成としてもよい。
イグニッション動作時:
図7(b)に示す例は、切換回路36の接点S2側に接地電位を接続して、第1の容量性素子Caと第3の容量性素子Ccの直列回路と第2の容量性素子Cbとを接地電位を中点として接続する直列回路を形成する例を示している。
イグニッション動作時には、切換回路36は接点S2側に接地電位を接続する。この接続によって、出力端Aの出力電圧Vaと出力端Bの出力電圧Vbは、高周波出力回路の出力電圧Vabを第1の容量性素子Ca及び第3の容量性素子Ccの直列回路と第2の容量性素子Cbとの容量比に基づいて分圧した波高値となり、それぞれ逆位相で出力される。図7(b)に示す例では、出力端Aからは高電圧の出力電圧Vaが出力され、出力端Bからは低電圧の出力電圧Vbが出力される。出力電圧Vaは、高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2よりは高い電圧となるため、プラズマ着火が容易となる。
プラズマ維持状態:
図7(c)はプラズマ維持状態を示している。イグニッション動作によってチャンバ内にプラズマが生成された後、チャンバ内の一対の電極にプラズマ維持電圧を印加して生成されたプラズマを維持する。プラズマ維持状態では、切換回路36は接点S1側に接地電位を接続する。この切り換えによって、出力端Aの出力電圧Vaと出力端Bの出力電圧Vbは、高周波出力回路の出力電圧Vabを第1の容量性素子Caと第2の容量性素子Cbとの容量比に基づいて分圧した波高値となり、出力端Aからは高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2の波高値で位相が同相の出力電圧Vaが出力され、出力端Bからは高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2の波高値で位相が逆相の出力電圧Vbが出力される。
(本願発明の切換回路の第4の構成及び動作)
図8は本願発明の切換回路の第4の構成例及び動作を説明するための図である。図8は高周波出力回路を省略し、分圧回路が備える直列回路と切換回路の構成例について示している。
図8(a)は概略構成を示し、図8(b),(c)は高周波電源装置からプラズマ負荷に電圧供給する際において、プラズマを着火させるイグニッション動作時及びプラズマ着火後にプラズマを維持する状態を示している。
図8(a)において、分圧回路44は直列回路45と切換回路46とを備え、高周波出力回路の出力端a,b間の出力Vabを分圧すると共に出力切換を行って、出力端Aから出力電圧Vaを出力し、出力端Bから出力電圧Vbを出力する。
切換回路46は、第1の容量性素子Ca又は第2の容量性素子Cbに対して第3の容量性素子Ccの並列接続と分離とを切り換えるスイッチング素子である。
図8(a)に示す構成では、第2の容量性素子Cbに対して第3の容量性素子Ccを並列接続あるいは分離する例を示している。
第3の容量性素子Ccを第2の容量性素子Cbに対して並列接続した場合には、直列回路45は、第1の容量性素子Caと、第2の容量性素子Cb及び第3の容量性素子Ccの並列回路とを直列接続して直列回路を形成し、直列回路の中点を接地電位としている。
また、第3の容量性素子Ccを第2の容量性素子Cbとの並列接続から分離した場合には、直列回路45は、第1の容量性素子Caと第2の容量性素子Cbとの直列回路となり、中点を接地電位としている。
切換回路46は、スイッチング素子SWを切り換えることによって容量性素子を直列接続してなる直列回路の接地電位に対する容量比を切り換え、これによって直列回路の両端に印加される交流電圧の分圧比率を変更し、出力端A及び出力端Bから出力する出力電圧を切り換えることができる。
切換回路46においてスイッチング素子SWを閉じた場合には、直列回路45は、第1の容量性素子Caと、第2の容量性素子Cb及び第3の容量性素子Ccの並列回路とを直列接続した直列回路となり、各容量性素子の容量が同じとした場合には、分圧によって出力端Aの出力電圧Vaは高電圧となり、出力端Bの出力電圧Vbは低電圧となる。
一方、切換回路46においてスイッチング素子SWを開いた場合には、直列回路45は、第1の容量性素子Caと第2の容量性素子Cbを直列接続した直列回路となり、両容量性素子の容量が等しいとした場合には、分圧によって出力端Aの出力電圧Vaと出力端Bの出力電圧Vbは高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2の電圧となる。
図8(a)に示す構成例は、切換回路46によって第2の容量性素子Cbに第3の容量性素子Ccを並列接続する例を示しているが、接続関係を反転させて、切換回路46によって第1の容量性素子Caに第3の容量性素子Ccを並列接続する構成としてもよい。
イグニッション動作時:
図8(b)に示す例は、切換回路46のスイッチング素子SWを閉じて第3の容量性素子Ccを第2の容量性素子Cbに並列接続して並列回路を形成し、第1の容量性素子Caと並列回路との直列回路を形成し、第1の容量性素子Caと並列回路に接点を接地電位とする例を示している。
イグニッション動作時には、切換回路46はスイッチング素子SWを閉じ、これによって、出力端Aの出力電圧Vaと出力端Bの出力電圧Vbは、高周波出力回路の出力電圧Vabを第1の容量性素子Caと、第2の容量性素子Cb及び第3の容量性素子Ccの並列回路との容量比に基づいて分圧した波高値となり、それぞれ逆位相で出力される。図8(b)に示す例では、出力端Aからは高電圧の出力電圧Vaが出力され、出力端Bからは低電圧の出力電圧Vbが出力される。出力電圧Vaは、高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2よりは高い電圧となるため、プラズマ着火が容易となる。
プラズマ維持状態:
図8(c)はプラズマ維持状態を示している。イグニッション動作によってチャンバ内にプラズマが生成された後、チャンバ内の一対の電極にプラズマ維持電圧を印加して生成されたプラズマを維持する。プラズマ維持状態では、切換回路46はスイッチング素子SWを開く。この切り換えによって、出力端Aの出力電圧Vaと出力端Bの出力電圧Vbは、高周波出力回路の出力電圧Vabを第1の容量性素子Caと第2の容量性素子Cbとの容量比に基づいて分圧した波高値となり、出力端Aからは高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2の波高値で位相が同相の出力電圧Vaが出力され、出力端Bからは高周波出力回路の出力電圧Vabの1/2の波高値で位相が逆相の出力電圧Vbが出力される。
なお、上記実施の形態及び変形例における記述は、本発明に係る高周波電源装置及びデュアルカソード電源の一例であり、本発明は各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形することが可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の高周波電源装置およびデュアルカソード用電源は、チャンバ内の一対の電極を備えた成膜装置やスパッタリング装置等、互いに逆相の交流電圧を印加する用途に適用することができる。
A,B 出力端
Cla,Clb キャパシタンス
Ca 容量性素子
Cb 容量性素子
D1,D2 ダイオード
Ic 電流
Id 設定電流
Ii イグニッション電流
Io 電流
Lla,Llb インダクタンス
M 中点
Q1 スイッチング素子
S1,S2 接点
SW スイッチング素子
SW1 スイッチング素子
SW2 スイッチング素子
Va、Vb 出力電圧
Vab 出力電圧
Vc 所定出力電圧
Vin 直流電圧
a,b 出力端
1 高周波電源装置
2 交流電源
3 高周波出力回路
3a 整流部
3b スナバー回路
3c チョッパ回路
3d インバータ回路
3e 変圧器
4 分圧回路
5 直列回路
6 切換回路
7 制御回路
10 プラズマ発生装置
11a,11b 配線ケーブル
12 切換回路
14 分圧回路
15 直列回路
16 切換回路
16A,16B,16C 開閉回路
24 分圧回路
25 直列回路
26 切換回路
34 分圧回路
35 直列回路
36 切換回路
44 分圧回路
45 直列回路
46 切換回路
101 電極
102 電極
103 高周波電源
104 高周波電源
105 スイッチングユニット
111,112 電極
113 高周波電源
115 スイッチング回路
116 交流電源
121 高周波電源装置
122 高周波出力回路
123 変圧器
124 分圧回路
125,126 容量性素子
130 プラズマ発生装置
131,132 電極
141,142 配線ケーブル

Claims (7)

  1. 二つの出力端から接地電位に対して互いに逆相の交流電圧を出力する高周波電源装置であり、
    交流電源と、
    前記交流電源の電源電圧を所定周波数に変換して高周波電圧を出力する高周波出力回路と、
    前記高周波出力回路が出力する高周波電圧を接地電位に対して互いに逆相の交流電圧に分圧する分圧回路とを備え、
    前記分圧回路は、
    前記高周波出力回路の出力端間の中点を接地電位として第1の容量性素子と第2の容量性素子の2つの容量性素子を直列接続した直列回路と、
    前記直列回路の少なくとも何れか一方の容量性素子において当該容量性測定信号の出力端側又は中点側に対して、
    前記高周波出力回路の一方の出力端及び/又は接地を切り換えて接続し、前記2つの容量性素子の接地電位に対する両端電圧の電圧比率を可変とし、高電圧と低電圧を切り換えて出力する切換回路とを備えることを特徴とする高周波電源装置。
  2. 前記切換回路は、
    前記直列回路の2つの容量性素子の少なくとも何れか一方の容量性素子の両端間において、前記高周波出力回路の前記一方の容量性素子側の出力端と接地電位との間を短絡又は開放する開閉回路を備え、
    前記開閉回路の短絡動作は、前記高周波出力回路の前記一方の容量性素子側の出力端電圧を零電圧とし、他方の容量性素子側の出力端電圧を高周波出力回路の出力電圧とし、
    前記開閉回路の開放動作は、前記高周波出力回路の両方の容量性素子側の出力端電圧を、高周波出力回路の出力電圧を前記両容量性素子の容量に応じて分圧した分圧電圧とすることを特徴とする請求項1に記載の高周波電源装置。
  3. 前記開閉回路を、前記高周波出力回路の一方の出力端と接地電位との間、又は前記高周波出力回路の一方の出力端と前記中点との間に設けた、あるいは前記一方の容量性素子に並列接続したことを特徴とする請求項2に記載の高周波電源装置。
  4. 前記切換回路は、
    前記直列回路の2つの容量性素子の中点及び前記高周波出力回路の前記一方の容量性素子側の出力端に対して、接地電位を切り換えて接続する切換スイッチを備え、
    前記切換スイッチにおいて、
    前記直列回路の2つの容量性素子の中点に対する接地電位の切換は、前記高周波出力回路の前記一方の容量性素子側の出力端電圧を零電圧とし、他方の容量性素子側の出力端電圧を高周波出力回路の出力電圧とし、
    前記高周波出力回路の前記一方の容量性素子側の出力端に対する接地電位の切換は、前記高周波出力回路の両方の容量性素子側の出力端電圧を、高周波出力回路の出力電圧を前記両容量性素子の容量に応じて分圧した分圧電圧とすることを特徴とする請求項1に記載の高周波電源装置。
  5. 前記切換回路は、
    前記直列回路の2つの容量性素子の何れか一方の容量性素子に対して第3の容量性素子を直列接続する切換スイッチを備え、
    前記切換スイッチによる切換において、
    前記第3の容量性素子の直列接続は、前記高周波出力回路の他方の容量性素子側の出力端電圧の波高値を前記一方の容量性素子側の出力端電圧の波高値よりも高くし、
    前記第3の容量性素子の切り離しは、前記高周波出力回路の両方の容量性素子側の出力端電圧を、高周波出力回路の出力電圧を前記両容量性素子の容量に応じて分圧した分圧電圧とすることを特徴とする請求項1に記載の高周波電源装置。
  6. 前記切換回路は、
    前記直列回路の2つの容量性素子の何れか一方の容量性素子に対して第4の容量性素子を並列接続する切換スイッチを備え、
    前記切換スイッチによる切換において、
    前記第4の容量性素子の並列接続は、前記一方の容量性素子側の出力端電圧の波高値を前記高周波出力回路の他方の容量性素子側の出力端電圧の波高値よりも高くし、
    前記第4の容量性素子の切り離しは、前記高周波出力回路の両方の容量性素子側の出力端電圧を、高周波出力回路の出力電圧を前記両容量性素子の容量に応じて分圧した分圧電圧とすることを特徴とする請求項1に記載の高周波電源装置。
  7. プラズマチャンバ内の2つの電極に互いに逆相の交流電圧を印加するデュアルカソード用電源であり、
    請求項1から6の何れか一つに記載の高周波電源装置と、
    プラズマチャンバ内でプラズマを着火させるイグニッション動作状態と、着火したプラズマを維持するプラズマ維持状態との動作状態を制御する制御回路とを備え、
    前記制御回路は、前記電極に流れる電流に基づいて前記切換回路を制御してイグニッション動作状態の高電圧を出力する電圧比率と、プラズマ維持状態の低電圧を出力する電圧比率とを変え、
    前記イグニッション動作状態において、前記2つの電極の内のプラズマを着火させる電極の電圧比率を高め、
    前記プラズマ維持状態において、前記2つの電極の電圧比率を均等化し、
    前記イグニッション動作状態において、プラズマを着火させる前記電極に流れる電流が設定値を越えたとき前記切換回路において前記接続状態を切り換え、プラズマ維持状態に切り換えることを特徴とするデュアルカソード用電源。
JP2015020482A 2015-02-04 2015-02-04 高周波電源装置、及びデュアルカソード用電源 Active JP5788616B1 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015020482A JP5788616B1 (ja) 2015-02-04 2015-02-04 高周波電源装置、及びデュアルカソード用電源
PCT/JP2015/054727 WO2016125316A1 (ja) 2015-02-04 2015-02-20 高周波電源装置、及びデュアルカソード用電源
PL15881133T PL3236718T3 (pl) 2015-02-04 2015-02-20 Urządzenie będące źródłem energii o częstotliwości radiowej i źródło energii do podwójnych katod
KR1020177021907A KR101841409B1 (ko) 2015-02-04 2015-02-20 고주파 전원 장치, 및 듀얼 캐소드용 전원
US15/542,977 US10244615B2 (en) 2015-02-04 2015-02-20 Radio frequency power source device, and power source for dual cathodes
EP15881133.1A EP3236718B1 (en) 2015-02-04 2015-02-20 Radio frequency power source device, and power source for dual cathodes
CN201580074957.3A CN107211521B (zh) 2015-02-04 2015-02-20 高频电源装置及双阴极用电源
TW104119272A TWI544733B (zh) 2015-02-04 2015-06-15 高頻電源裝置及雙陰極用電源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015020482A JP5788616B1 (ja) 2015-02-04 2015-02-04 高周波電源装置、及びデュアルカソード用電源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5788616B1 true JP5788616B1 (ja) 2015-10-07
JP2016144371A JP2016144371A (ja) 2016-08-08

