TW438720B - Materials for preparing single crystal SiC and method for producing the same - Google Patents

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4387 2 0 a7 __B7______ 五、發明說明（1 ) 技術領域 本發明係有關製造單晶碳化矽（s i c )用原材料及 單晶碳化矽之製造方法’詳細言之’係有關作爲發光二極 •體或X射線光學元件’開關元件’增幅元件’光傳感器等 高溫，高頻半導體電子元件之基板晶圓等而用的單晶 S i C成長用原材料及單晶S 1 C之製造方法。 背景技術 S i C (碳化矽）係與s i (矽）或G a A s (砷化 鎵）等的既有半導體材料相比，不僅耐熱性及機械強度優 越，亦能耐放射線，再者由於雜質之添加使電子或正孔之 價電子控制成爲容易，加上因具有較廣的禁帶寬度（順便 —提，6H型之S i C單晶爲約3 . OeV ’ 4H型之 s i C單晶爲3 . 26 ev)，可實現上述的既有半導體 材料未能實現的大容量，高頻特性，耐壓特性，耐環境特 性，供作下一世代的功率裝置用半導體材料係引人矚目的 ，且今人期待的。 然而，至於此種S i C單晶之製造（成長）方法，向 來係於石墨坩堝內的無低溫下配置晶種，使由成爲原料之 S i C昇華的氣體在封閉空間內擴散輸送，使於經予設定 成低溫的晶種上再結晶之改良型昇華再結晶法（改良 Rayleigh法），或於矽基板上採用化學氣相成長法（CVD 法）使磊晶成長，以成長立方晶的S i C單晶（冷一 s i C)之高溫磊晶法，磁控管濺鍍法，電漿CVD法等 1---------1!.裝 -------訂 -----線 (請先閱讀背面之注意事項再壙寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐> -4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4387 2 0 at __B7____ 五、發明說明€ ) 則爲人所知的。 然而，上述的習用製造方法之中，改良型昇華再結晶 法之情形，係在結晶之成長過程混入雜質使純度降低，同 時在同一的結晶內混入二個以上之結晶多形（polytype ) ，結晶缺陷係容易被導入其界面。加上，被稱作微管（ miCr〇pipe )缺陷者，於成爲在製作半導體裝置之際之洩漏 電流等的原因之結晶成長方向上貫穿的直徑數// m之針孔 容易殘存於30 0〜1 000/cm2程度成長結晶中，在 品質上有問題存在。 高溫磊晶法之情形，由於基材溫度較高，再蒸發量多 ，須製作高純度之還原性氣圍，故由設備方面欲予實用化 係有困難的，又因係磊晶成長之故，在結晶成長速度方面 本身亦有界限，有單晶s i C之生產性非常低劣的問題存 在。 再者，磁控管濺鍍法或電漿CVD法等在設備上成爲 昂貴，加上不可避免的會發生微管缺陷等。 如上述，向來的單晶S i C之製造方法，在設備方面 及在伴隨微管缺陷等的發生而引起之品質方面，未能製得 令人滿意的單晶S i C，此事已如前述，與S i或 G a A s等既有的半導體材料相比，雖然有多數的優越特 徵，但亦成爲阻礙其實用化之要因。 有鑑於此種情況·本發明人等開發並提出將由S i C 單晶基材與s 1原子及C原子所構成的多晶板予以層合呈 附著狀態而成之複合體，藉由在基材側經予載置於熱處理 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I--------------裝------訂------線 (請先Μ讀背面之>i意事項再靖寫本頁) 438720 A7 ____B7____ 五、發明說明P ) (請先Μ讀背面之注意事項再ΐίΛ本頁) 爐內之下部低溫側的狀態下予以熱處理，使多晶板之多晶 體倣效基材之單晶並使結晶變態且與上述單晶基材之單晶 相同方向上定位的單晶S i C予以整體的成長方法（國際 ‘公開案號WO99/00538)。 