KR100839930B1 - 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법 및 이에 의해 도금된전자파 차폐용 비금속재 - Google Patents

전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법 및 이에 의해 도금된전자파 차폐용 비금속재 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법 및 이에 의해 도금된 전자파 차폐용 비금속재에 관한 것으로서, 특히 합성수지, 플라스틱, 세라믹과 같은 절연 재질로 전자 제품을 보호하는 비금속재의 도금하고자 하는 도금면의 반대면에 필름 형태의 포토 레지스트를 라미네이팅 공법에 의해 부착시킨 후 전면을 노광시켜 포토 레지스트층을 형성하는 제 1공정과; 상기 비금속재의 도금면을 샌드 블라스팅 공법을 이용하여 미세홈을 형성한 후 수세하는 제 2공정과; 세척 완료된 상기 비금속재를 30~50℃의 온도를 유지하는 탈지제 용액이 담긴 탈지조에 1~3분 투입하여 탈지 처리후 수세하는 제 3공정과; 탈지가 완료된 상기 비금속재를 20~40℃의 온도를 유지하는 팔라듐 계열의 이온 처리 용액이 담긴 이온 처리조에 2~4분 투입하여 도금면에 금속 이온을 흡착시키는 제 4공정과; 도금면이 이온 처리된 상기 비금속재를 20~40℃의 온도를 유지하는 팔라듐 계열의 이온을 활성화시키는 용액이 담긴 활성화조에 1~3분 투입하여 도금면에 흡착된 금속 이온을 활성화시킨 후 수세하는 제 5공정과; 도금면이 활성화된 상기 비금속재를 도금조에 투입하여 무전해 도금법으로 상기 비금속재의 표면에 전자파 차폐막을 도금하는 제 6공정과; 상기 비금속재에 증착된 포토 레지스트층을 현상하여 제거하는 제 7공정과; 상기 전자파 차폐막이 형성되고, 포토 레지스트층이 제거된 상기 비금속재를 40~60℃의 온도를 유지하는 초음파 세척조에 1~2분간 투입하여 세척하는 제 8공정; 및 세척이 완료된 상기 비금속재를 130~150℃의 온도를 유지하는 터널타입 또는 박스타입의 건조기에서 8~12분간 건조하는 제 9공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면 합성수지, 플라스틱, 세라믹 등의 절연 재질로 전자 제품을 보호하는 비금속재 표면에 샌드 블라스팅 공법을 이용하여 미세홈을 가공한 후 무전해 도금법을 이용하여 전자파 차폐막을 1층 이상 형성시켜 뛰어난 도전성과 그라운딩 성능을 부여하여 전자파 및 정전기를 차폐하여 방사 및 노이즈 발생을 해결하고, 균일한 도금이 이루어지며, 도금이 박리되는 것을 차단할 수 있다.
비금속재, 전자파 차폐, 무전해 도금, 전자파 차폐막, 동, 니켈, 금

Description

전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법 및 이에 의해 도금된 전자파 차폐용 비금속재{NONMETAL PLATING METHOD FOR ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELD AND NONMETAL COATED BY THE METHOD}
도 1은 본 발명에 따른 전자파 차폐용 비금속재의 구성을 나타낸 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법을 설명하기 위한 공정도,
도 3은 본 발명에 따른 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법을 수행하기 위한 도금 설비의 일례를 나타낸 평면도.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
100 : 비금속재 110 : 도금면
120 : 미세홈 130 : 전자파 차폐막
131 : 구리막 133 : 니켈막
135 : 금막 140 : 반대면
150 : 포토 레지스트층
본 발명은 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법 및 이에 의해 도금된 전자파 차폐용 비금속재에 관한 것으로서, 상세하게는 비금속재 표면에 샌드 블라스팅 공법을 이용하여 미세홈을 가공한 후 무전해 도금법을 이용하여 전자파 차폐막을 1층 이상 형성시키도록 하는 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법 및 이에 의해 도금된 전자파 차폐용 비금속재에 관한 것이다.
최근 과학 문명의 발달은 인류의 생활에 많은 편의를 제공하고 있다. 특히, 전기, 전자 및 통신관련기기의 발달은 우리생활을 보다 더 편리하고 윤택하게 해주는데 일익을 담당하고 있다. 이렇게 인간에게 편리함을 제공하고 있는 과학문명도 어떻게 어디에 사용하느냐에 따라 좋을 수도 있고 나쁠 수도 있는 양면성을 가지고 있다.
