TW445636B - Method for manufacturing BiCMOS - Google Patents

Description

445636 A7 __________B7 五、發明説明（ί } " " " ^ <發明背景> |

本發明基本上是關於-種製造半導體元件之綠，t丨丨 特別的是關於一種將雙極電晶體與互補型金氧半導體電晶〜I 體製作於同-基板之半導體元件（後文簡料BiCM〇s) | I 之製造方法。 I丨丨 基本上，小型元件系統界面（SCCI)晶片常使用於控J丨1 制工作站電腦之唯讀光碟機或硬碟機之驅動器’並且需要I j

較高的驅動電流與快速的反應時間。 I I ^ 為滿足SCCI晶片的需要條件，提出一種BiCM〇s， f ^ 其中互補型金氧半導體(CMOS)電晶體與雙極電晶體製作於。丨丨 同一半導體基板上。BiCMOS同時擁有兩者的優點，一個 ! 疋金氧半導體電晶體所有之低電力損耗之優點，另一個是 | 雙極電晶體所有之快速反應時間之優點。應用於BiCM〇s 了 中之雙極電晶體，主要是採用NPN電晶體。 j

以下將參照附圖’詳細說明傳統上製造BiCMOS的方 I 法。 ！

參照第1A圖，以傳統之區域氧化法(L〇c〇S)在p型 T

半導體基板上形成底紋氧化層31以隔離元件，並在底紋氧 I 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 化層間定義出多個主動區域。為避免在之後的離子佈植製 [ 程中破壞基板30，在主動區域的表面形成了屏蔽氧化層。 }

在圖中’製作CMOS電晶體的區域標示為A區，而製作雙 I 極電B日體的區域則標不為B區。然後’為製作雙極電晶體 [ 之集極’在B區形成五個第一次光罩圖樣之光阻層。而後， {

將N型雜質離子（例如，磷離子）以額定之離子佈植能量 I 本紙張尺度適用中國國家椟準（CNS ) M規格（2!〇X 297公釐） 經 中 央 標 準 局 Μ 工 消 合 作 社 印 製 445636 五'發明説明（A ) A7 B7 與額定之劑量佈植，形成集極區34 β 圖揭1Β圖’以大家熟知的電聚蝕刻法將第-光罩 形成第二光罩圖樣35。第二光罩圖樣35將 料找杨_卜，切是除了兩側的 質^中央三個主動區。而後，將p祕 1=:子）佈植於裸露的區域而形成基極♦ 罩圖二第二光罩圖樣移去後，形成第三光 =樣37。第三光罩圖樣3^μ區中兩個主動區域其中 裸露在外’而後將Ν齡質離子（例如，麟子）佈 植於裸露的區域，形成pM〇s電晶體中之Ν型井％。 參照第1D圖，將第三光罩圖樣移去後，以傳統的光 罩餘刻術形成第四光罩圖樣39。第四光罩圖樣^將b區 中兩個主動區域所剩的—個裸露在外，然後，將p型雜質 離子（例如，硼離子）佈植於裸露的區域上，形成nm〇s 電晶體中之P型井40。 參照第1E圖’移去第四光罩圖樣39後，屏蔽氧化層 32以大家熟知的方法全部移去。然後在所製作的基板上依 序形成如SiG2之躲層和如多晶收導電層，紐將圖樣 轉移其上’在Μ區㈣泡純上形成祕電極42和位 於其下的閘極絕緣層41 ^ 然後形成第五光罩圖樣（在附圖中沒有示出），將Ν 型井區域38和基極36兩側之兩個主動區域裸露在外。將 Ρ型雜質離子佈植於沒有第五光罩圖樣韻之裸露區域， 形成PMOS電晶體的源極43a、渠極43b和基極區域43c。 ---------威—— (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) --訂1 本紙依又度適用中國國家榡準（CNS ) A4规格（2〗〇χ297公釐） ·· -------------- I 1 I- I 1 - I . . 445 63 6 U A7 J-------- B7 五、發明説明（)) 然後’在移去第五光罩圖樣後（圖中未示出），形成第 六光罩圊樣。第六光罩圖樣將P型井區域40裸露在外，此 P型井區域40也就是集極區域34五個主動區域中最外側 之兩個主動區域、以及基極區域36三個主動區域中位於中 央之主動區域。將N型雜質離子（例如，磷離子）佈植於 沒有第六光罩圖樣遮蔽之裸露區域，形成NMOS電晶體的 源極44a、渠極44b、集極44c、和射極44d區域。 由以上所描述之傳統BiCMOS之製造方法可知，因製 作集極區域44c、基極區域44c、和射極區域44d的步驟必 須分別實施’製造BiCMOS需要六道光罩步驟。所以，傳 統製造BiCMOS的方法相當複雜，且良率與產量都不高。 <發明總論> 因此，本發明的目的之一為提供一製造BiCMOS的方 法。經由使用同一光罩製作集極區域和基極區域，可降低 製程的步驟數目。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 - I - ! j i— I -- n :^- I ^^1 . V—F A, f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 從某一觀點而言，本發明提供一製造BiCMOS的方法。 此方法包含以下步驟：提供一含有選定濃度之第一傳導型 態雜質之半導體基板；在此半導體基板上形成底紋氧化層， 作為隔離元件之用，在一連續直線上定義出含有兩個主動 區域之第一群主動區，和含有五個主動區之第二群主動區； 形成第一光罩圖樣，將所述之第二群主動區中央三個主動 區裸露在外；將與第一傳導型態相反之第二傳導型態雜質 佈植於已形成第一光罩圖樣結果之第一基板上，在中央三 個主動區形成有第一深度之埋入層；形成第二光罩圖樣， _^ — 6 本紙乐尺度適用中囷國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 445 63 6 ； A7 ^________ 五、發明説明（1 ) 將第一群主動區之任一主動區和第二群主動區兩側之兩個 主動區裸露在外；將第二傳導型態之雜質佈植於已形成第 二光罩圖樣結果之第二基板，而形成第一井狀區域，其中 第二傳導型態之雜質分布於第二群主動區中兩個曝露之主 動區表面下第二深度範圍，且此第一井狀區域與埋入層互 相重疊；形成第三光罩圖樣，將第一部份剩下的主動區裸 露在外；將第一傳導型態雜質佈植於已形成第三光罩圖樣 結果之第三基板，形成第二井狀區域，其中第一傳導型態 之雜質分布於第一群主動區中剩餘之主動區表面下第三深 度範圍。 從另一觀點來看本發明，本發明提供一製造BiCM〇S 之方法。