TW446997B - Corrosion-resistant members against a chlorine based gas - Google Patents

Description

^ 4 469 9 7 案號 88115199 五、發明說明（i ) 本發明係有關於暴露在600 SC以上的溫度對氯系氣體 之辦韻性元件。 目前，半導體晶圓的熱化學氣相沈積（CVD)、電栽化 學氣相沈積和；賤鐘等之成膜製程都是必須有加熱半導體曰 圓之加熱裝置。本發明揭示該加熱裝置之基材為備有對= 素腐钱性氣體有高耐姓性之氮化鋁質燒結體。特別是穷' 質地的氮化鋁燒結體’乃眾所周知具有高熱傳導性的二緻 料，已知該燒結體之電阻係數為i X 1 〇8 ^ . cm以上，s 半導體製造用的加熱裝置的有利基體。 疋 本發明經重複地檢討種種半導體製造用元件的材 後，提出藉由在氮化鋁燒結體的表面塗覆（c〇at)緻密 片 的碳化矽膜，乃具有耐熱性、耐熱衝擊性和對 '系进材貞 氣體的耐姓性的特別優良之基體+。 ' 、腐飯性 然而，特別是在暴露於氯系腐蝕性氣體的條 加熱半導體至600。(：以上，同時不產生污染的加埶下’可 未被揭示。另外當加入低溫和6 〇 〇 °c以上的高、^、置尚 之熱循冑，且暴露於高溫領域的氯系的腐网Ί域相間 會產生财钱性膜的剝離以及劣化之加熱裝置^=後'不 本發明之課題為提供一耐蝕性元件，在6。揭不。 溫度對氯系氣體有高的耐蝕性。 以上的 本發明的另一課題，當暴露在60 01 溫的溫度效果的反覆循環操作時，前述 生、-氣和低 -會有劣化和剝離的產生。更進一步，本表面 供—加熱裝置，在強的熱循環下也不會硃4為提 適用於半導體周途。 主5染，因而可 446997 案號 88115199 五、發明說明（2) 士本發明之对敍性元件，當暴露在6 〇 〇它以上的溫度 時’對氣系氣體具有耐蝕性，備有氮化鋁所構成的燒結體 以及以化學氣相沈積法所形成並覆蓋於前述燒結體的表面 的破化石夕膜s 本，明者發現’在氮化鋁燒結體所構成之基體的表 面’覆蓋著藉由化學氣相沈積法（c VD)所得之碳化矽膜之 耐蝕丨生元件，在6 0 0 C以上’特別是在1丨⑽。C以下的高溫 領域中’顯不出對氣系氣體有高耐蝕性，以達成本發明。 4承申清人褐不藉由在氮化鋁的表面設置氟化鋁所形成 ^ ^蝕f·生膜，即使在例如3 〇 〇 ^以上的高溫領域中，也對 氟π腐，性氣體具有高耐蝕性。然而，當其暴露於6 〇 〇乞 =士的回溫氣系氣體時，會有腐蝕發生。相對於此，發現 J :之耐蝕性元件，在60 0 1以上，對氣系氣體5比起 對乱系氣體具有更高的耐蝕性s ，系軋體包括氣（cy、氣化蝴（BC1J、氟化氣（c 、以及氣化氫（HC1)等, 緻密2化矽膜較佳為有高純度，且與理論密度相同之完全 埶物f Γ明之更佳實施例之中，对钱性元件’是可將被加 二；二二6〇()°〇以上的溫度之加熱器，且基體中埋設有 抵，几::¾熱體。說明有關該實施例。 ^ I :胆权造裂置來說，眾所皆知在氮化鋁燒結體中 °又金屬抵抗發熱體之加熱器。然而，特別是美露在 蝕性氣辦領域，和室溫的熱循環，而且暴露於腐 -1叮別疋氣系的腐蝕性氣體的狀態下，可適用於

麵 7066-2756-??2-r. 第5頁 號 881151叩 4 469 97 修正 Ε 月 五、發明說明（3) 在加熱器基體的表面不剝離的加熱器尚未被揭示，因此該 發明在市場上是很急需的。 本發明者將抵抗發熱體埋設於氮化鋁燒結體中，並藉 由在則述燒結體的表面全體覆蓋碳化矽膜，成功地開發了 使上述問題獲得解決的加熱器。 也就是以化學氣相沈積法形成之碳化矽膜，對氯系腐 ，性氣體，在6 0 〇 °c以上之高溫領域有極高的耐蝕性，也 提供對熱循環有極強之加熱器。其理由被認為如下所示。 B藉由化學氣相沈積法在氮化鋁燒結體上形成碳化矽膜 的溫度通常在l 200_15〇(rc的範圍。當該碳化矽膜形 =時’燒結體和碳化矽膜之間不會產生因熱膨脹係數的% 冏之應力。然而，在從膜形成溫度冷卻至室溫時，會因 2的熱膨脹係數之不同而在碳化矽膜與燒結體之間 力。碳化矽的熱膨脹係數比氮化鋁小，因此相對的，= ^冷卻時的收縮小，另-方面，氮化紹收縮則較大。= 4，碳化矽膜成為押著收縮大的燒結體的狀態，所以碳 矽膜的面内方向會有壓縮應力的產生。相反的，焯社 部分則殘留有伸張應力。也就是，碳化石夕膜的内；二 下’已經有非常大的壓縮應力存在。 概 於碳化矽膜比燒結體先膨脹，加上原本碳化矽g内

?066-2ί56~?；2 第6頁 ^ 在此狀態下，，藉由以外部的熱來源，（如紅外線户 、i amp))對本發明的晶座加熱的場合，由外部熱源的熱, 可藉熱輻射最初射入碳化矽膜，接著傳導至氮化鉋燒^， 體。此時，碳化矽膜全體先被急劇地加熱，溫度顯著上 升’而且燒結體方面溫度則沒有上升狀態發生。此狀複 446997 ___案號 88115199_年々 AL—^.-JMz- I五、發明說明（4) I存有的壓縮應力，使壓縮應力更為增加，造成碳化矽膜從 ;燒結體剝離。 相對於此，碳化矽膜與埋設有抵抗發熱體之氮化銘燒 結體一體化之場合，從抵抗發熱體的熱藉由傳導方式傳導 至氮化鋁燒結體中，通過兩者的界面，到達表面的碳化矽 祺。此時，燒結體的熱容量遠大於破化石夕膜’且由於碳化 i發犋較薄，所以昇溫時從燒結體傳導熱到碳化矽膜時，碳 化矽膜的溫度與燒結體的最外周區域的溫度差距很少，而 碳化矽膜方面溫度較低。 在如此的溫度分佈下使加熱的場合’因為氮化鋁燒結 丨體方面比碳化矽膜膨脹得大，使在室溫下碳化矽膜中存在 !的壓縮應力得以緩和=因此，加熱時碳化矽膜壓縮應力的I :產生也比在室溫下要小，不會產生膜剝離的情形。 i I 另一方面，這樣的加熱器從向溫狀態冷卻的場合，必 然是保持碳化矽膜之溫度低於燒結體的狀態下進行冷卻， [所以碳化矽膜中產生的應力比在室溫時的應力小。結果， i室溫時，本發明之加熱器中碳化矽膜與氮化鋁燒結體的密 I著’即使在冷卻時，也不會發生碳化矽膜剝離。 i : 该基體内部埋設的網狀物的材質並無限制，以高融點| I金屬形成為較佳。 該高融點金屬例如組、鶴、銷、白金、銖、給與該等 金屬的合金。以半導體製造裝置的用途來說，從防止半導 ί岐/亏染的觀點’更佳的是组、鶴、銷、白金和該等合金。 特別是純鉬或鉬與其他金屬之合金為較佳。與鉬合金丨 i

之金；i 撼、铜、Μ、虚铉蛊鲂祛=公虽）、；从ΛΑ播承l-L

網 起 引 的 點 的 對較適宜實施型態來說，其 狀物。藉此，由於電流向帶狀 例如圓形的網狀物的場合，& 起的溫度不均一。特別是帶狀 各部分時5可使加熱面的溫度 來說’基體的加熱面與網狀物 0 該網狀物的平面形狀，和構 限制。該線以壓延成形加工而 丁故岡狀物為細長帶狀之 的網狀物的縱向流動，比 不易產生因電流的集中而 的網狀物均一分佈於基體 分佈更為均一 A a由此觀 的主面約略平行是更佳