최신 과학 문물중 인간에게 해를 주는 것 중의 하나가 전자기파이다. 전력의 생산과 송전, 라디오와 TV, 전화 등의 각종통신, 전자레인지와 오븐, 비행기 또는 선박의 항해 우주탐사에 이르기까지 그 어느 것 하나 전자기파가 아니면 상상할 수 없는 것들이다. 기술이 발달할수록 전자제품은 쏟아지고 그만큼 전자기파도 늘어날 것이다.
지금도 전자기파는 우리가 호흡하는 공기와 같이 무색무취의 상태로 우리 주변을 떠돌고 있다. 그러나 인간들에게 없어서는 안될 이들 전자기파도 전파방해(EMI: electro magnetic interference)라 하여 다른 전자기파를 교란시켜 각종기계의 오작동 원인이 되어 산업재해를 일으키기도 하고 인체에 직·간접적으로 작용, 치명적인 영향을 주기도 한다.
또한, 자동차 고전압 발생장치에 의한 내부 전자제품의 효율 저하 및 수명단축, 전자장비들 사이의 상호교란, 인체의 마이크로파에 대한 장기노출의 경우 야기될 수 있는 녹내장, 생식능력의 저하 등을 예로 들 수 있다. 현대인들이 사는 공간은 전자기파로부터 더 이상 안전지대가 아니며 과학문명이 발달할수록 그 심각성은 더해갈 것이다.
인체에는 미세한 전자 신호체계가 있어 감정의 조절, 기억, 행동의 메카니즘이 가능하게 한다. 인간사에 있어 임신과 출산, 질병, 스트레스 등은 전자파와 절대 무관하지 않다면 충격적이겠으나 그것은 사실이다. 이런 현실에서 미국, 일본, 러시아 등 과학 선진국에서는 전자파의 안전노출 기준을 마련해 외부노출을 강력하게 규제하고 있으며 전자파의 유해성에 대한 연구를 꾸준히 진행하고 있다.
특히, 21세기 고도의 정보통신시대를 앞두고 급증하는 정보통신량에 비례해 파생되어지는 전자파 장해(EMI)에 대한 대책과 고질의 정보량을 유지시키며 인체에 대한 영향을 최소화시키기 위하여 선진 각국에서는 이미 20여전부터 EMI를 규제해왔으며, 최근에는 전자파 내성유지를 강제화 하여 전자파 환경보호에 매우 적극적으로 대처하고 있다.
최근, 각종 전기, 전자기기의 경량화와 소형화로 인하여 이 분야에 플라스틱이 널리 이용되고 있으나, 플라스틱은 전기가 통하지 않는 절연체, 즉 부도체이므로 전자파를 차폐하기 위하여는 표면처리 도금, 도전도장, 금속융사 등의 방법을 행하고 있으나 그 중에서도 정밀도, 차폐능력, 수지의 물성변화가 적은 도금(무전해 도금)에 의한 방법이 가장 효과적이며 안정적이다.
그러나 이러한 무전해도금법은 열가소성수지인 ABS 수지로된 제품의 도금법으로 널리 이용되고 있으나 열적변화에 따라 도막에 균열이 발생하기 쉬워 도막부분의 밀착력이 약해지고, 그 적용 범위가 ABS 수지에 한정되는 문제점이 있다.
또한, 전자 제품은 각종 부품을 솔더링이라는 조립기술로 만들어 지는 것으로서 제품의 신뢰성을 보증하여야만 하는데, 기존 무전해 도금법은 솔더링시 열충격에 견디지 못하여 실제 제품에 적용하기가 불가능한 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 합성수지, 플라스틱, 세라믹 등의 절연 재질로 전자 제품을 보호하는 비금속재 표면에 샌드 블라스팅 공법을 이용하여 미세홈을 가공한 후 무전해 도금법을 이용하여 전자파 차폐막을 1층 이상 형성시켜 뛰어난 도전성과 그라운딩 성능을 부여하여 전자파 및 정전기를 차폐하여 방사 및 노이즈 발생을 해결하고, 균일한 도금이 이루어지며, 도금이 박리되는 것을 차단할 수 있도록 하는 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법 및 이에 의해 도금된 전자파 차폐용 비금속재를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은,
합성수지, 플라스틱, 세라믹과 같은 절연 재질로 전자 제품을 보호하는 비금속재의 도금하고자 하는 도금면의 반대면에 필름 형태의 포토 레지스트를 라미네이팅 공법에 의해 부착시킨 후 전면을 노광시켜 포토 레지스트층을 형성하는 제 1공정과; 상기 비금속재의 도금면을 샌드 블라스팅 공법을 이용하여 미세홈을 형성한 후 수세하는 제 2공정과; 세척 완료된 상기 비금속재를 30~50℃의 온도를 유지하는 탈지제 용액이 담긴 탈지조에 1~3분 투입하여 탈지 처리후 수세하는 제 3공정과; 탈지가 완료된 상기 비금속재를 20~40℃의 온도를 유지하는 팔라듐 계열의 이온 처리 용액이 담긴 이온 처리조에 2~4분 투입하여 도금면에 금속 이온을 흡착시키는 제 4공정과; 도금면이 이온 처리된 상기 비금속재를 20~40℃의 온도를 유지하는 팔라듐 계열의 이온을 활성화시키는 용액이 담긴 활성화조에 1~3분 투입하여 도금면에 흡착된 금속 이온을 활성화시킨 후 수세하는 제 5공정과; 도금면이 활성화된 상기 비금속재를 도금조에 투입하여 무전해 도금법으로 상기 비금속재의 표면에 전자파 차폐막을 도금하는 제 6공정과; 상기 비금속재에 증착된 포토 레지스트층을 현상하여 제거하는 제 7공정과; 상기 전자파 차폐막이 형성되고, 포토 레지스트층이 제거된 상기 비금속재를 40~60℃의 온도를 유지하는 초음파 세척조에 1~2분간 투입하여 세척하는 제 8공정; 및 세척이 완료된 상기 비금속재를 130~150℃의 온도를 유지하는 터널타입 또는 박스타입의 건조기에서 8~12분간 건조하는 제 9공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
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여기에서 또, 상기 제 6공정은 도금면이 활성화된 상기 비금속재를 35~40℃의 온도를 유지하는 동도금조에 최소 15분 이상 투입하여 무전해 도금법으로 상기 비금속재의 표면에 최소 1㎛ 이상의 두께를 갖는 동막을 도금한 후 수세하는 제 6- 1공정과; 동막이 형성된 상기 비금속재의 동막면에 금속의 흡착이 가능하도록 상기 비금속재를 20~40℃의 온도를 유지하는 이온 처리액 담긴 이온 처리조에 2~4분 투입하여 이온 처리하는 제 6-2공정과; 및 동막면이 이온 처리된 상기 비금속재를 40~60℃의 온도를 유지하는 니켈도금조에 최소 15분 이상 투입하여 무전해 도금법으로 상기 비금속재의 동막의 상면에 최소 2㎛ 이상의 두께를 갖는 니켈막을 도금한 후 수세하는 제 6-3공정을 더 포함하여 이루어진다.
여기에서 또, 상기 제 6공정은 도금면이 활성화된 상기 비금속재를 35~40℃의 온도를 유지하는 동도금조에 최소 15분 이상 투입하여 무전해 도금법으로 상기 비금속재의 표면에 최소 1㎛ 이상의 두께를 갖는 동막을 도금한 후 수세하는 제 6-1공정과; 동막이 형성된 상기 비금속재의 동막면에 금속의 흡착이 가능하도록 상기 비금속재를 20~40℃의 온도를 유지하는 이온 처리액 담긴 이온 처리조에 2~4분 투입하여 이온 처리하는 제 6-2공정과; 동막면이 이온 처리된 상기 비금속재를 40~60℃의 온도를 유지하는 니켈도금조에 최소 15분 이상 투입하여 무전해 도금법으로 상기 비금속재의 동막의 상면에 최소 2㎛ 이상의 두께를 갖는 니켈막을 도금한 후 수세하는 제 6-3공정; 및 니켈막이 도금된 상기 비금속재를 70~90℃의 온도를 유지하는 금도금조에 최소 10분 이상 투입하여 무전해 도금법으로 상기 비금속재의 니켈막의 상면에 최소 0.03㎛ 이상의 두께를 갖는 금막을 도금한 후 수세하는 제 6-4공정을 더 포함하여 이루어진다.
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본 발명의 다른 특징은,
상기의 도금 방법에 의해 전자파 차폐막이 일면 또는 양면에 도금된 전자파 차폐용 비금속재인 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 전자파 차폐용 비금속재의 구성을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 전자파 차폐용 비금속재의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 전자파 차폐용 비금속재(100)는 합성수지, 플라스틱, 세라믹 등의 절연 재질로 전자 제품을 보호하는 케이스이다.
그리고, 본 발명에 따른 전자파 차폐용 비금속재(100)는 도금면(110)에 샌드 블라스팅 공법에 의해 미세홈(120)을 형성되고, 이에 전자파 차폐막(130)이 무전해 도금법에 의해 도금되어 형성된다.
이때, 전자파 차폐막(130)은 구리막(131), 니켈막(133), 금막(135)중 어느 한 개의 막이 1층으로 형성되거나 두 개의 막이 2층 이상 형성될 수 있는데, 바람직하게는 전자파 차폐용 비금속재(100)의 도금면(110)에 구리막(131)이 도금되고, 구리막(131)의 상면에 니켈막(133)이 도금된다. 또한, 선택에 따라 니켈막(133)의 상면에 금막(135)이 도금된다.
한편, 구리막(131)과 니켈막(133) 및 금막(135)은 각각 최소 1㎛ 이상의 두께로 도금되는 것이 바람직하다.
또한, 전자파 차폐용 비금속재(100)는 도금면(110)과의 반대면(140)에는 이를 보호하도록 도금전에 필름 형태의 포토 레지스트가 부착되어 포토 레지스트층(150)이 적층된 후 전자파 차폐막(130)의 도금 완료후에 제거된다.
이하, 본 발명의 일실시예에 따른 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법을 도 1 내지 도 3을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법을 설명하기 위한 공정도이고, 도 3은 본 발명에 따른 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법을 수행하기 위한 도금 설비의 일례를 나타낸 평면도이다.
먼저, 도금하고자 하는 비금속재(도 1의 100)의 도금면(도 1의 110)의 반대면(도 1의 140)에 포토 레지스트층(도 1의 150)을 부착시키는데, 포토 레지스트층은 필름 형태의 포토 레지스트를 라미네이팅 장비(201)를 이용하여 100℃ 이상의 고온에서 부착시킨 후 자외선으로 전면을 노광시켜 경화시킨다. 이때, 포토 레지스트층은 통상의 유기 절연 물질인 포토 레지스트가 필름에 부착된 형태이다(S100).
그리고, 비금속재의 도금면을 샌드 블라스팅 장비(202)를 이용하여 고압으로 샌드를 분사하여 미세홈(도 1의 120)을 형성, 즉 에칭한 다음, 제 1수세조(203)에 투입하여 수세한다(S110). 이때, 샌드 입자 크기는 200~1000㎛가 사용되고, 에어는 3~6㎏/㎠의 압력으로 분사된다.
그런 다음, 세척 완료된 비금속재의 도금면에 부착된 유·무기질을 제거하도록 비금속재를 40℃의 온도를 유지하는 탈지제 용액이 담긴 탈지조(204)에 2분간 투입하여 탈지 처리한 다음, 제 2수세조(205)에 투입하여 수세하는데, 제 2수세조(205)에 투입 및 배출을 3회 이상 수행하여 비금속재의 표면에 묻은 탈지제 용액을 완전히 제거하는 것이 바람직하다(S120). 이때, 탈지제 용액은 무전해 도금법에서 사용되는 통상의 탈지제가 사용된다.
탈지가 완료된 비금속재의 도금면에 금속의 흡착이 가능하도록 비금속재를 30℃의 온도를 유지하는 팔라듐 계열의 이온 처리 용액이 담긴 제 1이온 처리조(206)에 3분간 투입하여 이온 처리한다(S130).
그런 다음, 도금면이 이온 처리된 비금속재를 30℃의 온도를 유지하는 팔라듐 계열의 이온을 활성화시키는 용액이 담긴 이온 활성화조(207)에 2분간 투입하여 도금면을 활성화시킨 후 제 3수세조(208)에 투입하여 1회 수세한다(S140).
이어서, 도금면이 활성화된 비금속재를 38℃의 온도를 유지하는 동도금조(209)에 15분간 투입하여 무전해 도금법으로 비금속재의 표면에 1㎛의 두께를 갖는 동막을 도금한 다음, 제 4수세조(210)에 투입하여 수세하는데, 제 4수세조(210)에 투입 및 배출을 3회 이상 수행하는 것이 바람직하다(S150). 이때, 동도금 조(209)에 비금속재를 투입하는 시간에 따라 동막의 두께가 결정되는데, 동막의 두께는 1~3㎛ 사이로 형성하는 것이 바람직하다.
다음, 동막이 형성된 비금속재의 동막면에 금속의 흡착이 가능하도록 비금속재를 30℃의 온도를 유지하는 팔라듐 계열의 이온 처리액이 담긴 제 2이온 처리조(211)에 3분간 투입하여 이온 처리한다(S160).
그리고, 동막면이 이온 처리된 비금속재를 50℃의 온도를 유지하는 니켈도금조(212)에 15분간 투입하여 무전해 도금법으로 비금속재의 동막의 상면에 2㎛의 두께를 갖는 니켈막을 도금한 다음, 제 5수세조(213)에 투입하여 수세하는데, 제 5수세조(213)에 투입 및 배출을 3회 이상 수행하는 것이 바람직하다(S170). 이때, 니켈도금조(212)에 비금속재를 투입하는 시간에 따라 니켈막의 두께가 결정되는데, 니켈막의 두께는 2~5㎛ 사이로 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 상기의 과정을 통해 동막과 니켈막만을 비금속재에 도금할 수 있고, 전자파 차폐 성능을 더욱 증대시키기 위하여 금막을 형성할 수 있는데, 금막의 형성 과정은 니켈막이 도금된 비금속재를 80℃의 온도를 유지하는 금도금조(214)에 10분간 투입하여 무전해 도금법으로 비금속재의 니켈막의 상면에 0.03㎛의 두께를 갖는 금막을 도금한 다음, 제 6수세조(215)에 투입하여 수세하는데, 제 6수세조(215)에 투입 및 배출을 2회 이상 수행하는 것이 바람직하다(S180). 이때, 금도금조(214)에 비금속재를 투입하는 시간에 따라 금막의 두께가 결정되는데, 금막의 두께는 0.03~1㎛ 사이로 형성하는 것이 바람직하다.
상기와 같이 비금속재의 도금면에 전자파 차폐막이 모두 형성되면, 반대면에 증착된 레지스트 제거 장비(216)를 이용하여 포토 레지스트층을 현상하여 제거한다(S190). 이때, 포토 레지스트층의 현상 및 제거는 통상의 방법에 의해 이루어진다.
그런 다음, 전자파 차폐막이 형성되고, 포토 레지스트층이 제거된 비금속재를 50℃의 온도를 유지하는 물이 담긴 초음파 세척조(217)에 1분간 투입하여 세척한다(S200). 이때, 별도의 세척액을 사용할 수도 있다.
세척이 완료되면, 비금속재를 140℃의 온도를 유지하는 터널타입 또는 박스타입의 건조기(218)를 이용하여 10분간 건조시킨다(S210).
한편, 본 발명에 따른 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법을 수행하기 위한 도금 설비는 자동화 설비를 통해 구현되는 것이 바람직하다. 즉, 비금속재를 랙(rack)에 수납시키고, 랙을 잡고 이동하는 로더와 언로더를 통해 각 도금조 및 세척조에 랙을 순차적으로 투입하였다가 배출하는 방식이 사용된다.
따라서, 본 발명에 따르면 전자파 장해에 따른 부품 상호간에 간섭현상을 줄여 고정밀도를 요하는 제품(고성능 및 다기능 휴대전화, 500만 화소 이상급 디지털카메라, LCD, PDP, 반도체 부품 등)에 적용할 수 있고, 부품에서 직접 전자파를 줄여주고 제품 케이스에서 전자파를 차단함으로써 전자파 차단효과를 배가시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 전자 제품의 솔더링시 고온(250 ~ 300℃)에서도 신뢰성을 제공할 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명인 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법 및 이에 의해 도금된 전자파 차폐용 비금속재에 따르면, 합성수지, 플라스틱, 세라믹 등의 절연 재질로 전자 제품을 보호하는 비금속재 표면에 샌드 블라스팅 공법을 이용하여 미세홈을 가공한 후 무전해 도금법을 이용하여 전자파 차폐막을 1층 이상 형성시켜 뛰어난 도전성과 그라운딩 성능을 부여하여 전자파 및 정전기를 차폐하여 방사 및 노이즈 발생을 해결하고, 균일한 도금이 이루어지며, 도금이 박리되는 것을 차단할 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있으며 상기 발명의 상세한 설명에서는 그에 따른 특별한 실시 예에 대해서만 기술하였다. 하지만 본 발명은 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

Claims (10)

  1. 합성수지, 플라스틱, 세라믹과 같은 절연 재질로 전자 제품을 보호하는 비금속재의 도금하고자 하는 도금면의 반대면에 필름 형태의 포토 레지스트를 라미네이팅 공법에 의해 부착시킨 후 전면을 노광시켜 포토레지스트층을 형성하는 제 1공정과;
    상기 비금속재의 도금면을 샌드 블라스팅 공법을 이용하여 미세홈을 형성한 후 수세하는 제 2공정과;
    세척 완료된 상기 비금속재를 30~50℃의 온도를 유지하는 탈지제 용액이 담긴 탈지조에 1~3분 투입하여 탈지 처리후 수세하는 제 3공정과;
    탈지가 완료된 상기 비금속재를 20~40℃의 온도를 유지하는 팔라듐 계열의 이온 처리 용액이 담긴 이온 처리조에 2~4분 투입하여 도금면에 금속 이온을 흡착시키는 제 4공정과;
    도금면이 이온 처리된 상기 비금속재를 20~40℃의 온도를 유지하는 팔라듐 계열의 이온을 활성화시키는 용액이 담긴 활성화조에 1~3분 투입하여 도금면에 흡착된 금속 이온을 활성화시킨 후 수세하는 제 5공정과;
    도금면이 활성화된 상기 비금속재를 도금조에 투입하여 무전해 도금법으로 상기 비금속재의 표면에 전자파 차폐막을 도금하는 제 6공정과;
    상기 비금속재에 증착된 포토 레지스트층을 현상하여 제거하는 제 7공정과;
    상기 전자파 차폐막이 형성되고, 포토 레지스트층이 제거된 상기 비금속재를 40~60℃의 온도를 유지하는 초음파 세척조에 1~2분간 투입하여 세척하는 제 8공정; 및
    세척이 완료된 상기 비금속재를 130~150℃의 온도를 유지하는 터널타입 또는 박스타입의 건조기에서 8~12분간 건조하는 제 9공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 6공정은,
    도금면이 활성화된 상기 비금속재를 35~40℃의 온도를 유지하는 동도금조에 최소 15분 이상 투입하여 무전해 도금법으로 상기 비금속재의 표면에 최소 1㎛ 이상의 두께를 갖는 동막을 도금한 후 수세하는 제 6-1공정과;
    동막이 형성된 상기 비금속재의 동막면에 금속의 흡착이 가능하도록 상기 비금속재를 20~40℃의 온도를 유지하는 이온 처리액 담긴 이온 처리조에 2~4분 투입하여 이온 처리하는 제 6-2공정과;
    동막면이 이온 처리된 상기 비금속재를 40~60℃의 온도를 유지하는 니켈도금조에 최소 15분 이상 투입하여 무전해 도금법으로 상기 비금속재의 동막의 상면에 최소 2㎛ 이상의 두께를 갖는 니켈막을 도금한 후 수세하는 제 6-3공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 6공정은,
    도금면이 활성화된 상기 비금속재를 35~40℃의 온도를 유지하는 동도금조에 최소 15분 이상 투입하여 무전해 도금법으로 상기 비금속재의 표면에 최소 1㎛ 이상의 두께를 갖는 동막을 도금한 후 수세하는 제 6-1공정과;
    동막이 형성된 상기 비금속재의 동막면에 금속의 흡착이 가능하도록 상기 비금속재를 20~40℃의 온도를 유지하는 이온 처리액 담긴 이온 처리조에 2~4분 투입 하여 이온 처리하는 제 6-2공정과;
    동막면이 이온 처리된 상기 비금속재를 40~60℃의 온도를 유지하는 니켈도금조에 최소 15분 이상 투입하여 무전해 도금법으로 상기 비금속재의 동막의 상면에 최소 2㎛ 이상의 두께를 갖는 니켈막을 도금한 후 수세하는 제 6-3공정; 및
    니켈막이 도금된 상기 비금속재를 70~90℃의 온도를 유지하는 금도금조에 최소 10분 이상 투입하여 무전해 도금법으로 상기 비금속재의 니켈막의 상면에 최소 0.03㎛ 이상의 두께를 갖는 금막을 도금한 후 수세하는 제 6-4공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 비금속재의 도금 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제 1 항, 제 6 항, 제 7 항중 어느 한 항의 도금 방법에 의해 전자파 차폐막이 일면 또는 양면에 도금된 전자파 차폐용 비금속재.
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