此方法包含以下步驟：提供一含有選定濃度之第 一，導型態雜質之半導體基板；在此半導體基板上形成底 紋氡化層，作為隔離元件之用，在一連續直線上定義出含 有兩個主動區域之第一群主動區，和含有五個主動區之第 一群主動區，形成第一光罩圖樣，將所述之第二群主動區 中央三個主動區裸露在外；將與第一傳導型態相反之第二 傳導型態雜質佈植於已形成第-光罩圖樣結果之第一基板 上，在中央三個主動區形成有第一深度之第一埋入層；將 第一傳導型態之雜質佈植於已形成第一埋入 基板，在中央三個主動區表面下第二深度範^形成第: 埋入層’該第二深度小於所述之第一深度；形成第二光罩 圖樣’將第—群主動區之任一主動區和第二群主動區兩側 之兩個主動區裸露在外；將第二傳導型態之雜質佈植於已 -i^^i B^l^l —4i 1^1 - ， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 度適财關) A4規格（2iQx29»^y~~~ —-------- 經濟部令央標準局員工消費合作社印製 445636 A7 —-------------B7_ 五、發明説明（（） — '〜'- 形成第二光罩圏樣結果之第三基板，而形成第—井狀區域， 其中第一傳導型態之雜質分布於第二群主動區中兩個曝露 之主動區表面下第三深度範圍，且此第一井狀區域與第〜 埋入層互相重叠；形成第三光罩圖樣’將第-部份剩下的 ，動區裸露在外；將第—傳導型態雜質佈植於已形成第三 光罩圖樣結果之第四基板，形成第二井狀區域，其中第〜 傳導型態之雜質分布於第一部份剩餘之主動區表面下 深度範圍。 <圖示之簡單說明> 為使本發明之精神及原理更為人清楚了解，在下 們將配合圖示來說明本發明之一個較佳實施例，這些圏示 為： 第1A圖至第1E圖為描述傳統製造BiCM〇s方法之 截面簡圖。 汽 第2A圖至第2D圖為依據本發明之一具體實施例方法 製造BiCMOS之橫截面簡圖。 : <圖式中元件名稱與符號對照> 11 ·基板 12:底紋氧化層 13:屏蔽氧化層 14 :第一光罩圖樣 15 :第一埋入層 16 :第二埋入層 17 :第二光罩圖樣 ____- 8 本纸張尺度適用中园國家標毕（CNS ) A4規格（210X 297公釐） f靖先問讀背面之注意事¾.再嗔驾本頁) -訂· e 44563 6 at B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（心） 18a : N型井區 18b :第二集極區 19 :第三光罩圖樣 20 : P型井 21 :閘極絕緣層 23a :源極 23b :渠極 23c :剩餘部份 24a :源極 24b :渠極 24c :集極 24d :射極區 30 :基板 31 :底紋氧化層 34 :集極區 35 :第二光罩圖樣 36基極 37 :第三光罩圖樣 38 : N型井 39 :第四光罩圖樣 40 : P型井區域 41 :閘極絕緣層 42 :閘極電極 43a :源極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙悵尺度適用中國國家標準（CNS } Λ4規格（2ίΟΧ297公釐） " 445 63 6 A7 B7 五、發明説明 經濟部中夬標隼局負工消費合作社印製 43b :渠極 43c :基極區域 44a :源極 44b :渠極 44c :集極 44d :射極 <較佳具體實施例之詳細描述> 本發明之較佳具體實施例將與附圖一起說明如^: 第2A圖至第2D囷為依據本發明之一具體實施例方法 製造BiCMOS之橫截面簡圖。 參照第2A圖，有第一傳導型態之半導體基板’例如p 型矽基板11。半導體基板11含有：多個作為元件隔離用之 底紋氧化層12，例如，以傳統區域氧化法(L〇c〇s)形成八 個底紋氧化層；多個主動區，例如，八個底紋氧化層12所 定義之七個主動區。在本文件中，“主動區”表示兩相鄰 底紋氧化層間之區域，或者還包含部份的兩相鄰底故氧化 層。在第2A圖申’左手邊兩個主動區是為了製作包含 電晶體和PMOS電晶體之CMOS電晶體，我們稱之為第一 群主動區（或Μ區）；而右手邊的五個主動區是為了製作 雙極電晶體，我們稱之為第二群主動區（或Β區 在形成底紋氧化層12後’為了避免在後續之佈植製程 中’因雜質離子的撞擊而損害到基板U，在每個主動區表 面皆有形成屏蔽氧化層13。然後，形成第一光罩圖樣14 將Β區中央三個主動區裸露在外，在Β區形成雙極電晶體 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁)

Is: ϊ fn -)- -訂 沐張尺度—㈣ ('210 X 297^^7 A7 445636 五、發明説明（g 姓刻術形成，厚微:!囷5^^大家都熟知，士罩 子=傳導㈣雜質離子:例2型3=傳 以1百萬電子伏特至2百萬電子佚 公分―至5χ，個離子之劑量:=量光= 主動區表面形成有第-深度之第一在埋第入二： V ί:同之第一光罩圖樣’以第一傳導型態之雜質離 :，：如Ρ型之_子’以60千電子伏特至2〇〇千電子伏 =之佈植能量，每平方公分请2至5咖3個離子之劑量， 佈植在裸露之主動區表面形成有第二深度之第二埋入層 16。此處之第二深度比第-深錢，所料二埋人層16之 位置比第-埋入層15之位置淺。第一埋入層15為雙極電 晶體集極之部份，我們稱之為第―集極區。而第二埋入層 Μ為雙極電晶體基極之部份，我們稱之為第—基極區。此 處之第二埋入層16是有選擇性的，例如當半導體基板u 之濃度為每平方公分8xl015至8xl〇i6個離子時，形成第二 埋入層16的步驟便可省略。 參照第2Β圖，將第一光罩圖樣14以大家熟知之電漿 蝕刻製程移去後，形成第二光罩圖樣17。第二光罩圖樣17 同時將Μ區兩個主動區的其中之一，以及第上群主動區外 側兩個主動區裸露在外。第二光罩圖樣17也是使用光阻當 材料，厚度約為2微米至4微米。此處，在μ區所裸露的 主動區是對應於PMOS之Ν型丼區域，而在Β區所裸露的 兩個主動區則對應於雙極電晶體集極之剩餘部份（或第二 本紙狀度it财關家轉（CNS} M雜（21{)><297公楚 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央橾孳局貝工消費合作社印裝 11 4 4 5 6 3 6 A7 B7 五、發明説明 集極區）。然後，經由三次的離子傅植，將N型雜質 如雜子）佈植於減的輯，形成觸s電^體之N型 =m和第二集極區18b。此處，三次的離子佈 第一次以15百萬電子伏特之佈植能量，每平方公分5=〇12 個離子之劑量佈植_子；第二次以⑽ 之，量，每平方公分猜2至 子之劑置佈植雜子；第三次以30千電子伏特至8 子^之佈觀量，每付公分2xlG12至_12個離子之 劑董佈植鱗離子。同時’第二集極區18b與第—集極 第-，入層）15在後續之熱退火步射互相重叠，形成雙 極電晶體之集極區。同時也必須控制N型井H 使後續製作PMOS電晶體之源極與渠極後，pM〇 之臨界電壓在約0,5至_〇.8伏特間。 電日日 /然後參照第2C圖，以傳統方法將第二光罩圖樣17移 去後’再以傳絲罩朗術形絲三光罩_ 19。第三光 罩圖樣19龍_魅純情_之主 經濟部尹央標準局身工消费合作社印裝 作為形成魏電晶體之P型井。第三光罩圖樣二 使用光阻當材料，厚度約為2微求至4微米。然後，經由 三次的離子佈植’將p型雜質離子（例如硼離子）饰植於 裸露的區域，形成NM0S電晶體之p型井2〇。此處，三次 的離子佈植步驟包含：第一次以5〇〇千電子伏特至千 電子伏特之佈概量，每平方公分lxm㈣”個離子 之劑量佈植馨子：第二次以70千電子伏特至12〇千電子 伏特之佈植能量’每平方公分5xlGI2至2χ1()13個離子之劑 445636 五、發明説明（/ί7 ) 量佈植娜子；第三次以K)千電子伏特至3G千電子伏特 之佈植能量，每平方公分lxl(F至5x1q12 _子之劑量佈 _離子。同時也必須控制P型井2G之濃度，使後續製作y NMOS電晶體之源極與渠極後’ NM〇s電晶體之臨界電壓| 在約-0.5至-0.8伏特間。 ί 然後，參照第2D圖，在移去第三光罩圖樣19後，屏| 蔽氧化層13以大家所熟知之方法也移除。而後，將如叫| 之絕緣層和如多晶石夕之導電層依序沈積於基板上，再經由| 圖樣轉移在Μ區的兩個主..動區表面形成閘極電極42和下方； 之閘極絕緣層21。 而後，雖然沒有在附圖中示出，形成第四光罩圖樣， 將Ν型井18a和Β區中央三個主動區兩側之兩個主動區裸 露在外。將P型傳導型態之雜質（例如娜子）佈植於第 四光罩圖樣所裸露的部份，形成PM〇s電晶體之源極说、 渠極23b和雙極電晶體基極之剩餘部份23c (或稱為第二基 極）。同時，第二基極區23c與第一基極區（或第二埋入層^ 在後續之熱退火步驟中互相重叠，形成雙極電晶體完整 之集極區》 經濟部中央栋準扃貝工消費合作社印製 然後，在移去第四光罩圖樣後（未示出），形成第五光 罩圖樣。第五光罩圖樣將p型井20、B區五個主動區外側 兩個主動區、和第二基極區的三個主動區中央之一個主動 區裸露在外。將N型傳導型態之雜質離子（例如砂"As"離 子）佈植於第五光罩圖樣所裸露的部份，形成NM〇s 體之源極24a和渠極24b、集極24c、和射極區24d 〇然後 本紙乐尺度適财(eNS > ( 445 63 g A7 B7 五、發明説明（1/ ) 移去第五光罩圖樣’再以傳統的後續步驟處理，即可完成 BiCMOS的製造》 同時’雖然在本實施例中，PMOS電晶體之N型井區 域先形成，然後再製作NMOS電晶體之P型井區域，但兩 者的製作次序是可對調的。無論N型井和p型井的製作次 序如何，效果是相同的。再者，雖然本發明是以雙極電晶 體中之NPN電晶體來說明與示範.，很明顯地，同樣的方法 也可很容易地應用於雙極電晶體之PNP電晶體。再者，形 成第一埋入層15和第二埤入層16的步驟可以在p型井區 域完成之後。 ° 如上所述，因為本發明並沒有另外使用一獨立之光罩 來製作集極區域，所以與傳統方紐較之下，形成集極區 域的光罩步驟便可省略。所以，產量可增加讀造成本可 以降低。 按，以上所述’僅為本創作之一具體實施例，惟本創 作之構造並*舰於此，任何_此項㈣者在 ，域内，所實施之變化或修佛皆被涵蓋在本案之專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本J} -訂· 經濟部中央標準局舅工消費合作社ίρ製 本纸伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） t

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局舅工消費合作社印製 r，445 83 6 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 !· 一種製造BiCMOS的方法，其令互補型金氧半導體 電晶體和雙極電晶體製作在同一基板上。包含以下步驟： 提供一含有選定濃度之第一傳導型態雜質之半導體基 板； 在此半導體基板上形成底紋氧化層，作為隔離元件之 用，在一連續直線上定義出含有兩個主動區域之第—群主 動區，和含有五個主動區之第二群主動區； 形成第一光罩圖樣，將所述之第二群主動區中央三個 主動區裸露在外； 將與第一傳導型態相反之第二傳導型態雜質佈植於已 形成第一光罩圖樣結果之第一基板上，在中央三個主動區 表面形成有第一深度之埋入層； 形成第二光罩圖樣，將第一群主動區之任一主動區和 第二群主動區兩側之兩個主動區裸露在外； 將第二傳導型態之雜質佈植於已形成第二光罩圖樣結 果之苐一基板，而形成第一井狀區域，其中第二傳導型態 之雜質分布於第二群主動區中兩個曝露之主動區表面下第 一法度範圍，且此第一井狀區域與埋入層互相重叠； 形成第三光罩圖樣，將第一部份剩下的主動區裸露在 外； 將第一傳導型態雜質佈植於已形成第三光罩圖樣結果 之第三基板，形成第二井狀區域，其中第一傳導型態之雜 質分布於第一群主動區中剩餘之主動區表面下第三深度範 圍。 & 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------裝— (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 i.v 經濟部中央標隼局員工消費合作社印繁 A8 BS C8 D8 申請專利範圍 2.如申請專利範圍第1項之方法’其申第一傳導型態 為P型，且第二傳導型態為N型。 V 3·如申請專利範圍第1項之方法，其中第一傳導型雖 為N型，且第二傳導型態為p型。 〜 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其申所述之半導體 基板的濃度在每平方公分8χ10!5至8X1016個離子的範圍 内0 5. 如申清專利範圍第丨項之方法，其中之埋入層是將 磷離子以大約1百萬電子伏特至2百萬電子伏特的佈植能 量，每平方公分5Χ1012至5Χ1013個離子的劑量佈植。 6. 如申請專利範圍第1項之方法’其中第一光罩圖樣 的厚度約為3微米至5微米的範圍内。 7·如申請專利範圍第1項之方法’其申第一光罩圖樣 的厚度約為2微來至4微米的範圍内》 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中第一井狀區域 的製作包含下列步驟：第一次以1·5百萬電子伏特之佈植 能量，每平方公分5Χ1012個離子之劑量佈植磷離子；第二 次以180千電子伏特至250千電子伏特之佈植能量，每平 方公分5Χ10!2至2Χ1013個離子之劑量佈植磷離子；第三 次以30千電子伏特至80千電子伏特之佈楂能量，每平方 公分2Χ1012至8ΧΚΡ個離子之劑量佈植磷離子。 9. 如申請專利範圍第丨頊之方法，其中第二井狀區域 的製作包含下列步驟：第/次以500千電子伏特至700千 電子伏特之佈植能量，每平方公分1χΐ013至5Χ1013個離 本紙乐尺度適用中國国家標準（CNS ) Α4現格（210Χ297公策） I I I I Ϊ — 裝— 訂 ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 445 6 3 6

