JPS6395726A - Ｉｇｂｔの駆動回路 - Google Patents
Ｉｇｂｔの駆動回路Info
- Publication number
- JPS6395726A JPS6395726A JP61241406A JP24140686A JPS6395726A JP S6395726 A JPS6395726 A JP S6395726A JP 61241406 A JP61241406 A JP 61241406A JP 24140686 A JP24140686 A JP 24140686A JP S6395726 A JPS6395726 A JP S6395726A
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- JP
- Japan
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- voltage
- diode
- igbt
- zener diode
- overcurrent
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- Pending
Links
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、スイッチング用半導体素子の一種であるＩ
Ｇ Ｂ Ｔ （ｒｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉ
ｐｏｌａｒ ｎ＋ｏｄｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子の
駆動回路、特に過電流に対する保護が可能な駆動回路に
関する。
Ｇ Ｂ Ｔ （ｒｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉ
ｐｏｌａｒ ｎ＋ｏｄｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子の
駆動回路、特に過電流に対する保護が可能な駆動回路に
関する。
ＩＧＢＴ素子はバイポーラトランジスタの有する高耐圧
、大容量化が容易であると云う長所と、パワーＭＯ８Ｆ
Ｅ Ｔの有する高速なスイッチングが可能でドライブ
も容易であると云う長所とを併せもつ新しいデバイスと
して最近注目されているもので、ＩＧＴ、Ｃ０ＭＦＥＴ
、ＧＥＭＦＥＴまたは８１ＦＥＴなどの商品名で各社が
それぞれ製品化している３、 第３図にその等何回路を示す。すなわち、ＩＧＢＴはＰ
ＮＰトランジスタ３１およびＮＰＮトランジスタ３２と
、このＮＰＮトランジスタ３２に並列接続されたＮヂャ
ンネルＭＯ８ＦＥＴ３３と、ＮＰＮｔ−ランジスタ３２
のベース・エミッタ間を短絡する短絡抵抗３４とからな
り、トランジスタ３１．３２で構成されるサイリスタ回
路を内蔵している点が特徴である。
、大容量化が容易であると云う長所と、パワーＭＯ８Ｆ
Ｅ Ｔの有する高速なスイッチングが可能でドライブ
も容易であると云う長所とを併せもつ新しいデバイスと
して最近注目されているもので、ＩＧＴ、Ｃ０ＭＦＥＴ
、ＧＥＭＦＥＴまたは８１ＦＥＴなどの商品名で各社が
それぞれ製品化している３、 第３図にその等何回路を示す。すなわち、ＩＧＢＴはＰ
ＮＰトランジスタ３１およびＮＰＮトランジスタ３２と
、このＮＰＮトランジスタ３２に並列接続されたＮヂャ
ンネルＭＯ８ＦＥＴ３３と、ＮＰＮｔ−ランジスタ３２
のベース・エミッタ間を短絡する短絡抵抗３４とからな
り、トランジスタ３１．３２で構成されるサイリスタ回
路を内蔵している点が特徴である。
ところで、かかるＩ Ｇ Ｂ Ｔ素子を駆動する方式と
して、例えば第４図の如く２組のパルストランスを用い
るものが知られている。同図において、１はＩＧＢＴ、
２は抵抗、３．３’ 、９゜９′はダイオード、４．４
’ はパルストランス、５．５′はトランジスタ、６は
変流器、７は過電流検出：ｆｉ（ＱＣ）、８は点弧信号
発生回路、１０゜１０′はツェナーダイオードである。
して、例えば第４図の如く２組のパルストランスを用い
るものが知られている。同図において、１はＩＧＢＴ、
２は抵抗、３．３’ 、９゜９′はダイオード、４．４
’ はパルストランス、５．５′はトランジスタ、６は
変流器、７は過電流検出：ｆｉ（ＱＣ）、８は点弧信号
発生回路、１０゜１０′はツェナーダイオードである。
その動作は第５図の如く、ＩＧＢＴＩは点弧信号発生回
路８からのオン指令によりトランジスタ５．５′を交互
にオンさセてパルストランス４゜４′を駆動し、その２
次側に誘起される電圧によりオンとされる。ここで、特
にＩＧＢＴｌがオンのどき、短絡等の事故によりＩ Ｇ
Ｂ ’ｒに過電流が流れるとこれが破壊するおそれが
あることから、変′／Ａ器６によってＩＧＢＴｌを流れ
る電流を検出し、これが所定値を越えたことが過電流検
出器７にて検出されたときは、その旨の信号を点弧信号
発生回路８に与えてＩＧＢＴＩをオフにし、過電流保護
を行なうようにしている。
路８からのオン指令によりトランジスタ５．５′を交互
にオンさセてパルストランス４゜４′を駆動し、その２
次側に誘起される電圧によりオンとされる。ここで、特
にＩＧＢＴｌがオンのどき、短絡等の事故によりＩ Ｇ
Ｂ ’ｒに過電流が流れるとこれが破壊するおそれが
あることから、変′／Ａ器６によってＩＧＢＴｌを流れ
