JPH10261555A - 半導体シリコン単結晶ウエーハの工程管理方法および工程管理システム - Google Patents
半導体シリコン単結晶ウエーハの工程管理方法および工程管理システムInfo
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- JPH10261555A JPH10261555A JP8332397A JP8332397A JPH10261555A JP H10261555 A JPH10261555 A JP H10261555A JP 8332397 A JP8332397 A JP 8332397A JP 8332397 A JP8332397 A JP 8332397A JP H10261555 A JPH10261555 A JP H10261555A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 本発明は、半導体シリコン単結晶インゴット
から半導体シリコン単結晶ウエーハを製造する工程にお
ける、原料、半製品、製品の製造工程管理方法およびそ
のシステムに関するもので、生産性と品質の向上を図
る。 【解決手段】 インゴットをスライスして得たウエーハ
に、ラップ−面取り−エッチング−鏡面研磨−洗浄−検
査−出荷の各単位工程処理を施して半導体シリコン単結
晶ウエーハを製造する主工程において、ウエーハを一時
的に保管するストッカーを設けて、ウエーハ単位のロッ
ト管理をすることを特徴とする半導体シリコン単結晶ウ
エーハの工程管理方法および工程管理システム。
から半導体シリコン単結晶ウエーハを製造する工程にお
ける、原料、半製品、製品の製造工程管理方法およびそ
のシステムに関するもので、生産性と品質の向上を図
る。 【解決手段】 インゴットをスライスして得たウエーハ
に、ラップ−面取り−エッチング−鏡面研磨−洗浄−検
査−出荷の各単位工程処理を施して半導体シリコン単結
晶ウエーハを製造する主工程において、ウエーハを一時
的に保管するストッカーを設けて、ウエーハ単位のロッ
ト管理をすることを特徴とする半導体シリコン単結晶ウ
エーハの工程管理方法および工程管理システム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体シリコン単
結晶インゴットから半導体シリコン単結晶ウエーハを製
造する工程における、原料から半製品、製品に至る製造
工程管理方法およびそのシステムに関するものである。
結晶インゴットから半導体シリコン単結晶ウエーハを製
造する工程における、原料から半製品、製品に至る製造
工程管理方法およびそのシステムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体シリコン単結晶ウエー
ハは、一般的には、図３にその主な工程を示したよう
に、インゴットで受け入れ、これを、スライス−ラップ
−面取り−エッチング−鏡面研磨−洗浄、する直列の各
単位工程で加工処理され、さらに、検査、品質保証、包
装工程等を経て出荷されている。これらの工程間には、
種々の副工程が存在し、また、工程順についても、図３
に示したものに限られず、目的によって種々変更が行わ
れている。
ハは、一般的には、図３にその主な工程を示したよう
に、インゴットで受け入れ、これを、スライス−ラップ
−面取り−エッチング−鏡面研磨−洗浄、する直列の各
単位工程で加工処理され、さらに、検査、品質保証、包
装工程等を経て出荷されている。これらの工程間には、
種々の副工程が存在し、また、工程順についても、図３
に示したものに限られず、目的によって種々変更が行わ
れている。
【０００３】このような、従来のウエーハ製造工程で
は、最初に行われる主工程であるスライス工程がインゴ
ット毎に行われるため、加工処理単位としてインゴット
１本を１ロットと見做していた。従って、インゴットの
長さによりロットの大きさに大きなバラツキがある上、
１ロットの大きさが数百枚〜千枚と非常に大きく、後続
の各単位工程の１バッチ処理数が、枚葉処理から数十枚
処理まで処理数が小さい上にまちまちなので、単位時間
当たり最低処理数の工程が律速段階となり、それに拘束
された加工処理速度になるため、１ロットを加工処理す
るのに各単位工程間で滞留したり、逆に空白時間ができ
たりして必ずしも能率的な工程管理が行われているとは
言えなかった。
は、最初に行われる主工程であるスライス工程がインゴ
ット毎に行われるため、加工処理単位としてインゴット
１本を１ロットと見做していた。従って、インゴットの
長さによりロットの大きさに大きなバラツキがある上、
１ロットの大きさが数百枚〜千枚と非常に大きく、後続
の各単位工程の１バッチ処理数が、枚葉処理から数十枚
処理まで処理数が小さい上にまちまちなので、単位時間
当たり最低処理数の工程が律速段階となり、それに拘束
された加工処理速度になるため、１ロットを加工処理す
るのに各単位工程間で滞留したり、逆に空白時間ができ
たりして必ずしも能率的な工程管理が行われているとは
言えなかった。
【０００４】また、インゴット単位の加工処理であるた
め、複数のインゴットから作製したウエーハを同時に混
在する状態で加工処理することができず、各単位工程の
処理速度を調整することができなかった。
め、複数のインゴットから作製したウエーハを同時に混
在する状態で加工処理することができず、各単位工程の
処理速度を調整することができなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題点に鑑みなされたもので、ウエーハの加工処理に当
たり、各単位工程における滞留、空白を解消し、複数の
インゴットから作製したウエーハを同時に加工処理し
て、加工処理工程の稼働率の向上と操業の安定化を図る
ことを主目的とする。
問題点に鑑みなされたもので、ウエーハの加工処理に当
たり、各単位工程における滞留、空白を解消し、複数の
インゴットから作製したウエーハを同時に加工処理し
て、加工処理工程の稼働率の向上と操業の安定化を図る
ことを主目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、本発明の請求項１に記載した発明は、インゴッ
トをスライスして得たウエーハに、ラップ−面取り−エ
ッチング−鏡面研磨−洗浄−検査−出荷の各単位工程処
理を施して半導体シリコン単結晶ウエーハを製造する主
工程において、ウエーハを一時的に保管するストッカー
を設けて、ウエーハ単位のロット管理をする、ことを特
徴とする半導体シリコン単結晶ウエーハの工程管理方法
である。
るため、本発明の請求項１に記載した発明は、インゴッ