本發明人等若依所開發且正提出申請的上述單晶 S 1 C之製造方法（以下稱作已提出申請的製造方法）時 ，在S i C單晶基材及多晶板之間S i原子，C原乎並未 構成大的結晶粒子，在將該等S i原子，C原子之部分或 幾乎全部以單體存在的S i C層經予挾持的狀態成爲予以 熱處理的情形，由而在S i C單晶基材及多晶板之界面使 S i原子及C原子擴散移動，於該已擴散移動的S i原子 及C原子在低溫側之S i C單晶基材之表面的約略全域共 同倣傚著S i C單晶基材之單晶予以再排列的固相成長， 可整體的成長單晶，又，防止雜質由氣圍混入至界面內， 不僅抑制結晶缺陷或變形之發生，亦可減少微管缺陷之發 生，因此與已述的習用製造方法相比，具可有生產性良好 的成長高品質之單晶S i C的優點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而對上述的已提出申請的製造方法，再進行硏究時 ，爲生產性較良好的成長更高品質的單晶S i C時，欲沿 其全面均勻的保持S i C單晶基材及多晶板之附著狀態， 需不對基材之單晶賦與基材之單晶，熱處理時沿著面全域 均勻的保持S i C單晶基材及多晶板之對向面的溫度差， 由多晶板側昇華的S1原子及C原子之於基材表面的倣傚 底材s 1 c單晶的晶格再排列可予促進，可得知爲重要的 -6- 本纸張尺度適用中國囡家標準（CNSM4規格（210 X 297公釐） 438720 A7 _B7 五、發明說明f ) ，在此等問題點，已提出申請的製造方法則仍殘留有改善 之餘地。 -發明之揭示 本發明係有鑑於上述的先行技術之背景而完成者，其 目的爲提供可不論在設備方面或作業面可容易且生產性良 好的製造出可成長出幾乎不發生微管缺陷等之非常高品質 的單晶S 1 C之單晶成長用原材料，及高品質之單晶 S i C，可促進作爲半導體材料之實用化的單晶S i C之 製造方法。 與本發明之第一形態有關的製造單晶S i C用原材料 ，係將由S i C單晶基材與由S i原子及C原子所構成的 多晶板，與於兩者之對向面間使以s i及0爲基本成分之 有機或無機物介在呈層狀並予層合成附著狀態而成的複合 體，藉由熱處理該複合體，使上述多晶板之多晶體在與上 述S i C單晶基材之單晶呈同方位的結晶變態，而成可成 長單晶爲特徵，又，與本發明之第二形態有關的單晶 S i C之製造方法，係將由s i C單晶基材與由S i原子 及C原子所構成的多晶板，與於兩者之對向面間使以s i 及0爲基本成分之有機或無機物介在呈層狀並予層合成附 著狀態後，藉由熱處理該複合體，使上述多晶板之多晶體 在與上述S i c單晶基材之單晶呈同方位的結晶變態，而 成可整體的成長單晶爲特徵者。 若依具有此種構成要件的本發明之第一形態及第二形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1'--------^--II — 裝·-------訂----！1_ 線 (請先閱讀背面之注意事項再|本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印繁 4387 2 0 a? _Β7 五、發明說明§ ) (請先閱讀背面之注意事項再矿寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 態時，由於S 1 C單晶基材及多晶板之對向面間可予介在 以S i及0爲基本成分之有機或無機物呈層狀，可知（a )於基材及多晶板不使發生空隙下，欲使對向面之附著狀 態沿全面可予均勻的保持一事係有可能的。（b )經予介 在於中間之有機或無機物係成爲可以非晶質（玻璃質）形 成導熱係數較小的層，於熱處理時，在基材側成爲低溫之 狀態沿著面全域使基材及多晶板之對向面的溫度差保持約 略均勻一事係有可能的。（c)隨著熱處理，中間層之基 本成分的S i及0會熱分解，中間層係成爲含有S 1種及 任意的◦種（例如自由基，離子等）之混入狀態，惟在此 狀態，尤其由於◦種之電子吸引作用或介在於S i - C晶 格間使晶格間隔發生變形等的立體作用使多晶板側接面之 S i原子- C原子間鍵結減弱著。因此，由於在各該接面 部分之鍵結切斷而發生的s i原子及C原子，係使具有 1 ◦ o°c以上之溫度梯度的中間層迅速的擴散移動，在已 到達在予以低溫的保持且安定的基材表面之時刻，在倣傚 各該基材之單晶的S i原子及C原子間之晶格生成再排列 ，成整體的成長單晶一事係有可能的。（d )由於基材及 多晶板之對向面的附著狀態係沿著全面被均勻的保持，故 在熱處理時亦欲防止雜質由氣圍氣混入至界面一事係有可 能的。（e )即使在熱處理時，基材側之溫度因係予保持 在低溫，故使基材之單晶安定化一事係有可能的。 如上述，藉由使於S i C單晶基材及多晶板之對向面 間介在次S i及Ο爲基本成分之有機或無機物之中間層， -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公爱） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 3 81 2 Q a? __B7 五、發明說明0 ) 可得上述（a )〜（e )所述的作用，由於此等各作用之 相乘，不論在所謂熱處理複合體之設備方面或作業方面， 僅施以簡單的手段，可防止結晶缺陷或基材之變形的發生 •係原本可生產性良好的製得幾乎未發生微管缺陷之非常高 品質的單晶SiC。由而，與Si (矽）或GaAs (砷 化鎵）等既有的半導體材料相比，在高溫特性，高頻率特 性，耐壓特性，耐環境特性等方面優越，達到使被期待作 功率裝置用半導體材料之單晶S i C的實用化成爲可能之 效果。 於與本發明之第一形態有關的製造單晶S i C用原材 料及本發明之第二形態有關的單晶S i C之製造方法，至 於S 1 C單晶基材，以使用a — S i C單晶爲宜。又，至 於多晶板，由更提高單晶S i之品質的意義考量，以利用 雜質之混入最少的熱化學的蒸鍍法（以下稱作熱CVD法 )予以製作或板狀者經予使用爲宜，惟除此.以外，使用 S i C不定形或高純度S i C燒結體亦可。 又於與本發明之第一形態有關的製造單晶S i C用原 材料及本發明之第二形態有關的單晶S i C之製造方法， 係藉由使中間層以液相狀態介在一事，使基材及多晶扳之 對向面間完全不發生間隙，且可確保對向面之附著狀態。 又，與本發明之第一形態有關的製造單晶S 1 C用原 材料及本發明之第二形態有關的單晶S i C之製造方法， 至於形成中間層之有機或無機物，在使用矽氧橡膠，矽氧 樹脂，矽氧油，含有矽氧潤滑脂之矽或矽化合物之情形， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9- 1-'—--·Ίι 丨'-----裝 illi — 訂-------！線 (請先閲讀背面之注意事項再續耸本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ' 4 3 8 7 2 0 A7 -______B7 五、發明說明f ) 以塗佈等的簡單手段形成中間層並由複合體而成之原材料 的製作係簡單的，圖謀製造成本之降低，惟除此之外，使 S i C單晶基材或多晶板本身熱氧化並於表面上形成 _ Si〇2膜，以此爲中間層並使用亦可。 再者，於與本發明之第二形態有關的單晶S i C之製 造方法，採用較S i C單晶基材形成大的多晶板之複合體 ’藉由將此複合體載置於熱處理爐內之支持台上使較小的 S i C單晶基材側位於下部並進行熱處理，較大的多晶板 容易接受爐內之輻射熱並使容易附上溫度差，同時使沿界 面之全域的熱分布容易均勻化，加速單晶S i C之成長速 度，可圖謀生產性之更提高。 ， 再者又於上述的熱處理時，藉由敷設石墨板片於熱處 理爐內的支持台之S i C單晶基材載置面上，可防止由燒 結石墨製作的支持台及S i C單晶基板貼合，同時沿著 S i C單晶基材之全域可均勻賦與熱。 圖式之簡單說明 第1圖及第2圖係說明於本發明之第一實施例的製造 單晶S i C用原材料之製作過程的模式圖，第3圖爲第一 實施例之製造單晶S i C用原材料（複合體）之模式圖， 第4圖及第5圖爲說明於本發明之第二實施例的製造單晶 S i C用原材料之製作過程的模式圖，第6圖爲第二實施 例之製造單晶S i C用原材料（複合體）之模式圖，第7 圖爲表不複合體之熱處理狀態的模式圖，第8圖爲表示熱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公8 ) •10· — Ί — ll^lllllli i — — — — — — — — — I 1!^ (請先Μ讀背面之注意事項再f本頁) 438720 A7 B7__ 五、發明說明❾) 處理後的狀態之模式圖。 