る電流を検出し、これが所定値を越えたことが過電流検
出器７にて検出されたときは、その旨の信号を点弧信号
発生回路８に与えてＩＧＢＴＩをオフにし、過電流保護
を行なうようにしている。
つまり、このような方式は度数の素子を互いに絶縁して
駆動するに当たり、２つのパルストランスの１次側を共
通にしてその２次側に複数の素子を配置することができ
ること、ドライブ電源が共通化できること等の利点をも
つため、広く採用されているものである。
駆動するに当たり、２つのパルストランスの１次側を共
通にしてその２次側に複数の素子を配置することができ
ること、ドライブ電源が共通化できること等の利点をも
つため、広く採用されているものである。
しかしながら、以上のような方式では電流を絶縁して検
出しなければならないため、非常にコスト＾になると云
う問題がある。
出しなければならないため、非常にコスト＾になると云
う問題がある。
したがって、この発明は過電流保護を低コス１〜で実現
することが可能な駆動回路を提供することを目的とする
。
することが可能な駆動回路を提供することを目的とする
。
Ｃ問題点を解決するための手段）
ＩＧＢＴのオン電圧を監視する電圧監視手段と、このオ
ン電圧が所定値以上になったことを検出してパルストラ
ンスの２次側を開放するスイッチ手段とを設ける。
ン電圧が所定値以上になったことを検出してパルストラ
ンスの２次側を開放するスイッチ手段とを設ける。
ＩＧＢＴのオン電圧を監視しこれが所定値以上となった
ときは′Ａ電流状態と判所し、パルストランスの２次側
を開放する。
ときは′Ａ電流状態と判所し、パルストランスの２次側
を開放する。
（実施例）
第１図はこの発明の実施例を示す回路図である。
同図において、１１．１２，１７．１９は抵抗、１３．
１４はトランジスタ、１５はツェナーダイオード、１６
はコンデンサ、１８．２２はダイオード、２０はフォト
カブラ、２１はリセットスイッチで、その他は第４図と
同様である。
１４はトランジスタ、１５はツェナーダイオード、１６
はコンデンサ、１８．２２はダイオード、２０はフォト
カブラ、２１はリセットスイッチで、その他は第４図と
同様である。
以下、この発明による過電流保護動作について説明する
。
。
いま、点弧信号発生回路８よりＩ Ｇ Ｂ Ｔ １にオ
ン指令が与えられると、パルストランス４または４′の
２次側に所定の電圧が誘起される。これにより、抵抗１
１．１２、ダイオード２２および抵抗２を介してダイオ
ード３または３′に電流が流れ、トランジスタ１３がオ
ンとなって、ＩＧＢＴｌのゲート・エミッタ間に所定の
電圧が印加され、これがオンとなる。ＩＧＢＴｌのオン
時のコレクタ・エミッタ間電圧（オン電圧）は極めて低
い値となっており、このためダイオード３または３′か
らの電流は抵抗１７およびダイオード１８を介して分流
する。ここで、短絡ｍ ／々等によりＩＧＢＴｌのコレ
クタ・エミッタ間に大きな電流が流れその間の電圧が１
胃すると、ダイオード１８がオフとなるため、ダイオー
ド３からの電流は抵抗１７を介してコンデンサ１６に与
えられ、これを充電する。そして、この充′ｒｉｆｆｉ
圧がツェナーダイオード１５のツェナー電圧を越えると
トランジスタ１４が導通する。その結果、トランジスタ
１３はオフとなり、ＩＧＢＴＩとパルストランス４との
間が開放され、Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ １はオフとなる。
ン指令が与えられると、パルストランス４または４′の
２次側に所定の電圧が誘起される。これにより、抵抗１
１．１２、ダイオード２２および抵抗２を介してダイオ
ード３または３′に電流が流れ、トランジスタ１３がオ
ンとなって、ＩＧＢＴｌのゲート・エミッタ間に所定の
電圧が印加され、これがオンとなる。ＩＧＢＴｌのオン
時のコレクタ・エミッタ間電圧（オン電圧）は極めて低
い値となっており、このためダイオード３または３′か
らの電流は抵抗１７およびダイオード１８を介して分流
する。ここで、短絡ｍ ／々等によりＩＧＢＴｌのコレ
クタ・エミッタ間に大きな電流が流れその間の電圧が１
胃すると、ダイオード１８がオフとなるため、ダイオー
ド３からの電流は抵抗１７を介してコンデンサ１６に与
えられ、これを充電する。そして、この充′ｒｉｆｆｉ
圧がツェナーダイオード１５のツェナー電圧を越えると
トランジスタ１４が導通する。その結果、トランジスタ
１３はオフとなり、ＩＧＢＴＩとパルストランス４との
間が開放され、Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ １はオフとなる。
つまり、ＩＧＢＴＩのエミッタ・コレクタ間の電圧をコ
ンデンサ１６によって監視し、この電圧が所定値を越え
るか否かをツェナーダイオード１５により検出し、所定
値を越えたときはトランジスタ１４をオン、トランジス
タ１３をオフとしてその保護を図るものと云うことがで
きる１、なお、過電流時にコンデンサ１６へ蓄積された
電萄は抵抗１９を介して放電されるが、これはリセット
スイッチ−２１によりフォトカブラ２０を駆動すること
により行なわれる。また、ダイオード９およびツェナー
ダイオード１０とダイオード９′およびツェナーダイオ
ード１０′からなる直グ１回路は、パルストランス４，
４′の１次側コイルに蓄積された丁ネルギーを放出させ
るためのものである。
ンデンサ１６によって監視し、この電圧が所定値を越え
るか否かをツェナーダイオード１５により検出し、所定
値を越えたときはトランジスタ１４をオン、トランジス
タ１３をオフとしてその保護を図るものと云うことがで
きる１、なお、過電流時にコンデンサ１６へ蓄積された
電萄は抵抗１９を介して放電されるが、これはリセット
スイッチ−２１によりフォトカブラ２０を駆動すること
により行なわれる。また、ダイオード９およびツェナー
ダイオード１０とダイオード９′およびツェナーダイオ
ード１０′からなる直グ１回路は、パルストランス４，
４′の１次側コイルに蓄積された丁ネルギーを放出させ
るためのものである。
第２図はこの発明の他の実施例を示す回路図である。こ
れは、第１図に示す回路にフォトカプラ２３と抵抗２４
を付加覆゛ることにより、過電流状態を検出した旨の信
号Ｓを自己の点弧信号発生回路８および他の点弧信号発
生回路に与えるようにし、これにより障害が他の回路へ
及ばないようにするものである。
れは、第１図に示す回路にフォトカプラ２３と抵抗２４
を付加覆゛ることにより、過電流状態を検出した旨の信
号Ｓを自己の点弧信号発生回路８および他の点弧信号発
生回路に与えるようにし、これにより障害が他の回路へ
及ばないようにするものである。
（発明の効果）
この発明によれば、Ｉ Ｇ Ｂ Ｔのオン電圧を監視し
、これが所定値を越えたら過電流状態と判所するように
したので、従来の如きｔ′！１（ａｉ ｊ：Ｚ検出器を
必要どせず、比較的安価に過電流状態を検出し得る利点
がもたらされる。また、過電流状態と判所したらパルス
トランスの２次側を開放するようにしたので、駆動回路
に過電流の検出９判断、保護する機能をずべて内蔵さぜ
ることができ、素子駆動のための電源や絶縁方式を特に
考慮することなく、確実に過電流保護を行なうことがで
きる。
、これが所定値を越えたら過電流状態と判所するように
したので、従来の如きｔ′！１（ａｉ ｊ：Ｚ検出器を
必要どせず、比較的安価に過電流状態を検出し得る利点
がもたらされる。また、過電流状態と判所したらパルス
トランスの２次側を開放するようにしたので、駆動回路
に過電流の検出９判断、保護する機能をずべて内蔵さぜ
ることができ、素子駆動のための電源や絶縁方式を特に
考慮することなく、確実に過電流保護を行なうことがで
きる。
第１図はこの発明の実施例を示す回路図、第２図はこの
発明の他の実施例を示す回路図、第３図はＩＧ８Ｔを示
す等価回路図、第４図は１ＧＢＴ駆動方駆動径来例を示
１′椙成図、第５図は第４図の回路の動作説明図である
。 符号説明 １・・・Ｉ ＧＢＴ、２，１１，１２，１７．１９゜２
４．３４・・・抵抗、３，９．９’ 、１８．２２・・
・ダイオード、４．４’ ・・・パルストランス、５゜
５’ 、１３．１４．３１．３２・・・トランジスタ、
６・・・変流器、７・・・過電流検出器、８・・・点弧
信号発生回路、１０．１０’ 、１５・・・ツェナーダ
イオード、１６・・・コンデンサ、２０．２３・・・フ
ォトカブラ、２１・・・リセットスイッチ。
発明の他の実施例を示す回路図、第３図はＩＧ８Ｔを示
す等価回路図、第４図は１ＧＢＴ駆動方駆動径来例を示
１′椙成図、第５図は第４図の回路の動作説明図である
。 符号説明 １・・・Ｉ ＧＢＴ、２，１１，１２，１７．１９゜２
４．３４・・・抵抗、３，９．９’ 、１８．２２・・
・ダイオード、４．４’ ・・・パルストランス、５゜
５’ 、１３．１４．３１．３２・・・トランジスタ、
６・・・変流器、７・・・過電流検出器、８・・・点弧
信号発生回路、１０．１０’ 、１５・・・ツェナーダ
イオード、１６・・・コンデンサ、２０．２３・・・フ
ォトカブラ、２１・・・リセットスイッチ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 パルストランスを介してＩＧＢＴをオン、オフさせるた
めの駆動回路において、 前記ＩＧＢＴのオン電圧を監視する電圧監視手段と、 該電圧が所定値を越えたことを検出して前記パルストラ
ンスの２次側を開放するスイッチ手段と、を設けてなる
ことを特徴とするＩＧＢＴの駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61241406A JPS6395726A (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | Ｉｇｂｔの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61241406A JPS6395726A (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | Ｉｇｂｔの駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6395726A true JPS6395726A (ja) | 1988-04-26 |
Family
ID=17073809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61241406A Pending JPS6395726A (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | Ｉｇｂｔの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6395726A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4839686A (en) * | 1987-07-10 | 1989-06-13 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Flash device |
| FR2684819A1 (fr) * | 1991-12-09 | 1993-06-11 | Abb Stroemberg Drives Oy | Circuit de commande pour un commutateur a semi-conducteurs. |
| US6009281A (en) * | 1987-07-10 | 1999-12-28 | Minolta Co., Ltd. | Flash device |
| DE102005045099A1 (de) * | 2005-09-21 | 2006-08-10 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Entsättigungsschaltung für einen IGBT |
| KR101019816B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2011-03-04 | 채귀용 | 용접기의 아이지비티 드라이브 |
| CN102445647A (zh) * | 2011-10-10 | 2012-05-09 | 保定天威集团有限公司 | 一种igbt脉冲校验方法 |
| US8453358B2 (en) | 2010-01-19 | 2013-06-04 | Meyer Products, Llc | Dual compression spring ram |
| US8695238B2 (en) | 2011-01-18 | 2014-04-15 | Meyer Products, Llc | Snowplow with auto angling and wireless controller |
-
1986
- 1986-10-13 JP JP61241406A patent/JPS6395726A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4839686A (en) * | 1987-07-10 | 1989-06-13 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Flash device |
| US4951081A (en) * | 1987-07-10 | 1990-08-21 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Flash device |
| US6009281A (en) * | 1987-07-10 | 1999-12-28 | Minolta Co., Ltd. | Flash device |
| FR2684819A1 (fr) * | 1991-12-09 | 1993-06-11 | Abb Stroemberg Drives Oy | Circuit de commande pour un commutateur a semi-conducteurs. |
| DE102005045099A1 (de) * | 2005-09-21 | 2006-08-10 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Entsättigungsschaltung für einen IGBT |
| US7724065B2 (en) | 2005-09-21 | 2010-05-25 | Infineon Technologies Ag | Desaturation circuit for an IGBT |
| DE102005045099B4 (de) * | 2005-09-21 | 2011-05-05 | Infineon Technologies Ag | Entsättigungsschaltung mit einem IGBT |
| KR101019816B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2011-03-04 | 채귀용 | 용접기의 아이지비티 드라이브 |
| US8453358B2 (en) | 2010-01-19 | 2013-06-04 | Meyer Products, Llc | Dual compression spring ram |
| US8695238B2 (en) | 2011-01-18 | 2014-04-15 | Meyer Products, Llc | Snowplow with auto angling and wireless controller |
| CN102445647A (zh) * | 2011-10-10 | 2012-05-09 | 保定天威集团有限公司 | 一种igbt脉冲校验方法 |
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