トをスライスして得たウエーハに、ラップ−面取り−エ
ッチング−鏡面研磨−洗浄−検査−出荷の各単位工程処
理を施して半導体シリコン単結晶ウエーハを製造する主
工程において、ウエーハを一時的に保管するストッカー
を設けて、ウエーハ単位のロット管理をする、ことを特
徴とする半導体シリコン単結晶ウエーハの工程管理方法
である。
【０００７】このように、各単位工程間にウエーハを一
時的に保管するストッカーを設けたことにより、インゴ
ット単位のロット管理からウエーハ単位のロット管理を
することができる。そして、ウエーハ単位のロット管理
をすれば、各単位工程間の処理能力の差を吸収して、全
工程を一定速度で加工処理することができ、また、保管
中のウエーハはストッカーに併設した副工程に回して待
機時間を短縮したり、無くすようにすることができる。
時的に保管するストッカーを設けたことにより、インゴ
ット単位のロット管理からウエーハ単位のロット管理を
することができる。そして、ウエーハ単位のロット管理
をすれば、各単位工程間の処理能力の差を吸収して、全
工程を一定速度で加工処理することができ、また、保管
中のウエーハはストッカーに併設した副工程に回して待
機時間を短縮したり、無くすようにすることができる。
【０００８】そして、このストッカーの位置を、少なく
とも、スライス後と出荷前とに配置し（請求項２）、或
は少なくとも、スライス後の当て板剥離洗浄後と、最終
洗浄前とに配置する（請求項３）ようにする。このよう
に、スライス後と出荷前にストッカーを配置すれば、一
度に大量のウエーハが出るスライス工程後にウエーハ単
位のロット管理をすることが可能となる。そして、さら
に前記主工程の内、加工処理能力の高い工程の後、或は
加工処理能力の低い工程の前にストッカーを配置すれ
ば、ストッカーをバッファとして使用することができ、
主工程の加工処理速度を、より効率化、一定化すること
ができる。
とも、スライス後と出荷前とに配置し（請求項２）、或
は少なくとも、スライス後の当て板剥離洗浄後と、最終
洗浄前とに配置する（請求項３）ようにする。このよう
に、スライス後と出荷前にストッカーを配置すれば、一
度に大量のウエーハが出るスライス工程後にウエーハ単
位のロット管理をすることが可能となる。そして、さら
に前記主工程の内、加工処理能力の高い工程の後、或は
加工処理能力の低い工程の前にストッカーを配置すれ
ば、ストッカーをバッファとして使用することができ、
主工程の加工処理速度を、より効率化、一定化すること
ができる。
【０００９】そして、本発明では、前記主工程を構成す
る各単位工程の内、最初のＡ工程におけるウエーハの１
バッチ処理数をａ（枚）、Ｂ工程における１バッチ処理
数をｂ（枚）、………最終Ｆ工程における１バッチ処理
数をｆ（枚）とした時、全工程内１ロットの大きさＬ
（枚）を、Ａ工程からＦ工程に至る各単位工程の１バッ
チ処理数の最小公倍数として管理するようにした（請求
項４）。
る各単位工程の内、最初のＡ工程におけるウエーハの１
バッチ処理数をａ（枚）、Ｂ工程における１バッチ処理
数をｂ（枚）、………最終Ｆ工程における１バッチ処理
数をｆ（枚）とした時、全工程内１ロットの大きさＬ
（枚）を、Ａ工程からＦ工程に至る各単位工程の１バッ
チ処理数の最小公倍数として管理するようにした（請求
項４）。
【００１０】また、各単位工程の１バッチ処理数の最大
公約数がＧ（枚）で表されるものとした時、ウエーハを
少なくともＧ枚収納するカセットを最小単位ロットとし
て、単位工程への搬出入、加工処理およびストッカーへ
の取り込み、保管、払い出しを行い、この最小単位ロッ
トＧ（枚）を前記全工程内ロットＬ（枚）のサブロット
として、全工程間のウエーハ処理速度を制御、管理する
ようにした（請求項５）。
公約数がＧ（枚）で表されるものとした時、ウエーハを
少なくともＧ枚収納するカセットを最小単位ロットとし
て、単位工程への搬出入、加工処理およびストッカーへ
の取り込み、保管、払い出しを行い、この最小単位ロッ
トＧ（枚）を前記全工程内ロットＬ（枚）のサブロット
として、全工程間のウエーハ処理速度を制御、管理する
ようにした（請求項５）。
【００１１】このように、ウエーハの加工処理ロットの
大きさを決め、ロットを編成することにより、インゴッ
ト１本−１ロット管理から一定数のウエーハ−１ロット
管理が可能となったため、各単位工程の処理速度に対し
て弾力的に対応可能となり、全工程を一定速度で効率的
に運転することができる。
大きさを決め、ロットを編成することにより、インゴッ
ト１本−１ロット管理から一定数のウエーハ−１ロット
管理が可能となったため、各単位工程の処理速度に対し
て弾力的に対応可能となり、全工程を一定速度で効率的
に運転することができる。
【００１２】また、本発明の請求項６に記載した発明
は、前記ストッカーに保管中の待機時間内に、主工程に
併設した副工程において、最小単位ロットＧ毎に、副工
程の加工処理を行い、ロット再編成を行うことができ、
さらに、この副工程を、結晶方位測定、品質検査、面取
りを行う工程とした（請求項７）。
は、前記ストッカーに保管中の待機時間内に、主工程に
併設した副工程において、最小単位ロットＧ毎に、副工
程の加工処理を行い、ロット再編成を行うことができ、
さらに、この副工程を、結晶方位測定、品質検査、面取
りを行う工程とした（請求項７）。
【００１３】このようにすれば、主工程においては、最
小単位ロットＧ毎に、各単位工程間を停滞或は空白を生
じることなく円滑に流れ、副工程においても、従来は主
工程内に組み込まれていた加工処理が、時間のロスなく
行うことが可能となる。
小単位ロットＧ毎に、各単位工程間を停滞或は空白を生
じることなく円滑に流れ、副工程においても、従来は主
工程内に組み込まれていた加工処理が、時間のロスなく
行うことが可能となる。
【００１４】そして、本発明の請求項８に記載した発明
は、インゴット１本から切り出されるウエーハの枚数を
Ｓ（枚）とし、最小単位ロットの大きさＧ（枚）の整数
倍をｎＧとすると、正規のロットを構成することのでき
ない端数ウエーハＲ（枚）は次式で表され、 Ｒ＝（Ｓ−ｎＧ） （ここに、Ｓ＞ｎＧである） 各インゴットから発生する端数ウエーハＲa 、Ｒb ……
Ｒf は、まとめてダミー用ウエーハとして加工処理工程
に流すことを特徴とする半導体シリコン単結晶ウエーハ
の工程管理方法である。このようにすれば、端数ウエー
ハの発生を最小限にとどめることができ、製品ウエーハ
の歩留り向上、加工処理条件の迅速な設定、ロット管理
の能率向上が図れる。
は、インゴット１本から切り出されるウエーハの枚数を
Ｓ（枚）とし、最小単位ロットの大きさＧ（枚）の整数
倍をｎＧとすると、正規のロットを構成することのでき
ない端数ウエーハＲ（枚）は次式で表され、 Ｒ＝（Ｓ−ｎＧ） （ここに、Ｓ＞ｎＧである） 各インゴットから発生する端数ウエーハＲa 、Ｒb ……
Ｒf は、まとめてダミー用ウエーハとして加工処理工程
に流すことを特徴とする半導体シリコン単結晶ウエーハ
の工程管理方法である。このようにすれば、端数ウエー
ハの発生を最小限にとどめることができ、製品ウエーハ
の歩留り向上、加工処理条件の迅速な設定、ロット管理
の能率向上が図れる。
【００１５】さらに、請求項９に記載したように、本発
明の工程管理方法を、前記インゴットのスライス工程に
おけるスライス装置が、マルチワイヤーソーの場合に適
用すれば、マルチワイヤーソーでは特に一度に大量にウ
エーハが切り出されるので、ウエーハの生産性向上、歩
留向上を図るのに有用である。
明の工程管理方法を、前記インゴットのスライス工程に
おけるスライス装置が、マルチワイヤーソーの場合に適
用すれば、マルチワイヤーソーでは特に一度に大量にウ
エーハが切り出されるので、ウエーハの生産性向上、歩
留向上を図るのに有用である。
【００１６】次に、本発明の請求項１０に記載した発明
は、インゴットをスライスして得たウエーハに、ラップ
−面取り−エッチング−鏡面研磨−洗浄−検査−出荷の
各単位工程処理を施して半導体シリコン単結晶ウエーハ
を製造する主工程において、ウエーハを一時的に保管す
るストッカーを設けて、ウエーハ単位のロット管理を可
能としたことを特徴とする半導体シリコン単結晶ウエー
ハの工程管理システムである。
は、インゴットをスライスして得たウエーハに、ラップ
−面取り−エッチング−鏡面研磨−洗浄−検査−出荷の
各単位工程処理を施して半導体シリコン単結晶ウエーハ
を製造する主工程において、ウエーハを一時的に保管す
るストッカーを設けて、ウエーハ単位のロット管理を可
能としたことを特徴とする半導体シリコン単結晶ウエー
ハの工程管理システムである。
【００１７】このように、各単位工程間にウエーハを一
時的に保管するストッカーを設けたことにより、インゴ
ット単位のロット管理からウエーハ単位のロット管理を
可能とするシステムを作ることができる。そして、ウエ
ーハ単位のロット管理をすれば、各単位工程間の処理能
力の差を吸収して、全工程を一定速度で加工処理するこ
とができ、また、保管中のウエーハはストッカーに併設
した副工程に回して待機時間を短縮したり、無くすよう
にすることができる。
時的に保管するストッカーを設けたことにより、インゴ
ット単位のロット管理からウエーハ単位のロット管理を
可能とするシステムを作ることができる。そして、ウエ
ーハ単位のロット管理をすれば、各単位工程間の処理能
力の差を吸収して、全工程を一定速度で加工処理するこ
とができ、また、保管中のウエーハはストッカーに併設
した副工程に回して待機時間を短縮したり、無くすよう
にすることができる。
【００１８】そして、このストッカーの位置を、少なく
とも、スライス後と出荷前とに配置し（請求項１１）、
或は少なくとも、スライス後の当て板剥離洗浄後と、最
終洗浄前とに配置した（請求項１２）システムとする。
このように、スライス後と出荷前にストッカーを配置す
れば、一度に大量のウエーハが出るスライス工程後にウ
エーハ単位のロット管理を可能とすることができる。そ
して、さらに前記主工程の内、加工処理能力の高い工程
の後、或は加工処理能力の低い工程の前にストッカーを
配置すれば、ストッカーをバッファとして使用すること
ができ、主工程の加工処理速度を、より効率化、一定化
することができる。
とも、スライス後と出荷前とに配置し（請求項１１）、
或は少なくとも、スライス後の当て板剥離洗浄後と、最
終洗浄前とに配置した（請求項１２）システムとする。
このように、スライス後と出荷前にストッカーを配置す
れば、一度に大量のウエーハが出るスライス工程後にウ
エーハ単位のロット管理を可能とすることができる。そ
して、さらに前記主工程の内、加工処理能力の高い工程
の後、或は加工処理能力の低い工程の前にストッカーを
配置すれば、ストッカーをバッファとして使用すること
ができ、主工程の加工処理速度を、より効率化、一定化
することができる。
【００１９】そして、本発明では、前記主工程を構成す
る各単位工程の内、最初のＡ工程におけるウエーハの１
バッチ処理数をａ（枚）、Ｂ工程における１バッチ処理
数をｂ（枚）、………最終Ｆ工程における１バッチ処理
数をｆ（枚）とした時、全工程内１ロットの大きさＬ
（枚）を、Ａ工程からＦ工程に至る各単位工程の１バッ
チ処理数の最小公倍数として管理が可能になるようにし
た（請求項１３）。
る各単位工程の内、最初のＡ工程におけるウエーハの１
バッチ処理数をａ（枚）、Ｂ工程における１バッチ処理
数をｂ（枚）、………最終Ｆ工程における１バッチ処理
数をｆ（枚）とした時、全工程内１ロットの大きさＬ
（枚）を、Ａ工程からＦ工程に至る各単位工程の１バッ
チ処理数の最小公倍数として管理が可能になるようにし
た（請求項１３）。
【００２０】また、各単位工程の１バッチ処理数の最大
公約数がＧ（枚）で表されるものとした時、ウエーハを
少なくともＧ枚収納するカセットを最小単位ロットとし
て、単位工程への搬出入、加工処理およびストッカーへ
の取り込み、保管、払い出しを行い、この最小単位ロッ
トＧ（枚）を前記全工程内ロットＬ（枚）のサブロット
として、全工程間のウエーハ処理速度の制御、管理が可
能となるシステムを構築した（請求項１４）。
公約数がＧ（枚）で表されるものとした時、ウエーハを
少なくともＧ枚収納するカセットを最小単位ロットとし
て、単位工程への搬出入、加工処理およびストッカーへ
の取り込み、保管、払い出しを行い、この最小単位ロッ
トＧ（枚）を前記全工程内ロットＬ（枚）のサブロット
として、全工程間のウエーハ処理速度の制御、管理が可
能となるシステムを構築した（請求項１４）。
【００２１】このように、ウエーハの加工処理ロットの
大きさを決め、ロットを編成することにより、インゴッ
ト１本−１ロット管理から一定数のウエーハ−１ロット
管理が可能となったため、各単位工程の処理速度に対し
て弾力的に対応可能となり、全工程を一定速度で効率的
に運転することができる。
大きさを決め、ロットを編成することにより、インゴッ
ト１本−１ロット管理から一定数のウエーハ−１ロット
管理が可能となったため、各単位工程の処理速度に対し
て弾力的に対応可能となり、全工程を一定速度で効率的
に運転することができる。
【００２２】また、本発明の請求項１５に記載した発明
は、前記ストッカーに保管中の待機時間内に、主工程に
併設した副工程において、最小単位ロットＧ毎に、副工
程の加工処理を行い、ロット再編成を行うようにし、さ
らに、この副工程を、結晶方位測定、品質検査、面取り
を行う工程とした（請求項１６）。
は、前記ストッカーに保管中の待機時間内に、主工程に
併設した副工程において、最小単位ロットＧ毎に、副工
程の加工処理を行い、ロット再編成を行うようにし、さ
らに、この副工程を、結晶方位測定、品質検査、面取り
を行う工程とした（請求項１６）。
【００２３】このようにすれば、主工程においては、最
小単位ロットＧ毎に、各単位工程間を停滞或は空白を生
じることなく円滑に流れ、副工程においても、従来は主
工程内に組み込まれていた加工処理が、時間のロスなく
行うことが可能となる。
小単位ロットＧ毎に、各単位工程間を停滞或は空白を生
じることなく円滑に流れ、副工程においても、従来は主
工程内に組み込まれていた加工処理が、時間のロスなく
行うことが可能となる。
【００２４】そして、本発明の請求項１７に記載した発
明は、インゴット１本から切り出されるウエーハの枚数
をＳ（枚）とし、最小単位ロットの大きさＧ（枚）の整
数倍をｎＧとすると、正規のロットを構成することので
きない端数ウエーハＲ（枚）は次式で表され、 Ｒ＝（Ｓ−ｎＧ） （ここに、Ｓ＞ｎＧである） 各インゴットから発生する端数ウエーハＲa 、Ｒb ……
Ｒf は、まとめてダミー用ウエーハとして加工処理工程
に流すことを特徴とする半導体シリコン単結晶ウエーハ
の工程管理システムである。このようにすれば、端数ウ
エーハの発生を最小限にとどめることができ、製品ウエ
ーハの歩留り向上、加工処理条件の迅速な設定、ロット
管理の能率向上が図れる。
明は、インゴット１本から切り出されるウエーハの枚数
をＳ（枚）とし、最小単位ロットの大きさＧ（枚）の整
数倍をｎＧとすると、正規のロットを構成することので
きない端数ウエーハＲ（枚）は次式で表され、 Ｒ＝（Ｓ−ｎＧ） （ここに、Ｓ＞ｎＧである） 各インゴットから発生する端数ウエーハＲa 、Ｒb ……
Ｒf は、まとめてダミー用ウエーハとして加工処理工程
に流すことを特徴とする半導体シリコン単結晶ウエーハ
の工程管理システムである。このようにすれば、端数ウ
エーハの発生を最小限にとどめることができ、製品ウエ
ーハの歩留り向上、加工処理条件の迅速な設定、ロット
管理の能率向上が図れる。
【００２５】さらに、請求項１８に記載したように、本
発明の工程管理システムを、前記インゴットのスライス
工程におけるスライス装置が、マルチワイヤーソーの場
合に適用すれば、マルチワイヤーソーでは特に一度に大
量のウエーハが切り出されるので、ウエーハの生産性向
上、歩留向上を図るのに有用である。
発明の工程管理システムを、前記インゴットのスライス
工程におけるスライス装置が、マルチワイヤーソーの場
合に適用すれば、マルチワイヤーソーでは特に一度に大
量のウエーハが切り出されるので、ウエーハの生産性向
上、歩留向上を図るのに有用である。
【００２６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に基ずいて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。本発明者等は、従来の半導体シリコ
ン単結晶ウエーハの工程管理方法およびシステムにおい
ては、ロット構成がインゴット１本単位であり、その順
番通りにウエーハ１枚毎に直列的に加工処理されるた
め、単位工程の１バッチ処理数のバラツキに対応するの
が難しく、１バッチ最低処理数の単位工程の処理速度に
合せていたため極めて非能率的であった工程管理を改良
するには、各単位工程間に、ウエーハを一時的保管する
ストッカーを設けて、ウエーハ単位のロット管理、例え
ば、カセット単位で管理をすればよいことを発想し、本
発明を完成させたものである。
に基ずいて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。本発明者等は、従来の半導体シリコ
ン単結晶ウエーハの工程管理方法およびシステムにおい
ては、ロット構成がインゴット１本単位であり、その順
番通りにウエーハ１枚毎に直列的に加工処理されるた
め、単位工程の１バッチ処理数のバラツキに対応するの
が難しく、１バッチ最低処理数の単位工程の処理速度に
合せていたため極めて非能率的であった工程管理を改良
するには、各単位工程間に、ウエーハを一時的保管する
ストッカーを設けて、ウエーハ単位のロット管理、例え
ば、カセット単位で管理をすればよいことを発想し、本
発明を完成させたものである。
【００２７】本発明の半導体シリコン単結晶ウエーハの
加工処理工程の一例を図１に示す。先ず、本発明の前工
程では、顧客からのオーダーを受注した時点でシリコン
単結晶インゴットを受入れ、各インゴットにオーダー
（または受注）番号とインゴットロット番号を記入し、
これらの番号を基にしてインゴット用ストッカーに保管
し、次工程のスライス工程への払い出し指令があるまで
待機させる。この待ち時間を利用して、スライスのため
の準備としてストッカーの副工程として設けた、インゴ
ットの結晶方位測定、およびスライス時のウエーハ落下
防止のための当て板およびワークプレートの接着を行
い、再度ストッカーに保管しておく。
加工処理工程の一例を図１に示す。先ず、本発明の前工
程では、顧客からのオーダーを受注した時点でシリコン
単結晶インゴットを受入れ、各インゴットにオーダー
（または受注）番号とインゴットロット番号を記入し、
これらの番号を基にしてインゴット用ストッカーに保管
し、次工程のスライス工程への払い出し指令があるまで
待機させる。この待ち時間を利用して、スライスのため
の準備としてストッカーの副工程として設けた、インゴ
ットの結晶方位測定、およびスライス時のウエーハ落下
防止のための当て板およびワークプレートの接着を行
い、再度ストッカーに保管しておく。
【００２８】次に、本発明のスライス工程に入るが、コ
ンピューターからの指示により、インゴットをスライス
工程に送り込み、各インゴットのブロック毎にウエーハ
に切断する。ここで、本発明の工程管理において使用す
るロットの概念を説明するが、上記のブロックを以下、
全工程内加工ロットと称し、下記のように定義する。前
記主工程を構成する各単位工程の内、最初のＡ工程にお
けるウエーハの１バッチ処理数をａ（枚）、Ｂ工程にお
ける１バッチ処理数をｂ（枚）、………最終Ｆ工程にお
ける１バッチ処理数をｆ（枚）とした時、全工程内１ロ
ットの大きさＬ（枚）は、Ａ工程からＦ工程に至る各単
位工程の１バッチ処理数の最小公倍数で表されるものと
する。
ンピューターからの指示により、インゴットをスライス
工程に送り込み、各インゴットのブロック毎にウエーハ
に切断する。ここで、本発明の工程管理において使用す
るロットの概念を説明するが、上記のブロックを以下、
全工程内加工ロットと称し、下記のように定義する。前
記主工程を構成する各単位工程の内、最初のＡ工程にお
けるウエーハの１バッチ処理数をａ（枚）、Ｂ工程にお
ける１バッチ処理数をｂ（枚）、………最終Ｆ工程にお
ける１バッチ処理数をｆ（枚）とした時、全工程内１ロ
ットの大きさＬ（枚）は、Ａ工程からＦ工程に至る各単
位工程の１バッチ処理数の最小公倍数で表されるものと
する。
【００２９】また、各単位工程の１バッチ処理数の最大
公約数がＧ（枚）で表されるものとした時、ウエーハを
少なくともＧ枚収納するカセットを最小単位ロットとし
て、単位工程への搬出入、加工処理およびストッカーへ
の取り込み、保管、払い出しを行い、この最小単位ロッ
トＧ（枚）を全工程内ロットＬ（枚）のサブロットとし
て、全工程間のウエーハ処理速度を制御、管理するよう
にした。
公約数がＧ（枚）で表されるものとした時、ウエーハを
少なくともＧ枚収納するカセットを最小単位ロットとし
て、単位工程への搬出入、加工処理およびストッカーへ
の取り込み、保管、払い出しを行い、この最小単位ロッ
トＧ（枚）を全工程内ロットＬ（枚）のサブロットとし
て、全工程間のウエーハ処理速度を制御、管理するよう
にした。
【００３０】このようなロット構成にしたことにより、
下記ストッカーの配備と相まって、複数のインゴットか
ら切り出されたブロックすなわち全工程内ロットが混在
する状態でも或は最小単位ロットで混在する状態でもウ
エーハ加工処理が可能となり、従来のインゴット１本、
１ロットの管理方法およびシステムと比較して、最小単
位ロット毎に、停滞、空白を生じることなく円滑に流れ
るため、処理速度は格段に向上し、操業は安定化、効率
化し、ひいては製品歩留が向上した。
下記ストッカーの配備と相まって、複数のインゴットか
ら切り出されたブロックすなわち全工程内ロットが混在
する状態でも或は最小単位ロットで混在する状態でもウ
エーハ加工処理が可能となり、従来のインゴット１本、
１ロットの管理方法およびシステムと比較して、最小単
位ロット毎に、停滞、空白を生じることなく円滑に流れ
るため、処理速度は格段に向上し、操業は安定化、効率
化し、ひいては製品歩留が向上した。
【００３１】スライスして得られたウエーハは、当て
板、ワークプレートを剥離し、洗浄工程を経て、上記ロ
ット構成方法に従って、最小単位ロットに仕立てられ、
ストッカーに収納される。
板、ワークプレートを剥離し、洗浄工程を経て、上記ロ
ット構成方法に従って、最小単位ロットに仕立てられ、
ストッカーに収納される。
【００３２】本発明のもう一つの特徴は、ウエーハを一
時的に保管するストッカーを設けて前記ウエーハ単位の
ロット管理をすることである。このストッカーの配置場
所は、各単位工程間の１バッチ処理能力に差があり、カ
セットが滞留している間に、二次的な加工処理や品質抜
取り検査等が可能な場所に設置することになるが、少な
くともスライス後と、出荷前とし、特に、少なくとも、
カセットストッカーと称して、スライス後の当て板剥離
洗浄後、およびクリーンストッカーと称して、最終洗浄
前とするのがよい。カセットストッカーは最小単位ロッ
ト管理の最初の出発点となり、クリーンストッカーは出
荷直前の製品ロット編成場所として重要な意味がある。
時的に保管するストッカーを設けて前記ウエーハ単位の
ロット管理をすることである。このストッカーの配置場
所は、各単位工程間の１バッチ処理能力に差があり、カ
セットが滞留している間に、二次的な加工処理や品質抜
取り検査等が可能な場所に設置することになるが、少な
くともスライス後と、出荷前とし、特に、少なくとも、
カセットストッカーと称して、スライス後の当て板剥離
洗浄後、およびクリーンストッカーと称して、最終洗浄
前とするのがよい。カセットストッカーは最小単位ロッ
ト管理の最初の出発点となり、クリーンストッカーは出
荷直前の製品ロット編成場所として重要な意味がある。
【００３３】副工程の例としては、前記カセットストッ
カーに並列して、結晶方位測定、一次面取り工程を、ク
リーンストッカーに並列して、出荷用製品ロットに再編
成するためのコンパイル工程を、設けることによって生
産効率のよいシステム化を図った。
カーに並列して、結晶方位測定、一次面取り工程を、ク
リーンストッカーに並列して、出荷用製品ロットに再編
成するためのコンパイル工程を、設けることによって生
産効率のよいシステム化を図った。
【００３４】前記カセットストッカー保管時に、副工程
において方位測定、一次面取りを終えたウエーハは、全
工程内ロット単位で、ラップ−二次面取り−エッチング
−鏡面面取り−鏡面研磨（一次研磨−二次研磨−仕上げ
研磨）−一次洗浄−検査、から成る主工程を移動し、各
単位工程では、最小単位ロットで加工処理され、クリー
ンストッカーに保管される。
において方位測定、一次面取りを終えたウエーハは、全
工程内ロット単位で、ラップ−二次面取り−エッチング
−鏡面面取り−鏡面研磨（一次研磨−二次研磨−仕上げ
研磨）−一次洗浄−検査、から成る主工程を移動し、各
単位工程では、最小単位ロットで加工処理され、クリー
ンストッカーに保管される。
【００３５】ここでは、製品規格に基ずく品質検査結果
を見て、合否判定し、不合格品は最小単位ロットにまと
めて鏡面研磨工程に戻して再加工する。合格品は副工程
で最小単位ロットを再編成した後、最終洗浄−包装−出
荷の主工程を経て顧客に届けられる。
を見て、合否判定し、不合格品は最小単位ロットにまと
めて鏡面研磨工程に戻して再加工する。合格品は副工程
で最小単位ロットを再編成した後、最終洗浄−包装−出
荷の主工程を経て顧客に届けられる。
【００３６】前記各単位工程は、自己完結型で、ウエー
ハをカセットで受入れ、カセットで払い出すシステムを
採っている。例えば、図２に鏡面面取りの場合を示した
ように、鏡面面取り工程では、工程入口に副工程間バッ
ファストッカーを配設し、そこへは、前工程のエッチン
グ工程から主工程ＡＧＶ（自動搬送装置）によって全工
程内ロット単位でウエーハが搬送されて保管される。鏡
面面取り工程内では、バッファストッカーから工程内Ａ
ＧＶで所定のカセットを取り出し、鏡面面取り装置にセ
ットし、カセット単位で加工処理し、加工が済むと洗浄
および工程内検査を行って、再度バッファストッカーに
収納される。工程内でのカセットの移動は、工程内ＡＧ
Ｖにより、連続的に加工のタイミングを見計らって行わ
れる。
ハをカセットで受入れ、カセットで払い出すシステムを
採っている。例えば、図２に鏡面面取りの場合を示した
ように、鏡面面取り工程では、工程入口に副工程間バッ
ファストッカーを配設し、そこへは、前工程のエッチン
グ工程から主工程ＡＧＶ（自動搬送装置）によって全工
程内ロット単位でウエーハが搬送されて保管される。鏡
面面取り工程内では、バッファストッカーから工程内Ａ
ＧＶで所定のカセットを取り出し、鏡面面取り装置にセ
ットし、カセット単位で加工処理し、加工が済むと洗浄
および工程内検査を行って、再度バッファストッカーに
収納される。工程内でのカセットの移動は、工程内ＡＧ
Ｖにより、連続的に加工のタイミングを見計らって行わ
れる。
【００３７】前記スライス工程において、インゴット１
本から切り出されるウエーハの数をＳ（枚）とし、最小
単位ロットの大きさＧ（枚）の整数倍をｎＧとすると、
正規のロットを構成することのできない端数ウエーハＲ
（枚）は次式で表され、 Ｒ＝（Ｓ−ｎＧ） （ここに、Ｓ＞ｎＧである） 各インゴットから発生する端数ウエーハＲa 、Ｒb ……
Ｒf は、まとめてダミー用ウエーハとして加工工程に流
すことによって、ウエーハロスの削減を図っている。ダ
ミー用ウエーハは、加工処理条件の設定、調整に不可欠
なものとして有効に利用される。
本から切り出されるウエーハの数をＳ（枚）とし、最小
単位ロットの大きさＧ（枚）の整数倍をｎＧとすると、
正規のロットを構成することのできない端数ウエーハＲ
（枚）は次式で表され、 Ｒ＝（Ｓ−ｎＧ） （ここに、Ｓ＞ｎＧである） 各インゴットから発生する端数ウエーハＲa 、Ｒb ……
Ｒf は、まとめてダミー用ウエーハとして加工工程に流
すことによって、ウエーハロスの削減を図っている。ダ
ミー用ウエーハは、加工処理条件の設定、調整に不可欠
なものとして有効に利用される。
【００３８】本発明の工程管理方法および工程管理シス
テムに適用されるハードは、公知の内周刃切断機、マル
チワイヤーソー、ラップ盤、エッチング装置、研磨盤、
洗浄装置等の単体加工機、ベルトコンベア、ローラーコ
ンベア、ターンテーブル、自動連結解放台車、ハンドリ
ングロボット等を組み合わせた搬送装置、位置センサ
ー、タイマー、制御用コンピューター等の自動運転制御
機器を目的に応じて適宜組み合わせて、いわゆるＡＧＶ
（自動搬送装置）を組み立てることができる。
テムに適用されるハードは、公知の内周刃切断機、マル
チワイヤーソー、ラップ盤、エッチング装置、研磨盤、
洗浄装置等の単体加工機、ベルトコンベア、ローラーコ
ンベア、ターンテーブル、自動連結解放台車、ハンドリ
ングロボット等を組み合わせた搬送装置、位置センサ
ー、タイマー、制御用コンピューター等の自動運転制御
機器を目的に応じて適宜組み合わせて、いわゆるＡＧＶ
（自動搬送装置）を組み立てることができる。
【００３９】中でもインゴットのスライス工程における
スライス装置には、内周刃切断装置が主流を占めてきた
が、インゴットの大口径化には追随できず、生産性の高
いマルチワイヤーソーにとって代わられつつあり、本発
明は、このマルチワイヤーソーの特性、能力を充分発揮
させて生産性を高め、物と時間のロスをできるだけ減少
させようというシステムである。このマルチワイヤーソ
ーをスライス工程に用いると、一度に大量のウエーハが
スライスされるので、本発明のように、ウエーハ単位で
ロット管理するシステムが特に有用となる。
スライス装置には、内周刃切断装置が主流を占めてきた
が、インゴットの大口径化には追随できず、生産性の高
いマルチワイヤーソーにとって代わられつつあり、本発
明は、このマルチワイヤーソーの特性、能力を充分発揮
させて生産性を高め、物と時間のロスをできるだけ減少
させようというシステムである。このマルチワイヤーソ
ーをスライス工程に用いると、一度に大量のウエーハが
スライスされるので、本発明のように、ウエーハ単位で
ロット管理するシステムが特に有用となる。
【００４０】また、ストッカーは、流通するカセットの
搬出入に適合したものであれば形式を問わないが、棚、
引き出し、箱等、前記単体加工機、搬送装置の特性にマ
ッチしたものが選択される。また、滞留時間が長くなる
場合にはクリーン度に配慮する必要がある。
搬出入に適合したものであれば形式を問わないが、棚、
引き出し、箱等、前記単体加工機、搬送装置の特性にマ
ッチしたものが選択される。また、滞留時間が長くなる
場合にはクリーン度に配慮する必要がある。
【００４１】
【実施例】以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例）単位工程Ａでのウエーハの１バッチ処理数を
２０枚、Ｂ工程では１５枚、Ａ、Ｂ以外の他の単位工程
では１０枚であるとすると、全工程内ロットの大きさ
は、これらの最小公倍数のＬ＝６０枚となる。また、最
小単位ロットの大きさは、これらの最大公約数のＧ＝１
０枚となり、主工程と副工程から成る全工程をメインロ
ット６０枚、サブロット１０枚で加工処理した。また、
図１に示したようにストッカーは、スライス−当て板剥
離洗浄後ラップ前にカセットストッカー、および最終検
査後、最終洗浄前にクリーンストッカーを設置して、夫
々副工程において、方位測定、一次面取りを、或はロッ
ト再編成を行った。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例）単位工程Ａでのウエーハの１バッチ処理数を
２０枚、Ｂ工程では１５枚、Ａ、Ｂ以外の他の単位工程
では１０枚であるとすると、全工程内ロットの大きさ
は、これらの最小公倍数のＬ＝６０枚となる。また、最
小単位ロットの大きさは、これらの最大公約数のＧ＝１
０枚となり、主工程と副工程から成る全工程をメインロ
ット６０枚、サブロット１０枚で加工処理した。また、
図１に示したようにストッカーは、スライス−当て板剥
離洗浄後ラップ前にカセットストッカー、および最終検
査後、最終洗浄前にクリーンストッカーを設置して、夫
々副工程において、方位測定、一次面取りを、或はロッ
ト再編成を行った。
【００４２】別に比較例として従来の方式で、インゴッ
ト１本を１ロットとして、図３に示したストッカーのな
いフローで流した。この試験操業の結果、比較例では今
まで、インゴット投入から出荷までのリードタイムが、
１４日間（稼働日数）掛かっていたものが、本発明の実
施例ではその約６０％の８．５日間（稼働日数）までに
短縮できた。
ト１本を１ロットとして、図３に示したストッカーのな
いフローで流した。この試験操業の結果、比較例では今
まで、インゴット投入から出荷までのリードタイムが、
１４日間（稼働日数）掛かっていたものが、本発明の実
施例ではその約６０％の８．５日間（稼働日数）までに
短縮できた。
【００４３】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４４】例えば、上記説明ではストッカーの配置場
所を、主工程ではカセットストッカー、クリーンストッ
カーとし、或は、副工程では鏡面面取り工程のバッファ
ストッカーとして、それぞれ個別に説明したが、これら
の配置は同時に実施してもよく、配置場所、配置数を任
意に変更することもできる。また、別の単位工程の加工
機のバッチ処理能力が変わった場合に、設置効果が大き
いバッファストッカーを設けることになるが、その配置
場所、配置数等については弾力的に対応することが可能
である。
所を、主工程ではカセットストッカー、クリーンストッ
カーとし、或は、副工程では鏡面面取り工程のバッファ
ストッカーとして、それぞれ個別に説明したが、これら
の配置は同時に実施してもよく、配置場所、配置数を任
意に変更することもできる。また、別の単位工程の加工
機のバッチ処理能力が変わった場合に、設置効果が大き
いバッファストッカーを設けることになるが、その配置
場所、配置数等については弾力的に対応することが可能
である。
【００４５】また、本発明では、シリコン単結晶を製造
する工程として、ラップ−面取り−エッチング−鏡面研
磨−洗浄−検査−出荷の各単位工程を挙げたが、これは
主な工程を単に列記したに過ぎず、本発明はこのような
工程順で、このような単位工程を具備している場合にの
み限定されるものではなく、これらの工程間には種々の
別の工程が存在し得るし、また、工程順についても、目
的に応じて変更可能であり、あるいは、一部工程が省略
されることもある。本発明は、そのような場合において
も、当然に適用可能で、有効な管理方法、管理システム
であることは言うまでもなく、本発明はこのような場合
も包含するものである。
する工程として、ラップ−面取り−エッチング−鏡面研
磨−洗浄−検査−出荷の各単位工程を挙げたが、これは
主な工程を単に列記したに過ぎず、本発明はこのような
工程順で、このような単位工程を具備している場合にの
み限定されるものではなく、これらの工程間には種々の
別の工程が存在し得るし、また、工程順についても、目
的に応じて変更可能であり、あるいは、一部工程が省略
されることもある。本発明は、そのような場合において
も、当然に適用可能で、有効な管理方法、管理システム
であることは言うまでもなく、本発明はこのような場合
も包含するものである。
【００４６】
【発明の効果】本発明によれば、主工程を構成する単位
工程間の要所にストッカーを配置してウエーハ単位のロ
ット管理としたことにより、ウエーハの工程間の滞留、
空白が解消できて、加工処理速度が一定となり、また、
加工処理ロットの大きさを、全工程内ロットと最小単位
ロットの大小二段階に設定したことにより、複数インゴ
ットから作製されるウエーハの最小単位ロットが混在す
る状態での加工処理が可能となり、さらに、ストッカー
配置場所には副工程を設けて二次的加工処理や品質検査
を行うこともでき、全工程の生産性が総合的に向上し、
歩留の向上、操業の安定化、品質管理の徹底が図れる。
工程間の要所にストッカーを配置してウエーハ単位のロ
ット管理としたことにより、ウエーハの工程間の滞留、
空白が解消できて、加工処理速度が一定となり、また、
加工処理ロットの大きさを、全工程内ロットと最小単位
ロットの大小二段階に設定したことにより、複数インゴ
ットから作製されるウエーハの最小単位ロットが混在す
る状態での加工処理が可能となり、さらに、ストッカー
配置場所には副工程を設けて二次的加工処理や品質検査
を行うこともでき、全工程の生産性が総合的に向上し、
歩留の向上、操業の安定化、品質管理の徹底が図れる。
【図１】本発明の半導体単結晶ウエーハの加工処理工程
を示す流れ図である。
を示す流れ図である。
【図２】本発明の単位工程内（鏡面面取り）のフローの
一例を示す摸式図である。
一例を示す摸式図である。
【図３】従来の半導体単結晶ウエーハの加工処理工程の
一例を示す流れ図である。
一例を示す流れ図である。
Claims (18)
- 【請求項１】 インゴットをスライスして得たウエーハ
に、ラップ−面取り−エッチング−鏡面研磨−洗浄−検
査−出荷の各単位工程処理を施して半導体シリコン単結
晶ウエーハを製造する主工程において、ウエーハを一時
的に保管するストッカーを設けて、ウエーハ単位のロッ
ト管理をすることを特徴とする半導体シリコン単結晶ウ
エーハの工程管理方法。 - 【請求項２】 前記ストッカーの位置を、少なくとも、
スライス後と出荷前とに配置した、ことを特徴とする請
求項１に記載した半導体シリコン単結晶ウエーハの工程
管理方法。 - 【請求項３】 前記ストッカーの位置を、少なくとも、
スライス後の当て板剥離洗浄後と、最終洗浄前とに配置
した、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載
した半導体シリコン単結晶ウエーハの工程管理方法。 - 【請求項４】 前記主工程を構成する各単位工程の内、
最初のＡ工程におけるウエーハの１バッチ処理数をａ
（枚）、Ｂ工程における１バッチ処理数をｂ（枚）、…
……最終Ｆ工程における１バッチ処理数をｆ（枚）とし
た時、全工程内１ロットの大きさＬ（枚）は、Ａ工程か
らＦ工程に至る各単位工程の１バッチ処理数の最小公倍
数とする、ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいず
れか１項に記載した半導体シリコン単結晶ウエーハの工
程管理方法。 - 【請求項５】 各単位工程の１バッチ処理数の最大公約
数がＧ（枚）で表されるものとした時、ウエーハを少な
くともＧ枚収納するカセットを最小単位ロットとして、
単位工程への搬出入、加工処理およびストッカーへの取
り込み、保管、払い出しを行い、この最小単位ロットＧ
（枚）を全工程内ロットＬ（枚）のサブロットとして、
全工程間のウエーハ処理速度を制御、管理する、ことを
特徴とする請求項４に記載した半導体シリコン単結晶ウ
エーハの工程管理方法。 - 【請求項６】 前記ストッカーに保管中の待機時間内
に、主工程に併設した副工程において、前記最小単位ロ
ット毎に、副工程加工処理を行い、ロット再編成を行
う、ことを特徴とする請求項５に記載した半導体シリコ
ン単結晶ウエーハの工程管理方法。 - 【請求項７】 前記副工程が、結晶方位測定、品質検
査、面取りである、ことを特徴とする請求項６に記載し
た半導体シリコン単結晶ウエーハの工程管理方法。 - 【請求項８】 インゴット１本から切り出されるウエー
ハの枚数をＳ（枚）とし、最小単位ロットの大きさＧ
（枚）の整数倍をｎＧとすると、正規のロットを構成す
ることのできない端数ウエーハＲ（枚）は次式で表さ
れ、 Ｒ＝（Ｓ−ｎＧ） （ここに、Ｓ＞ｎＧである） 各インゴットから発生する端数ウエーハＲa 、Ｒb ……
Ｒf は、まとめてダミー用ウエーハとして加工処理工程
に流すことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか
１項に記載した半導体シリコン単結晶ウエーハの工程管
理方法。 - 【請求項９】 前記インゴットのスライス工程における
スライス装置が、マルチワイヤーソーである請求項１〜
請求項８のいずれか１項に記載した半導体シリコン単結
晶ウエーハの工程管理方法。 - 【請求項１０】 インゴットをスライスして得たウエー
ハに、ラップ−面取り−エッチング−鏡面研磨−洗浄−
検査−出荷の各単位工程処理を施して半導体シリコン単
結晶ウエーハを製造する主工程において、ウエーハを一
時的に保管するストッカーを設けて、ウエーハ単位のロ
ット管理を可能としたことを特徴とする半導体シリコン
単結晶ウエーハの工程管理システム。 - 【請求項１１】 前記ストッカーの位置を、少なくと
も、スライス後と出荷前とに配置した、ことを特徴とす
る請求項１０に記載した半導体シリコン単結晶ウエーハ
の工程管理システム。 - 【請求項１２】 前記ストッカーの位置を、少なくと
も、スライス後の当て板剥離洗浄後と、最終洗浄前とに
配置した、ことを特徴とする請求項１０または請求項１
１に記載した半導体シリコン単結晶ウエーハの工程管理
システム。 - 【請求項１３】 前記主工程を構成する各単位工程の
内、最初のＡ工程におけるウエーハの１バッチ処理数を
ａ（枚）、Ｂ工程における１バッチ処理数をｂ（枚）、
………最終Ｆ工程における１バッチ処理数をｆ（枚）と
した時、全工程内１ロットの大きさＬ（枚）は、Ａ工程
からＦ工程に至る各単位工程の１バッチ処理数の最小公
倍数とする、ことを特徴とする請求項１０〜請求項１２
のいずれか１項に記載した半導体シリコン単結晶ウエー
ハの工程管理システム。 - 【請求項１４】 各単位工程の１バッチ処理数の最大公
約数がＧ（枚）で表されるものとした時、ウエーハを少
なくともＧ枚収納するカセットを最小単位ロットとし
て、各単位工程への搬出入、加工処理およびストッカー
への取り込み、保管、払い出しを行い、この最小単位ロ
ットＧ（枚）を全工程内ロットＬ（枚）のサブロットと
して、全工程間のウエーハ処理速度の制御、管理を可能
とした、ことを特徴とする請求項１３に記載した半導体
シリコン単結晶ウエーハの工程管理システム。 - 【請求項１５】 前記ストッカーに保管中の待機時間内
に、主工程に併設した副工程において、前記最小単位ロ
ット毎に、副工程加工処理を行い、ロット再編成を行う
ようにした、ことを特徴とする請求項１４に記載した半
導体シリコン単結晶ウエーハの工程管理システム。 - 【請求項１６】 前記副工程が、結晶方位測定、品質検
査、面取りである、ことを特徴とする請求項１５に記載
した半導体シリコン単結晶ウエーハの工程管理システ
ム。 - 【請求項１７】 インゴット１本から切り出されるウエ
ーハの枚数をＳ（枚）とし、最小単位ロットの大きさＧ
（枚）の整数倍をｎＧとすると、正規のロットを構成す
ることのできない端数ウエーハＲ（枚）は次式で表さ
れ、 Ｒ＝（Ｓ−ｎＧ） （ここに、Ｓ＞ｎＧである） 各インゴットから発生する端数ウエーハＲa 、Ｒb ……
Ｒf は、まとめてダミー用ウエーハとして加工処理工程
に流すことを特徴とする請求項１０〜請求項１６のいず
れか１項に記載した半導体シリコン単結晶ウエーハの工
程管理システム。 - 【請求項１８】 前記インゴットのスライス工程におけ
るスライス装置が、マルチワイヤーソーである請求項１
０〜請求項１７のいずれか１項に記載した半導体シリコ
ン単結晶ウエーハの工程管理システム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08332397A JP3419241B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体シリコン単結晶ウエーハの工程管理方法および工程管理システム |
| TW87103481A TW396440B (en) | 1997-03-17 | 1998-03-10 | Method and system for controlling manufacturing steps in the manufacture of monocrystalline semiconductor silicon wafers |
| EP98301793A EP0866497A3 (en) | 1997-03-17 | 1998-03-11 | Method and system for controlling manufacturing steps in the manufacture of monocrystalline semiconductor silicon wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08332397A JP3419241B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体シリコン単結晶ウエーハの工程管理方法および工程管理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261555A true JPH10261555A (ja) | 1998-09-29 |
| JP3419241B2 JP3419241B2 (ja) | 2003-06-23 |
Family
ID=13799230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08332397A Expired - Lifetime JP3419241B2 (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体シリコン単結晶ウエーハの工程管理方法および工程管理システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0866497A3 (ja) |
| JP (1) | JP3419241B2 (ja) |
| TW (1) | TW396440B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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