晒I 7066-2756-PF2pt c 第8頁 成網狀物線的線徑並無特 成形的線材，且純度9’9 %、

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構成金屬的電阻係數在室溫T4 又謗金屬線所 -ΤΓ 5 f v 1Π-6 Ο ' 41* 1 Χ !〇'6 Π . _ .. 88115199 五、發明說明（6) 以上的純金屬所構成的金屬線為特別較 下5更佳為6 χ i 〇_6 Ώ . cm以下。一…' υ " Ω . cm以 /备成：狀電極之金屬線寬度為。8 在母一央吋當中，有8條以上的線 ‘8_以下， 在？以下，線的發熱速度會較快，而且1奴藉由宽度 又見度在0. 02_以上’因線的過度發埶而*量適當。 也不會產生1成網狀物之線材的錢較佳^電流集中 上，更佳為(K 〇2mm以上。 為〇.〇13mm以 而且，每K當中的線交又數至 此網狀物的全體流有均一的電流，而 條以上’因 線的内部有電流集中發生。w實際上製造的狀物之 英吋當中的線交叉數，較佳在1〇〇條以下。點來看，一 構成網狀電極的線材橫向斷面形狀除了 可以為橢圓形，長方形等種種的壓延形狀。v ， 本發明之加熱器可由以下的方法製造。 方法一 製造陶瓷的預備成形體，在該預備成形體的上面設置 網狀物。接下來，在該預備成形體與網狀物上填充陶瓷粉 末，一軸擠壓（press)成形。該成形體以熱壓向網狀物的 厚度方向加壓之後，熱燒結而得燒結體。該燒結體的表面 形成以後述方法所製之碳化石夕膜。 該熱壓的壓力必須為50 kg/cm2以上，1 〇〇 kg/cm2以上 為較佳。又考慮實際上的裝置的性能等，通常在2 ton/cm2以下艮p可。

7066-2756-?Ρ2·ρΐ〇 第9頁 4句9 9 7 -------案號88115199_f0年务月ク日 I五、發明說明（7) 二 以冷等壓（C〇ld 1S〇StatlC)方法製造兩個平版狀的成 :體，在該兩平版狀成形體之間加入電極。這樣狀態下兩 =形體和m電極的厚度方^熱壓加壓後燒結而 侍繞結體。在該燒結體的表面形成以後述方法所製之碳化 圖1 (a)為本發明的一實施型態’係表示加熱器1平面 11 ’圖1(b)為圖1(a)中Ib-Ib線的剖面圖。 加熱器1中，例如圓盤形狀的基體2的内部埋設有網狀 =4。基體2的中央部分，埋設有露出於背面仏側的端子 基體2的周緣部分’亦埋設有露出於背面2 b側的端子 3β。藉由網狀物使端子3A與3B連接著。為加熱面。圖 1 (a )和（b)中，網狀物4的細小網目因圖面的大小的限制， 並無圖示。網狀物4，在端子3A與3B之間的平面看去呈漩 渦形狀。端子3 A與3B與未圖示之電力供給電線相接。基體 2為圓盤形狀的氮化鋁燒結體6與該燒結體6的表面覆蓋之 碳化矽膜5所組成。 圖2(a)表示一實施型態的使用加熱器的網狀物8之平 面圖，圖2(b)概略地表示埋設有網狀物8的加熱器12之平 面圖。 該網狀物8是由縱橫編織的線8 a而構成。8 b為編織的 網眼。網狀物8的外周側約略成圓形，内周側也約略成圓 I形’使網狀物8的全體呈圓環形狀，其内側設有圓形的空 ：間9。但網狀物8設有切口 該網狀物8的—對端部11面 向切口 1 0互對。

4469 9 7 年)月

案號88115]叩 五、發明說明（8) 加熱器12中燒結體2的燒結體埋設有網狀物8。 8的一對端部連接端子丨^與丨^。因此藉由沿早 1 3B之間圓環形狀的網狀物8的縱向，電流以、 可防止電流的集中。 °狀机動’ 圖3(a)-(c)為各式網狀物的各種型態的剖面 3(a)表示網狀物16中，縱線16b和橫線Ua以三次_的六， 編織而成，縱線丨β b和橫線1 6 a分別呈波狀^圖父差 物17中’橫線i7a為直的，而縱線l7b為曲折圖』的:狀 網狀物18，縱線18b和橫線18a以三次元的交差 〇中的 縱線1 8b和橫線1 8a亦呈波狀。又網狀物丨8是以^而成， 如此該縱線與橫線的外型呈現沿著A與 、延而成， ^ 4 β , 百虛線之形狀。 如圖3所表不，被壓延成形的網狀物平坦声a a 好的5而且縱線和橫線的接觸最確實，故特別軾又疋取'^ 敘述有關碳化矽膜的適合形成方法。圖4.交佳° 在化學氣相沈積（CVD)的爐内’設置燒結體2:的表: 24藉由保持治具23支持著。再者，34為治具。二^…體 設置有正面形狀為τ字形的原料供給管27。、本貫施二中 27備有基部27b，向側面延伸的吹出部分s 的:^結體面對的表面27c設有既定數量 ^ 26。22為爐體的内筒，21則是外部加熱器。虱體噴出口 原料供給管27的表面27c和燒結體24的間隔，使豆設 疋在，例如，10〇mm-300龍之間。當原料供給管27旋轉 時，氣體從氣體喷出孔26喷出。CVD用沾r , ^ ψ ^ ^ 土 L V ϋ用的原料氣體從氣體 I出礼26喷出，流入空間35 s與燒結㈣的表面衝撞，沿 著燒結體2 4的表面流出，通過保持、'Α呈 ’示得/α具23所設的排出孔25 446997 號 881151 卯 曰 五、發明說明（9) 排出。 使用該型態的原料供給管2 ?， 轉而喷出氣體，使燒結體24的表面八由使原料供給管27迴 均一，電阻率也均一。 王面覆蓋碳化矽膜厚度 較佳的是’在成膜溫度下，將^ $ 將四氣化矽與甲烷導入爐内，形成二軋流入爐内一會後， 度，流入原料氣體之前，先流入=化矽犋。在成膜溫 的密著性可增加。 軋，繞結體與碳化矽膜 更佳的是在成膜溫度下，流入严 有矽、氣、或氫的第一的矽素源化=^，接著流入至少含 =第二的矽素源化合物和碳素源化：：氣體，然後再流 素源化合物較佳為至少一種以口 ：等的氣體。第—矽 S:C14、SiHCi3與SiH2。2所組成之群:物選自下列 較佳為至少一種以上的化合物；：第二矽素源化 :叫Cl2l|SlH4所組成之群組。碳^下列、SiHCis、物 少一種以上的化合物選自下列^、Λ、匕合物特別較佳為至 、’且第一矽素源化合物和第二矽♦ 2 6與扎所組成之 但不同亦可。 原化合物較佳是相同， 在化學氣相沈積的 夕文氯的矽素源化合物的 高溫領域導入含 =氯化氯1氯化氨氣體會與氣反應，分 性化。此刻石夕原子結合形成氮化砂鼠化銘的表面’使其 =的碳與矽容易反應，因而形成更進—步，其上導 谷易，導入四氯化矽等第 矽對底下氮化矽密著

j066-2756-PF2 第12頁 間 '可依成膜溫的素源化合物的日寺 —__^配合而形欣希望厚度之中間層而決 ^469 9 7

修iL 定。成膜 藉由 9 4%以上： 加。這是 相對密度 導體的製 有量最好 又本 得之特定 有抵抗發 循環性。 ”較：為丨 350-1 5〇〇t，更佳為 14〇〇i45Gt。 氪？燒結體的氮化銘純度在9〇%以丨，更佳為 ，可使燒、结體與碳化碎膜的耐熱循環性更為增 ’‘·、：尨體中的氧化物的影響被抑制。燒結體的 二=的觀點來說，9n以上是較佳的。就半

=用途來說’ t化紹中的除銘以外的金屬含 控制在]_ %以下D :^者發現藉由改善上述的化學氣相沈積方法所 &的碳化⑪膜’肖別是適用於在燒結體中埋設 熱體之加熱器中時’特別表現出高耐蝕性和耐熱 也就疋，前述所得之碳化矽膜是柱狀結晶的結合體， 其對該膜的表面約略垂直方向交又的方向延伸而成。該柱 j狀結晶的型態，如圖5的模式所示。碳化矽獏3〇 ’由多數 |的柱狀結晶31組合而成。柱狀結晶31整體以與碳化矽膜 |的表面30a約略垂直的方向延伸。各柱狀結晶31的粒界 j (gram boundary)”也以與碳化矽薄膜3〇的表面3〇&略垂 直的方向延伸。所以柱狀結晶31的（111)面是與該碳化 膜的表面垂直。 ! 在此，柱狀結晶31以對碳化矽膜的表面30a約略垂直 !的方向延伸，並不是指每個柱狀結晶31都以與表面3〇a垂 ：呈方向延伸’而是當以X線θ折法測定碳化矽骐時，從兮 膜表面30a觀察柱狀結晶31的（111)面的強度是在該薄膜Λ表 面30a的垂直面觀察柱狀結晶31的（111)面的強度的^倍以

