TW424321B - Integrated electronic circuit - Google Patents
Integrated electronic circuit Download PDFInfo
- Publication number
- TW424321B TW424321B TW086116200A TW86116200A TW424321B TW 424321 B TW424321 B TW 424321B TW 086116200 A TW086116200 A TW 086116200A TW 86116200 A TW86116200 A TW 86116200A TW 424321 B TW424321 B TW 424321B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- circuit
- dielectric
- conductive
- layer
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
424321五、發明説明( A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 發明之領域 本發明與一積體電子電路有關,且, Λ, ja- Μ 狩別與一個可以包含 射頻,微波,類比和數位等系統且大 電路有關。 的積禮電子 發明背景 個人通信領域新消費市場的出現,驅使製造商製造 :掘更輕,更可靠且更便宜的產品。這些產品一般結合了 射頻、微波、類比和數位元件,以形成一單獨單位如—個 人通信手機,如細胞式行動電話手機。細胞式行動電 機中包含了射頻電路,射頻電路包括各種不同的被動和主 動的几件,如[在收話的那一端]雙工濾波器,低噪音放大 器,影像斥拒濾波器,混波器,振盪器,中頻放大 同的其它元件。除了低頻電子電路外,在音頻傳送這端,' 還包括功率放大器和結合電路,户斤需的射頻滤波器,尤其 是雙工濾波器和影像濾波器,是相當貴的表面黏著元件且 佔用有價値之電路板的表面區域a此外,要形成微波積體 電路會有一個問題,因爲像這樣的裝置通常需要在—個接 地平面上形成。 目前的實際情況是基於將射頻,微波,類比和數位等功能 方塊[如分離的元件]合併在一通常由塑膠物質所構成的一 低成體的有彈性的印刷電路板上。此電路板可以有超過— 層以的上但隱藏的數層通常是用來作直流或數位的内部連 線。並未有任何射頻元件隱藏在這些内層中。 減少這些單位的大小和重量的考量已經導致發展者注意到 本紙故尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X W7公瘦 (請先聞讀背面之注意事項卑填寫本頁) .裝 -d -涞 五、發明説明( 2 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裳 低成本的多層整合方案。可靠度,低成本,小尺寸,輕的 重量和效能是在發展此類技術時的主要議題。 發明摘要 一電子積體電路,其包含一個有表面的導電物質基板且 由玻璃或陶磁介電物質構成的一個物體是在此基板的表面 上且被連結到此基板表面。此介電物體是由連結在—起的 多層介電物質所形成。多片導電物質是在此介電物體的多 層中的至少某些層的表面上且形成一個或多個射頻,微 波,類比和數位元件和内部連線,將以上這些元件和連線 連結在一起以形成所需的電路〇 附圖的簡要説明 圖1是依照本發明而來的一積體電予電路的一種形式的部 分剖面圖β 圖2是依照本發明而來的一積體電子電路的另一種形式 的部分剖面圖。 圖3是依照本發明而來的一微波積體電路的一種形式的 剖面圖a 詳細描述 先參考到圖1 ’依照本發明而來的積體電子電路的一種形 式通稱爲10。積體電路10包含一導電金屬板的基板12。 一介電物質’諸如玻璃或者陶磁等材料構成的一個物體 13是在且連結到基板12的表面14上》物體13是由一無機 的介電物質,諸如陶磁或玻璃所構成的一第一相對厚層 16所形成。正如以下要解釋的,介電層16是由結合在一 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(21〇Χ297公釐) f請先閱讀背面之注意事項!ψ填寫私頁) .裝. 訂 經濟.坪中央標準局—工消費合作社印製 ~~一 五、發明説明(3 ) 起的介電物質構成的多個薄層18所形成。在介電層16的 表面20上是多片金屬之類的導電物質22、24、26和28。導 電片22 ' 24、26和2S中的每一片都是覆罩在介電層i 6上的表 面2〇上的—層金屬薄層。如下所解釋的,金屬片22、24、 26和28構成-電子元件中的至少—部分。雖然圈中只顯示了 :片的金屬片22、24、26和28,視形成所需的電子元件而 定’可以有任何數目的金屬片。 由—如陶瓷或玻璃之類的一無機介電物質所構成的第二相 對f的層30是在且連結到第—介電層16上。第二介電層3〇 也是由結合在—起,由介電物質構成的多個薄層32所形 成。在第二介電物質30的表面34上是多片導電金屬“和 W。導電金屬片36和38是覆罩在表面34上的金屬層。正如 =下將會解釋的,金屬片36和38形成電子元件的至少一部 伤。雖然只顯不了兩金屬片3 6和3 8,視形成的所需的電子 几件而定’可以有任何數目的金屬片。 一由介電物質,如玻璃或陶瓷之類,所構成的薄層4〇是 在且連結到第二介電層30上’且另-由介電物質所構成的 薄層42是在且連結在薄介電層“上。多片的導電金屬片 44、邨、48、50和52是在薄介電層4〇的表面上,且多片金屬 片54、56、58和60是在介電層42的表面上。例如電阻、電 容、電晶體等等不同的分離元件62、64和66,也在介電層42 的表面上》多個傳導性轉接元件68、7〇、72和74延展穿過這 些介電層以便將這些在不同的介電層上的導電片作電氣連 接。例如,介電層68延展穿過薄介電層42、4〇,還有第二 ____-_____ _6· 本紙浪尺度適用"國家標準(CNS ) M規格|"^|^97公 ----------^------ΐτ------^ (請先閱讀背面之注意事項#填寫私頁) ^321:^ A7 B7 經濟部中夬樣準局員工消費合作社印^ 五、發明説明(4 ) 相對厚介電層30以便將在薄介電層42上的金屬片54作電氣 連接到在第一介電層16上的導電片22 β轉接元件70和72延 展穿過薄介電層42以將在薄介電層42上的金屬片連接到在 薄介電層40上的金屬片上。轉接元件74延展穿過介電層 42、40、3 0和16以提供到基板12的連接。 在積體電路10中’不同的金屬片形成不同的電子元件的 —部分。例如,在介電層42表面的導電片54、56、58和60可 形成射頻的内部線線、輸出入埠和電感。在介電層4〇的表 面上的金屬片44、46、48、50和52可形成串聯的電容器,串 聯或並聯電阻器,穿接和内部連線。在第2介電層層3〇上之 金屬片36和38可形成一微片接地平面,—導波線接地平 面,或並聯電阻。第一介電層16表面上之金屬片22 '24、 26和28可形成一射頻濾波器中心電感,而金屬基板12可形 成一第二導波線接地平面。由金屬片形成的不同電子元件 可藉導電轉接元件做電氣連接,這些轉接元件延展穿過介 電層以和金屬片接觸。同時,對—些金屬片加圖案以形成 内部連線,此内部連線連接不同的電子元件a黏著在介電 層42上的分離元件62、64和66,也可藉一些金屬片而被連結 在所需的電路内。 如前所述’積體電路10可提供射頻元件,微波元件,類 比元件和數位元件。爲能更適當地操作,射頻導波線濾波 器必須和第一和第二介電層16和30—齊形成。因爲滤波器 的中心電感必須介於兩接地平面中,此二接地平面由基板 12和一在第二介電層3〇上的金屬片提供。同時,電感必須 Ν Μ 請 先 閱 讀 背 1¾ 之 注 項 再^ 填 % i 頁 t 丁 本 241¾ 21! A7 B7 五、發明説明(5 經濟部中夬標準局員工消#合作社印製 在薄介電層42之表面上形成,以保持它遠離接地平面卫減 少寄生電容。同樣地,其它電子元件的位置可能由它們和 其它元件的相互關係所決定,以便一元件不會干擾到任何 鄰近的元件。 積體電路10用多個未烘乾的或未硬化的陶瓷或玻璃的薄 帶所做成。將玻璃粒子在一液體媒介和一聚合體黏合劑中 混合以形成此未烘乾的薄帶。此混合物散佈在一金屬底座 的表面上以形成一混合層,此混合層可被烘乾。此舉形成 在黏合劑内玻璃分子的未烘乾的薄帶。爲形成厚的第一和 第二介電層16和30,多個未烘乾的薄帶以堆疊方式放置以 得到所需的厚度。薄介電層4〇和42各爲一片單獨未烘乾的 薄帶片。將未烘乾的薄帶覆軍以金屬層以形成不同的金屬 片。其上有金屬片的未烘乾的薄帶,在金屬基板12之表面 ^上以適當的順序堆積,然後在一定溫度加以燃燒,在此 溫度,將黏合劑除去且玻璃分子溶化。當冷卻後,溶化的 玻璃熔合在一起形成不同的層,且將這些層和基板12連結 在—起,以形成固定在基板12上之物體13〇爲使未烘乾的 薄帶維持在適當溫度燃燒,玻璃分子可被解玻璃化,以形 成多層的陶瓷物質。在燃燒此未烘乾的薄帶之前,可形成 孔=以提供轉接元件。在燃燒未烘乾的薄帶以形成物體Η 之前或之後’此洞可以用導電物質填滿。 參考圖2,合併此發明的積體電子電路的另—種形式通稱 爲_。積體電路⑽包含了-有表面114之導電金屬構成之 基板112。一個如玻璃或陶瓷之類的介電物質第一物體 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再.· 裝 訂 涑 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(21〇χ297公釐) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 在2 符2t' A7 B7 五、發明説明(6 ) U3 ’是在且連結到基板112之表面114的一部分。此第—物 體113是由一介電物質構成之第一厚層U6所形成,此厚層 116是由多個薄層118所形成。在第一介電層116之表面n〇 上的是多個金屬片122、124、126和128。由介電物質構成的 第二厚層130是在且連結到第一介電層13〇的表面12(^第二 介電層130也由介電物質構成的多個薄層132所形成。在第 二介電層132的表面134上是至少一由導電金屬構成導電片 Π6。由介電物質構成的一雙薄層ι4〇和142堆積丑連結在第 二介電層130之表面134之上。一導電金屬構成的多個導電 片144、146、148和150是在介電層14〇上,且多個導電片 154、156、158和160是在介電層142上。多個分離元件162、 164和166,如電阻器、電容器、傳送器等,是在介電層142 上並和一些金屬片作電氣連接。一導電金屬構成之轉接元 件168、170、172和174延展穿過不同的介電層和金屬片作電 氣連接以形成所需的電路。 —由介電物質構成之第二物體176是在其上並連結至鄰近 第一物體113之基板112的表面114的一部分。第二物體I% 是由多個介電物質構成之介電層178所形成,這些層178堆 疊成的厚度和第一物體113的總厚度實際上是相同的,在第 二物體1%的表面上是多片由導電金屬構成的導電片18〇。 一由介電物質構成之薄層182是在第二物體176之表面上且 蓋住了金屬片180。一導電金屬構成之轉接元件184在第二 物體176和第一物體113之間延展。 在積體電子電路100内’如圖1所示之積體電子電路一 -9- 本紙張尺度適用中囷國家標準(CNS )六4故格(210X297公疫 -----^------装II - . (請先閲讀背面之注意事項务填寫t頁} 訂 涞- 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 _ B7 五、發明説明(7 ) 樣,不同之金屬片形成至少—部分不同電子元件和内部連 線。這些電子元件以電氣方式連結一起,且藉轉接元件和 内部連線’連結至在介電層142上之分離元件,以形成所需 的電子電路。此電子電路可包括射頻、微波、類比和數位 等元件。在積體電子電路1〇〇中,一射頻元件,如一雙工遽 波器’可在第二物體176内形成。這樣的好處,通常需要最 小的射頻損失的雙工濾波器,是以微片的形式而非以導波 線形式中來實現〇如此可容許此濾波器的效能更好,且產 生一更薄和更輕的電路。此積體電子電路1〇〇用和以上提及 之積體電予電路10相同之製造方法製成。 參考圖3,依照本發明而來的具體化微波積體電路通稱爲 310。微波積體電路310包含一導電金屬板構成的基板312。 黏著和固定在基板312之表面314上的是一由介電物質,如 陶瓷或玻璃構成之物體316。此物體316是由兩個連結在一起 的層318和320所形成的。物體316有一開口 322穿透至基板 312。在開口 322之一邊,層318和320之間的是一導電金屬層 324,此導電金屬層覆罩在層318之表面上。同樣地,在開 口 322的另一邊,層318和320的間是一導電金屬構成之狹窄 層326,此層也是覆罩在層318之表面上。在層320上的金屬 導電層且直接在金屬層326之上的是一狹窄層328。 一個覆罩330延展且黏著在物體316之上,也延展通通開口 322。覆罩330是由如玻璃或陶瓷之類等連結在一起的介電物 質構成的多個層332、334和33 6所形成。如金屬之類的導電 物質構成的導電片338,是位在中間層334和頂部層336之 ^ 10 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)Α4規格(210x297公疫) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *-'° Τ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 a? B7 五、發明説明(8 ) 間,且沿著覆罩330的一邊。一片導電物質34〇是在頂層 之上且延遲在金屬片338的頂端。層332、334和336可能包含 有形成内部連線(未顯現在囷上)的導電物質的圖案a 一導 電物質構成的轉接元件341延展穿過層336、334和332以便將 頂部層336的亙連圖案在電氣上連結到在底部層332上的互 連圖案。一導電物質構成的轉接元件342延展穿過頂部和中 間層3W和334以將在頂部層336上的一内部連線圖案作電氣 式連結到中間層334上的内部連結圖案。其它的轉接元件可 以用來連結在層332、334和336上的不同的内部連結圖案。 —分離的半導體元件344,如一分離的微波元件,黏著在 基板312之上的物體316中的開口 322上。此分離元件344被 電氣連結至物體316層上之不同導電圖案,以電氣連結元件 344至物體312上之其它電氣裝置。其它分離元件346、348和 350被黏著在覆罩330的頂層336上,並電氣連結在一起,且 藉内部連線和介電以連結在積體電路310内之其它元件,以 形成一積體電路。如圖所示,一條天線352黏著在覆罩33〇 之一端,物體316的頂上,且一電池354被黏著在鄭近物體 312的另一端的基板312上。 在微波積體電路310中,導電片326、328、338和34〇形成 不同形式的微波元件,如延遲線、濾波器、電容器等。這 些裝置互相作電乳連結,並經由内部連結圖案和轉接元件 3斗1和342和分離元件344、346、348和350連結,以形成一所 需的微波積體電路。此導電基板312可充做積體電路之一接 地平面。天線352和電池354也可經由内部連線圖案作電氣 _____-11 - 本紙張尺度適用中國國冬標季(CNS ) A4規格(2丨〇χ 297公楚 J I 私衣1τ------味 (請先閎讀背面之注意事項再填寫^'·頁) A7 B7 五、發明説明(9 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再· 填 寫 頁 連結至積體電路m示某㈣式的電氣元件,任 何爲眾人熟知形式的電氣元件可在物體316層上或覆罩33〇 ^形成,或由黏著在物體316或覆罩330之内或之上的分離 凡件所提供。其它接地平面可藉在物體316或覆罩上不 同層上之導電層來提供。 物拉3 16和覆軍330可各別藉首先在一媒介中,如塑膠,混 合介電物質粒子,如玻璃或陶瓷,來形成。混合物散佈在 一表面上以形成—如所需之大小、形狀和厚度之層。烘乾 以後可形成介電物質構成之未烘乾的薄帶。然後不同的導 電片和圖案覆罩在此未烘乾的薄帶層之表面上。形成物體 3 16的各層被切割以形成開口 322。此未烘乾的薄帶上有一導 電片和圖案的多層堆積形成物體316和覆罩33〇。形成物體 316之多層是堆積在一金屬基板上。未烘乾的薄帶堆積後燃 燒以溶化介電物質之分子並將之黏合在一起。當冷卻後, 此就形成固體物體316和覆罩330。覆軍330可被放置在超過 物體316之上並使用合適之黏著物來固定。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印繁 因此’藉由本發明提供了一積體電子電路,其包括了射 頻、微波、類比和數位元件,以形成不同之電路,特別是 那些應用在通信方面的電路。本發明之積體電子電路適用 於在不同的電子系統中。本發明之積體電子電路相當適合 用在通話之手機和基地台上,尤其是在需要小尺寸的無線 通話之手機和基地台時。此發明通常和射頻收話器和傳送 器一起使用,包括雷達系統。