KR100944126B1 - 정전기 방전 방지용 금속 구조물, 단위 구조 및 금속구조물 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명에서는 정전기 방전 방지용 금속 구조물, 단위 구조 및 금속 구조물 형성방법이 개시된다. 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 금속 구조물은 정전기 방전에 의해 발생된 전류를 억제하는 전자파 저지대를 구비하고, 전자파 저지대는 단위 구조의 주기적인 배열에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하고, 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 금속 구조물 형성방법은 단위 구조를 다수개 배열하여 전자파 저지대를 형성하는 단계, 전자파 저지대를 구비한 금속 구조물을 형성하는 단계를 포함하고, 전자파 저지대는 정전기 방전에 의해 발생된 전류를 억제하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 금속 부재 및 금속 구조물을 구비한 전기, 전자 및 IT 기기에 대하여 전자파 저지대 등과 같은 전자파 제어 구조를 이용함으로써, 전자 제품의 금속 구조물 상에 흐르는 표면전류를 감소시키고, 금속 구조물 및 개구부 등을 통해 기기 내부로 흘러 들어가는 전류량을 감소시켜 정전기 방전에 의한 피해로부터 내부 부품을 보호하는 효과가 있다.

정전기 방전(Electro Static Discharge), 전자파 저지대(Electromagnetic Band Gap)

Description

정전기 방전 방지용 금속 구조물, 단위 구조 및 금속 구조물 형성방법{METAL CASE, UNIT CELL FOR PREVENTING ELECTRO STATIC DISCHARGE AND FORMING METHOD THEREOF}

본 발명은 정전기 방전 방지용 금속 구조물, 단위 구조 및 금속 구조물 형성방법에 관한 것으로, 전자파 저지대를 이용하여 정전기 방전에 의한 영향을 감소시킬 수 있는 정전기 방전 방지용 금속 구조물, 단위 구조 및 금속 구조물 형성방법에 관한 것이다.

본 발명은 정보통신부의 IT원천기술개발 사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2007-F-043-01, 과제명: 전자파 기반 진단 및 방호기술 연구].

최근 전기, 전자 분야의 급속한 발전으로 전기, 전자는 물론 멀티미디어 IT 기기는 휴대용으로 사용하기 위해 소형화, 경량화, 집적화되는 동시에 대용량의 정보를 주고받고 이를 실시간으로 처리하기 위해 고속화되고 있는 추세이다. 그러나 이와 같이 첨단 멀티미디어 IT 기기를 포함한 전기, 전자 기기는 고속의 신호를 사 용함과 동시에 전력 소모를 줄이기 위해 낮은 전력으로 구동하게 되는데, 이러한 이유로 주변에서 발생되는 노이즈에 대해 민감하게 반응하여 오동작을 일으키기도 한다. 이러한 전기, 전자 기기의 외부 노이즈에 의한 오동작 중 대다수의 경우 정전기 방전(Electro Static Discharge: ESD)으로 발생하는 현상에 의해 야기된다고 알려져 있다. 특히 대전된 금속체에서 발생되는 정전기 발생 현상(ESD)은 인접한 기기는 물론 어느 정도 떨어진 장소에 존재하는 기기 및 시스템에 강한 전자파 장해(Electromagnetic Interference) 작용을 미친다고 알려져 있으며, 현재는 전기, 전자 기기의 가장 심각한 전자 간섭원 중 하나로 알려져 있어 이에 대한 연구가 국내외에서 진행 중이다. 특히, 유비쿼터스 사회 구현을 위해 가정이나 사무실, 특히 자동차 등과 같이 제한된 공간 내에서 다양한 소형의 휴대형 유무선 전기, 전자 장비들의 사용이 많아짐에 따라 노이즈 발생원들 사이의 거리가 가까워짐에 따라 정전기 방전(ESD) 등에 의한 영향이 커지고 있으며 동시에 고속화 및 저전력화 됨에 따라 정전기 방전 현상에 의한 기기의 오동작 가능성이 더욱 높아지고 있다.

정전기 방전(ESD)이라 함은 대전이나 정전 유도로 전위가 다른 두 개의 물체가 접촉함으로써 발생하는 일정 양의 전하가 두 물체 사이를 급격하게 이동하는 현상을 의미한다. 즉, 정전기 방전현상이란 주변 매질의 절연 내력의 파괴, 또는 접지체와의 접촉으로 인하여 대전 물체가 가진 에너지가 순간적으로 방출되는 현상이다. 일반적으로 정전기 방전 현상은 수 100 ps ∼ 1μs 동안에 이루어지며 대략 1 ∼ 500 MHz 의 주파수성분에 대부분의 에너지를 가지고 있는 펄스로서 일반 환경에서 100V ~ 15 kV(최대 25 kV)까지 발생 가능하다.

이러한 정전기 방전 현상에 대한 대책 기술을 세우기 위해서는 먼저 정전기의 발생 원인에 대한 고찰이 있어야 한다. 물질의 구조에 관한 이론에 따르면 모든 물체는 (+)에 대전된 양자(proton)를 포함한 원자핵과 그 주위를 도는 (-)에 대전된 전자(electron)로 구성되어 있고, 핵 주위를 돌고 있는 전자의 수와 핵(+)안의 전하수가 같은 경우 물질은 중성의 상태를 유지한다. 만약 두 개의 서로 다른 특성을 갖는 물질이 서로 접촉하면 전자(특히 핵으로부터 가장 먼 궤도상의 전자)는 해당 물질의 분자로부터 분리되어 자유로이 이동하고 이러한 상태에서 접촉되어 있던 물질들이 떨어질 경우 한쪽은 전자를 얻어 (-)에 대전되고 다른 한쪽은 전자를 잃어 (+)에 대전된다. 예를 들어, 2개의 필름 형태의 물질을 강하게 마찰시킨 후 밀착되어 있는 2개의 필름을 분리시킨 다음 정전기를 측정하게 되면 한쪽은 전자를 많이 얻은 결과로 (-)에 대전하고 다른 한쪽은 전자를 많이 잃어 (+)에 대전된 상태를 볼 수 있다. 접촉 압력이 강하면 강할수록, 박리속도가 빠르면 빠를수록 필름의 대전량은 많아진다. 이러한 대전 현상을 일으키는 원인으로는 접촉, 박리, 마찰, 충돌, 변형, 변태 및 이온 흡착 등이 있다. 대전의 크기를 결정하는 요인으로는 접촉되는 면적이나 압력, 그리고 마찰의 빈도나 속도, 그리고 두 물질 사이의 온도차 등이며, 대전되는 물질이 극성을 결정하는 요인은 물질의 형태와 표면 상태 등이다.

일반적으로 제어되지 않은 정전기는 가연재나 폭발물의 점화, 폭발(예로 병기창, 로켓, 화약, 곡물창고)이나, 인쇄업, 섬유업, 플라스틱 공장에서 종이, 섬유 원료, 플라스틱 등이 서로 붙어 작업의 지장을 초래한다. 대전체는 먼지나 이물질 을 흡착하고, 때로는 사람에게 전기 쇼크를 일으키는 등 여러 문제를 야기하는 것으로 알려져 있다. 특히 정전기 방전 현상에 의한 방전에너지가 수 [mJ] 정도로 작을지라도 반도체소자를 파괴시키거나 전자 노이즈를 발생시켜 컴퓨터, 자동생산기기 등 각종 전자기기의 오동작과 같은 장해를 유발하기도 한다. 정전기 현상은 자연의 다른 현상과 같이 좋은 용도로 사용되기도 한다. 전자복사기, 작업장의 먼지제어, 가정용 공기 정화기, 페인트 분무 등은 모두 정전 현상을 이용한 것들이다. 그러나 최근 전기, 전자 소자 및 기기의 소형화, 집적화 추세로 인하여 정전기의 피해가 심각해졌다. 소자가 작을수록 감당할 수 있는 전력은 아주 작아져 정전기의 방전에 의하여 피해를 입을 가능성이 커지는 것이다.

대전된 인체나 대전물이 전자부품이나 기기에 방전하게 되면 방전 전류는 전자부품이나 피도물의 저항이 낮은 영역을 통과하게 되고 그 크기는 다음 식과 같다.

여기서, I는 방전 전류, q는 방전량, 그리고 t는 방전시간으로 각각 표시된다. 일반적으로 방전은 짧은 시간 내에 이루어지므로 방전량이 높으면 높을수록 방전 전류는 강해진다. 또한, E(H)

I 의 관계로 방전 전류가 강할 때 생성되는 열에너지는 방전 전류에 비례하여 기기 내부에 존재하는 칩의 열파손 (Thermal Breakdown), 기화(Vaporization of Metal) 등의 문제를 발생시킨다.

정전기 방전(ESD)에 의하여 전자부품의 열화 및 파괴의 원인이 되는 것은 인 체의 접촉에 의해 제품이 충전되거나 방전되는 경우이다. 즉, 인체가 움직이고 있는 동안에 인체와 의복 사이에 마찰전기가 플로어와의 대전을 발생시키므로 작업자에 대전된 이러한 정전기를 방지하지 않은 상태로 정전기에 민감한 전자부품을 취급하게 되면, 내압이 낮은 실리콘 산화막 등을 단락(short)시킴으로써 부품의 열화와 파손시키는 결과를 발생하는 것으로 주된 정전기 방전의 피해는 이 경우이다.

또한, 다른 원인으로 제품 자체가 커패시터의 역할을 함으로써 충전되거나 방전되는 경우가 있다. 이는 운반과정이나 자동이송 공정에서 마찰전기가 발생하기 쉬운 물질이 대전을 하여 전자 부품의 낮은 저항 부분인 Pin의 표면 등에 너무 빨리 방전됨으로써 손상되는 경우이다. 한편, 전기장에 의해 충전된 제품의 충전량이 변화되는 경우에도 전자부품의 열화 또는 파괴가 발생한다. 대전물과 전자 부품 사이의 정전유도가 된 상태에서의 갑작스런 대전물의 위치변화 및 정전유도가 이루어진 전기력선 사이로 다른 대전체가 빠르게 통과할 때 정전유도의 급격한 변화에 의해 절연 및 산화층에 영향을 주어 결과적으로 단락회로가 되는 경우이다.

이러한 정전기 방전 현상을 제거하기 위한 기존의 방법으로는 마찰 요인을 제거하거나 습기 및 온도를 조정하여 정전기 자체를 제거하는 정전기 제거방법, 기기를 적절히 접지하고 국지적으로 축적된 전하를 방전시키는 대전방지 방법, 금속부를 절연 도장하여 전기장의 집중을 완화하는 방전방지 방법 등이 있다. 또한, 기기의 복사성 및 전도성 내성을 높이기 위해 적절히 차폐하거나 페라이트 코어 등 손실 필터를 이용하여 정전기 방전에 대한 기기의 내성을 높이는 방법 등이 사용되고 있다. 그러나 이러한 기존의 정전기 방전에 대한 대책 기술은 다양한 기기 및 무선서비스가 밀집된 전파 환경에서 이동 중에 사용하는 휴대용 기기에는 적합하지 않으며 페라이트 코어와 같은 손실 필터나 절연 도장 등 추가적인 비용이 소모되는 단점이 있어 보다 효과적인 정전기 방전 현상에 대한 대책 기술이 필요한 실정이다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 전자 제품의 금속 구조물 상에 흐르는 표면전류를 감소시키고, 금속 구조물 및 개구부 등을 통해 기기 내부로 흘러 들어가는 전류량을 감소시켜 정전기 방전에 의한 피해로부터 내부 부품을 보호하도록 하기 위하여, 금속 부재 및 금속 구조물을 구비한 전기, 전자 및 IT 기기에 대하여 전자파 저지대 등과 같은 전자파 제어 구조를 포함하는 정전기 방지용 금속 구조물, 단위 구조 및 금속 구조물 형성방법을 제공하는데 있다.

상기의 기술적 과제를 이루기 위한, 본 발명에 의한 정전기 방지용 금속 구조물은 정전기 방전에 의해 발생된 전류를 억제하는 전자파 저지대를 구비하고, 전자파 저지대는 단위 구조의 배열에 의하여 형성되는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 전자파 저지대는 상기 금속 구조물의 표면에 홀을 형성함으로써 이루어지는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 전자파 저지대는 금속 패치 및 유전체를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 단위 구조는 삼각형 또는 사각형 형태로 구성되는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 전자파 저지대 하단에 홀이 없는 금속 판을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 전자파 저지대와 상기 금속판 사이에 상기 전자파 저지대를 지지하는 유전체를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기의 기술적 과제를 이루기 위한, 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 단위 구조는 전자파 저지대를 구성하는 단위 구조에 있어서, 상기 전자파 저지대는 정전기 방전에 의해 발생된 전류를 억제하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 전자파 저지대는 상기 단위 구조의 다수개의 배열에 의하여 형성되는 것을 특징으로 한다.

상기의 기술적 과제를 이루기 위한, 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 금속 구조물 형성 방법은 단위 구조를 다수개 배열하여 전자파 저지대를 형성하는 단 계; 및 상기 전자파 저지대를 구비한 금속 구조물을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전자파 저지대는 정전기 방전에 의해 발생된 전류를 억제하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 금속 부재 및 금속 구조물을 구비한 전기, 전자 및 IT 기기에 대하여 전자파 저지대 등과 같은 전자파 제어 구조를 이용함으로써, 전자 제품의 금속 구조물 상에 흐르는 표면전류를 감소시키고, 금속 구조물 및 개구부 등을 통해 기기 내부로 흘러 들어가는 전류량을 감소시켜 정전기 방전에 의한 피해로부터 내부 부품을 보호하는 효과가 있다.

본 발명은 금속 케이스 등의 금속 구조물을 사용하는 전기, 전자 및 IT 기기에 있어서 금속 케이스 표면에서 발생된 정전기 방전에 의한 불필요한 전류의 흐름을 억제함으로써 내부 부품 및 기기를 보호하기 위해 전자파 저지대 등 전자파 제어구조를 이용한 금속 구조물 상에 형성된 구조를 제시한다.

본 발명에서 인공자기도체(Artificial Magnetic Conductor), 고 임피던스 표면(High Impedance Surface), 전자파 저지대(Electromagnetic Band-Gap) 등 다양한 전자파 제어 구조를 사용할 수 있으며, 명세서의 다른 부분에서 전자파 저지대로 표현된 것도 인공자기도체나 고 임피던스 표면을 대신 사용하는 것이 가능하다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명 한다. 아울러 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.

도 1은 본 발명에 따른 정전기 방전 방지용 금속 구조물의 일 실시예이다. 이에 나타낸 바와 같이 본 발명에 따른 정전기 방전 방지용 금속 구조물은, 전자파 저지대(100), 금속 구조물(110), 개구부(120), 단위 구조(130)을 구비하고 있다.

상기 전자파 저지대(100)는 정전기 방전에 의해 발생된 전류를 억제하는 역할을 한다. 또한 상기 전자파 저지대(100)는 단위 구조(130)의 배열에 의하여 형성된다.

또한, 전자파 저지대(100)는 금속 구조물(110)의 표면에 홀을 형성하여 구성하거나, 금속 패치 및 유전체를 이용하여 형성한다.

여기서, 단위 구조(130)은 삼각형 또는 사각형 형태로 구성될 수 있다.

또한, 전자파 저지대(100)는 금속 구조물(110)의 동작을 위해 필요한 개구부(120)가 위치하지 않은 부분에 배치시켜 기기의 한 위치에서 발생된 정전기 방전에 의한 효과가 다른 영역으로 전달되지 않도록 한다.

도 2는 본 발명에 따른 정전기 방전 방지용 금속 구조물에 ESD 건을 적용한 실시예를 도시한 도면이다. 도 2를 참조하면, 정전기 방전 방지용 금속 구조물(110)에 ESD 건(200)을 사용하여 정전기 방전 특성이 발생하도록 하고 있다. 여기서 ESD 건(200)은 국제전기기술위원회(IEC) 등과 같은 국제 표준 기구에서 제안한 정전기 방전 특성이 발생하도록 만들어진 기구이다. 이와 같이 사람의 손이나 다른 대전된 물질이 접촉 가능한 모든 부분에 대하여 ESD 시험을 실시해보면 금속으로 이루어진 모든 위치에서 ESD 현상이 발생할 가능성이 있음을 알 수 있다.

도 3은 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 금속 구조물과 정전기 방전 방지용 전자파 저지대(100)를 적용하지 않은 금속 구조물 간에 신호전달 특성을 비교한 것이다. 도 3을 참조하면, 100 MHz ∼ 800 MHz 대역에서 전자파 저지대(100)를 적용한 정전기 방전 방지용 금속 구조물이 신호, 즉 전류의 흐름을 약 20 dB 이상 억제하는 것을 볼 수 있다(300 및 310). 따라서 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 금속 구조물은 1 ∼ 500 MHz 대역에 대부분의 에너지를 갖는 ESD에 의해 발생된 전류를 상당 부분 억제할 수 있다.

도 4는 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 단위 구조를 도시한 것이다. 도 1 및 도 4를 참조하면 전자파 저지대(100)는 인접한 도체들이 일정한 간격을 두고 서로 맞물려 있는 단위 구조(130)들의 배열로 구성된다. 여기서 각각의 단위 구조(130) 들은 금속 패치 및 유전체를 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 단위 구조(130)은 사각형 형태(400)또는 삼각형 형태(410)로 형성될 수 있다.

도 5는 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 단위 구조를 적용한 제품의 실시예 들을 도시한 것이다. 도 5를 참조하면, IT 및 계측기기(500), PC 케이스(510), 기지국 장비(520) 등에 각각 정전기 방지용 단위 구조(505, 515, 525)을 적용하여 제품을 구성하였음을 알 수 있다.

도 6은 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 금속 구조물 형성 방법을 도시한 흐름도이다. 도 1 및 도 6을 참조하면, 먼저 단위 구조(130)을 다수개 배열하여 전 자파 저지대(100)를 형성한다(600 단계). 여기서, 단위 구조(130)은 삼각형 또는 사각형 형태로 형성될 수 있다. 또한, 전자파 저지대(100)는 정전기 방전에 의해 발생된 전류를 억제하는 역할을 하는데 금속 패치 및 유전체를 이용하여 형성할 수 있다.

다음으로, 600단계에서 형성된 전자파 저지대(100)를 구비한 금속 구조물(110)을 형성한다(610 단계). 이때, 상기 전자파 저지대(100)를 상기 금속 구조물(110)의 표면에 홀을 형성하는 방법으로 구성하는 것도 가능하다.

도 7은 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 단위 구조가 적용된 금속 구조물을 도시한 것이다. 도 7을 참조하면, 본 발명에 의한 금속구조물은 전자파 저지대 패턴이 적용된 금속면(700), 홀 등 불연속 부분이 없는 금속면(710) 및 유전체(720)를 포함한다. 도 1과 같은 방법으로, 금속면에 전자파 저지대를 형성하는 경우, 금속 케이스의 표면에 발생한 전류의 흐름을 차단함으로써 개구부 등을 통하여 내부로 흘러 들어가는 전류를 줄일 수 있고, 이로 인해 케이스 내부의 부품을 보호하는 것이 가능하다. 그러나 금속 케이스 상에 직접 홀을 뚫는 방식의 전자파 저지대를 사용하는 경우, 이러한 홀에 의하여 전류가 내부로 흘러 들어갈 우려가 있으므로 도 7과 같은 구조를 생각해 볼 수 있다.

즉, 도 1에 도시된 전자파 저지대 또는 전자파 저지대가 적용된 금속면(700)의 하단부에 홀 등 불연속 부분이 없는 금속판(710)을 더 포함하도록 할 수 있다. 이와 같은 불연속 부분이 없는 금속판(710)을 통하여 전류 및 전자파가 홀을 통해 금속 케이스 내부로 흘러들어가는 것을 방지할 수 있다.

또한, 전자파 저지대 또는 전자파 저지대가 적용된 금속면(700)과 홀 등 불연속 부분이 없는 금속판(710) 사이에 유전체(720)를 더 포함시킬 수 있다. 유전체(720)는 전자파 저지대 패턴을 지지해주는 역할을 한다.

지금까지 본 발명의 일 실시예에 국한하여 설명하였으나 본 발명의 기술이 당업자에 의하여 용이하게 변형 실시될 가능성이 자명하다. 이러한 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술사상에 포함된다고 하여야 할 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 정전기 방전 방지용 금속 구조물의 일 실시예이다.

도 2는 본 발명에 따른 정전기 방전 방지용 금속 구조물에 ESD 건을 적용한 실시예를 도시한 도면이다.

도 3은 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 금속 구조물과 정전기 방전 방지용 전자파 저지대를 적용하지 않은 금속 구조물 간에 신호전달 특성을 비교한 것이다.

도 4는 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 단위 구조를 도시한 것이다.

도 5는 본 발명에 의한 정전기 방지용 단위 구조를 적용한 제품의 실시예 들을 도시한 것이다.

도 6은 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 금속 구조물 형성 방법을 도시한 흐름도이다.

도 7은 본 발명에 의한 정전기 방전 방지용 단위 구조가 적용된 금속 구조물을 도시한 것이다.

Claims (14)

1. 정전기 방전에 의해 발생된 전류를 억제하는 전자파 저지대, 및

   상기 전자파 저지대의 하단에 형성된 홀이 없는 금속 판을 포함하며,

   상기 전자파 저지대는 단위 구조의 배열에 의하여 형성되는

   정전기 방전 방지용 금속 구조물.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 전자파 저지대는 상기 금속 구조물의 표면에 홀을 형성함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는

   정전기 방전 방지용 금속 구조물.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 전자파 저지대는 금속 패치 및 유전체를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는

   정전기 방전 방지용 금속 구조물.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 단위 구조는 삼각형 또는 사각형 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는

   정전기 방전 방지용 금속 구조물.
5. 삭제
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 전자파 저지대와 상기 금속판 사이에 상기 전자파 저지대를 지지하는 유전체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는

   정전기 방전 방지용 금속 구조물.
7. 삭제
8. 삭제
9. 삭제
10. 삭제
11. 금속 구조물의 표면에 홀을 형성하는 전자파 저지대를 단위 구조를 다수개 배열하여 형성하는 단계;

    상기 전자파 저지대를 구비한 금속 구조물을 형성하는 단계; 및

    상기 전자파 저지대의 하단에 홀이 없는 금속 판을 형성하는 단계를 포함하고,

    상기 전자파 저지대는 정전기 방전에 의해 발생된 전류를 억제하는 것을 특징으로 하는

    정전기 방전 방지용 금속 구조물 형성 방법.
12. 삭제
13. 제 11 항에 있어서,

    상기 전자파 저지대는 금속 패치 및 유전체를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는

    정전기 방전 방지용 금속 구조물 형성방법.
14. 제 11 항에 있어서,

    상기 단위 구조는 삼각형 또는 사각형 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는

    정전기 방전 방지용 금속 구조물 형성방법.

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