CN100399808C - 偏转电流调制电路 - Google Patents

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Abstract

在偏转周期的扫描期间和回扫期间，水平偏转电路在偏转线圈(30)中产生水平偏转电流(iy)。晶体管(26)响应垂直速率抛物线信号(VIN)和负反馈信号(Ve)用于在晶体管的集电极生成垂直速率抛物线调制电压。负反馈网络(R26)产生指示流经晶体管用于提高晶体管集电极输出阻抗的电流(ie)的反馈信号。电感器(34)耦合到晶体管的集电极用于在电感器中生成调制电流(im)以在东-西调制器中提供边缘枕形失真校正。

Description

偏转电流调制电路
技术领域
本发明涉及偏转电路的光栅失真校正。
背景技术
在电视接收机中，电视机显像管内的电子束受由流经水平和垂直偏转线圈的锯齿偏转电流产生的磁场作用产生偏转。偏转电子束扫描显像管荧光屏上的光栅图像。未经校正的光栅图像会显示各种几何失真，比如边缘或东-西枕形失真。内部光栅失真的校正需要对随沿光栅显示的垂直轴方向，即，从光栅的顶部到中心和从中心到底部的距离而变化的S整形(S-shaping)进行调制。这由对通过S电容器的电压进行调制实现。调制电压还经过水平偏转线圈并导致对偏转电流的调制。
为校正边缘枕形失真，对水平偏转线圈中的峰-峰水平偏转扫描电流以抛物线方式并以垂直速率进行调制。这种抛物线调制可以在包括东-西调制器的水平偏转电路中实现。提供边缘枕形失真校正和内部光栅失真校正的东-西调制器的例子在，例如署名为Nillesen的题目为“用于通过线偏转线圈产生锯齿偏转电流的电路装置”的专利号为3,906,305的美国专利(Nillesen专利)中进行描述。
体现创造性特征的东-西调制器电路包括用于以抛物线方式并以垂直速率产生电容器两端的电压的放大器。电容器电压经电感器耦合到偏转电路用于提供枕形失真校正。放大器包括具有改变电容器两端的电压的主电流导通通路的晶体管级。
随着放大器输入电压的迅速转换通过调制器的电感器和晶体管的电流可能包括不期望的衰减振荡分量或阻尼振荡，从而导致图像顶部在宽度上的阻尼振荡。通过衰减电容器中的阻尼振荡而衰减偏转电路中的阻尼振荡是被期望的。
在实现创造性特征时，在放大器中形成电流反馈通路。因而，放大器的在电容器和电感器之间结点的输出阻抗充分地增加以衰减阻尼振荡并减小图像失真。
发明内容
体现创造性特征的偏转设备包括偏转线圈和其频率与第一偏转频率相关的同步输入信号源。开关半导体响应第一输入信号并耦合到偏转线圈用于在偏转线圈中产生偏转电流。回扫电容耦合到偏转线圈以在偏转周期的回扫间隔期间形成谐振于偏转线圈的回扫谐振电路。提供其频率与第二偏转频率相关的调制输入信号源。调制放大器响应调制输入信号用于从在调制放大器的输出级生成的电流生成具有与第二偏转频率相关的频率的调制电压从而以提供边缘光栅失真校正的方式调制偏转电流。调制放大器级包括增加输出级的输出阻抗的电流反馈通路和减小输出阻抗的电压反馈通路。
附图说明
图1说明了体现本发明的一个方面的带有枕形失真校正的偏转电路。
具体实施方式
图1说明了体现本发明的一个方面的水平偏转电路10。在电源线圈22a的一端21形成工作电压B+。线圈22a耦合到传统水平输出晶体管27的集电极端43。将晶体管27的基极耦合以从传统水平和驱动级61接收其水平速率为31,468Hz相应周期为H的驱动信号27a。
耦合到端43的还有串联连接的水平偏转线圈30、第一回扫或S电容器31和内部引线校正变压器T2的线圈W1。阻尼振荡抑制网络130由串联地耦合到电容器31的端31c和端130g之间的二极管130a和二极管130b形成。阻尼振荡抑制网络130还包括分别并联地耦合到二极管130a和二极管130b的电阻130c和电阻130d。阻尼振荡抑制网络130还包括耦合到电容器31的端130g和端31a之间的电容器130e。
第二回扫或S电容器31b在线圈W1、电容器130e和电容器31的结点耦合到变压器T2的第二线圈W2和端31a之间。从而，电容器31b串联地耦合到变压器T2的第二线圈W2。S电容器对31和31b以及线圈30有效地串联耦合在一起。
阻尼二极管32与回扫电容器33并联耦合并且位于远离电容器31b的线圈W2的端41和参考或地电势之间。水平阻尼二极管28与水平回扫电容器29并联耦合并且位于端41和晶体管27的集电极端43之间。晶体管27的开关操作以公知的方式在具有回扫部分和谐振回扫部分的线圈30中生成偏转电流iy。
传统东-西集成电感器或扼流圈34耦合在传统滤波电容器35的端41和端34a之间。扼流圈34的阻抗远远高于处于电流iy的谐振回扫频率的偏转线圈30的阻抗，例如高于其5倍。
端34a还形成东-西调制放大器60的输出端。调制放大器60在输出端34a生成垂直速率的抛物线电压V34。电压V34在扼流圈34生成垂直速率的东-西调制电流im。
回扫电容器29、偏转线圈30、回扫电容器33和有效电感与变压器T2的线圈W1和W2一起形成与Nillesen专利中所描述的东-西调制器的相类似桥状结构。电流im以与Nillesen专利中所描述的相似的方式提供边缘或东-西枕形光栅失真校正和内部光栅失真校正。偏转电流iy流经S电容器31和31b。电流iy的幅值随电流im生成的垂直速率调制而变化。结果是在显示屏的顶部和底部提供较小量的S校正而在显示屏的垂直中心提供较多量的S校正，没有示出。电流i31由电流iy在S电容器31中生成。S电容器31内电压V31的调制随电流iy幅值的改变而改变以提供内部引线差错校正。
将与变压器T2相关的线圈W1和线圈W2的线圈匝数之间的匝数比选为2：1，从而确保阻尼二极管32在水平扫描的前半周期在所有负载条件下持续导通。与变压器T2相关的匝比确定了内部引线校正和边缘引线校正的比率。
体现创造性特征的正相调制放大器60包括工作放大器80。放大器80的输出端引线7经保护电阻R25耦合到驱动晶体管62的基极。晶体管62的发射极经电流反馈传感电阻R26耦合到地。形成放大器60的输出级的晶体管62的集电极端34a经电压反馈电阻R24耦合到放大器80的正相输入端引线5。电阻R24经放大器80的正相输入端引线5耦合到电阻R23以形成用于建立放大器60的闭环电压增益的对应于电阻R24和电阻R23的比值的分压器。垂直速率抛物线信号Vin耦合到放大器80的反相输入端引线6。
作为由电压反馈电阻R24提供的电压反馈通路的结果，晶体管62的集电极端34a的输出阻抗低于由电容器35和频率为电压Vin的频率的扼流圈34组成的电抗网络的端34a的输入阻抗。若没有电压反馈电阻R24，端34a的输出阻抗将由晶体管62的高集电极输出阻抗确定。
在实现创造性特征时，电流反馈电阻R29耦合到放大器80的反相输入端引线6和晶体管62的射极之间以提供电流反馈电流iR29，对应于晶体管62的射极电压Ve。晶体管62的射极电压Ve等于晶体管62中射极电流ie和电流检测电阻R26的乘积。
为说明的目的，假设放大器60中没有反馈电阻R29。结果，放大器80的引线6的电压增益A将等于1+R24/R23，这里符号R24和R23代表相应电阻的值。由于负电压反馈，晶体管62的集电极端34a的输出阻抗或电阻，Ro将会太小以致于不能提供任何有效的阻尼振荡衰减。因此，随着输入电压Vin的迅速转变流经扼流圈34和晶体管62射极的电流会包括衰减振荡或阻尼振荡分量，导致在图像顶部的宽度圈，没有示出。
在实现创造性特征时，对放大器60中电流反馈电阻R29的包含有利地增加了端34a的输出阻抗或电阻Ro，例如，5欧姆，如下所示：Ro＝R26*R22/(R22+R29)*(1+R24/R23)。符号R24、R23、R29、R22和R26代表相应电阻的值。电压增益，A＝(R29/(R29+R22))*(1+R24/R23)。因此，处于低频率电压Vin的端34a的输出阻抗有利地增加到足够大的值用于快速衰减阻尼振荡防止图像失真。以这种方式，晶体管62用作有源电阻。
假设将其值等于Ro的分离的无源集电极电阻耦合到电容器35和端34a之间而不通过电阻R29在晶体管62中使用电流反馈，一种未示出的情况。这种无源集电极电阻，未示出，也将在晶体管62的集电极端34a生成输出阻抗或电阻Ro。但是，这种无源集电极电阻将不利地不得不具有相对较大的功率耗散能力。
通过电阻R29在晶体管62中使用电流反馈有利地消除了使用前述未示出的无源集电极电阻的需要。相反，功率耗散在晶体管62中。无论如何晶体管62需要足够的功率耗散能力用于执行其作为调制驱动器晶体管的任务，即使在没有抑制阻尼振荡的要求时。因而，非常有利地，晶体管62的阻尼振荡抑制功能对晶体管62的需求不增加任何负担。
使用晶体管62作为有源电阻而不用无源集电极电阻，未示出，除了热力学优势外，晶体管62用作有源电阻具有很大的动态范围。在上述无源集电极电阻的方法中，端34a的输出电压的最小值不得低于Ic1*(Ro+R26)+Vce_sat。符号Ic1表示扫描垂直中心的集电极电流Ic的值并且符号Vce_sat表示晶体管62的饱和电压。非常有利地，通过经电阻R29在放大器60中使用电流反馈，端34a的输出电压的最小值不需要超过Ic1*R26+Vce_sat。从而，相对于通过实施无源集电极电阻方法所获得的，端子34a的调制电压的动态电压范围增加了Ic*Ro。

Claims (7)

1.一种偏转设备，包括：
偏转线圈(30)；
信号源(61)，为其频率为水平偏转频率的同步输入信号(27a)源；
开关半导体(27、28、32)，响应所述同步输入信号并耦合到所述偏转线圈用于在所述偏转线圈中产生偏转电流(iy)；
回扫电容(29)，耦合到所述偏转线圈以在偏转周期的回扫间隔期间形成谐振于所述偏转线圈的回扫谐振电路；
调制输入信号源(VIN)，其频率为垂直偏转频率；
其特征在于：
调制放大器(80、62)，响应所述调制输入信号用于从在所述调制放大器的输出级(62)生成的电流(Ic)，生成具有垂直偏转频率的调制电压(34a)从而以提供边缘光栅失真校正的方式调制所述偏转电流，所述调制放大器包括增加所述输出级的输出阻抗的电流反馈通路(R29)和减小所述输出阻抗的电压反馈通路(R24)；以及
电抗网络(34、35)耦合到所述调制放大器的输出级(62)并响应所述调制电压(34a)用于生成耦合到所述偏转线圈(30)的其频率与所述垂直偏转频率相关的调制电流(im)。
2.如权利要求1所述的偏转设备，其特征在于所述电抗网络(34、35)包括电感(34)和滤波电容器(35)以形成在所述垂直偏转频率上其值大大地高于所述放大器(80)的所述输出阻抗的输入阻抗。
3.如权利要求2所述的偏转设备，其特征在于所述滤波电容器(35)耦合到所述电感(34)和所述调制放大器(62、80)的晶体管(62)的主电流导通端之间的结点(34a)。
4.如权利要求1所述的偏转设备，其特征在于所述增加了的输出阻抗减小所述电抗网络(34、35)中的阻尼振荡电压。
5.如权利要求1所述的偏转设备，其特征在于所述开关半导体(27、28、32)包括晶体管。
6.如权利要求1所述的偏转设备，其特征在于所述开关半导体(27、28、32)包括晶体管(27)、第一二极管(28)和第二二极管(32)。
7.一种偏转设备，包括：
偏转线圈(30)；
信号源(61)，为其频率为水平偏转频率的同步输入信号(27a)源；
第一开关晶体管(27)，响应所述同步输入信号并耦合到所述偏转线圈用于在所述偏转线圈中产生偏转电流(iy)；
回扫电容(29)，耦合到所述偏转线圈以在偏转周期的回扫间隔期间形成谐振于所述偏转线圈的回扫谐振电路；
调制输入信号源(VIN)，其频率为垂直偏转频率；
调制放大器(80、62)，响应所述调制输入信号并具有输出晶体管(62)用于从在所述输出晶体管的主电流导通端生成的电流(Ic)，生成具有与所述垂直偏转频率相关的频率的调制电压(34a)；
电抗网络(34、35)耦合到所述输出晶体管的所述主电流导通端，用于将所述调制电压施加到所述偏转线圈，从而以提供至少边缘光栅失真校正和内部光栅失真校正之一的方式调制所述偏转电流，所述电抗网络形成在所述偏转电流的回扫频率上高于在所述输出晶体管的所述主电流导通端形成的所述调制放大器的输出阻抗的输入阻抗；
其特征在于：
电流反馈网络(R26、R29)，响应指示所述输出晶体管中的电流(ie)的信号(Ve)并且耦合到所述输出晶体管用于增加所述调制放大器的所述输出阻抗。
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