至於在此包裝内允許射頻和 數位元件之結合,本發明使用於PCMC J; A模組和其它類似的 12- Μ氏張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明(10) 模組。本發明可將許多系統作最小化,包括數位系统,因 此可使用在電腦和數位處理裝置之領域^微波應用上, 本發明可讓不同之微波元件放置於#近接地平面之處,此 平面由基板或由在物體或覆罩上之導電層或基板所形成。 此元件是在一玻璃或陶瓷之物質之内或之上形成,至少有 一些兀件被隱藏在此物體内β如此提供一更緊緻和堅固之 裝置,此裝置可更輕易和便宜地製造出來。雖然所顯示和 描述的積體電子電路的形式有大約四層的介電物質,但此 體電子電路也可用形成所需電路需要的任何數目的金屬層 所構成。並且’各層之厚度可依需要而變化,在不同層上 《導電片之數目和大小亦可依形成的特別電路而有所變化。 I----^—.----^ —— (請先閱讀背面之注意事項耳填寫舍頁) 訂 經濟部中央榡準局員工消费合作社印製 -13- 本紙張尺纽财國_縣(ο^Τα^ΓΓ 210X297公釐)
Claims (1)
- 鯉濟部中央榡準局貝工消費合作社印裝 灯4物1 . AS C8 ----- - D8 六、申請專利範圍 I —電子積體電路,包括: 一具有表面之導電物質之基板;和 一介電物質之物體,結合在該基板表面上,該物體包 括許多介電物質之層,這些層堆積並結合在一起;和 在此物體的至少某些層的表面上的多片導電物質片, 這些導電片形成至少一射頻元件、微波元件、類比元 件、數位元件和内部連線,連結這些元件連結形成所需 之電路。 2·根據申請專利範圍第1項之電路,進一步包含至少一個 電氣連結到此電路的分離元件。 3·根據申請專利範園第2項之電路,其中的物體有一直達 基板之開口,且上述分離元件安裝在物體内開口範圍内 之基板上。 4,根據申請專利範圍第2項之電路,包含一安裝固定到該 物體的由介電物質構成的覆罩,此覆罩且延伸到此物體 的開口,該覆罩是由多層連結在—起的介電物質所形 成,在這些層的表面上的多層導電物質則形成了微波裝 置和内連線圖案。 5·根據申請專利範圍第1項之電路,更進一步包含一延伸 穿過此物體不同層的一導電物質形成的轉接元件,以便 將在不同層上的導電片作電氣連結。 6-根據申請專利範圍第1項之電路,其中此物體包含在基 板表面的一層第一厚層的介電物質;在此第一厚層表面 上的至少一片導電物質;在第一厚層上的—層介電第二 -14- 本紙張W'ί'ϊΐΐ家標準(CNS ) Α4祕(2獻297公整) ----------装------1T------^ · (请先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 申請專利範圍 厚層;在第二介電層上的—導+ a , L 淨1^片’和在第二厚的介電 層上額外的介電物質眉· -介電層上的導電片形成 遽波器,其中在第-务兩 , 弟一;丨%層上的導電片和基板是此濾 /皮器的接地面。 7·根據申請專利範圍第6項之雷政 電路其中每—個第-和第 予?私疋由夕層連結在一起的介電物質薄層所形 成0 8. 根據申請專利範圍第7項 闲示貝(電路,包含在至少一個額外 的介喊層表面上的多片壤办你概 J夕冇爭私物豸,孩多片導電片形成至 少一個射頻、微波、類比釦I( 頌比和數位凡件,和將這些元件在 所需的電路中連結起來的内連線。 9. 根據申請專利範園第8,頁之電路,丨進一步包含至少一 個連結在電路中的分離元件。 10. 根據t請專利H圍第9項之電路,更進__步包含延仲穿 過此物體不同層的一導電物質形成的轉接元件:以便將 在不同層上的導電片作電氣連接。 11_根據中請專利範圍第P頁之電路其中此介電物體只在基 板表面的—部分上;介電物質構成的第二物體是結合於 此基板表面的另一部分上;且在第二物體上的多片導電 物質形成一個濾波器。 12‘根據申請專利範圍第u項之電路更進—步包含一延伸在 第一介電物體和第二介電物體之間由導電物質形成的轉 接元件以作爲屏蔽。 1丄根據申請專利範圍第〖2項之電路,更進—步包含一在第 -15- 本纸張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210χ297公菱 I I I II I — 裝— I I I 訂 I I I I ^ : - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD 六、申請專利範圍 二介電物體上且在第二介電物體的導電片上的一 質層。 14. 一電子系統,包含: —電子積體電路;和 至少一分離的元件, 其中此電子積體電路包含: —具有表面的由導電物質構成的基板; 在該基板上且結合於该基板表面上❸玻璃或陶资等 介電物質所形成的物體;該物體包含有彼此成堆積關係 且結合在一起之多層介電物質;和 在此物體的至少某些層的表面上之多片導電物質 此等導電片形成至少一個射頻元件'微波元件: 件、數位元件和内部連線,上述這些元件和内部 連接在一起以形成所需的電路,且此至少—個分、_ 係以電氣連接的方式連結到此電路中。 **件 15.根據申請專利範園第丨4項之系統,其中此 送器、通信接收器、雷達系統和電腦等其中之一疋。<彳5傳 (請先聞讀背面之注項再填寫本頁) 裝. 泉 經濟部中央標準局負工消费合作社印繁 __ -16- 本纸張尺度適用宁國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公董)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US74180996A | 1996-10-31 | 1996-10-31 | |
US2941796P | 1996-10-31 | 1996-10-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW424321B true TW424321B (en) | 2001-03-01 |
Family
ID=26704924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW086116200A TW424321B (en) | 1996-10-31 | 1997-10-30 | Integrated electronic circuit |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5929510A (zh) |
EP (1) | EP0943157A4 (zh) |
JP (1) | JP3405545B2 (zh) |
KR (1) | KR100677005B1 (zh) |
TW (1) | TW424321B (zh) |
WO (1) | WO1998019339A1 (zh) |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5906310A (en) * | 1994-11-10 | 1999-05-25 | Vlt Corporation | Packaging electrical circuits |
US6057600A (en) * | 1997-11-27 | 2000-05-02 | Kyocera Corporation | Structure for mounting a high-frequency package |
US6180426B1 (en) | 1999-03-01 | 2001-01-30 | Mou-Shiung Lin | High performance sub-system design and assembly |
FR2792775B1 (fr) * | 1999-04-20 | 2001-11-23 | France Telecom | Dispositif de circuit integre comprenant une inductance a haut coefficient de qualite |
EP1069639B1 (en) * | 1999-06-29 | 2006-04-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Radio-frequency circuit module |
US6316737B1 (en) | 1999-09-09 | 2001-11-13 | Vlt Corporation | Making a connection between a component and a circuit board |
US6456172B1 (en) * | 1999-10-21 | 2002-09-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayered ceramic RF device |
JP3617399B2 (ja) * | 2000-01-21 | 2005-02-02 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチ |
US6362972B1 (en) | 2000-04-13 | 2002-03-26 | Molex Incorporated | Contactless interconnection system |
US6612852B1 (en) | 2000-04-13 | 2003-09-02 | Molex Incorporated | Contactless interconnection system |
KR100463092B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2004-12-23 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 세라믹 적층 소자 |
US6611419B1 (en) * | 2000-07-31 | 2003-08-26 | Intel Corporation | Electronic assembly comprising substrate with embedded capacitors |
US6970362B1 (en) | 2000-07-31 | 2005-11-29 | Intel Corporation | Electronic assemblies and systems comprising interposer with embedded capacitors |
US6775150B1 (en) | 2000-08-30 | 2004-08-10 | Intel Corporation | Electronic assembly comprising ceramic/organic hybrid substrate with embedded capacitors and methods of manufacture |
US6614325B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-09-02 | Northrop Grumman Corporation | RF/IF signal distribution network utilizing broadside coupled stripline |
JP4529262B2 (ja) | 2000-09-14 | 2010-08-25 | ソニー株式会社 | 高周波モジュール装置及びその製造方法 |
JP3857042B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2006-12-13 | 富士通テン株式会社 | 基板構造 |
US6525922B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-02-25 | Intel Corporation | High performance via capacitor and method for manufacturing same |
TWI313507B (en) | 2002-10-25 | 2009-08-11 | Megica Corporatio | Method for assembling chips |
US6943414B2 (en) * | 2001-03-15 | 2005-09-13 | Newport Fab, Llc | Method for fabricating a metal resistor in an IC chip and related structure |
JP3458120B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2003-10-20 | 富士通カンタムデバイス株式会社 | 高周波半導体装置 |
US7443229B1 (en) | 2001-04-24 | 2008-10-28 | Picor Corporation | Active filtering |
US6985341B2 (en) * | 2001-04-24 | 2006-01-10 | Vlt, Inc. | Components having actively controlled circuit elements |
JP3941416B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2007-07-04 | ソニー株式会社 | 高周波モジュール装置及びその製造方法 |
JP3666411B2 (ja) * | 2001-05-07 | 2005-06-29 | ソニー株式会社 | 高周波モジュール装置 |
US6553662B2 (en) | 2001-07-03 | 2003-04-29 | Max Levy Autograph, Inc. | Method of making a high-density electronic circuit |
US6555914B1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-29 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit package via |
JP2003188338A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-07-04 | Sony Corp | 回路基板装置及びその製造方法 |
TW503496B (en) | 2001-12-31 | 2002-09-21 | Megic Corp | Chip packaging structure and manufacturing process of the same |
TW584950B (en) | 2001-12-31 | 2004-04-21 | Megic Corp | Chip packaging structure and process thereof |
US6673698B1 (en) | 2002-01-19 | 2004-01-06 | Megic Corporation | Thin film semiconductor package utilizing a glass substrate with composite polymer/metal interconnect layers |
TW544882B (en) | 2001-12-31 | 2003-08-01 | Megic Corp | Chip package structure and process thereof |
JP2003218272A (ja) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | Sony Corp | 高周波モジュール及びその製造方法 |
IL165282A0 (en) * | 2002-05-23 | 2005-12-18 | Schott Ag | Method for producing a component comprising a conductor structure that issuitable for use at high frequencies |
WO2003100846A2 (de) * | 2002-05-23 | 2003-12-04 | Schott Ag | Glasmaterial für hochfrequenzanwendungen |
US6865725B2 (en) * | 2003-04-28 | 2005-03-08 | International Business Machines Corporation | Method and system for integrated circuit design |
DE10340438B4 (de) * | 2003-09-02 | 2005-08-04 | Epcos Ag | Sendemodul mit verbesserter Wärmeabführung |
FI20031341A (fi) | 2003-09-18 | 2005-03-19 | Imbera Electronics Oy | Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi |
US6881895B1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-19 | National Semiconductor Corporation | Radio frequency (RF) filter within multilayered low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate |
US8569142B2 (en) * | 2003-11-28 | 2013-10-29 | Blackberry Limited | Multi-level thin film capacitor on a ceramic substrate and method of manufacturing the same |
US7342804B2 (en) * | 2004-08-09 | 2008-03-11 | Cts Corporation | Ball grid array resistor capacitor network |
TWI269420B (en) | 2005-05-03 | 2006-12-21 | Megica Corp | Stacked chip package and process thereof |
US7755457B2 (en) * | 2006-02-07 | 2010-07-13 | Harris Corporation | Stacked stripline circuits |
KR100846207B1 (ko) * | 2006-12-01 | 2008-07-15 | (주)카이로넷 | 다층 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법 |
DE112008001621T5 (de) * | 2007-06-14 | 2010-04-22 | Kyocera Corp. | Gleichstromsperrschaltung, Hybridschaltungsvorrichtung, Sender, Empfänger, Sender-Empfänger und Radarvorrichtung |
DE102008044938B4 (de) | 2008-08-29 | 2013-10-10 | Schott Ag | Verfahren zur Terminierung von lichtleitenden Faserbündeln sowie Hülse mit einem Faserbündel |
US20100226139A1 (en) | 2008-12-05 | 2010-09-09 | Permlight Products, Inc. | Led-based light engine |
JP5746352B2 (ja) * | 2010-09-23 | 2015-07-08 | クゥアルコム・メムス・テクノロジーズ・インコーポレイテッドQUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | 集積化された受動素子と電力増幅器 |
KR102127827B1 (ko) * | 2013-06-05 | 2020-06-30 | 삼성전자주식회사 | 인덕터를 포함하는 인쇄 회로 기판 |
KR102441838B1 (ko) * | 2018-02-14 | 2022-09-08 | 삼성전자주식회사 | 브라켓의 개구부에서 발생되는 공진을 조정하기 위해 개구부에 전기적으로 연결된 도전성 부재를 포함하는 전자 장치 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5206712A (en) * | 1990-04-05 | 1993-04-27 | General Electric Company | Building block approach to microwave modules |
DE59105080D1 (de) * | 1990-05-28 | 1995-05-11 | Siemens Ag | IC-Gehäuse, bestehend aus drei beschichteten dielektrischen Platten. |
JP3058898B2 (ja) * | 1990-09-03 | 2000-07-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその評価方法 |
EP0563873B1 (en) * | 1992-04-03 | 1998-06-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency ceramic multi-layer substrate |
DE4319878A1 (de) * | 1992-06-17 | 1993-12-23 | Micron Technology Inc | Hochfrequenz-Identifikationseinrichtung (HFID) und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP3267409B2 (ja) * | 1992-11-24 | 2002-03-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置 |
US5479141A (en) * | 1993-03-25 | 1995-12-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated dielectric resonator and dielectric filter |
JP3031178B2 (ja) * | 1994-09-28 | 2000-04-10 | 株式会社村田製作所 | 複合高周波部品 |
US5559363A (en) * | 1995-06-06 | 1996-09-24 | Martin Marietta Corporation | Off-chip impedance matching utilizing a dielectric element and high density interconnect technology |
-
1997
- 1997-10-30 TW TW086116200A patent/TW424321B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-10-30 JP JP52079398A patent/JP3405545B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-30 US US08/960,663 patent/US5929510A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-30 KR KR1019997003713A patent/KR100677005B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-10-30 EP EP97946420A patent/EP0943157A4/en not_active Withdrawn
- 1997-10-30 WO PCT/US1997/019820 patent/WO1998019339A1/en not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1998019339A1 (en) | 1998-05-07 |
US5929510A (en) | 1999-07-27 |
EP0943157A4 (en) | 2000-05-24 |
KR20000052867A (ko) | 2000-08-25 |
JP2001503202A (ja) | 2001-03-06 |
KR100677005B1 (ko) | 2007-01-31 |
EP0943157A1 (en) | 1999-09-22 |
JP3405545B2 (ja) | 2003-05-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW424321B (en) | Integrated electronic circuit | |
US7443268B2 (en) | Bandpass filter within a multilayered low temperature co-fired ceramic substrate | |
WO1998019339A9 (en) | Integrated electronic circuit | |
US7978031B2 (en) | High frequency module provided with power amplifier | |
US7064630B2 (en) | High-frequency module and its manufacturing method | |
JP2000286634A (ja) | アンテナ装置及びアンテナ装置の製造方法 | |
KR20040034568A (ko) | 고주파 모듈 기판 장치 | |
JP2004304615A (ja) | 高周波複合部品 | |
TW200830523A (en) | A multi-chip electronic circuit module and a method of manufacturing | |
JP2002271038A (ja) | 複合多層基板およびその製造方法ならびに電子部品 | |
JP2003069360A (ja) | バラントランス | |
JPH09130103A (ja) | 多層基板内層型トラップ付きバンドパスフィルタ | |
JP2004350143A (ja) | バラントランス | |
JPH0661709A (ja) | ハイブリッドカプラ | |
JPH05275960A (ja) | チップディレーライン | |
JPH11225035A (ja) | Lcフィルタ | |
JPH06291520A (ja) | 高周波多層集積回路 | |
JP2004336623A (ja) | 積層型チップバラン素子 | |
JP2004296927A (ja) | 電子部品収納用配線基板 | |
JPH11274876A (ja) | ローパスフィルタおよび回路基板 | |
JP2007158207A (ja) | 積層型電子回路構造体とその製造方法 | |
JPH10190307A (ja) | 高周波モジュール | |
JP2002176337A (ja) | Sawデュプレクサ | |
JP2000286615A (ja) | アンテナ装置 | |
JP2004260377A (ja) | バラントランス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |