TW396440B - Method and system for controlling manufacturing steps in the manufacture of monocrystalline semiconductor silicon wafers - Google Patents
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Description
A7 _______Β7____ 五、發明説明(1 ) 發明之背景 發明之範圍: 本發明是關於一種在由單晶半導體矽晶棒製造單晶半導 體矽晶圓的過程中用於控制原料、半成品和成品之流動的 控制製造步驟之方法,以及關於一種在過程中控制製造步 驟之系統。 相關技藝之說明: 傳統上,單晶半導體矽晶圓以如圖3所示之方式製造, 圖3顯示其主要製造步驟。一進入之晶棒(ingot)承受一系 列切片、硏光、去角、蝕刻、鏡面拋光和淸洗之步驟,藉 以獲得晶圓。其次,如此獲得之晶圓承受檢驗、品質保證 、包裝等之步驟,然後運送。而且,各種次步驟在這些步 驟之間執行。步驟之順序不限於圖3者,但可依據目的而修 改。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 在傳統晶圓製造過程中,切片是以一晶棒爲基準而首先 執行。即,單一晶棒被當作單一批組(lot )而處理。因此 ,批組之大小依據晶棒之長度而顯著變化。此外,批組之 大小係大到數百至一千晶圓。作一對比,在接續於切片步 驟之步驟中,整批處理之大小(the processing-batch size) 係小到單一晶圓至數十晶圓,且在各步驟之間變更。於是 ,一具有每單位時間內最小的整批處理大小之製造步驟係 充當速率決定步驟,而處理速率是依最小的整批處理大小 而定。結果,在單一批組之處理中,晶圓之流動在製造步 -4- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐〉 經濟部中央標毕局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2 ) 驟之間是停滯的,或者,相反地,由於沒有晶圓流動之空 轉時間在其間產生了。因此,製造步驟之有效控制總是不 能實行。 而且,既然處理是以一晶棒爲基準而執行,由複數晶棒 所獲得之晶圓不.能在單一過程中混f處置,且每一製造步 驟之處理速率不能調整。 發明之槪述 Z . 本發明已成功地解決了上述問題,本發明之一目的是提 -------'•一^ 供一種單晶半導體矽晶圓製造中、控制製造步驟之方法與‘ 系統,可以避免在製造步驟間之晶圓停滯或#流動且使得 由複數晶棒所獲得之晶圓可以混合處理,藉以改進製造步 驟之操作速率且使操作穩定。 欲達成上述目的,依據本發明之第一特色,提供一種在 單晶半導體矽晶圓製造中、控制製造步驟的方法/該方法 包含在一主要製造過程中執行控制之步驟,其乃、以、晶/圓單 元計量而得之批組爲基準且經由使用一儲料器以暫時儲存 晶圓,其中將一晶棒切片所獲得之晶圓承受硏光\去角、 蝕刻、罈面拋光、淸洗、檢驗和運鸯之步驟,藉以製造單 晶半導體矽晶圓。 經由使用設置在製造步驟間之儲料,器以暫時儲存晶圓, 則控制能以晶圓單元計量而得之批組(對比於晶棒批組) 爲基準而執行。以晶圓單元計量而得之批組爲基準的控制 可吸收在製造步驟間之處理能力之差異,使得可在整個製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、βτ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -5 - 經濟部中央標準局負Vi消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(3 ) 造過程中保持恆定處理速率。而且,儲存在儲料器內之晶 圓承受與儲料器平行配置之次過程中的處理以減少或消除 等待時間。 儲料器可個別配置於至少在切片步驟後之某處和運送步 驟前之某處。或者,儲料器可個別配置於至少在接續於切 片步驟的支撐板移去/淸洗步驟之後和在最後淸洗步驟之前 . 1 - 〇 在切片步驟之後和在運送步驟之前藉由個別配置儲料器 ,以晶圓.單元計量而得之批組爲基準的控制可接續於切片 步驟而實行,在切片步驟中,一晶棒被切成很多晶圓。此 外,在主製造過程中,藉由在具有較高處理能力的製造步 驟之後或在具有較低處理能力的製造步驟之前配置一儲料 器,則儲料器可作爲緩衝,使得在主製造過彳發中,晶圓可 更有效率地和以恆定速率被處理。
當在主製造過程的製造步驟之間時,第一步驟Α具有"a" 晶圓之整批"處1理大小,步驟B具有"b"晶圓之整批處理大小.. .,最後步驟F具有"f"晶圓之整批處理大小,控制之執行較 佳爲使得製造步驟A至F之整批處理大小a (晶圓)至f (晶 圓)的最小公倍數取爲一步驟間之批組(inter-step lot)之 大小L (晶圓)。 T 當製造步驟的整批處理大小之最大公約數以G (晶圓) 代表時,一容納至少.G晶圓之卡匣(cassette)較佳爲被視 爲最小批組,而卡匣內之G晶圓被輸送進入和離開一製造步 驟’接受處理,載入於、儲存於一儲料器內和自儲料器卸 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公~R - V - n^i mu ^^^^1 tf^n nn flj\ mu ^nn ^^i·— mV --4P (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印 A7 _ B7_ 五、發明説明(4 ) 載:整個製造步驟之晶圓處理速率較佳爲被控制或管理, 使得最小批組(G晶圓)充當步驟間之批組(L晶圓)之子 批組。 