70b&-2756-?:2*p：c 第13頁 446g 9 7 ------祖迦5199 和年4月"7日 絛正 ’ _ ’ 五、發明說s月（1 ί) ~ —— 柱狀結晶的高寬比（aspect ratio)較佳為1 5~?η 佳為4-10 。 ’ μ ’更 另外’本發明者在碳化矽膜的化學氣相沈積後的表 |面，觀察柱狀結晶的尖端。結果在該柱狀結晶尖端表 I發現四角錐形（pyramid)的小平面（facet)。四角錐报此 表不各挺狀結晶的成長面因此，藉由四角錐 的小平面的底面的直徑分佈，可得其下側延伸柱 :j 直位代表。然而在此，該四角錐形狀的小平面直徑為， 該膜的表面側觀察小平面時，小平面的底面呈四邊行， 該四邊形的一角，到對角線上的另一角的距離的長度。4 ： 然後，從碳化矽膜的表面側看小平面時’小平面的平 均直徑為4微来以上> 6微米以下；小平面的全面積， 控在20。微米以上的小平面，藉由所佔面積的比率在】⑽以 上，80%以下，該碳化矽膜的耐蝕性和耐熱循環性可 特別增加。 |實施@ 1 ； 使用以還原氬化方法所得之氮化铭粉末，該粉末中 石夕、鐵1、鎮、鉀、鈉、鉻 '錳、鎳 '銅、鋅、鎢、硼 與釔的含有量分別為l〇〇PPm以下，除了鋁以外的金屬，沒 有檢測到該等金屬。這些原料粉末以一軸加壓成形’製造 |圓盤形狀的預備成形體。該預備成形體中埋設有彈性圈形 i狀的鉬製的抵抗發熱線。該預備成形體是在190()乞，200 ' kgf/cm2的壓力下熱壓而得之氮化鋁燒結體。該燒結體之 ;尺寸為直徑2 5 0mm，厚度20οηϊι。 將所得之燒結體表面加工，在化學氣相沈積反應爐中 ά 46 9 9 7 ___案號 88115199_和年 4 月？ 3_1±£.__ ' ' I五、發明說明（12) ! i設置該燒結體。在該燒結體的表面形成厚度為50微采的破 化矽膜。具體的說，使用圖4所示的裝置。在昇溫未達 142 5 °C時’流入氬氣，在1 425 °C時，流入氫氣十分鐘，接 著加入氫與氣’以5 · 2公升/分鐘流入S i C 14氣體一分鐘， |然後加入氬、氫和S i C I4氣體，以4公升/分鐘流入甲燒氣 I體十分鐘。S i C I為液體狀，因此加熱S i 的蒸汽壓高的 I狀態下，導入栽氣，藉甴使其起泡，得到含有SiCl4之氣 體，導入該氣體於反應爐中。成膜時的壓力為120 tor r。 該加熱器，暴露在825 °C氯電漿中。此時，氣系氣體 的流量為300SCCM ’壓力為0.1 torr，交流電力為8〇〇伏 特5暴露時間為兩小時。結果碳化矽膜的重量減少，未滿 0. 1 mg/cm2。腐蝕實驗後的碳化矽膜的表面以掃瞄式電子 i j顯微鏡觀察其表面狀態，還有粒界層的狀態，未見與腐姓I |實驗前不同的變化’也沒有反應層的生成。 接著，在上述同樣的條件下，這次在加熱器上載置石夕 晶圓，並暴露於電漿。矽晶圓的A1的污染程度（level)為1 j X 1 0lflatom/cn^。1 X 1 〇]Qat〇in/cm2 為與處理前的晶圓污染 j ；程度相同’本發明實質的達到在矽晶圓不受污染的狀態，i 丨可以電漿加熱處理。 "