圖號之簡單說明 1 ...... a — S i C單晶基材，2，5，6……塗膜， 3 ......多晶板，4，4 ""……中間層，7……爐，8 ...... 燒結石墨製支持台，9……石墨板片，1 0……單晶部分 0 實施發明之最佳形態 以下說明第一實施例。第1圖係表示製造單晶s i C 用原材料之一側的S i C單晶基材，至於此S 1 C單晶基 材，係使用以昇華再結晶法製作的立方晶系（6 Η型’ 4 Η型）之板狀α-S i C單晶基材1。此a_S i C單晶 基材1係具有厚度T1爲0.3cm，縱X橫爲具有 1 . 2mm邊長之大小，其表面係具有以S i及◦爲基.本 成分之有機或無機物之一例，將以氣相法經予製作成粒徑 8 0 A之超微粒子狀二氧化矽粉末溶於乙醇之溶液（例如 商品名：Aerosi])予以塗佈並形成1 〇 〇〜3 0 0A之厚 度t 1的塗膜2。 第2圖爲表示製造單晶S i C用原材料之另一側的多 晶板，此多晶板3係利用熱C V D法予以製作成厚度T 2 爲〇·7cm，直徑爲2.〇cm之圓板狀。 於以第1圖表示的α-S1C單晶基材1之塗膜2上 藉由使第2圖所示的圓板狀的多晶板3呈附著狀態層合並 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1.----:----：---!裝 -------訂！---線 <請先閱讀背面之注意事項再貧耸本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - A7 4387 20 B7__ 1、發明說明€ ) 貼合，如第3圖所示般，製作於兩者1 ’ 3之對向面間介 在以S i及0爲基本成分之有機或無機物而成的中間層4 之複合體（原材料）Μ。 其次說明第二實施例，第4圖係表示製造S i C用原 材料之一側的S i C單晶基材’至於此S 1 C單晶基材’ 與第一實施例同樣的採用以昇華再結晶法製作的立方晶系 (6H型，4H型）之板狀的α-S i單晶基材1。此α —S i C單晶基材1係厚度Τ1爲〇 . 3 cm，縱X橫爲 具有1 . 2mm邊長之大小，至於在其表面上以S i及0 爲基本成分之有機或無機物之其他例子，將矽氧橡膠塗料 {例如商名：PTU Silicone spray/Fine Chemical Japan (股） 製造）丨予以噴霧塗布，形成500〜30000A厚度 t 2之塗膜5。 第5圖爲表示製造單晶S i C用原材料之另一側的多 晶板，此多晶板3係與第一實施例同樣的利用熱C V D法 製作出厚度T2爲0 . 7 cm ’直徑爲2 . Ocm之圓板 狀，於其表面上係噴霧塗布以S 1及0爲基本成分之有機 或無機物之其他例的矽氧橡膠塗料（例如：PTU Silicone Spray/Fine Chemical Japan (股）製造）並形成 5 0 0 〜 30000A之厚度t3的塗膜。 在各表面上所形成的塗膜S i 6未硬化之中層合第4 圖所示的a_S i C單晶基材1及第5圖所示的圓板狀之 多晶板3使塗膜面相互間附著般予以貼合，如第6圖所示 ，於兩者1·3之對向面間係由塗膜5.6而成，製作介 ΙΊΙΙΊ,----^----裝！訂·--------線 (請先閱讀背面之泫意事項再ί本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- 4387 20 A7 B7____ 五、發明說明（i〇 ) 在有厚度t 4爲1 〜6 0//m之中間層4 —的複合體 (原材料）Μ >。 將上述複合體Μ或Μ<，如第7圖所示插入電阻發熱 ’爐7內，令已敷設於爐內之燒結石墨製支持台8之表面的 石墨板片9上以水平姿勢載置使較小的一側之a_S 1 C 單晶基材1位於下部內。 在此狀態下，將A r等的惰性氣體氣流注入爐7內， 同時以平均速度升溫至令爐內平均溫度達2 2 0 0°C爲止 ，且使其2 2 0 0 °C之爐內平均溫度能保持1小時左右， 在大氣壓下之惰性氣體氣圍下，且進行在S i C飽和蒸氣 壓下的熱處理。 於此熱處理時，原先配置於爐內之高溫側的多晶板3 由於形狀較大，成爲可接受多數的輻射熱，因介在有導熱 係數較小的中間層4或4 >，故於與正予配置於爐內的低 溫側之α — S i C單晶基材1之間發生著1 0 0 °C以上的 大溫度差。又由於形狀之大小及石墨板片9之存在，在界 面的平面方向之熱分布係均勻的，複合體Μ或Μ '全體係 在有溫度差之狀態下予以均勻的加熱。 隨著此種熱處理之進行，中間層4或4 <之基本成分 的S i及0會受熱分解，中間層係成爲含有S 1種及任意 之0種（例如自由基，離子等）的混合狀態’惟在此狀態 ，尤其由於〇種之電子吸引作用或介在至S1—C晶格間 使於晶格間隔發生變形等的立體作用使多晶板3側接面之 S i原子一 C原子間鍵結減弱。因此’由於在各該接面部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1:----·\----：----Μ.-------------^ <請先閲讀背面之注項再本頁) 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 -13- 4387 2 0 A7 __ B7 五、發明說明（Μ ) {請先W讀背面之注意事項再^¾本頁) 分之鍵結切斷引起而發生的S i原子及C原子，係立即擴 散移動入具有1 0 0 °C以上之溫度梯度的中間層，在已到 達經予保持於低溫且正安定中的a — S i C單晶基材1表 '面之時刻1倣傚各該單晶之S i原子及C原子間生成晶格 之再排列，最後如第8圖所示，中間層4或4 -會消失且 由多晶板3之界面有約3 0 ◦ jum之厚度T 3之部分呈現 原子之再排列並予整體的成長於與α — S i C單晶基材1 之單晶同方位的單晶部分1 〇，亦由晶種1可得微管格外 少的成長層（單晶部分1 0之微管數=1 0 〇個/cm2以 下）。 又，由於複合體Μ或之a — S 1 C單晶基材1， 及多晶板3之對向面的附著狀態係藉由中間層4或4 ^之 介在而沿全面予以均勻的保持著且無空隙，故熱處理時完 全未發現有雜質由氣圍氣混入界面內。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上述，於a_S1C單晶基材1及多晶板3之對向 面間不論將使介在有以S i及0爲基本成分之有機或無機 物之中間層4或4 ~的複合體（原材料）Μ或M -予以熱 處理的設備方面或作業方面僅施以簡單的手段，可防止結 晶缺陷或基材1之變形的發生一事係可較原先可生產性良 好的製得幾乎不發生微管缺陷之非常高品質的單晶S i C 。由而與Si (矽）或GaAs (砷化鎵）等既有的半導 體材料相比，在高溫特性，高頻特性，耐壓特性，耐環境 特性等方面優越，可促進被期待用作功率裝置用半導體材 料之單晶S 1 C的實用化。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 438720 ____B7___ 五、發明說明d2 ) 且，在上述各實施例，雖使用矽或矽化合物作爲中間 層4或4 ―，惟除此以外，使α - Si C單晶基材1或多 晶板3本身熱氧化而於其表面上形成S i 〇2膜亦可。 產業上之可利用性 如上述，本發明係於S i C單晶基材及多晶板之對向 面間使介在由以S i及◦爲基本成分之有機或無機物而成 的中間層並呈附著狀態予以層合，將該複合體予以熱處理 ，藉由使多晶板之多晶體倣傚S i C單晶基材之單晶並與 該單晶同方位結晶變態而使整體的成長單晶，不僅耐熱性 及機械強度優越，結晶缺陷或變形當然可容易且有效率的 製造出幾乎不發生微管之非常高品質的單晶S i C之技術 1.'--------：----裝---III--訂--------•線 • * (請先閱讀背面之注意事項再f本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中圃國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15-

Claims (1)

1. 丨公逢' 438720 A8 B8 C8 D8 利範圍 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 . 一種製造單晶s i C用原材料，其特徵在於具有 S i C單晶基材與由S i原子及C原子所構成的多晶板之 製造單晶S i C用原材料， 於上述S i C單晶基材及多晶板之對向面間使以s i 及0爲基本成分之有機或無機物介在呈層狀並予層合成附 著狀態而成的複合體’ 藉由熱處理該複合體，使上述多晶板之多晶體在與上 述S i C單晶基材之單晶呈同方位的結晶變態，而成可成 長單晶。 2 .如申請專利範圍第1項之製造單晶S i C用原材 料，其中上述S i C單晶基材係a — S i C單晶。 3 .如申請專利範圍第1項之製造單晶s i C用原材 料，其中上述多晶板係不定形S i C，高純度S i C燒結 體或由熱化學的蒸鍍法製作成板狀之S i C多晶板。 4 ·如申請專利範圍第1項之製造單晶S i C用原材 料，其中上述中間層係以液相狀態正介在著。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 .如申請專利範圍第1項之製造單晶s 1 C用原材 料，其中上述形成中間層之以S i及◦爲基本成分的有機 或無機物係矽氧橡膠，矽氧樹脂，矽氧油，含矽氧潤滑脂 之矽或矽化合物。 6 .如申請專利範圍第1項之製造單晶s i C用原材 料’其中上述形成中間層之以S i及〇爲基本成分的有機 或無機物係將上述S i C單晶基材或多晶板本身予以熱氧 化並已形成於其表面上之S i 〇2膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- 肋册0808 438720 六、申請專利範圍 7 .如申請專利範圍第1項之製造單晶S i C用原材 料，其中上述中問層之厚度爲1〜6 0 。 8 . —種單晶S i C之製造方法，其特徵在於利用具 有S i C單晶基材與由S i原子及C原子所構成的多晶板 之製造單晶S i C用原材料之方法。 於上述S i C單晶基材及多晶板之對向面間使以S i 及◦爲基本成分之有機或無機物介在呈層狀並予層合成附 著狀態後， 藉由熱處理該複合體，使上述多晶板之多晶體在與上 述S i C單晶基材之單晶呈同方位的結晶變態，而整體的 成長單晶。 9 .如申請專利範圍第8項之單晶S i C之製造方法 ，其中上述S i C單晶基材係使用α — S 1 C單晶。 1 0 .如申請專利範圍第8項之單晶s 1 C之製造方 法，其中上述多晶板係使用不定形S i C，高純度S i C 燒結體或由熱化學的蒸鍍法製作成板狀之S i C多晶板。 1 1 .如申請專利範圍第8項之單晶s i C之製造方 法，其中上述中間層係以液相狀態正介在著。 1 2 ·如申請專利範圍第8項之單晶S i C之製造方 法，其中上述形成中間層之以S i及0爲基本成分的有機 或無機物係矽氧橡膠，矽氧樹脂，矽氧油，含矽氧潤滑脂 之矽或矽化合物。 1 3 .如申請專利範圍第8項之單晶s i C之製造方 法’其中上述形成中間層之以S i及0爲基本成分的有機 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (靖先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ - "^4 · 1111111 訂-1 — I---- I, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 438720 η __ D8 六、申請專利範圍 或無機物係將上述S i C單晶基材或多晶板本身予以熱氧 化並予形成於其表面上之S i 〇2膜。 1 4 .如申請專利範圍第8項之單晶S i C之製造方 法’其中該熱處理爲在2200°C以上溫度，且在s i C 之飽和蒸汽壓或在該程度之氣氛中進行。 1 5 .如申請專利範圍第8項之單晶S i C之製造方 法，其中上述多晶板係將比S i C單晶基材側較大的形成 的複合體載置於熱處理爐內之支持台上使較小的S i C單 晶基材側位於下部般予以進行熱處理。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之單晶S i C之製造 方法，其中上述熱處理爐內的支持台之S i C單晶基材載 置面內係予敷設有石墨板片。 — .J.--1^11 ! -裝！ I 訂·！ f 線 • * (請先閱讀背面之注意事項再填爲本頁) _ · 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） • 18,