   趄濟部中央栋準局員Η消費合作杜印製 .子之劑量佈植蝴離子；第二次⑺70 +電子伏特i 120千電 子伏特之佈植能量，每平方公分5X，至2X1G13個離子 之劑量佈植娜子；第三次以1G千電子伏特至3G千電子 伏特之佈植能量，每平方公分lXl〇12至5><1〇12個離子之 劑量佈植硼離子。 I0·如申請專利範圍第1項之方法，再多加一個步驟： 在所述之形成埋入層之離子佈植步驟前，在 上形成有奴厚度之賤氧化層。 ^ Π· 一種製造BiCMOS的方法，其中互補型金氧 體電晶體和雙極電晶體製作在同—基板上。包含以下步驟. .提供一含有選定濃度之第一傳導型態雜質之半導體基 板； 土 在此半導體基板上形成底紋氧化層，作為隔離元件之 用，在一連續直線上定義出含有兩個主動區域之第〜 動區，和含有五個主動區之第二群主動區； 主 形成第一光罩圖樣，將所述之第二群主動區中二 主動區裸露在外； 、二個 將與第-傳導型態相反之第二傳導型態雜質佈植 形成第一光罩圖樣結果之第一基板上，在中 ' 形成有第-深度之第-埋入層； 動區 將第一傳導型態之雜質佈植於已形成第一埋入層結 之第二基板，在中央三個主動區表面下第二深度範圍内 1 成第二埋入層，該第二深度小於所述之第—深度； v 形成第二光罩圖樣，將第一群主動區之任—主動區矛 ____17 本紙浪尺度適@囷國家標準（CNS ) A4規^格（2ΐ〇χ297公釐) -— II I I I I I [訂 I I ill I'v (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 445 63 6 t A8 B8 ^_ 六、申請專利範園 第二群主動區兩侧之兩個主動區裸露在外； 將第二傳導型態之雜質佈植於已形成第二光罩圖樣結 果之第三基板’而形成第一井狀區域，其中第二傳導型態 之雜質分布於第二群主動區中兩個曝露之主動區表面下第 三深度範園’且此第一井狀區域與第一埋入層互相重疊； 形成第三光罩圖樣，將第一部份剩下的主動區裸露在 外； 將第一傳導型態雜質佈植於已形成第三光罩圖樣結果 之第四基板’形成第二井狀區域，其中第一傳導型態之雜 質分布於第一部份剩餘之主動區表面下第四深度範圍。 12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中第一傳導 型態為P塑，且第二傳導型態為N型。 13. 如申請專利範圍第11項之方法，其中第一傳導 型態為:且第二傳導型態為P型。 14. 如申請專利範圍第11項之方法，其中之第—埋 入層是將麟離子以大約1百萬電子伏特至2百萬電子伏特 的佈植能量，每平方公分5xl012個離子至5χΐ〇13個離子的 劑量佈植。 15_如申請專利範圍第11項之方法，其中之第二埋 入層是將糊離子以大約60千電子伏特至2〇〇千電子伏特的 佈植能量’每平方公分5χ1012個離子至5χ1〇ι3個離子的劑 量佈植。 16.如申请專利範圍第11項之方法，其中第一井狀 區域的製作包含下列步驟：第一次以約700千電子伏特至 18 ^紙浪尺度適用中國國家摞準（CNS )八4規格（21〇χ297公釐）~~ ~ ~~~ --------裝------訂-------4 (請先閱禎背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 445636 A8 B8 C8 ____ D8 六、申請專利範圍 1.5百萬電子伏特之佈植能量，每平方公分Sxl〇12至㈣π 個離子之㈣佈_離子；第二次以⑽千電子伏特至— 千電子伏特之佈植能f，每平方公分5χΙ()12至2χΐ〇Ι3個離 子之劑量体植_子；第三次以3()千電子伏特至8〇千電 子伏特之佈植能量，每平方公分2χ1〇12纟8χ1〇!2個離子之 劑量佈植磷離子。 如申請專利範圍第U項之方法，其中第二井狀 區域的製作包含下列步驟：第一次丄乂漏千電子伏特至· 千電子伏特之佈植能量’每平方公分1χ1〇π至分1〇13個離 子之劑量佈植硼離子；第二次以7〇千電子伏特至12〇千電 子伏特之佈植能量，每平方公分5χ1〇ί2至2χ1〇13個離子之 劑量饰植娜子；第三次以10千電子伏特至3G千電子伏 特之佈植能量，每平方公分lxl012 s 5xl012個離子之劑量 佈植硼離子。 18·如申請專利範圍第11項之方法，再多加-個步 驟.在所述之形成第-埋入層之離子佈植步驟前，在所有 的主動區上形成有選定厚度之屏蔽氧化層。 i — (請先聞讀背面之注意事項S-凑寫表頁'一 i Μ. 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 19 本紙浪尺度適用中國圃家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐）