TW390915B - Electroless nickel plating solution and method - Google Patents

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' A7 .一__________________________________ __________ _____________________________________ B7 五、發明説明（、） 發明領域 本發明係有關一種無電鍍鎳溶液，其具有改良的精密 圖式化能力（patterning capability)，及一種在工作 件上化學沈積鎳鍍層之方法。本發明也有關一種高組份鍍 金方法，其能夠在經化學銨鎳過的工作件上沈積一層厚的 金鍍層，該方法對於在印刷電路板和電子零件件上形成金 鍍層具有工業有利性。 先前技藝 無電或化學鎳鍍以其有利特徵而已被用於廣多種領域 之中。例如，無電鍍鎳即已被廣用於電子用品上。不過， 無電鍍鎳技術尙未完全趕上電子用品方面的迫切需要。 電子用品重量減低的需求促進組成電路密度的增加， 因而需要更細密的線路圖式。使用傳統無電電鍍鎳溶液在 這種細密圖式上電鍍時會產生幾項問題。經減少的線寬在 電鍍時會造成薄肩問題。細窄的圖式間距會產生下列問題 :鍍層突出或向外突起而減低線條之間的阻力及因鍍層橋 連而短路。’薄層（thin shou. lder) —詞意指從橫截面 看來鍍層未完全沈積在線路流道的肩部且該肩部上的鍍層 部份比其餘鍍層明顯地較爲薄。道種問題可能是因爲肩部 有過份黏著安定劑因而限制金屬沈積之@。"鍍層向外突 起' (plating outgrowth) —詞意指鍍層從金屬銅或線 路流道突出來且在線路流道周圍沈積著一鍍層。此現象可 能是因爲在鈀（活化劑）處理後’線路流道周圍所黏著殘 留的鈀離子被無電鍍電溶液還原成金屬鈀’其顯示出催化 才:ϋϊΰϊΐΐ川'ΐϋ家樣彳（（他]^4規格（210X297公# ) -4 - A7 _____B7 五、發明説明（2 ) 作用而幫助鎳沈積在其上面之故。 此外，無電鍍金也常用於電子工業零件領域中例如印 刷電路板，陶瓷I c套件’ I TO基材，和I C卡，係因 爲金具有許多優點之故，包括導電性，物理性質例如熱壓 縮黏合能力’抗氧化性’和抗化學性。以有效率方式化學 沈積厚金塗層是印刷電路板工業中的一次重要問題。 〔發明概述〕 本發明的一項目的爲提出一種無電鍍鎳溶液和方法， 其克服了在圖式線上的薄肩及鎳鍍層向外突起諸問題且有 改良的細密圖式清晰性。 本發明的另一目的爲提出一種高組份無電鍍金方法， 其工業有利性在於可在短時間內化學沈積一層厚的金鍍層 本發明發現經由在無電鍍鎳溶液內添加具有硫對硫鍵 的化合物，典型者硫代硫酸鹽，連二硫酸鹽，連多硫酸鹽 或連二亞硫酸鹽，十分意外地，可以克服薄肩和鎳鍍層向 外突起之問題且可消除橋連短路問題。本發明更發現在將 一工作件置於每含有硫對硫鍵的化合物之無電鍍金槽中進 行化學鍍鎳且將鍍過鎳的工作件再經化學鍍金處理時，可 以在短時間內將金鍍層沈積到實質的厚度。 本發明進一步發現在將一工作件先％積在不含具有硫 對硫鍵的化合物之無電鍍金槽中以在該工作件上化學沈積 一鎳底鍍層且於其後浸於包含具有硫對硫鍵的化合物之無 電鍍鎳槽中以在該鎳底鍍層上化學沈積一鎳鍍層，再將該 經兩次鍍鎳過的工作件施以化學鍍金時，可以在短時間內 木紙张八度洎川十阀代家樣彳（（、NS ) Λ'1規招（210X 297公郑) (对先閲讀背而之>1.意事項再填寫本頁)

-5 - A7 _______________ — ____ η 7 五、發明説明（3) 沈積到實質厚度的金鍍層。該金鍍層具有優良的外觀，長 時間後不會變色。本發明即以這些發現爲根據。 根據本發明第一部份，提出一無電鍍鎳溶液，其含有 水溶性鎳鹽，還原劑，錯合劑，和具硫對硫鍵的化合物。 根據本發明第二部份，提出一種無電鍍鎳方法，其包 括將一工作件浸漬在上面所定義的無電鍍鎳溶液中，藉此 在該工作上化學沈積一鎳鍍層。 根據本發明第三部份，提出高組份無電鍍金方法，其 包括下述諸步驟：將一工作件浸漬在上面所定義的無電鍍 鎳溶液中，藉此在該工作件上化學沈積一鎳鍍層，及將該 鍍過鎳的工作件浸在無電鍍金槽內，藉此在該工作件上化 學沈積一金鍍層。 於另一部份中，本發明提出一種高姐份無電銨金方法 ，其包括下述步驟：將一工作件浸於不含具有硫對硫鍵的 化合物之無電鍍鎳槽中，藉此在該工作件上化學沈積一鎳 底鍍層；將該工作件浸於含有具有硫對硫鍵的化合物之無 電鍍鎳槽中，藉此在該鎳底鍍層上化學沈積一鎳鍍層；及 在該經雙重銨鎳的工作上進行無電鍍金。 圖式之簡單說明 圖1爲顯示出在經化學沈積鎳鍍層4化學沈積金鍍層 時所得金鍍層厚度與鍍金時間之間的關係之圖形。 圖2爲含有鎳鍍層和金鍍層的工作件上所具鍍層構造 之簡略橫斷面圖；顯示出延伸經過鎳鍍層的針孔。 圓3爲含有鎳底鍍層，鎳鍍層和金鍍層的工作件上所 木ϋϋΐ州屮闪阀家標今（（'NS ) Λ4规梠（210X 297公# ) (ΪΛ.1·閱讀背而之注意事項典^-寫本页)

-6 - A7 B7 五、發明説明（4) 具鍍層.構造之簡略橫斷面圖，顯示出延伸經過鎳鍍層的針 孔。 發明之詳細說明 —般而言，無電鍍鎳溶液含有水溶性鎳鹽，還原細， 和錯合劑。 硫酸鎳和氯化鎳爲典型的水溶性鎳鹽。鎳鹽的用量較 佳者爲0.01至1莫耳/升，更佳爲〇. 05至0. 2 莫耳/升。 還原劑的例子包括次磷酸，次磷酸鹽例如次磷酸鈉， 二甲胺硼烷，三甲胺硼烷，和胼。還原劑的用量較佳者爲 〇· 〇1至1莫耳/升，更佳者爲0. 05至0. 5莫耳 /升。 錯合劑的例子包括羧酸例如蘋果酸，丁二酸，乳酸， 和檸檬酸，竣酸鈉鹽，及胺基酸例如甘胺酸，丙胺酸，亞 胺基二乙酸’精胺酸，和穀胺酸。錯合劑的用量較佳者爲 〇· 〇 1至2莫耳/升，更佳者爲〇 · 05至1莫耳/升》 無電鍍鎳溶液中常更加入安定劑。安定劑的例子爲次 溶性鉛鹽例如乙酸鉛和硫化合物例如氫硫基乙酸。安定劑 的較佳用量爲〇·1至100毫克/升。 根據本發明，於無電鍍鎳溶液中也力+入具有硫對硫鍵 的化合物。添加這種化合物可以在用該溶液於細密圖式上 進行電鍍時能化學沈積鎳鍍層而沒有薄肩和鎳鍍層向外突 起之問題。 具有硫對硫鍵的化合物較佳者爲無機硫化合物例如硫 木紙张尺度適力家樣蜱（（'NS )八4規枋（2丨0X 297公漦）~ -7 - (誚先閱讀背而之注意事項再填，巧本頁) ,·

,1T 旅 A7 ___ __ — ___ B7 五、發明説明（5 ) 代硫酸鹽.，連二硫酸鹽，連多硫酸鹽和連二亞硫酸鹽，不 過有機硫化合物也可以接受。連多硫酸鹽的式子爲〇3s _ Sn—!S 〇3，其中η爲1至4»常使用水溶性鹽，典型 者爲鹼金屬鹽。具有硫對硫鍵的化合物的較佳添加量爲 0. 01至100毫克/升，特別者0· 05至50毫克 /升。低於0. 01毫克/升的化合物對於本發明目的而 言沒有效用而高於1 0 0毫克/升的化合物則可遏止鎳鍍 層沈.積》 本發明無電鍍鎳溶液的ρ Ή值爲4至7，特別者ρ Η 4至6。 使用具有上述組成的無電鍍鎳溶液時，可以用傳統技 術，亦即，單純地將工作件浸於鍍液中，即可在細密圖式 或工作件上化學形成鎳鍍層。要鍍的工作件係用可催化無 電鎳鍍層的還原性沈積之金屬所製成者，例如鐵，鈷，鎳 ，鈀和彼等的合金。也可以使用非催化性金屬，只要其能 經由施加電於該工作件直到起始還原性沈積爲止而完成電 流起始即可。另外，在非催化性金屬工作件上事先鍍上如 上述的催化性金屬之鍍層後也可以在其上進行無電鍍著。 再者，於玻璃，陶瓷，塑膠或非催化性金屬的工作件上以 傳統技術施加催化性金屬核例如鈀核之缉，可以在其上進 行無電鍍著。鍍著溫度較佳者爲4 0至9 5 °C，特別是 6 0至9 5 °C。必要時，在鍍著之中將鍍液攪動》 在用本發明無電鍍鋅槽於細密圖式上沈積鎳鍍層時， 在圖式肩部發生很少的薄化現象且可克服困鎳鍍層向外突 木紙if‘尺度適川屮(('NS)/M現枯（210X297公# ) ----------·I ~^-----1T--- 綿〕 uijl先間讀背而之注意事項再填，Ϊ?本J!) -8 ~ η η .1 ii'i 印 A7 B7 五、發明説明（6 ) 起導致橋連所引起之短路問題。 在上面具有化學沈積鎳鍍層的工作件易於接受無電鍍 金。更特別者，在已用內含具有硫對硫鍵的化合物之無電 鍍鎳溶液化學沈積成的鎳鍍層上進行無電鍍金時，比在用 傳統無電鍍鎳溶液化學沈積成的鎳鍍層上進行無電鍍金， 可以在較短時間內沈積一層厚的金鍍層。 本發明所用無電鍍金槽中含有金源，錯合劑和其他成 份。該金源可選自傳統鍍金槽中常用者，例如，氰化金， 亞硫酸金，和硫代硫酸金。特別有用者爲水溶性氰化金鹽 例如氰化金鉀。金源的添加量不具關鍵性，不過槽中的金 濃度最好爲0. 5至10克/升，特別者1至5克/升。 沈積速率係隨金源的添加量，亦即，槽中的金離子濃度呈 實質正比地增加。超過1 0克/升的金濃度可提供增加的 沈積速率，但卻會使該槽較不安定。低於0. 5克/升的 金濃度會導致非常低的沈積速率。 任何熟知的錯合劑都可以用於無電鍍金槽中。例如， 硫酸銨，胺基羧酸鹽，羧酸鹽，和羥基羧酸鹽，都可以使 用。錯合劑的添加量較佳者爲5至3 0 0克/升，特別者 1 0至2 0 0克/升。低於5克/升的錯合劑會較不具效 用且會不利地影響溶液的安定性。超過$ 0 0克/升的錯 合劑會因爲不再有進一步的效應可得而成爲不具經濟性。 此外，可將硫代硫酸鹽，肼和抗壞血酸摻入作爲還原 劑。硫代硫酸鹽的例子有硫代硫酸銨，硫代硫酸鈉，和硫 代硫代硫酸鉀。還原劑可以單獨地使用或以其兩種或多種 本纸乐尺度诚川十KPil家樣彳（rNS ) Λ4規格（2丨0X 297公f ) (邡先間讀背而之注4市項再功，?5本頁)

-9 - A7 ______________B7 五、發明説明（7 ) 的混合物形式使用。還原劑的添加量不具關鍵性但最好是 採用0至10克/升，特別者0至5克/升之濃度。沈積 速度會隨還原劑濃度呈正比地增加。在超過1 0克/升的 還原劑添加量之下，沈積速率不會繼續增加且該槽會;變得 較不安定。且即使不加還原劑，也會經由與鎳的取代反應 而發生金的沈積。 除了上述諸成份之外，無電鍍金槽中可更含有p Η調 整劑例如磷酸鹽，亞磷酸鹽，和羧酸鹽，晶體調整劑例如 丁 iT，A s ，和P b ，及其他各種添加劑。 無電鍍金槽最好是在約中性，常爲pH3. 5至9， 特別者PH4至9使用》 本發明所用的無電鍍金槽爲高組份系統（high-bui Id system )。除了使用上述無電鍍金槽之外，本發明無電鍍 金法可依傳統方式進行。使用上述無電鍍金槽時，可在具 有已根據本發明化學沈積鎳鍍層的工作件上直接化學沈積 一金鍍層。特別者於形成厚金鍍層的試驗中，在打底無電 鍍金後，最好續以高組份無電鍍金。先行的打底無電鍍金 係用來改變鍍鎳過的工作件之表面使其能接受後續的厚層 鍍金。其結果使後續厚層金鍍層可緊密地黏著劑底層工作 件且在厚度上具一致性》 ,, 本發明所用的打底無電鍍金槽所具組成中含有上述金 源，其濃度爲0· 5至10克/升，特別者1至5克/升 的金，及一錯合劑，例如E D T A，其鹼金屬鹽及上舉諸 劑，其濃度爲5至3 0 0克/升，特別者1 0至2 0 0克 本紙张尺度珅川屮阈阀家榀彳（（'NS ) /\4况格（2丨0X 297公费） (郃先間讀背而之注意事項再禎."本頁 訂 -10 - /K 部 卑 J··) >ΐί 合 Vi ϋ 印 A7 B7 五、發明説明（8 ) /升。該槽係經調整到P Η 3 . 5至9。 在使用上述無電鍍金槽進行鍍金時，較佳的鍍著條件 包括用於打底無電鍍金槽的2 0至9 5 °C，特別者3 0至 9 0°C溫度及1/2至3 0分鐘，特別者1至1 5分鐘之 時間及用於高組份無電鍍金槽的2 0至9 5 °C，特別者 5 0至9 0°C的溫度及1至6 0分鐘，特別者5至4 0分 鐘的時間。若高組份無電鍍金槽的溫度低於2 0 °C時，其 沈積速率會太低，對於厚鍍而言，產率較低且不具經濟性 。超過95 °C的溫度可能會引起鍍槽分解。 ‘ 在鍍過鎳的工作件上直接進行高組份無電鍍金時，槽 溫最好必須在5 0至9 5 °C，特別者7 0至9 0 °C。低於 5 0°C的槽溫會導致低沈積速率而超過9 5 °C的溫度會增 加沈積速率，但會使得金鍍層較不穩定。 ‘ 根據本發明，在已用其特徵爲含有如上述具硫對硫鍵 的化合物之無電鍍鎳溶液化學沈積好的鎳鍍層上進行無電 鍍金時可以沈積厚金鍍層。於這方面，本發明建議先將工 作件置於不含具有硫對硫鍵的化合物之槽內進行無電鍍鎳 以化學沈積一鎳底鍍層，之後將其置於含有具有S — S鍵 的化合物之槽內進行無電鍍鎳以在該鎳底鍍層上化學沈積 一鎳鑛層，並於最後進行無電鍍金。 \ 其理由說明於下。不論無電鍍金槽內含有還原劑與否 ，化學鍍金基本上是經由與無電鎳鍍層（從含有具S - S 鍵的化合物之槽所得者）的取代反應而發生的，特別是在 該無電鍍金層的金源爲氰化金的鹽時，亦即，其爲在鎳鍍 本紙張尺度读州肀國國家標彳（CNS ) Λ4規格（210X 297公f ) (#!先閲讀背而之注悫事項再填寫本頁) -11 - A7 B7____ 五、發明説明（g ) 層溶解於無電鍍金槽中之同時，金離子A u+即被還原之 機構。 ! N i ° — N i 2++ 2 e 2 A u + + 2 e 2 A u 0 參看圖2，工作件1上載有用含有具S — S鍵的化合 物之無電鍍鎳槽在其上沈積成的鎳鍍層2及用無電鍍金槽 在其上沈積成的金鍍層3，上述機構可推測在化學鍍金的 過程中，鎳鍍層2可能局部溶解形成深達工作件1的針孔 4。於針孔4延伸深入到工作件的情況中，若工作件的基 質金屬，爲可腐蝕性金屬例如銅之時，該可腐蝕金屬可能 被溶解出來。在該可腐蝕金屬被溶解時，其可能移動經過 該等針孔而污染無電鍍金槽和正沈積的金鍍層致使其變色 〇 圖3顯示出較佳實施例的構造，其中在工作件1與鎳 鍍層2之間插入一鎳底鍍層5。更特定言之，該鎳底鎳層 5係用不含具有S — S鍵的化合物之無電鍍鎳槽在工作件 1上沈積而成者且該鎳鍍層2是用含有具有S — S鍵的化 合物之無電鍍鎳槽在其上沈積成的。就無電鎳鍍層在無電 鍍金槽中的溶解速率（金離子轉化成金屬金的速率）而言 ’用含有具有S — S鍵的化合物之無電辦鎳槽所得鎳鍍層 2明顯地比用不含具有S - S鍵的化合物之無電鍍鎳槽所 得鎳底鍍層5較爲快。亦即，用不含具有s — S鍵的化合 物之無電鍍鎳槽所得鎳底鍍層5具有非常低的溶解速率。 如此，即使用含有具有S - S鍵的化合物之無電鍍鎳槽所 才紙川屮 1 ( ('NS ) Λ4規梢（—210 乂 297公f ~ -12 - (誚先間讀背而之注意事項再填巧本頁)

A7 B7 五、發明说明（l〇 ) 得鎳鍍層2如圖3所示般局部溶解形成穿透該鍍層2的針 孔4，這些針孔4也會在鎳底鍍層5的表面終止。沒有針 孔會進~r步延伸到該鎳底鍍層5之間。後續的情況爲在鎳 鍍層2內的不同部位形成新的針孔或者已先形成的針孔4 向測量展開》 綜上所述*在用不含具有S — S鍵的化合物之.無電鍍 鎳槽所得鎳底鍍層5之上以含有具有S - S鍵的化合物之 無電鍍鎳槽沈積形成鎳鍍層2之後，可在短時間內沈積一 具有實質厚度的金鍍層而不會發生無電鍍金槽可能被工作 件基質材料溶解出的金屬離子所污染及金鍍層可能因其而 變色之各種問題。 該不含具有s -S鍵的化合物之無電鍍鎳槽的組成中 除了省略掉該有S - S鍵的化合物之外可與上述含有具有 s - S鍵的化合物之無電鍍鎳槽的組成相同。鍍著條件也 可以相同。 綜上所述當工作件的基質金屬爲可腐蝕金屬例如銅， 例如’該工作件爲印刷電路板時，可以有利地採用使用鎳 底鎳層之較佳實施例。 較佳者，用不含具有S - S鍵的化合物之無電鍍鎳槽 所得鎳底鑛層具有〇 . 5至5微米，特$者1至3微米之 厚度。在這種鎳底鍍層上，用含有具有S — S鍵的化合物 之無電鍍鎳槽沈積成一鎳鍍層，其厚度較佳者爲〇· 5至 5微米’特別者1至5微米。 在工作件基質不是可腐蝕金屬時，可以用含有具有s ........ j ': j,! '1' ^ 1-¾ ivi* ( CKS ) AAim ( 210X 297公舞) —~~.一 —--- -13 -

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il、 >K A7 B7 • I ——*->**—» «Μ — I**. — — ·， I····· » Μ·· —.^―^— -------- |· I ^ I I I *·_·__ _ 五、發明说明（U ) - s鍵的化合物之無電鍍鎳槽直接在工·作件上沈積一鎳鍍 層。於此實施例中，該鎳鍍層較佳者具有0. 5至10微 米，特別者1至8微米之厚度。較佳者該鎳鍍層要沈積到 足夠的厚度以遏止針孔延伸穿透該鍍層或以減少針孔。 該無電金鍍層的厚度不具關鍵性，不過其通常爲 0·1至2微米，較佳者爲〇· 3至0. 8微米。 實施 下面要爲闡述而非爲限制地列出本發明實施例。 (訃先閱讀背而之·;ί'"'事項-,TJ"-寫本S )

硫 酸鎳 2 0 克 / 升 次 磷酸鈉 2 0 克 / 升 蘋 果酸 1 0 克 / 升 丁 二酸鈉 2 0 克 / 升 鉛 離子 1 0 毫 克 /升 P Η 4 . 6 溫 度 8 5 V }-.· ...，· 'T 硫 酸鎳 2 0 克 / 升 '1 .小 ,? 次 磷酸鈉 2 0 克 / 升 .:々 蘋 果酸 1 0 克 / 升， -1 f 丁 二酸鈉 2 0 克 / 升 / 1 ; 氫 硫基乙酸 1 0 毫 克 /升 lV /· 1 P Η 4 6 溫 度. 8 5 °C (^^T'21〇X 297^f ) 14 A7 B7 五、發明説明（12) 實施例1 硫酸鎳 2 0 克/升 次磷酸鈉 2 0 克/升 蘋果酸 1 0 克/升 丁二酸鈉 2 0 克/升 鉛離子 1 0毫克/升 硫化硫酸鈉 1 • 0毫克/升 pH 4 6 溫度 8 5 °C 實施例2 硫酸鎳 2 0 克/升 次磷酸鈉 2 0 克/升 蘋果酸 1 0 克/升 丁二酸鈉 2 0 克/升 鉛離子 1 0毫克/升 二硫硫酸鈉 5 0毫克/升 P Η 4 6 Λ-： 溫度 8 5 °C 部 '1， 實施例3 ·?- 硫酸鎳 2 0 克/升, J：> ji .1 次磷酸鈉 2 0 t 克/升 ;i; !' 蘋果酸 1 0 克/升 11 丨:丨1 丁二酸鈉 2 0 克/升 :I 鉛離子 1 0毫克/升 木紙张尺度吒川( CNS ) ( 210X 297公f ) (兔先間讀背而之注4事項再填ΛΓ本頁)

-15 ~ A 7 _________________________________ ________ B7 五、發明説明（13 ) ' ' 二硫硫酸鈉 9 · 〇毫克/升 pH 4 . 6 溫度 8 5。(： (¾先間讀背而之注意來項再^¾本页」 在厚度爲1 8微米，線寬5 0微米及隙寬5 0微米的 試驗銅圖式上用個別鍍液於所示溫度下化學沈積5 · 〇微 米厚的鎳鍍層。經由立體顯微鏡，目視觀察鎳鑛層的向外 突起及鎳越過電路線條的橋連情況。將圖式切割並經由立 體顯微鏡觀察電路線條切割斷面的肩部薄化情形。其結果 列於表1之 中。 表1 鎳鍍層 比較 比較 實施 實例 實施 例1 例2 例1 例2 例3 向外突起 有看到 有看到 >frn^ 挑 無 ^TTf. m 橋連 有看到 有看到 yfrTf- m -fnT- m 無 薄肩 有看到 有看到 int m /fnr m 無 實施例4 使用實施例1的無電鍍鎳溶液在一銅條上化學沈積5 微米厚的鎳鍍層。接著，將該鍍過鎳的銅條置於具有下示 組成的打底無電鍍金溶液內在下述條件下於其上進行打底 .- ·. .......* - .......... ...... ... | | - .....- .....- | | I· | | | III .... 本紙依尺及译圯1IRPJ系e彳（（NS )以况你（210X 297公雉） -16 - A 7 B7 _____— 五、發明説明（14) 鍍著且於其後，在具有下示組成的高組份無電鍍金溶液內 於下示條件下在其上面化學沈積一厚的金鍍層。於不同诗 段測量該金鍍層的厚度。其結果標繪於圖1的圖形之中》 打底無電鍍金溶液 1.5 克/升 1.0 克/升） 5.0 克/升 3 0.0 克/升 7 9 0 °C 7分鐘 K A u ( C N ) 2 (A u

E D T A . 2 N a 檸檬酸二鉀 pH 溫度 時間

5.9 克/升 4 . 0 克/升） 2 0 0 克/升 0.5 克/升 5 . 0 克/升 6 9 0 °C {誚尤阳靖肾£3之汶4事唄再^"本頁)

_組份無電鍍金溶液 K A u ( C N ) 2 (A u 硫酸銨 硫代硫酸鈉 磷酸銨 pH 溫度 卜上蛟例3 重複實施例4，不同處在於本實施例係使用比較例1 木紙体几度珣州、丨内内家匕吟.（（，防）八4现招（2丨0〆297公# ) A7 ______ B7 五、發明説明（15 ) 的無電鍍鎳溶液。其結果也標繪於圖1的圖形中》 從圖1可以看出，在已用實施例1無電鍍鎳溶液化學 沈積成的鎳鍍層上進行無電鍍金（實施例4 )時，比在已 用比較例1無電鎪鎳溶液化學沈積成的鎳鍍層上進行無電 鍍金（比較例3 )可以在每單位時間沈積明顯較厚的金鍍 層》於短時間內可以沈積或厚達0. 5微米或更厚之金鍍 層。 實施例5 使用有下示組成的無電鍍鎳溶液，在下示條件下於一 銅條上進行化學鍍鎳而沈積成厚度2. 5微米的鎳底鍍層 〇 鎳底鍍層 硫酸鎳 2 0 克/升 次磷酸鈉 2 0 克/升 蘋果酸 1 0 克/升 h A 丁二酸鈉 2 0 克/升 斗 Ί· .小. 鉛離子 1 - 0毫克/升 又b PH 4 • 6 . U .7 溫度 8 5 °C •1 i f- 時間 1 5 分鐘 使用有下示組成的無電鍍鎳溶液，在下示條件下於該 木彳..關㈣彳（（’NS ) Λ4職（^0x 297公錄) ： - -18 - (誚先閱讀背而之注意事項再填，¾本頁)

Γ,.^ΆΠ A7 B7 --------------------------------------------；__________________ 五、發明説明（16) 鎳底鍍層上進行化學鍍鎳而沈積成厚度3. 0微米的鎳鍍 .層，。 鎳鍍層 硫酸鎳 2 0 克/升 次磷酸鈉 2 0 克/升 蘋果酸 1 0 克/升 丁二酸鈉 2 0 克/升 鉛離子 1 - 0毫克/升 硫代硫酸鈉 1 • 0毫克/升 PH 4 * 6 溫度 8 5 °C 時間 1 5 分鐘 接著，在該經雙重鍍鎳過的銅條上於具有與實施例1 相同組成的打底無電鍍金溶液內及與其相同的條件下進行 打底鍍著7分鐘，且於其後，在具有與實施例1相同組成 的高組份無電鍍金溶液內及相同條件下進行鍍金2 0分鐘 ，而沈積成厚度0. 5微米的厚金鍍層。 將鍍好的銅條保持在1 5 0 °C空氣$ 4小時後才檢驗 其外觀》沒有發現有變色現象且其外觀保持與剛鍍後者相 同。 在經過與上面相同的檢驗之後，沒有鎳底鍍層的類似 樣品稍微變色，不過其在實用上完全可被接受。 ................. .......... ——_ . ------ _ — -- ·ιι -------- 本纸张尺度诚州'1. R丨( ('NS ) Λ4叹格（2丨0X 297公梦} u?先閱讀背而之注意事項再填，¾本頁)

'/;-.vl U+- ?v而1' -;,1“ I / i · I /— · 390915 a? B7五、發明説明（17) 雖然已說明過一些較佳實施例，不過從前面的說明部 份可以完成許多修改和變更之處。因此要了解者’在後附 申請專利範圍的範圍之內，本發明可以在說明書中所述者 之外實施。 本紙张尺庖进川屮KRim ('NS ) Μ規招（210X 297公笳） (誚先間讀背而之注*事項/)頊寫本頁)

Claims (1)

1. 39S915 ?8s ___D8 六、申請專利範圍 1 ·—種無電鍍鎳的溶液，其含有〇 · 〇 1至1莫耳 /升之水溶性鎳鹽，〇 〇 1至2莫耳/升之還原劑， 0 · 01至2莫耳/升之錯合劑，與〇· 01至100毫 克/升之選自連二硫酸鹽、連多硫酸鹽及連二亞硫酸鹽的 化合物。 2 ·—種無電鑛鎳的方法，其包括下述步驟，將一工 作件浸漬於含有〇 · 〇1至1莫耳/升之水溶性鎳鹽， 〇. 〇1至2莫耳/升之還原劑，〇 01至2莫耳/升 之錯合劑，和〇. 01至100毫克/升之選自連二硫酸 鹽、連多硫酸鹽及連二亞硫酸鹽的化合物之無電鍍鎳槽中 ’藉此在該工作件上化學沈積一鎳鍍層。 3 _ —種高組份無電鍍金的方法，其包括下述諸步驟 將一工作件浸於含有〇 · 〇 1至1莫耳/升之水溶性 鎳鹽’0· 0 1至2莫耳/升之還原劑，〇. 〇1至2莫 耳/升之錯合劑’和〇 . 〇 1至1 〇 〇毫克/升之選自連 二硫酸鹽、連多硫酸鹽及連二亞硫酸鹽的化合物之無電鍍 鎳槽中，藉此在該工作件上化學沈積一鎳鍍層，及 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將該鍍過鎳的工作件浸漬於無電鍍金槽內，藉此在該 工作件上化學沈積一金鍍層，其中該無電鍍金槽包含選自 氰化金、亞硫酸金及硫代硫酸金之金源（金濃度爲0. 5 至10克/升）及5至300克/升之錯合劑。 4 .如申請專利範圍第3項之高組份無電鍍金的方法 ，其進一步包括在將該工作件浸於含有選自連二硫酸鹽、 連多硫酸鹽及連二亞酸鹽的化合物之無電鍍鎳槽內的步驟 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）〇1 390915 I D8 六、申請專利範圍 之前，將該工作件先浸漬在不含選自連二硫酸鹽、連多硫 酸鹽及連二亞硫酸鹽的化合物之無電鍍鎳槽內，藉此在該 工作件上化學浸漬一鎳底鍍層之步驟。 5.如申請專利範圍第3或4項之高組份無電鍍金的 方法，其中該無電鍍金槽含有氰化金作爲金源且其P Η值 爲4至9。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）