TW392277B - Electrostatic holding apparatus - Google Patents

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^:31部屮""-1?·^·-;ί1-消於合竹i印^C A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 本發明與一種靜電吸著設備有關，特別是指一種用於 製造半導體元件、液晶元件等製程中的靜電吸著設備，該 設備利用靜電力可強力吸引及吸著導電性、半導電性、或 絕緣物件，使物件容易附著或分離。 相關技術說明 近來，半導體元件、液晶元件等製程中，特別是乾蝕 刻、離子佈植、及蒸鍍製程已經愈來愈自動化，且於乾式 製程下進行。在這樣的情況下，真空下進行的製程數目已 經增加。 同時，圖案化時定位的準確性已經變得更重要，因爲 作爲基材的矽晶圓及玻璃板的直徑已增加，而電路積體化 的程度及圖案的精細程度也增加。所以，真空吸盤已經用 來輸送晶圓或吸引及固定晶圓。然而，真空吸盤具以下缺 點。真空吸盤不能使用於真空環境，因爲無法產生壓力差 。雖然真空吸盤可在非真空環境下使用，因爲晶圓是被局 部吸附，被吸住的晶圓會產生局部形變，結果正確定位變 得困難。因此，真空吸盤並不適用於近來發展之半導體元 件及液晶元件製程。 近來，雖然元件已經克服上述缺點，靜電吸著設備已 經被廣爲注意及實際使用，靜電吸著設備利用靜電力輸送 及/或吸引及固定晶圓。近來半導體元件及液晶元件的製 程中，因爲元件精細度增加，作爲基材之晶圓及玻璃板的 本紙張尺度適用中囤國家標车（CNS ) A4规格（210X297公釐）-4- {誚圮閲讀^而之注^事項再填巧本頁)

A7 B7 五、發明説明（2 ) 平坦度已變得愈來愈重要。因此，爲了進行直化校正以改 進晶圓及玻.璃板的平坦度，已經考慮使用靜電吸附裝置。 用於改進晶圓及玻璃板平坦度的直化校正需要非常強 的靜電力。爲了達到這種要求，現已提出一種技術，其中 ，氧化鈦（T i 0 3 )混合於絕緣材料如氧化鋁中，以減少 體積電阻係數，因此增加靜電吸_引力（見日本公開專利申 請公報第 62-94953，2 — 206147，3 — 1 4 7843，及 3-2049 2 4。） 如上述，當含氧化鈦的氧化鋁被用做靜電吸引部分之 絕緣介電層時，絕緣介電層之體積電阻係數減小，有小電 流流經，因爲強森拉貝（Johnson-Rahbek )效應，所以產 生的靜電力增加。然而，因爲氧化鈦爲半導性物質，電荷 的移動速度減少，所以即使當體積電阻係數爲最隹時，當 停止施加電壓時，反應特性（到達飽和吸引力所需之時間 、消除殘留吸引力所需的時間）劣化。結果，物件變得不 易從靜電吸著設備之吸引表面移除。當靜電吸著設備於低 溫下使用時，反應特性中的劣化情形變得顯著。再者，因 爲氧化鈦及氧化鋁之熱膨脹係數的差別，裂痕及/或孔洞 產生於燒結的氧化鋁中，所以耐電壓低。 發明槪要 本發明已經被完成以解決上述問體，本發明的目的在 提出一種靜電吸著設備，其中，靜電吸引部分之絕緣介電 層之體積電阻係數減少以增加靜電力，當停止施加電壓時 本紙張尺度適Λ中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）._ 5 _ (ΐίίι閱讀肾面之注•意事項再楨·??本頁) 訂 -f A 7 __B7_ 五、發明説明0 ) ，該設備無物件移除能力劣化的問題，其中，燒結後既無 細微裂痕亦無孔洞存留於絕緣介電層中，因此，有極佳的 耐電壓。 爲達上述目的，本發明提出一種靜電吸著設備，其中 ，電壓加於包被一層絕緣介電層的導電電極，使絕緣介電 層以靜電方式吸引物件，其中絕_緣介電層的主要組成爲含 0 . 