TW412816B - Bump-forming apparatus and bump-forming method - Google Patents

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«2816 A7 —----—_____B7 ___ 五、發明說明（1 ) 本發明係關於，在半導體晶gj上形成験電極用之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 隆起電極形成裝置，以及，由該隆起電極形成裝置所執 行之隆起電極形成方法。 近年來，隨著，例如小型攜帶式電話等安裝電子零 件之機器之小型化，上述電子零件也在小型化。因之， 有一種，可以不必從半導體晶圓分出形成在上述半導體 晶圓上之各個電路形成部分，便能夠在上述半導體晶圓 上之各該電路形成部分之電極部分，形成隆起電極之隆 起電極形成裝置。這種隆起電極形成裝置備有：用以從 收容形成隆起電極前之半導體晶圓之第1收容容器，取出 上述形成隆起電極前之半導體晶圓之運入裝置；用以收 容形成有上述隆起電極之形成隆起電極後之半導體晶圊 之第2收容容器；用以載置上述形成隆起電極前之半導體 晶圓，為了接合上述電極部分與隆起電極，而通常將上 述半導體晶圓加熱到攝氏250度至270度之焊接台；將上 述形成隆起電極後之半導體晶圓收容在上述第2收容容器 之運入裝置；以及，將上述晶圓從上述運入裝置移載至 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述焊接台’及從上述焊接台移載至上述運入裝置之移 載裝置。 另有一種，如形成上述攜帶式電話等所使用之Saw Surface Acoustic Wave)薄膜之半導體晶圓，其基盤不是 傳統之矽’而是水晶構成，或由鋰釔，鎵砷等構成之所 謂化學物半導體晶圓。使用這種化學物半導體晶圓時， 形成上述隆起物時也要加熱到最高150度C前後，但是有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 4 A7 B7 hiUih 五、發明說明（2 ) --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 必要使其加熱及冷卻速度較傳統之矽晶圓慢。特別是， 不緩慢冷卻時，有時會使上述化學物半導體晶圓發生焦 電效果，引起電路之破壞，或因晶圓之熱變形使晶圓烈 開。 如此’在化學物半導體晶圓形成隆起電極之隆起電 極形成裝置，必須進行與傳統之在矽晶圓形成隆起電極 )之隆起電極形成裝置不相同之溫度控制。 本發明之目的在提供，在半導體晶圓形成隆起電極 之别後，進行與以往不相同之溫度控制之隆起電極形成 裝置，以及，由該隆起電極形成裝置所執行之隆起電極 形成方法。 為了達成上述目的，本發明第丨實施形態之隆起電極 形成方法’係在形成於半導體晶圓之電路之電極上，形 成隆起電極之隆起電極形成方法，其特徵在於， -線. 在為了形成隆起電極而進行之上述半導艘晶圓之本 ;、加熱後，在上述半導體晶圓焊接隆起電極，然後在將該 ： 半導體晶圓收容於收容容器前，對半導體晶圓進行控制 溫度下降之後冷卻動作。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 而本發明第2實施形態之隆起電極形成方法，則除了 上述第1實施形態之隆起電極形成方法之外，也可以執行 上述本加熱前，對上述半導體晶圓預先進行預熱動作。 而本發明第5實施形態之隆起電極形成方法，則除了 上述第1實施形態之隆起電極形成方法之外，也可以在將 上述半導體晶圓載置於，將上述半導體晶圓加熱到上述

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五、發明說明（3 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本加熱時之隆起電極焊接用溫度之焊接台後，進行上述 隆起電極焊接前，對載置於上述焊接台之該半導體晶圓 ，將接觸在上述焊接台之該半導體晶園之烊接台接觸面 側之溫度，與面對上述焊接台接觸面之該半導體晶圓之 電路形成面側之溫度之溫度差，控制在用以抑制該半導 體晶圓之扭曲使其不影響形成隆起電極之不發生扭曲之 溫度範圍内。 本發明第3實施形態之隆起電極形成裝置，係備有： 用以載置半導體晶圓，同時對上述半導體晶圚本加熱到 在該半導體晶圓之電路之電極上形成隆起電極所需要之 隆起電極焊接溫度之焊接台；載置在上述焊接台，在上 述半導趙晶圓之上述電極上形成上述隆起電極之隆起電 極形成頭；以及，在上述焊接台裝卸上述半導體晶圓之 移載裝置之隆起電極形成裝置，其特徵在於，備有， 在經過上述本加熱之上述半導體晶圓焊接隆起電極 後，對上述半導體晶圓，依據溫度下降控制，冷卻上述 半導體晶圓之後冷卻裝置。 而本發明第4實施形態之隆起電極形成裝置，除了上 述第3實施形態之隆起電極形成裝置之外，也可以備有， 將上述半導體晶圓載置於上述焊接台，在將上述半導體 晶圓加熱到上述隆起電極焊接溫度前，進行上述半導體 晶圓之預熱動作之預熱裝置。 而本發明第6實施形態之隆起電極形成裝置，則除了 上述第3實施形態之隆起電極形成裝置之外，也可以備有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) ί ----I---訂-----I I-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

五、發明說明（4 ) ，將上述半導體晶圓載置於上述焊接台後，進行上述隆 起電極之焊接以前，對載置於上述焊接台上之該半導體 晶圓，將接觸在上述焊接台之該半導體晶圓之焊接台接 觸面側之溫度，與面對上述焊接台接觸面之該半導體晶 圓之電路形成面側之溫度之溫度差，控制在用以抑制該 半導體晶圓之扭曲使其不影響形成隆起電極之不發生扭 ()曲之溫度範圍内之晶圓溫度控制裝置。 依據本發明第1實施形態之隆起電極形成方法，及第 3實施形態之隆起電極形成裝置時，因為備有後冷卻裝置 ’可以在晶圓形成隆起電極後’執行控制該晶圓之溫度 下降之後冷卻動作，因此在處理對溫度變化敏感之化學 物半導體晶圓時’也不會發生焦電效果引起之電路破壞 ，或熱變形引起之龜裂等事故。 同時’依據本發明第2實施形態之隆起電極形成方法 ，及第4實施形態之隆起電極形成裝置時，因為除了後冷 ^卻裝置之外，另備有預熱裝置，在晶圓形成隆起電極前 控制該晶圓之溫度上升，同時對晶圓加熱，因此在處理 對溫度變化敏感之化學物半導體晶圓時，可以進一步防 止焦電效果引起之電路破壞，或熱變形引起之龜裂等事 故。 同時，依據本發明第5實施形態之隆起電極形成方法 ’及第6實施形態之隆起電極形成裝置時，則進一步備有 晶圓溫度控制裝置，可對載置於焊接台上之半導體晶圓 ’在不影響形成隆起電極之情況下實施溫度控制，以抑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — — — — ·1111111 ^ ·11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 412816 A7 B7 五、發明說明（5 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

制該半導體晶圓之扭曲，因此例如在200至250度C之高溫 下’半導體晶圓仍可維持平坦狀態，因此可以在上述高 溫下，在上述半導體晶圓形成隆起電極。 第1實施形態 兹參照附圖說明’本發明實施形態之隆起電極形成 裝置’及由該電極形成裝置執行之隆起電極形成方法如 下。附圖中，相同之零件標示同一記號。再者，第丨圖所 示之本實施形態之隆起電極形成裝置1〇1適合於處理上述 化學物半導體晶圓，以下之說明也是以在上述化學物半 導體晶圓形成隆起電極時為例子，但處理對象並不限定 在上述化學物半導體晶圓，傳統之矽晶圓當然也可以處 理。再者，這個時候，形成隆起電極之晶圓之溫度要如 上述加熱到約250度c至270度C。而上述隆起電極形成裝 置101係備有，層狀收容形成隆起電極前之化學物半導體 晶圓201之第1收容容器205，及層狀收容形成隆起電極後 之化學物半導體晶圓202之第2收容容器206之所謂雙卡片 槽型，但不限定為該型式，也可以採用，將上述形成隆 起電極前之化學物半導體晶圓2(n，及形成隆起電極後之 化學物半導體晶圊202收容在一個收容容器之所謂單卡片 槽型。 上述隆起電極形成裝置101之基本架構，與傳統隆起 電極形成裝置之架構並無不同。亦即，該隆起電極形成 裝置101大致上具備有，一個焊接台11〇、一 形成頭.運送裝置⑽、移載裝置刚、分別 .111— _ — — — — —, I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------束！ n n n ϋ

本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 n n - 絰 濟 郎 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 ft 印 製 五、發明說明（ 收谷容器205、206，可分別使第1收容容器205、206昇降 之昇降裝置150、以及控制裝置180。然而，隆起電極形 成裝置101係如後述之動作說明所示，特別在處理上述化 學物半導體晶圓時，執行在上述控制裝置18〇控制下之動 作’使能進行不會在該半導體晶圓發生晶圓龜裂等之溫 度控制’這一點與傳統之隆起電極形成裝置有很大之不 同。以下說明上述各構成部分。 上述焊接110，可載置上述形成隆起電極前之化學物 半等體晶圓（以下簡稱為「形成隆起電極前之晶圓」）20i ’同時可以將形成隆起電極前之晶圓201加熱到，在形成 於該形成隆起電極前之晶圓201上之電路之電極上形成隆 起電極所需要之隆起電極焊接用溫度。 上述隆起電極形成頭120，係用以在載置於上述焊接 台110之被加熱到上述之隆起電極焊接用溫度之形成隆起 電極前之晶圓201之上述電極’形成隆起電極之習用裝置 ’除了供應隆起電極用材料之金線之線材供應丨21以外， 另備有可溶融上述金線形成球体，而將該溶融球体擠壓 在上述電極之隆起電極製作部，在上述擠壓時使超音波 作用在隆起電極之超音波產生部等。而如此構成之隆起 電極形成頭120，係設置在’例如具有球形螺栓構造，可 以在平面上向相互垂直之XY方向移動之X、γ抬122上， 可藉上述X、Y抬122移向XY方向，而在固定之上述形成 隆起電極前之晶圓201上之各電極形成隆起電極。 該隆起電極形成裝置101設有兩類上述運送裝置130 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I---II-------裝 ----- 訂 - ----II ·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 A7 412816 --------- B7 ____ 五、發明說明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’其一之運入裝置131，係用以從上述第1收容容器2〇5取 出上述形成隆起電極前之晶圊2〇1之裝置，另一運出裝置 132，係用以將形成隆起電極後之化學物半導體晶圓（以 下簡稱為「形成隆起電極後晶圓」）2〇2，運送收容在上 述第2收容容器206之裝置。詳情係如第2圖所示，上述運 入裝置131及上述運出裝置132沿上述X方向並排設置，可 以藉固定在機架133之無桿汽缸134之可動部134a，分別 獨立’且由固定在上述機架133之引導構件135引導，而 向X方向移動》再者，如第1圖所示，在運入裝置131及運 出裝132之間’配置有上述焊接台n〇，因此運入裝置13ι 在第1收容容器205與焊接台11〇之間移動，運出裝置132 在焊接台110與第2收容容器206之間移動。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*1^ 如第2圖所示’運入裝置13丨備有安裝在支持構件1314 之可動側挾持構件13 11與固定側挾持構件i 3丨2，上述可 動側挾持構件1311上可載置形成隆起電極前晶圓2〇ι。又 可藉安裝在上述支持構件1314之具有汽缸之驅動部1313 ’使上述可動側挾持構件13丨i向形成隆起電極前之晶圓 2〇1之直徑方向移動。再者，上述驅動部1313係用以使可 動側挾持構件1311向離開固定側挾持構件13 12之方向， 即向開方向移動，而向接近固定侧挾持構件1312之方向 ’即向閉方向之可動側挾持構件1311之移動，則利用例 如彈簧等彈性構件之彈力為之。而使如此構成之運入裝 置131之可動側挾持構件1311向上述開方向移動，藉上述 無桿汽缸134之可動部134a移動到對應上述第1收容容器 10 本紙張尺度 t _家標準（CNS)A4規·格（210x 297公餐）

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 ) 205之形成隆起電極前之晶圓2〇1之位置，而在該移動後 ，使上述可動側挾持構件1311向上述閉方向移動，即可 藉sit在可動側挾持構件1311之定位輥1315，及固定侧挾 持構件1312之位置節制輥1316，挾持上述形成隆起電極 前之晶圓2(H。再者，第！收容容器2〇5係載置於構成上述 昇降裝置150之第1昇降裝置151，該第1昇降裝置151令上 >述第1收容容器205昇降’藉此由上述運入裝置131將形成 隆起電極前之晶圓201配置在可取出之位置。而由運入裝 置131從第1收容容器205取出之形成隆起電極前之晶圓 201，則由上述移載裝置14〇挾持《再者，運入裝置131之 上述動作係由控制裝置1 80加以控制。 上述運出裝置132備有，用以載置從移載裝置14〇移 載之上述形成隆起電極後晶圓202之載置構件1321。該載 置構件1321在對應所載置之形成隆起電極後晶圓2〇2之大 致中央部分，成列狀形成有’用以吸著保持形成隆起電 (、極後晶圓202之多數吸引孔1322，此等吸引孔1322係連接 在由控制裝置180控制動作之吸引裝置1323。而在運出裝 置132形成有’鄰接上述吸引132之本實施形態之特徵之 一之用以喷出形成隆起電極後之晶圓2〇2之冷卻控制用氣 体之多數送氣孔1324。此等送氣孔1324係連接在由控制 裝置180控制之送風裝置1325。因之，本實施形態可以藉 由送風裝置1325之送氣孔1324噴出之控制溫度之氣体， 以較自然冷卻時為緩慢之速度，冷卻載置在載置構件1321 之形成隆起電極後晶圓202。而從送氣孔1324喷出之空氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11 I 裝------訂-----!-線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 412816 a7 _B7____ 五、發明說明（9 ) 則通過形成在載置構件1321之排氣用溝1326，排出載置 構件1321之外部。再者，送氣孔1324係開口於上述排氣 用溝1326，另一方面，上述吸引孔1322則開口於形成隆 起電極後晶圓202所接觸之載置構件1321之表面1321a。 因此，從送氣孔1324喷出之空氣會通過排氣用溝1326， 因此不會從載置構件1321吹落形成隆起電極後晶圓202 » 又，送氣孔1324、排氣用溝1326及吸引孔1322之數目並 不限定如圖示。 而在上述運入裝置131之載置晶圓201之構件上，即 本實施形態之可動侧挾持構件1311上也可以配設上述送 氣孔1324、送風裝置1325及排氣用溝1326。 移載裝置140係從上述運入裝置131，將上述形成隆 起電極前之晶圓201移載到上述焊接台11〇,且從焊接台 110將上述形成隆起電極後晶圓202移載至上述運出裝置 132之裝置，如第3囷所示，在本實施形態係備有保持晶 圓201、202之一個保持部141，使該保持部141沿上述X方 向移動之具有螺栓構造而由馬達1421驅動之驅動部142， 以及使上述保持部141在保持之晶圓201、202之厚度方向 昇降之移動部143。上述保持部141係配置在上述焊接台 110 ’上述運入裝置131之可動側挾持構件1311及固定侧 挾持構件1312 ’以及上述運出裝置132之載置構件1321之 各該上方位置，而如上述，利用移動部143之昇降，在上 述焊接台110上述運入裝置131及上述運出裝置132間移載 上述晶圓201、202。如此構成之移載裝置14〇係由控制裝 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 公釐） 12 ------------裝.--11---訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明說明（10 ) :180加以控制。又如第3圖所示，移載裝置刚也可以配 «X他以非接觸狀態測量所挾持之上述晶圓2〇1、2〇2之 溫度，並將測量結果送到控制裝置180之溫度測量器1419 〇 如第3圖及第5圖所示，上述保持部141具備有，本發 月之項特徵之在上述晶圓201、202之平面上，從相互 垂直之兩個方向分別挾持上述晶圓201、2〇2之一對夾緊 構件構成之第1夾緊構件^丨丨-丨、1411_2(有時合稱為第1 夾緊構件1411)，及第2夾緊構件1412_丨、1412 2(有時合 稱為第2夾緊構件1412)，並設有，使此等第i夹緊構1411_ 1、1411-2及第2夾緊構件1412-1、1412-2接近或離開之驅 動機構1413❶上述第1夾緊構件1411在第丨夾緊構件14111 ’第1夾緊構件1311-2間之相互面對之位置，設有兩組夾 緊機構1414。上述第2夾緊構件1412在第2夾緊構件1412- 1 ’第2夾緊構件1412-2間之相互面對之位置，設有一組 夾緊機構1414。此等夾緊機構1414，係如第6圊所示，備 有：外殼1415 ;在厚度方向貫穿上述第丨夾緊構件1411及 第2夾緊構件1412，可沿軸方向在外殼141 5内滑動之梢 1416;以可在該梢1416之轴周圍方向轉動自如狀安裝在 上述梢1416端部，具有防止掉落用突緣之保持用配件丨417 ;以及，設在上述外殼1415内，將該梢1416推壓向轴方 向之彈簧1418。這種夾緊機構1414，沿著以上述第1夾緊 構件1411及第2夾緊構件1412挾持之上述晶圓201、202周 圍，以大致相等之間隔配置在六處，因此，上述保持用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 13 -------II--I I ----I---訂--------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 412816 A7 ' ------------ 五、發明說明（11 ) 配件1417係在上述六處保持上述晶圓201、202。 本實施形態因如此，不僅備有第1夾緊構件14η，同 時備有第2夾緊構件1412，因而得如上述，以大致相等之 間隔’在六處配置上述晶圓201、202，因此，不會在上 述晶圓201、202施加偏移之應力，而且不會有不均之溫 度分布。亦即，上述保持用配件1417係接觸於上述晶圓201 、202之周圍，而挾持該晶圓2〇1、202 ,因此，特別是在 加熱狀態之形成隆起電極後晶圓202時，會從該形成隆起 電極後晶圓202，向上述保持用配件1417傳遞熱量。惟因 以大致相等之間隔將保持用配件1417配置在六處，因此 特別是挾持形成隆起電極後晶圓202時，上述保持用配件 1417也不會將溫度分布不均之熱量加在晶圓2〇2。因此， 如上述，不僅具有第1夾緊構件1411也備有第2夾緊構件 1412，以大致相等之間隔在六處保持晶圓2〇 1、2〇2之本 實施形態之架構’特別對需要將形成隆起電極後之冷卻 進行得較矽晶圓時緩慢，對溫度變化很敏感之化合物半 導體晶圓，防治上述龜裂等事故非常有效。 而，又因上述梢1416可沿軸方向移動，上述保持用 配件1417也可沿轴方向移動。例如，在上述焊接台11〇保 持形成隆起電極後晶圓202時，被加熱之形成隆起電極後 晶® 202有時會因熱而扭曲》以上述保持用配件1417挾持 如此扭曲之形成隆起電極後晶圓202時，形成隆起電極後 晶圓202會隨著冷卻，而從上述扭曲之狀態恢復到原來之 平坦狀態。由於上述保持用配件1417會隨著形成隆起電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----裝--I--I--訂---I I----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 14 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 ----^___Β7__ I、發明說明（12 ) 極後晶圓202之復原，而向上述轴方向移動，因此夾緊機 構1414不會使上述晶圓202產生應力。 使上述第1夾緊構件1411及第2夾緊構件1412接近或 離開之驅動機構1413，備有驅動源之汽缸14131，及與上 述第1夹緊構件1411-2之移動同步，使第2夾緊構件1412-1 、1412-2移動之第2夾緊構件移動機構14132。第2夾緊構 !) 件移動機構14132具有，介由關節部14136連結，一端連 接在第1夹緊構件1411-2之第1構件14133，及可在轉動中 心軸14134之軸周圍轉動之第2構件14135之構造，上述第 1構件14133會隨著第1夾緊構件1411-2之X方向轉動而移 動，第2構件14135也隨著轉動，使上述第2夾緊構件1412 向Y方向移動。 驅動機構1413之動作如下。為了挾持上述晶圓201、 202 ’令第1夾緊構件1411及第2夾緊構件1412分別離開時 ，汽缸14131動作，其輸出轴14137向上述X方向伸出，先 ') 向X方向移動至連結在該輸出轴14137之上述第1夾緊構件 1411-1抵接到停止器為止，而因上述停止器，使第i夾緊 構件1411-1停止移動，接著，第1夹緊構件1411-2向X方 向移動。隨著該第1夾緊構件1411-2之移動，如上述，第 2夾緊構件移動機構14132之動作使第2夾緊構件1412向Y 方向移動》如果令第1夾緊構件1411及第2夾緊構件1412 分別離開時，首先第1夾緊構件1411-1移動，接著第1夾 緊構件1411-2及第2夾緊構件1412同時移動。反之，為了 挾持晶201、202，而使第1夾緊構件1411及第2夹緊構件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 15 -------------裝--------訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 412816 A7 ____B7 五、發明說明（η ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1412分別接近時，上述汽缸14131之動作，首先使第1夾 緊構件1411-2及第2夾緊構件1412同時移動，接著第1失 緊構件1411-1移動。 如此，使第1夾緊構件1411-2及第2夾緊構件1412與第 1夾緊構件1411-1間之動作定時在時間上錯開，則，特別 在挾持晶圓201、202時，可以防止一下子將力量全加上 〇 再者，本實施形態係藉上述焊接台110、移載裝置14〇 、及控制裝置180構成對形成隆起電極前之晶圓2〇1之預 熱裝置，及後冷卻裝置。再者，本實施形態係如上述， 以一個控制裝置180控制上述預熱裝置及後冷卻裝置之動 作’但也可以對應上述預熱裝置及上述後冷卻裝置，分 別配設控制此等裝置之動作之第2控制裝置180-2，及第1 控制裝置180-1。又如本實施形態，從設在載置構件1321 之送氣孔1324，藉送風裝置1325喷出控制溫度之氣体之 運出裝置132，或如後述之第11圖至第13圖所示之變形例 ’在載置構件配設隔熱材料之運出裝置，也可以包含在 上述後冷卻裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對此’也可以分別配設一組焊接台丨1()、移載裝置14〇 、及控制裝置180，以各組分別構成上述預熱裝置及上述 後冷部裝置。再者，在該架構，也可以將預熱裝置及後 冷卻裝置所具備之之各控制裝置，整合成為一個。也可 以在該架構之後冷卻裝置，包含上述之喷出控制溫度之 氣体之運出裝置132，或配設隔熱材料之運出裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（21Q χ 297公 ------ -16 - 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 ----------B7___ 五、發明說明（14 ) 再說明’如以上構成之本實施形態之隆起電極形成 裝置101之動作如下。該動作由控制裝置180加以控制， 該控制裝置18 0會至少執行本實施形態之詳細後述之特徵 動作，如以上述焊接台11〇形成隆起電極後，在將形成隆 起電極後晶圓202收容於第2收容容器206前，一面控制溫 度同時冷卻形成隆起電極後晶圓202之後冷卻動作。又， ；)在以下之說明，晶圓201、202係以3吋化合物半導體晶圓 為其例子’當然’其種類及大小並不限定如此。 使第1昇降裝置151動作，昇降第1收容容器2〇5，以 便將形成隆起電極前之晶圓2〇1配置在，能藉上述運入裝 置131從第1收容容器2〇5取出之位置。以下，如第7圖所 示，在步驟（圖内以「s」表示口，令運入裝置131移動至 第1收容容器205，藉運入裝置131之可動側挾持構件π 11 ，及固定側挾持構件1312，保持形成隆起電極前之晶圓 201。在下一步驟2 ’從第1收容容器2〇5取出所保持之形 ' >成隆起電極前之晶圓201，加以運送。在下一步驟3，令 移載裝置140之保持部141，移動至運入裝置131所保持之 形成隆起電極前之晶圓2〇1上方，驅動移載裝置14〇之移 動部143，使保持部141下降，同時，驅動保持部141之汽 缸14131，使第1夾緊構件1411及第2失緊構件1412離開。 接著，藉上述汽缸14131之動作，使第1夾緊構件1411接 近，並使第2失緊構件1412接近，以保持上述形成隆起電 極前之晶圓201。在下一步驟4，令保持部141上升，且藉 驅動部142使保持部141移動至上述焊接台11〇上方。 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — - I I---I I ---11111 ^^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 412816 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（15 ) 本實施形態’係在焊接台110上載置形成隆起電極前 之晶圓201前’在步驟5，進行本實施形態特徵之一之， 以保持部141保持形成隆起電極前之晶圓2〇 1之狀態下， 預熱形成隆起電極前之晶圊201之動作。這是因為，將在 常溫之形成隆起電極前之晶圓2〇1立即載置於焊接台u〇 上’加熱到最高約150度C之隆起電極焊接溫度時，對溫 度變化敏感之化合物半導體晶園，有可能會發生上述焦 電效果引起之電路破壞，或上述龜裂等，而為了避免發 生這種情況，將晶圓201預先加熱。 關於上述預熱之具体方法，本實施形態係採，在已 加熱到上述隆起電極焊接溫度之焊接台110之上方，面對 焊接台110，而成非接觸狀態，配置由保持部14丨保持之 形成隆起電極前之晶圓201，利用焊接台110之放射熱加 熱之方法。這種預熱方法之形成隆起電極前之晶圓2〇1之 溫度上升控制，可藉控制焊接台n〇與形成隆起電極前之 晶圓201間之空隙大小，及在該位置之形成隆起電極前之 晶圓201之配置時間之至少一方，而達成，並如第8圊第9 圓所示，可藉上述.空隙大小及上述配置時間之組合，進 行各種之上述溫度上升控制。第8囷係表示，預熱動作中 ’不改變空隙大小及上述配置時間之情況下，在形成隆 起電極前之晶圓201之溫度成為平衡狀態時，將形成隆起 電極前之晶圓201載置於焊接台11〇上，加熱到上述隆起 電極焊接溫度之一段預熱型之溫度上升曲線》另一方面 ’第9圊係表示’預熱動作中，改變空隙大小及上述配置 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18 4 4 - . — II ι!ί -裝 i 1----—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明說明（16 ) 時間之情況下之一段預熱型之溫度上升曲線。再者，第8 圖及第9圖所示之tl、t2、t3、t4、t5係預熱所用之時間， ΤΙ、T2、T3、T4係預熱動作之上述平衡狀態之溫度τ， 表示上述隆起電極焊接溫度。而以記號1〇〇1表示之溫度 上升曲線表不本實施形態之情形，上述空隙大小為4mm ，以到達80度C需要約90秒之溫度上升率，保持其狀態i 到2分鐘後，載置於焊接台no上。 從各種《a·度上升控制中，選擇適當之控制之條件是 ，從例如矽晶圓，或化合物半導體晶圓，或者該化合物 之種類之半導趑晶圓之材質，半導體晶圓之厚度之至少 —方加以選擇。 又可以將上述各種溫度上升控制範式，預先當作預 熱用程式，記憶在控制裝置180所具備之記億部，而依據 輸入之半導體晶圓之上述材質及厚度之至少一方，由控 制裝置180自動選擇適合預熱之溫度上升控制，也可以依 據，從設在保持部141之溫度測量器1419供給控制裝置18〇 之形成隆起電極前之晶圓201之實際之溫度資訊，進行溫 度上升控制。 而本實施形態係利用焊接台110之熱量，進行上述預 熱，但並非限定如此，也可以另外配備預熱用之加熱裝 置。 、’、 再者本實施形態係實施步驟5但不限定如此，也可以 從上述步驟4移行至以下說明之步驟6。 在步驟6,係與傳統之隆起電極形成裝置—樣，由移 412816 A7

1、發明說明（17 ) 載裝置140在加熱之焊接台ι10上載置形成隆起電極前之 晶園201 ’形成隆起電極前之晶圓2〇1被加熱到上述隆起 電極焊接用溫度。然後，在上述X、γ抬122，使上述隆 起電極形成頭120分別移動到各該隆起電極形成處所，一 面以隆起電極形成頭120,在上述形成隆起電極前之晶圓 201上形成隆起電極。 在需要處所形成所有之隆起電極後，在步驟7，藉移 載裝置140從焊接台11〇上保持上述形成隆起電極後晶圓 202’在步驟7之後，在步驟8或步驟9，執行本實施形態 之特徵之一之後冷卻。這是因為，將在上述隆起電極焊 接用溫度之形成隆起電極後晶圓2〇2,立即載置於運出裝 置132之常溫之載置構件1321上時，因從形成隆起電極後 晶圓202至載置構件1321之熱傳導，對溫度變化敏感之化 合物半導體晶圓，有可能會發生上述龜裂等，為了避免 這種事故，而控制溫度下降以冷卻晶圓2〇2。上述後冷卻 之方法，本實施形態包括有，在步驟8執行之與上述預熱 樣，藉移載裝置140將形成隆起電極後晶圓2〇2配置於 焊接台11〇上方之方法，及在步驟8執行之藉移載裝置14〇 將形成隆起電極後晶圓202配置於焊接台11〇上方以外之 冷卻位置，例如配置在運出裝置132之載置構件1321上方 等之方法。不論是那一方法，均避免形成隆起電極後晶 園202在形成隆起電極後，立即接觸到常溫之載置構件 1321，而使形成隆起電極後晶圓2〇2之溫度下降延緩◊再 者’後冷卻之方法不限定如上述，也可考慮後述之 -------------•裝*-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

5.广..Ί··- 五、 發明說明（IS ) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 Μ 方法。 在步驟8執行之後冷卻動作，與上述步驟5之預熱動 作樣，藉改變上述空隙大小及上述配置時間之至少一 方，最好疋使雙方變化，進行，例如第1〇圖所示，描繪 與上述第8圖及第9圖所示之溫度上升曲線大致相反之溫 度下降曲線之溫度下降控制。再者，以記號1〇〇2表示之 >溫度下降曲線，係與上述一段預熱型一樣，在後冷卻動 作中，不改變上述空隙大小及上述配置時間時之曲線， 以a己號1003表示之溫度下降曲線，係與上述多段預熱型 一樣，在後冷卻動作中，改變上述空隙大小及上述配置 時間時之曲線。而t6、t7係後冷卻所使用之時間，T5、τ6 係後冷部動作中，在平衡狀態之溫度，τ〇表示常溫。再 者，經過上述時間t6、t7時，將形成隆起電極後晶圓2〇2 移載於運出裝置132之載置構件1321。 而各種溫度下降控制之選擇，係與上述預熱動作時 f 一樣，依據晶圓201、202之材質及厚度大小之至少一 ，加以選擇。. 同時，可以與上述預熱動作時一樣，將上述各種 度下降控制範式，預先當作後冷卻用程式，記憶在控制 裝置180所具備之記憶部，而依據輸入之半導體晶圓之上 述材質及厚度之至少一方，由控制裝置18〇自動選擇適合 後冷卻之溫度下降控制，也可以依據，從設在保持部141 之溫度測量器1419，供給控制裝置180之形成隆起電極後 之晶圓202之實際之溫度資訊，進行溫度下降控制。 方 溫

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-------------裝--- <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而本實施形態，係利用焊接台110之熱量，進行上述 後冷卻動作，但並非限定如此，也可以另外配備後冷卻 用之加熱裝置。 在步驟9執行之後冷卻動作，與上述步驟8不同，從 焊接台110發散之熱量不會有作用，因此較之上述步驟8 ’形成隆起電極後晶圚202之溫度下降速度較快。然而， 較之形成隆起電極後立即移載於上述載置構1321時，因 為對載置構件1321無熱傳導，因此冷卻速度較慢，縱使 是上述化合物半導體晶圓，也不會發生上述龜裂等事故

矽及水晶之半導體晶圓，較下述之材質比較能夠快 丨丨 加熱，快冷卻》由鋰釔等構成之化學物半導體晶圓，在 | 加熱及冷卻時，對上述龜裂最好是每分鐘5〇度(：以下之速 t 度，對確實保降電氣電路動作之位準，最好是每分鐘3度 |

c以下之速度。再者，超過上述每分鐘3度(：之速度時仍 I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可充分保障電氣電路動#。而溫度上升速度則有時5G度 j c/io秒前後之速度便可以，溫度下降控制之控制條件較 | 嚴。雖然現狀未確^，但鎵坤之半導體晶圓也類似上述 ! 鋰釔半導體晶圓。 ! 上述厚度，與上述溫度上升速度，及溫度下降速度 j 之明確之關係’目前尚未確認。但如上述，由移載裝i [ 本紙張尺度適用117國國家標準(CNS)A4規格（2〗0 X 297公爱') 22

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之保持部挾持時，厚度較薄時比較容易因挾持力而扭曲 ，因此不利。 再者，步驟8或步驟9被執行，本實施形態係執行步 驟9，但不限定如此。亦即，採上述材質及厚度時也可 以依步驟8之後執行步驟9之順序執行。而且，本實施形 態之載置構件132卜係如上述，可以送出由送風裝置1325 控制溫度之空氣，因此可以藉上述空氣使載置構件⑽ 之狐度預先上升到常溫以上，或者延緩載置在載置構件 1321之形成隆起電極後晶圓2〇2之溫度下降。因此，採用 這種構造時，依半導體晶圓之上述材質或上述厚度也 可以從上述步驟7移到以下說明之步驟1〇。 而藉從載置構件1321送出上述溫度受控制之空氣之 架構，也可以防止上述化合物半導體晶圓發生龜裂等事 故。 經 濟 郎 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 j土 印 製 又如上述，可以送出溫度受控制之空氣，控制晶圓2〇2 之溫度下降，因此不必等待藉上述後冷卻，使晶圓2〇2之 溫度平衡，便可以將晶圓202移載至上述載置構件1321上 。因此，在只配設一個移載裝置14〇時，可以儘快從為了 後冷卻動作而保持晶圓2〇2之動作，釋放移載裝置14〇， 可以縮短動作時間。 在步骤8或步驟9之下一步驟10，從移載裝置ι4〇將形 成隆起電極後晶圓202 ’移載到運出裝置132之栽置構件 132卜 在步驟11 ’藉運出裝置132將形成隆起電極後晶圓2〇2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 297公釐） 23 412816 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（21 ) 運送到第2收容容器206，對由第2昇降裝置152設定成可 收容形成隆起電極後晶圓202之高度之第2收容容器206， 於步驟12’由運出裝置132收容形成隆起電極後晶圓202 。再者，步驟10至步驟12之動作，與以往之動作一樣。 如以上所說明，依據本實施形態之隆起電極形成裝 置101及隆起電極形成方法時，並非在焊接台11〇上，將 开> 成隆起電極前之晶圚201立即加熱到上述隆起電極焊接 用溫度，而是藉預熱動作控制上升溫度，預先對形成隆 起電極前之晶圓201加熱，因此，處理對溫度變化敏感之 化合物半導體晶圓時，也不會發生焦電效果引起之電路 破壞，或熱變形引起之龜裂等事故。而且，因為不是在 形成隆起電極後，將形成隆起電極後晶圓2〇2直接從隆起 電極用溫度，移載至常溫之運出裝置1325之載置構件1321 上，而是藉後冷卻動作，一面控制溫度下降，同時冷卻 形成隆起電極後晶圓202，因此，處理上述化合物半導體 晶圓時，也不會發生上述電路破壞，或上述龜裂等事故 〇 上述隆起電極形成裝置101，也可以採下述架構之變 形例子。 在上述實施形態，運出裝置132之載置構件1321用金 屬板形成，但亦可以如第11圚至第13圊所示之運出裝置 251、252、253 ,在與形成隆起電極後晶圓2〇2之接觸部 分，配設，本實施形態係樹脂材製成之隔熱材，以延緩 較常溫為高溫之形成隆起電極後晶圓202之冷卻。 I r . --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 24 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7 _ 五、發明說明（22 ) 亦即，第11圖所示之運出裝置251，係在金屬製之載 置構件,2511上配設隔熱材料2512，以避免形成隆起電極 後晶圓202與載置構件2511直接接觸，且利用樹脂材構成 之隔熱材料2512，使形成隆起電極後晶圓202之熱量不容 易傳到載置構件25 11 »並且，在隔熱材料25 12配設突起 2513 ’令形成隆起電極後晶圓202與隔熱材料25 12成點接 ,) 觸，使熱傳導更困難。如此構成，則較之將形成隆起電 極後晶圓202直接載置在金屬製之載置構件2511上時，可 以延緩形成隆起電極後晶圓202之溫度下降。 第12圖所示之運出裝置252,在上述之運出裝置251 之構造外另在載置構件2521與隔熱材料2522之間形成空 氣層2523。如此形成有隔熱效果之空氣層2523，便比較 容易遮斷從隔熱材料2522至金屬製之載置構件2511之熱 傳導’較之上述運出裝置251，可以延緩形成隆起電極後 晶圓202之溫度下降。 ’ > 再者，如上述運出裝置251及運出裝置252,在金屬 . 製之載置構件上配設隔熱材料之理由是，以平面加工容 易之金屬製之載置構件作成平滑面，使載置形成隆起電 極後晶圓202之上述隔熱材之載置面平滑，若只有隔熱材 ’也可以使上述載置面平滑，則也可以如第13圖之運出 裝置253 ’僅用隔熱材料253 ’構成形成隆起電極後晶圓202 之載置構件。 再者，配設這種附設隔熱材之運出裝置25卜252、253 時’也可以如上述延缓形成隆起電極後晶圓202之溫度下 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝-------—訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 25 412816 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（23 ) 降，因此可以執行步驟8或步驟9,但也可以省略。 又如’以上述運出裝置251為例子所示之第14圖，上 述突起2513在安裝時，與隔熱材料2512及載置構件2511 之間留有空隙2515。因此，載置於運出裝置251後，形成 隆起電極後晶圓202向垂直於厚度方向移動時，突起2513 也因為上述空隙’而與形成隆起電極後晶圓202 —起向上 述垂直方向移動。因此，在突起固定之狀態下，形成隆 起電極後晶圓202進行上述移動時，形成隆起電極後晶圓 202有可能與上述突起相擦，而因上述突起而傷到上述形 成隆起電極後晶圓202，但因如上述，形成隆起電極後晶 圓202與突起2513—起向同一方向移動，上述受傷之可能 性便不存在。 又如圖示，突起2513對隔熱材料2512，在形成隆起 電極後晶圓202之厚度方向也留有空隙2515，因此，也可 以在形成隆起電極後晶圓202之厚度方向移動。 也可以用與隔熱材料2512、2522、2531不同之材質 ，製成上述突起2513。 也可以，為了使對形成隆起電極前之晶圓2〇1，及形 成隆起電極後晶圓202之保溫較上述實施形態良好，而在 上述移載裝置140配設保溫裝置。第15圖表示，在上述移 載裝置140安裝保溫裝置262之移載裝置261。 保溫裝置262備有，蓋体用構件2621及驅動部2624。 蓋体用構件2621係用以對上述晶圓201、202保溫之構件 ，備有，在上述晶圓2(H、202之厚度方向，將上述晶圓2〇1 本紙張尺度適用111國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） „ - * ----— — — — —---------I--訂---------t' <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 26 A7 B7 五、發明說明（24 、202夾在中間，覆蓋具有上述第j夾緊構件1411及第2夹 緊構件1412之保持部141之上部蓋体2622，及下部檔門 2623 »上述下部檔門2623係由，可沿保持部丨41所挾持之 晶圓201、202之直徑方向，由上述驅動部2624使其左右 開閉之兩個下部擋門2623-1、2623-2所構成。在各下部播 門2623-卜2623-2設有多數貫穿該下部檔門2623 1、2623_2 之開口 2625，使焊接台11〇之熱量較容易作用於上述晶圓 201 ' 202 « 由於配設如此構成之保溫裝置262,因而可以在挾持 晶圃201、202之狀態下，關閉下部檔門2623，如上述， 在步驟5及步驟8，將晶圓2〇1、202載置於烊接台110上方 ，使焊接台110之熱量進入蓋体用構件2621，而留在内部 ，對晶圓201、202保溫。同時，在上述保溫裝置262可以 配設，溫度加以控制，可向挾持在蓋体用構件262丨内之 晶圓201、202 ,喷吹支援上述晶圓2〇1、2〇2之保溫之氣 体之保溫支援裝置263 ^再者，本實施形態之上述氣体係 氮氣，由管2631引導向晶圓2〇1、202喷吹，使該氮氣沿 上述Ba圓201、202之表面流動。如此喷吹氣体，則可以 均一之溫度將晶圓201、202保溫。若喷吹氮氣或惰性氣 体便可以防止形成在晶圓201、202之電極之氧化》 而除了防止上述晶圓201、202之上述龜裂等事故， 為了縮短隆起電極形成過程，也可以在上述實施形態及 其變形例之架構，再加上下述架構。 亦即，如上述本實施形態之移載裝置14〇僅設有一個 --------------裝--- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) LSJ· · -線. 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 费 合 作 社 印 製 27 A7 412816 一 - —-_ 五、發明說明（25) 保持部141 ’但也可以如第4圖所示之移載裝置144，有兩 個移載裝置144-、144-2，而例如以移載裝置144-1移載形 成隆起電極前之晶圓201，以移載裝置144-2移載形成隆 起電極後晶因202,分別獨立驅動。再者，各移載裝置144-1 、144-2也分別設有上述溫度測量器1419。 如此構成’則可以由上述保持部141分擔上述形成隆 起電極前之晶圓201之移載動作，及上述形成隆起電極後 晶圓202之移載動作，可以縮短時間。 而僅有一個移載裝置140時，可以在運入裝置131及 運出裝置132之至少一方，如第16圖所示配設暫行保持構 件271。再者，設在運入裝置131側之暫行保持構件271當 作第1暫行保持構件27M，設在運出裝置132側之暫行保 持構件271當作第1暫行保持構件271 -2 。例如以運入裝置 131為例，第1暫行保持構件271_丨係呈夾住載置構件ΐ32ι 之U字形’可沿載置於上述載置構件1321之晶圓202之厚 度方向，由控制裝置18〇所控制之驅動裝置272使其昇降 。如此配設第1暫行保持構件271-1，便可以在上述載置 構件1321與第1暫行保持構件271-1之間送受晶圓201，載 置構件1321可以去取出下一形成隆起電極前之晶圓2〇1。 這種作用及效果，在第2暫行保持構件271_2時也一樣。 又在第17圖所示之僅有一個晶圓201、202之收容容 器302之所謂單卡片槽型之隆起電極形成裝置3〇ι，若在 上述暫行保持構件，8&備，具有加熱器之附設加熱器之 暫時保持裝置303、上述暫行保持構件304、在上述收容 本紙張尺㈣財_家標準（CNS)A4規格⑵〇 x 297公愛） ----------- -----訂----— II-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 28 發明說明（26 ) 容器302送進送出晶圓2G1、2〇2之運送裝置3()5、以及移 載裝置306，便可以，例如將運送裝置305所取出之形成 隆起電極前之晶圓2(H，載置於上述附設加熱器之暫時保 持裝置303，進行上述預熱，同時以空的運送裝置3〇5去 取出下一個形成隆起電極前之晶圓2(H，並以移載裝置3〇6 ，從焊接台110將形成隆起電極後晶圊2 〇 2移載至暫行保 持構件304。如此，由於有暫行保持構件，而可以並行執 行各動作，因此，上述單卡片槽型也可以縮短時間。再 者，在这種架構，上述附設加熱器之暫時保持裝置3〇3須 要在預熱後，載置下一個形成隆起電極前之晶圓2〇1以前 ，冷卻到常溫，因此最好備有適宜之冷卻裝置。 第2實施形態 在以上之說明，作為例子使用之化合物半導鱧晶圓 問題很少，但，例如在水晶之基盤上形成半導體電路之 半導體晶圓（以下稱作「水晶半導鱧晶圓」），則有以下所 示之問題。再者，在此所說明之水晶半導體晶圓，係以 直徑3吋，厚度〇.3至0 35mm者為例，但當然不限定如此 如上述，從較容易在半導體晶圓上形成隆起電極等 之觀點來講，上述隆起電極焊接用溫度係如上述，例如 矽晶圓為約250度至約270度C，鋰釔晶圓則為約150度C， 且愈高愈佳。上述水晶半導體晶圓也不例外，但依據申 請人所作之將進行預熱之上述水晶半導體晶圓，載置於 设定成各種溫度之上述焊接台上，加熱到上述隆起電極 4128^6 A7 ___________B7 _ 五、發明說明（27)

谭接溫度之實驗時，發現下述現象。縱使以每分鐘5度C 之昇溫速度，將上述焊接台慢慢加熱到上述焊接台達到 --------------裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 約250度，亦即如第19圖所示，接觸上述焊接台之水晶半 導想晶圓211之焊接台接觸面側2m逹到上述焊接台之約 250度時，水晶半導體晶圓211便如第19圖所示，發生扭 曲。又上述焊接台之溫度，與載置前之水晶+導趙晶圓211 之/里度差有約50度C時，水晶半導體晶圓211便如第19囷 所示，發生扭曲。而上述溫度差就算在兄度^以下，若以 每分鐘20度C快速加熱時，也會發生上述扭曲。 再者，上述扭曲之具體值在第19圖所示之尺寸〗時， 約為2mm。 如此扭曲之狀態下，無法將水晶半導體晶圓211吸著 在上述焊接台上，當然也無法在水晶半導體晶圓2U上形 成隆起電極。另一方面，強行將如此扭曲之水晶半導體 晶圓211吸著在上述焊接台上時，水晶半導體晶圓2ιι會 烈開。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發生上述扭曲之原因被認為，本質上是水晶半導趙 晶園211之物性，但直接的原因是，水晶半導體晶圓2ιι 之厚度方向之溫度不平均。亦即，水晶半導體晶圓2 u載 置於上述焊接台110上後，水晶半導體晶圓211之上述焊 接〇接觸面側211b會被快速加熱，但面對上述焊接台接 觸面側211b之該水晶半導體晶圓2U之電路形成面側2113 之溫度上升速度，卻比上述焊接台接觸面側2111?慢。因 此，上述焊接台接觸面侧21 lb與電路形成面侧2na產生 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 30 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 _____B7_ 五、發明說明（28 ) 溫度差，該溫度差引起上述扭曲。 因此’本實施形態係如第1圏或第18圖所示，配設晶 圓溫度控制裝置160，以控制載置在焊接台110上之水晶 半導體晶圓211之上述電路形成面侧211a，與焊接台接觸 面側211 b之溫度差’使晶圓之扭曲量，對在載置之水晶 半導體晶圓211形成隆起電極時不產生影響，本實施形態 ;) 係將水晶半導體晶圓211之扭曲量，抑制在50微米以内。 再者，上述晶圓之扭曲量，係對應水晶半導體晶圓21 i成 凸狀扭曲時，水晶半導體晶圓211被吸著在焊接台no前 之狀態之第19圖所示之「I」之尺寸之量。而實際形成隆 起電極時，因為有上述吸著動作，上述5〇微米之值成為 約20微米以下。上述晶圓溫度控制裝置16〇，為了將上述 溫度差控制在上述不發生扭曲之溫度範圍内，對載置焊 接台110上之水晶半導體晶圓211之上述電路形成面侧 21 la加熱’或冷卻上述焊接台接觸面側211b。在此，依 (^據上述之實驗結果，上述不發生扭曲之溫度範圍，係大 . 約在20度C以内。 在晶圓溫度控制裝置160，對上述電路形成面側211 a 加熱之形態係如第18圖所詳示，配設有加熱風喷吹裝置 161。加熱風喷吹裝置161設置在焊接台u〇裏側之不干擾 隆起電極形成頭120之動作之處所，對載置焊接台no上 之水晶半導體晶圓211之電路形成面側211 a之全面，或大 致全面喷吹，上述溫度差會在上述不發生扭曲之溫度範 圍内之溫度之加熱風。例如焊接台11〇之溫度設定在2〇〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 31 ---------I---裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

412816 A7 五、發明說明（29 ) 度c，而從加熱風喷吹裝置161吹出3〇秒左右之2〇〇度c之 加熱風。 再者，加熱風喷吹裝置161之設置處所不限定如上述 也了以例如焊接台11〇之前側等。而加熱風喷吹裝置161 係連接在上述控制裝置180，依據與焊接台110之溫度之 關係’控制上述加熱風之溫度喷吹時間、風量、風速等 〇 另一方面，在晶圓溫度控制裝置160冷卻上述焊接台 接觸面側211b之形態，則可以如第18圖所詳示，配設冷 卻風供應裝置162。傳統上，焊接台設有多數吸著半導體 晶圓用之吸引用孔1U，此等係介由空氣通路112連通於 吸引裝置113。上述冷卻風供應裝置ία係連接在上述空 氣通路112，經由空氣通路112，可將上述冷卻風供給上 述焊接台接觸面側21 lb之之全面或大致全面。再者，傳 統上’在焊接台11〇上設有所載置之半導體晶圓之定位用 及支持用之突起114，因此’由冷卻風供應裝置ι62供應 上述冷卻風時’水晶半導體晶圓211不會從焊接台11〇上 脫落。這樣之冷卻風供應裝置162連接在上述控制裝置180 ’依據與焊接台110之溫度之關係，控制上述冷卻風之溫 度、供應時間、風量、風速等。在本實施形態，焊接台11〇 之溫度設定在200度C時，從冷卻風供應裝置162送出20秒 左右之冷卻風。再者，剛從冷卻風供應裝置162送出，到 達上述焊接台接觸面側211b前之上述冷卻風之溫度為185 度C 〇 本纸張尺度適用1ί7國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） »- — — — — — — — —— I —I— ·1111111 ^ . - II----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 32 A7 B7 ν· 'u ΑΧ分 五、發明說明（3〇 ) 再者，矯正上述扭曲之方法，本來是配設，溫度較 上述焊接台接觸面侧211b低，用以對上述電路形成面側 211a加熱之上述加熱風喷吹裝置161較為理想但是較之 配設加熱風喷吹裝置161時，冷卻風供應裝置162可以利 用現有之上述空氣通路112,又有設置場所之選擇自由度 ，因此很方便》 () 再參照第20圖，說明如上述構成之晶圓溫度控制裝 置160之動作如下。再者，第20圖所示之動作，係第7圚 所示步驟6之進行水晶半導體晶圓211之加熱、烊接時之 動作。而本貫施形態’係以上述冷卻風供應裝置162作為 上述晶圓溫度控制裝置160之情形為例子。 本實施形態之焊接台110，係設定為200度C。如上述 ’烊接台110之溫度，與載置在焊接台110之水晶半導趙 晶圓211之溫度差，必須在50度c以内，因此，在上述步 驟5實施上述之預熱》在本實施形態，該預熱係如參照第 '^ 8圖所說明，分兩階段執行’首先使水晶半導體晶圓211 . 昇溫到100度’然後加熱到150度C。結束該預熱時，水晶 半導體晶圓211，與上述電路形成面側2iia，及焊接台接 詹 觸面侧211b均為同一溫度。 接著’在步驟61，藉上述移載裝置140之保持部141 ’將水晶半導體晶圓211載置於焊接台11〇上，藉此在步 驟62，對水晶半導體晶圓211進行上述本加熱。因上述載 置’上述水晶半導體晶圓211會被快速加熱，因此，水晶 半導趙晶圓211開始發生上述扭曲，但於執行步驟62之同 本紙張尺度適用111國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------^ · I----I I I I-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 33 412816 A7 —--------------------- 五、發明說明（31 ) 時執饤步驟63。亦即，由上述冷卻風供應裝置162，向水 b日半導體晶圓211之焊接台接觸面側2Ub之全面或大致全 面供應大約2G秒之冷卻風，抑制焊接台接觸面側2丄化之 腹度上升。因之，可以使上述電路形成面側211a,與焊 接台接觸面側211b之溫度差，在將該水晶半導體晶圓211 之扭曲抑制在，於載置之水晶半導體晶圓211形成隆起電 極時，不發生影響之上述晶圓扭曲量之不發生扭曲之溫 度範圍内。如此，在本實施形態，水晶半導體晶圓211被 加熱到焊接台110之設定溫度之上述2〇〇度C之焊接用溫度 〇 而在步驟64,在加熱到上述焊接用溫度後，上述吸 引裝置113之動作將水晶半導體晶圓211吸著在焊接台11〇 上’以隆起電極形成頭120在電路形成部分形成隆起電極 〇 以後，則執行上述步驟7以後之動作。 如此’依據本實施形態時，因為本加熱時，水晶半 導體晶圓211產生之扭曲被抑制在，形成隆起電極時不產 生影響之晶圓扭曲量之範圍内’因此可以在上述晶圓扭 曲量之la圍内’將水晶半導艘晶圓211加熱到例如200度 至250度C之南溫’而在水晶半導體晶圓211形成隆起電極 〇 如上述’冷卻風供應裝置162係向焊接台接觸面側 211b之全面或大致全面平均供應冷卻風，但從更有效防 止上述扭曲之關點言之，也可以使不同場所之溫度，或 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I--ml----裝 i I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I . 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 34 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 hio^ih ------- B7____ 五、發明說明（32 ) 供應量不相同。例如，可以具備有向水晶半導體晶圓211 之中央部分供應上述冷卻風之冷卻風供應裝置，及向其 他部分供應上述冷卻風之冷卻風供應裝置，使上述中央 部分之冷卻風，較其他部分之冷卻風之溫度低，或使風 景較大。 再者，上述說明係以水晶半導體晶圓211為例子，但 ^不限定如此，對使用熱傳導不佳，且熱膨脹率因溫度而 有很大變化之物質之半導體晶圓，上述第2實施形態很有 效。 本發明參照附圖，對相關之可取實施形態有充分之 記述，但對精通此技術者，各種變形或修正應該非常清 楚。只要不脫離申請專利範圍之本發明範圍，這些變形 或修正應包含在其範圍之内。 圖式之簡單說明 第1圖係表示本發明實施形態之隆起電極形成裝置之 ) 斜視圖》 第2圖係表示，第1圖所示運送裝置之斜視圖。 第3圖係表示，第1圖所示移載裝置之斜視圖。 第4圖係表示，第3囷所示移載裝置之變形例子之斜 視園。 第5圖係表示，第3圖所示移載裝置之平面圖。 第6圖係表示，第3圊所示移載裝置之夹緊機構之載 面圖。 第7圖係表示，以第1圖所示隆起電極形成裝置，所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) 35 -------------裝-----I--訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 412816 A7 五、發明說明（33 ) 執行之隆起電極形成方法之動作之流程圖。 第8圖係表示，第7圖所示步驟5之預熱之各種溫度上 升曲線之圏表。 第9圖係表示’第7圖所示步驟5之預熱之各種溫度上 升曲線之圖表。 第10圖係表示，第7圖所示步驟8或步驟9之溫度下降 曲線之圖表。 第11圖係表示，第1圖所示運出裝置之變形例子之載 面圖。 第12圖係表示，第1圖所示運出裝置之變形例子之載 面圊。 第13圖係表示，第1圊所示運出裝置之變形例子之截 面圖。 第14圖係表示，第u圊至第13圊所示運出裝置所具 備之突起部分之載面圖。 第15圖係表示，第丨圊所示移載裝置之變形例子之圖 〇 第16圖係表示，第1圚所示隆起電極形成裝置之變形 例子所具備之暫行保持構件之斜視圊。 第Π圖係表示，第丨圊所示隆起電極形成裝置之變形 例子之方塊圖。 第18圖係表示，在第1圖所示隆起電極形成裝置備有 ’構成晶圓溫度控制裝置之加熱風喷吹裝置之狀態之钭 視圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — — — — — ·1111111 — — — — — — — I— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 36 A7 __B7五、發明說明（34 ) 第19圖係表示，在焊接台上之水晶半導體晶圓發生 扭曲之狀態之圖。 第20圖係表示，在第1圖所示隆起電極形成裝置，備 有晶圓溫度控制裝置時之第7圖之步驟6之動作之流程圖 元件標號對照 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 101···隆起電極形成裝置 1321…載置構件 110···焊接台 1322…吸引孔 111·.·孔 1324···送氣孔 112···空氣通路 1325…送風裝置 113···吸引裝置 133…機架 114…突起 134…無桿汽缸 120···隆起電極形成頭 135…引導構件 130···運送裝置 140…移載裝置 131···運入裝置 141…保持部 132···運出裝置 1411…第1夾緊構件 1311…可動侧挾持構件 1412…第2夾緊構件 1312…固定側挾持構件 1413…驅動機構 1313…驅動部 1414…夾緊機構 1314…支持構件 1415…外殼 1315…定位輥 1416…梢 1316…位置節制輥 1417…保持用配件 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 37 412816 A7 B7 五、發明說明（35 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1419…溫度測量器 1421…馬達 150···昇降裝置 160···晶圓溫度控制裝置 161…加熱風噴吹裝置 162…冷卻風供應裝置 180…控制裝置 201…形成隆起電極前之晶圓 202…形成隆起電極後晶圓 205…第1收容容器 206…第2收容容器 211…水晶半導體晶圓 21 la…電路形成面側 211b…焊接台接觸面側 251…運出裝置 2511…載置構件 2512…隔熱材料· 2513…突起 252···運出裝置 2521…載置構件 2522…隔熱材料 253…運出裝置 2531…隔熱材料 261…移載裝置 262…保溫裝置 2621…蓋体用構件 2622…上部蓋体 2623…下部檔門 2624…驅動部 2625…開口 263…保溫支援裝置 263l·..管 271…暫行保持構件 301-…隆起電極形成裝置 302···收容容器 303···附設加熱器之暫時保 持裝置 304…暫行保持構件 305···運送裝置 306…移載裝置 38 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 412816 έΐ C8 _____ D8 六、申請專利範圍 1. 一種在形成於半導體晶圓上之電路之電極上，形成隆 起電極之隆起電極形成方法，其特徵在於， 在為了形成隆起電極而進行之上述半導體晶圚之 本加熱後，於上述半導體晶圓焊接隆起電極，然後， 在將該半導體晶因收容於收容容器之前，對上述半導 體晶圓進行，控制上述半導體晶圓之溫度下降之後冷 卻動作。 2如申請專利範圍第丨項之隆起電極形成方法，上述後 冷卻動作’係在結束上述隆起電極之焊接後，以非 接觸狀態，將上述半導體晶圓配置在，用以將上述 半導體晶圓加熱到，在形成於半導體晶圓上之電路 之電極上形成隆起電極所需之上述本加熱之隆起電 極焊接用溫度之焊接台上方，而為之。 3如申請專利範圍第1項之隆起電極形成方法，上述後 冷卻動作’係在結束上述隆起電極之焊接後，將上 述半導體晶圓配置在，偏離用以將上述半導體晶圓 加熱到，在形成於半導體晶圓上之電路之電極上形 成隆起電極所需之上述本加熱之隆起電極焊接用溫 度之焊接台上方之冷卻位置 ，而為之。 4如申請專利範圍第1項之隆起電極形成方法，上述後 冷卻動作，係依據預先設定之後冷卻用程式執行。 5如申請專利範圍第1項之隆起電極形成方法，上述後 冷卻動作，係一面實際測量上述半導體晶圓之溫度 ’同時執行。 本紙張尺度樹轉料（⑽A娜（脆赠） ^------1T------f 0 (請先閲讀背面之注意事赘A填寫本頁) -經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 6如申請專利範圍第2項之隆起電極形成方法，上述後 冷卻動作之溫度下降，係藉改變，將上述半導想晶 圓加熱到，在形成於半導體晶圓上之電路之電極上 形成隆起電極所需之上述本加熱之隆起電極烊接用 溫度之焊接台，與上述半導體晶圓間之空隙尺寸， 以及’將上述半導體晶圓，以非接觸狀態配置在上 ) 述焊接台上方之配置時間之至少一方，而加以控制 〇 7如申請專利範圍第6項之隆起電極形成方法，上述後 冷卻動作之溫度下降，係藉多次改變上述空隙尺寸 及配置時間之至少一方之控制，而加以執行β 8如申請專利範圍第1項之隆起電極形成方涞，上述後 冷卻動作，係依據上述半導體晶圓之材質及厚度之 至少一方’加以控制。 9如申請專利範圍第丨項之隆起電極形成方法，在上述 > 本加熱之執行前，預先對上述半導體晶圓進行預熱 動作。 10如申請專利範圍第9項之隆起電極形成方法，在將上 述半導體晶圓載置於，將上述半導體晶圓加熱到， 於形成於半導體晶圓上之電路之電極上形成隆起電 極所需之上述本加熱之隆起電極焊接用溫度之焊接 台’以執行上述本加熱時，上述預熱動作，係將上 述半導體晶圓’以非接觸狀態，配置在上述烊接台 之上方，而為之。 本紙張尺度適用中國國家標^iTI^i~f210x297公兼） 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注^^項再填寫本頁) 40 經濟部中央揉準局貞工消费合作社印製 412816 as C8 __________ D8 六、申請專利範圍 11如申請專利範圍第10項之隆起電極形成方法上述 預熱動作，係依據預先設定之預熱用程式執行。 12如申請專利範圍第1〇項之隆起電極形成方法，上述 預熱動作，係實際測量上述半導體晶圓之溫度，同 時執行。 13如申請專利範圍第1〇項之隆起電極形成方法上述 預熱動作之溫度上升，係藉改變，將上述半導體晶 圆加熱到，於形成於半導體晶圓上之電路之電極上 形成隆起電極所需之上述本加熱之隆起電極焊接用 k度之焊接台，與上述半導體晶圓之空隙尺寸，以 及’將上述半導體晶圓配置在上述焊接台上方之配 置時間之至少一方，而加以控制。 14如申請專利範圍第13項之隆起電極形成方法，上述 預熱動作之溫度上升，係藉改變多次上述空隙尺寸 及配置時間之至少一方之控制，而加以執行。 15如申請專利範圍第9項之隆起電極形成方法，上述預 熱動作，係依據上述半導體晶圓之材質及厚度之至 少一方加以控制。 16如申請專利範圍第9項之隆起電極形成方法，執行上 述預熱動作及上述後冷卻動作之雙方時，將上述後 冷卻動作之上述溫度下降控制之單位時間之溫度變 化率，設定成較上述預熱動作之上述溫度上升控制 為細。 17如申請專利範圍第1項之隆起電極形成方法，上述半 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公着）

   ¾— (請先閲讀背面之注意事子為填寫本頁) 、^ 線 41

   -經濟部中央揉率局貝工消費合作社印裝 導體晶圓係化合物半導體晶圓β 18如申請專利範圍第1項之隆起電極形成方法，將半導 體晶圓載置於，將上述半導體晶圓加熱到上述本加 熱之隆起電極焊接用溫度之焊接台上後，進行上述 半導體晶圓焊接前，對載置在上述焊接台上之該半 導體晶圓，將接觸於上述焊接台之該半導體晶圓之 焊接台接觸面侧（211b)，與面對焊接台接觸面之該半 導體晶圓之電路形成面侧（211a)之溫度差，控制在， 將該半導體晶圓之扭曲抑制在對形成隆起電極時不 會有影響之不發生扭曲之溫度範圍内。 19如申請專利範圍第18項之隆起電極形成方法，在上 述不發生扭曲之溫度範圍内之控制，係藉對載置在 上述焊接台之上述半導體晶圓之上述電路形成面側 加熱，而達成。 20如申請專利範圍第19項之隆起電極形成方法，上述 電路形成面側之加熱，係將具有上述溫度差在上述 不發生扭曲之溫度範圍内之溫度之加熱風，吹在上 述電路形成面，而為之。 21如申請專利範圍第18項之隆起電極形成方法在上 述不發生扭曲之溫度範圍内之上述控制，係藉冷卻 在上述焊接台之上述半導體晶面之上述焊接台接觸 面側，而達成。 22如申請專利範圍第21項之隆起電極形成方法，上述 焊接台接觸面側之冷卻，係將具有上述溫度差在上 1 I n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 本紙張尺度適用中國國冢標準（CNS〉A4規格（210x297公釐 42 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局負工消費合作社印*. 申請專利範圍 述不發生扭曲之溫度範圍内之溫度之冷卻風，吹在 上述焊接台接觸面，而為之。 23如申請專利範圍㈣項之隆起電極形成方法，上述 不發生扭曲之溫度範圍，係20度C以内。 24如申請專利範圍第18項之隆起電極形成方法上述 半導體晶圓，係以水晶為基盤之晶圓。 25 —種隆起電極形成裝置，備有：可載置半導體晶圓 ，同時將上述半導艘晶圓加熱到，於形成於半導體 晶圓上之電路之電極上形成隆起電極所需之上述本 加熱之隆起電極焊接用溫度之焊接台（11〇);在載置 於上述焊接台上之上述半導體晶圓之上述電極上， 形成上述隆起電極之隆起電極形成頭（12〇);以及， 在上述焊接台裝卸上述半導體晶圓之移載裝置（14〇) 之隆起電極形成裝置，具備有， 在上述本加熱之上述半導體晶圓焊接隆起電極 後，對上述半導體晶圓，依據溫度下降控制，進行 上述半導體晶圓之冷卻之後冷卻裝置（11〇、14〇、18〇) 〇 26·如申請專利範圍第25項之隆起電極形成裝置，上述後 冷卻裝置備有，上述焊接台、移載裝置、及第丨控制 裝置（180-1)，係用以利用上述烊接台之熱量，進行上 述半導鱧晶圓之後冷卻動作之裝置，上述第1控制裝 置’將保持上述半導體晶圓之上述移載裝置，配置在 加熱到上述隆起電極焊接溫度之上述焊接台上方，且 良紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------„--裝------訂------一線 (請先閲讀背面之注意事爭4填寫本頁) 43 .經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 π、申請專利範圍 上述半導體晶圓不接觸到上述焊接台之位置。 27.如申請專利範圍第26項之隆起電極形成裝置，上述第 1控制裝置，係藉改變’上述焊接台與上述半導體晶 圓之空隙尺寸’以及將上述半導體晶圓配置在上述焊 接台上方之配置時間之至少一方，以控制上述半導體 晶圓之上述後冷卻動作之溫度下降。 )28.如申請專利範圍第27項之隆起電極形成裝置，藉上述 第1控制裝置之上述後冷卻動作之溫度下降控制，係 藉改變多次上述空隙尺寸及配置時間之至少一方之控 制，而加以執行。 29. 如申請專利範圍第26項之隆起電極形成裝置，上述第 1控制裝置’係依據預先設定之後冷卻用程式，執行 上述後冷卻動作。 30. 如申請專利範圍第26項之隆起電極形成裝置，備有， 測量進行上述後冷卻動作之半導體晶圓之溫度之第t ] 溫度測量器（1419)，上述第1控制裝置，係依據上述第 1溫度測量器實際測量之上述半導體晶圓之溫度，控 制上述後冷卻動作。 31. 如申請專利範圍第26項至第3〇項中任一項之隆起電極 形成裝置，上述第1控制裝置，係依據上述半導體晶 圚之材質及厚度之至少一方，以控制上述後冷卻動作 〇 32. 如申請專利範圍第25項之隆起電極形成裝置，進一步 備有，將上述半導體晶圓載置於上述焊接台，對上 ---------t-------ΐτ------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 44 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印裝 412816 as B8 C8 __________D8 六、申請專利範圍 半導體晶圓加熱到上述隆起電極焊接用溫度之前，先 進行上述半導體晶圓之預熱動作之預熱裝置（110、140 ' 180)。 33. 如申請專利範圍第32項之隆起電極形成裝置，上述預 熱裝置備有，上述焊接台、上述移載裝置、及第2控 制裝置（180-2)，係用以利用上述焊接台之熱量進行上 述半導體晶圓之預熱動作之裝置，上述第2控制裝置 將保持上述半導鱧晶圓之上述移載裝置’配置在加熱 到上述隆起電極焊接溫度之上述焊接台上方，且上述 半導體晶圓不接觸到上述焊接台之位置。 34. 如申請專利範圍第33項之隆起電極形成裝置，上述第 2控制裝置，係藉改變，上述焊接台與上述半導體晶 圓之空隙尺寸，以及，將上述半導體晶圓配置在上述 焊接D上方之配置時間之至少一方，以控制上述半導 體晶圓之上述預熱動作之溫度上升。 35. 如申請專利範圍第34項之隆起電極形成裝置，藉上述 第2控制裝置之上述預熱動作之溫度上昇控制，係藉 多次改變，上述空隙尺寸及配置時間之至少一方之控 制，而加以執行。 36. 如申請專利範圍第33項之隆起電極形成裝置，上述第 2控制裝置，係依據預先設定之預熱用程式，執行上 述預熱動作》 37. 如申請專利範圍第33項之隆起電極形成裝置，備有， 測量進行上述預熱動作之半導體晶圆之溫度之第2溫 本紙張尺度適财s®家辟（CNS) A4^ (21{}><297公^

   ^-- (請先閱讀背面之注意事項-T填寫本頁) 訂 .ii-----*----------- 45 .經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 度測量器（1419)，上述第2控制裝置，係依據上述第2 溫度測量器實際測量之上半導體晶圓之溫度，控制上 述預熱動作。 38·如申請專利範圍第33項之隆起電極形成裝置上述第 2控制裝置，係依據上述半導體晶圓之材質及厚度之 至少一方，控制上述預熱動作。 )39.如申請專利範圍第25項之隆起電極形成裝置，進一步 傷有’收容上述半導體晶圓之收容容器（2〇5、2〇6)， 以及對該收容容器運送上述半導體晶圓，同時，與上 述移載裝置之間送受上述半導體晶圓之運送裝置（13〇 ) 〇 40. 如申請專利範圍第39項之隆起電極形成裝置，進一步 備有：保持藉上述運送裝置從上述收容容器取出之形 成隆起電極前之半導體晶圓（201)，交給上述移載裝置 之第1暫行保持構件（271-1);以及，從上述焊接台保 ) 持上述移載裝置所保持之形成隆起電極後之半導艘晶 圓（202)，將其移交給上述運送裝置之第2暫行保持構 件（271·2)之至少一方。 41. 如申請專利範圍第25項之隆起電極形成裝置，上述移 載裝置備有，以大致相同之間隔配置在上述半導體晶 圓之周圍’對上述半導體晶圓不施加力學上的應力， 且不產量溫度坡度之夹緊機構（1414)。 42. 如申請專利範圍第39項之隆起電極形成裝置，上述收 容容器具備有’收容形成隆起電極前之半導趙晶圓 ---------^------、玎------ (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁)

   46 - 412816 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 (201)之第1收容容器（205)，及收容形成隆起電極後之 半導體晶圓（202)之第2收容容器（206)。 43. 如申請專利範圍第39項之隆起電極形成裝置，上述運 送裝置備有，載置上述半導體晶圓之載置構件（2511、 2521)，該載置構件之至少與上述半導體晶圓之接觸 部分’設有可使上述半導體晶圓之溫度下降延緩之隔 熱材料（2512、2522)。 44. 如申請專利範圍第42項之隆起電極形成裝置上述運 送裝置備有，從上述第1收容容器取出上述形成隆起 電極前之半導體晶圓之運入裝置（131)，以及，將形成 隆起電極後之半導體晶圓運出到上第2收容容器之運 出裝置（132)。 45. 如申請專利範圍第44項之隆起電極形成裝置，上述運 送裝置含在上述後冷卻裝置，該運送裝置備有，可將 由上述第1控制裝置控制其溫度之氣体，吹送到所載 置之上述形成隆起電極後之半導體晶圓之送風裝置 (1325)。 46. 如申請專利範圍第45項之隆起電極形成裝置，上述氣 体係惰性氣体。 47. 如申請專利範圍第45項之隆起電極形成裝置，上 体係氮氣。 48. 如申請專利範圍第33項之隆起電極形成裝置，上述移 載裝置備有，可以覆蓋在執行上述半導體晶圓之上述 預熱動作，及上述後冷卻動作之至少一方時所保持之 家榇準(CNS) Αϋ(··210χ297々釐)

   經濟部中央標準局男工消費合作社印製 上半導體晶圓，對該半導體晶圓保溫之開閉自如之蓋 体用構件（2621 )，該蓋体用構件設有，可使上述焊接 台之熱量進入之開口（2625)。 49. 如申請專利範圍第48項之隆起電極形成裝置上述移 載裝置進一步備有，對由上述蓋体用構件覆蓋之上述 半導體晶圓，喷吹控制溫度之用以支援上述半導體晶 圓之保溫之氣体之保溫支援裝置（263)。 50. 如申請專利範圍第4〇項之隆起電極形成裝置，上述移 載裝置備有，可將上述運入裝置，或上述第丨暫行保 持構件所保持之上述半導體晶圓，移載至上述焊接台 之第1移載裝置（144-1)，以及，將上述半導體晶圓從 上述焊接台移載至上述第2暫行保持構件之第2移載裝 置（144-2)。 51. 如申請專利範圍第25項之隆起電極形成裝置，進一步 備有，將半導體晶圓載置於上述焊接台上後，進行上 述半導體晶圓焊接前，對載置在上述焊接台上之該半 導體晶圓，將接觸於上述焊接台之該半導體晶圓之焊 接台接觸面侧（211b)，與面對焊接台接觸面之該半導 體晶圓之電路形成面側（21 la)之溫度差，控制在將該 半導體晶圓之扭曲抑制在，對形成隆起電極不會有影 響之不發生扭曲之溫度範圍内之晶圓溫度控制裝置（ 160)。 ^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Ϊ m m in 52·如申請專利範圍第51項之隆起電極形成裝置，上述晶 圓溫度控制裝置，係藉對載置在上述焊接台之上述

   本紙珉尺度適用卞國國家棣準 (CNS ) ( 210x297公董） m ί · 48 412816 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 申請專利範圍 導體晶圓之上述電路形成面側加熱，而達成在不發生 扭曲之溫度範圍内之上述控制。 53. 如申請專利範圍第52項之隆起電極形成裝置，上述晶 圓溫度控制裝置，係將具有上述溫度差在上述不發生 扭曲之溫度範圍内之溫度之加熱風，吹在上述電路形 成面’而進行對上述電路形成面側之加熱。 54. 如申請專利範圍第5丨項之隆起電極形成裝置，上述晶 圓溫度控制裝置’係藉冷卻載置在上述焊接台之上述 半導體晶圓之上述焊接台接觸面側，而達成上述在不 發生扭曲之溫度範圍内之上述控制。 55. 如申請專利範圍第54項之隆起電極形成裝置，上述晶 圓溫度控制裝置’係將具有上述溫度差在上述不發生 扭曲之溫度範圍内之溫度之冷卻風，吹在上述焊接台 接觸面’而進行對上述焊接台接觸面側之冷卻β 56. 如申請專利範圍第51項之隆起電極形成裝置，上述不 發生扭曲之溫度範圍，係2〇度C以内。 57. 如申請專利範圍第51項之隆起電極形成裝置，上述半 導體晶圓，係以水晶為基盤之晶圊。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） ---------裝------訂------ii------- (請先閱讀背面之注意事項r填寫本頁) 49