TW310414B - - Google Patents

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TW310414B TW085114194A TW85114194A TW310414B TW 310414 B TW310414 B TW 310414B TW 085114194 A TW085114194 A TW 085114194A TW 85114194 A TW85114194 A TW 85114194A TW 310414 B TW310414 B TW 310414B
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    • H04N3/10Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
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Description

經濟部中央梂準局員工消费合作社印製 310414 A7 B7 五、發明説明(1) 本發明係有關於校正在陰棰射線管(CRT)願示裝置之 垂直方向内層針墊失真用的校正装置與校正技術,此CRT 顯示裝置係適用於對應於多挿瞄糸統之類的霣腦顯示裝置 〇 利用《轉電子束在一 CRT前方螢幕之投射所做成之圓 像主要包括針墊形狀之失真。為了校正此失真,諸如「上 層與下層水平列失真校正電路」或「垂直列失真校正電路 J之各棰霣路廣泛地在懦用技藝中被使用。然而,被逭些 校正«路所校正之像中會進一步產生例如在一垂直列中 央部分的失真。此後*逋棰產生於·像之垂直列的失真稱 之為「在垂直方向之内層針墊失真J 。若該CRT之前方螢 幕球面具有之中心舆該《子束之锺轉中心相合,由該前方 蝥幕之中心酤的發光酤位置變化會與一镶轉鬣滾之變化成 比例。該CRT之實際前方螢幕類似於一牖平面。當«轉角 度輿時M0與t表示時,發光點在扁平螢幕之位移 董X (U 成比例。因此,稱之為「S失真j之·像失 真會發生。在S失真中,水平籲轉之量朝向CRT鼷像表面之 端部逐渐增加。 第14園為一水平«轉《路,包括一 S失真校正《路, 其一般被用於惯用技藝以校正該S失真。參照第12匾,一 水平掃瞄期間(此後稱之為水平期間)之一腯衡信號被施 加於一水平_出電晶之底部,且該水平期間(水平偏 轉«滾)之一鋸齒形«流通遇一水平偏轉線圈11。一 S失 真校正電容器串聯與水平僱轉線圈11連接,且一拋物 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規<格f 210X297公釐)
:: 5 ; (. ‘裝 , 訂 f 旅 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(2 ) 線波形之霣壓在S失真校正霣容器C*上被該鋸齒形霣滾產 生。鋸齒波形之一水平傷轉霣滾被抛物線波形之霣S調變 成S形霣滾,且水平儀轉量之增加在該圔像面之左邊與右 邊螭部被壓抑。上述的方法被廣泛地使用。 第2A圏為一般抛物形電壓e,(t)之波形鼸*且第 2B_為一般水平編轉霄之波形圏。 在一資際CRT顯示裝A產生之S失真所須之校正量與 該CRT之偏轉中心至該圈像面上一位置之距離成反比,且 因而随園像面之該位置而變。例如,在具有大曲率半徑之 CRT螢幕上,由於該CRT螢幕之上層部位與下層部位比起在 中央部位距該偏轉中心較逋,故所需的S失真之校正置比 在中心部位者為小。然而*上述的酤未在愼用的S失真校 正《路中被考慮。因此,比起在該圏像面中央部位,在上 釅部位舆下層部位之S失真被遇度校正,且如第15画所示 者,在愼用技β中,圏像面51上之垂直線52被彎曲成針结 形狀。 最近,CRT之前方螢幕變得越來越扁平,且其禳轉角 度變得更大。就此原因,S失真所需之校正量總數增加。 進而言之,由偏轉中心至上饜或下層部位之距離與由偏轉 中心至中央部位之距離間的差異增加,且S失真因而進一 步增加,而需有此問題之對稱。 本發明之一目禰為要提供一種圔像失真校正装置*其 在一 像面上層與下層部位之S失真校正董與在中央部位 者不同,且適當的S失真校正在具有大曲率半徑之前方螢 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ; : τ--^^ 裝----:--訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 310414 A7 B7 五、發明説明(3) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印策 幕的整饑圔像面内實現。 本發明之第一棰棋態的圈像失真校正裝置包含一可飽 和反應器*且通過一水平《轉霣滾之可飽和反醮器的霣感 被控制對應於一垂直傷轉霣滾。 本發明之第二種棋態的圔像失真校正装置包含一可飽 和反應器,具有第一、第二、第三與第四反«器線囿被捲 鐃在一心上,並Μ彼此串職被連接*再與一水平鴒轉線圈 串聯連接,以促成一水平儀轉霣滾通遇逭些反«器線圈, 一線圈被捲繞在該心上,一垂直《轉霣滾之波形的霣 流被通過以作為一控制《滚, 至少有一永久磁鏃被附装於該心,以在一第一方向施 加磁偏場至該第一與第二反臁器線圈,並在與該第一方向 相反之第二方向上被給予該第三與第四反應器線圈,以及 該第一、第二、第三與第四反臁器線圜之霄感和因而 在一國像面之上《部位與下層部位之一水平掃瞄期間 内*在水平方向上於一中央部位内增加,而在該水平方向 上朝二端部部位減少, 在該圏像面之中央部位垂直方向的該水平掃瞄期間内 ,在該水平方向上於該中央部位內減少,而在該水平方向 上朝該二端部部位滅少* Μ及 在垂直掃瞄中該鼷像面之二端部部位的垂直掃瞄期間 内大致增加,而在該垂直掃瞄期間於該中央部位内大致減 少 進而言之,本發明第三種棋態之該像失真校正裝置 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ‘裝. 訂 旅 6 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4) ,包含一値或二倕可飽和反«器彼此被連接, 每一可飽和反醮器具有第一與第二反醮器線圏,其被 捲繞在一心上,並以彼此串聯被連接,再與一水平儀轉線 圄串腰連接,Μ促成一水平《轉霣液通遇逋些反應器線圈, 一線圈被捲燒在該心上,一垂直鴒轉霣滚之波形的霣 滾被通遇以作為一控制霣滾, 一永久磁雄被附装於該心,Μ使磁軀被给予該第一與 第二反«器線圈,Μ及 該第一與第二反應器線圈之《感和因而 在該像面之上層部位與下層部位之該水平捅瞄期間 内,在水平方向上於該中央.部位內增加,而在該水平方向 上朝二端部部位減少, 在該像面之中央部位垂直方向的該水平掃瞄期間内 *在該水平方向上於該中央部位内減少,而在該水平方向 上朝該二端部部位減少,Μ及 在垂直掃瞄中之二端部部位的垂直掃瞄期間内大致增 加,而在該垂直掃瞄期間於該中央部位内大致減少。 依據該第一棰棋態,由於該可飽和反醮器之«感係依 該垂直镰轉霣滾而被控制,在該水平禳轉之S失真校正量 可對應於垂直軀轉而被變化。 因之,水平镉轉之s失真校正量可被選為一適當值, 且在垂直方向上之内層針塾失真可被校正。 依據該第二與第三棰棋態,與該水平軀轉線圈Μ串聯 連接之可飽和反應器的霣感在該垂直掃瞄期間(此後稱之 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· -· -7 —
I I 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(5 ) 為垂直期間)舆在該水平掃瞄期間(此後稱之為水平期間 )内被變化。因之,S失真之校正覺係被該垂直期間所控 制,而該水平軀轉霣滾之水平線性係藉由改變該水平期間 內之霣感被控制,且該控制之量係進一步在該垂直期間内 被變化。因之,在垂直方向上之該內觸針墊失真被校正。 當該可飽和反臁器之該等反應器線圈的霣感在該匾像面之 上層部位或下靥部位的水平掃瞄中,比起在該鼷像面於垂 直方向上之中央部位的水平掃瞄而被S失真校正控制增加 時,該S失真校正之幅度被減小。因之,該水平褊轉«流 之振幅可在該鼷像面垂直方向上的中心内被降低,並在左 邊與右邊端部部位被擴大。 進而言之,該等第一至第四反«器線圈之總«感在該 圈像面之上層部位與下層部位的《轉慵形下,在該中央部 位之水平方向上會增加,在該圓像面之中央部位垂直方向 的偏轉情形下,在該中央部位會減少及在朝向二端部部位 水平方向上會增加,Μ及在垂直掃瞄期間中於二端部部位 會增加及在中央部位會減少。因之,S失真校正之信號可 在垂直期間内被調變。此外,由於該可飽和反應器在水平 掃瞄期間内的總霣感變化之圖像面在中央部位與週邊部位 的校正量與水平線性可在垂直掃瞄期間内被改變。因之, 在垂直方向上之內層針墊失真可被校正而不致對該匾像之 其他部位帶來有害的彩雄。 此外,當該圖像面之上層部位與下暦部位的中央部位 被水平地播瞄時,該等反應器線圈之m感被減少,而非在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.
•-IT 8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 310414 A7 _B7__ 五、發明説明(6 ) 該上層部位與下層部位之水平掃瞄内者。因之,S失真校 正之效果被加強,且該水平僱轉霣滾之振糴可在該像面 垂直方向之中心被撰大而在右邊與左邊端部部位二者被減 少。其结果爲在垂直失真內之内曆針垫失真可被改番。 水平線性於此後被描述。在垂直掃瞄中之上_與下層 端部部位二者内的水平掃瞄中,該可飽和反應器之霣感在 該水平期間之中央期間内被增加*而該«感在該水平期間 之二端部部位的期間内減少,且水平偏轉«流之振幅在垂 直掃瞄中於該中央部位内被減少及在該右邊輿左邊端部部 位之期間内被攘大。進而言之,在垂直掃瞄中之中央部位 内的水平掃瞄中,該可飽和反醮器之《感在該水平期間之 中央期間内被增加,而該霣感在該水平期間之二端部部位 的期間内減少,且水平《轉霣滾之振幅在垂直掃瞄中於該 中央部位内被減少及在該右邊與左邊端部部位之期間内被 擴大。因之,在垂直方向上之內層針憨失真可被改善。 第1園為包含有本發明第一實施例之可飽和反應器之 電路的霣路Η; 第2Α圖為在S失真校正電容器“内被產生之大致抛物 線波形«壓e*(t)的波形圈,其對本發明與習知技蕕為共 同的; 第2B醒爲大致水平褊轉«流U<H)(t)之波形画,其對 本發明與習知技S為共同的; 第3園爲本發明中水平镉轉霣路之一等值«路; 第4圈為表示在第一實施例中於垂直儀轉內的反應器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 2们公釐) IJ---*---=--裝------訂------^旅 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣隼局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(7 ) 線圈之霣感醞; 第5·為第一實施例中之可飽和反應器的横截面匾; 第6麵為當一垂直軀轉霣潢通遇該可飽和反應 器時,第一實施例之可飽和反醮器的横截面圏; 第7匾爲當該垂直偏轉霣滾1“¥>與一水平傾轉霣滾 Ι,(Η>通遇該可飽和反臁器時》第一實施例之可飽和反應 器的横截面圏; 第8_為表示在第一實施例中於水平铺轉内的反應器 線圈之霣感圈; 第9團為當該水平福轉轚滾U(H)通過該可飽和反應 器時,第一實施例之可飽和反應器的橫截面矚; 第10_爲表示在第一實施例中於該水平褊轉内的反應 器線圈之霣想_; 第11_爲在一第二實施例中之一可飽和反應器的横截 面_ ; 第12圈爲該锡轉霣路之霣路,包含有二镧第二實施 例之可飽和反醮器; 第13·為該軀轉電路之霣路,包含有一毓第二實施 例之可飽和反«器; 第14圏爲包括有愼用S失真校正失真之水平儀轉失真 • 第15_為一視頻彩像願示裝置之·像面的前方圏,顯 示包括有在該圏像面之中央部位内的針憝失真圏像52。 本發明之較佳實施例將參照第1顯至第13·在此後被 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 丨: ^ Γ —裝----.--訂------^旅 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(8 ) 詳細地描述。 本發明之第一實施例將參照第1画至第10圏在此後被 詳細地描述。 第1圖為用以偏轉一鬣子束之偏轉電路的電路圖,包 含本發明第一實施例之可飽和反應器。該傾轉電路包含一 水平镉轉電路1,包括有一s失真校正電容器cs、一垂直 偏轉電路25、一偏轉軛31接收水平偏轉電路1之與垂直偏 轉電路之輪出、以及一可飽和反應器單元32用Μ校正「垂 直方向上之內層針塾失真」。 在水平偏轉電路1内,被耩合於電源之一接頭5經由 一抗流線圈Τ被連接於水平幡出電晶體1之集電極、一個 二極體b之陰極、一水平共振電容器“與镉轉轭31之水平 镉轉線圈11之一端部。水平餳轉線圈11之另一端部被連接 至可飽和反應器單元32之第一反應器線圈12的一端部。一 第二反應器線圈13、一第三反應器線圈14與一第四反應器 線圈15與該第一反應器線圈12K其名稱為順序被串聯連接 ,且該第四反應器線圈15之一接頭15A被連接至一S失真校 正電容器C s。 在垂直偏轉電路25内,一接頭6被連接至一電源(未 耋出),且一接頭3被連接至垂直備轉驅動電路(未畫出 )。垂直《轉轭31之一對串聯耦合之垂直镉轉線圈21與可 飽和反應器單元32之一第五線圈22被連接跨過垂直镉轉電 路25之蠄出接頭2A與2B。 該等反應器線圈12,13,14與15形成可飽和反應器單 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) I, .. 裝 . 訂 ^線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 Α7 Β7 310414 五、發明説明(9 ) 元32之第一線圈,且線圈22形成可飽和反應器單元32之一 第二線圈。這些線圈如第5圔所示地被捲繞在具有二窗33A 與33B之心33上。反應器線圈12,13,14與15之電感分別 以U,La,1^與1^表示。在第1圖中,水平偏轉電路1產 生水平掃瞄期間(此後稱之為水平期間)之一鋸齒電滾, 並造成該水平《轉電潢在偏轉轭31之水平偏轉線圈11内流 動。垂直饍轉電路25產生垂直掃瞄期間(此後稱之為垂直 期間)之一鋸齒電流,並造成該垂直禳轉霄流流動至镉轉 軛31之垂直偏轉線圈21。 第一反應器線圈12與第二反應器線圈13M相反極性被 彼此串聯連接,使得因水平偏轉電滾變化所造成之反醮器 線圈12的波形變化與因水平偏轉電流變化所造成之反應器 線圈13的波形變化成相反極性,使得反應器線圈12與13的 電感變化彼此相反。例如,當反應器線圈12之霣感因水平 鵃轉電流變化而減少時,反應器線圈13之電感增加。 第三反應器線圈14與第四反應器線圈15亦類似地以相 反極性被彼此串聯連接,使得因水平偏轉霉流變化所造成 之反應器線圈14的波形變化與因水平偏轉電流變化所造成 之反應器線圈15的波形變化成相反極性。在上述之連接下 ,因通過反應器線圈12〜15之水平偏轉電流變化所造成的 可飽和反醮器32之總電感1^邙84,说8+1^+1^>變化係對稱 於第4圖中Μ曲線43所示之画像面的中心上之一垂直線V 。第4圖將稍後再詳細描述。 一固定磁偏被永久磁鐵34與35施加至第一至第四反應 本紙張尺度適用中國國家橾隼(CNS ) Μ規格(210X297公釐) I 叫— ; M —^ n 11 I訂 11 旅 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 12 五、發明説明(10 ) A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 器線圈12〜15。因此,第一至第四反齷器線圈12〜15之磁 性飽和狀態係根據通過以磁性被縝合於第一至第四反應器 線圈12〜15之心22的垂直福轉電滾波形變化而被控制。在 第4_顯示之一例中,第一輿第二反*器線圈12舆13所具 有之特擻為使得Μ曲線41所示之《感U與霣感L·的總霣感 <L,+L«>在對應於圏像面之一上層部位的部位增加,而在 對*於一下層部位的部位減少。 第三反齷器線圈14與第四反應器線圈15所具有之特擞 爲使得代表《感U與霣感U之總霣感(U+U)的曲線42舆 曲線41對稱於代表零垂直傷轉霣滾之線V 。在上述特擻下 ,第一至第四反醮器線圈12〜15之電感和(即總霣感L8>在 第4圃中Μ曲線43表示者,朝向垂直僱轉之圔像面的一上 層部位與一下層部位增加,而在中央部位減少。就如上述 者,在利用垂直期間之合成«感的改變下,S失真校正量 (其為將被加至水平«轉«滾Μ校正S失真的已知校正電 流量)被調變。 就如眾所通知者,S失真已利用在S失真校正電容器。 所被產生的抛物線波形«歷^(1)*藉由拉伸5形方式調變 鋸齒波形之水平偏轉霣滾而被校正。在S失真校正霄容器“ 所被產生的抛物線波形電壓e,(U在第2Α_中被顳示。被 抛物線波形電壓e«(t)調變的水平偏轉霣滾Iy (H,t)的波形 在第2B圈中被顯示。 第3 爲第181中水平«轉電路1、垂直偏轉霣路25 、可飽和反應器單元32與水平籲轉線圈11之一等值霣路。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 7 線 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 13 κ五、發明説明(11 ) Α7 Β7 經濟部中央標準局負工消费合作社印装 施加於第1·中接頭5之«源«壓Μ Ει·表示。被施加至接 頭4與阻尼二極鼸臥之水平期間的一脈衝所操作之水平輪 出《晶醱(hMS·*表示。一水平共振m容器MCr表示。S失 真校正霣容器(:,之霉容性μ CS表示,且水平镳轉線圈11之 «感MU表示。纗霣感(U+U+U + LJML:表示。總«感U 被垂直期間内之調變所改變。 就如上述者,水平槭轉霣流Iy(H)之S失真校正量被垂 直期間内之鏟«慼U變化改變。此後,S失真校正童之變 化将被描述。通遇S失真校正電容器(:8二接頭之一電暱變 成在第2A·中Μ重*抛物線波形《壓es(t>所顯示之一波 形。通遇水平儀轉線圈11之水平《轉«潦丨y(H)如第2B鼷 所示地被抛物線波形《壓所改變。在第2A圓中,在時間 -Ts/2至+Ts/2期間(-Ts/2Ul + Ts/2,時間Ts為一水平有效 期間),角度頻率〇)8之平方o>sa與抛物線波形«壓e»(t) 分別以下列公式⑴與⑵表示,其對熟習該技藝者而言係為 明白的: ω «* = 1/CS . (Lr+Ls) ---- ⑴ e8 ⑴= Eb,*coso>*t .... ⑵ 其中Eb’爲抛物嫌波形《壓e,(t>之尖峰霣K且大約等 於霣源霣壓。 依鐮公式⑴與⑵,其被認知到總霣感L*變得越大,則 角度頻率ω ,變得越小,且拋物線波形霣Kes<t>之波形變 得越麻。可飽和反釅器32在垂直拥瞄期間内被調變,且如 第4 88顯示者,Μ曲線43表示之總霣感L,在國像面垂直方 ---:---;---r--裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 1/ 涑 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 14 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(12 ) 向上之下層部位與中央部位比起钃像面會增加,且S失真 校正效果滅小。因之,在比起該匾像面垂直方向之中央部 位下,圈像面垂直方向上之下層部位與中央部位中,一圖 像之左邊端部部位與右邊端部部位趨向於擴大,且該園像 之中央部位趨向於在水平方向縮小。所Μ,該圔像面下層 部位與中央部位内S失真之遇度校正可被改巷,且結果為 垂直方向之内層針懿失真被改善。 第一實施例中之可飽和反應器32的構进參照第5画被 詳細描逑。具有二窗33Α與33Β之心33被提供有二永久磁鐵 34與35Μ產生固定磁場。第一反應器線圈12與第二反應器 線圈13穿過心33之窗33Α被捲繞。第三反«器線圈14與第 四反應器線圈15穿遇苗33Β被捲繞。此外,第五線圈22撓 蓿整鏔心33在中央部位被捲鐃。在第5·中,第一至第四 反鼴器線圈12〜15與線圈22Μ俪別横截面被願示/第五線 圈22產生磁場,其被垂直掃瞄期間内之垂直偏琉改變 。二永久磁鐵34與35K與心33分別二皤部之二窗3¾與33B 間的中央脯33D成對稱。永久磁鐵34與35被附裝至心33之 方向爲使得籲別的磁線被導至心之中央部位33C,且永久 磁雄34與35所產生之磁場在心33內除了該心通邊部位之中 央部位33C外被消除。在上述的構造中,在反*器線圈12 ,13, 14與15之磁場依據通過第一至第四反應器線圈12〜 15之霣滾值典棰性而彼此不同。進而言之,線圈22之磁場 被通遇線圈22之電流所改變,但永久磁雄34與35所產生之 磁場未改變。 IΛ--J---Ί--^—裝-- • I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Τ 旅 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 15 » » A7 3^〇4ΐ4 ^_B7______ i '發明説明(13 ) 當第一至第四反鼸器線囿12〜15之霣潦爲零(水平傷 轉霄滾Iy(H>爲零,且垂直偏轉霣滾b(V>爲零),即酋圈 像面之中心被掃瞄時,心33之磁場狀態被顯示於第5圖中 。在第5画所顯示之狀態中,第一至第四反應器線圈12〜 15被永久磁雄34與35之磁埸Φ μ與〇8>|値別地Μ實線箭頭 顯示之方向被弄成飽和。因此,逋些第一至第四反應器線 圈12〜15之總«感1^(1^ = 1^+1^+1^ + 1«>具有低值。 第6 _顯示當最大垂直僱轉霣滾Iy(V>通過可飽和反 應器32時,在心33所產生的磁場狀態。該可飽和反醮器32 之構迪舆第5匯者相同。為了簡化起見,第6匾顯示將被 通過第一至第四反*器線圈12〜15之水平偏轉霣滾b(H) 爲零的狀態。在此狀態中,《子束被軀轉向像面之上層 部位,且線圈22所產生之磁壜Μ虚嫌筋頭Φ-表示(此後 稱之為磁埸Φ«)。在心33中被個別反驩器線圈12與13圍 繞之部位12Α與13Α的磁場變成Φ^-Φ^所表示之值,其爲 磁場Φ81與磁場Φ-間之差。因而,在部位12Α與13Α之磁 埸減小,且霄感U與U之和在第4圓顯示之曲線41之坡處 41A增加。 相反地,在心33上被徧別反應器線圈14與15所園嬈之 部位14A與15A的磁場為磁場Φ 8S與Φν之和。因而,在部 位14Α與15Α之磁場增加,且«感U與U之和滅小至第4圖 顯示之曲線42之平處部分42Β。 當電子束被镳轉向_像面之下層部位時,垂直偏轉電 流Iy(V>之極性被逆轉,且第6鼷顯示之磁場Φκ的方向亦 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I .Ί J Μ ^ ^ I n 訂 I 7"旅 - 一-- (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾隼局員工消費合作社印聚 16 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(14 ) 被逆轉。為了資現根據第4圈中顯示之總«感U之曲線43 校正麵像的有效特擞,被線圈22内霣流做成之磁場Φν與 被傾別永久磁鐵34與35内霣流做成之磁壜Φ81與<Dsa間的 關係被灌定為: Φ II Φ S 1 以及 Φ S 1 = Φ 8 β 在上述的灌擇下,總霣感U變成如第4圓中曲線43顯 示之在垂直期間中央部位内降低的谷狀特擞,且上述S失 真校正之特徽可被改進。 藉由在水平挿瞄期間内總電感U之變化的内層針憝失 真之校正操作在此後Μ參照第7·被描述。第7園顯示可 飽和反應器32與第5·願示者相同。總霣感U亦被通過反 醮器線圈12,13,14與15之水平軀_霣滾Iy(H)改變。 第7圏顯示當最大垂直傷轉霣滾Iy(V>通過線圈22, 且最大水平«轉«滾U(H>通過反應器線圈12〜15時,心 33之磁場狀態。在此狀態中*被通遇線圏22之垂直儋轉霣 滾U(V>朝上向圈像面《轉,且磁場〇„在心33中被產生。 被反*器線圈12產生之磁場之箭頭ΦΗ1,且被反應器線圈 13產生之磁場以筋頭ΦΗ2表示。被反釅器線圈14產生之磁 場之筋頭ΦΗ 3表示,反醮器線圈15產生之磁場之筋頭 ΦΗ4表^^後筋頭中们與中以分別指示磁 場ΦΗ丨ΦΗ3與之可飽和。磁場ΦΗι,ΦΗ2, ΦΗ3與ΦϊΜ之傾別絕對值被選定成彼此相等(ΦΗ1 = 〇H2 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) Α4规格(210X 297公釐) 17 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明(l5) =φ«3= ΦΗ4 ),且每一絕對值Μ ΦΗη代表之。進而言之 * 磁鐵34與35所產生之磁場<i>sl與〇s2之每一絕對值 '·. ·*·ν, * M ^表示。絕對值ΦΗ η,<I>S η與Φν間之Μ係被灌定成 'V Γ'..> 如下: Φυη〈Φν Φ S η 在上述選擇的情形下,圖像面左上角部位之拥瞄狀態 在此後被描述。參照第7匾,具有線圈12之心33在部位12Α 的磁場以<I>S1 - Φν - Φη 1表不。 因此,反應器線圈12之霣感U在磁場Φν + ΦΗ1之變 化為小時會稍徹增加,其原因為磁場Φν與ΦΗ1之和(Φν + ΦΗ1 )趙近於磁場Φ81。在具有反應器線圈13之部位13Α 內,其磁場以i>Sl = Φν+ΦΗ2表示,且霣感L«因而為小 的。就算磁塌ΦΗ3與ΦΗ4被改變,反應器線 14與15之儀 別霣感^與匕之和被維持於很小之值,且在操作中可因而 被忽略。其原因為磁性箱和係由磁場φ52與Φν之和(Φ82 + Φν )所產生。 在第7圈中,其描述係針對像面之左上方部位被進 行,此時垂直《轉《滾與水平偏轉電滾之極性被改變,即 該等磁場之極性(筋頭之方向)被改變。上述情形之«慼 的類似變化在匯像面右上方部位、左下方部位與右下方部 位的掃瞄被獲致。因之,總電感變化之特殊對稱於圏像面 之垂直中心線。 第8·顯示當画像面之上層部位被掃瞄時,在水平掃 瞄期間的霣感變化。參照第8_,當反醮器線圈12之電感 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(21〇Χ 297公釐) I1, -· Ί H —νϋ ^ I ; —訂— — — —^旅 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -18 - A7 310414 ___B7___ 五、發明説明(l6 ) I^---;---r--「裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) UM曲線44表示,且反應器線圈13之霣感曲線45表示 時,由於霄感U+U小的可以忽略,所以總霄感Ls(U+Le + L3+U>以曲線46表示。笛第8圃之«感UM曲線44之電 感U取代,且第8圈之電感曲線45之霣慼U取代時, 曲線46將代表在掃瞄圓像面之下層部位時的電慼特擻。 第9晒顯示在掃瞄_像面左下方部位(垂直《{轉角度 為零)時*心33之磁場狀態。此磁場之狀態在比較起第5 圖顯示之圈像面中央部位的掃瞄下被說明。在第9圏之狀 態中,具有反應器線圈12之心33在部位12A之磁場以磁場 Φ81與ΦΗ1間之差<Φ81 -ΦΗ1 )表示,且霣感因而為大 的。具有反應器線圈15之心33在部位15A之磁場Μ磁場Φ82 與ΦΗ4間之差(Φ82 -ΦΗ4 >表示,且電感L«因而為大的。 在具有反應器線圈13之心33在部位13Α與在具有反醮器線 圈14之心在部位14Α中,磁性飽和已發生,且·別霣感L· Τ 與U因而為小的。由於發生於部位13Α與14Α之磁飽和係由 傾別磁雄34與35之磁場所飽和,個別«感之變化亦為小的 〇 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 在垂直«轉未如上述被施加於霣子束(邸垂直軀轉角 度為零時),水平掃瞄期間内之霣慼變化M#照第10圈被 描述。在第10画中,反應器線圈12之«感U與反應器線圈 15之之和(U+U>M曲線47顯示,且反應器線圈13 之«感U舆反醮器線圈14之16感U之和(L,+L3)M曲線48 顯示,缠霣想U(L* = U+Le + L3+L^^^線49顳示。 在第1_中,由於可飽和反應ώ ί2之反*器線圈12, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(17 ) 13* 14與15M及水平《轉線圈11M串職被連接,水平《轉 霄滾Ιζ(Ι〇之振幅被水平軀轉期間内之缠電感U變化在水 平傾轉方向加以攘大或滅小。在圏像面之上層部位舆下層 部位内,水平僱轉11流U(H>之振幅在麵像面水平偏轉中 央部位被減小且在二端部部位被擴大。在垂直《轉方向的 中央部位内*水平偏轉電流U(H>之振幅在水平偏轉的中 央部位内被擴大,且在左方與右方端部部位二者被減小。 因之,除了上逑S失真校正之改良外,尚有在垂直方向上 内暦針墊失真被改善。 雖然在垂直掃瞄期間内總霄感U之變化會在整傾_像 内引發輕橄的水平振幅變化,該引發的變化作爲減小已知 的供面針墊失真(未於上文掲示),其一般係在該像面 之端部部位被產生。上述的校正爲側面針墊失真校正量的 十分之一或更低,且在本實施例之S失真校正因而不會對 其他像失真帶來有害之彩響。 在第一實施例之像失真校正裝置中,可飽和反醮器 32之第一至第四反應器線圈12〜15與第五線圈22分別與褊 轉轭Μ之水平镇轉線圈11與垂直禳轉線圈21以串聯被連接 ,因而不須有非如上述連接之其他連接。所Κ,第一實施 例之疆像失真校正装置可容易地被併入慣用的镉轉電路内 本發明第二實施例之圔像失真校正裝置在此後參照第 11至13_被描述。第11_爲在第二實施例之可飽和反應器 32Α的横截面圔。在第11圏中,一籲產生固定磁場之單一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) — r-------η--^I裝----·--訂------^旅 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 20
I I 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(IS ) 永久磁雄37被附裝於一健具有單一窗36A之長方形心方向 上。一第一反®器線圈16與一第二反醮器線圈17穿過心36 之窗36A被捲嬈。第一反醱器線圈16與第二反應器線圈17 Μ相反極性之方式被串聯連接。反醮器線圈16與串聯之悃 別霣感被通過心36上由反醱器16與串聯園繞之部位的磁場 所改變。一第三反®器線圈23在心36之端部部位的遇邊被 捲鐃。在第11画中*反應器線圈16與17及線圏23分別Μ檨 截面被顯示。在垂直偏轉期間内成鋸齒波形之垂直偏轉鬣 滾流動穿過該第三線圈23。此第二實施例中的可飽 和反應器32A具有的構造為第5圈中顯示之第一實施例的 可飽和反醮器32沿箸一中央垂直線被分爲二部份*且被設 計成使得其操作與特撤實際上類似於可飽和反臁器32者。 第12匾為使用二籲第11·願示之可飽和反鼸器32A的 _像失真校正装置貢施例。在第12·中,下方可飽和反應 器32A之線圈23與上方可飽和反«器32A之線圈23以相反極 性之方式被串聯建接。因之,該第二實施例之操作與效果 輿第一實施例者資際相同。 依據該第二實施例,可飽和反齷器之檐造被簡化。然 而,其垂直餵轉電流U(V>通過二傾線圈23,且垂直褊轉 電路25之負載增加。 第13鼷為使用第11_之一可飽和反應器32A的匾像失 真校正裝置霣路晒。在此例中,可飽和反«器32A作用實 際與第1園與第12_顯示之可飽和反應器操作相同,即通 遇具有垂直期間抛物線波形之霣流穿過第三嫌圈23。連接 本紙張尺度適用中國國家標芈(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝_ 訂 一 21 - A7 B7 五、發明説明(19 ) 於線圈23之二極鼸的橋«路24為一眾所習知的霣路,其中 具有該鋸齒波形之垂直軀轉霣潢被轚滾且該抛物線波形之 霣滾被產生。通遇具有垂直期間抛物線波形穿遇線圈23之 霣流之霣路可被用Μ取代橋電路24。顯示於第13·之園像 失真校正装置的基本操作與第12·者實際相同。 在此第二實施例之圏像失真校正裝置中,可飽和反醮 器32Α之第一與第二反臁器線圈16與17及第三線圈23Μ串 聯分別與儀轉辆31水平傾轉線圈11及垂直僱轉線圈21被連 接,且因而類似於第一實施例不須有非上述連接之其他連 接。所以,第二實施例之像失真校正《路可容易地被併 入憤用的禳轉霣路。此外,可飽和反應器32Α之構造被簡 化,且因而易於被製作,及製作成本被降低。 雖然本發明已就目前較佳實施例之方式被描述,其將 被瞭解到此揭示未被解釋為限制性的。各種改變與修正對 習知本發明所持有之技蓊者,在讀取上述揭示後,無疑地 將變成明白的。據此,其被欲於所附之申請專利範園被解 惲成涵藎所有改變與修正落於本發明之真實精神與領域。 IJ----------^-I 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Τ 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) 22 五、發明説明(20 ) A7 B7 元件禰號對照 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 1 ---- 水平傾轉霣路 B2A ... .可飽和反醮器 2A ---- 輪出接頭 33 ____ 心 2B ---- 輪出接頭 33A ... .窗 3 ---- 接頭 33B ... .窗 4 ---- 接頭 33C… .心之中央部位 5 ---- 接頭 33D ... .中央》 6 ____ 接頭 34 ____ 永久磁雄 11 ---- 水平儀轉線圈 35 ---- 永久磁鐵 12 ---- 第一反應器線圈 36 ____ 心 12A ... .部位 36A ... .窗 13 ____ 第二反應器線圈 37—— 永久磁鐵 13A… .部位 41—— 曲線 14 ____ 第三反應器線圈 41A… .坡處部分 14A ... .部位 42—— 曲線 15 ____ 第四反應器線圈 42B ... .平處部分 15A… .接頭,部位 43—— 曲線 16 ____ 第一反醮器線圈 44 ____ 曲線 17 ____ 第二反醮器線圈 45—— 曲線 21 ____ 垂直傷轉線圈 46 ---- 曲線 22 ____ 第五線圈 47 ____ 曲線 23 ____ 第三反應器線圈 48 ---- 曲線 24 ____ 橋霣路 49 ---- 曲線 25 ____ 垂直偏轉霣路 51—— 垂直線 31 ____ 偏轉轭 52—— 圃像面 32 ____ 可飽和反應器單元 I . I I I —^1 裝 I I 訂— I^線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -23

Claims (1)

  1. 8 888 ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1. 一棰在垂直方向校正内層針墊失真用之圔像失真校正 装置,包含: 一可飽和反應器具有第一反應器用以通遇一水平 镰轉«滾,Μ及一第二反醮器用Μ通遇一垂直锢轉《 流與用Μ藉由該垂直偏轉«滾控制該等第一線圏之一 «感Μ在該垂直方向校正針塾失真。 2. 如申請專利範圔第1項所述之在垂直方向校正内層針 墊失真用之圇像失真校正装置,其中 一校正II容器以串聯與該可飽和反應器被連接。 3. —種在垂直方向校正內層針墊失真用之圖像失真校正 裝置*包含: 一可飽和反應器具有: 第一至第四反臁器線圈每一被捲撓在一心上,且 以彼此成串II及與一水平傷轉線圈成串聯被連接,Κ 通過一水平軀轉霣滾, 一線圈被捲嬈於該心上,並與一垂直軀轉線圏成 串聯被連接,Μ通遇具有一垂直《轉霣滾之波形的控 制«滾, 至少一永久磁鐵被附裝至該心Μ在一第一方向施 加一磁镉場至該等第一舆第二反應器線圈,該磁《場 Μ相反於該第一方向被施加於該等第三與第四反應器 線圈, 而該等第一至第四反應器線圈之鹤別《感和 在該園像面之上層部位與下層部位内,於水平掃 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -24 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 310414 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 瞄之中央部位内增加,而朝向該水平掃瞄之二端部部 位減少, 在該圏像面垂直方向之中央部位内,於水平掃瞄 之中央部位内滅少,而朝向該水平播瞄之二端部部位 增加* Μ及 一般在垂直挿瞄二端部部位之期間內增加,而一 般在垂直掃瞄之中央部位內減少。 4·如申請專利範圍第3項所逑之在垂直方向校正内層針 墊失真用之_像失真校正裝置,其中 一校正霣容器Μ與該可飽和反應器成串聯被連接 〇 5. 如申請專利範園第3項所逑之在垂直方向校正内層針 墊失真用之圏像失真校正裝置,其中 一對該等永久磁鐵對稱於該心二端部之該等第一 至第四反應器線圈被配置,其方法為被該等永久磁雄 造成之個別磁镝場的絕對值爲被此相等,且在該圓像 面向上與向下僱轉中,被該線圈造成之磁偏場的絕對 值小於被每一永久磁嫌所造成之磁《場的絕對值。 6. 如申請專利範園第3項所述之在垂直方向校正内餍針 墊失真用之像失真校正装置,其中 被該等第一至第四反醮器線圈所造成之偭別磁镉 埸的絕對值彼此相等,且在該國像面向上舆向下鴒轉 中,被該線圈造成之磁鴒場的絕對值大於被該等第一 至第四反應器線圈迪成之磁僱場的絕對值,且小於被 (請先聞讀背面之注意事項#!填寫本頁) 裝· I.訂 線_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8☆、申請專利範圍 該等永久磁鐵造成之磁镅場的絕對值。 7. 如申請專利範園第3項所逑之在垂直方向校正內層針 憝失真用之圈像失真校正装置,其中 該第一反應器線圈與該第二反應器線圈以彼此相 反捶性成串聯被連接,使得因該水平儀轉電溁改變所 造成之第一反應器線圈波形改變與因該水平《轉霣滾 改變所造成之第二反應器線圈波形改變成相反極性, 以及 該第三反應器線圈與該第四反應器線圈Μ彼此相 反棰性成串聯被連接,使得因該水平儀轉«滾改變所 造成之第三反應器線圈波形改變輿因該水平僱轉霣滾 改變所造成之第四反應器線圈波形改變成相反極性。 8. —種在垂直方向校正内層針墊失真用之國像失真校正 裝置,包含: 一籲或二届可相和反醮器,具有: 一第一反《器線圈與一第二反醮器線圑 被捲換在一心上,且Μ彼此成串聯及輿一水平镐 轉線圈成串聯被連接,Μ通過一水平籲轉霣滾, 一嫌圈被捲繞於該心上,並與一垂直籲轉線圈成 串聯被連接,Μ通遇具有一垂直餵轉電滾之波形的控 制霣滾, 一永久磁嫌被附装至該心以施加一磁傷場至該等 第一與第二反醮器線圈, 而該等第一與第二反臁器線Β之俪別霣想和 (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) 裝 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) Α8 Β8 C8 D8 夂、+請專利範圍 在一圈像面上餍部位與下層部位上水平掃瞄期間 内,於水平方向之中央部位内增加,而於水平方向朝 向二端部部位減小, 在該像面中央部位上水平播瞄期間内,於水平 方向之中央部位内減小,而於水平方向朝向二端部部 位增加* Μ及 一般在垂直掃瞄二端部部位之期間内增加,而一 般在垂直掃瞄之中央部位內減少。 9_如申請專利範圍第8項所述之在垂直方向校正内層針 墊失真用之鼸像失真校正裝置,其中 一校正電容器Μ輿該可飽和反醮器成串聯被連接 〇 10.如申請專利範園第8項所述之在垂直方向校正内層針 墊失真用之圈像失真校正裝置,其中 該第一反應器線圈與該第二反豳器線圈Μ彼此相 反棰性成串聯被連接,使得因該水平镉轉電流改變所 造成之第一反鼸器線圈波形改變與因該水平偏轉霄流 改變所造成之第二反應器線圈波形改變成相反極性。 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) Α4規格(210Χ297公嫠)
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