1至30wt%金屬原子的陶瓷，且含金屬陶瓷之體 積電阻係數於2 0°C時爲1 〇8至1 013ω· cm » 若絕緣介’電層的主要組成爲含0.1至30wt%金屬原子的 陶瓷，當絕緣介電層之體積電阻係數於20 °C時可被容易控制 且準確的落於1〇8至1〇13ω · cm的範圍中。結果，可以形成產 生強大靜電力的靜電吸引部分，而又能容易的移除物件；其具 降低的熱膨脹係數；其中，燒結後既無細微裂痕亦無孔洞存留 於絕緣介電層中，因此，有極佳的耐電壓。 較佳的是，該金屬原子爲鉬或鎢。 經滴部中央標準局員工消费合作社印製 較佳的是，絕緣介電層之陶瓷爲從包含氮化鋁、氧化 鋁、氮化矽、氧化矽、氧化鉻、氧化鈦、塞龍（sialon氮 化矽與氧化鋁之固熔體）、氣化硼、碳化矽之種類中選出 之陶瓷材料，或是從該種類中選出之兩種或多種陶瓷材料 之混合體》 ’ 當絕緣介電層之陶瓷爲從上述種類中選出時，陶瓷內 上述單一金屬的添加得到增加的靜電力，以增強熱阻値及 電漿阻値。再者，因爲混合於其中的陶瓷及金屬原子的熱 膨脹係數的差別可被降低至某一..程度，燒結過程後無變形 本纸張尺度適用冲國國家標準（〔阳）六4说#,(2丨0\297公婪）_g_ A7 B7 五、發明説明件) (誚先閱讀妒面之注-意事項再硪巧本 或裂痕產生於靜電吸引部分之吸引表面，所以，可改進耐 電壓特性。結果，如變形或裂痕之缺陷可以可靠的避免產 生於以靜電吸著設備吸引及吸著之基材（如半導體晶圓或 玻璃板）。 依照本發明之靜電吸著設備中，用來吸引物件之靜電 吸引部分之絕緣介電層之組成爲.含0 . 1至3 0 W t %鉬 或鎢的陶瓷，絕緣介電層之體積電阻係數於2 0°C時可被 控制落於1 08至1 013Ω·αη的範圍中。結果，靜電吸著 設備產生強大靜電力，而又能容易的移除物件。再者，因 爲絕緣介電層的熱膨脹係數大體相同於氮化鋁或碳化矽， 燒結後既無細微裂痕亦無孔洞存留於絕緣介電層中，因此 ，靜電吸著設備提供高性能，且具極佳特性，包含高的耐 電壓在內。所以，本發明之靜電吸著設備具極佳的工業效 用。 圖示簡要說明 圖1爲垂直剖面圖，顯示依照本發明之靜電吸著設備 之案例。 主要元件對照 1 雙極電極 2 絕緣介電層 3 黏結層 4 靜電吸引部分 本紙张尺度述;1]中國國家標準（CN'S ) Α4規格（210Χ 297公釐）-7 - A7 __ B7 五、發明説明乒) 5 平板部分 6 導線 7 靜電吸著設備 較佳實施例說明 本發明之實施例將被詳細說.明，然而該實施例不應被 解釋爲限制本發明。 本發明的發明者認爲靜電吸著設備之絕緣介電材料必 須改變以改進靜電吸著設備的特性，亦即，雖然可以產生 強的靜電吸引力，但由於絕緣介電層中細微裂縫及孔洞的 產生，被吸引物件的移除不易且耐電壓減小。基於上述考 量，本發明者認爲，若絕緣介電材料改爲包含特定量之單 —金屬的陶瓷，特別是鉬或鎢，可以製造耐用及高性能之 靜電吸著設備，可產生強靜電吸弓丨力，亦可容易移除被吸 引物件，其中，無細微裂痕或孔洞產生於絕緣介電層中， 不然的話，其使耐電壓降低。基於此槪念及經過其他條件 通盤的硏究，完成本發明》 圖1爲依照本發明之靜電吸著設備7之直立截面圖。 靜電吸著設備7包含靜電吸引部分4，經由黏結層3 ，靜電吸引部分4接合於平板部分5之頂面。靜電吸引部 分4具板狀結構，所以雙極電極1之相反兩側包被絕緣介 電層2。當外部電源的電壓經由導線6加於電極1時，靜 電吸引部分4之頂面與置於其上之物件（如半導體晶圓） 之間產生靜電力。所以，物件被強有利吸著，同時進行直 本紙張尺度述用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐）-8- ---------X------訂-------參 (ΐί先閱讀#-‘面之ii意事^再^打本頁) A7 __B7___ 五、發明説明$ ) 化校正以改進物件之平坦度。 絕緣介電層2之主要組成一即構成靜電吸引部分4-爲含0.1至30wt%金屬原子的陶瓷》較佳的是，金 屬原子爲鉬或鎢。 當絕緣介電層之主要組成爲含鉬或鎢之陶瓷時，絕緣 介電層之體積電阻係數於2 0°C莳可被容易控制且準確的 落於1 08至1 013ω· cm的範圍中。結果，可以形成產生 強大靜電力的靜電吸引部分4，而又能容易的移除物件； 絕緣介電層的熱膨脹係數大體相同於氮化鋁、碳化矽或類 似物；燒結後既無細微裂痕亦無孔洞存留於絕緣介電層中 ;因此，有高耐電壓。 如上述，習知技術中，少數至2 5w t %的二氧化鈦 混合於三氧化二鋁中，以調整室溫下絕緣介電層之體積電 阻係數落於1 09至1 011Ω·αη的範圍中，因此增加靜電 •力。然而，因爲二氧化鈦爲半導體物質，電荷移動速度減 慢，所以即使當體積電阻係數爲最佳，當停止施加電壓時 ，反應特性（到達飽和吸引力所需時間、消滅殘留吸引力 所需時間）劣化。結果，物件變得不易從靜電吸著設備之 吸引表面移除。再者，因爲二氧化鈦及三氧化二銘之熱膨 脹係數的差別，裂痕及/或孔洞產生於燒結後的氧化鋁中 ，所以耐電壓變得低》 基於前者，本發明發明者硏究及尋找除二氧化鈦外的 金屬原子及金屬氧化物，其可作爲添加物，使陶瓷之體積 電阻係數降低至適合値，發明者發現，鉬或鎢可非常有效

1紙張尺度通用中國國家標準（〇阳）六4規$(2]0父297公釐）"""IgT ---------1-------ΪΤ------枣. (iAilKJ讀#.'面之注'意事項再填寫本頁) Α7 Β7 五、發明説明？) 的達到此目的。再者，發明者得到添加物的加入量與陶瓷 體積電阻係數之間的關係，證實合成陶瓷具有的物理特性 適合用於靜電吸引部分。所以，使用上述成分之陶瓷。 就靜電吸引部分4之絕緣介電層2之陶瓷而言，所使 用的陶瓷材料爲從包含氮化鋁、氧化鋁、氮化矽、氧化矽 -、氧化鍩、氧化鈦、塞龍、氮.化硼、碳化矽之種類中選 出，或是從該種類中選出之兩種或多種陶瓷材料之混合體 本發明中'，鉬或鎢混合於一種或多種陶瓷材料中，以 調整體積電阻係數至所需値，所以可以形成產生強靜電力 的絕緣介電層。 絕緣介電層2 -組成靜電吸引部分-的體積電阻係數 之適合値隨使用溫度而變。例如，半導體晶圓被吸著的溫 度在2 0°C或更低時，或絕緣介電層2的體積電阻係數落 在1 08至1 Ο 12ω· cm的範圍內時，可產生足夠強的靜電 力且不發生元件損害。低溫特性的硏究如下。 鉬或鎢加入9 5w t %氮化鋁粉末及5w t %氧化纪 (作爲助燒結劑）的混合物中，以備置絕緣介電粉末。銷 或鎢含量的變動範圍在〇。1 一 3〇wt%之間，以得到 在1 X 1 0 7至9 X 1 0 1 2 Ω · cm的範圍內不同體積電阻係 數（2 0°C )的絕緣介電粉末。電極埋於絕緣介電粉末中 以製造靜電吸引部分。靜電吸引部分被保持於約—1 〇〇c 的溫度’晶圓的溫度降低爲〇°C。此時，1 KV直流電壓 施加於靜電吸著設備以決定設備是否能吸著晶圓，及是否 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）β 1〇 · (誚先閱誚背面之注奮^項再頊打本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明$ ) 損害產生於晶圓。實驗結果示於表 表 體積電阻係數 1 X ίο7 2 X 108 5 X 10" 9 X 1012 晶圓之吸著狀態 好 好 好 掉落 元件損害 、 破裂 好 好 — 先 閱 讀 面， 之 注 事 項 再 本I n 再者，當被吸著晶圓的溫度爲2 0°C或更高，絕緣介 電層2之體積電阻係數被調整落至1 X 1 012至1 X 1 0 1 3 Ω · cm的範圍內時，流經晶圓之漏電流小，所以晶 圓上之電路不會斷。 訂 而且，熱阻値測試進行如下。 鉬或鎢的加入量的變化範圍在0。1至3 Ow t %， 以備置靜電吸引部分，其中，絕緣介電層的體積電阻係數 (20°C)調整至 1 X 1 011 至 5x 1 013Ω.〇η 的範圍 內，加熱靜電吸引部分，且溫度維持於約1 0 0°C。此時 ，1KV直流電壓施加於靜電吸著設備以決定設備是否能 吸著晶圓，及是否損害產生於晶圓。實驗結果示於表2。 表2 體積電阻係數 1 X 10" 3 X 1012 2 X 1013 5 X 10丨3 晶圓之吸著狀態 好 好 好 掉落 元件損害 破裂 好. 好 — 本紙张尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐〉· 11 - A7 B7 五、發明説明自) 上述實驗及硏究的結果揭示如下。靜電吸盤的絕緣介 電材料之體積電阻係數較好調整至落於1 X 1 0 8至1 X 1 〇13Ω·αη的範圍內，更佳的是落於1 X 1 〇1Q至1 X 1 〇Ι2Ω·αη的範圍內。當鉬或鎢的加入量少於〇。1 w t %時，體積電阻係數並不有效的降低，所以靜電力變 得太弱，因此晶圓無法被吸著。當鉬或鎢的加入量超過 3 Ow t %時，體積電阻係數過分降低，所以靜電力變得 過分強，因此損害產生於晶圓。所以，鉬或鎢的加入量決 定在0。1至3〇wt%的範圍內。 當製造靜電吸引部分使絕緣介電層（主成份爲含鉬或 鎢陶瓷）的體積電阻係數落在1 X 1 08至1 X 1 013 Ω· cm的範圍內時，靜電吸引部分使晶圓能馬上於電壓停止 施加時立即被移除。因此，靜電吸引部分的反應及靜電吸 著設備的解除反應相當好。靜電力通常以下列公式代表。 閲 讀 n- 1¾ i 事 項 再 本 η

J 訂

F £ · ( V / t -線 此處，F爲靜電力（C) ，ε爲介電常數（F/m)， V爲施加電壓（V) ，t爲厚度（μιη) ，A爲常數。 因此，具高介電常數的陶瓷粉末如鈦酸鋇、鈦酸鉛、 鈦酸鉻或P L Z T (鈦酸鉛鉻）不會使被吸著之半導體元 件產生損害的量可加入於絕緣材料中。 靜電吸引部分4的備置如下。首先，金屬（鉬或鎢） 粉末、黏結劑、及溶劑混合於陶.瓷粉末中以形成生片。進 本纸張尺度迸扣中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 12 _ A7 B7 五、發明説明（10 ) 行網版印刷，利用金屬粉塗料將電極1印刷於生片的一面 。而後，不同的生片重疊於第一片生片上，隨之利用高壓 沖壓以施加的壓力將兩片結合，而後以高溫燒結。因此得 到燒結體。最後，準確拋光燒結體的相反兩側，得到平板 狀的靜電吸引部分4。或者，金屬板或導電陶瓷片被作爲 電極1，以熱噴霧方式噴灑絕緣.陶瓷兩側至理想厚度形成 平板狀，而後精確拋光絕緣陶瓷的兩側以完成靜電吸引部 分4 組成靜電吸引部分4的導電電極1由從包含鋁、鐵、 銅、銀、金、鈦、鎢、鉬及白金之金屬種類中選出之材料 、如石墨、碳、碳化矽、氮化鈦、或碳化鈦的導電陶瓷、 或從該種類中選出之兩種或多種材料之合金、或這些材料 的混合燒結體。 網版印刷法、噴霧融合法、光微影法、平板法或類似 方法用來形成電極1。爲形成吸引電場，可使用單極型電 極或雙極型電極，單極型電極中，被吸引物件作爲一電極 ，另一電極置於靜電吸引部分4內，雙極型電極中，兩電 極置於靜電吸引部分4內》 因爲必須施加電壓於內電極1以產生靜電力，相通於 內電極1的孔洞形成於覆蓋電極的陶瓷中，導線從外部電 源連接至電極1。當電極由可焊接材料如銅、白金、鍍鎢 的鎳或金組成時，利用熔點高於靜電吸盤操作溫度的焊材 可將導線焊接於電極。當電極由不可焊接材料如石墨、鎢 、或氮化鈦組成時’穿銷由熱膨脹係數與陶瓷相當之合金 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐） (誚尤閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 392277 奸浐部中"打^-^Ί-1"，"竹，^印‘5'; 五、 發明説明（M ) 1 1 組成 9 且 AZ[> m 插入於孔中 ，以銀焊接於電極 > 1 1 1 因 爲 靜 電 吸 引 部分 4具 薄 板 形狀 且容 易 破 裂 平 板 部 1. 1 分5 必 須 具 高 熱 導 率得 使熱 有 效 輻射 ，且 必 須 具 小 的 熱 膨 1 I 脹係 數 j 不 使 靜 電 吸引 部分 4 變 形或扭曲 0 因 此 > 平 板部 閱 1 分5 之 材 料 較 好 由 包含 氮化 鋁 % 氧化 鋁、 氮 化 矽 \ 氧 化 矽 讀 背—. 1 1 ..、氧 化 銷 > 氧 化 鈦 、 塞龍 氮 .化硼 、碳 化 矽 之 種 類 中 選 意 1 1 I 出， 或 是 從 該 種 類 中選 出之 兩 種 或多 種材料 混 合 後 的 燒 結 事 項 再 1 1 BtUt 體。 可使 用 由 上 述 陶瓷 板組 成 的 疊板 及金 屬 板 如 鋁 板 、 銅 填 木 1 l 板、 或 鈦 板 、* 或 合金板如不録鋼板。 'η 'w" 1 1 通 常 具 筒 熱 阻之 熱固 性 合 成樹 脂黏 結 劑 用 於 靜 電 吸 1 I 引部 分 4 及 平 板部 分5 之間 之 結 合。 若使 用 室 溫 下 爲 液 態 1 1 I 之黏 結 劑 静 電 吸 引部 分4 及 平 板部 分5 可 均 勻 及 容 易 接 1 訂 合， 且 論 靜 電 吸 引部 分4 及 平板部 分5 的 形 狀 黏結 性 1 1 接合 變 得 可 以 使 用 〇 同應 用 方 如旋 轉 塗 佈 、 條 型 塗 1 1 佈及 噴 霧 塗 佈可以; 甩於液態黏結劑的應用。 1 1 % \ 案例 1 1 1 將 以 案 例 對 本 發明 做說 明 〇 然而 ，本 發 明 並 不 被 侷 限 1 1 於此 〇 1 1 案例 1 卜 1 1 重 量 爲 2 0 份 的鉬 粉、 重 量 爲8 份的 丁 縮 醛 樹 脂 、 重 1 1 1 量爲 6 0 份 的 乙 醇 及重 里綺 1 2 份的 鄰苯 二 甲 酸 二 辛 酯 加 1 1 入於 重 量 爲 — 百 份 的9 5 w t % 的氮 化鋁 粉及 5 W t % 作 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐）-14 - iii?'.部中呔^n'->!.Jh.Tivi灼合 卬掣 392277 - 五、發明説明（12 ) 爲燒結助劑的氧化釔粉，最後的混合體捏練於球磨機5 〇 小時得到漿料。 而後，以真空除泡機處理漿料，部分的溶劑揮發以調 整黏度至30000cps。而後，以刮刀形成厚度爲〇 。7 mm的生片，兩個直徑爲1 8 Omm的圓板從生片切 下。以網印方法及鎢漿將雙極電.極印於其中一個圓板，使 組成雙極電極的同心電極之間距爲2。5mm。而且，直 徑爲2 mm的孔洞形成於另一生片之中央部分。 具孔洞之生片重疊於已印有電極之生片上，利用已加 熱至1 00°C的壓具、壓力爲80kg/cm2施予重疊之 生片以將其結合。結果，結合之生片燒結於1 8 0 0 °C， 含25vo 1%氫及75vo 1%的氮氣氛下。得到的燒 結體之相反兩面加以拋光以得備置厚度爲1 mm的靜電吸 引部分。靜電吸引部分的體積電阻係數於2 測量爲2 X 1 0 1()Ω· cm。燒結後的陶瓷層中沒有發現裂縫、孔洞 或扭曲。 而後，經由靜電吸引部分中形成孔洞暴露於外的鎢電 極，被分別鍍上鎳或金，使用熔點爲3 5 0 °C的焊料將導 線焊接於這些部分。因此完成靜電吸著設備的製造。 接下來，直徑爲6英吋的矽晶圓置於靜電吸著設備上 ，且± 1 KV的直流電壓加於兩導線之間而晶圓維持於0 °C。該狀態下，靜電吸著設備的靜電力以靜電力測試器量 測。測量結果顯示靜電吸著設備產生的靜電力爲2 k g/cm2，以足夠強作爲直線校準以改進晶圓的平坦度 本紙張尺度適州中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-15- {誚先閲讀背面之注意事項再>/>寫本頁) X.. 訂 392277 a7 _B7 __ 五、發明説明（13 ) 。當施加電壓關閉時，靜電吸著設備迅速反應，因此晶圓 可於施加電壓停止之後馬上被移除。 案例2 以案例1中相同方法製造靜電吸引部分，除了鉬的加 入量變更爲1、0份重量。靜電吸.引部分的體積電阻係數於 2 0 °C 測量爲 5 X 1 0 1 1 Ω · cm。 爲了提升熱阻抗，靜電吸著設備之靜電力以靜電力測 試器量測，而晶圓溫度加熱至1 0 0°C。測量出的靜電力 爲4kg/cm2，足以用於實際應用。晶圓上形成的電路 不因漏電流被損害。 比較案例 以案例1中相同方法製造靜電吸引部分，除了取代鉬 以重量爲2。5部分的二氧化鈦加入於9 5 w t %氮化鋁 粉及5w t %氧化釔粉的混合體。靜電吸引部分的體積電 阻係數於2 0 °C測量爲5 X 1 0 1 2 Ω · cm。 爲了提升熱阻抗，靜電吸著設備之靜電力以靜電力測 試器量測，而晶圓溫度加熱至1 0 0 °C。測量出的靜電力 爲1 k g / c、m 2，足以用於實際應用。晶圓上形成的電路 被嚴重損害，可想像的爲二氧化鈦的加入。 本發明不侷限於上述實施例。上述實施例只爲案例， 實質上與附錄之申請專利範圍中說明之結構相同，亦可提 供相似作用及效果者皆包含於本發明之範疇。 本紙張尺度逑用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-16 · ---------______ T I I I I ϋ n STi --6Λ ^ - J (誚1閱誚背面之注意事項再頊寫本頁)

Claims (1)

1. 392277 Jf ill 16 〇 os g| 六、申請專利範圍 1.—種靜電吸著設備，其中，爲了使絕緣介電層以 靜電方式吸..引物件，包被一層絕緣介電層的導電電極被施 予一電壓，其中絕緣介電層的主要成份爲含〇.1至30 w t %金屬原子的陶瓷，含金屬陶瓷之體積電阻係數於 20°C 時爲 1〇8 至 1〇13Ω·αη。 2 *如申請專利範圍第1項之靜電吸著設備，其中金 屬'原子爲鉬或鎢。 3 .如申請專利範圍第1項之靜電吸著設備，其中絕 緣介電層之陶瓷爲從包含氮化鋁、氧化鋁、氮化矽、氧化 矽、氧化銷、氧化鈦、塞龍、氮化硼、碳化矽之種類中 選出之陶瓷材料，或是從該種類中選出之兩種或多種陶瓷 材料之混合體。 4 .如申請專利範圍第2項之靜電吸著設備，其中絕 緣介電層之陶瓷爲從包含氮化鋁、氧化鋁、氮化矽、氧化 矽' 氧化锆、氧化鈦、塞龍、氮化硼、碳化矽之種類中 選出之陶瓷材料，或是從該種類中選出之兩種或多種陶瓷 材料之混合體。 (請先閲讀背面之a.·意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央揉準局男工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) A4規格（210X297公釐ί"""· 17 ·