Family

ID=54346079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015020482A Active JP5788616B1 (ja) 2015-02-04 2015-02-04 高周波電源装置、及びデュアルカソード用電源

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10244615B2 (ja)
EP (1) EP3236718B1 (ja)
JP (1) JP5788616B1 (ja)
KR (1) KR101841409B1 (ja)
CN (1) CN107211521B (ja)
PL (1) PL3236718T3 (ja)
WO (1) WO2016125316A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111725091A (zh) * 2019-03-22 2020-09-29 北京北方华创微电子装备有限公司 优化工艺流程的方法及装置、存储介质和半导体处理设备
KR102242234B1 (ko) * 2019-05-08 2021-04-20 주식회사 뉴파워 프라즈마 고주파 제너레이터 및 그의 동작 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0454513A (ja) * 1990-06-25 1992-02-21 Kokka O キャパシタ交流降圧回路
JPH07337036A (ja) * 1994-06-11 1995-12-22 Sanken Electric Co Ltd 交流電力変換装置
JP2013539160A (ja) * 2010-07-29 2013-10-17 ヒュッティンガー エレクトローニク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト 交流電力を供給してプラズマを点火するための点火回路

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6395128B2 (en) 1998-02-19 2002-05-28 Micron Technology, Inc. RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition
US7180758B2 (en) * 1999-07-22 2007-02-20 Mks Instruments, Inc. Class E amplifier with inductive clamp
JP3678098B2 (ja) * 2000-01-21 2005-08-03 松下電器産業株式会社 電源装置とそれを用いた電子機器
JP3641785B2 (ja) * 2002-08-09 2005-04-27 株式会社京三製作所 プラズマ発生用電源装置
US7502240B2 (en) * 2004-07-27 2009-03-10 Silicon Laboratories Inc. Distributed power supply system with separate SYNC control for controlling remote digital DC/DC converters
JP2006134603A (ja) 2004-11-02 2006-05-25 Bridgestone Corp 触媒構造体及びそれを用いた固体高分子型燃料電池用膜電極接合体
CN101127486A (zh) * 2006-07-31 2008-02-20 富士电机控股株式会社 电源电路及其控制方法
US20080059321A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Zucker Brian T Online Sales Method for Information Handling Systems and Related Peripherals
JP4790826B2 (ja) * 2009-03-10 2011-10-12 株式会社日立製作所 電源装置およびハードディスク装置
JP5301340B2 (ja) 2009-04-16 2013-09-25 住友重機械工業株式会社 スパッタリング装置および成膜方法
US9111733B2 (en) * 2009-08-31 2015-08-18 Novellus Systems Inc. Plasma ignition performance for low pressure physical vapor deposition (PVD) processes
JP5887081B2 (ja) * 2011-07-26 2016-03-16 ローム株式会社 Ac/dcコンバータおよびそれを用いたac電源アダプタおよび電子機器
US9774239B2 (en) * 2011-12-23 2017-09-26 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Method and apparatus for providing power
US9402128B2 (en) * 2012-04-11 2016-07-26 James K. Waller, Jr. Adaptive rail power amplifier technology
JP5578745B1 (ja) * 2013-08-22 2014-08-27 株式会社京三製作所 D級増幅器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0454513A (ja) * 1990-06-25 1992-02-21 Kokka O キャパシタ交流降圧回路
JPH07337036A (ja) * 1994-06-11 1995-12-22 Sanken Electric Co Ltd 交流電力変換装置
JP2013539160A (ja) * 2010-07-29 2013-10-17 ヒュッティンガー エレクトローニク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト 交流電力を供給してプラズマを点火するための点火回路

Also Published As

Publication number Publication date
EP3236718A4 (en) 2018-03-14
PL3236718T3 (pl) 2019-10-31
JP2016144371A (ja) 2016-08-08
US20180249570A1 (en) 2018-08-30
CN107211521B (zh) 2018-05-04
KR20170097217A (ko) 2017-08-25
CN107211521A (zh) 2017-09-26
EP3236718A1 (en) 2017-10-25
KR101841409B1 (ko) 2018-03-22
WO2016125316A1 (ja) 2016-08-11
EP3236718B1 (en) 2019-05-08
US10244615B2 (en) 2019-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6951222B2 (ja) 電力変換装置及び電力変換システム
CN104518663B (zh) 负压电荷泵反馈电路
US8295064B2 (en) Operation control method of charge pump circuit
US10554137B2 (en) DC/DC converter
US9948206B2 (en) Multilevel power conversion device with flying capacitor
US20030057923A1 (en) Power generating device
JP5679239B1 (ja) 単相インバータ
JP2006505239A (ja) 高電圧電源
JP2004187397A (ja) 電力変換装置
JP2011511608A (ja) 高電圧インバータ
JP5788616B1 (ja) 高周波電源装置、及びデュアルカソード用電源
JP2019537419A (ja) 可変電圧発生器回路、コンデンサ、及び方法
TWI544733B (zh) 高頻電源裝置及雙陰極用電源
JP2011188676A (ja) 電源装置
US9438132B2 (en) Multilevel AC/DC power converting method and converter device thereof
JP6337659B2 (ja) 5レベル電力変換装置
CN106664038A (zh) 单相npc逆变器的中性点电位控制方法
JP2021061207A (ja) プラズマ装置、電源装置、プラズマ維持方法
KR20160066496A (ko) 이오나이저
JP6905420B2 (ja) パルス電源装置および当該パルス電源装置の波形調整方法
KR100859284B1 (ko) 전기용접기용 인버터 전원전환스위치
KR20160071526A (ko) 가변 고압 펄스전원장치
CA2738844C (en) Full wave ac/dc voltage divider
US945006A (en) Motor-control system.
JP6790324B2 (ja) 高周波電源装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150706

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150706

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20150706

TRDD Decision of grant or rejection written
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20150724

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150728

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150729

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5788616

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250