又將此加熱器提供熱循環實驗。也就是’藉由抵抗發 熱體的開和關’加熱器的表面的溫度在3 〇 °c以下和9 〇 〇 交互昇溫降溫。此時’加熱器保持在氬氣中，以防止氮化 !銘的氧化°將加熱器保持在900 °c —分鐘，打開抵抗發熱 I |體’對加熱器以2公升/分鐘吹氬氣120分鐘使其冷卻，確 i認加熱器的溫度在30 °c以下，接著在抵抗發熱體通電使矣| ^48997 案號88115199 和年$月7日 條正 | * —-\ ί五、發明說明（13) I面溫度達9 0 0 °C。本發明之加熱器經2 0 0 0次的熱循環後， 丨碳化矽膜也沒產生剝離a 又該碳化矽膜的微構造以掃瞄式電子顯微鏡觀測，有 第5圖模式所示的微構造。然後，小平面的平均直徑為3, 2 微米，小平面的全面積，對直徑2 0微米以上的小平面所示 j面積的比率為43%，柱狀結晶的高寬比為8以上。 !

;比較例 I j 製作與本發明例相同的加熱器。但是，不形成碳化石夕 膜。該加熱器中，進行前述的氯系氣體的腐蚀試驗，加熱 器的重量的減少重量為0.8-1.4mg/cm2。另外，石夕晶圓的 A1的污染程度為1〇15 atom/cm2。 I 如以上所述，本發明提供在600°c以上的溫度，對氣 j !系氣體有高耐钮性的耐蝕性元件。特別提供在600t的氣j ;系氣體暴露和低溫的溫度效果的循環來回操作時，耐蝕性 元件的表面的劣化與剝離不會產生。 圖示簡單說明 第1圖（a)係顯示本發明的一實施型態模式的上視圖， 第—，（b)係為第一圖（a)的lb-lb線剖面圖。 | 示電極用的網狀物的一例上視圖，第二 顯不第〜圖（a)的埋設電極之加熱器模式的上視 圖。 第3圖（a) ( b) (c)係分別顯示電極用的網物的各種 型態的剖面圖。 第4圖係顯不氮化鋁燒結體的表面以化學氣相沈積形| 成的奴化砂膜的遍宜裝置模式的剖面圖。 ！

?066-275ό-??2· 第16頁 4469 9 7 案號 88115199 价年 $月9曰 修正 / - 1 — 五、發明說明（14) | 第5圖係顯示碳化矽膜的適合微構造模式剖面 ί i符號說明 1 ! h 12〜加熱器 圖。 2〜基體 2a〜加熱面之設置面 2b〜背面 3A, 3B, 13A，13B 〜端子 4, 8, 1 6, 1 7, 18〜網狀物構成之抵抗發熱體 5〜碳化矽膜 6〜氮化鋁燒結體

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Claims (1)

1. 446997 ：----^ ^ ^ b_修正 _______ _ ;六、申請專利範圍 7 ~~~I 1 · 一種抗氣系氣體之耐蝕性元件，為在600 °C以上的 溫度’被暴露於氣系氣體之耐姓性元件，其特徵在於備 有： ^ I I 氮化铭製成之燒結體；以及覆蓋於前述燒結體的表面 |而利用化學氣相沈積法（CVD)形成之碳化矽膜， 2 ·如申睛專利範圍第1項所述之财姓性元件’該耐飯 性元件係加熱器’用以將加熱物加熱至6 〇 〇。〇以上的溫 度’且在前述燒結體中埋設有抵抗發熱體。 3.如申請專利範圍第1或2項所述之耐蝕性元件，其中 ί 1 j該碳化石夕膜是由對破化石夕膜表面略為垂直方向延伸之柱狀 I結晶所組成。 ΐ 2 \ 4·如申請專利範圍第3項所述之耐蝕性元件，其中該 柱狀結晶的高寬比（average aspect ratio)的平均值在1. 5以上，2 0以下。 | 5 ·如申請專利範圍第3項所述之耐蝕性元件，其中該 I碳化矽膜的前述表面生成有小平面，當從前述表面看該小 '皁面時’前述小平面的平均直徑在4微米以上，6微米以 1下’對前述小平面的全部面積而言，直徑在20微米以上的 小平面所占的面積的比率為1 〇 %以上’ 8 0 %以下。 6.如申請專利範圍第4項所述之耐蝕性元件，其中該 I碳化矽膜的前述表面生成有小平面，當從前述表面看該小 |平面時，前述小平面的平均直徑在4微米以上，6微米以 | 下’對前述小平面的全部面積而s ，直徑在2 〇微米以上的| I小平面所占的面積的比率為10%以上’80%以下。

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