既然用於處理晶圓之一批組的大小係如上述被決定,藉 以將一批組編組,則控制之方式可由以一晶棒計量而得之 批組爲基準的控制轉變爲以預定晶圓單元計量而得之批組 爲基準的控制。因此,每一製造步.驟之處理速率可以彈性 處置,使得在所有製造過程中,晶圓能以恆定速率而有效 率地被處理。 .儲存於儲料器內之晶圓較佳爲受到與以最小批組(G晶 圓)爲基準的主製造過程平行配置之次過程的處理,然後 ,最小批組較佳爲被再編組。此外,次過程較佳爲包含以 測量計量晶體定向、檢驗品質和/或去角之步驟。 儲料器和次過程之使用使得在主製造過程中以最小批組 (G晶圓)爲基準而從一製造步驟至接續的製造步驟之平滑 晶圓流動,而不會有晶圓流動之停滯或空轉時間,且使容 納於儲料器內之晶圓可接受傳統上倂入主製造過程的處理 ,而在次過程中無時間損失。 畲S晶圓被從單一晶棒切片且nG代表最小批組之大小G ( 晶圓)的整數倍時,無法構成一完整批組之零散晶圓的數 目R可表示爲 R= ( S-nG ) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21ΌΧ297公釐} nn nn n^n nn ^^—^1 (^ϋ HI IK n^i 、一 f ..,i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 _ 五、發明説明(5 ) 其中S大於nG ;而由個別晶棒產生之零散晶圓Ra,Rb,..·和Rf 較佳爲被送入主製造過程以充當虛設晶圓(dummy wafer) ο 於是,零散晶圓之產生減至最小,藉以改進晶圓產品之 產能,使得處理條件可迅速設定,並改進以批組爲基準之 控制的效率。 本發明之控制製造步驟的方法較佳爲應用於以多線鋸充 當用於切片步驟之切片設備以將一晶棒切片之事例。既然 多線鋸一次將一晶棒切成很多晶圓,該方法在改進晶圓產 品之生產力和產能方面是有用的。 依據本發明之第二特色,提供一種在單晶半導體矽晶圓 製造中、控制製造步驟的系統,該系統包含一用於暫時儲 存晶圓之儲料器以執行在一主製造過程中以晶圓單元計量 而得之批組爲基準的批組控制,其中將一晶棒切片所獲得 之晶圓承受硏光、去角、蝕刻、鏡面拋光、淸洗、'檢驗和 運送之製造步驟,藉以製造單晶半導體矽晶圓。 經由使用設於製造步驟間之儲料器以暫時儲存晶圓,控 制能以晶圓單元計量而得之批組而非一晶棒批組爲基準來 執行。以晶圓單元計量而得之批組的控制可吸收在製造步 驟間之處理能力之差異,使得可在整個製造過程中保持恆 定處理速率。而且,儲存在儲料器內之晶圓承受與儲料器 平行配置之次過程中的處理以減少或消除等待時間。 儲_器可個別配置於至少在切片步驟後之某處和在運送 步驟前之某處。或者,儲料器可個別配置於至少在接續於 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Α4規格(210Χ297公釐) 7〇Ζ " '一" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明(6 ) 切片步驟的支撐板移去/淸洗步驟之後和在最後淸洗步驟之 刖0 藉由在切片步驟之後和在運送步驟之前個別配置儲料器 ,則以晶圓單元計量而得之批組爲基準的控制可接續於切 片步驟而進行,在切片步驟中,一晶棒被切成很多晶圓。 此外,在主製造過程中,藉由在具有較高處理能力的製造 步驟之後或在具有較低處理能力的製造步驟之前配置一儲 料器,則儲料器可作爲緩衝,使得在主製造過程中,晶圓 可更有效率地和以恆定速率被處理。 在主製造過程中的製造過程之間時,第一步驟A具有"a" 晶圓之整批處理大小,步驟B具有"b "晶圓之整批處理大 小...,最後步驟F具有"f"晶圓之整批處理大小,控制之執行 較佳爲使得製造過程A至F之整批處理大小a (晶圓)至f ( 晶圓)的最小公倍數取爲一步驟間之批組之大小L (晶圓) 〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 當製造步驟的整批處理大小之最大公約數以G (晶圓) 代表時,一容納至少G晶圓之卡匣較佳爲被視爲最小批組, 而卡匣內之G晶圓被輸送進入和離開一製造步驟,接受機製 處理,載入於、儲存於一儲料器內和自儲料器卸載;而整 個製造步驟之晶圓處理速率較佳爲被控制或管理,使得最 小批組(G晶圓)充當步驟間之批組(L晶圓)之子批組 〇 既然用於處理晶圓之一批組的大小係如上述被決定以將 一批組編組,則控制之方式可由以一晶棒計量而得之批組 -9 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本戒張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(7 ) 爲基準的控制轉變爲以—預定晶圓單元計量而得之批組爲 基準的控制。因此’每—製造步驟之處理速率可以彈性處 置,使得在所有製造過程中,晶圓能以恆定速率而被有效 率地處理。 儲存於儲料器內之晶圓較佳爲承受與以最小批組(G晶 圓)爲基準的主製造步驟平行配置之次過程中的處理,然 後,最小批組較佳爲被再編組。此外,次過程較佳爲包含 測量晶體定向、檢驗品質和/或去角之步驟。 儲料器和次過程之使用使得以最小批組(G晶圓)爲基 準的在主製造過程中從一製造步驟至接續的製造步驟之平 滑晶圓流動,而不會有晶圓流動之停滯或空轉時間,且使 容納於儲料器內之晶圓可接受傳統上倂入主製造過程的處 理,而在次過程中無時間損失。 當S晶圓被從單一晶棒切片且nG代表最小批組之大小G ( 晶圓)之整數倍時,無法構成一完整批組之零散晶圓的數 目R可表示爲 R= ( S-nG ) 其中S大於nG :而由個別晶棒產生之零散晶圓Ra,Rb,…和Rf 較佳爲被送至主製造過程以作爲虛設晶圓。 %是,零散晶圓之產生減至最小,藉以改進晶圓產品之 產能,使得處理條件可迅速設定,並改進以批組爲基準之 控制的效率。 本紙張尺度埤用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -10 - —^1 t^n m m 1^1 I— I i\) nn ^^^1 In In nn V V w^、T (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)· 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 A7 B7 五、發明説明(8 ) 本發明之控制製造步驟的系統較佳爲應用於以多線鋸充 當用於切片步驟之切片設備以將一晶棒切片之事例。既然 多線鋸一次將一晶棒切片成很多晶圓,該系統在改進晶圓 產品之生產力和產能方面是有用的。 依據本發明,一儲料器配置在主製造過程中的製造步驟 之間以控制以晶圓單元計量而得之批組爲基準的晶圓流動 ,以防止停滯或在製造步驟之間無晶圓流動。而且’使用 了二種批組的大小以用於處理,即,一由複數晶棒所得之 批組和一最小批組。因此,由複數晶棒所獲得之晶圓能以 個別的最小批組爲基準而被混合處理。此外,次過程與— 儲料器平行配置以供第二次處理和品質檢驗。於是,整個 製造過程之生產力改進了;產能改進了;操作穩定化;且、 執行了徹底的品質控制。 較佳實施例之說明 本發明之一實施例現在將參照圖式而詳細說明。然而, 本發明不限於該實施例。 在單晶半導體矽晶圓製造中、控制製造步驟之傳統方法 和系統中,單一晶棒如同單一批組而被處置以供處.理,而 由該晶棒被切片之晶圓以預定之順序系列地承受複數之過 程。因此,晶圓之流動難以應付在製造步驟間之整批處理 大小之變化。即,製造步驟中之處理以具有最小整批處理 大小之製造步養的處理速率進行,指明-了製造步驟之控制 . '< 是以非常無效率之方式執行。爲了改進製造步驟之此無效 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 _ (請先閲讀背面之注意事項再填离本頁) 丁 k -•6^^ 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 X . _ A7 B7 五、發明説明(9 ) 率控制,本發明之發明者已採取一種方法,配置一儲料嘉 於製造步驟之間以暫時儲存晶匪,里寧J![以晶圓單元計 量而得之批組爲基準的晶圓流動’例如,以一卡匣爲基準 ,因而完成了本發明。 圖1例示依據本發明之製造單晶半導體矽晶圓的步驟。 首先,在本發明之預備過程中,當接到客戶之訂單時, 一單晶矽晶棒被送入一晶圓製造系統,該晶棒被標示訂購 號碼和晶棒批組號碼,如此標示之晶棒被儲存在一用於晶 棒之儲料器中,直到傳送晶棒至接續的切片步驟指令發出 爲止。當晶棒被儲存在儲料器中,晶棒承受了與儲料器平 行配置以備切片之次過程中的處理?特別地,在次過程中 ,晶棒承受了晶體定向之測量,而一支撐板和一工件板被 粘結於晶棒以防止晶圓在切片期間掉落。如此處理的晶棒 被帶回至儲料器並儲存於其中。 當一傳送的指令從電腦發出時,晶棒被送至切片步驟, 其中,晶棒被切片以獲得一被設定用於晶棒之晶圓塊。 其次將說明依據本發明用於控制製造步驟之一批組的觀 念。上述之塊對應於一步驟間之批組,其被界定如下。 當在主製造過程中的製造步驟之間時,第一步驟A具有” a"晶圓之整批處理大小,步驟B具有"b"晶圓之整批處理大小 …,最後步驟F具有"f"晶圓之整批處理大小,製造步驟A 至F之整批處理大小a (晶圓)至f (晶圓)的最小公倍數取 爲一步驟間之批組之大小L (晶圓)。 當製造步驟的整批處理大小之最大公約數以G (晶圓) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12- ϋ··— n^i n^i κι·— ^^^^1-—, {"、-口 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(1〇 ) 代表時,製造步驟的晶圓處理速率被控制或管理,使得一 _ .......... - —......... - — ....... ...-------- ---------- . — ..... ...... 容納至少G晶圓之卡匣充當最小批組,用以將晶圓載入或自 —製造步驟卸載’用以處理晶圓,或用以將晶圓載入於、 儲存*於一儲料器內或自儲料器卸載,而最小批組(G晶圓) 充當與一步驟間之批組(L晶圓)相關之子批組。 上述批組組織和下述儲料器之配置使得晶圓之處理得以 實行,即使當塊,亦即,由複數晶棒所獲得的步驟間之批 組爲混合存在時或當最小批組爲混合存在時亦然。於是, 與以單一晶棒充當單一批組之傳統控制方法或系統相比, 晶圓以最小批組爲基準從一製造步驟平滑流動至接續的製 造步驟,而不會有晶圓流動之停滯或空轉時間,因而顯著 改進了處理速率,使操作穩定,且改進了操作效率,亦因 此改進了晶圓產品之產能。 一支撐板和一工件板被從將一晶棒切片所獲得之晶圓移 走。在淸洗以後,晶圓依據上述批組編組方法而被編組成 爲最小批組並儲存於一儲料器中。 本發明之另一特點是使用一儲料器以暫時儲存晶圓,藉 以控制以晶圓單元計量而得之批組爲基準的晶圓流動。 一儲料器配置在具有不同的整批處理能力之諸製造步驟 之間’其允許晶圓承受第二次處理、品質抽樣檢驗等,而 由於整批處理能力之不同,卡匣在諸步驟之間是停滯的。 儲料器係個別配置於至少在切片步驟後之某處和在運送步 騾前之某處。特別偏好者爲’一卡匣儲料器配置在接續於 切片步驟的支撐板移走/淸洗步驟之後,而一淸洗儲料器配 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ ----------^------,玎 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(”) 置在最後淸洗步驟之前。卡匣儲料器是以最小批組爲基準 之控制的起點。淸洗儲料器是產品批組在緊接於運送之前 被編組的地方。 —與卡匣儲料器平行配置之次過程是由例如一晶體定向 測量步騾和一初次去角步驟所組成。一與淸洗儲料器平行 配置之次過程是由例如一用於再編組晶圓產品爲一產品批 組以供運送之整編步驟所組成。此種次過程之配置改進了 晶圓製造系統之生產力。 在承受了儲存於卡匣儲料器期間的次過程中之晶體定向 測量和初次去角以後,晶圓被以步驟間之批組爲基準而傳 遞通過主製造過程,其包含硏光、第二次去角、蝕刻、邊 緣拋光、鏡面拋光(初次拋光、第二次拋光和最後拋光) 、初次淸洗和檢驗之製造步驟。在每一製造步驟中,晶圓 以最小批組爲基準而被處理。由檢驗步驟所傳送的晶圓被 儲存在淸洗儲料器中。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 --------W取-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在淸洗儲料器中,晶圓由依據成品標準而進行之品質檢 驗結果被判斷爲可接受或不可接受。被拒絕之晶圓乃被編 組爲一最小批組且送回至鏡面拋光步驟以再做鏡面拋光。 被接受之晶圓乃再被編組爲次過程中之一最小批組,接著 被傳遞通過包含最後淸洗、包裝和運送之製造步驟的主製 造過程。由運送步驟傳送的被接受之晶圓乃被送至客戶。 每一製造步驟是自足的(self-sufficient)且使用了晶圓 被容納在一卡匣中和傳送之系統。例如,如圖2所示,在邊 緣拋光步驟中,一緩衝儲料器配置在步驟之入口。由先前 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) · 14 · 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(12 ) 之蝕刻步驟所傳送的晶圓被一步驟間之AGV ( Automatic Guided Vehicles,自動引導車輛)以步驟間之批組爲基準 而傳遞至緩衝儲料器並儲存於緩衝儲料器內。在邊緣拋光 步驟中,一預定卡匣從緩衝儲料器卸下且載入至一步驟內 (intra-step )之AGV上。如此卸下之卡匣接著被設定於一 邊緣拋光設備中,以致於晶圓以一卡匣爲基準而承受邊緣 拋光。然後,已做邊緣拋光之晶圓以一卡匣爲基準而承受 淸洗和步驟內之檢驗,接著再次儲存於緩衝儲料器內。在 邊緣拋光步驟中,一卡匣被一步驟內之AGV適時地傳遞, 以便對應於在步驟內之處理的進行。 當S晶圓在先前之切片步驟中由單一晶棒切片且nG代表 最小批組之大小G (晶圓)之整數倍時,無法構成一完整批 組之零散的晶圓數目R可表示爲 R= ( S-nG ) 其中S大於nG。由個別晶棒產生之零散晶圓Ra,Rb,...和Rf被 送至主製造過程以作爲虛設晶圓以減少晶圓之損失。虛設 晶圓被有效用於設定或調整處理條件。 應用於本發明之控制製造步驟的方法和系統之硬體包含 習知的獨立處理設備,諸如內直徑切片機、多線鋸、硏光 機、蝕刻設備、拋光機和淸洗設備;輸送帶、滾輪輸送機 、轉臺、可自動連接之非耦合式輸送車輛、搬運機器人等 所組成的輸送設備;以及諸如位置感測器、計時器和控制 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-口 本紙張尺度適用中國國家榇準(CN_S ) A4規格(210X297公釐) -15- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 .__B7_ 五、發明説明(13 ) 電腦之自動操作控制裝置。他們在需要時被組合以形成所 謂的 AGV ( Automatic Guided Vehicles,自動引導車輛)系 統。 內直徑切片機已優先充當於切片步驟中將一晶棒切片之 切片設備,但正被一具有高生產力之多線鋸取代,因爲內 直徑切片機無法跟得上晶棒直徑增加的趨勢。本發明意圖 藉由充份利用多線鋸之特性和能力以儘量減少晶圓和時間 之損失以改進生產力。 經由在切片步驟中使用多線鋸,可藉切片而一次獲得許 多晶圓。於是,在此一事例中,本發明之控制系統特別有 用’因爲控制是以晶圓單元計量而得之批組爲基準而執行 〇 儲料器可爲任何形式,只要商業上可取得的卡匣被正確 地載入於其中或由彼處卸載。架式、抽屜式、箱式等可依 據所使用之上述獨立處理設備和輸送設備的特徵而被選擇 。當晶圓要儲存於一儲料器中相當長時間的時候,儲料器 必須使用適當的尺寸以維持適當的淸潔。 例子 其次,將藉由例子說明本發明,其並不對本發明構成限 制。 例子: 製造步驟A之整批處理大小是20晶圓,步驟B是丨5晶圓, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4g ( 210X29*7公釐) -16- --------- 111.束-I---I 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(14 ) 而其他製造步驟是10晶圓。步驟間之批組的大小L ’其爲這 些整批處理大小的最小公倍數,是60晶圓。最小批組的大 小G,其爲這些整批處理大小的最大公約數,是10晶圓。在 由製造步驟所組成且附帶一次過程之主製造過程中,晶圓 在下列批組之組織下被處理:主批組:60晶圓;次批組: 10晶圓。如圖1所示,一卡匣儲料器配置在支撐板移走/淸洗 步驟和硏光步驟之間,而一淸洗儲料器配置在最後檢驗步 驟和最後淸洗步驟之間。晶體定向測量和初次去角係在與 卡匣儲料器平行配置之次過程中實行,而一批組係在與淸 洗儲料器平行配置之次過程中再編組。 . 作爲一對比例子,如圖3所示之傳統處理流程,一晶棒 和晶圓係如同單一批組而被處理,其中未使用儲料器。 測試操作顯示,在對比例子中,由接受一晶棒至晶圓運 送的交貨時間(lead time)是14天(操作天),而在本發 明之例子中,時間是8.5天(操作天),大約是對比例子的 60¾。 本發明不限於上述實施例。上述實施例只是例子,且具 有與所附之申請專利範圍實質上相同結構且提供類似作用 和效果者皆包含於本發明之範疇內。 例如’以上實施例之說明提到配置於主製造過程中之一 卡匣儲料器和一淸洗儲料器,亦提到配置於邊緣拋光步驟 中之一緩衝儲料器充當配置於一次過程中之儲料器的例子 。而且’依據該說明,卡匣和淸洗儲料器之配置未與緩衝 儲料器之配置結合。然而,這些儲料器可互相結合而配置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) M規格(2丨OX297公釐) -17- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 1 A7 B7 _ 五、發明説明(15 ) 。此外,欲配置之儲料器的位置或數目可自由修改。當— 處理機器在某一製造步驟中的整批處理能力改變時,緩衝 儲料器之配置將顯著改進晶圓之流動。在此事例中,欲配 置之緩衝儲料器的位置或數目可彈性決定。 而且,本發明之說明提到硏光、去角、蝕刻、鏡面拋光 、淸洗、檢驗和運送之製造步驟充當製造單晶矽晶圓的步 驟。然而,這些步驟只是作爲例子而被提到。本發明不受 限於製造步驟之順序和使用。其他不同的步驟可存在於製 造步驟之間。而且,依據目的,製造步驟之順序可修改, 或者,某些製造步驟可省略。不用說,本發明之範疇包含 了修改。 圖式簡略說明 圖1爲一流程圖,顯示依據本發明之製造單晶半導體晶 圓的步驟; 圖2爲一示意圖,、顯示在圖1之流程圖中的單一製造步辱 (邊緣拋光步驟)內之晶圓流動的例子; 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本買) 圖3爲一流程圖,顯示在一傳統晶圓製造系統中之製造 單晶半導體晶圓的步驟之例子。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -18 -
Claims (1)
- 附件1·: C8 A, D8 .λΙ- 六、申請專利範圍 L·------1 第8 7 1 Ο 3 4 8 1號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國8 9年3月修正 .1·—種單晶半導體矽晶圓製造中、..控制製造步驟之-方 法,其中在—主製造過程中,將一晶棒..切片所..獲得之晶圓 承受硏光、去角、蝕刻、鏡面拋..光、淸洗...檢驗和運送之 製造步驟,提供一用於暫時儲存.晶圓之儲-料..器來執行以晶 圓單元計量而得之批粗爲—基準的批組控制。 2 如申..請專利範圍第1項之單晶半導體砂晶圓製造中 • .... 、控制製造步驟之方法,其中儲料器被個別配置於至少在 切..片步驟後之某處和在運送步驟前之某處。 3 .如申請專利範圍第1項之單晶半導體矽晶圓製造中 、控制製造步驟之方法,其中儲料器被個別配置於至少在 接續於切片步驟的支_撐板移去/淸洗步驟之後和在最後淸洗 步驟之前.。- 4 ·如申請專利範圍第1項之單晶半導體矽晶圓製造中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、控制製造步驟之方法,其中在主製造過程的製造步驟之 間時;,第一步驟Α具有"a"晶圓之整批處理大小,步驟Β具有 "b"晶圓之整批處理大小…,最後步驟F具有"f"晶圓之整批 處理大小,一步驟間之批組的大小L (晶圓)被決定爲等於 .製造步驟A至F.之整批處理大小a (晶圓)至f (晶圓)的尋 小公倍數。 - 5 .如申請專利範圍第4項之單晶半導體矽晶圓製造中 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 附件1·: C8 A, D8 .λΙ- 六、申請專利範圍 L·------1 第8 7 1 Ο 3 4 8 1號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國8 9年3月修正 .1·—種單晶半導體矽晶圓製造中、..控制製造步驟之-方 法,其中在—主製造過程中,將一晶棒..切片所..獲得之晶圓 承受硏光、去角、蝕刻、鏡面拋..光、淸洗...檢驗和運送之 製造步驟,提供一用於暫時儲存.晶圓之儲-料..器來執行以晶 圓單元計量而得之批粗爲—基準的批組控制。 2 如申..請專利範圍第1項之單晶半導體砂晶圓製造中 • .... 、控制製造步驟之方法,其中儲料器被個別配置於至少在 切..片步驟後之某處和在運送步驟前之某處。 3 .如申請專利範圍第1項之單晶半導體矽晶圓製造中 、控制製造步驟之方法,其中儲料器被個別配置於至少在 接續於切片步驟的支_撐板移去/淸洗步驟之後和在最後淸洗 步驟之前.。- 4 ·如申請專利範圍第1項之單晶半導體矽晶圓製造中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、控制製造步驟之方法,其中在主製造過程的製造步驟之 間時;,第一步驟Α具有"a"晶圓之整批處理大小,步驟Β具有 "b"晶圓之整批處理大小…,最後步驟F具有"f"晶圓之整批 處理大小,一步驟間之批組的大小L (晶圓)被決定爲等於 .製造步驟A至F.之整批處理大小a (晶圓)至f (晶圓)的尋 小公倍數。 - 5 .如申請專利範圍第4項之單晶半導體矽晶圓製造中 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、控制製造步驟之方法,其中當製造步驟的整批處理大小 之最大公約數以G (晶圚)代表時,一容納至少G晶圓之卡 匣被視爲最小批組’〜而.卡厘0.之G晶圓被輸達..麗入和離開一 製造步驟,接受加工處理,載入於、儲存於一...篚料器內和 自儲料器卸載;製造步驟之晶圓處理速率被控制或管理, 使得最小批組(G晶圓)充當步驟間之批組(L晶圓)的子 批組。 6 .如申請專利範圍第5項之單晶半導體矽晶圓製造中 、控制製造步驟之方法,其中儲存於儲料器內之晶圓承受 與以最小批組(G晶圓)爲基準的主製造步驟平行配置之次-過程中的處理,然後,最小批組被再編組/ 7 ·如申請專利範圍第6項._之單晶.半導體矽晶圓製造中. 、控制製造步驟之方法,其中次過程包含測量晶體定向、 檢驗品質和去角三者中至少之一。 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 .如申請專利範圍第1項之單晶半導體矽晶圓製造中 、.控制製造步驟之方法,其中當S晶圓被從單一晶棒切片且 nG代表最小批組之大小G (晶圓)之整數倍時,無法構成一 完整批組之零散晶圓的數目R可表示爲 R= ( S-nG ) 其中S大於nG ;而由個別晶棒產生之零散晶圓Ra,Rb,...和Rf 被送至主製造過程以作爲虛設晶圓。 - 9 .如申請專利範圍第4項之單晶半導體矽晶圓製造中 -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、控制製造步驟之方法,其中當製造步驟的整批處理大小 之最大公約數以G (晶圚)代表時,一容納至少G晶圓之卡 匣被視爲最小批組’〜而.卡厘0.之G晶圓被輸達..麗入和離開一 製造步驟,接受加工處理,載入於、儲存於一...篚料器內和 自儲料器卸載;製造步驟之晶圓處理速率被控制或管理, 使得最小批組(G晶圓)充當步驟間之批組(L晶圓)的子 批組。 6 .如申請專利範圍第5項之單晶半導體矽晶圓製造中 、控制製造步驟之方法,其中儲存於儲料器內之晶圓承受 與以最小批組(G晶圓)爲基準的主製造步驟平行配置之次-過程中的處理,然後,最小批組被再編組/ 7 ·如申請專利範圍第6項._之單晶.半導體矽晶圓製造中. 、控制製造步驟之方法,其中次過程包含測量晶體定向、 檢驗品質和去角三者中至少之一。 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 .如申請專利範圍第1項之單晶半導體矽晶圓製造中 、.控制製造步驟之方法,其中當S晶圓被從單一晶棒切片且 nG代表最小批組之大小G (晶圓)之整數倍時,無法構成一 完整批組之零散晶圓的數目R可表示爲 R= ( S-nG ) 其中S大於nG ;而由個別晶棒產生之零散晶圓Ra,Rb,...和Rf 被送至主製造過程以作爲虛設晶圓。 - 9 .如申請專利範圍第4項之單晶半導體矽晶圓製造中 -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公餐) 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 、控制製造步驟之方法,其;中當S晶圓被從單一晶棒切片且 nG代表.最小抵組之大小G (晶圓)之整數倍時,無法構成一 完整批組之零散晶圓的數目R可表示爲 R= ( S-nG ) 其中S大於nG ;而由個別晶棒產生之零散晶圓Ra,Rb,...和Rf 被送至主製造過程以作爲虛設晶圓。 10 .如申請專利範圍第!項之單晶半聲體矽晶圓製造中 '控制製造步驟之方法,其中以多屬鋸充當切片設備以在 切片步、驟中用於將一晶棒切片。 1 1 .—種單晶半導體矽晶圓製造中、控剌製造步驟之 系統,其中在一主製造過程中,將一晶棒切片所獲得之晶 圓承受硏光、去角、蝕刻、鏡面拋光、清选'檢驗和運送 吝製造步驟’提供一用於暫時儲存晶圓之儲料器來執行以 晶圓單元計量而得之J比組爲基準的批組控制。 1 2 ·,如申請專利範圍第11項之單晶半導氍矽晶圓製造 中、控制製造步驟之系統,其中儲料器被個別配置於至少 在切片步驟後之某處和在運送步驟前之某處。 1 3 .如申請專利範圍第11項之單..晶半導體砂晶圓製造 中、控制製造步驟之系統,其中儲料器被個別配置於至少 在接續於切片步驟的支撐扳移老/淸洗歩驟之後和在最後淸 洗步驟之前。 · 1 4 .一如申請專利範圍第1 1項之單晶宇導體矽晶圓製造 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮) -3- ----l· Ί--Ί — ln— -_^·ΙΙ —---I ----^ I I ( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 、控制製造步驟之方法,其;中當S晶圓被從單一晶棒切片且 nG代表.最小抵組之大小G (晶圓)之整數倍時,無法構成一 完整批組之零散晶圓的數目R可表示爲 R= ( S-nG ) 其中S大於nG ;而由個別晶棒產生之零散晶圓Ra,Rb,...和Rf 被送至主製造過程以作爲虛設晶圓。 10 .如申請專利範圍第!項之單晶半聲體矽晶圓製造中 '控制製造步驟之方法,其中以多屬鋸充當切片設備以在 切片步、驟中用於將一晶棒切片。 1 1 .—種單晶半導體矽晶圓製造中、控剌製造步驟之 系統,其中在一主製造過程中,將一晶棒切片所獲得之晶 圓承受硏光、去角、蝕刻、鏡面拋光、清选'檢驗和運送 吝製造步驟’提供一用於暫時儲存晶圓之儲料器來執行以 晶圓單元計量而得之J比組爲基準的批組控制。 1 2 ·,如申請專利範圍第11項之單晶半導氍矽晶圓製造 中、控制製造步驟之系統,其中儲料器被個別配置於至少 在切片步驟後之某處和在運送步驟前之某處。 1 3 .如申請專利範圍第11項之單..晶半導體砂晶圓製造 中、控制製造步驟之系統,其中儲料器被個別配置於至少 在接續於切片步驟的支撐扳移老/淸洗歩驟之後和在最後淸 洗步驟之前。 · 1 4 .一如申請專利範圍第1 1項之單晶宇導體矽晶圓製造 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮) -3- ----l· Ί--Ί — ln— -_^·ΙΙ —---I ----^ I I ( (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 396440 六、申請專利範圍 中、控制製造步驟之系統,其中在主製造過程的製造步驟 之間時,第一步驟A具有"a”晶圓之整批處理大小,步驟b具 '.— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有"b"晶圓之整批處理大小...,最後步驟F具.有」'丄’:晶眉之整 批處理大小,一步驟間之批組的.大小L (晶圓)被決定爲等 於製造步驟人至.1之整批處理大小a (晶圓)至f (晶圓)的 最小公倍數。 15 .如申請專利範圍第14項之單晶半導體矽晶圓製造 中、控制製造步驟之系統,其中當製造步驟的整批處理大 小之最大公笱數以G (晶圓)代表時,一容納至少G晶圓之 卡匣被視爲最小批組,而卡匣內之G晶圓被輸送進入和離開 一製造步驟,接受機製處理,載入於、儲存於一儲料器內 和自儲料器卸載;製造步驟之晶圓處理速率被控制或管理 ’使得最小批組(G晶圓)充當步驟間之批組(l晶圓)的 手批組。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16 .如申請專利範圍第15項之單晶半導體矽晶圓製造 中、控制製造步驟之系統’其中儲存於儲料器內之晶圓承 受與以.·最小批組(G晶圓)爲基準的主製造步驟平行配置之 次過程中的處理’然後,最小批組被再編組。 Π .如申請專利範圍第1 6項之單晶半導體矽晶圓製造 中、控制製造步驟之系統,其中次過程包含測量晶體定向 、檢驗品質和去角三者中至少之一。 1 8 ·如申請專利範圍第1 1項之單晶半導體矽晶圓製造 中、控制製造步驟之系統其中當S晶圓被從單一晶棒切片 且nG代表最小批組之大小G (晶圓)之整數倍時,無法構成 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) A8 B8 C8 D8 396440 六、申請專利範圍 中、控制製造步驟之系統,其中在主製造過程的製造步驟 之間時,第一步驟A具有"a”晶圓之整批處理大小,步驟b具 '.— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有"b"晶圓之整批處理大小...,最後步驟F具.有」'丄’:晶眉之整 批處理大小,一步驟間之批組的.大小L (晶圓)被決定爲等 於製造步驟人至.1之整批處理大小a (晶圓)至f (晶圓)的 最小公倍數。 15 .如申請專利範圍第14項之單晶半導體矽晶圓製造 中、控制製造步驟之系統,其中當製造步驟的整批處理大 小之最大公笱數以G (晶圓)代表時,一容納至少G晶圓之 卡匣被視爲最小批組,而卡匣內之G晶圓被輸送進入和離開 一製造步驟,接受機製處理,載入於、儲存於一儲料器內 和自儲料器卸載;製造步驟之晶圓處理速率被控制或管理 ’使得最小批組(G晶圓)充當步驟間之批組(l晶圓)的 手批組。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16 .如申請專利範圍第15項之單晶半導體矽晶圓製造 中、控制製造步驟之系統’其中儲存於儲料器內之晶圓承 受與以.·最小批組(G晶圓)爲基準的主製造步驟平行配置之 次過程中的處理’然後,最小批組被再編組。 Π .如申請專利範圍第1 6項之單晶半導體矽晶圓製造 中、控制製造步驟之系統,其中次過程包含測量晶體定向 、檢驗品質和去角三者中至少之一。 1 8 ·如申請專利範圍第1 1項之單晶半導體矽晶圓製造 中、控制製造步驟之系統其中當S晶圓被從單一晶棒切片 且nG代表最小批組之大小G (晶圓)之整數倍時,無法構成 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) A8 B8 C8 D8 396440 六、申請專利範圍 —完整批組之零散晶圓龙數且匕可表孟崖. ..、 .......... R = ( S - n G ) 其中S大於n G ;而由個別晶棒產生之零散晶圓R a, R b,..··.和 被送至主製造過程以作爲虛設晶圓。 1 9 .如申請專利範圍第14項之單晶半導體矽晶掘製造 中、控制製造步驟之系統,其中.當4晶_圓被從單一晶棒切片 且η总代ϋ小批組之大小G (晶圚)之整數倍時,無法構成 一完整批組之零散晶圓的數目R可表示爲 R= ( S-nG ) 其中S大於nG ;而由個別晶棒產生之零散晶圓Ra,Rb,...和Rf 被送至主製造過程以作爲虛設晶圓。1 20 .如申請專利範圍第1 0項之單晶半導體矽晶圓製造 中 '、控制製造步驟之方法,其中以多線鋸充當切片設備以 在切片步驟中用於將一晶棒切片。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --,--t· ^---;-------1.!--------訂-----1--一--線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 396440 六、申請專利範圍 —完整批組之零散晶圓龙數且匕可表孟崖. ..、 .......... R = ( S - n G ) 其中S大於n G ;而由個別晶棒產生之零散晶圓R a, R b,..··.和 被送至主製造過程以作爲虛設晶圓。 1 9 .如申請專利範圍第14項之單晶半導體矽晶掘製造 中、控制製造步驟之系統,其中.當4晶_圓被從單一晶棒切片 且η总代ϋ小批組之大小G (晶圚)之整數倍時,無法構成 一完整批組之零散晶圓的數目R可表示爲 R= ( S-nG ) 其中S大於nG ;而由個別晶棒產生之零散晶圓Ra,Rb,...和Rf 被送至主製造過程以作爲虛設晶圓。1 20 .如申請專利範圍第1 0項之單晶半導體矽晶圓製造 中 '、控制製造步驟之方法,其中以多線鋸充當切片設備以 在切片步驟中用於將一晶棒切片。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --,--t· ^---;-------1.!--------訂-----1--一--線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08332397A JP3419241B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体シリコン単結晶ウエーハの工程管理方法および工程管理システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW396440B true TW396440B (en) | 2000-07-01 |
Family
ID=13799230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW87103481A TW396440B (en) | 1997-03-17 | 1998-03-10 | Method and system for controlling manufacturing steps in the manufacture of monocrystalline semiconductor silicon wafers |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0866497A3 (zh) |
JP (1) | JP3419241B2 (zh) |
TW (1) | TW396440B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19956250C1 (de) * | 1999-11-23 | 2001-05-17 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben |
DE10012840C2 (de) * | 2000-03-16 | 2001-08-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von polierten Halbleiterscheiben |
DE10064081C2 (de) * | 2000-12-21 | 2002-06-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
CN107792668B (zh) * | 2017-06-29 | 2019-07-23 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种量测系统及玻璃基板的量测方法 |
CN117161839B (zh) * | 2023-11-01 | 2024-02-06 | 山东有研艾斯半导体材料有限公司 | 一种改善硅抛光片边缘机械损伤的方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0425349A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-29 | Mitsubishi Electric Corp | 混成ロット編成方法及び装置 |
US5193065A (en) * | 1990-12-03 | 1993-03-09 | Caterpillar Inc. | System for requistioning and distributing material in a manufacturing environment |
JPH06168863A (ja) * | 1991-03-01 | 1994-06-14 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体製造装置の監視および制御を実行する装置と方法 |
JPH0669295A (ja) * | 1992-08-17 | 1994-03-11 | Tokyo Electron Ltd | プローブシステム |
US5444632A (en) * | 1994-04-28 | 1995-08-22 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for controlling and scheduling processing machines |
US5745364A (en) * | 1994-12-28 | 1998-04-28 | Nec Corporation | Method of producing semiconductor wafer |
-
1997
- 1997-03-17 JP JP08332397A patent/JP3419241B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-10 TW TW87103481A patent/TW396440B/zh active
- 1998-03-11 EP EP98301793A patent/EP0866497A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10261555A (ja) | 1998-09-29 |
JP3419241B2 (ja) | 2003-06-23 |
EP0866497A3 (en) | 1999-04-14 |
EP0866497A2 (en) | 1998-09-23 |
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---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |