TW308757B - - Google Patents

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Description

m m 308757 A7 B7 五、發明説明(1 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關於一種半導髏電源開關的驅動電路。雖 然係適合於任何類型的半導體電源開關,本發明在絶緣閘 極雙極性電晶髏的閘極驅動電路方面尤其偽有用的。 像離心冷凍裝置(centrifugal chillers)般的空氣調 節器需要一値馬達來轉動一葉輪.(丨mpeller) 5該馬達可以 為,例如* 一個150至900馬力的3-相感應馬達。該等馬 達傣以交流電流(AC)蓮轉。通常,該馬逹係直接被連接至 一標準的AC電源線,如一致使該馬達以一固定之速度蓮轉 之460伏特的電源線般。 因為該驅動該離心冷凍装置的馬達經常以相同的速度 蓮轉,該馬達可能,有時,蓮轉得比實際上需要提供冷卻 的來得快。這樣子致使該壓縮機的效率被降低。因此*固 定速度的離心冷凍裝置並不經常以最佳的效率蓮轉。藉由 改變在一離心冷凍装置中之壓縮機的速度*該離心冷凍裝 置的效率與固定速度蓮作比較起來傜實際上被提昇的。 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 一感應馬達的速度藉由改變被施加至該馬達之交流電 壓的頻率而能夠被改變。電力公司只提供固定頻率的電壓 ,通常為60赫Η。典型地,要改變感應馬達的速度,由電 力公司所提供的60赫H AC電壓傜被變換成一固定極性(DC) 電壓。固態電源開關裝置然後變換該DC電壓成一 AC電壓並 且施加該AC電壓至該馬達。如果該等開關的切換速率被改 變,該AC電壓的頻率及大小會被改變,且該馬達的速度將 會改變。 半導髏開關提供可信賴的高速度裝置來控制高電流和 -4 - 本紙浪尺度逋用中國國家標準(CNS ) Μ规格(210X297公釐) 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2 ) 高電壓。然而,半導體開關在電流容量和耐電壓能力上傜 有限制的。絶緣閘極雙極性電晶髏Γ IGBT”)為高電壓半導 體開關。因此,IGBTs在需要快速、高電壓切換方面的應 用上傜很有用的。 IGBTs典型地包括一集極、一射極、和一閘極。一 IGBT饗應於被施加至該閘極的電壓來切換在該集極與射極 之間的電流。專門的驅動器電路施加一驅動電壓至該IGBT 的閘極。該等電路典型地變換一低電壓、小訊號輸入脈波 成用以驅動該IGBT之閘極的一高電壓、低阻抗輸出脈波。 要確保快速的切換,該驅動器電路必須精準地傳送該IGBT 之閘極所需要的電流。 如果另一 IGBT傜被選通開啓的話,被用作高電壓、高 電流開關的IGBTs有時崩潰,其會引致跨在電池或者電源 供應器上短路的結果。此外,一偶然的短路會錯誤地被施 加跨在該變速驅動的輸出端上。該等短路會産生一巨大的 電流,其能夠快速地破壞該半導髏電源開關及其他電路元 件如果沒有提供移去電流流動之路徑的裝置的話。 要保護該電源來源及相關的電路組件,傜希望能快速 地偵測到在一 IGBT中的短路狀態並且降低被施加至該IGBT 之閘極的電壓以關閉該IGBT。因此*在短路狀態下,該閘 極電壓可以•例如,藉由電容器透過電阻器的指數放電來 被控制。當該等IGBT電晶體通過其活躍區時,這改變的速 率像非常陡峭的,而且迅速改變的閘極電壓致使該IGBT的 集極電流以一對應的迅速形式改變。由於在該電源電路中 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) ill---1 装------^訂—-----^泉 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 308757 經濟部中央橾準局貞工消费合作社印製 A7 £7_五、發明説明(3 ) 的雜散電感,高的集極至射極瞬變電壓係會産生。 然而,本發明的發明人承認如果被施加至該IGBT之閘 極之電壓之改變的速率偽被降低的話,在該IGBT中之電流 之改變的速率亦被降低,而且跨在該雜散電感上的瞬變電 壓僳明顯被降低俾消除由於在短路狀態期間之過電壓所引 起之裝置破壞的可能性。 據此•本發明係指向於一驅動器電路,其實質上避免 由於相關習知技藝之限制和缺點所引起的一値或者更多値 問題。 本發明的優點和目的有一部份會在下列之描述中陳述 ,而有一部份傜會由於該描述而顯而易知的,或者會經由 實施本發明而獲悉。本發明之優點和目的藉由持別在所附 申請專利範圍中所指出的元件和組合而能夠被實現和得到 Ο 要得到該等優點及根據本發明之目的,如於此中所實 施和廣泛描述般,本發明包含一開關驅動器電路。該開關 具有一控制端和一可切換電流路徑。該驅動器電路供應一 電壓至該控制端。該驅動器電路具有被連接至該電流路徑 之用以偵測一短路狀態的装置,及饗應於該用以偵測短路 狀態之裝置之甩以當短路被偵测時,線性地降低(ramping 一 〜............ down)在該控制端的電壓。 . 要了解的是,先前大致的描述和隨後詳細的描述只是 範例及舉例説明而已*並非本發明的限制。 該等附圖,其係併合於此並且構成這說明書的一部份 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .装. 訂 ,艮 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS > A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局属工消费合作社印裝 五、發明説明(4 ) ,描繪本發明的一實施例並且與該描述一起作用來說明本 發明的原理。在該等圖式中, 第1圖顯示本發明之一實施例之驅動器電路和IGBT的 方塊圖; 第2圖顯示被顯示在第1圖中之驅動器電路在正常蓮 作狀態下之隨時間變化之電壓輸出的圃示; 第3圖顯示被顯示在第1圖中之驅動器電路在短路運 作狀態下之隨時間變化之電壓輸出的圖示; 第4圖顯示可以被使用於被顯示在第1圖中之驅動器 電路中之短路過電流偵測器和低電壓至高電壓界面之實施 例的示意電路圖; 第5圖顯示可以被使用於被顯示在第1圖中之驅動器 電路中之閛極電阻器、一四重逹林頓輸出级、及一線性積 分器之實施例的示意電路圖; 第6圖顯示一單觸發電路之實施例的示意電路圖,其 僳可以被使用於被顯示在第1圖中之IGBT閘極驅動器電路 :及 第7圖顯示一驅動器電路、六個IGBT、及一馬逹的示 意圖7Γ:。 一绝緣閘極雙極性電晶體(” IGBT”)驅動器電路對應於 射極供應一高電壓脈波至一 IGBT的閘極。該驅動器電路亦 對應於射極監視該IGBT的集極。如果在該IGBT之集極處的 電壓在該IGBT像被選通開啓之後一約定時間内不下降至一 約定水平的話,該IGBT驅動器電路Η定短路.1已發生並且 ---^---^---叫装------訂-------(泉 *-· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本页) 本紙張尺度逋用中國國家梂率(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) 五、 發明説明(5 A7 B7 經濟部中央橾準局I工消费合作社印製 觸發在該驅動器電路内的線性積分器。該線性積分器逐漸 .... .一........— 線性地下降在該IGBT之閘極上的電壓。該閘極電壓的線性 地下降防止在該IGBT内之巨大的集極至射極電流改變。在 該雜散電源電路電感内之巨大的電流改變會産生可能會破 鳆該IGBT之巨大的電壓尖峰訊號。 現在請詳細參閲本發明的較佳實施例,其之一例子像 被描繪在該等附圖中。在可能的地方,在該等画式中之相 同的標號會被使用來樣示相同或者類似的部件。 本發明之驅動器電路的模範實施例偽被顯示在第1圖 中而且偽以標號12標示。該驅動器電路12驅動一 IGBT 10 。該IGBT包括一射極E 、一集極C 、和一閘極G 。 一低電壓或高電壓界面14在輸入節點或者端子I處接 收一輸入脈波並且變換該低電壓輸入脈波成高電壓。該低 電壓至高電壓界面14的高電壓輸出傜經由一四重達林頓 (quad Darlington)輸出级16被供應至閘極和射極電阻器 18。其中一個閘極電阻器18將該四重達林頓輸出级16連接 至該IGBT 10的閘極G 。 該四重逹林頓輸出级16把從該低電壓至高電壓界面14 接收的電流和電壓水平升高。該四重達林頓輸出级16的輸 入僳以毫安培測量,而輸出係以安培測量。因此,該四重 逹林頓輸出级經由該等閘極電阻器18傳送一高電流輸出脈 波至該IGBT的閘極G 。 雖然只有一値IGBT 10傺被顯示在第1圖中,該驅動 器電路12可以驅動多個IGBT 10而且最好傜驅動四個IGBT -8 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •柒. ,-° Γ
I 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) 308757五、發明説明(6 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 10。該四値IGBT 10可以被並聯連接來增加切換效能。因 此,閘極電阻器18最好偽包括四値10歐姆的電阻器和四個 1歐姆的電阻器。 一短路過電流偵測器24監視在該IGBT 10之集極C處 的電壓以判定是否己發生短路。如果該IGBT 10在正常蓮 作期間傜被打開和關閉的話,該集極電壓當該開關被打開 時會下降。該短路過電流偵測器24亦傜被連接至該低電壓 至高電壓界面14因此該短路過電流偵測器24當該IGBT 10 被命令要被打開和闊閉時感知。 如果該集極電壓當該IGBT 10被打開時在一约定時間 内不下降至低於一約定臨界值或者如果該集極電壓在該 IGBT 10被命令要被打開之後上升高於一約定臨界值的話 ,該短路過電流偵測器24判定一短路。當一短路係被偵測 到時,該短路過電流偵測器24發送一輸出訊號至一單觸發 電路(one-shot) 22。該單觸發電路22然後産生一値釋放一 定位電路(clamp)在線性積分器20上的脈波。 該線性積分器20偽經由一二極體26連接至該四重達林 頓輸出级16的輸入。當一短路係被偵測到時,該線性積分 器20從該單觸發電路22接收一脈波。在該脈波的接收之時 ,該線性積分器20會開始一線性下降。該四重達林頓輸出 级的輸入會隨著該線性積分器的輸出電壓經由二極體26以 一癎高於該線性積分器20之電壓水平的二極體壓降(0.6 伏待)線性下降。 第2和3圖顯示在端子G與E之間的輸出電壓脈波如 ----_---^---Μ ^------訂------. . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) Α4规格(210 X297公釐) 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 B7___ 五、發明説明(7 ) 一時間函數。第2画顯示該IGBT驅動器電路12之正常蓮作 的時序圖。該正常的輸出波形27為一個15伏待之實質上矩 形的脈波。 第3圖顯示當驅動器電路12選通開啓一 IGBT成短路時 在端子G與E之間的輸出電壓脈波如一時間函數。該閘極 電壓23藉由該線性積分器20的線性下降在第3圖中係可見 的。 就該驅動器電路12而言·跨在該裝置之輸出端子上的 短路傜快速地被偵測到,而且至該IGBT閘極的输入電壓係 被線性下降,並非突然的切掉。G至E電壓之改變的速率 在整値IGBT的線性區傜不變的,引致瞬變集極至射極電壓 在關閉時之降低的結果。因此,由於在該雜敢電路電感内 之迅速之電流改變所引起的電壓尖峰訊號偽被防止。 與在第3圖中所示之線性下降一樣的另一種方式,該 驅動器電路在短路偵測之時可以併合一傾由該閘極電壓之 線性下降所跟隨的初始階梯式改變降低。該階梯式改變降 低快速地降低由該IGBT在短路狀態下所導通之電%流的初始 值。然而,該電壓階梯式大小傜低到足夠來避免在線性下 降之前一巨大之電壓尖峰訊號的産生。 第4 _、5和6圖顯示在第1圖中所顯示之驅動器電路 12之一實施例的詳細示意圖。在第4、5和6圖中的電阻 器係由偶數30-100所標示。在本發明的一實施例中,該等 電阻器可以具有如在下列表1中所顯示的電阻值。 -10 - 本紙张尺度適用中國國家標隼(CNS )八4規格(210Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T 五、發明説明(8 ) 經濟部中央揉準局員工消費合作社印裝 撞號 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 52 54 56 58 60 62 64 66 68 70 72
A7 B7 表1 電阻值 歐姆 360 2. 4K 2.4K 220 91 6.8K 3K 10 1.21K 1K 1 . 91K 10 5. 1K 10 1.33K 101 51 3K 4.3K 3K 1K 10K 功蜜(瓦) 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.50 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 --------「裝------訂------京 ·-'. -(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明(9 74 76 78 80 82 84 86 88 90 92 94 96 98 100 A7 B7
1.0 10 1.0 10 1 . 0 10 1.0 10 510K 100 5.1 200 100K 100K 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 在第4、5和6圖中的電容器係由偶數102-134所標 示。在一實施例中,該等電容器可以具有如在下列表2中 所顯示的電容值。 1 裝 訂 ^ / ·- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 表2 標號 雷客倌 mjR 102 0.1 50V 104 22 35 106 0.1 50 108 0.1 50 110 2200pF 50 -12 本紙張尺度適用中國國家標车(CNS ) A4规格(210X 297公釐) 308757 五、發明説明(10 ) 112 1800pF 50 114 2200pF 50 116 22 35 118 22 35 120 0.1 50 122 1500pF 50 124 0.1 50 126 470 35 128 1000 25 130 0.1 50 132 1500pF 50 134 0.22 50 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 該接地電壓SGND和PGND為最後在該閘極驅動器電源供 應器處被連接在一起之分開的接地基準(訊號接地和電源 接地)。 如在第4圖中所顯示般,該低電壓至高電壓界面14包 括被連接在一起之對應於在第1.圖中所顯示之端子I的輸 入端子136和138 、一光耩合器140 、一電壓比較器142 、和一驅動訊號電晶體144 。一種商業上可得到的電饜比 較器可以被使用作為電壓比較器142 ,如,例如,來自
National Semiconductor Corp.的型號 LM393 般。輸入端 子136和138接收一個經由電阻器30和32來被供應並且跨 在該光耦合器140上的輸入電壓。該打開/關閉脈波然後 偽經由該電壓比較器142被供應至該驅動訊號電晶龌144 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4规格(210X297公釐) Λ Λ 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印製 Α7 Β7__ 五、發明説明(11) 〇 該光攝合器140供慝兩《用途。該光攝合器140提洪 在端子2/3和8/7/6/5之間的電壓隔離並且耩合一打開/ 鼸閉選通訊號至比較器142 。 當電晶镫144被闘閉時,該驅動訊號電晶體144的輸 出反向偏壓二極體146而端子148偽經由電阻器64被拉至 + 20伏待,使得該線性稹分器20不被作動。在第4圖中所 顯示的端子14δ與在第5圔中所顯示的端子148連接。該 驅動訊號電晶體i44的輸出出現於在第5圖中所顯示之場 效電晶醴152的閛極上在端子14δ上的正電壓脈波打開 電晶體152 ,容許一電流流過一發光=極體153和電阻器 66。在該西重達林頓輸出级i6内的ρπρ電晶體當電晶護 i52打開時被作動,致使該G至Ε端子電壓轉變至一 -5伏 待水平。 如在第5圖中所示般,該西重達林頓輸出级16包括四 傾由偶數154至160所標示的雙極性達林頓電晶護。該達 林頓npn電晶護154産生一推挽隨動機構(push-puii foiiower)给達林頓pnp雙極性電晶體156 。在一類似的 形K申,逹林頓式連接的npn雙極性電晶藤158産生一推 挽隨動機構給達林頓pnp雙極性電晶體160 。該四重逹林 頓输出级16升高被施加至蘭極電阻器18的電流。在其他賁 施例中,該四重達林頓輸出级16能夠以一單一 npn/pnp射 極隨動機構對、一單一 npn逹林領/ pnp逹林頓對、或者 —些其他電路替代,視所希望的電流驅動能力而定。 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .装. 、τ Τ A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(12) 閘極電阻器76,80,84和88連接該四重逹林頓輸出级16 至四値平行之IGBT的閘極。被顯示在第5圖中的電阻器74 ,78,82和86連接至該四値平行之IGBT的射極。 如在第4圖中所顯示般,該短路過電流偵測器24包括 場效電晶體175和176及一電壓比較器172 。一商業上可 得到的電壓比較器可以被使用作為電壓比較器172 ,如, 例如,來自 National Semiconductor Corp.的型號 LM393 般。電晶體175的汲極傜被連接至電壓比較器172的非反 相端子,而電晶髏176的汲極傜被連接至電壓比較器172 的反相端子。該電壓比較器172的輸出偽被連接至端子 174 。電阻器48連接一値20伏持的電位至電晶體175的源 極,而電阻器46連接一個20伏待的電位至電晶體176的源 極。電晶體175和176的閘極偽被連接至該驅動訊號電晶 體 144 。 該短路過電流偵測器24係被連接至IGBT 10的集極C 。該短路過電流偵測器監視該IGBT 10之集極C的電壓以 判定是否已發生短路。當端子C的電壓下降時,二極體 170會將該蓮算放大器172的非反相端子與其一起拉向下 ,而且在該非反相端子處的電壓會下降低於在電壓比較器 放大器172之反相端子處的電壓。如果在該非反相端子處 的電壓不下降,該電壓比較器172改變狀態並且發送一輸 出至端子174 。 電晶體175和176作用如該短路過電流偵測器24的打 開和關閉開關。驅動紈號電晶艟144的輸出當該IGBT傜被 -15 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装. 訂 •Λ 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印製 A7 B7 五、發明説明(l3 ) 選通關閉時打開電晶體175和176 ,禁能電壓比較器172 的短路感知功能。電容器11 〇,112,和114判定在選通開啓 該IGBT與致能該過電流偵測器之間的時間延遲。電阻器40 和50形成一分壓器,其決定該集極端子必須下降低於的臨 界水平以避免該過電流偵測器的關閉。 在第4圖中所顯示的端子174傜被連接至在第6圖中 所顯示的端子174 。 如在第6圖中所顯示般,該單觸發電路22在端子174 處接收電壓比較器172的輸出。端子174傜被連接至場效 電晶體178的汲極,而場效電晶體178的汲極傜被連接至 一電壓比較器180的反相端子。一商業上可得到的電壓比 較器可以被使用作為電壓比較器180 ,如,例如,來自 National Semiconductor* Corp.的型號 LM311 般。如果短 路傜被偵測到的話,該單觸發電路22輸出一脈波在端子 182上。在第6圖中所顯示的端子182偽被連接至在第5 圖中所顯示之線性積分器20的端子1 82 。 在笫6圖中所顯示的單觸發電路22亦偽被連接至一低 電壓感應器184和一高電壓至低電壓界面186 。該高電壓 至低電壓界面186接收該單觸發電路的輸出並且警覺該短 路狀態之電路的輸入。該低電壓感應器184監視該IGBT驅 動器電路的電源供應器。 如在第5圖中所顯示般 > 該線性積分器20包括一蓮算 放大器188和一回讀電路。一商業上可得到的蓮算放大器 可以被使用作為蓮算放大器188 ,如,例如,來自Texas -16 - ^紙張尺度適用中國國家標率(〇奶>八4规格(210:<297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -装- 訂 A7 B7 308757 五、發明説明(14)
Instruments Corp.的型號TL081般。該回饋電路包括並 聯連接的電阻器62、電容器122 、和一齊納二極體192 。 該線性積分器20的輸入端子132係被連接至在該回饋電路 中之場效電晶體190的閘極。 場效電晶體190傜被正常地打開•致使電阻器62與電 容器122平行*但響應於短路而來自單觸發電路22之在端 子182上的一脈波會關閉該場效電晶體190 。當場效電晶 體190關閉時,蓮算放大器188的輸出會開始一個以由電 阻器58和電容器122所設定之速率的線性下降。該四重達 林頓輸出级16在電阻器70處的輸入會經由二極髏26以一値 高於該蓮算放大器188之輸出電壓的二極體壓降(0.6伏 持)線性下降。 因此,該IGBT的閘極電壓傜由該線性積分器20的線性 下降控制。該閘極電壓之放電的速率在整個IGBT的線性區 傜不變的,而且由於雜散電感和電流之改變之高速率所引 起之跨在該IGBT上的瞬變電壓傜被避免。 該閘極電壓之放電之改變的線性速率藉由調節在該線 性積分器20中所使用之恃定的電容和電阻而偽可調整的。 在設定改變之線性速率中所考廉的因數包括:該IGBT的待 性、在其内具有該IGBT之電源電路的寄生電感和電容、及 在短路狀態下被認為可接受之電壓尖頭訊號的水平。 在本發明的較佳實施例中,改變的速率為每徹秒2伏 待。在該線性積分器20中的該電阻器58和該電容器122決 定該線性下降速率。距在電阻器58上的電壓當該電晶髏 -17 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > 格(210X 297公釐) I I I I I I 「裝 訂 ^ V. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 經濟部中央橾隼局属工消費合作社印製 1 A7 B7 五、發明説明(15) 190關閉時決定通過電阻器58,然後流過該電容器122的 電流。改變的速率係如下列般計算: ί = C(dv/dt)提供: dv/dt = i/C,其中: i =電流 C =電容 dv/dt =在如一時間函數般之電壓中的改變。 在這實施例中: i = - (24V - 20V)/1.33K : 3 毫安培及 dv/dt = -3ma/1500pF = -2V/Msec. 該驅動器電路可以驅動四個額定為1200伏待和200安 培的IGBT。如果該電源電路組件的寄生電感係少於50ηΗ的 話,當該等IGBT偽直接被置放跨在一 1200\/的電壓來源時 ,該等IGBT傜被評估經得起一痼10徹秒的〃打開(0Ν) 〃時 間。電流的水平,毎値IGBT能夠以一値+15伏持的閘極電 壓導通,係被指定為典型地10倍的額定值。這些值顯示每 値200安培之IGBT的耐能量為·· (1200V)(200A)(10)(l〇Msec) = 24 焦耳。 因此,該驅動器電路12應該偵測一短路狀態並且在一 足夠短的時間中將該閘極電壓帶至低於該IGBT的導通臨界 水平來限制該能量小於24焦耳。該導通間隔的持缠時間最 好偽少於10徹秒。這時亂能夠被延長如果該能量傜被降至 低於24焦耳的話。在短路能量與線性下降時間期間之間的 這種平衡為在短路狀態期間該電源装置之峰值接點溫度 -18 _ 本紙张尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I. 「裝 訂 ^ /. {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 A '發明説明(16) (peak junction temperature)的函數。 本驅動器電路的較佳實施例典型地利用3.8徹秒來偵 測短路狀態。假設一艟4.6徹秒的最大偵測時間和一艏10 微秒的容許時間,該線性下降時間最好偽5.4擻秒。一般 裝置打開的正閘極驅動水平典型地為+15伏持而且在該 IGBT閘極上之典型的導通臨界值為10伏待。這樣子産生一 個在短路狀態期間之可容許的線性下降速率為: (15V - 10V)/5.4Msec = -0.926V/Msec. 因此,-2V/Msec的實際線性下降速率傜[:b-0.926V/Msec 的可接受速率快。 驅動器電路的應用包括如在離心冷凍裝置中之馬達般 之感應馬達的反相器。如以上所述般,該驅動器電路12最 好傜驅動四個IGBT。該四値IGBT可以並聯連接來處理與一 單一 IGBT—樣多之電壓和電源的四倍。驅動器電路最好亦 傜被排列成上閘極驅動器電路和下閘極驅動器電路對。因 此,每對驅動器電路驅動總共八個IGBT,而且毎八個IGBT 係被連接至一 AC馬逹的一極。要以這構形驅動一3-相AC馬 達需要二十四痼IGBT。 請參閲第7画所示•數個絶緣閘極雙極性電晶體10可 以驅動一交流感應馬達194 。每値IGBT 10可以實際上包 含若干數目之並聯連接的IGBT,例如,四値。該等IGBT 10係成對地連接在輸入DC電壓線之間。一閛極驅動器電路 12能夠以不同的速度切換該等IGBT來蓮轉該馬達194在不 同的速度。該可變速感應馬達194可以驅動在一離心冷凍 -19 - 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) ^裝 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(17 ) 裝置單元中的葉輪。 一交流驅動來源198供應一AC電壓至一二極髏整流器 或者矽控整流器(SCR) 200 。該整流器200變換該输入AC 電壓成一DC電壓。該DC電壓偽經由一對感應器202和電容 器204輸出。該等電容器和感應器過濾該整流AC電壓成一 平滑的DC水平。 該等驅動器電路12變換由反相器邏輯線路198所産生 的低水平訊號成一痼能夠選通該等IGBT電源開關10開啓和 關閉的水平。藉由以適當的形式選通該等IGBT電源開關10 開啓和關閉,由該整流器200 、感應器202 、和濾波電容 器204供應的DC電壓傜被變換回來成一値在頻率和大小皆 可變化的AC電壓。這可變化的輸出電壓/頻率來源隨後驅 動該馬逹194在一痼適於轉動該壓縮機在一約定速定的頻 率和電壓。 對於熟知此項技術之人仕來説,很顯然的是在沒有離 開本發明之範圍和精神下,對於本發明之驅動器電路和這 驅動器電路之構造的各種變化和修改能夠達成。 例如,根據本發明的一待徵,一習知的驅動器電路, 如·例如,Fuji的EXB841能夠被變化來提供線性短路下降 替代一指數R-C放電。此外,雖然本發明係根據一 IGBT驅 動器電路來作描述,在偵測到短路時有線性下降的一驅動 器電路能夠被使用於其他的電壓控制電源開關*如MOSFET's 或者MCT’s般。很多開關具有一可切換的霣流路徑在第一 和第二端子與一控制端子之間。一電晶體的控制端子,例 -20 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------叫裝------訂------(泉 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 308757 at B7 五、發明説明(18) 如,可以為一閘極或者一基極。 本發明之其他實施例對於熟知此項技術之仕來說,從 本發明於此所掲露之說明書和實施的考量下將會傜顯而易 知的。該說明書和例子偽傾向於只視為範例而已,本發明 之真正的範圍和精神係由以下申請專利範圍所顯示。 元件標號對照表 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 10 IGBT 12 驅動器電路 Ε 射極 C 集極 G 閘極 14 低電壓至高電壓界面 I 端子 16 四重達林頓輸出级 18 閘極和射極電阻器 24 短路過電流偵_器 22 單觸發電路 20 線性積分器 26 二極體 27 正常的輸出波形 28 閘極電壓 30 電阻器 32 電阻器 34 電阻器 36 電阻器 38 電阻器 40 電阻器 42 電阻器 44 電阻器 46 電阻器 48 電阻器 50 電阻器 52 電阻器 54 電阻器 56 電阻器 58 電阻器 60 電阻器 62 電阻器 64 電阻器 66 電阻器 68 電阻器 70 電阻器 -21 ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
T 装 <βτ 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS)Α4規格(210x297公釐) A7 B7 ---^^---一;衣------^訂丨^-----^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 五、發明説明(U ) 72 電阻器 76 電阻器 80 電阻器 84 電阻器 88 電阻器 92 電阻器 96 電阻器 100電阻器 104電容器 108電容器 112電容器 116電容器 120電容器 124電容器 128電容器 132電容器 136輸入端子 140光耦合器 144驅動訊號電晶體 3 端子 7 端子 5 端子 148端子 153發光二極髏 74 電阻器 78 電阻器 82 電阻器 86 電阻器 90 電阻器 94 電阻器 98 電阻器 102電容器 106電容器 110電容器 114電容器 118電容器 122電容器 126電容器 130電容器 134電容器 138輸入端子 142電壓比較器 2 端子 8 端子 6 端子 146二極體 152場效電晶髏 154雙極性逹林頓電晶體 22 - 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) A7 B7 五、發明説明(20 ) 156雙極性達林頓電晶體 160雙極性達林頓電晶體 175場效電晶體 174端子 178場效電晶體 182端子 186高電壓至低電壓界面 190場效電晶體 194交流感應馬達 200整流器 204電容器 158雙極性逹林頓電晶體 172電壓比較器 176場效電晶體 C 端子 180電壓比較器 184低電壓感應器 188運算放大器 192齊納二極髏 198交流驅動來源 202感應器 I--------「裝------訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 -23 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局員工消費合作杜印装 A8 B8 C8 D8 _ _ 六、申請專利範圍 1. 一種開關驅動器電路,該開關具有一控制端子和一可 切換的電流路徑,該驅動器電路供應一電壓至該控制 端子,該驅動器電路包含: 被連接至該控制端子、用以供應一電壓的装置; 被連接至該電流路徑、用以偵測一短路狀態的装 置;及 饗應於一偵測到的短路狀態、用以線性地下降在 該控制端子上之電壓的裝置。 2. 如申請專利範圍第i項所述之驅動器電路,其中該用 以線性下降的装置包含一線性積分器。 3. 如申請專利範圍第2項所述之驅動器電路*其中該用 以偵測短路的裝置包含一電壓比較器。 4. 如申請專利範圍第丨項所述之驅動器電路,其中該開 鼸包含一絶線閘極雙極性電晶體而且該控制端子包含 該絶緣閘極雙極性電晶體的閘極。 5. 如申請專利範圍第3項所述之驅動器電路,其中該開 蘭包含一絶緣閘極雙極性電晶髏而且該控制端子包含 該绝緣閘極雙極性電晶體的閘極。 6. 如申請專利範圍第5項所述之驅動器電路,其中該供 應〜電壓的裝置包含: 一低電壓至高電壓變換器,該變換器係被連接至 π输入節點; 一四重逹林頓输出级,該輸出级係被連接至該低 電壓至高電壓變換器;及 -24 - ^__ -----;------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張^^4财家標準 (CNS ) ( 210X297公釐) 經濟部中央揉準局負工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 至少一個被連接在該四重達林頓輸出级與該控制 端子之間的電阻器。 7. —種绝緣閘極雙極性電晶體驅動器電路,該絶緣閘極 雙極性電晶體具有一閘極、一集極、和一射極,該驅 動器電路供應一電壓至該閘極,該驅動器電路包含: 被連接至該蘭極、用以供應一電壓的装置; 被連接至該集極、用以偵測一短路狀態的装置; 及 響應於該用以偵測一短路狀態之裝置、用以當一 短路係被偵測到時線性下降在該閘極上之電壓的裝置 0 8. 如申請專利範圍第7項所述之驅動器電路,其中該用 以線性下降的裝置包含一線性積分器。 9. 如申請專利範圍第8項所述之驅動器電路,其中該用 以偵测短路的装置包含一電壓比較器。 10.如申請專利範圍第9項所述之驅動器電路,其中該供 應一電壓的裝置包含: 一低電壓至高電壓變換器·該變換器傜被連接至 —輸入節點; 一四重逹林頓輸出级,該輸出级俗被連接至該低 電壓至高電壓變換器·,及 一閘極電阻器,該閘極電阻器被連接在該四重逹 林頓輸出级與該閘極之間。 Π. 一種供馬逹用之可變速驅動電路,包含: -25 - 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) -----^----4 装------訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 DO 308757 gl 六、申請專利範圍 數個絶緣閘極雙極性電晶體•每個電晶體具有一 閘極、一集極、和一射極,該集極和射極中的一個像 被連接至該馬達的定子線圈;及 一绝緣閘極雙極性電晶體驅動器電路,該驅動器 電路供應一電颸至該等閘極,而且該驅動器電路包含 被連接至該閛極、用以供應一電壓的裝置; 被連接至該集極、用以偵測一短路狀態的裝 置;及 響應於該用以偵測一短路狀態之裝置、用以 當一短路係被偵測到時線性下降在該閘極上之電 壓的裝置。 12. 如申請專利範圍第丨i項所述之驅動電路,其中該用 以偵测短路的裝置包含一電壓比較器。 13. 如申請專利範圍第i 2項所述之驅動電路,其中該用 以線性下降的裝置包含一線性積分器。 14. 如申請專利範圍第1 3項所述之驅動電路,其中該供 應一電壓的裝置包含: 經濟部中央榇準局貝工消費合作社印製 ^^^1 n^— m i ml ml n^i 1^1 -IJ , ,J^i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一低電壓至高電壓變換器·該變換器係被連接至 一輸入節點; 一四重逹林頓輸出级,該輸出级傜被連接至該低 電壓至高電壓變換器;及 一閘極電阻器,該閘極電阻器被連接在該四重達 林頓輸出级與該閘極之間。 -26 - 本紙張尺度適用中國國家橾丰(CNS ) Μ規格(210X297公釐) 308757 D8 六、申請專利範圍 15.—種用以驅動一絶緣閛極雙極性電晶體的方法,該絶 緣閘極雙極性電晶髏具有一閛極、一集極、和一射極 ,該方法包含如下之步驟: 供應一電壓至該閘極; 偵測在該集極處的該電壓; 偵測一短路狀態如果在該集極處的電壓不下降的 話;及 當短路係被偵測到時,線性下降在該閘極上的電 -------1"*衣—----|訂 t I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局負工消費合作社印装 7 2 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19710319B4 (de) * 1997-03-13 2004-03-25 Danfoss Drives A/S Schaltung zum Sperren einer Halbleiterschaltvorrichtung bei Überstrom
US6060792A (en) * 1997-05-20 2000-05-09 International Rectifier Corp. Instantaneous junction temperature detection
DE19802188C2 (de) * 1998-01-16 2003-09-25 Siemens Ag Spannungswandler für Meßfunktionen in Niederspannungs-Leistungsschaltern
US6275093B1 (en) * 1998-02-25 2001-08-14 Intersil Corporation IGBT gate drive circuit with short circuit protection
US6414822B1 (en) 1998-06-11 2002-07-02 Seagate Technology Llc Magnetic microactuator
JP3444263B2 (ja) * 2000-03-30 2003-09-08 株式会社日立製作所 制御回路内蔵絶縁ゲート半導体装置
JP4504536B2 (ja) 2000-08-29 2010-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 出力制御装置及び出力制御方法
EP1257056A1 (de) * 2001-05-11 2002-11-13 ABB Schweiz AG Verfahren zur Abschaltung eines Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
FR2851056B1 (fr) * 2003-02-10 2005-04-08 Alstom Procede et systeme de commande d'un composant electronique de puissance, et support d'enregistrement d'informations comportant des instructions pour l'execution du procede
US6943069B2 (en) * 2003-10-14 2005-09-13 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Power system inhibit method and device and structure therefor
JP4220916B2 (ja) * 2004-02-24 2009-02-04 株式会社デンソー 半導体スイッチ
WO2006007759A1 (fr) * 2004-07-19 2006-01-26 Yuxi Jincan Science And Technology Co., Ltd. Dispositif de perforation pour substrat presentant une grande largeur et une faible epaisseur
KR100586558B1 (ko) * 2005-04-07 2006-06-08 주식회사 하이닉스반도체 컬럼 경로회로
WO2007047352A2 (en) * 2005-10-18 2007-04-26 Daren Luedtke Variable speed transmission
US7545126B2 (en) * 2006-06-12 2009-06-09 Anpec Electronics Corporation Controller for sensing a heavy load and a short circuit of low dropout regulators
FI120812B (fi) * 2007-04-30 2010-03-15 Vacon Oyj Tehopuolijohdekytkimen ohjaus
US20080272596A1 (en) * 2007-05-02 2008-11-06 House Edward T Wind turbine variable speed transmission
KR100859717B1 (ko) * 2007-05-07 2008-09-23 한국전자통신연구원 3 단자 mit 스위치, 그 스위치를 이용한 스위칭 시스템,및 그 스위치의 mit 제어방법
DE102010013322B4 (de) * 2010-03-30 2011-11-17 Austriamicrosystems Ag Detektionsschaltung und Verfahren zum Betreiben einer Detektionsschaltung
JP5678498B2 (ja) * 2010-07-15 2015-03-04 富士電機株式会社 電力用半導体素子のゲート駆動回路
FR3002646B1 (fr) * 2013-02-22 2015-04-17 Technofan Capteur electronique de temperature pour mesurer la temperature de jonction d'un interrupteur electronique de puissance en fonctionnement et procede de mesure de la temperature de la jonction par ce capteur electronique
DE102013216672A1 (de) * 2013-08-22 2015-02-26 Siemens Aktiengesellschaft Elektronischer Schalter mit einem IGBT
JP6190280B2 (ja) * 2014-01-22 2017-08-30 株式会社日立製作所 半導体駆動装置ならびにこれを用いた電力変換装置
US9322852B2 (en) 2014-07-15 2016-04-26 Ford Global Technologies, Llc Gate drive under-voltage detection
JP6498473B2 (ja) * 2015-02-24 2019-04-10 ローム株式会社 スイッチ駆動回路
CN106899284A (zh) * 2015-12-20 2017-06-27 西安图安电机驱动系统有限公司 一种直接测量mosfet导通后的漏源电压进行短路保护的电路
CN105977905B (zh) * 2016-07-04 2019-01-08 西安电子科技大学 基于SiC MOSFET的过流及过欠压驱动保护系统
KR101794997B1 (ko) * 2016-07-26 2017-11-08 현대오트론 주식회사 절연 게이트 드라이버 및 그를 포함하는 전력 소자 구동 시스템
CN108062046B (zh) * 2016-11-07 2021-03-19 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 家电设备的开关电路的驱动方法、驱动装置及主控电路
CN109342911B (zh) * 2018-09-18 2020-07-10 华中科技大学 一种基于积分器的igbt短路检测装置及方法
CN112018724B (zh) * 2019-05-29 2022-09-16 江阴圣邦微电子制造有限公司 一种过压保护电路
CN110687959A (zh) * 2019-08-15 2020-01-14 鹤壁天海电子信息系统有限公司 功率控制装置及其控制电路、积分比较器以及方法
CN114740580A (zh) * 2020-12-23 2022-07-12 浙江宇视科技有限公司 驱动芯片控制方法、装置、电子设备及介质

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US34107A (en) * 1862-01-07 Improved washsng-machine
DE3689445T2 (de) * 1985-02-08 1994-07-14 Toshiba Kawasaki Kk Schutzschaltung für einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate.
JPH01133414A (ja) * 1987-11-18 1989-05-25 Mitsubishi Electric Corp カスコードBiMOS駆動回路
DE68925163T2 (de) * 1988-08-12 1996-08-08 Hitachi Ltd Treiberschaltung für Transistor mit isoliertem Gate; und deren Verwendung in einem Schalterkreis, einer Stromschalteinrichtung, und einem Induktionsmotorsystem
US4949213A (en) * 1988-11-16 1990-08-14 Fuji Electric Co., Ltd. Drive circuit for use with voltage-drive semiconductor device
JPH02262822A (ja) * 1989-03-08 1990-10-25 Hitachi Ltd 静電誘導形自己消孤素子の過電流保護回路
JPH02266712A (ja) * 1989-04-07 1990-10-31 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
US4954917A (en) * 1989-04-12 1990-09-04 General Electric Company Power transistor drive circuit with improved short circuit protection
USRE34107E (en) 1989-04-12 1992-10-20 General Electric Company Power transistor drive circuit with improved short circuit protection
US5055721A (en) * 1989-04-13 1991-10-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Drive circuit for igbt device
JP2910859B2 (ja) * 1989-09-29 1999-06-23 株式会社東芝 半導体素子の駆動回路
FR2663175A1 (fr) * 1990-06-12 1991-12-13 Merlin Gerin Commutateur statique.
JPH0479758A (ja) * 1990-07-19 1992-03-13 Fuji Electric Co Ltd 電流センスigbtの駆動回路
JP2669117B2 (ja) * 1990-07-19 1997-10-27 富士電機株式会社 電圧駆動形半導体素子の駆動回路
JP2634306B2 (ja) * 1990-08-08 1997-07-23 三菱電機株式会社 インバータ装置の駆動回路
JP3180831B2 (ja) * 1991-03-22 2001-06-25 富士電機株式会社 絶縁ゲート制御半導体装置
US5173848A (en) * 1991-09-06 1992-12-22 Roof Richard W Motor controller with bi-modal turnoff circuits
JP2956319B2 (ja) * 1991-11-07 1999-10-04 富士電機株式会社 電圧駆動形スイッチング素子の逆バイアス制御回路
FI90605C (fi) * 1991-12-09 1994-02-25 Abb Stroemberg Drives Oy Puolijohdekytkimen ohjauspiiri
US5296765A (en) * 1992-03-20 1994-03-22 Siliconix Incorporated Driver circuit for sinking current to two supply voltages
JP3414859B2 (ja) * 1993-09-09 2003-06-09 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 半導体デバイスの過電流時のターンオフ回路装置
US5402042A (en) * 1993-11-09 1995-03-28 Delco Electronics Corporation Method and apparatus for vacuum fluorescent display power supply

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Publication number Publication date
JPH08335862A (ja) 1996-12-17
CA2172890A1 (en) 1996-12-07
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KR970004349A (ko) 1997-01-29
EP0748045A3 (en) 1998-09-02

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