JP3224629B2 - ガス供給用部材及び成膜装置 - Google Patents
ガス供給用部材及び成膜装置Info
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- JP3224629B2 JP3224629B2 JP06203693A JP6203693A JP3224629B2 JP 3224629 B2 JP3224629 B2 JP 3224629B2 JP 06203693 A JP06203693 A JP 06203693A JP 6203693 A JP6203693 A JP 6203693A JP 3224629 B2 JP3224629 B2 JP 3224629B2
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- film forming
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体材料に膜を形成
するための成膜装置、及び成膜装置に用いるガス供給用
部材に係るものである。
するための成膜装置、及び成膜装置に用いるガス供給用
部材に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、１６Ｍ、６４ＭのＤＲＡＭの成膜
技術として、タングステンを用いた配線技術が期待され
ている。この技術においても、例えば、シリコンウエハ
ー上にＷＦ6 ガスを導入し、タングステン膜を形成す
る。しかし、このようにシリコンウエハー上にタングス
テン膜を形成すると、タングステンがシリコンを侵食
し、ＷＳｉx が生成する。この問題を解決するため、バ
リアメタルであるＴｉＮ層をシリコンウエハーの表面に
形成し、次いでＴｉＮ層の表面にタングステン膜を形成
する技術が、公開されている。
技術として、タングステンを用いた配線技術が期待され
ている。この技術においても、例えば、シリコンウエハ
ー上にＷＦ6 ガスを導入し、タングステン膜を形成す
る。しかし、このようにシリコンウエハー上にタングス
テン膜を形成すると、タングステンがシリコンを侵食
し、ＷＳｉx が生成する。この問題を解決するため、バ
リアメタルであるＴｉＮ層をシリコンウエハーの表面に
形成し、次いでＴｉＮ層の表面にタングステン膜を形成
する技術が、公開されている。
【０００３】ＴｉＣｌ4 とＨ2 とＮ2 との混合ガスを用
い、６５０℃〜１７００℃の温度で、ＴｉＮ膜を形成す
ることができる。この際、ＴｉＣｌ4 は常温で液体なの
で、Ｈ2 とＮ2 との混合ガスをＴｉＣｌ4 液中にバブリ
ングし、こうして得たガスを加熱しながらパイプ中に流
し、チャンバー内へと導入する。即ち、パイプの周囲に
ヒーターを設置し、上記の混合ガスを加熱することで、
ＴｉＣｌ4 成分がパイプ内に凝結するのを防止してい
る。
い、６５０℃〜１７００℃の温度で、ＴｉＮ膜を形成す
ることができる。この際、ＴｉＣｌ4 は常温で液体なの
で、Ｈ2 とＮ2 との混合ガスをＴｉＣｌ4 液中にバブリ
ングし、こうして得たガスを加熱しながらパイプ中に流
し、チャンバー内へと導入する。即ち、パイプの周囲に
ヒーターを設置し、上記の混合ガスを加熱することで、
ＴｉＣｌ4 成分がパイプ内に凝結するのを防止してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、パイプからチ
ャンバー内へと上記混合ガスを供給し、半導体ウエハー
上へと導入する際に、ＴｉＣｌ4 成分が凝結し、ＴｉＮ
膜を安定して形成できないことがあった。しかも、Ｔｉ
Ｃｌ4 成分がチャンバーの壁面に凝結し、膜形成後にも
壁面に滞溜した。そして、チャンバーを加熱してクリー
ニングガスを導入すると、チャンバーが腐食した。こう
した腐食は、成膜時に半導体の汚染の原因となるので、
許容できない。
ャンバー内へと上記混合ガスを供給し、半導体ウエハー
上へと導入する際に、ＴｉＣｌ4 成分が凝結し、ＴｉＮ
膜を安定して形成できないことがあった。しかも、Ｔｉ
Ｃｌ4 成分がチャンバーの壁面に凝結し、膜形成後にも
壁面に滞溜した。そして、チャンバーを加熱してクリー
ニングガスを導入すると、チャンバーが腐食した。こう
した腐食は、成膜時に半導体の汚染の原因となるので、
許容できない。
【０００５】本発明の課題は、ＴｉＣｌ4 等の常温で液
体の材料を含むガスを成膜装置内へと導入するのに際
し、上記材料が凝結するのを防止し、安定して成膜やク
リーニングを行えるようにすることである。更には、上
記材料がチャンバー内で凝結するのを防止することによ
って、上記材料がチャンバー内に滞留するのを防止し、
チャンバーの腐食が生じないようにすることである。
体の材料を含むガスを成膜装置内へと導入するのに際
し、上記材料が凝結するのを防止し、安定して成膜やク
リーニングを行えるようにすることである。更には、上
記材料がチャンバー内で凝結するのを防止することによ
って、上記材料がチャンバー内に滞留するのを防止し、
チャンバーの腐食が生じないようにすることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、常温で液体の
材料を含むガスを成膜装置内へと導入するためのガス供
給用部材であって、セラミックスからなる盤状基体に複
数のガス導入孔が設けられており、抵抗発熱体が前記盤
状基体に埋設されていることを特徴とするガス供給用部
材に係るものである。
材料を含むガスを成膜装置内へと導入するためのガス供
給用部材であって、セラミックスからなる盤状基体に複
数のガス導入孔が設けられており、抵抗発熱体が前記盤
状基体に埋設されていることを特徴とするガス供給用部
材に係るものである。
【０００７】また、本発明は、常温で液体の材料を含む
ガスから半導体材料に膜を形成するための成膜装置であ
って、前記ガスを導入するためのチャンバー；このチャ
ンバーの内側に設置された発熱材であって、セラミック
スからなる筒状基体と、この筒状基体の内部に埋設され
た抵抗発熱体とを備えた発熱材；及びこの発熱材の内側
に設置された前記半導体材料を加熱するための加熱装置
を備えた成膜装置に係るものである。
ガスから半導体材料に膜を形成するための成膜装置であ
って、前記ガスを導入するためのチャンバー；このチャ
ンバーの内側に設置された発熱材であって、セラミック
スからなる筒状基体と、この筒状基体の内部に埋設され
た抵抗発熱体とを備えた発熱材；及びこの発熱材の内側
に設置された前記半導体材料を加熱するための加熱装置
を備えた成膜装置に係るものである。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明の一実施例に係る成膜装置を
模式的に示す一部断面図である。成膜装置のチャンバー
１８の側周壁の回りに、水冷ジャケット２０が設置され
ている。チャンバー１８の下側壁面に、略円筒形状の支
持部１８ａが、上方へと向って突出している。支持部１
８ａの内側に、空洞１７が設けられている。チャンバー
１８の下側壁面に排出口１９が設けられている。チャン
バー１８の上側壁面に、略円柱形状のガス導入孔１０が
設けられている。
模式的に示す一部断面図である。成膜装置のチャンバー
１８の側周壁の回りに、水冷ジャケット２０が設置され
ている。チャンバー１８の下側壁面に、略円筒形状の支
持部１８ａが、上方へと向って突出している。支持部１
８ａの内側に、空洞１７が設けられている。チャンバー
１８の下側壁面に排出口１９が設けられている。チャン
バー１８の上側壁面に、略円柱形状のガス導入孔１０が
設けられている。
【０００９】チャンバー１８の側壁面１８ｂの内側に、
略円筒形状の発熱体２１が設置されている。図２は、発
熱体２１を概略的に示す斜視図である。発熱体２１の円
筒状基体６の外周面６ｂが側壁面１８ｂと対向してい
る。チャンバー１８の下側壁面上に、発熱体６の下側端
面６ａが設置されている。発熱体６の上側の端面６ａ
が、チャンバー１８の上側壁面と、若干の間隔を置いて
対向している。円筒状基体６の内部には、高融点金属か
らなる抵抗発熱体４Ｃが埋設されている。本例では、円
筒状基体６の一対の端面６ａ間のほぼ全体に、抵抗発熱
体４Ｃが一定のピッチで埋設されているが、このピッチ
は、全体の均熱性等を加味して、変更することも可能で
ある。
略円筒形状の発熱体２１が設置されている。図２は、発
熱体２１を概略的に示す斜視図である。発熱体２１の円
筒状基体６の外周面６ｂが側壁面１８ｂと対向してい
る。チャンバー１８の下側壁面上に、発熱体６の下側端
面６ａが設置されている。発熱体６の上側の端面６ａ
が、チャンバー１８の上側壁面と、若干の間隔を置いて
対向している。円筒状基体６の内部には、高融点金属か
らなる抵抗発熱体４Ｃが埋設されている。本例では、円
筒状基体６の一対の端面６ａ間のほぼ全体に、抵抗発熱
体４Ｃが一定のピッチで埋設されているが、このピッチ
は、全体の均熱性等を加味して、変更することも可能で
ある。
【００１０】円筒状基体６の内周面６ｃが、略円柱形状
の内側空間７に面している。内側空間７の上側中央にガ
ス導入口１０が位置し、ガス導入口１０の下端に、ガス
供給用部材１が固定されている。図３は、ガス供給用部
材１を示す平面図である。
の内側空間７に面している。内側空間７の上側中央にガ
ス導入口１０が位置し、ガス導入口１０の下端に、ガス
供給用部材１が固定されている。図３は、ガス供給用部
材１を示す平面図である。
【００１１】ガス供給用部材１の基体２は略円盤状であ
る。円盤状基体２の一対の主面２ａと２ｃとの間に、多
数のガス導入孔３が導通している。本例ではガス導入孔
３がほぼ円形であり、いわゆる千鳥状に配置されてお
り、ガス導入孔３同士の間隔ｌ 1 とｌ2 とｌ3 とがほぼ
等しい。ガス導入孔３の設けられている領域の外側に、
平面的にみてほぼ円形となるように、抵抗発熱体４Ａが
埋設されている。
る。円盤状基体２の一対の主面２ａと２ｃとの間に、多
数のガス導入孔３が導通している。本例ではガス導入孔
３がほぼ円形であり、いわゆる千鳥状に配置されてお
り、ガス導入孔３同士の間隔ｌ 1 とｌ2 とｌ3 とがほぼ
等しい。ガス導入孔３の設けられている領域の外側に、
平面的にみてほぼ円形となるように、抵抗発熱体４Ａが
埋設されている。
【００１２】円盤状基体２の側周面２ｂに、一対の円柱
状端子５Ａが突出している。これらの円柱状端子５Ａに
対し、抵抗発熱体４Ａの各末端がそれぞれ連結されてい
る。円柱状端子５Ａには、図示しない電力供給ケーブル
を通して、外部電源より電力が供給される。
状端子５Ａが突出している。これらの円柱状端子５Ａに
対し、抵抗発熱体４Ａの各末端がそれぞれ連結されてい
る。円柱状端子５Ａには、図示しない電力供給ケーブル
を通して、外部電源より電力が供給される。
【００１３】支持部１８ａ上に、セラミックスヒーター
１４が設置、固定されている。セラミックスヒーター１
４においては、円盤状基体１５の内部に抵抗発熱体４Ｂ
が埋設されている。抵抗発熱体４Ｂの末端には、図示し
ないリード線が接続され、このリード線が空洞１７内に
配線されている。好ましくは、空洞１７内に熱電対を設
置する。円盤状基体１５の表面にサセプター１３が設置
され、サセプター１３の上に半導体ウエハー１２が設置
されている。ガス供給用部材１と半導体ウエハー１２と
が、所定間隔を置いて対向している。
１４が設置、固定されている。セラミックスヒーター１
４においては、円盤状基体１５の内部に抵抗発熱体４Ｂ
が埋設されている。抵抗発熱体４Ｂの末端には、図示し
ないリード線が接続され、このリード線が空洞１７内に
配線されている。好ましくは、空洞１７内に熱電対を設
置する。円盤状基体１５の表面にサセプター１３が設置
され、サセプター１３の上に半導体ウエハー１２が設置
されている。ガス供給用部材１と半導体ウエハー１２と
が、所定間隔を置いて対向している。
【００１４】本実施例では、成膜時やクリーニング時
に、常温で液体の材料を含む成膜ガスやクリーニングガ
スを、矢印Ａの様に導入する。このガスは、ガス供給用
部材１のガス導入孔３を通過し、半導体ウエハー１２上
に噴出する。この成膜工程に先立って、排出口１９から
矢印Ｂのように真空ポンプで吸引する。そして、成膜工
程の間、ガス供給用部材１及び発熱材２１の抵抗発熱体
４Ａ，４Ｃに通電する。
に、常温で液体の材料を含む成膜ガスやクリーニングガ
スを、矢印Ａの様に導入する。このガスは、ガス供給用
部材１のガス導入孔３を通過し、半導体ウエハー１２上
に噴出する。この成膜工程に先立って、排出口１９から
矢印Ｂのように真空ポンプで吸引する。そして、成膜工
程の間、ガス供給用部材１及び発熱材２１の抵抗発熱体
４Ａ，４Ｃに通電する。
【００１５】本実施例によれば、ガス供給用部材１の円
盤状基体２の内部に抵抗発熱体４Ａが埋設されており、
成膜ガスやクリーニングガスを導入する際に抵抗発熱体
４Ａに通電できる。これにより、成膜ガスやクリーニン
グガスをチャンバー１８内に導入する際に上記材料の凝
結が生じなくなり、成膜やクリーニングを安定して行う
ことができる。
盤状基体２の内部に抵抗発熱体４Ａが埋設されており、
成膜ガスやクリーニングガスを導入する際に抵抗発熱体
４Ａに通電できる。これにより、成膜ガスやクリーニン
グガスをチャンバー１８内に導入する際に上記材料の凝
結が生じなくなり、成膜やクリーニングを安定して行う
ことができる。
【００１６】また、発熱材２１の円筒状基体６の内部に
抵抗発熱体４Ｃを埋設し、成膜の際に抵抗発熱体４Ｃに
通電できる。これにより、チャンバー１８の壁面、特に
側壁面１８ｂに上記材料が凝結せず、上記材料がチャン
バー１８内に滞留しにくい。従って、チャンバー１８の
内壁面を加熱してクリーニングする機構が不要であり、
チャンバー１８の内壁面の腐食を防止できる。
抵抗発熱体４Ｃを埋設し、成膜の際に抵抗発熱体４Ｃに
通電できる。これにより、チャンバー１８の壁面、特に
側壁面１８ｂに上記材料が凝結せず、上記材料がチャン
バー１８内に滞留しにくい。従って、チャンバー１８の
内壁面を加熱してクリーニングする機構が不要であり、
チャンバー１８の内壁面の腐食を防止できる。
【００１７】更に、成膜用ガスの種類によっては、成膜
工程においてハロゲン系腐食性ガスが発生することがあ
る。例えば、ＴｉＣｌ4 、Ｈ2 及びＮ2 ガスをチャンバ
ー１８内に導入するときには、ＨＣｌガスが発生する。
しかし、発熱材２１の内側を、こうしたハロゲン系腐食
性ガスが通過し、チャンバー１８の側壁面１８ｂには付
着しにくいので、この意味でもチャンバー１８の腐食が
生じにくい。
工程においてハロゲン系腐食性ガスが発生することがあ
る。例えば、ＴｉＣｌ4 、Ｈ2 及びＮ2 ガスをチャンバ
ー１８内に導入するときには、ＨＣｌガスが発生する。
しかし、発熱材２１の内側を、こうしたハロゲン系腐食
性ガスが通過し、チャンバー１８の側壁面１８ｂには付
着しにくいので、この意味でもチャンバー１８の腐食が
生じにくい。
【００１８】また、基体６の形状を筒状としたことで、
内側空間７の全体を保温することができるので、内側空
間７における温度勾配を小さくできる。高温の内側空間
７と側壁面１８ｂとを円筒状基体６によって遮へいでき
るので、成膜時にチャンバー１８の側壁を冷却すること
ができる。チャンバー１８の側壁をこのように冷却する
ことによって、腐食性ガスがチャンバー１８内で発生し
ても、側壁面１８ｂが腐食しににくなる。
内側空間７の全体を保温することができるので、内側空
間７における温度勾配を小さくできる。高温の内側空間
７と側壁面１８ｂとを円筒状基体６によって遮へいでき
るので、成膜時にチャンバー１８の側壁を冷却すること
ができる。チャンバー１８の側壁をこのように冷却する
ことによって、腐食性ガスがチャンバー１８内で発生し
ても、側壁面１８ｂが腐食しににくなる。
【００１９】抵抗発熱体の材質としては、タングステ
ン、モリブデン、白金、シリコンやこれらの合金及びカ
ーボン、又は、金属の窒化物ＴｉＮ、ＴａＮ、炭化物Ｓ
ｉＣ等を用いることができるが、高融点金属からなる抵
抗発熱体が好ましい。円盤状基体２、円筒状基体６の材
質はセラミックスであるが、耐久性の点からは緻密質で
り、更に、絶縁性である必要がある。こうしたセラミッ
クスとして、耐熱衝撃性の点では、窒化珪素、サイアロ
ンが好ましい。また、本発明者の研究によると、窒化ア
ルミニウム、アルミナが、広い温度範囲でハロゲン系腐
食性ガスに対する耐久性を備えていたので、好ましい。
ただ、アルミナセラミックスでは、充分な耐熱性を有
し、かつ寸法の大きいもので充分な耐熱性を有すること
は困難なので、この点では窒化アルミニウムが最も好ま
しい。
ン、モリブデン、白金、シリコンやこれらの合金及びカ
ーボン、又は、金属の窒化物ＴｉＮ、ＴａＮ、炭化物Ｓ
ｉＣ等を用いることができるが、高融点金属からなる抵
抗発熱体が好ましい。円盤状基体２、円筒状基体６の材
質はセラミックスであるが、耐久性の点からは緻密質で
り、更に、絶縁性である必要がある。こうしたセラミッ
クスとして、耐熱衝撃性の点では、窒化珪素、サイアロ
ンが好ましい。また、本発明者の研究によると、窒化ア
ルミニウム、アルミナが、広い温度範囲でハロゲン系腐
食性ガスに対する耐久性を備えていたので、好ましい。
ただ、アルミナセラミックスでは、充分な耐熱性を有
し、かつ寸法の大きいもので充分な耐熱性を有すること
は困難なので、この点では窒化アルミニウムが最も好ま
しい。
【００２０】常温で液体の材料としては、ＴｉＣｌ4 、
ＳｉＣｌ4 、ＣｌＦ3 、ＷＦ6 等を例示できる。圧力状
態は加圧から減圧までの範囲で液化するガスを示す。こ
の材料と共に使用するキャリアーガスとしては、Ｎ2 ，
Ｈ2 ，Ａｒ等を例示できる。
ＳｉＣｌ4 、ＣｌＦ3 、ＷＦ6 等を例示できる。圧力状
態は加圧から減圧までの範囲で液化するガスを示す。こ
の材料と共に使用するキャリアーガスとしては、Ｎ2 ，
Ｈ2 ，Ａｒ等を例示できる。
【００２１】図４は、他の実施例に係るガス供給用部材
１１を示す平面図である。このガス供給用部材１１にお
いては、円盤状基体２の主面２ａの周縁部に、一方の円
柱状端子５Ｂの表面が露出し、主面２ａの中央に、他方
の円柱状端子５Ｂの表面が露出している。各円柱状端子
５Ｂは、円盤状基体に埋設、固定されている。これら一
対の円柱状端子５Ｂの間に、抵抗発熱体４Ｂが、平面的
にみて略渦巻状をなすように、円盤状基体２内に埋設さ
れている。
１１を示す平面図である。このガス供給用部材１１にお
いては、円盤状基体２の主面２ａの周縁部に、一方の円
柱状端子５Ｂの表面が露出し、主面２ａの中央に、他方
の円柱状端子５Ｂの表面が露出している。各円柱状端子
５Ｂは、円盤状基体に埋設、固定されている。これら一
対の円柱状端子５Ｂの間に、抵抗発熱体４Ｂが、平面的
にみて略渦巻状をなすように、円盤状基体２内に埋設さ
れている。
【００２２】抵抗発熱体４Ｂの存在しない領域で、ガス
導入孔３が多数設けられている。これらのガス導入孔３
は、平面的にみて、抵抗発熱体４Ｂと類似形状の渦巻状
に配置されている。
導入孔３が多数設けられている。これらのガス導入孔３
は、平面的にみて、抵抗発熱体４Ｂと類似形状の渦巻状
に配置されている。
【００２３】図５（ａ）は、他の発熱体３１を概略的に
示す斜視図である。発熱体３１の基体８は略円筒形状で
ある。円筒状基体８の一対の端面８ａはそれぞれ円環状
である。一対の端面８ａからそれぞれ所定距離を置い
て、抵抗発熱体４Ａの埋設領域９が設けられている。こ
の埋設領域９において、図５（ｂ）に示すように、抵抗
発熱体４Ａが略円形をなすように埋設され、抵抗発熱体
４Ａの両端が、それぞれ円柱状端子５Ａに接続されてい
る。
示す斜視図である。発熱体３１の基体８は略円筒形状で
ある。円筒状基体８の一対の端面８ａはそれぞれ円環状
である。一対の端面８ａからそれぞれ所定距離を置い
て、抵抗発熱体４Ａの埋設領域９が設けられている。こ
の埋設領域９において、図５（ｂ）に示すように、抵抗
発熱体４Ａが略円形をなすように埋設され、抵抗発熱体
４Ａの両端が、それぞれ円柱状端子５Ａに接続されてい
る。
【００２４】こうした発熱体３１においても、抵抗発熱
体４Ａに電力を供給すると、ここで生じた熱が、埋設領
域９から上下の端面８ａへと向って拡散する。こうした
熱は、内周面８ｃ及び外周面８ｂから発散する。また、
内側空間７の熱は、円筒状基体８によって遮断される。
従って、こうした発熱体３１によっても、前述した発熱
体２１と同様の効果を奏しうる。ただし、抵抗発熱体４
Ａの埋設領域９が、半導体ウエハー１２及びガス供給用
部材１を囲む範囲に位置することが好ましい。
体４Ａに電力を供給すると、ここで生じた熱が、埋設領
域９から上下の端面８ａへと向って拡散する。こうした
熱は、内周面８ｃ及び外周面８ｂから発散する。また、
内側空間７の熱は、円筒状基体８によって遮断される。
従って、こうした発熱体３１によっても、前述した発熱
体２１と同様の効果を奏しうる。ただし、抵抗発熱体４
Ａの埋設領域９が、半導体ウエハー１２及びガス供給用
部材１を囲む範囲に位置することが好ましい。
【００２５】上記の例において、円盤状基体２、円筒状
基体６，８の寸法、形状は種々変更できる。また、抵抗
発熱体４Ａ，４Ｂ，４Ｃの埋設パターン、ガス導入孔３
の形状、寸法及び個数も種々変更できる。埋設領域９
は、円筒状基体８内で上下の部分と一体成形されたもの
であってよく、また上下の部分と別体であってもよい。
埋設領域９がその上下の部分と別体である場合には、こ
れらを無機質接着剤で接着する。
基体６，８の寸法、形状は種々変更できる。また、抵抗
発熱体４Ａ，４Ｂ，４Ｃの埋設パターン、ガス導入孔３
の形状、寸法及び個数も種々変更できる。埋設領域９
は、円筒状基体８内で上下の部分と一体成形されたもの
であってよく、また上下の部分と別体であってもよい。
埋設領域９がその上下の部分と別体である場合には、こ
れらを無機質接着剤で接着する。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、ガス供給用部材の盤状
基体の内部に抵抗発熱体が埋設されており、ガスを導入
する際に抵抗発熱体に通電できる。これにより、ガスを
チャンバー内に導入する際に上記材料の凝結が生じなく
なり、成膜を安定して行うことができる。
基体の内部に抵抗発熱体が埋設されており、ガスを導入
する際に抵抗発熱体に通電できる。これにより、ガスを
チャンバー内に導入する際に上記材料の凝結が生じなく
なり、成膜を安定して行うことができる。
【００２７】また、発熱材の筒状基体の内部に抵抗発熱
体を埋設し、成膜の際に抵抗発熱体に通電できる。これ
により、チャンバーの壁面に上記材料が凝結せず、上記
材料がチャンバー内に滞留しにくい。従って、チャンバ
ーの内壁面を加熱してクリーニングすることが不要であ
り、チャンバーの内壁面の腐食を防止できる。
体を埋設し、成膜の際に抵抗発熱体に通電できる。これ
により、チャンバーの壁面に上記材料が凝結せず、上記
材料がチャンバー内に滞留しにくい。従って、チャンバ
ーの内壁面を加熱してクリーニングすることが不要であ
り、チャンバーの内壁面の腐食を防止できる。
【００２８】また、発熱材の基体の形状を筒状としたこ
とで、この筒状基体の内側空間の全体を保温することが
できるので、内側空間における温度勾配を小さくでき
る。また、高温の内側空間とチャンバーの側壁面とを筒
状基体によって遮へいできるので、成膜時にチャンバー
の側壁を冷却することができる。チャンバーの側壁をこ
のように冷却することによって、この側壁の腐蝕を防止
することができる。
とで、この筒状基体の内側空間の全体を保温することが
できるので、内側空間における温度勾配を小さくでき
る。また、高温の内側空間とチャンバーの側壁面とを筒
状基体によって遮へいできるので、成膜時にチャンバー
の側壁を冷却することができる。チャンバーの側壁をこ
のように冷却することによって、この側壁の腐蝕を防止
することができる。
【図１】成膜装置の一例を模式的に示す一部断面図であ
る。
る。
【図２】発熱材２１を概略的に示す斜視図である。
【図３】ガス供給用部材１を概略的に示す平面図であ
る。
る。
【図４】ガス供給用部材１１を概略的に示す平面図であ
る。
る。
【図５】（ａ）は、発熱体３１を示す斜視図であり、
（ｂ）は、埋設領域９の断面図ある。
（ｂ）は、埋設領域９の断面図ある。
１，１１ ガス供給用部材 ２，１５ 円盤状基体 ３ ガス導入孔 ４Ａ，４Ｂ，４Ｃ 抵抗発熱体 ６，８ 円筒状基体 １２ 半導体ウエハー １３ サセプター １４ 半導体ウエハー加熱用のセラミックスヒーター １８ チャンバー Ａ 常温で液体の材料を含むガスの流れ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 C23C 16/46 H01L 21/205
Claims (3)
- 【請求項１】 常温で液体の材料を含むガスを成膜装置
内へと導入するためのガス供給用部材であって、セラミ
ックスからなる盤状基体に複数のガス導入孔が設けられ
ており、抵抗発熱体が前記盤状基体に埋設されているこ
とを特徴とするガス供給用部材。 - 【請求項２】 常温で液体の材料を含むガスから半導体
材料に膜を形成するための成膜装置であって、 前記ガスを導入するためのチャンバー；このチャンバー
の内側に設置された発熱材であって、セラミックスから
なる筒状基体と、この筒状基体の内部に埋設された抵抗
発熱体とを備えた発熱材；及びこの発熱材の内側に設置
された前記半導体材料を加熱するための加熱装置を備え
た成膜装置。 - 【請求項３】 請求項１記載のガス供給用部材を備えて
いることを特徴とする、請求項２の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06203693A JP3224629B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | ガス供給用部材及び成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06203693A JP3224629B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | ガス供給用部材及び成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275530A JPH06275530A (ja) | 1994-09-30 |
| JP3224629B2 true JP3224629B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=13188544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06203693A Expired - Lifetime JP3224629B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | ガス供給用部材及び成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3224629B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP5197030B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2013-05-15 | 株式会社東芝 | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
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-
1993
- 1993-03-22 JP JP06203693A patent/JP3224629B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06275530A (ja) | 1994-09-30 |
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