CN1159117A - 图形失真校正设备 - Google Patents

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Abstract

在一铁芯上缠绕串联的第一到第四电感线圈并使它们与水平偏转线圈串联。一线圈也绕在该铁芯上并与垂直偏转线圈串联。该铁芯设有两个永磁体，并把偏磁场加到第一到第四电感线圈上。由流过线圈的垂直偏转电流控制第一到第四电感线圈的总电感，从而改变对水平偏转电流幅度的校正量。

Description

图形失真校正设备
本发明涉及校正设备和校正技术，用于校正沿阴极射线管(CRT)显示设备垂直方向的内部枕形失真，该显示设备适用于相应于多扫描系统的计算机或类似装置的显示系统。
通过偏转电子束投射到CRT屏幕上的投影产生的图形主要包括枕形失真。为了校正该失真，在本领域中广泛使用各种电路，诸如“上和下水平线失真的校正电路”或“垂直线失真的校正电路”。然而，由这些校正电路在被校正的图形中产生进一步的失真，例如在垂直线的中央部分产生失真。以下，把在图形垂直方向上产生的失真叫做“沿垂直方向的内部枕形失真”。如果CRT的屏幕具有球面，该球面的中心符合电子束的偏转中心，则发光点离屏幕中心点的位置变化正比于偏转电流的变化。CRT的实际屏幕接近于平面。当由θ和t分别代表偏转角和时间时，平坦的屏幕上发光点的位移量X(t)正比于θ的正切。因此，产生了叫做“S失真”的图形失真。在S失真中，水平偏转量向CRT画面的两端逐步增加。
图14是一水平偏转电路，它包括一般用于传统技术中校正S失真的S失真校正电路。参考图12，把水平扫描周期(以下叫做水平周期)的脉冲信号加到水平输出晶体管Q1的基极，且水平周期的锯齿状电流(水平偏转电流)流过水平偏转线圈11。一S失真校正电容器CS与水平偏转线圈11串联，由于锯齿状电流在S失真校正电容器CS上产生一抛物线波形的电压。由抛物线波形的电压把锯齿状波形的水平偏转电流调制成S形电流，抑制了画面右和左端部分中水平偏转量的增加。上述方法被广泛使用。
图2A是普通的抛物线波形电压eS(t)的波形图，图2B是普通的水平偏转电流IY(t)的波形图。
实际CRT显示设备中产生的S失真所需的校正量反比于从CRT的偏转中心到画面上某一位置的距离，因此校正量依据画面上的位置而变化。例如，在具有大曲率半径的CRT屏幕上，由于与中央部分相比CRT屏幕的上部和下部离偏转中心较远，所以所需的S失真校正量小于中央部分中所需的校正量。然而，常规的S失真校正电路中不考虑上述这一点。因此，在传统技术中，与画面的中央部分相比在上部和下部中S失真被过分校正，如图15所示，画面51上的垂直线52被弯成枕形。
近来，CRT的屏幕变得越来越平坦，偏转角也变得更大。由于这个原因，总体上增加了所需的S失真校正量。此外，从偏转中心到上部和下部的距离与从偏转中心到中央部分的距离之间的差增加，因此，S失真进一步增加，需要解决此问题的对策。
本发明的一个目的是提供一种图形失真校正设备，其中画面上下部分中S失真的校正量不同于中央部分的校正量，且在具有大曲率半径的屏幕的整个画面中实现合适的S失真校正。
本发明第一模式的图形失真校正设备包括可饱和的电感器，相应于垂直偏转电流控制通过水平偏转电流的可饱和电感器的电感量。
本发明第二模式的图形失真校正设备包括：可饱和的电感器，该电感器具有绕在一个铁芯上的第一、第二、第三和第四电感线圈，它们互相串联并与一水平偏转线圈串联，以使水平偏转电流流过这些电感线圈，
一个绕在铁芯上的线圈，把流过它的具有垂直偏转电流波形的电流作为控制电流，
至少一个装到铁芯上的永磁体，以把偏移磁场沿第一方向加到第一和第二电感线圈上，并沿与第一方向相反的第二方向加到第三和第四电感线圈上，以及
从而第一、第二、第三和第四电感线圈电感的总和
在画面上部和下部的水平扫描周期内，电感总和在水平方向的中央部分增加，在水平方向的两端部分减少
在画面垂直方向上中央部分的水平扫描周期内，电感总和在水平方向的中央部分减少，在水平方向的两端部分增加，以及
在垂直扫描周期内在垂直扫描画面的两端部分的电感总和一般增加，在垂直扫描周期中央部分的电感总和一般减少。
此外，本发明第三模式的图形失真校正设备上部包括一个或两个相连的可饱和电感器，
每个可饱和电感器都具有绕在一个铁芯上的第一和第二电感线圈，它们互相串联并与一水平偏转线圈串联，以使水平偏转电流流过这些电感线圈，
一个绕在铁芯上的线圈，把流过它的具有垂直偏转电流波形的电流作为控制电流，
一个装到铁芯上的永磁体，从而对第一和第二电感线圈给出偏磁，以及
从而第一和第二电感线圈电感的总和
在画面上部和下部的水平扫描周期内，电感总和在水平方向的中央部分增加，在水平方向的两端部分减少
在画面上部和下部的中央部分的水平扫描周期内，电感总和在水平方向的中央部分减少，在水平方向的两端部分增加，以及
在垂直扫描周期内在垂直扫描两端部分的电感总和一般增加，在垂直扫描周期中央部分的电感总和一般减少。
依据第一模式，因为根据垂直偏转电流控制了可饱和电感器的电感，所以对水平偏转中S失真的校正量可相应于垂直偏转的量而改变。
结果，水平偏转中S失真的校正量可选择到合适的值，并可校正垂直方向的内部枕形失真。
依据第二和第三模式，在垂直扫描周期(以下叫做垂直周期)和水平扫描周期(以下叫做水平周期)改变与水平偏转线圈串联的可饱和电感器的电感。结果，控制了垂直周期中S失真的校正量，通过改变水平周期中的电感来控制水平偏转电流的水平线性，且在垂直周期中进一步改变控制量。结果，校正了垂直方向的内部枕形失真。通过S失真校正控制，当与沿画面的垂直方向的中心水平扫描相比，在对画面上部和下部水平扫描中可饱和电感器电感线圈的电感增加时，减少了S失真校正的效果。结果，在画面的垂直方向中心处减小水平偏转电流的幅度，并延伸至左右两端部分。
此外，在画面上部和下部偏转的情况下，在水平方向的中央部分第一到第四电感线圈的总电感增加，在画面的垂直方向的中央部分中偏转的情况下，水平方向上的总电感在中央部分减少并在两端部分增加，在垂直扫描周期中，总电感在两端部分增加并在中央部分减少。结果，可在垂直周期中调制S失真校正的信号。此外，通过在水平扫描周期中改变可饱和电感器的总电感，可在垂直扫描周期中改变中央部分和画面周边部分水平线性的校正量。结果，可校正沿垂直方向的内部枕形失真，而不对图形的其它部分产生有害的影响。
此外，当画面上部和下部的中央部分被水平扫描时，电感线圈的电感减小，而不是上部和下部水平扫描中的电感减小。结果，在画面的垂直方向上增强了S失真校正的效果，水平偏转电流的幅度在中心得到扩大，并在左右两端部分减小。结果，可改善沿垂直方向的内部枕形失真。
以下描述水平线性的控制。在垂直扫描的下和上端部分中的水平扫描中，可饱和电感器的电感在水平周期的中心期间增加，在水平周期的两端部分期间减小，水平偏转电流的幅度在中央部分减小，并在垂直扫描的右和左两端部分的期间延伸。此外，在垂直扫描中，在垂直扫描中央部分的水平扫描中，可饱和电感器的电感在水平周期的中心期间减小，在水平周期的两端部分期间增加，水平偏转电流的幅度在中央部分扩大并在右和左两端部分期间减少。结果，改善了沿垂直方向的枕形失真。
图1是本发明第一实施例包括可饱和电感器的偏转电路的电路图；
图2A是在S失真校正电容器CS中产生的一般的抛物线波形电压eS(t)的波形图，它在本发明和已有技术中是共同的；
图2B是一般的水平偏转电流IY(H)(t)的波形图，它在本发明和已有技术中是共同的；
图3是本发明中水平偏转电路的等效电路；
图4是代表第一实施例中垂直偏转的电感线圈电感的图；
图5是第一实施例中可饱和电感器的剖面图；
图6是示出在垂直偏转电流IY(V)流过此可饱和电感器时，第一实施例中可饱和电感器的剖面图；
图7是示出在垂直偏转电流IY(V)和水平偏转电流IY(H)流过此可饱和电感器时，第一实施例中可饱和电感器的剖面图；
图8是代表第一实施例中水平偏转的电感线圈电感的图；
图9是第一实施例中可饱和电感器的剖面图，这是在水平偏转电流IY(H)流过此可饱和电感器时；
图10是代表第一实施例中水平偏转的电感线圈电感的图；
图11是第二实施例中可饱和电感器的剖面图；
图12是包括第二实施例中两个可饱和电感器的偏转电路的电路图；
图13是包括第二实施例中一个可饱和电感器的偏转电路的电路图；
图14是包括常规S失真校正电路的水平偏转电路图；
图15是显示图形52(包括位于画面中央部分的枕形失真)的视频图像显示设备的正视图。
以下将参考图1到13详细描述本发明的较佳实施例。
[第一实施例]
以下将参考图1到图10描述本发明的第一实施例。
图1是用于偏转电子束的偏转电路的电路图，它包括本发明第一实施例的可饱和电感器。此偏转电路包括含有S失真校正电容器CS的水平偏转电路1、垂直偏转电路25、接收水平偏转电路1和垂直偏转电路25的输出的偏转线圈31，以及用于校正“垂直方向的内部枕形失真”的可饱和电感器单元32。
在水平偏转电路1中，要耦合到电源的端5通过扼流线圈T连到水平输出晶体管Q1的集电极、二极管D1的阴极、水平共振电容器Cr，以及偏转线圈31的水平偏转线圈11的一端。水平偏转线圈11的另一端连到可饱和电感器单元32的第一电感线圈12的一端。第二电感线圈13、第三电感线圈14和第四电感线圈15按所述次序与第一电感线圈12串联，第四电感线圈15的一端15A连到S失真校正电容器CS。
在垂直偏转电路25中，端6连到电源(未示出)，端3连到垂直偏转驱动电路(未示出)。跨垂直偏转电路25的输出端2A和2B连接了垂直偏转线圈31的垂直偏转线圈21和可饱和电感器单元32的第五线圈22这一对线圈，这对线圈是串联耦合的。
电感线圈12、13、14和15形成可饱和电感器单元32的第一线圈，线圈22形成可饱和电感器单元32的第二线圈。如图5所示，这些线圈绕在有两个窗33A和33B的铁芯33上。电感线圈12、13、14和15的电感分别由L1、L2、L3和L4代表。在图1中，水平偏转电路1产生水平扫描周期(以下叫做水平周期)的锯齿状电流，并使水平偏转电流流入偏转线圈31的水平偏转线圈11。垂直偏转电路25产生垂直扫描周期(以下叫做垂直周期)的锯齿状电流，并使垂直偏转电流流入偏转线圈31的垂直偏转线圈21。
第一电感线圈12和第二电感线圈13互相反极性串联，从而由水平偏转电流变化引起的电感线圈12波形的变化与由水平偏转电流引起的电感线圈13波形的变化极性相反，从而电感线圈12和13电感量变化相反。例如，当由于水平偏转电流变化使电感线圈12的电感减少时，电感线圈13的电感增加。
第三电感线圈14和第四电感线圈15也同样地互相反极性串联，从而由水平偏转电流变化引起的电感线圈14波形的变化与由水平偏转电流变化引起的电感线圈15波形的变化极性相反。通过上述连接，如图4中曲线43所示的可饱和电感器32的总电感LS(LS＝L1+L2+L3+L4)的变化相对于画面中心的垂直线VL是对称的，总电感LS的变化是由流过线圈12---15的水平偏转电流的变化引起的。
由永磁体34和35把恒定的偏磁加到第一到第四电感线圈12---15。因此，根据流入线圈22(它磁性地耦合到第一到第四线圈12---15)的垂直偏转电流的波形变化控制第一到第四电感线圈12---15的磁性饱和状态。在图4示出的例子中，第一和第二电感线圈12和13具有这样的特性，即由曲线41所示的电感L1和电感L2的总电感(L1+L2)在相应于画面上部的部分处增加，并在相应于画面下部的部分处减少。
第三电感线圈14和第四电感线圈15具有这样的特性，即由曲线42所示的电感L3和电感L4的总电感(L3+L4)相对于代表零垂直偏转电流的线VL与曲线41是对称的。由上述特性，由图4中曲线43所示的第一到第四电感线圈12---15的电感之和，即总电感LS向垂直偏转的画面的上端和下端增加，并在中央部分内减少。如上所述，利用合成电感随垂直周期的变化，调制S失真校正量，该校正量是要加到水平偏转电流来校正S失真的已知校正电流量。
众所周知，通过使用在S失真校正电容器CS处产生的抛物线波形电压eS(t)，以拉直S形状的方式调制锯齿状波形的水平偏转电流来校正S失真。在图2A中示出在S失真校正电容器CS处产生的抛物线波形电压eS(t)。在图2B中示出通过抛物线波形电压eS(t)调制的水平偏转电流IY(H，t)。
图3是图1中所示水平偏转电路1、垂直偏转电路25、可饱和电感器电压32和水平偏转线圈11的等效电路。由Eb代表加到图1中端5的电源电压。由SW代表由加到端4的水平周期的脉冲信号来操作的水平输出晶体管Q1和阻尼二极管D1。由Cr代表水平共振电容器。由CS代表S失真校正电容器CS的电容，由LY代表水平偏转线圈11的电感。由LS代表总电感(L1+L2+L3+L4)。通过垂直周期中的调制来改变总电感L。
如上所述，通过垂直周期中总电感LS的变化来改变水平偏转电流IY(H)的S失真校正量。以下，描述S失真校正量的变化。通过叠加抛物线波形电压eS(t)，使跨S失真校正电容器CS两端的电压变成图2A中所示的波形。如图2B所示，由抛物线波形电压eS(t)来改变流过水平偏转线圈11的水平偏转电流IY(H)。在图2A中，从时刻-TS/2到时刻+TS/2(-TS/2≤t≤+TS/2，时刻TS是水平有效周期)的时段内，分别由以下公式代表角频率ωS的平方ωS 2和抛物线波形电压eS(t)，这对本领域内的熟练技术人员是很明显的。
ωS 2＝1/CS×(LY+LS)       ...(1)
eS(t)＝Eb’×cosωSt       ...(2)
这里Eb’是抛物线波形电压eS(t)的峰值电压，它近似地等于电源电压Eb。
依据公式(1)和(2)，可认为总电感LS变得越大，则角频率ωS变得越低，抛物线波形电压eS(t)的波形变得平坦。在垂直扫描周期中调制可饱和电感器32，如图4所示，与画面的中央部分相比，曲线43所示的总电感LS在画面的垂直方向的上部和下部增加，且S失真校正的效果减少。结果，与画面垂直方向的中央部分相比，在沿画面垂直方向的上部和下部中，图形的右端部分和左端部分都将延伸，在水平方向的图形的中央部分将趋向收缩。因此，改善了画面上部和下部对S失真的过分校正，结果，改善了垂直方向的内部枕形失真。
将参考图5详细描述第一实施例中可饱和电感器32的结构。具有两个窗33A和33B的铁芯33设有两个用于产生固定磁场的永磁体34和35。第一电感线圈12和第二电感线圈13通过铁芯33的窗33A来缠绕。第三电感线圈14和第四电感线圈15通过窗33B来缠绕。此外，在整个铁芯33的中间部分外绕有第五线圈22。在图5中，由各个剖面示出电感线圈12---15和线圈22。第五线圈22产生的磁场由垂直扫描周期中的垂直偏转电流来改变。两个永磁体34和35分别相对于铁芯33两边两个窗33A和33B之间的中间铁芯柱33D的中心轴对称地排列。永磁体34和35以此方向装到铁芯33上，从而各个磁力线指向铁芯33的中间部分33C，且可抵消铁芯33中由永磁体34和35产生的磁场，但除了铁芯33周围部分的中间部分33C以外。在上述结构中，根据流过电感线圈12---15的各个电流的值和极性，使电感线圈12、13、14和15中的磁场互不相同。此外，由线圈22产生的磁场由流过线圈22的电流来改变，但由永磁体34和35产生的磁场不变。
当电感线圈12---15的电流为零(水平偏转电流IY(H)为零，垂直偏转电流IY(V)为零)，即当扫描画面中心时，铁芯33的磁场状态如图5所示。在图5所示的状态中，由沿各个实线箭头方向的永磁体34和35的磁场ΦS1和ΦS2，使电感线圈12---15饱和。因此，这些电感线圈12---15的总电感LS(LS＝L1+L2+L3+L4)具有很低的值。
图6示出当最大的垂直偏转电流IY(V)流过可饱和电感器32的线圈22时，铁芯33中产生的磁场的状态。可饱和电感器32的结构类似于图5中的结构。为了简化，图6示出流过电感线圈12---15的水平偏转电流IY(H)为零时的状态。在此状态中，电子束向画面的上部偏转，由虚线箭头ΦV示出线圈22产生的磁场(以下叫做磁场ΦV)。铁芯33上由各个电感线圈12和13包围的部分12A和13A中的磁场都变为ΦS1-ΦV所代表的值，这些值都是磁场ΦS1和磁场ΦV之差。因此，部分12A和13A中的磁场减少，电感L1和L2之和在图4中所示曲线41的峰值部分41A处增加。相反，铁芯33上由各个电感线圈14和15包围的部分14A和15A中的磁场是磁场ΦS2与ΦV之和。因此，部分14A和15A中的磁场增加，电感L3和L4之和减小至如在图4中所示曲线42的平坦部分42B。
当电子束向画面下部偏转时，垂直偏转电流IY(V)的极性反转，图6中示出的磁场ΦV的方向也相反。为了根据图4中示出的总电感LS的曲线43实现用于校正图形的有效特性，由线圈22中电流产生的磁场ΦV的绝对值与由各个永磁体34和35中电流产生的磁场ΦS1和ΦS2的绝对值之间的关系选择为：
ΦV＜ΦS1，
ΦV＜ΦS2，以及
ΦS1＝ΦS2。
由上述选择，总电感LS变成如图4中曲线43所示的在垂直周期的中央部分降低的谷状特性曲线，可改善上述S失真校正特性。
以下参考图7描述通过改变水平扫描周期中的总电感LS来进行内部枕形失真的校正操作。图7中示出的可饱和电感器32与图5中所示的相同。通过流过电感线圈12、13、14和15的水平偏转电流IY(H)也可改变总电感LS。
图7示出当最大垂直偏转电流IY(V)流过线圈22，以及当最大水平偏转电流IY(H)流过电感线圈12---15时，铁芯33的磁场状态。在此状态中，由于流过线圈22的垂直偏转电流IY(V)使电子束向画面的上方偏转，在铁芯33中产生磁场ΦV。由箭头ΦH1代表由电感线圈12产生的磁场，由箭头ΦH2代表由电感线圈13产生的磁场。由箭头ΦH3代表由电感线圈14产生的磁场，由箭头ΦH4代表由电感线圈15产生的磁场。以下，箭头ΦH1、ΦH2、ΦH3和ΦH4分别指定磁场ΦH1、ΦH2、ΦH3和ΦH4的方向。选择各个磁场ΦH1、ΦH2、ΦH3和ΦH4的绝对值相等(ΦH1＝ΦH2＝ΦH3＝ΦH4)，并由ΦHn代表每个绝对值。此外，由ΦSn代表由永磁体34和35产生的每个磁场ΦS1和ΦS2的绝对值。如下选择绝对值ΦHn、ΦSn和ΦV之间的关系：
ΦHn＜ΦV＜ΦSn。
在如上选择的情况下，以下描述在画面左上方部分上的扫描状态。参考图7，铁芯33中具有线圈12的部分12A中的磁场表示为：
ΦS1-ΦV-ΦH1。
因此，电感线圈12的电感L1稍有增加，而磁场×ΦV+ΦH1的变化很小，这是因为磁场ΦV和ΦH1之和(ΦV+ΦH1)接近于磁场ΦS1。在铁芯33中具有线圈13的部分13A中的磁场表示为：
ΦS1-ΦV+Φ2，
因此，电感L2很小。即使改变磁场ΦH3和ΦH4，电感线圈14和15的各个电感L3和L4之和保持很小的值，因此它可在此操作中被忽略。原因是由于磁场ΦS2和ΦV之和(ΦS2+ΦV)产生磁饱和。
在图7中，已对垂直偏转电流和水平偏转电流的极性改变时，即磁场的极性(箭头的方向)改变时的画面左上方部分的扫描状态进行了描述。在对画面右上方部分、左下方部分或右下方部分进行扫描的情况下可获得与上述情况相同的电感变化。结果，总电感变化的特性曲线相对于画面的竖直中心线是对称的。
图8是示出扫描画面上部时水平扫描周期中电感变化的图。参考图8，当由曲线44示出电感线圈12的电感L1，由曲线45示出电感线圈13的电感L2时，则由曲线46示出总电感LS(L1+L2+L3+L4)，这是因为电感L3+L4很小而忽略不计。当在曲线44中以电感L4替换图8中电感L1，在曲线45中以电感L3替换图8中电感L2时，曲线46将代表画面下部扫描中电感的特性曲线。
图9示出画面左向部分扫描(垂直偏转角为零)中铁芯33的磁场状态。与图5中所示画面中央部分的扫描状态相比较来阐明该磁场状态。在图9的状态中，铁芯33中具有线圈12的部分12A中的磁场由磁场ΦS1和ΦH1之差(ΦS1-ΦH1)所代表，因此电感L1很大。在铁芯33中具有电感线圈15的部分15A中的磁场由磁场ΦS2和ΦH4之差(ΦS2-ΦH4)来代表，因此，电感L4很大。在铁芯33中具有电感线圈13的部分13A和铁芯33中具有电感线圈14的部分14A中，已发生磁饱和，因此各个电感L2和L3都很小。因为在部分13A和14A中发生的磁饱和是由各个永磁体34和35的磁场引起的，所以各个电感的变化也很小。
在上述垂直偏转未加到电子束时(即，当垂直偏转角为零时)的状态中，参考图10描述水平扫描周期中电感的变化。在图10中，由曲线47示出电感线圈12的电感L1与电感线圈15的电感L4之和(L1+L4)，由曲线48示出电感线圈13的电感L2与电感线圈14的电感L3之和(L2+L3)。由曲线49示出总电感LS(L1+L2+L3+L4)。
在图1中，因为可饱和电感器32的电感线圈12、13、14和15与水平偏转线圈11串联，所以由水平扫描周期中总电感LS的变化使水平偏转电流IY(H)的幅度沿水平偏转方向部分地扩大或减小。在画面的上部和下部，水平偏转电流IY(H)的幅度在中央部分减小，在画面水平偏转的两端部分都扩大。在垂直偏转方向的中央部分中，水平偏转电流IY(H)的幅度在水平偏转的中央部分中扩大，并在左右两端部分中都减小。结果，除了改善如上所述S失真校正以外，还改善了垂直方向的内部枕形失真。
虽然垂直扫描周期中总电感LS的变化在整个画面中引入了轻微的水平幅度变化，但引入的变化用于减少已知的侧面枕形失真(未在以上揭示)，该侧面枕形失真一般在画面的两端处产生。上述校正量是侧面枕形失真校正量的十分之一或更低，因此本实施例中的S失真校正并不对其它图形失真造成有害的影响。
在第一实施例的图形失真校正设备中，可饱和电感器32的第一到第四电感线圈12---15与第五线圈22分别与偏转线圈31的水平偏转线圈11和垂直偏转线圈21串联，因此除了上述连接以外不需要其它的连接。因此，第一实施例的图形失真校正设备可容易地装入常规的偏转电路中。
[第二实施例]
以下将参考图11到13描述本发明图形失真校正设备的第二实施例。图11是第二实施例中可饱和电感器32A的剖面图。在图11中，把产生固定磁场的单个永磁体37置于具有单个窗36A的矩形铁芯36。通过铁芯36的窗36A缠绕第一电感线圈16和第二电感线圈17。第一电感线圈16以极性相反的方式与第二电感线圈17串联。由通过铁芯36中绕有电感器16和17的各个部分的磁场来改变电感线圈16和17的各个电感。在铁芯36一端部分的外围绕有第三线圈23。在图11中，由各个剖面示出电感线圈16和17以及线圈23。在垂直偏转周期中通过第三线圈23流入锯齿状波形的垂直偏转电路IY(V)。此第二实施例中的可饱和电感器32A具有图5所示第一实施例中的可饱和电感器32沿中心竖直线被分成两部分的结构，此可饱和电感器32A也被设计成其操作和特性基本上类似于可饱和电感器32的操作和特性。
图12是使用两个如图11所示可饱和电感器32A的图形失真校正设备的一个实施例。在图12中，下可饱和电感器32A的线圈23以极性相反的方式与上可饱和电感器32A的线圈23串联。结果，第二实施例操作和效果基本上类似于第一实施例的操作和效果。
依据第二实施例，简化了可饱和电感器的结构。然而，垂直偏转电流IY(V)流过两个线圈23，因此，垂直偏转电路25的负载增加。
图13是使用一个如图11所示可饱和电感器32A的图形失真校正设备的电路图。在此例中，可饱和电感器32A通过使垂直周期的抛物线波形的电流流过第三线圈23，来进行与图1和图12所示可饱和电感器基本上相同的操作。连到线圈23的二极管电桥电路24是熟知的电路，其中锯齿状波形的垂直偏转电流被整流，且产生抛物线波形的电流。也可使用让垂直周期的抛物线波形的电流流过线圈23的其它电路来替换电桥电路24。图13中示出的图形失真校正设备的基本操作大体上类似于图12中的操作。
在此第二实施例的图形失真校正电路中，可饱和电感器32A的第一和第二电感线圈16和17以及第三线圈23分别与偏转线圈31的水平偏转线圈11以及垂直偏转线圈21串联，因此与第一实施例相同，除了上述连接外不需要其它连接。因此，可容易地把第二实施例的图形失真校正电路装入常规的偏转电路中。此外，可饱和电感器32A的结构被简化，因而容易制造，且制造成本也减少了。
虽然已就较佳实施例描述了本发明，但可以理解所揭示的内容不应被认为是限制。本领域内那些熟练的技术人员在阅读了以上揭示的内容后，进行各种变化和改变无疑是明显的。相应地，附加的权利要求书被认为试图覆盖落在本发明实际精神和范围内的所有变化和改变。

Claims (10)

1.一种用于校正垂直方向的内部枕形失真的图形失真校正设备，其特征在于包括：
可饱和电感器，具有使水平偏转电流流过的第一线圈、使垂直偏转电流流过的第二线圈，且所述可饱和电感器通过所述垂直偏转电流控制所述第一线圈的电感，以校正垂直方向的枕形失真。
2.如权利要求1所述用于校正垂直方向的内部枕形失真的图形失真校正设备，其特征在于
校正电容器与所述可饱和电感器串联。
3.一种用于校正垂直方向的内部枕形失真的图形失真校正设备，其特征在于包括：
可饱和电感器具有
每个都绕在一个铁芯上的第一、第二、第三和第四电感线圈，它们相互串联并与水平偏转线圈串联，以使水平偏转电流流过，
一个绕在所述铁芯上的线圈，它与垂直偏转线圈串联，以使垂直偏转电流波形的控制电流流过，
装到所述铁芯的至少一个永磁体，以沿第一方向把偏磁场加到所述第一和第二电感线圈，所述偏磁场沿与所述第一方向相反的方向加到所述第三和第四电感线圈，
从而所述第一、第二、第三和第四电感线圈各个电感之和
在画面上部和下部中，在水平扫描的中央部分增加，并向水平扫描的两端部分减少，
在画面垂直方向的中央部分中，在水平扫描的中央部分减少，并向水平扫描的两端部分增加，以及
一般在垂直扫描两端部分的周期中增加，并在垂直扫描的中央部分减少。
4.如权利要求3所述用于校正垂直方向的内部枕形失真的图形失真校正设备，其特征在于
校正电容器与所述可饱和电感器串联。
5.如权利要求3所述用于校正垂直方向的内部枕形失真的图形失真校正设备，其特征在于
相对于所述铁芯两端的所述第一、第二、第三和第四电感线圈，由以下方式对称地排列一对所述永磁体，使由所述永磁体引起的各个偏磁场的绝对值相等，且在所述画面向上和向下的偏转中，由所述线圈引起的偏磁场的绝对值小于由每个永磁体引起的偏磁场的绝对值。
6.如权利要求3所述用于校正垂直方向的内部枕形失真的图形失真校正设备，其特征在于
由所述第一到第四电感线圈引起的各个偏磁场的绝对值相等，且在所述画面向上的偏转中，由所述线圈引起的偏磁场的绝对值大于由所述第一到第四电感线圈引起的偏磁场的绝对值，小与由所述永磁体引起的偏磁场的绝对值。
7.如权利要求3所述用于校正垂直方向的内部枕形失真的图形失真校正设备，其特征在于
所述第一电感线圈与所述第二电感线圈互相极性相反地串联，从而所述第一电感线圈的波形变化与所述第二电感线圈的波形变化极性相反，这两者都是由所述水平偏转电流变化引起的，以及
所述第三电感线圈与所述第四电感线圈互相极性相反地串联，从而所述第三电感线圈的波形变化与所述第四电感线圈的波形变化极性相反，这两者都是由所述水平偏转电流变化引起的。
8.一种用于校正垂直方向的内部枕形失真的图形失真校正设备，其特征在于包括：
一个或两个可饱和电感器具有
绕在一个铁芯上的第一电感线圈和第二电感线圈，它们相互串联并与水平偏转线圈串联，以使水平偏转电流流过，
一个绕在所述铁芯上的线圈，它与垂直偏转线圈串联，以使垂直偏转电流波形的控制电流流过，
一个装到所述铁芯的永磁体，以把偏磁场加到所述第一电感线圈和第二电感线圈，
从而所述第一和第二电感线圈的各个电感之和
在画面上部和下部上的水平扫描周期中，在水平方向的中央部分增加，并向水平方向的两端部分减少，
沿画面垂直方向在中央部分上的水平扫描周期中，在水平方向的中央部分减少，并向水平方向的两端部分增加，以及
一般在垂直扫描两端部分的周期中增加，并在垂直扫描的中央部分中减少。
9.如权利要求8所述用于校正垂直方向的内部枕形失真的图形失真校正设备，其特征在于，
校正电容器与所述可饱和电感器相串联。
10.如权利要求8所述用于校正垂直方向的内部枕形失真的图形失真校正设备，其特征在于
所述第一电感线圈与所述第二电感线圈互相极性相反地串联，从而所述第一电感线圈的波形变化与所述第二电感线圈的波形变化极性相反，这两者都是由所述水平偏转电流变化引起的。
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